JP2006046607A - 気密試験用ガス供給設備及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 気密において、ボンベ内のガスを有効に利用することができるようにする。
【解決手段】被試験配管５２とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２２と、供給用配管２２に設けられたバルブ４と、被試験配管５４とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２３と、供給用配管２３に設けられたバルブ５と、被試験配管５２とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２２ａと、供給用配管２２ａに設けられたバルブ４ａと、被試験配管５４とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２３ａと、供給用配管２３ａに設けられたバルブ５ａと、ガス供給ボンベ１の残圧を検出する残圧検出部３と、ガス供給ボンベ１ａの残圧を検出する残圧検出部３ａと、残圧検出部３，３ａそれぞれが検出した残圧に基づいて、バルブ４，４ａ，５，５ａを制御することにより、ガス供給ボンベ１，１ａの一方を被試験配管５２に接続し、他方を被試験配管５４に接続する制御部３０とを具備する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、気密試験用ガス供給設備に関する。特に本発明は、気密試験に用いられるボンベ内のガスを有効に利用することができる気密試験用ガス供給設備及び半導体装置の製造方法に関する。

図６は、従来の気密試験用ガス供給設備の構成を示す概略図である。本例において気密試験の対象となる設備は、ボンベ１５０に格納されている半導体製造用のガス（例えばシラン）を、ＣＶＤ装置１５５に供給するものである。ボンベ１５０には開放弁付バルブ１５１が取り付けられており、この開放弁付バルブ１５１は、高圧用配管１５２を介してレギュレータ１５６に接続されている。レギュレータ１５６には、高圧用配管１５２を経由してボンベ１５０内のガスが高圧状態で供給される。そしてレギュレータ１５６は、供給されてきたガスを減圧し、低圧用配管１５４を経由してＣＶＤ装置１５５に供給する。なお、ボンベ１５０、開放弁付バルブ１５１、高圧用配管１５２、及びレギュレータ１５６は、シリンダーキャビネット１５３に格納されている。

半導体製造用のガスは、爆発性又は毒性を有するものがあるため、ボンベ１５０を交換したときなどには、高圧用配管１５２，低圧用配管１５４それぞれの気密試験を行う必要がある。この気密試験は、従来は、以下のようにして行われていた。

まず、高圧用配管１５２に、配管１０２を介して、不活性ガスを充填したボンベ１０１を接続する。また、低圧用配管１５４に、配管１０２ａを介して、不活性ガスを充填したボンベ１０１ａを接続する。配管１０２，１０２ａには、上流側から順に、不活性ガスの圧力を調節するレギュレータ１０３，１０３ａ、逆流防止弁１０４，１０４ａ、及びバルブ１０５，１０５ａが取り付けられている。そして、高圧用配管１５２には高圧の不活性ガスが供給され、低圧用配管１５４には低圧の不活性ガスが供給される。その後、これら配管を封止し、その気密性を調べる。

配管１０２，１０２ａそれぞれには、最上流側に、圧力計１０６，１０６ａが取り付けられており、ボンベ１０１，１０１ａそれぞれの残圧がわかるようになっている。ボンベ１０１は、残圧が、高圧用配管１５２の気密試験に必要な圧力以下になった場合、新しいボンベに交換される。また、ボンベ１０１ａは、残圧が、低圧用配管１５４の気密試験に必要な圧力以下になった場合、ボンベに交換される。

しかし、ボンベの残圧が、高圧用配管の気密試験に必要な圧力以下になった場合でも、その残圧は、低圧用配管の気密試験に必要な圧力を有している。このため、配管を工夫すれば、残留しているボンベ内の不活性ガスを低圧用配管の気密試験に利用することができる。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、ボンベ内のガスを有効に利用することができる気密試験用ガス供給設備及び半導体装置の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明に係るガス供給設備は、ガス供給ボンベから気密試験用のガスを、第１の被試験配管、及び該第１の被試験配管より低圧である第２の被試験配管それぞれに供給する気密試験用ガス供給設備であって、
前記第１の被試験配管と前記ガス供給ボンベを接続する第１の供給用配管と、
前記第１の供給用配管に設けられた第１のバルブと、
前記第２の被試験配管と前記ガス供給ボンベを接続する第２の供給用配管と、
前記第２の供給用配管に設けられた第２のバルブと
前記ガス供給ボンベの残圧を検出する残圧検出部と、
前記残圧検出部が検出した残圧に基づいて、前記第１及び第２のバルブの一方を閉じて他方を開く制御部と、
を具備する。

このガス供給設備によれば、制御部は、残圧検出部（例えば圧力計）が検出した残圧に基づいて、バルブを制御する。例えば、残圧が十分な場合には第１の被試験配管にガスを供給し、残圧が不十分な場合には、第２の被試験配管にガスを供給する。従って、ボンベのガスを有効に使用することができる。また、ボンベを付け替えなくでも、同一供給設備内で、ボンベのガス供給先を、第１の被試験配管から第２の被試験配管に切り替えることができる。このため、切り替えに必要な労力は少ない。

制御部は、残圧検出部が検出した残圧が、第１の基準値以上である場合に、第１のバルブを開いて第２のバルブを閉じ、残圧検出部が検出した残圧が、第１の基準値未満である場合に、第１のバルブを閉じて第２のバルブを開いてもよい。この場合、制御部は、残圧検出部が検出した残圧が、第１の基準値より低い第２の基準値未満である場合に、警報信号を出力してもよい。

本発明に係る他の気密試験用ガス供給設備は、第１及び第２のガス供給ボンベそれぞれから、気密試験用のガスを、第１の被試験配管、及び該第１の被試験配管より低圧である第２の被試験配管それぞれに供給する気密試験用ガス供給設備であって、
前記第１の被試験配管と前記第１のガス供給ボンベを接続する第１の供給用配管と、
前記第１の供給用配管に設けられた第１のバルブと、
前記第２の被試験配管と前記第１のガス供給ボンベを接続する第２の供給用配管と、
前記第２の供給用配管に設けられた第２のバルブと、
前記第１の被試験配管と前記第２のガス供給ボンベを接続する第３の供給用配管と、
前記第３の供給用配管に設けられた第３のバルブと、
前記第２の被試験配管と前記第２のガス供給ボンベを接続する第４の供給用配管と、
前記第４の供給用配管に設けられた第４のバルブと、
前記第１のガス供給ボンベの残圧を検出する第１の残圧検出部と、
前記第２のガス供給ボンベの残圧を検出する第２の残圧検出部と、
前記第１及び第２の残圧検出部それぞれが検出した残圧に基づいて、前記第１乃至第４のバルブを制御することにより、前記第１及び第２のガス供給ボンベの一方を前記第１の被試験配管に接続し、他方を前記第２の被試験配管に接続する制御部と、
を具備する。

このガス供給設備によれば、制御部は、残圧検出部（例えば圧力計）が検出した残圧に基づいて、バルブを制御する。例えば、第１のボンベの残圧が十分な場合には、第１のボンベから第１の被試験配管にガスを供給し、第２のボンベから第２の被試験配管にガスを供給する。また、第１のボンベの残圧が不十分な場合には、第２のボンベから第１の被試験配管にガスを供給し、第１のボンベから第２の被試験配管にガスを供給する。従って、ボンベのガスを有効に使用することができる。また、ボンベのガス供給先を切り替えるときに必要な労力を、低く抑えることができる。

制御部は、第１の残圧検出部が検出した残圧が第１の基準値未満であり、かつ第２の残圧検出部が検出した残圧が第１の基準値以上である場合に、第１及び第４のバルブそれぞれを閉じるとともに、第２及び第３のバルブそれぞれを開くことにより、第１のガス供給ボンベを第２の被試験配管に接続するとともに、第２のガス供給ボンベを第１の被試験配管に接続してもよい。
この場合、制御部は、第１の残圧検出部が検出した残圧及び第２の残圧検出部が検出した残圧それぞれが、第１の基準値未満だった場合に、警報信号を出力してもよい。

本発明に係る他の気密試験用ガス供給設備は、ガス供給ボンベから気密試験用のガスを、第１の被試験配管、及び該第１の被試験配管より低圧である第２の被試験配管それぞれに供給する気密試験用ガス供給設備であって、
前記第１の被試験配管と前記ガス供給ボンベを接続する第１の供給用配管と、
前記第１の供給用配管に設けられた第１のバルブと、
前記第２の被試験配管と前記ガス供給ボンベを接続する第２の供給用配管と、
前記第２の供給用配管に設けられた第２のバルブと
前記ガス供給ボンベの残圧を検出する残圧検出部と、
を具備する。

本発明に係る他の気密試験用ガス供給設備は、第１及び第２のガス供給ボンベそれぞれから気密試験用のガスを、第１の被試験配管、及び該第１の被試験配管より低圧である第２の被試験配管それぞれに供給する気密試験用ガス供給設備であって、
前記第１の被試験配管と前記第１のガス供給ボンベを接続する第１の供給用配管と、
前記第１の供給用配管に設けられた第１のバルブと、
前記第２の被試験配管と前記第１のガス供給ボンベを接続する第２の供給用配管と、
前記第２の供給用配管に設けられた第２のバルブと、
前記第１の被試験配管と前記第２のガス供給ボンベを接続する第３の供給用配管と、
前記第３の供給用配管に設けられた第３のバルブと、
前記第２の被試験配管と前記第２のガス供給ボンベを接続する第４の供給用配管と、
前記第４の供給用配管に設けられた第４のバルブと、
前記第１のガス供給ボンベの残圧を検出する第１の残圧検出部と、
前記第２のガス供給ボンベの残圧を検出する第２の残圧検出部と、
を具備する。

これらの気密試験用ガス供給設備によれば、バルブを開閉することにより、ボンベのガス供給先を第１の被試験用配管から第２の費試験用配管に切り替えることができる。従って、ボンベ内のガスを有効に利用することができる。

上記した各気密試験用ガス供給設備において、第１の被試験配管の上流には、半導体装置の製造に用いられるガスを保持する製造用ガスボンベが接続され、該第１の被試験配管の下流には、圧力調整機構を介して第２の被試験配管が接続され、第２の被試験配管の下流には、半導体装置を製造するための半導体製造装置が接続されていてもよい。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１の原料ガス供給配管、及び該第１の原料ガス供給配管の下流に位置し、前記第１の原料ガス供給配管より低圧である第２の原料ガス供給配管それぞれに、気密試験用のガスを供給する気密試験用ガス供給設備を準備する工程と、
前記気密試験用ガス供給設備を用いて、前記第１及び第２の原料ガス供給配管それぞれの気密試験を行う工程と、
前記第１及び第２の原料ガス供給配管を経由して半導体製造装置に原料ガスを供給し、該半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する工程と、
を具備し、
前記気密試験用ガス供給設備は、
前記第１の原料ガス供給配管とガス供給ボンベを接続する第１の供給用配管と、
前記第１の供給用配管に設けられた第１のバルブと、
前記第２の原料ガス供給配管と前記ガス供給ボンベを接続する第２の供給用配管と、
前記第２の供給用配管に設けられた第２のバルブと
前記ガス供給ボンベの残圧を検出する残圧検出部と、
前記残圧検出部が検出した残圧に基づいて、前記第１及び第２のバルブの一方を閉じて他方を開く制御部と、
を具備する。

発明を実施するための形態

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は、第１の実施形態に係る気密試験用ガス供給設備の構成を示す概略図である。第１の実施形態は、本発明の基本的な構成を示すものである。この気密試験用ガス供給設備により気密試験が行われる半導体製造設備は、ボンベ５０に格納されている半導体製造用のガス（例えばシラン）を、ＣＶＤ装置５５に供給する。

ボンベ５０には開放弁付バルブ５１が取り付けられており、この開放弁付バルブ５１は、高圧用配管５２を介してレギュレータ５６（圧力調整機構）に接続されている。レギュレータ５６には、ボンベ５０内の半導体製造用の原料ガスが、高圧用配管５２を経由して高圧（例えば１２ＭＰａ）で供給される。そしてレギュレータ５６は、供給されてきたガスを減圧し（例えば１０ＭＰａ）、低圧用配管５４を経由してＣＶＤ装置５５に供給する。ＣＶＤ装置５５は、供給された原料ガスを用いて、シリコン基板上に成膜を行うことにより、半導体装置の一部（例えばゲート電極となるポリシリコン膜、ＭＯＳトランジスタ上の層間絶縁膜、タングステンプラグ等）を形成する。なお、ボンベ５０、開放弁付バルブ５１、高圧用配管５２及びレギュレータ５６は、シリンダーキャビネット５３に格納されている。

気密試験用ガス供給設備は、ボンベ５０が交換された後などにおいて、高圧用配管５２及び低圧用配管５４の気密試験を行う。このために、気密試験用ガス供給設備は、半導体製造時と同一の圧力状態を再現すべく、高圧用配管５２には高圧（例えば１２ＭＰａ）の不活性ガス（例えば窒素やアルゴン）を供給し、低圧用配管５４には低圧（例えば１０ＭＰａ）の不活性ガスを供給する。このために、気密試験用ガス供給設備は、不活性ガスが充填されたボンベ１に接続する配管２１、配管２１と高圧用配管５２とを接続する高圧ガス供給用配管２２、配管２１と低圧用配管５４とを接続する低圧ガス供給用配管２３、及び制御部３０を有する。

ボンベ１には、開放弁付バルブ２が取り付けられており、配管２１の上流側端部は、開放弁付バルブ２に接続されている。また、開放弁付バルブ２の下流側には、ボンベ１の残圧を検出する圧力計３が取り付けられている。圧力計３は、検出したボンベ１の残圧を制御部３０に出力する。ボンベ１内部の圧力は、使用開始前においては、例えば１５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下である。

配管２２には、バルブ４が取り付けられている。バルブ４の開閉は、制御部３０によって行われる。また、配管２２には、バルブ４より下流に位置するレギュレータ６、及びレギュレータ６より下流に位置する逆流防止弁７それぞれが取り付けられている。レギュレータ６は、配管２２を流れてきた不活性ガスの圧力を減圧し、高圧用配管５２の気密試験に適している圧力（例えば１２ＭＰａ）にする。さらに、配管２２の最下流側には、バルブ８が取り付けられている。バルブ８は、気密試験が行われるときには開かれるが、それ以外の時には閉じられている。

配管２３には、バルブ５が取り付けられている。バルブ５の開閉は、制御部３０によって行われる。また、配管２３には、バルブ５より下流側に位置するレギュレータ９、及びレギュレータ９より下流に位置する逆流防止弁１０それぞれが取り付けられている。レギュレータ９は、配管２３を流れてきた不活性ガスの圧力を減圧し、低圧用配管５２の気密試験に適している圧力（例えば１０ＭＰａ）にする。さらに、配管２３の最下流側には、バルブ１１が取り付けられている。バルブ１１は、気密試験が行われるときには開かれるが、それ以外の時には閉じられている。

次に、図２を用いて、制御部３０の動作について説明する。気密試験が行われるたびにボンベ１の残圧は下がっていく。制御部３０は、圧力計３が検出したボンベ１の残圧を、一定時間ごとに取得する（Ｓ２及びＳ４）。残圧が第１の規定値、すなわち高圧用配管５２の気密試験に必要な圧力（例えば１２ＭＰａ）以上である場合（Ｓ６：Ｙｅｓ）、制御部３０は、バルブ４を開いてバルブ５を閉じる（Ｓ８）。これにより、ボンベ１の不活性ガスは、配管２２を介して高圧用配管５２に供給される。

残圧が第１の規定値未満であり（Ｓ６：Ｎｏ）、かつ第２の規定値、すなわち低圧用配管５４の気密試験に必要な圧力（例えば１０ＭＰａ）以上である場合（Ｓ１０：Ｙｅｓ）、制御部３０は、バルブ５を開いてバルブ４を閉じる（Ｓ１２）。これにより、ボンベ１の不活性ガスは、配管２３を介して低圧用配管５４に供給される。

残圧が第２の規定値未満である場合（Ｓ１０：Ｎｏ）、制御部は、バルブ４，５の双方を閉め（Ｓ１４）、ボンベ１を交換すべき旨を示す警報信号を、例えばディスプレイ（不図示）に出力する（Ｓ１６）。作業者は、警報信号を認識すると、ボンベ１を交換する。
なお、高圧用配管５２、低圧用配管５４が気密試験を合格した後、ＣＶＤ装置５５には、これら配管を経由して原料ガスがボンベ５０から供給され、シリコン基板上に成膜が行われる。これにより、半導体装置の一部が製造される。

このように、第１の実施形態によれば、ボンベ１は、残圧が十分な場合には高圧用配管５２に不活性ガスを供給し、残圧が高圧用配管５２の気密試験に不十分な場合には、低圧用配管５４に不活性ガスを供給する。従って、ボンベ１のガスを有効に使用することができる。
また、ボンベ１を付け替えなくでも、同一供給設備内で、ボンベ１のガス供給先を、高圧用配管５２から低圧用配管５４に切り替えることができるため、切り替えに必要な労力は少ない。

図３は、第２の実施形態に係る気密試験用ガス供給設備の構成を示す概略図である。本実施形態は、２本のボンベ１，１ａの一方が高圧用配管又は低圧用配管に不活性ガスを供給し、ボンベ１，１ａの他方が残りの配管に不活性ガスを供給する点が、第１の実施形態と異なる。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。

本実施形態に係る気密試験用ガス供給設備は、配管２１，２２，２３、開放弁付バルブ２、バルブ４，５，８、及び制御部３０に加えて、配管２１ａ，２２ａ，２３ａ、開放弁付バルブ２ａ、圧力計３ａ、及びバルブ４ａ，５ａを有する。配管２１ａは、上流方の端部がボンベ１ａに取り付けられた開放弁付バルブ２ａに接続され、下流側の端部が、配管２２ａ，２３ａに分岐している。配管２２ａ，２３ａそれぞれの下流側の端部は、配管２２，２３に接続している。圧力計３ａは、配管２１ａに取り付けられている。圧力計３ａはボンベ１ａの残圧を検出し、その値を制御部３０に出力する。バルブ４ａ，５ａは、それぞれ配管２２ａ，２３ａに設置されているが、その開閉は、制御部３０によって行われる。

次に、図４のフローチャートを用いて、本実施形態における制御部３０の動作について説明する。ボンベ１，１ａそれぞれの内部の圧力は、使用開始前においては、例えば１５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下である。気密試験が行われるたびにボンベ１，１ａそれぞれの残圧は下がっていく。そして、制御部３０は、圧力計３，３ａそれぞれが検出したボンベ１の残圧（Ｐ_１）及びボンベ１ａの残圧（Ｐ_２）を、一定時間ごとに取得する（Ｓ２２及びＳ２４）。ボンベ１の残圧（Ｐ_１）が第１の規定値（Ｔ_１）、すなわち高圧用配管５２の気密試験に必要な圧力（例えば１２ＭＰａ）以上である場合（Ｓ２６：Ｙｅｓ）、制御部３０は、バルブ４，５ａを開いてバルブ４ａ，５を閉じる（Ｓ８）。これにより、ボンベ１の不活性ガスは、配管２１，２２を介して高圧用配管５２に供給され、ボンベ１ａの不活性ガスは、配管２１ａ，２３ａ，２３を介して低圧用配管５４に供給される。

ボンベ１の残圧（Ｐ_１）が第１の規定値（Ｔ_１）未満、かつ第２の規定値（Ｔ_２）すなわち低圧用配管５４の気密試験に必要な圧力（例えば１０ＭＰａ）以上であり、さらに、ボンベ１ａの残圧（Ｐ_２）が第１の規定値（Ｔ_１）以上である場合（Ｓ２６：ＮｏかつＳ３０：Ｙｅｓ）、制御部３０は、バルブ５，４ａを開いてバルブ４，５ａを閉じる（Ｓ３２）。これにより、ボンベ１の不活性ガスは、配管２１，２３を介して低圧用配管５４に供給され、ボンベ１ａの不活性ガスは、配管２１ａ，２２ａ，２２を介して高圧用配管５２に供給される。

ボンベ１，１ａそれぞれの残圧（Ｐ_１，Ｐ_２）が、ともに第１の規定値（Ｔ_１）未満である場合（Ｓ３０：Ｎｏ）、制御部３０は、ボンベ１，１ａのいずれかを交換すべき旨を示す警報信号を、例えばディスプレイに出力する（Ｓ３６）。作業者は、警報信号を認識すると、ボンベ１，１ａのうち残圧が低いほうを新しいボンベに交換する。

このように、第２の実施形態によれば、ボンベ１は、残圧が十分な場合には高圧用配管５２に不活性ガスを供給し、残圧が高圧用配管５２の気密試験に不十分な場合には、低圧用配管５４に不活性ガスを供給することができる。そして、ボンベ１ａは、高圧用配管５２及び低圧用配管５４のうちボンベ１が不活性ガスを供給していないほうに、不活性ガスを供給する。従って、ボンベの不活性ガスを有効に使用することができる。また、ボンベ１，１ａのガス供給先を切り替えるときに必要な労力を、低く抑えることができる。

図５は、第３の実施形態に係る気密試験用ガス供給設備の構成を示す概略図である。本実施形態は、制御部３０を備えない点を除いて、第２の実施形態と同一である。以下、第２の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。

本実施形態において、バルブ４，４ａ，５，５ａは手動で開閉される。また、圧力計３，３ａが検出したボンベ１，１ａの残圧は、その場のメータに示される。そして作業員は、高圧用配管１，１ａの気密試験を行う前に、ボンベ１，１ａの残圧をチェックする。

ボンベ１の残圧Ｐ_１が第１の規定値（Ｔ_１）以上である場合、作業員は、バルブ４，５ａを開いてバルブ４ａ，５を閉じる。これにより、ボンベ１の不活性ガスは高圧用配管５２に供給され、ボンベ１ａの不活性ガスは低圧用配管５４に供給される。

ボンベ１の残圧（Ｐ_１）が第１の規定値（Ｔ_１）未満かつ第２の規定値（Ｔ_２）以上であり、さらに、ボンベ１ａの残圧（Ｐ_２）が第１の規定値（Ｔ_１）以上である場合、作業員は、バルブ５，４ａを開いてバルブ４，５ａを閉じる。これにより、ボンベ１の不活性ガスは低圧用配管５４に供給され、ボンベ１ａの不活性ガスは高圧用配管５２に供給される。

ボンベ１，１ａそれぞれの残圧（Ｐ_１，Ｐ_２）が、ともに第１の規定値（Ｔ_１）未満である場合、作業員は、ボンベ１，１ａのうち残圧が低いほうを新しいボンベに交換する。
この第３の実施形態においても、ボンベの不活性ガスを有効に使用することができる。また、ボンベを付け替えなくても、ボンベのガス供給先を切り替えることができる。

尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、第１の実施形態において制御部３０を省略し、第３の実施形態と同様に作業者がボンベの残圧を確認し、バルブの開閉を行うようにしてもよい。

また、第１，第３の実施形態それぞれにおいて、ガスボンベ1、開放弁付バルブ２及び圧力計３を、それぞれ複数並列に配管２１に接続してもよい。また、第２，第４の実施形態それぞれにおいて、ガスボンベ１、開放弁付バルブ２及び圧力計３を、それぞれ複数並列に配管２１に接続し、かつ、ガスボンベ１ａ、開放弁付バルブ２ａ及び圧力計３ａを、それぞれ複数並列に配管２２ａ，２３ａに接続してもよい。これらの場合、複数の圧力計３，３ａそれぞれは、検出した残圧を制御部３０に出力する。そして、制御部３０は、入力された残圧の大きさに基づいて、複数の開放弁付バルブ２，２ａそれぞれを制御する。

第１の実施形態に係る気密試験用ガス供給設備の構成を示す概略図。 第１の実施形態に係る制御部３０の動作を示すフローチャート。 第２の実施形態に係る気密試験用ガス供給設備の構成を示す概略図。 第２の実施形態に係る制御部３０の動作を示すフローチャート。 第３の実施形態に係る気密試験用ガス供給設備の構成を示す概略図。 従来の気密試験用ガス供給設備の構成を示す概略図。

符号の説明

１，１ａ，５０，１０１，１０１ａ、１５０…ボンベ、２，２ａ，５１，１５１…開放弁付バルブ、３，３ａ，１０６，１０６ａ…圧力計、４，４ａ，５，５ａ，８，１１，１０５，１０５ａ…バルブ、６，９，５６，１０３，１０３ａ，１５６…レギュレータ、７，１０，１０４，１０４ａ…逆流防止弁、２１，２１ａ，２２，２２ａ，２３，２３ａ，１０２，１０２ａ…配管、３０…制御部、５２，１５２…高圧用配管、５３，１５３…シリンダーキャビネット、５４，１５４…低圧用配管、５５，１５５…ＣＶＤ装置

Claims (10)

1. ガス供給ボンベから気密試験用のガスを、第１の被試験配管、及び該第１の被試験配管より低圧である第２の被試験配管それぞれに供給する気密試験用ガス供給設備であって、
   前記第１の被試験配管と前記ガス供給ボンベを接続する第１の供給用配管と、
   前記第１の供給用配管に設けられた第１のバルブと、
   前記第２の被試験配管と前記ガス供給ボンベを接続する第２の供給用配管と、
   前記第２の供給用配管に設けられた第２のバルブと
   前記ガス供給ボンベの残圧を検出する残圧検出部と、
   前記残圧検出部が検出した残圧に基づいて、前記第１及び第２のバルブの一方を閉じて他方を開く制御部と、
   を具備する気密試験用ガス供給設備。
2. 前記制御部は、
   前記残圧検出部が検出した残圧が、第１の基準値以上である場合に、前記第１のバルブを開いて前記第２のバルブを閉じ、
   前記残圧検出部が検出した残圧が、前記第１の基準値未満である場合に、前記第１のバルブを閉じて前記第２のバルブを開く、請求項１に記載の気密試験用ガス供給設備。
3. 前記制御部は、前記残圧検出部が検出した残圧が、前記第１の基準値より低い第２の基準値未満である場合に、警報信号を出力する請求項２に記載の気密試験用ガス供給設備。
4. 第１及び第２のガス供給ボンベそれぞれから、気密試験用のガスを、第１の被試験配管、及び該第１の被試験配管より低圧である第２の被試験配管それぞれに供給する気密試験用ガス供給設備であって、
   前記第１の被試験配管と前記第１のガス供給ボンベを接続する第１の供給用配管と、
   前記第１の供給用配管に設けられた第１のバルブと、
   前記第２の被試験配管と前記第１のガス供給ボンベを接続する第２の供給用配管と、
   前記第２の供給用配管に設けられた第２のバルブと、
   前記第１の被試験配管と前記第２のガス供給ボンベを接続する第３の供給用配管と、
   前記第３の供給用配管に設けられた第３のバルブと、
   前記第２の被試験配管と前記第２のガス供給ボンベを接続する第４の供給用配管と、
   前記第４の供給用配管に設けられた第４のバルブと、
   前記第１のガス供給ボンベの残圧を検出する第１の残圧検出部と、
   前記第２のガス供給ボンベの残圧を検出する第２の残圧検出部と、
   前記第１及び第２の残圧検出部それぞれが検出した残圧に基づいて、前記第１乃至第４のバルブを制御することにより、前記第１及び第２のガス供給ボンベの一方を前記第１の被試験配管に接続し、他方を前記第２の被試験配管に接続する制御部と、
   を具備する気密試験用ガス供給設備。
5. 前記制御部は、前記第１の残圧検出部が検出した残圧が第１の基準値未満であり、かつ前記第２の残圧検出部が検出した残圧が前記第１の基準値以上である場合に、前記第１及び第４のバルブそれぞれを閉じるとともに、前記第２及び第３のバルブそれぞれを開くことにより、前記第１のガス供給ボンベを前記第２の被試験配管に接続するとともに、前記第２のガス供給ボンベを前記第１の被試験配管に接続する、請求項３に記載の気密試験用ガス供給設備。
6. 前記制御部は、前記第１の残圧検出部が検出した残圧及び前記第２の残圧検出部が検出した残圧それぞれが、前記第１の基準値未満だった場合に、警報信号を出力する請求項５に記載の気密試験用ガス供給設備。
7. ガス供給ボンベから気密試験用のガスを、第１の被試験配管、及び該第１の被試験配管より低圧である第２の被試験配管それぞれに供給する気密試験用ガス供給設備であって、
   前記第１の被試験配管と前記ガス供給ボンベを接続する第１の供給用配管と、
   前記第１の供給用配管に設けられた第１のバルブと、
   前記第２の被試験配管と前記ガス供給ボンベを接続する第２の供給用配管と、
   前記第２の供給用配管に設けられた第２のバルブと
   前記ガス供給ボンベの残圧を検出する残圧検出部と、
   を具備する気密試験用ガス供給設備。
8. 第１及び第２のガス供給ボンベそれぞれから気密試験用のガスを、第１の被試験配管、及び該第１の被試験配管より低圧である第２の被試験配管それぞれに供給する気密試験用ガス供給設備であって、
   前記第１の被試験配管と前記第１のガス供給ボンベを接続する第１の供給用配管と、
   前記第１の供給用配管に設けられた第１のバルブと、
   前記第２の被試験配管と前記第１のガス供給ボンベを接続する第２の供給用配管と、
   前記第２の供給用配管に設けられた第２のバルブと、
   前記第１の被試験配管と前記第２のガス供給ボンベを接続する第３の供給用配管と、
   前記第３の供給用配管に設けられた第３のバルブと、
   前記第２の被試験配管と前記第２のガス供給ボンベを接続する第４の供給用配管と、
   前記第４の供給用配管に設けられた第４のバルブと、
   前記第１のガス供給ボンベの残圧を検出する第１の残圧検出部と、
   前記第２のガス供給ボンベの残圧を検出する第２の残圧検出部と、
   を具備する気密試験用ガス供給設備。
9. 前記第１の被試験配管の上流には、半導体装置の製造に用いられるガスを保持する製造用ガスボンベが接続され、該第１の被試験配管の下流には、圧力調整機構を介して前記第２の被試験配管が接続され、
   前記第２の被試験配管の下流には、前記半導体装置を製造するための半導体製造装置が接続されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の気密試験用ガス供給設備。
10. 第１の原料ガス供給配管、及び該第１の原料ガス供給配管の下流に位置し、前記第１の原料ガス供給配管より低圧である第２の原料ガス供給配管それぞれに、気密試験用のガスを供給する気密試験用ガス供給設備を準備する工程と、
    前記気密試験用ガス供給設備を用いて、前記第１及び第２の原料ガス供給配管それぞれの気密試験を行う工程と、
    前記第１及び第２の原料ガス供給配管を経由して半導体製造装置に原料ガスを供給し、該半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する工程と、
    を具備し、
    前記気密試験用ガス供給設備は、
    前記第１の原料ガス供給配管とガス供給ボンベを接続する第１の供給用配管と、
    前記第１の供給用配管に設けられた第１のバルブと、
    前記第２の原料ガス供給配管と前記ガス供給ボンベを接続する第２の供給用配管と、
    前記第２の供給用配管に設けられた第２のバルブと
    前記ガス供給ボンベの残圧を検出する残圧検出部と、
    前記残圧検出部が検出した残圧に基づいて、前記第１及び第２のバルブの一方を閉じて他方を開く制御部と、
    を具備する半導体装置の製造方法。

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