JP2005354111A - Surface-emitting led and manufacturing method therefor, optical module, optical transfer unit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、面発光型発光素子およびその製造方法、ならびに該面発光型発光素子を含む光モジュールおよび光伝達装置に関する。 The present invention relates to a surface-emitting light-emitting element, a manufacturing method thereof, an optical module including the surface-emitting light-emitting element, and an optical transmission device.
面発光型半導体レーザに代表される面発光型発光素子は、光通信や光演算、および各種センサの光源として大いに期待されている。これらの用途においては、場合によって、出射光の光学特性、例えば光の放射角や波長等を制御する必要が生じる。そこで、例えば、所定の光学部材を設置することにより、光学特性を制御することができる。この場合、光学部材の設置位置、形状および大きさ等を制御することは、出射される光の特性を決定する上で重要である。 A surface-emitting light-emitting element typified by a surface-emitting semiconductor laser is highly expected as a light source for optical communication, optical calculation, and various sensors. In these applications, it may be necessary to control the optical characteristics of the emitted light, such as the light emission angle and wavelength. Therefore, for example, by installing a predetermined optical member, the optical characteristics can be controlled. In this case, controlling the installation position, shape, size, and the like of the optical member is important in determining the characteristics of the emitted light.
例えば、レンズが設置された面発光型発光素子が開示されている(特許文献1)。
本発明の目的は、設置位置、形状および大きさが制御された光学部材を含む面発光型発光素子およびその製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a surface-emitting light emitting device including an optical member whose installation position, shape, and size are controlled, and a method for manufacturing the same.
また、本発明の目的は、前記面発光型発光素子を含む光モジュールおよび光伝達装置を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide an optical module and an optical transmission device including the surface-emitting light emitting element.
[面発光型発光素子]
本発明の面発光型発光素子は、
基体と垂直方向に光を出射できる面発光型発光素子であって、
前記光が出射する出射面と、
前記出射面上に設けられた土台部材と、
前記土台部材の上面上に設けられた光学部材と、を含む。
[Surface emitting light emitting device]
The surface-emitting light emitting device of the present invention is
A surface-emitting light-emitting element capable of emitting light in a direction perpendicular to a substrate,
An exit surface from which the light exits;
A base member provided on the emission surface;
And an optical member provided on the upper surface of the base member.
ここで、「基体」とは、発光素子が形成される基板をいう。例えば面発光型半導体レーザの場合、「基体」は例えば半導体基板であり、例えば半導体発光ダイオードの場合、「基体」は例えば例えばサファイア基板であり、例えばEL素子の場合、「基体」は例えば透明基板である。 Here, the “base” refers to a substrate on which a light emitting element is formed. For example, in the case of a surface emitting semiconductor laser, the “substrate” is, for example, a semiconductor substrate. In the case of a semiconductor light emitting diode, for example, the “substrate” is, for example, a sapphire substrate. It is.
また、「土台部材」とは、前記光学部材を載置できる上面を有する部材をいい、「土台部材の上面」とは、前記光学部材が設置される面をいう。前記土台部材の上面は、前記光学部材を設置できる限り、平面であってもよいし曲面であってもよい。 The “base member” means a member having an upper surface on which the optical member can be placed, and the “upper surface of the base member” means a surface on which the optical member is installed. The upper surface of the base member may be a flat surface or a curved surface as long as the optical member can be installed.
さらに、「光学部材」とは、発光素子からの出射光の光学特性や進行方向を変化させる機能を有する部材をいい、ここで、「光学特性」とは、例えば、波長、偏光、放射角等が挙げられる。このような光学部材としては、例えばレンズまたは偏向素子が例示できる。 Furthermore, the “optical member” refers to a member having a function of changing the optical characteristics and traveling direction of light emitted from the light emitting element. Here, the “optical characteristics” include, for example, wavelength, polarization, radiation angle, and the like. Is mentioned. Examples of such an optical member include a lens or a deflection element.
本発明の面発光型発光素子によれば、上記構成を有することにより、前記土台部材の上面の形状や高さ等を制御することによって、設置位置、形状および大きさが良好に制御された光学部材を含む面発光型発光素子を得ることができる。詳しくは、本実施の形態の欄で説明する。 According to the surface-emitting light-emitting device of the present invention, by having the above configuration, the installation position, shape, and size are controlled well by controlling the shape and height of the upper surface of the base member. A surface-emitting light-emitting element including the member can be obtained. Details will be described in the section of this embodiment.
本発明の面発光型発光素子は、以下の態様(1)〜(13)をとることができる。 The surface-emitting light-emitting device of the present invention can take the following aspects (1) to (13).
(1)前記土台部材は、所定波長の光を通過させる材質からなることができる。ここで、「通過」とは、前記土台部材に入射した光が入射した後、該土台部材から光が出射することをいい、前記土台部材に入射した光がすべて該土台部材から出射する場合だけでなく、前記土台部材に入射した光の一部のみが該土台部材から出射する場合を含む。 (1) The base member may be made of a material that allows light of a predetermined wavelength to pass therethrough. Here, “passing” means that after the light incident on the foundation member is incident, the light is emitted from the foundation member, and only when all the light incident on the foundation member is emitted from the foundation member. In addition, a case where only a part of the light incident on the base member is emitted from the base member is included.
(2)前記光学部材は、レンズまたは偏光素子としての機能を有することができる。 (2) The optical member may have a function as a lens or a polarizing element.
(3)前記光学部材は、円球状または楕円球状であることができる。 (3) The optical member may be spherical or elliptical.
(4)前記光学部材は、切断円球状または切断楕円球状であることができる。ここで、「切断円球状」とは、円球を一平面で切断して得られる形状をいい、該円球は完全な円球のみならず、円球に近似する形状をも含む。また、「切断楕円球状」とは、楕円球を一平面で切断して得られる形状をいい、楕円球は完全な楕円球のみならず、楕円球に近似する形状をも含む。 (4) The optical member may have a cut spherical shape or a cut elliptical spherical shape. Here, the “cut spherical shape” refers to a shape obtained by cutting a circular sphere in one plane, and the circular sphere includes not only a perfect sphere but also a shape that approximates a sphere. The “cut elliptical sphere” means a shape obtained by cutting an elliptical sphere in one plane, and the elliptical sphere includes not only a perfect elliptical sphere but also a shape that approximates an elliptical sphere.
この場合、前記光学部材の断面は、円または楕円であることができる。また、この場合、前記光学部材に、レンズまたは偏向素子としての機能を付与することができる。 In this case, the cross section of the optical member may be a circle or an ellipse. In this case, the optical member can be provided with a function as a lens or a deflection element.
(5)前記光学部材は、エネルギーを付加することによって硬化可能な液体材料を硬化させることにより形成できる。 (5) The optical member can be formed by curing a liquid material that can be cured by applying energy.
この場合、前記光学部材は、紫外線硬化型樹脂からなることができる。 In this case, the optical member can be made of an ultraviolet curable resin.
(6)前記光学部材の少なくとも一部を覆うように、封止材を形成することができる。これにより、前記土台部材の上面上に前記光学部材を確実に固定することができる。 (6) A sealing material can be formed so as to cover at least a part of the optical member. Thereby, the said optical member can be reliably fixed on the upper surface of the said base member.
(7)前記土台部材の上面は、円形または楕円形であることができる。 (7) The upper surface of the base member may be circular or elliptical.
(8)前記土台部材の上面は、曲面であることができる。 (8) The upper surface of the base member may be a curved surface.
(9)前記土台部材の上面と、前記土台部材の側部において該上面に接する面とのなす角が鋭角であることができる。この構成によれば、液滴を吐出して光学部材前駆体を形成した後硬化させて前記光学部材を形成する場合、前記土台部材の側面が前記液滴で濡れるのを防止することができる。この結果、所望の形状および大きさを有する光学部材を確実に得ることができる。 (9) An angle formed between the upper surface of the base member and a surface in contact with the upper surface at a side portion of the base member may be an acute angle. According to this configuration, when the optical member is formed by discharging a droplet to form an optical member precursor, the side surface of the base member can be prevented from getting wet with the droplet. As a result, an optical member having a desired shape and size can be obtained with certainty.
この場合、前記土台部材の上部を、逆テーパ状に形成できる。ここで、「前記土台部材の上部」とは、前記土台部材のうち前記上面近傍の領域をいう。この構成によれば、液滴を吐出して光学部材前駆体を形成した後硬化させて前記光学部材を形成する場合、前記土台部材の安定性を保持しつつ、前記土台部材の上面と側面とのなす角をより小さくすることができる。これにより、前記土台部材の側面が前記液滴で濡れるのを確実に防止することができる。この結果、所望の形状および大きさを有する光学部材を得ることができる。 In this case, the upper part of the base member can be formed in a reverse taper shape. Here, the “upper part of the base member” refers to a region in the vicinity of the upper surface of the base member. According to this configuration, when the optical member is formed by discharging droplets to form an optical member precursor, the upper surface and the side surface of the base member are maintained while maintaining the stability of the base member. The angle formed by can be made smaller. Thereby, it can prevent reliably that the side surface of the said base member gets wet with the said droplet. As a result, an optical member having a desired shape and size can be obtained.
(10)前記面発光型発光素子は、面発光型半導体レーザであることができる。この場合、下記の態様(I)〜(III)を例示できる。 (10) The surface-emitting light-emitting element may be a surface-emitting semiconductor laser. In this case, the following embodiments (I) to (III) can be exemplified.
(I)前記基体は、半導体基板であり、
前記面発光型半導体レーザは、
前記半導体基板上に形成され、少なくとも一部に柱状部を含む共振器を含み、
前記柱状部の上面に、前記出射面を設置できる。
(I) the base is a semiconductor substrate;
The surface emitting semiconductor laser is:
A resonator formed on the semiconductor substrate and including a columnar portion at least in part;
The emission surface can be installed on the upper surface of the columnar part.
この場合、前記土台部材は、前記柱状部と一体化して形成できる。また、この場合、前記土台部材は、半導体層からなることができる。さらに、この場合、前記柱状部は、前記土台部材としての機能を有することができる。 In this case, the base member can be formed integrally with the columnar part. In this case, the foundation member can be made of a semiconductor layer. Further, in this case, the columnar part can have a function as the base member.
(II)前記基体は、半導体基板であり、
前記面発光型半導体レーザは、前記半導体基板上に形成された共振器を含み、
前記半導体基板の裏面に、前記出射面を設置できる。
(II) the base is a semiconductor substrate;
The surface emitting semiconductor laser includes a resonator formed on the semiconductor substrate,
The emitting surface can be installed on the back surface of the semiconductor substrate.
(III)前記基体は、半導体基板であり、
前記面発光型半導体レーザは、前記半導体基板上に形成された共振器を含み、
前記半導体基板の裏面に、凹部が形成され、
前記凹部には、光路調整層が埋め込まれて形成され、
前記光路調整層の上面に、前記出射面を設置できる。
(III) The base is a semiconductor substrate;
The surface emitting semiconductor laser includes a resonator formed on the semiconductor substrate,
A recess is formed on the back surface of the semiconductor substrate,
The recess is formed by embedding an optical path adjustment layer,
The emission surface can be installed on the upper surface of the optical path adjustment layer.
(11)前記面発光型発光素子は、半導体発光ダイオードであることができる。 (11) The surface-emitting light emitting device may be a semiconductor light emitting diode.
この場合、前記基体は、半導体基板であり、
前記半導体発光ダイオードは、
前記半導体基板上に形成された発光素子部と、
前記発光素子部の少なくとも一部を構成する活性層を含む柱状部と、を含み、
前記柱状部の上面に、前記出射面を設置できる。
In this case, the base is a semiconductor substrate,
The semiconductor light emitting diode is
A light emitting element formed on the semiconductor substrate;
A columnar part including an active layer constituting at least a part of the light emitting element part,
The emission surface can be installed on the upper surface of the columnar part.
また、この場合、前記土台部材は、前記柱状部と一体化して形成できる。さらに、この場合、前記土台部材は、半導体層からなることができる。加えて、この場合、前記柱状部は、前記土台部材としての機能を有することができる。 In this case, the base member can be formed integrally with the columnar portion. Further, in this case, the base member can be made of a semiconductor layer. In addition, in this case, the columnar portion can have a function as the base member.
(12)前記面発光型発光素子は、EL素子であることができる。 (12) The surface-emitting light emitting device may be an EL device.
(13)前記光学部材がレンズとして機能し、かつ、切断円球状であり、
前記光学部材の屈折率と、前記土台部材との屈折率とがほぼ等しく、
前記光学部材の曲率半径rと、前記出射面から前記光学部材の頂点までの距離dとが、以下の式(1)に示す関係を満たすことができる。
(13) The optical member functions as a lens and has a cut spherical shape,
The refractive index of the optical member is substantially equal to the refractive index of the base member,
The curvature radius r of the optical member and the distance d from the emission surface to the apex of the optical member can satisfy the relationship represented by the following formula (1).
r≦0.34×d 式(1)
[面発光型発光素子の製造方法]
本発明の面発光型発光素子の製造方法は、
基体と垂直方向に光を出射できる面発光型発光素子の製造方法であって、
(a)出射面を含み、前記発光素子として機能する部分を形成し、
(b)前記基体上に土台部材を形成し、
(c)前記土台部材の上面に対して液滴を吐出して、光学部材前駆体を形成し、
(d)前記光学部材前駆体を硬化させて、光学部材を形成すること、を含む。
r ≦ 0.34 × d Formula (1)
[Method for manufacturing surface-emitting light-emitting element]
The method for producing the surface-emitting light emitting device of the present invention is as follows.
A method for manufacturing a surface-emitting light emitting device capable of emitting light in a direction perpendicular to a substrate,
(A) including a light emitting surface, forming a portion that functions as the light emitting element;
(B) forming a base member on the substrate;
(C) discharging droplets onto the upper surface of the base member to form an optical member precursor;
(D) curing the optical member precursor to form an optical member.
本発明の面発光型発光素子の製造方法によれば、前記(b)において、上面の形状や高さおよび設置位置等が調整された前記土台部材を形成し、前記(c)において、前記液滴の吐出量を調整すること等によって、設置位置、形状および大きさが良好に制御された光学部材を含む面発光型発光素子を形成することができる。詳しくは、本実施の形態の欄で説明する。 According to the method for manufacturing a surface-emitting light-emitting device of the present invention, in (b), the base member in which the shape, height, installation position, and the like of the upper surface are adjusted is formed, and in (c), the liquid A surface-emitting light-emitting element including an optical member whose installation position, shape, and size are well controlled can be formed by adjusting the droplet discharge amount. Details will be described in the section of this embodiment.
本発明の面発光型発光素子の製造方法は、以下の態様(1)〜(6)をとることができる。 The manufacturing method of the surface-emitting light emitting device of the present invention can take the following modes (1) to (6).
(1)前記(b)において、所定波長の光を通過させる材質にて前記土台部材を形成することができる。 (1) In said (b), the said base member can be formed with the material which permeate | transmits the light of a predetermined wavelength.
(2)前記(c)において、前記液滴の吐出を、インクジェット法により行なうことができる。インクジェット法とは、インクジェットヘッドを用いて液滴を吐出する方法である。この方法によれば、前記液滴の吐出量の微妙な調整が可能であるため、微細な光学部材を、前記土台部材の上面上に簡便に設置することができる。また、吐出する液滴の量を、ピコリットルオーダーの単位で制御することができるため、微細な構造を作成することができる。 (2) In the step (c), the droplets can be ejected by an ink jet method. The ink jet method is a method of discharging droplets using an ink jet head. According to this method, since the discharge amount of the droplets can be finely adjusted, a fine optical member can be easily installed on the upper surface of the base member. In addition, since the amount of droplets to be ejected can be controlled in units of picoliters, a fine structure can be created.
(3)前記(d)において、前記光学部材前駆体の硬化を、エネルギーの付加により行なうことができる。この方法によれば、前記光学部材前駆体の硬化を簡便な方法にて行なうことができる。 (3) In said (d), hardening of the said optical member precursor can be performed by addition of energy. According to this method, the optical member precursor can be cured by a simple method.
この場合、前記(d)において、前記光学部材前駆体の硬化を、紫外線の照射により行なうことができる。この方法によれば、前記光学部材前駆体を硬化させる際に、面発光型発光素子の素子特性に与える影響を少なくすることができる。 In this case, in said (d), the said optical member precursor can be hardened | cured by irradiation of an ultraviolet-ray. According to this method, when the optical member precursor is cured, the influence on the element characteristics of the surface-emitting light emitting element can be reduced.
(4)前記(b)において、前記土台部材の上面と、前記土台部材の側部において該上面に接する面とのなす角が鋭角になるように、前記土台部材を形成することができる。これにより、前記(b)において、前記土台部材の側面が前記液滴で濡れるのを防止することができる。この結果、所望の形状および大きさを有する光学部材を確実に形成することができる。 (4) In (b), the base member can be formed such that an angle formed between the upper surface of the base member and a surface in contact with the upper surface at a side portion of the base member is an acute angle. Thereby, in said (b), it can prevent that the side surface of the said base member gets wet with the said droplet. As a result, an optical member having a desired shape and size can be reliably formed.
この場合、前記(b)において、前記土台部材の上部を逆テーパ状に形成することができる。これにより、前記土台部材の安定性を保持しつつ、前記土台部材の上面と側面とのなす角をより小さくすることができる。これにより、前記(b)において、前記土台部材の側面が前記液滴で濡れるのを確実に防止することができる。この結果、所望の形状および大きさを有する光学部材をより確実に形成することができる。 In this case, in (b), the upper portion of the base member can be formed in a reverse taper shape. Thereby, the angle | corner which the upper surface and side surface of the said base member make can be made smaller, maintaining the stability of the said base member. Thereby, in said (b), it can prevent reliably that the side surface of the said base member gets wet with the said droplet. As a result, an optical member having a desired shape and size can be more reliably formed.
(5)さらに、前記(c)より前に、(e)前記液滴に対する前記土台部材の上面の濡れ性を調整すること、を含むことができる。これにより、所望の形状および大きさを有する光学部材を形成することができる。ここで、例えば、前記土台部材の上面に、前記液滴に対して親液性または撥液性を有する膜を形成することにより、濡前記液滴に対する前記土台部材の上面の濡れ性を制御することができる。 (5) Further, before (c), (e) adjusting the wettability of the upper surface of the base member with respect to the droplets can be included. Thereby, an optical member having a desired shape and size can be formed. Here, for example, the wettability of the upper surface of the base member with respect to the wet droplets is controlled by forming a film having lyophilicity or liquid repellency with respect to the liquid droplets on the upper surface of the base member. be able to.
(6)さらに、(f)前記光学部材の少なくとも一部を封止材で覆うこと、を含むことができる。これにより、前記土台部材の上面上に前記光学部材を簡便な方法にて固定することができる。 (6) Furthermore, (f) covering at least a part of the optical member with a sealing material can be included. Thereby, the optical member can be fixed on the upper surface of the base member by a simple method.
[光モジュールおよび光伝達装置]
本発明の面発光型発光素子と、光導波路とを含む光モジュールに適用することができる。また、前記光モジュールを含む光伝達装置に適用することができる。
[Optical module and optical transmission device]
The present invention can be applied to an optical module including the surface-emitting light emitting device of the present invention and an optical waveguide. Further, the present invention can be applied to an optical transmission device including the optical module.
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[第1の実施の形態]
1.面発光型発光素子の構造
図1は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100を模式的に示す断面図である。図2は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100を模式的に示す平面図である。図1は、図2のA−A線における断面を示す図である。なお、本実施の形態においては、面発光型発光素子として面発光型半導体レーザを用いた場合について説明する。
[First Embodiment]
1. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a surface-emitting light emitting
本実施の形態の面発光型発光素子100は、図1に示すように、半導体基板(本実施形態ではGaAs基板)101と、半導体基板101上に形成された垂直共振器(以下「共振器」とする)140とを含む。この共振器140は柱状の半導体堆積体(以下「柱状部」とする)130を含む。
As shown in FIG. 1, a surface-emitting light emitting
また、この面発光型発光素子100は、光が出射する出射面108と、出射面108上に設けられた土台部材110と、土台部材110の上面110a上に設けられた光学部材111とを含む。この出射面108は、柱状部130の上面に設置されており、この出射面108からレーザ光が出射する。本実施の形態の面発光型発光素子100においては、柱状部130の上面のうち第1電極107で覆われていない部分が出射面108に該当する。また、本実施の形態においては、光学部材111がレンズとして機能する場合について説明する。
The surface
(土台部材)
本実施の形態においては、土台部材110は、所定波長の光を通過させる材質からなることができる。具体的には、土台部材110は、出射面108から出射した光を通過させることができる材質からなることができる。例えば、土台部材110は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、あるいはフッ素系樹脂から形成することができる。あるいは、後述する第4実施形態に係る面発光型発光素子400(図16参照)のように、土台部材を半導体層で形成することもできる。
(Base material)
In the present embodiment, the
また、土台部材110の立体形状は特に限定されるわけではないが、少なくともその上面上に光学部材を載置させることができる構造であることが必要とされる。この点は、後述する実施形態に係る面発光型発光素子の土台部材においても同様である。
Further, the three-dimensional shape of the
また、土台部材110の高さは、土台部材110の上面110a上に形成される光学部材111の機能および用途、ならびに形状および大きさによって定められる。本実施の形態のように、光学部材111がレンズとして機能する場合、土台部材110の高さhは、該レンズの曲率半径rと、出射面108から該レンズ111の頂点までの距離d(図1参照)とに依存して決定される。
The height of the
例えば、土台部材110の屈折率と光学部材(レンズ)111の屈折率とがほぼ等しい場合、光学部材111がレンズとして機能するためには、図31に示すように、光学部材(レンズ)111の曲率半径rと、出射面108から該レンズの頂点までの距離d(図1参照)との間に、以下の式(1)を満たす関係が成立する必要がある。
For example, when the refractive index of the
r≦0.34×d 式(1)
この式(1)を満たすように、光学部材111の曲率半径rおよび土台部材110の高さhが決定される。図31において、斜線で示した領域が式(1)を満たす領域である。なお、この場合において、r=0.34×dが成立する場合、光学部材111から出射する光はコリメート光となる。
r ≦ 0.34 × d Formula (1)
The curvature radius r of the
一般的に、出射面からレンズの頂点までの距離が長いほど、レンズの曲率半径が小さいほど、レンズの集光機能は大きくなる。 In general, the longer the distance from the exit surface to the apex of the lens and the smaller the radius of curvature of the lens, the greater the condensing function of the lens.
また、土台部材110の上面110aの形状は、土台部材110の上面110a上に形成される光学部材111の機能や用途によって定められる。言い換えれば、土台部材110の上面110aの形状を制御することによって、光学部材111の形状を制御することができる。
Further, the shape of the
例えば、面発光型発光素子100(図1および図2参照)では、土台部材110の上面110aの形状は円である。また、後述する実施形態に係る面発光型発光素子においても、土台部材の上面の形状が円である場合を示す。
For example, in the surface-emitting light emitting device 100 (see FIGS. 1 and 2), the shape of the
光学部材を、例えばレンズまたは偏向素子として用いる場合、土台部材の上面の形状を円にする。これにより、光学部材の立体形状を、円球状または切断円球状に形成することができ、得られた光学部材をレンズまたは偏向素子として用いることができる。 When the optical member is used as, for example, a lens or a deflection element, the shape of the upper surface of the base member is a circle. Thereby, the three-dimensional shape of the optical member can be formed in a spherical shape or a cut spherical shape, and the obtained optical member can be used as a lens or a deflection element.
本実施の形態においては、光学部材111がレンズとして機能する例を示す。すなわち、図1および図2に示すように、光学部材111によって、出射面108から出射する光を集光させることができる。
In the present embodiment, an example in which the
また、図示しないが、光学部材を例えば異方性レンズまたは偏向素子として用いる場合、土台部材の上面の形状を楕円にすることができる。これにより、光学部材の立体形状を、楕円球状または切断楕円球状に形成することができ、得られた光学部材を異方性レンズまたは偏向素子として用いることができる。 Although not shown, when the optical member is used as, for example, an anisotropic lens or a deflecting element, the shape of the upper surface of the base member can be an ellipse. Thereby, the three-dimensional shape of the optical member can be formed into an elliptical sphere or a cut elliptical sphere, and the obtained optical member can be used as an anisotropic lens or a deflection element.
(光学部材)
光学部材111の立体形状については、(土台部材)の欄で説明したので、詳しい説明は省略する。
(Optical member)
Since the three-dimensional shape of the
光学部材111は、例えば熱または光等のエネルギーを付加することによって硬化可能な液体材料(例えば紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂の前駆体)を硬化させることにより形成される。紫外線硬化型樹脂としては、例えば紫外線硬化型のアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂が挙げられる。また、熱硬化型樹脂としては、熱硬化型のポリイミド系樹脂等が例示できる。
The
紫外線硬化型樹脂の前駆体は、短時間の紫外線照射によって硬化する。このため、熱工程など素子に対するダメージを与えやすい工程を経ずに硬化させることができる。このため、紫外線硬化型樹脂の前駆体を用いて光学部材111を形成する場合、素子へ与える影響を少なくすることができる。
The precursor of the ultraviolet curable resin is cured by short-time ultraviolet irradiation. For this reason, it can harden | cure, without passing through the process which is easy to give a damage with respect to elements, such as a thermal process. For this reason, when forming the
本実施の形態において、光学部材111は、具体的には、土台部材110の上面110aに対して、前記液体材料からなる液滴111aを吐出して、光学部材前駆体111bを形成した後、光学部材前駆体111bを硬化させることによって形成される(図10および図11参照)。光学部材111の形成方法については後述する。
In the present embodiment, specifically, the
(その他の構成要素)
面発光型発光素子100は、n型GaAsからなる半導体基板101と、半導体基板101上に形成された共振器140とを含む。
(Other components)
The surface-emitting light emitting
共振器140には柱状部130が形成されている。ここで、柱状部130とは、共振器140の一部であって、少なくとも上部ミラー104を含む柱状の半導体堆積体をいう。この柱状部130は絶縁層106で埋め込まれている。すなわち、柱状部130の側面は絶縁層106で取り囲まれている。さらに、柱状部130上には第1電極107が形成されている。
A
共振器140は、例えば、n型Al0.9Ga0.1As層とn型Al0.15Ga0.85As層とを交互に積層した40ペアの分布反射型多層膜ミラー(以下、「下部ミラー」という)102、GaAsウエル層とAl0.3Ga0.7Asバリア層からなり、ウエル層が3層で構成される量子井戸構造を含む活性層103、およびp型Al0.9Ga0.1As層とp型Al0.15Ga0.85As層とを交互に積層した25ペアの分布反射型多層膜ミラー(以下、「上部ミラー」という)104が順次積層されて構成されている。なお、下部ミラー102、活性層103、および上部ミラー104を構成する各層の組成および層数はこれに限定されるわけではない。
The
上部ミラー104は、例えばCがドーピングされることによりp型にされ、下部ミラー102は、例えばSiがドーピングされることによりn型にされている。したがって、上部ミラー104、不純物がドーピングされていない活性層103、および下部ミラー102により、pinダイオードが形成される。
The
また、共振器140のうち面発光型発光素子100のレーザ光出射側から下部ミラー102の途中にかけての部分が、レーザ光出射側からから見て円形の形状にエッチングされて柱状部130が形成されている。なお、本実施の形態では、柱状部130の平面形状を円形としたが、この形状は任意の形状をとることが可能である。
In addition, a portion of the
さらに、上部ミラー104を構成する層のうち活性層103に近い領域に、酸化アルミニウムからなる電流狭窄層105が形成されている。この電流狭窄層105は、リング状に形成されている。すなわち、この電流狭窄層105は、図1におけるX−Y平面に平行な面で切断した場合における断面が同心円状である形状を有する。
Further, a
また、本実施の形態に係る面発光型発光素子100においては、柱状部130の側面ならびに下部ミラー102の上面を覆うようにして、絶縁層106が形成されている。
Further, in the surface
この面発光型発光素子100の製造工程においては、柱状部130の側面を覆う絶縁層106を形成した後、柱状部130の上面および絶縁層106の上面に第1電極107を、半導体基板101の裏面(半導体基板101において共振器140の設置面と反対側の面)に第2電極109を、それぞれ形成する。これらの電極形成の際には一般的に、アニール処理を約400℃で行なう(後述する製造プロセスを参照)。したがって、樹脂を用いて絶縁層106を形成する場合、このアニール処理工程に耐え得るためには、絶縁層106を構成する樹脂は耐熱性に優れたものであることが必要とされる。この要求を満たすためには、絶縁層106を構成する樹脂がポリイミド樹脂、フッ素系樹脂、アクリル樹脂、またはエポキシ樹脂等であることが望ましく、特に、加工の容易性や絶縁性の観点から、ポリイミド樹脂またはフッ素系樹脂であるのが望ましい。また、絶縁層106の上に、樹脂を原材料として光学部材(例えばレンズ)を形成する場合、レンズ材(樹脂)との接触角が大きく、レンズ形状を制御しやすいという観点からも、絶縁層106はポリイミド樹脂またはフッ素系樹脂からなるのが望ましい。この場合、絶縁層106は、熱または光等のエネルギー照射により硬化、あるいは化学反応によって樹脂前駆体を硬化させることにより形成される。
In the manufacturing process of the surface-emitting light emitting
また、柱状部130および絶縁層106の上には、第1電極107が形成されている。さらに、柱状部130上面の中央部には、第1電極107が形成されていない部分(開口部)が設けられている。この部分が出射面108である。この出射面108がレーザ光の出射口となる。第1電極107は、例えばAuとZnの合金とAuとの積層膜からなる。
A
さらに、半導体基板101の裏面には、第2電極109が形成されている。すなわち、図1に示す面発光型発光素子100では、柱状部130上で第1電極107と接合し、かつ、半導体基板101の裏面で第2電極109と接合し、この第1電極107および第2電極109によって活性層103に電流が注入される。第2電極109は、例えばAuとGeの合金とAuとの積層膜からなる。
Further, a
第1および第2電極107,109を形成するための材料は、前述したものに限定されるわけではなく、例えばTiやPtなどの金属やこれらの合金などが利用可能である。
The materials for forming the first and
2.面発光型発光素子の動作
本実施の形態の面発光型発光素子100の一般的な動作を以下に示す。なお、下記の面発光型半導体レーザの駆動方法は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変更が可能である。
2. Operation of surface-emitting light-emitting element A general operation of the surface-emitting light-emitting
まず、第1電極107と第2電極109とで、pinダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層103において、電子と正孔との再結合が起こり、係る再結合による発光が生じる。そこで生じた光が上部ミラー104と下部ミラー102との間を往復する際に誘導放出が起こり、光の強度が増幅される。光利得が光損失を上まわると、レーザ発振が起こり、柱状部130上面にある出射面108からレーザ光が出射した後光学部材111へと入射する。光学部材111に入射したレーザ光は光学部材111によって放射角が調整された後、半導体基板101に対して垂直方向へと出射する。ここで、「半導体基板101に対して垂直方向」とは、半導体基板101の表面101a(図1ではX−Y平面と平行な面)に対して垂直な方向(図1ではZ方向)をいう。
First, when a forward voltage is applied to the pin diode between the
3.面発光型発光素子の製造方法
次に、本発明を適用した第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100の製造方法の一例について、図3〜図11を用いて説明する。図3〜図11は、図1および図2に示す本実施の形態の面発光型発光素子100の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図1に示す断面に対応している。
3. Method for Manufacturing Surface Emitting Element Next, an example of a method for manufacturing the
(1)まず、n型GaAsからなる半導体基板101の表面に、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより、図3に示すように、半導体多層膜150が形成される。ここで、半導体多層膜150は例えば、n型Al0.9Ga0.1As層とn型Al0.15Ga0.85As層とを交互に積層した40ペアの下部ミラー102、GaAsウエル層とAl0.3Ga0.7Asバリア層からなり、ウエル層が3層で構成される量子井戸構造を含む活性層103、およびp型Al0.9Ga0.1As層とp型Al0.15Ga0.85As層とを交互に積層した25ペアの上部ミラー104からなる。これらの層を順に半導体基板101上に堆層させることにより、半導体多層膜150が形成される。なお、上部ミラー104を成長させる際に、活性層近傍の少なくとも1層が、AlAs層またはAl組成が0.95以上のAlGaAs層に形成される。この層は後に酸化され、電流狭窄層105となる。また、上部ミラー104の最表面の層は、キャリア密度を高くし、電極(後述する第1電極107)とのオーミック接触をとりやすくしておくのが望ましい。
(1) First, the
エピタキシャル成長を行なう際の温度は、成長方法や原料、半導体基板101の種類、あるいは形成する半導体多層膜150の種類、厚さ、およびキャリア密度によって適宜決定されるが、一般に、450℃〜800℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行なう際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長(MOVPE:Metal−Organic Vapor Phase Epitaxy)法や、MBE法(Molecular Beam Epitaxy)法、あるいはLPE法(Liquid Phase Epitaxy)を用いることができる。
The temperature at which the epitaxial growth is performed is appropriately determined depending on the growth method and the raw material, the type of the
続いて、半導体多層膜150上に、フォトレジスト(図示しない)を塗布した後フォトリソグラフィ法により該フォトレジストをパターニングすることにより、所定のパターンのレジスト層R100が形成される(図3参照)。
Subsequently, a photoresist (not shown) is applied on the
(2)ついで、レジスト層R100をマスクとして、例えばドライエッチング法により、上部ミラー104、活性層103、および下部ミラー102の一部をエッチングして、図4に示すように、柱状の半導体堆積体(柱状部)130が形成される。以上の工程により、図4に示すように、半導体基板101上に、柱状部130を含む共振器140が形成される。その後、レジスト層R100が除去される。
(2) Next, using the resist layer R100 as a mask, a part of the
(3)続いて、例えば400℃程度の水蒸気雰囲気中に、上記工程によって共振器140が形成された半導体基板101を投入することにより、前述の上部ミラー104中のAl組成が高い層を側面から酸化して、電流狭窄層105が形成される(図5参照)。酸化レートは、炉の温度、水蒸気の供給量、酸化すべき層(前記Al組成が高い層)のAl組成および膜厚に依存する。酸化により形成される電流狭窄層を備えた面発光レーザでは、駆動する際に、電流狭窄層が形成されていない部分(酸化されていない部分)のみに電流が流れる。したがって、酸化によって電流狭窄層を形成する工程において、形成する電流狭窄層105の範囲を制御することにより、電流密度の制御が可能となる。
(3) Subsequently, by introducing the
(4)次いで、柱状部130を取り囲む絶縁層106が形成される(図6参照)。なお、ここでは、絶縁層106を形成するための材料として、ポリイミド樹脂を用いた場合について説明する。
(4) Next, the insulating
まず、例えばスピンコート法を用いて、樹脂前駆体(ポリイミド前駆体)を共振器140上に塗布した後、イミド化させることにより、図6に示すように、柱状部130を周囲に絶縁層106が形成される。この絶縁層106の形成方法としては、例えば、特願2001−066299号公報に記載されている方法を用いることができる。また、樹脂前駆体層の形成方法としては、前述したスピンコート法のほか、ディッピング法、スプレーコート法、インクジェット法等の公知技術を利用することができる。
First, a resin precursor (polyimide precursor) is applied onto the
(5)次に、活性層103に電流を注入するための第1電極107および第2電極109、およびレーザ光の出射面108が形成される(図7参照)。
(5) Next, the
まず、第1電極107および第2電極109を形成する前に、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、柱状部130の上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。つづいて、例えば真空蒸着法により絶縁層106および柱状部130の上面に、例えばAuとZnの合金とAuとの積層膜(図示せず)を形成した後、リフトオフ法により、柱状部130の上面に、前記積層膜が形成されていない部分を形成する。この部分が出射面108となる。なお、前記工程において、リフトオフ法のかわりに、ドライエッチング法を用いることもできる。
First, before forming the
また、半導体基板101の裏面に、例えば真空蒸着法により、例えばAuとGeの合金とAuとの積層膜(図示せず)を形成する。次いで、アニール処理する。アニール処理の温度は電極材料に依存する。本実施形態で用いた電極材料の場合は、通常400℃前後で行なう。以上の工程により、第1電極107および第2電極109が形成される(図7参照)。これにより、面発光型発光素子100のうち、発光素子として機能する部分が形成される。
Further, a laminated film (not shown) of, for example, an alloy of Au and Ge and Au is formed on the back surface of the
(6)次いで、出射面108上に、光学部材111(図1参照)を設置するための土台部材110が形成される(図8および図9参照)。
(6) Next, a
土台部材110の形成は、土台部材110の材質や形状ならびに大きさに応じて適切な方法(例えば選択成長法、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、リフトオフ法、転写法等)を選択することができる。本実施の形態においては、ウエットエッチングによるパターニングにて土台部材110を形成する場合について説明する。
For the formation of the
まず、図8に示すように、少なくとも出射面108上に、樹脂層110bを形成する。本実施の形態においては、例えばスピンコート法にて、樹脂層110bを、出射面108および第1電極107上に全体に形成する場合を示す。
First, as shown in FIG. 8, the
ついで、樹脂層110b上に、所定のパターンのレジスト層R200を形成する。このレジスト層R200は、樹脂層110bをパターニングして土台部材110を形成するために利用される。具体的には、フォトリソグラフィ工程により、レジスト層R200をマスクとして、例えばアルカリ性溶液をエッチャントに用いるウエットエッチング法によって、樹脂層110bをパターニングする。これにより、図9に示すように、出射面108上に土台部材110が形成される。
Next, a resist layer R200 having a predetermined pattern is formed on the
(7)次いで、土台部材110の上面110a上に、光学部材111が形成される(図10および図11参照)。
(7) Next, the
まず、必要に応じて、土台部材110の上面110aに、光学部材111(図1参照)の濡れ角を調整するための処理を施す。この工程によれば、後述する工程において、土台部材110の上面110a上に液体材料111aを導入した場合、所望の形状の光学部材前駆体111bを得ることができ、その結果、所望の形状の光学部材11を得ることができる(図10および図11参照)。
First, a process for adjusting the wetting angle of the optical member 111 (see FIG. 1) is performed on the
次いで、例えばインクジェット法を用いて、液体材料111aの液滴を、土台部材110の上面110aに向けて吐出する。インクジェットの吐出方法としては、例えば、(i)熱により液体(ここではレンズ材)中の気泡の大きさを変化させることで圧力を生じ、液体を吐出する方法、(ii)圧電素子により生じた圧力によって液体を吐出させる方法とがある。圧力の制御性の観点からは、前記(ii)の方法が望ましい。
Next, a droplet of the
インクジェットヘッドのノズルの位置と、液滴の吐出位置とのアライメントは、一般的な半導体集積回路の製造工程における露光工程や検査工程で用いられる公知の画像認識技術を用いて行なわれる。例えば、図10に示すように、インクジェットヘッド120のノズル112の位置と、面発光型発光素子100の土台部材110の位置とのアライメントを行なう。アライメント後、インクジェットヘッド120に印加する電圧を制御した後、液体材料111aの液滴を吐出する。これにより、図11に示すように、土台部材110の上面110a上に光学部材前駆体111bを形成する。
The alignment between the position of the nozzle of the inkjet head and the discharge position of the droplet is performed using a known image recognition technique used in an exposure process or an inspection process in a general semiconductor integrated circuit manufacturing process. For example, as shown in FIG. 10, alignment between the position of the
この場合、図10に示すように、ノズル112から吐出された前記液滴が、土台部材110の上面110aに着弾した際に、表面張力によって、土台部材110の上面110aの中心にくるように液体材料111aが変形するため、自動的に位置の補正がなされる。
In this case, as shown in FIG. 10, when the liquid droplets ejected from the
また、この場合、光学部材前駆体111b(図11参照)は、土台部材110の上面110aの形状および大きさ、液体材料111aの吐出量、液体材料111aの表面張力、ならびに土台部材110の上面110aと液体材料111aとの間の界面張力に応じた形状および大きさとなる。したがって、これらを制御することにより、最終的に得られる光学部材111(図1参照)の形状および大きさを制御することが可能となり、レンズ設計の自由度が高くなる。
Further, in this case, the
以上の工程を行なった後、図11に示すように、エネルギー線(例えば紫外線)113を照射することにより、光学部材前駆体111bを硬化させて、土台部材110の上面110a上に、レンズとして機能する光学部材111を形成する(図1参照)。最適な紫外線の波長および照射量は、光学部材前駆体111bの材質に依存する。例えば、アクリル系紫外線硬化樹脂の前駆体を用いて光学部材前駆体111bを形成した場合、波長350nm程度、強度10mWの紫外線を5分間照射することで硬化を行なう。以上の工程により、図1に示す面発光型発光素子100が得られる。
After performing the above steps, as shown in FIG. 11, the
4.作用効果
本実施の形態に係る面発光型発光素子100は、以下に示す作用および効果を有する。
4). Operation and Effect The surface-emitting light emitting
(A)第1に、光学部材111が土台部材110の上面110a上に設けられていることにより、出射面108からの出射するレーザ光の光路長を確保することができる。すなわち、光学部材111が土台部材110を介して出射面108上に設けられているため、出射面108から光学部材111までの距離を確保することができる。このため、光学部材111のレンズとしての集光機能を高めることができる。
(A) First, since the
(B)第2に、光学部材111の大きさおよび形状を厳密に制御することができる。光学部材111を形成するためには、前記(7)の工程にて説明したように、光学部材111を形成する工程において、光学部材前駆体111bが土台部材110の上面110a上に形成される(図10および図11参照)。ここで、土台部材110の側面110bが、光学部材前駆体110aを構成する液体材料で濡れない限り、光学部材前駆体111bには土台部材110の表面張力は作用せず、前記液体材料の表面張力が主に作用する。したがって、光学部材111を形成するために用いる前記液体材料(液滴111a)の量を制御することにより、光学部材前駆体111bの形状を制御することができる。これにより、形状がより厳密に制御された光学部材111を形成することができる。その結果、所望の形状および大きさを有する光学部材111を得ることができる。
(B) Second, the size and shape of the
(C)第3に、光学部材111の設置位置を厳密に制御することができる。前述したように、光学部材111は、土台部材110の上面110aに対して、液体材料111aの液滴を吐出して、光学部材前駆体111bを形成した後、光学部材前駆体111bを硬化させることにより形成される(図11参照)。一般に、吐出された液滴の着弾位置を厳密に制御するのは難しい。しかしながら、この方法によれば、特に位置合わせを行なうことなく土台部材110の上面110a上に光学部材111を形成することができる。すなわち、土台部材110の上面110a上に単に液滴111bを吐出することによって、位置合わせを行なうことなく光学部材前駆体111aを形成することができる。言い換えれば、土台部材110を形成する際のアライメント精度にて光学部材111を形成することができる。これにより、設置位置が制御された光学部材111を簡易かつ歩留まり良く形成することができる。
(C) Third, the installation position of the
特に、インクジェット法を用いて液滴111bを吐出する場合、液滴111bをより的確な位置に吐出することができるため、設置位置がより制御された光学部材111を簡易かつ歩留まり良く形成することができる。また、インクジェット法を用いて液滴111bを吐出することにより、吐出する液滴111bの量を、ピコリットルオーダーの単位で制御することができるため、微細な構造を正確に作成することができる。
In particular, when the
(D)第4に、土台部材110の上面110aの形状および面積を設定することによって、光学部材111の形状および大きさを設定することができる。特に、土台部材110の上面110aの形状を適宜選択することによって、所定の機能を有する光学部材111を形成することができる。したがって、土台部材110の上面110aの形状を変えることによって、異なる機能を有する光学部材を同一の基体上に集積化することもできる。
(D) Fourth, by setting the shape and area of the
なお、本実施の形態においては、面発光型発光素子100が面発光型半導体レーザである場合について説明したが、本発明は、面発光型半導体レーザ以外の発光素子にも適用可能である。このことは、後述する第2〜第6および第8の実施の形態に係る面発光型発光素子でも同様である。なお、本発明を適用できる面発光型発光素子としては、例えば、EL素子や半導体発光ダイオードなどが挙げられる。
In the present embodiment, the case where the surface emitting light emitting
5.変形例
次に、本実施の形態に係る面発光型発光素子100の一変形例について、図12を参照して説明する。図12は、本実施の形態に係る面発光型発光素子100の一変形例(面発光型発光素子190)を模式的に示す断面図である。
5. Modified Example Next, a modified example of the surface-emitting light emitting
図12に示すように、本変形例に係る面発光型発光素子190においては、光学部材111の少なくとも一部を覆うように、封止材131が形成されている。これにより、光学部材111を、土台部材110の上面110a上に確実に固定させることができる。封止材131は、光学部材111よりも屈折率が小さいことが望ましい。封止材131の材質は特に限定されないが、例えば樹脂を用いることができる。
As shown in FIG. 12, in the surface
上記の点以外は、本実施の形態に係る面発光型発光素子100と同様の構成を有し、同様の作用効果を有する。
Except for the above points, it has the same configuration as the surface-emitting light emitting
6.別の変形例
次いで、本実施の形態に係る面発光型発光素子100の一変形例について、図13を参照して説明する。図13は、本実施の形態に係る面発光型発光素子100の別の一変形例(面発光型発光素子180)を模式的に示す断面図である。
6). Another Modified Example Next, a modified example of the surface-emitting light emitting
図13に示すように、本変形例に係る面発光型発光素子180においては、土台部材910の上面910aが曲面である。この構成によれば、ほぼ円球状の光学部材911を、土台部材910の上面910a上に設置することができる。
As shown in FIG. 13, in the surface-emitting light emitting
なお、上記の点以外は、本実施の形態に係る面発光型発光素子100と同様の構成を有し、同様の作用効果を有する。また、後述する他の実施形態の面発光型発光素子についても、土台部材の上面を曲面にすることができる。
Except for the above points, the configuration is the same as that of the surface-emitting light emitting
[第2の実施の形態]
1.面発光型発光素子の構造
図14は、本発明を適用した第2の実施の形態に係る面発光型発光素子200を模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態においては、第1の実施の形態と同様に、面発光型発光素子として面発光型半導体レーザを用いた場合について説明する。
[Second Embodiment]
1. FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a surface
本実施の形態に係る面発光型発光素子200は、土台部材210の側壁が逆テーパ状である点以外は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100とほぼ同様の構造を有する。このため、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100と実質的に同じ構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
The surface-emitting light-emitting
図14に示すように、土台部材210の上面210aと側面210bとのなす角θを鋭角にすることができる。すなわち、土台部材210においては、前述したように、土台部材210の側壁が逆テーパ状である。ここで、土台部材210の側面210bとは、土台部材22の側部において上面210aに接する面をいう。土台部材210においては、土台部材210の側部が側面210bである。なお、土台部材210の材質は、第1の実施の形態の土台部材110の材質と同様である。すなわち、土台部材210は、出射面108から出射した光を通過させることができる材質からなる。また、光学部材211の構造、材質および機能は、第1の実施の形態の光学部材111の構造、材質および機能と同様である。さらに、光学部材211は、第1の実施の形態の光学部材111と同様の方法によって形成することができる。
As shown in FIG. 14, the angle θ formed by the
2.面発光型発光素子の動作
本実施の形態の面発光型発光素子200の動作は、第1の実施の形態の面発光型発光素子100と基本的に同様であるため、詳しい説明は省略する。
2. Operation of the surface-emitting light-emitting element The operation of the surface-emitting light-emitting
3.面発光型発光素子の製造方法
本実施の形態に係る面発光型発光素子200の製造方法は、土台部材210の側壁を逆テーパ状に形成する以外は、第1の実施形態に係る面発光型発光素子100の製造方法と同様である。このため、詳しい説明は省略する。
3. Manufacturing Method of Surface Emitting Type Light Emitting Element The manufacturing method of the surface emitting type
4.作用効果
本実施の形態に係る面発光型発光素子200およびその製造方法は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100およびその製造方法と実質的に同じ作用および効果を有する。さらに、本実施の形態に係る面発光型発光素子200およびその製造方法は、以下に示す作用および効果を有する。
4). Operational Effect The surface-emitting light-emitting
光学部材211は、土台部材210の上面210aに対して液滴を吐出して、光学部材前駆体(図示せず)を形成した後、該光学部材前駆体を硬化させることにより形成される。この場合、土台部材210の上面210aと側面210bとのなす角閧ェ鋭角であることにより、土台部材210の上面210aに対して前記液滴を吐出する際に、土台部材210の側面210bが前記液滴で濡れるのを確実に防止することができる。この結果、所望の形状および大きさを有する光学部材211を確実に形成することができる。
The
[第3の実施の形態]
1.面発光型発光素子の構造
図15は、本発明を適用した第3の実施の形態に係る面発光型発光素子300を模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態においては、第1および第2の実施の形態と同様に、面発光型発光素子として面発光型半導体レーザを用いた場合について説明する。
[Third Embodiment]
1. FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a surface
本実施の形態に係る面発光型発光素子300は、土台部材310の上部310cが逆テーパ状である点以外は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100とほぼ同様の構造を有する。このため、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100と実質的に同じ構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
The surface-emitting light-emitting
前述したように、本実施の形態に係る面発光型発光素子300においては、土台部材310の上部310cが逆テーパ状である。この場合において、土台部材310の上面310aと、側面310b(土台部材310の側部において上面310aに接する面)とのなす角閧ヘ鋭角となる。なお、土台部材310の材質は、第1の実施の形態に係る土台部材110の材質と同様である。すなわち、土台部材310は、出射面108から出射した光を通過させることができる材質からなる。また、光学部材311の構造、材質および機能は、第1の実施の形態の光学部材111の構造、材質および機能と同様である。さらに、光学部材311は、第1の実施の形態の光学部材111と同様の方法によって形成することができる。
As described above, in the surface-emitting light emitting
2.面発光型発光素子の動作
本実施の形態の面発光型発光素子300の動作は、第1の実施の形態の面発光型発光素子100と基本的に同様であるため、詳しい説明は省略する。
2. Operation of the surface-emitting light-emitting element The operation of the surface-emitting light-emitting
3.面発光型発光素子の製造方法
本実施の形態に係る面発光型発光素子300の製造方法は、土台部材310の上部310cが逆テーパ状となるように土台部材310を形成する点以外は、第1の実施形態に係る面発光型発光素子100の製造方法と同様である。したがって、ここでは、第1の実施形態に係る面発光型発光素子100の製造方法と異なる工程、すなわち土台部材310を形成する工程について主に説明する。
3. Manufacturing method of surface-emitting light-emitting device The manufacturing method of surface-emitting light-emitting
まず、前述した第1の実施の形態に係る面発光型発光素子の製造方法のうち、前記(1)〜(5)の工程(図3〜図7参照)と同様の方法にて、面発光型発光素子300のうち発光素子として機能する部分を形成する。次いで、前記(6)の工程(図8参照)と同様の方法にて、樹脂層110bを形成した後、この樹脂層110b上に、所定のパターンのレジスト層R200を形成する。このレジスト層R200は、後の工程において、樹脂層110bをパターニングして土台部材210を形成するために利用される。
First, in the manufacturing method of the surface-emitting light emitting device according to the first embodiment described above, surface emission is performed by the same method as the steps (1) to (5) (see FIGS. 3 to 7). A portion functioning as a light emitting element of the mold
次に、レジストを変質させない程度の温度(例えば130℃)で熱処理を行なう。この熱処理においては樹脂層110bの上面側から熱を加えることにより、樹脂層110bのうち基板101側部分よりも、樹脂層110bの上面側(レジスト層R200側)部分の硬化の度合いを大きくする。
Next, heat treatment is performed at a temperature that does not alter the resist (for example, 130 ° C.). In this heat treatment, by applying heat from the upper surface side of the
次いで、レジスト層R200をマスクとして、樹脂層110bをウエットエッチングする。この工程において、レジスト層R200の直下部分すなわち樹脂層110bの上部は、他の部分と比較してエッチャントの侵入速度が遅いためエッチングされにくい。また、前記熱処理により、樹脂層110bの上面側部分の硬化の度合いが基板101側部分の硬化の度合いよりも大きくなっているため、樹脂層110bにおいて、上面側部分は基板100側部分よりもウエットエッチングにおけるエッチングレートが小さい。このため、該ウエットエッチング時において、樹脂層110bの上面側部分は、樹脂層110bの基板100側部分に比較してエッチング速度が遅いため、樹脂層110bの上面側部分は、樹脂層110bの基板100側部分と比較してより多く残存する。これにより、上部310cが逆テーパ状に形成された土台部材310(図15参照)を得ることができる。次いで、レジスト層R200を除去する。
Next, the
その後の工程は、第1の実施形態に係る製造方法(第1の実施形態の(7)の工程)と同様であるため、詳しい説明は省略する。これにより、面発光型発光素子300が得られる(図15参照)。
Since the subsequent steps are the same as the manufacturing method according to the first embodiment (step (7) of the first embodiment), a detailed description thereof is omitted. Thereby, the surface
4.作用効果
本実施の形態に係る面発光型発光素子300およびその製造方法は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100およびその製造方法と実質的に同じ作用および効果を有する。さらに、本実施の形態に係る面発光型発光素子300およびその製造方法は、以下に示す作用および効果を有する。
4). Operational Effect The surface-emitting light-emitting
面発光型発光素子300によれば、土台部材310の上部310cが逆テーパ状となるように、土台部材310が形成されていることにより、土台部材310の安定性を保持しつつ、土台部材310の上面310aと側面310bとのなす角θをより小さくすることができる。これにより、土台部材310の側面310bが液滴で濡れるのを確実に防止することができる。この結果、所望の形状および大きさを有する光学部材311を、より確実に形成することができる。
According to the surface-emitting light emitting
[第4の実施の形態]
1.面発光型発光素子の構造
図16は、本発明を適用した第4の実施の形態に係る面発光型発光素子400を模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態においては、第1〜第3の実施の形態と同様に、面発光型発光素子として面発光型半導体レーザを用いた場合について説明する。
[Fourth Embodiment]
1. FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a surface
本実施の形態に係る面発光型発光素子400は、土台部材410が半導体層からなる点以外は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100とほぼ同様の構造を有する。このため、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100と実質的に同じ構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
The surface-emitting light-emitting
前述したように、土台部材410は半導体層からなる。この半導体層は、出射面108から出射した光を通過させることができる性質を有する。また、この土台部材410は柱状部130と一体化して形成できる。具体的には、土台部材410を構成する層は、柱状部130と同様にエピタキシャル成長により積層することができる。
As described above, the
本実施の形態において、柱状部130は第1の実施の形態で説明したように、AlGaAs系の半導体層から形成されている。この場合、例えば、柱状部130から出射するレーザ光の波長(共振器140の発振波長)が850nmである場合、土台部材410はAlの組成(モル分率)が30%以上である層から形成することができる。これにより、出射面108から土台部材410に入射した前記レーザ光が土台部材410を透過することができる。
In the present embodiment, the
また、土台部材410が前述した組成の層からなる場合、土台部材410は、柱状部130の一部として機能する。具体的には、土台部材410は上部ミラー104の上方に形成されることから、上部ミラー104の一部として機能する。この場合、共振器140(図16参照)の発振波長・ニすると、土台部材410の高さhを、nλ/4(nは整数)に形成することができる。これにより、反射率の低下を防止することができる。
Further, when the
2.面発光型発光素子の動作
本実施の形態の面発光型発光素子400の動作は、第1の実施の形態の面発光型発光素子100と基本的に同様であるため、詳しい説明は省略する。
2. Operation of the surface-emitting light-emitting element The operation of the surface-emitting light-emitting
3.面発光型発光素子の製造方法
次に、本実施の形態に係る面発光型発光素子400の製造方法の一例について、図17〜図21を用いて説明する。図17〜図21は、図16に示す本実施の形態の面発光型発光素子400の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図16に示す断面に対応している。
3. Method for Manufacturing Surface Light Emitting Element Next, an example of a method for manufacturing the surface emitting light emitting
まず、前述した第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100の製造工程のうち前記(1)の工程(図3参照)と同様の方法にて、半導体多層膜150を形成する。この半導体多層膜150は、図3に示す半導体多層膜150と同様の組成および膜厚を有する。
First, the
次いで、この半導体多層膜150上に、半導体層410aをエピタキシャル成長させる。この半導体層410aは前述した組成であることが望ましい。ここで、半導体層410aの膜厚を、nλ/4(nは整数,λは共振器140(図16参照)の発振波長)に形成することができる。
Next, the
次いで、図17に示すように、半導体層410aの上に、所定のパターンのレジスト層R110を形成する。このレジスト層R110は、半導体層410aをパターニングして土台部材410を形成するために利用される。次いで、このレジスト層R110をマスクとして、例えばドライエッチングにより、半導体層410aをパターニングする。これにより、図18に示すように、半導体多層膜150上に土台部材410が形成される。その後、レジスト層R110が除去される。
Next, as shown in FIG. 17, a resist layer R110 having a predetermined pattern is formed on the
次いで、図19に示すように、半導体多層膜150の上に、所定のパターンのレジスト層R210を形成する。このレジスト層R210は、半導体多層膜150をパターニングして柱状部130を形成するために利用される。次いで、このレジスト層R210をマスクとして、例えばドライエッチングにより、半導体多層膜150をパターニングする。これにより、図20に示すように、柱状部130を含む共振器140が形成される。その後、レジスト層R210が除去される。
Next, as illustrated in FIG. 19, a resist layer R <b> 210 having a predetermined pattern is formed on the
次いで、前述した第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100の製造工程のうち前記(3)〜(5)の工程と同様の工程によって、酸化狭窄層105を形成した後、柱状部130の周囲に絶縁層106を形成し、その後、第1および第2電極109ならびに出射面108を形成する(図21参照)。
Next, after forming the oxidized constricting
次いで、前述した第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100の製造工程のうち前記(7)の工程と同様の工程によって、土台部材410上に光学部材111(図16参照)が形成される。以上の工程により、面発光型発光素子400が形成される。
Next, the optical member 111 (see FIG. 16) is formed on the
なお、本実施の形態においては、最初のエッチングにて土台部材410を形成してから、次のエッチングにて柱状部130を形成する場合を示したが、このエッチングの順序は適宜変更することができる。すなわち、最初のエッチングにて柱状部130を形成してから、次のエッチングにて土台部材410を形成してもよい。
In this embodiment, the
4.作用効果
本実施の形態に係る面発光型発光素子400およびその製造方法は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100およびその製造方法と実質的に同じ作用および効果を有する。さらに、本実施の形態に係る面発光型発光素子400およびその製造方法は、以下に示す作用および効果を有する。
4). Operational Effect The surface-emitting light-emitting
面発光型発光素子400によれば、半導体層410a(図17参照)は、エピタキシャル成長により形成される。したがって、半導体層410aの膜厚を容易に制御することができる。土台部材410はこの半導体層410aから形成されるため、土台部材410の高さの制御が容易である。
According to the surface
また、あらかじめ土台部材410を形成してから、絶縁層106の埋め込みや、電極107,109の形成を行なうため、土台部材410を形成することによる素子特性への影響を少なくすることができる。
In addition, since the
[第5の実施の形態]
1.面発光型発光素子の構造
図22は、本発明を適用した第5の実施の形態に係る面発光型発光素子500を模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態においては、第1〜第4の実施の形態と同様に、面発光型発光素子として面発光型半導体レーザを用いた場合について説明する。なお、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100と実質的に同じ構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
[Fifth Embodiment]
1. Structure of surface-emitting light-emitting device FIG. 22 is a cross-sectional view schematically showing a surface-emitting light-emitting
本実施の形態に係る面発光型発光素子500は、半導体基板101の裏面101b側から光が出射する点で、第1〜第4の実施の形態の面発光型発光素子と異なる構造を有する。
The surface-emitting light-emitting
面発光型発光素子500では、半導体基板101の裏面101bに設けられた出射面508から光が出射する。また、出射面508上には土台部材110が設けられ、この土台部材110の上面110a上には光学部材111が設けられている。
In the surface-emitting light emitting
また、この面発光型発光素子500には、InGaAs系の層を含む活性層303が形成されている点で、AlGaAs系の層を含む活性層103が形成されている第1〜第4の実施の形態の面発光型発光素子と異なる構造を有する。具体的には、活性層303は、In0.3Ga0.7Asウエル層およびGaAsバリア層を含む量子井戸構造を有する。
The surface-emitting light-emitting
また、この面発光型発光素子500は、InGaAs系の層を含む活性層303が設置されていることにより、GaAs基板を透過可能な波長880nm以上の光(例えば1100nm程度)を出射する面発光型半導体レーザとして機能することができる。
In addition, the surface-emitting light-emitting
2.面発光型発光素子の動作
本実施の形態の面発光型発光素子500の動作は、第1の実施の形態の面発光型発光素子100と基本的に同様である。ただし、本実施の形態の面発光型発光素子500では、出射面508が半導体基板101の裏面101bに設置されているため、活性層303で生じた光は、下部ミラー102および半導体基板101を経た後、出射面508から出射し、しかる後に土台部材111へと入射する。光学部材111に入射したレーザ光は、光学部材111によって放射角が調整された後、半導体基板101に対して垂直方向(図22に示す−Z方向)へと出射する。
2. Operation of the surface-emitting light-emitting element The operation of the surface-emitting light-emitting
3.面発光型発光素子の製造方法
次に、本発明を適用した第5の実施の形態に係る面発光型発光素子500の製造方法の一例について説明する。
3. Method for Manufacturing Surface Light Emitting Element Next, an example of a method for manufacturing the surface emitting light emitting
第5の実施の形態に係る面発光型発光素子500は、途中の製造プロセスまでは、前述の第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100の製造プロセスとほぼ同様の工程によって形成することができる。具体的には、活性層103(図3参照)のかわりに、In0.3Ga0.7Asウエル層およびGaAsバリア層を含む活性層303を形成する点、第1および第2電極107,109の平面形状が異なる点、裏面101bに出射面508が形成され、出射面508上に、土台部材110を介して光学部材111が設置されている点を除いて、第1の実施の形態の面発光型発光素子100の製造プロセスとほぼ同様の工程によって形成される。よって、ここでは、第1の実施の形態の面発光型発光素子の製造プロセスと異なる点について主に説明する。
The surface-emitting light-emitting
本実施の形態に係る面発光型発光素子500の製造プロセスでは、具体的には、第2電極109を形成する際に、半導体基板101が露出する領域を設ける。この露出する領域が出射面508となる。
In the manufacturing process of the surface-emitting light emitting
また、出射面508上に土台部材110を形成し、さらに、土台部材110の上面110a上に光学部材111を形成する。第1および第2電極107,109、土台部材110および光学部材111の形成方法は、第1の実施の形態で説明した方法と同様である。
Further, the
4.作用効果
本実施の形態に係る面発光型発光素子500およびその製造方法は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100およびその製造方法と実質的に同じ作用および効果を有する。
4). Operational Effect The surface-emitting light-emitting
[第6の実施の形態]
1.面発光型発光素子の構造
図23は、本発明を適用した第6の実施の形態に係る面発光型発光素子600を模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態においては、第1〜第5の実施の形態と同様に、面発光型発光素子として面発光型半導体レーザを用いた場合について説明する。なお、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100と実質的に同じ構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
[Sixth Embodiment]
1. Structure of Surface Light Emitting Element FIG. 23 is a cross-sectional view schematically showing a surface
本実施の形態に係る面発光型発光素子600は、半導体基板101の裏面101b側から光が出射する点で、第5の実施の形態の面発光型発光素子500と同様の構造を有する。また、この面発光型発光素子600は、第5の実施の形態の面発光型発光素子500と同様に、In0.3Ga0.7Asウエル層とGaAsバリア層からなる量子井戸構造を有する活性層303を有する。
The surface-emitting light-emitting
一方、この面発光型発光素子600は、半導体基板101の裏面101bに凹部321が設置され、凹部321に光路調整層630が埋め込まれている点、ならびに第2電極109が第1電極107と同じ側に形成されている点、光路調整層630の上面に出射面608が設置されている点で、第5の実施の形態の面発光型発光素子500と異なる構造を有する。
On the other hand, in the surface-emitting light emitting
この他の構成要素の構造および機能については、第5の実施の形態に係る面発光型発光素子500とほぼ同様の構造および機能を有する。第5の実施の形態に係る面発光型発光素子500と実質的に同じ構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
The structures and functions of the other constituent elements are substantially the same as those of the surface
具体的には、この面発光型発光素子600では、半導体基板101の裏面101bに凹部321が設置され、凹部321に光路調整層630が埋め込まれている。すなわち、図23に示すように、光路調整層630は、半導体基板101と土台部材110との間に形成されている。この光路調整層630の幅および膜厚は、凹部321の幅および深さを調整することによって、制御することが可能である。また、この光路調整層630は、出射するレーザ光を吸収しない材料で形成されていることが望ましい。すなわち、光路調整層630の材質は、面発光型発光素子600より出射されるレーザ光の波長帯域に吸収帯域をもたない材質から形成されていることが望ましい。
Specifically, in the surface
また、土台部材110が出射面608上に形成され、この土台部材110の上面110aに光学部材111が形成されている。
Further, the
2.面発光型発光素子の動作
本実施の形態の面発光型発光素子600の動作は、第5の実施の形態の面発光型発光素子500と基本的に同様である。また、本実施の形態の面発光型発光素子600は、半導体基板101と土台部材110との間に光路調整層630が形成されているため、活性層303にて生じた光は、下部ミラー102および半導体基板101を経て光路調整層630へと入射した後出射面608へと到達し、この出射面608から出射する。出射面608から出射した光は、土台部材110を通過した後光学部材111へと入射した後、この光学部材111によって放射角が調整された後、半導体基板101と垂直方向(図23に示す−Z方向)へと出射する。
2. Operation of the surface-emitting light-emitting element The operation of the surface-emitting light-emitting
3.面発光型発光素子の製造方法
本発明を適用した第6の実施の形態に係る面発光型発光素子600は、第1電極107と第2電極109とを同じ側に形成する点、半導体基板101の裏面101bに凹部321を形成し、凹部321に光路調整層630を形成する点を除いて、第5の実施の形態に係る面発光型発光素子500と同様の製造プロセスにより形成される。よって、詳しい説明は省略する。
3. Manufacturing Method of Surface Light Emitting Element A surface emitting light emitting
4.作用効果
本実施の形態に係る面発光型発光素子600およびその製造方法は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100およびその製造方法と実質的に同じ作用および効果を有する。さらに、本実施の形態に係る面発光型発光素子600およびその製造方法では、以下に示す作用および効果を有する。
4). Operational Effect The surface-emitting light emitting
本実施の形態に係る面発光型発光素子600によれば、半導体基板101と土台部材110との間に光路調整層630が形成されていることにより、出射光の放射角の制御をより自由度が高い状態で行なうことが可能になる。すなわち、光路調整層630を形成するための材料を適宜選択することにより、光路調整層630の屈折率を調整することができる。これにより、出射光の放射角の制御をより高い自由度で行なうことができる。
According to the surface
[第7の実施の形態]
1.面発光型発光素子の構造
図24は、本発明を適用した第7の実施の形態に係る面発光型発光素子700を模式的に示す断面図である。図25は、図24のB−B線における断面を示す図である。なお、本実施の形態においては、面発光型発光素子として半導体紫外発光ダイオード(以下、「紫外LED」ともいう)を用いた場合について説明する。また、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100と実質的に同じ構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
[Seventh Embodiment]
1. Structure of surface-emitting light-emitting device FIG. 24 is a cross-sectional view schematically showing a surface-emitting light-emitting
この実施の形態の面発光型発光素子700は、図24に示すように、サファイア基板701と、サファイア基板701上に形成された発光素子部702とを含む。この面発光型発光素子700においては、この発光素子部702によって紫外光が発生する。
As shown in FIG. 24, the surface-emitting light-emitting
発光素子部702は、例えば、サファイア基板701上に形成されたn型GaN層からなるバッファ層722、n型GaN層からなるコンタクト層723、n型AlGaN層からなるクラッド層724、GaN層を少なくとも1層含み、発光層として機能する活性層725、p型AlGaN層からなるクラッド層726、およびp型GaN層からなるコンタクト層727が順次積層されて構成されている。
The light emitting
n型GaN層からなるコンタクト層723、不純物がドーピングされていない活性層725、およびp型GaN層からなるコンタクト層727により、pinダイオードが形成される。
A pin diode is formed by the contact layer 723 made of an n-type GaN layer, the
また、発光素子部702のうち出射面708側からコンタクト層723の途中にかけての部分が、出射面708側からから見て円形の形状にエッチングされて柱状部730が形成されている。本実施の形態においては、柱状部730とは、発光素子部702の一部を構成する柱状の半導体堆積体をいう。なお、柱状部730の平面形状は任意の形状をとることが可能である。
In addition, a portion of the light emitting
絶縁層706は、柱状部730の側面ならびにコンタクト層723の上面を覆うように形成されている。したがって、柱状部730の側面は絶縁層706で取り囲まれている。
The insulating
さらに、柱状部730の上面から絶縁層706の表面にかけては、第1電極707が形成されている。柱状部730の上面には出射面708が設置されており、この出射面708から光が出射する。すなわち、柱状部730の上面のうち第1電極707で覆われていない部分が出射面708に該当する。また、絶縁層706の一部が除去されてコンタクト層723が露出しており、この露出したコンタクト層723の表面に接触する形で第2電極709が形成されている。
Further, a
絶縁層706、ならびに第1および第2電極707,709としては、前述した第1〜第6の実施の形態の面発光型発光素子を構成する絶縁層106、ならびに第1および第2電極107,109と同様の材料を用いて形成することができる。
As the insulating
本実施の形態の面発光型発光素子700においては、出射面708上に土台部材110が形成され、土台部材110の上面110a上に光学部材111が形成されている。
In the surface
2.面発光型発光素子の動作
本実施の形態の面発光型発光素子700の一般的な動作を以下に示す。なお、下記の紫外LEDの駆動方法は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変更が可能である。
2. Operation of surface-emitting light-emitting element A general operation of the surface-emitting light-emitting
まず、第1電極707と第2電極709とで、pinダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層725において、電子と正孔との再結合が起こり、係る再結合による発光(紫外光)が生じる。この紫外光は、柱状部730上面にある出射面708から出射した後、土台部材110へと入射する。土台部材110に入射した光は土台部材110を通過して光学部材111に入射し、光学部材111によって放射角が調整された後、半導体基板101に対して垂直方向(図24に示すZ方向)へと出射する。
First, when a forward voltage is applied to the pin diode between the
3.面発光型発光素子の製造方法
次に、本発明を適用した第7の実施の形態に係る面発光型発光素子700の製造方法の一例について説明する。この面発光型発光素子700は、前述の第1の実施の形態の面発光型発光素子100と類似する工程にて形成することができる。
3. Method for Manufacturing Surface Light Emitting Element Next, an example of a method for manufacturing the surface emitting light emitting
(1)まず、サファイア基板701の表面に、n型GaN層からなるバッファ層722、n型GaN層からなるコンタクト層723、n型AlGaN層からなるクラッド層724、GaN層を少なくとも1層含み、発光層として機能する活性層725、p型AlGaN層からなるクラッド層726、およびp型GaN層からなるコンタクト層727からなる多層膜(図示せず)を結晶成長させる。結晶成長の方法としては、MOCVD法やMBE法が例示できる。この際、n型の層を形成する際には例えばSiを、p型の層を形成する際には例えばMgをそれぞれドープする。あるいは、n型の層を形成する際にGeを、p型の層を形成する際にはZnを用いてドープすることもできる。また、結晶成長にあたって、例えば特開平4−297023号公報に開示されている公知技術が利用できる。
(1) First, the surface of the
次いで、アニール処理を行ない、クラッド層726およびコンタクト層727の各層に含まれるMgを活性化した後、例えばドライエッチング法により、p型コンタクト層727からn型コンタクト層723の途中にかけてエッチングを行ない、柱状部730を形成する。
Next, annealing is performed to activate Mg contained in each of the
(2)続いて、柱状部730の周囲に絶縁層706を形成する。この絶縁層706は、第1の実施形態における絶縁層106と同様の工程にて形成することができる。なお、この工程において、第2電極709をコンタクト層723の上に形成するために、絶縁層706を、コンタクト層723の一部が露出するような形状に形成する。
(2) Subsequently, an insulating
(3)次いで、例えば真空蒸着法により、第1および第2電極707,709を形成する。この工程によって、柱状部730の上面に出射面708が形成される。なお、この工程においては、リフトオフ法を用いて所望の表面形状を得ることができる。あるいは、ドライエッチング法を用いて第1および第2電極707,709を形成してもよい。これらの電極を形成後、アニール処理を行ない、オーミックコンタクトを形成する。
(3) Next, the first and
(4)次いで、出射面708上に土台部材110を形成した後、土台部材110の上面110a上に光学部材111を形成する。土台部材110および光学部材111の製造方法は、前述した第1の実施の形態の面発光型発光素子100の製造プロセスにて示した方法と同様の方法を用いることができる。あるいは、土台部材110は、前述した第4の実施の形態の面発光型発光素子400の土台部材410(図16参照)と同様に、柱状部730に一体化して形成することもできる。以上の工程により、図24および図25に示す面発光型発光素子700が形成される。
(4) Next, after the
4.作用効果
本実施の形態に係る面発光型発光素子700およびその製造方法は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100およびその製造方法と実質的に同じ作用および効果を有する。
4). Operational Effect The surface-emitting light-emitting
[第8の実施の形態]
1.面発光型発光素子の構造
図26は、本発明を適用した第8の実施の形態に係る面発光型発光素子800を模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態においては、第1の実施の形態と同様に、面発光型発光素子として面発光型半導体レーザを用いた場合について説明する。
[Eighth Embodiment]
1. FIG. 26 is a cross-sectional view schematically showing a surface
本実施の形態に係る面発光型発光素子800は、柱状部130が土台部材としての機能を有する点以外は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100とほぼ同様の構造を有する。このため、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100と実質的に同じ構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
The surface-emitting light-emitting
この面発光型発光素子800では、図26に示すように、柱状部130が土台部材としての機能を有する。具体的には、柱状部130の上には、第1電極807を介して光学部材811が形成されている。また、絶縁層106の上面が、柱状部130の上面よりも低い位置に設けられており、柱状部130および第1電極807の上に第1電極807がほぼ均一の膜厚で形成されている。これにより、柱状部130に対して、土台部材としての機能を付与させることができる。
In the surface
また、光学部材811の構造、材質および機能は、第1の実施の形態の光学部材111の構造、材質および機能と同様である。
The structure, material and function of the
2.面発光型発光素子の動作
本実施の形態の面発光型発光素子800の動作は、第1の実施の形態の面発光型発光素子100と基本的に同様であるため、詳しい説明は省略する。
2. Operation of the surface-emitting light-emitting element The operation of the surface-emitting light-emitting
3.面発光型発光素子の製造方法
本実施の形態に係る面発光型発光素子800の製造方法は、柱状部130の上面上に光学部材811を形成する以外は、第1の実施形態に係る面発光型発光素子100の製造方法と同様である。なお、第1の実施の形態の光学部材111と同様の方法によって、柱状部130を土台部材として用いることにより、柱状部130の上面上に光学部材811を形成することができる。その他の工程については、詳しい説明は省略する。
3. Method for Manufacturing Surface-Emitting Light-Emitting Element A method for manufacturing surface-emitting light-emitting
4.作用効果
本実施の形態に係る面発光型発光素子800およびその製造方法は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100およびその製造方法と実質的に同じ作用および効果を有する。さらに、本実施の形態に係る面発光型発光素子200およびその製造方法は、以下に示す作用および効果を有する。
4). Operational Effect The surface-emitting light-emitting
光学部材811は、柱状部130を土台部材として用いることにより形成される。これにより、土台部材を別途形成する必要がない。これにより、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
The
[第9の実施の形態]
図27は、本発明を適用した第9の実施の形態に係る光モジュールを模式的に説明する図である。本実施の形態に係る光モジュールは、構造体1000(図27参照)を含む。この構造体1000は、第1の実施の形態に係る面発光型発光素子100(図1参照)、プラットフォーム1120、第1の光導波路1130およびアクチュエータ1150を有する。また、この構造体1000は、第2の光導波路1302を有する。第2の光導波路1302は、基板1300の一部をなす。第2の光導波路1302には、接続用光導波路1304を光学的に接続してもよい。接続用光導波路1304は、光ファイバであってもよい。また、プラットフォーム1120は、樹脂1306によって、基板1300に固定されている。
[Ninth Embodiment]
FIG. 27 is a diagram schematically illustrating an optical module according to a ninth embodiment to which the present invention is applied. The optical module according to the present embodiment includes a structure 1000 (see FIG. 27). The
本実施の形態の光モジュールでは、面発光型発光素子100(出射面108・図1参照)から光が出射した後、第1および第2の光導波路1130,1302(および接続用光導波路1304)を通して、受光素子(図示せず)にこの光を受光させる。
In the optical module according to the present embodiment, the first and second
[第10の実施の形態]
図28は、本発明を適用した第10の実施の形態に係る光伝達装置を説明する図である。本実施の形態では、第1の光導波路1130と受光素子220との間に、複数の第3の光導波路1230,1310,1312を有する。また、本実施の形態に係る光伝達装置は、複数(2つ)の基板1314,1316を有する。
[Tenth embodiment]
FIG. 28 is a diagram for explaining an optical transmission apparatus according to a tenth embodiment to which the present invention is applied. In the present embodiment, a plurality of third
本実施の形態では、面発光型発光素子100側の構成(面発光型発光素子100、プラットフォーム1120、第1の光導波路1130、第2の光導波路1318、アクチュエータ1150を含む。)と、受光素子220側の構成(受光素子220、プラットフォーム1220、第3の光導波路1230,1310を含む。)との間に、第3の光導波路1312が配置されている。第3の光導波路1312として、光ファイバなどを使用して、複数の電子機器間の光伝達を行なうことができる。
In the present embodiment, the structure on the surface
例えば、図30において、光伝達装置1100は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器1102を相互に接続するものである。電子機器1102は、情報通信機器であってもよい。光伝達装置1100は、光ファイバ等の第3の光導波路1312を含むケーブル1104を有する。光伝達装置1100は、ケーブル1104の両端にプラグ1106が設けられたものであってもよい。それぞれのプラグ1106内に、面発光型発光素子100,受光素子220側の構成が設けられる。いずれかの電子機器1102から出力された電気信号は、発光素子によって光信号に変換され、光信号はケーブル1104を伝わり、受光素子によって電気信号に変換される。電気信号は、他の電子機器1102に入力される。こうして、本実施の形態に係る光伝達装置1100によれば、光信号によって、電子機器1102の情報伝達を行なうことができる。
For example, in FIG. 30, an
図31は、本発明を適用した実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。光伝達装置1112は、電子機器1110間を接続する。電子機器1110として、液晶表示モニター又はディジタル対応のCRT(金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。)、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、ディジタルTV、小売店のレジ(POS(Point of Sale Scanning)用)、ビデオ、チューナー、ゲーム装置、プリンタ等が挙げられる。
FIG. 31 is a diagram showing a usage pattern of the optical transmission device according to the embodiment to which the present invention is applied. The
なお、第8および第10の実施の形態(図27〜図30参照)において、面発光型発光素子100のかわりに、面発光型発光素子190(図12参照),180(図13参照),200(図14参照),300(図15参照),400(図16参照),500(図22参照),600(図23参照),700(図24参照),800(図26参照)を用いた場合でも、同様の作用および効果を奏することができる。
In the eighth and tenth embodiments (see FIGS. 27 to 30), instead of the surface
すなわち、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。 That is, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and results). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that achieves the same effect as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.
例えば、上記実施の形態では、柱状部を一つ有する面発光型発光素子について説明したが、基板面内で柱状部が複数個設けられていても本発明の形態は損なわれない。また、複数の面発光型発光素子がアレイ化されている場合でも、同様の作用および効果を有する。 For example, in the above embodiment, a surface-emitting light emitting element having one columnar portion has been described. However, even if a plurality of columnar portions are provided in the substrate surface, the form of the present invention is not impaired. Further, even when a plurality of surface-emitting light emitting elements are arrayed, the same operations and effects are obtained.
また、例えば、上記実施の形態において、各半導体層におけるp型とn型とを入れ替えても本発明の趣旨を逸脱するものではない。上記実施の形態では、AlGaAs系のものについて説明したが、発振波長に応じてその他の材料系、例えば、GaInP系、ZnSSe系、InGaN系、AlGaN系、InGaAs系、GaInNAs系、GaAsSb系の半導体材料を用いることも可能である。 Further, for example, in the above embodiment, even if the p-type and n-type in each semiconductor layer are interchanged, it does not depart from the spirit of the present invention. In the above embodiment, AlGaAs-based materials have been described. However, other material systems such as GaInP-based, ZnSSe-based, InGaN-based, AlGaN-based, InGaAs-based, GaInNAs-based, and GaAsSb-based semiconductor materials are used depending on the oscillation wavelength. It is also possible to use.
100,180,190,200,300,400,500,600,700,800 面発光型発光素子、 101 半導体基板、 101a 半導体基板の表面、 101b 半導体基板の裏面、 102 下部ミラー、 103,303,725 活性層、 104 上部ミラー、 105 酸化狭窄層、 106,706 絶縁層、 107,707,807 第1電極、 108,508,608,708 出射面、 109,709 第2電極、 110,210,310,410,910 土台部材、 110a,210a,310a,910a 土台部材の上面 110b、 樹脂層 210b,310b 土台部材の側面、 310c 土台部材の上部、 111,211,311,811,911
光学部材、 111a 液滴、 111b 光学部材前駆体、 112 ノズル、 113 エネルギー線、 120 インクジェットヘッド、 130,530 柱状部、 131 封止材、 140 共振器、 150 半導体多層膜、 220 受光素子、 321 凹部、 410a 半導体層、 630 光路調整層、 701 サファイア基板、 701a サファイア基板の表面、 702 発光素子部、 722 バッファ層、 723 コンタクト層、 724 クラッド層、 726 クラッド層、 727 コンタクト層、 1000 構造体、 1100,1112 光伝達装置、 1110,1102 電子機器、 1104 ケーブル、 1106 プラグ、 1120,1220 プラットフォーム、 1130 第1の光導波路、 1150 アクチュエータ、 1152 クッション、 1154 エネルギー供給源、 1230,1310,1312 第3の光導波路、 1300 基板、 1302,1318 第2の光導波路、 1304 接続用光導波路、 1306 樹脂、 1314,1316 基板、 R100,R200,R110,R210 レジスト
100, 180, 190, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800 Surface-emitting light emitting device, 101 semiconductor substrate, 101a surface of the semiconductor substrate, 101b back surface of the semiconductor substrate, 102 lower mirror, 103, 303, 725 Active layer, 104 upper mirror, 105 oxidation constriction layer, 106,706 insulating layer, 107,707,807 first electrode, 108,508,608,708 exit surface, 109,709 second electrode, 110,210,310, 410,910 Foundation member, 110a, 210a, 310a,
Optical member, 111a droplet, 111b optical member precursor, 112 nozzle, 113 energy beam, 120 inkjet head, 130,530 columnar part, 131 sealing material, 140 resonator, 150 semiconductor multilayer film, 220 light receiving element, 321 recess , 410a semiconductor layer, 630 optical path adjustment layer, 701 sapphire substrate, 701a surface of sapphire substrate, 702 light emitting element portion, 722 buffer layer, 723 contact layer, 724 clad layer, 726 clad layer, 727 contact layer, 1000 structure, 1100 , 1112 light transmission device, 1110, 1102 electronic device, 1104 cable, 1106 plug, 1120, 1220 platform, 1130 first optical waveguide, 1150 actuator, 1152 cushion, 115 4 Energy supply source, 1230, 1310, 1312 Third optical waveguide, 1300 substrate, 1302, 1318 Second optical waveguide, 1304 Connecting optical waveguide, 1306 Resin, 1314, 1316 Substrate, R100, R200, R110, R210 Resist
Claims (9)
(a)出射面を含み、前記発光素子として機能する部分を形成し、
(b)前記基体上に土台部材を形成し、
(c)前記土台部材の上面に対して液滴を吐出して、光学部材前駆体を形成し、
(d)前記光学部材前駆体を硬化させて、前記土台部材の最大径よりも大きな最大径を有する光学部材を形成すること、を含む、面発光型発光素子の製造方法。 A method for manufacturing a surface-emitting light emitting device capable of emitting light in a direction perpendicular to a substrate,
(A) including a light emitting surface, forming a portion that functions as the light emitting element;
(B) forming a base member on the substrate;
(C) discharging droplets onto the upper surface of the base member to form an optical member precursor;
(D) The manufacturing method of the surface emitting light emitting element including hardening the said optical member precursor and forming the optical member which has a larger maximum diameter than the maximum diameter of the said base member.
前記(b)において、所定波長の光を通過させる材質にて前記土台部材を形成する、面発光型発光素子の製造方法。 In claim 1,
In the method (b), the base member is formed of a material that transmits light of a predetermined wavelength.
前記(c)において、前記液滴の吐出は、インクジェット法により行なわれる、面発光型発光素子の製造方法。 In claim 1 or 2,
In the method (c), the droplets are ejected by an inkjet method.
前記(d)において、前記光学部材前駆体の硬化は、エネルギーの付加により行なわれる、面発光型発光素子の製造方法。 In any of claims 1 to 3,
In the method (d), the optical member precursor is cured by applying energy.
前記(d)において、前記光学部材前駆体の硬化は、紫外線の照射により行なわれる、面発光型発光素子の製造方法。 In claim 4,
In the method (d), the optical member precursor is cured by irradiation with ultraviolet rays.
前記(b)において、前記土台部材の上面と、前記土台部材の側部において該上面に接する面とのなす角が鋭角になるように、前記土台部材を形成する、面発光型発光素子の製造方法。 In any of claims 1 to 5,
In (b), the surface-emitting light-emitting element is formed such that the base member is formed so that an angle formed between an upper surface of the base member and a surface in contact with the upper surface at a side portion of the base member is an acute angle. Method.
前記(b)において、前記土台部材の上部を逆テーパ状に形成する、面発光型発光素子の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 6.
In the method (b), the upper surface of the base member is formed in a reverse taper shape.
さらに、前記(c)より前に、(e)前記液滴に対する前記土台部材の上面の濡れ性を調整すること、を含む、面発光型発光素子の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 7,
Furthermore, before the said (c), (e) adjusting the wettability of the upper surface of the said base member with respect to the said droplet, The manufacturing method of the surface emitting light emitting element.
さらに、(f)前記光学部材の少なくとも一部を封止材で覆うこと、を含む、面発光型発光素子の製造方法。 In any of claims 1 to 8,
Furthermore, (f) The manufacturing method of the surface emitting light emitting element including covering at least one part of the said optical member with a sealing material.
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