JP2006041012A - Stage apparatus, exposure system, and exposing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、その他のデバイスをリソグラフィ技術を用いて製造する際に使用される露光装置及び露光方法、並びに該露光装置等に用いられるステージ装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method used when manufacturing a semiconductor element, a liquid crystal display element, a thin film magnetic head, and other devices by using a lithography technique, and a stage apparatus used in the exposure apparatus and the like.
半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、その他のデバイスを製造する際には、レチクル又はマスク(以下、これらを総称する場合にはマスクという)に照明光を照射し、マスクを介した光をフォトレジストが塗布されたウエハやガラスプレート等の基板に露光光として照射してマスクのパターンを投影光学系を介して基板上に転写する露光装置が用いられる。この露光装置を用いてデバイスを製造する場合には、基板上に設定された複数の区画領域(ショット領域)の各々に同一のパターンが転写されることが多い。 When manufacturing semiconductor elements, liquid crystal display elements, thin film magnetic heads, and other devices, illumination light is irradiated to a reticle or mask (hereinafter referred to as a mask when these are generically referred to), and light passing through the mask is irradiated. An exposure apparatus is used that irradiates a substrate such as a wafer or glass plate coated with a photoresist as exposure light and transfers the mask pattern onto the substrate via a projection optical system. When a device is manufactured using this exposure apparatus, the same pattern is often transferred to each of a plurality of partitioned areas (shot areas) set on the substrate.
同一のマスクに照明光を繰り返し照射すると、照明光の照射エネルギーの一部がマスクに吸収されてマスクが膨張し、その結果として基板上に投影されるパターン像もマスクの膨張に合わせて変形してしまい、基板に転写されるパターンの倍率又はスケーリング(線形伸縮)が変化する。マスクの膨張による倍率又はスケーリングを補正するために、例えば以下の特許文献1には、露光時間並びにマスクの透過率及び反射率等からマスクの伸縮を予測し、投影光学系の倍率を積極的に変化させる方法が開示されている。
ところで、露光装置で用いられるマスクは減圧吸着等によりマスクステージ上に固定された状態で保持されている。例えば、矩形形状のマスクはその四隅が減圧吸着されてマスクステージ上に保持されている。このため、マスクに照明光が照射されてもマスクは何らの制限もなく自由に膨張することはできず、例えば上下方向に歪んで弓なり状態に撓んで平坦度が低下してしまう。 Incidentally, the mask used in the exposure apparatus is held in a state of being fixed on the mask stage by vacuum suction or the like. For example, a rectangular mask is held on the mask stage with its four corners adsorbed under reduced pressure. For this reason, even if illumination light is irradiated to the mask, the mask cannot be freely expanded without any limitation. For example, the mask is distorted in the vertical direction and bent into a bowed state, and the flatness is lowered.
マスクのパターンを忠実に基板上に転写するためには、マスクのパターン形成面を投影光学系の物体面に一致させるとともに基板の表面を投影光学系の像面に一致させて、マスクのパターン形成面と基板の表面とを光学的な共役関係とする必要がある。しかしながら、マスクが弓なり状態に撓むとフォーカスがずれた状態でマスクのパターン像が基板上に転写されてしまい、同一幅のパターンを転写する場合であってもショット領域内において線幅及び解像度が異なってしまうという問題があった。 In order to faithfully transfer the mask pattern onto the substrate, the mask pattern formation surface is made to coincide with the object surface of the projection optical system and the surface of the substrate is made to coincide with the image surface of the projection optical system. It is necessary to have an optical conjugate relationship between the surface and the surface of the substrate. However, if the mask is bent into a bow, the pattern image of the mask is transferred onto the substrate with the focus shifted, and the line width and resolution differ within the shot area even when the same width pattern is transferred. There was a problem that.
また、マスクの膨張がある程度大きくなると、マスク内に生ずる応力が吸着力に打ち勝ってマスクの伸びが生ずることがあるが、マスクの複数箇所における吸着力が完全に均一ではないため、マスクの伸び方向を予測することはできない。このため、上記の特許文献1に開示された技術を用いて照度、照射時間、並びにマスクの透過率及び反射率等からマスクの伸縮を予測して投影光学系の倍率を変化させても倍率又はスケーリングの補正を十分に行うことができないという問題があった。 In addition, if the expansion of the mask increases to some extent, the stress generated in the mask may overcome the adsorption force and cause the mask to elongate. Cannot be predicted. For this reason, even if the magnification of the projection optical system is changed by predicting the expansion and contraction of the mask from the illuminance, the irradiation time, the transmittance and the reflectance of the mask using the technique disclosed in Patent Document 1, the magnification or There was a problem that the correction of scaling could not be performed sufficiently.
また、露光装置には、基板に形成されたマーク(アライメントマーク)の位置情報を計測するオフ・アクシス型のアライメントセンサが設けられることがある。この種の露光装置においては、基板上に投影されるパターン像の基準位置(例えば、パターン像の中心位置)とアライメントセンサの計測視野中心との距離を示すベースライン量を極めて高い精度で管理する必要がある。しかしながら、マスクの伸びが生ずるとベースライン量も変動してしまい、その結果としてアライメントセンサを用いたアライメントマークの計測結果が誤差を含んだものになるという問題があった。 The exposure apparatus may be provided with an off-axis type alignment sensor that measures position information of a mark (alignment mark) formed on the substrate. In this type of exposure apparatus, the baseline amount indicating the distance between the reference position of the pattern image projected on the substrate (for example, the center position of the pattern image) and the center of the measurement field of view of the alignment sensor is managed with extremely high accuracy. There is a need. However, when the mask stretches, the baseline amount also fluctuates, and as a result, there is a problem that the measurement result of the alignment mark using the alignment sensor includes an error.
本発明はこのような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、複数箇所で吸着保持されたマスクや基板等の板状物体の熱変形に伴い生じる撓みを、当該板状物体の基準位置や姿勢を維持した状態で解消できるようにすることを目的とする。また、その熱変形が生じてもマスクのパターンを常に精度良く基板上に転写可能とすることを目的とする。さらに、高性能、高品質なマイクロデバイス等を製造できるようにすることを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and the bending caused by thermal deformation of a plate-like object such as a mask or a substrate held by suction at a plurality of locations is used as a reference for the plate-like object. The purpose is to be able to solve the problem while maintaining the position and posture. It is another object of the present invention to make it possible to transfer a mask pattern onto a substrate with high accuracy even when the thermal deformation occurs. Furthermore, it aims at enabling it to manufacture a high performance, high quality microdevice etc.
以下、この項に示す説明では、本発明を、実施形態を表す図面に示す部材符号に対応付けて説明するが、本発明の各構成要件は、これら部材符号を付した図面に示す部材に限定されるものではない。 Hereinafter, in the description shown in this section, the present invention will be described in association with the member codes shown in the drawings representing the embodiments. However, each constituent element of the present invention is limited to the members shown in the drawings attached with these member codes. Is not to be done.
本発明の第1の観点によると、板状物体(R)を保持するステージ(RST)を有するステージ装置であって、前記ステージ上に設けられ、前記板状物体とその周辺で当接し、前記板状物体を吸着する複数の吸着ポート(27a〜27d)を有する載置部(10a〜10d)と、前記複数の吸着ポートによる前記板状物体の吸着を制御するとともに、前記複数の吸着ポートの少なくとも1つを他の吸着ポートとは独立に制御可能な吸着制御部(34)とを備えるステージ装置が提供される。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a stage device having a stage (RST) for holding a plate-like object (R), the stage device being provided on the stage, contacting the plate-like object and its periphery, The placement unit (10a to 10d) having a plurality of suction ports (27a to 27d) for sucking the plate-like object, and the suction of the plate-like object by the plurality of suction ports are controlled. There is provided a stage apparatus including a suction control unit (34) capable of controlling at least one of the suction ports independently of other suction ports.
本発明の第1の観点に係る発明では、ステージ上の載置部に形成された吸着ポートによる板状物体の減圧吸着を吸着ポート毎に独立して制御するようにしたので、板状物体を吸着固定する箇所及び数を任意に選択ないし変更することができる。従って、温度変化に伴い板状物体に応力が生じた場合に、少なくとも1つの吸着ポートによる吸着はそのまま継続した状態で、その他の吸着ポートのうちの少なくとも1つによる吸着を解除することにより、吸着を継続している吸着ポート(以下、継続吸着ポートということがある)の位置を固定して、吸着を解除した吸着ポート(以下、解除吸着ポートということがある)の方向へ当該応力を開放することができ、このような継続吸着ポートと解除吸着ポートを適宜に選択ないし変更することにより、板状物体の基準位置や姿勢を維持した状態で該板状物体の応力を解消することができる。 In the invention according to the first aspect of the present invention, the reduced-pressure suction of the plate-like object by the suction port formed in the mounting portion on the stage is controlled independently for each suction port. The place and number to be adsorbed and fixed can be arbitrarily selected or changed. Therefore, when stress is generated in the plate-like object with the temperature change, the adsorption by at least one of the other adsorption ports is canceled while the adsorption by at least one of the adsorption ports is continued. The position of the suction port (hereinafter, sometimes referred to as “continuous suction port”) that has continued to be fixed is fixed, and the stress is released in the direction of the suction port (hereinafter, referred to as “release suction port”) where the suction has been released. By selecting or changing the continuous suction port and the release suction port as appropriate, the stress of the plate-like object can be eliminated while maintaining the reference position and posture of the plate-like object.
本発明の第2の観点によると、マスク(R)のパターンを介して基板(W)を露光する露光装置であって、前記マスクを照明する照明光学系(IL)と、前記マスクのパターンの像を前記基板に投影する投影光学系(PL)と、前記マスクを保持するマスクステージ(RST)を有するマスクステージ装置と、前記基板を保持する基板ステージ(WST)を有する基板ステージ装置とを備え、前記マスクステージ装置及び前記基板ステージ装置の少なくとも一方が請求項1に記載のステージ装置を含む露光装置が提供される。 According to a second aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate (W) through a mask (R) pattern, an illumination optical system (IL) that illuminates the mask, and a pattern of the mask. A projection optical system (PL) for projecting an image onto the substrate; a mask stage device having a mask stage (RST) for holding the mask; and a substrate stage device having a substrate stage (WST) for holding the substrate. An exposure apparatus in which at least one of the mask stage apparatus and the substrate stage apparatus includes the stage apparatus according to claim 1 is provided.
本発明の第2の観点に係る発明では、本発明の第1の観点に係るステージ装置をマスク又は基板を保持するステージ装置として採用したので、マスク又は基板の基準位置や姿勢を維持した状態でマスク又は基板の撓みを解消することができ、撓み解消後のマスク又は基板の形状(伸縮量)は算出可能であるから、マスク又は基板の熱変形(膨張又は収縮)による倍率又はスケーリングの変化を正確に補正することができる。また、マスク又は基板の応力解消の方向が判明しており、且つマスク又は基板の伸縮量を算出することができるため、ベースライン量を管理している場合に、マスク又は基板の熱変形に伴うベースライン量の変動も正確に補正することができる。以上の結果として、微細なパターンを均一な線幅で忠実に基板上に転写することができるようになり、高品質、高性能なマイクロデバイス等を高い歩留まりで高効率的に製造することができるようになる。 In the invention according to the second aspect of the present invention, since the stage apparatus according to the first aspect of the present invention is adopted as a stage apparatus for holding the mask or the substrate, the reference position or posture of the mask or the substrate is maintained. Since the deformation of the mask or the substrate can be eliminated and the shape (expansion / contraction amount) of the mask or the substrate after the elimination of the deflection can be calculated, the magnification or scaling change due to the thermal deformation (expansion or contraction) of the mask or the substrate can be calculated. It can be corrected accurately. In addition, since the direction of stress relief of the mask or substrate is known and the amount of expansion / contraction of the mask or substrate can be calculated, when the baseline amount is managed, it accompanies thermal deformation of the mask or substrate. The fluctuation of the baseline amount can be accurately corrected. As a result, a fine pattern can be faithfully transferred onto a substrate with a uniform line width, and high-quality, high-performance microdevices can be manufactured with high yield and high efficiency. It becomes like this.
本発明の第3の観点によると、マスクステージ(RST)上に保持されたマスク(R)のパターンを介して基板(W)を露光する露光方法であって、前記マスクの周辺の複数箇所で前記マスクを吸着した状態で前記マスクを前記マスクステージ上に保持する保持ステップと、前記照明光の照射により生ずる前記マスクの伸縮量に応じて、前記マスクを吸着している複数箇所のうちの少なくとも1箇所の吸着を解除する解除ステップとを含む露光方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate (W) through a mask (R) pattern held on a mask stage (RST), wherein the substrate (W) is exposed at a plurality of locations around the mask. A holding step for holding the mask on the mask stage in a state where the mask is sucked, and at least one of a plurality of places where the mask is sucked according to the amount of expansion / contraction of the mask caused by the illumination light irradiation. An exposure method is provided that includes a release step for releasing suction at one location.
本発明の第3の観点に係る発明では、照明光照射によるマスクの伸縮量に応じてマスクの減圧吸着箇所の少なくとも1箇所の減圧吸着を解除するようにしたため、継続吸着ポートの位置を基準として、解除吸着ポートの方向へ当該応力を開放することができ、マスクの基準位置や姿勢を維持した状態でマスクの撓みを解消することができる。 In the invention according to the third aspect of the present invention, the reduced-pressure suction of at least one of the reduced-pressure suction portions of the mask is released according to the amount of expansion and contraction of the mask caused by illumination light irradiation. The stress can be released in the direction of the release suction port, and the deflection of the mask can be eliminated while maintaining the reference position and posture of the mask.
複数箇所で吸着保持されたマスクや基板等の板状物体の熱変形に伴い生じる撓みを、当該板状物体の基準位置や姿勢を維持した状態で解消することができるという効果がある。また、微細なパターンを均一な線幅で忠実に基板上に転写することができ、高性能、高品質なマイクロデバイス等を高い歩留まりで高効率的に製造することができるようになるという効果がある。 There is an effect that bending caused by thermal deformation of a plate-like object such as a mask or a substrate attracted and held at a plurality of places can be eliminated while maintaining the reference position and posture of the plate-like object. In addition, the fine pattern can be faithfully transferred onto the substrate with a uniform line width, and high-performance, high-quality microdevices can be manufactured with high yield and high efficiency. is there.
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る露光装置の全体構成を模式的に示す正面図である。図1に示す露光装置は、投影光学系PLに対してレチクルステージRSTとウエハステージWSTとを同期移動させつつマスクとしてのレチクルRに形成されたパターンを基板としてのウエハW上に逐次転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。尚、以下の説明においては、必要であれば図中にXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。図1中に示すXYZ直交座標系は、XY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。Y軸に沿う方向がスキャン方向(走査方向)である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a front view schematically showing the overall configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. The exposure apparatus shown in FIG. 1 sequentially transfers a pattern formed on a reticle R as a mask onto a wafer W as a substrate while synchronously moving the reticle stage RST and the wafer stage WST with respect to the projection optical system PL. • An AND-scan type exposure apparatus. In the following description, if necessary, an XYZ orthogonal coordinate system is set in the drawing, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. In the XYZ orthogonal coordinate system shown in FIG. 1, the XY plane is set to a plane parallel to the horizontal plane, and the Z axis is set to the vertically upward direction. The direction along the Y axis is the scan direction (scan direction).
図1において、照明光学系ILは、ArFエキシマレーザ光源(波長193nm)等の光源から射出されるレーザ光の断面形状をX方向に伸びるスリット状に整形するとともに、その照度分布を均一化して照明光として射出する。尚、本実施形態では、光源としてArFエキシマレーザ光源を備える場合を例に挙げて説明するが、これ以外にg線(波長436nm)、i線(波長365nm)を射出する超高圧水銀ランプ、又はKrFエキシマレーザ(波長248nm)、F2レーザ(波長157nm)、Kr2レーザ(波長146nm)、YAGレーザの高周波発生装置、若しくは半導体レーザの高周波発生装置を用いることができる。尚、照明光学系ILには、照明光学系ILから射出される照明光(露光光)の照度を測定するインテグレータセンサ33(図6参照)が設けられている。 In FIG. 1, the illumination optical system IL shapes the cross-sectional shape of laser light emitted from a light source such as an ArF excimer laser light source (wavelength 193 nm) into a slit shape extending in the X direction, and makes the illuminance distribution uniform to perform illumination. Ejected as light. In this embodiment, a case where an ArF excimer laser light source is provided as a light source will be described as an example. In addition, an ultrahigh pressure mercury lamp that emits g-line (wavelength 436 nm) and i-line (wavelength 365 nm), or A KrF excimer laser (wavelength 248 nm), an F 2 laser (wavelength 157 nm), a Kr 2 laser (wavelength 146 nm), a YAG laser high-frequency generator, or a semiconductor laser high-frequency generator can be used. The illumination optical system IL is provided with an integrator sensor 33 (see FIG. 6) that measures the illuminance of illumination light (exposure light) emitted from the illumination optical system IL.
レチクルRは、レチクルステージRST上の4箇所に突出した状態で設けられた載置部10(10a〜10d)上に載置される。詳細は後述するが載置部10(10a〜10d)の各々にはレチクルRを減圧吸着するための吸着ポートが形成されており、この吸着ポートにより減圧吸着されてレチクルRが載置部10(10a〜10d)上に保持される。 Reticle R is mounted on mounting portion 10 (10a to 10d) provided in a state of protruding at four positions on reticle stage RST. Although details will be described later, each of the placement units 10 (10a to 10d) is formed with a suction port for suctioning the reticle R under reduced pressure. 10a-10d).
レチクルステージRSTの上方には、レチクルRの周辺の2箇所に形成されたレチクルアライメント用のマークを光電検出するアライメント系14a,14bが設けられている。アライメント系14a,14bの検出結果は、照明光学系IL又は投影光学系PLの光軸AXに対して所定の精度でレチクルRを位置決めしたり、走査露光時にレチクルRとウエハWとを同期移動するために使用される。レチクルRの位置決めは、レチクルステージRSTを光軸AXと垂直なXY平面内で並進移動させるとともにXY平面内で微小回転させる駆動系12によって行われる。この駆動系12は、レチクルRのパターンをウエハW上に転写する際には、レチクルステージRSTを一定速度でY方向に走査させる。
Above the reticle stage RST,
レチクルステージRSTは、装置本体のコラム構造体の一部を構成するレチクルステージベース構造体CL1上に移動可能に保持され、駆動系12のモータ等もベース構造体CL1上に取り付けられる。そして、レチクルRの位置変化を計測するレチクル用干渉計システムIFRのビーム干渉部分(ビームスプリッタ等)もベース構造体CL1に取り付けられる。この干渉計システムIFRは、レチクルRの端面の一部に形成された鏡面部分に測長用ビームBMrを垂直に投射し、その反射ビームを受光してレチクルRの位置変化を計測する。なお、レチクルRの端面の一部を鏡面とする代わりに、例えばレトロリフレクタ、平面鏡などの反射部材をレチクルステージRSTに設けてもよい。
Reticle stage RST is movably held on reticle stage base structure CL1 constituting a part of the column structure of the apparatus main body, and a motor and the like of
レチクルRに形成されたパターンの像は、レチクルステージRSTの直下に配置された投影光学系PLを介して基板としてのウエハW上に1/4又は1/5の投影倍率で結像投影される。投影光学系PLの鏡筒はコラム構造体の一部を構成するレンズベース構造体CL3に固定され、このレンズベース構造体CL3は複数本の支柱構造体CL2を介してレチクルベース構造体CL1を支持している。尚、図1に示したレチクル用干渉計システムIFRでは測長用ビームBMrの反射ビームが投影光学系PLの上部に固定された参照鏡FRrで反射してきた参照ビームと干渉するような構成とするが、参照鏡をレチクルベース構造体CL1側に固定した構成の干渉計システム又は参照鏡自体を内蔵した干渉計システムであってもよい。 The image of the pattern formed on the reticle R is imaged and projected at a projection magnification of 1/4 or 1/5 onto a wafer W as a substrate via a projection optical system PL disposed immediately below the reticle stage RST. . The lens barrel of the projection optical system PL is fixed to a lens base structure CL3 that constitutes a part of the column structure, and the lens base structure CL3 supports the reticle base structure CL1 via a plurality of column structures CL2. is doing. The reticle interferometer system IFR shown in FIG. 1 is configured such that the reflected beam of the length measuring beam BMr interferes with the reference beam reflected by the reference mirror FRr fixed on the projection optical system PL. However, an interferometer system having a configuration in which the reference mirror is fixed to the reticle base structure CL1 side or an interferometer system incorporating the reference mirror itself may be used.
投影光学系PLはレンズ等の複数の光学素子を有し、その光学素子の硝材としては照明光学系ILから射出される照明光の波長に応じて石英、蛍石等の光学材料から選択される。投影光学系PLに設けられる光学素子のうちの幾つかは、光軸AX方向及び光軸AXと交差する方向に移動可能に構成されているとともに、姿勢(光軸AXに対する角度)が調整可能に構成されており、これらの光学素子の位置又は姿勢を調整することで投影光学系PLの倍率等の光学特性が調整可能である。投影光学系PLの光学特性の調整はレンズコントローラ16によって行われる。
The projection optical system PL has a plurality of optical elements such as lenses, and the glass material of the optical elements is selected from optical materials such as quartz and fluorite according to the wavelength of illumination light emitted from the illumination optical system IL. . Some of the optical elements provided in the projection optical system PL are configured to be movable in the direction of the optical axis AX and the direction intersecting the optical axis AX, and the posture (angle with respect to the optical axis AX) can be adjusted. The optical characteristics such as the magnification of the projection optical system PL can be adjusted by adjusting the position or posture of these optical elements. Adjustment of the optical characteristics of the projection optical system PL is performed by the
レンズベース構造体CL3は、ウエハWを載置してXY平面に沿って2次元移動するウエハステージWSTが搭載されるウエハベース構造体CL4上に取り付けられる。このウエハステージWSTには、ウエハWを真空吸着するウエハホルダ(不図示)と、投影光学系PLの結像面にウエハWの表面が一致するように、そのウエハホルダをZ方向(光軸AX方向)に微小移動させるとともに微小傾斜させるレベリングテーブルZLTとが設けられている。 The lens base structure CL3 is mounted on the wafer base structure CL4 on which the wafer stage WST on which the wafer W is mounted and which moves two-dimensionally along the XY plane is mounted. In this wafer stage WST, a wafer holder (not shown) that vacuum-sucks wafer W is placed in the Z direction (optical axis AX direction) so that the surface of wafer W coincides with the imaging surface of projection optical system PL. And a leveling table ZLT that is slightly moved and inclined slightly.
そして、ウエハステージWSTのXY平面内での移動座標位置とヨーイングによる微小回転量とは、ウエハ用干渉計システムIFWによって計測される。この干渉計システムIFWは、レーザ光源LSからのレーザビームをウエハステージWSTのレベリングテーブルZLTに固定された移動鏡MRwと、投影光学系PLの最下部に固定された固定鏡FRwとに投射し、各鏡MRw、FRwからの反射ビームを干渉させてウエハステージWSTの座標位置と微小回転量(例えばヨーイング量、ピッチング量、ローリング量)とを計測する。なお、レベリングテーブルZLTに移動鏡MRwを設ける代わりに、例えばレベリングテーブルLZTの端面を鏡面加工して反射面としてもよい。 The movement coordinate position of wafer stage WST in the XY plane and the minute rotation amount by yawing are measured by wafer interferometer system IFW. The interferometer system IFW projects the laser beam from the laser light source LS onto the movable mirror MRw fixed to the leveling table ZLT of the wafer stage WST and the fixed mirror FRw fixed to the lowermost part of the projection optical system PL. The reflected beam from each mirror MRw, FRw is caused to interfere, and the coordinate position of wafer stage WST and the minute rotation amount (for example, yawing amount, pitching amount, rolling amount) are measured. Instead of providing the movable mirror MRw on the leveling table ZLT, for example, the end surface of the leveling table LZT may be mirror-finished to be a reflecting surface.
また、ウエハステージWSTのレベリングテーブルZLT上には、各種のアライメント系やフォーカスセンサのキャリブレーションとベースライン量の計測とに用いられる基準板FMも取付けられている。この基準板FMの表面には、露光波長の照明光のもとでレチクルRのマークとともにアライメント系14a,14bで検出可能な基準マークも形成されている。尚、上記の基準板FMを使ったベースライン計測法については、例えば特開平7−176468号公報などに開示されており、また基準板FMを使ったフォーカスキャリブレーション法については例えば特公平6−16483号公報、特開2000−21711号公報などに開示されているため、ここではその詳細な説明は省略する。更に、ウエハステージWSTのレベリングテーブルZLT上には、ウエハW(ウエハステージWST)上に照射される露光光の照度を計測する照度センサ18が設けられている。
On the leveling table ZLT of wafer stage WST, a reference plate FM used for calibration of various alignment systems and focus sensors and measurement of the baseline amount is also attached. On the surface of the reference plate FM, a reference mark that can be detected by the
尚、上記の各種のアライメント系としては、例えば、ウエハWに形成されたアライメントマークの位置情報を検出するオフ・アクシス型のアライメントセンサが挙げられる。また、上記のフォーカスセンサは投影光学系PLの像面に対するウエハWの表面の、投影光学系PLの光軸AXと平行なZ軸方向のずれ量と姿勢(傾斜)とを計測するセンサであり、上記のレベリングセンサはウエハWの表面の姿勢(傾斜)を計測するセンサである。ここで、上記のベースライン量とは、ウエハW上に投影されるレチクルのパターン像の基準位置(例えば、パターン像の中心位置)とアライメントセンサの計測視野中心との距離を示す量である。 Examples of the various alignment systems include an off-axis type alignment sensor that detects position information of alignment marks formed on the wafer W. The focus sensor described above is a sensor that measures a deviation amount and a posture (tilt) of the surface of the wafer W with respect to the image plane of the projection optical system PL in the Z-axis direction parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL. The leveling sensor is a sensor that measures the posture (tilt) of the surface of the wafer W. Here, the above-mentioned baseline amount is an amount indicating the distance between the reference position of the reticle pattern image projected onto the wafer W (for example, the center position of the pattern image) and the center of the measurement field of view of the alignment sensor.
次に、レチクルステージRSTについて詳細に説明する。図2は、図1中のレチクルステージRST付近の様子を示した斜視図である。尚、図2においては、レチクルRの中心を投影光学系PLの光軸AXが通る位置にレチクルRが配置されている状態を図示している。レチクルステージRSTは、レチクルRの寸法に対応したストロークでレチクルベース構造体CL1上をY方向に1次元移動するように構成される。レチクルステージRSTの移動は、レチクルステージRSTの両側にY方向に伸びて配置されたリニアモータユニット20a,20bによって行われる。尚、図1においては、レチクルステージRSTを駆動するリニアモータユニット20a,20bを、駆動系12として表している。このリニアモータユニット20a,20bの各々は全体的にカバーで覆われ、モータコイルの発熱で温められた各モータユニット20a,20b内の空気は極力外部に流出しないように排気ダクト21a,21bによって強制的に排気される。
Next, reticle stage RST will be described in detail. FIG. 2 is a perspective view showing a state near the reticle stage RST in FIG. FIG. 2 shows a state in which the reticle R is arranged at a position where the optical axis AX of the projection optical system PL passes through the center of the reticle R. The reticle stage RST is configured to move one-dimensionally in the Y direction on the reticle base structure CL1 with a stroke corresponding to the dimension of the reticle R. The movement of the reticle stage RST is performed by
また、レチクルステージRSTのX方向の一端にはY方向に延びた移動鏡22が固定され、この移動鏡22にはレチクルベース構造体CL1に固定されたX方向計測用のレチクル干渉計IFRXからの3本の測長ビームBMrxが垂直に投射される。レチクル干渉計IFRXはレチクルステージRSTのX方向(非走査方向)の微小位置変化と微小回転誤差とを計測する。尚、リニアモータユニット20bのカバーの測長ビームBMrxの直下部分には、複数のメッシュ状開口部23a,23bが設けられており、排気ダクト21bによって測長ビームBMrxの周囲の空気が各開口部23a,23bへ吸引されるような流れを作る。これによって、モータユニット20bのカバーが温まることによって生じる測長ビームBMrxの光路揺らぎが防止される。
Further, a
レチクルRはステージRST上の4箇所に設けられた載置部10a〜10d上に載置される。載置部10a〜10dの各々にはレチクルRを減圧吸着するための吸着ポートが形成されており、この吸着ポートにより減圧吸着されてレチクルRが載置部10a〜10d上に保持される。このように、矩形形状のレチクルRは、載置部10a〜10dによって四隅が減圧吸着された状態でレチクルステージRST上に保持される。吸着ポートによるレチクルRの減圧吸着は吸着ポート毎に独立して制御される。従って、吸着ポートによるレチクルRの吸着箇所は、1箇所〜4箇所の間で可変させることができる。勿論、吸着ポートによるレチクルRの減圧吸着を全く行わないようにすることもできる。
Reticle R is mounted on mounting
更に、レチクルRのX方向に延びた1辺の2箇所には、レチクルRの主面内で正確に90°で加工されたノッチコーナー部CM1,CM2が形成されている。これらノッチコーナー部CM1,CM2の各々の斜面は光学研磨されており、その表面には反射層が蒸着されている。従って、ノッチコーナー部CM1,CM2は一種のコーナーミラーとして作用し、レチクルベース構造体CL1に固定されたY方向計測用のレチクル干渉計IFRY,IFRθの各々からの測長ビームBMry,BMrθを反射する。これらの測長ビームBMry,BMrθは、それぞれノッチコーナー部CM1,CM2の一方の斜面に入射して他方の斜面から入射光路と平行にレチクル干渉計IFRY,IFRθへ戻る。これによって各レチクル干渉計IFRY,IFRθは2箇所のノッチコーナー部CM1,CM2の各々の頂点のY方向の位置を計測する。 Further, notch corner portions CM1 and CM2 are formed at two positions on one side extending in the X direction of the reticle R, and are precisely processed at 90 ° within the main surface of the reticle R. The slopes of the notch corner portions CM1 and CM2 are optically polished, and a reflective layer is deposited on the surface thereof. Therefore, the notch corner portions CM1 and CM2 act as a kind of corner mirror, and reflect the length measuring beams BMry and BMrθ from the Y-direction measuring reticle interferometers IFRY and IFRθ fixed to the reticle base structure CL1. . These measurement beams BMry and BMrθ are incident on one of the slopes of the notch corner portions CM1 and CM2, respectively, and return to the reticle interferometers IFRY and IFRθ in parallel with the incident optical path from the other slope. Thereby, each reticle interferometer IFRY, IFRθ measures the position in the Y direction of each vertex of the two notch corner portions CM1, CM2.
ところで、図2に示したレチクルステージRSTはエアベアリングを介してレチクルベース構造体CL1上に支持されており、リニアモータユニット20a,20bによって非接触で移動される。また、2つの干渉計IFRY,IFRθの各々で計測されるノッチコーナー部CM1,CM2の各Y方向の位置座標をYc1、Yc2とすると、レチクルRの初期状態からの回転変化量Δθcは、(Yc1−Yc2)/Lkの計算によって求められ、走査露光時のレチクルRのY方向の座標位置Yrは、(Yc1+Yc2)/2の計算によって求められる。
Meanwhile, reticle stage RST shown in FIG. 2 is supported on reticle base structure CL1 via an air bearing, and is moved in a non-contact manner by
この座標位置Yrに基づいて、リニアモータユニット20a,20bを同一の推力で制御することでレチクルステージRSTをY方向に所定の速度で移動させ、計測された回転変化量Δθcが常に一定値(例えば零)、又は固有の傾向で変化する値になるように、リニアモータユニット20a,20bの推力に差を与えることでレチクルステージRSTを微小回転させればよい。尚、図2において、符号PAを付した領域は、レチクルRのパターン形成領域であり、光軸AXを中心としたX方向に延びた長方形の領域LEは走査露光時の照明光の照射領域である。
Based on the coordinate position Yr, the
図3は、図2に示したレチクルステージRSTの平面図である。図3に示す通り、レチクルRを4箇所で支持する載置部10a〜10dは、レチクルRのパターン形成領域PAと位置計測用のマークM1,M2の投影光路とを遮蔽しないように開口26の四隅に設けられている。載置部10a〜10dには、レチクルRを減圧吸着するための吸着ポート27a〜27dがそれぞれ形成されており、レチクルステージRSTの周辺には吸着ポート27a〜27dを吸引ポンプ(減圧源)に接続するための接続部28a〜28dが設けられている。
FIG. 3 is a plan view of reticle stage RST shown in FIG. As shown in FIG. 3, the mounting
接続部28a〜28dの各々に供給する減圧の大きさは個々に制御することができる。この制御は、例えば接続部28a〜28dと吸引ポンプとを接続する接続管に、接続管の管路を遮断又は開放するバルブを設け、このバルブの開閉状態を制御することにより行われる。尚、接続部28a〜28dの各々に吸引ポンプを設けて各吸引ポンプの駆動制御を個別に制御するようにしてもよい。 The magnitude of the reduced pressure supplied to each of the connecting portions 28a to 28d can be individually controlled. This control is performed, for example, by providing a connection pipe that connects the connection portions 28a to 28d and the suction pump with a valve that blocks or opens the pipe line of the connection pipe, and controls the open / close state of the valve. Note that a suction pump may be provided in each of the connecting portions 28a to 28d so that drive control of each suction pump is individually controlled.
接続部28a〜28dの全てに所定の減圧を供給すれば、レチクルRの四隅をレチクルステージRST上において強固に吸着保持することができる。他方、接続部28a〜28dのうちの減圧が供給されないものがある場合には、減圧が供給される接続部に接続された吸着ポートのみでレチクルRが減圧吸着され、減圧が供給されない接続部に接続された吸着ポートではレチクルRが減圧吸着されず、その吸着ポートを有する載置部上にレチクルが固定されずに載置された状態になる。 If a predetermined reduced pressure is supplied to all of the connecting portions 28a to 28d, the four corners of the reticle R can be firmly adsorbed and held on the reticle stage RST. On the other hand, when there is a connection part 28a to 28d that does not supply a reduced pressure, the reticle R is adsorbed under reduced pressure only by the suction port connected to the connection part to which the reduced pressure is supplied, and the connection part to which no reduced pressure is supplied. At the connected suction port, the reticle R is not sucked under reduced pressure, and the reticle is placed on the placement portion having the suction port without being fixed.
接続部28a〜28dの全てに減圧を供給して吸着ポート27a〜27dの全てでレチクルRを吸着保持している状態において、レチクルRに照明光を照射すると照明光の照射エネルギーがレチクルRに照射されて図4に示す通りレチクルRが大きく撓む。図4は、レチクルRの膨張により生ずる撓みの例を示す図である。尚、ここでは、レチクルRに生ずるX方向の撓みについて説明するが、Y方向にも同様の撓みが生ずる。また、図4においては撓みを誇張して図示している。レチクルRの膨張により生ずるレチクルRの撓みは、例えば上凸状(図4(a)参照)、下凸状(図4(b)参照)、又はS字状(図4(c)参照)となり、レチクルRに応力が蓄えられた状態になる。レチクルRに蓄えられる応力が吸着ポート27a〜27dのうちの最も小さな吸着力よりも大きくなると、その吸着力を有する吸着ポートの位置においてレチクルRが位置ずれしてしまう。
In a state where the decompression is supplied to all the connection portions 28a to 28d and the reticle R is sucked and held by all the
他方、レチクルRを減圧吸着する吸着ポートとレチクルRを減圧吸着しない吸着ポートとがあると、照明光の照射により生ずるレチクルRの膨張は減圧吸着している吸着ポートを基点として生ずることになる。図5は、吸着ポート27a〜27dによるレチクルRの吸着例を示す図である。図5において、例えば吸着ポート27c,27dのみでレチクルRを減圧吸着するとレチクルRは吸着ポート27c,27dを基点として−Y方向に膨張する。また、吸着ポート27b,27cのみでレチクルRを減圧吸着するとレチクルRは吸着ポート27b,27cを基点として+X方向に膨張する。吸着ポート27a〜27dによるレチクルRの減圧吸着箇所を制御することで、レチクルRはXY平面内において膨張して応力が開放されて撓みが解消される。
On the other hand, if there are an adsorption port that adsorbs the reticle R under reduced pressure and an adsorption port that does not adsorb the reticle R under reduced pressure, the expansion of the reticle R caused by irradiation of illumination light occurs from the adsorption port adsorbed under reduced pressure. FIG. 5 is a diagram illustrating an example of adsorption of the reticle R by the
ところで、照明光の照射によりレチクルRがXY平面内で膨張すると、レチクル干渉計IFRX,IFRY,IFRθでは、レチクルRが膨張した分だけレチクルRが移動したものと誤って計測される。また、レチクルRが膨張した分だけレチクルRに形成されたパターンの像は拡大されてウエハW上に投影される。更に、ベースライン量も変動してしまう。そこで、本実施形態では、レチクルRに照射される照明光の照度、レチクルRに対する照明光の照射時間、並びにレチクルRの透過率及び反射率からレチクルRに蓄積される照射エネルギーを算出し、算出した照射エネルギーに基づいてレチクルRの伸縮量を算出し、算出した伸縮量に基づいて、レチクル干渉計IFRX,IFRY,IFRθの計測結果、投影光学系PLの倍率、ベースライン量を補正している。尚、レチクルRの伸縮量を算出する際に用いられるレチクルRの線膨張係数は予め求められている。 By the way, when the reticle R expands in the XY plane due to illumination light irradiation, the reticle interferometers IFRX, IFRY, and IFRθ erroneously measure that the reticle R has moved by the amount that the reticle R has expanded. Further, the pattern image formed on the reticle R is enlarged and projected onto the wafer W by the amount of expansion of the reticle R. Furthermore, the baseline amount also fluctuates. Therefore, in the present embodiment, the irradiation energy accumulated in the reticle R is calculated from the illuminance of the illumination light irradiated onto the reticle R, the irradiation time of the illumination light with respect to the reticle R, and the transmittance and reflectance of the reticle R. The amount of expansion / contraction of the reticle R is calculated based on the irradiated energy, and the measurement results of the reticle interferometers IFRX, IFRY, IFRθ, the magnification of the projection optical system PL, and the amount of baseline are corrected based on the calculated amount of expansion / contraction. . Note that the linear expansion coefficient of the reticle R used when calculating the expansion / contraction amount of the reticle R is obtained in advance.
図6は、本実施形態による露光装置の動作を制御する制御系の模式的な構成を示すブロック図である。尚、図6においては、露光装置に設けられる制御系のうちの本発明に関する構成のみを図示しており、図1〜図5に示した構成と同一のものには同一の符号を付してある。図6に示すレチクル用干渉計システムIFRは、図2に示すレチクル干渉計IFRX,IFRY,IFRθを含んで構成され、レチクルRのXY平面内における位置及び回転量を計測し、その計測結果を主制御系30に出力する。レチクルステージ制御系31は、主制御系30から出力される制御信号に基づいて、レチクルステージRSTを駆動するリニアモータユニット20a,20bの駆動制御を行う。
FIG. 6 is a block diagram showing a schematic configuration of a control system for controlling the operation of the exposure apparatus according to the present embodiment. In FIG. 6, only the configuration related to the present invention of the control system provided in the exposure apparatus is shown, and the same components as those shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals. is there. The reticle interferometer system IFR shown in FIG. 6 includes the reticle interferometers IFRX, IFRY, and IFRθ shown in FIG. 2, measures the position and amount of rotation of the reticle R in the XY plane, and mainly uses the measurement results. Output to the
レンズコントローラ16は、主制御系30から出力される制御信号に基づいて、投影光学系PL内に設けられる光学素子の光軸AX方向の位置、光軸AXと交差する方向における位置、及び姿勢を制御して、投影光学系PLの倍率等の光学特性を調整する。なお、レンズコントローラ16によつて、環境(大気圧など)の変化、及び照明光の入射に起因して生じる光学特性の変化だけでなく、レチクルRの伸縮に起因して生じる光学特性の変化も補正される。本実施形態では、レチクルRの伸縮によるパターン像の倍率変化を、レンズコントローラ16による投影光学系PLの倍率調整により補正する。また、ウエハ用干渉計システムIFWは、ウエハWのXY内における位置及び回転量を計測し、その計測結果を主制御系30に出力する。ウエハステージ制御系32は、主制御系30から出力される制御信号に基づいて、ウエハステージWSTに設けられたリニアモータユニットを駆動してウエハステージWSTのXY平面における位置及び回転量を制御するとともに、不図示のアクチュエータを駆動してレベリングテーブルZLTの姿勢(傾き)を制御する。
Based on the control signal output from the
インテグレータセンサ33は、図1に示す照明光学系ILに設けられており、照明光学系ILから射出される照明光(レチクルRに照射される照明光)の照度を測定し、その測定結果を主制御計30に出力する。減圧制御部(吸着制御部)34は、主制御系30から出力される制御信号に基づいて、図3に示す接続部28a〜28dと吸引ポンプとを接続する接続管の各々に設けられたバルブの開閉状態、又は接続部28a〜28dの各々に対して設けられた吸引ポンプの駆動を制御し、吸着ポート27a〜27dの何れによってレチクルRを吸着するかを制御する。照度センサ18は、ウエハW(ウエハステージWST)上に照射される照明光の照度を計測する。
The integrator sensor 33 is provided in the illumination optical system IL shown in FIG. 1, measures the illuminance of the illumination light emitted from the illumination optical system IL (illumination light irradiated on the reticle R), and the measurement result is mainly used. Output to the
主制御系30は、露光装置全体を統括して制御するものである。具体的には、レチクル用干渉計システムIFRの計測結果に基づいてレチクルステージ制御系31に制御信号を出力し、ウエハ用干渉計システムIFWの計測結果に基づいてウエハステージ制御系32に制御信号を出力する。また、レチクルRに形成されたパターンをウエハW上に転写する場合には、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとが同期して移動するように、レチクルステージ制御系31及びウエハステージ制御系32の各々に対して制御信号を出力する。なお、同期移動中に生じるレチクルRとウエハWとの同期誤差(X,Y方向の位置誤差、及びZ軸回りの回転誤差を含む)は、レチクルステージRSTとウエハステージWSTの少なくとも一方の微動により補正される。
The
また、主制御系30は、インテグレータセンサ33及び照度センサ18の計測結果、レチクルRに対する照明光の照射時間、並びにレチクルRの透過率及び反射率からレチクルRに蓄積される照射エネルギーを算出し、算出した照射エネルギーに基づいてレチクルRの伸縮量を算出する算出部を備えている。この算出部による算出結果が予め設定された所定の閾値を超えた場合には、減圧制御部34に対して制御信号を出力し、吸着ポート27a〜27dによるレチクルRの減圧吸着箇所を制御させる。つまり、レチクルRの四隅が吸着ポート27a〜27dに吸着された状態において、レチクルRの伸縮量の算出値がある程度大きくなると、レチクルRが図4に示す通り撓んでしまうため、減圧吸着箇所を制御することで図5に示す通りレチクルRをXY平面内において膨張させてレチクルRに蓄積された応力を開放する。
Further, the
また、主制御系30は、算出したレチクルRの伸縮量に基づいてレチクルRの伸縮によりウエハW上に投影される投影像の大きさを制御するための制御信号をレンズコントローラ16に出力する。更に、主制御系30はウエハWに形成されたアライメントマークの位置情報を取得するオフ・アクシス型のアライメントセンサの計測視野中心とウエハW上に投影されるレチクルのパターン像の基準位置との距離を示すベースライン量を管理してウエハステージWSTの制御に用いている。レチクルRの伸縮が生ずるとベースライン量が変化するため、主制御系30は算出したレチクルの伸縮量を用いてベースライン量の補正を行う。即ち、本実施形態では前述したように少なくとも1つの吸着ポートの減圧吸着を解除することで、吸着を解除していない残りの吸着ポートを基点としてレチクルRがXY平面内で膨張して応力が開放されることになるが、その応力開放の基準は必ずしもレチクルRの中心CCと一致するとは限らないため、応力開放を行うと、レチクルRの中心CCと投影光学系PLの中心(光軸AX)とがずれる。従って、この状態で投影光学系PLの倍率調整を行っても、ベースライン量は変化してしまうので、主制御系30は応力開放後におけるレチクルRの伸縮量、即ちレチクルRの伸縮によるその中心CCのずれ量を算出し、この算出したずれ量をオフセットとして用いてベースライン量を補正する。尚、レチクルRが伸縮すると、レチクル用干渉システムIFRにおいてその伸縮量の分だけレチクルRの位置が誤検出される。このため、主制御系30はレチクル用干渉システムIFRの計測結果を、算出したレチクルRの伸縮量で補正した上で、レチクルステージRSTを制御する制御信号をレチクルステージ制御系31に出力する。
Further, the
次に、レチクルRの伸縮量を算出する方法について説明する。レチクルRの伸縮は、レチクルRに照射される照明光がレチクルRに吸収され、レチクルRに照射エネルギーが蓄積されて熱変形することにより生ずる。このレチクルRの熱変形は、レチクルRの温度分布に比例して発生していると考えられるため、主制御系30はこの温度分布をシミュレートしてレチクルRの伸縮量を求めている。レチクルRの温度分布は、レチクルRをある有限な要素に分解して各点の温度変化を差分法、有限要素法等の方法を用いて計算することにより求めることができる。以下の説明では、差分法を用いてレチクルRの温度分布を算出する方法を例に挙げて説明する。
Next, a method for calculating the amount of expansion / contraction of the reticle R will be described. Expansion and contraction of the reticle R occurs when illumination light irradiated on the reticle R is absorbed by the reticle R, and irradiation energy is accumulated in the reticle R and is thermally deformed. Since the thermal deformation of the reticle R is considered to occur in proportion to the temperature distribution of the reticle R, the
まず、予めパターンが形成されていないレチクルをレチクルステージRST上に配置してレチクルRに照明光を照射し、インテグレータセンサ33の計測値と照度センサ18の計測値との比を求めておく。レチクルRに形成されるパターンの分布によってレチクルRに吸収される熱量は、場所によって異なるため、レチクルRを、例えば、4×4の16ブロックに分割して、各ブロックごとに求めたパターンの存在率に基づいて各ブロックの熱吸収量を計算する。尚、熱吸収量の計算に必要となるレチクルの反射率及び透過率は予め計測されて主制御系30に記憶されている。各ブロックのパターン存在率は、インテグレータセンサ33の計測値と照度センサ18の計測値との比で求められる。照度センサ18は、各ブロックを通過して照度センサ18上に結像した照明光の光量をブロック毎に独立して計測する。
First, a reticle on which a pattern is not formed in advance is arranged on the reticle stage RST, and the reticle R is irradiated with illumination light, and the ratio between the measured value of the integrator sensor 33 and the measured value of the
次に、パターンが形成されたレチクルRをレチクルステージRST上に配置して同様の計測を行い、先に計測したパターンが形成されていないレチクルの計測結果を用いてパターンの存在率を求める。この計測は、レチクル交換毎に行ってもよいし、予め測定しておき、主制御系30に記憶させておいてもよい。勿論、レチクルの製造時のデータによりパターンの存在率が分かっているのであれば計測を行う必要はない。
Next, the reticle R on which the pattern is formed is placed on the reticle stage RST and the same measurement is performed, and the pattern presence rate is obtained using the measurement result of the reticle on which the pattern is not formed. This measurement may be performed every time the reticle is replaced, or may be measured in advance and stored in the
レチクルRに設定された各ブロックには、照射される照明光の照度、照明光の照射時間、及びパターン存在率とに比例した熱量が吸収され、各ブロックに吸収された熱は各ブロック間で移動し、又は空気中に放出され若しくはレチクルステージRSTに伝導される。以上の方法で求めた各ブロック毎のパターンの存在率に基づいて各ブロックの熱吸収量を計算する。この具体的な計算式については、特開平4−192317号公報に詳しく開示されているのでここでは省略する。 Each block set to the reticle R absorbs an amount of heat proportional to the illuminance of the illuminating light to be irradiated, the irradiation time of the illuminating light, and the pattern presence rate, and the heat absorbed by each block is absorbed between the blocks. It is moved or released into the air or conducted to the reticle stage RST. The heat absorption amount of each block is calculated based on the pattern presence rate for each block obtained by the above method. Since this specific calculation formula is disclosed in detail in JP-A-4-192317, it is omitted here.
以上の方法で各ブロックの温度分布が求まると、求められた各ブロックの温度分布とレチクルRの線膨張係数より各ブロックの中心点の相互の距離変化を求めることができる。これにより、レチクルR上の各点の動きを決定することができ、この動きに基づいて、レチクルRの伸縮量を求めることができる。レチクルRの線膨張係数は、予め計測されて主制御系30に記憶されている。
When the temperature distribution of each block is obtained by the above method, the mutual distance change of the center point of each block can be obtained from the obtained temperature distribution of each block and the linear expansion coefficient of the reticle R. Thereby, the movement of each point on the reticle R can be determined, and the expansion / contraction amount of the reticle R can be obtained based on this movement. The linear expansion coefficient of the reticle R is measured in advance and stored in the
次に、上記構成における露光装置の露光時の動作について、図7に示すフローチャートを参照して説明する。尚、図7に示すフローチャートは、ウエハステージWST上に載置された1枚のウエハWに対して露光処理を行う場合のフローチャートを示しており、ウエハWを交換して複数枚のウエハWの露光処理を行う場合には、図7に示すフローチャートの各処理が繰り返される。 Next, the operation at the time of exposure of the exposure apparatus having the above configuration will be described with reference to the flowchart shown in FIG. Note that the flowchart shown in FIG. 7 is a flowchart in the case where the exposure process is performed on one wafer W placed on wafer stage WST. When performing an exposure process, each process of the flowchart shown in FIG. 7 is repeated.
露光処理が開始されると、まず主制御系30は、予め記憶された露光データファイルから各種露光条件を読み出す。ここで、露光データファイルから読み出される露光条件は、ウエハW上に設定された各ショット領域の配列、照明条件、使用するレチクルRの種類を示す情報、露光時のレチクルステージRST及びウエハステージWSTの加速度等の各種情報を含むものである。各種露光条件の読み出しを終えると、主制御系30は読み出した露光条件に従って照明光学系ILの照明条件等を設定する。次に、主制御系30は、露光条件に含まれるレチクルRの種類を示す情報に基づいて、レチクルライブラリ(図示省略)から使用するレチクルRを搬入してレチクルステージRST上に配置し、吸着ポート27a〜27dを用いてレチクルRの四隅を減圧吸着し、次いで、レチクルステージRST上のレチクルRとウエハステージWSTとの相対的な位置合わせを行う。その後、ウエハWをウエハステージWST上に配置し、ウエハステージWST上におけるウエハWの位置情報を計測する。
When the exposure process is started, first, the
以上の処理が終了すると、主制御系30はレチクルステージ制御系31に制御信号を出力して、レチクルRを移動開始位置に配置するとともに、ウエハステージ制御系32に対して制御信号を出力して、露光すべきショット領域(ここでは、最初のショット領域)を露光開始位置に移動する。尚、露光開始位置とは、ショット領域を走査露光するために、ウエハステージWSTの加速を開始する位置である。以上の処理が終了すると、主制御系30は、当該ショット領域に対して露光処理を開始する(ステップS1)。
When the above processing is completed, the
具体的には、主制御系30は露光開始命令をレチクルステージ制御系31及びウエハステージ制御系32に出力して、レチクルステージRST及びウエハステージWSTの加速を開始する。各々のステージが加速を終えて、例えば、ウエハステージWSTの速度が最大速度Vwに達するとともに、レチクルステージRSTの速度が最大速度Vr=α・Vw(αはレチクルRからウエハWへの投影倍率)に達すると、主制御系30は照明光学系ILに照明光の照射を指令し、これにより均一な照度分布を有する照明光がレチクルR上に照射されて、当該ショット領域に対してレチクルRのパターンの転写が開始される。
Specifically,
レチクルステージRST及びウエハステージWSTを最大速度で同期移動(走査)させている間は、投影光学系PLを介してレチクルRのパターンがウエハW上のショット領域に逐次転写される。レチクルステージRST及びウエハステージWSTを一定時間走査してそのショット領域に対するレチクルRのパターンの転写が完了すると、主制御系30は照明光学系ILによる照明光の射出を停止させるとともに、レチクルステージ制御系31及びウエハステージ制御系32に制御信号を出力して、レチクルステージRST及びウエハステージWSTを減速させる。以上の処理により1つのショット領域に対する露光処理が終了する。
While the reticle stage RST and wafer stage WST are synchronously moved (scanned) at the maximum speed, the pattern of the reticle R is sequentially transferred to the shot area on the wafer W via the projection optical system PL. When the reticle stage RST and the wafer stage WST are scanned for a predetermined time and the transfer of the pattern of the reticle R to the shot area is completed, the
1つのショット領域に対する露光処理が終了すると、主制御系30は、ウエハステージWST上のウエハWに設定された全てのショット領域に対して、露光処理が終了したか否かを判断する(ステップS2)。次に露光すべきショット領域がある場合、即ち1枚のウエハの全てのショット領域に対する露光処理が終了していないと判断した場合(「No」の場合)には、ステップS3に進む。
When the exposure process for one shot area is completed,
ステップS3において、主制御系30は、ステップS1で行った1つのショット領域に対する露光処理が、レチクルRの撓み解消のための吸着ポート27a〜27dを用いた減圧吸着箇所の制御(撓み解消制御:ステップS5〜S10)の前回の実施からN(Nは正の整数)回目の露光処理であるか否かを判断する。尚、上記の変数Nは、レチクルRに対する照明光の照射によって生ずるレチクルRの撓み方ないし撓み量等に応じて適宜に設定される。即ち、照明光の照射回数が少なくてもレチクルRに図4に例示するような撓みが生ずる場合には、変数Nは小さな値に設定される。逆に、照明光の照射回数が多くてもレチクルの撓みが無視できる程度に小さい場合には、変数Nは大きな値に設定される。また、前述したレチクルRの熱吸収計算からレチクルRの伸縮量を求め、この求めた伸縮量に応じて変数Nを決定することができる。
In step S <b> 3, the
ステップS3の判断結果が「NO」の場合には、主制御系30はレチクルステージ制御系31に対して制御信号を出力して、レチクルRの移動方向を反転するとともに、ウエハステージ制御系32に対して制御信号を出力して、ウエハステージWSTを移動して、次に露光すべきショット領域を露光開始位置に移動する(ステップS12)。以上の処理の後、そのショット領域に対する露光処理が行われる(ステップS1)。ステップS2,S3の判断結果が「NO」である場合には、以上の処理が繰り返されて、ウエハW上に設定されたショット領域の露光処理が順次行われる。
If the determination result in step S 3 is “NO”, the
ここで、ステップS1で行った1つのショット領域に対する露光処理が、前回の撓み解消制御の実施からN回目の露光処理に該当してステップS3の判断結果が「YES」になると、レチクルステージRSTの減速終了(ステップS4)後に、撓み解消制御が開始される。撓み解消制御においては、まず主制御系30は減圧制御部34に対して制御信号を出力し、吸着ポート27a〜27dによるレチクルRの四隅の減圧吸着のうち、吸着ポート27a,27bによる減圧吸着を解除して、吸着ポート27c,27dのみでレチクルRを減圧吸着する(ステップS5)。尚、この撓み解消制御は、レチクルステージRSTの速度が零である時(即ち停止中:減速が終了してから反転加速を開始する前)に実施する。
Here, if the exposure process for one shot area performed in step S1 corresponds to the Nth exposure process from the previous execution of the deflection elimination control and the determination result in step S3 is “YES”, the reticle stage RST is changed. After the end of deceleration (step S4), the deflection elimination control is started. In the deflection elimination control, first, the
次に、吸着ポート27c,27dのみによるレチクルRの減圧吸着を一定時間(例えば、0.1秒間)継続し(ステップS6)、その後、吸着ポート27a,27bによる減圧吸着を再開して、吸着ポート27a〜27dによりレチクルRの四隅を減圧吸着する(ステップS7)。これらのステップS5,S6の処理によって、レチクルRは吸着ポート27c,27dを基点として−Y方向に伸張し、レチクルRに蓄積されていた応力が開放され、ステップS7の処理によってレチクルRはY方向に伸張した状態で四隅が減圧吸着される。
Next, the reduced pressure adsorption of the reticle R using only the
次いで、主制御系30は減圧制御部34に対して制御信号を出力し、吸着ポート27a,27dによる減圧吸着を解除して、吸着ポート27b,27cのみでレチクルRを減圧吸着する(ステップS8)。上記と同様に吸着ポート27b,27cのみによるレチクルRの減圧吸着を一定時間(例えば、0.1秒間)継続し(ステップS9)、その後、吸着ポート27a,27dによる減圧吸着を再開して、吸着ポート27a〜27dによりレチクルRの四隅を減圧吸着する(ステップS10)。これらのステップS8,S9の処理によって、レチクルRは吸着ポート27b,27cを基点として+X方向に膨張し、レチクルRに蓄積されていた応力が開放され、ステップS10の処理によってレチクルRはX方向に伸張した状態で四隅が減圧吸着される。
Next, the
以上のステップS5〜S10による撓み解消制御を実施することにより、レチクルRはX方向及びY方向に伸張した状態(応力が開放され、撓みが解消した状態)でレチクルステージRST上に吸着保持されることになる。 By performing the deflection elimination control in steps S5 to S10 described above, the reticle R is attracted and held on the reticle stage RST in a state where the reticle R is stretched in the X direction and the Y direction (a state where the stress is released and the deflection is eliminated). It will be.
撓み解消制御(ステップS5〜S10)の実施が終了すると、主制御系30は、前回の撓み解消制御が実施されてから今回の撓み解消制御が実施されるまでの間に、レチクルRに蓄積された照射エネルギー(ステップS1の露光処理を実施した際のインテグレータセンサ33及び照度センサ18の計測値、照射光の照射時間、並びにレチクルRの透過率及び反射率からレチクルRに吸収される累積熱量)を算出するとともに、算出した照射エネルギーとレチクルRの線膨張係数からレチクルRの伸縮量を算出する。レチクルRの伸縮量が得られると、主制御系30はレンズコントローラ16に対して制御信号を出力し、レチクルRの伸縮量に応じた投影光学系PLの倍率の補正を実施する(ステップS11)。
When the execution of the deflection elimination control (steps S5 to S10) is completed, the
また、主制御系30は算出したレチクルRの伸縮量を用いてベースライン量の補正を行うとともに、レチクル用干渉システムIFRの計測結果をレチクルRの伸縮量で補正した上でレチクルステージRSTを制御する制御信号を補正する。以後、主制御系30からレチクルステージRSTに出力される制御信号はレチクルRの伸縮量を補正したものとなる。以上の処理を終えると、主制御系30は、レチクルステージ制御系31に対して制御信号を出力して、レチクルRの移動方向を反転させるとともに、ウエハステージ制御系32に対して制御信号を出力してウエハステージWSTを移動させ、次に露光すべきショット領域を露光開始位置に移動する(ステップS12)。次いで、ステップS1に戻り、そのショット領域に対する露光処理を実施する。
Further, the
以上説明した通り、本実施形態では、吸着ポート27a〜27dによるレチクルRの減圧吸着を吸着ポート27a〜27d毎に独立して行うことができる。このため、レチクルRの四隅を固定した状態で照明光をレチクルRに照射してレチクルRに撓みが生じてもレチクルRを伸張させて応力を開放してレチクルRの撓みを解消することができる。
As described above, in the present embodiment, the reduced pressure suction of the reticle R by the
また、吸着ポート27a,27bを開放して吸着ポート27c,27dのみでレチクルRを減圧吸着することで吸着ポート27c,27dを基準としてレチクルRを−Y方向に伸張させるとともに、吸着ポート27a,27dを開放して吸着ポート27b,27cのみでレチクルRを減圧吸着することで吸着ポート27b,27cを基準としてレチクルRを+X方向に伸張させることで、レチクルRの伸張方向を一定にしている。これにより、レチクルRはその中心CCの位置が撓み解消制御の前後で変化するものの、撓み解消後は吸着ポート27cを基点としてXY平面内で伸張しているだけである。従って、撓み解消制御が行われたレチクルRに蓄積される照射エネルギーによる伸縮量を算出することにより、レチクルRの膨張による倍率又はスケーリングの変化、及びベースライン量の変化を正確に補正することができる。即ち、その算出されたレチクルRの伸縮量に基づき、レンズコントローラ16による投影光学系PLの倍率調整によって、レチクルRのパターン像の倍率変化を補正し、前述したレチクルRの中心CCのずれ量に基づいてベースライン量を補正する。
Further, the
更に、露光処理の最中にはレチクルRの四隅を減圧吸着し、レチクルステージRSTの速度が零となってから撓み解消制御を行っているため、レチクルRの減圧吸着を解除してもその移動に起因したレチクルRの位置ずれは生じない。また、撓み解消制御は、1つのショット領域に対する露光処理を終えてから次のショット領域に対する露光処理を開始するまでの間に行われるため、撓み解消に伴うスループットの低下を最小限に抑えることができる。なお、レチクルステージRSTの速度が必ずしも零でなくても、その加速度が零であるときは撓み解消制御を行ってもよい。 Further, during the exposure process, the four corners of the reticle R are suctioned at a reduced pressure, and the bend elimination control is performed after the speed of the reticle stage RST becomes zero. There is no displacement of the reticle R due to. In addition, since the bend elimination control is performed after the exposure process for one shot area is completed until the exposure process for the next shot area is started, it is possible to minimize a decrease in throughput due to the bend elimination. it can. Even if the speed of reticle stage RST is not necessarily zero, when the acceleration is zero, bend elimination control may be performed.
以上の結果として、微細なパターンを均一な線幅で忠実に基板上に転写することができ、高性能で高品質なマイクロデバイスを高い歩留まりで製造することができる。尚、照明光の照射によるレチクルRの撓みが大きい場合には、変数Nの値を「1」とし、各ショット領域の露光処理を終える毎に、撓み解消制御を行うようにすることが望ましい。 As a result, a fine pattern can be faithfully transferred onto a substrate with a uniform line width, and a high-performance and high-quality microdevice can be manufactured with a high yield. If the reticle R is greatly bent by illumination light irradiation, it is desirable to set the value of the variable N to “1” and to perform the bend elimination control every time the exposure processing of each shot area is completed.
デバイスとしての半導体素子は、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいて、レチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを製造するステップ、上述した実施形態の露光装置等によりレチクルのパターンをウエハに露光転写するステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。 A semiconductor element as a device includes a step of designing a function and performance of the device, a step of manufacturing a reticle based on the design step, a step of manufacturing a wafer from a silicon material, and the exposure apparatus of the above-described embodiment. It is manufactured through a step of exposing and transferring a pattern to a wafer, a device assembly step (including a dicing process, a bonding process, and a package process), an inspection step, and the like.
上記実施形態においては、レチクルRの膨張によるそのパターン像の倍率変化(投影光学系PLの倍率)を補正する場合について説明したが、補正対象とする光学特性は倍率に限られるものでなく、他の少なくとも1つの光学特性、例えばディストーション、像面湾曲等についても、レチクルRの影響によるその変化を計算により求めて、これらを補正するようにレンズコントローラ16を用いて投影光学系PLの光学特性を制御しても良い。また、上記実施形態ではレチクルRを減圧吸着する吸着ポートを用いるものとしたが、例えば静電吸着、あるいは減圧吸着と静電吸着を併用する吸着ポートなどを用いてもよい。さらに、上記実施形態では複数の載置部にそれぞれ吸着ポートを設けるものとしたが、載置部はその数が4つに限られるものでなく任意、例えば1つでもよいし、吸着ポートもその数が4つに限られるものでなく複数であればよい。また、上記実施形態では複数(4つ)の吸着ポートをそれぞれ独立に制御可能に構成しているが、全ての吸着ポートが独立に制御可能となっていなくてもよく、例えばレチクルRの撓みの傾向などによっては、少なくとも1つの吸着ポートが他の吸着ポートとは独立に制御可能となっているだけでもよい。
In the above embodiment, the case where the change in the magnification of the pattern image due to the expansion of the reticle R (the magnification of the projection optical system PL) is corrected has been described. However, the optical characteristics to be corrected are not limited to the magnification. At least one of the optical characteristics of the projection optical system PL, for example, distortion, curvature of field, and the like is calculated by calculating the change due to the influence of the reticle R, and the optical characteristics of the projection optical system PL are adjusted by using the
なお、前述の撓み解消制御を行う載置部が適用されるレチクルステージRST、レチクル干渉計などを含む露光装置の構成は上記実施形態に限られるものでなく任意で構わない。例えば、駆動系12の一部(リニアモータユニット20a,20bの固定子など)をカウンターマスとして振動の発生などを抑えるようにしてもよい。
Note that the configuration of the exposure apparatus including the reticle stage RST, the reticle interferometer, and the like to which the mounting unit that performs the above-described deflection elimination control is applied is not limited to the above embodiment, and may be arbitrary. For example, a part of the drive system 12 (such as the stators of the
また、上記実施形態ではレチクルステージRST上で、例えば合成石英からなる透過型のレチクルを保持するものとしたが、電子線やイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置、X線露光装置などで用いられる透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)、あるいはEUV露光装置で用いられる反射型マスクなどを載置するステージに本発明を適用してもよい。さらに、マスクのパターンが転写される物体を載置するステージに本発明を適用してもよい。 In the above embodiment, a transmissive reticle made of synthetic quartz, for example, is held on the reticle stage RST. However, in an exposure apparatus using a charged particle beam such as an electron beam or an ion beam, an X-ray exposure apparatus, or the like. The present invention may be applied to a stage on which a transmission type mask (stencil mask, membrane mask) used or a reflection type mask used in an EUV exposure apparatus is mounted. Furthermore, the present invention may be applied to a stage on which an object on which a mask pattern is transferred is placed.
また、上記実施形態においては、露光装置としてステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明したが、ステップ・アンド・リピート方式あるいはステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナー、例えば国際公開WO99/49504などに開示される、投影光学系PLとウエハとの間に液体(例えば純水など)が満たされる液浸型露光装置などに適用することも可能である。液浸型露光装置は、反射屈折型の投影光学系を用いる走査露光方式でもよいし、あるいは投影倍率が1/8の投影光学系を用いる静止露光方式でもよい。後者の液浸型露光装置では、基板上に大きなパターンを形成するために、ステップ・アンド・スティッチ方式を採用することが好ましい。また、半導体素子や液晶表示素子の製造に用いられる露光装置だけでなく、プラズマディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、及び撮像素子(CCD等)の製造にも用いられる露光装置、及びレチクル、又はマスクを製造するために、ガラス基板、又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。即ち本発明は、露光装置の露光方式や用途等に関係なく適用可能である。 In the above embodiment, the step-and-scan type exposure apparatus is described as an example of the exposure apparatus. However, the step-and-repeat type or step-and-stitch type exposure apparatus, mirror projection aligner, and the like are described. For example, the present invention can be applied to an immersion type exposure apparatus disclosed in International Publication WO99 / 49504 or the like in which a liquid (for example, pure water) is filled between the projection optical system PL and the wafer. The immersion exposure apparatus may be a scanning exposure system using a catadioptric projection optical system, or a static exposure system using a projection optical system with a projection magnification of 1/8. In the latter immersion type exposure apparatus, it is preferable to adopt a step-and-stitch method in order to form a large pattern on the substrate. Also, not only exposure apparatuses used for manufacturing semiconductor elements and liquid crystal display elements, but also exposure apparatuses, reticles, and masks used for manufacturing plasma displays, thin film magnetic heads, and image sensors (CCD, etc.) are manufactured. Therefore, the present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern to a glass substrate or a silicon wafer. In other words, the present invention can be applied regardless of the exposure method and application of the exposure apparatus.
さらに、上記実施形態においては、マスク(レチクルR)の撓み解消を例にして説明したが、例えばマスクを製造するために用いられる露光装置においては、マスクの母材としてのブランクス(マスク製造用基板)が処理対象基板となるが、このようなマスク製造用基板の撓み解消についても、本発明を適用することができる。加えて、本発明は、これらの露光装置のみならず、板状物体を吸着保持するステージ装置を備えたあらゆる装置に適用することができる。 Furthermore, in the above-described embodiment, the description has been given by taking the mask (reticle R) as an example to eliminate bending. However, in an exposure apparatus used for manufacturing a mask, for example, blanks (mask manufacturing substrate) as a base material of the mask ) Is the substrate to be processed, but the present invention can also be applied to the elimination of the bending of the mask manufacturing substrate. In addition, the present invention can be applied not only to these exposure apparatuses but also to any apparatus provided with a stage apparatus that holds a plate-like object by suction.
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiment described above is described for facilitating understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.
10a〜10d…載置部
16…レンズコントローラ(光学特性制御部)
27a〜27d…吸着ポート
30…主制御系(算出部)
34…減圧制御部(吸着制御部)
IL…照明光学系
PL…投影光学系
R…レチクル(マスク)
RST…レチクルステージ(マスクステージ)
W…ウエハ(基板)
WST…ウエハステージ(基板ステージ)
10a to 10d:
27a to 27d ...
34 ... Depressurization control unit (adsorption control unit)
IL: Illumination optical system PL ... Projection optical system R ... Reticle (mask)
RST ... Reticle stage (mask stage)
W ... Wafer (substrate)
WST ... Wafer stage (substrate stage)
Claims (10)
前記ステージ上に設けられ、前記板状物体とその周辺で当接し、前記板状物体を吸着する複数の吸着ポートを有する載置部と、
前記複数の吸着ポートによる前記板状物体の吸着を制御するとともに、前記複数の吸着ポートの少なくとも1つを他の吸着ポートとは独立に制御可能な吸着制御部と
を備えることを特徴とするステージ装置。 A stage device having a stage for holding a plate-like object,
A mounting portion provided on the stage, having a plurality of suction ports that contact the plate-like object and its periphery and suck the plate-like object;
And a suction control unit that controls suction of the plate-like object by the plurality of suction ports and that can control at least one of the plurality of suction ports independently of other suction ports. apparatus.
前記マスクを照明する照明光学系と、
前記マスクのパターンの像を前記基板に投影する投影光学系と、
前記マスクを保持するマスクステージを有するマスクステージ装置と、
前記基板を保持する基板ステージを有する基板ステージ装置とを備え、
前記マスクステージ装置及び前記基板ステージ装置の少なくとも一方が請求項1に記載のステージ装置を含むことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate through a mask pattern,
An illumination optical system for illuminating the mask;
A projection optical system that projects an image of the pattern of the mask onto the substrate;
A mask stage device having a mask stage for holding the mask;
A substrate stage device having a substrate stage for holding the substrate;
An exposure apparatus, wherein at least one of the mask stage apparatus and the substrate stage apparatus includes the stage apparatus according to claim 1.
前記吸着制御部は、前記算出部の算出結果に基づいて前記吸着ポートによる前記マスク又は前記基板の吸着を制御して、前記マスク又は前記基板の伸縮による応力を開放することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 The amount of irradiation energy accumulated in the mask or the substrate with the illumination of the mask or the exposure of the substrate is calculated, and the amount of expansion or contraction of the mask or the substrate is calculated based on information related to the calculated amount of irradiation energy. A calculation unit for calculating,
The suction control unit controls the suction of the mask or the substrate by the suction port based on the calculation result of the calculation unit, and releases stress due to expansion and contraction of the mask or the substrate. 2. The exposure apparatus according to 2.
前記マスクの周辺の複数箇所で前記マスクを吸着した状態で前記マスクを前記マスクステージ上に保持する保持ステップと、
前記照明光の照射により生ずる前記マスクの伸縮量に応じて、前記マスクを吸着している複数箇所のうちの少なくとも1箇所の吸着を解除する解除ステップと
を含むことを特徴とする露光方法。 An exposure method for exposing a substrate through a mask pattern held on a mask stage,
A holding step of holding the mask on the mask stage in a state in which the mask is adsorbed at a plurality of locations around the mask;
And a releasing step of releasing attraction of at least one of the plurality of locations adsorbing the mask according to the amount of expansion and contraction of the mask caused by irradiation of the illumination light.
前記解除ステップは、
前記同期移動方向に交差する方向に平行な辺に沿う二組の吸着箇所のうちの一組の吸着箇所の吸着を解除して前記同期移動方向の前記マスクの伸縮による応力を開放する第1解除ステップと、
前記第1解除ステップで解除した吸着箇所を再び吸着した後に、前記同期移動方向に平行な辺に沿う二組の吸着箇所のうちの一組の吸着箇所の吸着を解除して前記同期移動方向に交差する方向の前記マスクの伸縮による応力を開放する第2解除ステップと
を含むことを特徴とする請求項9に記載の露光方法。 The holding step includes a step of holding the four corners on the mask stage by vacuum-adsorbing the four corners so that the two sides of the rectangular mask are substantially parallel to the synchronous movement direction,
The release step includes
The first release that releases the stress caused by the expansion and contraction of the mask in the synchronous movement direction by releasing the adsorption of one set of the suction points of the two sets of suction points along the side parallel to the direction intersecting the synchronous movement direction. Steps,
After sucking again the suction location released in the first release step, the suction of one set of suction locations of the two sets of suction locations along the side parallel to the synchronous movement direction is released to move in the synchronous movement direction. The exposure method according to claim 9, further comprising: a second releasing step of releasing stress due to expansion and contraction of the mask in the intersecting direction.
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