JP2005527459A - 構造化された表面を有する製品を作製する方法 - Google Patents

構造化された表面を有する製品を作製する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005527459A
JP2005527459A JP2003583927A JP2003583927A JP2005527459A JP 2005527459 A JP2005527459 A JP 2005527459A JP 2003583927 A JP2003583927 A JP 2003583927A JP 2003583927 A JP2003583927 A JP 2003583927A JP 2005527459 A JP2005527459 A JP 2005527459A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
product
glass
substrate
structured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2003583927A
Other languages
English (en)
Inventor
ビーク,フロリアン
ライプ,ユルゲン
ムント,ディートリッヒ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schott AG
Original Assignee
Schott AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE10222964A external-priority patent/DE10222964B4/de
Priority claimed from DE10222958A external-priority patent/DE10222958B4/de
Priority claimed from DE10222609A external-priority patent/DE10222609B4/de
Application filed by Schott AG filed Critical Schott AG
Publication of JP2005527459A publication Critical patent/JP2005527459A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00269Bonding of solid lids or wafers to the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/006Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/02Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00Compositions for glass with special properties
    • C03C4/12Compositions for glass with special properties for luminescent glass; for fluorescent glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10Glass or silica
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02129Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02142Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
    • H01L21/02145Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides the material containing aluminium, e.g. AlSiOx
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02142Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
    • H01L21/02161Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides the material containing more than one metal element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/316Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31616Deposition of Al2O3
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/316Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31625Deposition of boron or phosphorus doped silicon oxide, e.g. BSG, PSG, BPSG
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00Forming microstructural systems
    • B81C2203/01Packaging MEMS
    • B81C2203/0172Seals
    • B81C2203/019Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00Forming microstructural systems
    • B81C2203/03Bonding two components
    • B81C2203/031Anodic bondings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/16Microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/70Properties of coatings
    • C03C2217/77Coatings having a rough surface
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/15Deposition methods from the vapour phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32After-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32After-treatment
    • C03C2218/328Partly or completely removing a coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32After-treatment
    • C03C2218/328Partly or completely removing a coating
    • C03C2218/33Partly or completely removing a coating by etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/355Temporary coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894Materials of the insulating layers or coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01012Magnesium [Mg]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31Surface property or characteristic of web, sheet or block

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本発明の目的は、ガラス中またはガラス様の層中に微細構造を作製する方法を提供することである。この目的のために、構造化された表面(20a)を有する補助基板(10、20)を使用し、その際、前記表面が、作製すべき製品のネガ鋳型を画定する。補助基板の構造化された表面(20a)上にガラスまたはガラス様材料から作製された層(30)を気相堆積する。この補助基板を、続いて、たとえば湿式化学的技術を用いて除去し、それによって、ポジ構造を露出させる。本発明により、マイクロチャネル、およびマイクロレンズなどの光学微細構造の優れた作製が可能になる。

Description

本発明は、構造化された表面を有する製品を作製する方法、および一般にこのタイプの製品、および特にガラス中に微細構造を作製する方法に関する。
ガラスには、その優れた光学的および化学的性質により、ガラスは評価され、幅広い用途で使用されている。一例として、ガラスは、水、水蒸気、特に酸および塩基などの浸食性物質に対する耐久性が高い。さらに、異なった組成物または添加物を使用することによって、ガラスを大きく変化させることができ、したがって、幅広い分野の用途に合わせることができる。
ガラスの1つの大きな応用分野は、光学およびオプトエレクトロニクスである。一例として、今日、データ通信分野において光学構成部品を使用しないということは想像もつかない。
特にこの応用分野では、構成部品はますます小型化され、その結果、構成部品の正確さに対する要求は絶えず高まり続けている。一例として、光学的品質の極めて高い、光に影響を与える、たとえば屈折または回折用構成部品への要求は大きい。現時点では、ほんの一例として、光マイクロレンズを挙げることができる。
光学特性が優れているために、ガラスはこの目的に著しく適している。しかし、他方で、ガラスを使用するには一定の困難がある。たとえば、ガラスの正確な加工、特に精密な構造化には問題がある。
湿式または乾式化学的手段により、ガラスをエッチングすることはよく知られているが、特にガラスに関しては、この場合は、速度の遅いエッチングが達成されるのみであり、その結果、この種の方法は進行が遅く、したがって、大量生産には費用がかかりすぎる。
一例として、たとえば、FOTURAN(商標登録)など光構造化可能なガラスを使用することも知られている。しかし、この種のガラスは、極めて高価である。
レーザを使用して、正確な構造をガラス上に作製することもできるが、この技術もやはり進行が非常に遅く、同様に大量生産には費用がかかりすぎる。
さらに、研削や研磨などの様々な機械加工法が知られているが、一般に、そのような方法では、他の方法で達成できる正確さおよび精密さを達成することができない。
独国特許出願DE 202 05 830.1 独国特許出願DE 102 22 964.3 独国特許出願DE 102 22 609.1 独国特許出願DE 102 22 958.9 独国特許出願DE 102 52 787.3 独国特許出願DE 103 01 559.0 独国実用新案U−202 05 830.1
したがって、本発明の一目的は、構造化された表面を有する製品を、簡単にかつ安価に作製できる方法を提供することである。
本発明の他の目的は、正確かつ精密に位置決め可能な、および/または多様な構造化が可能な、構造化された表面を有する製品を作製する方法を提供することである。
本発明の他の目的は、ガラスまたはガラス状構造を有する材料に適しするが、そのような材料に限られず、構造化された、特に微細構造化された表面を有する製品を作製する方法を提供することである。
本発明の他の目的は、大量生産に適し、従来技術の欠点を避ける、または少なくとも減少させる、構造化された表面を有する製品の作製方法を提供することである。
本発明の目的は、独立請求項の主題を用いるのみで、驚くほど簡単に達成される。本発明の有利な改良形態は、下位請求項で定義される。
本発明は、予め定義された方法で構造化された表面を有する製品を作製するための、特に、たとえば、マイクロレンズおよび/またはマイクロチャネルなどの微細構造を、ガラス中にまたはガラスから作製するための、方法を提供する。この方法は、少なくとも、補助基板を用意する工程と、前記補助基板の少なくとも1つの面を構造化する工程と、第1材料の第1層を前記補助基板の構造化された面に付与させる工程とからなる。
本発明において、補助基板の構造化された表面は、必ずしも補助基板の実際の構造化された表面を意味すると理解すべきではなく、補助基板上に付与された層の構造化された表面をも含み得る。しかし、それにもかかわらず、補助基板を直接構造化してもよい(図4a、4b、4cを参照のこと)。
補助基板の材料を構造化特性に基づいて選択して適合させることができるので、補助基板を、適切な場合は他の層と共に、構造画定要素として用いることは、本発明にとって極めて有利であることが分かっている。特に、この補助基板は、さらに除去され、したがって完成品の一部ではないので、必ずしも透明である必要はない。取り外し可能な補助基板は、適切な場合、再使用さえ可能であり、したがって、さらなる費用の削減に貢献することがある。
したがって、補助基板は、特に第1層または製品から、好ましくは第1層を付与させた後で、適切には、さらなる工程の後で、取り外されるかまたは除去される。言い換えれば、第1層は、構造化された表面を保持したまま、補助基板から取り外しまたは分離することができる。
したがって、特に、本発明による方法では、予め定義された形状に構造化された表面を有するネガマスクまたは鋳型を用意し、第1層中にネガマスクの構造化された表面のポジ型印象を作製するために、ネガマスク上に第1層を堆積させる。
第3の材料、特にガラス、ガラス状構造を有する材料、または別の特に透明な材料から作製された自立担体または製品基板を、第1層に付与させることが好ましい。
基板、特に製品基板上に、構造化された層を作製するための、本発明による方法は、極めて驚くべき方法である点で明らかであり、これは、使用したネガ技術が、構造化された層が補助基板上で成長することを意味するので、従来の方法のように、層が製品基板から離れて成長していくのではなく、むしろ作製されるべき製品に関して、製品基板に向かって成長していくからである。
本発明による方法は、ガラス中に微細構造を作製することが、簡単、迅速に、安価にできるので、特に有利である。さらに、補助基板の表面が対応するネガ鋳型を画定して、層表面内に、非常に小さな、特に、たとえばマイクロレンズまたはマイクロチャネルなどの回折または屈折構造を作製することが可能である。
さらに、使用したネガ技術により、表面構造を正確に予め画定し、制御することができるので、均一な製品品質および高い表面品質を達成することができる。
第1材料は、ガラスまたはガラスに類似の材料であることが好ましく、それにより、上記で概説した利点を有する予め画定した形状に構造化されたガラス層を作製することが可能である。ガラス、ガラス類似材料または他の透明材料から作製した微細構造、たとえばマイクロレンズが、本発明によって提供されることは、ガラス繊維光学分野における巨大な範囲の用途への可能性を開くものである。
ガラスに類似の適切な層は、特に、CVD(化学気相堆積)により堆積された、一例として、リンおよび/またはホウ素をドープしたSiO層である。リンおよびホウ素は、気相から同様に堆積される。この種の層の利点は、リフロー温度がガラスの場合より低いことである。
本発明の、追加の、思いがけない成果は、本発明に従って構造化した製品が、マイクロ流体工学における利用に著しく適していることであることが分かった。この場合、マイクロチャネルを備えたガラス層は、高い化学的安定性を特徴とすることは、特に有利である。
ガラスは、熱的、機械的、および光学的性質に関する、高度の可変性を特徴としている。
第1層またはガラス層を補助基板上に堆積させること、特に蒸着被覆により堆積させることが特に好ましい。電子ビーム蒸着被覆法またはスパッタリング法が特に適していることが判明している。これに関連して、蒸着被覆ガラス、たとえば、Schott製の蒸着被覆ガラス8329を、真空チャンバ中で電子ビームにより、蒸発するまで加熱し、その蒸気を補助基板上に析出させ、ガラス化させることが好ましい。
この点については、同一出願人の名前で出願された、
2002年4月15日出願のDE 202 05 830.1;
2002年5月23日出願のDE 102 22 964.3;
2002年5月23日出願のDE 102 22 609.1;
2002年5月23日出願のDE 102 22 958.9;
2002年11月13日出願のDE 102 52 787.3;
2002年1月16日出願のDE 103 01 559.0;
をも参照されたい。これらの出願の開示を参照によりここに明白に本明細書に組み込む。
以下のプロセスパラメータは、ガラスの連続層の付与に有利である。
基板の表面粗さ: <50μm
蒸着中のバイアス温度 ほぼ100℃
蒸着中の気圧: 10−4ミリバール
第1層の蒸着被覆による堆積または付与は、プラズマイオン堆積(PIAD)により実施することが有利である。この場合は、さらにイオンビームを、被覆すべき基板上に向ける。イオンビームは、プラズマ源により、たとえば適切な気体のイオン化により発生させることができる。プラズマは、層をさらに緻密化し、基板表面にゆるく接着している粒子を引き離す働きがある。このため、特に緻密な、欠点の少ない層が堆積される。
本発明の好ましい改良形態によれば、第1層を付与または堆積させた後、たとえば化学的におよび/または機械的に平坦化させる。この目的に適した方法には、ガラス層の湿式化学的エッチングあるいは切削および/または研磨が含まれる。この場合、製品基板は平坦化の後で付与させることが好ましい。
特に自立しており、製品に安定性を付与する製品基板は、特に平坦化された第1層またはガラス層に付与させることが好ましい。この場合、製品基板は、たとえば、第1層に対して陽極接合させる。陽極接合は、製造される製品が高い化学的負荷を受けることができるという利点を有する。
その代わりに、またはそれに加えて、製品基板は、第1層に接着結合させる。特にこの場合は、接着剤が表面の凹凸を補償することができるので、有利にも平坦化を省略することができる。この例では、平坦化は、いわば接着剤によって行われる。この単純な実施形態は、特に、非光学製品、たとえばマイクロ流体工学用の製品に適している。使用する接着剤は、たとえば、エポキシ樹脂、特に透明なエポキシ樹脂である。
陽極接合およびエポキシ樹脂を使用した接着結合中に、陽極接合またはエポキシ樹脂によって実施された、製品基板、第1層またはガラス層および接合層を含む、固定された永続性のあるサンドイッチ状の複合材料が、補助基板を除去した後に、本発明による方法によって製造可能なまたは製造された中間または最終製品として得られる。
特に、製品基板および/または第1層は透明であるので、複合材料は、光に対して、好ましくは可視および赤外域で、特に透過性または透明性を有する。換言すると、本発明により、光学構成部品、たとえば屈折または回折性複合材素子が作製される。したがって、本発明を利用して、たとえば、マイクロレンズアレイ全体を作製することができる。
その代わりにまたはそれに加えて、たとえば反射防止被覆および/または赤外吸収層などのさらなる層を、特に平坦化した第1層に、すなわち第1層と製品基板との間に、付与させることが好ましい。しかし、この種の1つまたは複数の層は、製品基板の第1層とは反対の側で、製品基板に付与させることもできる。このようにして、さらなる光学構成部品が一体化される。
本発明の好ましい実施形態によれば、補助基板は、第2材料から作製された自立担体を含むか、またはそのような材料からなる。使用する第2材料は、好ましくはガラスではなく、特に半導体材料、たとえばシリコン、および/またはセラミックスおよび/または金属、たとえばアルミニウムおよび/または金属合金である。
本発明のさらなる発展形態によれば、補助基板、より正確には第2材料は、直接構造化され、したがって、必ずしもさらなる層を付与させる必要はないが、ガラス層の堆積に先立って、さらなる層を付与させてもよい。特にこの改良形態においては、構造化工程の前に、あるいは適切な場合は構造化工程の後でも、補助基板を、特に化学的または機械的手段により、たとえば平面ラッピングにより平坦化する。
ガラス層を堆積した後で、ガラス構造を露出させるために、補助基板、特に第2材料を、実質上完全にまたは少なくとも部分的にエッチング除去することが好ましい。一例として、シリコン補助基板の場合は、そのシリコン補助基板を、水酸化カリウム(KOH)により化学的に溶解させる。
上述の実施形態の代わりにまたはそれに加えて、さらなる実施形態によれば、補助基板は、第2材料から作製された自立担体と担体に付与させた構造化層を含む。この場合は、担体ではなく構造化層の方を、構造化することが好ましい。
構造化層は、特にレジストまたはフォトレジストを含むか、またはそれからなる。特にアナログ構造、たとえばレンズを作製するために、グレースケールのレジストを使用する。ガラス層の堆積後、構造化層を、特に化学的に溶解させることにより、完全にまたは少なくとも部分的にエッチング除去する。
本発明の好ましい改良形態によれば、少なくとも1種または複数の中間層を、担体と構造層の間に配置する。1層または複数の中間層は、好ましくはレジストを含むか、またはレジストからなる。特に、中間層のレジストと構造層のレジストは異なる材料でできているので、それらのレジストを選択的にエッチング除去することができる。
特に好ましい実施形態では、補助基板または構造層を、リソグラフィ手段により構造化する。しかし、その代わりにまたはそれに加えて、たとえば、精密なマスタを用いて機械的に、特にフィルムまたは箔にプレス加工することにより、構造化することも可能である。この単純な方法によってさえ、マイクロメートル範囲の正確さを達成することが可能である。
正確さに関する要求が比較的低い構造では、構造化を、たとえば、スクリーン印刷によって行うことができる場合がある。
予め構造化されたまたは微細構造化されたフィルムまたは箔を、補助基板に付与または接着接合させることは、特に簡単であり、したがって好ましい。
さらに、本発明は、2002年4月15日出願の独国実用新案出願U−202 05 830.1、および2002年5月23日出願の独国特許出願DE−102 22 609.1に記載されている発明にも関係する。したがって、上記で参照した2つの出願の内容を、参照により、ここに本発明の開示の主題に完全に組み込む。
以下の文章で、本発明を、例示的な実施形態に基づき、図面を参照してより詳細に説明する。
以下の内容は、一例として、本発明の6つの実施形態を示す。様々な実施形態の特徴を互いに組み合わせることが可能である。
図面は、対応する作製段階における製品の断面図を示す。分かりやすいように、同一または類似の作製段階を示す図は、同一の文字で示し、したがって、図の番号付けでは、いくつかの文字が省略してある。図中で同一または類似の部分には、同じ参照記号が付けてある。
図1aは、シリコンから作製した補助基板10を示す。
図1bに示す次の工程に従って、フォトレジスト、より具体的にはグレースケールレジストの層20を、基板10の上面10aに付与させる。グレースケールレジストは、アナログ構造を作製することも可能だという利点を有する。
図1cに示すように、グレースケールレジスト20には、グレースケールリソグラフィにより構造21〜24が付与される。構造21および22は、2つの凸レンズのネガ鋳型として設計された2つの回転対称な窪みを表す。構造23は、三角形構造のネガ鋳型であり、構造24は、四角形のバイナリ回折構造のネガ鋳型を表す。
図1dに示すように、第1層またはガラス層30を、PVD(物理的気相堆積)によりレジスト20の上面20a上に堆積させる。この例では、ショットガラス(Schott Glas)製の蒸着被覆ガラス8329を、ガラス層30の材料として用いる。しかし、その代わりに、蒸着被覆に適した、実質上どんなガラスも使用することができる。しかし、たとえば、AlまたはSiOなどガラス以外の材料を堆積させることも可能である。
図1dに示したように、ガラス層30の凹凸のある表面30aを滑らかにするために、この表面を平坦化する。
この例示的な実施形態では、ガラス層30の補助基板10から離れた側30aを研削および研磨することにより、平坦化を行う。その結果、ガラス層30は、滑らかに研磨された表面30bを得る。平坦化工程後の結果を、図1eに示す。
図1fに示すように、補助基板10と同一ではない製品基板50を、その表面30bでガラス層30と陽極接合させる。この接合は、図1fに参照番号40で示されている。
使用する製品基板50は、たとえば、機械引き板ガラス、特にSchott製のD263である。特別の用途に応じて、無アルカリガラス、たとえばSchott製のAF45、AF37が有利なこともある。あるいは、フロートガラス、たとえば、「イエナガラス(Jenaer Glas)」の商品名で知られる、Schott製のBorofloat33を使用する。製品基板50は自立しており、作製される製品を安定化するのに役立ち、したがって、この例では、ガラス層30は自立していないが、必要なら自立させることもできる。
次いで、グレースケールレジストをエッチング除去することによって、補助基板10およびグレースケールレジスト20を除去する。図1gに示すように、残ったものは、製品基板50と、ガラス層またはガラス構造30と、陽極接合40だけである。ガラス層30は、ネガ構造21〜24と相補のポジ構造31〜34を有する。このポジ構造は、直径ほぼ1mmの回転対称な2枚の凸レンズ31および32、三角形の突起部33および四角形の構造34を含む。構造33および34は、図面の平面に対して垂直に延びている。しかし、本発明による方法を使用して、ガラス層30中に、他のほぼどんな二元(2種類からなる)および非二元構造も作製できることは、当業者には明らかであろう。特に、500μm、200μm、100μm、50μm、20μmまたは10μmより小さな構造を作製することができる。
したがって、図1gに示した製品は、すでに微細構造化された表面を有する光学的に透明な製品を表す。しかし、この例示的な実施形態によれば、2つのまたは両面が構造化された表面を有する製品を得るために、図1hおよび1iに示すように、この製品をさらに加工する。
図1hを参照すると、反射防止コーティング60が、製品基板50の、ガラス層30から離れた側の上面50aに付与されている。その代わりにまたはそれに加えて、たとえば、赤外吸収層および/またはさらなる光学的層を付与させることもできる。
図1iに、第2の構造化されたガラス層が、陽極結合70により反射防止コーティング60に付与されていることを示す。この第2の構造化されたガラス層80は、第1の構造化されたガラス層30と同じ方法を用いて作製する。この場合、図1eに対応する段階で、第2の構造化されたガラス層80を関連するフォトレジストおよび補助基板(図示せず)と一緒に反射防止コーティング70に付与させ、その後第2ガラス層80に関連するフォトレジストおよび補助基板(図示せず)をエッチング除去するだけにするのが有利なこともある。
あるいは、補助基板10およびフォトレジスト20を第1の構造化されたガラス層30からエッチング除去する前に、すなわち図1fに示した段階で、第2の構造化されたガラス層80を製品基板50に付与させることもでき、適切な場合、反射防止コーティング60および/またはさらなる層の組み込みも実施してもよい。この手順は、第1および第2の構造化されたガラス層30、80に関連するフォトレジストおよび補助基板を、同時にエッチング除去できるという利点を有する。
図2fに、陽極接合ではなくエポキシ樹脂層41によって接着結合された製品を示す。その他の点では、図2fに示す段階までは、製品は、図1a〜1dに示した工程と同様の方法で作製されている。
したがって、製品基板または担体50を接着接合する際の出発点は、ガラス層30を平坦化する工程にかける前の製品である。製品基板50を、エポキシ樹脂により凹凸のあるガラス層30と接着結合させる。図2fに見られるように、エポキシ樹脂41は、ガラス層30の凸凹を補償する。
図2gを参照すると、補助基板10およびフォトレジスト20を、第1実施形態の場合と同様に、エッチング除去する。
図2gに示した製品1は、二元構造34の代わりに、さらなる三角形の二元構造35を備えているので、図1dに示した製品とは異なる。0.1〜2μlの範囲の容積を持つマイクロチャネル36が、図面の平面に垂直に延びる2つの三角形構造33と35の間に形成される。したがって、製品1は、特にガラスが生物学的中性であるという理由から、マイクロ流体工学用に、たとえば、DNAプロセッサとして知られるものに、大変適している。
本発明の第2実施形態による製品1は、図2gに示したように、接合層または接着層41が両面とも平坦でないので、構造化されたガラス層30および製品基板50の屈折率と類似の屈折率を有するエポキシ樹脂を使用するのが有利であることが分かっている。
溶媒を含まず、屈折率がn=1.5である、1成分のUV接着剤をベースにした光学エポキシ接着剤、たとえば、Delo製の「Delo Katiobond 4653」が、エポキシ樹脂41として使用するのに特に適していることが分かっている。
この場合は、屈折率を下記のごとく選択する。
製品基板50 ガラスAF45 n=1.52
エポキシ樹脂層41 Delo Katiobond 4653 n=1.50
ガラス層30 蒸着被覆ガラス8329 n=1.47
Borofloat33(n=1.47)またはD263(n=1.52)を製品基板50の材料として使用する場合は、屈折率差が小さいので、同じエポキシ樹脂を使用してもうまく機能する。他のガラスを、ガラス層30または製品基板50として使用する場合は、それに対応する屈折率を有するエポキシ樹脂を選択する。屈折率が1.3〜1.7のエポキシ樹脂が、この目的に利用できる。
図3a〜fには、二元構造のみを有する本発明の第3の実施形態に従った、本発明による製品の作製を示す。
まず、シリコンから作製された自立補助基板10を用意する(図3a)。次に、第1中間層15を補助基板10に付与させる。中間層15は、フォトレジストまたは非感光性の、たとえばプラスチック材料から作製した単純な中間層でよい。
フォトレジスト層20を中間層15に付与させ、たとえば、フォトリソグラフィによって二元型に構造化する。その結果を図3cに示す。
次いで、ガラス層30を、蒸着被覆により付与させる(図3d)。ガラス層30を平坦化し、平坦化したガラス層30に、製品基板50を陽極接合する(図3e)。
次に、補助基板、中間層15およびフォトレジスト層20をエッチング除去し、ガラス層30の構造化された表面30cをむき出しにすると、その結果、光学製品1(図3f)が得られる。
この場合は、蒸着被覆ガラス30が補助基板10に接着結合するのを、中間層15が妨げている。したがって、上記の実施形態は、グレースケールレジストを使用しない二元構造を作製するのに特に有利である。
次に図4aを参照すると、本発明の第5実施形態に従った、本発明による製品を作製するために、補助基板10を用意する。補助基板10は、研磨されたシリコンウェハである。
次に図4cを参照すると、二元ネガ構造10aを、補助基板10中に、すなわちシリコン中に、湿式化学的エッチングにより直接作製する。
次いで、ガラス層30を蒸着被覆により付与させ、製品を他の実施形態の通りにさらに加工する。
この例示的な実施形態では、補助基板10、より具体的にはシリコンを、構造化された表面30cをむき出しにするために、KOH溶液を用いて溶解させる。
図5fに、図3fに対応する段階の、わずかに異なる構造化された表面30cを有する、第4実施形態に従った、本発明による製品を示す。ガラス層30の表面30cは、中央窪み35および外側の端に突起部36を有する。
次に図5gを参照すると、製品1上のガラス層30の突起部36の下側の面は、第2の陽極接合70により、第2の考案基板81に接合されている。このため、MEMS構造(micro−electro−mechanical system)82の周囲に中央空洞35ができるが、これはこの工程により内部に封じ込められる。
図6aに、一例として、3M社のロール状のものが販売されている、エンボス加工され予め構造化されたプラスチックフィルム25を示す。
予め構造化されたフィルム25を、たとえば、接着結合により補助基板10に付与させる(図6d)。次いで、ガラス層30を、蒸着被覆により、プラスチックフィルム25の構造化された表面に付与させる。
次に図6fを参照すると、ガラス層30を研削し、製品基板50に陽極接合させる。次いで、補助基板10およびプラスチックフィルム25を、たとえば、エッチングまたはその他の方法で引きはがして、除去する。これで、ガラス担体50中で構造化されたガラス層30の形に、一方の面が構造化された表面を有する、完全に透明な製品1が作製される。以下の文章では、蒸着被覆によって堆積させたガラス8329から形成されたガラス層について実施した様々な試験の結果について述べる。
図7に、計数率をスパッタリング時間の関数としてプロットして、TOF−SIMS測定の結果を示す。この測定は、ガラス層中の元素濃度プロフィルを特徴付けるものである。このガラス層では、層の厚さの一定性が1%未満であることが測定から分かった。
図8に、本発明に従って、ガラス8329から作製したガラス構造を示す。
さらに、ガラス8329から作製したコピープロテクト層の耐漏洩性試験を、以下のように行った。
シリコンウェハにエッチングストップマスクを設けた。図9に示すように、ウェハ97を、9つの穴領域98(1cm×1cm)に分割した。領域内の個々の穴の間隔を、列から列へ以下のように変化させた。
第1列:1mmの穴間隔
第2列:0.5mmの穴間隔
第3列:0.2mmの穴間隔
正方形の穴99はすべて、一辺の長さが15μmである。
ウェハの構造化されていない背面を、厚さ8μm(試料A)または18μm(試料B)のガラス8329の層で被覆した後、ウェハを、穴あき表面内で、ガラスに到達するまでドライエッチングした。エッチングが成功したことを、透過光顕微鏡下でうまく観測することができた。
18個すべての測定領域で、ヘリウム漏洩試験による漏れ率は、10−8mbar1/sec未満であった。
それぞれの測定領域で測定している間に、ウェハはかなり曲がったにもかかわらず、ガラス層領域でのガラスの強度が高いことは、驚くべきである。200℃でコンディションニングした後でも、ガラス構造は何ら変化しなかった。
さらに、DIN/ISOに従って、ガラス層の耐久性測定を実施した。結果を表1に示す。
Figure 2005527459
上記の実施形態は、例として理解すべきであること、および本発明は、これらの例に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなしに、多くの方法で変更できることが、当業者には明白であろう。
本発明の第1実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第1実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第1実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第1実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第1実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第1実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第1実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第1実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第1実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第2実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第2実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第3実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第3実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第3実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第3実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第3実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第3実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第4実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第4実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第4実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第5実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第5実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第6実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第6実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 本発明の第6実施例に従った、本発明による製品の作製を示す図である。 TOF−SIMS(飛行時間二次イオン質量分析)測定の結果を示す図である。 顕微鏡像の写真を示す図である。 耐漏洩性試験用の穴あきマスクを有するウェハを図式的に示す図である。

Claims (34)

  1. 構造化された表面(30c)を有する製品(1)を作製するための、特に、ガラス中に微細構造(31、32、33、34、35、36)を作りだすための方法であって、少なくとも、
    構造化された表面(20a)を有する補助基板(10、20)を用意する工程と、
    第1材料の第1層(30)を前記構造化された表面(20a)に付与させる工程と
    からなる方法。
  2. 前記補助基板(10、20)を除去することをも含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記第1材料(30)が、ガラスまたはガラスに類似した材料からなる、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  4. 前記第1層(30)を付与させる工程が堆積操作からなる、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  5. 前記第1材料(30)を、前記補助基板(10、20)の前記構造化された表面(20a)に堆積するために、スパッタリングまたは蒸着させる、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記第1層(30)を、蒸着被覆により付与させる、特にプラズマイオン堆積により堆積する、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  7. 補助基板(10、20)の構造化された表面(20a)が、光学レンズまたはチャネルのネガ鋳型(21、22、23、24)を画定する、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  8. 前記第1層(30)を平坦化する(30b)、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  9. 製品基板(50)を付与させる、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  10. ガラスまたはガラスに類似した材料からなる製品基板(50)を付与させる、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  11. 製品基板(50)を、前記第1層(30)に接着結合する(41)、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  12. 製品基板(50)を、前記第1層(30)に陽極接合する(40)、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  13. 前記補助基板が第2材料から作製された自立担体(10)からなり、前記第2材料が直接構造化される、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  14. 構造化工程に先立って、前記補助基板(10)を平坦化する、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  15. 前記補助基板(10、20)が、少なくとも部分的にエッチング除去される、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  16. 前記補助基板が第2材料から作製された担体(10)からなり、構造化層(20)が前記担体に付与され、前記構造化層が構造化される、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  17. 前記構造化層(20)が、予め構造化されたフィルムまたは箔(25)からなる、請求項16に記載の方法。
  18. 中間層(15)が、前記担体(10)と前記構造化層(20)の間に付与される、請求項16または17に記載の方法。
  19. フォトレジストまたはグレースケールレジストからなる構造化層(20)が付与される、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  20. 前記構造化工程が、リソグラフィ法または機械的プレス操作からなる、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
  21. 構造化された表面(30c)を有する製品(1)を作製するための、特にガラス中に微細構造(31、32、33、34、35、36)を作るための、および特に、前記請求項のいずれか1項に記載の方法であって、少なくとも、
    構造化された表面(20a)を有するネガマスク(10、20)を用意する工程と、
    第1層(30)中に前記ネガマスクの前記構造化された表面(20a)のポジティブ印象(30c)を作るために、前記ネガマスク上に第1材料の前記第1層(30)を堆積する工程と
    からなる方法。
  22. 構造化された表面(30c)を有する製品基板(50)からなる製品(1)を作製する特にガラス中に微細構造(31、32、33、34、35、36)を作るための、特に前記請求項のいずれか1項に記載の方法であって、少なくとも、
    前記製品基板(50)を用意する工程と、
    第1材料の第1層(30)を堆積する工程とからなり、
    前記第1層は、作製される製品に関して前記製品基板(50)の方向に成長する方法。
  23. 中間製品、特に前記請求項のいずれか1項に記載の方法によって作製可能な中間製品であって、
    補助基板(10、20)と、前記補助基板(10、20)に接合された第1材料の第1層(30)とからなり、前記第1層(30)は、前記補助基板(10、20)に向いている構造化された表面(30c)を有し、前記第1層(30)は、前記構造化された表面を保持したまま、前記補助基板(10、20)から取り外すことができる中間製品。
  24. 前記請求項のいずれか1項に記載の方法によって作製可能な、構造化された表面(30c)を有する製品(1)。
  25. 構造化された表面(30c)を有する製品(1)、特に前記請求項のいずれか1項に記載の方法によって作製可能な製品であって、
    第3の材料から作製された製品基板(50)と、構造化された表面(30c)を有する第1材料の第1層(30)とからなり、前記第1層(30)は前記製品基板(50)に固定して付与されている製品。
  26. 前記製品基板(50)および前記第1層(30)が透明である、前記請求項のいずれか1項に記載の製品(1)。
  27. 前記第1層(30)および前記製品基板(50)が、ガラスまたはガラスに類似した材料からなる、前記請求項のいずれか1項に記載の製品(1)。
  28. 前記第1層(30)が、堆積により作製された層からなる、前記請求項のいずれか1項に記載の製品(1)。
  29. 前記第1層(30)が、スパッタリングまたは蒸着により作製された層からなる、前記請求項のいずれか1項に記載の製品(1)。
  30. 前記第1層(30)が、蒸着被覆により付与された、特にプラズマイオン堆積により堆積された、前記請求項のいずれか1項に記載の製品(1)。
  31. 前記第1層(30)の構造化された表面(30c)が、光学レンズ(31、32)またはチャネルを画定する、前記請求項のいずれか1項に記載の製品(1)。
  32. 前記第1層(30)が、構造化された表面の反対側の面で平坦化されている(30b)、前記請求項のいずれか1項に記載の製品(1)。
  33. 前記第1層および製品基板(50)が、互いに接着結合されている(41)、前記請求項のいずれか1項に記載の製品(1)。
  34. 前記第1層(30)および前記製品基板(50)が、陽極接合されている(40)、前記請求項いずれか1項に記載の製品(1)。
JP2003583927A 2002-04-15 2003-04-15 構造化された表面を有する製品を作製する方法 Withdrawn JP2005527459A (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE20205830 2002-04-15
DE10222964A DE10222964B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Gehäusebildung bei elektronischen Bauteilen sowie so hermetisch verkapselte elektronische Bauteile
DE10222958A DE10222958B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element
DE10222609A DE10222609B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat
DE10252787A DE10252787A1 (de) 2002-04-15 2002-11-13 Verfahren zur Herstellung eines Kopierschutzes für eine elektronische Schaltung
DE10301559A DE10301559A1 (de) 2002-04-15 2003-01-16 Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche
PCT/EP2003/003873 WO2003086958A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung eines erzeugnisses mit einer strukturierten oberfläche

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005527459A true JP2005527459A (ja) 2005-09-15

Family

ID=44243106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003583927A Withdrawn JP2005527459A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 構造化された表面を有する製品を作製する方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20060051584A1 (ja)
EP (1) EP1494965B1 (ja)
JP (1) JP2005527459A (ja)
CN (1) CN1329285C (ja)
AU (1) AU2003233973A1 (ja)
CA (1) CA2480854A1 (ja)
IL (1) IL164304A0 (ja)
WO (1) WO2003086958A2 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7494598B2 (en) * 2005-11-22 2009-02-24 Honeywell International Inc. Miniature optically transparent window
US7465681B2 (en) 2006-08-25 2008-12-16 Corning Incorporated Method for producing smooth, dense optical films
EP1964816B1 (en) 2007-02-28 2015-06-03 Corning Incorporated Methods for forming compositions containing glass
ATE477220T1 (de) 2007-02-28 2010-08-15 Corning Inc Verfahren zur herstellung von mikrofluidischen vorrichtungen
CN104380432A (zh) * 2012-03-30 2015-02-25 Msg里松格莱斯股份公司 半导体器件和用于制造类玻璃层的方法
CN105278010B (zh) * 2015-09-25 2017-01-11 河南仕佳光子科技股份有限公司 二氧化硅微透镜的制造方法
CN116282904A (zh) 2016-09-13 2023-06-23 Agc株式会社 高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板
EP3300801B1 (en) 2016-09-30 2019-09-04 Roche Diagniostics GmbH Microfluidic device and method for manufacturing the same
CN106597583B (zh) * 2016-12-30 2019-01-18 上海集成电路研发中心有限公司 一种形成光学分光透镜的结构和方法
WO2021000222A1 (en) * 2019-07-01 2021-01-07 Schott Glass Technologies (Suzhou) Co. Ltd. Diffractive optical element and method for manufacturing the same
KR20220061165A (ko) 2019-09-06 2022-05-12 쇼오트 글라스 테크놀로지스 (쑤저우) 코퍼레이션 리미티드. 유리 기판과 미세구조 층 사이의 높은 결합 강도를 갖는 미세 광학 소자

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4024275A1 (de) * 1990-07-31 1992-02-06 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen mit bereichsweise unterschiedlicher strukturhoehe
DE4307869C2 (de) * 1993-03-12 1996-04-04 Microparts Gmbh Mikrostrukturkörper und Verfahren zu deren Herstellung
JPH06265702A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Omron Corp 光学素子及びその製造方法ならびにドットマトリクス表示装置
US6221562B1 (en) * 1998-11-13 2001-04-24 International Business Machines Corporation Resist image reversal by means of spun-on-glass
US6403286B1 (en) * 1999-11-04 2002-06-11 Corning Incorporated High aspect ratio patterning of glass film
US6221687B1 (en) * 1999-12-23 2001-04-24 Tower Semiconductor Ltd. Color image sensor with embedded microlens array

Also Published As

Publication number Publication date
CN1646418A (zh) 2005-07-27
IL164304A0 (en) 2005-12-18
AU2003233973A8 (en) 2003-10-27
AU2003233973A1 (en) 2003-10-27
CN1329285C (zh) 2007-08-01
WO2003086958A2 (de) 2003-10-23
US20060051584A1 (en) 2006-03-09
EP1494965B1 (de) 2017-09-06
WO2003086958A3 (de) 2004-02-12
EP1494965A2 (de) 2005-01-12
CA2480854A1 (en) 2003-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7825029B2 (en) Method for the production of structured layers on substrates
US7662544B2 (en) Method for manufacturing a master, master, method for manufacturing optical elements and optical element
JP5024047B2 (ja) 微小構造体の製造方法
CN102707351A (zh) 利用结构化的玻璃涂层制作衍射光学元件
JP2005527459A (ja) 構造化された表面を有する製品を作製する方法
US20150131034A1 (en) Apparatus and method for manufacturing micro lens array, and micro lens array manufactured using the same
JP2007110122A (ja) ハイサグレンズの製造方法及びこの方法により製造したハイサグレンズ
CN101900936A (zh) 压印模具及其制作方法
DE102011119610A1 (de) Verfahren zur Herstellung strukturierter optischer Komponenten
DE10301559A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche
JP2008516263A (ja) 構造化されたガラスコーティングによる回折光学素子の形成
CN114488365A (zh) 一种远红外超透镜及其加工方法
CN105384145B (zh) 一种内嵌式纳米森林结构及其制备方法
US20080223295A1 (en) METHOD FOR PRODUCING A TOOL WHICH CAN BE USED TO CREATE OPTICALLY ACTIVE SURFACE STRUCTRES IN THE SUB-nuM RANGE AND A CORRESPONDING TOOL
US20030038033A1 (en) Process for fabricating high aspect ratio embossing tool and microstructures
KR101178935B1 (ko) 구조화된 표면을 구비한 제품 생산 방법
JP2003139920A (ja) マイクロレンズの製造方法
JPH081810A (ja) 等方性エッチングにより形成する微小レンズ
US20220111562A1 (en) Method for producing a structure having at least one curved pattern
CN115428153A (zh) 一种透镜阵列及其制备方法
JP2007101979A (ja) 微細構造の製造方法、微細構造成型用金型の製造方法、微細構造を有する光学素子の製造方法、微細構造を有する光学素子及び光学機器
KR20040111528A (ko) 구조화된 표면을 구비한 제품 생산 방법
KR20110099948A (ko) 비구면 형태의 실리콘 몰드, 마이크로 렌즈 어레이 및 상기 실리콘 몰드와 마이크로 렌즈 어레이를 제조하는 방법
Yang et al. Micro-ball lens array formation using different hydrophilic pattern effect
US20030038105A1 (en) Tool for embossing high aspect ratio microstructures

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060125

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070808