JP2005353273A - Magnetic recording medium, its manufacturing method, and magnetic storage apparatus - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To grow preferentially a substrate layer provided under a magnetic layer along the track direction about a magnetic recording medium, a magnetic storage apparatus, and a manufacturing method of the magnetic recording medium. <P>SOLUTION: This medium is provided with a Cr group substrate layer in which distance λ between texture lines arranged in the prescribed direction and being adjacent each other is 5<λ30nm, an angle ψ formed by a texture plane and an oblique texture plane is 0.5<ψ<7 degree, which is provided on the texture plane by sputtering, in which film thickness is approximately 1nm or more a nd approximately 40nm or less, Cr<110> is grown preferentially along the prescribed direction so that the number of particles having Cr<110> in the vicinity at which an angle for the prescribed direction is 0 degree or 90 degree is made twice or more of the number of particles having Cr<110> in the vicinity at which an angle for the prescribed direction is 45 degree, and a Co group magnetic layer which is provided on the substrate layer by sputtering, in which Co(1120) plane is grown preferentially along the prescribed direction and an orientation ratio is two or more. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置に係り、特に高密度水平記録に適した磁気記録媒体、そのような磁気記録媒体の製造方法、及びそのような磁気記録媒体を有する磁気記憶装置に関する。   The present invention relates to a magnetic recording medium, a manufacturing method thereof, and a magnetic storage device, and more particularly to a magnetic recording medium suitable for high density horizontal recording, a manufacturing method of such a magnetic recording medium, and a magnetic having such a magnetic recording medium. The present invention relates to a storage device.

磁気記録媒体の容量を増加する要求に伴い、薄膜磁気記録層（以下、単に磁性薄膜と言う）の成長及び磁気特性を適切に制御することで、ディスク形状の薄膜磁気記録媒体（以下、単に薄膜磁気ディスクと言う）等の薄膜磁気記録媒体の開発がなされた。薄膜磁気ディスクは、好ましくは２０００Ｏｅ〜５０００Ｏｅの範囲の、高くて制御可能な保磁力を有するべきであり、０．８以上の高い残留磁化比を有するべきである。磁性薄膜には、一般的にはＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ等のＣｏ系合金が使用される。磁性薄膜は、ＮｉＰがコーティングされたＡｌ、ＡｌＭｇ、ガラス等の非磁性基板上に成長される。高いスティクション及び摩擦の問題を克服するために、基板の表面は磁性薄膜の成長に先立って、一般的な機械的研磨技術であるテキスチャリングにより加工される。コーティングされた基板の機械的テキスチャリングは、媒体信号対雑音比（ＳＮＲ）を向上することが知られている。   With the demand for increasing the capacity of magnetic recording media, the growth and magnetic properties of thin-film magnetic recording layers (hereinafter simply referred to as magnetic thin films) are appropriately controlled, so that disk-shaped thin-film magnetic recording media (hereinafter simply referred to as thin-film magnetic recording media). Thin-film magnetic recording media such as magnetic disks) have been developed. The thin film magnetic disk should have a high and controllable coercivity, preferably in the range of 2000 Oe to 5000 Oe, and should have a high remanent magnetization ratio of 0.8 or higher. Generally, a Co-based alloy such as CoPtCr, CoCrPtB, or CoCrPtTaB is used for the magnetic thin film. The magnetic thin film is grown on a nonmagnetic substrate such as Al, AlMg, or glass coated with NiP. In order to overcome the problems of high stiction and friction, the surface of the substrate is processed by texturing, a common mechanical polishing technique, prior to the growth of the magnetic thin film. Mechanical texturing of the coated substrate is known to improve the media signal to noise ratio (SNR).

Ｃｏ系磁性薄膜中のＣｏの磁化容易軸（以下、単に容易軸と言う）の配向は、テキスチャリングと磁性薄膜の下に設けられる下地層の適切な選定によって得られる重要な特性である。機械的テキスチャリングは、薄膜磁気ディスクの場合には半径方向の保磁力の円周方向の保磁力に対する比である、磁性薄膜の配向比を誘起する。しかし、配向比の起源は従来明確でなく、明確な説明もなされていなかった。通常、Ｃｏ系磁性薄膜中のＣｏの容易軸の面内配向性を良くする下地層構造は、異なる条件で成長されたＣｒ下地層に基づいている。超高密度記録用に媒体ＳＮＲを向上するためには、Ｃｏ系磁性薄膜中のＣｏの結晶ｃ軸を、薄膜磁気ディスクの場合には好ましくは円周方向に沿って成長させる必要がある。   The orientation of the easy magnetization axis (hereinafter simply referred to as the easy axis) of Co in the Co-based magnetic thin film is an important characteristic obtained by texturing and appropriate selection of the underlayer provided under the magnetic thin film. Mechanical texturing induces a magnetic thin film orientation ratio, which is the ratio of radial coercivity to circumferential coercivity in the case of thin film magnetic disks. However, the origin of the orientation ratio has not been clear so far and has not been clearly explained. Usually, the underlayer structure that improves the in-plane orientation of the easy axis of Co in the Co-based magnetic thin film is based on Cr underlayers grown under different conditions. In order to improve the medium SNR for ultra-high density recording, it is necessary to grow the Co crystal c-axis in the Co-based magnetic thin film preferably along the circumferential direction in the case of a thin-film magnetic disk.

Ｃｒ下地層のＣｒ（００２）テキスチャは、Ｃｏ系磁性薄膜のＣｏ（１１２０）面の優先成長のためには不可欠である。この優先成長は、Ｃｒ（００２）面とＣｏ（１１２０）面の格子整合が非常に良く、格子の長さ方向上及び幅方向上の格子不整合は夫々０．５％及び５％しかないので、通常は実現できる。又、Ｃｏ（１１２０）面の成長は、水平記録に必要不可欠な磁化の面内配向をもたらす。Ｃｒ下地層がＣｒ（００２）テキスチャで成長されると、Ｃｒ下地層中の個々の粒子のＣｒ（００２）面は、面内方向において不規則である。つまり、Ｃｒ＜１１０＞は、面内において不規則である。これは、基板に機械的テキスチャリングがなされない場合も同様であり、機械的テキスチャリングを行った後も同様であると考えられる。従って、磁性薄膜の配向比の起源は、明確ではなかった。   The Cr (002) texture of the Cr underlayer is indispensable for the preferential growth of the Co (1120) surface of the Co-based magnetic thin film. In this preferential growth, the lattice matching between the Cr (002) plane and the Co (1120) plane is very good, and the lattice mismatch in the length direction and width direction of the lattice is only 0.5% and 5%, respectively. Usually, it can be realized. Further, the growth of the Co (1120) plane brings about an in-plane orientation of magnetization essential for horizontal recording. When the Cr underlayer is grown with Cr (002) texture, the Cr (002) planes of the individual particles in the Cr underlayer are irregular in the in-plane direction. That is, Cr <110> is irregular in the plane. This is the same even when the substrate is not mechanically textured, and is considered to be the same after the mechanical texturing is performed. Therefore, the origin of the orientation ratio of the magnetic thin film was not clear.

より良い結晶ｃ軸の配向及び配向比を得るためには、薄膜磁気ディスクの場合、Ｃｒ＜１１０＞の優先成長を円周方向とすることが必要条件である。円周方向にＣｒ＜００２＞等の他の配向が存在すると、Ｃｏ結晶ｃ軸の円周方向、即ち、機械的テキスチャリングの方向に沿った優先エピタキシャル成長は不可能である。   In order to obtain a better crystal c-axis orientation and orientation ratio, in the case of a thin film magnetic disk, it is a necessary condition that the preferential growth of Cr <110> is in the circumferential direction. When other orientations such as Cr <002> exist in the circumferential direction, preferential epitaxial growth along the circumferential direction of the Co crystal c-axis, that is, the direction of mechanical texturing is impossible.

本発明は、上記の問題を除去した新規、且つ、有用な磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置を提供することを概括的目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION It is a general object of the present invention to provide a novel and useful magnetic recording medium, a method for manufacturing the same, and a magnetic storage device that eliminate the above problems.

本発明のより具体的目的は、磁性層の下に設けられた下地層のＣｒ＜１１０＞がトラック方向に沿って優先成長する磁気記録媒体、そのような磁気記録媒体の製造方法、及びそのような磁気記録媒体を有する磁気記憶装置を提供することにある。本発明になる磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置によれば、配向比及び媒体ＳＮＲを向上させることができ、高密度記録を実現することができる。   A more specific object of the present invention is to provide a magnetic recording medium in which Cr <110> of the underlayer provided below the magnetic layer is preferentially grown along the track direction, a method for manufacturing such a magnetic recording medium, and such Another object of the present invention is to provide a magnetic storage device having a magnetic recording medium. According to the magnetic recording medium, the manufacturing method thereof, and the magnetic storage device according to the present invention, the orientation ratio and the medium SNR can be improved, and high-density recording can be realized.

上記の課題は、所定方向にテキスチャリングを施されたテキスチャ面と、該テキスチャ面は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ３０ｎｍなる関係を満足すると共に、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足し、該テキスチャ面上にスパッタリングにより設けられ、膜厚が約１ｎｍ以上で約４０ｎｍ以下であり、前記所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、前記所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるようにＣｒ＜１１０＞が該所定方向に沿って優先成長しているＣｒ系下地層と、該下地層上にスパッタリングにより設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長してなり、配向比が２以上のＣｏ系磁性層とを備えた磁気記録媒体により達成できる。   The above-described problem is that the textured surface textured in a predetermined direction and the textured surface satisfy the relationship that the distance λ between two adjacent texture lines is 5 <λ30 nm, and is oblique to the textured surface. Satisfying the relationship that the angle φ formed with the texture surface of 0.5 <φ <7 degrees is formed by sputtering on the texture surface, the film thickness is about 1 nm to about 40 nm, and the predetermined direction So that the number of particles having <110> of Cr when the angle with respect to 0 is near 90 degrees is more than twice the number of particles having <110> of Cr when the angle to the predetermined direction is around 45 degrees. Cr <110> is preferentially grown along the predetermined direction, and a Cr-based underlayer is provided on the underlayer by sputtering, and a Co (1120) surface is dominant along the predetermined direction. It will grow, orientation ratio can be achieved by a magnetic recording medium having a two or more Co-based magnetic layer.

上記の課題は、上記の如き磁気記録媒体を少なくとも１つ備えた磁気記憶装置によっても達成できる。   The above problem can also be achieved by a magnetic storage device including at least one magnetic recording medium as described above.

上記の課題は、所定方向にテキスチャリングされたテキスチャ面を形成するステップ（ａ）と、約５０％以上のＣｒ＜１１０＞が該所定方向に配向されるようにＣｒ＜１１０＞の該所定方向に沿った優先成長を行って該テキスチャ面上にＣｒ系下地層を形成するステップ（ｂ）と、Ｃｏ（１１２０）面の該所定方向に沿った優先成長を行って該下地層上にＣｏ系磁性層を形成するステップ（ｃ）とを含む磁気記録媒体の製造方法によっても達成できる。   The above-described problems include the step (a) of forming a textured surface textured in a predetermined direction, and the predetermined direction of Cr <110> such that about 50% or more of Cr <110> is oriented in the predetermined direction. A step (b) of forming a Cr-based underlayer on the texture surface by performing preferential growth along the texture, and performing a preferential growth along the predetermined direction on the Co (1120) surface to form a Co-based material on the underlayer. It can also be achieved by a method of manufacturing a magnetic recording medium including the step (c) of forming a magnetic layer.

本発明の更に他の目的及び特長は、以下図面と共に述べる説明より明らかとなろう。   Other objects and features of the present invention will be apparent from the description given below with reference to the drawings.

本発明になる磁気記録媒体によれば、配向比及び媒体ＳＮＲを向上させることができ、高密度記録を実現することができる。   According to the magnetic recording medium of the present invention, the orientation ratio and the medium SNR can be improved, and high density recording can be realized.

本発明になる磁気記憶装置によれば、使用する磁気記録媒体の配向比及び媒体ＳＮＲを向上させて高密度記録を行うことで、大容量を実現することができる。   According to the magnetic storage device of the present invention, a large capacity can be realized by performing high density recording by improving the orientation ratio of the magnetic recording medium to be used and the medium SNR.

本発明になる磁気記録媒体の製造方法によれば、配向比及び媒体ＳＮＲを向上させ、高密度記録を実現可能な磁気記録媒体を製造することができる。   According to the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, a magnetic recording medium capable of improving the orientation ratio and the medium SNR and realizing high-density recording can be manufactured.

以下に、本発明になる磁気記録媒体、磁気記憶装置及び磁気記録媒体の製造方法の各実施例を、図面と共に説明する。   Embodiments of a magnetic recording medium, a magnetic storage device, and a method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

先ず、本発明になる磁気記録媒体の一実施例を、図１Ａと共に説明する。図１Ａは、磁気記録媒体の本実施例の要部を示す断面図である。   First, an embodiment of a magnetic recording medium according to the present invention will be described with reference to FIG. 1A. FIG. 1A is a cross-sectional view showing the main part of this embodiment of the magnetic recording medium.

図１Ａに示す磁気記録媒体は、大略基板１、テキスチャリングされた表面（以下、単にテキスチャ面と言う）３を有するシード層２、下地層４、及び磁気記録層（以下、単に磁性層と言う）５からなる。勿論、Ｃ又はダイヤモンドライクなＣ（ＤＬＣ）からなる保護層（図示せず）を磁性層５の上に設けても良く、保護層の上に更に有機潤滑層（図示せず）を設けても良い。   The magnetic recording medium shown in FIG. 1A is generally a substrate 1, a seed layer 2 having a textured surface (hereinafter simply referred to as a textured surface) 3, an underlayer 4 and a magnetic recording layer (hereinafter simply referred to as a magnetic layer). ) 5. Of course, a protective layer (not shown) made of C or diamond-like C (DLC) may be provided on the magnetic layer 5, or an organic lubricating layer (not shown) may be further provided on the protective layer. good.

基板１は、Ａｌ等の金属又はガラスからなる。シード層２は、ＮｉＰ，ＣｏＮｉＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＮｉＡｌ等の材料からなる。シード層２のテキスチャ面３は、例えば機械的テキスチャリングにより形成され、磁気記録媒体のトラックが形成される所定方向に沿ってテキスチャリングされている。磁気記録媒体が同心円又は螺旋状のトラックを有する磁気ディスクの場合、テキスチャ面３は、磁気ディスクの円周方向に沿ってテキスチャリングされている。   The substrate 1 is made of a metal such as Al or glass. The seed layer 2 is made of a material such as NiP, CoNiZr, CoNbZr, or NiAl. The textured surface 3 of the seed layer 2 is formed by, for example, mechanical texturing, and is textured along a predetermined direction in which a track of the magnetic recording medium is formed. When the magnetic recording medium is a magnetic disk having concentric or spiral tracks, the textured surface 3 is textured along the circumferential direction of the magnetic disk.

下地層４は、ＢＣＣ構造を有する金属又はその合金等の、非磁性材料からなる。本実施例では、下地層４は、Ｃｒ又はＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，ＣｒＶ，ＣｒＷ等のＣｒ系合金からなる。下地層４にＣｒ系合金が用いられる場合、Ｃｒ系合金のＭｏ含有量は望ましくは１ａｔ％以上、Ｃｒ系合金のＷ含有量は望ましくは３０ａｔ％以下、Ｃｒ系合金のＶ含有量は望ましくは３０ａｔ％以下である。本発明者らが行った実験によると、Ｃｒ系合金に比較的小さな含有量のＭｏ，Ｗ及び／又はＶが含まれると、磁性層５の配向比を増加させることがわかった。このような小さな含有量のＭｏ，Ｗ及び／又はＶがＣｒ系合金に含まれると、下地層４の格子を拡張させ、その上に設けられる磁性層５に対して良い格子整合を提供するものと考えられる。Ｃｒ系下地層４は、所定方向に沿ってＣｒ＜１１０＞が優先成長するので、Ｃｒ＜１１０＞の約５０％が所定方向に沿って配向する。   The underlayer 4 is made of a nonmagnetic material such as a metal having a BCC structure or an alloy thereof. In this embodiment, the underlayer 4 is made of Cr or a Cr-based alloy such as CrMo, CrMoW, CrV, CrW. When a Cr-based alloy is used for the underlayer 4, the Mo content of the Cr-based alloy is desirably 1 at% or more, the W content of the Cr-based alloy is desirably 30 at% or less, and the V content of the Cr-based alloy is desirably 30 at% or less. According to experiments conducted by the present inventors, it was found that when the Cr-based alloy contains a relatively small content of Mo, W and / or V, the orientation ratio of the magnetic layer 5 is increased. When such a small content of Mo, W and / or V is contained in the Cr-based alloy, the lattice of the underlayer 4 is expanded, and good lattice matching is provided for the magnetic layer 5 provided thereon. it is conceivable that. Since Cr <110> preferentially grows along the predetermined direction in the Cr-based underlayer 4, about 50% of Cr <110> is oriented along the predetermined direction.

又、下地層４は、良好な粒子の成長及び以下に説明する磁性層５のＣｏ（０００２）面の良好なエピタキシャル成長を促すためにも、膜厚が約１ｎｍ以上で、好ましくは約２ｎｍ以上である。他方、本発明者らが行った実験によると、配向比が減少することを避けるためには、下地層４の膜厚は約４０ｎｍ以下であり、好ましくは約１５ｎｍ以下である。   The underlayer 4 has a thickness of about 1 nm or more, preferably about 2 nm or more in order to promote good grain growth and good epitaxial growth of the Co (0002) surface of the magnetic layer 5 described below. is there. On the other hand, according to experiments conducted by the present inventors, in order to avoid a decrease in the orientation ratio, the film thickness of the underlayer 4 is about 40 nm or less, preferably about 15 nm or less.

磁性層５は、ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ等のＣｏ系材料からなる。磁性層５は、Ｃｏ（１１２０）面の優先成長が所定方向に沿っている。   The magnetic layer 5 is made of a Co-based material such as CoCrPtB, CoCrPt, CoCrTa, CoCrPtTa, CoCrPtTaB, and CoCrPtBCu. In the magnetic layer 5, the preferential growth of the Co (1120) plane is along a predetermined direction.

図１Ｂは、磁気記録媒体の本実施例の変形例の要部を示す断面図である。図１Ｂ中、図１Ａと同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。   FIG. 1B is a cross-sectional view showing the main part of a modification of the present embodiment of the magnetic recording medium. In FIG. 1B, the same parts as those in FIG. 1A are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図１Ｂに示す磁気記録媒体は、下地層４と磁性層５との間に設けられた中間層９を更に有する。中間層９は、Ｃｒ含有量が２５ａｔ％以上、且つ、４５ａｔ％以下のＣｏＣｒ系合金からなる。中間層９を設けることにより、磁性層５の配向比を更に向上することができる。配向比は、ある方向に沿った保磁力と磁気記録媒体の所定方向に沿った保磁力との比から計算され、ある方向とは、所定方向に垂直な方向である。磁気ディスクの場合、配向比は、磁気ディスクの半径方向の保磁力と磁気ディスクの円周方向の保磁力との比から計算される。   The magnetic recording medium shown in FIG. 1B further includes an intermediate layer 9 provided between the underlayer 4 and the magnetic layer 5. The intermediate layer 9 is made of a CoCr alloy having a Cr content of 25 at% or more and 45 at% or less. By providing the intermediate layer 9, the orientation ratio of the magnetic layer 5 can be further improved. The orientation ratio is calculated from the ratio of the coercive force along a certain direction to the coercive force along a predetermined direction of the magnetic recording medium, and the certain direction is a direction perpendicular to the predetermined direction. In the case of a magnetic disk, the orientation ratio is calculated from the ratio between the coercive force in the radial direction of the magnetic disk and the coercive force in the circumferential direction of the magnetic disk.

格子の拡張及び配向比については、Ｋａｔａｏｋａ ｅｔ ａｌ．， ”ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｉｃ Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ Ｉｎ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍｅｄｉａ Ａｎａｌｙｚｅｄ Ｗｉｔｈ Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ”， Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． ７３（１１）， ｐｐ．７５９１−７５９８， １ Ｊｕｎｅ １９９３， Ｊｏｈｎｓｏｎ ｅｔ ａｌ．， ”Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ Ｉｎ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｍｅｄｉａ： Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｏｒｉｇｉｎｓ ｏｆ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｒａｔｉｏ”， ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． Ｍａｇｎ． ｖｏｌ．３１， ｐｐ．２７２１−２７２７， １９９５及びＫｉｍ ｅｔ ａｌ．， ”Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ Ｏｒｉｇｉｎ Ｏｆ Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ Ｉｎ Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｉｎ−Ｌｉｎｅ Ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ ＣｏＰｔＣｒ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｄｉｓｋｓ”， Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． ７４（７）， ｐｐ．４６４３−４６５０， １ Ｏｃｔｏｂｅｒ １９９３に更に説明されており、本明細書ではこれらを引用することでこれらの開示をも含むものとする。   For lattice expansion and orientation ratio, see Kataoka et al. , "Crystallogistic Anisotropy In Thin Film Magnetic Recording Media Analyzed With X-Ray Diffraction", J. et al. Appl. Phys. 73 (11), pp. 7591-7598, 1 June 1993, Johnson et al. "In-Plane Anisotropic In Thin-Film Media: Physical Origins of Orientation Ratio", IEEE Trans. Magn. vol. 31, pp. 2721-2727, 1995 and Kim et al. , "Microstructural Origin Of In-Plane Magnetic Anisotropic In Magnetic In-Line Spuntered CoPtCr Thin-Film Disks", J. et al. Appl. Phys. 74 (7), pp. 4643-4650, 1 October 1993, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.

磁気記録媒体の実施例及びその変形例によれば、磁性層５の結晶配向そして容易軸の配向が良好に制御されるので、磁性層５の容易軸の配向によりビットをヘッド磁界方向に沿って容易に書き込むことが可能となる。このため、磁気記録媒体の媒体ＳＮＲが向上し、安定した高密度記録を実現することができる。   According to the embodiment of the magnetic recording medium and the modification thereof, the crystal orientation of the magnetic layer 5 and the orientation of the easy axis are well controlled, so that the bit is aligned along the head magnetic field direction by the orientation of the easy axis of the magnetic layer 5. It becomes possible to write easily. For this reason, the medium SNR of the magnetic recording medium is improved, and stable high-density recording can be realized.

図２は、下地層４のＣｒ（００２）面と磁性層５のＣｏ（１１２０）面の格子不整合を説明する図である。図２は、異なるＣｒ面及びＣｏ面に対応する格子不整合を示す。   FIG. 2 is a view for explaining lattice mismatch between the Cr (002) plane of the underlayer 4 and the Co (1120) plane of the magnetic layer 5. FIG. 2 shows the lattice mismatch corresponding to different Cr and Co planes.

Ｃｒ下地層のＣｒ（００２）テキスチャは、磁性層５のＣｏ（１１２０）面を優先成長するためには不可欠である。この優先成長は、Ｃｒ（００２）面とＣｏ（１１２０）面の格子整合が図２に示すように非常に良く、格子の長さ方向上及び幅方向上の格子不整合は夫々０．５％及び５％しかないので、通常は実現できる。又、Ｃｏ（１１２０）の成長は、磁化方向を水平磁気記録では必要不可欠である面内方向とする。下地層４がＣｒ（００２）テキスチャで成長されると、下地層４中の個々の粒子のＣｒ（００２）面は、面内方向において不規則である。つまり、Ｃｒ＜１１０＞は、面内において不規則である。これは、テキスチャ面３がない場合も同様である。   The Cr (002) texture of the Cr underlayer is indispensable for preferential growth of the Co (1120) surface of the magnetic layer 5. In this preferential growth, the lattice matching between the Cr (002) plane and the Co (1120) plane is very good as shown in FIG. 2, and the lattice mismatch in the length direction and the width direction of the lattice is 0.5% respectively. And since it is only 5%, it can usually be realized. In the growth of Co (1120), the magnetization direction is set to the in-plane direction which is indispensable in horizontal magnetic recording. When the underlayer 4 is grown with a Cr (002) texture, the Cr (002) plane of each particle in the underlayer 4 is irregular in the in-plane direction. That is, Cr <110> is irregular in the plane. This is the same when there is no texture surface 3.

より良い結晶ｃ軸の配向及び配向比を得るためには、Ｃｒ＜１１０＞の優先成長を所定方向とすることが必要条件である。所定方向にＣｒ＜００２＞等の他の配向が存在すると、Ｃｏ結晶ｃ軸の所定方向、即ち、テキスチャ面３のテキスチャリングの方向に沿った優先エピタキシャル成長は不可能である。   In order to obtain a better crystal c-axis orientation and orientation ratio, it is a necessary condition that the preferential growth of Cr <110> is in a predetermined direction. When other orientations such as Cr <002> exist in a predetermined direction, preferential epitaxial growth along a predetermined direction of the Co crystal c-axis, that is, the texturing direction of the texture plane 3 is impossible.

図３は、テキスチャ面３上の下地層４のＣｒ粒子を平面で示す図である。図４は、テキスチャ面３上の下地層４のＣｒ粒子を断面で示す図である。又、図５は、テキスチャ面３のテキスチャリングを所望のテキスチャパラメータに対して断面で示す図である。   FIG. 3 is a plan view showing Cr particles of the underlayer 4 on the texture surface 3. FIG. 4 is a cross-sectional view showing Cr particles of the underlayer 4 on the texture surface 3. FIG. 5 is a cross-sectional view of the texturing of the texture surface 3 with respect to a desired texture parameter.

本実施例では、テキスチャ面３は、図５に示すように、２つの互いに隣接するテキスチャ線３−１間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足し、テキスチャ面３と斜めのテキスチャ面３−２とで形成する角度φは０．５＜φ＜７度なる関係を満足する。又、テキスチャ線３−１のテキスチャ面３に対する高さδは、０．６５ｎｍから０．８ｎｍである。この結果、このようなテキスチャ面３上に設けられた下地層４上に設けられた磁性層５の配向比は、約１．２より大きく、且つ、約１．９より小さい。しかし、本発明者らは、下地層４のＣｒ＜１１０＞の配向の調整、テキスチャ面３のテキスチャリング及び下地層４の成長条件に応じて、下地層４上に設けられた磁性層５の配向比を２以上にすることができることを確認した。   In the present embodiment, as shown in FIG. 5, the texture surface 3 satisfies the relationship that the distance λ between two adjacent texture lines 3-1 is 5 <λ <30 nm, and the texture surface 3 and the textured surface are slanted. The angle φ formed with the surface 3-2 satisfies the relationship of 0.5 <φ <7 degrees. Further, the height δ of the texture line 3-1 with respect to the texture surface 3 is 0.65 nm to 0.8 nm. As a result, the orientation ratio of the magnetic layer 5 provided on the underlayer 4 provided on the texture surface 3 is larger than about 1.2 and smaller than about 1.9. However, the inventors have adjusted the orientation of Cr <110> of the underlayer 4, the texturing of the textured surface 3, and the growth conditions of the underlayer 4, and the magnetic layer 5 provided on the underlayer 4. It was confirmed that the orientation ratio could be 2 or more.

本発明者らは、下地層４中の多数のＣｒ粒子のＴＥＭ回折画像を観測することで、下地層４のＣｒ＜０１１＞の優先配向を観察した。単一Ｃｒ粒子の回折画像より、テキスチャ面３のテキスチャリングの方向、即ち、所定方向に対するＣｒ＜１１０＞の方向が求められた。正当で良好な確立分布を得るために、１００以上の個々のＣｒ粒子を観察した。   The inventors observed the preferential orientation of Cr <011> in the underlayer 4 by observing TEM diffraction images of a large number of Cr particles in the underlayer 4. From the diffraction image of a single Cr particle, the texturing direction of the texture surface 3, that is, the direction of Cr <110> with respect to a predetermined direction was obtained. Over 100 individual Cr particles were observed to obtain a valid and well established distribution.

個々Ｃｒ粒子画像は、図６の左下部に示すようにネガフィルムに記録された。図６は、ＴＥＭ回折画像からの下地層４のＣｒ＜１１０＞方向の観察を示す図である。単一Ｃｒ粒子を観察したため、スポット画像、即ち、１つの中央スポットと最も近い４つの隣接スポットが得られた。図６の左下部に示すネガフィルム上のスポット画像は、図６の左部分にＣｒ＜１１０＞方向について系統的に示されている。ネガフィルムの端部方向は、フィルム端部方向がテキスチャ面３のテキスチャリング方向と一致するように、写真を取る際に調整された。従って、図６より、下地層４の各Ｃｒ粒子のＣｒ＜１１０＞方向が求められた。つまり、テキスチャリング方向θの値を観察することで、テクスチャリング方向θに対する下地層４のＣｒ＜１１０＞方向を求めることができた。   Individual Cr particle images were recorded on a negative film as shown in the lower left part of FIG. FIG. 6 is a diagram showing the observation of the underlayer 4 in the Cr <110> direction from the TEM diffraction image. Since a single Cr particle was observed, a spot image, ie four adjacent spots closest to one central spot, was obtained. The spot image on the negative film shown in the lower left part of FIG. 6 is systematically shown in the left part of FIG. 6 in the Cr <110> direction. The edge direction of the negative film was adjusted when taking a photograph so that the film edge direction coincided with the texturing direction of the textured surface 3. Therefore, from FIG. 6, the Cr <110> direction of each Cr particle of the underlayer 4 was obtained. That is, by observing the value of the texturing direction θ, the Cr <110> direction of the underlayer 4 with respect to the texturing direction θ could be obtained.

図７Ａは、テキスチャ面３のテキスチャリング方向に対する、テキスチャ面３上のＣｒ下地層４のＣｒ＜１１０＞の確率分布を、約１００個のＣｒ粒子について示す図である。図７Ａ中、縦軸はＣｒ粒子の数を示し、横軸はＣｒ＜１１０＞のテキスチャ面３のテキスチャリング方向θに対する角度（度）を示す。図７Ａからわかるように、他の角度と比較すると、角度が０度及び９０度の近傍では、Ｃｒ＜１１０＞配向のＣｒ粒子がより多く見られた。このように、約５０％以上のＣｒ＜１１０＞の優先成長がテキスチャリング方向θに沿っていることが確認された。   FIG. 7A is a diagram showing the probability distribution of Cr <110> of the Cr underlayer 4 on the texture surface 3 with respect to the texturing direction of the texture surface 3 for about 100 Cr particles. In FIG. 7A, the vertical axis represents the number of Cr particles, and the horizontal axis represents the angle (degree) of the texture surface 3 of Cr <110> with respect to the texturing direction θ. As can be seen from FIG. 7A, more Cr particles with Cr <110> orientation were seen in the vicinity of the angles of 0 degrees and 90 degrees as compared with other angles. Thus, it was confirmed that the preferential growth of about 50% or more of Cr <110> is along the texturing direction θ.

図７Ｂは、暗視野強度パターンを観察するための、テキスチャ面３上のＣｒ下地層４の約１０００個のＣｒ粒子の単一ＴＥＭ画像を示す図である。この場合、暗視野強度パターンは、テキスチャ面３上の下地層４のＣｒ＜１１０＞に対応するリングとなる。図７Ｂからわかるように、リング強度は均一ではなく、Ａ１，Ａ２で示す相対向する角度で暗部となる。従って、Ｃｒ＜１１０＞のテキスチャリング方向θに沿った優先成長が確認された。   FIG. 7B is a diagram showing a single TEM image of about 1000 Cr particles of the Cr underlayer 4 on the textured surface 3 for observing the dark field intensity pattern. In this case, the dark field intensity pattern is a ring corresponding to Cr <110> of the underlayer 4 on the texture surface 3. As can be seen from FIG. 7B, the ring strength is not uniform, and becomes a dark portion at opposite angles indicated by A1 and A2. Therefore, preferential growth along the texturing direction θ of Cr <110> was confirmed.

図７Ａ及び図７Ｂと同様の結果が、テキスチャ面３上のＣｒＭｏ下地層４についても得られた。   The same results as in FIGS. 7A and 7B were obtained for the CrMo underlayer 4 on the textured surface 3.

図８Ａは、テキスチャリングされていない表面上のＣｒ下地層４のＣｒ＜１１０＞の確率分布を、約１００個のＣｒ粒子について示す図である。図８Ａ中、縦軸はＣｒ粒子の数を示し、横軸はＣｒ＜１１０＞の所定方向、即ち、テキスチャ面３のテキスチャリング方向θに対する角度（度）を示す。図８Ａからわかるように、Ｃｒ＜１１０＞配向のＣｒ粒子は不規則に分布していることが確認された。このため、テキスチャリング方向θに沿ったＣｒ＜１１０＞の優先成長は見られなかった。   FIG. 8A is a diagram showing the probability distribution of Cr <110> of the Cr underlayer 4 on the non-textured surface for about 100 Cr particles. In FIG. 8A, the vertical axis indicates the number of Cr particles, and the horizontal axis indicates a predetermined direction of Cr <110>, that is, an angle (degree) with respect to the texturing direction θ of the texture surface 3. As can be seen from FIG. 8A, it was confirmed that Cr particles having Cr <110> orientation were randomly distributed. For this reason, no preferential growth of Cr <110> was observed along the texturing direction θ.

図８Ｂは、暗視野強度パターンを観察するための、テキスチャリングされていない表面上のＣｒ下地層４の約１０００個のＣｒ粒子の単一ＴＥＭ画像を示す図である。この場合、暗視野強度パターンは、テキスチャリングされていない表面上の下地層４のＣｒ＜１１０＞に対応するリングとなる。図８Ｂからわかるように、リング強度は均一である。従って、Ｃｒ＜１１０＞のテキスチャリング方向θに沿った優先成長は確認されなかった。   FIG. 8B shows a single TEM image of about 1000 Cr particles of the Cr underlayer 4 on the untextured surface for observing the dark field intensity pattern. In this case, the dark field intensity pattern is a ring corresponding to Cr <110> of the underlayer 4 on the non-textured surface. As can be seen from FIG. 8B, the ring strength is uniform. Therefore, the preferential growth along the texturing direction θ of Cr <110> was not confirmed.

図８Ａ及び図８Ｂと同様の結果が、テキスチャリングされていない表面上のＣｒＭｏ下地層４についても得られた。   Similar results as in FIGS. 8A and 8B were obtained for the CrMo underlayer 4 on the non-textured surface.

次に、本発明になる磁気記録媒体の製造方法の一実施例を説明する。説明の便宜上、製造方法の本実施例は、上記の如き磁気記録媒体の実施例を製造するものとする。   Next, an embodiment of a method for producing a magnetic recording medium according to the present invention will be described. For convenience of explanation, this embodiment of the manufacturing method is assumed to manufacture the embodiment of the magnetic recording medium as described above.

磁気記録媒体の製造方法は、所定方向にテキスチャリングされた図１Ａに示す如きテキスチャ面３を形成する第１のステップと、ｄｃスパッタリングにより、約５０％のＣｒ＜１１０＞が所定方向に配向されるようにＣｒ＜１１０＞の所定方向に沿った優先成長を行ってテキスチャ面３上にＣｒ系下地層４を形成する第２のステップと、ｄｃスパッタリングにより、Ｃｏ（１１２０）面の所定方向に沿った優先成長を行って下地層４上にＣｏ系磁性層５を形成する第３のステップとを含む。   In the method of manufacturing the magnetic recording medium, about 50% of Cr <110> is oriented in the predetermined direction by the first step of forming the textured surface 3 as shown in FIG. 1A textured in the predetermined direction and dc sputtering. In this way, a second step of preferentially growing Cr <110> along a predetermined direction to form a Cr-based underlayer 4 on the textured surface 3 and a predetermined direction of the Co (1120) surface by dc sputtering. And a third step of forming a Co-based magnetic layer 5 on the underlayer 4 by performing preferential growth along.

第１のステップは、シード層２の表面に機械的テキスチャリングを施すことによりテキスチャ面３を形成しても良い。テキスチャ面３は、２つの互いに隣接するテキスチャ線３−１間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足し、テキスチャ面３と斜めのテキスチャ面３−２とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足するように形成される。   In the first step, the textured surface 3 may be formed by subjecting the surface of the seed layer 2 to mechanical texturing. The texture surface 3 satisfies the relationship that the distance λ between two adjacent texture lines 3-1 is 5 <λ <30 nm, and the angle φ formed between the texture surface 3 and the oblique texture surface 3-2 is 0. It is formed so as to satisfy the relationship of 5 <φ <7 degrees.

第２のステップは、望ましくは基板温度Ｔｓが１５０℃＜Ｔｓ＜２６０℃を満足し、基板バイアス電圧Ｖｂが−５０Ｖ＜Ｖｂ＜−２５０Ｖを満足するｄｃスパッタリングにより下地層４を形成する。   In the second step, the base layer 4 is preferably formed by dc sputtering, in which the substrate temperature Ts satisfies 150 ° C. <Ts <260 ° C., and the substrate bias voltage Vb satisfies −50 V <Vb <−250 V.

磁気記録媒体の製造方法の本実施例の変形例は、図１Ｂに示す磁気記録媒体の変形例を製造する。従って、この場合の磁気記録媒体の製造方法は、上記第１〜第３のステップに加え、第２のステップの後、且つ、第３のステップの前に行われ、下地層４と磁性層５の間に中間層９を形成するステップを含む。   The modification of the present embodiment of the method for manufacturing a magnetic recording medium is a modification of the magnetic recording medium shown in FIG. 1B. Therefore, in this case, the manufacturing method of the magnetic recording medium is performed after the second step and before the third step in addition to the first to third steps. The intermediate layer 9 is formed between the steps.

磁気記録媒体の製造方法の上記実施例及び変形例によれば、磁気記録媒体の表面トポロジー及び磁気特性は、適切なテキスチャリングを行うことでテキスチャ面３を形成し、適切なスパッタリング条件で下地層４を形成することで、下地層４の結晶配向を調整して精密に制御することができる。この結果、向上された配向比と媒体ＳＮＲを有する磁気記録媒体を製造することができる。   According to the above-described embodiments and modifications of the method for manufacturing a magnetic recording medium, the surface topology and magnetic characteristics of the magnetic recording medium are formed by performing appropriate texturing to form the textured surface 3 and under the appropriate sputtering conditions. By forming 4, the crystal orientation of the underlayer 4 can be adjusted and precisely controlled. As a result, a magnetic recording medium having an improved orientation ratio and medium SNR can be manufactured.

次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施例を、図９及び図１０と共に説明する。図９は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図１０は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図である。   Next, an embodiment of the magnetic storage device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a cross-sectional view showing the main part of one embodiment of the magnetic memory device, and FIG. 10 is a plan view showing the main part of one embodiment of the magnetic memory device.

図９及び図１０に示すように、磁気記憶装置は、大略ハウジング１１３からなる。ハウジング１１３内には、モータ１１４、ハブ１１４、複数の磁気記録媒体１１６、複数の記録再生ヘッド１１７、複数のサスペンション１１８、複数のアーム１１９及びアクチュエータユニット１２０が設けられている。磁気記録媒体１１６は、モータ１１４により回転されるハブ１１５に取り付けられている。記録再生ヘッド１１７は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド等の記録ヘッドとからなる。各記録再生ヘッド１１７は、対応するアーム１１９の先端にサスペンション１１８を介して取り付けられている。アーム１１９は、アクチュエータユニット１２０により駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。   As shown in FIG. 9 and FIG. 10, the magnetic storage device generally includes a housing 113. In the housing 113, a motor 114, a hub 114, a plurality of magnetic recording media 116, a plurality of recording / reproducing heads 117, a plurality of suspensions 118, a plurality of arms 119, and an actuator unit 120 are provided. The magnetic recording medium 116 is attached to a hub 115 that is rotated by a motor 114. The recording / reproducing head 117 includes a reproducing head such as an MR head or a GMR head and a recording head such as an inductive head. Each recording / reproducing head 117 is attached to the tip of a corresponding arm 119 via a suspension 118. The arm 119 is driven by the actuator unit 120. The basic configuration itself of this magnetic storage device is well known, and detailed description thereof is omitted in this specification.

磁気記憶装置の本実施例は、磁気記録媒体１１６に特徴がある。各磁気記録媒体１１６は、図１Ａ及び図１Ｂと共に説明した、上記磁気記録媒体の実施例又は変形例の構造を有する。勿論、磁気記録媒体１１６の数は３枚に限定されず、１枚でも、２枚又は４枚以上であっても良い。   This embodiment of the magnetic storage device is characterized by a magnetic recording medium 116. Each magnetic recording medium 116 has the structure of the embodiment or modification of the magnetic recording medium described with reference to FIGS. 1A and 1B. Of course, the number of magnetic recording media 116 is not limited to three, and may be one, two, or four or more.

磁気記憶装置の基本構成は、図９及び図１０に示すものに限定されるものではない。又、本発明で用いる磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されない。   The basic configuration of the magnetic storage device is not limited to that shown in FIGS. The magnetic recording medium used in the present invention is not limited to a magnetic disk.

尚、本発明は以下に付記する発明をも包含するものである。
（付記１） 所定方向にテキスチャリングを施されたテキスチャ面と、
該テキスチャ面上に設けられ、約５０％以上のＣｒ＜１１０＞が該所定方向に配向するようにＣｒ＜１１０＞が該所定方向に沿って優先成長しているＣｒ系下地層と、
該下地層上に設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長しているＣｏ系磁性層とを備えた、磁気記録媒体。
（付記２） 該テキスチャ面は、ＮｉＰ，ＣｏＮｉＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＮｉＡｌからなるグループから選択された材料からなるシード層の機械的テキスチャリングを施された表面からなる、付記１記載の磁気記録媒体。
（付記３） 該テキスチャ面３は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足し、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足する、付記１又は２記載の磁気記録媒体。
（付記４） 該下地層は、Ｃｒ，ＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，ＣｒＶ，ＣｒＷからなるグループから選択された材料からなり、Ｍｏ含有量は１ａｔ％以上であり、Ｗ含有量は３０ａｔ％以下であり、Ｖ含有量は３０ａｔ％以下である、付記１〜３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記５） 該磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなるグループから選択された材料からなる、付記１〜４のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記６） 該下地層と該磁性層の間に設けられ、Ｃｒ含有量が２５ａｔ％以上、且つ、４５ａｔ％以下であるＣｏＣｒ系中間層を更に備えた、付記１〜５のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記７） 該磁気記録媒体はディスク形状を有し、該所定方向は該ディスク形状の円周方向である、付記１〜６のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記８） 該下地層の膜厚は約２ｎｍより大きく、且つ、約１５ｎｍより小さい、付記１〜７のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記９） 付記１〜８のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少なくとも１つ備えた磁気記憶装置。
（付記１０） 所定方向にテキスチャリングされたテキスチャ面を形成するステップ（ａ）と、
約５０％以上のＣｒ＜１１０＞が該所定方向に配向されるようにＣｒ＜１１０＞の該所定方向に沿った優先成長を行って該テキスチャ面上にＣｒ系下地層を形成するステップ（ｂ）と、
Ｃｏ（１１２０）面の該所定方向に沿った優先成長を行って該下地層上にＣｏ系磁性層を形成するステップ（ｃ）とを含む、磁気記録媒体の製造方法。
（付記１１） 該ステップ（ａ）は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足し、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足するように、該テキスチャ面を形成する、付記１０記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１２） 該ステップ（ｂ）は、基板温度Ｔｓが１５０℃＜Ｔｓ＜２６０℃を満足し、基板バイアス電圧Ｖｂが−５０Ｖ＜Ｖｂ＜−２５０Ｖを満足するｄｃスパッタリングにより該下地層を形成する、付記１０又は１１記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１３） 所定方向にテキスチャリングを施されたテキスチャ面と、
該テキスチャ面は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ３０ｎｍなる関係を満足すると共に、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足し、
該テキスチャ面上にスパッタリングにより設けられ、膜厚が約１ｎｍ以上で約４０ｎｍ以下であり、前記所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、前記所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるようにＣｒ＜１１０＞が該所定方向に沿って優先成長しているＣｒ系下地層と、
該下地層上にスパッタリングにより設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長してなり、配向比が２以上のＣｏ系磁性層とを備えた、磁気記録媒体。
（付記１４） 該テキスチャ面は、ＮｉＰ，ＣｏＮｉＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＮｉＡｌからなるグループから選択された材料からなるシード層の機械的テキスチャリングを施された表面からなる、付記１３記載の磁気記録媒体。
（付記１５） 該下地層は、Ｃｒ，ＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，ＣｒＶ，ＣｒＷからなるグループから選択された材料からなる、付記１３又は１４記載の磁気記録媒体。
（付記１６） 該磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなるグループから選択された材料からなる、付記１３〜１５のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記１７） 該下地層と該磁性層の間に設けられ、Ｃｒ含有量が２５ａｔ％以上、且つ、４５ａｔ％以下であるＣｏＣｒ系中間層を更に備えた、付記１３〜１６のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記１８） 該磁気記録媒体はディスク形状を有し、該所定方向は該ディスク形状の円周方向である、付記１３〜１７のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記１９） 付記１３〜１８のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少なくとも１つ備えた磁気記憶装置。 In addition, this invention also includes the invention attached to the following.
(Supplementary note 1) A textured surface textured in a predetermined direction;
A Cr-based underlayer provided on the textured surface, wherein Cr <110> is preferentially grown along the predetermined direction so that about 50% or more of Cr <110> is oriented in the predetermined direction;
A magnetic recording medium comprising: a Co-based magnetic layer provided on the underlayer and having a Co (1120) plane preferentially grown along the predetermined direction.
(Supplementary note 2) The magnetic recording medium according to supplementary note 1, wherein the textured surface is a surface subjected to mechanical texturing of a seed layer made of a material selected from the group consisting of NiP, CoNiZr, CoNbZr, and NiAl.
(Supplementary Note 3) The texture surface 3 satisfies the relationship that the distance λ between two adjacent texture lines is 5 <λ <30 nm, and the angle φ formed by the texture surface and the oblique texture surface is 0.1. 3. The magnetic recording medium according to appendix 1 or 2, which satisfies a relationship of 5 <φ <7 degrees.
(Supplementary Note 4) The underlayer is made of a material selected from the group consisting of Cr, CrMo, CrMoW, CrV, and CrW, the Mo content is 1 at% or more, the W content is 30 at% or less, and V The magnetic recording medium according to any one of appendices 1 to 3, wherein the content is 30 at% or less.
(Supplementary note 5) The magnetic recording medium according to any one of Supplementary notes 1 to 4, wherein the magnetic layer is made of a material selected from the group consisting of CoCrPtB, CoCrPt, CoCrTa, CoCrPtTa, CoCrPtTaB, and CoCrPtBCu.
(Supplementary note 6) Any one of Supplementary notes 1 to 5, further comprising a CoCr-based intermediate layer provided between the underlayer and the magnetic layer and having a Cr content of 25 at% or more and 45 at% or less. The magnetic recording medium described.
(Supplementary note 7) The magnetic recording medium according to any one of supplementary notes 1 to 6, wherein the magnetic recording medium has a disk shape, and the predetermined direction is a circumferential direction of the disk shape.
(Supplementary note 8) The magnetic recording medium according to any one of supplementary notes 1 to 7, wherein the thickness of the underlayer is greater than about 2 nm and less than about 15 nm.
(Supplementary note 9) A magnetic storage device including at least one magnetic recording medium according to any one of supplementary notes 1 to 8.
(Supplementary Note 10) Step (a) of forming a textured surface textured in a predetermined direction;
Performing preferential growth of Cr <110> along the predetermined direction so that about 50% or more of Cr <110> is oriented in the predetermined direction to form a Cr-based underlayer on the textured surface (b) )When,
And (c) forming a Co-based magnetic layer on the underlayer by performing preferential growth of the Co (1120) plane along the predetermined direction.
(Supplementary Note 11) In the step (a), the distance λ between two adjacent texture lines satisfies the relationship of 5 <λ <30 nm, and the angle φ formed between the texture surface and the oblique texture surface is 0. 11. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to appendix 10, wherein the textured surface is formed so as to satisfy a relationship of 5 <φ <7 degrees.
(Supplementary Note 12) In the step (b), the base layer is formed by dc sputtering in which the substrate temperature Ts satisfies 150 ° C. <Ts <260 ° C., and the substrate bias voltage Vb satisfies −50 V <Vb <−250 V. The method for producing a magnetic recording medium according to appendix 10 or 11.
(Supplementary note 13) A textured surface textured in a predetermined direction;
The texture surface satisfies the relationship that the distance λ between two adjacent texture lines is 5 <λ30 nm, and the angle φ formed between the texture surface and the oblique texture surface is 0.5 <φ <7 degrees. Satisfying the relationship
The number of particles provided by sputtering on the texture surface, having a film thickness of about 1 nm to about 40 nm, and having <110> of Cr when the angle with respect to the predetermined direction is 0 degree or in the vicinity of 90 degrees is the predetermined number. A Cr-based underlayer in which Cr <110> is preferentially grown along the predetermined direction so that the angle with respect to the direction is more than twice the number of particles having <110> of Cr in the vicinity of 45 degrees;
A magnetic recording medium comprising: a Co-based magnetic layer having a Co (1120) plane preferentially grown along the predetermined direction and having an orientation ratio of 2 or more provided on the underlayer by sputtering.
(Supplementary note 14) The magnetic recording medium according to supplementary note 13, wherein the textured surface is a surface subjected to mechanical texturing of a seed layer made of a material selected from the group consisting of NiP, CoNiZr, CoNbZr, and NiAl.
(Supplementary note 15) The magnetic recording medium according to supplementary note 13 or 14, wherein the underlayer is made of a material selected from the group consisting of Cr, CrMo, CrMoW, CrV, and CrW.
(Supplementary note 16) The magnetic recording medium according to any one of supplementary notes 13 to 15, wherein the magnetic layer is made of a material selected from the group consisting of CoCrPtB, CoCrPt, CoCrTa, CoCrPtTa, CoCrPtTaB, and CoCrPtBCu.
(Supplementary note 17) Any one of Supplementary notes 13 to 16, further comprising a CoCr-based intermediate layer provided between the underlayer and the magnetic layer and having a Cr content of 25 at% or more and 45 at% or less. The magnetic recording medium described.
(Supplementary note 18) The magnetic recording medium according to any one of supplementary notes 13 to 17, wherein the magnetic recording medium has a disk shape, and the predetermined direction is a circumferential direction of the disk shape.
(Supplementary note 19) A magnetic storage device including at least one magnetic recording medium according to any one of supplementary notes 13 to 18.

尚、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の改良及び変更が可能であることは、言うまでもない。   Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various improvements and modifications can be made within the scope of the present invention.

本発明になる磁気記録媒体の一実施例の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of one Example of the magnetic recording medium which becomes this invention. 本発明になる磁気記録媒体の一実施例の変形例の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the modification of one Example of the magnetic recording medium which becomes this invention. Ｃｒ（００２）面とＣｏ（１１２０）面の格子不整合を説明する図である。It is a figure explaining the lattice mismatch of a Cr (002) surface and a Co (1120) surface. テキスチャリングされた表面上のＣｒ粒子を平面で示す図である。It is a figure which shows Cr particle | grains on the textured surface by a plane. テキスチャリングされた表面上のＣｒ粒子を断面で示す図である。It is a figure which shows Cr particle | grains on the textured surface in a cross section. テキスチャリングを所望のテキスチャパラメータに対して断面で示す図である。It is a figure which shows a texturing in a cross section with respect to a desired texture parameter. ＴＥＭ回折画像からの下地層のＣｒ＜１１０＞方向の観察を示す図である。It is a figure which shows the observation of the Cr <110> direction of the base layer from a TEM diffraction image. テキスチャリングされた表面のテキスチャリング方向に対する、テキスチャリングされた表面上のＣｒ下地層のＣｒ＜１１０＞の確率分布を示す図である。It is a figure which shows the probability distribution of Cr <110> of the Cr underlayer on the textured surface with respect to the texturing direction of the textured surface. 暗視野強度パターンを観察するための、テキスチャリングされた表面上のＣｒ下地層のＣｒ粒子の単一ＴＥＭ画像を示す図である。FIG. 6 shows a single TEM image of Cr particles in a Cr underlayer on a textured surface for observing a dark field intensity pattern. テキスチャリングされた表面のテキスチャリング方向に対する、テキスチャリングされていない表面上のＣｒ下地層のＣｒ＜１１０＞の確率分布を示す図である。It is a figure which shows the probability distribution of Cr <110> of the Cr underlayer on the non-textured surface with respect to the texturing direction of the textured surface. 暗視野強度パターンを観察するための、テキスチャリングされていない表面上のＣｒ下地層のＣｒ粒子の単一ＴＥＭ画像を示す図である。FIG. 6 shows a single TEM image of Cr particles in a Cr underlayer on a non-textured surface for observing a dark field intensity pattern. 本発明になる磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of one Example of the magnetic memory device which becomes this invention. 磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図である。It is a top view which shows the principal part of one Example of a magnetic storage apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１ 基板
２ シード層
３ テキスチャ面
４ 下地層
５ 磁性層 1 Substrate 2 Seed layer 3 Texture surface 4 Underlayer 5 Magnetic layer

Claims (7)

所定方向にテキスチャリングを施されたテキスチャ面と、
該テキスチャ面は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ３０ｎｍなる関係を満足すると共に、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足し、
該テキスチャ面上にスパッタリングにより設けられ、膜厚が約１ｎｍ以上で約４０ｎｍ以下であり、前記所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、前記所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるようにＣｒ＜１１０＞が該所定方向に沿って優先成長しているＣｒ系下地層と、
該下地層上にスパッタリングにより設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長してなり、配向比が２以上のＣｏ系磁性層とを備えた、磁気記録媒体。 A textured surface textured in a predetermined direction;
The texture surface satisfies the relationship that the distance λ between two adjacent texture lines is 5 <λ30 nm, and the angle φ formed between the texture surface and the oblique texture surface is 0.5 <φ <7 degrees. Satisfying the relationship
The number of particles provided on the textured surface by sputtering, having a film thickness of about 1 nm or more and about 40 nm or less, and having a <110> of Cr when the angle with respect to the predetermined direction is 0 degree or near 90 degrees A Cr-based underlayer in which Cr <110> is preferentially grown along the predetermined direction so that the angle with respect to the direction is at least twice the number of particles having Cr <110> near 45 degrees;
A magnetic recording medium comprising a Co-based magnetic layer having a Co (1120) plane preferentially grown along the predetermined direction and having an orientation ratio of 2 or more provided on the underlayer by sputtering. 該テキスチャ面は、ＮｉＰ，ＣｏＮｉＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＮｉＡｌからなるグループから選択された材料からなるシード層の機械的テキスチャリングを施された表面からなる、請求項１記載の磁気記録媒体。   The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the textured surface comprises a mechanically textured surface of a seed layer made of a material selected from the group consisting of NiP, CoNiZr, CoNbZr, and NiAl. 該下地層は、Ｃｒ，ＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，ＣｒＶ，ＣｒＷからなるグループから選択された材料からなる、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。   The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the underlayer is made of a material selected from the group consisting of Cr, CrMo, CrMoW, CrV, and CrW. 該磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなるグループから選択された材料からなる、請求項１〜３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。   The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the magnetic layer is made of a material selected from the group consisting of CoCrPtB, CoCrPt, CoCrTa, CoCrPtTa, CoCrPtTaB, and CoCrPtBCu. 該下地層と該磁性層の間に設けられ、Ｃｒ含有量が２５ａｔ％以上、且つ、４５ａｔ％以下であるＣｏＣｒ系中間層を更に備えた、請求項１〜４のいずれか１項記載の磁気記録媒体。   The magnetic according to any one of claims 1 to 4, further comprising a CoCr-based intermediate layer provided between the underlayer and the magnetic layer and having a Cr content of 25 at% or more and 45 at% or less. recoding media. 該磁気記録媒体はディスク形状を有し、該所定方向は該ディスク形状の円周方向である、請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気記録媒体。   The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the magnetic recording medium has a disk shape, and the predetermined direction is a circumferential direction of the disk shape. 請求項１〜６のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少なくとも１つ備えた磁気記憶装置。
A magnetic storage device comprising at least one magnetic recording medium according to claim 1.

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