JP2006049398A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法、そのための封止金型、およびリードフレーム - Google Patents
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Abstract
【課題】 樹脂封止型半導体装置を一括封止により製造する際に外部端子となるリード部に発生する封止樹脂のバリや剥離をなくして、実装不良を低減する。
【解決手段】 ダイパッド部2とリード部4とを有したユニットパターンをフレーム枠9で連結して配列したリードフレーム7を用い、複数個の樹脂封止型半導体装置1を製造する際に、リードフレーム7の裏面側に封止シート16を介在させて封止金型12にセットし、封止樹脂6でリードフレーム7の全体を樹脂封止する工程と、一括モールドされた樹脂封止体13を封止シート16から分離し、樹脂封止体13をフレーム枠9に沿って切断して個々の半導体装置1に分割する工程とを行う。封止シート16を用い、封止シート16に対するリード部4の密着性を支持部17により確保するので、樹脂フィルムに起因する耐剥離性の悪化を回避することができ、リード部4の裏面側に樹脂バリを生じることもない。
【選択図】 図2
【解決手段】 ダイパッド部2とリード部4とを有したユニットパターンをフレーム枠9で連結して配列したリードフレーム7を用い、複数個の樹脂封止型半導体装置1を製造する際に、リードフレーム7の裏面側に封止シート16を介在させて封止金型12にセットし、封止樹脂6でリードフレーム7の全体を樹脂封止する工程と、一括モールドされた樹脂封止体13を封止シート16から分離し、樹脂封止体13をフレーム枠9に沿って切断して個々の半導体装置1に分割する工程とを行う。封止シート16を用い、封止シート16に対するリード部4の密着性を支持部17により確保するので、樹脂フィルムに起因する耐剥離性の悪化を回避することができ、リード部4の裏面側に樹脂バリを生じることもない。
【選択図】 図2
Description
本発明は、QFN(Quad Flat Non-leaded Package)と称される、外部端子となるリード部が片面封止された小型/薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法、そのための封止金型、およびリードフレーム関するものである。
近年、電子機器の小型化に対応するために、半導体装置などの電子部品の高密度実装が要求されている。そのため、たとえば半導体装置において、小型、薄型化、多ピン化が進み、小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が開発されている。
図6はQFN型の樹脂封止型半導体装置の構成を示す。図6(a)はQFN型の樹脂封止型半導体装置の平面図、図6(b)は同半導体装置の裏面図、図6(c)は同半導体装置の図6(a)におけるC−C´断面図である。
樹脂封止型半導体装置1(以下、半導体装置1という)は、ダイパッド部2の上に半導体素子3が搭載され、半導体素子3と外部端子となるリード部4とが金属細線5により電気的に接続され、ダイパッド部2,半導体素子3、金属細線5、リード部4の片面が封止樹脂6で封止された構造である。リード部4のもう一方の面(以下、裏面という)は外部実装面となる部分で、封止樹脂6により被覆されることなく露出している。
図7は、半導体装置1を一括モールドによって製造するために使用されるリードフレームの構成を示す。図7(a)に示すように、リードフレーム7には、半導体素子を実装するための矩形のユニットパターン8がフレーム枠9で連結されて複数個、左右、上下に配列されている。
ユニットパターン8は、図7(b)に拡大して示すように、ダイパッド部2と、リード部4と、ダイパッド部2を支持するための吊りリード部10とからなり、これらの間は切り欠かれている。リード部4と吊りリード部10とはフレーム枠9に直接に接続しており、ダイパッド部2は吊りリード部10を介してフレーム枠9に接続しており、全て一体に成形されている。
矩形のダイパッド部2はフレーム枠9で囲まれた矩形領域の中央に位置し、吊りリード部10はダイパッド部2の角部とフレーム枠9の角部とを結ぶ対角線方向に延び、リード部4は、ダイパッド部2に先端部が対向するように、またダイパッド部2の各辺に沿う方向に適当間隔をおいて、フレーム枠9の内周縁に鋸歯状に並んで複数個形成されている。またダイパッド部2は、図7(c)に示すように、吊りリード部10のディプレスによって、リード部4の上面よりも上方に位置するようにアップセットされている。
図8および図9に、半導体装置1の製造工程を示す。
図8(a)は、リードフレーム7を簡略に示したもので、ユニットパターン8を少数のみ示すとともに、吊りリード部10の図示を省略している。
図8(a)は、リードフレーム7を簡略に示したもので、ユニットパターン8を少数のみ示すとともに、吊りリード部10の図示を省略している。
まず、図8(b)に示すように、リードフレーム7のユニットパターン8ごとのダイパッド部2上に半導体素子3を搭載し、図8(c)に示すように、リード部4と半導体素子3の電極パッド(図示せず)とを金属細線5で電気的に接続する。
次に、図9(a)に示すように、リードフレーム7の裏面(実際にはリード部4の裏面部分)に樹脂フィルム11を貼り付ける。樹脂フィルム11は一般にポリイミドで形成され、接着層にシリコンが用いられている。
このリードフレーム7を、図9(b)に示すように、金型12(下金型12a,上金型12b)にセットする。その際には、半導体素子3が下金型12aのキャビティー内に入る向きに配置し、リードフレーム7の外周縁部を下金型12a,上金型12b間に挟む。そして、この金型12のキャビティー内にエポキシ系樹脂などの封止樹脂6を注入して、ダイパッド部2、半導体素子3、金属細線5、リード部4を一括封止する。樹脂フィルム11はリード部4の裏面を封止樹脂6から保護するためである。
次に、図9(c)に示すように、形成された樹脂封止体13を金型12から取り出し、樹脂フィルム11を加熱によるピールオフ等により除去した後、図9(d)に示すように切断ライン14に沿って回転ブレードで切断して個片に分離することにより、半導体装置1を得る(たとえば特許文献1参照)。
特開2001−244399公報(請求項10、図19)
しかしながら、上記した従来の製造方法では、樹脂フィルム11とリードフレーム7との接着力が十分ではなかったため、実装面となるリード部4の裏面に封止樹脂6が回り込んで、図6(b)に示したような樹脂バリ6aを生じ、実装不良の原因となっていた。また、樹脂フィルム11から出るアウトガス、例えばシロキサン系ガスによってリードフレーム7が汚染され、リードフレーム7と封止樹脂6との耐剥離性が低下するという問題があった。
本発明は、上記した問題に鑑みてなされたもので、一括封止により製造する樹脂封止型半導体装置において、外部端子となるリード部に発生する封止樹脂のバリや剥離をなくして、実装基板にハンダ等の接合剤により接合する際の実装不良を低減し、実装信頼性を向上することを目的とする。
上記課題を解決するために本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、ダイパッド部と外部端子となるリード部とを有したユニットパターンをフレーム枠で連結して複数個配列したリードフレームを用い、複数個の樹脂封止型半導体装置を製造する際に、前記リードフレームの各ユニットパターンのダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部に搭載された半導体素子とリード部とを金属細線で電気的に接続する工程と、前記リードフレームを半導体素子搭載面に背反する裏面側に封止シートを介在させて封止金型にセットするとともに、セットしたリードフレームを前記封止金型の内面との間に設けた支持部で支持して、各ユニットパターンをリード部の裏面が前記封止シートに圧接する所定の姿勢に保持する工程と、前記封止金型内に樹脂を充填して前記リードフレームの全体を樹脂封止する工程と、前記樹脂封止によって複数の半導体素子が一括モールドされた樹脂封止体を封止シートから分離し、金型から取り出す工程と、前記樹脂封止体を前記リードフレームのフレーム枠に沿って切断して個々の樹脂封止型半導体装置に分割する工程とを行うことを特徴とする。
上記構成によれば、リード部の裏面を封止樹脂から保護する部材として封止シートを用いるので、同じ目的で従来用いていた樹脂フィルムの問題点、すなわち樹脂フィルムからのアウトガスでリードフレームが汚染され、リードフレームと封止樹脂の耐剥離性が悪化するという問題を回避できる。そして封止シートを用いることで懸念される問題、すなわち、一括封止においては封止領域が大きくなるため、上下に分割した金型でリードフレームと封止シートの縁部を挟むだけでは両者の密着が十分でなく、リード部の裏面に封止樹脂が回り込むという問題を、支持部によってリードフレームを支持して封止シート側へ押圧することで回避できる。これらにより、リード部に発生する封止樹脂のバリや剥離をなくすことが可能となる。
本発明の封止金型は、ダイパッド部と外部端子となるリード部とを有したユニットパターンをフレーム枠で連結して複数個配列したリードフレームを用い、複数個の樹脂封止型半導体装置を製造するための封止金型において、内部にセットされる前記リードフレームに当接して各ユニットパターンを所定の姿勢に保持する支持部を内面に形成した構成としたことを特徴とする。
また本発明の封止金型は、ダイパッド部と外部端子となるリード部とを有したユニットパターンをフレーム枠で連結して複数個配列したリードフレームを用い、複数個の樹脂封止型半導体装置を製造するための封止金型において、内部にセットされる前記リードフレームのフレーム枠に対向する位置に穴部を形成し、前記穴部に嵌合して、前記フレーム枠に当接して各ユニットパターンを所定の姿勢に保持する位置と穴部外とにわたって出退する支持ピンを設けた構成としたことを特徴とする。
本発明のリードフレームは、ダイパッド部と外部端子となるリード部とを有したユニットパターンをフレーム枠で連結して複数個配列し、当該リードフレームがセットされる封止金型の内面に当接して各ユニットパターンを所定の姿勢に保持する支持部を設けた構成としたことを特徴とする。
また本発明のリードフレームは、ダイパッド部と外部端子となるリード部とを有したユニットパターンをフレーム枠で連結して複数個配列し、ユニットパターン配列部の少なくとも1箇所以上に、当該リードフレームがセットされる封止金型の内面との間に設けられる支持部で支持されて各ユニットパターンを所定の姿勢に保持する、ダイパッド部やリード部で形成されるパターンを構成しないダミーパターンを設けた構成としたことを特徴とする。支持部はダミーパターンに固着して設けるのが好都合である。
本発明によれば、複数の半導体装置を一括封止する工程で、外部端子となるリードフレームのリード部の裏面側を覆う目的で従来用いられていた樹脂フィルムに代えて封止シートを用い、この封止シートに対する密着性を、リードフレームを封止金型の内面との間に設けた支持部で支持することで確保するようにしたため、樹脂フィルムからのアウトガスによるリードフレームと封止樹脂との耐剥離性の悪化を回避することができ、リード部の裏面側に樹脂バリを生じることもない。よって、半導体装置を実装基板にハンダ等の接合剤により接合した際の実装不良を低減し、実装信頼性を向上できる。また封止シートは樹脂フィルムに比べて容易に除去できるため、生産リードタイムを短縮することができ、生産工程のコスト削減と効率化を実現できる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
本発明が製造対象とする樹脂封止型半導体装置は、先に図6を用いて説明した従来のものと同様なので、図6を援用して説明する。
本発明が製造対象とする樹脂封止型半導体装置は、先に図6を用いて説明した従来のものと同様なので、図6を援用して説明する。
樹脂封止型半導体装置1(以下、半導体装置1という)は、ダイパッド部2の上に半導体素子3が搭載され、半導体素子3と外部端子となるリード部4とが金属細線5により電気的に接続され、ダイパッド部2,半導体素子3、金属細線5、リード部4の片面が封止樹脂6で封止された構造である。リード部4のもう一方の面(裏面)は外部実装面となる部分で、封止樹脂6により被覆されることなく露出している。
半導体装置1の製造方法について説明する。
半導体装置1の製造に使用するリードフレームは、先に図7を用いて説明した従来のものと同様なので、図7を援用して説明する。
半導体装置1の製造に使用するリードフレームは、先に図7を用いて説明した従来のものと同様なので、図7を援用して説明する。
リードフレーム7には、半導体素子を実装するための矩形のユニットパターン8がフレーム枠9で連結されて複数個、左右、上下に配列されている。ユニットパターン8は、ダイパッド部2と、リード部4と、ダイパッド部2を支持するための吊りリード部10とからなり、これらの間は切り欠かれている。リード部4と吊りリード部10とはフレーム枠9に直接に接続しており、ダイパッド部2は吊りリード部10を介してフレーム枠9に接続しており、全て一体に成形されている。つまりフレーム枠9は、ユニットパターン8を構成するダイパッド部2やリード部4などの要素が脱落しないよう連結し、ダイシングで除去される部分である。
矩形のダイパッド部2はフレーム枠9で囲まれた矩形領域の中央に位置し、吊りリード部10はダイパッド部2の角部とフレーム枠9の角部とを結ぶ対角線方向に延び、リード部4は、ダイパッド部2に先端部が対向するように、またダイパッド部2の各辺に沿う方向に適当間隔をおいて、フレーム枠9の内周縁に鋸歯状に並んで複数個形成されている。またダイパッド部2は、吊りリード部10のディプレスによって、リード部4の上面よりも上方に位置するようにアップセットされている。
このリードフレーム7はたとえば、CuやFe−Ni材で形成され、全面にNi−Pd−Auメッキ、ダイパッド部2やリード部4の各面にAgメッキ(リード部4の裏面にはさらにSn−Biメッキ))が施される。またリードフレーム7はたとえば、厚み0.05mm〜0.20mm、幅20mm〜80mm、長さ50mm〜300mm程度のものが用いられ、その場合、半導体装置1のサイズは、2.0mm×2.0mm〜15.0mm×15.0mm、厚み0.2mm〜1.0mm程度とされる。
図1および図2に、半導体装置1の製造工程を示す。
図1(a)は、リードフレーム7を簡略に示したもので、ユニットパターン8を少数のみ示すとともに、吊りリード部10の図示を省略している。
図1(a)は、リードフレーム7を簡略に示したもので、ユニットパターン8を少数のみ示すとともに、吊りリード部10の図示を省略している。
このリードフレーム7に対して、図1(b)に示すように、ユニットパターン8ごとのダイパッド部2上に半導体素子3を銀ペースト等の接着剤でボンディングして搭載する。接着剤は絶縁性でもよく、一般にエポキシ系などの樹脂を母材として、100℃〜250℃で熱硬化されるものが用いられる。
次に、図1(c)に示すように、リード部4と半導体素子3の電極パッド(図示せず)とを金属細線5で電気的に接続する。金属細線4としては一般にφ18〜30μmのAuワイヤーが用いられ、超音波熱圧着法などで接続される。電極パッドの表面は予めAlで被膜されている。
次に、図1(d)に示すように、リードフレーム7を金型12(下金型12a,上金型12b)にセットする。
その際には、リードフレーム7を半導体素子3が下金型12aのキャビティー内に入る向きに配置し、またリードフレーム7と上金型12bとの間に封止シート16を配置して、両者の外周縁部を下金型12a,上金型12b間に挟む。また金型12として、下金型12aの内面に棒状の支持部17が突出したものを用い、この支持部17のリードフレーム7への当接によってリードフレーム7を支持して、各ユニットパターンをリード部4の裏面が封止シート16に圧接する所定の姿勢に保持する。
その際には、リードフレーム7を半導体素子3が下金型12aのキャビティー内に入る向きに配置し、またリードフレーム7と上金型12bとの間に封止シート16を配置して、両者の外周縁部を下金型12a,上金型12b間に挟む。また金型12として、下金型12aの内面に棒状の支持部17が突出したものを用い、この支持部17のリードフレーム7への当接によってリードフレーム7を支持して、各ユニットパターンをリード部4の裏面が封止シート16に圧接する所定の姿勢に保持する。
封止シート16は、リード部4の裏面や封止樹脂6に対して接着力がないもの、ここではPETが選択され、封止シート16を巻きつけたリール(図示せず)が金型12に取り付けられていて、このリールから一定方向に引き出されるようになっている。支持部17は、φ50〜φ100μm程度として、フレーム枠9に当接する位置に設けられる。図1(e)にリードフレーム7の全体を示し、支持部17の当接箇所を黒丸で示す。
そして、このようにリードフレーム7がセットされた状態で、図2(a)に示すように、金型12のキャビティー内にエポキシ系樹脂などの封止樹脂6を注入して、ダイパッド部2、半導体素子3、金属細線5、リード部4の片面を一括封止する。封止樹脂6は、180℃近辺で溶融して液状になったものを用いると、注入終了後、数十秒間で固化する。
図中、18は金型12内へ樹脂を注入するためのゲート、19は樹脂の注入に伴って金型12から押し出される空気のためのエアーベンドである。
図中、18は金型12内へ樹脂を注入するためのゲート、19は樹脂の注入に伴って金型12から押し出される空気のためのエアーベンドである。
封止樹脂6の固化が完了した後に、図2(b)に示すように、形成された樹脂封止体13を金型12から取り出し、図2(c)に示すように、切断ライン14に沿って回転ブレード15で切断して個片に分離して、図2(d)に示すような半導体装置1を得る。
切断の際には、回転ブレード15は、ダイヤモンド粒をボンド材で固めた幅30μm〜100μmのものを用い、切断対象部分と回転ブレード15とに切削水をかけながら、20000rpm〜40000rpmで高速回転させて、10mm/s〜100mm/sのスピードで切断する。
以上のようにすることにより、支持部17によって、リード部4の裏面と封止シート16との密着性を高め、リード部4の裏面への封止樹脂6の回り込みを防止することができ、樹脂バリの発生を防止できる。支持部17は上述した寸法、位置に設けられているため、その抜け跡は、隣り合った半導体装置1どうしの境界部分や最外側の半導体装置1のさらに外方に位置することになり、その部分は回転ブレード15で切断除去されるため、完成品としての半導体装置1には影響を及ぼさない。
封止シート16は、上記したようにリード部4や封止樹脂6に対して接着力がなく、リード部4の裏面に単に押圧によって密着させているので、封止工程の終了後に樹脂封止体13を金型12から取り出す際にリールに巻き取るだけで除去することができ、従来は樹脂フィルムをピールオフ等により除去する工程が必要であったのに比べて、工程を簡略化できるとともに、樹脂フィルムからのアウトガスの問題、すなわちリードフレームと封止樹脂との耐剥離性の悪化も回避できる。
これらのことから、半導体装置1を実装基板にハンダ等の接合剤により接合した際の実装不良を低減し、実装信頼性を向上できるとともに、生産リードタイムを短縮することができ、生産工程のコスト削減と効率化を実現できる。
なお、金型12として、図3に示すように、リードフレーム7のフレーム枠9に対向する位置に穴部20が形成され、この穴部20に嵌合して、フレーム枠9に当接する位置と穴部20外とにわたって出退する支持ピン21が設けられたものを使用してもよい。これによれば、支持ピン21によって一定の押圧力でフレーム枠9を押圧して各ユニットパターン8を所定の姿勢に保持できるとともに、支持ピン21は形成された樹脂封止体13から容易に抜き出せるため、樹脂封止体13を金型12から容易に取り出すことが可能になる。図示を省略するが、フレーム枠9における支持ピン21の当接位置に***や凹部を設けることで、支持ピン21の先端に対するリードフレーム7側の引っ掛かりとし、リードフレーム7の位置補正の機能を持たせることもできる。
また金型12として、図4(a)に示すように、横断面積の大きい支持部22が形成されたものを使用してもよい。この場合、リードフレーム7として、フレーム枠9内に、ユニットパターン8に代わる平板状のダミーパターン23をフレーム枠9に連続して設けたものを使用する。図4(b)にリードフレーム7の全体を示し、ダミーパターン23の位置の一例を斜線で示す。
このようなダミーパターン23と支持部17との組み合わせにより、強い圧接力を確保することができ、周囲のユニットパターン8を所定の姿勢に保持可能となる。支持部17は、図示したようにテーパーをつけておけば、形成された樹脂封止体13から容易に抜き出すことができ、樹脂封止体13を金型12から容易に取り外すことが可能となる。
あるいは、図5に示すように、金型12に支持部を設けることなく、リードフレーム7のダミーパターン23に、金型12の内面に当接する高さにて樹脂等で形成されたブロック状の支持部24を固着してもよい。図示を省略するが、図1および図2に示した支持部17と同様のサイズ、位置のピンをリードフレーム7に設けてもよい。これらの各構成により、製造しようとする半導体装置1のサイズに依らず、金型12を共用することが可能となる。
なお、図1〜図5に示した各金型12とも、下金型12aにキャビティーを設けてリードフレーム7を下側から樹脂封止する例を示したが、上金型12bにキャビティーを設けてリードフレーム7を上側から樹脂封止するようにしても、同様の効果が得られる。
本発明は、小型の電子機器に対応する小型、薄型、多ピンの樹脂封止型半導体装置の製造に特に有用である。
1 半導体装置
2 ダイパッド部
3 半導体素子
4 リード部
5 金属細線
6 封止樹脂
7 リードフレーム
8 ユニットパターン
9 フレーム枠
12 金型
13 樹脂封止体
14 切断ライン
16 封止シート
17 支持部
20 穴部
21 支持ピン
22 支持部
23 ダミーパターン
24 支持部
2 ダイパッド部
3 半導体素子
4 リード部
5 金属細線
6 封止樹脂
7 リードフレーム
8 ユニットパターン
9 フレーム枠
12 金型
13 樹脂封止体
14 切断ライン
16 封止シート
17 支持部
20 穴部
21 支持ピン
22 支持部
23 ダミーパターン
24 支持部
Claims (6)
- ダイパッド部と外部端子とを有したユニットパターンをフレーム枠で連結して複数個配列したリードフレームを用い、複数個の樹脂封止型半導体装置を製造する方法であって、前記リードフレームの各ユニットパターンのダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部に搭載された半導体素子とリード部とを金属細線で電気的に接続する工程と、前記リードフレームを半導体素子搭載面に背反する裏面側に封止シートを介在させて封止金型にセットするとともに、セットしたリードフレームを前記封止金型の内面との間に設けた支持部で支持して、各ユニットパターンをリード部の裏面が前記封止シートに圧接する所定の姿勢に保持する工程と、前記封止金型内に樹脂を充填して前記リードフレームの全体を樹脂封止する工程と、前記樹脂封止によって複数の半導体素子が一括モールドされた樹脂封止体を封止シートから分離し、金型から取り出す工程と、前記樹脂封止体を前記リードフレームのフレーム枠に沿って切断して個々の樹脂封止型半導体装置に分割する工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- ダイパッド部と外部端子となるリード部とを有したユニットパターンをフレーム枠で連結して複数個配列したリードフレームを用い、複数個の樹脂封止型半導体装置を製造するための封止金型であって、内部にセットされる前記リードフレームに当接して各ユニットパターンを所定の姿勢に保持する支持部を内面に形成した封止金型。
- ダイパッド部と外部端子となるリード部とを有したユニットパターンをフレーム枠で連結して複数個配列したリードフレームを用い、複数個の樹脂封止型半導体装置を製造するための封止金型であって、内部にセットされる前記リードフレームのフレーム枠に対向する位置に穴部を形成し、前記穴部に嵌合して、前記フレーム枠に当接して各ユニットパターンを所定の姿勢に保持する位置と穴部外とにわたって出退する支持ピンを設けた封止金型。
- 樹脂封止型半導体装置の製造に用いられるリードフレームであって、ダイパッド部と外部端子となるリード部とを有したユニットパターンをフレーム枠で連結して複数個配列し、当該リードフレームがセットされる封止金型の内面に当接して各ユニットパターンを所定の姿勢に保持する支持部を設けたリードフレーム。
- 樹脂封止型半導体装置を製造するためのリードフレームであって、ダイパッド部と外部端子となるリード部とを有したユニットパターンをフレーム枠で連結して複数個配列し、ユニットパターン配列部の少なくとも1箇所以上に、当該リードフレームがセットされる封止金型の内面との間に設けられる支持部で支持されて各ユニットパターンを所定の姿勢に保持する、ダイパッド部やリード部で形成されるパターンを構成しないダミーパターンを設けたリードフレーム。
- 支持部をダミーパターンに固着した請求項5記載のリードフレーム。
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JP2004225029A JP2006049398A (ja) | 2004-08-02 | 2004-08-02 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法、そのための封止金型、およびリードフレーム |
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JP2004225029A Withdrawn JP2006049398A (ja) | 2004-08-02 | 2004-08-02 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法、そのための封止金型、およびリードフレーム |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014199869A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 株式会社カネカ | 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体及びその製造方法、並びにトランスファ成型用金型 |
JP2016022672A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | アピックヤマダ株式会社 | 成形金型、成形装置および成形品の製造方法 |
JP2016162965A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
2004
- 2004-08-02 JP JP2004225029A patent/JP2006049398A/ja not_active Withdrawn
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