JP2006032779A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半田から与えられる応力を遮蔽して半導体層へのダメージを抑制した窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】 窒化物半導体発光素子10は、絶縁性基板11上にn−GaN層12が形成され、n−GaN層12上にp−GaN層13とn電極14とが形成され、p−GaN層13上にp電極15が形成され、n電極14の一部が露出する露出部16aとp電極の一部が露出する露出部16bとを有しながら光取り出し主面の反対面を覆う絶縁膜16が形成され、露出孔16aを埋める半田電極17aと露出孔16bを埋める半田電極17bとが形成されて構成される。
【選択図】 図1
【解決手段】 窒化物半導体発光素子10は、絶縁性基板11上にn−GaN層12が形成され、n−GaN層12上にp−GaN層13とn電極14とが形成され、p−GaN層13上にp電極15が形成され、n電極14の一部が露出する露出部16aとp電極の一部が露出する露出部16bとを有しながら光取り出し主面の反対面を覆う絶縁膜16が形成され、露出孔16aを埋める半田電極17aと露出孔16bを埋める半田電極17bとが形成されて構成される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、基板上にp及びn伝導型窒化物半導体層が積層された窒化物半導体発光素子に関するものである。
窒化物半導体発光素子は一般にサファイア等の絶縁性基板上に成長される。そのため素子の電極は半導体層側に正負一対の電極が形成された所謂フリップチップ型が採用される。この素子は、ヒートシンク、サブマウント、ステム等の熱伝導性の良い支持体に電極側を対向させてボンディングされ得る(フェイスダウンボンディング)。そのボンディングには一般に半田が用いられる。
特許文献1には、同一面側に正負一対の電極を有するレーザチップが、支持体にフェイスダウンでボンディングされてなるレーザ素子であって、前記支持体の表面には絶縁膜が形成されて、その絶縁膜の表面にリード電極が形成されており、前記レーザチップの少なくとも一方の電極が前記リード電極にボンディングされているレーザ素子が開示されている。これにより、素子の放熱性を高めている。
また特許文献1では、正負両電極の段差を補って安定してボンディングするために、支持体側の絶縁膜やリード電極の厚さを調整し、素子を水平にボンディングしている。
特開平9−223846号公報
しかしながら、正負両電極に段差がなければ支持体側で厚さを調整する必要はない。
また、一般に半田を用いた接着は、金属の溶融・凝固で行われるため、接着部分へ応力によるダメージを与えやすい。これにより、発光層が半導体層表面に近い位置に存在する窒化物半導体発光素子において、半導体層への影響が懸念される。
本発明は、半田から与えられる応力を遮蔽して半導体層へのダメージを抑制した窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。また、支持体への接着面を平坦化して接着の安定化を図った窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、基板上にp及びn伝導型窒化物半導体層が積層された窒化物半導体発光素子において、光取り出し主面の反対面に形成されたp及び/又はn電極と、該電極の一部が露出する露出孔を有しながら光取り出し主面の反対面を覆う絶縁膜と、少なくとも前記露出孔を埋める半田電極とを備えたことを特徴とする。
なお、支持体への接着安定性の観点から前記絶縁膜の表面を略平坦面とすることが望ましい。
また、前記絶縁膜には有機物を用いることができ、特にポリイミドが好ましい。また、絶縁膜は有機物と無機物との積層構造としてもよい。有機物としてはポリイミド、無機物としてはSiNやSiO2を用いるができる。
また、支持体への接着安定性の観点から前記露出孔の上方の半田電極の表面を凹面としてもよい。
また、半田を流し込む際に生じる応力を遮断するために、前記光取り出し主面の反対面に形成されたp及び/又はn電極と前記半田電極との間に導電性のカバー電極を形成してもよい。
また、前記カバー電極の表面積が前記露出孔よりも大きいことが好ましい。
本発明によれば、露出孔を有する絶縁膜を導入することにより、半田を流し込む際に生じる応力をある程度遮蔽して半導体層へのダメージを抑制することができる。
また本発明によれば、絶縁膜の表面を略平坦面とすることにより、窒化物半導体発光素子を支持体にボンディングする際に、水平に安定して接着できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
〈第1の実施形態〉
図1は、第1の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。窒化物半導体発光素子10は、絶縁性基板11上にn−GaN層12が形成され、n−GaN層12上にp−GaN層13とn電極14とが形成され、p−GaN層13上にp電極15が形成され、n電極14の一部が露出する露出部16aとp電極の一部が露出する露出部16bとを有しながら光取り出し主面の反対面を覆う絶縁膜16が形成され、露出孔16aを埋める半田電極17aと露出孔16bを埋める半田電極17bとが形成されて構成される。このように、窒化物半導体発光素子10はフリップチップ型である。
図1は、第1の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。窒化物半導体発光素子10は、絶縁性基板11上にn−GaN層12が形成され、n−GaN層12上にp−GaN層13とn電極14とが形成され、p−GaN層13上にp電極15が形成され、n電極14の一部が露出する露出部16aとp電極の一部が露出する露出部16bとを有しながら光取り出し主面の反対面を覆う絶縁膜16が形成され、露出孔16aを埋める半田電極17aと露出孔16bを埋める半田電極17bとが形成されて構成される。このように、窒化物半導体発光素子10はフリップチップ型である。
絶縁性基板11には、サファイア基板を用いることができる。そして、絶縁性基板11のn−GaN層12とは反対側の面が光取り出し主面となる。
n電極14には、Al、Pd、Au、Ti等を用いることができる。また、p電極15には、Pt、Ti、Au、Ag、Al等を用いることができる。
絶縁膜16には、有機物を用いることができる。有機物としては、製膜性、弾性、耐熱性の点からポリイミドが適切である。そして、絶縁膜16の表面は略平坦面となるように形成することが望ましい。段差をなくすことにより、窒化物半導体発光素子10を支持体(不図示)にボンディングする際に、水平に安定して接着できるからである。
露出孔16a、16bは、対応する電極14、15の一部を露出する大きさとすることにより、半田電極17a、17bとn電極14又はp電極15との接触面積を小さくでき、半田を流し込む際に生じる応力をある程度遮蔽して半導体層へのダメージを抑制することができる。なお、露出孔16a、16bの形状には特に限定はなく、円柱形、紡錘形、三角柱や四角柱などの多角柱形とすることができる。
半田電極17a、17bは、それぞれ露出孔16a、16bを埋めるとともに、絶縁膜16の表面に広がっている。半田電極17a、17bを絶縁膜16の表面に広げることにより、支持体への接着力と接着安定性を増している。
〈第2の実施形態〉
図2は、第2の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第1の実施形態と異なる構成部分について説明し、第1の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子20は、n電極14の直下にn−GaN層12及び絶縁性基板11を貫通する穴が形成され、該穴が導電性材料21で埋められ、絶縁性基板11のn−GaN層12と反対面に、導電性材料21と接するn電極14’が形成されて構成される。
図2は、第2の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第1の実施形態と異なる構成部分について説明し、第1の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子20は、n電極14の直下にn−GaN層12及び絶縁性基板11を貫通する穴が形成され、該穴が導電性材料21で埋められ、絶縁性基板11のn−GaN層12と反対面に、導電性材料21と接するn電極14’が形成されて構成される。
図1で露出孔16aがあった部分は絶縁膜16で満たされ、絶縁膜16の表面は略平坦面となるように形成される。
このように、p、n電極を反対面に設けた場合でも、絶縁膜16を導入することにより、窒化物半導体発光素子20のボンディング側の表面の段差をなくし、半田電極17b形成時の半導体層へのダメージを抑制することができる。
〈第3の実施形態〉
図3は、第3の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第1の実施形態と異なる点について説明し、第1の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子30は、n電極14の一部が露出する露出部16aとp電極の一部が露出する露出部16bとを有しながら光取り出し主面の反対面を覆う絶縁膜31が形成され、該絶縁膜31上に絶縁膜16が形成されて構成される。つまり第1の実施形態の絶縁膜16を絶縁膜16及び31に置き換えたものである。
図3は、第3の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第1の実施形態と異なる点について説明し、第1の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子30は、n電極14の一部が露出する露出部16aとp電極の一部が露出する露出部16bとを有しながら光取り出し主面の反対面を覆う絶縁膜31が形成され、該絶縁膜31上に絶縁膜16が形成されて構成される。つまり第1の実施形態の絶縁膜16を絶縁膜16及び31に置き換えたものである。
絶縁膜31には、無機物を用いることができる。無機物としては、SiNやSiO2を用いることができる。
このように、絶縁膜16の下層に絶縁膜31を導入することにより、絶縁膜が有機物と無機物との積層構造からなり、絶縁膜16表面の平坦化を促進することができる。
〈第4の実施形態〉
図4は、第4の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第1の実施形態と異なる点について説明し、第1の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子40は、露出孔16a、16bの上方の半田電極17a、17bの表面が凹面となっている。
図4は、第4の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第1の実施形態と異なる点について説明し、第1の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子40は、露出孔16a、16bの上方の半田電極17a、17bの表面が凹面となっている。
これにより、絶縁膜16があまり平坦でない場合でも、半田の量を増加させることで接着性と電気接触を可能としている。
〈第5の実施形態〉
図5は、第5の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第1の実施形態と異なる点について説明し、第1の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子50は、n電極14と半田電極17aとの間、p電極15と半田電極17bとの間に、それぞれAu等の導電性のカバー電極51a、51bが形成されて構成される。なお、図5に示すように、放熱性向上のためカバー電極51a、51bは、n−GaN層12と絶縁膜16との間、p−GaN層13と絶縁膜16との間に及んでもよい。換言すれば、カバー電極51a、51bの表面積が露出孔16a、16bよりも大きいということである。
図5は、第5の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第1の実施形態と異なる点について説明し、第1の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子50は、n電極14と半田電極17aとの間、p電極15と半田電極17bとの間に、それぞれAu等の導電性のカバー電極51a、51bが形成されて構成される。なお、図5に示すように、放熱性向上のためカバー電極51a、51bは、n−GaN層12と絶縁膜16との間、p−GaN層13と絶縁膜16との間に及んでもよい。換言すれば、カバー電極51a、51bの表面積が露出孔16a、16bよりも大きいということである。
このようにカバー電極51a、51bを導入することにより、半田を流し込む際に生じる応力をカバー電極51a、51bで遮蔽して半導体層へのダメージを抑制することができる。
〈第6の実施形態〉
図6は、第6の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第1の実施形態と異なる点について説明し、第1の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子60は、導電性基板61が用いられ、導電性基板61下にn電極14が形成されて構成される。
図6は、第6の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第1の実施形態と異なる点について説明し、第1の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子60は、導電性基板61が用いられ、導電性基板61下にn電極14が形成されて構成される。
このように、導電性基板61を用いることにより、サブマウント等を使用することなく、簡単にランプ等として組み立てることができる。
〈第7の実施形態〉
図7は、第7の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第6の実施形態と異なる点について説明し、第6の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子70は、絶縁性基板11に替えて、半田電極17b上に導電性の貼替基板71を設けたものである。
図7は、第7の実施形態の窒化物半導体発光素子の概略側断面図である。以下、第6の実施形態と異なる点について説明し、第6の実施形態と同様の構成部分についての説明は省略する。窒化物半導体発光素子70は、絶縁性基板11に替えて、半田電極17b上に導電性の貼替基板71を設けたものである。
このように、貼替基板71を用いることにより、第6の実施形態と同様に簡単にランプ等として組み立てることができる。
本発明の窒化物半導体発光素子は、各種ランプをはじめ、光ディスク読み取り用のレーザ素子としても利用することができる。
10、20、30、40、50、60、70 窒化物半導体発光素子
11 絶縁性基板
12 n−GaN層
13 p−GaN層
14 n電極
15 p電極
16、31 絶縁膜
16a、16b 露出部
17a、17b 半田電極
11 絶縁性基板
12 n−GaN層
13 p−GaN層
14 n電極
15 p電極
16、31 絶縁膜
16a、16b 露出部
17a、17b 半田電極
Claims (8)
- 基板上にp及びn伝導型窒化物半導体層が積層された窒化物半導体発光素子において、
光取り出し主面の反対面に形成されたp及び/又はn電極と、
該電極の一部が露出する露出孔を有しながら光取り出し主面の反対面を覆う絶縁膜と、
少なくとも前記露出孔を埋める半田電極とを備えたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記絶縁膜の表面を略平坦面とする請求項1記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記絶縁膜が有機物である請求項1記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記絶縁膜がポリイミドである請求項1記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記絶縁膜が有機物と無機物との積層構造からなる請求項1記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記露出孔の上方の半田電極の表面が凹面である請求項1記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記光取り出し主面の反対面に形成されたp及び/又はn電極と、前記半田電極との間に導電性のカバー電極を形成する請求項1記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記カバー電極の表面積が前記露出孔よりも大きい請求項7記載の窒化物半導体発光素子。
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