JP2006054213A - プロセス管理方法、モニターマーク形成方法及びプロセス管理用のマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板上に第1ラインと第1ラインと平行に配置され、第1ラインより細い複数の第2ラインを有する検査用パターン、及び第1ラインの延伸する方向に対して直交する方向に基準パターンをそれぞれレジストにより形成するステップと、レジストを加熱して、検査用パターン及び基準パターンをそれぞれフローさせるステップと、フロー後の検査用パターンと基準パターンの中心間距離を測定するステップと、中心間距離の測定に基づいて、フロー後の検査用パターン及び基準パターンの線幅の増加量のばらつきを調べるステップとを含む。
【選択図】 図8
Description
ケー.アラマキ(K. Aramaki),ティ.ハマダ(T. Hamada),ディ.ケー.リー(D. K. Lee),エイチ.オカザキ(H. Okazaki),エヌ.ツガマ(N. Tsugama),ジー.パウロウスキー(G. Pawlowski),「0.2μm以下のコンタクトホールプリント技術(Techniques to Print sub-0.2 micron Contact Holes)」,プロシーディング.オブ.エスピーアイイー(Proceedings of SPIE),第3999巻,2000年,p.738−749
本発明の第1の実施の形態に係るプロセス管理用のマスクは、図1に示すように、ガラス等の透光性のマスク基板10と、マスク基板10上の遮光層12に設けられた第1マスクパターン20及び第2マスクパターン30を備える。第1マスクパターン20及び第2マスクパターン30は、光や電子線(EB)等を透過させるために設けられた透過部である。図1では、第1マスクパターン20及び第2マスクパターン30はそれぞれ1つずつ描かれているが、実際はマスク基板10上に複数個点在する。
本発明の第2の実施の形態に係るプロセス管理用のマスクは、図12に示すように、第1の実施の形態に係る第1マスクパターン20を4個用意し、この4個の第1マスクパターン20を組み合わせてアウターマスクパターン70a〜70dとして用いる点が図1に示したプロセス管理用のマスクと異なる。更に、アウターマスクパターン70a〜70dの内側に、アウターマスクパターン70a〜70dとそれぞれ平行に配置されたインナーマスクパターン72a〜72dを備える点が異なる。他は図1に示したプロセス管理用のマスクと実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
本発明の第2の実施の形態の変形例にかかるプロセス管理用のマスクは、図19に示すように、インナーマスクパターン72a〜72dに変えて、第1の実施の形態に係る第1マスクパターン20を4個用意し、この4個の第1マスクパターン20を組み合わせてインナーマスクパターン72e〜72hとして用いる点が図12に示したプロセス管理用のマスクと異なる。他は図12に示したプロセス管理用のマスクと実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
3a…第2ラインパターン
4…半導体基板
9a…第3ラインパターン
10…マスク基板
12…遮光層
20…第1マスクパターン
30…第2マスクパターン
40…ウェハ
42…反射防止膜
44…レジスト
46…レジストパターン
50…検査用パターン
50a〜50d…アウターマーク
50x…変形検査用パターン
52…第1ライン
53…第1変形ライン
54…第2ライン
55…第2変形ライン
60…基準パターン
60x…変形基準パターン
62…第3ライン
63…第3変形ライン
70a〜70d…アウターマスクパターン
72a〜72d,72e〜72h…インナーマスクパターン
80e〜80h,82e〜82h…インナーマーク
501a〜501d…変形アウターマーク
801a〜801d,821e〜821h…変形インナーマーク
Claims (10)
- 半導体基板上に第1ラインと前記第1ラインと平行に配置され、前記第1ラインより細い複数の第2ラインを有する検査用パターン、及び前記第1ラインの延伸する方向に対して直交する方向に基準パターンをそれぞれレジストにより形成するステップと、
前記レジストを加熱して、前記検査用パターン及び前記基準パターンをそれぞれフローさせるステップと、
フロー後の前記検査用パターンと前記基準パターンの中心間距離を測定するステップと、
前記中心間距離の測定に基づいて、前記フロー後の前記検査用パターン及び前記基準パターンの線幅の増加量のばらつきを調べるステップ
とを含むことを特徴とするプロセス管理方法。 - 前記基準パターンは、単一の線幅の複数のラインを含むことを特徴とする請求項1に記載のプロセス管理方法。
- 半導体基板上に第1ラインと前記第1ラインと平行に配置され、前記第1ラインより細い複数の第2ラインを有し、前記第1ラインと前記第2ラインがそれぞれ対向する二組を四方に配置したアウターマーク、及び四方に配置した前記アウターマークの内側に前記アウターマークのそれぞれと平行なインナーマークをそれぞれレジストにより形成するステップと、
前記レジストを加熱して、前記アウターマーク及び前記インナーマークをそれぞれフローさせるステップと、
フロー後の前記アウターマーク及び前記インナーマークの中心位置をそれぞれ測定するステップと、
前記中心位置の測定に基づいて、前記フロー後の前記アウターマーク及び前記インナーマークの線幅の増加量のばらつきを調べるステップ
とを含むことを特徴とするプロセス管理方法。 - 半導体基板上に第1ラインと前記第1ラインと平行に配置され、前記第1ラインより細い複数の第2ラインを有する検査用パターン、及び前記第1ラインの延伸する方向に対して直交する方向に基準パターンをそれぞれレジストにより形成するステップと、
前記レジストを加熱して、前記検査用パターン及び前記基準パターンをそれぞれフローさせるステップ
とを含む、フロー後の前記検査用パターン及び前記基準パターンの中心間距離を測定するためのモニターマーク形成方法。 - 前記基準パターンは、単一の線幅の複数のラインを含むことを特徴とする請求項4に記載のモニターマーク形成方法。
- 半導体基板上に第1ラインと前記第1ラインと平行に配置され、前記第1ラインより細い複数の第2ラインを有し、前記第1ラインと前記第2ラインがそれぞれ対向する二組を四方に配置したアウターマーク、及び四方に配置した前記アウターマークの内側に前記アウターマークのそれぞれと平行なインナーマークをそれぞれレジストにより形成するステップと、
前記レジストを加熱して、前記アウターマーク及び前記インナーマークをそれぞれフローさせるステップ
とを含む、フロー後の前記アウターマーク及び前記インナーマークの中心位置を測定するためのモニターマーク形成方法。 - 第1ラインを被露光対象に投影するための第1ラインパターン、及び前記第1ラインパターンと平行に配置され、前記第1ラインより細い複数の複数の第2ラインを前記被露光対象に投影するための第2ラインパターンを有する第1マスクパターンと、
前記第1ラインパターンの延伸する方向に対して直交する方向に、基準パターンを前記被露光対象に投影するための第3ラインパターンを有する第2マスクパターン
とを備え、前記被露光対象を加熱して、投影された前記第1ライン及び前記第2ラインを有する検査用パターン及び前記基準パターンをフローさせ、フロー後の前記検査用パターン及び前記基準パターンの中心間距離を測定するためのプロセス管理用のマスク。 - 前記第3ラインパターンは、複数であることを特徴とする請求項7に記載のプロセス管理用のマスク。
- 第1ラインを被露光対象に投影するための第1ラインパターン、及び前記第1ラインパターンと平行に配置され、前記第1ラインより細い複数の第2ラインを前記被露光対象に投影するための第2ラインパターンを有する第1マスクパターンを、前記第1ラインパターンと前記第2ラインパターンがそれぞれ平行に対向する二組を四方に配置し、前記被露光対象にアウターマークを投影するためアウターマスクパターンと、
四方に配置した前記アウターマスクパターンの内側に、前記アウターマスクパターンのそれぞれと平行に配置され、前記被露光対象にインナーマークを投影するためのインナーマスクパターン
とを備え、前記被露光対象を加熱して、投影された前記アウターマーク及び前記インナーマークをフローさせ、フロー後の前記アウターマーク及び前記インナーマークの中心位置を測定するためのプロセス管理用のマスク。 - 前記インナーマスクパターンは、それぞれ平行に配置されている前記アウターマスクパターンの前記第1ラインパターンと前記第2ラインパターンと対称に前記第1ラインパターンと前記第2ラインパターンを配置した前記第1マスクパターンであることを特徴とする請求項9に記載のプロセス管理用のマスク。
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