JP2005327853A - 電磁波ノイズ抑制体およびその製造方法 - Google Patents
電磁波ノイズ抑制体およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005327853A JP2005327853A JP2004143639A JP2004143639A JP2005327853A JP 2005327853 A JP2005327853 A JP 2005327853A JP 2004143639 A JP2004143639 A JP 2004143639A JP 2004143639 A JP2004143639 A JP 2004143639A JP 2005327853 A JP2005327853 A JP 2005327853A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnetic wave
- layer
- base resin
- wave noise
- ferromagnetic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】 基体樹脂層2と、基体樹脂層2の基体樹脂の一部と強磁性体とが一体化した複合層3と、線状導電体を含む変換層4とを有する電磁波ノイズ抑制体;または線状導電体および基体樹脂を含む変換層と、変換層の基体樹脂の一部と強磁性体とが一体化した複合層とを有する電磁波ノイズ抑制体;および、基体樹脂層または変換層に強磁性体を物理的蒸着させて、基体樹脂層または変換層表面に複合層を形成する蒸着工程を有する電磁波ノイズ抑制体の製造方法。
【選択図】 図1
Description
ここで、前記複合層は、基体樹脂に強磁性体を物理的に蒸着させてなる層であることが望ましい。
また、前記基体樹脂は、架橋性樹脂であることが望ましい。
そして、複合層の厚さと変換層の厚さとの合計は、1〜500μmであることが望ましい。
前記蒸着工程においては、基体樹脂のせん断弾性率を1×104 〜1×108 Paとすることが望ましい。
また、本発明の電磁波ノイズ抑制体の製造方法によれば、本発明の電磁波ノイズ抑制体を生産性よく得ることができる。
<形態例1>
図1は、本発明の電磁波ノイズ抑制体の一形態例を示す断面図である。この電磁波ノイズ抑制体1は、基体樹脂を含む基体樹脂層2と、強磁性体がナノオーダーで基体樹脂層2の基体樹脂の一部と一体化した複合層3と、複合層3に隣接する、線状導電体を含む変換層4からなるものである。なお、図2に示す電磁波ノイズ抑制体10のように、複合層3と変換層4との間に接着剤層5が設けられていてもよい。
複合層3は、具体的には、基体樹脂層2に強磁性体を物理的に蒸着させてなる層であり、物理的に蒸着された強磁性体が均質膜を形成することなく基体樹脂中に分散しているものである。
より具体的には、複合層3は、図3の複合層断面の高分解能透過型電子顕微鏡像や、電子顕微鏡像の模式図である図4に示すように、強磁性体が原子状となって、基体樹脂の分子と混ぜ合わせられた状態になって構成されている。
すなわち、複合層3は、導電体中を流れる伝導ノイズを、効率よく抑制することができる。
ロス電力比(Ploss/Pin)=1−(│Γ│2+│Τ│2)
S11=20log│Γ│
S21=20log│Τ│
ここで、Γは反射係数、Τは透過係数を表す。
基体樹脂層2の基体樹脂は、特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリケトン、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアクリレートなどの樹脂や、天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴムなどのジエン系ゴム、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴムなどの非ジエン系ゴム等が挙げられる。これらは熱可塑性であってもよく、熱硬化性であってもよく、その未硬化物であってもよい。また、上述の樹脂、ゴムなどの変性物、混合物、共重合物であってもよい。
この点においては、基体樹脂としては、蒸着時には低弾性率であり、蒸着後に架橋して弾性率を挙げることができることから、熱硬化性樹脂、エネルギー線(紫外線、電子線など)硬化性樹脂等の架橋性樹脂が好適である。
樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリケトン、ポリイミド、ポリウレタン、フッ素樹脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマーなどが挙げられる。
変換層4は、線状導電体を含むものであり、線状導電体が空中を伝搬している電磁波エネルギーを吸収して電流にモード変換し、線状導電体中に電磁波によって励起される高周波電流を起こさせることによって、放射ノイズを伝送線路に伝導する伝導ノイズとし、この伝導ノイズを、一部を線状導電体の抵抗により発熱損失させつつ、先の複合層3により効率的に抑制する作用をもたらすものである。
変換層4としては、例えば、(i)樹脂の表面に、線状導電体として導電性材料からなるパターンを形成したもの、(ii)樹脂中に、線状導電体として繊維状導電体を分散させたもの、などが挙げられる。
繊維状導電体としては、金属繊維;導電性セラミックスの繊維、ウィスカー;絶縁性繊維状物にメッキを施したもの;カーボン繊維などの有機繊維の炭化物、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバーなどのカーボン化合物が挙げられる。中でも、放射ノイズを反射して他の部分に影響を及ぼすことのないように、導電性が高くなく適当な、カーボン化合物が好ましい。カーボン化合物の中でも、カーボンマイクロコイルなどのコイル状のカーボン化合物は、電磁誘導により電磁波を効率よく高周波電流に変換することができ、さらに好ましい。
まず、樹脂を溶融あるいは溶解し、これに既存の混合装置を用いて繊維状導電体を混合する。混合の際のせん断力が大きいと繊維状導電体の繊維形状を破壊することがあるので注意が必要である。ついで、得られた混合物を、カレンダー加工、押し出し加工、コーティング加工、スクリーン印刷加工などによりシート状など所望の形状にする。
電磁波ノイズ抑制体1は、基体樹脂層2に強磁性体を物理的蒸着させて、基体樹脂層2表面に複合層3を形成し(蒸着工程)、これに変換層4を必要に応じて接着剤層5を介して積層することにより製造することができる。
物理蒸着法は、一般に、真空にした容器の中で蒸発材料を何らかの方法で気化させ、気化した蒸発材料を近傍に置いた基板上に堆積させて薄膜を形成する方法であり、蒸発物質の気化方法の違いで、蒸発系とスパッタ系に分けられる。蒸発系としては、EB蒸着、イオンプレーティングなどが挙げられ、スパッタ系としては、高周波スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングなどが挙げられる。
なお、基体樹脂に強磁性体を物理的に蒸着させる際には、強磁性体はプラズマ化あるいはイオン化された強磁性体原子として基体樹脂に入り込むので、基体樹脂中に微分散された強磁性体の組成は、蒸発材料として用いた強磁性体の組成と必ずしも同一であるとは限らない。
ここで、蒸着質量は、ガラス、シリコン等の硬質基板上に同条件で強磁性体を蒸着し、堆積した厚さを測定することによって求められる。
図7は、本発明の電磁波ノイズ抑制体の他の形態例を示す断面図である。この電磁波ノイズ抑制体20は、線状導電体および基体樹脂を含む変換層4と、強磁性体がナノオーダーで変換層4の基体樹脂の一部と一体化した複合層3とからなるものである。
変換層4と、複合層3が形成された基体樹脂層2とを図2に示すように接着剤剤層5を介して貼着しても構わないが、効率よく電磁波ノイズを抑制するためには、変換層4と複合層3との距離が短いほうがよい。したがって、図7に示すように、変換層4に強磁性体を直接、物理的に蒸着し複合層3を形成することは簡便でもあり特に好ましい。また、電子機器などに固定するための粘着剤層をさらに形成することも可能である。
複合層3は、具体的には、変換層4に強磁性体を物理的に蒸着させてなる層であり、物理的に蒸着された強磁性体が均質膜を形成することなく基体樹脂中に分散しているものである。
より具体的には、複合層3は、形態例1と同様に、強磁性体が原子状となって、基体樹脂の分子と混ぜ合わせられた状態になって構成されている。
また、複合層3の厚さは、形態例1と同様に、10〜200nmであることが好ましい。
変換層4は、線状導電体および基体樹脂を含むものであり、線状導電体が空中を伝搬している電磁波エネルギーを吸収して電流にモード変換し、線状導電体中に電磁波によって励起される高周波電流を起こさせることによって、放射ノイズを伝送線路に伝導する伝導ノイズとし、この伝導ノイズを、一部を線状導電体の抵抗により発熱損失させつつ、先の複合層3により効率的に抑制する作用をもたらすものである。
変換層4に用いられる基体樹脂としては、形態例1で例示された基体樹脂を用いることができる。
電磁波ノイズ抑制体20は、変換層4に強磁性体を物理的蒸着させて、変換層4表面に複合層3を形成することにより製造することができる。
物理蒸着法としては、形態例1と同様の方法を採用することができる。また、強磁性体としては、形態例1と同様のものを用いることができる。
強磁性体の蒸着質量も、形態例1と同様の量とすればよい。
以上説明した本発明の電磁波ノイズ抑制体にあっては、理論的には完全に明らかになっていないが、基体樹脂と強磁性体とが一体化された複合層3が形成されているので、少ない強磁性体であっても、そのナノオーダーのヘテロ構造に由来する量子効果や、材料固有の磁気異方性、形状磁気異方性、あるいは外部磁界による異方性などの影響で、高い共鳴周波数体を持つ。これにより、優れた磁気特性を発揮し、少ない強磁性体であっても、高い周波数帯域において、伝導ノイズ抑制効果を発揮できているものと考えられる。
このように、本発明の電磁波ノイズ抑制体は、準マイクロ波帯のように高い周波数帯域において、回路などの導体を伝搬している伝導ノイズおよび空中を伝搬している放射ノイズの両方を抑制することができる。
(評価)
断面観察:
日立製作所製、透過型電子顕微鏡H9000NARを用いた。
キーコム製近傍界用電波吸収材料測定装置を用い、Sパラメータ法によってS21(透過減衰量)およびS11(反射減衰量)を測定し、ロス電力比を求めた。具体的には、図8に示すように、50Ωのインピーダンスを持つマイクロストリップライン21が形成されたテストフィクスチャー22(キーコム製、TF−3A)と、マイクロストリップライン21に接続されたネットワークアナライザ23(アンリツ社製、ベクトルネットワークアナライザ、商品名:37247C)とを用い、テストフィクスチャー22上に、絶縁フィルム(図示略)を介してテストシート24を配置し、測定周波数1GHzでS21(透過減衰量)およびS11(反射減衰量)を測定した。
図9に示すように、2mmφのシールドループアンテナ41、41を、スペクトラムアナライザ42(アドバンテスト製、商品名:R3132)の入出力に接続し、シールドループアンテナ41、41をテストシート43の表面の同じ側に、テストシート43から0.1mmの間隔をあけて配置し、電磁波ノイズ抑制体の内部減結合率を測定した。
また、図10に示すように、テストシート43を挟むようにして、シールドループアンテナ41、41をアンテナ間の最小間隔が1mmとなるように配置し、電磁波ノイズ抑制体の相互減結合率を測定した。
支持体である12μm厚のポリエーテルサルホンフィルム上に、基体樹脂であるエポキシ樹脂(硬化前の25℃のせん断弾性率8×106 Pa、硬化後の25℃のせん断弾性率2×109 Pa)を10μm厚で塗布し、支持体と硬化前の基体樹脂層とからなる積層フィルムを得た。積層フィルムの基体樹脂層上に、膜厚換算で40nmのFe−Ni系軟磁性金属を、対向ターゲット型マグネトロンスパッタ法により物理的に蒸着した。この際、基体樹脂層の温度を常温に保ち、蒸発粒子が8eVの粒子エネルギーを持つようわずかに負の電圧を印加し、窒素を25sccmで流しながら蒸着を行った。次いで、積層フィルムを40℃で6時間加熱し、さらに120℃で2時間加熱し、さらに180℃で2時間加熱し、エポキシ樹脂を硬化させ、複合層を有する積層フィルムを得た。
可とう性エポキシ樹脂をバインダーとし、カーボンナノチューブ(昭和電工製、商品名:VGCF)を15質量%含む塗料を、実施例1と同様のポリエーテルサルホンフィルム上にコートし、表面抵抗30Ω/cm2 の変換層を有する積層フィルムを得た。複合層を有する積層フィルムを実施例1と同様に準備し、これら積層フィルムを、複合層と導電性材料からなるパターンとが接するように貼着し、総厚65μmの電磁波ノイズ抑制体を得た。この電磁波ノイズ抑制体について、放射ノイズ抑制効果を確認した。1GHzでの内部減結合率は図11に示すように−2.8dBであり、相互減結合率は図12に示すように−4.4dBであった。結果を表1にまとめる。
エポキシ樹脂(硬化前の25℃のせん断弾性率8×106 Pa、硬化後の25℃のせん断弾性率2×109 Pa)に、カーボンマイクロコイル(平均コイル長50μm)を14質量%配合した塗料を、乾燥膜厚が100μm厚になるようにポリエーテルサルホンフィルム(厚さ25μm)上にコートし、常温で減圧乾燥を行い未硬化の変換層を有する積層フィルムを得た。
実施例1で得られた、導電性材料からなるパターンを有する積層フィルム(変換層)のみについて、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果を確認した。S11は−1.2dB、S21は−15.1dBであり、ロス電力比は0.21であった。また、1GHzでの内部減結合率は図13に示すように−0.8dBであり、相互減結合率は図14に示すように−7.2dBであった。結果を表1にまとめる。
実施例2で得られた、変換層を有する積層フィルムのみについて、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果を確認した。S11は−8.2dB、S21は−3.5dBであり、ロス電力比は0.40であった。また、1GHzでの内部減結合率は図13に示すように−2.1dBであり、相互減結合率は図14に示すように−0.9dBであった。結果を表1にまとめる。
2 基体樹脂層
3 複合層
4 変換層
6 結晶格子(強磁性体)
7 基体樹脂
8 強磁性体原子
10 電磁波ノイズ抑制体
20 電磁波ノイズ抑制体
Claims (10)
- 基体樹脂と強磁性体とが一体化した複合層と、
線状導電体を含む変換層と
を有することを特徴とする電磁波ノイズ抑制体。 - 前記複合層が、基体樹脂に強磁性体を物理的に蒸着させてなる層であることを特徴とする請求項1記載の電磁波ノイズ抑制体。
- 前記線状導電体が、カーボン化合物であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の電磁波ノイズ抑制体。
- 前記カーボン化合物が、コイル状のものであることを特徴とする請求項3記載の電磁波ノイズ抑制体。
- 前記基体樹脂が、架橋性樹脂であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の電磁波ノイズ抑制体。
- 一層の複合層の厚さが、10〜200nmであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の電磁波ノイズ抑制体。
- 複合層の厚さと変換層の厚さとの合計が、1〜500μmであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の電磁波ノイズ抑制体。
- 基体樹脂を含む基体樹脂層と、基体樹脂層の基体樹脂の一部と強磁性体とが一体化した複合層と、線状導電体を含む変換層とを有する電磁波ノイズ抑制体の製造方法であって、
基体樹脂層に強磁性体を物理的蒸着させて、基体樹脂層表面に複合層を形成する蒸着工程を有することを特徴とする電磁波ノイズ抑制体の製造方法。 - 線状導電体および基体樹脂を含む変換層と、変換層の基体樹脂の一部と強磁性体とが一体化した複合層とを有する電磁波ノイズ抑制体の製造方法であって、
変換層に強磁性体を物理的蒸着させて、変換層表面に複合層を形成する蒸着工程を有することを特徴とする電磁波ノイズ抑制体の製造方法。 - 前記蒸着工程において、基体樹脂のせん断弾性率を1×104 〜1×108 Paとすることを特徴とする請求項8または請求項9記載の電磁波ノイズ抑制体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004143639A JP2005327853A (ja) | 2004-05-13 | 2004-05-13 | 電磁波ノイズ抑制体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004143639A JP2005327853A (ja) | 2004-05-13 | 2004-05-13 | 電磁波ノイズ抑制体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005327853A true JP2005327853A (ja) | 2005-11-24 |
Family
ID=35473957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004143639A Pending JP2005327853A (ja) | 2004-05-13 | 2004-05-13 | 電磁波ノイズ抑制体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005327853A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007105555A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | ノイズ抑制構造体、多層プリント回路基板およびその製造方法 |
WO2009019963A1 (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-12 | Tatsuta System Electronics Co., Ltd. | プリント配線板用シールドフィルム及びプリント配線板 |
WO2009031409A1 (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-12 | Public University Corporation Osaka Prefecture University | 電磁波吸収シート |
JP2009295930A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Alps Electric Co Ltd | 磁性基体 |
CN102612256A (zh) * | 2006-10-10 | 2012-07-25 | 信越聚合物株式会社 | 配线部件及其制造方法 |
WO2013015226A1 (ja) * | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Kagawa Seiji | 高い放熱性を有する電磁波吸収フィルム |
WO2015076387A1 (ja) | 2013-11-25 | 2015-05-28 | 旭化成せんい株式会社 | ノイズ吸収シート |
KR20160082012A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 충북대학교 산학협력단 | 박막형 전도 노이즈 흡수체 |
KR20160080745A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 삼성전기주식회사 | 인덕터 및 그 제조 방법 |
KR20210129954A (ko) * | 2020-04-21 | 2021-10-29 | 브이메이커(주) | 전자기파 차폐 소재 및 이의 제조방법 |
-
2004
- 2004-05-13 JP JP2004143639A patent/JP2005327853A/ja active Pending
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007105555A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | ノイズ抑制構造体、多層プリント回路基板およびその製造方法 |
JP2007243007A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | ノイズ抑制構造体、多層プリント回路基板およびその製造方法 |
CN102612256A (zh) * | 2006-10-10 | 2012-07-25 | 信越聚合物株式会社 | 配线部件及其制造方法 |
WO2009019963A1 (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-12 | Tatsuta System Electronics Co., Ltd. | プリント配線板用シールドフィルム及びプリント配線板 |
TWI477229B (zh) * | 2007-08-03 | 2015-03-11 | Tatsuta Densen Kk | Printed wiring board with shielding film and printed wiring board |
WO2009031409A1 (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-12 | Public University Corporation Osaka Prefecture University | 電磁波吸収シート |
JP2009060060A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Osaka Industrial Promotion Organization | 電磁波吸収シート |
JP2009295930A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Alps Electric Co Ltd | 磁性基体 |
JPWO2013015226A1 (ja) * | 2011-07-26 | 2015-02-23 | 加川 清二 | 高い放熱性を有する電磁波吸収フィルム |
WO2013015226A1 (ja) * | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Kagawa Seiji | 高い放熱性を有する電磁波吸収フィルム |
WO2015076387A1 (ja) | 2013-11-25 | 2015-05-28 | 旭化成せんい株式会社 | ノイズ吸収シート |
KR20160072189A (ko) | 2013-11-25 | 2016-06-22 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 노이즈 흡수 시트 |
KR20160082012A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 충북대학교 산학협력단 | 박막형 전도 노이즈 흡수체 |
KR20160080745A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 삼성전기주식회사 | 인덕터 및 그 제조 방법 |
KR101642612B1 (ko) | 2014-12-30 | 2016-07-25 | 삼성전기주식회사 | 인덕터 및 그 제조 방법 |
KR101644714B1 (ko) | 2014-12-30 | 2016-08-01 | 충북대학교 산학협력단 | 박막형 전도 노이즈 흡수체 |
KR20210129954A (ko) * | 2020-04-21 | 2021-10-29 | 브이메이커(주) | 전자기파 차폐 소재 및 이의 제조방법 |
KR102364069B1 (ko) * | 2020-04-21 | 2022-02-17 | 브이메이커(주) | 전자기파 차폐 소재 및 이의 제조방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4417377B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制体、電磁波ノイズ抑制機能付構造体、およびそれらの製造方法 | |
US8134084B2 (en) | Noise-suppressing wiring-member and printed wiring board | |
WO2004086837A1 (ja) | 電磁波ノイズ抑制体、電磁波ノイズ抑制機能付物品、およびそれらの製造方法 | |
JP4916803B2 (ja) | 多層プリント回路基板 | |
JP4611758B2 (ja) | 伝導ノイズ抑制体および伝導ノイズ抑制体付電子部品 | |
CN100388873C (zh) | 电磁波噪声抑制体、具有电磁波噪声抑制功能的物品及其制造方法 | |
JP5567243B2 (ja) | 多層プリント回路基板およびその製造方法 | |
JP4515342B2 (ja) | 多層回路基板 | |
JP2005327853A (ja) | 電磁波ノイズ抑制体およびその製造方法 | |
JP4611700B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制シートおよびその使用方法 | |
CN108617161A (zh) | 一种超薄抗emi薄膜及其制备方法 | |
TW201233319A (en) | Electromagnetic wave noise suppression member, method for use thereof and electronic device | |
Kumari et al. | Electromagnetic shielding using ceramic materials | |
JP4611699B2 (ja) | 伝導ノイズ抑制体および伝導ノイズ対策方法 | |
JP4417062B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制体及び電磁波ノイズ制御電子機器 | |
Wang et al. | Thin Films and/or Coating for Electromagnetic Interference and Stealth | |
JP4381871B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制体、その製造方法、および電磁波ノイズ抑制機能付きプリント配線板 | |
JP4368737B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制体およびその製造方法 | |
JP2005146199A (ja) | 複合粒子、その製造方法、および電磁波吸収樹脂組成物 | |
JP2005251918A (ja) | 電磁波ノイズ抑制体 | |
JP4611697B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制体およびその使用方法 | |
JP4611698B2 (ja) | Emc対策部材およびemc対策方法 | |
JP2005216928A (ja) | 電磁波ノイズ抑制体、その製造方法、および電磁波ノイズ抑制機能付構造体 | |
JP2005310898A (ja) | 遠方界対応型電磁波吸収体及びその製造方法 | |
JP2005122915A (ja) | 電気コネクタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090430 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090818 |