JP2005353236A - 磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 周方向の配向度の向上を図り、高記録密度化が可能な新規な磁気記録媒体およびその製造方法、並びに磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 ディスク基板１１上に、シード層１２、下地層１３、第１磁性層１４／非磁性結合層１５／第２磁性層１６からなる記録層１８、保護層１９、及び潤滑層２０が順次形成された構成とし、シード層１２がＡｌＲｕ、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ等のＢ２結晶構造からなる合金材料からなり、その［１００］結晶方位が基板法線方向から外周側に傾斜して形成される。記録層１８を構成する結晶粒のｃ軸方向が周方向に配向され、周方向保磁力Ｈｃｃや、配向度（＝周方向保磁力／半径方向保磁力）が向上する。シード層１２は、ディスク基板１１の外周側から内周側に向かって基板法線方向から外周側に傾斜した所定の角度でスパッタ粒子を入射させて形成する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、面内磁気記録方式に用いられる磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記憶装置に関する。

近年、パーソナルコンピュータや家庭用動画記録装置に搭載される磁気記憶装置、例えば磁気ディスク装置は、動画記録を主な目的として１００ＧＢを超える大容量が一般化してきている。かかる磁気ディスク装置への大容量化および低価格化へのニーズは、今後さらに強まる気配である。

現在、磁気ディスク装置に用いられている面内記録方式では、大容量化を図るため高記録密度化が進められており、磁気ディスクの信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）の向上や、磁気ヘッドの高感度化等により、１００Ｇｂｉｔ／（インチ）²を超える面記録密度が達成されている。

磁気ディスクは、基板上に、下地層、磁性層、保護膜が順次積層されて構成される。磁気ディスクの分解能やＮＬＴＳ（Ｎｏｎ Ｌｉｎｅａｒ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｓｈｉｆｔ）、Ｓ／Ｎ比等の電磁変換特性を高めるために、基板表面に、周方向に長手方向を有する微細な傷（いわゆるメカニカルテクスチャ）を形成することにより、磁性層を構成するＣｏＣｒ系合金の磁化容易軸を周方向に配向させて、周方向の保磁力や配向度（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｒａｔｉｏ、ＯＲ）を高める手法が採用されている。この手法は、高記録密度化を図れる点で優れているが、基板表面に傷を形成するため、その傷が磁気ディスクの表面形状に引き継がれて表面粗さが増大し、磁気ヘッドと磁気ディスクの表面との距離を狭めて電磁変換特性を高める手法が採用し難くなり、高記録密度化に限界が生じてしまう。

そこで、周方向の配向度を高めるために、Ｃｒ下地層および磁性層を斜め入射蒸着法により形成する手法や（特許文献１参照。）、基板と下地層との間に設けるシード層を斜め入射スパッタ法により形成する手法（特許文献２または３参照。）が提案されている。
特開平８−７２５０号公報 特開２００２−２０３３１２号公報 特開２００２−２６０２１８号公報

しかしながら、上記特許文献１では、斜め入射蒸着法により形成する下地層としてＣｒが用いられており、上記特許文献２や３では、斜め入射スパッタ法により形成するシード層としてＣｒ系合金、Ｎｉ系合金、Ｃｏ系合金が用いられており、それら以外の材料については検討されていない。

また、特許文献１の斜め入射蒸着法では、周方向の一部が開口したマスクにより蒸着粒子の基板への入射方向を制限し、基板を回転させて周方向の膜厚の均一化を図っている。特許文献２では、基板中心付近あるいは一定の半径位置に環状に開口したマスクによりスパッタ粒子の基板への入射方向を制限している。これらの方法では、蒸着粒子あるいはスパッタ粒子のほとんどが基板面に到達せず生産効率が低下するという問題がある。さらに、膜厚分布が特許文献１の場合は周方向に、特許文献２の場合は半径方向に増加し易い。このような場合、配向度の分布が増大し、磁気ディスクの一面の中での電磁変換特性のばらつきが大きくなり、高記録密度化が困難になるという問題がある。

そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、周方向の配向度の向上を図り、高記録密度化が可能な新規な磁気記録媒体およびその製造方法、並びに磁気記憶装置を提供することである。

本発明の一観点によれば、基板上に形成された記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体であって、前記基板と、前記基板上に形成されたシード層と、前記シード層上に形成された下地層と、前記下地層上に形成された記録層と、を備え、前記シード層は、Ｂ２結晶構造の合金材料からなる結晶粒の多結晶体からなり、前記結晶粒の［１００］結晶方位が、前記記録方向と基板法線方向とが形成する第１の面により分けられる一方の側に傾斜していることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。

本発明によれば、シード層を構成するＢ２結晶構造の合金材料から形成する。Ｂ２結晶構造は、ｂｃｃ結晶構造の隣接する原子サイトにＡＢ型合金のＡ原子とＢ原子が交互に配置された構造を有する。かかる結晶構造を有するシード層の［１００］結晶方位が記録方向と基板法線方向とが形成する第１の面により分けられる一方の側に傾斜して形成されることにより、記録層の周方向の配向度が向上し、静磁気特性および電磁変換特性が向上する。その結果、高記録密度化が可能となる。

ここで、基板法線方向は基板面に対して垂直方向である。［１００］結晶方位は［１００］結晶方位に結晶構造的に等価な［０１０］結晶方位および［００１］結晶方位を含み、基板法線方向からの角度を表す際は、［１００］結晶方位は、基板法線方向とのなす角が最小になる［１００］結晶方位あるいはそれに等価な結晶方位を示すものとする。

前記基板はディスク基板であり、前記結晶粒の［１００］結晶方位が外周側に傾斜する構成としてもよく、前記結晶粒の［１００］結晶方位と基板法線方向とのなす角は、２．１度以上かつ５．４度未満の範囲に設定されてもよい。

本発明の他の観点によれば、上記いずれかの磁気記録媒体と、記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置が提供される。

本発明によれば、磁気記録媒体が周方向の配向度が優れているので、磁気記憶装置の高記録密度化が可能となる。また、磁気記録媒体にメカニカルテクスチャを形成せずに配向度を向上することができるので、磁気記録媒体の平滑性が向上し、記録素子や磁気抵抗効果型再生素子と記録層とのスペーシングを低減し、磁気記憶装置の一層の高記録密度化が可能となる。

本発明のその他の観点によれば、基板上に形成された記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に記録層を形成する工程と、を備え、前記シード層の形成工程は、前記基板面に対向してＢ２結晶構造の合金材料からなるターゲットを配置し、前記記録方向と基板法線方向とが形成する第１の面により分けられる一方の側から、基板法線方向に対して傾斜した所定の方向から前記合金材料の粒子を入射させることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法が提供される。

本発明によれば、Ｂ２結晶構造の合金材料からなるシード層の結晶粒の成長方向を記録方向と基板法線方向とが形成する第１の面により分けられる一方の側に傾斜させると共に、結晶粒の成長方向の分布を低減することができるので、記録層の周方向の配向度を向上し、高記録密度化が可能となる。

本発明によれば、Ｂ２結晶構造の合金材料からなるシード層を構成する結晶粒の［１００］結晶方位を基板法線方向から傾斜させて形成することにより、周方向の配向度の向上を図り、高記録密度化が可能な新規な磁気記録媒体およびその製造方法、並びに磁気記憶装置を提供することができる。

以下図面を参照しつつ実施の形態を説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の断面図である。図１を参照するに、本実施の形態に係る磁気記録媒体１０は、ディスク基板１１と、前記ディスク基板上に、シード層１２、下地層１３、第１磁性層１４、非磁性結合層１５、第２磁性層１６、保護層１９、及び潤滑層２０が順次形成された構成となっており、第１磁性層１４、非磁性結合層１５、および第２磁性層１６からなる記録層１８は、第１磁性層１４と第２磁性層１６とが非磁性結合層１５を介して反強磁性的に交換結合された交換結合構造を有し、第１磁性層１４および第２磁性層１６の面内方向に配向した磁化は、外部磁界が印加されない状態で互いに反平行方向に向いている。

磁気記録媒体１０は、従来のメカニカルテクスチャをディスク基板１１やシード層１２の表面に形成しない場合でも、本発明の特徴であるシード層１２によって記録層１８を構成する結晶粒の磁化容易軸がディスク基板１１の周方向に結晶配向され、周方向保磁力Ｈｃｃや、配向度（＝周方向保磁力Ｈｃｃ／半径方向保磁力Ｈｃｒ）、周方向保磁力角型比Ｓ*が向上する。以下、具体的に磁気記録媒体１０を説明する。

ディスク基板１１は、例えばディスク状のプラスチック基板、ガラス基板、ＮｉＰめっきアルミ合金基板、シリコン基板などを用いることができる。ディスク基板１１にはテクスチャ処理が施されていてもよく、施されてなくてもよい。例えば、プラスチック基板やガラス基板、ＮｉＰめっきアルミ合金基板の表面に周方向、すなわちトラック長手方向にメカニカルテクスチャを形成してもよく。レーザテクスチャを形成してもよい。

シード層１１は、ＡｌＲｕ、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ等のＢ２結晶構造を有する合金材料からなる結晶粒の多結晶体から構成される。シード層は、斜め入射スパッタ法（後程の製造方法の説明において詳述する。）により形成されている。斜め入射スパッタ法により形成されたシード層１１は、結晶粒が基板法線方向に対して傾斜して成長する。

図２は、第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の結晶粒の配向の様子を模式的に示す図である。図２を参照するに、シード層を構成する結晶粒は矢印ＯＤで示すディスク基板１１の外周側に傾斜して形成される。基板法線方向ＮＯＲに対する結晶粒の傾斜角θ_GRAは、後述する実施例から得られた入射角の範囲（３８．７度〜９０度未満）よりも小さくなっている。なお、シード層１２上に形成される下地層１３、第１磁性層１４、非磁性結合層１５、第２磁性層１６は、通常のスパッタ法（垂直入射スパッタ法）により形成されるので、結晶粒１２ａ〜１６ａはそれぞれ基板法線方向ＮＯＲに成長する。

図３は、シード層１２を構成する結晶粒の結晶格子の配向の様子を模式的に示す図である。図３を参照するに、シード層１２を構成する結晶格子の格子面１２−１、例えば（１００）面は、基板面内方向から外周側（矢印ＯＤで示す。）に傾いて形成されている。この傾斜角は、基板法線方向ＮＯＲと［１００］結晶方位とのなす角θ_CRY（以下、「結晶方位傾斜角θ_CRY」という。）により表すことができ、後述する実施例によれば、θ_CRYは２．１度以上５．４度未満の範囲に設定されることにより、周方向の配向度が向上し電磁変換特性が向上する。

本願発明者は、シード層１２を構成する結晶格子を傾斜させて形成することにより、この上に形成される下地層１３を構成する結晶格子が傾斜して形成され、さらに図１および図２に示す第１磁性層１４および第２磁性層１６に引き継がれて、第１磁性層１４および第２磁性層１６を構成する結晶のうち、半径方向に磁化容易軸が向いている結晶粒子では、その磁化容易軸が面内方向から約２．７度に傾斜されて形成されていることを確認した。このように、シード層１２を斜め入射スパッタ法により形成することは、第１磁性層１４および第２磁性層１６の結晶配向に影響を与えており、周方向を向く磁化容易軸が確率的に多くなる現象も、同様にシード層１２の結晶格子の傾斜によって引き起こされ、その結果、周方向の配向度が向上すると推察している。あるいは、下地層１３の結晶粒が基板法線方向ＮＯＲに成長して形成しているのに対し、結晶格子は外周側に傾斜して形成されているので、結晶粒の粒界において結晶格子が圧縮応力を受け半径方向に圧縮歪みを有すると共に周方向に延びた結果、第１磁性層１４および第２磁性層１６のｃ軸が周方向に配向していることも推察される。

また、シード層１２の厚さは５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲に設定される。シード層１２の厚さは、電磁変換特性の点で、ディスク基板１１の表面や、シード層の下地として任意に設けられる他のシード層にメカニカルテクスチャが形成される場合は、５ｎｍから１５ｎｍの範囲に設定されることが好ましく、メカニカルテクスチャが形成されない場合は、５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。

なお、シード層１２の直上に、シード層１２と同様の材料を垂直入射スパッタ法により形成した層、すなわち、結晶粒が基板法線方向に堆積した層を５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の厚さで形成してもよい。この層は、下に位置するシード層１２に引きずられて結晶格子が傾斜し、斜め入射スパッタした場合と同様の効果が得られるため、シード層１２の厚さを低減することができる。

下地層１３は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｘ合金（Ｘ＝Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ｍｏ、およびこれらの合金）より構成される。上述したように、下地層１３はシード層１２上にエピタキシャル成長し、（００１）面又は（１１２）面が成長方向に良好な配向を示す。また下地層１３はこれらのＣｒ、Ｃｒ合金からなる層を複数積層してもよい。積層することにより下地層１３の結晶粒の肥大化を抑制し、さらに第１磁性層１４及び第２磁性層１６の結晶粒の肥大化を抑制することができる。

図１に戻り、第１磁性層１４は、厚さが０．５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に設定され、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ系合金、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金等から構成される。Ｃｏ系合金では、特にＣｏＣｒＴａ、及びＣｏＣｒＢが好ましく、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍ（Ｍ＝Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの合金）を用いてもよい。また、第１磁性層１４はこれらの材料からなる層を複数積層してもよい。第２磁性層１６の配向性を向上することができる。

非磁性結合層１５は、例えばＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金などから構成される。これらのうち、Ｒｈ、Ｉｒはｆｃｃ構造を有するのに対しＲｕはｈｃｐ構造を有しＣｏＣｒＰｔ系合金の格子定数ａ＝０．２５ｎｍに対しＲｕはａ＝０．２７ｎｍで近接しているのでＲｕあるいはＲｕ系合金が好適である。Ｒｕ系合金としてはＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、及びＭｎのうちいずれか一つ、またはこれらの合金とＲｕの合金が好適である。

また、非磁性結合層１５の厚さは０．４ｎｍ〜１．５ｎｍ（好ましくは０．６ｎｍ〜０．９ｎｍ、Ｒｕ合金では合金中のＲｕの含有量にもよるが０．８ｎｍ〜１．４ｎｍ）の範囲に設定される。非磁性結合層１５を介して第１磁性層１４と第２磁性層１６とが交換結合し、非磁性結合層１５の厚さをこの範囲に設定することにより第１強磁性層１４の磁化と第２磁性層１６の磁化とが反強磁性的に結合し、図１に示すように外部磁界が印加されていない状態では互いに反平行となる。特に、非磁性結合層１５の厚さは非磁性結合層の厚さに依存した振動型交換結合の反強磁性的な第１のピーク（最も薄膜側のピーク）に合わせることが特に好ましい。

第２磁性層１６は、厚さが５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に設定され、第１磁性層１４と同様の材料から構成される。また、第１磁性層１４と第２磁性層１６との関係において、第１磁性層１４、第２磁性層１６のそれぞれの残留磁化をＭｒ₁、Ｍｒ₂、膜厚をｔ₁、ｔ₂と表すと、Ｍｒ₁×ｔ₁＜Ｍｒ₂×ｔ₂に設定することが好ましい。第２磁性層１６が正味の残留面積磁化と同じ方向の磁化を有し、磁気ヘッドの記録磁界の反転位置に対応して第２磁性層１６に情報を正確に記録することができる。なお、Ｍｒ₁×ｔ₁＞Ｍｒ₂×ｔ₂と設定してもよい。第１磁性層１４および第２磁性層１６が薄膜化されると、上記記録の際の問題点は解消される。

また、第２磁性層１６を構成する材料は、第１磁性層１４を構成する材料と異ならせてもよい。例えば、第２磁性層１６を構成する材料は、第１磁性層１４を構成する材料よりも異方性磁界が大きくなる材料から選択される。このような材料を選択する手法としては、第１磁性層１４にＰｔを添加せず第２磁性層１６にＰｔを添加し、あるいは第１磁性層１４よりも第２磁性層１６の方がＰｔ濃度（原子濃度として）を高く設定する。例えば第１磁性層１４がＣｏＣｒの場合は、第２磁性層１６をＣｏＣｒＰｔとする。第１磁性層１４がＣｏＣｒＰｔ₈の場合は、第２磁性層１６をＣｏＣｒＰｔ₁₂とする（数値は原子濃度を示す。）。

以上のように記録層１８は、非磁性結合層１５を挟んで積層された第１磁性層１４と第２磁性層１６とが反強磁性的に交換結合して構成されている。したがって、磁化の実質的な体積は、交換結合した第１磁性層１４と第２磁性層１６との和となるので、記録層１８が単層である場合よりも磁化の実質的な体積が増加し、磁化の熱安定性が向上する。

なお、記録層１８は磁性層が２層に限定されず３層以上の磁性層が積層して構成されてもよい。磁性層が互い交換結合し、そのうちの少なくとも２つの層が反強磁性的に結合していればよい。また、記録層１８が単層の磁性層から構成されてもよい。

保護膜１９は、厚さが０．５ｎｍ〜１０ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍから５ｎｍ）の範囲に設定され、例えばダイヤモンドライクカーボン、窒化カーボン、アモルファスカーボンなどにより構成される。

潤滑層２０は、例えばパーフルオロポリエーテルを主鎖として末端基が−ＯＨ、ベンゼン環等よりなる有機系液体潤滑剤より構成される。具体的には、厚さが０．５ｎｍ〜３．０ｎｍのＺＤｏｌ（Ｍｏｎｔｅ Ｆｌｕｏｓ社製 末端基：−ＯＨ）、ＡＭ３００１（アウジモント社製、末端基：ベンゼン環）、Ｚ２５（Ｍｏｎｔｅ Ｆｌｕｏｓ社製）等を用いることができる。なお、潤滑剤は保護膜１９の材質に合わせて適宜選定される。なお、保護膜１９の種類に応じて、潤滑層２０は設けなくてもよい。

なお、ディスク基板１１とシード層１２との間に他のシード層（不図示）を設けてもよい。他のシード層は、非磁性材料、例えばＮｉＰ、ＣｏＷ、ＣｒＴｉ等からなり、テクスチャ処理が施されていてもよく、施されてなくてもよい。なお、他のシード層がＮｉＰ等のアモルファス材料の場合は酸化処理されていることが好ましい。第１磁性層１４及び第２磁性層１６のｃ軸の面内配向が向上する。また、他のシード層は、第１磁性層１４及び第２磁性層１６のｃ軸配向を向上させる公知の材料であればＮｉＰの替わりに用いることができる。

また、下地層１３と第１磁性層１４との間に非磁性中間層（不図示）を設けてもよい。非磁性中間層は、例えばＣｏＣｒ合金に元素あるいは合金Ｍを添加したｈｃｐ構造を有する非磁性合金から構成され、厚さが０．５ｎｍ〜５ｎｍの範囲に設定される。ここでＭは、Ｐｔ、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの合金から選択される。非磁性中間層は下地層１３の結晶性及び結晶粒サイズを引き継いでエピタキシャル成長し、非磁性中間層上にエピタキシャル成長する第１磁性層１４及び第２磁性層１６の結晶性を向上し、結晶粒（磁性粒子）サイズの分布幅を減少させ、面内方向のｃ軸配向を促進する。また、非磁性中間層は、上記合金からなる層を複数積層してもよい。第１磁性層１４及び第２磁性層１６の配向をさらに向上することができる。なお、第１磁性層１４あるいは第２磁性層１６の格子定数に対して、非磁性中間層の格子定数を数％だけ異ならせて、非磁性中間層と第１磁性層１４の界面又は第１磁性層１４中に、面内方向に内部応力を発生させる構成としてもよい。第１磁性層１４の保磁力を増加することができる。

本実施の形態によれば、シード層１２を構成する結晶格子の［１００］結晶方位が基板法線方向から外周側に傾斜して堆積されることにより、記録層１８の周方向の配向度が向上し、静磁気特性および電磁変換特性が向上する。その結果、高記録密度化が可能となる。

次に、第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造方法を説明する。

図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す図である。

最初に、図４（Ａ）の工程では、ディスク基板１１の表面を洗浄・乾燥後、ディスク基板を真空雰囲気で例えばＰＢＮ（熱分解窒化ホウ素）ヒータを用いて１８０℃に加熱する。

図４（Ａ）の工程ではさらに、ディスク基板１１の表面にスパッタ装置を用いて斜め入射スパッタ法によりシード層１２を形成する。チャンバー内は、一旦１０^-5Ｐａ以下の真空度まで排気後、Ａｒガスを０．６７Ｐａとして、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、投入パワーを２ｋＷに設定し、例えば４秒間放電させて厚さ１０ｎｍのシード層を形成する。本実施の形態の特徴である斜め入射スパッタ法によるシード層１２の形成は以下のようにして行う。

図５は、スパッタ装置の要部を示す斜視図である。図５は、ディスク基板とスパッタターゲット等の配置を概略的に示している。

図５を参照するに、スパッタ装置３０は、チャンバー（不図示）内に、直立して保持されたディスク基板１１に対向して、被スパッタ面をディスク基板１１側としたＢ２結晶構造を有する材料、例えばＡｌＲｕ合金からなる円形のスパッタターゲット３１と、スパッタターゲット３１の背後に配置された磁石ユニット３２と、ディスク基板１１とスパッタターゲット３１との間に配置された回転シールド部３３と、図示を省略したチャンバー内を排気する排気系と、雰囲気ガスを導入するガス導入系と、スパッタターゲットに放電用の電力を供給するスパッタ電源等から構成されている。

スパッタ装置３０は、磁石ユニット３２から生じる磁力線によりスパッタターゲット３１の表面付近に雰囲気ガスのイオン、例えばＡｒイオンと電子からなる放電プラズマを閉じ込める。Ａｒイオンはターゲット表面の所定の位置のスパッタターゲット材料をスパッタし、スッパタされて放出された粒子（以下、「スパッタ粒子」という。）は、ディスク基板１１に向けて略直進して到達しシード層を形成する。スパッタ粒子が放出されたスパッタターゲット表面にはエロージョン領域３１ａが形成される。

回転シールド部３３は、ディスク基板１１、スパッタターゲット３１、磁石ユニット３２の各々の中心軸と同軸の回転軸３３ａと、スパッタターゲット３２の表面に対して垂直な面を有し、回転軸３３ａから半径方向の外周側に延在する複数のシールド板３３ｂから構成されている。

シールド板３３ｂは、周方向に等角度に配置されており、シールド板３３ｂの径方向の長さ（中心軸から外周側端部までの長さ）は、ディスク基板１１の基板半径と略同じかそれよりも長く設定する。ディスク基板１１の径方向に飛行するスパッタ粒子が、周方向に飛行するスパッタ粒子よりも容易にディスク基板１１の表面に到達するようして、スパッタ粒子がディスク基板１１の径方向から逸れる方向に傾斜して堆積することを抑制するようになっている。また、シールド板３３ｂをこのように設定することで、スパッタ粒子がディスク基板の中心付近を超えて反対側のディスク基板表面に堆積することを防止する。したがって、ディスク基板１１の表面上に、成長方向のバラツキが小さいシード層の結晶粒が形成される。

なお、シールド板３３ｂの径方向の長さを基板半径よりも小さくしてもよい。スパッタ粒子がディスク基板１１の中心付近を超えて反対側のディスク基板表面に堆積することを防止する。

また、回転シールド部３３の回転軸３３ａはスパッタターゲットの背後に設けられた回転駆動部３４に接続され、周方向に回動するようになっている。回転速度は例えば６０ｒｐｍであり、シード層の膜厚分布を均一化し、またシールド板３３ｂに一様にスパッタ粒子が付着するようにしてシールド板３３ｂの保守サイクルを長時間化する。なお、回転シールド部３３は回転させなくともよい。

図６は図５の要部断面図である。図６は、図５に示すディスク基板１１、スパッタターゲット３１、磁石ユニット３２の略一致する中心軸Ａｘを通る断面図であり、上下対称であるので、中心軸より略上側のみを示している。

図５と図６を合わせて参照するに、磁石ユニット３２は、磁石台３２ａと磁石部３２ｂから構成され、磁石部３２ｂは、外側環状磁石３５と内側環状磁石３６とヨーク３８から構成され、外側環状磁石３５及び内側環状磁石３６は図に示される方向に磁化された永久磁石であり、ヨーク３８は軟磁性材料から構成される。磁石部３２ｂの磁力線は、内側環状磁石３６のＮ極から磁力線ＭＦがスパッタターゲットを透過しターゲット表面で折り返して外側環状磁石３５のＳ極に戻るように形成される。この磁力線ＭＦに閉じ込められた放電プラズマを構成するＡｒイオンは、スパッタ表面をスパッタし、スパッタ粒子を放出すると共にスパッタターゲット３１の表面を浸食し、エロージョン領域３１が形成される。なお、外側環状磁石３５及び内側環状磁石３６を電磁石としてもよい。

本実施の形態では、磁石部３２ｂの配置によりスパッタターゲット３１のエロージョン領域３１ａをディスク基板１１よりも外周側に形成し、スパッタ粒子を外周側から内周側に向かってディスク基板１１に斜めに入射させる。ディスク基板１１への入射角度θ_INCを３８．７度以上９０度未満の範囲に設定することが好ましい。この範囲に設定することで、形成される結晶粒の［１００］結晶方位と基板法線方向とのなす結晶方位傾斜角θ_CRYを２．１度以上５．４度未満の範囲に設定される（図３に示す。）。その結果、周方向の配向度を向上させることができる。これは後述する実施例１〜６により得られた結果である。なお、入射角θ_INCは、装置配置上およびスパッタ効率の点で、３８．７度以上８０度以下の範囲に設定することがさらに好ましく、さらには３８．７度以上７５度以下の範囲に設定することが特に好ましく、周方向の配向度の点を含めると、４３．０度以上７５度以下の範囲に設定することがとりわけ好ましい。また、結晶方位傾斜角θ_CRYの上限（５．４度）は、実施例１および２により、結晶方位傾斜角θ_CRYが入射角θ_INCの略６％になることに基づいたものである。

ここで、入射角θ_INCは、エロージョン領域の中心Ｔ_EROと基板表面のトラック領域（最内周位置Ｄ_INと最外周位置Ｄ_OUTとの間の領域）の堆積位置を結んだ入射仮想線と基板法線方向ＮＯＲとのなす角とし、エロージョン領域の中心Ｔ_EROは、外側環状磁石の中心線３５ｃと内側環状磁石の中心線３６ｃとの間の２等分位置３１ａｃとスパッタターゲット３１の表面（スパッタターゲットの使用開始前の表面）との交点とする。

また、中心軸Ａｘ付近には回転シールド板３３ｂが設けられているので、ディスク基板１１の半径方向に飛行するスパッタ粒子のうち中心軸Ａｘを越えようとするものはここで遮蔽されて付着し、スパッタ粒子が中心軸を越えてディスク基板１１に到達することを防止する。したがって、ディスク基板１１の表面に形成されるシード層は、半径方向の外周側に傾斜した結晶粒によりほぼ形成され、より均一化された結晶粒配向が形成され、その結果、結晶性が良好となり結晶格子の傾きが一様に形成されるので、配向度の局所的な記録層の面内バラツキが低減される。

次いで、図４（Ｂ）の工程では、シード層１２上に、上述した材料からなる下地層１３、第１磁性層１４、非磁性結合層１５、第２磁性層１６をスパッタ法により順次形成する。これらの層１３〜１６は具体的には、ＤＣマグネトロン法によりアルゴンガス雰囲気中で圧力０．６７Ｐａに設定して、スパッタ粒子がディスク基板１１面に略垂直に入射するように形成する。なお、第１磁性層１４あるいは非磁性結合層１５を形成する前にディスク基板１１を再度加熱してもよい。加熱温度は、２７０℃以下に設定され、２００℃〜２４０℃に設定されることが好ましい。

次いで、図４（Ｃ）の工程では、第２磁性層１６上に、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＦＣＡ法等により、例えば厚さ３ｎｍダイヤモンドライクカーボン等の上述した材料よりなる保護膜１９を形成する。なお、図４（Ａ）の基板加熱工程から図４（Ｃ）の保護膜形成工程までは、チャンバー内で行われ、搬送中も含めて外気に露出しないで各工程が行われることが好ましい。

図４（Ｃ）の工程ではさらに、上述した潤滑剤を有機溶媒等で希釈した塗布液を用いて、浸漬法（引き上げ法、液面低下法）、スピンコータ法、蒸気噴射法等により、例えば厚さ１．５ｎｍの潤滑層２０を形成する。以上により、本実施の形態に係る磁気記録媒体が形成される。

本実施の形態に係る製造方法によれば、シード層１２を形成する工程において、スパッタターゲット３１のエロージョン領域３１ａをディスク基板１１よりも外側に形成するように設定することにより、スパッタ粒子が外周側からディスク基板に入射し、基板法線方向ＮＯＲに対して外周側に傾斜して堆積するので、結晶粒の傾斜角のばらつきを抑制し、結晶粒の［１００］結晶方位のばらつきを抑制できる。その結果、周方向の配向度を向上することができ、高密度記録化が可能となる。

また、本実施の形態に係る製造方法によれば、ディスク基板１１とスパッタターゲット３１との間に回転シールド部３３を設けることにより、シード層１２を形成するスパッタ粒子がディスク基板１１の周方向や中心付近を超えて反対側のディスク基板１１の表面に堆積することを防止して、結晶粒の傾斜角が周方向や内周側に傾くことを防止して、結晶粒の傾斜角のばらつきを一層抑制し、結晶粒の［１００］結晶方位のばらつきを抑制できる。次に本実施の形態に係る実施例を説明する。

［実施例１］
磁気記録媒体としてＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて以下の構成の磁気ディスクを形成した。

ガラス基板（直径６５ｍｍ）／ＡｌＲｕ膜（１０ｎｍ）／Ｃｒ膜（４．５ｎｍ）／Ｃｏ₉₀Ｃｒ₁₀膜（２ｎｍ）／Ｒｕ膜（０．７ｎｍ）／ＣｏＣｒＰｔ₁₂Ｂ₇Ｃｕ₄膜（１５ｎｍ）／カーボン膜（４．５ｎｍ）
なお、かっこ内の数値は膜厚を表し、組成の数値は原子％で表している。

ＡｌＲｕ膜を形成する前にＰＢＮヒータを用いて真空中でガラス基板を１８０℃に加熱し、Ｒｕ膜を形成する前に同様にして２３０℃に加熱した。ＡｌＲｕ膜を形成する際は、図５および図６に示すスパッタ装置を用いて、ＡｌＲｕのスパッタターゲットの半径６７．０ｍｍ〜７７．０ｍｍ（中心位置７２．０ｍｍ）にエロージョン領域を形成し、ガラス基板の外周側から入射角θ_INCが、最外周位置（図６に示すＤ_OUTの位置、半径３０ｍｍ）で中心入射角４６．４度（４２．８度〜４９．６度）、最内周位置（図６に示すＤ_INの位置、半径１２ｍｍ）で中心入射角５６．３度（５４．０度〜５８．４度）になるように設定し、Ａｒガス雰囲気中（Ａｒガス圧力０．６７Ｐａ）で作製した。その際に、周方向に３０度の間隔でシールド板を設けた回転シールド部（回転数：６０ｒｐｍ）を用いた。

［実施例２］
ＡｌＲｕ膜を形成する際に、ＡｌＲｕのスパッタターゲットの半径４７．０ｍｍ〜７７．０ｍｍ（中心位置６２．０ｍｍ）にエロージョン領域を形成し、ガラス基板の外周側から入射角θ_INCが、最外周位置（半径３０ｍｍ）で中心入射角３８．７度（２３．０度〜４９．６度）、最内周位置（半径１２ｍｍ）で中心入射角５１．３度（４１．２度〜５８．４度）になるように設定した以外は、実施例１と同様にして磁気ディスクを作製した。

［実施例３］
ＡｌＲｕ膜を形成する際に、ＡｌＲｕのスパッタターゲットの半径４７．０ｍｍ〜５７．０ｍｍ（中心位置５２．０ｍｍ）にエロージョン領域を形成し、ガラス基板の外周側から入射角θ_INCが、最外周位置で中心入射角２８．８度（２３．０度〜３４．０度）、最内周位置で中心入射角４５．０度（４１．２度〜４８．４度）になるように設定した以外は、実施例１と同様にして磁気ディスクを作製した。

［比較例１］
ＡｌＲｕ膜を形成する際に、垂直入射スパッタ法によりスパッタターゲットのエロージョン領域をほぼガラス基板に対向する位置とし、中心入射角θ_INCを０度とし、回転シールド部を用いなかった以外は実施例１と同様にして磁気ディスクを作製した。

次に、上記実施例１および２の磁気ディスクのＡｌＲｕ膜の結晶格子の結晶方位傾斜角θ_CRYを求めた。なお、説明の便宜のため中心入射角を単に入射角という。

図７は、実施例および比較例のＡｌＲｕ膜のロッキングカーブの一例を示す図、図８は、実施例および比較例のＡｌＲｕ膜の入射角と結晶方位傾斜角との関係を示す図である。図７および図８は、Ｘ線ディフラクトメータ（Ｃｕ−Ｋα線）を用いて、ＡｌＲｕ膜の（１００）面（Ｘ線回折角２θ＝２９．７度）について、磁気ディスクの半径方向の外周側から内周側に、ロッキングカーブを測定し、スキャン角φが、外周側を負値、内周側を正値として示している。ロッキングカーブのピーク位置が負値の場合は、（１００）面が外周側にピーク位置の角度だけ傾斜し、すなわち［１００］結晶方位がピーク位置の角度（結晶方位傾斜角θ_CRY）だけ基板法線方向から外周側に傾斜していることを示す。なお、ＡｌＲｕ膜を垂直入射スパッタ法により形成した比較例１を合わせて測定した。ＡｌＲｕ膜の測定のための磁気ディスクは、ロッキングカーブのノイズを低減するためＡｌＲｕ膜の厚さを１００ｎｍとし、Ｃｒ膜からカーボン膜を形成しないものを使用した。

図７および図８を参照するに、垂直入射スパッタ法により形成した入射角が０度である比較例１はピーク位置がほぼ０．１度であるのに対し、例えば、実施例１の入射角が５６．３度（半径１２ｍｍ）の場合はピーク位置が−３．６度であり、実施例１の半径３０ｍｍおよび実施例２においても、スパッタ粒子の入射角に対応して、ＡｌＲｕ膜の結晶方位傾斜角θ_CRYは、入射角の６％の大きさの角度を有して［１００］結晶方位が基板法線方向に対して外周側に傾斜し、入射角と結晶方位傾斜角θ_CRYとはほぼ比例していることが分かる。

図９は、実施例および比較例のＣｏＣｒＰｔ₁₂Ｂ₇Ｃｕ₄膜のロッキングカーブの一例を示す図である。図９は、図７と同様にして、実施例１および比較例１に係る磁気ディスクの第２磁性層であるＣｏＣｒＰｔ₁₂Ｂ₇Ｃｕ₄膜の（１１０）面について測定したものである。ロッキングカーブのピーク位置が負値の場合は、（１１０）面が外周側にピーク位置の角度だけ傾斜していることを示す。なお、Ｘ線回折角２θ＝７３．５５度、測定位置は半径３０ｍｍとした。

図９を参照するに、比較例１のピーク位置は、ほぼ０度であり、ＣｏＣｒＰｔ₁₂Ｂ₇Ｃｕ₄膜は（１１０）面が傾斜していないのに対し、実施例１のピーク位置は、−２．７度であり、ＣｏＣｒＰｔ₁₂Ｂ₇Ｃｕ₄膜のうち、磁化容易軸であるｃ軸が半径方向を向いている結晶粒子の（１１０）面が外周側に傾斜していることが分かる。これは、図７および図８に示した実施例１のＡｌＲｕ膜の（１００）面が−２．７度傾斜していることと一致する。すなわち、ＡｌＲｕ膜の（１００）面を傾斜させることにより、その上に形成されたＣｒ膜、Ｃｏ₉₀Ｃｒ₁₀膜、およびＲｕ膜がその傾斜を引き継いでＣｏＣｒＰｔ₁₂Ｂ₇Ｃｕ₄膜を傾斜させていることが分かる。ＣｏＣｒＰｔ₁₂Ｂ₇Ｃｕ₄膜を（１１０）面を傾斜させることにより、磁化容易軸であるｃ軸が周方向に配向し、周方向の配向度が向上することが分かる。

図１０は、実施例１〜３および比較例１に係る磁気ディスクの磁気特性を示す図である。磁気特性は振動試料型磁力計を用いて、磁気ディスクの周方向および半径方向に各々印加磁界を印加してヒステリシスループを測定し、周方向保磁力Ｈｃｃ、配向度（＝Ｈｃｃ／Ｈｃｒ）、および保磁力角型比（周方向）を求めた。配向度が１．００の場合は第２磁性層の磁化容易軸（ｃ軸）が面内に等方的に配向していることを示し、配向度が大きい程、磁化容易軸の周方向の配向が促進されていることを示す。また、保磁力角型比も大きい程、磁化容易軸の周方向の配向が促進されていることを示す。

図１０を参照するに、垂直入射スパッタ法により形成した比較例１に係る磁気ディスクは配向度が１．００であり等方的に配向しているのに対し、実施例１では、半径１２ｍｍおよび半径３０ｍｍの位置において配向度が各々１．０４、１．０３になっており、周方向の磁化容易軸の配向が促進されていることが分かる。また、同様に保磁力角型比も比較例１に対して向上しており、このことからも周方向の結晶配向が促進されていること分かる。

配向度は１．００を超えると、すなわち１．０１以上になると電磁変換特性が向上する。実施例１〜実施例３の入射角と配向度との関係から、配向度が１．０１となる入射角は３８．７度（実施例２の測定位置３０ｍｍ）であるので、入射角を３８．７度以上に設定することが好ましいことが分かる。さらに、本願発明者の検討によれば、配向度が１．０２以上になると電磁変換特性が顕著に向上することを確認している。配向度が１．０２となる入射角は４３．０度（実施例１の測定位置３０ｍｍ）であるので、入射角を４３．０度以上に設定することがさらに好ましい。また、図８のＡｌＲｕ膜の入射角と結晶方位傾斜角との関係から、入射角が３８．７度の場合に形成されるＡｌＲｕ膜の結晶方位傾斜角は２．１度であるので、結晶方位傾斜角を２．１度以上に設定することが好ましく、さらには、入射角は４３．０度の場合の結晶方位傾斜角２．７度以上に設定することがさらに好ましいことが分かる。

図１１（Ａ）および（Ｂ）は実施例に係る磁気ディスクの電磁変換特性（その１）を示す図である。電磁変換特性は、誘導型記録素子とＧＭＲ再生素子を有する複合型磁気ヘッドを用いて、孤立波出力、分解能、およびＳ／Ｎ比を測定した。孤立波出力は線記録密度が１０４ｋＦＣＩでの平均出力、分解能は分解能（％）＝（１０４ｋＦＣＩでの平均出力）／（４１４ｋＦＣＩでの平均出力）×１００、Ｓ／Ｎ比はそれぞれ４１４ｋＦＣＩでの平均出力Ｓ（μＶｒｍｓ）と媒体ノイズＮ（μＶｒｍｓ）から２０×ｌｏｇ（Ｓ／Ｎ）（ｄＢ）とした。

図１１（Ａ）を参照するに、比較例１に対して、実施例１および２が分解能およびＳ／Ｎ比が向上していることが分かる。上述した図１０に示したように、比較例１よりも実施例１および２の方が周方向の配向度が良好であるので、周方向の配向度の向上により、分解能およびＳ／Ｎ比が向上していることが分かる。さらに、実施例１と実施例２とを比較すると、実施例２に対して周方向の配向度が大きい実施例１の方が分解能およびＳ／Ｎ比が優れている。したがって、入射角が大きい程、すなわち結晶方位傾斜角が大きい程優れていることが分かる。

また、図１１（Ｂ）を参照するに、測定半径が１６ｍｍの位置でも同様に比較例１よりも実施例１および２が分解能およびＳ／Ｎ比が向上していることが分かる。

次に、ガラス基板の表面にメカニカルテクスチャを形成した実施例４〜６および比較例２について説明する。

［実施例４］
ガラス基板の表面に、研削洗浄装置を用いて周方向に平均表面粗さＲａが０．３ｎｍのメカニカルテクスチャを形成した以外は、実施例１と同様にして磁気ディスクを作製した。

［実施例５］
実施例４と同様のメカニカルテクスチャを形成したガラス基板を用いて、実施例２と同様にして磁気ディスクを形成した。

［実施例６］
実施例２と同様のメカニカルテクスチャを形成したガラス基板を用いて、実施例３と同様にして磁気ディスクを形成した。

［比較例２］
実施例２と同様のメカニカルテクスチャを形成したガラス基板を用いて、比較例１と同様にして磁気ディスクを形成した。

図１２は、実施例４〜６および比較例２に係る磁気ディスクの磁気特性を示す図である。磁気特性は図１０と同様にして測定した。

図１２を参照するに、垂直入射スパッタ法により形成した比較例２に係る磁気ディスクは配向度が１．０８であり、比較例１の１．００よりも配向度が高い。これは、ディスク表面に形成したメカニカルテクスチャによるものである。これに対し、例えば、実施例４では、半径１２ｍｍおよび半径３０ｍｍの位置において配向度が各々１．１１、１．１０になっており、周方向への磁化容易軸の配向が促進されていることが分かる。すなわち、メカニカルテクスチャによる周方向の磁化容易軸の配向に加え、斜め入射スパッタ法により形成されたＡｌＲｕ膜を形成することにより、周方向の磁化容易軸の配向が一層促進されていることが分かる。また、同様に保磁力角型比も比較例２の０．６５〜０．６６に対して、０．７１、０．７２であり、このことからも周方向の結晶配向が促進されていること分かる。

配向度は比較例２の１．０８を超えると、すなわち１．０９以上になると電磁変換特性が向上する。実施例４〜実施例６の入射角と配向度との関係から、配向度が１．０９となる入射角は３８．７度（実施例２の測定位置３０ｍｍ）であるので、入射角を３８．７度以上に設定することが好ましいことが分かる。さらに、本願発明者の検討によれば、配向度が１．１０以上になると電磁変換特性が顕著に向上することを確認している。配向度が１．１０となる入射角は４３．０度（実施例１の測定位置３０ｍｍ）であるので、入射角を４３．０度以上に設定することがさらに好ましい。

図１３（Ａ）および（Ｂ）は実施例４、５および比較例２に係る磁気ディスクの電磁変換特性を示す図である。電磁変換特性は、上述した実施例１等と同様の条件を用いた。

図１３（Ａ）を参照するに、比較例２に対して、実施例４および５が分解能およびＳ／Ｎ比が向上していることが分かる。上述した図１２に示したように、比較例２よりも実施例４および２の方が周方向の配向度が良好であるので、周方向の配向度の向上により、分解能およびＳ／Ｎ比が向上していることが分かる。さらに、実施例４と実施例５とを比較すると、実施例５に対して周方向の配向度が大きい実施例４の方が分解能およびＳ／Ｎ比が優れている。したがって、入射角が大きい程、すなわち結晶方位傾斜角が大きい程優れていることが分かる。

また、図１３（Ｂ）を参照するに、測定半径が１６ｍｍの位置でも同様に比較例２よりも実施例４および５が分解能およびＳ／Ｎ比が向上していることが分かる。

（第２の実施の形態）
本発明の実施の形態は、第１の実施の形態に係る磁気記録媒体を備えた磁気記憶装置に係るものである。

図１４は、本発明の実施の第２の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す図である。図１４を参照するに、磁気記憶装置６０は大略ハウジング６１からなる。ハウジング６１内には、スピンドル（図示されず）により駆動されるハブ６２、ハブ６２に固定され回転される磁気記録媒体６３、アクチュエータユニット６４、アクチュエータユニット６４に取り付けられ磁気記録媒体６３の半径方向に移動されるアーム６５及びサスペンション６６、サスペンション６６に支持された磁気ヘッド６８が設けられている。磁気ヘッド６８は、ＭＲ素子（磁気抵抗効果型素子）、ＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果型素子）、またはＴＭＲ素子（トンネル磁気効果型）等のＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ）型あるいはＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ｔｏ−Ｐｌａｎｅ）型の再生ヘッドと誘導型の記録ヘッドとの複合型ヘッドからなる。この磁気記憶装置６０の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。

本実施の形態の磁気記憶装置６０は磁気記録媒体６３に特徴がある。磁気記録媒体６３は、例えば第１の実施の形態の磁気記録媒体である。磁気記録媒体６３は、周方向の配向度が高く、電磁変換特性に優れているので、高記録密度化が可能である。

なお、本実施の形態に係る磁気記憶装置６０の基本構成は、図１４に示すものに限定されるものではなく、記録再生ヘッド６８は上述した構成に限定されず、公知の記録再生ヘッドを用いることができる。

本実施の形態によれば、磁気記憶装置６０は、磁気記録媒体６３が、周方向の配向度が向上し、優れた静磁気特性および電磁変換特性を有するので高記録密度化が可能である。

以上本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

例えば、上記第１および第２の実施の形態では、磁気ディスクを例として説明したが、ディスク基板の換わりにテープ状の基板、例えば、テープ状のＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリイミド等のプラスチックフィルムを用いて、シード層をテープの幅方向の一方の側から、基板法線方向から所定の角度を傾斜させてスパッタ粒子を入射させて、テープ長手方向の配向度を向上した磁気テープとしてもよい。

なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１） 基板上に形成された記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体であって、
前記基板と、
前記基板上に形成されたシード層と、
前記シード層上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された記録層と、を備え、
前記シード層は、
Ｂ２結晶構造の合金材料からなる結晶粒の多結晶体からなり、
前記結晶粒の［１００］結晶方位が、前記記録方向と基板法線方向とが形成する第１の面により分けられる一方の側に傾斜していることを特徴とする磁気記録媒体。
（付記２） 前記基板はディスク基板であり、前記結晶粒の［１００］結晶方位が外周側に傾斜していることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
（付記３） 前記結晶粒の［１００］結晶方位と基板法線方向とのなす角は、２．１度以上かつ５．４度未満の範囲に設定されることを特徴とする付記１または２記載の磁気記録媒体。
（付記４） 前記Ｂ２結晶構造の合金材料は、ＡｌＲｕ合金、ＮｉＡｌ合金、およびＦｅＡｌ合金からなる群のうちいずれか１種であることを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記５） 前記ＡｌＲｕ合金は、Ｒｕ濃度が４５原子％〜５５原子％の範囲に設定されることを特徴とする付記４記載の磁気記録媒体。
（付記６） 前記下地層は、ＣｒまたはＣｒ−Ｘ合金（Ｘ＝Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ｍｏ、およびこれらの合金）からなることを特徴とする付記１〜５のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記７） 前記ディスク基板はガラス基板よりなり、該ガラス基板の表面に周方向にメカニカルテクスチャが形成されてなることを特徴とする付記２〜６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記８） 前記記録層は、第１の磁性層、非磁性中間層、第２の磁性層が順次積層され、
前記第１の磁性層の磁化と前記第２の磁性層の磁化とが反強磁性的に交換結合してなることを特徴とする付記１〜７のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記９） 付記１〜８のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体と、
記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置。
（付記１０） 基板上に形成された記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に記録層を形成する工程と、を備え、
前記シード層の形成工程は、
前記基板面に対向してＢ２結晶構造の合金材料からなるターゲットを配置し、
前記記録方向と基板法線方向とが形成する第１の面により分けられる一方の側から、基板法線方向に対して傾斜した所定の方向から前記合金材料の粒子を入射させることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（付記１１） 前記第１の面に対してほぼ垂直な第２の面内で、かつ、前記所定の方向から前記合金材料の粒子を入射させることを特徴とする付記１０記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１２） 前記ターゲットのエロージョン領域の中心位置と基板上の堆積位置とを結んだ仮想入射線と、基板中心を通る基板法線を含む基板法線面内において基板法線方向とのなす角を３８．７度以上９０度未満の範囲に設定することを特徴とする付記１０記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１３） 前記基板はディスク基板であり、前記第１の面の外周側から前記粒子を入射させることを特徴とする付記１０〜１２のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１４） 前記ターゲットとディスク基板との間に、エロージョン領域からディスク基板の中心付近を超えて反対側に到達するスパッタ粒子を遮蔽する遮蔽手段を設けることを特徴とする付記１３記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１５） 前記遮蔽手段は、
複数の遮蔽板と、該遮蔽板を互いに固着する共に、ディスク基板の中心を通る基板法線方向の軸と略一致する回転軸からなり、
前記遮蔽板は、回転軸を中心に半径方向に延在し、周方向に略等角度の間隔で配置されてなることを特徴とする付記１４記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１６） 前記遮蔽手段は、回転軸を中心に遮蔽板が回転することを特徴とする付記１５記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１７） 前記下地層および記録層を形成する工程は、下地層および記録層を構成する材料の粒子がディスク基板面に対して垂直に入射するように形成することを特徴とする付記１０〜１６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１８） 記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気ディスクと、記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気ディスク装置であって、
前記磁気ディスクは、
前記ディスク基板と、
前記ディスク基板上に形成されたシード層と、
前記シード層上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された記録層と、を備え、
前記シード層は、
Ｂ２結晶構造の合金材料からなる結晶粒の多結晶体からなり、
前記結晶粒の［１００］結晶方位が、前記記録方向と基板法線方向とが形成する第１の面により分けられる一方の側に傾斜していることを特徴とする磁気ディスク装置。

本発明の第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の断面図である。 第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の結晶粒の配向の様子を模式的に示す図である。 シード層を構成する結晶粒の結晶格子の配向の様子を模式的に示す図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造工程を示す図である。 スパッタ装置の要部を概略的に示す斜視図である。 図５の要部断面図である。 実施例および比較例のＡｌＲｕ膜のロッキングカーブを示す図である。 実施例および比較例のＡｌＲｕ膜の入射角と結晶方位傾斜角との関係を示す図である。 実施例および比較例のＣｏＣｒＰｔ₁₂Ｂ₇Ｃｕ₄膜のロッキングカーブの一例を示す図である。 実施例および比較例に係る磁気ディスクの磁気特性（その１）を示す図である。 （Ａ）および（Ｂ）は実施例および比較例に係る磁気ディスクの電磁変換特性（その１）を示す図である。 実施例および比較例に係る磁気ディスクの磁気特性（その２）を示す図である。 （Ａ）および（Ｂ）は実施例および比較例に係る磁気ディスクの電磁変換特性（その２）を示す図である。 本発明の第２の実施の形態の磁気記録装置の要部を示す図である。

符号の説明

１０、６３ 磁気記録媒体
１１ ディスク基板
１２ シード層
１２ａ シード層の結晶粒
１３ 下地層
１４ 第１磁性層
１５ 非磁性結合層
１６ 第２磁性層
１８ 記録層
１９ 保護膜
２０ 潤滑層
３０ スパッタ装置
３１ スパッタターゲット
３１ａ エロージョン領域
３２ 磁石ユニット
３２ａ 磁石台
３２ｂ 磁石部
３３ 回転シールド部
３３ａ 回転軸
３３ｂ シールド板
３４ 回転駆動部
３５ 外側環状磁石
３６ 内側環状磁石
３８ ヨーク
６０ 磁気記憶装置
６８ 磁気ヘッド
ＮＯＲ 基板法線方向
θ_CRY 結晶方位傾斜角
θ_GRA 結晶粒の傾斜角
θ_INC 入射角

Claims (9)

1. 基板上に形成された記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体であって、
   前記基板と、
   前記基板上に形成されたシード層と、
   前記シード層上に形成された下地層と、
   前記下地層上に形成された記録層と、を備え、
   前記シード層は、
   Ｂ２結晶構造の合金材料からなる結晶粒の多結晶体からなり、
   前記結晶粒の［１００］結晶方位が、前記記録方向と基板法線方向とが形成する第１の面により分けられる一方の側に傾斜していることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記基板はディスク基板であり、前記結晶粒の［１００］結晶方位が外周側に傾斜していることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
3. 前記結晶粒の［１００］結晶方位と基板法線方向とのなす角は、２．１度以上かつ５．４度未満の範囲に設定されることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体。
4. 請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体と、
   記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置。
5. 基板上に形成された記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体の製造方法であって、
   前記基板上にシード層を形成する工程と、
   前記シード層上に下地層を形成する工程と、
   前記下地層上に記録層を形成する工程と、を備え、
   前記シード層の形成工程は、
   前記ディスク基板面に対向してＢ２結晶構造の合金材料からなるターゲットを配置し、
   前記記録方向と基板法線方向とが形成する第１の面により分けられる一方の側から、基板法線方向に対して傾斜した所定の方向から前記合金材料の粒子を入射させることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
6. 前記ターゲットのエロージョン領域の中心位置と基板上の堆積位置とを結んだ仮想入射線と、基板中心を通る基板法線を含む基板法線面内において基板法線方向とのなす角を３８．７度以上かつ９０度未満の範囲に設定することを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体の製造方法。
7. 前記基板はディスク基板であり、前記第１の面の外周側から前記粒子を入射させることを特徴とする請求項５または６記載の磁気記録媒体の製造方法。
8. 前記ターゲットとディスク基板との間に、エロージョン領域からディスク基板の中心付近を超えて反対側に到達するスパッタ粒子を遮蔽する遮蔽手段を設けることを特徴とする請求項７記載の磁気記録媒体の製造方法。
9. 記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気ディスクと、記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気ディスク装置であって、
   前記磁気ディスクは、
   前記ディスク基板と、
   前記ディスク基板上に形成されたシード層と、
   前記シード層上に形成された下地層と、
   前記下地層上に形成された記録層と、を備え、
   前記シード層は、
   Ｂ２結晶構造の合金材料からなる結晶粒の多結晶体からなり、
   前記結晶粒の［１００］結晶方位が、前記記録方向と基板法線方向とが形成する第１の面により分けられる一方の側に傾斜していることを特徴とする磁気ディスク装置。
   

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