JP2006060196A - Device for sealing thin film integrated circuit, ic sheet, roll of ic sheet, and method of manufacturing ic chip - Google Patents

Device for sealing thin film integrated circuit, ic sheet, roll of ic sheet, and method of manufacturing ic chip Download PDF

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秀和 高橋
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康行 荒井
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deterioration in manufacturing efficiency as well as damage and breakage during sealing of a thin film integrated circuit. <P>SOLUTION: One of a first base material and a second base material for sealing a thin film integrated circuit is supplied by extruding it in a heated and melted state. Rolls are used to supply the other base material and to collect IC chips. Rollers are used to perform separating and sealing processing. The rotation of the rolls and rollers would enable the continuous operations including the separation of a plurality of thin film integrated circuits provided on the base material, sealing of the separated thin film integrated circuits, and collection of the sealed thin film integrated circuits. Thus, it is possible to significantly enhance the manufacturing efficiency. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、薄膜集積回路を封止する装置（以下、本明細書中において「ラミネート装置」という）に関する。また本発明は、封止した複数の薄膜集積回路を含むＩＣシートに関する。また本発明は、封止した複数の薄膜集積回路を含むＩＣシートが巻き取られた巻物に関する。また本発明は、薄膜集積回路を封止したＩＣチップの作製方法に関する。 The present invention relates to an apparatus for sealing a thin film integrated circuit (hereinafter referred to as “laminating apparatus” in the present specification). The present invention also relates to an IC sheet including a plurality of sealed thin film integrated circuits. The present invention also relates to a scroll in which an IC sheet including a plurality of sealed thin film integrated circuits is wound. The present invention also relates to a method for manufacturing an IC chip in which a thin film integrated circuit is sealed.

近年、ガラス基板上に設けられた薄膜集積回路を用いたＩＣチップ（ＩＣタグ、ＩＤタグ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）タグ、無線タグ、電子タグ、無線メモリ、電子メモリともよばれる）の技術開発が進められている。このような技術では、ガラス基板上に設けられた薄膜集積回路は、完成後に支持基板であるガラス基板から分離する必要がある。 In recent years, technological development of IC chips (also referred to as IC tags, ID tags, RF (Radio Frequency) tags, wireless tags, electronic tags, wireless memories, and electronic memories) using thin film integrated circuits provided over a glass substrate has progressed. It has been. In such a technique, the thin film integrated circuit provided over the glass substrate needs to be separated from the glass substrate which is a support substrate after completion.

そこで、支持基板上に設けられた薄膜集積回路を分離する技術として、例えば、薄膜集積回路と支持基板の間に珪素を含む剥離層を設けて、当該剥離層をフッ化ハロゲンを含む気体を用いて除去することにより、薄膜集積回路を支持基板から分離する技術がある（特許文献１参照）。
特開平８−２５４６８６号公報 Therefore, as a technique for separating the thin film integrated circuit provided over the support substrate, for example, a release layer containing silicon is provided between the thin film integrated circuit and the support substrate, and the release layer is made of a gas containing halogen fluoride. There is a technique for separating a thin film integrated circuit from a supporting substrate by removing the film (see Patent Document 1).
JP-A-8-254686

ガラス基板上には複数の薄膜集積回路が設けられており、剥離層を除去すると同時に、複数の薄膜集積回路を個々に分離する。しかしながら、分離した後の薄膜集積回路を個々に封止すると、製造効率が悪化してしまう。また、薄く軽いために非常に壊れやすい薄膜集積回路に、損傷や破壊が生じないように封止するのは非常に困難である。
そこで本発明は、薄膜集積回路の封止の際の製造効率の悪化を防止し、また、損傷や破壊を防止することを課題とする。 A plurality of thin film integrated circuits are provided on the glass substrate, and the plurality of thin film integrated circuits are individually separated at the same time as the peeling layer is removed. However, when the separated thin film integrated circuits are individually sealed, the manufacturing efficiency is deteriorated. In addition, it is very difficult to seal a thin film integrated circuit that is very fragile because it is thin and light so as not to be damaged or broken.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to prevent deterioration in manufacturing efficiency when sealing a thin film integrated circuit, and to prevent damage and destruction.

また、上述の通り、薄膜集積回路は非常に壊れやすく、封止後でも取り扱いに注意が必要であり、損傷や破壊が生じないように出荷することが非常に困難であった。
そこで本発明は、出荷の際の薄膜集積回路の損傷や破壊を防止し、その取り扱いを容易にすることを課題とする。 Further, as described above, the thin film integrated circuit is very fragile and needs to be handled with care even after sealing, and it has been very difficult to ship so that damage and destruction do not occur.
Therefore, an object of the present invention is to prevent damage and destruction of a thin film integrated circuit at the time of shipment, and to facilitate the handling thereof.

本発明は、薄膜集積回路を封止する第１及び第２の基体のうち一方の基体を加熱溶融状態で押し出しながら供給し、他方の基体の供給とＩＣチップの回収にはロールを用い、剥離処理と封止処理にローラーを用いるラミネート装置を提供する。ロールとローラーを回転させることにより、基板上に設けられた複数の薄膜集積回路を剥離し、剥離した薄膜集積回路を封止し、封止した薄膜集積回路を回収する作業を連続的に行うことができるため、製造効率を格段に向上させることができる。また、薄膜集積回路の封止は、互いに対向する一対のローラーを用いて行うため、容易かつ確実に行うことができる。 In the present invention, one of the first and second substrates sealing the thin film integrated circuit is supplied while being extruded in a heated and melted state, and a roll is used for supplying the other substrate and collecting the IC chip, and peeling the substrate. Provided is a laminating apparatus using a roller for processing and sealing processing. By rotating a roll and a roller, a plurality of thin film integrated circuits provided on the substrate are peeled off, the peeled thin film integrated circuits are sealed, and the work of collecting the sealed thin film integrated circuits is continuously performed. Therefore, manufacturing efficiency can be significantly improved. Further, since the thin film integrated circuit is sealed using a pair of rollers facing each other, it can be easily and reliably performed.

本発明のラミネート装置の第１の構成は、
複数の薄膜集積回路が設けられた基板を搬送する搬送手段と、
前記複数の薄膜集積回路が設けられた基板上に、熱可塑性樹脂を加熱溶融状態で押し出しながら供給する手段と、
加熱溶融状態で供給された前記熱可塑性樹脂を冷却することによって、前記薄膜集積回路の一方の面を前記熱可塑性樹脂からなる第１の基体に接着させて、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離する、冷却手段を有するローラーと、
第２の基体が巻き付けられた供給用ロールと、
前記基板から剥離された前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段と、
封止された前記薄膜集積回路を巻き取る回収用ロールと、
を有することを特徴とする。 The first configuration of the laminating apparatus of the present invention is:
Conveying means for conveying a substrate provided with a plurality of thin film integrated circuits;
Means for supplying a thermoplastic resin while extruding it in a heated and melted state on a substrate provided with the plurality of thin film integrated circuits;
By cooling the thermoplastic resin supplied in a heated and melted state, one surface of the thin film integrated circuit is bonded to the first base made of the thermoplastic resin, and the thin film integrated circuit is peeled off from the substrate. A roller having a cooling means;
A supply roll around which the second substrate is wound;
Means for sealing the thin film integrated circuit peeled from the substrate with the first base and the second base;
A collecting roll for winding the sealed thin film integrated circuit;
It is characterized by having.

本発明のラミネート装置の第２の構成は、
基板上に設けられた複数の薄膜集積回路上に、熱可塑性樹脂を加熱溶融状態で押し出しながら供給する手段と、
加熱溶融状態で供給された前記熱可塑性樹脂を冷却することによって、前記薄膜集積回路の一方の面を前記熱可塑性樹脂からなる第１の基体に接着させて、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離する、冷却手段を有するローラーと、
第２の基体が巻き付けられた供給用ロールと、
前記基板から剥離された前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段と、
封止された前記薄膜集積回路を巻き取る回収用ロールと、
を有することを特徴とする。 The second configuration of the laminating apparatus of the present invention is:
Means for supplying a thermoplastic resin while extruding it in a heated and melted state on a plurality of thin film integrated circuits provided on the substrate;
By cooling the thermoplastic resin supplied in a heated and melted state, one surface of the thin film integrated circuit is bonded to the first base made of the thermoplastic resin, and the thin film integrated circuit is peeled off from the substrate. A roller having a cooling means;
A supply roll around which the second substrate is wound;
Means for sealing the thin film integrated circuit peeled from the substrate with the first base and the second base;
A collecting roll for winding the sealed thin film integrated circuit;
It is characterized by having.

本発明のラミネート装置の第３の構成は、複数の薄膜集積回路が設けられた基板を搬送する搬送手段と、
前記複数の薄膜集積回路が設けられた基板上に、熱可塑性樹脂を加熱溶融状態で押し出しながら供給する手段と、
第２の基体が巻き付けられた供給用ロールと、
加熱溶融状態で供給された前記熱可塑性樹脂を冷却することによって、前記薄膜集積回路の一方の面を前記熱可塑性樹脂からなる第１の基体に接着させて、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離すると共に、前記基板から剥離された前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段と、
封止された前記薄膜集積回路を巻き取る回収用ロールと、
を有することを特徴とする。 A third configuration of the laminating apparatus of the present invention includes a conveying means for conveying a substrate provided with a plurality of thin film integrated circuits,
Means for supplying a thermoplastic resin while extruding it in a heated and melted state on a substrate provided with the plurality of thin film integrated circuits;
A supply roll around which the second substrate is wound;
By cooling the thermoplastic resin supplied in a heated and melted state, one surface of the thin film integrated circuit is bonded to the first base made of the thermoplastic resin, and the thin film integrated circuit is peeled off from the substrate. And means for sealing the thin film integrated circuit peeled from the substrate with the first base and the second base,
A collecting roll for winding the sealed thin film integrated circuit;
It is characterized by having.

本発明のラミネート装置の第４の構成は、
複数の薄膜集積回路が設けられた基板と、
第１の基体が巻き付けられた供給用ロールと、
前記第１の基体を搬送する搬送手段と、
前記基板上に設けられた前記薄膜集積回路の一方の面と前記第１の基体とが接着するように前記基板を前記第１の基体上に配置する移動手段と、
前記薄膜集積回路の前記一方の面を前記第１の基体に接着させて、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離する剥離手段と、
熱可塑性樹脂を加熱溶融状態で供給する手段と、
前記基板から剥離された前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記熱可塑性樹脂からなる第２の基体により封止する手段と、
封止された前記薄膜集積回路を巻き取る回収用ロールと、
を有することを特徴とする。 The fourth configuration of the laminating apparatus of the present invention is as follows.
A substrate provided with a plurality of thin film integrated circuits;
A supply roll around which the first substrate is wound;
Conveying means for conveying the first substrate;
Moving means for disposing the substrate on the first substrate such that one surface of the thin film integrated circuit provided on the substrate adheres to the first substrate;
A peeling means for bonding the one surface of the thin film integrated circuit to the first base and peeling the thin film integrated circuit from the substrate;
Means for supplying the thermoplastic resin in a heated and melted state;
Means for sealing the thin film integrated circuit peeled from the substrate with the first base and the second base made of the thermoplastic resin;
A collecting roll for winding the sealed thin film integrated circuit;
It is characterized by having.

上記第１〜第４の構成を有するラミネート装置において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーを有することを特徴とする。 In the laminating apparatus having the above first to fourth configurations, means for sealing the thin film integrated circuit with the first base and the second base are a first roller and a second provided opposite to each other. It is characterized by having a roller.

上記第１〜第３の構成を有するラミネート装置において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーを有し、前記第１のローラーと前記第２のローラーの一方は加熱手段を有することを特徴とする。 In the laminating apparatus having the first to third configurations, means for sealing the thin film integrated circuit with the first base and the second base are a first roller and a second provided opposite to each other. One of the first roller and the second roller has a heating means.

上記第３及び第４の構成を有するラミネート装置において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーを有し、前記第１のローラーと前記第２のローラーの一方は冷却手段を有することを特徴とする。 In the laminating apparatus having the third and fourth configurations, the means for sealing the thin film integrated circuit with the first base and the second base is a first roller and a second provided opposite to each other. One of the first roller and the second roller has a cooling means.

上記第３の構成を有するラミネート装置において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーを有し、前記第１のローラーと前記第２のローラーの一方は冷却手段を有し、他方は加熱手段を有することを特徴とする。 In the laminating apparatus having the third configuration, the means for sealing the thin film integrated circuit with the first base and the second base includes a first roller and a second roller provided to face each other. And one of the first roller and the second roller has a cooling means, and the other has a heating means.

上記第１〜第２の構成を有するラミネート装置において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーの間に前記薄膜集積回路を通過させると共に、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行うことにより、前記薄膜集積回路を封止することを特徴とする。 In the laminating apparatus having the first to second configurations, means for sealing the thin film integrated circuit with the first base and the second base are a first roller and a second provided opposite to each other. The thin film integrated circuit is sealed by allowing the thin film integrated circuit to pass between rollers and performing one or both of pressure treatment and heat treatment.

上記第４の構成を有するラミネート装置において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーの間に前記薄膜集積回路を通過させると共に、加圧処理及び冷却処理を行うことにより、前記薄膜集積回路を封止することを特徴とする。 In the laminating apparatus having the fourth configuration, the means for sealing the thin film integrated circuit with the first base and the second base is formed by the first roller and the second roller provided to face each other. The thin film integrated circuit is sealed by passing the thin film integrated circuit therebetween and performing a pressurizing process and a cooling process.

上記第１〜第３の構成を有するラミネート装置において、前記第２の基体は複数の層で構成されたフィルムであることを特徴とする。 In the laminating apparatus having the first to third configurations, the second base is a film composed of a plurality of layers.

上記第４の構成を有するラミネート装置において、前記第１の基体は複数の層で構成されたフィルムであることを特徴とする。 In the laminating apparatus having the fourth configuration, the first base is a film composed of a plurality of layers.

また、本発明は、封止された薄膜集積回路をシート状にすることで、その取り扱いを容易にするＩＣシートを提供する。本発明のＩＣシートは、複数の薄膜集積回路と、第１の基体と、第２の基体とを有し、第１の基体と第２の基体によって複数の薄膜集積回路の各々を薄膜集積回路の表裏から封止した構造となっている。 In addition, the present invention provides an IC sheet that facilitates handling by forming a sealed thin film integrated circuit into a sheet shape. The IC sheet of the present invention has a plurality of thin film integrated circuits, a first substrate, and a second substrate, and each of the plurality of thin film integrated circuits is formed into a thin film integrated circuit by the first substrate and the second substrate. The structure is sealed from the front and back.

また、本発明は、第１の基体と第２の基体によって封止された複数の薄膜集積回路を含むＩＣシートを巻き取ることで、その取り扱いを容易にするＩＣシートの巻物を提供する。本発明のＩＣシートの巻物は、第１の基体と第２の基体によって複数の薄膜集積回路の各々を薄膜集積回路の表裏から封止することによって得られたＩＣシートが巻き取られたものである。 The present invention also provides a roll of an IC sheet that can be easily handled by winding up an IC sheet including a plurality of thin film integrated circuits sealed by a first substrate and a second substrate. The roll of the IC sheet of the present invention is obtained by winding an IC sheet obtained by sealing each of a plurality of thin film integrated circuits from the front and back of the thin film integrated circuit with the first base and the second base. is there.

上記構成を有するＩＣシート又はＩＣシートの巻物において、複数の薄膜集積回路の各々は、複数の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層を有することを特徴とする。また、複数の薄膜集積回路の各々は、規則的に配列することを特徴とする。また、第１の基体または第２の基体は複数の層で構成されたフィルムであることを特徴とする。 In the IC sheet or the roll of IC sheets having the above structure, each of the plurality of thin film integrated circuits includes a plurality of thin film transistors and a conductive layer functioning as an antenna. Each of the plurality of thin film integrated circuits is regularly arranged. The first substrate or the second substrate is a film composed of a plurality of layers.

本発明のＩＣチップの作製方法は、絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、前記基板上に薄膜集積回路を複数形成し、前記薄膜集積回路の境界に開口部を形成して、前記剥離層を露出させ、前記開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を除去し、前記薄膜集積回路の一方の面を第１の基体に接着させることにより、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離し、前記薄膜集積回路の他方の面を第２の基体に接着させ、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止することを特徴とする。また、前記基板上に、前記薄膜集積回路として、複数の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層を形成することを特徴とする。 In the method for manufacturing an IC chip of the present invention, a peeling layer is formed on a substrate having an insulating surface, a plurality of thin film integrated circuits are formed on the substrate, an opening is formed at a boundary of the thin film integrated circuit, By exposing the release layer, introducing a gas or liquid containing halogen fluoride into the opening, removing the release layer, and bonding one surface of the thin film integrated circuit to the first substrate, The thin film integrated circuit is peeled from the substrate, the other surface of the thin film integrated circuit is bonded to a second base, and the thin film integrated circuit is sealed with the first base and the second base. And In addition, a plurality of thin film transistors and a conductive layer functioning as an antenna are formed over the substrate as the thin film integrated circuit.

基体が巻き付けられたロールや薄膜集積回路を巻き取るロール、剥離処理や封止処理にローラーを用いることを特徴とする本発明のラミネート装置は、基板上に設けられた複数の薄膜集積回路基板上に設けられた複数の薄膜集積回路を剥離し、剥離した薄膜集積回路を封止し、封止した薄膜集積回路を回収する作業を連続的に行うことができるため、製造効率を向上させて、製造時間を短縮することができる。
また、薄膜集積回路を第１の基体と第２の基体により封止する手段（以下、本明細書中において「ラミネート手段」という）として、互いに対向する一対のローラーを用いて薄膜集積回路の封止を行う本発明のラミネート装置は、薄膜集積回路の封止を容易かつ確実に行うことができる。 A laminating apparatus according to the present invention is characterized in that a roll on which a substrate is wound, a roll for winding a thin film integrated circuit, and a roller for peeling treatment or sealing treatment are used on a plurality of thin film integrated circuit substrates provided on the substrate. The plurality of thin film integrated circuits provided in can be peeled, the peeled thin film integrated circuit can be sealed, and the operation of recovering the sealed thin film integrated circuit can be continuously performed. Manufacturing time can be shortened.
Further, as a means for sealing the thin film integrated circuit with the first base and the second base (hereinafter referred to as “laminating means” in the present specification), a pair of rollers facing each other is used to seal the thin film integrated circuit. The laminating apparatus of the present invention for stopping the sealing can easily and reliably seal the thin film integrated circuit.

また本発明のＩＣシートとＩＣシートの巻物は、薄膜集積回路が既に封止した状態となっているために、取り扱いが容易であり、薄膜集積回路の破壊や損傷を防止することができる。また、大量の薄膜集積回路を容易に出荷することができる。 In addition, since the IC sheet and the roll of the IC sheet of the present invention are in a state where the thin film integrated circuit is already sealed, it is easy to handle and can prevent destruction and damage of the thin film integrated circuit. In addition, a large number of thin film integrated circuits can be easily shipped.

本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
（実施の形態１） Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below. Note that in the structures of the present invention described below, the same reference numerals are used in common in different drawings.
(Embodiment 1)

本発明は、薄膜集積回路を封止する第１及び第２の基体のうちの一方の基体は加熱溶融状態で押し出しながら供給する。また、第１及び第２の基体のうちの他方の基体の供給と封止したＩＣチップの回収にはロールを用い、剥離処理と封止処理にローラーを用いるラミネート装置を提供する。以下には、本発明のラミネート装置の主な形態について図面を参照して説明する。 In the present invention, one of the first and second substrates sealing the thin film integrated circuit is supplied while being extruded in a heated and melted state. In addition, a laminating apparatus is provided that uses a roll for supplying the other substrate of the first and second substrates and recovering the sealed IC chip, and using a roller for the peeling process and the sealing process. Below, the main forms of the laminating apparatus of this invention are demonstrated with reference to drawings.

本発明のラミネート装置の第１の構成を図１に示す。本発明のラミネート装置は、薄膜集積回路１３が複数設けられた基板１２を搬送する搬送手段１１と、第１の基体１８を加熱溶融状態で押し出しながら供給するダイ１４と、冷却ローラー１６と、第２の基体１９が巻き付けられた供給用ロール１５と、薄膜集積回路１３を第１の基体１８と第２の基体１９により封止するラミネート手段１７と、第１の基体１８と第２の基体１９によって封止された薄膜集積回路１３を巻き取る回収用ロール２０とを有する。また、ラミネート手段１７は、ローラー２１、２２を有する。 A first configuration of the laminating apparatus of the present invention is shown in FIG. The laminating apparatus of the present invention includes a conveying means 11 for conveying a substrate 12 provided with a plurality of thin film integrated circuits 13, a die 14 for supplying the first base 18 while extruding it in a heated and melted state, a cooling roller 16, and a first roller. A supply roll 15 around which the two bases 19 are wound, a laminating means 17 for sealing the thin film integrated circuit 13 with the first base 18 and the second base 19, and the first base 18 and the second base 19 And a collecting roll 20 that winds up the thin film integrated circuit 13 sealed by the. The laminating means 17 has rollers 21 and 22.

図１に示す装置では、ダイ１４から、第１の基体１８を加熱溶融状態で押出しながら薄膜集積回路が形成された基板１２上に供給する。基板１２上に溶融状態の第１の基体が供給されている状態で、基板１２は搬送手段１１によって冷却ローラー１６へと搬送される。そして、基板１２上に供給された第１の基体１８が、冷却ローラー１６によって冷却されることによって、溶融状態の第１の基体が硬化し、薄膜集積回路１３が第１の基体に接着する。薄膜集積回路１３が接着した第１の基体が冷却ローラー１６によって上方へと誘導されることによって基板１２から薄膜集積回路１３が剥離される。そして、薄膜集積回路１３が接着した第１の基体１８はラミネート手段１７の方向に流れていく。また、供給用ロール１５から、第２の基体１９がラミネート手段１７の方向に流れていく。ラミネート手段１７では、ローラー２１、２２を用いて加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行うことによって、一方の面が第１の基体１８に接着した薄膜集積回路１３が流れてくると、当該薄膜集積回路１３の他方の面に第２の基体１９を接着させると共に、薄膜集積回路１３を第１の基体１８と第２の基体１９により封止する。
最後に、封止された薄膜集積回路１３は、回収用ロール２０の方向に流れてゆき、回収用ロール２０に巻き取られて回収される。 In the apparatus shown in FIG. 1, a first base 18 is fed from a die 14 onto a substrate 12 on which a thin film integrated circuit is formed while being extruded in a heated and melted state. The substrate 12 is transported to the cooling roller 16 by the transport means 11 in a state where the molten first substrate is supplied onto the substrate 12. Then, the first base 18 supplied onto the substrate 12 is cooled by the cooling roller 16, whereby the molten first base is cured, and the thin film integrated circuit 13 is bonded to the first base. The first substrate to which the thin film integrated circuit 13 is bonded is guided upward by the cooling roller 16, whereby the thin film integrated circuit 13 is peeled from the substrate 12. Then, the first base 18 to which the thin film integrated circuit 13 is bonded flows in the direction of the laminating means 17. Further, the second base 19 flows from the supply roll 15 in the direction of the laminating means 17. In the laminating means 17, when one or both of the pressure treatment and the heat treatment is performed using the rollers 21 and 22, the thin film integrated circuit 13 having one surface bonded to the first base 18 flows. The second substrate 19 is adhered to the other surface of the thin film integrated circuit 13, and the thin film integrated circuit 13 is sealed with the first substrate 18 and the second substrate 19.
Finally, the sealed thin film integrated circuit 13 flows in the direction of the collection roll 20 and is wound around the collection roll 20 and collected.

上記の動作から、本発明のラミネート装置は、ダイ１４から供給される第１の基体１８が冷却ローラー１６、ラミネート手段１７の有するローラー２１、回収用ロール２０の順に流れるように設けられ、冷却ローラー１６とローラー２１は同じ方向に回転する。また、供給用ロール１５から供給される第２の基体１９が、ラミネート手段１７の有するローラー２２、回収用ロール２０の順に流れるように設けられ、供給用ロール１５とローラー２２は同じ方向に回転する。 From the above operation, the laminating apparatus of the present invention is provided such that the first base 18 supplied from the die 14 flows in the order of the cooling roller 16, the roller 21 included in the laminating means 17, and the collection roll 20. 16 and the roller 21 rotate in the same direction. Further, the second base 19 supplied from the supply roll 15 is provided so as to flow in the order of the roller 22 and the collection roll 20 of the laminating unit 17, and the supply roll 15 and the roller 22 rotate in the same direction. .

搬送手段１１は、薄膜集積回路１３が複数設けられた基板１２を搬送するものであり、例えば、ベルトコンベア、複数のローラー、ロボットアームに相当する。ロボットアームは、基板１２をそのまま搬送したり、基板１２が設けられたステージを搬送したりする。搬送手段１１は、冷却ローラー１６が回転する速度に合わせて、所定の速度で、基板１２を搬送する。なお、搬送手段１１に、加熱手段を設けた構成としてもよい。加熱手段は、例えば、電熱線のヒーターや、オイル等の温媒に相当する。この場合、搬送手段１１の有する加熱手段によって基板１２を加熱した状態において、第１の基体１８を冷却ローラー１６で冷却することによって、薄膜集積回路１３を基板１２から剥離するのをより容易に行うことができる。 The transport unit 11 transports the substrate 12 on which a plurality of thin film integrated circuits 13 are provided, and corresponds to, for example, a belt conveyor, a plurality of rollers, and a robot arm. The robot arm transports the substrate 12 as it is or transports the stage on which the substrate 12 is provided. The transport unit 11 transports the substrate 12 at a predetermined speed in accordance with the speed at which the cooling roller 16 rotates. In addition, it is good also as a structure which provided the heating means in the conveyance means 11. FIG. The heating means corresponds to, for example, a heating wire heater or a heating medium such as oil. In this case, the thin film integrated circuit 13 can be more easily separated from the substrate 12 by cooling the first base 18 with the cooling roller 16 in a state where the substrate 12 is heated by the heating means of the transport means 11. be able to.

供給用ロール１５には第２の基体１９が巻き付けられている。供給用ロール１５は、所定の速度で回転することで、ラミネート手段１７に第２の基体１９を供給する。
供給用ロール１５は、円柱状であり、また、樹脂材料や金属材料等からなる。 A second base 19 is wound around the supply roll 15. The supply roll 15 supplies the second substrate 19 to the laminating means 17 by rotating at a predetermined speed.
The supply roll 15 has a cylindrical shape and is made of a resin material, a metal material, or the like.

第１の基体１８には、熱可塑性樹脂を用いればよい。第１の基体１８に用いる熱可塑性樹脂は、軟化点の低いものが好ましい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール等のビニル系共重合体、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、エチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン共重合体等のスチレン系樹脂等が挙げられる。なお、第１の基体は、ダイ１４からの単層で押し出したものでもよいし、２層以上を共押し出ししたものでもよい。 A thermoplastic resin may be used for the first base 18. The thermoplastic resin used for the first substrate 18 preferably has a low softening point. For example, polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene and polymethylpentene, vinyl resins such as vinyl chloride, vinyl acetate, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, vinylidene chloride, polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol, etc. Copolymer, acrylic resin, polyester resin, urethane resin, cellulose, cellulose acetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate, cellulose resin such as ethyl cellulose, styrene such as polystyrene, acrylonitrile-styrene copolymer Based resins and the like. The first substrate may be extruded as a single layer from the die 14 or may be extruded as two or more layers.

第２の基体１９は、複数の層で構成されたフィルム（以下、本明細書中において「ラミネートフィルム」という）を用いる。ラミネートフィルムは、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどの樹脂材料によって複数の層に形成された構成となっており、その表面は、エンボス加工などの加工処理が施されていてもよい。また、ラミネートフィルムには、ホットラミネートタイプとコールドラミネートタイプが存在する。 The second substrate 19 uses a film composed of a plurality of layers (hereinafter referred to as “laminate film” in the present specification). Laminate film is composed of multiple layers made of resin materials such as polypropylene, polyester, vinyl, polyvinyl fluoride, and vinyl chloride, and the surface is subjected to processing such as embossing. Good. In addition, there are a hot laminate type and a cold laminate type as the laminate film.

ホットラミネートタイプのラミネートフィルムは、例えば、ポリエステル等からなるベースフィルム上にポリエチレン樹脂等からなる接着層が形成された構成となっており、接着層は、ベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂からなる。よって、加熱することによって、接着層のみが溶融してゴム状になり、冷却すると硬化する。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエステルの他にＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等でもよい。また、接着層として使用される材料は、ポリエチレン樹脂の他にポリエチレン、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等でもよい。 A hot laminate type laminate film has, for example, a structure in which an adhesive layer made of polyethylene resin or the like is formed on a base film made of polyester or the like, and the adhesive layer is made of a resin having a softening point lower than that of the base film. . Therefore, by heating, only the adhesive layer is melted to become rubbery, and is cured when cooled. The material used as the base film may be PET (polyethylene terephthalate) or PEN (polyethylene naphthalate) in addition to polyester. The material used for the adhesive layer may be polyethylene, polyester, EVA (ethylene vinyl acetate) or the like in addition to the polyethylene resin.

コールドラミネートタイプのラミネートフィルムは、例えば、ポリエステルや塩化ビニルなどからなるベースフィルム上に常温で粘着性を有する接着層が形成された構成となっている。 A cold laminate type laminate film has a configuration in which an adhesive layer having adhesiveness at room temperature is formed on a base film made of, for example, polyester or vinyl chloride.

そして、第２の基体１９の接着層側の表面（ベースフィルム側の表面）には、二酸化珪素（シリカ）の粉末によりコーティングされていてもよい。このコーティングにより、高温で高湿度の環境下においても防水性を保つことができる。 The surface of the second base 19 on the adhesive layer side (the surface on the base film side) may be coated with silicon dioxide (silica) powder. With this coating, waterproofness can be maintained even in a high temperature and high humidity environment.

また、第１の基体１８と第２の基体１９の一方又は両方は、透光性を有していてもよい。また、第１の基体１８と第２の基体１９の一方又は両方は、静電気をチャージすることで、封止する薄膜集積回路１３を保護するために、その表面を導電性材料によりコーティングしてもよい。
また、第２の基体１９は、保護膜として、炭素を主成分とする薄膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の導電性材料によりコーティングされていてもよい。 Further, one or both of the first base 18 and the second base 19 may have a light-transmitting property. In addition, one or both of the first base 18 and the second base 19 may be coated with a conductive material to protect the thin film integrated circuit 13 to be sealed by charging static electricity. Good.
The second substrate 19 may be coated with a conductive material such as a thin film (diamond-like carbon film) containing carbon as a main component or indium tin oxide (ITO) as a protective film.

冷却ローラー１６は、冷却手段を有するローラーであり、薄膜集積回路１３の一方の面を、第１の基体１８の一方の面に接着させて、基板１２から薄膜集積回路１３を剥離するために設けられている。冷却手段は、冷却水などの冷媒に相当する。溶融状態の第１の基体が冷却ローラー１６で冷却されて硬化することによって、薄膜集積回路１３が第１の基体１８に接着し、基板１２から薄膜集積回路１３が剥離される。従って、冷却ローラー１６は、薄膜集積回路１３が設けられた側の基板１２と対向するように設けられる。そして、第１の基体１８と薄膜集積回路１３との接着をより確実に行うために、薄膜集積回路１３が冷却ローラー１６の下方の位置に到達したときに、冷却ローラー１６を下方に動かして、第１の基体１８を薄膜集積回路１３に押しつけるようにしてもよい。
なお、上記の構成によると、基板１２は搬送手段１１により移動し、冷却ローラー１６は固定されているが、本発明は、これに制約されない。基板１２を固定して、冷却ローラー１６を移動させることにより、基板１２から薄膜集積回路１３を剥離してもよい。また、冷却ローラー１６は、円柱状であり、例えば内部に冷却水などの冷媒を流せる構造とし、冷却水などの冷媒を供給することにより冷却する構成とする。また、冷却ローラー１６は、樹脂材料や金属材料等からなり、好ましくは、柔らかい材料からなる。 The cooling roller 16 is a roller having a cooling unit, and is provided to adhere one surface of the thin film integrated circuit 13 to one surface of the first base 18 and peel the thin film integrated circuit 13 from the substrate 12. It has been. The cooling means corresponds to a refrigerant such as cooling water. When the molten first substrate is cooled by the cooling roller 16 and cured, the thin film integrated circuit 13 adheres to the first substrate 18, and the thin film integrated circuit 13 is peeled from the substrate 12. Accordingly, the cooling roller 16 is provided so as to face the substrate 12 on the side where the thin film integrated circuit 13 is provided. Then, in order to more securely bond the first base 18 and the thin film integrated circuit 13, when the thin film integrated circuit 13 reaches a position below the cooling roller 16, the cooling roller 16 is moved downward, The first base 18 may be pressed against the thin film integrated circuit 13.
In addition, according to said structure, although the board | substrate 12 moves with the conveyance means 11, and the cooling roller 16 is being fixed, this invention is not restrict | limited to this. The thin film integrated circuit 13 may be peeled from the substrate 12 by fixing the substrate 12 and moving the cooling roller 16. The cooling roller 16 has a cylindrical shape, for example, has a structure in which a coolant such as cooling water can flow therein, and is cooled by supplying a coolant such as cooling water. The cooling roller 16 is made of a resin material, a metal material, or the like, and is preferably made of a soft material.

ラミネート手段１７は、一方の面が第１の基体１８に接着した薄膜集積回路１３が流れてくると、当該薄膜集積回路１３の他方の面に第２の基体１９を接着させると共に、薄膜集積回路１３を第１の基体１８と第２の基体１９により封止する。
また、ラミネート手段１７は、互いに対向して設けられたローラー２１とローラー２２を有する。そして、供給用ロール１５からローラー２２に向かって供給される第２の基体１９に、薄膜集積回路１３の他方の面を接着させると共に、ローラー２１とローラー２２の間を通過する際に、ローラー２１とローラー２２を用いて、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行う。上記の処理により、薄膜集積回路１３は、第１の基体１８と第２の基体１９により、封止される。 When the thin film integrated circuit 13 having one surface bonded to the first substrate 18 flows, the laminating means 17 bonds the second substrate 19 to the other surface of the thin film integrated circuit 13 and also the thin film integrated circuit. 13 is sealed by the first base 18 and the second base 19.
The laminating means 17 includes a roller 21 and a roller 22 provided to face each other. The second surface 19 of the thin film integrated circuit 13 is adhered to the second base 19 supplied from the supply roll 15 toward the roller 22, and when passing between the roller 21 and the roller 22, the roller 21 And the roller 22 are used to perform one or both of pressure treatment and heat treatment. By the above processing, the thin film integrated circuit 13 is sealed by the first base 18 and the second base 19.

第２の基体１９がホットラミネートタイプのラミネートフィルムである場合には、ラミネート手段１７の有するローラー２２は、加熱手段を有する構成とする。加熱手段は、例えば、電熱線のヒーターや、オイル等の温媒に相当する。ローラー２２で加熱しながら加圧することによって、第２の基体１９を薄膜集積回路１３及び第１の基体１８と接着し、薄膜集積回路１３を封止する。また、ローラー２２が加熱手段を有する場合、ローラー２１を冷却手段を有する構成とすると、封止を行う際に、ローラー２２により接着層が加熱溶融された第２の基体１９が、ローラー２１からの伝熱によって速やかに冷却され硬化するため、より確実に封止することができる。 When the second substrate 19 is a hot laminate type laminate film, the roller 22 included in the laminating unit 17 has a heating unit. The heating means corresponds to, for example, a heating wire heater or a heating medium such as oil. By applying pressure while heating with the roller 22, the second substrate 19 is bonded to the thin film integrated circuit 13 and the first substrate 18, and the thin film integrated circuit 13 is sealed. In addition, when the roller 22 has a heating unit, the second substrate 19 in which the adhesive layer is heated and melted by the roller 22 is sealed from the roller 21 when sealing is performed. Since it cools and hardens quickly by heat transfer, it can seal more reliably.

第２の基体１９がコールドラミネートタイプのラミネートフィルムである場合には、ローラー２２は、加熱手段を有する必要はなく、ローラー２２によって加圧して、第２の基体１９を薄膜集積回路１３及び第１の基体１８と接着し、薄膜集積回路１３を封止する。 When the second substrate 19 is a cold laminate type laminate film, the roller 22 does not need to have a heating means, and the second substrate 19 is pressed by the roller 22 to cause the second substrate 19 to be applied to the thin film integrated circuit 13 and the first film. The thin film integrated circuit 13 is sealed.

また、ローラー２１とローラー２２は、冷却ローラー１６と供給用ロール１５の回転する速度に合わせて、所定の速度で回転する。また、ローラー２１とローラー２２は、円柱状であり、また、樹脂材料や金属材料等からなり、好ましくは、柔らかい材料からなる。 In addition, the roller 21 and the roller 22 rotate at a predetermined speed in accordance with the rotation speed of the cooling roller 16 and the supply roll 15. Moreover, the roller 21 and the roller 22 are cylindrical shapes, and consist of a resin material, a metal material, etc., Preferably, they consist of a soft material.

回収用ロール２０は、第１の基体１８と第２の基体１９により封止された薄膜集積回路１３を巻き取ることで回収するロールである。回収用ロール２０は、ローラー２１とローラー２２の回転する速度に合わせて、所定の速度で回転する。
回収用ロール２０は、円柱状であり、また、樹脂材料や金属材料等からなり、好ましくは、柔らかい材料からなる。 The recovery roll 20 is a roll that recovers by winding up the thin film integrated circuit 13 sealed by the first base 18 and the second base 19. The collection roll 20 rotates at a predetermined speed in accordance with the rotation speed of the rollers 21 and 22.
The collection roll 20 has a cylindrical shape, and is made of a resin material, a metal material, or the like, and is preferably made of a soft material.

このように、本発明の装置によると、ダイ１４から加熱溶融状態の第１の基体を複数の薄膜集積回路１３が形成された基板１２上に供給し、冷却ローラー１６、供給用ロール１５、ローラー２１、２２及び回収用ロール２０が回転することで、基板１２上の複数の薄膜集積回路１３を剥離し、剥離した薄膜集積回路を封止し、封止した薄膜集積回路を回収する作業を連続的に行うことができる。従って、本発明の装置は、量産性が高く、製造効率を向上させることができる。 As described above, according to the apparatus of the present invention, the first base in the heated and melted state is supplied from the die 14 onto the substrate 12 on which the plurality of thin film integrated circuits 13 are formed, and the cooling roller 16, the supply roll 15, the roller By rotating the rolls 21 and 22 and the collection roll 20, a plurality of thin film integrated circuits 13 on the substrate 12 are peeled off, the peeled thin film integrated circuits are sealed, and the work of collecting the sealed thin film integrated circuits is continuously performed. Can be done automatically. Therefore, the apparatus of the present invention has high mass productivity and can improve manufacturing efficiency.

次に、上記とは異なる形態のラミネート装置の構成について図２を用いて説明する。本発明のラミネート装置は、薄膜集積回路１３が複数設けられた基板１２を搬送する搬送手段１１と、第１の基体１８を加熱溶融状態で押し出しながら供給するダイ１４と、第２の基体１９が巻き付けられた供給用ロール１５と、基板１２上に形成された薄膜集積回路１３の一方の面を第１の基体１８に接着させ、基板１２から薄膜集積回路１３を剥離すると共に、薄膜集積回路１３を第１の基体１８と第２の基体１９により封止するラミネート手段３７と、封止された薄膜集積回路１３を巻き取る回収用ロール２０とを有する。この構成では、冷却ローラー１６に対向するように設けられたローラー３２を有し、冷却ローラー１６とローラー３２とでラミネート手段３７を構成する点が特徴となっており、この点が図１に示す装置と異なる。つまり、冷却ローラー１６が図１に示す装置のラミネート手段１７の有するローラー２１の機能も兼ねた構成となっている。 Next, the structure of a laminating apparatus having a different form from the above will be described with reference to FIG. In the laminating apparatus of the present invention, a conveying means 11 for conveying a substrate 12 provided with a plurality of thin film integrated circuits 13, a die 14 for supplying a first base 18 while extruding it in a heated and melted state, and a second base 19 are provided. The wound supply roll 15 and one surface of the thin film integrated circuit 13 formed on the substrate 12 are adhered to the first base 18, and the thin film integrated circuit 13 is peeled off from the substrate 12. Are laminated by a first substrate 18 and a second substrate 19, and a collecting roll 20 for winding the sealed thin film integrated circuit 13. This configuration has a roller 32 provided so as to face the cooling roller 16, and the cooling roller 16 and the roller 32 constitute a laminating means 37, and this point is shown in FIG. 1. Different from the device. That is, the cooling roller 16 has a configuration that also serves as the roller 21 of the laminating means 17 of the apparatus shown in FIG.

よって、図２に示す装置は、図１に示す装置のようなラミネート手段１７とは別に冷却ローラー１６を設けている構成に比べて、省スペース化できる。また、図２に示す装置は、冷却ローラー１６で薄膜集積回路１３を基板１２から剥離した直後に薄膜集積回路１３を封止できるため、薄膜集積回路１３を封止するまでに発生する薄膜集積回路１３の破壊や損傷を防止することができ、歩留りを向上させることができる。 Therefore, the apparatus shown in FIG. 2 can save space compared to a configuration in which the cooling roller 16 is provided separately from the laminating means 17 like the apparatus shown in FIG. The apparatus shown in FIG. 2 can seal the thin film integrated circuit 13 immediately after the thin film integrated circuit 13 is peeled off from the substrate 12 by the cooling roller 16, so that the thin film integrated circuit generated until the thin film integrated circuit 13 is sealed. 13 can be prevented from being broken or damaged, and the yield can be improved.

図２に示す装置では、冷却ローラー１６により薄膜集積回路１３の一方の面を第１の基体１８に接着させて、基板１２から薄膜集積回路１３を剥離すると共に、ローラー３２により薄膜集積回路１３の他方の面を第２の基体１９に接着させる。また、薄膜集積回路１３が冷却ローラー１６とローラー３２の間を通過する際に、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行うことにより、薄膜集積回路１３を、第１の基体１８と第２の基体１９により封止する。 In the apparatus shown in FIG. 2, one surface of the thin film integrated circuit 13 is adhered to the first base 18 by the cooling roller 16, and the thin film integrated circuit 13 is peeled off from the substrate 12. The other surface is bonded to the second substrate 19. In addition, when the thin film integrated circuit 13 passes between the cooling roller 16 and the roller 32, one or both of the pressure treatment and the heat treatment is performed, so that the thin film integrated circuit 13 is connected to the first base 18 and the second substrate 18. The substrate 19 is sealed.

第２の基体１９がホットラミネートタイプのラミネートフィルムである場合には、ラミネート手段３７の有するローラー３２は、加熱手段を有する構成とする。加熱手段は、例えば、電熱線のヒーターや、オイル等の温媒に相当する。ローラー３２で加熱しながら加圧することによって、第２の基体１９を薄膜集積回路１３及び第１の基体１８と接着し、薄膜集積回路１３を封止する。ローラー３２が加熱手段を有する場合、冷却ローラー１６がローラー３２と対向する構成となっていることにより、冷却ローラー１６とローラー３２とで封止を行う際に、ローラー３２により表面の層が加熱溶融された第２の基体１９が、冷却ローラー１６からの伝熱によって速やかに冷却され硬化するため、より確実に封止することができる。また、第１の基体１８と薄膜集積回路１３との接着をより確実に行うために、薄膜集積回路１３が冷却ローラー１６の下方の位置に到達したときに、冷却ローラー１６及びローラー３２を下方に動かして、第１の基体１８を薄膜集積回路１３に押しつけるようにしてもよい。 When the second substrate 19 is a hot laminate type laminate film, the roller 32 included in the laminating unit 37 includes a heating unit. The heating means corresponds to, for example, a heating wire heater or a heating medium such as oil. By applying pressure while heating with the roller 32, the second substrate 19 is bonded to the thin film integrated circuit 13 and the first substrate 18, and the thin film integrated circuit 13 is sealed. When the roller 32 has a heating means, the surface layer is heated and melted by the roller 32 when the cooling roller 16 and the roller 32 are sealed because the cooling roller 16 is configured to face the roller 32. Since the second base body 19 thus cooled is quickly cooled and cured by the heat transfer from the cooling roller 16, it can be sealed more reliably. In order to more reliably bond the first base 18 and the thin film integrated circuit 13, when the thin film integrated circuit 13 reaches a position below the cooling roller 16, the cooling roller 16 and the roller 32 are moved downward. The first base 18 may be pressed against the thin film integrated circuit 13 by moving.

第２の基体１９がコールドラミネートタイプのラミネートフィルムである場合には、ローラー３２は、加熱手段を有する必要はなく、ローラー３２によって加圧して、第２の基体１９を薄膜集積回路１３及び第１の基体１８と接着し、薄膜集積回路１３を封止する。 When the second substrate 19 is a cold laminate type laminate film, the roller 32 does not need to have a heating means, and the second substrate 19 is pressurized by the roller 32 to cause the second substrate 19 to be applied to the thin film integrated circuit 13 and the first film. The thin film integrated circuit 13 is sealed.

上記の動作から、本発明のラミネート装置は、ダイ１４より供給される第１の基体が、冷却ローラー１６、回収用ロール２０の順に流れるように設けられる。また、供給用ロール１５から供給される第２の基体が、ローラー３２、回収用ロール２０の順に流れるように設けられ、供給用ロール１５とローラー３２は同じ方向に回転する。 From the above operation, the laminating apparatus of the present invention is provided so that the first substrate supplied from the die 14 flows in the order of the cooling roller 16 and the collection roll 20. Further, the second substrate supplied from the supply roll 15 is provided so as to flow in the order of the roller 32 and the collection roll 20, and the supply roll 15 and the roller 32 rotate in the same direction.

このように、本発明の装置によると、ダイ１４から加熱溶融状態の第１の基体を押し出しながら複数の薄膜集積回路１３が形成された基板１２上に供給し、冷却ローラー１６、供給用ロール１５、ローラー３２、回収用ロール２０が回転することで、基板１２上の複数の薄膜集積回路１３を剥離し、剥離した薄膜集積回路を封止し、封止した薄膜集積回路を回収する作業を連続的に行うことができる。従って、本発明の装置は、量産性が高く、製造効率を向上させることができる。 As described above, according to the apparatus of the present invention, the first base in the heated and melted state is extruded from the die 14 and supplied onto the substrate 12 on which the plurality of thin film integrated circuits 13 are formed, and the cooling roller 16 and the supply roll 15 are supplied. The roller 32 and the collection roll 20 are rotated to peel off the plurality of thin film integrated circuits 13 on the substrate 12, seal the peeled thin film integrated circuits, and continuously collect the sealed thin film integrated circuits. Can be done automatically. Therefore, the apparatus of the present invention has high mass productivity and can improve manufacturing efficiency.

図１、２に示す装置は、薄膜集積回路を剥離するための第１の基体を加熱溶融状態で押し出しながら供給する構成となっていたが、第２の基体を加熱溶融状態で押し出しながら供給する構成とすることも可能である。
第２の基体を加熱溶融状態で押し出しながら供給する構成としたラミネート装置の構成について図３を用いて説明する。 The apparatus shown in FIGS. 1 and 2 is configured to supply the first substrate for exfoliating the thin film integrated circuit while extruding it in the heat-melted state, but supplies it while extruding the second substrate in the heat-melted state. A configuration is also possible.
A configuration of a laminating apparatus in which the second substrate is supplied while being extruded in a heated and melted state will be described with reference to FIG.

本発明のラミネート装置は、第１の基体３８が巻き付けられた供給用ロール２９と、基板１２を固定・移動する固定移動手段３３と、薄膜集積回路１３を第１の基体３８に接着させると共に、基板１２の一方の面から薄膜集積回路１３を剥離する剥離手段３６と、第２の基体３９を加熱溶融状態で押し出しながら供給するダイ４４と、薄膜集積回路１３を第１の基体３８、第２の基体３９により封止するラミネート手段４７と、封止された薄膜集積回路１３を巻き取る回収用ロール２０とを有する。また、上記以外に、第１の搬送手段３４、３５を有する。
図３に示す構成は、図１に示す構成の上下を逆にし、固定移動手段３３と第１の搬送手段３４、第２の搬送手段３５を新たに設けたような構成となっている。 The laminating apparatus of the present invention adheres the supply roll 29 around which the first substrate 38 is wound, the fixed moving means 33 for fixing and moving the substrate 12, and the thin film integrated circuit 13 to the first substrate 38, A peeling means 36 for peeling the thin film integrated circuit 13 from one surface of the substrate 12, a die 44 for supplying the second base 39 while extruding it in a heated and melted state, and the thin film integrated circuit 13 for the first base 38 and the second base Laminating means 47 for sealing with the substrate 39 and a collecting roll 20 for winding the sealed thin film integrated circuit 13. In addition to the above, first transport means 34 and 35 are provided.
The configuration shown in FIG. 3 is such that the configuration shown in FIG. 1 is turned upside down and a fixed moving means 33, a first transport means 34, and a second transport means 35 are newly provided.

この装置では、供給用ロール２９から供給される第１の基体３８が第１の搬送手段３４によって搬送される。そして、基板１２上に形成された薄膜集積回路１３の一方の面が第１の基体３８に接着するように、固定移動手段３３により基板１２を第１の基体３８上に配置し、基板１２を第１の基体３８に押しつける。その後、第１の搬送手段３４の有する剥離手段３６により、基板１２から薄膜集積回路１３が剥離し、薄膜集積回路１３が剥離された後の基板１２は第２の搬送手段３５によって搬送される。また、薄膜集積回路１３が接着した第１の基体３８はラミネート手段４７の有する圧着ローラー４１と冷却ローラー４２との間に供給される。また、ダイ４４から、第２の基体３９を加熱溶融状態で押し出しながらラミネート手段４７の有する圧着ローラー４１と冷却ローラー４２との間に供給する。圧着ローラー４１と冷却ローラー４２の間に導入された第１の基体３８と第２の基体３９を圧着ローラー４１と冷却ローラー４２で加圧しながら冷却することによって、当該薄膜集積回路１３の他方の面（薄膜集積回路１３の第１の基体と接着していない側の面）に第２の基体３９を接着させると共に、薄膜集積回路１３を第１の基体３８と第２の基体３９により封止する。最後に、封止された薄膜集積回路１３は、回収用ロール２０の方向に流れてゆき、回収用ロール２０に巻き取られて回収される。 In this apparatus, the first substrate 38 supplied from the supply roll 29 is transferred by the first transfer means 34. Then, the substrate 12 is placed on the first base 38 by the fixed moving means 33 so that one surface of the thin film integrated circuit 13 formed on the substrate 12 adheres to the first base 38, and the substrate 12 is Press against the first substrate 38. Thereafter, the thin film integrated circuit 13 is peeled from the substrate 12 by the peeling means 36 of the first transport means 34, and the substrate 12 after the thin film integrated circuit 13 is peeled is transported by the second transport means 35. The first substrate 38 to which the thin film integrated circuit 13 is bonded is supplied between the pressure roller 41 and the cooling roller 42 of the laminating unit 47. In addition, the second substrate 39 is supplied from the die 44 between the pressure roller 41 and the cooling roller 42 of the laminating unit 47 while extruding the second base 39 in a heated and melted state. The other surface of the thin film integrated circuit 13 is cooled by pressurizing the first substrate 38 and the second substrate 39 introduced between the pressure roller 41 and the cooling roller 42 with the pressure roller 41 and the cooling roller 42. The second substrate 39 is adhered to (the surface of the thin film integrated circuit 13 that is not bonded to the first substrate), and the thin film integrated circuit 13 is sealed by the first substrate 38 and the second substrate 39. . Finally, the sealed thin film integrated circuit 13 flows in the direction of the collection roll 20 and is wound around the collection roll 20 and collected.

上記の動作から、本発明のラミネート装置は、供給用ロール２９から供給される第１の基体３８が、第１の搬送手段３４の有する剥離手段３６、ラミネート手段４７の有する圧着ローラー４１、回収用ロール２０の順に流れるように設けられ、剥離手段３６と圧着ローラー４１は同じ方向に回転する。また、基板１２が第１の搬送手段３４、第２の搬送手段３５の順に搬送されるように設けられる。また、ダイ４４から供給される第２の基体３９が、ラミネート手段４７の有する冷却ローラー４２、回収用ロール２０の順に流れるように設けられる。 From the above operation, in the laminating apparatus according to the present invention, the first base 38 supplied from the supply roll 29 has the peeling means 36 included in the first conveying means 34, the pressure roller 41 included in the laminating means 47, and the recovery unit. It is provided to flow in the order of the rolls 20, and the peeling means 36 and the pressure roller 41 rotate in the same direction. Further, the substrate 12 is provided so as to be transferred in the order of the first transfer means 34 and the second transfer means 35. The second base 39 supplied from the die 44 is provided so as to flow in the order of the cooling roller 42 and the collection roll 20 that the laminating unit 47 has.

固定移動手段３３は、基板１２の薄膜集積回路１３が設けられた側の面（以下一方の面とよぶ）が第１の基体３８と対向するように基板１２を固定する役割と、基板１２上に形成された薄膜集積回路１３と第１の基体３８とを接着させるために基板１２を移動させる役割とを有する。
基板１２の固定は、真空吸着などの方法を用いて行う。また、基板１２の移動は、固定移動手段３３が移動することにより行う。
なお、固定移動手段３３は、図示するように、基板１２を１枚ずつ処理するものを用いてもよいし、円柱体や、角柱体等の多面体からなるものを用いてもよい。円柱体や多面体のものを用いる場合は、その側面に基板１２を固定させ、円柱体又は多面体が回転することで、基板１２を移動させる。 The fixed moving means 33 has a role of fixing the substrate 12 so that a surface of the substrate 12 on which the thin film integrated circuit 13 is provided (hereinafter referred to as one surface) faces the first base body 38, and on the substrate 12. The substrate 12 is moved in order to bond the thin film integrated circuit 13 and the first base 38 formed on the substrate.
The substrate 12 is fixed using a method such as vacuum suction. The substrate 12 is moved by moving the fixed moving means 33.
As shown in the figure, the fixed moving means 33 may be one that processes the substrates 12 one by one, or one that is made of a polyhedron such as a cylinder or a prism. In the case of using a cylindrical body or polyhedron, the substrate 12 is fixed to the side surface, and the cylindrical body or polyhedron rotates to move the substrate 12.

第１の搬送手段３４は、第１の基体３８と、第１の基体３８上の薄膜集積回路１３が複数設けられた基板１２とを搬送する。第１の搬送手段３４の一端に配置された剥離手段３６は、薄膜集積回路１３の一方の面を、第１の基体３８に接着させて、基板１２の一方の面から薄膜集積回路１３を剥離する。図示する構成では、剥離手段３６は、ローラーに相当する。また、第２の搬送手段３５は、薄膜集積回路１３が剥離された基板１２を搬送する。 The first transport unit 34 transports the first base 38 and the substrate 12 provided with a plurality of thin film integrated circuits 13 on the first base 38. The peeling means 36 disposed at one end of the first transport means 34 bonds one surface of the thin film integrated circuit 13 to the first base 38 and peels the thin film integrated circuit 13 from one surface of the substrate 12. To do. In the illustrated configuration, the peeling means 36 corresponds to a roller. The second transport means 35 transports the substrate 12 from which the thin film integrated circuit 13 has been peeled off.

第１の基体３８は、ラミネートフィルムを用いる。ラミネートフィルムは、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどの樹脂材料によって複数の層に形成された構成となっており、その表面は、エンボス加工などの加工処理が施されていてもよい。また、ラミネートフィルムには、ホットラミネートタイプとコールドラミネートタイプが存在する。 The first substrate 38 uses a laminate film. Laminate film is composed of multiple layers made of resin materials such as polypropylene, polyester, vinyl, polyvinyl fluoride, and vinyl chloride, and the surface is subjected to processing such as embossing. Good. In addition, there are a hot laminate type and a cold laminate type as the laminate film.

ホットラミネートタイプのラミネートフィルムは、例えば、ポリエステル等からなるベースフィルム上にポリエチレン樹脂等からなる接着層が形成された構成となっており、接着層は、ベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂からなる。よって、加熱することによって、接着層のみが溶融してゴム状になり、冷却すると硬化する。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエステルの他にＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等でもよい。また、接着層として使用される材料は、ポリエチレン樹脂の他にポリエチレン、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等でもよい。 A hot laminate type laminate film has, for example, a structure in which an adhesive layer made of polyethylene resin or the like is formed on a base film made of polyester or the like, and the adhesive layer is made of a resin having a softening point lower than that of the base film. . Therefore, by heating, only the adhesive layer is melted to become rubbery, and is cured when cooled. The material used as the base film may be PET (polyethylene terephthalate) or PEN (polyethylene naphthalate) in addition to polyester. The material used for the adhesive layer may be polyethylene, polyester, EVA (ethylene vinyl acetate) or the like in addition to the polyethylene resin.

コールドラミネートタイプのラミネートフィルムは、例えば、ポリエステルや塩化ビニルなどからなるベースフィルム上に常温で粘着性を有する接着層が形成された構成となっている。 A cold laminate type laminate film has a configuration in which an adhesive layer having adhesiveness at room temperature is formed on a base film made of, for example, polyester or vinyl chloride.

そして、第１の基体３８の接着層とは逆側の表面（ベースフィルム側の表面）には、二酸化珪素（シリカ）の粉末によりコーティングされていてもよい。このコーティングにより、高温で高湿度の環境下においても防水性を保つことができる。 The surface of the first substrate 38 opposite to the adhesive layer (the surface on the base film side) may be coated with silicon dioxide (silica) powder. With this coating, waterproofness can be maintained even in a high temperature and high humidity environment.

第１の基体としてホットラミネートタイプのラミネートフィルムを用いる場合には、第１の搬送手段は加熱手段を有する構成とする。その場合、第１の搬送手段３４の有する剥離手段３６を冷却手段を有する構成とすれば、第１の搬送手段の有する加熱手段により表面の層が加熱溶融された第１の基体３８が、剥離手段３６によって速やかに冷却され硬化すし、薄膜集積回路１３を第１の基体に接着し、薄膜集積回路１３を基板１２から剥離することができる。なお、冷却手段は、第１の搬送手段３４の剥離手段３６よりも手前の部分に設けてもよい。 In the case where a hot laminate type laminate film is used as the first substrate, the first transport unit has a heating unit. In that case, if the peeling means 36 of the first transport means 34 is configured to have a cooling means, the first substrate 38 whose surface layer is heated and melted by the heating means of the first transport means is peeled off. The thin film integrated circuit 13 can be peeled off from the substrate 12 by being quickly cooled and hardened by the means 36, the thin film integrated circuit 13 is bonded to the first substrate. Note that the cooling means may be provided in a portion before the peeling means 36 of the first transport means 34.

第２の基体３９には、熱可塑性樹脂を用いればよい。第２の基体３９に用いる熱可塑性樹脂は、軟化点の低いものが好ましい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール等のビニル系共重合体、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、エチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン共重合体等のスチレン系樹脂等が挙げられる。なお、第１の基体は、ダイ１４から単層で押し出したものでもよいし、２層以上を共押し出ししたものでもよい。 A thermoplastic resin may be used for the second base 39. The thermoplastic resin used for the second substrate 39 preferably has a low softening point. For example, polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene and polymethylpentene, vinyl resins such as vinyl chloride, vinyl acetate, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, vinylidene chloride, polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol, etc. Copolymer, acrylic resin, polyester resin, urethane resin, cellulose, cellulose acetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate, cellulose resin such as ethyl cellulose, styrene such as polystyrene, acrylonitrile-styrene copolymer Based resins and the like. The first substrate may be extruded from the die 14 as a single layer, or may be extruded from two or more layers.

また、第１の基体３８と第２の基体３９の一方又は両方は、透光性を有していてもよい。また、第１の基体３８と第２の基体３９の一方又は両方は、静電気をチャージすることで、封止する薄膜集積回路１３を保護するために、その表面を導電性材料によりコーティングしてもよい。
また、第１の基体３８は、保護膜として、炭素を主成分とする薄膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の導電性材料によりコーティングされていてもよい。 Further, one or both of the first base 38 and the second base 39 may have a light-transmitting property. In addition, one or both of the first base 38 and the second base 39 may be coated with a conductive material to protect the thin film integrated circuit 13 to be sealed by charging static electricity. Good.
The first base 38 may be coated with a conductive material such as a thin film (diamond-like carbon film) containing carbon as a main component or indium tin oxide (ITO) as a protective film.

基板１２から薄膜集積回路１３が剥離されたら、ダイ４４より第２の基体を加熱溶融状態で押し出しながら供給し、ラミネート手段４７により、薄膜集積回路１３の他方の面（第１の基体３８に接着していない側の面）に、第２の基体３９を接着させると共に、薄膜集積回路１３を、第１の基体３８と第２の基体３９により封止する。続いて、回収用ロール２０により、封止された薄膜集積回路１３を回収する。 When the thin film integrated circuit 13 is peeled from the substrate 12, the second substrate is supplied from the die 44 while being extruded in a heated and melted state, and is adhered to the other surface (the first substrate 38) of the thin film integrated circuit 13 by the laminating means 47. The second base 39 is adhered to the surface that is not provided), and the thin film integrated circuit 13 is sealed with the first base 38 and the second base 39. Subsequently, the sealed thin film integrated circuit 13 is recovered by the recovery roll 20.

このように、本発明の装置によると、第１の搬送手段３４、第２の搬送手段３５、供給用ロール２９、圧着ローラー４１、冷却ローラー４２及び回収用ロール２０が回転することで、基板１２上の複数の薄膜集積回路１３を剥離し、剥離した薄膜集積回路を封止し、封止した薄膜集積回路を回収する作業を連続的に行うことができる。従って、本発明の装置は、量産性が高く、製造効率を向上させることができる。 As described above, according to the apparatus of the present invention, the first conveying means 34, the second conveying means 35, the supply roll 29, the pressure roller 41, the cooling roller 42, and the collection roll 20 are rotated, whereby the substrate 12. It is possible to continuously perform the work of peeling the plurality of thin film integrated circuits 13 above, sealing the peeled thin film integrated circuits, and collecting the sealed thin film integrated circuits. Therefore, the apparatus of the present invention has high mass productivity and can improve manufacturing efficiency.

次に、ラミネート装置の全体的な構成について図４を用いて説明する。ここでは、図１の構成を含むラミネート装置の構成について説明する。なお、図４において、図１と同じ構成については、同じ符号で示すものとする。 Next, the overall configuration of the laminating apparatus will be described with reference to FIG. Here, the configuration of the laminating apparatus including the configuration of FIG. 1 will be described. In FIG. 4, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

第１のカセット２３は、基板供給用のカセットであり、薄膜集積回路１３が複数設けられた基板１２がセットされる。第２のカセット２４は、基板回収用のカセットであり、薄膜集積回路１３を剥離した後の基板１２が回収される。
第１のカセット２３と第２のカセット２４の間には、搬送手段として、複数のローラー２５〜２７が設けられており、当該ローラー２５〜２７が回転することで、基板１２が搬送される。なお、図４においては、ローラーが３個の場合を示しているが、ローラーの数はこれに限定されないことはいうまでもない。
その後は、図１のラミネート装置の説明において既に説明したように、薄膜集積回路１３の基板１２からの剥離と封止が行われ、続いて、封止された薄膜集積回路１３は、切断手段２８により切断される。切断手段２８は、ダイシング装置、スクライビング装置、レーザー照射装置（特にＣＯ2レーザー照射装置）等を用いたものである。
上記の工程を経て、封止された薄膜集積回路が完成する。 The first cassette 23 is a cassette for supplying a substrate, and a substrate 12 on which a plurality of thin film integrated circuits 13 are provided is set. The second cassette 24 is a substrate collection cassette, and the substrate 12 after the thin film integrated circuit 13 is peeled is collected.
A plurality of rollers 25 to 27 are provided between the first cassette 23 and the second cassette 24 as a transport unit, and the substrate 12 is transported by the rotation of the rollers 25 to 27. In addition, in FIG. 4, although the case where the number of rollers is three is shown, it cannot be overemphasized that the number of rollers is not limited to this.
Thereafter, as already described in the description of the laminating apparatus of FIG. 1, the thin film integrated circuit 13 is peeled off from the substrate 12 and sealed, and then the sealed thin film integrated circuit 13 is cut into the cutting means 28. It is cut by. The cutting means 28 uses a dicing device, a scribing device, a laser irradiation device (particularly a CO 2 laser irradiation device), or the like.
Through the above steps, a sealed thin film integrated circuit is completed.

なお、図１〜図４に示す上記の構成において、基板１２上に設けられる薄膜集積回路１３は、複数の素子からなる素子群とアンテナとして機能する導電層とを含む。しかしながら、本発明は、この構成に制約されない。
基板１２上に設けられる薄膜集積回路１３は、素子群のみを含んでいてもよい。そして、アンテナとして機能する導電層を第２の基体１９に貼り付けておき、薄膜集積回路１３が第２の基体１９に接着する際に、薄膜集積回路１３が有する複数の素子と前記導電層とを接続させるようにしてもよい。
（実施の形態２） 1 to 4, the thin film integrated circuit 13 provided over the substrate 12 includes an element group including a plurality of elements and a conductive layer functioning as an antenna. However, the present invention is not limited to this configuration.
The thin film integrated circuit 13 provided on the substrate 12 may include only an element group. Then, a conductive layer functioning as an antenna is attached to the second base 19, and when the thin film integrated circuit 13 is bonded to the second base 19, a plurality of elements included in the thin film integrated circuit 13, the conductive layer, May be connected.
(Embodiment 2)

本発明のＩＣシート（ＩＣフィルム、シート体、フィルム体ともよぶ）の構成について説明する。本発明のＩＣシートは、複数の薄膜集積回路１３の各々を、表裏から封止した第１の基体１８と第２の基体１９とが、ロール状に巻き取られたものである（図１３のＩＣシートの断面図参照）。複数の薄膜集積回路１３の各々は、複数の素子とアンテナとして機能する導電層を有する。複数の薄膜集積回路１３の各々は規則的に配列する。 The structure of the IC sheet (also referred to as IC film, sheet body, or film body) of the present invention will be described. In the IC sheet of the present invention, a first base 18 and a second base 19 in which each of the plurality of thin film integrated circuits 13 is sealed from the front and back are wound into a roll (see FIG. 13). (Refer to the cross-sectional view of the IC sheet). Each of the plurality of thin film integrated circuits 13 includes a plurality of elements and a conductive layer that functions as an antenna. Each of the plurality of thin film integrated circuits 13 is regularly arranged.

上記のように、一対の基体により封止された複数の薄膜集積回路１３が含むシート状のＩＣシートは出荷が容易であり、特に、大量の薄膜集積回路１３の出荷に有効である。
また、複数の薄膜集積回路１３は、個々が分断された状態であれば取り扱いが困難であるものの、本発明が提供するＩＣシートは、シート状であるために、取り扱いが容易であり、薄膜集積回路１３の破壊や損傷を防止することができる。
（実施の形態３） As described above, the sheet-like IC sheet included in the plurality of thin film integrated circuits 13 sealed by the pair of substrates is easy to ship, and is particularly effective for shipping a large amount of the thin film integrated circuits 13.
In addition, although the plurality of thin film integrated circuits 13 are difficult to handle as long as they are divided, the IC sheet provided by the present invention is sheet-like, and is easy to handle. The destruction and damage of the circuit 13 can be prevented.
(Embodiment 3)

本発明のＩＣシートの巻物（巻き取り物、巻体、巻体物、巻装体等ともよぶ）の構成について説明する。本発明のＩＣシートの巻物は、基体が巻き取られたものであり、より具体的には、複数の薄膜集積回路１３の各々を、表裏から封止した第１の基体１８と第２の基体１９とが、ロール状に巻き取られたものである（図１２（Ａ）のＩＣシートの巻物の断面図と図１２（Ｂ）のＩＣシートの巻物の斜視図参照）。複数の薄膜集積回路１３の各々は、複数の素子とアンテナとして機能する導電層を有する。複数の薄膜集積回路１３の各々は規則的に配列する。 The structure of the roll of the IC sheet of the present invention (also referred to as a roll, a roll, a roll, or a wound body) will be described. The roll of the IC sheet of the present invention is obtained by winding a substrate, and more specifically, a first substrate 18 and a second substrate in which each of the plurality of thin film integrated circuits 13 is sealed from the front and back. 19 is wound in a roll shape (see the cross-sectional view of the IC sheet roll in FIG. 12A and the perspective view of the IC sheet roll in FIG. 12B). Each of the plurality of thin film integrated circuits 13 includes a plurality of elements and a conductive layer that functions as an antenna. Each of the plurality of thin film integrated circuits 13 is regularly arranged.

上記のように、一対の基体により封止された複数の薄膜集積回路１３が巻き取られたＩＣシートの巻物は出荷が容易であり、特に、大量の薄膜集積回路１３の出荷に有効である。
また、複数の薄膜集積回路１３は、個々が分断された状態であれば取り扱いが困難であるものの、本発明が提供するＩＣシートの巻物は、巻き取られた状態であるために、取り扱いが容易であり、薄膜集積回路１３の破壊や損傷を防止することができる。
（実施の形態４） As described above, a roll of an IC sheet on which a plurality of thin film integrated circuits 13 sealed with a pair of substrates is wound is easy to ship, and is particularly effective for shipping a large amount of thin film integrated circuits 13.
Further, although the plurality of thin film integrated circuits 13 are difficult to handle as long as they are separated, the roll of the IC sheet provided by the present invention is in a wound state, so that it is easy to handle. Thus, destruction and damage of the thin film integrated circuit 13 can be prevented.
(Embodiment 4)

本発明のＩＣチップの作製方法について、図面を参照して説明する。
まず、基板１００上に、剥離層１０１〜１０３を形成する（図５（Ａ）参照）。基板１００とは、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる樹脂基板、金属基板、シリコン基板等に相当する。なお、シリコン基板を用いるときは、剥離層を設けなくてもよい。
剥離層１０１〜１０３は、珪素を含む層をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法などにより形成する。珪素を含む層とは、珪素を含む非晶質半導体層、非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体層、結晶性半導体層等に相当する。 A method for manufacturing an IC chip of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, separation layers 101 to 103 are formed over the substrate 100 (see FIG. 5A). The substrate 100 corresponds to a glass substrate, a quartz substrate, a plastic substrate, a resin substrate made of flexible synthetic resin such as acrylic, a metal substrate, a silicon substrate, or the like. Note that when a silicon substrate is used, a separation layer is not necessarily provided.
For the separation layers 101 to 103, a layer containing silicon is formed by a sputtering method, a plasma CVD method, or the like. The layer containing silicon corresponds to an amorphous semiconductor layer containing silicon, a semi-amorphous semiconductor layer in which an amorphous state and a crystalline state are mixed, a crystalline semiconductor layer, and the like.

また、剥離層１０１〜１０３は、公知の手段（スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等）により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、ケイ素（Ｓｉ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。 The peeling layers 101 to 103 are formed by a known means (sputtering method, plasma CVD method, etc.) with tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), niobium (Nb), nickel ( Ni), cobalt (Co), zirconium (Zr), zinc (Zn), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os), iridium (Ir), silicon (Si) Or a layer made of an alloy material or a compound material containing the element as a main component.

剥離層１０１〜１０３は基板１００上に選択的に形成する。このときの上面図を図８に示す。なお、図５に示す断面構造は、図８のＡ−Ｂの断面構造である。
このような選択的な形成は、剥離層１０１〜１０３を除去後、当該剥離層１０１〜１０３の上層に設けられた複数の薄膜集積回路１１２が飛散しないようにするために行う処理である。 The peeling layers 101 to 103 are selectively formed over the substrate 100. A top view at this time is shown in FIG. The cross-sectional structure shown in FIG. 5 is the cross-sectional structure taken along AB in FIG.
Such selective formation is processing performed to prevent the plurality of thin film integrated circuits 112 provided on the upper layers of the release layers 101 to 103 from being scattered after the release layers 101 to 103 are removed.

次に、剥離層１０１〜１０３上に、下地用の絶縁膜１０４を形成する。続いて、絶縁膜１０４上に素子群１０５を形成する。素子群１０５は、例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオード等を１つ又は複数形成する。図５では、素子群１０５として、ＧＯＬＤ構造の薄膜トランジスタを形成した例を示しているが、ゲイト電極の側面にサイドウォールを形成してＬＤＤ構造とした薄膜トランジスタでもよい。次に、素子群１０５を覆うように、絶縁膜１０８を形成し、当該絶縁膜１０８上に、絶縁膜１０９を形成する。続いて、絶縁膜１０９上に、アンテナとして機能する導電層１１０を形成する。続いて、導電層１１０上に、保護膜として機能する絶縁膜１１１を形成する。上記の工程を経て、素子群１０５と、導電層１１０とを含む薄膜集積回路１１２が完成する。 Next, the base insulating film 104 is formed over the separation layers 101 to 103. Subsequently, the element group 105 is formed over the insulating film 104. In the element group 105, for example, one or a plurality of thin film transistors, capacitor elements, resistor elements, diodes, and the like are formed. Although FIG. 5 shows an example in which a thin film transistor having a GOLD structure is formed as the element group 105, a thin film transistor having an LDD structure in which a sidewall is formed on the side surface of the gate electrode may be used. Next, the insulating film 108 is formed so as to cover the element group 105, and the insulating film 109 is formed over the insulating film 108. Subsequently, a conductive layer 110 functioning as an antenna is formed over the insulating film 109. Subsequently, an insulating film 111 functioning as a protective film is formed over the conductive layer 110. Through the above steps, the thin film integrated circuit 112 including the element group 105 and the conductive layer 110 is completed.

絶縁膜１０８、１０９、１１１は、有機材料又は無機材料により形成する。有機材料には、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、シロキサン、エポキシ等を用いる。シロキサンとは、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構造され、置換基に少なくとも水素を含む有機基（例えば、アルキル基、芳香族炭化水素）、又は置換基にフルオロ基、又は、置換基に少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を用いたものである。また、無機材料には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の材料を用いる。 The insulating films 108, 109, and 111 are formed using an organic material or an inorganic material. As the organic material, polyimide, acrylic, polyamide, siloxane, epoxy, or the like is used. Siloxane is an organic group (for example, an alkyl group or an aromatic hydrocarbon) having a skeleton structure formed by a bond of silicon (Si) and oxygen (O) and containing at least hydrogen as a substituent, or a fluoro group as a substituent. Alternatively, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group are used as a substituent. As the inorganic material, a material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or silicon nitride oxide is used.

なお、薄膜集積回路１１２の飛散を防止するための手法として、剥離層１０１〜１０３の選択的な形成という手法ではなく、絶縁膜１１１の膜厚を厚くする手法を採用してもよい。絶縁膜１１１の膜厚を通常よりも厚くすれば、当該絶縁膜１１１の重みにより、薄膜集積回路１１２の飛散を防止することができる。 Note that as a method for preventing the thin film integrated circuit 112 from scattering, a method of increasing the thickness of the insulating film 111 may be employed instead of a method of selectively forming the separation layers 101 to 103. If the insulating film 111 is thicker than usual, scattering of the thin film integrated circuit 112 can be prevented by the weight of the insulating film 111.

次に、隣接する薄膜集積回路１１２の間に、剥離層１０１〜１０３が露出するように、開口部１１４〜１１７を形成する（図５（Ｂ）参照）。開口部１１４〜１１７の形成は、マスクを利用したエッチング、ダイシング、レーザー光の照射等によって行う。 Next, openings 114 to 117 are formed between the adjacent thin film integrated circuits 112 so that the peeling layers 101 to 103 are exposed (see FIG. 5B). The openings 114 to 117 are formed by etching using a mask, dicing, laser light irradiation, or the like.

続いて、剥離層１０１〜１０３を除去するエッチング剤を開口部１１４〜１１７に導入して、剥離層１０１〜１０３を徐々に後退させて、除去する（図６（Ａ）参照）。エッチング剤としては、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用する。例えばフッ化ハロゲンとして三フッ化塩素（ＣｌＦ3）を使用する。 Subsequently, an etching agent for removing the peeling layers 101 to 103 is introduced into the openings 114 to 117, and the peeling layers 101 to 103 are gradually retracted to be removed (see FIG. 6A). As the etchant, a gas or liquid containing halogen fluoride is used. For example, chlorine trifluoride (ClF 3 ) is used as the halogen fluoride.

また、例えば、フッ化ハロゲンとして、三フッ化窒素（ＮＦ3）、三フッ化臭素（ＢｒＦ3）、フッ化水素（ＨＦ）を使用する。なお、フッ化水素は、剥離層として、珪素を含む層を形成した場合に使用する。 For example, nitrogen trifluoride (NF 3 ), bromine trifluoride (BrF 3 ), or hydrogen fluoride (HF) is used as the halogen fluoride. Note that hydrogen fluoride is used when a layer containing silicon is formed as the separation layer.

なお、上述したように、本工程では、剥離層１０１〜１０３を選択的に形成していたために、当該剥離層１０１〜１０３の除去後、絶縁膜１０４の一部は基板１００に密着した状態にある。従って、薄膜集積回路１１２の飛散を防止することができる。
次に、薄膜集積回路１１２の一方の面を第１の基体１２１に接着させる。そうすると、基板１００から、薄膜集積回路１１２が剥離される。 Note that as described above, since the separation layers 101 to 103 were selectively formed in this step, a part of the insulating film 104 was in close contact with the substrate 100 after the separation layers 101 to 103 were removed. is there. Accordingly, scattering of the thin film integrated circuit 112 can be prevented.
Next, one surface of the thin film integrated circuit 112 is bonded to the first base 121. Then, the thin film integrated circuit 112 is peeled from the substrate 100.

上記の工程では、基板１００上に絶縁膜１０４の一部が残存しているが、本発明は、この場合に制約されない。基板１００と絶縁膜１０４との密着性が弱い場合、上記工程を経ると、基板１００上から絶縁膜１０４が完全に剥離されることがある。 In the above process, part of the insulating film 104 remains on the substrate 100, but the present invention is not limited to this case. When the adhesion between the substrate 100 and the insulating film 104 is weak, the insulating film 104 may be completely peeled off from the substrate 100 after the above process.

次に、薄膜集積回路１１２の他方の面を、第２の基体１２２に接着させると共に、薄膜集積回路１１２を、第１の基体１２１と第２の基体１２２により封止する（図６（Ｂ）参照）。そうすると、薄膜集積回路１１２は、第１の基体１２１と第２の基体１２２により封
止された状態となる。 Next, the other surface of the thin film integrated circuit 112 is bonded to the second base 122, and the thin film integrated circuit 112 is sealed with the first base 121 and the second base 122 (FIG. 6B). reference). Then, the thin film integrated circuit 112 is sealed with the first base 121 and the second base 122.

次に、薄膜集積回路１１２の間の、第１の基体１２１と第２の基体１２２を、ダイシング、スクライビング又はレーザカット法により切断する。そうすると、封止されたＩＣチップが完成する（図７（Ａ）、（Ｂ）参照）。 Next, the first base 121 and the second base 122 between the thin film integrated circuits 112 are cut by dicing, scribing, or laser cutting. Then, a sealed IC chip is completed (see FIGS. 7A and 7B).

上記の工程を経て完成した封止されたＩＣチップは、５ｍｍ四方（２５ｍｍ2）以下、好ましくは０．３ｍｍ四方（０．０９ｍｍ2）〜４ｍｍ四方（１６ｍｍ2）とする。 Additional sealed IC chip steps were completed through the, 5 mm square (25 mm 2) or less, preferably 0.3mm square (0.09 mm 2) to 4 mm square (16 mm 2).

なお、シリコン基板を用いない場合の本発明のＩＣチップは絶縁基板上に形成された薄膜集積回路を用いるため、円形のシリコン基板から形成されたチップと比較して、母体基板形状に制約がない。そのため、ＩＣチップの生産性を高め、大量生産を行うことができる。その結果、ＩＣチップのコストを削減することができる。また、本発明のＩＣチップは、シリコン基板からなるチップと異なり、０．２μｍ以下、代表的には４０ｎｍ〜１７０ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜厚の半導体膜を能動領域として用いるため、非常に薄型となる。その結果、物品へ実装しても、薄膜集積回路の存在が認識しづらく、改ざん防止につながる。また本発明のＩＣチップは、シリコン基板からなるチップと比較して、電波吸収の心配がなく、高感度な信号の受信を行うことができる。さらにシリコン基板を有さない薄膜集積回路は、透光性を有する。その結果、様々な物品に応用することができ、例えば、物品の印字面に実装しても、デザイン性を損ねることがない。
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。 In addition, since the IC chip of the present invention when a silicon substrate is not used uses a thin film integrated circuit formed on an insulating substrate, there is no restriction on the shape of the base substrate as compared with a chip formed from a circular silicon substrate. . Therefore, the productivity of IC chips can be increased and mass production can be performed. As a result, the cost of the IC chip can be reduced. Further, the IC chip of the present invention uses a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less, typically 40 nm to 170 nm, preferably 50 nm to 150 nm as an active region, unlike a chip made of a silicon substrate. Thin. As a result, even when mounted on an article, it is difficult to recognize the presence of a thin film integrated circuit, which leads to prevention of tampering. Further, the IC chip of the present invention can receive a highly sensitive signal without worrying about radio wave absorption as compared with a chip made of a silicon substrate. Further, a thin film integrated circuit that does not have a silicon substrate has a light-transmitting property. As a result, it can be applied to various articles. For example, even if it is mounted on the printing surface of the article, the design is not impaired.
This embodiment mode can be freely combined with the above embodiment modes.

本発明のラミネート装置により製造されるＩＣチップは、複数の素子と、アンテナとして機能する導電層とを有する。複数の素子とは、例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオード等に相当する。 The IC chip manufactured by the laminating apparatus of the present invention has a plurality of elements and a conductive layer that functions as an antenna. The plurality of elements correspond to, for example, a thin film transistor, a capacitor element, a resistance element, a diode, and the like.

ＩＣチップ２１０は、非接触でデータを交信する機能を有し、様々な回路を構成する。例えば、電源回路２１１、クロック発生回路２１２、データ復調／変調回路２１３、制御回路２１４（例えば、ＣＰＵやＭＰＵなどに相当）、インターフェイス回路２１５、メモリ２１６、データバス２１７、アンテナ（アンテナコイルともよぶ）２１８等を有する（図９参照）。 The IC chip 210 has a function of communicating data without contact, and constitutes various circuits. For example, a power supply circuit 211, a clock generation circuit 212, a data demodulation / modulation circuit 213, a control circuit 214 (e.g., equivalent to a CPU or MPU), an interface circuit 215, a memory 216, a data bus 217, an antenna (also referred to as an antenna coil) 218 and the like (see FIG. 9).

電源回路２１１は、アンテナ２１８から入力された交流信号を基に、上記の各回路に供給する各種電源を生成する回路である。クロック発生回路２１２は、アンテナ２１８から入力された交流信号を基に、上記の各回路に供給する各種クロックを生成する回路である。データ復調／変調回路２１３は、リーダライタ２１９と交信するデータを復調／変調する機能を有する。制御回路２１４は、例えば、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やマイクロプロセッサ（ＭＰＵ、ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）等に相当し、他の回路を制御する機能を有する。アンテナ２１８は、電磁界或いは電波の送受信を行う機能を有する。リーダライタ２１９は、薄膜集積回路との交信、制御及びそのデータに関する処理を制御する。 The power supply circuit 211 is a circuit that generates various power supplies to be supplied to each of the above circuits based on the AC signal input from the antenna 218. The clock generation circuit 212 is a circuit that generates various clocks to be supplied to each of the above circuits based on the AC signal input from the antenna 218. The data demodulation / modulation circuit 213 has a function of demodulating / modulating data communicated with the reader / writer 219. The control circuit 214 corresponds to, for example, a central processing unit (CPU, Central Processing Unit), a microprocessor (MPU, MicroProcessor Unit), and the like, and has a function of controlling other circuits. The antenna 218 has a function of transmitting and receiving an electromagnetic field or a radio wave. The reader / writer 219 controls communication with the thin film integrated circuit, control, and processing related to the data.

なお、薄膜集積回路が構成する回路は上記構成に制約されず、例えば、電源電圧のリミッタ回路や暗号処理専用ハードウエアといった他の構成要素を追加した構成であってもよい。 Note that the circuit included in the thin film integrated circuit is not limited to the above-described configuration, and may be a configuration in which other components such as a power supply voltage limiter circuit and cryptographic processing dedicated hardware are added.

本発明のラミネート装置により製造されるＩＣチップの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１０（Ａ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１０（Ｂ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等、図１０（Ｃ）参照）、乗物類（自転車等、図１０（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等、図１０（Ｅ）参照）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ又はテレビ受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。 The IC chip manufactured by the laminating apparatus of the present invention has a wide range of uses. For example, banknotes, coins, securities, bearer bonds, certificates (driver's license, resident's card, etc., see FIG. 10 (A)) Packaging containers (wrapping paper, bottles, etc., see FIG. 10B), recording media (DVD software, video tapes, etc., see FIG. 10C), vehicles (bicycles, see FIG. 10D) ), Personal items (such as bags and glasses, see FIG. 10E), foods, clothing, daily necessities, electronic devices, and the like. Electronic devices refer to liquid crystal display devices, EL display devices, television devices (also simply referred to as televisions or television receivers), mobile phones, and the like.

なお、ＩＣチップは、物品の表面に貼ったり、物品に埋め込んだりして、ＩＣチップを物品に固定する。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等にＩＣチップを設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等にＩＣチップを設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。乗物類にＩＣチップを設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。 Note that the IC chip is fixed to the article by being attached to the surface of the article or embedded in the article. For example, a book may be embedded in paper, and a package made of an organic resin may be embedded in the organic resin. Forgery can be prevented by providing IC chips on bills, coins, securities, bearer bonds, certificates, etc. Further, by providing IC chips in packaging containers, recording media, personal items, foods, clothing, daily necessities, electronic devices, etc., it is possible to improve the efficiency of inspection systems and rental store systems. Forgery and theft can be prevented by providing an IC chip in vehicles.

また、ＩＣチップを、物の管理や流通のシステムに応用することで、システムの高機能化を図ることができる。例えば、表示部２９４を含む携帯端末の側面にリーダライタ２９５を設けて、品物２９７の側面にＩＣチップ２９６を設ける場合が挙げられる（図１１（Ａ）参照）。この場合、リーダライタ２９５にＩＣチップ２９６をかざすと、表示部２９４に品物２９７の原材料や原産地、流通過程の履歴等の情報が表示されるシステムになっている。また、別の例として、ベルトコンベアの脇にリーダライタ２９５を設ける場合が挙げられる（図１１（Ｂ）参照）。この場合、品物２９７の検品を簡単に行うことができる。 Further, by applying the IC chip to a system for managing and distributing goods, it is possible to improve the function of the system. For example, the reader / writer 295 is provided on the side surface of the portable terminal including the display portion 294, and the IC chip 296 is provided on the side surface of the article 297 (see FIG. 11A). In this case, when the IC chip 296 is held over the reader / writer 295, the display unit 294 displays information such as the raw material and origin of the product 297 and the history of distribution process. As another example, a reader / writer 295 is provided on the side of the belt conveyor (see FIG. 11B). In this case, the product 297 can be easily inspected.

本発明のラミネート装置を説明する図。The figure explaining the laminating apparatus of this invention. 本発明のラミネート装置を説明する図。The figure explaining the laminating apparatus of this invention. 本発明のラミネート装置を説明する図。The figure explaining the laminating apparatus of this invention. 本発明のラミネート装置を説明する図。The figure explaining the laminating apparatus of this invention. ＩＣチップの作製方法を説明する図。8A and 8B illustrate a method for manufacturing an IC chip. ＩＣチップの作製方法を説明する図。8A and 8B illustrate a method for manufacturing an IC chip. ＩＣチップの作製方法を説明する図。8A and 8B illustrate a method for manufacturing an IC chip. ＩＣチップの作製方法を説明する図。8A and 8B illustrate a method for manufacturing an IC chip. ＩＣチップを説明する図。FIG. 14 illustrates an IC chip. ＩＣチップの使用形態について説明する図。The figure explaining the usage pattern of an IC chip. ＩＣチップの使用形態について説明する図。The figure explaining the usage pattern of an IC chip. 本発明のＩＣシートの巻物を説明する図。The figure explaining the roll of the IC sheet of this invention. 本発明のＩＣシートを説明する図。The figure explaining the IC sheet of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１１ 搬送手段
１２ 基板
１３ 薄膜集積回路
１４ ダイ
１５ 供給用ロール
１６ 冷却ローラー
１７ ラミネート手段
１８ 第１の基体
１９ 第２の基体
２０ 回収用ロール
２１ ローラー
２２ ローラー
２３ カセット
２４ カセット
２５ ローラー
２６ ローラー
２７ ローラー
２８ 切断手段
２９ 供給用ロール
３２ ローラー
３３ 固定移動手段
３４ 搬送手段
３５ 搬送手段
３６ 剥離手段
３７ ラミネート手段
３８ 第１の基体
３９ 第２の基体
４１ 圧着ローラー
４２ 冷却ローラー
４４ ダイ
４７ ラミネート手段
１００ 基板
１０１ 剥離層
１０４ 絶縁膜
１０５ 素子群
１０８ 絶縁膜
１０９ 絶縁膜
１１０ 導電層
１１１ 絶縁膜
１１２ 薄膜集積回路
１１４ 開口部
１２１ 第１の基体
１２２ 第２の基体
２１０ ＩＣチップ
２１１ 電源回路
２１２ クロック発生回路
２１３ データ復調／変調回路
２１４ 制御回路
２１５ インターフェイス回路
２１６ メモリ
２１７ データバス
２１８ アンテナ
２１９ リーダライタ
２９４ 表示部
２９５ リーダライタ
２９６ ＩＣチップ
２９７ 品物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Conveying means 12 Substrate 13 Thin film integrated circuit 14 Die 15 Supply roll 16 Cooling roller 17 Laminating means 18 First base 19 Second base 20 Recovery roll 21 Roller 22 Roller 23 Cassette 24 Cassette 25 Roller 26 Roller 27 Roller 28 Cutting means 29 Supply roll 32 Roller 33 Fixed moving means 34 Conveying means 35 Conveying means 36 Peeling means 37 Laminating means 38 First base body 39 Second base body 41 Pressing roller 42 Cooling roller 44 Die 47 Laminating means 100 Substrate 101 Peeling layer 104 Insulating film 105 Element group 108 Insulating film 109 Insulating film 110 Conductive layer 111 Insulating film 112 Thin film integrated circuit 114 Opening 121 First substrate 122 Second substrate 210 IC chip 211 Power supply circuit 212 Clock generation circuit 213 Data demodulation / modulation circuit 214 control circuit 215 interface circuit 216 memory 217 data bus 218 Antenna 219 writer 294 display unit 295 articles writer 296 IC chip 297

Claims (22)

複数の薄膜集積回路が設けられた基板を搬送する搬送手段と、
前記複数の薄膜集積回路が設けられた基板上に、熱可塑性樹脂を加熱溶融状態で押し出しながら供給する手段と、
加熱溶融状態で供給された前記熱可塑性樹脂を冷却することによって、前記薄膜集積回路の一方の面を前記熱可塑性樹脂からなる第１の基体に接着させて、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離する、冷却手段を有するローラーと、
第２の基体が巻き付けられた供給用ロールと、
前記基板から剥離された前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段と、
封止された前記薄膜集積回路を巻き取る回収用ロールと、
を有することを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 Conveying means for conveying a substrate provided with a plurality of thin film integrated circuits;
Means for supplying a thermoplastic resin while extruding it in a heated and melted state on a substrate provided with the plurality of thin film integrated circuits;
By cooling the thermoplastic resin supplied in a heated and melted state, one surface of the thin film integrated circuit is bonded to the first base made of the thermoplastic resin, and the thin film integrated circuit is peeled off from the substrate. A roller having a cooling means;
A supply roll around which the second substrate is wound;
Means for sealing the thin film integrated circuit peeled from the substrate with the first base and the second base;
A collecting roll for winding the sealed thin film integrated circuit;
A device for sealing a thin film integrated circuit, comprising: 基板上に設けられた複数の薄膜集積回路上に、熱可塑性樹脂を加熱溶融状態で押し出しながら供給する手段と、
加熱溶融状態で供給された前記熱可塑性樹脂を冷却することによって、前記薄膜集積回路の一方の面を前記熱可塑性樹脂からなる第１の基体に接着させて、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離する、冷却手段を有するローラーと、
第２の基体が巻き付けられた供給用ロールと、
前記基板から剥離された前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段と、
封止された前記薄膜集積回路を巻き取る回収用ロールと、
を有することを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 Means for supplying a thermoplastic resin while extruding it in a heated and melted state on a plurality of thin film integrated circuits provided on the substrate;
By cooling the thermoplastic resin supplied in a heated and melted state, one surface of the thin film integrated circuit is bonded to the first base made of the thermoplastic resin, and the thin film integrated circuit is peeled off from the substrate. A roller having a cooling means;
A supply roll around which the second substrate is wound;
Means for sealing the thin film integrated circuit peeled from the substrate with the first base and the second base;
A collecting roll for winding the sealed thin film integrated circuit;
A device for sealing a thin film integrated circuit, comprising: 複数の薄膜集積回路が設けられた基板を搬送する搬送手段と、
前記複数の薄膜集積回路が設けられた基板上に、熱可塑性樹脂を加熱溶融状態で押し出しながら供給する手段と、
第２の基体が巻き付けられた供給用ロールと、
加熱溶融状態で供給された前記熱可塑性樹脂を冷却することによって、前記薄膜集積回路の一方の面を前記熱可塑性樹脂からなる第１の基体に接着させて、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離すると共に、前記基板から剥離された前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段と、
封止された前記薄膜集積回路を巻き取る回収用ロールと、
を有することを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 Conveying means for conveying a substrate provided with a plurality of thin film integrated circuits;
Means for supplying a thermoplastic resin while extruding it in a heated and melted state on a substrate provided with the plurality of thin film integrated circuits;
A supply roll around which the second substrate is wound;
By cooling the thermoplastic resin supplied in a heated and melted state, one surface of the thin film integrated circuit is bonded to the first base made of the thermoplastic resin, and the thin film integrated circuit is peeled off from the substrate. And means for sealing the thin film integrated circuit peeled from the substrate with the first base and the second base,
A collecting roll for winding the sealed thin film integrated circuit;
A device for sealing a thin film integrated circuit, comprising: 複数の薄膜集積回路が設けられた基板と、
第１の基体が巻き付けられた供給用ロールと、
前記第１の基体を搬送する搬送手段と、
前記基板上に設けられた前記薄膜集積回路の一方の面と前記第１の基体とが接着するように前記基板を前記第１の基体上に配置させる手段と、
前記薄膜集積回路の前記一方の面を前記第１の基体に接着させて、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離する剥離手段と、
熱可塑性樹脂を加熱溶融状態で供給する手段と、
前記基板から剥離された前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記熱可塑性樹脂からなる第２の基体により封止する手段と、
封止された前記薄膜集積回路を巻き取る回収用ロールと、
を有することを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 A substrate provided with a plurality of thin film integrated circuits;
A supply roll around which the first substrate is wound;
Conveying means for conveying the first substrate;
Means for disposing the substrate on the first substrate such that one surface of the thin film integrated circuit provided on the substrate adheres to the first substrate;
A peeling means for bonding the one surface of the thin film integrated circuit to the first base and peeling the thin film integrated circuit from the substrate;
Means for supplying the thermoplastic resin in a heated and melted state;
Means for sealing the thin film integrated circuit peeled from the substrate with the second base made of the first base and the thermoplastic resin;
A collecting roll for winding the sealed thin film integrated circuit;
A device for sealing a thin film integrated circuit, comprising: 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーを有することを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 5. The means for sealing the thin film integrated circuit with the first substrate and the second substrate according to claim 1, wherein the first roller and the second roller provided opposite to each other are provided. A device for sealing a thin film integrated circuit, characterized by comprising a roller. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーを有し、前記第１のローラーと前記第２のローラーの一方は加熱手段を有することを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 4. The means for sealing the thin film integrated circuit with the first substrate and the second substrate according to claim 1, wherein the first roller and the second roller provided opposite to each other are provided. An apparatus for sealing a thin film integrated circuit, wherein one of the first roller and the second roller has a heating means. 請求項３または請求項４において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーを有し、前記第１のローラーと前記第２のローラーの一方は冷却手段を有することを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 5. The means for sealing the thin film integrated circuit with the first base and the second base has a first roller and a second roller provided to face each other. An apparatus for sealing a thin film integrated circuit, wherein one of the first roller and the second roller has a cooling means. 請求項３において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーを有し、前記第１のローラーと前記第２のローラーの一方は冷却手段を有し、他方は加熱手段を有することを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 The means for sealing the thin film integrated circuit with the first base and the second base includes a first roller and a second roller provided to face each other, and One of the second roller and the second roller has a cooling means, and the other has a heating means, and the apparatus for sealing a thin film integrated circuit. 請求項１乃至請求項２のいずれか一項において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーの間に前記薄膜集積回路を通過させると共に、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行うことにより、前記薄膜集積回路を封止することを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 3. The means for sealing the thin film integrated circuit with the first base and the second base according to claim 1, wherein the first roller and the second roller provided opposite to each other are provided. An apparatus for sealing a thin film integrated circuit, wherein the thin film integrated circuit is sealed by passing the thin film integrated circuit between rollers and performing one or both of pressure treatment and heat treatment . 請求項４において、前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止する手段は、対向して設けられた第１のローラーと第２のローラーの間に前記薄膜集積回路を通過させると共に、加圧処理及び冷却処理を行うことにより、前記薄膜集積回路を封止することを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 5. The thin film integrated circuit according to claim 4, wherein the means for sealing the thin film integrated circuit with the first base and the second base is provided between the first roller and the second roller provided to face each other. The device for sealing a thin film integrated circuit is characterized in that the thin film integrated circuit is sealed by performing a pressure treatment and a cooling treatment. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第２の基体は複数の層で構成されたフィルムであることを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 4. The device for sealing a thin film integrated circuit according to claim 1, wherein the second substrate is a film formed of a plurality of layers. 5. 請求項４において、前記第１の基体は複数の層で構成されたフィルムであることを特徴とする薄膜集積回路を封止する装置。 5. The apparatus for sealing a thin film integrated circuit according to claim 4, wherein the first substrate is a film formed of a plurality of layers. 複数の薄膜集積回路と、
前記複数の薄膜集積回路の各々を表裏から封止する第１の基体と第２の基体とを有し、
前記複数の薄膜集積回路の各々は、複数の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とするＩＣシート。 A plurality of thin film integrated circuits;
A first base and a second base that seal each of the plurality of thin film integrated circuits from the front and back;
Each of the plurality of thin film integrated circuits includes a plurality of thin film transistors and a conductive layer functioning as an antenna. 請求項１３において、前記複数の薄膜集積回路の各々は、規則的に配列して設けられていることを特徴とするＩＣシート。 14. The IC sheet according to claim 13, wherein each of the plurality of thin film integrated circuits is provided in a regular arrangement. 請求項１３において、前記第１の基体と前記第２の基体のいずれか一方は、複数の層で構成されたフィルムであることを特徴とするＩＣシート。 14. The IC sheet according to claim 13, wherein either one of the first base and the second base is a film composed of a plurality of layers. 請求項１３において、前記第１の基体と前記第２の基体のうちの一方は複数の層で構成されたフィルムであり、他方は熱可塑性樹脂であることを特徴とするＩＣシート。 14. The IC sheet according to claim 13, wherein one of the first substrate and the second substrate is a film composed of a plurality of layers, and the other is a thermoplastic resin. 複数の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有する複数の薄膜集積回路と、
第１の基体及び第２の基体とを有し、
前記第１の基体及び第２の基体によって前記複数の薄膜集積回路の各々が表裏から封止されたシートがロール状に巻き取られていることを特徴とするＩＣシートの巻物。 A plurality of thin film integrated circuits having a plurality of thin film transistors and a conductive layer functioning as an antenna;
A first substrate and a second substrate;
A roll of an IC sheet, wherein a sheet in which each of the plurality of thin film integrated circuits is sealed from the front and back by the first base and the second base is wound up in a roll shape. 請求項１７において、前記複数の薄膜集積回路の各々は、規則的に配列して設けられていることを特徴とするＩＣシートの巻物。 18. The roll of IC sheet according to claim 17, wherein each of the plurality of thin film integrated circuits is provided in a regular arrangement. 請求項１７において、前記第１の基体と前記第２の基体のいずれか一方は、複数の層で構成されたフィルムであることを特徴とするＩＣシートの巻物。 18. The roll of an IC sheet according to claim 17, wherein any one of the first base and the second base is a film composed of a plurality of layers. 請求項１７において、前記第１の基体と前記第２の基体のうちの一方は複数の層で構成されたフィルムであり、他方は熱可塑性樹脂であることを特徴とするＩＣシート。 18. The IC sheet according to claim 17, wherein one of the first substrate and the second substrate is a film composed of a plurality of layers, and the other is a thermoplastic resin. 絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記基板上に薄膜集積回路を複数形成し、
前記薄膜集積回路の境界に開口部を形成して、前記剥離層を露出させ、
前記開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を除去し、
前記薄膜集積回路の一方の面を第１の基体に接着させることにより、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離し、
前記薄膜集積回路の他方の面を第２の基体に接着させ、
前記薄膜集積回路を前記第１の基体と前記第２の基体により封止することを特徴とするＩＣチップの作製方法。 Forming a release layer over a substrate having an insulating surface;
Forming a plurality of thin film integrated circuits on the substrate;
Forming an opening at the boundary of the thin film integrated circuit to expose the release layer;
Introducing a gas or liquid containing halogen fluoride into the opening to remove the release layer;
By bonding one surface of the thin film integrated circuit to the first base, the thin film integrated circuit is peeled from the substrate,
Bonding the other surface of the thin film integrated circuit to a second substrate;
A method of manufacturing an IC chip, wherein the thin film integrated circuit is sealed with the first base and the second base. 請求項２１において、前記基板上に、前記薄膜集積回路として、複数の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層を形成することを特徴とするＩＣチップの作製方法。
22. The method for manufacturing an IC chip according to claim 21, wherein a plurality of thin film transistors and a conductive layer functioning as an antenna are formed as the thin film integrated circuit over the substrate.
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