JP2005340009A - X-ray generation control method and device for the same - Google Patents

X-ray generation control method and device for the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an X-ray generation control method and a device for the same capable of accurately controlling an amount of electron beam and X rays. <P>SOLUTION: Under the condition of imaging on a target at all times, when an amount of electron beam to be controlled reaching the target, namely, a target current (brightness) is input (step S2), an excitation strength of a first convergence coil, and that of a second convergence coil can be decided by an operation (step S3, S4), and the target current is controlled by manipulating respective convergence coils depending on the excitation strength thereof (step S5). Since the amount of X rays is proportional to the target current, the amount of X rays is also controlled by manipulating the convergence coils depending on the excitation strength as a manipulation amount. As a result, comparing with a method of controlling the amount of electron beam (emission current) in the neighborhood of a Wehnelt electrode by manipulating the Wehnelt electrode, and controlling the amount of X rays as well, the amount of electron beam and X rays can be accurately controlled. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、工業分野、医療分野などに用いられるＸ線発生制御方法およびその装置に係り、特に、複数の集束手段によって電子ビームを集束させる技術に関する。   The present invention relates to an X-ray generation control method and apparatus used in the industrial field, the medical field, and the like, and more particularly to a technique for focusing an electron beam by a plurality of focusing means.

Ｘ線発生装置では、電子銃を構成する陰極（電子源）から発生した電子ビームを加速させてターゲットに衝突させることでＸ線を発生させる。Ｘ線を発生させる際には、ターゲットに電子ビームを衝突させるまでに、光学の集束レンズと同様に集束コイル（集束手段）によって電子ビームを集束させる。   In an X-ray generator, X-rays are generated by accelerating an electron beam generated from a cathode (electron source) constituting an electron gun and causing it to collide with a target. When X-rays are generated, the electron beam is focused by a focusing coil (focusing means) in the same manner as the optical focusing lens until the electron beam collides with the target.

従来では陰極としてタングステンで形成されたフィラメントを用いていたが、近年では消耗や切断に強い６ホウ化ランタン（ＬａＢ6）や６ホウ化セリウム（ＣｅＢ6）などで形成された単結晶あるいは焼結体のチップを用いている。これらのチップを用いることでフィラメントを用いたときよりも高輝度で、かつ高分解能化を実現することができる。 Conventionally, a filament formed of tungsten was used as the cathode, but in recent years, a single crystal or sintered body formed of lanthanum hexaboride (LaB 6 ), cerium hexaboride (CeB 6 ), or the like which is resistant to wear and cutting. Use body chips. By using these chips, it is possible to realize higher luminance and higher resolution than when using a filament.

なお、上述した高分解能化を実現した場合には、高分解能のモードでは一般にＸ線量が減少してＸ線画像が暗くなる場合がある。そこで、実用上の理由によりＸ線画像が明るい中分解能のモードを兼ね備える必要がある。高分解能・中分解能間での選択を可能とするために、複数の集束コイルを備える。特に、２つの集束コイルを備えた場合、すなわち集束コイルを２段に設けた場合には、電子銃側の集束コイルを『第１集束コイル』とし、ターゲット側の集束コイルを『第２集束コイル』としたときに、第１集束コイルで電子ビームが集束した後に、第２集束コイルでターゲット上に集束し、微小スポットからＸ線が発生する。なお、このとき、第１集束コイルと第２集束コイルとの間に電子ビームが一旦結像する中間クロスオーバが形成される。これらの２段以上の集束コイルにより中間クロスオーバを形成して微小スポットを形成する手法は、高い縮小率が必要な走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）などで広く使われている手法である（例えば、非特許文献１参照）。   When the above-described high resolution is realized, in the high resolution mode, the X-ray dose generally decreases and the X-ray image may become dark. Therefore, for practical reasons, it is necessary to have a medium resolution mode in which the X-ray image is bright. In order to enable selection between high resolution and medium resolution, a plurality of focusing coils are provided. In particular, when two focusing coils are provided, that is, when the focusing coils are provided in two stages, the focusing coil on the electron gun side is referred to as a “first focusing coil” and the focusing coil on the target side is referred to as a “second focusing coil”. When the electron beam is focused by the first focusing coil, it is focused on the target by the second focusing coil, and X-rays are generated from the minute spot. At this time, an intermediate crossover is formed between the first focusing coil and the second focusing coil so that the electron beam once forms an image. The technique of forming an intermediate crossover with these two or more stages of focusing coils to form a minute spot is a technique widely used in a scanning electron microscope (SEM) or the like that requires a high reduction rate (for example, non-spotting). Patent Document 1).

ところで、Ｘ線量を制御するのは、従来では陰極から発生した電子ビーム量（『エミッション電流』とも呼ばれる）を制御することで行われている。このエミッション電流を制御するには、以下のような手法で行われている。   Incidentally, the X-ray dose is conventionally controlled by controlling the amount of electron beam (also referred to as “emission current”) generated from the cathode. The emission current is controlled by the following method.

すなわち、電子銃は、陰極（カソード），ウェネルト電極，陽極（アノード）から構成され、陰極からターゲットに向かう電子ビームの照射方向には、陰極と集束コイルとの間に、上述したウェネルト電極，陽極を順に配設している。陽極は、陰極から発生する電子ビームを引き出し、この陽極による引き出しで電子ビームはターゲットに向かって加速する。そして、ウェネルト電極は、陽極によって引き出される陰極からの電子ビーム量、すなわちエミッション電流を制御するもので、ウェネルト電極の電位によってエミッション電流を変えることができる。なお、集束コイルを２段以上に設けた場合においても、上述したような電子ビーム量の制御によってＸ線量を制御している。
実験物理学講座２３ 電子顕微鏡， 上田良二 編 共立出版（１９８２），P327-330 That is, the electron gun is composed of a cathode (cathode), a Wehnelt electrode, and an anode (anode). In the irradiation direction of the electron beam from the cathode to the target, the above-mentioned Wehnelt electrode and anode are placed between the cathode and the focusing coil. Are arranged in order. The anode extracts an electron beam generated from the cathode, and the electron beam is accelerated toward the target by the extraction by the anode. The Wehnelt electrode controls the amount of electron beam from the cathode drawn by the anode, that is, the emission current. The emission current can be changed by the potential of the Wehnelt electrode. Even when the focusing coils are provided in two or more stages, the X-ray dose is controlled by controlling the electron beam amount as described above.
Laboratory Physics 23 Electron microscope, Ueda Ryoji ed. Kyoritsu Shuppan (1982), P327-330

しかしながら、ウェネルト電極を操作してエミッション電流を制御することで、Ｘ線量を制御しても、所望の量のＸ線が得られない場合がある。   However, there is a case where a desired amount of X-rays cannot be obtained even if the X-ray dose is controlled by operating the Wehnelt electrode to control the emission current.

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、電子ビーム量およびＸ線量を正確に制御することができるＸ線発生制御方法およびその装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an X-ray generation control method and apparatus capable of accurately controlling an electron beam amount and an X-ray dose.

上記問題を解決するために、発明者らは、以下のような知見を得た。すなわち、制御されるエミッション電流とＸ線量とをそれぞれ測定した場合、図１３に示すような測定結果が得られたが、その結果からもエミッション電流とＸ線量との間には比例関係のような単純な相関関係がないことがわかる。なお、図１３は、陰極として単結晶の６ホウ化ランタン（ＬａＢ6）を用いており、縦軸をＸ線量とし、横軸をエミッション電流とし、陰極に印加する管電圧を４０ｋＶから１６０ｋＶまで２０ｋＶずつ変えたときのグラフである。より具体的に説明すると、管電圧を１００ｋＶ以上にするとエミッション電流を多く設定するのにも関わらずＸ線量が低下する領域がみられる。 In order to solve the above problems, the inventors have obtained the following knowledge. That is, when the controlled emission current and the X-ray dose were measured, the measurement results as shown in FIG. 13 were obtained. From the results, there is a proportional relationship between the emission current and the X-ray dose. It can be seen that there is no simple correlation. In FIG. 13, single crystal lanthanum hexaboride (LaB 6 ) is used as the cathode, the vertical axis is the X-ray dose, the horizontal axis is the emission current, and the tube voltage applied to the cathode is 20 kV from 40 kV to 160 kV. It is a graph when changing each time. More specifically, when the tube voltage is set to 100 kV or higher, there is a region where the X-ray dose decreases despite setting a large emission current.

そこで、ウェネルト電極付近での電子ビーム量（すなわちエミッション電流）以外の要素でＸ線量を制御することに着目してみた。上述した集束コイルを２段に設けた場合には、集束コイルに流す電流、すなわち励起強度を離散的に変えることでレンズ系倍率を変えて電子ビームの縮小率やターゲットに到達する電子ビーム量などを制御する。また、Ｘ線量はエミッション電流よりもターゲットに到達する電子ビーム量（『ターゲット電流』とも呼ばれる）と深い相関関係があり、ターゲット電流に比例することがわかった。そこで、励起強度などに代表される集束コイル（集束手段）の操作量に着目してみて、この集束コイルの操作量に基づいてターゲットに到達する電子ビーム量であるターゲット電流やＸ線量を制御するという知見を得た。なお、これらエミッション電流やターゲット電流を特定しない一般的な電子ビーム量は、『管電流』とも呼ばれている。したがって、管電流は電子ビーム量と同義であって、管電流はエミッション電流やターゲット電流を包含していることに留意されたい。   Therefore, attention was paid to controlling the X-ray dose by factors other than the electron beam amount (ie, emission current) near the Wehnelt electrode. When the above-described focusing coil is provided in two stages, the current flowing through the focusing coil, that is, the excitation intensity is changed discretely to change the lens system magnification, the electron beam reduction rate, the amount of electron beam reaching the target, etc. To control. It was also found that the X-ray dose has a deeper correlation with the amount of electron beam reaching the target (also called “target current”) than the emission current, and is proportional to the target current. Therefore, paying attention to the amount of operation of the focusing coil (focusing means) typified by excitation intensity, the target current and the X-ray dose that are the amount of electron beam reaching the target are controlled based on the amount of operation of the focusing coil. I got the knowledge. A general electron beam amount that does not specify the emission current and the target current is also called “tube current”. Therefore, it should be noted that the tube current is synonymous with the amount of electron beam, and the tube current includes an emission current and a target current.

このような知見に基づくこの発明は、次のような構成をとる。   The present invention based on such knowledge has the following configuration.

すなわち、請求項１に記載の発明は、複数の集束手段により電子ビームを集束させて、電子ビームのターゲットへの衝突によりＸ線を発生させることで、Ｘ線の発生を制御するＸ線発生制御方法であって、（Ａ）複数の集束手段のうち２つの集束手段について、所定の条件において一方の集束手段を操作する操作量、またはターゲットに到達する電子ビーム量あるいはＸ線量のいずれか１つを決定すればそれに連動して残りを決定する工程、（Ｂ）前記所定の条件において前記一方の集束手段の操作量を決定すればそれに連動して他方の集束手段の操作量を決定する工程を備え、前記（Ａ）および（Ｂ）の工程により前記電子ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするものである。   That is, the invention according to claim 1 is an X-ray generation control for controlling the generation of X-rays by focusing an electron beam by a plurality of focusing means and generating X-rays by collision of the electron beam with a target. (A) For two focusing means among a plurality of focusing means, any one of an operation amount for operating one focusing means under a predetermined condition, or an electron beam amount or an X-ray dose reaching a target Determining the remaining amount in conjunction with it, and (B) determining the amount of operation of the other focusing means in conjunction with it if the amount of operation of the one focusing means is determined under the predetermined condition. And the amount of electron beam and the X-ray dose are controlled by the steps (A) and (B).

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、（Ａ）複数の集束手段のうち２つの集束手段について、所定の条件において前記一方の集束手段を操作する操作量、またはターゲットに到達する電子ビーム量あるいはＸ線量のいずれか１つを決定すればそれに連動して残りを決定する工程、（Ｂ）上述した所定の条件において一方の集束手段の操作量を決定すればそれに連動して他方の集束手段の操作量を決定する工程を備えている。つまり、ターゲットに到達する制御されるべき電子ビーム量またはＸ線量から先に決定して、一方および他方の集束手段の操作量を決定する場合には、先ず上述した電子ビーム量またはＸ線量を決定すれば、（Ａ）の工程において電子ビーム量またはＸ線量に連動して一方の集束手段の操作量を決定し、その後に、決定された一方の集束手段の操作量に連動して（Ｂ）の工程において他方の集束手段の操作量を決定する。逆に、一方の集束手段の操作量から先に決定して、他方の集束手段およびターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を決定する場合には、先ず上述した一方の集束手段の操作量を決定すれば、（Ｂ）の工程において一方の集束手段の操作量に連動して他方の集束手段の操作量を決定するとともに、（Ａ）の工程において一方の集束手段の操作量に連動してターゲットに到達する制御されるべき電子ビーム量またはＸ線量を決定する。このように（Ａ）および（Ｂ）の工程によりターゲットに到達する電子ビーム量（ターゲット電流）を制御して、制御されたターゲット電流からＸ線量を制御する。その結果、ウェネルト電極を操作してウェネルト電極付近の電子ビーム量（エミッション電流）を制御するとともにＸ線量を制御する手法と比較すると、電子ビーム量およびＸ線量を正確に制御することができる。   [Operation / Effect] According to the first aspect of the present invention, (A) about two focusing means among the plurality of focusing means, the operation amount for operating the one focusing means under a predetermined condition, or the target is reached. If any one of the electron beam amount and the X-ray dose to be determined is determined, the remaining step is determined in conjunction with it. (B) If the operation amount of one focusing means is determined under the above-mentioned predetermined conditions, it is interlocked with it. A step of determining an operation amount of the other focusing means. That is, when the amount of electron beam or X-ray dose to be controlled reaching the target is determined first, and the operation amount of one and the other focusing means is determined, the above-described electron beam amount or X-ray dose is first determined. Then, in the step (A), the operation amount of one focusing means is determined in conjunction with the electron beam amount or the X-ray dose, and thereafter, in accordance with the determined operation amount of one focusing means (B). In this step, the operation amount of the other focusing means is determined. Conversely, when the amount of electron beam or X-ray amount reaching the other focusing means and the target is determined first from the operating amount of one focusing means, the operating amount of one focusing means described above is first determined. If determined, the operation amount of the other focusing means is determined in conjunction with the operation amount of one focusing means in the step (B), and in conjunction with the operation amount of one focusing means in the step (A). Determine the amount of electron beam or x-ray dose to be controlled that reaches the target. In this way, the amount of electron beam (target current) reaching the target is controlled by the steps (A) and (B), and the X-ray dose is controlled from the controlled target current. As a result, the electron beam amount and the X-ray dose can be accurately controlled as compared with the method of controlling the X-ray dose while controlling the electron beam amount (emission current) near the Wehnelt electrode by operating the Wehnelt electrode.

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のＸ線発生制御方法において、（Ｃ）前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を入力により決定する工程を備え、前記（Ａ）の工程は、（Ａ1）前記一方の集束手段の操作量、および前記（Ｃ）の工程で入力された電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第１相関関係に基づく第１演算により、一方の集束手段の操作量を決定する工程からなり、前記（Ｂ）の工程は、（Ｂ1）前記第１演算で演算された一方の集束手段の操作量、および前記他方の集束手段の操作量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第２相関関係に基づく第２演算により、他方の集束手段の操作量を決定する工程からなり、（Ａ）の工程，（Ｂ）の工程の順に行い、前記第１および第２演算で演算された２つの集束手段の操作量に基づいて各集束手段を操作することで、前記電子ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするものである。 The invention described in claim 2 is the X-ray generation control method according to claim 1, further comprising: (C) a step of determining, by input, an electron beam amount or an X-ray dose reaching the target; The step ( 1 ) is the first correlation in which (A 1 ) the operation amount of the one focusing means and the electron beam amount or the X-ray dose input in the step (C) are mutually related under the predetermined condition. The step (B) includes a step of determining an operation amount of one focusing means by a first calculation based on the relationship, and the step (B) includes (B 1 ) an operation amount of one focusing means calculated in the first calculation, And determining the operation amount of the other focusing means by a second calculation based on the second correlation that is established under the predetermined condition with respect to the operation amount of the other focusing means. Process, (B) In this order, by operating each focusing means based on the operation amounts of the two focusing means calculated in the first and second calculations, the amount of electron beam and the X-ray dose are controlled. It is a feature.

［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、（Ｃ）の工程においてターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を入力により決定すれば、（Ａ1）の工程において上述した一方の集束手段の操作量、および上述した（Ｃ）の工程で入力された電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が上述した所定の条件において成立する第１相関関係に基づく第１演算により、一方の集束手段の操作量を決定する。その後に、（Ｂ1）の工程において上述した第１演算で演算された一方の集束手段の操作量、および上述した他方の集束手段の操作量について互いの関係が上述した所定の条件において成立する第２相関関係に基づく第２演算により、他方の集束手段の操作量を決定する。このように、所定の条件の下では、ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を入力すれば、一方の集束手段の操作量，他方の集束手段の順に決定される。そして、上述した第１および第２演算で演算された２つの集束手段の操作量に基づいて各集束手段を操作することで、先に入力されたターゲットに到達する電子ビーム量（ターゲット電流）が制御される。ターゲット電流にＸ線量は比例するので、これらの操作量に基づいて集束手段を操作することで、先に入力されたＸ線量も制御される。 [Operation / Effect] According to the invention described in claim 2, if the amount of electron beam or the X-ray dose reaching the target in step (C) is determined by input, one of the above-described steps in step (A 1 ). By the first calculation based on the first correlation that is established under the above-described predetermined condition with respect to the operation amount of the focusing means and the electron beam amount or the X-ray dose input in the step (C) described above, The operation amount of the focusing means is determined. After that, in the step (B 1 ), the mutual relationship between the operation amount of one focusing unit calculated in the first calculation described above and the operation amount of the other focusing unit described above is established under the predetermined condition described above. The operation amount of the other focusing means is determined by the second calculation based on the second correlation. As described above, under the predetermined condition, if the electron beam amount or the X-ray dose reaching the target is input, the operation amount of one focusing unit and the other focusing unit are determined in this order. Then, by operating each focusing unit based on the operation amounts of the two focusing units calculated by the first and second calculations described above, the amount of electron beam (target current) that reaches the target previously input is increased. Be controlled. Since the X-ray dose is proportional to the target current, the X-ray dose input previously is also controlled by operating the focusing means based on these manipulated variables.

また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載のＸ線発生制御方法において、（Ｄ）前記一方の集束手段の操作量を入力により決定する工程を備え、前記（Ｂ）の工程は、（Ｂ2）前記（Ｄ）の工程で入力された一方の集束手段の操作量、および前記他方の集束手段の操作量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第２相関関係に基づく第３演算により、他方の集束手段の操作量を決定する工程からなり、前記（Ａ）の工程は、（Ａ2）前記入力された一方の集束手段の操作量、および前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第１相関関係に基づく第４演算により、前記電子ビーム量またはＸ線量を決定する工程からなり、前記入力された一方の集束手段の操作量と前記第３演算で演算された他方の集束手段の操作量とに基づいて各集束手段を操作することで、前記電子ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするものである。 The invention described in claim 3 is the X-ray generation control method according to claim 1, further comprising: (D) a step of determining an operation amount of the one focusing means by input, and the step (B) (B 2 ) is a second correlation in which the relationship between the operation amount of one focusing means and the operation amount of the other focusing means input in the step (D) is established under the predetermined condition. The third calculation is based on the step of determining the operation amount of the other focusing means, and the step (A) reaches (A 2 ) the input operation amount of the one focusing means and the target. The step of determining the electron beam amount or the X-ray dose by a fourth calculation based on a first correlation that is established under the predetermined condition with respect to the electron beam amount or the X-ray dose, means The amount of electron beam and the X-ray dose are controlled by operating each focusing means based on the operation amount and the operation amount of the other focusing means calculated in the third calculation. It is.

［作用・効果］請求項３に記載の発明によれば、（Ｄ）の工程において一方の集束手段の操作量を入力により決定すれば、（Ｂ2）の工程において上述した（Ｄ）の工程で入力された一方の集束手段の操作量、および上述した他方の集束手段の操作量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第２相関関係に基づく第３演算により、他方の集束手段の操作量を決定する。また（Ａ2）の工程において上述した入力された一方の集束手段の操作量、および上述したターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が上述した所定の条件において成立する第１相関関係に基づく第４演算により、上述した電子ビーム量またはＸ線量を決定する。このように、所定の条件の下では、一方の集束手段の操作量を入力すれば、他方の集束手段の操作量およびターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量が決定される。そして、上述した入力された一方の集束手段の操作量と、上述した第３演算で演算された他方の集束手段の操作量とに基づいて各集束手段を操作することで、ターゲットに到達する電子ビーム量（ターゲット電流）が制御される。ターゲット電流にＸ線量は比例するので、これらの操作量に基づいて集束手段を操作することで、Ｘ線量も制御される。 [Operation / Effect] According to the invention described in claim 3, if the operation amount of one focusing means is determined by input in the step (D), the step (D) described above in the step (B 2 ). The operation amount of one focusing means input in step S3 and the operation amount of the other focusing means described above are calculated by the third calculation based on the second correlation that is established under the predetermined condition. Determine the amount of operation. Further, in the step (A 2 ), the first correlation in which the mutual relation is established under the above-described predetermined condition with respect to the input operation amount of the one focusing means described above and the electron beam amount or the X-ray dose reaching the target described above. The above-described electron beam amount or X-ray dose is determined by the fourth calculation based on the relationship. In this way, under the predetermined condition, if the operation amount of one focusing means is input, the operation amount of the other focusing means and the electron beam amount or X-ray dose reaching the target are determined. Then, by operating each focusing means based on the input operation amount of one focusing means described above and the operation amount of the other focusing means calculated in the third calculation described above, electrons that reach the target The beam amount (target current) is controlled. Since the X-ray dose is proportional to the target current, the X-ray dose is also controlled by operating the focusing means based on these manipulated variables.

なお、請求項３に記載の発明の場合には、請求項２に記載の発明のように、（Ａ）および（Ｂ）の工程の順番については特に限定されず、（Ａ）の工程，（Ｂ）の工程の順に行ってもよいし、逆に（Ｂ）の工程，（Ａ）の工程の順に行ってもよいし、（Ａ），（Ｂ）の工程を並行に行ってもよい。   In the case of the invention described in claim 3, the order of the steps (A) and (B) is not particularly limited as in the invention described in claim 2, and the steps (A), ( B may be performed in the order of the steps, conversely, the steps (B) and (A) may be performed in this order, or the steps (A) and (B) may be performed in parallel.

また、請求項４に記載の発明は、請求項２または請求項３に記載のＸ線発生制御方法において、前記所定の条件は、電子ビームがターゲット上に常に結像される条件であって、前記操作量は、前記集束手段に流す電流に関する励起強度であって、前記第２相関関係は、各集束手段の励起強度について互いの関係が成立する関係であって、前記（Ｂ）の工程では、電子ビームを発生させる電子源側に位置する集束手段である第１集束手段の励起強度から第２相関関係に関する多項式近似を用いて、ターゲット側に位置する集束手段である第２集束手段の励起強度を演算することを特徴とするものである。   According to a fourth aspect of the present invention, in the X-ray generation control method according to the second or third aspect, the predetermined condition is a condition that an electron beam is always imaged on a target, The manipulated variable is an excitation intensity related to a current flowing through the focusing means, and the second correlation is a relation that establishes a mutual relationship with respect to the excitation intensity of each focusing means, and in the step (B) The excitation of the second focusing means, which is the focusing means located on the target side, using the polynomial approximation relating to the second correlation from the excitation intensity of the first focusing means, which is the focusing means located on the electron source side that generates the electron beam. The strength is calculated.

［作用・効果］請求項４に記載の発明によれば、所定の条件が、電子ビームがターゲット上に常に結像される条件であって、操作量が、集束手段に流す電流に関する励起強度であって、第２相関関係が、各集束手段の励起強度について互いの関係が成立する関係である。そして、上述した（Ｂ）の工程において、電子ビームを発生させる電子源側に位置する集束手段である第１集束手段の励起強度から第２相関関係に関する多項式近似を用いて、ターゲット側に位置する集束手段である第２集束手段の励起強度を演算するので、第１集束手段の操作量を先に決定することで、第２集束手段の操作量が第２相関関係に関する多項式近似の演算により決定される。つまり、第１集束手段の操作量を変動させると、第２相関関係を保ったまま他方の第２集束手段の操作量が連動することになる。   [Operation / Effect] According to the invention described in claim 4, the predetermined condition is a condition in which an electron beam is always imaged on the target, and the operation amount is an excitation intensity related to a current flowing through the focusing means. Thus, the second correlation is a relationship in which the mutual relationship is established with respect to the excitation intensity of each focusing means. Then, in the step (B) described above, it is located on the target side using a polynomial approximation related to the second correlation from the excitation intensity of the first focusing means that is the focusing means located on the electron source side that generates the electron beam. Since the excitation intensity of the second focusing means, which is the focusing means, is calculated, the operation amount of the first focusing means is determined in advance, so that the operation amount of the second focusing means is determined by calculating polynomial approximation related to the second correlation. Is done. That is, if the operation amount of the first focusing means is varied, the operation amount of the other second focusing means is interlocked while maintaining the second correlation.

また、請求項５に記載の発明は、請求項２から請求項４のいずれかに記載のＸ線発生制御方法において、前記所定の条件は、電子ビームがターゲット上に常に結像される条件であって、前記操作量は、前記集束手段に流す電流に関する励起強度であって、前記第１相関関係は、一方の集束手段の励起強度およびターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が成立する関係であって、前記（Ａ）の工程では、電子ビームを発生させる電子源側に位置する集束手段である第１集束手段の励起強度と、前記電子ビーム量またはそれに比例するＸ線量とを第１相関関係に関する多項式近似を用いて関連付けて、第１集束手段の励起強度、または電子ビーム量あるいはＸ線量のいずれか１つから、残りを演算することを特徴とするものである。   According to a fifth aspect of the present invention, in the X-ray generation control method according to any of the second to fourth aspects, the predetermined condition is a condition in which an electron beam is always imaged on a target. The manipulated variable is an excitation intensity related to a current flowing through the focusing means, and the first correlation is a correlation between the excitation intensity of one focusing means and the electron beam amount or the X-ray dose reaching the target. In the step (A), the excitation intensity of the first focusing means, which is the focusing means located on the electron source side that generates the electron beam, and the X-ray dose proportional to the electron beam amount or the electron beam amount. Are calculated using a polynomial approximation related to the first correlation, and the remaining is calculated from either the excitation intensity of the first focusing means, the electron beam amount, or the X-ray dose. It is intended.

［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、第１集束手段の励起強度が０の場合、すなわち第１集束手段に流す電流が０の場合には、ターゲットに到達する電子ビーム量（ターゲット電流）も最少であるが、第１集束手段の励起強度を強くするとターゲット電流が増大する。より具体的に説明すると、電子ビームがターゲット上に常に結像される条件の下で、図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１５（ｃ）の順に第１集束手段（図１５では第１集束コイル１３1）の励起強度を０から強くすると、それに連動してターゲット電流は増大する。そこで、上述した（Ａ）の工程において、かかる関係について第１相関関係に関する多項式近似式を用いて関連付けることで、ターゲットに到達する電子ビーム量（ターゲット電流）およびＸ線量を正確に制御することができる。具体的に説明すると、請求項５に記載の発明が請求項２に従属される場合には、（Ｃ）の工程においてターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を先に入力することで、その入力された電子ビーム量またはＸ線量から第１集束手段の励起強度を（Ａ1）の工程において演算して、その演算された第１集束手段の励起強度で第１集束手段を操作することで、先に入力されたターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を制御することになる。また、請求項５に記載の発明が請求項３に従属される場合には、（Ｄ）の工程において第１集束手段の励起強度を先に入力することで、第１集束手段の励起強度から電子ビーム量またはＸ線量を（Ａ2）の工程において演算して、先に入力された第１集束手段の励起強度で第１集束手段を操作することで、演算されたターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を制御することになる。 [Operation and Effect] According to the invention described in claim 5, when the excitation intensity of the first focusing means is 0, that is, when the current flowing through the first focusing means is 0, the amount of electron beam reaching the target Although (target current) is also minimal, increasing the excitation intensity of the first focusing means increases the target current. More specifically, under the condition that the electron beam is always imaged on the target, the first focusing means (in FIG. 15) in the order of FIG. 15 (a), FIG. 15 (b), and FIG. 15 (c). When the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 ) is increased from 0, the target current increases in conjunction therewith. Therefore, in the above-described step (A), the electron beam amount (target current) and the X-ray dose reaching the target can be accurately controlled by associating such a relationship with a polynomial approximation formula for the first correlation. it can. Specifically, when the invention according to claim 5 is subordinate to claim 2, by inputting the electron beam amount or the X-ray dose reaching the target in the step (C) first, By calculating the excitation intensity of the first focusing means from the input electron beam amount or X-ray dose in the step (A 1 ), and operating the first focusing means with the calculated excitation intensity of the first focusing means. The amount of electron beam or the X-ray dose reaching the previously input target is controlled. When the invention according to claim 5 is dependent on claim 3, the excitation intensity of the first focusing means is first input in the step (D), so that the excitation intensity of the first focusing means can be calculated. An electron beam that reaches the calculated target by calculating the electron beam amount or the X-ray dose in the step (A 2 ) and operating the first focusing means with the excitation intensity of the first focusing means that was input previously. The amount or X-ray dose will be controlled.

また、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載のＸ線発生制御方法において、最小励起強度のときの電子ビーム量に対する相対ビーム量をデシベル標示したものをＤＢとし、前記第１および第２集束手段のレンズ系の総合倍率をＭとし、第１集束手段の最小励起強度時に得られるレンズ系の最小倍率をＭ0とし、第１集束手段の励起強度を規格化した値をｘとし、αおよびβを係数としたときの、４次式の多項式で近似した（１）式は、
ＤＢ＝１０×ｌｏｇ10（Ｍ2／Ｍ0 2）＝α×ｘ2＋β×ｘ4 …（１）
で表され、この（１）式を実行することで、前記第１相関関係に関する多項式近似を用いて、第１相関関係に基づく演算を行うことを特徴とするものである。 Further, the invention described in claim 6 is the X-ray generation control method according to claim 5, wherein DB indicates a relative beam amount relative to the electron beam amount at the minimum excitation intensity as a decibel. The total magnification of the lens system of the second focusing means is M, the minimum magnification of the lens system obtained at the minimum excitation intensity of the first focusing means is M 0, and the value obtained by normalizing the excitation intensity of the first focusing means is x. (1) approximated by a quaternary polynomial when α and β are coefficients,
DB = 10 × log 10 (M 2 / M 0 2 ) = α × x 2 + β × x 4 (1)
By performing the equation (1), the calculation based on the first correlation is performed using the polynomial approximation related to the first correlation.

［作用・効果］請求項６に記載の発明によれば、第１相関関係を満たすためには、（１）式中の各係数αおよびβを、相関関係をもっとも忠実に近似するように決定する。そして、この（１）式を実行することで、第１相関関係に関する多項式近似を用いて、第１相関関係に基づく演算を行うことができる。   [Operation and Effect] According to the invention described in claim 6, in order to satisfy the first correlation, the coefficients α and β in the equation (1) are determined so as to approximate the correlation most faithfully. To do. Then, by executing the equation (1), it is possible to perform an operation based on the first correlation using a polynomial approximation related to the first correlation.

また、請求項７に記載の発明は、複数の集束手段により電子ビームを集束させて、電子ビームのターゲットへの衝突によりＸ線を発生させるＸ線発生装置を制御するＸ線発生制御装置であって、演算手段を備え、前記演算手段は、（Ａ）複数の集束手段のうち２つの集束手段について、所定の条件において一方の集束手段を操作する操作量、またはターゲットに到達する電子ビーム量あるいはＸ線量のいずれか１つを決定すればそれに連動して残りを決定する演算、（Ｂ）前記所定の条件において前記一方の集束手段の操作量を決定すればそれに連動して他方の集束手段の操作量を決定する演算を行い、前記（Ａ）および（Ｂ）の演算を行うことにより前記ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするものである。   The invention according to claim 7 is an X-ray generation control device that controls an X-ray generation device that focuses an electron beam by a plurality of focusing means and generates X-rays by collision of the electron beam with a target. The calculation means includes (A) an operation amount for operating one focusing means under a predetermined condition for two focusing means among the plurality of focusing means, or an electron beam amount reaching the target, or If any one of the X-ray doses is determined, an operation is performed to determine the remaining amount in conjunction with it. (B) If the operation amount of the one focusing means is determined under the predetermined condition, the other focusing means is interlocked with it. The operation amount is determined, and the beam dose is controlled and the X-ray dose is controlled by performing the operations (A) and (B).

［作用・効果］請求項７に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明を好適に実施することができる。   [Operation and Effect] According to the invention described in claim 7, the invention described in claim 1 can be suitably implemented.

また、請求項８に記載の発明は、請求項７に記載のＸ線発生制御装置であって、前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を少なくとも入力する入力手段と、前記一方の集束手段の操作量および前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が所定の条件において成立する第１相関関係を記憶した第１記憶手段と、一方および他方の集束手段の操作量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第２相関関係を記憶した第２記憶手段と、前記入力手段によって入力された電子ビーム量またはＸ線量を少なくとも表示する表示手段とを備え、前記演算手段は、前記入力手段によって入力された前記電子ビーム量またはＸ線量および前記第１記憶手段によって記憶された操作量・電子ビーム／Ｘ線量の第１相関関係に基づいて、一方の集束手段の操作量を演算する前記（Ａ）の演算を行う第１演算手段と、前記第１演算手段によって演算された一方の集束手段の操作量および前記第２記憶手段によって記憶された操作量の第２相関関係に基づいて、他方の集束手段の操作量を演算する前記（Ｂ）の演算を行う第２演算手段とからなり、第１演算手段によって演算された一方の集束手段の操作量と、前記第２演算手段によって演算された他方の集束手段の操作量とをそれぞれ２つの集束手段に与えて集束手段を操作することで、前記電子ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするものである。   The invention according to claim 8 is the X-ray generation control device according to claim 7, wherein the input means for inputting at least an electron beam amount or an X-ray dose reaching the target, and the one focusing means. The first storage means storing the first correlation in which the mutual relationship is established under a predetermined condition, and the operation quantities of the one and the other focusing means. The second storage means storing the second correlation that is established under the predetermined condition, and the display means for displaying at least the electron beam amount or the X-ray dose input by the input means, , The electron beam amount or X-ray dose input by the input means and the manipulated variable / electron beam / X-ray stored by the first storage means Based on the first correlation, the first calculation means for calculating the operation amount of the one focusing means (A), the operation amount of the one focusing means calculated by the first calculation means, and The second calculation means comprises the second calculation means for performing the calculation (B) for calculating the operation amount of the other focusing means based on the second correlation of the operation quantity stored by the second storage means. The operation amount of one focusing means calculated by the above and the operation amount of the other focusing means calculated by the second calculation means are respectively applied to the two focusing means, and the focusing means is operated, whereby the electron beam The X-ray dose is controlled while controlling the amount.

［作用・効果］請求項８に記載の発明によれば、請求項２に記載の発明を好適に実施することができる。また、入力された電子ビーム量またはＸ線量を少なくとも表示手段に表示するので、表示手段を見ながら電子ビーム量およびＸ線量を制御することができる。   [Operation and Effect] According to the invention described in claim 8, the invention described in claim 2 can be suitably implemented. Further, since the input electron beam amount or X-ray dose is displayed at least on the display means, the electron beam amount and X-ray dose can be controlled while viewing the display means.

また、請求項９に記載の発明は、請求項７に記載のＸ線発生制御装置であって、前記一方の集束手段の操作量を少なくとも入力する入力手段と、一方の集束手段の操作量および前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が所定の条件において成立する第１相関関係を記憶した第１記憶手段と、一方および他方の集束手段の操作量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第２相関関係を記憶した第２記憶手段と、前記入力手段によって入力された一方の集束手段の操作量を少なくとも表示する表示手段とを備え、前記演算手段は、前記入力手段によって入力された一方の集束手段の操作量および前記第２記憶手段によって記憶された操作量の第２相関関係に基づいて、他方の集束手段の操作量を演算する前記（Ｂ）の演算を行う第３演算手段と、前記入力された一方の集束手段の操作量および前記第１記憶手段によって記憶された操作量・電子ビーム／Ｘ線量の第１相関関係に基づいて、前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を演算する前記（Ａ）の演算を行う第４演算手段とからなり、入力された一方の集束手段の操作量と、前記第３演算手段によって演算された他方の集束手段の操作量とをそれぞれ２つの集束手段に与えて集束手段を操作することで、前記電子ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするものである。   The invention described in claim 9 is the X-ray generation control device according to claim 7, wherein the input means for inputting at least the operation amount of the one focusing means, the operation amount of the one focusing means, The first storage means storing the first correlation in which the mutual relationship is established under a predetermined condition with respect to the amount of electron beam or the X-ray dose reaching the target, and the mutual relation between the operation amounts of the one and the other focusing means A second storage unit that stores a second correlation established under a predetermined condition; and a display unit that displays at least an operation amount of one focusing unit input by the input unit. The operation amount of the other focusing means is calculated based on the second correlation between the operation amount of one focusing means input by the means and the operation amount stored by the second storage means. A first correlation between the input operation amount of the one focusing means and the operation amount / electron beam / X-ray dose stored in the first storage means. Based on the fourth calculation means for performing the calculation of (A) for calculating the electron beam amount or the X-ray dose reaching the target, and the input operation amount of one of the focusing means and the third calculation means The amount of operation of the other focusing means calculated by the above is given to the two focusing means to operate the focusing means, thereby controlling the amount of electron beam and controlling the X-ray dose. .

［作用・効果］請求項９に記載の発明によれば、請求項３に記載の発明を好適に実施することができる。また、入力された一方の集束手段の操作量を少なくとも表示手段に表示するので、表示手段を見ながら電子ビーム量およびＸ線量を制御することができる。   [Operation and Effect] According to the invention described in claim 9, the invention described in claim 3 can be suitably implemented. In addition, since the input operation amount of one focusing means is displayed on at least the display means, the electron beam amount and the X-ray dose can be controlled while viewing the display means.

なお、本明細書は、次のようなＸ線発生装置およびＸ線撮像装置に係る発明も開示している。   The present specification also discloses an invention relating to the following X-ray generation apparatus and X-ray imaging apparatus.

（１）請求項７に記載のＸ線発生制御装置に用いられるＸ線発生装置であって、電子ビームを発生させる電子源と、電子源からの電子ビームの衝突によりＸ線を発生させるターゲットと、電子源と前記ターゲットとの間に配置され、電子ビームを集束させる２つの集束手段とを備えることを特徴とするＸ線発生装置。   (1) An X-ray generator used in the X-ray generation control device according to claim 7, an electron source for generating an electron beam, and a target for generating X-rays by collision of the electron beam from the electron source; An X-ray generator comprising two focusing means arranged between the electron source and the target and focusing the electron beam.

前記（１）に記載の発明によれば、Ｘ線発生制御装置において電子ビーム量およびＸ線量を正確に制御することができる結果、Ｘ線発生制御装置に用いられるＸ線発生装置においても、電子ビーム量およびＸ線量を正確に制御することができる。   According to the invention described in (1) above, the amount of electron beam and the X-ray dose can be accurately controlled in the X-ray generation control apparatus. As a result, the X-ray generation apparatus used in the X-ray generation control apparatus The beam amount and the X-ray dose can be accurately controlled.

（２）前記（１）に記載のＸ線発生装置を備えたＸ線撮像装置であって、前記Ｘ線発生装置によって発生して照射されたＸ線を検出するＸ線検出手段を備え、検出されたＸ線に基づいてＸ線画像を撮像することを特徴とするＸ線撮像装置。   (2) An X-ray imaging apparatus including the X-ray generation apparatus according to (1), including X-ray detection means for detecting X-rays generated and irradiated by the X-ray generation apparatus, and detecting An X-ray imaging apparatus that captures an X-ray image on the basis of the X-rays that have been generated.

前記（２）に記載の発明によれば、Ｘ線発生装置から照射されたＸ線をＸ線検出手段が検出することで、検出されたＸ線に基づいてＸ線画像を撮像する。Ｘ線発生制御装置において電子ビーム量およびＸ線量を正確に制御することができる結果、Ｘ線発生制御装置に用いられるＸ線発生装置においても、電子ビーム量およびＸ線量を正確に制御することができ、そのＸ線発生装置を備えたＸ線撮像装置においても、所望の値に制御されたＸ線量に基づくＸ線画像を精度よく撮像することができる。   According to the invention described in (2) above, an X-ray image is captured based on the detected X-rays by detecting the X-rays emitted from the X-ray generator by the X-ray detection means. As a result of accurately controlling the electron beam amount and the X-ray dose in the X-ray generation control device, the electron beam amount and the X-ray dose can be accurately controlled also in the X-ray generation device used in the X-ray generation control device. In addition, an X-ray imaging apparatus including the X-ray generation apparatus can also accurately capture an X-ray image based on an X-ray dose controlled to a desired value.

この発明に係るＸ線発生制御方法およびその装置によれば、（Ａ）複数の集束手段のうち２つの集束手段について、所定の条件において前記一方の集束手段を操作する操作量、またはターゲットに到達する電子ビーム量あるいはＸ線量のいずれか１つを決定すればそれに連動して残りを決定する工程、（Ｂ）上述した所定の条件において一方の集束手段の操作量を決定すればそれに連動して他方の集束手段の操作量を決定する工程を備えている。このように（Ａ）および（Ｂ）の工程によりターゲットに到達する電子ビーム量（ターゲット電流）を制御して、制御されたターゲット電流からＸ線量を制御する。その結果、ウェネルト電極を操作してウェネルト電極付近の電子ビーム量（エミッション電流）を制御するとともにＸ線量を制御する手法と比較すると、電子ビーム量およびＸ線量を正確に制御することができる。   According to the X-ray generation control method and apparatus therefor according to the present invention, (A) about two focusing means among a plurality of focusing means, an operation amount for operating the one focusing means under a predetermined condition, or reaching a target If any one of the electron beam amount and the X-ray dose to be determined is determined, the remaining step is determined in conjunction with it. (B) If the operation amount of one focusing means is determined under the above-mentioned predetermined conditions, it is interlocked with it. A step of determining an operation amount of the other focusing means. In this way, the amount of electron beam (target current) reaching the target is controlled by the steps (A) and (B), and the X-ray dose is controlled from the controlled target current. As a result, the electron beam amount and the X-ray dose can be accurately controlled as compared with the method of controlling the X-ray dose while controlling the electron beam amount (emission current) near the Wehnelt electrode by operating the Wehnelt electrode.

以下、図面を参照してこの発明の実施例１を説明する。   Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１は、実施例１に係るＸ線管およびそれを制御する制御用のインターフェイスから構築されるシステム全体の概略図であり、図２は、Ｘ線管の構成を示す概略断面図であり、図３は、インターフェイスの構成を示すブロック図である。   FIG. 1 is a schematic view of an entire system constructed from an X-ray tube according to a first embodiment and a control interface for controlling the X-ray tube, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the X-ray tube. FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the interface.

図１、図２に示すＸ線管１はＸ線非破壊検査機器など代表されるＸ線撮像装置Ａに用いられ、Ｘ線撮像装置Ａは、Ｘ線管１と、Ｘ線管１から照射されたＸ線を検出するＸ線検出器２とを備えている。Ｘ線検出器２は、例えばイメージインテンシファイア（Ｉ．Ｉ）やフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）などがある。Ｘ線管１から照射されたＸ線をＸ線検出器２が検出することで、検出されたＸ線に基づいてＸ線画像を撮像する。Ｘ線管１は、この発明におけるＸ線発生装置に相当し、Ｘ線検出器２は、この発明におけるＸ線検出手段に相当する。   An X-ray tube 1 shown in FIGS. 1 and 2 is used in a representative X-ray imaging apparatus A such as an X-ray nondestructive inspection device. The X-ray imaging apparatus A irradiates from the X-ray tube 1 and the X-ray tube 1. And an X-ray detector 2 for detecting the generated X-rays. Examples of the X-ray detector 2 include an image intensifier (II) and a flat panel X-ray detector (FPD). When the X-ray detector 2 detects the X-rays emitted from the X-ray tube 1, an X-ray image is captured based on the detected X-rays. The X-ray tube 1 corresponds to the X-ray generator in the present invention, and the X-ray detector 2 corresponds to the X-ray detection means in the present invention.

このＸ線撮像装置Ａとは別に、図１に示すように、本実施例１に係るシステムＳは、Ｘ線管１、およびそれを制御する制御用のインターフェイス３から構築される。Ｘ線管１とインターフェイス３とは電気ケーブルなどに代表される伝送手段によって相互に電気的に接続されている。なお、本実施例１では、インターフェイス３は、Ｘ線管１を制御するために用いられるが、Ｘ線撮像装置Ａを制御するのを兼用してもよい。インターフェイス３は、この発明におけるＸ線発生制御装置に相当する。   Apart from the X-ray imaging apparatus A, as shown in FIG. 1, a system S according to the first embodiment is constructed from an X-ray tube 1 and a control interface 3 that controls the system. The X-ray tube 1 and the interface 3 are electrically connected to each other by transmission means represented by an electric cable or the like. In the first embodiment, the interface 3 is used to control the X-ray tube 1, but it may also be used to control the X-ray imaging apparatus A. The interface 3 corresponds to the X-ray generation control device in the present invention.

Ｘ線管１は、図２に示すように、電子ビームＢを発生させる陰極（カソード）１１と、この陰極１１に対向配置され、陰極１１からの電子ビームＢの衝突によりＸ線を発生させるターゲット１２と、陰極１１とターゲット１２との間に配置され、電子ビームＢを集束させる２つの集束コイル１３を備えている。つまり、集束コイル１３を２段に設けている。本明細書中では、陰極１１側の集束コイル１３を『第１集束コイル１３1』とし、ターゲット１２側の集束コイル１３を『第２集束コイル１３2』とする。なお、特に断りがないときには『集束コイル１３』で統一して以下を説明する。 As shown in FIG. 2, the X-ray tube 1 includes a cathode (cathode) 11 that generates an electron beam B and a target that is opposed to the cathode 11 and generates X-rays by the collision of the electron beam B from the cathode 11. 12 and two focusing coils 13 which are disposed between the cathode 11 and the target 12 and focus the electron beam B. That is, the focusing coil 13 is provided in two stages. In the present specification, the focusing coil 13 on the cathode 11 side is referred to as “first focusing coil 13 1 ”, and the focusing coil 13 on the target 12 side is referred to as “second focusing coil 13 2 ”. If there is no notice in particular, the following explanation will be made by unifying “focusing coil 13”.

なお、本実施例１では、陰極１１として６ホウ化ランタン（ＬａＢ6）や６ホウ化セリウム（ＣｅＢ6）などで形成された単結晶あるいは焼結体のチップを用いている。このチップは、タングステンで形成されたフィラメントと比較すると消耗や切断に強い。陰極１１は、この発明における電子源に相当し、ターゲット１２は、この発明におけるターゲットに相当し、集束コイル１３は、この発明における集束手段に相当する。また、第１集束コイル１３1は、第１集束手段に相当し、集束コイル１３1は、第２集束手段に相当する。 In Example 1, a single crystal or sintered chip formed of lanthanum hexaboride (LaB 6 ), cerium hexaboride (CeB 6 ), or the like is used as the cathode 11. This chip is more resistant to wear and cut than a filament made of tungsten. The cathode 11 corresponds to the electron source in the present invention, the target 12 corresponds to the target in the present invention, and the focusing coil 13 corresponds to the focusing means in the present invention. The first focusing coil 13 1 corresponds to first focusing means, and the focusing coil 13 1 corresponds to second focusing means.

集束コイル１３は円環状に構成されており、その中心には電子ビームＢを絞る絞り孔１４を有したアパーチャ１５を配設している。各集束コイル１３は、Ｘ線管１の外部にあってインターフェイス３にある各レンズ電源３１を介してコントローラ３２に接続されており、レンズ電源１３から集束コイル１３に電流を流すことで磁界を発生させて、光学の集束レンズと同様に集束コイル１３は電子ビームＢを集束させる。なお、集束コイル１３は、それに流す電流、すなわち励起強度を変えることで電子ビームＢの焦点距離を自在に変えることができる。本明細書中では、第１集束コイル１３1に電流を流すレンズ電源３１を『第１レンズ電源３１1』とし、第２集束コイル１３2に電流を流すレンズ電源３１を『第２レンズ電源３１2』とする。なお、特に断りがないときには『レンズ電源３１』で統一して以下を説明する。レンズ電源３１およびコントローラ３２については、インターフェイス３の説明で後述する。 The focusing coil 13 is formed in an annular shape, and an aperture 15 having a diaphragm hole 14 for focusing the electron beam B is disposed at the center thereof. Each focusing coil 13 is connected to the controller 32 via each lens power source 31 in the interface 3 outside the X-ray tube 1, and generates a magnetic field by passing a current from the lens power source 13 to the focusing coil 13. Thus, the focusing coil 13 focuses the electron beam B in the same manner as the optical focusing lens. The focusing coil 13 can freely change the focal length of the electron beam B by changing the current passed through it, that is, the excitation intensity. In the present specification, the lens power supply 31 for supplying current to the first focusing coil 13 1 is referred to as “first lens power supply 31 1 ”, and the lens power supply 31 for supplying current to the second focusing coil 13 2 is referred to as “second lens power supply 31. 2 ”. If there is no notice, the following description will be made with the “lens power supply 31” unified. The lens power supply 31 and the controller 32 will be described later in the description of the interface 3.

陰極１１と第１集束コイル１３1との間には、陰極１１から第１集束コイル１３1に向かう電子ビームＢの照射方向に、ウェネルト電極１６，陽極（アノード）１７を順に配設している。なお、陽極１７は、通常では接地電位となっている。 Between the cathode 11 and the first focusing coil 13 1 , a Wehnelt electrode 16 and an anode (anode) 17 are arranged in this order in the irradiation direction of the electron beam B from the cathode 11 toward the first focusing coil 13 1 . . The anode 17 is normally at ground potential.

ウェネルト電極１６は、陽極１７によって引き出される陰極１１からの電子ビームＢの電子ビーム量（すなわちエミッション電流）を制御するもので、ウェネルト電極１６の電位によって電子ビーム量が変化する。陽極１７は、陰極１１から発生する電子ビームＢを引き出す。この陽極１７による引き出しで電子ビームＢはターゲット１２に向かって加速する。上述したこれらの陰極１１とウェネルト電極１６と陽極１７とで電子銃を構成している。   The Wehnelt electrode 16 controls the amount of electron beam B (ie, emission current) of the electron beam B extracted from the cathode 11 by the anode 17, and the amount of electron beam varies depending on the potential of the Wehnelt electrode 16. The anode 17 extracts the electron beam B generated from the cathode 11. The extraction by the anode 17 accelerates the electron beam B toward the target 12. These cathode 11, Wehnelt electrode 16, and anode 17 constitute an electron gun.

この他に、陰極１１と第２集束コイル１３2との間には、図示を省略する偏向コイルを備えており、電子ビームＢの照射を偏向する。そして、この偏向コイルに電流を流すことで磁界を発生させて偏向を行う。偏向コイルの配設箇所や、配設個数については特に限定されず、陰極１１と第２集束コイル１３2との間であれば、電子ビームＢの照射状況に応じて適宜変更することができる。 In addition, between the cathode 11 and the second focusing coil 13 2 is provided with deflection coils not shown, for deflecting the electron beam irradiation B. Then, a current is passed through the deflection coil to generate a magnetic field and perform deflection. Distribution設箇plants and the deflection coils, is not particularly restricted but the distribution設個number, if between the cathode 11 and the second focusing coil 13 2, can be changed according to the irradiation conditions of the electron beam B.

次に、インターフェイス３の具体的な構成について、図３を参照して説明する。インターフェイス３は、上述したレンズ電源３１およびコントローラ３２の他に、入力部３３やモニタ３４やメモリ部３５を備えている。   Next, a specific configuration of the interface 3 will be described with reference to FIG. The interface 3 includes an input unit 33, a monitor 34, and a memory unit 35 in addition to the lens power supply 31 and the controller 32 described above.

コントローラ３２は、インターフェイス３内に備えられた各構成やＸ線管１を統括制御し、入力部３３から入力された最終的に制御されるべき、ターゲット１２に到達した電子ビーム量（すなわちターゲット電流）を、コントローラ３２を介して、モニタ３４に表示させる。また、本実施例１では、コントローラ３２は、入力部３３によって入力された制御の対象である上述のターゲット電流およびメモリ部３５内に予め記憶された第１近似プログラム３５ａに基づいて、一方の集束コイル１３に相当する第１集束コイル１３1の励起強度を演算し、さらには、演算された第１集束コイル１３1の励起強度および第２近似プログラム３５ｂに基づいて、他方の集束コイル１３に相当する第２集束コイル１３2の励起強度を演算する。コントローラ３２は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成されている。コントローラ３２は、演算手段に相当し、本実施例１ではこの発明における第１演算手段および第２演算手段に相当する。 The controller 32 comprehensively controls each component provided in the interface 3 and the X-ray tube 1, and the amount of electron beam reaching the target 12 (that is, the target current) to be finally controlled input from the input unit 33. ) Is displayed on the monitor 34 via the controller 32. Further, in the first embodiment, the controller 32 has one focusing based on the above-described target current that is the object of control input by the input unit 33 and the first approximate program 35 a stored in the memory unit 35 in advance. The excitation intensity of the first focusing coil 13 1 corresponding to the coil 13 is calculated, and further, it corresponds to the other focusing coil 13 based on the calculated excitation intensity of the first focusing coil 13 1 and the second approximate program 35b. calculating a second excitation intensity of the focused coil 13 2. The controller 32 includes a central processing unit (CPU). The controller 32 corresponds to the calculation means, and in the first embodiment, it corresponds to the first calculation means and the second calculation means in the present invention.

入力部３３は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。オペレータは、入力部３３で制御の対象である電子ビーム量を入力し、コントローラ３２を介して、モニタ３４に入力したデータを与える。入力部３３は、この発明における入力手段に相当する。   The input unit 33 includes a pointing device represented by a mouse, a keyboard, a joystick, a trackball, a touch panel, and the like. The operator inputs the amount of electron beam to be controlled by the input unit 33 and gives the input data to the monitor 34 via the controller 32. The input unit 33 corresponds to the input means in this invention.

モニタ３４は、後述する図６に示すような操作画面を表示したり、入力部３３から入力された電子ビーム量を表示する。モニタ３４は、この発明における表示手段に相当する。   The monitor 34 displays an operation screen as shown in FIG. 6 to be described later, and displays the amount of electron beam input from the input unit 33. The monitor 34 corresponds to the display means in this invention.

メモリ部３５は、コントローラ３２を介して送られてきた各種のデータを書き込んで記憶して、必要に応じて読み出す機能を備えている。メモリ部３５は、ＲＯＭ（Read-only Memory）やＲＡＭ（Random-Access Memory）などに代表される記憶媒体などで構成されている。また、メモリ部３５はプログラムを記憶しており、このプログラムを読み出してコントローラ３２が実行することで、プログラムに書かれた内容を実行する。本実施例１では、プログラムとして、第１集束コイル１３1の励起強度とターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）との相関関係（図５を参照）を関連づけた多項式近似（下記（１）式を参照）をプログラミングする第１近似プログラム３５ａと、第１集束コイル１３1および第２集束コイル１３2の各励起強度の相関関係（図５を参照）を関連付けた多項式近似（下記（２）式を参照）をプログラミングする第２近似プログラム３５ｂとを用いている。第１近似プログラム３５ａは、この発明における第１記憶手段に相当し、第２近似プログラム３５ｂは、この発明における第２記憶手段に相当する。また、第１集束コイル１３1の励起強度とターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）との相関関係は、この発明における第１相関関係に相当し、各集束コイル１３1，１３2の励起強度の相関関係は、この発明における第２相関関係に相当する。 The memory unit 35 has a function of writing and storing various data sent via the controller 32 and reading it out as necessary. The memory unit 35 is configured by a storage medium represented by ROM (Read-only Memory), RAM (Random-Access Memory), and the like. The memory unit 35 stores a program, and the controller 32 reads the program and executes it to execute the contents written in the program. In Example 1, as a program, the amount of the electron beam reaching the first excitation amplitude of focusing coils 13 1 and the target 12 polynomial approximation which associates the correlation between the (target current) (see Figure 5) (below (1 A polynomial approximation (see (2) below) that associates the first approximation program 35a for programming (see equation (1)) with the correlation (see FIG. 5) of the respective excitation intensities of the first focusing coil 13 1 and the second focusing coil 13 2 . And the second approximate program 35b for programming (see the equation). The first approximation program 35a corresponds to the first storage means in the present invention, and the second approximation program 35b corresponds to the second storage means in the present invention. The correlation between the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 and the amount of electron beam (target current) reaching the target 12 corresponds to the first correlation in the present invention, and each of the focusing coils 13 1 and 13 2 has a correlation. The correlation of the excitation intensity corresponds to the second correlation in the present invention.

続いて、Ｘ線発生制御方法に係る一連の処理について、図４のフローチャートおよび図５のグラフ、並びに図６の操作画面、図７のグラフを参照して説明する。   Next, a series of processes related to the X-ray generation control method will be described with reference to the flowchart in FIG. 4, the graph in FIG. 5, the operation screen in FIG. 6, and the graph in FIG. 7.

（ステップＳ１）操作画面を起動
図６に示すような操作画面４０を起動させてモニタ３４に表示する。操作画面４０は、入力部３３によって入力したデータを表示する。例えば、陰極１１に印加する管電圧の値を表示する管電圧値表示欄４１や、ターゲット１２に到達する制御の対象である電子ビーム量（ターゲット電流）を表示する欄を操作画面４０に設けている。本実施例１では、ターゲット電流に比例したＸ線輝度（以下、単に『輝度』と略記する）を表示する輝度表示欄４２を、ターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）を表示する欄の替わりに操作画面４０に設けている。 (Step S1) Start Operation Screen The operation screen 40 as shown in FIG. 6 is started and displayed on the monitor 34. The operation screen 40 displays data input by the input unit 33. For example, a tube voltage value display column 41 that displays the value of the tube voltage applied to the cathode 11 and a column that displays the amount of electron beam (target current) that is the target of control reaching the target 12 are provided on the operation screen 40. Yes. In the first embodiment, a luminance display column 42 that displays X-ray luminance proportional to the target current (hereinafter simply abbreviated as “luminance”) is displayed, and a column that displays the amount of electron beam (target current) that reaches the target 12. Instead of this, the operation screen 40 is provided.

（ステップＳ２）電子ビーム量（輝度）を入力・表示
まず、ターゲット電流に相当する輝度を入力部３３によって入力して、入力された輝度を操作画面４０の輝度表示欄４２に表示する。具体的には、入力された輝度を、コントローラ３２を介して、モニタ３４に与えて輝度表示欄４２に表示する（図６では『３０』）。輝度を入力するには、入力部３３のキーボードなどで輝度を輝度表示欄４２に直接に入力することで行ってもよいし、画面上において各表示欄４１，４２の直下に設けられたスキップボタン４３（図６では左から『<<』，『<』，『>』，『>>』）を入力部３３のマウスなどでクリックする（１回押す）ことで行ってもよいし、画面上において各スキップボタン４３の直下に設けられたスライドバー４４を入力部３３のマウスなどドラッグする（マウスの左ボタンでクリックした状態で移動させる）ことで行ってもよい。 (Step S2) Input / Display of Electron Beam Amount (Luminance) First, the luminance corresponding to the target current is input by the input unit 33, and the input luminance is displayed in the luminance display column 42 of the operation screen 40. Specifically, the input luminance is given to the monitor 34 via the controller 32 and displayed on the luminance display column 42 (“30” in FIG. 6). In order to input the luminance, the luminance may be directly input to the luminance display column 42 with the keyboard of the input unit 33, or a skip button provided directly below each display column 41, 42 on the screen. 43 (from the left in FIG. 6, “<<”, “<”, “>”, “>>”) may be performed by clicking (pressing once) with the mouse of the input unit 33 or on the screen. In this case, the slide bar 44 provided immediately below each skip button 43 may be dragged by the mouse or the like of the input unit 33 (moved in a state where the mouse is clicked with the left button of the mouse).

入力部３３のキーボードなどで輝度を輝度表示欄４２に直接に入力する場合には、入力部３３のマウスなどで輝度表示欄４２をクリックした後にキーボードなどで輝度を入力する。   When the luminance is directly input to the luminance display column 42 with the keyboard of the input unit 33, the luminance is input with the keyboard after the luminance display column 42 is clicked with the mouse of the input unit 33 or the like.

スキップボタン４３を入力部３３のマウスなどでクリックする場合には、先に輝度表示欄４２に入力された輝度をスキップボタン４３へのクリックに合わせて上下に変える。例えば、入力できる輝度が１００ポイントまで設定できる場合には、『>』のスキップボタン４３で輝度表示欄４２に入力された輝度を１ポイントずつ上げて入力していき、『<』のスキップボタン４３で輝度表示欄４２に入力された輝度を１ポイントずつ下げて入力していき、『>>』のスキップボタン４３で輝度表示欄４２に入力された輝度を１０ポイントずつ上げて入力していき、『<<』のスキップボタン４３で輝度表示欄４２に入力された輝度を１ポイントずつ上げて入力していく。なお、設定するポイント数やスキップするポイント数については上述した値に限定されない。   When the skip button 43 is clicked with the mouse of the input unit 33 or the like, the luminance input in the luminance display field 42 is changed up and down in accordance with the click on the skip button 43. For example, when the input brightness can be set up to 100 points, the “>” skip button 43 is used to input the brightness input to the brightness display field 42 one point at a time, and the “<” skip button 43 The brightness input in the brightness display field 42 is decreased one point at a time, and the “>>” skip button 43 is used to increase the brightness input in the brightness display field 42 by 10 points. The luminance input to the luminance display field 42 by the “<<” skip button 43 is increased by one point and input. Note that the number of points to be set and the number of points to be skipped are not limited to the values described above.

スライドバー４４を入力部３３のマウスなどドラッグする場合には、左から右へドラッグした場合には輝度を高く設定入力し、右から左へドラッグした場合には輝度を低く設定入力する。そして、右端までドラッグした場合にはもっとも高い輝度を入力し、左端までドラッグした場合にはもっとも低い輝度を入力する。   When the slide bar 44 is dragged with the mouse of the input unit 33, the luminance is set and input when the drag is performed from left to right, and the luminance is set and input when the drag is performed from right to left. When dragging to the right end, the highest luminance is input, and when dragging to the left end, the lowest luminance is input.

もちろん、これらの入力方法に限定されず、例えば、モニタ３４の操作画面４０に入力部３３のタッチパネルの機能を備えて、操作画面４０の各種のボタンやバーをオペレータが直接に触れて操作することで入力を行ってもよい。   Of course, the present invention is not limited to these input methods. For example, the operation screen 40 of the monitor 34 is provided with a touch panel function of the input unit 33, and an operator directly touches various buttons and bars on the operation screen 40. You may input with.

なお、同様に、管電圧値も入力部３３によって入力し、入力された管電圧値を操作画面４０の管電圧表示欄４１に表示する（図６では『６０』）。管電圧値の入力方法については、輝度の入力方法と同じである。なお、スキップボタン４３やスライドバー４４などを用いて入力することで、輝度や管電圧値などの入力データを連続的に設定変更することが可能である。このステップＳ２は、この発明における（Ｃ）の工程に相当する。   Similarly, the tube voltage value is also input by the input unit 33, and the input tube voltage value is displayed in the tube voltage display column 41 of the operation screen 40 ("60" in FIG. 6). The tube voltage value input method is the same as the luminance input method. Note that by inputting using the skip button 43, the slide bar 44, or the like, it is possible to continuously change the setting of input data such as luminance and tube voltage value. This step S2 corresponds to the step (C) in the present invention.

（ステップＳ３）第１集束コイルの励起強度を決定
各値を各々の表示欄４１，４２に入力したら、第１集束コイル１３1の励起強度を求める。第１集束コイル１３1の励起強度は、ステップＳ２で入力されたターゲット電流（本実施例１では輝度）および第１近似プログラム３５ａに基づいて求められる。第１近似プログラム３５ａは、第１集束コイル１３1の励起強度とターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）との相関関係を関連付けた多項式近似をプログラミングしている。この相関関係は、図５に示すとおりである。 (Step S3) When the decision values of the excitation intensity of the first focusing coil and input to each of the display column 41, obtaining a first excitation intensity of the focused coil 13 1. Excitation intensity of the first focusing coil 13 1 is determined based on the target current (in the first embodiment luminance) and a first approximation program 35a which is input in step S2. First approximation program 35a is programmed polynomial approximation that associates the correlation between the amount of the electron beam reaching the first focusing coil 13 1 of the excitation intensity and the target 12 (target current). This correlation is as shown in FIG.

図５は、ターゲット１２上に常に結像される条件の下で、第１集束コイル１３1の励起強度とターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）との相関関係、および第１集束コイル１３1および第２集束コイル１３2の各励起強度の相関関係を示すグラフである。図５中の横軸はｘ軸を表すとともに、左側縦軸はｙ軸を表す。ｘは第１集束コイル１３1の励起強度を規格化した値であるとともに、ｙは第２集束コイル１３2の励起強度を規格化した値である。したがって、励起強度が最大のときは規格化した値は１となり、励起強度が最小のときは規格化した値は０となる。また、図５中の右側縦軸はＤＢ軸を表す（図５では『相対Ｘ線強度（デシベル標示）』）。ＤＢは、最小励起強度のときの電子ビーム量に対する相対ビーム量をデシベル（ＤＢ）標示したものである。Ｍを第１集束コイル１３1および第２集束コイル１３2のレンズ系の総合倍率とし、Ｍ0を第１集束コイル１３1の最小励起強度時に得られるレンズ系の最小倍率としたときに、Ｍ0に対するＭの倍率比（Ｍ／Ｍ0）の２乗が相対ビーム量に相当するので、１０×ｌｏｇ10（Ｍ2／Ｍ0 2）でＤＢは表される。 5, under conditions which are always focused on the target 12, the correlation between the amount of the electron beam reaching the first focusing coil 13 1 of the excitation intensity and the target 12 (target current), and the first focusing coil 13 1 and the second focusing coil 13 2 is a graph showing the correlation between the excitation intensity. The horizontal axis in FIG. 5 represents the x axis, and the left vertical axis represents the y axis. x is a value obtained by normalizing the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 , and y is a value obtained by normalizing the excitation intensity of the second focusing coil 13 2 . Therefore, when the excitation intensity is maximum, the normalized value is 1, and when the excitation intensity is minimum, the normalized value is 0. Further, the right vertical axis in FIG. 5 represents the DB axis (“relative X-ray intensity (decibel labeling)” in FIG. 5). DB is a decibel (DB) indication of the relative beam amount with respect to the electron beam amount at the minimum excitation intensity. When M is the total magnification of the lens system of the first focusing coil 13 1 and the second focusing coil 13 2 , and M 0 is the minimum magnification of the lens system obtained at the minimum excitation intensity of the first focusing coil 13 1 , M Since the square of the magnification ratio (M / M 0 ) of M with respect to 0 corresponds to the relative beam amount, DB is represented by 10 × log 10 (M 2 / M 0 2 ).

なお、電子ビーム量の替わりにＸ線量についてデシベル標示した場合、すなわち最小励起強度のときのＸ線量に対する相対Ｘ線量をデシベル標示した場合においても、比の値をデシベル標示するので、電子ビーム量に対する相対ビーム量でも、Ｘ線量に対する相対Ｘ線量でも同じ値である。したがって、図５の右側縦軸にも示すように、電子ビーム量に対する相対ビーム量は、相対Ｘ線量（相対Ｘ線強度）と同等である。   In addition, when the X-ray dose is expressed in decibels instead of the electron beam dose, that is, when the relative X-ray dose with respect to the X-dose at the minimum excitation intensity is indicated in decibels, the value of the ratio is indicated in decibels. The value is the same for both the relative beam dose and the relative X dose relative to the X dose. Accordingly, as shown in the right vertical axis of FIG. 5, the relative beam amount with respect to the electron beam amount is equivalent to the relative X-ray dose (relative X-ray intensity).

各相関関係は数値シミュレーションによってそれぞれ求められる。この数値シミュレーションは、ターゲット１２上に常に結像される条件の下で、第１集束コイル１３1の励起強度とターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）とを関連付けた下記（１）式、および同じくターゲット１２上に常に結像される条件の下で、第１集束コイル１３1および第２集束コイル１３2の各励起強度を関連付けた下記（２）式からそれぞれ求められる。 Each correlation is obtained by numerical simulation. The numerical simulation, under the condition that is always focused on the target 12, the electron beam dose (target current) and the associated the following (1) to reach the first focusing coil 13 1 of the excitation intensity and the target 12 , And also under the condition that the image is always formed on the target 12, it is obtained from the following equation (2) in which the excitation intensities of the first focusing coil 13 1 and the second focusing coil 13 2 are associated with each other.

ＤＢ＝１０×ｌｏｇ10（Ｍ2／Ｍ0 2）＝α×ｘ2＋β×ｘ4 …（１）
ｙ＝１＋ａ×ｘ2＋ｂ×ｘ4＋ｃ×ｘ6＋ｄ×ｘ8 …（２）
ここで、各相関関係を満たすためには（１）、（２）式中の各係数α、β、ａ、ｂ、ｃ、ｄを、数値シミュレーションで求めた各相関関係をもっとも忠実に近似するように求める。 DB = 10 × log 10 (M 2 / M 0 2 ) = α × x 2 + β × x 4 (1)
y = 1 + a × x 2 + b × x 4 + c × x 6 + d × x 8 (2)
Here, in order to satisfy each correlation, the coefficients α, β, a, b, c, and d in the equations (1) and (2) are approximated most faithfully to the correlations obtained by numerical simulation. Asking.

上記（１）および（２）式は近似多項式で表されており、（１）式を４次式までの多項式で近似しており、（２）式を８次式までの多項式で近似している。（１）式をプログラミングした内容は第１近似プログラム３５ａであって、（２）式をプログラミングした内容は第２近似プログラム３５ｂである。（１）式は、図５では点線に示す相関関係となり、（２）式は、図５では実線に示す相関関係となる。なお、図５では図示を省略するが、実際に測定された第１集束コイル１３1および第２集束コイル１３2の各励起強度の相関関係は上記（２）式で示した実線のグラフと一致し、実際に測定された第１集束コイル１３1の励起強度とターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）との相関関係も、上記（１）式で示した点線のグラフと一致する。 The above formulas (1) and (2) are expressed by approximate polynomials, the formula (1) is approximated by polynomials up to the fourth order, and the formula (2) is approximated by polynomials up to the eighth order. Yes. The content programmed by the equation (1) is the first approximate program 35a, and the content programmed by the equation (2) is the second approximate program 35b. The equation (1) is the correlation indicated by the dotted line in FIG. 5, and the equation (2) is the correlation indicated by the solid line in FIG. Although not shown in FIG. 5, the correlation between the actually measured excitation intensities of the first focusing coil 13 1 and the second focusing coil 13 2 is the same as the solid line graph shown in the above equation (2). We, the correlation between the amount of the electron beam actually measured reaches the first excitation intensity of focusing coils 13 1 and the target 12 (target current) is also consistent with the dotted line of the graph shown in the above (1).

この図５のグラフからも、レンズ系倍率が最小のとき、すなわち図５では第１集束コイル１３1の励起強度を規格化した値ｘが０のとき、Ｍ0に対するＭの倍率比（Ｍ／Ｍ0）が１であるので、ＤＢ（＝１０×ｌｏｇ10（Ｍ2／Ｍ0 2））が０となるのがわかる。そして、レンズ系倍率が最小（第１集束コイル１３1に流す電流が０）のとき、ターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）も最少であるが、第１集束コイル１３1の励起強度を規格化した値ｘを大きく（第１集束コイル１３1の励起強度を強く）するとターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）が増大するのがわかる。なお、ターゲット電流が増大することでそれに比例するＸ線量も増大する。 From the graph of FIG. 5 also, when the lens system magnification is minimum, that is, when the value x obtained by normalizing the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 is 0 in FIG. 5, the magnification ratio of M to M 0 (M / Since M 0 ) is 1, it can be seen that DB (= 10 × log 10 (M 2 / M 0 2 )) is 0. When the lens system magnification is minimum (the current flowing through the first focusing coil 13 1 is 0), the amount of electron beam (target current) reaching the target 12 is also minimum, but the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 is small. the greatly normalized value x (strongly first excitation intensity of the focused coil 13 to 1), the amount of the electron beam reaching the target 12 reveals that the (target current) is increased. As the target current increases, the X-ray dose proportional to the target current also increases.

このように、図７（ａ）に示すように、ステップＳ２で入力されたターゲット電流（輝度）をデシベル標示して、図５中の点線のグラフに当てはめて、そのグラフ上で交わった値ｘが、第１集束コイル１３1の励起強度として決定される。図５では正規化されているので、実際には励起強度として求める。このステップＳ３は、この発明における（Ａ）の工程に相当し、この発明における（Ａ1）の工程にも相当する。また、図７（ａ）のような演算は、この発明における第１演算に相当する。 In this way, as shown in FIG. 7A, the target current (luminance) input in step S2 is indicated in decibels, applied to the dotted line graph in FIG. 5, and the value x intersected on the graph Is determined as the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 . Since it is normalized in FIG. 5, it is actually obtained as the excitation intensity. This step S3 corresponds to the step (A) in the present invention, and also corresponds to the step (A 1 ) in the present invention. Further, the calculation as shown in FIG. 7A corresponds to the first calculation in the present invention.

（ステップＳ４）第２集束コイルの励起強度を決定
第１集束コイル１３1の励起強度を決定したら、第２集束コイル１３2の励起強度を求める。第２集束コイル１３2の励起強度は、ステップＳ３の演算で決定された第１集束コイル１３1の励起強度および第２近似プログラム３５ｂに基づいて求められる。上述したように、第２近似プログラム３５ｂは、第１集束コイル１３1および第２集束コイル１３2の各励起強度の相関関係を関連付けた多項式近似をプログラミングしている（図５中の実線および上記（２）式を参照）。 (Step S4) Determination of the excitation intensity of the second focusing coil Once the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 is determined, the excitation intensity of the second focusing coil 13 2 is obtained. The excitation intensity of the second focusing coil 13 2 is obtained based on the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 determined by the calculation in step S3 and the second approximation program 35b. As described above, the second approximation program 35b is programmed with polynomial approximation that correlates the correlation between the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 and the second focusing coil 13 2 (the solid line in FIG. (See equation (2)).

具体的に説明すると、図７（ｂ）に示すように、ステップＳ３で決定された第１集束コイル１３1の励起強度を、図５中の実線のグラフに当てはめて、そのグラフ上で交わった値ｙが、第２集束コイル１３2の励起強度として決定される。実際には、正規化されているので正規化する前の励起強度を求める。このステップＳ４は、この発明における（Ｂ）の工程に相当し、この発明における（Ｂ1）の工程にも相当する。また、図７（ｂ）のような演算は、この発明における第２演算に相当する。 More specifically, as shown in FIG. 7 (b), the first excitation intensity of focusing coils 13 1 determined at step S3, by applying the solid line graph in FIG. 5, intersects on the graph value y is determined as the excitation intensity of the second focusing coil 13 2. Actually, since it is normalized, the excitation intensity before normalization is obtained. This step S4 corresponds to the step (B) in the present invention, and also corresponds to the step (B 1 ) in the present invention. Further, the calculation as shown in FIG. 7B corresponds to the second calculation in the present invention.

（ステップＳ５）両集束コイルの励起強度で操作
ステップＳ３，Ｓ４でそれぞれ求められた第１，第２集束コイル１３1，１３2の励起強度を、各第１，第２レンズ電源３１1，３１2を介して第１，第２集束コイル１３1，１３2に与えて両集束コイル１３1，１３2を操作する。 (Step S5) Operation with Excitation Intensities of Both Focusing Coils The excitation strengths of the first and second focusing coils 13 1 and 13 2 obtained in steps S3 and S4 are used as the first and second lens power supplies 31 1 and 31, respectively. the first through the 2, second focusing coil 13 1, 13 2 both focusing coil 13 1 is given to the 13 2 to manipulate.

両第１、第２集束コイル１３1，１３2を上述した励起強度の条件で操作した状態で、ステップＳ２で入力された管電圧値で陰極１１から電子ビームＢを発生させる。ウェネルト電極１６の電位でその付近の電子ビーム量（エミッション電流）を制御して、陽極１７による引き出しで電子ビームＢはターゲット１２に向かって加速する。途中で、ステップＳ３，Ｓ４でそれぞれ求められた各集束コイル１３1，１３2の励起強度の条件で集束コイル１３は磁界を発生させて、電子ビームＢを集束させる。ターゲット１２に到達した電子ビームＢがそのターゲット１２に衝突することでＸ線が発生する。このＸ線量はステップＳ２で入力された制御されるべき電子ビーム量に比例するので、所望のＸ線量を得ることができる。 In a state where both the first and second focusing coils 13 1 and 13 2 are operated under the above-described excitation intensity conditions, the electron beam B is generated from the cathode 11 with the tube voltage value input in step S2. The electron beam amount (emission current) in the vicinity thereof is controlled by the potential of the Wehnelt electrode 16, and the electron beam B is accelerated toward the target 12 by being extracted by the anode 17. On the way, the focusing coil 13 generates a magnetic field and focuses the electron beam B under the excitation intensity conditions of the focusing coils 13 1 and 13 2 obtained in steps S3 and S4, respectively. X-rays are generated when the electron beam B reaching the target 12 collides with the target 12. Since this X-ray dose is proportional to the amount of electron beam to be controlled input in step S2, a desired X-ray dose can be obtained.

以上のように構成されたＸ線管１およびそれを制御するインターフェイス３からなる本実施例１のシステムＳによれば、（Ａ）２つの第１、第２集束コイル１３1，１３2について、所定の条件（本実施例１ではターゲット１２上に常に結像される条件）において、一方の集束コイル（本実施例１では第１集束コイル１３1）を操作する操作量（本実施例１では励起強度）、またはターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）のいずれか１つを決定すればそれに連動して残りを決定する工程（ステップＳ３）、（Ｂ）上述した所定の条件において、一方の集束コイルである第１集束コイル１３1の操作量を決定すればそれに連動して他方の集束コイル（本実施例１では第２集束コイル１３2）の操作量を決定する工程（ステップＳ４）を備えている。 According to the system S of the first embodiment including the X-ray tube 1 configured as described above and the interface 3 for controlling the X-ray tube, (A) the two first and second focusing coils 13 1 and 13 2 are: An operation amount (in the first embodiment, in the first embodiment) for operating one of the focusing coils (first focusing coil 13 1 in the first embodiment) under a predetermined condition (a condition in which the image is always formed on the target 12 in the first embodiment). (Excitation intensity) or a step (step S3) for determining the remaining amount in conjunction with determining one of the electron beam amount (target current) reaching the target 12 (B) If the operation amount of the first focusing coil 13 1 , which is one focusing coil, is determined, the operation amount of the other focusing coil (the second focusing coil 13 2 in the first embodiment) is determined in conjunction with it (step) S4).

本実施例１のように、ターゲット１２に到達する制御されるべき電子ビーム量（ターゲット電流）から先に決定して、第１集束コイル１３1の操作量および第２集束コイル１３2の操作量を決定する場合には、先ず上述したターゲット電流（本実施例１では輝度）を決定すれば、ステップＳ３においてターゲット電流に連動して第１集束コイル１３1の操作量を決定し、その後に、決定された第１集束コイル１３1の操作量に連動して、ステップＳ４において第２集束コイル１３2の操作量を決定する。このようにステップＳ３，Ｓ４によりターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）を制御して、制御されたターゲット電流からＸ線量を制御する。その結果、ウェネルト電極１６を操作してウェネルト１６電極付近の電子ビーム量（エミッション電流）を制御するとともにＸ線量を制御する手法と比較すると、電子ビーム量およびＸ線量を正確に制御することができる。 As in the present embodiment 1, the amount of electron beam to be controlled to reach the target 12 and previously determined from the (target current), the operation amount of the first focusing coil 13 1 and the second operation amount of the focusing coil 13 2 when determining the may be determined first above target current (in the first embodiment luminance) to determine the first amount of operation of the focusing coil 13 1 in conjunction with the target current in step S3, thereafter, in conjunction with the first operation amount of the focusing coil 13 1 is determined, to determine a second operation amount of the focusing coil 13 2 in step S4. In this way, the amount of electron beam (target current) reaching the target 12 is controlled by steps S3 and S4, and the X-ray dose is controlled from the controlled target current. As a result, the electron beam amount and the X-ray dose can be accurately controlled as compared with the method of controlling the X-ray dose while controlling the electron beam amount (emission current) in the vicinity of the Wehnelt electrode 16 by operating the Wehnelt electrode 16. .

また、本実施例１の場合には、（Ｃ）ターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）を入力により決定する工程（ステップＳ２）を備えている。ステップＳ２においてターゲット電流を入力により決定すれば、ステップＳ３において一方の集束コイルである第１集束コイル１３1の操作量（本実施例１では励起強度）、およびステップＳ２で入力されたターゲット電流について互いの関係が所定の条件（本実施例１ではターゲット１２上に常に結像される条件）において成立する相関関係（図５中の点線および上記（１）式を参照）に基づく演算により、第１集束コイル１３1の操作量（本実施例１では励起強度）を決定する。その後に、ステップＳ４において、演算された第１集束コイル１３1の操作量、および他方の集束コイルである第２集束コイル１３2の操作量について互いの関係が所定の条件において成立する相関関係（図５中の実線および上記（２）式を参照）に基づく演算により、第２集束コイル１３2の操作量（本実施例１では励起強度）を演算する。 In the case of the first embodiment, the method includes (C) a step (step S2) of determining an electron beam amount (target current) reaching the target 12 by input. Be determined by the input target current in the step S2, a first operation amount of the focusing coil 13 1 is one of the focusing coils in the step S3 (excitation intensity in the first embodiment), and the target current is input in step S2 By calculation based on a correlation (see the dotted line in FIG. 5 and the above equation (1)) that is established under a predetermined condition (a condition in which the image is always imaged on the target 12 in the first embodiment), determining one manipulated variable focusing coil 13 1 (excitation amplitude in the first embodiment). Thereafter, in step S4, a correlation is established in which the relationship between the calculated operation amount of the first focusing coil 13 1 and the operation amount of the second focusing coil 13 2 that is the other focusing coil is established under a predetermined condition ( by calculation based on Fig. 5 in solid lines and the see (2)), and calculates the operation amount of the second focusing coil 13 2 (excitation intensity in the first embodiment).

このように、所定の条件の下では、ターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）を入力すれば、第１集束コイル１３1の操作量，第２集束コイル１３2の操作量の順に決定される。そして、上述した演算で演算された２つの第１、第２集束コイル１３1，１３2の操作量に基づいて各集束コイル１３を操作することで、先に入力されたターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）が制御される。ターゲット電流にＸ線量は比例するので、これらの操作量に基づいて集束コイル１３を操作することで、先に入力されたＸ線量も制御される。 As described above, under the predetermined condition, if the amount of electron beam (target current) reaching the target 12 is input, the operation amount of the first focusing coil 13 1 and the operation amount of the second focusing coil 13 2 are determined in this order. Is done. Then, by operating each focusing coil 13 based on the operation amounts of the two first and second focusing coils 13 1 and 13 2 calculated by the above-described calculation, the electrons that reach the target 12 previously input. The beam amount (target current) is controlled. Since the X-ray dose is proportional to the target current, the X-ray dose input earlier is also controlled by operating the focusing coil 13 based on these manipulated variables.

また、本実施例１では、所定の条件が、電子ビームＢがターゲット１２上に常に結像される条件であって、操作量が、第１、第２集束コイル１３1，１３2に流す電流に関する励起強度であって、操作量の相関関係が、各集束コイル１３1，１３2の励起強度について互いの関係が成立する関係である。そして、ステップＳ４において、電子ビームＢを発生させる陰極１１側に位置する第１集束コイル１３1の励起強度から励起強度の相関関係に関する多項式近似を用いて、ターゲット１２側に位置する第２集束コイル１３2の励起強度を演算するので、第１集束コイル１３1の操作量をステップＳ３で先に決定することで、第２集束コイル１３2の操作量が励起強度の相関関係に関する多項式近似（上記（２）式を参照）の演算によりステップＳ４で決定される。つまり、第１集束コイル１３1の操作量を変動させると、励起強度の相関関係を保ったまま他方の第２集束コイル１３2の操作量が連動することになる。 In the first embodiment, the predetermined condition is a condition in which the electron beam B is always imaged on the target 12, and the operation amount is the current that flows through the first and second focusing coils 13 1 and 13 2. The correlation between the manipulated variables is a relationship in which the mutual relationship is established with respect to the excitation intensity of each of the focusing coils 13 1 and 13 2 . Then, in step S4, using the polynomial approximation for the correlation of the excitation intensity from the first excitation amplitude of focusing coils 13 1 located on the cathode 11 side for generating an electron beam B, a second focusing coil located target 12 side Since the excitation intensity of 13 2 is calculated, the operation amount of the first focusing coil 13 1 is first determined in step S3, so that the operation amount of the second focusing coil 13 2 is approximated by a polynomial approximation relating to the correlation of the excitation intensity (above It is determined in step S4 by the calculation of (see equation (2)). That is, if the operation amount of the first focusing coil 13 1 is varied, the operation amount of the other second focusing coil 13 2 is interlocked while maintaining the correlation of the excitation intensity.

また、本実施例１では、第１集束コイル１３1の励起強度が０の場合、すなわち第１集束コイル１３1に流す電流が０の場合には、ターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）も最少であるが、第１集束コイル１３1の励起強度を強くするとターゲット電流が増大する。より具体的に、図１５を参照して説明する。図１５は、通常の操作においてＸ線管の各段の集束コイルの励起強度をそれぞれ変えたときの陰極からの電子ビームの照射状態を示す概略図である。 In the first embodiment, when the first excitation intensity of focusing coils 13 1 is 0, when that is, the current flowing through the first focusing coil 13 1 is 0, the amount of the electron beam reaching the target 12 (the target current ) is also a minimum, the target current when strong first excitation intensity of focusing coils 13 1 increases. This will be described more specifically with reference to FIG. FIG. 15 is a schematic view showing an irradiation state of the electron beam from the cathode when the excitation intensity of the focusing coil at each stage of the X-ray tube is changed in a normal operation.

第１集束コイル１３1に流す電流が０の場合には、図１５（ａ）に示すような状態となる。この場合には、レンズ系の総合倍率Ｍは最小倍率Ｍ0となり、ターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）も最少である。電子ビームＢがターゲット１２上に常に結像される条件の下で、第１集束コイル１３1の励起強度を増大させると、それに連動して第２集束コイル１３2の励起強度は小さくなり、図１５（ｂ）に示すような状態となり、さらに第１集束コイル１３1の励起強度を増大させて、それに連動して第２集束コイル１３2の励起強度は小さくなり、図１５（ｃ）に示すような状態となる。そして、図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１５（ｃ）の順に第１集束コイル１３1の励起強度を強くすると、それに伴ってターゲット電流は増大する。 When the current is zero flow to the first focusing coil 13 1 it is in the state shown in Figure 15 (a). In this case, the overall magnification M of the lens system is the minimum magnification M 0 , and the amount of electron beam (target current) reaching the target 12 is also minimal. When the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 is increased under the condition that the electron beam B is always imaged on the target 12, the excitation intensity of the second focusing coil 13 2 decreases accordingly. 15 (b), the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 is further increased, and the excitation intensity of the second focusing coil 13 2 is decreased in conjunction with this, as shown in FIG. 15 (c). It will be in such a state. Then, FIG. 15 (a), the FIG. 15 (b), the when strong first excitation intensity of focusing coils 13 1 in the order of FIG. 15 (c), the target current increases accordingly.

そこで、ステップＳ３において、かかる関係について上記（１）式の多項式近似式を用いて関連付けることで、ターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）およびＸ線量を正確に制御することができる。具体的に説明すると、本実施例１の場合には、制御されるべきターゲット電流をステップＳ２で先に入力することで、その入力されたターゲット電流から第１集束コイル１３1の励起強度をステップＳ３で演算して、その演算された第１集束コイル１３1の励起強度で第１集束コイル１３1を操作することで、先に入力されたターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）、さらにはＸ線量を制御することになる。 Therefore, in step S3, by associating such a relationship using the polynomial approximation formula (1), the amount of electron beam (target current) and the X-ray dose reaching the target 12 can be accurately controlled. Step More specifically, in the case of the first embodiment, the target current to be controlled by the previously input in Step S2, an excitation intensity of the first focusing coil 13 1 from the target current that is the input and calculated in S3, by operating the first focusing coil 13 1 in the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 is the operation, the amount of the electron beam reaching the target 12 which is previously input (target current) Furthermore, the X-ray dose is controlled.

また、入力されたターゲット電流（本実施例１では輝度）をモニタ３４に表示するので、モニタ３４を見ながらターゲット電流およびＸ線量を制御することができる。   Further, since the input target current (luminance in the first embodiment) is displayed on the monitor 34, the target current and the X-ray dose can be controlled while viewing the monitor 34.

また、Ｘ線管１を備えたＸ線撮像装置Ａによれば、インターフェイス３において電子ビーム量およびＸ線量を正確に制御することができる結果、インターフェイス３に用いられるＸ線管１においても、電子ビーム量およびＸ線量を正確に制御することができ、そのＸ線管１を備えたＸ線撮像装置Ａにおいても、所望の値に制御されたＸ線量に基づくＸ線画像を精度よく撮像することができる。   Further, according to the X-ray imaging apparatus A provided with the X-ray tube 1, the amount of electron beam and the X-ray dose can be accurately controlled in the interface 3. As a result, even in the X-ray tube 1 used in the interface 3, The beam amount and the X-ray dose can be accurately controlled, and the X-ray imaging apparatus A including the X-ray tube 1 can accurately capture an X-ray image based on the X-ray dose controlled to a desired value. Can do.

次に、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。   Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings.

図８は、実施例２のＸ線発生制御方法に係る一連の処理を示すフローチャートであり、図９、実施例２の一連の処理における操作画面の一態様を示す図であり、図１０は、実施例２のフローを併せたグラフである。   FIG. 8 is a flowchart showing a series of processes related to the X-ray generation control method of the second embodiment. FIG. 9 is a diagram showing an aspect of an operation screen in the series of processes of the second embodiment. It is the graph which combined the flow of Example 2. FIG.

なお、実施例１と共通する箇所については、その説明を省略するとともに図示を省略する。また、本実施例２に係るシステムＳは、インターフェイス内部の動作を除いては、図１〜図３に示す構成と同一である。まず、本実施例２に係るインターフェイスの具体的な構成について、図３を参照して説明する。   In addition, about the location which is common in Example 1, the description is abbreviate | omitted and illustration is abbreviate | omitted. The system S according to the second embodiment is the same as the configuration shown in FIGS. 1 to 3 except for the operation inside the interface. First, a specific configuration of the interface according to the second embodiment will be described with reference to FIG.

本実施例２では、図３に示すように、実施例１と同様にインターフェイス３２は、レンズ電源３１やコントローラ３２や入力部３３やモニタ３４やメモリ部３５を備えている。   In the second embodiment, as shown in FIG. 3, the interface 32 includes a lens power source 31, a controller 32, an input unit 33, a monitor 34, and a memory unit 35, as in the first embodiment.

本実施例２のコントローラ３２は、入力部３３によって入力された一方の集束コイル１３に相当する第１集束コイル１３1の励起強度およびメモリ部３５内に予め記憶された第２近似プログラム３５ｂに基づいて、他方の集束コイル１３に相当する第２集束コイル１３2の励起強度を演算し、さらには、入力された第１集束コイル１３1の励起強度および第１近似プログラム３５ａに基づいて、制御されるべき電子ビーム量（本実施例２では輝度）を演算する。コントローラ３２は、演算手段に相当し、本実施例２ではこの発明における第３演算手段および第４演算手段に相当する。 Controller 32 of the second embodiment, based on the second approximation program 35b stored in advance in the first focusing coil 13 1 of the excitation intensity and the memory unit 35 corresponding to one of the focusing coil 13 that is input by the input unit 33 Then, the excitation intensity of the second focusing coil 13 2 corresponding to the other focusing coil 13 is calculated and further controlled based on the input excitation intensity of the first focusing coil 13 1 and the first approximation program 35a. The amount of electron beam to be calculated (luminance in the second embodiment) is calculated. The controller 32 corresponds to the calculation means, and in the second embodiment, corresponds to the third calculation means and the fourth calculation means in the present invention.

本実施例２の入力部３３では、オペレータは、入力部３３で第１集束コイル１３1の励起強度を入力し、コントローラ３２を介して、モニタ３４に入力したデータを与える。 The input unit 33 of the second embodiment, the operator inputs the excitation intensity of the input unit 33 in the first focusing coil 13 1, via the controller 32, giving the data input to the monitor 34.

本実施例２のモニタ３４は、後述する図９に示すような操作画面を表示したり、入力部３３から入力された第１集束コイル１３1の励起強度を表示する。 Monitor 34 of the second embodiment, and displays an operation screen as shown in FIG. 9 to be described later, and displays the first excitation intensity of focusing coils 13 1 inputted from the input unit 33.

本実施例２のメモリ部３５は、実施例１と同様に第１近似プログラム３５ａおよび第２近似プログラム３５ｂを記憶している。本実施例２では、第２近似プログラム３５ｂは実施例１と同じであり、第１近似プログラム３５ａは、実施例１では制御されるべき電子ビーム量から第１集束コイル１３1の励起強度を演算したのに対して、本実施例２では、第１集束コイル１３1の励起強度から制御されるべき電子ビーム量を演算する以外は実施例１と同じである。 The memory unit 35 of the second embodiment stores a first approximate program 35a and a second approximate program 35b as in the first embodiment. In the second embodiment, the second approximation program 35b is the same as in Example 1, the first approximation program 35a, the operation of the excitation intensity of Example 1 electron beam first focus coil 13 from the amount of 1 to be controlled in against the of, in example 2, except for calculating the electron beam amount to be controlled from the first excitation intensity of the focused coil 13 1 is the same as in example 1.

続いて、Ｘ線発生制御方法に係る一連の処理について、図８のフローチャートおよび図９の操作画面、図１０のグラフを参照して説明する。   Next, a series of processes related to the X-ray generation control method will be described with reference to the flowchart of FIG. 8, the operation screen of FIG. 9, and the graph of FIG.

（ステップＴ１）操作画面を起動
図９に示すような操作画面６０を起動させてモニタ３４に表示する。操作画面６０は、実施例１の操作画面４０と同様に入力部３３によって入力したデータを表示する。実施例１と相違する点は、実施例１ではターゲット１２に到達する制御の対象である電子ビーム量を表示する欄を操作画面４０に設けているのに対して、本実施例２では操作の対象である第１集束コイル１３1の励起強度を表示する欄を操作画面６０に設けている点である。すなわち、第１集束コイル１３1の励起強度を表示する第１レンズ励起強度欄６１を操作画面６０に設けている。この他に、後述するステップＴ３の演算で決定される第２集束コイル１３2の励起強度を表示する第２レンズ励起強度欄６２を設けている。 (Step T1) Start Operation Screen The operation screen 60 as shown in FIG. 9 is started and displayed on the monitor 34. The operation screen 60 displays data input by the input unit 33 in the same manner as the operation screen 40 of the first embodiment. The difference from the first embodiment is that in the first embodiment, a column for displaying the amount of electron beam that is a target of control reaching the target 12 is provided on the operation screen 40, whereas in the second embodiment, the operation is performed. in that there is provided a space that displays the first excitation intensity of focusing coils 13 1 which is the subject on the operation screen 60. That is, provided the first lens excitation amplitude section 61 for displaying the first excitation intensity of focusing coils 13 1 on the operation screen 60. In addition, there is provided a second lens excitation intensity column 62 for displaying a second excitation intensity of focusing coils 13 2, which is determined by the calculation of step T3 to be described later.

（ステップＴ２）第１集束コイルの励起強度を入力・表示
まず、第１集束コイル１３1の励起強度を入力部３３によって入力して、入力された励起強度を操作画面６０の第１レンズ励起強度欄６１に表示する。このとき、第２レンズ励起強度欄６２には第２集束コイル１３2の励起強度を表示せずに空白の状態で、ステップＴ３で第２集束コイル１３2の励起強度を決定した後に、その決定後の励起強度を第２レンズ励起強度欄６２に表示する。なお、後述するターゲット電流に比例したＸ線輝度（輝度）を表示する輝度表示欄６６についても輝度を表示せずに空白の状態にする。 (Step T2) input and display the excitation intensity of the first focusing coil First, enter the first focusing coil 13 1 of the excitation intensity input unit 33, a first lens excitation intensity of the operation screen 60 to input excitation intensity Displayed in the column 61. In this case, after the second lens excitation intensity field 62 to determine the blank in the state, the excitation intensity of the second focusing coil 13 2 in step T3 without displaying the excitation intensity of the second focusing coil 13 2, the decision The subsequent excitation intensity is displayed in the second lens excitation intensity column 62. Note that the luminance display column 66 for displaying X-ray luminance (luminance) proportional to the target current, which will be described later, is also left blank without displaying the luminance.

第１集束コイル１３1の励起強度を入力するのは、実施例１のステップＳ２での輝度の入力・表示でも述べたように、入力部３３のキーボードなどで励起強度を第１レンズ励起強度欄６１に直接に入力することで行ってもよいし、画面上において第１レンズ励起強度欄６１の直下に設けられたスキップボタン６３を入力部３３のマウスなどでクリックすることで行ってもよいし、画面上においてスキップボタン６３の直下に設けられたスライドバー６４を入力部３３のマウスなどドラッグすることで行ってもよい。各入力の詳しい説明については実施例１と同じなので、その説明を省略する。このステップＴ２は、この発明における（Ｄ）の工程に相当する。 To enter the first excitation intensity of focusing coils 13 1, as mentioned in the luminance of the input and display in step S2 of Embodiment 1, the first lens excitation intensity field excitation intensity, such as a keyboard of the input section 33 It may be performed by directly inputting to 61, or may be performed by clicking the skip button 63 provided immediately below the first lens excitation intensity column 61 on the screen with the mouse of the input unit 33 or the like. Alternatively, the slide bar 64 provided immediately below the skip button 63 on the screen may be dragged by the mouse of the input unit 33 or the like. Since the detailed description of each input is the same as that in the first embodiment, the description thereof is omitted. This step T2 corresponds to the step (D) in the present invention.

（ステップＴ３）第２集束コイルの励起強度を決定
第１集束コイル１３1の励起強度を第１レンズ励起強度欄６１に入力したら、画面上において操作画面６０の右下領域に設けられた更新ボタン６５（図９では『更新』と記載されている）を入力部３３のマウスなどでクリックする。 (Step T3) When the excitation intensity of the determined first focusing coil 13 1 of the excitation intensity of the second focusing coil inputted to the first lens excitation amplitude section 61, an update button provided in the lower right area of the operation window 60 on the screen 65 (described as “update” in FIG. 9) is clicked with the mouse of the input unit 33 or the like.

更新ボタン６５をクリックすると、それまで空白になっていた第２レンズ励起強度欄６２に、決定された第２集束コイル１３2の励起強度の値が表示される。このとき、輝度表示欄６６は空白の状態である。第２集束コイル１３2の励起強度は、ステップＴ２で入力された第１集束コイル１３1の励起強度および第２近似プログラム３５ｂに基づいて求められる。第２近似プログラム３５ｂは、各集束コイル１３1，１３2の励起強度の各励起強度の相関関係（図５中の実線および上記（２）式を参照）を関連付けた多項式近似をプログラミングしている。 Clicking the update button 65, the second lens excitation intensity column 62 is blank until then, the value of the second excitation intensity of the focused coil 13 2 is displayed has been determined. At this time, the luminance display column 66 is blank. The excitation intensity of the second focusing coil 13 2 is obtained based on the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 input in step T2 and the second approximation program 35b. The second approximation program 35b programs a polynomial approximation that correlates the correlation between the excitation intensities of the focusing coils 13 1 and 13 2 (see the solid line in FIG. 5 and the above equation (2)). .

実施例１のステップＳ４と同様に、図１０（ａ）に示すように、ステップＴ２で入力された第１集束コイル１３1の励起強度を、図５中の実線のグラフに当てはめて、そのグラフ上で交わった値ｙが、第２集束コイル１３2の励起強度として決定される。図５では正規化されているので、実際には正規化する前の励起強度を求める。この決定された第２集束コイル１３2の励起強度を、更新ボタン６５のクリック後に第２レンズ励起強度欄６２に表示する。このステップＴ３は、この発明における（Ｂ）の工程に相当し、この発明における（Ｂ2）の工程にも相当する。また、図１０（ａ）のような演算は、この発明における第３演算に相当する。 Similarly to step S4 in the first embodiment, as shown in FIG. 10 (a), the first excitation intensity of focusing coils 13 1 input in step T2, by applying the solid line graph in FIG. 5, the graph the value y which intersect above is determined as the excitation intensity of the second focusing coil 13 2. Since normalization is performed in FIG. 5, the excitation intensity before normalization is actually obtained. The excitation intensity of the second focusing coil 13 2 The determined and displayed on the second lens excitation intensity column 62 after clicking the Update button 65. This step T3 corresponds to the step (B) in the present invention, and also corresponds to the step (B 2 ) in the present invention. Further, the calculation as shown in FIG. 10A corresponds to the third calculation in the present invention.

（ステップＴ４）電子ビーム量（輝度）を決定
第２集束コイル１３2の励起強度を決定したら、ターゲット１２に到達する制御されるべき電子ビーム量（ターゲット電流）を求める。具体的には、第２集束コイル１３2の励起強度を決定して第２レンズ励起強度欄６２に表示したら、更新ボタン６５を入力部３３のマウスなどで再度クリックする。 (Step T4) After the electron beam amount (luminance) was determined determined second excitation intensity of focusing coils 13 2, obtains the electron beam amount to be controlled to reach a target 12 (the target current). Specifically, when to determine the excitation intensity of the second focusing coil 13 2 is displayed in the second lens excitation intensity column 62, another click the update button 65, such as a mouse of the input section 33.

更新ボタン６５をクリックすると、それまで空白になっていた輝度表示欄６６に、決定されたターゲット電流（本実施例２では輝度）の値が表示される。ターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）は、ステップＴ２で入力された第１集束コイル１３1の励起強度および第１近似プログラム３５ａに基づいて行われる。第１近似プログラム３５ａは、第１集束コイル１３1の励起強度とターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）との相関関係（図５中の点線および上記（１）式を参照）を関連付けた多項式近似をプログラミングしている。 When the update button 65 is clicked, the value of the determined target current (luminance in the second embodiment) is displayed in the luminance display field 66 that has been blank until then. The amount of the electron beam reaching the target 12 (target current) is performed based on the first focus coil 13 1 of the excitation intensity and a first approximation program 35a which is input in step T2. First approximation program 35a associates the amount of the electron beam reaching the first focusing coil 13 1 of the excitation intensity and the target 12 the correlation between the (target current) (see dotted line and equation (1) in FIG. 5) Programming polynomial approximation.

ステップＴ２で入力された第１集束コイル１３1の励起強度を正規化して、図１０（ｂ）に示すように、図５中の点線のグラフに当てはめて、そのグラフ上で交わった値ＤＢが、デシベル標示した電子ビーム量として決定される。この決定された電子ビーム量を輝度に換算して輝度表示欄６６に表示する。このステップＴ４は、この発明における（Ａ）の工程に相当し、この発明における（Ａ2）の工程にも相当する。また、図１０（ｂ）のような演算は、この発明における第４演算に相当する。 And normalizing the first excitation intensity of focusing coils 13 1 input in step T2, as shown in FIG. 10 (b), by applying the dotted line graph in FIG. 5, the value DB, which intersect on the graph , Determined as the amount of electron beam indicated in decibels. The determined electron beam amount is converted into luminance and displayed in the luminance display column 66. Step T4 corresponds to the step (A) in the present invention, and also corresponds to the step (A 2 ) in the present invention. Further, the calculation as shown in FIG. 10B corresponds to the fourth calculation in the present invention.

（ステップＴ５）両集束コイルの励起強度で操作
ステップＴ２で入力された第１集束コイル１３1の励起強度を、第１レンズ電源３１1を介して第１集束コイル１３1に与えて集束コイル１３1を操作するとともに、ステップＴ３で求められた第２集束コイル１３2の励起強度を、第２レンズ電源３１2を介して第２集束コイル１３2に与えて集束コイル１３2を操作する。 (Step T5) Operation with Excitation Intensities of Both Focusing Coils The excitation intensity of the first focusing coil 13 1 input at step T2 is given to the first focusing coil 13 1 via the first lens power supply 31 1 to give the focusing coil 13 with operating the 1, the second excitation intensity of focusing coils 13 2 calculated in step T3, operating the focusing coil 13 2 is given to the 2 second focusing coil 13 via the second lens power supply 31 2.

両第１、第２集束コイル１３1，１３2を上述した励起強度の条件で操作した状態で、陰極１１から電子ビームＢを発生させる。電子ビームＢがターゲット１２に向かって加速する途中で、ステップＴ２で入力された第１集束コイル１３1の励起強度、およびステップＴ３で求められた第２集束コイル１３2の励起強度の条件で集束コイル１３は磁界を発生させて、電子ビームＢを集束させる。ターゲット１２に到達した電子ビームＢがそのターゲット１２に衝突することでＸ線が発生する。このＸ線量はステップＴ４で演算された制御されるべき電子ビーム量に比例するので、所望のＸ線量を得ることができる。 The electron beam B is generated from the cathode 11 in a state where both the first and second focusing coils 13 1 and 13 2 are operated under the above-described excitation intensity conditions. During the acceleration of the electron beam B toward the target 12, focusing is performed under the conditions of the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 input in step T2 and the excitation intensity of the second focusing coil 13 2 obtained in step T3. The coil 13 generates a magnetic field and focuses the electron beam B. X-rays are generated when the electron beam B reaching the target 12 collides with the target 12. Since this X-ray dose is proportional to the amount of electron beam to be controlled calculated in step T4, a desired X-ray dose can be obtained.

以上のように構成されたＸ線管１およびそれを制御するインターフェイス３からなる本実施例２のシステムＳによれば、（Ａ）２つの第１、第２集束コイル１３1，１３2について、所定の条件（本実施例２ではターゲット１２上に常に結像される条件）において、一方の集束コイル（本実施例２では第１集束コイル１３1）を操作する操作量（本実施例２では励起強度）、またはターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）のいずれか１つを決定すればそれに連動して残りを決定する工程（ステップＴ４）、（Ｂ）上述した所定の条件において、一方の集束コイルである第１集束コイル１３1の操作量を決定すればそれに連動して他方の集束コイル（本実施例２では第２集束コイル１３2）の操作量を決定する工程（ステップＴ３）を備えている。 According to the system S of the second embodiment including the X-ray tube 1 configured as described above and the interface 3 that controls the X-ray tube, (A) the two first and second focusing coils 13 1 and 13 2 are: An operation amount (in the second embodiment, in the second embodiment) for operating one of the focusing coils (first focusing coil 13 1 in the second embodiment) under a predetermined condition (a condition in which the image is always formed on the target 12 in the second embodiment). (Excitation intensity) or a step (step T4) for determining the remaining amount in conjunction with determining one of the electron beam amount (target current) reaching the target 12 (B) If the operation amount of the first focusing coil 13 1 , which is one focusing coil, is determined, the operation amount of the other focusing coil (second focusing coil 13 2 in the second embodiment) is determined in conjunction therewith (step) T3).

本実施例２のように、第１集束コイル１３1の操作量から先に決定して、第２集束コイル１３2の操作量およびターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）を決定する場合には、先ず上述した第１集束コイル１３1の操作量を決定すれば、ステップＴ３において第１集束コイル１３1の操作量に連動して第２集束コイル１３2の操作量を決定するとともに、第１集束コイル１３1の操作量に連動してステップＴ４においてターゲット電流（本実施例２では輝度）を決定する。このようにステップＴ３，Ｔ４によりターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）を制御して、制御されたターゲット電流からＸ線量を制御する。その結果、ウェネルト電極１６を操作してウェネルト１６電極付近の電子ビーム量（エミッション電流）を制御するとともにＸ線量を制御する手法と比較すると、電子ビーム量およびＸ線量を正確に制御することができる。 As in the second embodiment, when the amount of operation of the first focusing coil 13 1 is determined first, the amount of operation of the second focusing coil 13 2 and the amount of electron beam (target current) reaching the target 12 are determined. First, if the operation amount of the first focusing coil 13 1 described above is determined, the operation amount of the second focusing coil 13 2 is determined in conjunction with the operation amount of the first focusing coil 13 1 in step T3, and in conjunction with the first operation amount of the focusing coil 13 1 determines a target current (according to the second embodiment luminance) in step T4. In this way, the amount of electron beam (target current) reaching the target 12 is controlled by steps T3 and T4, and the X-ray dose is controlled from the controlled target current. As a result, the electron beam amount and the X-ray dose can be accurately controlled as compared with the method of controlling the X-ray dose while controlling the electron beam amount (emission current) in the vicinity of the Wehnelt electrode 16 by operating the Wehnelt electrode 16. .

また、本実施例２の場合には、（Ｄ）一方の集束コイルである第１集束コイル１３1の操作量（本実施例２では励起強度）を入力により決定する工程（ステップＴ２）を備えている。このステップＴ２において第１集束コイル１３1の操作量を入力により決定すれば、ステップＴ３において、ステップＴ２で入力された第１集束コイル１３1の操作量（本実施例２では励起強度）、および他方の集束コイルである第２集束コイル１３2の操作量について互いの関係が所定の条件（本実施例２ではターゲット１２上に常に結像される条件）において成立する相関関係（図５中の実線および上記（２）式を参照）に基づく演算により、第２集束コイル１３2の操作量（本実施例２では励起強度）を決定する。また、ステップＴ４において、ステップＴ２で入力された第１集束コイル１３1の操作量、およびターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）について互いの関係が所定の条件において成立する相関関係（図５中の点線および上記（１）式を参照）に基づく演算により、ターゲット電流を演算する。 In the case of the second embodiment comprises the step of determining the input (D) is one first focusing coil 13 1 of the manipulated variable is a focusing coil (in the second embodiment the excitation intensity) (step T2) ing. If the operation amount of the first focusing coil 13 1 is determined by input in step T2, the operation amount of the first focusing coil 13 1 input in step T2 (excitation intensity in the present embodiment 2) in step T3, and a second operation amount of the focusing coil 13 2 is the other focusing coil mutual relationship predetermined condition correlation established in (always condition is imaged on the second embodiment in the target 12) (in FIG. 5 by calculation based on the solid line and the reference to the expression (2)), to determine the amount of operation of the second focusing coil 13 2 (excitation strength in the second embodiment). Further, in step T4, the first focusing coil 13 1 of the operation amount, and the amount of the electron beam reaching the target 12 correlation relationship to each other for (a target current) is established in a predetermined condition (FIG input in step T2 The target current is calculated by a calculation based on the dotted line in 5 and the above formula (1).

このように、所定の条件の下では、一方の集束コイルである第１集束コイル１３1の操作量を入力すれば、他方の集束コイルである操作量およびターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）が決定される。そして、入力された一方の第１集束コイル１３1の励起強度と、上述した演算で演算された他方の第２集束コイル１３2の励起強度の操作量に基づいて各集束コイル１３を操作することで、ターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）が制御される。ターゲット電流にＸ線量は比例するので、これらの操作量に基づいて集束コイル１３を操作することで、Ｘ線量も決定される。 Thus, under certain conditions, by entering the first operation amount of the focusing coil 13 1 it is one of the focusing coils, the electron beam dose (target to reach the operation amount and the target 12 which is the other focusing coil Current) is determined. Then, by operating the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 of one input, each focusing coil 13 based on the operation amount of the excitation intensity of the 2 second focusing coil 13 of the computed other by the operation described above Thus, the amount of electron beam (target current) reaching the target 12 is controlled. Since the X-ray dose is proportional to the target current, the X-ray dose is also determined by operating the focusing coil 13 based on these manipulated variables.

また、本実施例２では、電子ビームＢを発生させる陰極１１側に位置する第１集束コイル１３1の励起強度から励起強度の相関関係に関する多項式近似を用いて、ターゲット１２側に位置する第２集束コイル１３2の励起強度を演算するので、第１集束コイル１３1の励起強度をステップＴ２で先に決定することで、第２集束コイル１３2の励起強度が励起強度の相関関係に関する多項式近似（上記（２）式を参照）の演算によりステップＴ３で決定される。つまり、実施例１でも述べたように第１集束コイル１３1の励起強度を変動させると、励起強度の相関関係を保ったまま他方の第２集束コイル１３2の励起強度が連動することになる。 In the second embodiment, by using a polynomial approximation for the correlation of the excitation intensity from the first excitation amplitude of focusing coils 13 1 located on the cathode 11 side for generating an electron beam B, a second located at the target 12 side Since the excitation intensity of the focusing coil 13 2 is calculated, the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 is first determined in step T2, so that the excitation intensity of the second focusing coil 13 2 is approximated by a polynomial approximation relating to the correlation of the excitation intensity. It is determined in step T3 by the calculation (see the above equation (2)). That is, as described in the first embodiment, when the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 is changed, the excitation intensity of the other second focusing coil 13 2 is interlocked while maintaining the correlation of the excitation intensity. .

また、実施例１でも述べたように、第１集束コイル１３1の励起強度が０の場合には、ターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）も最少であるが、第１集束コイル１３1の励起強度を強くするとターゲット電流が増大する。そこで、ステップＴ４において、かかる関係について上記（１）式の多項式近似式を用いて関連付けることで、ターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）およびＸ線量を正確に制御することができる。具体的に説明すると、本実施例２の場合には、第１集束コイル１３1の励起強度をステップＴ２で先に入力することで、第１集束コイル１３1の励起強度からターゲット電流（本実施例２では輝度）をステップＴ４で演算して、先に入力された第１集束コイル１３1の励起強度で第１集束コイル１３1を操作することで、演算されたターゲット１２に到達する電子ビーム量（ターゲット電流）、さらにはＸ線量を制御することになる。 Further, as described in the first embodiment, when the first excitation amplitude of focusing coils 13 1 is 0, the amount of the electron beam reaching the target 12 but (target current) is also a minimum, the first focusing coil 13 Increasing the excitation intensity of 1 increases the target current. Therefore, in step T4, by associating such a relationship using the polynomial approximation formula (1), the amount of electron beam (target current) and the X-ray dose reaching the target 12 can be accurately controlled. More specifically, in the case of the second embodiment, by inputting a first excitation intensity of focusing coils 13 1 earlier in step T2, the target current from the first excitation amplitude of focusing coils 13 1 (present embodiment example in 2 luminance) was calculated in step T4, by operating the first focusing coil 13 1 in the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 previously input, the electron beam reaching the target 12 which is calculated The amount (target current) and further the X-ray dose will be controlled.

また、入力された一方の集束コイルである第１集束コイル１３1の励起強度をモニタ３４に表示するので、モニタ３４を見ながらターゲット電流およびＸ線量を制御することができる。 Moreover, since displays the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 is one of a focusing coil which is input to the monitor 34 can control the target current and the X-ray dose while observing the monitor 34.

なお、実施例２の場合には、ステップＴ３（第２集束コイルの励起強度を決定），Ｔ４（電子ビーム量（輝度）を決定）の順番については特に限定されず、図８のフローチャートのようにステップＴ３，Ｔ４の順に行ってもよいし、逆にステップＴ４，Ｔ３の順に行ってもよいし、ステップＴ３，Ｔ４を並行に行ってもよい。   In the case of the second embodiment, the order of steps T3 (determining the excitation intensity of the second focusing coil) and T4 (determining the electron beam amount (luminance)) is not particularly limited, as shown in the flowchart of FIG. Steps T3 and T4 may be performed in this order, or conversely, steps T4 and T3 may be performed in order, or steps T3 and T4 may be performed in parallel.

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as follows.

（１）上述した各実施例では、非破壊検査機器などの工業用装置を例に採ってＸ線撮像装置を説明したが、この発明は、Ｘ線診断装置などの医用装置にも適用することができる。   (1) In each of the above-described embodiments, an X-ray imaging apparatus has been described by taking an industrial apparatus such as a non-destructive inspection device as an example. However, the present invention is also applicable to a medical apparatus such as an X-ray diagnostic apparatus. Can do.

（２）上述した各実施例では、電子源として、消耗や切断に強い単結晶あるいは焼結体のチップを用いたが、タングステンで形成されたフィラメントを用いてもよい。   (2) In each of the embodiments described above, a single crystal or sintered chip that is resistant to wear and cut is used as the electron source, but a filament formed of tungsten may be used.

（３）上述した実施例では、集束コイル１３はいわゆる２段式であったが、３段以上であってもよい。この場合には、３段以上の集束コイルから２つの集束コイルを選択する。そして、一方を第１集束コイル１３1とし、他方を第２集束コイル１３2とする。なお、ターゲット１２にもっとも近い集束コイルを操作した方が電子ビーム量やＸ線量の制御がしやすいので、３段以上の場合には選択される２つの集束コイルについては、ターゲット１２にもっとも近い２つの集束コイルとするのが好ましい。もちろん、ターゲット１２にもっとも近い２つの集束コイルに限定されず、操作状況や励起強度などに応じて、選択される集束コイルを適宜変更すればよい。 (3) In the embodiment described above, the focusing coil 13 is a so-called two-stage type, but it may be three or more stages. In this case, two focusing coils are selected from three or more focusing coils. One is the first focusing coil 13 1 and the other is the second focusing coil 13 2 . In addition, since it is easier to control the amount of electron beam and the X-ray dose when the focusing coil closest to the target 12 is operated, the two focusing coils selected in the case of three or more stages are 2 closest to the target 12. Two focusing coils are preferred. Of course, the focusing coil is not limited to the two focusing coils closest to the target 12, and the selected focusing coil may be changed as appropriate in accordance with the operation status, excitation intensity, and the like.

（４）上述した各実施例についてそれぞれ説明したが、実施例１と実施例２とを双方に組み合わせてもよい。例えば、実施例１のように制御されるべき電子ビーム量（ターゲット電流）を入力してから各第１、第２集束コイル１３1，１３2の励起強度を決定してもよいし、実施例２のように第１集束コイル１３1の励起強度を入力してから第２集束コイル１３2の励起強度やターゲット１２電流を決定してもよい。また、ターゲット電流（輝度）または第１集束コイル１３1の励起強度の入力を選択して、その選択に応じて各値を求め、求められた各値を必要に応じて次回に入力するように構成してもよい。 (4) Although the respective embodiments described above have been described, the first embodiment and the second embodiment may be combined. For example, the excitation intensity of each of the first and second focusing coils 13 1 and 13 2 may be determined after inputting the amount of electron beam (target current) to be controlled as in the first embodiment. The excitation intensity of the second focusing coil 13 2 and the target 12 current may be determined after inputting the excitation intensity of the first focusing coil 13 1 as in FIG. Further, as to select the input of the target current (luminance) or the first excitation amplitude of focusing coils 13 1, obtains each value in accordance with the selection, if necessary the values obtained for input to the next It may be configured.

（５）上述した各実施例では、近似多項式は上記（１）、（２）式に示すものであったが、８次よりも高次の多項式であってもよいし、逆に４次よりも低次の３次や２次の多項式であってもよい。   (5) In each of the above-described embodiments, the approximate polynomial is shown in the above equations (1) and (2), but it may be a higher-order polynomial than the 8th order, and conversely from the 4th order. May be a low-order third-order or second-order polynomial.

（６）上述した各実施例では、各相関関係を記憶するのに、近似多項式をプログラミングする第１、第２近似プログラム３５ａ，３５ｂをメモリ部３５に記憶する手法を採ったが、例えば１００ポイント程度で予め測定した各相関関係（図１４に示すテーブル）をメモリ部３５に直接的に記憶して、入力した各値に対応したデータをテーブルから読み出して、そのデータを演算結果として出力してもよい。なお、入力した各値がテーブル中の値に合致しない場合には、入力した各値に近い値を近似して、後者の値に対応したデータを読み出して、そのデータを演算結果として出力すればよい。   (6) In each of the above-described embodiments, the first and second approximate programs 35a and 35b for programming the approximate polynomial are stored in the memory unit 35 in order to store each correlation. Each correlation (the table shown in FIG. 14) measured in advance is stored directly in the memory unit 35, data corresponding to each input value is read from the table, and the data is output as a calculation result. Also good. If each input value does not match the value in the table, approximate the value close to each input value, read the data corresponding to the latter value, and output the data as the operation result Good.

（７）上述した各実施例では、集束手段（集束コイル１３）の操作量として励起強度を例に採って説明したが、例えば集束コイル１３の磁束密度などを操作量とするなど、通常において用いられる集束手段の操作量であれば、特に限定されない。   (7) In each of the above-described embodiments, the excitation intensity is taken as an example of the operation amount of the focusing means (focusing coil 13). However, for example, it is normally used such that the magnetic flux density of the focusing coil 13 is the operation amount. There is no particular limitation as long as it is an operation amount of the focusing means.

例えば、集束手段が各実施例のような磁界を発生させるタイプでなく静電タイプの場合には、集束手段に電圧を印加して、その印加電圧の値によって集束手段を制御する。この場合には、集束手段の操作量は印加電圧になる。   For example, when the focusing means is not the type that generates a magnetic field as in each embodiment but an electrostatic type, a voltage is applied to the focusing means, and the focusing means is controlled by the value of the applied voltage. In this case, the operation amount of the focusing means becomes the applied voltage.

（８）上述した各実施例では、所定の条件は、電子ビームＢがターゲット１２上に常に結像される条件であったが、２つの集束コイル１３のうち一方を操作する操作量および電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が成立する、あるいは各集束コイル１３の操作量について互いの関係が成立するのであれば、所定の条件については特に限定されない。   (8) In each of the above-described embodiments, the predetermined condition is a condition in which the electron beam B is always imaged on the target 12, but the operation amount and the electron beam for operating one of the two focusing coils 13. The predetermined condition is not particularly limited as long as the mutual relationship is established with respect to the amount or the X-ray dose, or the mutual relationship is established with respect to the operation amount of each focusing coil 13.

また、電子ビームＢがターゲット１２上に常に結像される条件の他に、別の条件を追加してもよい。例えば、実施例１でも述べたようにウェネルト電極１６（図２を参照）の電位によって電子ビーム量（すなわちエミッション電流）が変化するが、このエミッション電流を最適な値に固定した状態で、この最適値の電子ビーム量を別の条件として追加してもよい。   In addition to the condition that the electron beam B is always imaged on the target 12, another condition may be added. For example, as described in the first embodiment, the electron beam amount (that is, the emission current) changes depending on the potential of the Wehnelt electrode 16 (see FIG. 2). The value of the electron beam amount may be added as another condition.

図１１を参照して具体的に説明する。図１１は、ウェネルト電極付近の電子ビームを模式的に表した説明図である。なお、図１１（ａ）は、仮想光源径が小さいときの説明図であり、図１１（ｂ）は、仮想光源径が大きいときの説明図である。上述したように、陽極１７による引き出しで電子ビームＢはターゲット（図１１では図示省略）に向かって加速する。このとき、ウェネルト電極１６の電位が低すぎる（電位の負の値が大きすぎる）と、電荷がウェネルト電極１６付近で蓄積されやすくなって、空間電荷効果により電子ビームＢが陽極１７に引き出されずエミッション電流は低くなる。言い換えれば、エミッション電流を低く設定すれば空間電荷効果により電子ビームＢが陽極１７に引き出されない。ウェネルト電極１６の電位を高く（電位の負の値を小さく）していけば電子ビームＢが陽極１７に引き出されやすくなって、ウェネルト電極１６の電位を高くするのに伴ってエミッション電流も高くなる。電子ビームＢはウェネルト電極１６の電位によって集束して、陽極１７付近で電子ビームＢが一旦結像する。このときの結像の径を、本明細書では『仮想光源径』と呼ぶ。   This will be specifically described with reference to FIG. FIG. 11 is an explanatory view schematically showing an electron beam near the Wehnelt electrode. FIG. 11 (a) is an explanatory diagram when the virtual light source diameter is small, and FIG. 11 (b) is an explanatory diagram when the virtual light source diameter is large. As described above, the extraction by the anode 17 accelerates the electron beam B toward the target (not shown in FIG. 11). At this time, if the electric potential of the Wehnelt electrode 16 is too low (the negative value of the electric potential is too large), the electric charge is likely to be accumulated in the vicinity of the Wehnelt electrode 16, and the electron beam B is not extracted to the anode 17 due to the space charge effect. The current is lower. In other words, if the emission current is set low, the electron beam B is not extracted to the anode 17 due to the space charge effect. Increasing the electric potential of the Wehnelt electrode 16 (decreasing the negative value of the electric potential) facilitates the extraction of the electron beam B to the anode 17 and increases the emission current as the electric potential of the Wehnelt electrode 16 increases. . The electron beam B is focused by the electric potential of the Wehnelt electrode 16, and the electron beam B once forms an image near the anode 17. The imaging diameter at this time is referred to as “virtual light source diameter” in this specification.

空間電荷効果が発生しないようにウェネルト電極１６の電位を高くしていけば、図１１（ａ）に示すように仮想光源径φが一旦小さくなる。しかし、電位を高くしすぎると、図１１（ｂ）に示すように仮想光源径φが大きくなってしまう。仮想光源径φが大きくなるとＸ線源径も大きくなって、Ｘ線撮像装置の分解能が低下する。逆に仮想光源径φが小さい場合には分解能も向上する。図１２に、エミッション電流Ｉに対する仮想光源径φの変化を模式的に示す。仮想光源径φが小さくなっているエミッション電流Ｉ（またはそれに対応したウェネルト電極１６の電位）の範囲が、最適値の電子ビーム量の範囲に相当する。   If the potential of the Wehnelt electrode 16 is increased so that the space charge effect does not occur, the virtual light source diameter φ once decreases as shown in FIG. However, if the potential is increased too much, the virtual light source diameter φ increases as shown in FIG. As the virtual light source diameter φ increases, the X-ray source diameter also increases and the resolution of the X-ray imaging apparatus decreases. Conversely, when the virtual light source diameter φ is small, the resolution is also improved. FIG. 12 schematically shows a change in the virtual light source diameter φ with respect to the emission current I. The range of the emission current I (or the potential of the Wehnelt electrode 16 corresponding thereto) in which the virtual light source diameter φ is small corresponds to the range of the optimum electron beam amount.

なお、オペレータは上述した範囲で最適と思われる電子ビーム量を設定する。具体的には、例えばエミッション電流を変化させたときの電子ビームの拡がり（エミッションパターン）を予め求めて、パターンが空間電荷効果によってぼけずにかつ仮想光源径φが小さいとオペレータが判断したときの電子ビーム量を最適値としてメモリ部３５（図３を参照）に記憶しておけばよい。そしてそのときのエミッション電流あるいはエミッション電流に対応するウェネルト電極１６の電位を操作することで、電子ビーム量を最適な値に固定した状態で制御することができる。   The operator sets an electron beam amount that seems to be optimal within the above-described range. Specifically, for example, when the operator determines that the pattern does not blur due to the space charge effect and the virtual light source diameter φ is small when the emission current is changed, for example, The electron beam amount may be stored in the memory unit 35 (see FIG. 3) as an optimum value. By controlling the emission current at that time or the electric potential of the Wehnelt electrode 16 corresponding to the emission current, it is possible to control the electron beam amount in a fixed state.

また、陰極１１を長時間点灯させると、陰極１１の点灯時間や陰極１１の温度（すなわち陰極温度）や真空度に依存して陰極１１のチップが消耗して、チップの形状が変化する。これによって、図１２に示すように、エミッション電流Ｉに対する仮想光源径φの変化も、点線に示すように変化する。そこで、陰極１１の点灯時間や陰極温度や真空度と、最適値の電子ビーム量との相関関係をメモリ部３５（図３を参照）に記憶して、これらの消耗のファクタを考慮して電子ビーム量を設定することで、陰極１１を長時間点灯させた場合でも、電子ビーム量を最適な値に固定した状態で制御することができる。   When the cathode 11 is lit for a long time, the tip of the cathode 11 is consumed depending on the lighting time of the cathode 11, the temperature of the cathode 11 (that is, the cathode temperature), and the degree of vacuum, and the shape of the tip changes. As a result, as shown in FIG. 12, the change in the virtual light source diameter φ with respect to the emission current I also changes as shown by the dotted line. Therefore, the correlation between the lighting time of the cathode 11, the cathode temperature, the degree of vacuum, and the optimum amount of electron beam is stored in the memory unit 35 (see FIG. 3), and the electrons are considered in consideration of these consumption factors. By setting the beam amount, even when the cathode 11 is lit for a long time, the electron beam amount can be controlled in a fixed state.

実施例１，２に係るＸ線管およびそれを制御する制御用のインターフェイスから構築されるシステム全体の概略図である。1 is a schematic view of an entire system constructed from an X-ray tube according to Embodiments 1 and 2 and a control interface for controlling the X-ray tube. Ｘ線管の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of an X-ray tube. インターフェイスの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of an interface. 実施例１のＸ線発生制御方法に係る一連の処理を示すフローチャートである。3 is a flowchart illustrating a series of processes according to the X-ray generation control method of Embodiment 1. 第１集束コイルの励起強度とターゲットに到達する電子ビーム量との相関関係、および第１，第２集束コイルの各励起強度の相関関係を示すグラフである。It is a graph which shows the correlation of the excitation intensity | strength of a 1st focusing coil, and the amount of electron beams which reaches | attains a target, and the correlation of each excitation intensity | strength of a 1st, 2nd focusing coil. 実施例１の一連の処理における操作画面の一態様を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an aspect of an operation screen in a series of processes according to the first embodiment. （ａ），（ｂ）は、実施例１のフローを併せたグラフである。(A), (b) is the graph which combined the flow of Example 1. FIG. 実施例２のＸ線発生制御方法に係る一連の処理を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating a series of processes according to an X-ray generation control method of Embodiment 2. 実施例２の一連の処理における操作画面の一態様を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an aspect of an operation screen in a series of processes according to the second embodiment. （ａ），（ｂ）は、実施例２のフローを併せたグラフである。(A), (b) is the graph which combined the flow of Example 2. FIG. ウェネルト電極付近の電子ビームを模式的に表した説明図であり、（ａ）は、仮想光源径が小さいときの説明図であり、（ｂ）は、仮想光源径が大きいときの説明図である。It is explanatory drawing which represented typically the electron beam of a Wehnelt electrode vicinity, (a) is explanatory drawing when a virtual light source diameter is small, (b) is explanatory drawing when a virtual light source diameter is large. . エミッション電流に対する仮想光源径の変化を模式的に表したグラフである。It is the graph which represented typically the change of the virtual light source diameter with respect to emission current. エミッション電流に対するＸ線量の変化の測定結果を示したグラフである。It is the graph which showed the measurement result of the change of X dose with respect to emission current. 変形例に係る各相関関係（テーブル）の概略図である。It is the schematic of each correlation (table) which concerns on a modification. （ａ）〜（ｃ）は、通常の操作においてＸ線管の各段の集束コイルの励起強度をそれぞれ変えたときの陰極からの電子ビームの照射状態を示す概略図である。(A)-(c) is the schematic which shows the irradiation state of the electron beam from a cathode when the excitation intensity | strength of the focusing coil of each step | level of an X-ray tube is each changed in normal operation.

符号の説明Explanation of symbols

１ … Ｘ線管
２ … Ｘ線検出器
３ … インターフェイス
１１ … 陰極
１２ … ターゲット
１３ … 集束コイル
１３1 … 第１集束コイル
１３2 … 第２集束コイル
３２ … コントローラ
３３ … 入力部
３４ … モニタ
３５ａ … 第１近似プログラム
３５ｂ … 第２近似プログラム
４０，６０ … 操作画面
Ｓ … システム
Ａ … Ｘ線撮像装置
Ｂ … 電子ビーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... X-ray tube 2 ... X-ray detector 3 ... Interface 11 ... Cathode 12 ... Target 13 ... Focusing coil 13 1 ... 1st focusing coil 13 2 ... 2nd focusing coil 32 ... Controller 33 ... Input part 34 ... Monitor 35a ... First approximation program 35b ... Second approximation program 40, 60 ... Operation screen S ... System A ... X-ray imaging device B ... Electron beam

Claims (9)

複数の集束手段により電子ビームを集束させて、電子ビームのターゲットへの衝突によりＸ線を発生させることで、Ｘ線の発生を制御するＸ線発生制御方法であって、（Ａ）複数の集束手段のうち２つの集束手段について、所定の条件において一方の集束手段を操作する操作量、またはターゲットに到達する電子ビーム量あるいはＸ線量のいずれか１つを決定すればそれに連動して残りを決定する工程、（Ｂ）前記所定の条件において前記一方の集束手段の操作量を決定すればそれに連動して他方の集束手段の操作量を決定する工程を備え、前記（Ａ）および（Ｂ）の工程により前記電子ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするＸ線発生制御方法。   An X-ray generation control method for controlling generation of X-rays by focusing an electron beam by a plurality of focusing means and generating X-rays by collision of the electron beam with a target. For one of the two focusing means, if the amount of operation for operating one of the focusing means under a predetermined condition or the amount of electron beam or X-ray dose reaching the target is determined, the remaining is determined in conjunction with it. And (B) determining the operation amount of the other focusing means in conjunction with the determination of the operation amount of the one focusing means under the predetermined condition, wherein (A) and (B) An X-ray generation control method characterized by controlling the amount of electron beam and controlling the X-ray dose by a process. 請求項１に記載のＸ線発生制御方法において、（Ｃ）前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を入力により決定する工程を備え、前記（Ａ）の工程は、（Ａ1）前記一方の集束手段の操作量、および前記（Ｃ）の工程で入力された電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第１相関関係に基づく第１演算により、一方の集束手段の操作量を決定する工程からなり、前記（Ｂ）の工程は、（Ｂ1）前記第１演算で演算された一方の集束手段の操作量、および前記他方の集束手段の操作量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第２相関関係に基づく第２演算により、他方の集束手段の操作量を決定する工程からなり、（Ａ）の工程，（Ｂ）の工程の順に行い、前記第１および第２演算で演算された２つの集束手段の操作量に基づいて各集束手段を操作することで、前記電子ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするＸ線発生制御方法。 2. The X-ray generation control method according to claim 1, further comprising: (C) a step of determining an electron beam amount or an X-ray dose reaching the target by input, wherein the step (A) includes (A 1 ) One focusing is performed by the first calculation based on the first correlation in which the mutual relationship is established under the predetermined condition with respect to the operation amount of the focusing means and the electron beam amount or the X-ray dose input in the step (C). The step (B) includes the steps (B 1 ) for the amount of operation of one focusing means calculated in the first calculation and the amount of operation of the other focusing means. The second calculation based on the second correlation established under the predetermined condition comprises the step of determining the operation amount of the other focusing means, and the steps (A) and (B) are performed in this order. Said first and By operating each focusing means based on the operation amount of the two focusing means calculated by the second calculation, X-rays generation control method characterized by controlling the X-ray dosage to control the electron beam amount. 請求項１に記載のＸ線発生制御方法において、（Ｄ）前記一方の集束手段の操作量を入力により決定する工程を備え、前記（Ｂ）の工程は、（Ｂ2）前記（Ｄ）の工程で入力された一方の集束手段の操作量、および前記他方の集束手段の操作量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第２相関関係に基づく第３演算により、他方の集束手段の操作量を決定する工程からなり、前記（Ａ）の工程は、（Ａ2）前記入力された一方の集束手段の操作量、および前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第１相関関係に基づく第４演算により、前記電子ビーム量またはＸ線量を決定する工程からなり、前記入力された一方の集束手段の操作量と前記第３演算で演算された他方の集束手段の操作量とに基づいて各集束手段を操作することで、前記電子ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするＸ線発生制御方法。 2. The X-ray generation control method according to claim 1, further comprising: (D) determining an operation amount of the one focusing means by input, wherein the step (B) includes (B 2 ) and (D). The third calculation based on the second correlation in which the relation between the operation amount of one focusing means and the operation amount of the other focusing means input in the step is established under the predetermined condition, The step (A) includes a step of determining an operation amount. The step (A 2 ) has a relationship between (A 2 ) the input operation amount of the one focusing means and the electron beam amount or the X-ray dose reaching the target. Comprising a step of determining the electron beam amount or the X-ray dose by a fourth calculation based on the first correlation established under the predetermined condition, and calculating by the input operation amount of one of the focusing means and the third calculation. The Was based on the operation amount of the other focusing means by operating the respective focusing means, X-rays generation control method characterized by controlling the X-ray dosage to control the electron beam amount. 請求項２または請求項３に記載のＸ線発生制御方法において、前記所定の条件は、電子ビームがターゲット上に常に結像される条件であって、前記操作量は、前記集束手段に流す電流に関する励起強度であって、前記第２相関関係は、各集束手段の励起強度について互いの関係が成立する関係であって、前記（Ｂ）の工程では、電子ビームを発生させる電子源側に位置する集束手段である第１集束手段の励起強度から第２相関関係に関する多項式近似を用いて、ターゲット側に位置する集束手段である第２集束手段の励起強度を演算することを特徴とするＸ線発生制御方法。   4. The X-ray generation control method according to claim 2, wherein the predetermined condition is a condition in which an electron beam is always imaged on a target, and the operation amount is a current flowing through the focusing means. The second correlation is a relationship in which the mutual relationship is established with respect to the excitation intensity of each focusing means. In the step (B), the second correlation is located on the electron source side that generates the electron beam. X-ray characterized in that the excitation intensity of the second focusing means which is the focusing means located on the target side is calculated from the excitation intensity of the first focusing means which is the focusing means using a polynomial approximation relating to the second correlation Generation control method. 請求項２から請求項４のいずれかに記載のＸ線発生制御方法において、前記所定の条件は、電子ビームがターゲット上に常に結像される条件であって、前記操作量は、前記集束手段に流す電流に関する励起強度であって、前記第１相関関係は、一方の集束手段の励起強度およびターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が成立する関係であって、前記（Ａ）の工程では、電子ビームを発生させる電子源側に位置する集束手段である第１集束手段の励起強度と、前記電子ビーム量またはそれに比例するＸ線量とを第１相関関係に関する多項式近似を用いて関連付けて、第１集束手段の励起強度、または電子ビーム量あるいはＸ線量のいずれか１つから、残りを演算することを特徴するＸ線発生制御方法。   5. The X-ray generation control method according to claim 2, wherein the predetermined condition is a condition in which an electron beam is always imaged on a target, and the operation amount is the focusing means. The first correlation is a relationship in which the mutual relationship is established with respect to the excitation intensity of one focusing means and the amount of electron beam or X-ray dose reaching the target. In step), the polynomial intensity relating to the first correlation is used for the excitation intensity of the first focusing means, which is the focusing means located on the electron source side that generates the electron beam, and the amount of the electron beam or the X-ray dose proportional thereto. And calculating the remainder from either one of the excitation intensity of the first focusing means, the electron beam amount or the X-ray dose. 請求項５に記載のＸ線発生制御方法において、最小励起強度のときの電子ビーム量に対する相対ビーム量をデシベル標示したものをＤＢとし、前記第１および第２集束手段のレンズ系の総合倍率をＭとし、第１集束手段の最小励起強度時に得られるレンズ系の最小倍率をＭ0とし、第１集束手段の励起強度を規格化した値をｘとし、αおよびβを係数としたときの、４次式の多項式で近似した（１）式は、
ＤＢ＝１０×ｌｏｇ10（Ｍ2／Ｍ0 2）＝α×ｘ2＋β×ｘ4 …（１）
で表され、この（１）式を実行することで、前記第１相関関係に関する多項式近似を用いて、第１相関関係に基づく演算を行うことを特徴とするＸ線発生制御方法。 6. The X-ray generation control method according to claim 5, wherein DB is a decibel mark indicating a relative beam amount with respect to an electron beam amount at the minimum excitation intensity, and an overall magnification of the lens system of the first and second focusing means is defined as DB. Where M is the minimum magnification of the lens system obtained at the minimum excitation intensity of the first focusing means, M 0 , x is the normalized value of the excitation intensity of the first focusing means, and α and β are coefficients. Equation (1) approximated by a quartic polynomial is
DB = 10 × log 10 (M 2 / M 0 2 ) = α × x 2 + β × x 4 (1)
The X-ray generation control method is characterized in that the calculation based on the first correlation is performed using the polynomial approximation related to the first correlation by executing the equation (1). 複数の集束手段により電子ビームを集束させて、電子ビームのターゲットへの衝突によりＸ線を発生させるＸ線発生装置を制御するＸ線発生制御装置であって、演算手段を備え、前記演算手段は、（Ａ）複数の集束手段のうち２つの集束手段について、所定の条件において一方の集束手段を操作する操作量、またはターゲットに到達する電子ビーム量あるいはＸ線量のいずれか１つを決定すればそれに連動して残りを決定する演算、（Ｂ）前記所定の条件において前記一方の集束手段の操作量を決定すればそれに連動して他方の集束手段の操作量を決定する演算を行い、前記（Ａ）および（Ｂ）の演算を行うことにより前記ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするＸ線発生制御方法。   An X-ray generation control apparatus that controls an X-ray generation apparatus that focuses an electron beam by a plurality of focusing means and generates X-rays by collision of the electron beam with a target, the calculation means comprising: calculation means, (A) For two focusing means among a plurality of focusing means, one of an operation amount for operating one focusing means under a predetermined condition, or an electron beam amount or an X-ray dose reaching the target is determined. (B) If the operation amount of the one focusing means is determined under the predetermined condition, the calculation of determining the operation amount of the other focusing means is performed in conjunction with the calculation. An X-ray generation control method characterized by controlling the amount of beam and controlling the X-ray dose by performing the calculations of A) and (B). 請求項７に記載のＸ線発生制御装置であって、前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を少なくとも入力する入力手段と、前記一方の集束手段の操作量および前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が所定の条件において成立する第１相関関係を記憶した第１記憶手段と、一方および他方の集束手段の操作量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第２相関関係を記憶した第２記憶手段と、前記入力手段によって入力された電子ビーム量またはＸ線量を少なくとも表示する表示手段とを備え、前記演算手段は、前記入力手段によって入力された前記電子ビーム量またはＸ線量および前記第１記憶手段によって記憶された操作量・電子ビーム／Ｘ線量の第１相関関係に基づいて、一方の集束手段の操作量を演算する前記（Ａ）の演算を行う第１演算手段と、前記第１演算手段によって演算された一方の集束手段の操作量および前記第２記憶手段によって記憶された操作量の第２相関関係に基づいて、他方の集束手段の操作量を演算する前記（Ｂ）の演算を行う第２演算手段とからなり、第１演算手段によって演算された一方の集束手段の操作量と、前記第２演算手段によって演算された他方の集束手段の操作量とをそれぞれ２つの集束手段に与えて集束手段を操作することで、前記電子ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするＸ線発生制御装置。   8. The X-ray generation control device according to claim 7, wherein an input means for inputting at least an electron beam amount or an X-ray dose reaching the target, an operation amount of the one focusing means, and an electron beam reaching the target The first storage means that stores the first correlation in which the mutual relationship with respect to the amount or the X-ray dose is established under a predetermined condition, and the mutual relationship with respect to the manipulated variable of one and the other focusing means is established in the predetermined condition. A second storage means storing two correlations, and a display means for displaying at least an electron beam amount or an X-ray dose inputted by the input means, wherein the computing means is the electron beam inputted by the input means. Based on the first correlation between the operation amount / electron beam / X dose stored in the first storage means, A first calculation means for calculating the operation amount of the focusing means of (A), an operation amount of one focusing means calculated by the first calculation means, and an operation stored by the second storage means An operation of one of the focusing means calculated by the first calculating means, comprising the second calculating means for performing the calculation of (B), which calculates the operating amount of the other focusing means based on the second correlation of the quantity. The amount of electron beam and the amount of operation of the other focusing means calculated by the second calculating means are respectively applied to the two focusing means to operate the focusing means, thereby controlling the electron beam amount and the X-ray dose. An X-ray generation control device characterized by that. 請求項７に記載のＸ線発生制御装置であって、前記一方の集束手段の操作量を少なくとも入力する入力手段と、一方の集束手段の操作量および前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量について互いの関係が所定の条件において成立する第１相関関係を記憶した第１記憶手段と、一方および他方の集束手段の操作量について互いの関係が前記所定の条件において成立する第２相関関係を記憶した第２記憶手段と、前記入力手段によって入力された一方の集束手段の操作量を少なくとも表示する表示手段とを備え、前記演算手段は、前記入力手段によって入力された一方の集束手段の操作量および前記第２記憶手段によって記憶された操作量の第２相関関係に基づいて、他方の集束手段の操作量を演算する前記（Ｂ）の演算を行う第３演算手段と、前記入力された一方の集束手段の操作量および前記第１記憶手段によって記憶された操作量・電子ビーム／Ｘ線量の第１相関関係に基づいて、前記ターゲットに到達する電子ビーム量またはＸ線量を演算する前記（Ａ）の演算を行う第４演算手段とからなり、入力された一方の集束手段の操作量と、前記第３演算手段によって演算された他方の集束手段の操作量とをそれぞれ２つの集束手段に与えて集束手段を操作することで、前記電子ビーム量を制御するとともにＸ線量を制御することを特徴とするＸ線発生制御装置。
8. The X-ray generation control device according to claim 7, wherein an input means for inputting at least an operation amount of the one focusing means, an operation amount of the one focusing means, and an electron beam amount or an X-ray dose reaching the target. A first storage means that stores a first correlation in which a mutual relationship is established under a predetermined condition, and a second correlation in which the mutual relation is established under the predetermined condition with respect to the operation amounts of one and the other focusing means. A second storage means stored; and a display means for displaying at least an operation amount of one focusing means inputted by the input means, wherein the computing means operates the one focusing means inputted by the input means. Based on the second correlation between the amount and the operation amount stored by the second storage means, the operation (B) for calculating the operation amount of the other focusing means is performed. The amount of electron beam reaching the target based on the first correlation between the operation means and the input operation amount of the one focusing means and the operation amount / electron beam / X-ray dose stored in the first storage means Or the fourth calculation means for calculating the X-ray dose and performing the calculation of (A), and the input operation amount of one focusing means and the operation amount of the other focusing means calculated by the third calculation means. And an X-ray generation control apparatus for controlling the X-ray dose and controlling the electron beam amount by operating the focusing means by respectively supplying the two to the focusing means.
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