JP2006019461A - Vapor epitaxial growth device and epitaxial wafer - Google Patents

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JP2006019461A JP2004195117A JP2004195117A JP2006019461A JP 2006019461 A JP2006019461 A JP 2006019461A JP 2004195117 A JP2004195117 A JP 2004195117A JP 2004195117 A JP2004195117 A JP 2004195117A JP 2006019461 A JP2006019461 A JP 2006019461A
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美和子 鈴木
Katsuya Akimoto
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor epitaxial growth device capable of obtaining epitaxial layers having different compositions on both surfaces of a substrate by a chemical vapor growth and an epitaxial wafer. <P>SOLUTION: The vapor epitaxial growth device has a reaction tube 6, a separating plate 4 separating the reaction tube into an upper chamber 61 and a lower chamber 62, a first gas introducing port 10 introducing a first growth gas into the upper chamber 61, and a second gas introducing port 14 introducing a second growth gas into the lower chamber 62. The vapor epitaxial growth device further has a tabular susceptor 2 being arranged so as to form approximately the same plane as the separating plate 4 in the opening 4a of the separating plate 4 and having an opening section 2a for mounting the substrate, and a heater 1 heating the substrate 3. The second epitaxial layer by the second growth gas is formed on the rear of the substrate exposed to the lower chamber 62 side from the opening section 2a, while the first epitaxial layer by the first growth gas is formed on the surface of the substrate 3 by fitting the substrate 3 so as to close the opening section 2a formed to the susceptor 2. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基板の両面に化学的気相成長法によりエピタキシャル層を形成する気相エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェハに関するものである。   The present invention relates to a vapor phase epitaxial growth apparatus and an epitaxial wafer that form epitaxial layers on both sides of a substrate by chemical vapor deposition.

従来、エピタキシャル層は、加熱した基板の表面に成長ガスを供給し、化学反応により基板上に薄膜をエピタキシャル成長させる化学的気相成長法により形成されている。   Conventionally, an epitaxial layer is formed by a chemical vapor deposition method in which a growth gas is supplied to the surface of a heated substrate and a thin film is epitaxially grown on the substrate by a chemical reaction.

このエピタキシャル層を形成する気相エピタキシャル成長装置としては、たとえば図３に示すようなものがある。   An example of a vapor phase epitaxial growth apparatus for forming this epitaxial layer is shown in FIG.

この気相エピタキシャル成長装置では、反応管６内に設けられた台１８にサセプタ１７を取りつけ、サセプタ１７上に基板３を載せ、回転軸５によりサセプタ１７を回転させ、基板３を反応管６の上下面に設けたヒータ１により加熱しつつ、形成したいエピタキシャル層に合わせたキャリアガス１９、III族成長ガス２０、Ｖ族成長ガス２１を、導入口２２から供給し、基板３上にエピタキシャル層を形成して、エピタキシャルウェハを得ている。なお、２３は排気口である。   In this vapor phase epitaxial growth apparatus, a susceptor 17 is mounted on a table 18 provided in a reaction tube 6, the substrate 3 is placed on the susceptor 17, the susceptor 17 is rotated by a rotating shaft 5, and the substrate 3 is placed on the reaction tube 6. A carrier gas 19, a group III growth gas 20, and a group V growth gas 21 matched to the epitaxial layer to be formed are supplied from the inlet 22 while being heated by the heater 1 provided on the lower surface, and an epitaxial layer is formed on the substrate 3. Thus, an epitaxial wafer is obtained. Reference numeral 23 denotes an exhaust port.

この気相エピタキシャル成長装置で、基板の反りを防止する目的で、基板の両面にエピタキシャル層を形成する場合、一度基板の表面にエピタキシャル層を成長させた後、基板を裏返し、基板の裏面に同様にエピタキシャル層を成長させる必要がある。しかし、かかる方法は、二段階の成長プロセスを必要とすることから生産効率が低い。   In this vapor phase epitaxial growth apparatus, when an epitaxial layer is formed on both sides of the substrate for the purpose of preventing the warpage of the substrate, the epitaxial layer is once grown on the surface of the substrate, then the substrate is turned over, and similarly on the back side of the substrate. It is necessary to grow an epitaxial layer. However, this method is low in production efficiency because it requires a two-stage growth process.

そこで、基板の両面に同時にエピタキシャル層を形成する気相エピタキシャル成長装置として、たとえば図４に示すようなものがある（特許文献１）。これは、一端側にガス供給口３０を有し、他端側がキャップ３２で閉じられ、且つその片端側側壁にガス排気口３１が設けられた反応管２９内に、ガス供給口３０側に位置して反応ガスとキャリアガスとの混合ガスを上下に分離する分離板２５と、この分離板２５の下流側に位置して、ウェハ（基板３）を保持するリング状の載置台２６と、この載置台２６を操作する操作棒２７と、載置台２６を保持する保持板２８とを備え、また反応管２９の外側に赤外線ランプ２４を備えてなる半導体成長装置である。   Therefore, as a vapor phase epitaxial growth apparatus for simultaneously forming epitaxial layers on both surfaces of a substrate, there is one as shown in FIG. 4 (Patent Document 1). This is located on the gas supply port 30 side in a reaction tube 29 having a gas supply port 30 on one end side, closed on the other end side with a cap 32, and provided with a gas exhaust port 31 on one side wall thereof. Then, a separation plate 25 for separating the mixed gas of the reaction gas and the carrier gas up and down, a ring-shaped mounting table 26 for holding the wafer (substrate 3), which is located downstream of the separation plate 25, and The semiconductor growth apparatus includes an operation rod 27 for operating the mounting table 26 and a holding plate 28 for holding the mounting table 26, and an infrared lamp 24 outside the reaction tube 29.

この気相エピタキシャル成長装置では、基板３の両面に同一組成のエピタキシャル層を形成してエピタキシャルウェハを得ている。
特開平１−１４４６２０公報 In this vapor phase epitaxial growth apparatus, an epitaxial wafer is obtained by forming epitaxial layers having the same composition on both surfaces of a substrate 3.
JP-A-1-144620

しかしながら、図３のような気相エピタキシャル成長装置においては、基板の両面に異なる組成のエピタキシャル層を形成する場合、基板を裏返すための所要時間を設ける必要があり、基板の両面に所望の厚さまでエピタキシャル層を形成するのに要する時間が長くなるという問題点がある。   However, in the vapor phase epitaxial growth apparatus as shown in FIG. 3, when forming epitaxial layers having different compositions on both sides of the substrate, it is necessary to provide a time required to turn the substrate over, and epitaxial growth up to a desired thickness on both sides of the substrate. There is a problem that the time required to form the layer becomes long.

また、図４のような気相エピタキシャル成長装置においては、基板の両面に同一組成のエピタキシャル層しか形成できないという問題点がある。   Further, the vapor phase epitaxial growth apparatus as shown in FIG. 4 has a problem that only epitaxial layers having the same composition can be formed on both surfaces of the substrate.

一方で、１チップで様々な混合色を表現するための手段のひとつとして、両面発光ＬＥＤ、ＬＤが考案されている（特開平５−３３５６２５号公報参照）。これは基板の両面で、発光層の組成あるいは添加する不純物を変えることで２波長で発振するレーザダイオード（ＬＤ）又は発光ダイオード（ＬＥＤ）を得るものである。   On the other hand, as one of means for expressing various mixed colors with one chip, a double-sided light emitting LED and LD have been devised (see Japanese Patent Laid-Open No. 5-335625). This is to obtain a laser diode (LD) or a light emitting diode (LED) that oscillates at two wavelengths by changing the composition of the light emitting layer or the impurities to be added on both sides of the substrate.

しかしながら、従来の発光素子と同様の成長速度で、両面にエピタキシャル層が成長できる製造装置は考案されていない。   However, a manufacturing apparatus that can grow an epitaxial layer on both sides at the same growth rate as that of a conventional light emitting device has not been devised.

そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、基板の両面に、化学的気相成長法により異なる組成のエピタキシャル層を得ることが出来る気相エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェハを提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a vapor phase epitaxial growth apparatus and an epitaxial wafer capable of solving the above-described problems and obtaining epitaxial layers having different compositions on both surfaces of a substrate by chemical vapor deposition.

上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。   In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows.

請求項１の発明に係る気相エピタキシャル成長装置は、反応管と、前記反応管を上部室と下部室とに分離する分離板と、前記上部室に第１の成長ガスを導入する第１のガス導入口と、前記下部室に第２の成長ガスを導入する第２のガス導入口と、前記分離板の開口内に分離板とほぼ同一平面を形成するように配置された板状のサセプタであって、基板を設置する開口部を備えたサセプタと、前記基板を加熱する手段とを具備し、前記サセプタが備える開口部を閉鎖するように前記基板を設置することにより、前記開口部から前記下部室側に露出した前記基板の裏面に前記第２の成長ガスによる第２のエピタキシャル層を形成するとともに、前記基板の表面に前記第１の成長ガスによる第１のエピタキシャル層を形成することを可能としたことを特徴とする。   A vapor phase epitaxial growth apparatus according to a first aspect of the present invention includes a reaction tube, a separation plate that separates the reaction tube into an upper chamber and a lower chamber, and a first gas that introduces a first growth gas into the upper chamber. An inlet, a second gas inlet for introducing a second growth gas into the lower chamber, and a plate-like susceptor arranged so as to form substantially the same plane as the separator in the opening of the separator A susceptor having an opening for installing the substrate; and means for heating the substrate; and by installing the substrate so as to close the opening provided in the susceptor, Forming a second epitaxial layer by the second growth gas on the back surface of the substrate exposed to the lower chamber side, and forming a first epitaxial layer by the first growth gas on the surface of the substrate; What was possible And it features.

請求項２の発明は、請求項１に記載の気相エピタキシャル成長装置において、前記基板を前記平面内で回転させる手段を具備していることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, there is provided the vapor phase epitaxial growth apparatus according to the first aspect, further comprising means for rotating the substrate in the plane.

請求項３の発明は、請求項１又２に記載の気相エピタキシャル成長装置において、前記サセプタは、前記サセプタと前記分離板の隙間から漏れ出た第１の成長ガスが前記基板の裏面に付着しない程度の半径、又は第２の成長ガスが前記基板の表面に付着しない程度の半径を有することを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the vapor phase epitaxial growth apparatus according to the first or second aspect, the susceptor does not allow the first growth gas leaking from a gap between the susceptor and the separation plate to adhere to the back surface of the substrate. It is characterized in that it has a radius of a degree or a radius that does not allow the second growth gas to adhere to the surface of the substrate.

請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の気相エピタキシャル成長装置において、前記上部室に導入する第１の成長ガスの圧力と、前記下部室に導入する第２の成長ガスの圧力とをほぼ一定にしたことを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the vapor phase epitaxial growth apparatus according to any one of the first to third aspects, the pressure of the first growth gas introduced into the upper chamber and the second growth gas introduced into the lower chamber. It is characterized by the fact that the pressure is substantially constant.

請求項５の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の気相エピタキシャル成長装置において、前記上部室に導入する第１の成長ガスの流速と、前記下部室に導入する第２の成長ガスの流速とをほぼ一定にしたことを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the vapor phase epitaxial growth apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the flow velocity of the first growth gas introduced into the upper chamber and the second growth gas introduced into the lower chamber. It is characterized by the fact that the flow rate of the gas is almost constant.

請求項６の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の気相エピタキシャル成長装置において、前記第１の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層が、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰのいずれかから選ばれたものであり、前記第２の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層が、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、のいずれかから選ばれたものであり、前記第１の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層と前記第２の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層とが異なる組合せからなることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the vapor phase epitaxial growth apparatus according to any one of the first to fifth aspects, the epitaxial layer formed by the first growth gas is formed of GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaAlAs, GaP, GaInP, The epitaxial layer formed by the second growth gas is selected from any one of GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaAlAs, GaP, GaInP, GaAlInP, and GaInAsP, which is selected from GaAlInP and GaInAsP. The epitaxial layer formed by the first growth gas and the epitaxial layer formed by the second growth gas are composed of different combinations.

請求項７の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の気相エピタキシャル成長装置において、前記第１の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかから選ばれたものであり、前記第２の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、のいずれかから選ばれたものであり、前記第１の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層と前記第２の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層とが異なる組合せからなることを特徴とする。   The invention according to claim 7 is the vapor phase epitaxial growth apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the epitaxial layer formed by the first growth gas is selected from any one of GaN, AlGaN, and InGaN. The epitaxial layer formed by the second growth gas is selected from GaN, AlGaN, and InGaN, and the epitaxial layer formed by the first growth gas and the first layer The epitaxial layer formed by the two growth gases is composed of a different combination.

請求項８の発明に係るエピタキシャルウェハは、２つの面にそれぞれ異なる組成のエピタキシャル層を有することを特徴とする。   An epitaxial wafer according to an eighth aspect of the present invention is characterized by having epitaxial layers having different compositions on two surfaces.

請求項９の発明は、請求項８に記載のエピタキシャルウェハにおいて、一方の面に形成されたエピタキシャル層が、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、のいずれかから選ばれたものであり、他方の面に形成されたエピタキシャル層が、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰのいずれかから選ばれたものであり、前記一方の面に形成されたエピタキシャル層と前記他方の面に形成されたエピタキシャル層とが異なる組合せからなることを特徴とする。   The invention according to claim 9 is the epitaxial wafer according to claim 8, wherein the epitaxial layer formed on one surface is selected from any of GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaAlAs, GaP, GaInP, GaAlInP, and GaInAsP. The epitaxial layer formed on the other surface is selected from GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaAlAs, GaP, GaInP, GaAlInP, and GaInAsP, and is formed on the one surface. The epitaxial layer and the epitaxial layer formed on the other surface are composed of different combinations.

請求項１０の発明は、請求項８に記載のエピタキシャルウェハにおいて、一方の面に形成されたエピタキシャル層が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、のいずれかから選ばれたものであり、他方の面に形成されたエピタキシャル層が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかから選ばれたものであり、前記一方の面に形成されたエピタキシャル層と前記他方の面に形成されたエピタキシャル層とが異なる組合せからなることを特徴とする。   The invention according to claim 10 is the epitaxial wafer according to claim 8, wherein the epitaxial layer formed on one side is selected from GaN, AlGaN, and InGaN, and is formed on the other side. The epitaxial layer formed is selected from GaN, AlGaN, and InGaN, and the epitaxial layer formed on the one surface and the epitaxial layer formed on the other surface are composed of different combinations. It is characterized by.

本発明によれば、反応管内を分離板により独立した上部室と下部室とに分離し、その上部室と下部室との境界にサセプタをおき、これに設置した基板の一面を上部室に望ませ、他方の一面を下部室に望ませた構成としたので、次のような優れた効果が得られる。   According to the present invention, the inside of the reaction tube is separated into an upper chamber and a lower chamber which are separated by a separation plate, a susceptor is placed at the boundary between the upper chamber and the lower chamber, and one side of the substrate placed on this is desired in the upper chamber. However, since the other side is desired for the lower chamber, the following excellent effects can be obtained.

すなわち、本発明によれば、基板を裏返すことなく基板の両面に異なる組成のエピタキシャル層を同時に成長させることができ、従来の基板の片面にのみエピタキシャル成長させる場合と同様の成長速度でエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェハを製造できる。   That is, according to the present invention, epitaxial layers having different compositions can be simultaneously grown on both sides of the substrate without turning the substrate over, and the epitaxial layer is formed at the same growth rate as when epitaxially growing only on one side of a conventional substrate. Thus, an epitaxial wafer can be manufactured.

また本発明のエピタキシャルウェハは、２つの面にそれぞれ異なる組成のエピタキシャル層を有するので、これを用いて両面の発光波長の異なるＬＤ又はＬＥＤを作製することができる。   In addition, since the epitaxial wafer of the present invention has epitaxial layers having different compositions on the two surfaces, LDs or LEDs having different emission wavelengths on both surfaces can be produced.

以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on the illustrated embodiments.

図１に示す気相エピタキシャル成長装置は、反応管６と、この反応管６内に横方向に延在して置かれた分離板４により、上部室６１と下部室６２とに分離されている。正確には、この分離板４は、図２に示すように、側部は反応管６の側壁と気密に接合しており、これにより分離された上部室６１及び下部室６２の下流側端は、それぞれ排気口１５及び排気口１６を除いて端板６３で閉鎖されている。一方、分離板４で分離された上部室６１及び下部室６２の上流側の端部は、それぞれ第１のガス導入口１０及び第２のガス導入口１４として形成されている。   The vapor phase epitaxial growth apparatus shown in FIG. 1 is separated into an upper chamber 61 and a lower chamber 62 by a reaction tube 6 and a separation plate 4 extending in the lateral direction in the reaction tube 6. More precisely, as shown in FIG. 2, the side of the separation plate 4 is airtightly joined to the side wall of the reaction tube 6, and the downstream ends of the upper chamber 61 and the lower chamber 62 separated thereby are These are closed by end plates 63 except for the exhaust port 15 and the exhaust port 16. On the other hand, upstream ends of the upper chamber 61 and the lower chamber 62 separated by the separation plate 4 are formed as a first gas inlet 10 and a second gas inlet 14, respectively.

この第１のガス導入口（上部室側成長ガス導入口）１０は配管１０ａを通して、上部室側キャリアガス（ガス源）７、III族成長ガス（ガス源）８、Ｖ族成長ガス（ガス源）９と接続されている。また第２のガス導入口１４（下部室側成長ガス導入口）は配管１４ａを通して、下部室側キャリアガス（ガス源）１１、III族成長ガス（ガス源）１２、Ｖ族成長ガス（ガス源）１３と接続されている。   The first gas introduction port (upper chamber side growth gas introduction port) 10 is connected to the upper chamber side carrier gas (gas source) 7, the group III growth gas (gas source) 8, the group V growth gas (gas source) through the pipe 10a. ) 9. The second gas introduction port 14 (lower chamber side growth gas introduction port) passes through the pipe 14a, and the lower chamber side carrier gas (gas source) 11, group III growth gas (gas source) 12, group V growth gas (gas source). ) 13.

上記分離板４にはほぼ中央に開口４ａ（図２）が設けられ、この開口４ａ内に、分離板４とほぼ同一平面を形成するように板状のサセプタ２が配置されている。このサセプタ２には、基板を設置するため上下に貫通された開口部２ａが設けられ、その開口部２ａ下面から内向きに突き出した支持爪２ｂを備えており、この支持爪２ｂにより開口部２ａ内にセットした基板３を平らに支持する構成となっている。   The separation plate 4 is provided with an opening 4a (FIG. 2) at substantially the center, and the plate-shaped susceptor 2 is disposed in the opening 4a so as to form substantially the same plane as the separation plate 4. The susceptor 2 is provided with an opening 2a penetrating up and down in order to install the substrate, and is provided with a support claw 2b protruding inward from the lower surface of the opening 2a. The substrate 3 set inside is configured to be supported flat.

上記サセプタ２にセットされた基板３を加熱すべく、反応管６の外側には、上下に加熱手段たるヒータ１が配設されている。また端板６３を貫いて回転軸５が設けられ、その先端のベベルギヤ５ａによって、上記サセプタ２にセットされた基板３を、分離板４とほぼ同一の平面内で回転させる構成となっている。   In order to heat the substrate 3 set on the susceptor 2, a heater 1 serving as a heating means is disposed up and down outside the reaction tube 6. Further, a rotary shaft 5 is provided through the end plate 63, and the substrate 3 set on the susceptor 2 is rotated in substantially the same plane as the separation plate 4 by a bevel gear 5a at the tip thereof.

換言すれば、この気相エピタキシャル成長装置は、反応管６と、この反応管を上部室６１と下部室６２とに分離する分離板４と、上部室６１に第１の成長ガスを導入する第１のガス導入口１０と、下部室６２に第２の成長ガスを導入する第２のガス導入口１４と、分離板４の開口４ａ内に分離板４と同一平面を形成するように配置された板状のサセプタ２であって、基板３を設置する開口部２ａを備えたサセプタ２と、上記基板３を加熱する手段としてのヒータ１とを具備する。そして、上記サセプタ２が備える開口部２ａを閉鎖するように基板３を設置することにより、開口部２ａから下部室６２側に露出した基板３の裏面に第２の成長ガスによる第２のエピタキシャル層を形成するとともに、基板３の表面に第１の成長ガスによる第１のエピタキシャル層を形成する。   In other words, the vapor phase epitaxial growth apparatus includes a reaction tube 6, a separation plate 4 that separates the reaction tube into an upper chamber 61 and a lower chamber 62, and a first gas that introduces a first growth gas into the upper chamber 61. The gas introduction port 10, the second gas introduction port 14 for introducing the second growth gas into the lower chamber 62, and the opening 4 a of the separation plate 4 are arranged so as to be flush with the separation plate 4. The plate-shaped susceptor 2 includes a susceptor 2 having an opening 2 a for installing the substrate 3, and a heater 1 as a means for heating the substrate 3. Then, by installing the substrate 3 so as to close the opening 2a included in the susceptor 2, a second epitaxial layer made of the second growth gas is formed on the back surface of the substrate 3 exposed from the opening 2a to the lower chamber 62 side. And a first epitaxial layer of the first growth gas is formed on the surface of the substrate 3.

本実施形態において、上記サセプタ２は、当該サセプタ２と分離板３の隙間から漏れ出た第１の成長ガスが、基板３の裏面に付着しない程度の半径、又は第２の成長ガスが基板３の表面に付着しない程度の半径とする。また上部室６１に導入する第１の成長ガスの圧力と、下部室６２に導入する第２の成長ガスの圧力とをほぼ一定にする。そして、上部室６１に導入する第１の成長ガスの流速と、下部室６２に導入する第２の成長ガスの流速もほぼ一定にする。   In the present embodiment, the susceptor 2 has a radius that prevents the first growth gas leaking from the gap between the susceptor 2 and the separation plate 3 from adhering to the back surface of the substrate 3, or the second growth gas is the substrate 3. The radius is such that it does not adhere to the surface. Further, the pressure of the first growth gas introduced into the upper chamber 61 and the pressure of the second growth gas introduced into the lower chamber 62 are made substantially constant. The flow rate of the first growth gas introduced into the upper chamber 61 and the flow rate of the second growth gas introduced into the lower chamber 62 are also made substantially constant.

次に、上記気相エピタキシャル成長装置を用いて、２つの面にそれぞれ異なる組成のエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェハを製造する形態について説明する。   Next, an embodiment of manufacturing an epitaxial wafer having epitaxial layers having different compositions on two surfaces using the vapor phase epitaxial growth apparatus will be described.

本発明における気相エピタキシャル成長装置では、上部室６１において、反応管６内に設けられた分離板４にサセプタ２を取りつけ、サセプタ２上に基板３を載せ、回転軸５によりサセプタ２を回転させ、基板３をヒータ１により加熱しつつ、形成したいエピタキシャル層に合わせた第１の成長ガス、つまり、上部室側キャリアガス７、ドーパント用成長ガス、III族成長ガス８、Ｖ族成長ガス９による第１の成長ガスを第１のガス導入口１０から供給し、基板３の表面にエピタキシャル層を得る。   In the vapor phase epitaxial growth apparatus of the present invention, in the upper chamber 61, the susceptor 2 is attached to the separation plate 4 provided in the reaction tube 6, the substrate 3 is placed on the susceptor 2, the susceptor 2 is rotated by the rotating shaft 5, While the substrate 3 is heated by the heater 1, the first growth gas in accordance with the epitaxial layer to be formed, that is, the upper chamber side carrier gas 7, the dopant growth gas, the group III growth gas 8, and the group V growth gas 9 is used. One growth gas is supplied from the first gas inlet 10 to obtain an epitaxial layer on the surface of the substrate 3.

また、下部室６２においても、同様に、上部室６１における成長開始と同時に、形成したいエピタキシャル層に合わせた第２の成長ガス、つまり、下部室側キャリアガス１１、ドーパント用成長ガス、III族成長ガス１２、Ｖ族成長ガス１３による第２の成長ガスを第２のガス導入口１４から供給し、基板３の裏面に表面と異なる組成のエピタキシャル層を得る。   Similarly, in the lower chamber 62, simultaneously with the start of growth in the upper chamber 61, the second growth gas matched to the epitaxial layer to be formed, that is, the lower chamber side carrier gas 11, the dopant growth gas, and the group III growth A second growth gas based on the gas 12 and the group V growth gas 13 is supplied from the second gas inlet 14, and an epitaxial layer having a composition different from the surface is obtained on the back surface of the substrate 3.

既に述べたように、本気相エピタキシャル成長装置においては、上部室側の第１の成長ガスと下部室側の第２の成長ガスを分離する分離板４を設置し、基板３の両面に異なる成長ガスを独立に供給し、基板３の両面に異なる組成のエピタキシャル層を得ることが出来るようになっている。また、基板３の両面が露出する構成のサセプタ２と、サセプタ２を平面内で回転させる回転軸５を備える。   As already described, in this vapor phase epitaxial growth apparatus, the separation plate 4 for separating the first growth gas on the upper chamber side and the second growth gas on the lower chamber side is installed, and different growth gases are provided on both surfaces of the substrate 3. Can be supplied independently, and epitaxial layers having different compositions can be obtained on both surfaces of the substrate 3. Moreover, the susceptor 2 of the structure which exposes both surfaces of the board | substrate 3 and the rotating shaft 5 which rotates the susceptor 2 within a plane are provided.

基板３を加熱するヒータ１は、コイルヒータ、誘導加熱方式、ランプ加熱方式等複数の加熱方式を用いることが出来る。   As the heater 1 for heating the substrate 3, a plurality of heating methods such as a coil heater, an induction heating method, and a lamp heating method can be used.

基板３はエピタキシャル層に適した材料、例えば、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＰ系、ＩｎＰ系、Ｓｉ系、ＳｉＣ系、Ｇｅ系、ＧａＮ系、Ａｌ2Ｏ3系を用いることが出来る。 The substrate 3 can be made of a material suitable for the epitaxial layer, for example, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, InP, Si, SiC, Ge, GaN, or Al 2 O 3 .

エピタキシャル層を形成する成長ガスは必ずしもキャリアガス７、１１、III族成長ガス８、１２、Ｖ族成長ガス９、１３が一種類ずつである必要は無く、複数保持することが出来る。   The growth gas for forming the epitaxial layer does not necessarily need to be one kind of carrier gas 7, 11, group III growth gas 8, 12, and group V growth gas 9, 13, and a plurality of growth gases can be held.

＜成長例＞
本発明の成長装置を用いたエピタキシャルウェハの製造方法は概ね次のようになる。すなわち、基板の表面に第１のエピタキシャル層を備え、基板の裏面に第２のエピタキシャル層を備えたエピタキシャルウェハの製造方法において、反応管６を上部室６１と下部室６２とに分離する分離板４の開口４ａにサセプタ２を配置し、このサセプタ２が備える開口部２ａを閉鎖するように基板３を設置し、上部室６１内に導入された第１の成長ガスと下部室６２内に導入された第２の成長ガスとを独立させた状態で、上記開口部２ａから下部室６２側に露出した基板３の裏面に第２の成長ガスによる第２のエピタキシャル層を形成すると同時に、基板３の表面に第１の成長ガスによる第１のエピタキシャル層を形成する。 <Examples of growth>
An epitaxial wafer manufacturing method using the growth apparatus of the present invention is generally as follows. That is, in an epitaxial wafer manufacturing method including a first epitaxial layer on the substrate surface and a second epitaxial layer on the back surface of the substrate, the separation plate that separates the reaction tube 6 into an upper chamber 61 and a lower chamber 62 The susceptor 2 is disposed in the opening 4 a of the substrate 4, the substrate 3 is installed so as to close the opening 2 a included in the susceptor 2, and the first growth gas introduced into the upper chamber 61 and the lower growth chamber 62 are introduced. A second epitaxial layer is formed by the second growth gas on the back surface of the substrate 3 exposed to the lower chamber 62 side from the opening 2a in a state in which the second growth gas is made independent. A first epitaxial layer is formed on the surface of the first epitaxial layer using a first growth gas.

ここで、上記開口部２ａから下部室６２側に露出した基板３の裏面に第２の成長ガスによる第２のエピタキシャル層を形成すると同時に、基板３の表面に第１の成長ガスによる第１のエピタキシャル層を形成する工程では、基板３を回転させる工程を含ませる。   Here, a second epitaxial layer made of the second growth gas is formed on the back surface of the substrate 3 exposed to the lower chamber 62 side from the opening 2a, and at the same time, a first growth gas made by the first growth gas is formed on the surface of the substrate 3. The step of forming the epitaxial layer includes a step of rotating the substrate 3.

次に、より具体的な成長例について説明する。   Next, a more specific example of growth will be described.

前提となる成長装置は、図１、図２で説明した構造のものである。すなわち、この気相エピタキシャル成長装置は例えば石英からなる反応管６と上下に設置したヒータ１とから構成されている。   The growth apparatus used as a premise has the structure described with reference to FIGS. That is, this vapor phase epitaxial growth apparatus is composed of a reaction tube 6 made of, for example, quartz and heaters 1 installed above and below.

上部室６１においては、第１のガス導入口１０から、キャリアガス７、ドーパント用成長ガス、III族成長ガス８、Ｖ族成長ガス９により第１の成長ガスが供給される。キャリアガス７は必要に応じてＨ2、Ｎ2またはその両方より構成される。III族成長ガス８、Ｖ族成長ガス９は必要に応じて（ＣＨ3）3Ａｌ、（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ、（ＣＨ3）3Ｇａ、（Ｃ2Ｈ5）3Ｇａ、（ＣＨ3）3Ｉｎ、（Ｃ2Ｈ5）3Ｉｎ、ＮＨ3、ＰＨ3、ＡｓＨ3、Ｃ4Ｈ9ＡｓＨ2、Ｃ4Ｈ9ＰＨ2、等を含むガスにより構成される。ドーパント用成長ガスはＨ2Ｓ、Ｈ2Ｓｅ、（ＣＨ3）2Ｔｅ、（Ｃ2Ｈ5）2Ｔｅ、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＧｅＨ4、（ＣＨ3）4Ｓｎ、（Ｃ2Ｈ5）4Ｓｎ、（ＣＨ3）2Ｚｎ、（Ｃ2Ｈ5）2Ｚｎ、（ＣＨ3）2Ｃｄ、（Ｃ5Ｈ5）Ｍｇ、（Ｃ5Ｈ4ＣＨ3）2Ｍｇ等を含むガスにより構成される。 In the upper chamber 61, the first growth gas is supplied from the first gas inlet 10 by the carrier gas 7, the dopant growth gas, the group III growth gas 8, and the group V growth gas 9. The carrier gas 7 is composed of H 2 , N 2 or both as required. The group III growth gas 8 and the group V growth gas 9 are (CH 3 ) 3 Al, (C 2 H 5 ) 3 Al, (CH 3 ) 3 Ga, (C 2 H 5 ) 3 Ga, (CH 3) 3 In, (C 2 H 5) 3 In, NH 3, PH 3, AsH 3, C 4 H 9 AsH 2, C 4 H 9 PH 2, and the like composed of gas containing. Growth gases for dopants are H 2 S, H 2 Se, (CH 3 ) 2 Te, (C 2 H 5 ) 2 Te, SiH 4 , Si 2 H 6 , GeH 4 , (CH 3 ) 4 Sn, (C 2 H 5 ) 4 Sn, (CH 3 ) 2 Zn, (C 2 H 5 ) 2 Zn, (CH 3 ) 2 Cd, (C 5 H 5 ) Mg, (C 5 H 4 CH 3 ) 2 Mg, etc. Consists of gas.

上記の成長ガスより得られるエピタキシャル層には、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、等が挙げられる。   Examples of the epitaxial layer obtained from the growth gas include GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaAlAs, GaP, GaInP, GaAlInP, GaInAsP, GaN, AlGaN, InGaN, and the like.

下部室６２においても上部室と同様に第２のガス導入口１４にキャリアガス１１、ドーパント用成長ガス、III族成長ガス１２、Ｖ族成長ガス１３により第２の成長ガスが供給される。ただし、下部室６２におけるエピタキシャル層と上部室６１におけるエピタキシャル層とは異なる組み合わせでなければならない。   Also in the lower chamber 62, the second growth gas is supplied to the second gas inlet 14 by the carrier gas 11, the dopant growth gas, the group III growth gas 12, and the group V growth gas 13, as in the upper chamber. However, the epitaxial layer in the lower chamber 62 and the epitaxial layer in the upper chamber 61 must be different combinations.

反応管６内において上部室６１と下部室６２を分離する分離板４は石英からなっている。これは輻射熱による成長ガスの対流の影響を考慮したためである。分離板４にサセプタ２を取りつけ、サセプタ２上に基板３を載せる。サセプタ２は黒鉛からなり、耐熱性向上と傷防止のためＳｉＣがコートされている。   The separation plate 4 that separates the upper chamber 61 and the lower chamber 62 in the reaction tube 6 is made of quartz. This is because the influence of the convection of the growth gas due to radiant heat is taken into consideration. The susceptor 2 is attached to the separation plate 4, and the substrate 3 is placed on the susceptor 2. The susceptor 2 is made of graphite and is coated with SiC to improve heat resistance and prevent scratches.

ここで、サセプタ２と分離板４の隙間から、成長ガスの漏れによる上部室と下部室の成長ガスが混合するのを防ぎ、基板３上に不必要なエピタキシャル層が堆積するといった影響を少なくするため、サセプタ２の長さを反応管側面付近まで長くする。   Here, from the gap between the susceptor 2 and the separation plate 4, the growth gas in the upper chamber and the lower chamber due to growth gas leakage is prevented from being mixed, and the influence of unnecessary epitaxial layers being deposited on the substrate 3 is reduced. Therefore, the length of the susceptor 2 is increased to the vicinity of the side surface of the reaction tube.

またサセプタ２と分離板４の隙間から、成長ガスの漏れによる上部室６１と下部室６２の成長ガスが混合するのを防ぎ、基板３上に不必要なエピタキシャル層が堆積するといった影響を少なくするため、上部室６１と下部室６２との圧力差を１００Ｔｏｒｒ以下とし、上部室と下部室との成長ガスの流速差を５０ｍ／ｓｅｃ以下とする。   Further, the growth gas in the upper chamber 61 and the lower chamber 62 due to the growth gas leakage is prevented from being mixed from the gap between the susceptor 2 and the separation plate 4, and the influence of unnecessary epitaxial layers being deposited on the substrate 3 is reduced. Therefore, the pressure difference between the upper chamber 61 and the lower chamber 62 is set to 100 Torr or less, and the flow rate difference of the growth gas between the upper chamber and the lower chamber is set to 50 m / sec or less.

反応管６内のサセプタ２を回転させる回転軸５は石英製とする。これは、黒鉛からなるサセプタ２との摩擦を考慮したためである。この回転軸５によりサセプタ２を回転させ、基板３を回転させながらエピタキシャル成長させる。これにより、基板３の面内で成長ガスの濃度や温度のばらつきを抑えることが出来る。   The rotating shaft 5 for rotating the susceptor 2 in the reaction tube 6 is made of quartz. This is because the friction with the susceptor 2 made of graphite is taken into consideration. The susceptor 2 is rotated by the rotating shaft 5, and the substrate 3 is epitaxially grown while rotating. As a result, variations in the concentration and temperature of the growth gas in the plane of the substrate 3 can be suppressed.

回転軸５によりサセプタ２を回転させ、基板３を反応管の上下に設置したヒータ１により加熱しつつ、形成したいエピタキシャル層に合わせた成長ガスを、第１のガス導入口１０と第２のガス導入口１４からそれぞれ上部室６１と下部室６２に供給し、基板３の両面にエピタキシャル層を形成しエピタキシャルウェハを得る。エピタキシャル層を形成した後のガスは、第１のガス導入口１０、第２のガス導入口１４の反対側の反応管端部に設けた排気口１５、１６より排気される。なお、この排気口１５、１６の先には図示しない開閉バルブが接続され、第１のガス導入口１０、第２のガス導入口１４から供給された成長ガスの処理ガスを外部へと排気するようになっている。この開閉バルブは所望のタイミングで開閉できる。   While the susceptor 2 is rotated by the rotating shaft 5 and the substrate 3 is heated by the heaters 1 installed above and below the reaction tube, the growth gas matched to the epitaxial layer to be formed is supplied to the first gas inlet 10 and the second gas. Each is supplied from the inlet 14 to the upper chamber 61 and the lower chamber 62, and an epitaxial layer is formed on both surfaces of the substrate 3 to obtain an epitaxial wafer. The gas after the formation of the epitaxial layer is exhausted from exhaust ports 15 and 16 provided at the end of the reaction tube opposite to the first gas inlet 10 and the second gas inlet 14. An opening / closing valve (not shown) is connected to the ends of the exhaust ports 15 and 16 to exhaust the processing gas of the growth gas supplied from the first gas introduction port 10 and the second gas introduction port 14 to the outside. It is like that. This open / close valve can be opened and closed at a desired timing.

本発明の実施形態にかかる気相エピタキシャル成長装置の構造を一部断面にて示す図である。It is a figure which shows the structure of the vapor phase epitaxial growth apparatus concerning embodiment of this invention in a partial cross section. 図１の上部室の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the upper chamber of FIG. 従来の気相エピタキシャル成長装置を示す図である。It is a figure which shows the conventional vapor phase epitaxial growth apparatus. 従来の他の気相エピタキシャル成長装置を示す図である。It is a figure which shows the other conventional vapor phase epitaxial growth apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１ ヒータ
２ サセプタ
２ａ 開口部
２ｂ 支持爪
３ 基板
４ 分離板
４ａ 開口
５ 回転軸
５ａ ベベルギア
６ 反応管
１０ 第１のガス導入口（上部室側成長ガス導入口）
１４ 第２のガス導入口（下部室側成長ガス導入口）
６１ 上部室
６２ 下部室 1 Heater 2 Susceptor 2a Opening 2b Supporting Claw 3 Substrate 4 Separating Plate 4a Opening 5 Rotating Shaft 5a Bevel Gear 6 Reaction Tube 10 First Gas Inlet (Upper Chamber Side Growth Gas Inlet)
14 Second gas inlet (lower chamber side growth gas inlet)
61 Upper chamber 62 Lower chamber

Claims (10)

反応管と、
前記反応管を上部室と下部室とに分離する分離板と、
前記上部室に第１の成長ガスを導入する第１のガス導入口と、
前記下部室に第２の成長ガスを導入する第２のガス導入口と、
前記分離板の開口内に分離板とほぼ同一平面を形成するように配置された板状のサセプタであって、基板を設置する開口部を備えたサセプタと、
前記基板を加熱する手段とを具備し、
前記サセプタが備える開口部を閉鎖するように前記基板を設置することにより、前記開口部から前記下部室側に露出した前記基板の裏面に前記第２の成長ガスによる第２のエピタキシャル層を形成するとともに、前記基板の表面に前記第１の成長ガスによる第１のエピタキシャル層を形成することを可能としたことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。 A reaction tube;
A separation plate for separating the reaction tube into an upper chamber and a lower chamber;
A first gas inlet for introducing a first growth gas into the upper chamber;
A second gas inlet for introducing a second growth gas into the lower chamber;
A plate-shaped susceptor arranged so as to form substantially the same plane as the separation plate in the opening of the separation plate, the susceptor having an opening for installing a substrate;
Means for heating the substrate,
By installing the substrate so as to close the opening provided in the susceptor, a second epitaxial layer is formed by the second growth gas on the back surface of the substrate exposed to the lower chamber side from the opening. In addition, a vapor phase epitaxial growth apparatus characterized in that it is possible to form a first epitaxial layer by the first growth gas on the surface of the substrate. 前記基板を前記平面内で回転させる手段を具備していることを特徴とする請求項１に記載の気相エピタキシャル成長装置。   2. The vapor phase epitaxial growth apparatus according to claim 1, further comprising means for rotating the substrate in the plane. 前記サセプタは、前記サセプタと前記分離板の隙間から漏れ出た第１の成長ガスが前記基板の裏面に付着しない程度の半径、又は第２の成長ガスが前記基板の表面に付着しない程度の半径を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の気相エピタキシャル成長装置。   The radius of the susceptor is such that the first growth gas leaking from the gap between the susceptor and the separation plate does not adhere to the back surface of the substrate, or the radius such that the second growth gas does not adhere to the surface of the substrate. The vapor phase epitaxial growth apparatus according to claim 1, wherein: 前記上部室に導入する第１の成長ガスの圧力と、前記下部室に導入する第２の成長ガスの圧力とをほぼ一定にしたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の気相エピタキシャル成長装置。   4. The pressure of the first growth gas introduced into the upper chamber and the pressure of the second growth gas introduced into the lower chamber are made substantially constant. Vapor phase epitaxial growth equipment. 前記上部室に導入する第１の成長ガスの流速と、前記下部室に導入する第２の成長ガスの流速とをほぼ一定にしたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の気相エピタキシャル成長装置。   5. The flow rate of the first growth gas introduced into the upper chamber and the flow rate of the second growth gas introduced into the lower chamber are substantially constant. 6. Vapor phase epitaxial growth equipment. 前記第１の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層が、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰのいずれかから選ばれたものであり、前記第２の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層が、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、のいずれかから選ばれたものであり、前記第１の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層と前記第２の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層とが異なる組合せからなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の気相エピタキシャル成長装置。   The epitaxial layer formed by the first growth gas is selected from any one of GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaAlAs, GaP, GaInP, GaAlInP, and GaInAsP, and is formed by the second growth gas. The epitaxial layer is selected from GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaAlAs, GaP, GaInP, GaAlInP, and GaInAsP, and the epitaxial layer formed by the first growth gas and the second growth gas 6. The vapor phase epitaxial growth apparatus according to claim 1, wherein the epitaxial layer is formed by a different combination. 前記第１の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかから選ばれたものであり、前記第２の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、のいずれかから選ばれたものであり、前記第１の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層と前記第２の成長ガスにより形成されるエピタキシャル層とが異なる組合せからなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の気相エピタキシャル成長装置。   The epitaxial layer formed by the first growth gas is selected from GaN, AlGaN, and InGaN, and the epitaxial layer formed by the second growth gas is GaN, AlGaN, InGaN, The epitaxial layer formed by the first growth gas and the epitaxial layer formed by the second growth gas are made of different combinations. 6. The vapor phase epitaxial growth apparatus according to any one of items 5 to 5. ２つの面にそれぞれ異なる組成のエピタキシャル層を有することを特徴とするエピタキシャルウェハ。   An epitaxial wafer comprising epitaxial layers having different compositions on two surfaces. 一方の面に形成されたエピタキシャル層が、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、のいずれかから選ばれたものであり、他方の面に形成されたエピタキシャル層が、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰのいずれかから選ばれたものであり、前記一方の面に形成されたエピタキシャル層と前記他方の面に形成されたエピタキシャル層とが異なる組合せからなることを特徴とする請求項８に記載のエピタキシャルウェハ。   The epitaxial layer formed on one surface is selected from GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaAlAs, GaP, GaInP, GaAlInP, and GaInAsP, and the epitaxial layer formed on the other surface is GaAs. , AlGaAs, InGaAs, InGaAlAs, GaP, GaInP, GaAlInP, GaInAsP, and a combination in which the epitaxial layer formed on the one surface differs from the epitaxial layer formed on the other surface The epitaxial wafer according to claim 8, comprising: 一方の面に形成されたエピタキシャル層が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、のいずれかから選ばれたものであり、他方の面に形成されたエピタキシャル層が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかから選ばれたものであり、前記一方の面に形成されたエピタキシャル層と前記他方の面に形成されたエピタキシャル層とが異なる組合せからなることを特徴とする請求項８に記載のエピタキシャルウェハ。   The epitaxial layer formed on one side is selected from GaN, AlGaN, InGaN, and the epitaxial layer formed on the other side is selected from GaN, AlGaN, InGaN. 9. The epitaxial wafer according to claim 8, wherein the epitaxial layer formed on the one surface and the epitaxial layer formed on the other surface are composed of different combinations.
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