JP2006005735A - 導波管・伝送線路変換器 - Google Patents

Abstract

【課題】 組み付け誤差があっても、電力が高通過かつ低反射にできる導波管・伝送線路変換器を提供する。
【解決手段】 導波管３の開口端においてコーナー部に面取りを施す。例えば、断面テーパ状とする。このような構成とすれば、組み付けの際のズレが生じても、接地金属層４の端部４ａが導波管３の開口端のコーナー部から露出することになる。したがって、整合素子６と導波管３との距離が短くなることで電界集中が発生してしまうことを防止することができる。これにより、電力の通過・反射特性が変化してしまうことを緩和することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、マイクロ波、ミリ波帯などの電力を変換する導波管・伝送線路変換器に関するものである。

従来、導波管・伝送線路変換機として、特許文献１や特許文献２に示されるものが知られている。図９および図１０を参照して、特許文献１および特許文献２に示される導波管・伝送線路変換器について説明する。

図９は、特許文献１に示されるパッチ共振型の導波管・伝送線路変換器の模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は上面図、（ｄ）は誘導体基板Ｊ１を裏面側から見たときの図である。

図９に示されるように、誘電体基板Ｊ１の一方の面には、ストリップ線路Ｊ２が設けられ、その反対側の面には、導波管Ｊ３の側壁の厚さとほぼ同じ幅の長方形の接地金属層Ｊ４が設けられている。

短絡板Ｊ５には、誘電体基板Ｊ１の平面形状（長方形）と略同等の外形を有しており、誘電体基板Ｊ１に固定されている。この短絡板Ｊ５には、その中央位置においてストリップ線路Ｊ２よりも若干大きな切り込みが設けられており、短絡板Ｊ５を誘電体基板Ｊ１に固定したときに、ストリップ線路Ｊ２が切り込みから露出するようになっている。

誘電体基板Ｊ１の裏面、つまりストリップ線路Ｊ２とは反対側の面の中央位置には、略正方形の金属層からなる整合素子Ｊ６が備えられている。この整合素子Ｊ６は、ストリップ線路Ｊ２から所定距離離間して設けられており、整合素子Ｊ６とストリップ線路Ｊ２とが互いに電磁的に結合されている。

図１０は、特許文献２に示されるバックショート型の導波管・伝送線路変換器の模式図であり、（ａ）は斜視分解図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は上面図、（ｄ）は誘導体基板Ｊ１１を裏面側から見たときの図である。

図１０に示されるように、誘電体基板Ｊ１１の一方の面にはストリップ線路Ｊ１２が備えられている。また、誘電体基板Ｊ１１の他方の面には導波管Ｊ１３の開口部と接続される接地金属層Ｊ１４が設けられている。

誘電体基板Ｊ１１は、短絡導波管ブロックＪ１５と導波管Ｊ１３との間において、これらに挟み込まれるような状態で固定されている。

これら特許文献１および特許文献２に示される導波管・伝送線路変換器により、導波管Ｊ３、Ｊ１３により伝送される電力とストリップ線路Ｊ２、Ｊ１２により伝送される電力とが相互に交換することが可能となっている。
特開２００２−３５９５０８号公報 特開平１０−１２６１１４号公報

導波管・伝送線路変換器においては、導波管により伝送される電力とストリップ線路により伝送される電力との交換が低損失で行われるように、電力が高通過かつ低反射、つまり伝送電力が大きくなり、かつ、反射電力が小さくなることが望まれる。

一方、導波管・伝送線路変換器における電力の通過・反射特性は、導波管・伝送線路変換器が使用される電磁波の周波数によって変動する。導波管・伝送線路変換器をミリ波帯の電力を変換するものとして適用した場合、例えば７６〜７７ＧＨｚ程度の周波数が用いられることから、この使用周波数帯域において電力が高通過かつ低反射であることが望まれる。

しかしながら、上記特許文献１および特許文献２に示される導波管・伝送線路変換器では、組み付け誤差により、電力が高通過かつ低反射とならなくなるという問題があることが確認された。これについて、図１１および図１２を参照して説明する。

図１１（ａ）は、特許文献１に示される導波管・伝送線路変換器に組み付け誤差が発生した場合の断面図である。この図に示されるように、整合素子Ｊ６と接地金属層Ｊ４との間は、所定距離となるように設定される。このため、誘電体基板Ｊ１が上記した図９（ｂ）に示されるように、組み付けの際に導波管Ｊ３に対してズレがなく貼り合わされた場合には、整合素子Ｊ６の端部から一番距離が短い場所が接地金属層Ｊ４の端部となるため問題ないが、ズレが生じた場合には、図１１（ａ）に示されるように、整合素子Ｊ６の端部Ｊ６ａから一番距離が短い場所が接地金属層Ｊ４の端部Ｊ４ａではなく導波管Ｊ３の内壁コーナー部Ｊ３ａとなる。このため、図１１（ａ）中に丸で囲んだ位置、つまり、整合素子Ｊ６と導波管Ｊ３との間の距離が短くなった部分において電界集中が発生し、電力の通過・反射特性が変化するのである。

また、図１１（ｂ）は、特許文献２に示される導波管・伝送線路変換器に組み付け誤差が発生した場合の断面図である。この図に示されるように、ストリップ線路Ｊ１２と短絡導波管ブロックＪ１５との間は、所定距離となるように設定される。このため、誘電体基板Ｊ１１が上記した図１０（ｂ）に示されるように、組み付けの際に導波管Ｊ１３に対してズレがなく貼り合わされた場合には、ストリップ線路Ｊ１２の端部から一番距離が短い場所が短絡導波管ブロックＪ１５の内壁となるため問題ないが、ズレが生じた場合には、図１１（ｂ）に示されるように、ストリップ線路Ｊ１２の端部Ｊ１２ａから一番距離が短い場所が短絡導波管ブロックＪ１５の端部Ｊ１５ａではなく導波管Ｊ１３の内壁のコーナー部Ｊ１３ａとなる。このため、図１１（ｂ）中に丸で囲んだ位置、つまり、ストリップ線路Ｊ１２と導波管Ｊ１３との間の距離が短くなった部分において電界集中が発生し、電力の通過・反射特性が変化するのである。

図１２は、特許文献１に示されるパッチ共振型の導波管・伝送線路変換器の組み付け誤差と電力の通過・反射特性の変動について数値計算により調べた結果を示したものであり、△がストリップ線路Ｊ２から導波管Ｊ３に向けて電力を送ったときの反射の大きさ、○が導波管Ｊ３からストリップ線路Ｊ２に向けて電力を送ったときの反射の大きさ、□が通過の大きさを示したものである。また、図中、ａ０〜ａ３は、ズレ量を示したものであり、ａ０がズレが無い場合、ａ１〜ａ３に関しては、順にズレ量が大きくなった場合を示している。

この図より、ズレがない場合、使用周波数帯域の近傍では低反射となっているが、使用周波数帯域以外では反射の大きさが大きく変動していることが判る。また、ズレがない場合と比較して、ズレがある場合では、低反射となる周波数が変化することが判る。このため、ズレ量がａ１になると、ズレ量がない場合（ａ０のとき）と比べて、ミリ波帯となる７６〜７７ＧＨｚでの反射の大きさがかなり大きくなるのである。

本発明は上記点に鑑みて、組み付け誤差があっても、電力が高通過かつ低反射にできる導波管・伝送線路変換器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、中空部を有する中空形状の導波管（３）と、導波管（３）の開口端において誘電体基板（１）が接地金属層（４）を介して導波管（３）に取り付けられ、導波管（３）により伝送される電力と、ストリップ線路（２）により伝送される電力とを相互に変換可能なパッチ共振型の導波管・伝送線路変換器において、導波管（３）は、開口端における導波管（３）の内壁面側のコーナー部が面取りされて凹まされており、該導波管（３）のうち面取りがされている部位が面取りがされていない部位に対して、中空部のサイズが大きくされていることを特徴としている。

このように、パッチ共振型の導波管・伝送線路変換器について、導波管（３）に対して面取りを行うことで、組み付けの際のズレが生じても、接地金属層（４）の端部（４ａ）が導波管（３）の開口端のコーナー部から露出することになる。したがって、整合素子（６）と導波管（３）との距離が短くなることで電界集中が発生してしまうことを防止することができる。これにより、電力の通過・反射特性が変化してしまうことを防止することができる。

請求項２に記載の発明では、導波管（３）の開口端のうち、ストリップ線路（２）が設けられた辺とこの辺に対向する辺とに、面取りがなされていることを特徴としている。

このように、少なくとも、ストリップ線路（２）が設けられた辺とこの辺に対向する辺とに面取りが行われていれば、請求項１に示す効果を得ることが可能である。

請求項３に記載の発明では、整合素子（６）の先端部を中心として、整合素子（６）の端部から接地金属層（４）の端部までの距離を半径とする円を描いたとすると、導波管（３）におけるコーナー部の凹んだ部分の壁面は、該円よりも該円の中心から離れたところに位置していることを特徴としている。

このように、導波管（３）におけるコーナー部の凹んだ部分の壁面が、該円よりも該円の中心から離れたところに位置しているようにすれば、必ず、整合素子（６）の端部（６ａ）と導波管（３）のコーナー部との間の距離が整合素子（６）と短絡金属層（４）との間の距離よりも長くなる。これにより、より確実に、請求項１に記載の効果を得ることが可能となる。

請求項４に記載の発明では、バックショート型の導波管・伝送線路変換器において、導波管（３）は、開口端において、導波管（３）の内壁面側が面取りされて凹まされており、該導波管（３）のうち面取りがされている部位が面取りがされていない部位に対して、中空部のサイズが大きくされていることを特徴としている。

このように、バックショート型の導波管・伝送線路変換器についても、導波管（３）に対して面取りを行うことで、請求項１と同様の効果を得ることができる。

このようなバックショート型の導波管・伝送線路変換器の場合、請求項５に示されるように、少なくとも、導波管（３）の開口端のうち、ストリップ線路（２）が設けられた辺に対向する辺に、面取りがなされていれば、上記効果を得ることができる。

また、この場合、請求項３と同様、請求項６に示されるように、ストリップ線路（１２）の先端部を中心として、ストリップ線路（１２）の先端部から短絡導波管ブロック（１５）におけるストリップ線路（１２）から最も近い壁面（１５ａ）までの距離を半径とする円を描いたとすると、導波管（１３）におけるコーナー部の凹んだ部分の壁面が、該円よりも該円の中心から離れたところに位置するようにするのが好ましい。

これら各請求項に示されるような効果が得られる具体的な形状としては、例えば、請求項７に示されるように、導波管（３、１３）の内壁面側のコーナー部が断面テーパ状に凹んだものが挙げられる。請求項８に示されるように、導波管（３、１３）の内壁面側のコーナー部が断面四角形状に凹んだものであっても良い。また、請求項９に示されるように、導波管（３、１３）の内壁面側のコーナー部が断面丸形状に凹んだものであっても良い。さらに、請求項１０に示されるように、導波管（３、１３）の内壁面側のコーナー部が断面任意形状に凹んだものであっても良い。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の一実施形態を適用したパッチ共振型の導波管・伝送線路変換器の断面構成を図１に示す。なお、導波管・伝送線路変換器におけるその他の図、具体的には斜視図、上面図および誘電体基板１を裏面側から見たときの図に関しては、図９（ａ）、（ｃ）、（ｄ）と同様であるため、ここでは省略する。

図１に示されるように、本実施形態のパッチ共振型の導波管・伝送線路変換器には、誘電体基板１、ストリップ線路２、導波管３、接地金属層４、短絡板５および整合素子６が備えられている。

誘電体基板１は、長方形状で構成されている。この誘電体基板１の一方の面（表面）に、ストリップ線路２が設けられている。ストリップ線路２は、誘電体基板１の長辺の一辺に対して垂直に延設された構成、言い換えれば、後述するように中空形状で構成された導波管３の一方の開口端の一辺から開口部の内側に向かって延設された構成となっている。

導波管３は、中空部を有する中空形状をなしており、その長手方向の断面形状が誘電体基板１と同等の大きさの長方形状をなしている。この導波管３の一方の開口端に誘電体基板１が固定されている。

この導波管３は、基本的にはほぼ同等の厚みとされているが、誘電体基板１が固定された側の開口端において、厚みが他の部位よりも薄くされており、導波管３における中空部のサイズが他の部位よりと比べて大きくなるように設定されている。具体的には、導波管３の開口端のうち、ストリップ線路２が設けられた辺とこの辺に対向する辺とに、面取りが行われていて凹まされており、導波管３の開口端におけるコーナー部が断面テーパ形状とされている。

また、接地金属層４は、導波管３のうち、上記面取りがなされた部分以外の側壁の厚さとほぼ同じ幅で構成されている。この接地金属層４は、誘電体基板１におけるストリップ線路２が設けられた面とは反対側の面に、長方形状の外縁を囲むように形成されており、この接地金属層４を介して誘電体基板１が導波管３に貼り合わされることで取り付けられ、固定されている。

短絡板５は、誘電体基板１の平面形状（長方形）と略同等の外形を有しており、誘電体基板１に溶接などにより固定されている。この短絡板５には、その中央位置においてストリップ線路２よりも若干大きな切り込みが設けられており、短絡板５を誘電体基板１に固定したときに、ストリップ線路２が切り込みから露出するようになっている。また、短絡板５には、複数のスルーホール７が形成されており、このスルーホール７を通じて接地金属層４と電気的に接続された構成となっている。

整合素子６は、導波管３の裏面のうち、該導波管３の中空部の内部の中央位置に形成されており、略正方形の金属層で構成されている。この整合素子６は、ストリップ線路２から所定距離離間して設けられている。そして、整合素子６は、ストリップ線路２と互いに電磁的に結合されている。

以上のように構成された導波管・伝送線路変換器において、誘電体基板１が導波管３に対してずれて組み付けられた場合の様子を図２に示す。この図に示されるように、誘電体基板１を導波管３に貼り付けた際に、組み付け誤差により、これらがずれる場合がある。

このとき、上述したように、本実施形態の導波管・伝送線路変換器においては、導波管３の開口端においてコーナー部に面取りを施していることから、組み付けの際のズレが生じても、接地金属層４の端部４ａが導波管３の開口端のコーナー部から露出することになる。したがって、整合素子６と導波管３との距離が短くなることで電界集中が発生してしまうことを防止することができる。これにより、電力の通過・反射特性が変化してしまうことを緩和することができる。

参考として、本実施形態のように、導波管３の開口端のコーナー部に面取りを施した場合において、数値計算により、導波管・伝送線路変換器の組み付け誤差と電力の通過・反射特性の変動について調べた結果を図３に示す。この図中、△がストリップ線路２から導波管３に向けて電力を送ったときの反射の大きさ、○が導波管３からストリップ線路２に向けて電力を送ったときの反射の大きさ、□が通過の大きさを示したものである。また、図中、ａ０〜ａ３は、ズレ量を示したものであり、ａ０がズレが無い場合、ａ１〜ａ３に関しては、順にズレ量が大きくなった場合を示している。

図３を図１２と比較すると判るように、本実施形態の導波管・伝送線路変換器の場合、従来のものと比べて、ズレ量が同じであった場合に対する電力の通過・反射特性の変化量、具体的には、最も反射が低くなるピーク位置の位置変化が小さくなっている。そして、電力の通過・反射特性が最も反射が低くなるピーク位置を基準としてほぼ決まることから、このピーク位置の位置変化が小さくなることにより、目標とする周波数帯（７６〜７７ＧＨｚ）での反射も小さくすることが可能となる。

また、図４に、断面テーパ状の面取りがなされている場合となされていない場合におけるズレ量と反射量および通過量の関係を示す。この図からも、ズレ量に対する反射量の上昇および通過量の低下が抑えられることが判る。

以上説明したように、本実施形態の導波管・伝送線路変換器によれば、組み付け誤差があっても、電力が高通過かつ低反射を実現することが可能となる。

なお、本実施形態では、導波管３の開口端の面取りを断面テーパ状にしたものとしており、このような断面テーパ状にすればコーナー部の鋭い角がなくなることから、それだけでも電界集中を緩和することが可能となる。しかしながら、以下のことを満たすように導波管３の開口端の面取りを行うのが好ましい。

図５は、導波管３の開口端の面取りと整合素子６の先端位置との関係を示したものである。この図に示されるように、整合素子６の端部６ａを中心として、整合素子６の端部６ａから接地金属層４の端部４ａまでの距離を半径ｒとする円を描いたとすると、導波管３におけるコーナー部の凹んだ部分の壁面が、この円よりも外側（円の中心から離れたところ）に位置すれば、必ず、整合素子６の端部６ａと導波管３のコーナー部との間の距離が整合素子６と短絡金属層４との間の距離よりも長くなる。このような条件を、組み付け誤差によるズレ量の最大値を見込んで、整合素子６の端部６ａが最も導波管３の壁面に近づいたときにも満たすように、面取りを行う。これにより、より確実に、組み付け誤差があっても、電力が高通過かつ低反射を実現することが可能となる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、本発明の一実施形態をバックショート型の導波管・伝送線路変換器に適用したものである。この導波管・伝送線路変換器の断面構成を図６に示す。なお、導波管・伝送線路変換器におけるその他の図、具体的には斜視図、上面図および誘電体基板１１を裏面側から見たときの図に関しては、図１０（ａ）、（ｃ）、（ｄ）と同様であるため、ここでは省略する。

図６に示されるように、本実施形態のバックショート型の導波管・伝送線路変換器には、誘電体基板１１、ストリップ線路１２、導波管１３、接地金属層１４および短絡導波管ブロック１５が備えられている。

誘電体基板１１は、長方形状で構成されている。この誘電体基板１１の一方の面（表面）に、ストリップ線路１２が設けられている。ストリップ線路１２は、誘電体基板１１の一辺に対して垂直に延設された構成、言い換えれば、後述するように中空形状で構成された導波管１３の一方の開口端の一辺から開口部の内側に向かって延設された構成となっている。

導波管１３は、中空部を有する中空形状をなしており、その長手方向の断面形状が長方形状をなしている。この導波管３の一方の開口端において、導波管１３および短絡導波管ブロック１５に挟み込まれるように誘電体基板１１が固定されている。

この導波管１３は、基本的にはほぼ同等の厚みとされているが、誘電体基板１１が固定された側の開口端のうち、誘電体基板１１が配置される辺と対向する辺において、厚みが他の部位よりも薄くされており、導波管１３における中空部のサイズが他の部位よりと比べて大きくなるように設定されている。具体的には、導波管１３の開口端のうち、ストリップ線路１２が設けられた辺と対向する辺に、面取りが行われていて凹まされており、導波管１３の開口端におけるコーナー部が断面テーパ形状とされている。

また、接地金属層１４は、導波管１３のうち、上記面取りがなされた部分以外の側壁の厚さとほぼ同じ幅で構成されている。この接地金属層１４は、誘電体基板１１におけるストリップ線路１２が設けられた面とは反対側の面に形成されており、この接地金属層１４を介して誘電体基板１１が導波管１３に貼り合わされることで取り付けられ、固定されている。

短絡導波管ブロック１５は、導波管１３と等しい断面形状を有するコップ状部材で構成され、導波管１３に溶接などにより固定されている。この短絡導波管ブロック１５のうちストリップ線路１２が配置される部位には、ストリップ線路１２と同等程度の大きさの切り込みが設けられており、短絡導波管ブロック１５を導波管１３に固定したときに、ストリップ線路１２が切り込みに嵌入されるようになっている。

以上のように構成された導波管・伝送線路変換器において、短絡導波管ブロック１５および誘電体基板１１が導波管１３に対してずれて組みつけられた場合の様子を図７に示す。この図に示されるように、組み付け誤差により、短絡導波管ブロック１５および誘電体基板１１を導波管１３に固定した際に、これらがずれる場合がある。

このとき、本実施形態の導波管・伝送線路変換器においては、導波管１３の開口端においてコーナー部に面取りを施していることから、組み付けの際のズレが生じても、ストリップ線路１２の端部１２ａと導波管１３の開口端のコーナー部との間にある程度の距離に確保される。したがって、ストリップ線路１２と導波管１３との距離が短くなることで電界集中が発生してしまうことを防止することができる。これにより、電力の通過・反射特性が変化してしまうことを緩和することができる。

なお、本実施形態に関しても、上記第１実施形態で説明したように、導波管１３の開口端のコーナー部の面取りを行うことで、コーナー部の鋭い角がなくなることから、それだけでも電界集中を緩和することが可能となる。しかしながら、ストリップ線路１２の先端１２ａから短絡導波管ブロック１５のうち最も近い壁面１５ａまでの距離を半径とする円を描いたときに、導波管１３におけるコーナー部の凹んだ部分の壁面が、この円よりも外側（円の中心から離れたところ）に位置するように、面取りを行うのが好ましい。

（他の実施形態）
第１、第２実施形態では、上記のような面取りを行う構成の一例として、導波管３、１３の開口端におけるコーナー部をテーパ状としたが、これは単なる一例である。例えば、断面テーパ状とするときのテーパ面の角度に関して言えば、図８（ａ）、（ｂ）に示されるように、緩やかにしても急峻にしても良い。また、断面テーパ状以外の形状で言えば、図８（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示されるように、断面四角形状としても良いし、断面円形状としても良いし、断面任意形状としても良い。

また、上記各実施形態では、導波管３、１３の断面形状が長方形のものを例に挙げて説明したが、必ずしも長方形である必要はない。例えば、正方形でも良く、長方形の各角部が丸められたような形状であっても構わない。

さらに、上記第１実施形態では、導波管３のうちストリップ線路２が延設された辺およびこの辺に対向する辺の２辺において導波管３の開口端を面取りし、上記第２実施形態では、導波管３のうちストリップ線路１２が延設された辺に対向する辺の１辺において導波管１３の開口端を面取りした場合について説明した。しかしながら、これらは単なる例示であり、例えば、導波管３、１３の開口端のすべての辺に対して面取りを行っても良い。

本発明の第１実施形態におけるパッチ共振型の導波管・伝送線路変換器の断面構成を示す図である。 図１に示す導波管・伝送線路変換器の誘電体基板が導波管に対してずれて組み付けられた場合の様子を示した断面図である。 導波管・伝送線路変換器の組み付け誤差と電力の通過・反射特性の変動について調べた結果を示した図である。 断面テーパ状の面取りがなされている場合となされていない場合におけるズレ量と反射量および通過量の関係を示した図である。 導波管の開口端の面取りと整合素子の先端位置との関係を示した図である。 本発明の第２実施形態におけるバックショート型の導波管・伝送線路変換器の断面構成を示す図である。 図６に示す導波管・伝送線路変換器の誘電体基板が導波管に対してずれて組み付けられた場合の様子を示した断面図である。 他の実施形態において説明する導波管の形状を示す断面図である。 従来のパッチ共振型の導波管・伝送線路変換器の模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は上面図、（ｄ）は誘導体基板を裏面側から見たときの図である。 従来のバックショート型の導波管・伝送線路変換器の模式図であり、（ａ）は斜視分解図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は上面図、（ｄ）は誘導体基板を裏面側から見たときの図である。 （ａ）、（ｂ）は、それぞれ、図９および図１０に示す導波管・伝送線路変換器に組み付け誤差が発生した場合の断面図である。 図９に示す導波管・伝送線路変換器の組み付け誤差と電力の通過・反射特性の変動について実験により調べた結果を示した図である。

符号の説明

１…誘電体基板、２…ストリップ線路、３…導波管、４…接地金属層、４ａ…端部、
５…短絡板、６…整合素子、６ａ…端部、７…スルーホール、１１…誘電体基板、
１２…ストリップ線路、１２ａ…端部、１３…導波管、１４…接地金属層、
１５…短絡導波管ブロック。

Claims (10)

1. 中空部を有する中空形状の導波管（３）と、
   前記導波管（３）の開口端に配置された誘電体基板（１）と、
   前記誘電体基板（１）における前記導波管（３）とは反対側の面に設けられ、前記導波管（３）を構成する任意の辺から前記導波管（３）の中空内側方向に向けて延設されたストリップ線路（２）と、
   前記誘電体基板（１）における前記ストリップ線路（２）が設けられた面とは反対側の面に備えられ、前記誘電体基板（１）の外縁に沿って形成された接地金属層（４）と、
   前記誘電体基板（１）における前記接地金属層（４）が形成された面側に設けられ、前記接地金属層（４）よりも内側において、該接地金属層（４）から所定距離離間して形成された整合素子（６）とを備え、
   前記導波管（３）の開口端において前記誘電体基板（１）が前記接地金属層（４）を介して前記導波管（３）に取り付けられ、前記導波管（３）により伝送される電力と、前記ストリップ線路（２）により伝送される電力とを相互に変換可能な導波管・伝送線路変換器であって、
   前記導波管（３）は、前記開口端における前記導波管（３）の内壁面側のコーナー部が面取りされて凹まされており、該導波管（３）のうち前記面取りがされている部位が前記面取りがされていない部位に対して、前記中空部のサイズが大きくされていることを特徴とする導波管・伝送線路変換器。
2. 前記導波管（３）の前記開口端のうち、前記ストリップ線路（２）が設けられた辺とこの辺に対向する辺とに、前記面取りがなされていることを特徴とする請求項１に記載の導波管・伝送線路変換器。
3. 前記整合素子（６）の先端部を中心として、前記整合素子（６）の端部から前記接地金属層（４）の端部までの距離を半径とする円を描いたとすると、前記導波管（３）における前記コーナー部の凹んだ部分の壁面は、該円よりも該円の中心から離れたところに位置していることを特徴とする請求項１または２に記載の導波管・伝送線路変換器。
4. 中空部を有する中空形状の導波管（１３）と、
   前記導波管（１３）における一方の開口端側に配置される短絡導波管ブロック（１５）と、
   前記導波管（１３）の前記開口端と前記短絡導波管ブロック（１５）との間において、これら前記導波管（１３）および前記短絡導波管ブロック（１５）に挟まれるような状態で固定された誘電体基板（１１）と、
   前記誘電体基板（１１）における前記導波管（１３）とは反対側の面に設けられ、前記導波管（１３）を構成する任意の辺から前記導波管（１３）の中空内側方向に向けて延設されたストリップ線路（１２）と、
   前記誘電体基板（１１）における前記ストリップ線路（１２）が設けられた面とは反対側の面に備えられ、前記誘電体基板（１１）の外縁に沿って形成された接地金属層（１４）とを備え、
   前記導波管（１３）の開口端において前記誘電体基板（１１）が前記接地金属層（１４）を介して前記導波管（１３）に取り付けられ、前記導波管（１３）により伝送される電力と、前記ストリップ線路（１２）により伝送される電力とを相互に変換可能な導波管・伝送線路変換器であって、
   前記導波管（１３）は、前記開口端において、前記導波管（１３）の内壁面側が面取りされて凹まされており、該導波管（１３）のうち前記面取りがされている部位が前記面取りがされていない部位に対して、前記中空部のサイズが大きくされていることを特徴とする導波管・伝送線路変換器。
5. 前記導波管（１３）の前記開口端のうち、前記ストリップ線路（１２）が設けられた辺に対向する辺に、前記面取りがなされていることを特徴とする請求項４に記載の導波管・伝送線路変換器。
6. 前記ストリップ線路（１２）の先端部を中心として、前記ストリップ線路（１２）の先端部から前記短絡導波管ブロック（１５）における前記ストリップ線路（１２）から最も近い壁面（１５ａ）までの距離を半径とする円を描いたとすると、前記導波管（１３）における前記コーナー部の凹んだ部分の壁面は、該円よりも該円の中心から離れたところに位置していることを特徴とする請求項４または５に記載の導波管・伝送線路変換器。
7. 前記導波管（３、１３）は、前記開口端において、前記導波管（３、１３）の内壁面側のコーナー部が断面テーパ状に凹んでいることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の導波管・伝送線路変換器。
8. 前記導波管（３、１３）は、前記開口端において、前記導波管（３、１３）の内壁面側のコーナー部が断面四角形状に凹んでいることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の導波管・伝送線路変換器。
9. 前記導波管（３、１３）は、前記開口端において、前記導波管（３、１３）の内壁面側のコーナー部が断面丸形状に凹んでいることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の導波管・伝送線路変換器。
10. 前記導波管（３、１３）は、前記開口端において、前記導波管（３、１３）の内壁面側のコーナー部が断面任意形状に凹んでいることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の導波管・伝送線路変換器。
    

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