JP2005327437A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体記憶装置は、所定ビットのデータからエラー訂正ビットを生成するエラー訂正ビット生成回路を備え、外部から導入されたデータとメモリセルに格納されたデータを用いてエラー訂正ビットを生成することを特徴とする。より詳細には、外部から導入された第1のデータを受けるライトアンプと、第1のデータと関連のあるアドレスに対応する第2のデータが格納された第1のメモリセル群と、第1及び第2のデータを基にしてエラー訂正ビットを生成するエラー訂正ビット生成回路と、第1のデータを格納する第2のメモリセル群と、エラー訂正ビットを格納する第3のメモリセル群とを備える。
【選択図】図2
Description
ECC符号化回路は、書込み時に一つのアクセスアドレスに対応して受け取ったデータがメモリセルへのアクセスビット長よりも少ない場合、そのアクセスアドレスに対応するメモリセルに格納されているデータを用いてエラー訂正ビットを生成することを特徴とする。
また、本発明の半導体記憶装置のECC符号化回路は受け取ったデータがメモリセルへのアクセスビット数と等しい場合は、前述のようなメモリセルに格納されているデータを用いることなくエラー訂正ビットを生成することを特徴とする。
加えて、データ入力数がECC処理の対象とするデータビット数と等しい場合は、エラー訂正ビットの生成を高速にすることができる。
また前述のタイマ制御を回路19の出力すなわち、エラー訂正の情報に応じて、リフレッシュの周期設定を自由に設定することも可能である。具体的には、ECCによる訂正が発生していれば、リフレッシュコントロール回路14は、そのときの外部アドレスをアドレス記憶回路28で記憶し、以降その記憶したアドレスのリフレッシュ周期が短くなるようにリフレッシュカウンタ15が発生させるリフレッシュアドレスを制御し、データの信頼性を確保する。また、ECCの訂正が発生していなければ、リフレッシュの周期の設定を維持する。また、リフレッシュコントロール回路14は、アクセスコントローラ22からの信号が所定期間アクセスが検出されないことを示すときリフレッシュカウンタ15へセルフリフレッシュ活性信号を出力する機能も備える。リフレッシュカウンタ15は、そのセルフリフレッシュ活性化信号に応答して、リフレッシュアドレスをロウデコーダ16へ出力する。ロウデコーダ16は、リフレッシュコントロール回路14からのリフレッシュアドレス切換信号に応答して外部ロウアドレス又はリフレッシュアドレスを選択的に出力する。
*1で示すのは、レイトライト機能がない場合のバーストライトの例である。簡単のためにバースト長が8である場合を例とした。この場合、CLKはクロック信号であり、所定の最小周期を有する。そして、例えば、/CS(=チップセレクト)をロウ、/WE(ライトイネーブル信号)をロウ、/OE(アウトプットイネーブル信号)をハイとすることで、ライトモードに設定される。そして、時刻t4からt7までデータD0からD3を順次入力する。時刻t4では入力されないD4からD7までのデータを補完するべく、メモリセルからのダミーリードを実施する(図中(1)期間)。その後、D3入力が確定するt8まで、Wait時間(図中(2)期間)が存在し、D0からD3の全てのデータが揃った時点で、そのD0からD3のデータと、ダミーリードデータD4からD7とを合せて、ECC符号化を実施し(図中(3)期間)、その符号化したデータをECCセルに書込む(図中(4)期間)。つまり、連続するバーストライトサイクルD3からD4において、
どうしても、t8からt10のECC符号化及びECCセルへの書込時間による時間的ロスが表面化する。そこで*2に示す第3の実施形態では、レイトライト機能を用いて、バースト長分のデータが揃うまでの待ち時間を見えなくする。時刻t4からt8にかけて、データD0からD3を順次入力する。
時刻t4では、前の書込サイクルで入力された書込データDn−8からDn−5がレジスタから転送され(図中(5)期間)、並行して前の書込サイクルで入力されたアドレスに対応するメモリセルからダミーリードも実施される(図中(6)期間)。時刻t5では前サイクルの書込データと、前サイクルの書込アドレスに対応するダミーリードデータとでECC符号化を実施し(図中(7)期間)、時刻t6では、その符号化したデータをECCセルに書込む(図中(8)期間)。すなわち、レイトライト機能を用いることにより、*1において、外部データが揃うまで空き時間となっていたt5からt8を見えなくし、連続性のあるバーストライトを実現するということである。なお、本実施の形態では、データマスク信号(/DM)が固定である場合を例に説明したが、固定である必要はなく、バーストサイクルの途中で変更しても構わない。
2 ECC符号セル
3 ECC符号化回路
4 ライトデータバス
5 ライトアンプ
6 データアンプ
7 ECC復号化回路
8 リードデータバス
9 パッド
10 外部アドレスピン
11 データピン
12 アドレスバッファ
13 入力データバッファ
14 リフレッシュコントロール回路
15 リフレッシュカウンタ
16 ロウデコーダ
17 アドレスバッファ
18 カラムデコーダ
19 センスアンプ、スイッチ回路、ECC符号復号化回路
20 メモリセルアレイ
21 出力データバッファ
22 アクセスコントローラ
23 メモリチップ
24 レイテンシー設定回路
25 アドレス/データ共用ピン
26 タイマー
27 リフレッシュ調整回路
28 アドレス記憶回路
29 遅延回路
30 カラムアドレスレジスタ
31 ロウアドレスレジスタ
32 データレジスタ
33 レイトライト用アドレスヒット制御回路
Claims (10)
- 所定ビットのデータからエラー訂正ビットを生成するエラー訂正ビット生成回路を備え、外部から導入されたデータとメモリセルに格納されたデータを用いて前記エラー訂正ビットを生成することを特徴とする半導体記憶装置。
- 外部から導入された第1のデータを受けるライトアンプと、
前記第1のデータと関連のあるアドレスに対応する第2のデータが格納された第1のメモリセル群と、前記第1及び第2のデータを基にしてエラー訂正ビットを生成するエラー訂正ビット生成回路と、前記第1のデータを格納する第2のメモリセル群と、前記エラー訂正ビットを格納する第3のメモリセル群とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記エラー訂正ビットを生成するときに、前記メモリセルに格納されたデータをエラー訂正ビットを用いて訂正するエラー検知訂正回路を更に有することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記半導体記憶装置は更にアクセスコントローラ回路を有し、
前記アクセスコントローラ回路は、外部から導入されるデータ数に応じて前記データまたはアドレスを入力するタイミングを可変とするレイテンシー設定回路を有することを特徴とする請求項1、3に記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は更にリフレッシュのサイクルを設定するタイマを備えるリフレッシュコントロール回路を有し、
前記タイマは前記アクセスコントローラ回路の出力するモードに応じたリフレッシュ周期を実現することを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置はレイトライト用のアドレスレジスタとデータレジスタとを有し、前記データレジスタに格納された前サイクルのアドレスに対応する書込みデータと前サイクルのアドレスに対応するメモリセルに格納されたデータとで、エラー訂正ビットを生成することを特徴とする請求項1,3,4,5のいづれかに記載の半導体記憶装置。
- 前記アドレスを入力する端子と前記データを入出力する端子とが共用されることを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 所定ビットのデータを複数のメモリセルへ一括して書込む半導体記憶装置であって、前記所定ビットのデータのうち一部のデータがマスク情報により対応するメモリセルへ格納されないとき、前記対応するメモリセルに格納されているデータを用いてエラー訂正ビットを生成することを特徴とする半導体記憶装置。
- 前記所定ビットのデータがバーストモードモードとして導入されることを特徴とする請求項8に記載の半導体記憶装置
- 前記半導体記憶装置はアクセスビット長がメモリセルへのアクセスビット長よりも小さく、書込み時に1つのアクセスアドレスに対応して前記メモリセルへのアクセスビット長分のデータを外部から受けとったとき該外部データを用いてエラー訂正ビットを生成するECC符号化回路と、読出し時に一つのアクセスアドレスに対応して前記メモリセルのアクセスビット長分のデータ及び対応するエラー訂正ビットを基にECC復号化を行うECC復号化回路とを更に備え、
前記ECC符号化回路は、書込み時に一つのアクセスアドレスに対応して受け取ったデータが前記メモリセルへのアクセスビット長よりも少ない場合、そのアクセスアドレスに対応するメモリセルに格納されているデータを用いてエラー訂正ビットを生成することを特徴とする請求項8,9に記載の半導体記憶装置。
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