JP2005502202A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 電子デバイスであって、該電子デバイスは、
   下部および頂部を備える溝であって、５以上のアスペクト比（深さ／幅）を有する溝をを有する基板を、
   備え、
   溝の下部が、硬化したスピンオン化合物で充填され、頂部が、化学気相成長法で堆積した化合物で充填される、電子デバイス。
2. 請求項１に記載のデバイスであって、前記溝が、熱酸化物被覆をさらに含む、デバイス。
3. 請求項１に記載のデバイスであって、前記スピンオン化合物が、ケイ素を含む、デバイス。
4. 請求項１に記載のデバイスであって、前記化学気相成長法で堆積した化合物が、ケイ素を含む、デバイス。
5. 浅溝分離構造を形成する方法であって、
   表面を有する基板中に溝を形成し、第１の化合物を溝の中にスピンオン堆積を用いて堆積するステップと、
   前記化合物の上部表面が前記基板の表面の下方にあるように、第１の化合物を前記溝から部分的に除去するステップと、
   第２の化合物を前記基板の表面および前記第１の化合物の上部表面の上に化学気相成長法によって堆積するステップと、
   を含む方法。
6. 請求項５に記載の方法であって、
   酸化物を形成するために、前記第１の化合物を硬化するステップを、
   さらに含む方法。
7. スピンオン化合物を除去する方法であって、該方法は、
   スピンオン化合物を基板の表面上にスピン堆積するステップであって、スピンオン化合物が、ケイ素を含む、ステップと、
   前記スピンオン化合物を溶媒混合物でスピン洗浄するステップと、
   を含み、
   溶媒混合物が、前記スピンオン化合物を溶解する第１の溶媒と、前記スピンオン化合物に不活性な第２の溶媒とを含み、第１の溶媒が、酢酸プロピルを含み、第２の溶媒が、乳酸エチルを含む、方法。
8. 浅溝分離構造を形成する方法であって、
   請求項７に記載の方法に従った前記スピンオン化合物の残りの上部表面が前記基板の表面の下方にあるように、前記スピンオン化合物を部分的に除去するステップと、
   第２の化合物を前記基板の表面および前記残りのスピンオン化合物の上部表面の上に化学気相成長法によって堆積するステップと、
   を含む方法。