JP2006059474A - 磁気記録方法、磁気記録媒体、および磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 充分な高記録密度化を図るのに適した磁気記録方法、磁気記録媒体、および磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の磁気記録方法では、キュリー温度の異なる複数の記録磁性層１２Ａ，１２Ｂと、当該記録磁性層間ごとに設けられた非磁性層１２ａと、を含む多層記録膜１２を有する磁気記録媒体１０が用いられる。本方法は、磁気記録媒体１０の複数の記録磁性層１２Ａ，１２Ｂを一旦昇温させる工程と、昇温工程を経た複数の記録磁性層１２Ａ，１２Ｂの各々を、相対的にキュリー温度の高い層から低い層にかけて順次、記録磁界を印加して当該磁界の方向に磁化する工程とを含む。本発明の磁気ディスク装置Ｘ１は、このような方法を実行すべく、多層記録膜１２を局所的に昇温するための昇温手段２２と、情報記録の実行時の媒体回転動作の方向Ｄに沿って位置する複数の磁界印加手段２３Ａ，２３Ｂとを備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、熱アシストを伴って磁気記録媒体に情報を記録するための磁気記録方法、並びに、熱アシスト記録方式の磁気記録媒体および磁気記録装置に関する。

コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、ハードディスクなどの記憶装置を構成する磁気記録媒体に対しては、記憶容量の増大が要求される。そのような要求に応え得る媒体として、近年、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体が注目を集めている。

図２５は、垂直磁気記録方式の従来の磁気記録媒体の一例である磁気ディスク７０の部分断面模式図である。磁気ディスク７０は、基板７１と、記録層７２と、保護層７３とからなる積層構造を有する。記録層７２は、垂直磁化膜よりなり、磁化方向の変化として所定の信号が記録される部位である。保護層７３は、記録層７２を外界から物理的および化学的に保護するための部位である。

磁気ディスク７０への情報記録に際しては、保護層７３の側から記録層７２に記録用の磁気ヘッド（図示略）を近接して対向させ、当該磁気ヘッドにより、記録層７２に対し、その保磁力より強い記録磁界を印加する。磁気ディスク７０に対して磁気ヘッドを相対移動させつつ磁気ヘッドからの磁界の向きを変化させることにより、記録層７２において、垂直方向に磁化されて交互に反転する複数の磁区７２ａが磁気ディスク７０のトラック方向に連なって形成される。このような記録処理により、記録層７２において、磁化方向の変化として所定の信号ないし情報が記録される。一方、磁気ディスク７０の情報再生に際しては、記録層７２の内部に形成されている磁区７２ａの磁化方向の変化が、当該磁区７２ａに由来する磁界の方向の変化として、読取り用の磁気ヘッド（図示略）を介して検出される。

磁気記録媒体の技術分野においては、上述のような記録処理に際して安定に形成し得る最小の磁区７２ａ’が微小ないし幅狭であるほど（即ち、磁区７２ａ’について図２５に示す長さＷが小さいほど）、より高い記録密度を実現できることが知られている。また、記録層７２の保磁力が高いほど、磁区７２ａの熱安定性が高く、微小で安定した磁区７２ａを形成しやすいことも、知られている。したがって、磁気ディスク７０の高記録密度化を図るためには、記録層７２の保磁力をより高く設定することにより、安定に形成し得る最小磁区７２ａ’をより微小に設定することが考えられる。

上述のような記録処理においては、記録層７２に印加される磁界は記録層７２の保磁力より強い必要があるところ、印加磁界強度を高めるためには、記録用磁気ヘッドにより発生される磁界の強度を増大するか、或は、記録用磁気ヘッドと磁気ディスク７０ないし記録層７２との離隔距離を小さくすることが考えられる。しかしながら、記録用磁気ヘッドの発生磁界強度の増大は、記録速度の低減を招来し、高記録密度化の実効を損うことが知られている。また、離隔距離については、既に数ｎｍ程度が実現されており、更に小さく設定するのは技術的に困難な状況にある。

そこで、磁気ディスク７０への情報記録においては、いわゆる熱アシスト記録方式が採用される場合がある。熱アシスト記録方式で磁気ディスク７０に情報記録が実行される場合、まず、例えばレーザ光照射により、記録層７２の所定の箇所が局所的に昇温される。記録層７２における昇温箇所は、その周囲の非昇温箇所よりも保磁力が低下する。次に、昇温箇所の保磁力より強い記録磁界を記録用磁気ヘッドにより昇温箇所に印加することによって、当該昇温箇所が所定方向に磁化される。この磁化は、当該磁化箇所の冷却の過程で定着することとなる。熱アシスト記録方式によると、加熱により保磁力が低下した箇所に対する磁界印加により情報記録が実行されるため、情報保持時や情報再生時の常温での記録層７２の保磁力を高く設定する場合であっても、記録用磁気ヘッドにより発生すべき磁界の強度を過度に増大する必要はない。また、記録用磁気ヘッドと磁気ディスクとの離隔距離を過度に小さく設定する必要もない。このような熱アシスト記録方式の磁気記録技術については、例えば下記の特許文献１や特許文献２に記載されている。

特開２０００−２０７７２３号公報 特開２００１−１８９００２号公報

以上から理解できるように、垂直磁気記録方式の磁気ディスク７０において熱アシスト記録方式を採用すると、記録用磁気ヘッドによる発生磁界の強度を過度に増大せずとも、また、記録用磁気ヘッドと磁気ディスク７０との離隔距離を過度に小さく設定せずとも、常温における記録層７２の保磁力を高く設定することにより、安定に形成し得る最小磁区７２ａ’を微小に設定することが可能である。安定に形成し得る最小磁区７２ａ’が微小なほど、トラック延び方向においてもトラック横断方向においても記録密度を高めるのに好適である。

しかしながら、そのような２次元的な高記録密度化は、技術的に形成し得る安定最小磁区７２ａの大きさによる制約を受ける。そのため、垂直磁気記録方式および熱アシスト記録方式を共に採用する磁気ディスク７０であっても、磁気記録媒体において充分な高記録密度化を実現することができない場合がある。

本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、充分な高記録密度化を図るのに適した磁気記録方法、磁気記録媒体、および磁気記録装置を提供することを、目的とする。

本発明の第１の側面によると磁気記録方法が提供される。本方法では、キュリー温度の異なる複数の記録磁性層と、当該記録磁性層間ごとに設けられた非磁性層と、を含む多層記録膜を有する磁気記録媒体が用いられる。本方法は、複数の記録磁性層を一旦昇温させるための昇温工程と、昇温工程を経た複数の記録磁性層の各々を、相対的にキュリー温度の高い記録磁性層から低い記録磁性層にかけて順次、記録磁界を印加して当該記録磁界の方向に記録磁化するための磁界印加工程と、を含む。本発明において記録磁化するとは、当該記録磁化後に磁化方向を定着させて信号を構成するために磁化することである。

本方法で用いられる磁気記録媒体においては、非磁性層を介して積層された複数の記録磁性層を含む多層記録膜が例えば所定の基材上に広がって記録面を構成する。昇温工程では、例えば、当該記録面の所定箇所に対して基材の側から或は基材とは反対の側からレーザ光を局所的に照射することにより、当該所定箇所を局所的に加熱し、多層記録膜の厚さ全体にわたって当該所定箇所を局所的に例えば最高キュリー温度以上に昇温させる。この最高キュリー温度とは、複数の記録磁性層の複数のキュリー温度のうち最も高い温度である。昇温工程の後に当該所定箇所は次第に降温するところ、磁界印加工程では、各記録磁性層について、当該記録磁性層がそのキュリー温度未満にある状態で記録用磁気素子により所定の外部磁界（記録磁界）を印加することによって磁化する。このとき、一の記録磁性層に対し、当該記録磁性層の保磁力以上であり且つ他の所定の記録磁性層（当該一の記録磁性層以外の記録磁性層の全て又は一部）の保磁力未満である所定の記録磁界を印加することにより、当該一の記録磁性層の磁化方向を、当該他の所定の記録磁性層の磁化方向とは独立して、決定することができる。このようにして各記録磁性層が磁化された当該所定箇所の記録面側には、読取り用磁気素子で読み取るべき信号磁界が形成される。この信号磁界のとり得る状態（大きさ及び方向）は、各記録磁性層の磁化の大きさ及び方向ならびに各記録磁性層の厚さに応じて異なり得る。各記録磁性層の磁化の大きさについては、各記録磁性層の組成を調節することにより適宜設定することができ、各記録磁性層の磁化の方向については、磁界印加工程において各記録磁性層に印加する記録磁界の方向を適宜選択することにより決定することができる。信号磁界のとり得る状態は多層記録膜に含まれる記録磁性層の数により異なり得るところ、本方法における多層記録膜には複数（２以上）の記録磁性層が含まれるため、信号磁界のとり得る状態は３以上である。すなわち、信号磁界は３以上に多値化している。このように、本方法によると、３値以上の多値記録方式で情報を記録することができるのである。

加えて、本方法においては、各記録磁性層は、昇温工程を経て保磁力が低下した箇所に対する磁界印加により磁化されるため（即ち熱アシストを伴って各記録磁性層が磁化されるため）、記録用磁気素子により発生すべき記録磁界の強度を小さく維持しつつ、例えば常温での各記録磁性層の保磁力を高く設定することができる。各記録磁性層の保磁力が高いほど、各記録磁性層内に安定に形成し得る最小磁区をより微小とすることができ、従って、記録面内方向において２次元的に高い記録密度を得ることが可能である。また、記録用磁気素子により発生すべき記録磁界の強度を小さく維持することができるため、各記録磁性層の高保磁力化に起因する高記録密度化の実効を記録速度を低減させずに確保することができる。更には、記録用磁気ヘッドと磁気ディスクとの離隔距離を過度に小さく設定する必要もない。

以上のように、本発明の第１の側面の磁気記録方法によると、熱アシストを伴う多値記録方式において、充分な高記録密度化を図ることができるのである。

本発明の第２の側面によると磁気記録媒体が提供される。この磁気記録媒体は、キュリー温度の異なる複数の記録磁性層と、当該記録磁性層間ごとに設けられた非磁性層と、を含む多層記録膜を有する。このような構成の磁気記録媒体は、本発明の第１の側面の磁気記録方法における磁気記録媒体として使用することができる。

本発明の第３の側面によると磁気記録装置が提供される。この磁気記録装置は、磁気記録媒体と、昇温手段と、複数の磁界印加手段とを備える。磁気記録媒体は、キュリー温度の異なる複数の記録磁性層および当該記録磁性層間ごとに設けられた非磁性層、を含む多層記録膜を有し、情報記録の実行時に回転動作を伴う。昇温手段は、多層記録膜を局所的に昇温するためのものである。複数の磁界印加手段は、昇温手段による昇温を経た多層記録膜に磁界を印加するためのものであり、磁気記録媒体の複数の記録磁性層と同数であって情報記録の実行時の回転動作の方向に一列に位置する。このような構成の磁気記録装置によると、本発明の第１の側面の磁気記録方法を適切に実行することができる。

本発明の第１から第３の側面において、好ましくは、磁気記録媒体について情報再生が実行される所定の再生環境下において、複数の記録磁性層の各々は磁化を有し、記録磁性層ごとの磁化の大きさと厚さとの積は、相互に異なる。この場合、好ましくは、記録磁性層ごとの磁化の大きさと厚さとの積の総和は、当該複数の積の全ての加減組み合わせで異なる。これらの構成によると、上述の信号磁界について適切に多値化することができる。

本発明の第１から第３の側面において、好ましくは、磁気記録媒体は、多層記録膜を支持するための基材を備え、複数の記録磁性層の複数のキュリー温度は、基材に近いほど或は基材から遠いほど、高い。このような構成によると、磁界印加工程において、基材に近い記録磁性層から順に、或は基材から遠い記録磁性層から順に、各記録磁性層を磁化することができ、従って、既に磁化が定着された２つの記録磁性層の間に位置する記録磁性層を磁化すべく当該記録磁性層に対して記録磁界を印加する必要は、ない。そのため、本構成によると、磁界印加工程において、記録磁性層ごとに記録磁界を適切に作用させることができる。

本発明の第３の側面における磁気記録装置は、好ましくは、情報記録の実行時に多層記録膜に対向しつつ磁気記録媒体に対して浮上配置される浮上スライダを更に備え、昇温手段および複数の磁界印加手段は、当該浮上スライダに設けられている。このような構成によると、本磁気記録装置の昇温手段および磁界印加手段の機能を効率よく確保することができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る磁気記録方法を実行するための磁気ディスク装置Ｘ１の部分構成を表す。磁気ディスク装置Ｘ１は、磁気ディスク１０および浮上スライダ２０を備え、熱アシスト記録方式での情報記録と情報再生とを磁気ディスク１０について実行することができるように構成されている。

磁気ディスク１０は、図１に加えて図２にも示すように、基板１１、多層記録膜１２、および保護層１３からなる積層構造を有し、垂直磁気記録方式かつ熱アシスト記録方式の磁気記録媒体として構成されたものである。

基板１１は、磁気ディスク１０の剛性を確保するための部位であり、ディスク形状を有する。また、基板１１は、例えば、アルミニウム合金基板、ガラス基板、または樹脂基板である。

多層記録膜１２は、記録磁性層１２Ａ，１２Ｂおよび非磁性層１２ａからなる積層構造を有し、各所に４値の信号が記録され得る記録面を構成する。

記録磁性層１２Ａ，１２Ｂは、各々、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有して磁化された垂直磁化膜であり、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、またはＣｏＣｒよりなる。本実施形態では、記録磁性層１２Ａ,１２Ｂのキュリー温度を各々Ｔｃ₁およびＴｃ₂とすると、Ｔｃ₁＞Ｔｃ₂であり、且つ、記録磁性層１２Ａ,１２Ｂの保磁力を各々Ｈｃ₁およびＨｃ₂とすると、情報記録時に多層記録膜１２のとり得る温度範囲においてはＨｃ₁＞Ｈｃ₂である。図３は、これらの条件の下に構成されている記録磁性層１２Ａ，１２Ｂについて、保磁力Ｈｃの温度依存性の一例を表すグラフである。図３のグラフにおいて、線Ｇ１は記録磁性層１２Ａの保磁力変化を表し、線Ｇ２は記録磁性層１２Ｂの保磁力変化を表す。また、本実施形態では、記録磁性層１２Ａの磁化および厚さをＭｒ₁およびｄ₁とし、記録磁性層１２Ｂの磁化および厚さをＭｒ₂およびｄ₂とすると、磁化の大きさ（絶対値）と厚さとの積である｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁および｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂は異なる。各記録磁性層について単に「磁化」とは、本発明では再生環境下での磁化である。また、キュリー温度、保磁力、および磁化の大きさについては、記録磁性層１２Ａ，１２Ｂの構成元素種の選択や組成比の調節により適宜設定することが可能である。このような記録磁性層１２Ａ，１２Ｂの厚さは、各々、例えば５〜５０ｎｍである。

非磁性層１２ａは、記録磁性層１２Ａ，１２Ｂ間に交換結合作用が生じないように記録磁性層１２Ａ，１２Ｂの間に介在し、例えば、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、またはＳｉＮよりなる。このような非磁性層１２ａの厚さは、例えば１〜１０ｎｍである。

保護層１３は、多層記録膜１２を外界から物理的および化学的に保護するためのものであり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂、またはダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）よりなる。

このような磁気ディスク１０の製造においては、例えばスパッタリング法により、基板１１上に、記録磁性層１２Ａ、非磁性層１２ａ、記録磁性層１２Ｂ、および保護層１３を順次形成する。また、本発明においては、記録磁性層１２Ａを形成する前に、基板１１上に密着下地層や軟磁性層などを形成してもよい。

磁気ディスク装置Ｘ１において、磁気ディスク１０は、図外のスピンドルモータに支持され、スピンドルモータが回転駆動することによって回転動作する。スピンドルモータの回転駆動は、所定の制御部からの制御信号に基づいて制御される。

浮上スライダ２０は、スライダボディ２１、レーザ素子２２、記録ヘッド２３Ａ，２３Ｂ、および再生ヘッド２４を有し、磁気ディスク装置Ｘ１による情報記録および情報再生の実行時には、磁気ディスク１０の保護層１３に対向して配置される。

レーザ素子２２は、熱アシスト記録方式における媒体加熱手段（具体的には、多層記録膜１２を局所的に昇温するための昇温手段）であり、電圧印加時にレーザ光を出射可能な半導体素子である。本発明においては、このようなレーザ素子２２を浮上スライダ２０に搭載するのに代えて、光源、プリズム、信号検出器などを有する固定光学部を別途設け、且つ、光源からのレーザ光を磁気ディスク１０に向けて照射するための光導波路を浮上スライダ２０内などに形成してもよい。このような代替構成をとり得ることは、下記の他の実施形態においても同様である。

記録ヘッド２３Ａ，２３Ｂは、各々、多層記録膜１２に対して所定の磁界を印加するためのものであり、磁界発生用の電流を流すためのコイルと、発生磁界を強い磁界に変換するための磁極とからなる。このような記録ヘッド２３Ａ，２３Ｂとレーザ素子２２とは、浮上スライダ２０において、レーザ素子２２、記録ヘッド２３Ａ、および記録ヘッド２３Ｂの順で、磁気ディスク１０の回転方向Ｄ（ないし周方向）に相当する方向に沿って一列に配されている。

再生ヘッド２４は、多層記録膜１２に由来する信号磁界を検知して電気信号に変換するためのものであり、例えばＧＭＲ素子やＭＲ素子により構成されている。

このような浮上スライダ２０は、板バネ状のサスペンションアーム（図示略）を介して図外のアクチュエータに連結されている。サスペンションアームは、浮上スライダ２０に対し、磁気ディスク１０に向けて付勢力を作用させるためのものである。アクチュエータは、例えばボイスコイルモータにより構成されている。

図４〜図６は、本発明の第１の実施形態に係る磁気記録方法に基づいて磁気ディスク装置Ｘ１において実行される熱アシスト情報記録の過程を表す。図４〜図６において、磁気ディスク１０については、基材１１および記録磁性層１２Ａ，１２Ｂ以外を省略して簡略化し、周方向（トラック延び方向）に沿った部分断面を表す。また、図４〜図６の各々において、浮上スライダ２０に対する磁気ディスク１０の移動方向（回転方向）を矢印Ｄで示す。

情報記録に際しては、磁気ディスク１０を所定の速度で回転動作させる。これにより、磁気ディスク１０と浮上スライダ２０との間に気体潤滑膜が生じ、浮上スライダ２０は、磁気ディスク１０に対して浮上配置されることとなる。そして、浮上配置された浮上スライダ２０のレーザ素子２２からレーザ光を出射し続ける。このとき、記録磁性層１２Ａ，１２Ｂを所定の温度（初期温度）に一旦昇温させるための熱エネルギを供給する程度の光量および強度で、レーザ光を照射する。初期温度は、好ましくは、記録磁性層１２Ａのキュリー温度Ｔｃ₁（＞Ｔｃ₂）を超える温度である。このようなレーザ光照射により、多層記録膜１２（記録磁性層１２Ａ，１２Ｂ）は局所的に昇温し、多層記録膜１２の内部には、初期温度をピークとして周方向（トラック延び方向）に温度勾配を伴う温度分布が生ずる。図４〜図６の各々には、この温度分布を表すグラフを付す。

図４に示すように、記録面（多層記録膜１２）における局所的な領域Ｐ₁がレーザ素子２２の直下に至ってレーザ照射されると、領域Ｐ₁における記録磁性層１２Ａ，１２Ｂは、初期温度まで昇温する（昇温工程）。本工程では、設定されている初期温度に応じて、記録磁性層１２Ａ，１２Ｂの各々の保磁力Ｈｃ₁，Ｈｃ₂は、所定の値まで低下する。初期温度がＴｃ₁を超える温度に設定されている場合には、領域Ｐ₁における記録磁性層１２Ａ，１２Ｂは、図４のグラフに示すようにＴｃ₁を超える温度まで昇温し、これにより、領域Ｐ₁における記録磁性層１２Ａ，１２Ｂは、共に、自発磁化を消失し、従って保磁力を失う。

次に、図５に示すように、矢印Ｄ方向への媒体移動によって領域Ｐ₁が記録ヘッド２３Ａの直下に至ったとき、記録ヘッド２３Ａにより領域Ｐ₁に第１記録磁界Ｂ₁を印加することによって、記録磁性層１２Ａ，１２Ｂを第１記録磁界Ｂ₁の方向に磁化する（磁界印加工程の第１磁化ステップ）。本工程では、領域Ｐ₁の温度はＴｃ₁未満であって、領域Ｐ₁の少なくとも記録磁性層１２Ａは保磁力Ｈｃ₁を有し、第１記録磁界Ｂ₁はＨｃ₁より大きい（Ｈｃ₁＜Ｂ₁）。上述の初期温度がＴｃ₁を超える温度に設定される場合には、図４に示す位置から図５に示す位置に領域Ｐ₁が移動する間に、領域Ｐ₁が初期温度からＴｃ₁未満の所定の温度に降温するように、例えば、磁気ディスク１０の回転速度を前提に、レーザ素子２２と記録ヘッド２３Ａとの間の距離や、記録磁性層１２Ａの材料組成などを調整しておく。このように、磁界印加工程の第１磁化ステップにおいて、記録磁性層１２Ａを記録磁化する。

一方、このように領域Ｐ₁が第１磁化ステップにあるとき、浮上スライダ２０に対して領域Ｐ₁よりも媒体回転方向上流に位置する所定の領域Ｐ₂は、図４を参照して領域Ｐ₁に関して上述したのと同様の昇温工程に付される。また、領域Ｐ₁から領域Ｐ₂までの区間（１または２以上の局所的な領域からなる）は、領域Ｐ₁の昇温工程終了後から領域Ｐ₂の昇温工程までの間に昇温工程に付される。

次に、図６に示すように、矢印Ｄ方向への媒体移動によって領域Ｐ₁が記録ヘッド２３Ｂの直下に至ったとき、記録ヘッド２３Ｂにより領域Ｐ₁に第２記録磁界Ｂ₂を印加することによって、記録磁性層１２Ｂを第２記録磁界Ｂ₂の方向に磁化する（磁界印加工程の第２磁化ステップ）。本工程では、領域Ｐ₁の温度はＴｃ₂未満であって、領域Ｐ₁の記録磁性層１２Ａ，１２Ｂは各々保磁力Ｈｃ₁，Ｈｃ₂を有し、第２記録磁界Ｂ₂はＨｃ₂より大きく且つＨｃ₁未満である（Ｈｃ₂＜Ｂｃ₁＜Ｈｃ₁）。そのため、記録磁性層１２Ａは第２記録磁界Ｂ₂の作用を実質的には受けずに、記録磁性層１２Ｂは第２記録磁界Ｂ₂の作用を受けて磁化される。また、第２記録磁界Ｂ₂の方向は第１記録磁界Ｂ₁のそれと同じ又は反対である（図６においては反対の場合を示す）。第１磁化ステップの時点で領域Ｐ₁の温度がＴｃ₂を超えている場合、図５に示す位置から図６に示す位置に領域Ｐ₁が移動する間に、領域Ｐ₁がＴｃ₂未満の所定の温度に降温するように、例えば、磁気ディスク１０の回転速度を前提に、記録ヘッド２３Ａと記録ヘッド２３Ｂとの間の距離や、記録磁性層１２Ｂの材料組成などを調整しておく。このように、磁界印加工程の第２磁化ステップにおいて、記録磁性層１２Ｂを記録磁化する。

一方、このように領域Ｐ₁が第２磁化ステップにあるとき、領域Ｐ₂は、図５を参照して領域Ｐ₁に関して上述したのと同様の第１磁化ステップに付され、浮上スライダ２０に対して領域Ｐ₂よりも回転方向上流に位置する所定の領域Ｐ₃は、図４を参照して領域Ｐ₁に関して上述したのと同様の昇温工程に付される。また、領域Ｐ₁から領域Ｐ₂までの区間は、領域Ｐ₁の第１磁化ステップ終了後から領域Ｐ₂の第１磁化ステップまでの間に第１磁化ステップに付され、領域Ｐ₂から領域Ｐ₃までの区間は、領域Ｐ₂の昇温工程終了後から領域Ｐ₃の昇温工程までの間に昇温工程に付される。

以上のような昇温工程および磁界印加工程（第１磁化ステップ，第２磁化ステップ）をレーザ素子２２や記録ヘッド２３Ａ，２３Ｂの直下位置に順次至る各領域に対して実行することにより、図７に示すように、磁気ディスク１０の多層記録膜１２（記録磁性層１２Ａ，１２Ｂ）において、磁化方向の変化として所定の信号ないし情報を記録することができる。図７においては、図の簡潔化の観点より、磁気ディスク１０について基板１１および記録磁性層１２Ａ，１２Ｂ以外を省略する。

磁気ディスク１０の記録面（多層記録膜１２）の各領域における記録磁性層１２Ａ，１２Ｂは、多層記録膜１２に対して垂直な２方向のいずれかの方向に磁化されており、且つ、上述のように、記録磁性層１２Ａ，１２Ｂにおいて｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁および｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂は異なる（図７においては｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁＜｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂の場合を示す）。したがって、各領域における記録磁性層１２Ａ，１２Ｂの｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁および｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂の総和は、当該｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁および｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂の全ての加減組み合わせで異なる。具体的には、記録面の各領域は、｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁＋｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂（これを磁気状態Ｓ１とする）、｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁−｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂（これを磁気状態Ｓ２とする）、−｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁＋｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂（これを磁気状態Ｓ３とする）、および−｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁−｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂（これを磁気状態Ｓ４とする）の４つの状態をとり得る。

磁気ディスク装置Ｘ１による情報再生に際しては、磁気ディスク１０を所定の速度で回転動作させる。これにより、磁気ディスク１０と浮上スライダ２０との間に気体潤滑膜が生じ、浮上スライダ２０は、磁気ディスク１０に対して浮上配置されることとなる。この状態において、再生ヘッド２４により、記録面（多層記録膜１２）の磁気状態Ｓ１〜Ｓ４に由来して形成される信号磁界（４つの値をとり得る）を検知する。図７には、本図に示される磁気状態にある多層記録膜１２について再生ヘッド２４により読み取りを実行した場合の再生信号の電圧波形を付す。このようにして、多層記録膜１２内に記録されている４値信号を読み出すための情報再生が実行される。

以上のように、本実施形態の方法によると、４値方式で情報を記録再生することができる。加えて、本方法においては、熱アシストを伴って記録磁性層１２Ａ，１２Ｂが記録磁化されるため、記録ヘッド２３Ａ，２３Ｂにより発生すべき記録磁界の強度を小さく維持しつつ、例えば常温での記録磁性層１２Ａ，１２Ｂの保磁力を高く設定することができる。記録磁性層１２Ａ，１２Ｂの保磁力が高いほど、記録磁性層１２Ａ，１２Ｂ内に安定に形成し得る最小磁区をより微小とすることができ、記録面内方向において２次元的に高い記録密度を得ることが可能である。したがって、本実施形態の磁気記録方法によると、熱アシストを伴う４値記録再生方式において、充分な高記録密度化を図ることができるのである。

図８は、本発明の第２の実施形態に係る磁気記録方法を実行するための磁気ディスク装置Ｘ２の部分構成を表す。磁気ディスク装置Ｘ２は、磁気ディスク３０および浮上スライダ４０を備え、熱アシスト記録方式での情報記録と情報再生とを磁気ディスク３０について実行することができるように構成されている。

磁気ディスク３０は、図８に加えて図９にも示すように、基板３１、多層記録膜３２、および保護層３３からなる積層構造を有し、垂直磁気記録方式かつ熱アシスト記録方式の磁気記録媒体として構成されたものである。

基板３１は、磁気ディスク３０の剛性を確保するための部位であり、ディスク形状を有する。また、基板３１は、例えば、アルミニウム合金基板、ガラス基板、または樹脂基板である。

多層記録膜３２は、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃおよび非磁性層３２ａからなる積層構造を有し、各所に８値の信号が記録され得る記録面を構成する。

記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃは、各々、垂直磁化膜であり、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、またはＣｏＣｒよりなる。本実施形態では、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃのキュリー温度を各々Ｔｃ₁，Ｔｃ₂，Ｔｃ₃とすると、Ｔｃ₁＞Ｔｃ₂＞Ｔｃ₃であり、且つ、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの保磁力を各々Ｈｃ₁，Ｈｃ₂，Ｈｃ₃とすると、情報記録時に多層記録膜３２のとり得る温度範囲においてはＨｃ₁＞Ｈｃ₂＞Ｈｃ₃である。図１０は、これらの条件の下に構成されている記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃについて、保磁力Ｈｃの温度依存性の一例を表すグラフである。図１０のグラフにおいて、線Ｇ１は記録磁性層３２Ａの保磁力変化を表し、線Ｇ２は記録磁性層３２Ｂの保磁力変化を表し、線Ｇ３は記録磁性層３２Ｃの保磁力変化を表す。また、本実施形態では、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの磁化を各々Ｍｒ₁，Ｍｒ₂，Ｍｒ₃とし、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの厚さを各々ｄ₁，ｄ₂，ｄ₃とすると、磁化の大きさ（絶対値）と厚さとの積である｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁、｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂、および｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃は相互に異なる。キュリー温度、保磁力、および磁化の大きさについては、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの構成元素種の選択や組成比の調節により適宜設定することが可能である。このような記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの厚さは、各々、例えば５〜５０ｎｍである。

非磁性層３２ａは、記録磁性層間に交換結合作用が生じないように２つの記録磁性層間に介在し、例えば、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、またはＳｉＮよりなる。このような非磁性層３２ａの厚さは、例えば１〜１０ｎｍである。

保護層３３は、多層記録膜３２を外界から物理的および化学的に保護するためのものであり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂、またはＤＬＣよりなる。

このような磁気ディスク３０の製造においては、例えばスパッタリング法により、基板３１上に、記録磁性層３２Ａ、非磁性層３２ａ、記録磁性層３２Ｂ、非磁性層３２ａ、記録磁性層３２Ｃ、および保護層３３を順次形成する。また、本発明においては、記録磁性層３２Ａを形成する前に、基板３１上に密着下地層や軟磁性層などを形成してもよい。

磁気ディスク装置Ｘ２において、磁気ディスク３０は、所定の制御部からの制御信号に基づいて制御される図外のスピンドルモータに支持され、スピンドルモータが回転駆動することによって回転動作する。

浮上スライダ４０は、スライダボディ４１、レーザ素子４２、記録ヘッド４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ、および再生ヘッド４４を有し、磁気ディスク装置Ｘ２による情報記録および情報再生の実行時には、磁気ディスク３０の保護層３３に対向して配置される。

レーザ素子４２自体、各記録ヘッド４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ自体、および再生ヘッド４４自体の構成は、各々、第１の実施形態におけるレーザ素子２２、記録ヘッド２３Ａ，２３Ｂ、および再生ヘッド２４の構成と同様である。また、記録ヘッド４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃとレーザ素子４２とは、浮上スライダ４０において、レーザ素子４２、記録ヘッド４３Ａ、記録ヘッド４３Ｂ、および記録ヘッド４３Ｃの順で、磁気ディスク３０の回転方向Ｄ（ないし周方向）に相当する方向に沿って一列に配されている。

このような浮上スライダ４０は、板バネ状のサスペンションアーム（図示略）を介して図外のアクチュエータに連結されている。サスペンションアームは、浮上スライダ４０に対し、磁気ディスク３０に向けて付勢力を作用させるためのものであり、アクチュエータは、例えばボイスコイルモータにより構成されている。

図１１〜図１４は、本発明の第２の実施形態に係る磁気記録方法に基づいて磁気ディスク装置Ｘ２において実行される熱アシスト情報記録の過程を表す。図１１〜図１４において、磁気ディスク３０については、基材３１および記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ以外を省略して簡略化し、周方向（トラック延び方向）に沿った部分断面を表す。また、図１１〜図１４の各々において、浮上スライダ４０に対する磁気ディスク３０の移動方向（回転方向）を矢印Ｄで示す。

情報記録に際しては、磁気ディスク３０を所定の速度で回転動作させる。これにより、磁気ディスク３０と浮上スライダ４０との間に気体潤滑膜が生じ、浮上スライダ４０は、磁気ディスク３０に対して浮上配置されることとなる。そして、浮上配置された浮上スライダ４０のレーザ素子４２からレーザ光を出射し続ける。このとき、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂを所定の温度（初期温度）に一旦昇温させるための熱エネルギを供給する程度の光量および強度で、レーザ光を照射する。初期温度は、好ましくは、記録磁性層３２Ａのキュリー温度Ｔｃ₁（＞Ｔｃ₂＞Ｔｃ₃）を超える温度である。このようなレーザ光照射により、多層記録膜３２（記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ）は局所的に昇温し、多層記録膜３２の内部には、初期温度をピークとして周方向（トラック延び方向）に温度勾配を伴う温度分布が生ずる。図１１〜図１４の各々には、この温度分布を表すグラフを付す。

図１１に示すように、記録面（多層記録膜３２）における局所的な領域Ｐ₁がレーザ素子４２の直下に至ってレーザ照射されると、領域Ｐ₁における記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃは、初期温度まで昇温する（昇温工程）。本工程では、設定されている初期温度に応じて、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの各々の保磁力Ｈｃ₁，Ｈｃ₂，Ｈｃ₃は、所定の値まで低下する。初期温度がＴｃ₁を超える温度に設定されている場合には、領域Ｐ₁における記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃは、図１１に示すようにＴｃ₁を超える温度まで昇温し、これにより、領域Ｐ₁における記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃは、共に、自発磁化を消失し、従って保磁力を失う。

次に、図１２に示すように、矢印Ｄ方向への媒体移動によって領域Ｐ₁が記録ヘッド４３Ａの直下に至ったとき、記録ヘッド４３Ａにより領域Ｐ₁に第１記録磁界Ｂ₁を印加することによって、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃを第１記録磁界Ｂ₁の方向に磁化する（磁界印加工程の第１磁化ステップ）。本工程では、領域Ｐ₁の温度はＴｃ₁未満であって、領域Ｐ₁の少なくとも記録磁性層３２Ａは保磁力Ｈｃ₁を有し、第１記録磁界Ｂ₁はＨｃ₁より大きい（Ｈｃ₁＜Ｂ₁）。上述の初期温度がＴｃ₁を超える温度に設定される場合には、図１１に示す位置から図１２に示す位置に領域Ｐ₁が移動する間に、領域Ｐ₁が初期温度からＴｃ₁未満の所定の温度に降温するように、例えば、磁気ディスク３０の回転速度を前提に、レーザ素子４２と記録ヘッド４３Ａとの間の距離や、記録磁性層３２Ａの材料組成などを調整しておく。このように、磁界印加工程の第１磁化ステップにおいて、記録磁性層３２Ａを記録磁化する。

一方、このように領域Ｐ₁が第１磁化ステップにあるとき、浮上スライダ４０に対して領域Ｐ₁よりも媒体回転方向上流に位置する所定の領域Ｐ₂は、図１１を参照して領域Ｐ₁に関して上述したのと同様の昇温工程に付される。また、領域Ｐ₁から領域Ｐ₂までの区間は、領域Ｐ₁の昇温工程終了後から領域Ｐ₂の昇温工程までの間に昇温工程に付される。

次に、図１３に示すように、矢印Ｄ方向への媒体移動によって領域Ｐ₁が記録ヘッド４３Ｂの直下に至ったとき、記録ヘッド４３Ｂにより領域Ｐ₁に第２記録磁界Ｂ₂を印加することによって、記録磁性層３２Ｂ，３２Ｃを第２記録磁界Ｂ₂の方向に磁化する（磁界印加工程の第２磁化ステップ）。本工程では、領域Ｐ₁の温度はＴｃ₂未満であって、領域Ｐ₁の少なくとも記録磁性層３２Ａ，３２Ｂは各々保磁力Ｈｃ₁，Ｈｃ₂を有し、第２記録磁界Ｂ₂はＨｃ₂より大きく且つＨｃ₁未満である（Ｈｃ₂＜Ｂ₂＜Ｈｃ₁）。そのため、記録磁性層３２Ａは第２記録磁界Ｂ₂の作用を実質的には受けずに、記録磁性層３２Ｂ，３２Ｃは第２記録磁界Ｂ₂の作用を受けて磁化される。また、第２記録磁界Ｂ₂の方向は第１記録磁界Ｂ₁のそれと同じ又は反対である（図１３においては反対の場合を示す）。第１磁化ステップの時点で領域Ｐ₁の温度がＴｃ₂を超えている場合、図１２に示す位置から図１３に示す位置に領域Ｐ₁が移動する間に、領域Ｐ₁がＴｃ₂未満の所定の温度に降温するように、例えば、磁気ディスク３０の回転速度を前提に、記録ヘッド４３Ａと記録ヘッド４３Ｂとの間の距離や、記録磁性層３２Ｂの材料組成などを調整しておく。このように、磁界印加工程の第２磁化ステップにおいて、記録磁性層３２Ｂを記録磁化する。

一方、このように領域Ｐ₁が第２磁化ステップにあるとき、領域Ｐ₂は、図１２を参照して領域Ｐ₁に関して上述したのと同様の第１磁化ステップに付され、浮上スライダ４０に対して領域Ｐ₂よりも媒体回転方向上流に位置する領域Ｐ₃は、図１１を参照して領域Ｐ₁に関して上述したのと同様の昇温工程に付される。また、領域Ｐ₁から領域Ｐ₂までの区間は、領域Ｐ₁の第１磁化ステップ終了後から領域Ｐ₂の第１磁化ステップまでの間に第１磁化ステップに付され、領域Ｐ₂から領域Ｐ₃までの区間は、領域Ｐ₂の昇温工程終了後から領域Ｐ₃の昇温工程までの間に昇温工程に付される。

次に、図１４に示すように、矢印Ｄ方向への媒体移動によって領域Ｐ₁が記録ヘッド４３Ｃの直下に至ったとき、記録ヘッド４３Ｃにより領域Ｐ₁に第３記録磁界Ｂ₃を印加することによって、記録磁性層３２Ｃを第３記録磁界Ｂ₃の方向に磁化する（磁界印加工程の第３磁化ステップ）。本工程では、領域Ｐ₁の温度はＴｃ₂未満であって、領域Ｐ₁の記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃは各々保磁力Ｈｃ₁，Ｈｃ₂，Ｈｃ₃を有し、第３記録磁界Ｂ₃はＨｃ₃より大きく且つＨｃ₂未満である（Ｈｃ₃＜Ｂ₃＜Ｈｃ₂＜Ｈｃ₁）。そのため、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂは第３記録磁界Ｂ₃の作用を実質的には受けずに、記録磁性層３２Ｃは第３記録磁界Ｂ₃の作用を受けて磁化される。また、第３記録磁界Ｂ₃の方向は第１および第２記録磁界Ｂ₁，Ｂ₂のそれと同じ又は反対である。第２磁化ステップの時点で領域Ｐ₁の温度がＴｃ₃を超えている場合、図１３に示す位置から図１４に示す位置に領域Ｐ₁が移動する間に、領域Ｐ₁がＴｃ₃未満の所定の温度に降温するように、例えば、磁気ディスク３０の回転速度を前提に、記録ヘッド４３Ｂと記録ヘッド４３Ｃとの間の距離や、記録磁性層３２Ｃの材料組成などを調整しておく。このように、磁界印加工程の第３磁化ステップにおいて、記録磁性層３２Ｃを記録磁化する。

一方、このように領域Ｐ₁が第３磁化ステップにあるとき、領域Ｐ₂は、図１３を参照して領域Ｐ₁に関して上述したのと同様の第２磁化ステップに付され、領域Ｐ₃は、図１２を参照して領域Ｐ₁に関して上述したのと同様の第１磁化ステップに付され、浮上スライダ４０に対して領域Ｐ₃よりも媒体回転方向上流に位置する領域Ｐ₄は、図１１を参照して領域Ｐ₁に関して上述したのと同様の昇温工程に付される。また、領域Ｐ₁から領域Ｐ₂までの区間は、領域Ｐ₁の第２磁化ステップ終了後から領域Ｐ₂の第２磁化ステップまでの間に第２磁化ステップに付され、領域Ｐ₂から領域Ｐ₃までの区間は、領域Ｐ₂の第１磁化ステップ終了後から領域Ｐ₃の第１磁化ステップまでの間に第１磁化ステップに付され、領域Ｐ₃から領域Ｐ₄までの区間は、領域Ｐ₃の昇温工程終了後から領域Ｐ₄の昇温工程までの間に昇温工程に付される。

以上のような昇温工程および磁界印加工程（第１〜第３磁化ステップ）をレーザ素子４２や記録ヘッド４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃの直下位置に順次至る各領域に対して実行することにより、図１５に示すように、磁気ディスク３０の多層記録膜３２（記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ）において、磁化方向の変化として所定の信号ないし情報を記録することができる。図１５においては、図の簡潔化の観点より、磁気ディスク３０について基板３１および記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ以外を省略する。

磁気ディスク３０の記録面（多層記録膜３２）の各領域における記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃは、多層記録膜３２に対して垂直な２方向のいずれかの方向に磁化されており、且つ、上述のように、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃにおいては、｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁、｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂、および｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃は相互に異なる。したがって、各領域における記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁、｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂、および｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃の総和は、当該｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁、｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂、および｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃の全ての加減組み合わせで異なる。具体的には、記録面の各領域は、｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁＋｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂＋｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃、｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁＋｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂−｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃、｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁−｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂＋｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃、｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁−｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂−｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃、−｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁＋｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂＋｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃、−｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁＋｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂−｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃、−｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁−｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂＋｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃、および−｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁−｜Ｍｒ₂｜×ｄ₂−｜Ｍｒ₃｜×ｄ₃の８つの磁気状態をとり得る。

磁気ディスク装置Ｘ２による情報再生に際しては、磁気ディスク３０を所定の速度で回転動作させる。これにより、磁気ディスク３０と浮上スライダ４０との間に気体潤滑膜が生じ、浮上スライダ４０は、磁気ディスク３０に対して浮上配置されることとなる。この状態において、再生ヘッド４４により、多層記録膜３２の磁気状態に由来して形成される信号磁界（８つの値をとり得る）を検知する。このようにして、多層記録膜３２内に記録されている８値信号を読み出すための情報再生が実行される。

以上のように、本実施形態の方法によると、８値方式で情報を記録再生することができる。加えて、本方法においては、熱アシストを伴って記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃが磁化されるため、記録ヘッド４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃにより発生すべき記録磁界の強度を小さく維持しつつ、例えば常温での記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの保磁力を高く設定することができる。記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの保磁力が高いほど、記録磁性層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ内に安定に形成し得る最小磁区をより微小とすることができ、記録面内方向において２次元的に高い記録密度を得ることが可能である。したがって、本実施形態の磁気記録方法によると、熱アシストを伴う８値記録再生方式において、充分な高記録密度化を図ることができるのである。

図１６は、本発明の第３の実施形態に係る磁気記録方法を実行するための磁気ディスク装置Ｘ３の部分構成を表す。磁気ディスク装置Ｘ３は、磁気ディスク５０および浮上スライダ６０を備え、熱アシスト記録方式での情報記録と情報再生とを磁気ディスク５０について実行することができるように構成されている。

磁気ディスク５０は、図１６に加えて図１７にも示すように、基板５１、多層記録膜５２、および保護層５３からなる積層構造を有し、垂直磁気記録方式かつ熱アシスト記録方式の磁気記録媒体として構成されたものである。

基板５１は、磁気ディスク５０の剛性を確保するための部位であり、ディスク形状を有する。また、基板５１は、例えば、アルミニウム合金基板、ガラス基板、または樹脂基板である。

多層記録膜５２は、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nおよび非磁性層５２ａからなる積層構造を有し、各所に多値（例えば２ⁿ値）の信号が記録され得る記録面を構成する。

記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nは、各々、垂直磁化膜であり、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、またはＣｏＣｒよりなる。本実施形態では、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nのキュリー温度を各々Ｔｃ₁，Ｔｃ₂，・・・Ｔｃ_nとすると、Ｔｃ₁＞Ｔｃ₂＞・・・＞Ｔｃ_nであり、且つ、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nの保磁力を各々Ｈｃ₁，Ｈｃ₂，・・・Ｈｃ_nとすると、情報記録時に多層記録膜５２のとり得る温度範囲においてはＨｃ₁＞Ｈｃ₂＞・・・＞Ｈｃ_nである。また、本実施形態では、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nの磁化を各々Ｍｒ₁，Ｍｒ₂，・・・Ｍｒ_nとし、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nの厚さを各々ｄ₁，ｄ₂，・・・ｄ_nとすると、磁化の大きさ（絶対値）と厚さとの積である｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁〜｜Ｍｒ_n｜×ｄ_nは相互に異なるのが好ましい。キュリー温度、保磁力、および磁化の大きさについては、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nの構成元素種の選択や組成比の調節により適宜設定することが可能である。このような記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nの厚さは、各々、例えば５〜５０ｎｍである。

非磁性層５２ａは、記録磁性層間に交換結合作用が生じないように２つの記録磁性層間に介在し、例えば、Ａｌ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、またはＳｉＮよりなる。このような非磁性層５２ａの厚さは、例えば１〜１０ｎｍである。

保護層５３は、多層記録膜５２を外界から物理的および化学的に保護するためのものであり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂、またはダイアモンドライクカーボンよりなる。

このような磁気ディスク５０は、例えばスパッタリング法により基板５１上に各層を順次形成することによって、製造することができる。

磁気ディスク装置Ｘ３において、磁気ディスク５０は、所定の制御部からの制御信号に基づいて制御される図外のスピンドルモータに支持され、スピンドルモータが回転駆動することによって回転動作する。

浮上スライダ６０は、スライダボディ６１、レーザ素子６２、記録ヘッドＫ₁，Ｋ₂，・・・Ｋ_n、および再生ヘッド６３を有し、磁気ディスク装置Ｘ３による情報記録および情報再生の実行時には、磁気ディスク５０の保護層５３に対向して配置される。

レーザ素子６２自体、各記録ヘッドＫ₁，Ｋ₂，・・・Ｋ_n自体、および再生ヘッド６３自体の構成は、各々、第１の実施形態におけるレーザ素子２２、記録ヘッド２３Ａ，２３Ｂ、および再生ヘッド２４の構成と同様である。また、記録ヘッドＫ₁，Ｋ₂，・・・Ｋ_n、とレーザ素子６２とは、浮上スライダ６０において、レーザ素子６２および記録ヘッドＫ₁，Ｋ₂，・・・Ｋ_nの順で、磁気ディスク５０の回転方向Ｄ（ないし周方向）に相当する方向に沿って一列に配されている。

このような浮上スライダ６０は、板バネ状のサスペンションアーム（図示略）を介して図外のアクチュエータに連結されている。サスペンションアームは、浮上スライダ６０に対し、磁気ディスク５０に向けて付勢力を作用させるためのものであり、アクチュエータは、例えばボイスコイルモータにより構成されている。

図１８は、本発明の第３の実施形態に係る磁気記録方法に基づいて磁気ディスク装置Ｘ３において実行される熱アシスト情報記録を表す。図１８において、磁気ディスク５０については、基材５１および記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_n以外を省略して簡略化し、周方向（トラック延び方向）に沿った部分断面を表す。また、浮上スライダ６０に対する磁気ディスク５０の移動方向（回転方向）については矢印Ｄで示す。

情報記録に際しては、磁気ディスク５０を所定の速度で回転動作させる。これにより、磁気ディスク５０と浮上スライダ６０との間に気体潤滑膜が生じ、浮上スライダ６０は、磁気ディスク５０に対して浮上配置されることとなる。そして、浮上配置された浮上スライダ６０のレーザ素子６２からレーザ光を出射し続ける。このとき、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nを所定の温度（初期温度）に一旦昇温させるための熱エネルギを供給する程度の光量および強度で、レーザ光を照射する。初期温度は、好ましくは、記録磁性層Ｌ₁のキュリー温度Ｔｃ₁（＞Ｔｃ₂＞・・・＞Ｔｃ_n）を超える温度である。このようなレーザ光照射により、多層記録膜５２（記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_n）は局所的に昇温し、多層記録膜５２の内部には、初期温度をピークとして周方向（トラック延び方向）に温度勾配を伴う温度分布が生ずる。図１８には、この温度分布を表すグラフを付す。

本実施形態の熱アシスト情報記録においては、記録面（多層記録膜５２）の各領域に対して昇温工程およびこれに続いて磁界印加工程が実行される。磁界印加工程では、第１磁化ステップから第ｎ磁化ステップまでが順次実行される。

昇温工程では、多層記録膜５２における所定領域がレーザ素子６２の直下に至ってレーザ照射され、この領域における記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nは、初期温度まで昇温する。本工程では、設定されている初期温度に応じて、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nの各々の保磁力Ｈｃ₁，Ｈｃ₂，・・・Ｈｃ_nは、所定の値まで低下する。初期温度がＴｃ₁を超える温度に設定されている場合には、当該領域における記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nはＴｃ₁を超える温度まで昇温し、これにより、当該領域における記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nは、共に、自発磁化を消失し、従って保磁力を失う。

磁界印加工程の第１磁化ステップでは、記録ヘッドＫ₁により所定領域に第１記録磁界Ｂ₁を印加することによって、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nを第１記録磁界Ｂ₁の方向に磁化する。本ステップに付される領域では、温度はＴｃ₁未満であって、少なくとも記録磁性層Ｌ₁は保磁力Ｈｃ₁を有し、第１記録磁界Ｂ₁はＨｃ₁より大きい（Ｈｃ₁＜Ｂ₁）。そのため、本ステップでは記録磁性層Ｌ₁が第１記録磁界Ｂ₁の方向に記録磁化される。

第２磁化ステップでは、記録ヘッドＫ₂により所定領域に第２記録磁界Ｂ₂を印加することによって、記録磁性層Ｌ₂，・・・Ｌ_nを第２記録磁界Ｂ₂の方向に磁化する。本ステップに付される領域では、温度はＴｃ₂未満であって、少なくとも記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂は保磁力Ｈｃ₁，Ｈｃ₂を有し、第２記録磁界Ｂ₂はＨｃ₂より大きく且つＨｃ₁未満である（Ｈｃ₂＜Ｂ₂＜Ｈｃ₁）。そのため、記録磁性層Ｌ₁は第２記録磁界Ｂ₂の作用を実質的には受けずに、記録磁性層Ｌ₂〜Ｌ_nは第２記録磁界Ｂ₂の作用を受けて磁化される。このようにして、本ステップでは記録磁性層Ｌ₂が記録磁化される。

このように、各記録ヘッドによる記録磁界印加によって各磁化ステップが実行されて各記録磁性層が記録磁化され、記録磁性層Ｌ_nの記録磁化は第ｎ磁化ステップにて実行される。第ｎ磁化ステップでは、具体的には、記録ヘッドＫ_nにより所定領域に第ｎ記録磁界Ｂ_nを印加することによって、記録磁性層Ｌ_nを第ｎ記録磁界Ｂ_nの方向に磁化する。本ステップに付される領域では、温度はＴｃ_n未満であって、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nは保磁力Ｈｃ₁，Ｈｃ₂，・・・Ｈｃ_nを有し、第ｎ記録磁界Ｂ_nはＨｃ_nより大きく且つＨｃ_n-1未満である（Ｈｃ_n＜Ｂ_n＜Ｈｃ_n-1＜・・・＜Ｈｃ₁）。そのため、記録磁性層Ｌ₁〜Ｌ_n-1は第ｎ記録磁界Ｂ_nの作用を実質的には受けずに、記録磁性層Ｌ_nは第ｎ記録磁界Ｂ_nの作用を受けて磁化される。このようにして、本ステップでは記録磁性層Ｌ_nが記録磁化される。

以上のような昇温工程および磁界印加工程（第１〜第ｎ磁化ステップ）をレーザ素子６２や記録ヘッドＫ₁，Ｋ₂，・・・Ｋ_nの直下位置に順次至る各領域に対して実行することにより、磁気ディスク５０の多層記録膜５２において、磁化方向の変化として所定の信号ないし情報を記録することができる。磁気ディスク５０の記録面（多層記録膜５２）の各領域における記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nは、多層記録膜５２に対して垂直な２方向のいずれかの方向に磁化されており、記録面の各領域における記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nの｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁〜｜Ｍｒ_n｜×ｄ_nの総和は、複数の値をとる。好ましくは、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nの｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁〜｜Ｍｒ_n｜×ｄ_nは全て相互に異なり、且つ、当該｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁〜｜Ｍｒ_n｜×ｄ_nの総和は、当該｜Ｍｒ₁｜×ｄ₁〜｜Ｍｒ_n｜×ｄ_nの全ての加減組み合わせで異なる。この場合、記録面（多層記録膜５２）の各領域は２ⁿ個の磁気状態をとり得る。

磁気ディスク装置Ｘ３による情報再生に際しては、磁気ディスク５０を所定の速度で回転動作させる。これにより、磁気ディスク５０と浮上スライダ６０との間に気体潤滑膜が生じ、浮上スライダ６０は、磁気ディスク５０に対して浮上配置されることとなる。この状態において、再生ヘッド６３により、多層記録膜５２の磁気状態に由来して形成される信号磁界を検知する。このようにして、多層記録膜５２内に記録されている多値信号を読み出すための情報再生が実行される。

以上のように、本実施形態の方法によると、多値方式で情報を記録再生することができる。加えて、本方法においては、熱アシストを伴って記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nが磁化されるため、記録ヘッドＫ₁，Ｋ₂，・・・Ｋ_nにより印加すべき記録磁界の強度を小さく維持しつつ、例えば常温での記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nの保磁力を高く設定することができる。記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_nの保磁力が高いほど、記録磁性層Ｌ₁，Ｌ₂，・・・Ｌ_n内に安定に形成し得る最小磁区をより微小とすることができ、記録面内方向において２次元的に高い記録密度を得ることが可能である。したがって、本実施形態の磁気記録方法によると、熱アシストを伴う多値記録再生方式において、充分な高記録密度化を図ることができるのである。

〔磁気ディスクの作製〕
図１９に示す積層構成を有して第１の実施形態に相当する磁気ディスクを、本実施例の磁気ディスクとして作製した。

具体的には、まず、アルミニウム合金製のディスク基板（直径６５ｍｍ）の上に、スパッタリング法によりＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀を成膜することによって、記録磁性層１２Ａとして厚さ２５ｎｍのＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂターゲットおよびＦｅターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、基板上にＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀を成膜した。また、本スパッタリングでは、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を２.５Ｐａとし、スパッタ電力を８０Ｗ（Ｔｂターゲット）および３００Ｗ（Ｆｅターゲット）とした。

次に、スパッタリング法によりＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀層上にＡｌを成膜することによって、非磁性層１２ａとして厚さ３ｎｍのＡｌ層を形成した。本スパッタリングでは、Ａｌターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０.６Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。

次に、スパッタリング法によりＡｌ層上にＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄を成膜することによって、記録磁性層１２Ｂとして厚さ２５ｎｍのＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂターゲットおよびＦｅターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、基板上にＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄を成膜した。また、本スパッタリングでは、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を２.５Ｐａとし、スパッタ電力を８０Ｗ（Ｔｂターゲット）および３００Ｗ（Ｆｅターゲット）とした。

次に、スパッタリング法によりＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄層上にダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を成膜することによって、保護層１３として厚さ１０ｎｍのＤＬＣ層を形成した。本工程では、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０.２５Ｐａとし、スパッタ電力を１５００Ｗとした。以上のようにして、本実施例の磁気ディスクを作製した。

〔保磁力測定〕
本実施例の磁気ディスクにおける各記録磁性層と同一組成のＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜およびＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜の各々について、保磁力Ｈｃの温度依存性を測定した。その結果のグラフを図２０に示す。図２０のグラフにおいて、横軸は膜の温度（℃）を表し、縦軸は膜の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）を表し、線Ｆ１はＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜の測定結果を表し、線Ｆ２はＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜の測定結果を表す。

〔飽和磁化測定〕
本実施例の磁気ディスクにおける各記録磁性層と同一組成のＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜およびＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜の各々について、飽和磁化Ｍｓの温度依存性を測定した。その結果のグラフを図２１に示す。図２１のグラフにおいて、横軸は膜の温度（℃）を表し、縦軸は膜の飽和磁化Ｍｓ（emu/cc）を表し、線Ｆ１’はＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜の測定結果を表し、線Ｆ２’はＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜の測定結果を表す。

〔評価〕
図２０のグラフに示すように、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜のキュリー温度は１３０℃であり、Ｔｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜のキュリー温度は１１０℃であった。また、図２１のグラフに示すように、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜の２５℃での飽和磁化は８０emu/ccであり、Ｔｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜の飽和磁化は１８０emu/ccであった。２５℃における飽和磁化がこの程度に異なるので、これら磁性膜における常温での磁化も有意に異なり得る。したがって、本実施例の磁気ディスクでは、記録磁性層１２ＡであるＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀層（厚さ２５ｎｍ）と記録磁性層１２ＢであるＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄層（厚さ２５ｎｍ）とのキュリー温度は異なり、且つ、これら各層の常温での磁化の大きさと厚さとの積は異なる。このような磁気ディスクによると、図４〜図６を参照して上述した熱アシスト記録方式かつ多値記録方式の情報記録を適切に実行することができる。

〔磁気ディスクの作製〕
図２２に示す積層構成を有して第２の実施形態に相当する磁気ディスクを、本実施例の磁気ディスクとして作製した。

具体的には、まず、アルミニウム合金製のディスク基板（直径６５ｍｍ）の上に、スパッタリング法によりＴｂ₂₃Ｆｅ₇₇を成膜することによって、記録磁性層３２Ａとして厚さ２５ｎｍのＴｂ₂₃Ｆｅ₇₇層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂターゲットおよびＦｅターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、基板上にＴｂ₂₃Ｆｅ₇₇を成膜した。また、本スパッタリングでは、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を２.５Ｐａとし、スパッタ電力を８０Ｗ（Ｔｂターゲット）および３００Ｗ（Ｆｅターゲット）とした。

次に、スパッタリング法によりＴｂ₂₃Ｆｅ₇₇層上にＡｌを成膜することによって、非磁性層３２ａとして厚さ３ｎｍのＡｌ層を形成した。本スパッタリングでは、Ａｌターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０.６Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。

この後、実施例１において基板上にＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀層、Ａｌ層、Ｔｂ₁₆Ｆｅ₈₄層、およびＤＬＣ層を順次形成したのと同様にして、Ａｌ層上に、記録磁性層３２ＢとしてＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀層（厚さ２５ｎｍ）、非磁性層３２ａとしてＡｌ層（厚さ３ｎｍ）、記録磁性層３２ＣとしてＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄層（厚さ２５ｎｍ）、および保護層３３としてＤＬＣ層を順次形成した。

〔保磁力測定〕
本実施例の磁気ディスクにおける記録磁性層３２Ａと同一組成のＴｂ₂₃Ｆｅ₇₇膜について、保磁力Ｈｃの温度依存性を測定した。その結果と、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜およびＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜についての上述の保磁力測定結果とを合せたグラフを図２３に示す。図２３のグラフにおいて、横軸は膜の温度（℃）を表し、縦軸は膜の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）を表し、線Ｆ３はＴｂ₂₃Ｆｅ₇₇膜の測定結果を表し、線Ｆ１はＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜の測定結果を表し、線Ｆ２はＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜の測定結果を表す。

〔飽和磁化測定〕
本実施例の磁気ディスクにおける記録磁性層３２Ａと同一組成のＴｂ₂₃Ｆｅ₇₇膜について、飽和磁化Ｍｓの温度依存性を測定した。その結果と、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜およびＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜についての上述の飽和磁化測定結果とを合せたグラフを図２４に示す。図２４のグラフにおいて、横軸は膜の温度（℃）を表し、縦軸は膜の飽和磁化Ｍｓ（emu/cc）を表し、線Ｆ３’はＴｂ₂₃Ｆｅ₇₇膜の測定結果を表し、線Ｆ１’はＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜の測定結果を表し、線Ｆ２’はＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜の測定結果を表す。

〔評価〕
図２３のグラフに示すように、Ｔｂ₂₃Ｆｅ₇₇膜のキュリー温度は１５０℃であった。上述のように、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜のキュリー温度は１３０℃であり、Ｔｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜のキュリー温度は１１０℃である。また、図２４のグラフに示すように、Ｔｂ₂₃Ｆｅ₇₇膜の２５℃での飽和磁化は４０emu/ccであった。上述のように、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₈₀膜の２５℃での飽和磁化は８０emu/ccであり、Ｔｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜の飽和磁化は１８０emu/ccである。２５℃における飽和磁化がこの程度に異なるので、これら磁性膜における常温での磁化も有意に異なり得る。したがって、本実施例の磁気ディスクでは、記録磁性層３２ＡであるＴｂ₂₃Ｆｅ₇₇層（厚さ２５ｎｍ）と、記録磁性層３２ＢであるＴｂ₂₀Ｆｅ₈₀層（厚さ２５ｎｍ）と、記録磁性層３２ＣであるＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄膜（厚さ２５ｎｍ）とのキュリー温度は異なり、且つ、これら各層における常温での磁化の大きさと厚さとの積は異なる。このような磁気ディスクによると、図１１〜図１４を参照して上述した熱アシスト記録方式かつ多値記録方式の情報記録を適切に実行することができる。

以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。

（付記１）キュリー温度の異なる複数の記録磁性層と、当該記録磁性層間ごとに設けられた非磁性層と、を含む多層記録膜を有する磁気記録媒体に情報を記録するための方法であって、
前記複数の記録磁性層を一旦昇温させるための昇温工程と、
前記昇温工程を経た前記複数の記録磁性層の各々を、相対的にキュリー温度の高い記録磁性層から低い記録磁性層にかけて順次、記録磁界を印加して当該記録磁界の方向に記録磁化するための磁界印加工程と、を含む磁気記録方法。
（付記２）前記昇温工程では、前記複数の記録磁性層を最高キュリー温度以上に昇温させる、付記１に記載の磁気記録方法。
（付記３）キュリー温度の異なる複数の記録磁性層と、当該記録磁性層間ごとに設けられた非磁性層と、を含む多層記録膜を有する磁気記録媒体。
（付記４）前記複数の記録磁性層の各々は磁化を有し、前記複数の記録磁性層において、磁化の大きさおよび厚さの積は、相互に異なる、付記３に記載の磁気記録媒体。
（付記５）前記記録磁性層ごとの前記積の総和は、当該複数の積の全ての加減組み合わせで異なる、付記４に記載の磁気記録媒体。
（付記６）キュリー温度の異なる複数の記録磁性層および当該記録磁性層間ごとに設けられた非磁性層、を含む多層記録膜を有し、情報記録の実行時に回転動作を伴う、磁気記録媒体と、
前記多層記録膜を局所的に昇温するための昇温手段と、
前記昇温手段による昇温を経た多層記録膜に磁界を印加するための、前記情報記録の実行時の前記回転動作の方向に一列に位置する、前記複数の記録磁性層と同数の磁界印加手段と、を備える磁気記録装置。
（付記７）前記情報記録の実行時に前記多層記録膜に対向しつつ前記磁気記録媒体に対して浮上配置される浮上スライダを更に備え、前記昇温手段および前記複数の磁界印加手段は、当該浮上スライダに設けられている、付記６に記載の磁気記録装置。
（付記８）付記１から７のいずれか一つに記載の磁気記録媒体は、前記多層記録膜を支持するための基材を備え、前記複数の記録磁性層の複数のキュリー温度は、前記基材に近いほど或は前記基材から遠いほど、高い。

本発明の第１の実施形態に係る磁気記録方法を実行するための磁気ディスク装置の部分構成を表す。 第１の実施形態における磁気ディスクの積層構成を表す。 第１の実施形態における各記録磁性層について、保磁力Ｈｃの温度依存性の一例を表す。 第１の実施形態に係る磁気記録方法の一のステップを表す。 第１の実施形態に係る磁気記録方法の他のステップを表す。 第１の実施形態に係る磁気記録方法の他のステップを表す。 第１の実施形態の磁気記録方法により情報記録が実行された磁気ディスクについて、多層記録膜における磁気状態の一例と、再生した場合に得られる再生信号の一例を表す。 本発明の第２の実施形態に係る磁気記録方法を実行するための磁気ディスク装置の部分構成を表す。 第２の実施形態における磁気ディスクの積層構成を表す。 第２の実施形態における各記録磁性層について、保磁力Ｈｃの温度依存性の一例を表す。 第２の実施形態に係る磁気記録方法の一のステップを表す。 第２の実施形態に係る磁気記録方法の他のステップを表す。 第２の実施形態に係る磁気記録方法の他のステップを表す。 第２の実施形態に係る磁気記録方法の他のステップを表す。 第２の実施形態の磁気記録方法により情報記録が実行された磁気ディスクについて、多層記録膜における磁気状態の一例を表す。 本発明の第３の実施形態に係る磁気記録方法を実行するための磁気ディスク装置の部分構成を表す。 第３の実施形態における磁気ディスクの積層構成を表す。 第３の実施形態に係る磁気記録方法を表す。 実施例１の磁気ディスクの積層構成を表す。 実施例１の磁気ディスクにおける各記録磁性層について、保磁力Ｈｃの温度依存性を表す。 実施例１の磁気ディスクにおける各記録磁性層について、飽和磁化Ｍｓの温度依存性を表す。 実施例２の磁気ディスクの積層構成を表す。 実施例２の磁気ディスクにおける各記録磁性層について、保磁力Ｈｃの温度依存性を表す。 実施例２の磁気ディスクにおける各記録磁性層について、飽和磁化Ｍｓの温度依存性を表す。 従来の垂直磁気記録媒体の一例の部分断面模式図である。

符号の説明

Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３ 磁気ディスク装置
１０，３０，５０，７０ 磁気ディスク
１１，３１，５１ 基板
１２，３２，５２ 多層記録膜
１２Ａ，１２Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，Ｌ₁〜Ｌ_n 記録磁性層
１２ａ，３２ａ，５２ａ 非磁性層
１３，３３，５３ 保護層
２０，４０，６０ 浮上スライダ
２２，４２，６２ レーザ素子
２３Ａ，２３Ｂ，４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，Ｋ₁〜Ｋ_n 記録ヘッド
２４，４４，６３ 再生ヘッド

Claims (5)

1. キュリー温度の異なる複数の記録磁性層と、当該記録磁性層間ごとに設けられた非磁性層と、を含む多層記録膜を有する磁気記録媒体に情報を記録するための方法であって、
   前記複数の記録磁性層を一旦昇温させるための昇温工程と、
   前記昇温工程を経た前記複数の記録磁性層の各々を、相対的にキュリー温度の高い記録磁性層から低い記録磁性層にかけて順次、記録磁界を印加して当該記録磁界の方向に記録磁化するための磁界印加工程と、を含む磁気記録方法。
2. 前記昇温工程では、前記複数の記録磁性層を最高キュリー温度以上に昇温させる、請求項１に記載の磁気記録方法。
3. キュリー温度の異なる複数の記録磁性層と、当該記録磁性層間ごとに設けられた非磁性層と、を含む多層記録膜を有する磁気記録媒体。
4. 前記複数の記録磁性層の各々は磁化を有し、前記複数の記録磁性層において、磁化の大きさおよび厚さの積は、相互に異なる、請求項３に記載の磁気記録媒体。
5. キュリー温度の異なる複数の記録磁性層および当該記録磁性層間ごとに設けられた非磁性層、を含む多層記録膜を有し、情報記録の実行時に回転動作を伴う、磁気記録媒体と、
   前記多層記録膜を局所的に昇温するための昇温手段と、
   前記昇温手段による昇温を経た多層記録膜に磁界を印加するための、前記情報記録の実行時の前記回転動作の方向に一列に位置する、前記複数の記録磁性層と同数の磁界印加手段と、を備える磁気記録装置。

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