JP2005519482A - Mramの伝導線上の磁束集中被覆材料 - Google Patents
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Abstract
Description
さらに詳しくは、本発明は磁場を利用する半導体ランダムアクセスメモリ装置の改良された製作方法に関する。
として知られる過程は伝導線上でのみ起こり、他のいかなる場所でも起こらない。この過程で伝導線上にバリア層が形成される。バリア層は続いて無電解めっき浴に浸漬され、バリア層上に位置する磁束集中層が形成される。ある好適な実施例では、磁束集中層はNiFeを含有するが、他の無電解めっき材料を使用してもよい。
MRAM装置の伝導線上に被覆材料を形成する好適な方法を説明するため、MRAM装置に磁気的に近接した被覆された伝導線の幾つかの実施例を図を参照して記載する。まず図1〜5では、本発明に従って、被覆された伝導線を持つMRAM装置10の製作における各一連の工程が説明されている。好適な実施例では伝導線は銅を含有する。しかしながら、製作工程または材料が若干異なることがあったとしても、概して、伝導線が他の伝導性物質、アルミニウム、タングステン、チタンまたはそれらを積層したものを含有して良いことは明らかである。
もあるいはされなくてもよい)、図2に説明されているような伝導線22を与える。
る工程が説明されている。図6では具体的に、任意の周知の方法でMRAMセルまたは装置40が形成されており、平滑な上部表面41を与えるように物質42中に少なくとも部分的に包まれている。誘電体である層44には、例えば酸化物、窒化物または同様のもの等があるが、表面41上に堆積され、MRAM装置40に沿ってトレンチを与えるようにパターンニングされている。側壁のスペーサ45は任意の周知の方法によりトレンチ中に形成される(例として、米国特許第5,940,319号を本願に引用して援用する)。本実施例では、スペーサ45は被覆材料または磁束集中材料、および状況に応じてはバリア材料を形成することで、MRAM装置40に向けて磁束が集中または配向することを促進する。続いてトレンチは、銅、チタン、アルミニウム等のような伝導性物質で充填され、伝導線47が形成される。
が好ましくない場合には、(例えば、部品またはMRAM装置の近接のため)層60を利用してその形成を制限できる。
Claims (12)
- 磁気抵抗メモリ装置に用いる被覆部位を製作する方法において、
伝導性材料によって形成され磁気抵抗メモリ装置に近接して位置する伝導線を設ける工程と、
前記伝導性配線上に第1のバリア層を形成するために第1の電気化学的堆積浴を用いる工程と、
前記第1のバリア層上に磁束集中層を形成するために第2の電気化学的堆積浴を用いる工程とを備える方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記磁束集中層上に第2のバリア層を形成するために第3の電気化学的堆積浴を用いる工程を更に有する方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記第1の電気化学的堆積法を用いる工程および前記第2の電気化学的堆積方を用いる工程のそれぞれは、浸漬および無電解めっきの一方を用いる工程を有する方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記第1の電気化学的堆積法を用いる工程に置換めっきを用いる工程を有する方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記第1のバリア層を形成するために前記第1の電気化学的堆積浴を用いる工程は、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、レニウム、イリジウムおよび前記伝導線に含有される前記伝導性材料よりも貴である他の好適な材料のうちの1つを含有する第1の浸漬浴を用いる工程を有する方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記磁束集中層を形成するために前記第2の電気化学的堆積浴を用いる工程は、無電解めっき浴にNi/B、Ni/P、Co/P、Fe/Ni/P、Fe/Ni/B、Ni/Fe/Co/P、Ni/Fe/B/Pのうちの1つを含有する前記無電解めっき浴を用いる工程を有する方法。
- 請求項2に記載の方法において、前記第2の外部のバリア層を形成するために前記第3の電気化学的堆積浴に用いる工程は、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、レニウム、イリジウムおよび前記磁束集中層よりも貴である他の好適な材料のうちの1つを含有する第2の浸漬浴を用いる工程を有する方法。
- 磁気抵抗メモリ装置に用いる被覆部位を製作する方法において、
表面を有する磁気抵抗ランダムアクセスメモリを形成する工程と、
前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリ装置を覆う誘電体層を形成する工程と、
前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリ装置に近接して前記誘電体層を貫通するトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内に被覆材料または被覆材料とバリア材料の組み合わせのうちの1つからなる側壁のスペーサを形成する工程と、
前記トレンチ内に前記側壁のスペーサを用いて伝導性材料からなる伝導線を該伝導線の上面が露出されるように形成する工程と、
前記伝導線の前記露出した上面上に第1のバリア層を形成するために、第1の伝導性材料の溶解イオンを含有する第1のイオン浴中に前記伝導線の前記露出した上面を一定時間浸漬する工程と、
前記第1のバリア層上に磁束集中層を形成するために前記第1のバリア層を一定時間無電解めっき浴に浸漬する工程とを備える方法。 - 請求項8に記載の方法において、前記磁束集中層上に第2のバリア層を形成するために第2の伝導性物質の溶解イオンを含む第2のイオン浴中に一定時間前記磁束集中層を浸漬する工程を更に有する方法。
- 請求項8に記載の方法において、前記伝導線の前記露出された表面を前記第1のイオン浴中に浸漬する工程は、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、レニウム、イリジウムおよび前記伝導ビット線の前記伝導性材料よりも貴である他の好適な材料のうちの1つを第1の浴に用いる工程を有する方法。
- 請求項8に記載の方法において、前記無電解めっき浴はNi/B、Ni/P、Co/P、Fe/Ni/P、Fe/Ni/B、Ni/Fe/Co/PおよびNi/Fe/B/Pのうちの1つを含有する方法。
- 請求項9に記載の方法において、前記磁束集中層を前記第2のイオン浴に浸漬する工程は、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、レニウム、イリジウムおよび前記磁束集中層に含まれる材料よりも貴である他の好適な材料のうちの1つを含有する第2の浴を用いる工程を有する方法。
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