JP2005328340A - Capacitor microphone - Google Patents

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保徳 佃
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make a capacitor microphone thin. <P>SOLUTION: An FET 20 is mounted on a circuit board 26 by soldering terminal pieces 20G, 20S, and 20D of the FET 20 to respective conductive layers 44A, 44B, and 44C while mounted on a top surface 42a of a circuit board main body 42 at a main body exposure part 42a1 where the conductive layers 44A, 44B, and 44C are not formed. Consequently, the capacitor microphone 10 can be made thinner by component flotation resulting from the thickness of the conductive layers and interposed solder as compared with a conventional case wherein a FET is arranged on solder supplied onto top surfaces of conductive layers. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本願発明は、コンデンサマイクロホンに関するものであり、特に、その電子チップ部品の回路基板への実装構造に関するものである。   The present invention relates to a condenser microphone, and more particularly to a mounting structure of an electronic chip component on a circuit board.

一般に、コンデンサマイクロホンは、振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ部を有しており、このコンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子等の電子チップ部品が、回路基板に実装された構成となっている。   In general, a condenser microphone has a capacitor part in which a vibration film and a back electrode plate are arranged to face each other, and an electronic chip component such as an impedance conversion element that converts an impedance of the capacitor part into an electric impedance is provided. The structure is mounted on a circuit board.

その際「特許文献1」には、コンデンサ部の外周側に電子チップ部品が配置された状態で、これらコンデンサ部、電子チップ部品および回路基板がハウジング内に収容されたコンデンサマイクロホンが記載されている。   In this case, “Patent Document 1” describes a condenser microphone in which the electronic chip component is disposed on the outer peripheral side of the capacitor unit and the capacitor unit, the electronic chip component, and the circuit board are accommodated in the housing. .

実開平7−7299号公報Japanese Utility Model Publication No. 7-7299

携帯電話機等に搭載されるコンデンサマイクロホンにおいては、その薄型化を図ることが強く要請される。   In a condenser microphone mounted on a mobile phone or the like, it is strongly demanded to reduce its thickness.

しかしながら、従来のコンデンサマイクロホンにおいては、上記「特許文献1」にも記載されているように、電子チップ部品の回路基板への実装が、その基板本体の上面に形成された導電層の上面に予めハンダを供給しておき、このハンダの上に電子チップ部品を配置することにより行われる構成となっているので、コンデンサマイクロホンの薄型化を十分に図ることができない、という問題がある。   However, in the conventional condenser microphone, as described in the above “Patent Document 1”, the mounting of the electronic chip component on the circuit board is previously performed on the upper surface of the conductive layer formed on the upper surface of the substrate body. There is a problem in that the capacitor microphone cannot be sufficiently thinned because it is configured by supplying solder and placing electronic chip components on the solder.

本願発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、薄型化を十分に図ることができるコンデンサマイクロホンを提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a condenser microphone that can be sufficiently thinned.

本願発明は、電子チップ部品の回路基板への実装構造に工夫を施すことにより、上記目的達成を図るようにしたものである。   The present invention is intended to achieve the above object by devising a mounting structure of electronic chip components on a circuit board.

すなわち、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、
振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ部と、少なくとも1つの電子チップ部品と、この電子チップ部品を実装する回路基板と、これらコンデンサ部、電子チップ部品および回路基板を収容するハウジングと、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記回路基板が、基板本体と、この基板本体の上面に所定のパターンで形成された導電層とを備えてなり、
上記電子チップ部品の上記回路基板への実装が、該電子チップ部品を上記基板本体の上面において上記導電層が形成されていない本体露出部分に載置した状態で、該電子チップ部品の各端子部を上記導電層にハンダ付けすることにより行われている、ことを特徴とするものである。
That is, the condenser microphone according to the present invention is
Capacitor portion in which vibration membrane and back electrode plate are arranged opposite to each other, at least one electronic chip component, a circuit board on which this electronic chip component is mounted, and a housing for housing these capacitor portion, electronic chip component and circuit substrate In a condenser microphone comprising:
The circuit board comprises a substrate body and a conductive layer formed in a predetermined pattern on the upper surface of the substrate body,
When the electronic chip component is mounted on the circuit board, each terminal portion of the electronic chip component is mounted in a state where the electronic chip component is placed on the exposed body portion where the conductive layer is not formed on the upper surface of the substrate body. Is performed by soldering to the conductive layer.

上記「少なくとも1つ電子チップ部品」の種類は特に限定されるものではなく、例えば、インピーダンス変換素子、コンデンサ、抵抗等が採用可能である。   The type of the “at least one electronic chip component” is not particularly limited, and for example, an impedance conversion element, a capacitor, a resistor, or the like can be employed.

上記「コンデンサ部、電子チップ部品および回路基板」のハウジング内における具体的な配置は特に限定されるものではない。   The specific arrangement of the “capacitor portion, electronic chip component and circuit board” in the housing is not particularly limited.

上記「導電層」は、上記「本体露出部分」を有するパターンで形成されていれば、その具体的なパターン形状は特に限定されるものではない。   As long as the “conductive layer” is formed in a pattern having the “main body exposed portion”, the specific pattern shape is not particularly limited.

上記構成に示すように、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、コンデンサ部、電子チップ部品および回路基板がハウジング内に収容されており、その回路基板は基板本体の上面に導電層が所定のパターンで形成された構成となっているが、その際、電子チップ部品の回路基板への実装は、該電子チップ部品を基板本体の上面において導電層が形成されていない本体露出部分に載置した状態で、該電子チップ部品の各端子部を導電層にハンダ付けすることにより行われているので、従来のように導電層の上面に供給されたハンダの上に電子チップ部品を配置するようにした場合に比して、導電層の厚さおよびハンダの介在による部品浮きの分だけコンデンサマイクロホンの薄型化を図ることができる。   As shown in the above configuration, in the condenser microphone according to the present invention, the capacitor portion, the electronic chip component, and the circuit board are accommodated in the housing, and the conductive layer is formed in a predetermined pattern on the upper surface of the circuit board body. However, in that case, the mounting of the electronic chip component on the circuit board is in a state where the electronic chip component is placed on the exposed body portion where the conductive layer is not formed on the upper surface of the substrate body. Since each terminal portion of the electronic chip component is soldered to the conductive layer, when the electronic chip component is arranged on the solder supplied to the upper surface of the conductive layer as in the prior art, On the other hand, the thickness of the condenser microphone can be reduced by the thickness of the conductive layer and the part floating due to the presence of solder.

このように本願発明によれば、コンデンサマイクロホンにおいて、その薄型化を図ることができる。   Thus, according to the present invention, the condenser microphone can be thinned.

上記構成において、電子チップ部品の下面と基板本体の上面との間に、仮止め用接着剤が充填された構成とすれば、電子チップ部品の各端子部を導電層にハンダ付けする際、電子チップ部品を保持しておかなくても、電子チップ部品が不用意に移動してしまうのを未然に防止することができ、これによりハンダ付けの作業性を高めることができる。その際、上記「仮止め用接着剤」は、ハンダ付けの際に電子チップ部品が移動しない程度の接着力を有するものであれば、その材質は特に限定されるものではない。なお、この「仮止め用接着剤」は。その塗布厚を極薄く設定しても差し支えないので、これを充填したことによってコンデンサマイクロホンの薄型化が阻害されないようにすることができる。   In the above configuration, if the adhesive for temporary fixing is filled between the lower surface of the electronic chip component and the upper surface of the substrate body, when the terminals of the electronic chip component are soldered to the conductive layer, Even if the chip component is not held, it is possible to prevent the electronic chip component from being moved inadvertently, thereby improving the soldering workability. At this time, the material of the “adhesive for temporary fixing” is not particularly limited as long as it has an adhesive force that does not move the electronic chip component during soldering. This "adhesive for temporary fixing" is. Since the coating thickness can be set to be extremely thin, filling it can prevent the thinning of the condenser microphone from being hindered.

上記構成において、電子チップ部品は、コンデンサ部に対して上下方向に重なるように配置された構成としてもよいが、コンデンサ部の外周側に配置された構成とすれば、コンデンサマイクロホンの一層の薄型化を図ることができる。   In the above configuration, the electronic chip component may be arranged so as to overlap the capacitor unit in the vertical direction. However, if the configuration is arranged on the outer peripheral side of the capacitor unit, the capacitor microphone can be made thinner. Can be achieved.

上記構成において、基板本体の上面に、導電層を部分的に露出させるようにして該導電層を覆う絶縁層が形成された構成とし、その際、導電層の各端子部近傍における露出形状を、該端子部を略U字状に囲む形状に設定すれば、各端子部近傍において導電層上に供給されたハンダが該導電層に沿って不必要に拡がってしまうのを、絶縁層の端面の堰作用によって阻止することができる。   In the above configuration, an insulating layer covering the conductive layer is formed on the upper surface of the substrate body so as to partially expose the conductive layer, and in this case, the exposed shape in the vicinity of each terminal portion of the conductive layer, If the terminal portion is set to have a substantially U-shape, the solder supplied on the conductive layer in the vicinity of each terminal portion will unnecessarily spread along the conductive layer. It can be blocked by the weir action.

上記構成において、各端子部が電子チップ部品のチップ本体から側方へ突出する端子片として構成されている場合には、これら各端子片を、チップ本体の側壁の下端部から斜め上方へ延びるように形成された構成とすれば、次のような作用効果を得ることができる。   In the above configuration, when each terminal portion is configured as a terminal piece protruding sideways from the chip body of the electronic chip component, these terminal pieces extend obliquely upward from the lower end portion of the side wall of the chip body. If it is set as the structure formed in this, the following effects can be acquired.

すなわち、回路基板の基板本体の上面における各端子片の近傍部位においては、チップ本体が配置された本体露出部分とその周囲の導電層との境界部分に、該導電層の厚みの分だけ段差が生じるが、各端子片をチップ本体の側壁の下端部から斜め上方へ延びるように形成することにより、各端子片と導電層の上面との間に所定の空間を確保することができるので、各端子片を導電層に対して容易にハンダ付けすることができる。その際、各端子片をチップ本体の側壁の下端部から斜め上方へ延びるように形成する方法としては、各端子片を当初からこのような形状に設定しておく方法以外にも、チップ本体の側壁の下端部から略水平に延びるように形成された各端子片を上方側へ折り曲げて上方へ延びるように形成する方法も採用可能である。後者の方法を採用した場合には、汎用の電子チップ部品を用いることが可能となる。   That is, in the vicinity of each terminal piece on the upper surface of the substrate body of the circuit board, there is a step corresponding to the thickness of the conductive layer at the boundary between the exposed body portion where the chip body is disposed and the surrounding conductive layer. However, by forming each terminal piece so as to extend obliquely upward from the lower end of the side wall of the chip body, a predetermined space can be ensured between each terminal piece and the upper surface of the conductive layer. The terminal strip can be easily soldered to the conductive layer. At that time, as a method of forming each terminal piece so as to extend obliquely upward from the lower end of the side wall of the chip body, in addition to the method of setting each terminal piece in such a shape from the beginning, It is also possible to adopt a method in which each terminal piece formed so as to extend substantially horizontally from the lower end portion of the side wall is bent upward to be extended upward. When the latter method is employed, a general-purpose electronic chip component can be used.

あるいは、このようにする代わりに、各端子片をチップ本体の側壁の上下方向中間位置から略水平に延びるように形成することによっても、各端子片と導電層の上面との間に所定の空間を確保することができるので、各端子片を導電層に対して容易にハンダ付けすることができる。   Alternatively, instead of doing this, each terminal piece is formed so as to extend substantially horizontally from an intermediate position in the vertical direction of the side wall of the chip body, and a predetermined space is provided between each terminal piece and the upper surface of the conductive layer. Therefore, each terminal piece can be easily soldered to the conductive layer.

さらに、このようにする代わりに、各端子片をチップ本体の側壁の上端部から略水平に延びるように形成することによっても、各端子片と導電層の上面との間に所定の空間を確保することができるので、各端子片を導電層に対して容易にハンダ付けすることができる。このような構成を採用した場合には、汎用の電子チップ部品を上下反転させてそのまま用いることが可能となる。   Further, instead of doing this, each terminal piece is formed so as to extend substantially horizontally from the upper end of the side wall of the chip body, thereby securing a predetermined space between each terminal piece and the upper surface of the conductive layer. Thus, each terminal piece can be easily soldered to the conductive layer. When such a configuration is adopted, it is possible to use a general-purpose electronic chip component as it is upside down.

以下、図面を用いて、本願発明の実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホン10を示す側断面図であり、図2は、図1のII-II 線断面図である。   FIG. 1 is a side sectional view showing a condenser microphone 10 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG.

これらの図に示すように、このコンデンサマイクロホン10は、小型のエレクトレットコンデンサマイクロホンであって、高さが0.6mm程度で直径が4mm程度の背の低い略円筒形の外形形状を有している。   As shown in these drawings, the condenser microphone 10 is a small electret condenser microphone, and has a low profile and a substantially cylindrical outer shape with a height of about 0.6 mm and a diameter of about 4 mm. .

このコンデンサマイクロホン10は、ハウジング12内に、インシュレーティングブッシュ14と、コンデンサ部16と、コンタクトスプリング18と、3つの電子チップ部品20、22、24と、回路基板26とが収容されてなっている。   In the condenser microphone 10, an insulating bush 14, a capacitor portion 16, a contact spring 18, three electronic chip components 20, 22, and 24, and a circuit board 26 are accommodated in a housing 12. .

ハウジング12は、下端部が開放された円筒状の金属製部材であって、上記各部材を上方側から覆うようにした状態で、その周壁の下端部12bを内周側へ折り曲げることにより、回路基板26の周縁部にカシメ固定されている。このハウジング12の上面部には、複数の音孔12aが形成されている。   The housing 12 is a cylindrical metal member having a lower end opened, and the lower end 12b of the peripheral wall is bent to the inner peripheral side in a state in which each member is covered from the upper side. A caulking is fixed to the peripheral edge of the substrate 26. A plurality of sound holes 12 a are formed in the upper surface portion of the housing 12.

インシュレーティングブッシュ14は、合成樹脂製部材であって、ハウジング12の内周面に沿って形成されたリング状の周壁部14aと、この周壁部14aの内周側に該周壁部14aよりも僅かに低い高さで形成された隔壁部14bとからなり、これら周壁部14aと隔壁部14bとにより4つの空間部C1、C2、C3、C4を形成している。   The insulating bush 14 is a synthetic resin member, and has a ring-shaped peripheral wall portion 14 a formed along the inner peripheral surface of the housing 12, and is slightly closer to the inner peripheral side of the peripheral wall portion 14 a than the peripheral wall portion 14 a. The partition wall portion 14b is formed at a low height, and the peripheral wall portion 14a and the partition wall portion 14b form four space portions C1, C2, C3, and C4.

空間部C1は、コンデンサ部16を収容する空間であって、比較的大きい円形の空間部として形成されており、空間部C1、C2、C3、C4は、この空間部C1を円弧状に囲むように配置された比較的小さい空間部として形成されている。その際、空間部C2は、空間部C1から隔離されているが、空間部C3、C4は、隔壁部14bの上面に形成された連通溝14b1を介して空間部C1と連通しており、これによりコンデンサ部16の背圧空間を拡大させるようになっている。   The space portion C1 is a space that accommodates the capacitor portion 16, and is formed as a relatively large circular space portion. The space portions C1, C2, C3, and C4 surround the space portion C1 in an arc shape. It is formed as a relatively small space portion arranged in the space. At this time, the space portion C2 is isolated from the space portion C1, but the space portions C3 and C4 communicate with the space portion C1 through the communication groove 14b1 formed on the upper surface of the partition wall portion 14b. Thus, the back pressure space of the capacitor portion 16 is expanded.

コンデンサ部16は、振動膜サブアッセンブリ32と、スペーサ34と、背面電極板36とからなっている。   The capacitor unit 16 includes a diaphragm subassembly 32, a spacer 34, and a back electrode plate 36.

振動膜サブアッセンブリ32は、金属製の支持リング32Bの下面に振動膜32Aが張設固定されてなり、その振動膜32Aは、上面に金属蒸着膜が形成された高分子フィルムで構成されている。スペーサ34は、金属製の薄板リングで構成されている。背面電極板36は、金属製の電極板本体36Aと、この電極板本体36Aの上面に熱融着されたエレクトレット層36Bとからなっている。この背面電極板36は、平面視において略十字形に形成されているが、その外径は支持リング32Bの外径と略同じ値に設定されている。   The vibration membrane subassembly 32 has a vibration film 32A stretched and fixed on the lower surface of a metal support ring 32B, and the vibration film 32A is composed of a polymer film having a metal vapor deposition film formed on the upper surface. . The spacer 34 is composed of a metal thin plate ring. The back electrode plate 36 includes a metal electrode plate main body 36A and an electret layer 36B heat-sealed to the upper surface of the electrode plate main body 36A. The back electrode plate 36 is formed in a substantially cross shape in plan view, but its outer diameter is set to be substantially the same as the outer diameter of the support ring 32B.

そして、このコンデンサ部16においては、振動膜サブアッセンブリ32の振動膜32Aと背面電極板36のエレクトレット層36Bとが、スペーサ34を介して所定の微小間隔をおいて対向している。   In the capacitor section 16, the vibration film 32 </ b> A of the vibration film subassembly 32 and the electret layer 36 </ b> B of the back electrode plate 36 are opposed to each other with a predetermined minute interval.

3つの電子チップ部品20、22、24のうち、電子チップ部品20は、接合型の電界効果トランジスタ(以下「FET」という)であって、コンデンサ部16の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するためのインピーダンス変換素子として設けられている。残り2つの電子チップ部品22、24は、静電容量の異なる2種類のコンデンサであって、ノイズ除去のために設けられている。そして、FET20は、空間部C2に収容された状態で回路基板26に実装されており、2つのコンデンサ22、24は、いずれも空間部C3に収容された状態で回路基板26に実装されてる。   Of the three electronic chip components 20, 22, and 24, the electronic chip component 20 is a junction-type field effect transistor (hereinafter referred to as “FET”), and converts the change in capacitance of the capacitor unit 16 into electrical impedance. Is provided as an impedance conversion element. The remaining two electronic chip components 22 and 24 are two types of capacitors having different electrostatic capacities, and are provided for noise removal. The FET 20 is mounted on the circuit board 26 while being accommodated in the space C2, and the two capacitors 22 and 24 are both mounted on the circuit board 26 while being accommodated in the space C3.

回路基板26は、基板本体42と、この基板本体42の上面42aに所定のパターンで形成された導電層44A、44B、44Cと、この基板本体42の下面42bに形成された導電層46A、46Bとからなっている。   The circuit board 26 includes a substrate body 42, conductive layers 44A, 44B, 44C formed in a predetermined pattern on the upper surface 42a of the substrate body 42, and conductive layers 46A, 46B formed on the lower surface 42b of the substrate body 42. It is made up of.

その際、導電層46Aは、基板本体42の下面42bの中心部に形成されており、導電層46Bは、その下面42bの外周縁部に環状に形成されている。そして、導電層46Aは、図示しないスルーホールを介して導電層44Cと導通しており、導電層46Bは、図示しないスルーホールを介して導電層44Bと導通している。   At that time, the conductive layer 46A is formed at the center of the lower surface 42b of the substrate body 42, and the conductive layer 46B is formed in an annular shape at the outer peripheral edge of the lower surface 42b. The conductive layer 46A is electrically connected to the conductive layer 44C via a through hole (not shown), and the conductive layer 46B is electrically connected to the conductive layer 44B via a through hole (not shown).

さらに、この回路基板26においては、その基板本体42の上面42aに、各導電層44A、44B、44Cを部分的に露出させるようにしてこれらを覆う絶縁層48が、所定のパターンで形成されている。   Further, in this circuit board 26, an insulating layer 48 is formed on the upper surface 42a of the board body 42 so as to partially expose the conductive layers 44A, 44B and 44C in a predetermined pattern. Yes.

基板本体42は、0.06mm程度の厚さを有しており、各導電層44A、44B、44C、各導電層46A、46Bおよび絶縁層48は、いずれも0.04mm程度の厚さを有している。   The substrate body 42 has a thickness of about 0.06 mm, and the conductive layers 44A, 44B, 44C, the conductive layers 46A, 46B, and the insulating layer 48 all have a thickness of about 0.04 mm. doing.

コンタクトスプリング18は、略環状コーン形に形成された金属製のプレートスプリングであって、その上端部において背面電極板36の電極板本体36Aに当接するとともに、その下端部において回路基板26の導電層44Aおよび絶縁層48に当接している。   The contact spring 18 is a metal plate spring formed in a substantially annular cone shape. The contact spring 18 is in contact with the electrode plate main body 36A of the back electrode plate 36 at the upper end portion thereof, and the conductive layer of the circuit board 26 at the lower end portion thereof. 44A and the insulating layer 48 are in contact.

FET20は、高さが0.3mm程度の直方体形状を有するチップ本体20Aと、このチップ本体20Aから側方へ突出する3つの端子片20G、20S、20Dとからなっている。   The FET 20 includes a chip body 20A having a rectangular parallelepiped shape with a height of about 0.3 mm, and three terminal pieces 20G, 20S, and 20D projecting sideways from the chip body 20A.

端子片20Gは、ゲート電極を構成する端子部であって、チップ本体20Aの一方の側壁における水平方向中央部の下端部から斜め上方へ延びるように形成されている。残り2つの端子片20S、20Dは、ソース電極およびドレイン電極を構成する端子部であって、チップ本体20Aの他方の側壁における水平方向両端部近傍部位の下端部から斜め上方へ延びるように形成されている。   The terminal piece 20G is a terminal portion constituting a gate electrode, and is formed to extend obliquely upward from the lower end portion of the horizontal central portion on one side wall of the chip body 20A. The remaining two terminal pieces 20S and 20D are terminal portions that constitute a source electrode and a drain electrode, and are formed so as to extend obliquely upward from a lower end portion of a portion in the vicinity of both ends in the horizontal direction on the other side wall of the chip body 20A. ing.

そして、ゲート電極を構成する端子片20Gは、導電層44Aおよびコンタクトスプリング18を介して背面電極板36の電極板本体36Aと導通しており、ソース電極を構成する端子片20Sは、導電層44B、導電層46B、ハウジング12および支持リング32Bを介して振動膜32Aと導通しており、ドレイン電極を構成する端子片20Dは、導電層44Cを介して導電層46Aと導通している。   The terminal piece 20G constituting the gate electrode is electrically connected to the electrode plate body 36A of the back electrode plate 36 via the conductive layer 44A and the contact spring 18, and the terminal piece 20S constituting the source electrode is electrically connected to the conductive layer 44B. The conductive film 46B, the housing 12, and the support ring 32B are electrically connected to the vibrating membrane 32A, and the terminal piece 20D constituting the drain electrode is electrically connected to the conductive layer 46A via the conductive layer 44C.

図3は、図1のIII 部詳細図である。また、図4は、FET20の回路基板26への実装構造を示す平面図である。   FIG. 3 is a detailed view of part III in FIG. FIG. 4 is a plan view showing the mounting structure of the FET 20 on the circuit board 26.

これらの図にも示すように、FET20の回路基板26への実装は、そのチップ本体20Aを、基板本体42の上面42aにおいて導電層44A、44B、44Cおよび絶縁層48が形成されていない本体露出部分42a1に載置した状態で、該FET20の各端子片20G、20S、20Dを各導電層44A、44B、44Cに各々ハンダ付けすることにより行われている。   As shown in these figures, the FET 20 is mounted on the circuit board 26 when the chip main body 20A is exposed to the main body where the conductive layers 44A, 44B, 44C and the insulating layer 48 are not formed on the upper surface 42a of the substrate main body 42. This is performed by soldering the terminal pieces 20G, 20S, and 20D of the FET 20 to the conductive layers 44A, 44B, and 44C while being placed on the portion 42a1, respectively.

これを実現するため、導電層44A、44B、44Cは、導電層44Aの端面44A1と導電層44B、44Cの端面44B1、44C1とが、FET20のチップ本体20Aの幅よりもやや広い間隔で向き合うように形成されている。また、絶縁層48には、FET20のチップ本体20Aよりもひとまわり大きい略矩形状の開口部48aが形成されている。その際、この開口部48aにおける各端子片20G、20S、20Dに対応する位置には、略U字状の切欠き部48a1、48a2、48a3が形成されており、これにより各導電層44A、44B、44Cの各端子片20G、20S、20D近傍における露出形状を、該端子片20G、20S、20Dを略U字状に囲む形状に設定するようになっている。   In order to achieve this, the conductive layers 44A, 44B, and 44C are such that the end face 44A1 of the conductive layer 44A and the end faces 44B1 and 44C1 of the conductive layers 44B and 44C face each other at a slightly larger interval than the width of the chip body 20A of the FET 20. Is formed. The insulating layer 48 is formed with a substantially rectangular opening 48a that is slightly larger than the chip body 20A of the FET 20. At that time, substantially U-shaped cutout portions 48a1, 48a2, and 48a3 are formed at positions corresponding to the terminal pieces 20G, 20S, and 20D in the opening portion 48a, whereby the conductive layers 44A and 44B are formed. 44C, the exposed shape in the vicinity of each terminal piece 20G, 20S, 20D is set to a shape surrounding the terminal pieces 20G, 20S, 20D in a substantially U-shape.

そして、これら各導電層44A、44B、44Cの露出部分と各端子片20G、20S、20Dとの間に各々ハンダSを供給することにより、上記ハンダ付けが行われるようになっている。その際、これら3箇所に供給されたハンダSは、導電層44A、44B、44Cの各端面44A1、44B1、44C1と絶縁層48の各切欠き部48a1、48a2、48a3とで囲まれる範囲内において略ドーム状に盛り上がった形状となる。これは、ハンダSの表面張力および各切欠き部48a1、48a2、48a3の堰としての作用によるものである。   The soldering is performed by supplying solder S between the exposed portions of the conductive layers 44A, 44B, and 44C and the terminal pieces 20G, 20S, and 20D. At that time, the solder S supplied to these three places is within a range surrounded by the respective end faces 44A1, 44B1, 44C1 of the conductive layers 44A, 44B, 44C and the notches 48a1, 48a2, 48a3 of the insulating layer 48. It becomes a shape that rises in a generally dome shape. This is due to the surface tension of the solder S and the action of each notch 48a1, 48a2, 48a3 as a weir.

FET20のチップ本体20Aの下面と基板本体42の上面42aとの間には、仮止め用接着剤Aが充填されている。この仮止め用接着剤Aの充填を行うことにより、ハンダ付けの際にFET20が不用意に移動してしまうのを未然に防止するようになっている。   A temporary fixing adhesive A is filled between the lower surface of the chip body 20A of the FET 20 and the upper surface 42a of the substrate body 42. By filling the adhesive A for temporary fixing, the FET 20 is prevented from inadvertently moving during soldering.

図5は、図2のV-V 線断面詳細図であって、コンデンサ22の回路基板26への実装構造を示す側断面である。   FIG. 5 is a detailed cross-sectional view taken along the line V-V in FIG. 2, and is a side cross-sectional view showing a mounting structure of the capacitor 22 on the circuit board 26.

同図に示すように、このコンデンサ22は、FET20よりもやや高さが低い直方体形状を有しており、その長手方向の両端面が端子部22a、22bとして構成されている。そして、このコンデンサ22は、その各端子部22a、22bが各導電層44B、44Cと各々導通している。   As shown in the figure, the capacitor 22 has a rectangular parallelepiped shape that is slightly lower than the FET 20, and both end faces in the longitudinal direction are configured as terminal portions 22a and 22b. In the capacitor 22, the terminal portions 22a and 22b are electrically connected to the conductive layers 44B and 44C, respectively.

このコンデンサ22の回路基板26への実装も、FET20の場合と略同様にして行われている。すなわち、コンデンサ22を、基板本体42の上面42aにおいて導電層44B、44Cが形成されていない本体露出部分42a2に載置した状態で、該コンデンサ22の各端子部22a、22bを各導電層44B、44Cに各々ハンダ付けすることにより、その回路基板26への実装が行われている。   The capacitor 22 is mounted on the circuit board 26 in substantially the same manner as the FET 20. That is, in a state where the capacitor 22 is placed on the exposed body portion 42a2 where the conductive layers 44B and 44C are not formed on the upper surface 42a of the substrate body 42, the terminal portions 22a and 22b of the capacitor 22 are connected to the conductive layers 44B and 44B, respectively. By soldering to 44C, the mounting to the circuit board 26 is performed.

これを実現するため、導電層44B、44Cは、導電層44Bの端面44B2と導電層44Cの端面44C2とが、コンデンサ22の全長よりもやや広い間隔で向き合うように形成されている。また、絶縁層48には、コンデンサ22よりもひとまわり大きい略矩形状の開口部48b(図6(a)参照)が形成されている。その際、この開口部48bにおける各端子部22a、22bに対応する位置には、略U字状の切欠き部48b1、48b2が形成されており、これにより各導電層44B、44Cの各端子部22a、22b近傍における露出形状を、該端子部22a、22bを略U字状に囲む形状に設定するようになっている。   In order to realize this, the conductive layers 44B and 44C are formed such that the end face 44B2 of the conductive layer 44B and the end face 44C2 of the conductive layer 44C face each other at a slightly larger interval than the entire length of the capacitor 22. In addition, a substantially rectangular opening 48b (see FIG. 6A) that is slightly larger than the capacitor 22 is formed in the insulating layer 48. At this time, substantially U-shaped cutout portions 48b1 and 48b2 are formed at positions corresponding to the respective terminal portions 22a and 22b in the opening portion 48b, whereby the respective terminal portions of the respective conductive layers 44B and 44C. The exposed shape in the vicinity of 22a and 22b is set to a shape surrounding the terminal portions 22a and 22b in a substantially U shape.

そして、これら各導電層44B、44Cの露出部分と各端子部22a、22bとの間に各々ハンダSを供給することにより、上記ハンダ付けが行われるようになっている。その際、各端子部22a、22bは、端子片ではなくコンデンサ22の各端面で構成されているので、ハンダSは、各導電層44B、44Cだけでなく基板本体42の上面42aにまで供給されるが、この上面42aにおいてはほとんど拡がることはなく、また、各導電層44B、44Cの上面においても、各切欠き部48b1、48b2の堰としての作用により、広がり範囲は限定的なものとなる。   The soldering is performed by supplying solder S between the exposed portions of the conductive layers 44B and 44C and the terminal portions 22a and 22b. At that time, since each terminal portion 22a, 22b is constituted by each end face of the capacitor 22 instead of the terminal piece, the solder S is supplied not only to each conductive layer 44B, 44C but also to the upper surface 42a of the substrate body 42. However, the upper surface 42a hardly expands, and the upper surfaces of the conductive layers 44B and 44C also have a limited range of expansion due to the action of the notches 48b1 and 48b2. .

コンデンサ22の下面と基板本体42の上面42aとの間には、仮止め用接着剤Aが充填されている。この仮止め用接着剤Aの充填を行うことにより、ハンダ付けの際にコンデンサ22が不用意に移動してしまうのを未然に防止するようになっている。   A temporary fixing adhesive A is filled between the lower surface of the capacitor 22 and the upper surface 42 a of the substrate body 42. By filling the adhesive A for temporary fixing, it is possible to prevent the capacitor 22 from being inadvertently moved during soldering.

図6は、仮止め用接着剤Aが仮に充填されていないとした場合に生じ得る現象を説明するための図であって、同図(b)が図5と同様の図であり、同図(a)がその平面図である。   6 is a diagram for explaining a phenomenon that may occur when the temporary fixing adhesive A is not temporarily filled, and FIG. 6B is a diagram similar to FIG. (A) is the top view.

同図(a)、(b)に示すように、各導電層44B、44Cの露出部分と各端子部22a、22bとの間にハンダSを供給したとき、コンデンサ22にはその両側にハンダSの表面張力が微妙なバランスで作用するので、かなり不安定な状態となり、いずれか一方に引き付けられやすくなる。このため、例えば図中矢印で示すように、端子部22b側へコンデンサ22が引き付けられたとすると、コンデンサ22は、導電層44Cの端面44C2に当接する位置まで端子部22b側へ移動する。その際、同図(c)、(d)に示すように、反対側の導電層44Bの露出部分と端子部22aとの間に供給されていたハンダSが、端子部22aから離れて、導電層44Bの露出部分の上面に略ドーム状に盛り上がった形状となり、ハンダ付け不良が発生してしまうこととなる。   As shown in FIGS. 4A and 4B, when solder S is supplied between the exposed portions of the conductive layers 44B and 44C and the terminal portions 22a and 22b, the capacitor 22 has solder S on both sides thereof. Since the surface tension acts with a delicate balance, the surface tension becomes considerably unstable and is easily attracted to either one. Therefore, for example, as indicated by an arrow in the figure, if the capacitor 22 is attracted to the terminal portion 22b side, the capacitor 22 moves to the terminal portion 22b side to a position where it abuts on the end face 44C2 of the conductive layer 44C. At that time, as shown in FIGS. 4C and 4D, the solder S supplied between the exposed portion of the conductive layer 44B on the opposite side and the terminal portion 22a is separated from the terminal portion 22a to be conductive. The upper surface of the exposed portion of the layer 44B has a shape that rises substantially in the shape of a dome, and poor soldering occurs.

これに対し、本実施形態のように、コンデンサ22の下面と基板本体42の上面42aとの間に仮止め用接着剤Aを充填しておくようにすれば、ハンダ付けの際、コンデンサ22を保持しておかなくても、コンデンサ22が不用意に移動してしまうのを未然に防止することができる。   On the other hand, if the temporary fixing adhesive A is filled between the lower surface of the capacitor 22 and the upper surface 42a of the substrate body 42 as in the present embodiment, the capacitor 22 is attached during soldering. Even if it is not held, it is possible to prevent the capacitor 22 from inadvertently moving.

なお、もう1つのコンデンサ24の回路基板26への実装構造についても、コンデンサ22の場合と全く同様である。   The mounting structure of the other capacitor 24 on the circuit board 26 is exactly the same as that of the capacitor 22.

以上詳述したように、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン10は、そのFET20の回路基板26への実装が、該FET20を基板本体42の上面42aにおいて導電層44A、44B、44Cおよび絶縁層48が形成されていない本体露出部分42a1に載置した状態で、該FET20の各端子片20G、20S、20Dを各導電層44A、44B、44Cにハンダ付けすることにより行われているので、従来のように導電層の上面に供給されたハンダの上にFETを配置するようにした場合に比して、導電層の厚さおよびハンダの介在による部品浮きの分だけコンデンサマイクロホン10の薄型化を図ることができる。同様に、各コンデンサ22、24の回路基板26への実装に関しても、該コンデンサ22、24を基板本体42の上面42aにおいて各導電層44B、44Cが形成されていない本体露出部分42a2に載置した状態で、該コンデンサ22、24の各端子部22a、22b等を各導電層44B、44Cにハンダ付けすることにより行われているので、これらコンデンサ22、24が設けられていることによりコンデンサマイクロホン10の薄型化が阻害されてしまわないようにすることができる。   As described above in detail, in the capacitor microphone 10 according to the present embodiment, the FET 20 is mounted on the circuit board 26, and the FET 20 has the conductive layers 44A, 44B, 44C and the insulating layer 48 on the upper surface 42a of the substrate body 42. This is performed by soldering the terminal pieces 20G, 20S, and 20D of the FET 20 to the conductive layers 44A, 44B, and 44C in a state where the FET 20 is placed on the unexposed main body exposed portion 42a1. Compared with the case where the FET is arranged on the solder supplied to the upper surface of the conductive layer, the thickness of the capacitor microphone 10 can be reduced by the thickness of the conductive layer and the amount of component floating due to the presence of the solder. Can do. Similarly, regarding the mounting of the capacitors 22 and 24 on the circuit board 26, the capacitors 22 and 24 are placed on the main body exposed portion 42a2 where the conductive layers 44B and 44C are not formed on the upper surface 42a of the board main body 42. In this state, the terminal portions 22a and 22b of the capacitors 22 and 24 are soldered to the conductive layers 44B and 44C, so that the capacitor microphone 10 is provided by providing the capacitors 22 and 24. It is possible to prevent the thinning of the film from being hindered.

しかも本実施形態においては、FET20およびコンデンサ22、24が、ハウジング12内においてコンデンサ部16の外周側に配置されているので、コンデンサマイクロホン10の一層の薄型化を図ることができる。   In addition, in the present embodiment, since the FET 20 and the capacitors 22 and 24 are disposed on the outer peripheral side of the capacitor portion 16 in the housing 12, the capacitor microphone 10 can be further reduced in thickness.

また本実施形態においては、FET20の下面と基板本体42の上面42aとの間に、仮止め用接着剤Aが充填されているので、FET20の各端子片20G、20S、20Dを各導電層44A、44B、44Cにハンダ付けする際に、FET20が不用意に移動してしまうのを未然に防止することができ、これによりハンダ付けの際にFET20を保持しておく必要性をなくし、その作業性を高めることができる。同様に、各コンデンサ22、24の下面と基板本体42の上面42aとの間にも、仮止め用接着剤Aが充填されているので、各コンデンサ22、24の各端子部22a、22b等を各導電層44B、44Cにハンダ付けする際に、該コンデンサ22、24が不用意に移動してしまうのを未然に防止することができ、これによりハンダ付けの際にコンデンサ22、24を保持しておく必要性をなくし、その作業性を高めることができる。特に、これら各コンデンサ22、24は、その各端子部22a、22bが端子片としては構成されておらず、ハンダ付けする際に移動してしまいやすいので、仮止め用接着剤Aが充填された構成としておくことが極めて効果的である。   In the present embodiment, since the temporary fixing adhesive A is filled between the lower surface of the FET 20 and the upper surface 42a of the substrate body 42, the terminal pieces 20G, 20S, and 20D of the FET 20 are connected to the conductive layers 44A. , 44B, 44C can prevent the FET 20 from inadvertently moving, thereby eliminating the need to hold the FET 20 during soldering. Can increase the sex. Similarly, since the adhesive A for temporary fixing is filled between the lower surfaces of the capacitors 22 and 24 and the upper surface 42a of the substrate body 42, the terminal portions 22a and 22b of the capacitors 22 and 24 are connected. When soldering to the conductive layers 44B and 44C, it is possible to prevent the capacitors 22 and 24 from inadvertently moving, thereby holding the capacitors 22 and 24 during soldering. It is possible to improve the workability. In particular, each of the capacitors 22 and 24 is not configured as a terminal piece, and is easily moved when soldered, so the adhesive A for temporary fixing is filled. It is extremely effective to have a configuration.

さらに本実施形態においては、基板本体42の上面42aに、導電層44A、44B、44Cを部分的に露出させるようにしてこれらを覆う絶縁層48が形成されているが、その際、FET20の各端子片20G、20S、20D近傍における各導電層44A、44B、44Cの露出形状は、該端子片20G、20S、20Dを略U字状に囲む形状に設定されているので、各端子片20G、20S、20D近傍において各導電層44A、44B、44C上に供給されたハンダSが該導電層44A、44B、44Cに沿って不必要に拡がってしまうのを、絶縁層48において略U字状に形成された各切欠き部48a1、48a2、48a3の端面の堰作用によって阻止することができる。同様に、各コンデンサ22、24の各端子部22a、22b等近傍における各導電層44B、44Cの露出形状は、該端子部22a、22b等を略U字状に囲む形状に設定されているので、各端子部22a、22b等近傍において各導電層44B、44C上に供給されたハンダSが該導電層44B、44Cに沿って拡がってしまうのを、絶縁層48において略U字状に形成された各切欠き部48b1、48b2等の端面の堰作用によって阻止することができる。   Furthermore, in this embodiment, the insulating layer 48 is formed on the upper surface 42a of the substrate body 42 so as to partially expose the conductive layers 44A, 44B, and 44C. The exposed shapes of the conductive layers 44A, 44B, 44C in the vicinity of the terminal pieces 20G, 20S, 20D are set to surround the terminal pieces 20G, 20S, 20D in a substantially U shape. In the insulating layer 48, the solder S supplied on the conductive layers 44A, 44B, 44C in the vicinity of 20S, 20D spreads unnecessarily along the conductive layers 44A, 44B, 44C in a substantially U shape. It can prevent by the dam action of the end surface of each notch part 48a1, 48a2, 48a3 formed. Similarly, the exposed shapes of the conductive layers 44B and 44C in the vicinity of the terminal portions 22a and 22b of the capacitors 22 and 24 are set to surround the terminal portions 22a and 22b in a substantially U shape. In the vicinity of the terminal portions 22a, 22b, etc., the solder S supplied on the conductive layers 44B, 44C spreads along the conductive layers 44B, 44C, and is formed in a substantially U shape in the insulating layer 48. Moreover, it can block | prevent by the dam action of end surfaces, such as each notch part 48b1 and 48b2.

また本実施形態においては、FET20において、そのチップ本体20Aから側方へ突出する端子片20G、20S、20Dが、該側壁の下端部から斜め上方へ延びるように形成されているので、チップ本体20Aが配置された本体露出部分42a1とその周囲の各導電層44A、44B、44Cとの境界部分に、該導電層44A、44B、44Cの厚みの分だけ段差が生じるにもかかわらず、各端子片20G、20S、20Dと各導電層44A、44B、44Cの上面との間に所定の空間を確保することができ、これにより各端子片20G、20S、20Dを各導電層44A、44B、44Cに対して容易にハンダ付けすることができる。   Further, in the present embodiment, in the FET 20, the terminal pieces 20G, 20S, and 20D projecting sideways from the chip body 20A are formed so as to extend obliquely upward from the lower end portion of the side wall. The terminal strips are formed even though there are steps corresponding to the thicknesses of the conductive layers 44A, 44B, 44C at the boundary portions between the main body exposed portion 42a1 where the conductive layer 44a1 is disposed and the conductive layers 44A, 44B, 44C around it. A predetermined space can be ensured between 20G, 20S, and 20D and the upper surface of each conductive layer 44A, 44B, and 44C, so that each terminal piece 20G, 20S, and 20D can be placed in each conductive layer 44A, 44B, and 44C. On the other hand, it can be easily soldered.

ところで、上記実施形態のFET20に代えて、図7に示すようなFET120あるいはFET220を用いることも可能である。   Incidentally, instead of the FET 20 of the above-described embodiment, an FET 120 or an FET 220 as shown in FIG. 7 can be used.

同図(a)に示すFET120は、その各端子片120G、120D等が、チップ本体120Aの側壁の上下方向中間位置から略水平に延びるように形成されている。このような構成を採用した場合においても、各端子片120G、120D等と各導電層44A、44C等の上面との間に所定の空間を確保することができるので、各端子片120G、120D等を各導電層44A、44C等に対して容易にハンダ付けすることができる。   The FET 120 shown in FIG. 6A is formed such that each of the terminal pieces 120G, 120D and the like extend substantially horizontally from an intermediate position in the vertical direction of the side wall of the chip body 120A. Even when such a configuration is adopted, a predetermined space can be ensured between each terminal piece 120G, 120D, etc. and the upper surface of each conductive layer 44A, 44C, etc., so that each terminal piece 120G, 120D, etc. Can be easily soldered to the conductive layers 44A, 44C and the like.

また、同図(b)に示すFET220は、その各端子片220G、220D等がチップ本体220Aの側壁の上端部から略水平に延びるように形成されている。このような構成を採用した場合においても、各端子片220G、220D等と各導電層44B、44C等の上面との間に所定の空間を確保することができるので、各端子片220G、220D等を各導電層44B、44C等に対して容易にハンダ付けすることができる。そして、このような構成を採用した場合には、FET220として、汎用のFETを上下反転させてそのまま用いることが可能となる。   Further, the FET 220 shown in FIG. 5B is formed such that each of the terminal pieces 220G, 220D and the like extend substantially horizontally from the upper end portion of the side wall of the chip body 220A. Even when such a configuration is adopted, a predetermined space can be secured between the terminal pieces 220G and 220D and the upper surfaces of the conductive layers 44B and 44C. Can be easily soldered to the conductive layers 44B, 44C and the like. When such a configuration is employed, a general-purpose FET can be inverted and used as it is as the FET 220.

なお、これらFET120またはFET220を用いる場合には、上記実施形態のFET20を用いる場合に比して、ハンダSの供給量をその供給空間の大きさに応じて適宜変更すればよい。その際、ハンダSの供給量に応じて、絶縁層48の各切欠き部48a1、48a3等の大きさを適宜変更すれば、ハンダSが導電層44B、44Cに沿って不必要に拡がってしまうのを防止した上で、略ドーム状に盛り上がった形状とすることができる。   Note that when these FET 120 or FET 220 are used, the supply amount of the solder S may be appropriately changed according to the size of the supply space, as compared with the case where the FET 20 of the above embodiment is used. At that time, if the sizes of the notches 48a1, 48a3 and the like of the insulating layer 48 are appropriately changed according to the supply amount of the solder S, the solder S unnecessarily expands along the conductive layers 44B, 44C. In addition, it is possible to obtain a shape that rises substantially in a dome shape.

上記実施形態においては、FET20の回路基板26への実装が、そのチップ本体20Aの下面を基板本体42の上面42aに仮止め固定した状態で各端子片20G、20S、20Dを各導電層44A、44B、44Cにハンダ付けすることにより行われるものとして説明したが、ハンダSを予め導電層44A、44B、44Cの露出部分に供給した状態で、FET20の下面を基板本体42の上面42aに当接させることにより、上記実装が行われる構成とすることも可能である。このようにした場合には、仮止め用接着剤Aを用いなくても、ハンダ付けの際にFET20が不用意に移動してしまうといった不具合が発生するのを未然に回避することができる。なお、この点に関しては、上記FET120またはFET220を採用した場合も同様である。   In the above embodiment, the mounting of the FET 20 on the circuit board 26 is such that the terminal pieces 20G, 20S, and 20D are connected to the conductive layers 44A, with the lower surface of the chip body 20A temporarily fixed to the upper surface 42a of the substrate body 42, respectively. Although described as being performed by soldering to 44B and 44C, the lower surface of the FET 20 is in contact with the upper surface 42a of the substrate body 42 with the solder S supplied in advance to the exposed portions of the conductive layers 44A, 44B and 44C. It is also possible to adopt a configuration in which the above mounting is performed. In this case, it is possible to avoid the occurrence of a problem that the FET 20 moves carelessly during soldering without using the temporary fixing adhesive A. This is the same when the FET 120 or the FET 220 is used.

また、上記実施形態においては、FET20の回路基板26への実装が、各端子片20G、20S、20Dを各導電層44A、44B、44C上においてハンダ付けすることにより行われるものとして説明したが、このようにする代わりに、コンデンサ22を回路基板26に実装する場合と同様に、各端子片20G、20S、20Dの横方向にハンダSを供給してハンダ付けを行うようにすることも可能である。   In the above embodiment, the FET 20 is mounted on the circuit board 26 by soldering the terminal pieces 20G, 20S, and 20D on the conductive layers 44A, 44B, and 44C. Instead of doing this, it is also possible to perform soldering by supplying solder S in the lateral direction of each of the terminal pieces 20G, 20S, 20D, similarly to the case where the capacitor 22 is mounted on the circuit board 26. is there.

さらに、上記実施形態においては、コンデンサマイクロホン10がエレクトレットコンデンサマイクロホンであるものとして説明したが、これ以外のコンデンサマイクロホンである場合においても、上記実施形態と同様の構成を採用することにより上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。   Furthermore, in the above-described embodiment, the condenser microphone 10 is described as an electret condenser microphone. However, even when the condenser microphone 10 is a condenser microphone other than the above, by adopting the same configuration as the above-described embodiment, Similar effects can be obtained.

本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホンを示す側断面図Side sectional view showing a condenser microphone according to an embodiment of the present invention 図1のII-II 線断面図II-II sectional view of Fig. 1 図1のIII 部詳細図Detailed view of part III in Fig. 1 上記コンデンサマイクロホンにおけるFETの回路基板への実装構造を示す平面図The top view which shows the mounting structure to the circuit board of FET in the above-mentioned condenser microphone 図2のV-V 線断面詳細図Detailed cross-sectional view taken along line V-V in Fig. 2 上記コンデンサマイクロホンにおいて仮止め用接着剤が仮に充填されていないとした場合に生じ得る現象を説明するための図The figure for demonstrating the phenomenon which may occur when the adhesive for temporary fixing is not filled temporarily in the said condenser microphone 上記FETの実装構造の2つの変形例を示す側断面図Side sectional view showing two modified examples of the FET mounting structure

符号の説明Explanation of symbols

10 コンデンサマイクロホン
12 ハウジング
12a 音孔
12b 下端縁部
14 インシュレーティングブッシュ
14a 周壁部
14b 隔壁部
14b1 連通溝
16 コンデンサ部
18 コンタクトスプリング
20、120、220 FET(電子チップ部品)
20A、120A、220A チップ本体
20D、20G、20S、120D、120G、220D、220G 端子片
22、24 コンデンサ(電子チップ部品)
22a、22b 端子部
26 回路基板
32 振動膜サブアッセンブリ
32A 振動膜
32B 支持リング
34 スペーサ
36 背面電極板
36A 電極板本体
36B エレクトレット層
42 基板本体
42a 上面
42a1、42a2 本体露出部分
42b 下面
44A、44B、44C、46A、46B 導電層
44A1、44B1、44B2、44C1、44C2 端面
48 絶縁層
48a、48b 開口部
48a1、48a2、48a3、48b1、48b2 切欠き部
S ハンダ
A 仮止め用接着剤
C1、C2、C3、C4 空間部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Condenser microphone 12 Housing 12a Sound hole 12b Lower end edge part 14 Insulating bush 14a Perimeter wall part 14b Partition part 14b1 Communication groove 16 Capacitor part 18 Contact spring 20, 120, 220 FET (electronic chip component)
20A, 120A, 220A Chip body 20D, 20G, 20S, 120D, 120G, 220D, 220G Terminal pieces 22, 24 Capacitors (electronic chip components)
22a, 22b Terminal portion 26 Circuit board 32 Vibration membrane sub-assembly 32A Vibration membrane 32B Support ring 34 Spacer 36 Back electrode plate 36A Electrode plate body 36B Electret layer 42 Substrate body 42a Upper surface 42a1, 42a2 Main body exposed portion 42b Lower surface 44A, 44B, 44C , 46A, 46B Conductive layer 44A1, 44B1, 44B2, 44C1, 44C2 End face 48 Insulating layer 48a, 48b Opening 48a1, 48a2, 48a3, 48b1, 48b2 Notch S Solder A Temporary fixing adhesive C1, C2, C3, C4 space

Claims (7)

振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ部と、少なくとも1つの電子チップ部品と、この電子チップ部品を実装する回路基板と、これらコンデンサ部、電子チップ部品および回路基板を収容するハウジングと、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記回路基板が、基板本体と、この基板本体の上面に所定のパターンで形成された導電層とを備えてなり、
上記電子チップ部品の上記回路基板への実装が、該電子チップ部品を上記基板本体の上面において上記導電層が形成されていない本体露出部分に載置した状態で、該電子チップ部品の各端子部を上記導電層にハンダ付けすることにより行われている、ことを特徴とするコンデンサマイクロホン。
Capacitor portion in which vibration membrane and back electrode plate are arranged opposite to each other, at least one electronic chip component, a circuit board on which this electronic chip component is mounted, and a housing for housing these capacitor portion, electronic chip component and circuit substrate In a condenser microphone comprising:
The circuit board comprises a substrate body and a conductive layer formed in a predetermined pattern on the upper surface of the substrate body,
When the electronic chip component is mounted on the circuit board, each terminal portion of the electronic chip component is mounted in a state where the electronic chip component is placed on the exposed body portion where the conductive layer is not formed on the upper surface of the substrate body. A capacitor microphone, wherein the capacitor microphone is soldered to the conductive layer.
上記電子チップ部品の下面と上記基板本体の上面との間に、仮止め用接着剤が充填されている、ことを特徴とする請求項1記載のコンデンサマイクロホン。   The condenser microphone according to claim 1, wherein a temporary fixing adhesive is filled between a lower surface of the electronic chip component and an upper surface of the substrate body. 上記電子チップ部品が、上記コンデンサ部の外周側に配置されている、ことを特徴とする請求項1または2記載のコンデンサマイクロホン。   The condenser microphone according to claim 1, wherein the electronic chip component is disposed on an outer peripheral side of the capacitor unit. 上記基板本体の上面に、上記導電層を部分的に露出させるようにして該導電層を覆う絶縁層が形成されており、
上記導電層の上記各端子部近傍における露出形状が、該端子部を略U字状に囲む形状に設定されている、ことを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のコンデンサマイクロホン。
An insulating layer covering the conductive layer is formed on the upper surface of the substrate body so as to partially expose the conductive layer,
The capacitor microphone according to any one of claims 1 to 3, wherein an exposed shape of the conductive layer in the vicinity of each terminal portion is set to a shape surrounding the terminal portion in a substantially U shape.
上記各端子部が、上記電子チップ部品のチップ本体から側方へ突出する端子片として構成されており、
これら各端子片が、上記チップ本体の側壁の下端部から斜め上方へ延びるように形成されている、ことを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のコンデンサマイクロホン。
Each of the terminal portions is configured as a terminal piece protruding sideways from the chip body of the electronic chip component,
5. The condenser microphone according to claim 1, wherein each of the terminal pieces is formed so as to extend obliquely upward from a lower end portion of a side wall of the chip body.
上記各端子部が、上記電子チップ部品のチップ本体から側方へ突出する端子片として構成されており、
これら各端子片が、上記チップ本体の側壁の上下方向中間位置から略水平に延びるように形成されている、ことを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のコンデンサマイクロホン。
Each of the terminal portions is configured as a terminal piece protruding sideways from the chip body of the electronic chip component,
5. The condenser microphone according to claim 1, wherein each of the terminal pieces is formed to extend substantially horizontally from an intermediate position in the vertical direction of the side wall of the chip body.
上記各端子部が、上記電子チップ部品のチップ本体から側方へ突出する端子片として構成されており、
これら各端子片が、上記チップ本体の側壁の上端部から略水平に延びるように形成されている、ことを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のコンデンサマイクロホン。
Each of the terminal portions is configured as a terminal piece protruding sideways from the chip body of the electronic chip component,
5. The condenser microphone according to claim 1, wherein each of the terminal pieces is formed so as to extend substantially horizontally from an upper end portion of the side wall of the chip body.
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