JP2006073912A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フェイスダウンでサブマウント素子4に実装された半導体発光素子3と、半導体発光素子3が搭載されたカップ部2cと、半導体発光素子3を封止した第1の樹脂部5aおよび第2の樹脂部5bとを有する半導体発光装置1において、第1の樹脂部5aは、少なくとも半導体発光素子3の発光層より下部に設けられた電極部分を覆い、かつ半導体発光素子3の主光取り出し面を覆わないように形成され、第2の樹脂部5bは、第1の樹脂部5aの上面に形成され、半導体発光素子3を覆うように形成され、第1の樹脂部5aの屈折率をN1、第2の樹脂部5bの屈折率をN2、半導体発光素子3の屈折率をN3としたときに、N1<N3の関係と、N1<N2の関係を有する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の構成を図1および図2に基づいて説明する。図1は本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の構成を説明する垂直断面図である。図2は図1のA部拡大図である。
2 リードフレーム
2a アノード側リードフレーム
2b カソード側リードフレーム
2c カップ部
3 半導体発光素子
3a 基板
3b n型半導体層
3c 発光層
3d p型半導体層
3e n側電極
3f p側電極
3g バンプ
3h n側電極
4 サブマウント素子
5 樹脂部
5a 第1の樹脂部
5b 第2の樹脂部
6 ワイヤ
7 カップ部
7a 凹部
7b 側壁部
7c 縁部
7d 周壁部
Claims (14)
- フェイスダウンで実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子が搭載されたカップ部と、前記半導体発光素子を封止した樹脂部とを有する半導体発光装置において、前記樹脂部は、少なくとも前記半導体発光素子の発光層より下部に設けられた電極を覆い、かつ前記半導体発光素子の主光取り出し面を覆わないように形成された第1の樹脂部と、前記第1の樹脂部の上面に形成され、前記半導体発光素子を覆うように形成された第2の樹脂部からなり、前記第1の樹脂部の屈折率をN1、前記第2の樹脂部の屈折率をN2、前記半導体発光素子の屈折率をN3としたときに、N1<N3の関係と、N1<N2の関係を有することを特徴とする半導体発光装置。
- 前記第1の樹脂部と、前記第2の樹脂部と、前記半導体発光素子とのそれぞれの屈折率が、|N1−N3|>|N2−N3|の関係を有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記第2の樹脂部の屈折率は、前記半導体発光素子の屈折率に略等しい値としたことを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光装置。
- 基板に積層された半導体層で形成され、フェイスダウンで実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子が搭載されたカップ部と、前記半導体発光素子を封止した樹脂部とを有する半導体発光装置において、前記樹脂部は、少なくとも前記半導体発光素子の発光層より下部に設けられた電極を覆い、かつ前記半導体発光素子の主光取り出し面を覆わないように形成された第1の樹脂部と、前記第1の樹脂部の上面に形成され、前記半導体発光素子を覆うように形成された第2の樹脂部からなり、前記第1の樹脂部の屈折率をN1、前記第2の樹脂部の屈折率をN2、前記基板の屈折率をN4、前記半導体層の屈折率をN5としたときに、N1<N4およびN1<N5の関係と、N1<N2の関係を有することを特徴とする半導体発光装置。
- 前記第1の樹脂部と、前記第2の樹脂部と、前記基板と、前記半導体層とのそれぞれの屈折率が、|N1−N5|>|N2−N4|の関係を有することを特徴とする請求項4記載の半導体発光装置。
- 前記第2の樹脂部の屈折率は、前記半導体発光素子の前記基板の屈折率に略等しい値としたことを特徴とする請求項4または5記載の半導体発光装置。
- 前記カップ部は、前記第1の樹脂部の厚みを深さとした凹部と、前記凹部の側壁部を延長するように前記凹部の縁部に接続された周壁部とから構成されたことを特徴とする請求項1から6のいずれかの項に記載の半導体発光装置。
- フェイスダウンで実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子が搭載されたカップ部と、前記半導体発光素子を封止した樹脂部とを有する半導体発光装置の製造方法において、半導体発光素子をカップ部に実装し、前記カップ部に、前記半導体発光素子の屈折率をN3としたときに、屈折率がN1であり、N3>N1の関係となる樹脂で、少なくとも前記半導体発光素子の発光層より下部に設けられた電極を覆い、かつ前記基板の主光取り出し面を覆わないように第1の樹脂部を形成し、前記第1の樹脂部が形成された後に、屈折率がN2であり、N1<N2の関係となる樹脂で、前記第1の樹脂部の上面に半導体発光素子を覆うように第2の樹脂部を形成したことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
- 前記第1の樹脂部と、前記第2の樹脂部と、前記半導体発光素子とのそれぞれの屈折率の関係が、|N1−N3|>|N2−N3|としたことを特徴とする請求項8記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記第2の樹脂部の屈折率は、前記半導体発光素子の屈折率に略等しい値としたことを特徴とする請求項8または9記載の半導体発光装置の製造方法。
- 基板に積層された半導体層で形成され、フェイスダウンで実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子が搭載されたカップ部と、前記半導体発光素子を封止した樹脂部とを有する半導体発光装置の製造方法において、半導体発光素子をカップ部に実装し、前記カップ部に、前記半導体発光素子の前記基板の屈折率をN4、前記半導体層の屈折率をN5としたときに、屈折率がN1であり、N4>N1およびN5>N1の関係となる樹脂で、少なくとも前記半導体発光素子の発光層より下部に設けられた電極を覆い、かつ前記基板の主光取り出し面を覆わないように第1の樹脂部を形成し、前記第1の樹脂部が形成された後に、屈折率がN2であり、N1<N2の関係となる樹脂で、前記第1の樹脂部の上面に半導体発光素子を覆うように第2の樹脂部を形成したことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
- 前記第1の樹脂部と、前記第2の樹脂部と、前記基板と、前記半導体層とのそれぞれの屈折率が、|N1−N5|>|N2−N4|の関係を有することを特徴とする請求項11記載の半導体発光装置。
- 前記第2の樹脂部の屈折率は、前記半導体発光素子の前記基板の屈折率に略等しい値としたことを特徴とする請求項11または12記載の半導体発光装置。
- 前記カップ部は、前記第1の樹脂部の厚みを深さとした凹部と、前記凹部の側壁部を延長するように前記凹部の縁部に接続された周壁部とからなり、前記第1の樹脂部を形成するに際し、前記凹部の縁部まで前記第1の樹脂部を形成する樹脂を充填し、前記周壁部を前記凹部の縁部に接続して、前記第1の樹脂部を形成する樹脂を硬化させ、前記第2の樹脂部を形成することを特徴とする請求項8から13のいずれかの項に記載の半導体発光装置の製造方法。
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