JP2005535078A - 注入角度を調整可能にするイオンビーム注入装置用の加工物支持構造体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオンビーム注入装置は、ビームラインに沿って移動するイオンビーム14aを発生させるイオンビーム源と、加工物24がイオンビームに交差するように配置されて、イオンビームによって加工物の注入表面にイオン注入する注入チャンバーを有し、この注入チャンバーに連結されて加工物を支持する加工物支持構造体100とを含む。加工物支持構造体100は、注入チャンバーに回転可能に連結されかつ注入チャンバーの壁に設けた開口と整合する貫通開口を有する第1回転部材110と、この第1回転部材に回転可能に連結されかつ第1回転部材の回転軸からオフセットされた回転軸を有し、第1回転部材の開口の上に横たわる第2回転部材150と、この第2回転部材に固定され、加工物を支持する回転駆動部200,204とを含む。第1回転部材、第2回転部材、及び回転駆動部は、注入表面に注入するための移動経路に沿って加工物を移動して、イオンビームが加工物の注入表面に衝突する前に注入チャンバーを通って移動する距離が一定となるように回転する。
Description
(a)所望の注入角度を選択すること、
(b)注入チャンバー内へのイオンビームの入来位置と注入表面に衝突する位置との間のビーム距離をほぼ一定に維持しながら、イオンビームを注入表面に注入するために加工物を移動すること、を有する。
イオンビームの経路に垂直な回転軸を有し、第1回転部材の幅を貫きかつ前記第1回転部材の回転軸からオフセットされた開口を形成する。加工物支持構造体は、さらに、第1回転部材に回転可能に連結され、かつ第1回転部材の回転軸からオフセットされた回転軸を有する第2回転部材を含んでいる。第2回転部材は、第1回転部材の開口の上に横たわりかつシールされる。
12 イオン源
14 イオンビーム
16 ビーム経路
20 注入ステーション
22 注入チャンバー
24 加工物
25 注入表面
26 電子制御装置
100 加工物支持構造体
102 静電クランプ
104 支持表面
110 第1回転部材
112、152 支持プレート
116 軸受アセンブリ
120 ハブ
130、160、180、210、230 真空シールシステム
136、211、236 チャネル
150 第2回転部材
156 加工物ホルダー
185 軸受アセンブリ
200 駆動機構
220 軸受アセンブリ
Claims (28)
- (a)ビームラインに沿って移動するイオンビームを発生させるためのイオンビーム源と、
(b)加工物がイオンビームに交差するように配置されて、前記イオンビームによって加工物の注入表面にイオン注入するための注入チャンバーと、
(c)この注入チャンバーに連結されて加工物を支持する加工物支持構造体と、を有するイオンビーム注入装置であって、
前記加工物支持構造体が、
1)前記注入チャンバーに回転可能に連結され、かつ前記注入チャンバーの壁に設けた開口と整合する貫通開口を有する第1回転部材と、
2)この第1回転部材に回転可能に連結されかつ前記第1回転部材の回転軸からオフセットされた回転軸を有し、前記第1回転部材の開口の上に横たわる第2回転部材と、
3)この第2回転部材に固定されており、かつ加工物を支持するとともに前記第1、第2回転部材に対して回転可能であって前記第2回転部材および第1回転部材の開口を貫通して伸びている回転駆動部を有する第3部材とを含み、
前記第1回転部材、第2回転部材、及び第3回転部材の回転駆動部は、前記注入表面に注入するための移動経路に沿って加工物を移動して、イオンビームが加工物の前記注入表面に衝突する前に前記注入チャンバーを通って移動する距離が一定となるように回転することを特徴とするイオンビーム注入装置。 - 前記第3部材の回転駆動部の回転軸は、前記第1回転部材の回転軸に一致していることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
- 前記第1回転部材の回転軸は、加工物の注入表面に整合していることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
- 前記第2回転部材の回転軸は、前記第1回転部材の回転軸から250〜300mmの距離だけ離れていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
- 前記第1、2回転部材の各回転軸は、前記注入チャンバー内のイオンビーム部分の方向に対して垂直となっていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
- 加工物の前記移動経路は、線形の移動経路であることを特徴とすることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
- 前記加工物支持構造体は、前記注入チャンバー内に伸びる前記第3部材の回転駆動部に固定される加工物支持体をさらに含むことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
- 前記加工物支持構造体は、注入中前記加工物を保持するための静電クランプをさらに含み、この静電クランプは、前記加工物支持体に固定されていることを特徴とする請求項7記載のイオンビーム注入装置。
- 前記静電クランプは、イオンビームに対して回転可能であることを特徴とする請求項8記載のイオンビーム注入装置。
- 前記第1回転部材は、軸受アセンブリによって注入ステーションに連結されていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
- 前記第2回転部材は、軸受アセンブリによって前記第1回転部材に連結されていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
- 前記注入チャンバーと前記第1回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
- 前記第1回転部材と前記第2回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
- 前記加工物支持体と前記第2回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項7記載のイオンビーム注入装置。
- (a)ビームラインに沿って移動するイオンビームを発生させるためのイオンビーム源と、
(b)加工物がイオンビームに交差するように配置されて、前記イオンビームによって加工物の注入表面にイオン注入するための注入チャンバーと、
(c)この注入チャンバーに連結されて加工物を支持する加工物支持構造体と、を有するイオンビーム注入装置であって、
前記加工物支持構造体が、
1)前記注入チャンバーに回転可能に連結され、かつ前記注入チャンバーの壁に設けた開口と整合する貫通開口を有する第1回転部材と、
2)この第1回転部材に回転可能に連結されかつ前記第1回転部材の開口の上に横たわる第2回転部材と、
3)この第2回転部材に固定されており、前記第2回転部材、及び前記第1回転部材の開口を貫通して伸びるとともに、前記注入チャンバーの内部領域内の加工物を支持する回転駆動を含んでいる駆動機構とを含み、
前記第1、第2回転部材及び前記駆動機構の回転駆動部は、加工物の注入表面が所望の注入角度で加工物の注入表面に注入され、かつ加工物が前記所望の注入角度に一致した移動経路に沿って移動して、イオンビームの焦点距離が一定となるように回転することを特徴とするイオンビーム注入装置。 - 前記駆動機構の回転駆動部の回転軸は、前記第1回転部材の回転軸に一致していることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
- 前記第1回転部材の回転軸は、加工物の前記注入表面に整合していることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
- 前記第2回転部材の回転軸は、前記第1回転部材の回転軸から250〜300mmの距離だけ離れていることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
- 前記第1、2回転部材の各回転軸は、前記注入チャンバー内のイオンビーム部分の方向に対して垂直となっていることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
- 加工物の前記移動経路は、線形の移動経路であることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
- 前記加工物支持構造体は、前記注入チャンバー内に伸びる前記駆動機構の回転駆動部に固定される加工物支持体をさらに含むことことを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
- 前記加工物支持構造体は、注入中前記加工物を保持するための静電クランプをさらに含み、この静電クランプは、前記加工物支持体に固定されていることを特徴とする請求項21記載のイオンビーム注入装置。
- 前記静電クランプは、イオンビームに対して回転可能であることを特徴とする請求項22記載のイオンビーム注入装置。
- 前記第1回転部材は、軸受アセンブリによって注入ステーションに連結されていることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
- 前記第2回転部材は、軸受アセンブリによって前記第1回転部材に連結されていることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
- 前記注入チャンバーと前記第1回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項14記載のイオンビーム注入装置。
- 前記注入チャンバーと前記第1回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項14記載のイオンビーム注入装置。
- 前記加工物支持体と前記第2回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項20記載のイオンビーム注入装置。
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Cited By (1)
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