JP2005322937A - フレキシブル基板を備えた半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、発光ダイオードなどのフリップチップ構造の半導体発光素子のフレキシブル実装に関する。
【解決手段】 素子は、ポリイミド基板のようなフレキシブル基板と、フリップチップ構成でフレキシブル基板の第1の側の導電領域上に結合されたLEDのような半導体発光素子とを含む。LEDは、例えば金スタッドバンプを介してフレキシブル基板に結合される。複数のLEDを、例えば個々のLED、グループのLED、又は多数のチップを有するLEDとして様々な構成でフレキシブル基板に結合することができる。フレキシブル基板は、例えば結合及び出荷目的でリール上に巻くことができる。金バンプは、例えばフレキシブル基板のコンタクト領域上、又はLEDのコンタクト上に形成される。LEDは、例えばサーモソニック又は熱圧縮結合を使用してフレキシブル基板に結合され、次にLEDは封入される。
【選択図】 図4
【解決手段】 素子は、ポリイミド基板のようなフレキシブル基板と、フリップチップ構成でフレキシブル基板の第1の側の導電領域上に結合されたLEDのような半導体発光素子とを含む。LEDは、例えば金スタッドバンプを介してフレキシブル基板に結合される。複数のLEDを、例えば個々のLED、グループのLED、又は多数のチップを有するLEDとして様々な構成でフレキシブル基板に結合することができる。フレキシブル基板は、例えば結合及び出荷目的でリール上に巻くことができる。金バンプは、例えばフレキシブル基板のコンタクト領域上、又はLEDのコンタクト上に形成される。LEDは、例えばサーモソニック又は熱圧縮結合を使用してフレキシブル基板に結合され、次にLEDは封入される。
【選択図】 図4
Description
本発明は、発光ダイオードなどのフリップチップ構造の半導体発光素子のフレキシブル実装に関する。
発光ダイオード(「LED」)は、多くの利点を有する半導体光源である。発光ダイオードは、高輝度を有する光を確実に提供することができ、従って、とりわけディスプレイ装置、交通信号、及び標識における用途が見出されている。重要な部類の発光ダイオードは、ガリウム、インジウム、又はアルミニウムなどの1つ又はそれ以上のIII族元素と、窒素のV族元素とから製造される。これらのIII族窒化物LEDは、可視スペクトル全般及びスペクトルの紫外領域内で発光可能であり、従って、多くの有望な用途を有する。他の発光ダイオードは、IIIリン化物及びIIIヒ化物の材料系で作ることができ、これらは、スペクトルの黄色、赤色、及び赤外領域で発光する。
従来、LEDは、基板上にn型ドープ領域、活性領域、及びp型ドープ領域を堆積させることによって製造されている。幾つかのLEDは、素子の一方側に形成されたnコンタクトを有し、その素子の反対側上にはpコンタクトが形成され、垂直型素子を生成する。他のLEDは、素子の同じ側に形成された両方のコンタクトを有し、光はこれらのコンタクトを通って取り出される。このような構造は、エピタキシーアップ素子と呼ばれる。垂直型素子及びエピタキシーアップ素子の両方において、活性領域によって生成された光のほとんどは、pコンタクトを通って素子を出る。pコンタクトは通常、その導電特性を最適にするために、金属及び/又は半透明金属酸化物を含むので、該pコンタクトは一般に光を完全には透過せず、設計上の問題を生じる。
この設計上の問題に対して、最近、フリップチップ構造が提案されている。図1に示されるように、フリップチップ素子10において、ダイ12は、サブマウント14上に実装され、コンタクトは該サブマウント14に面した状態にある。この素子は、サブマウント14、該サブマウント14に重なる半田付け可能層16a及び16b、並びに該半田付け可能層上の半田ボール18a及び18bを形成し、次いでダイ12を半田ボール18a及び18bに取り付けて、ダイに対する電気コンタクトを形成することによって完成する。
既存の設計は、半田付け可能層と電気的に接触した状態でワイヤボンドを配置することによって電流経路を形成する。ワイヤボンドは、半田付け可能層上に形成され、ワイヤ22a及び22bが接続されるボール20a及び20bからなる。その結果、ワイヤは、発光素子のパッケージのパッケージ・リード線24a及び24bに接続可能となる。サブマウント14及びダイ12自体は、ダイエポキシ28によってリード・フレーム26に取り付けられている。レンズ30は、エポキシ製とすることができ、リード・フレーム26に取り付けられる。
図1に示されているようなワイヤボンドされた素子を含む従来のLEDパッケージには、幾つかの欠点がある。例えば、パッケージは分厚くなる傾向があり、小フォームファクタ用途におけるこれらの使用が制限される。このパッケージはまた、ワイヤボンドがLEDの占有面積外にあるサブマウント上の空間を必要とするので、大きな実装面積を有する傾向にある。更に、例えば、赤色、緑色及び青色LEDの組合せを使用して白色光を生成するために多数チップの利用が必要な場合には、ディスクリートのLEDパッケージは基板上にかなりのスペースを必要とする。
更に、ワイヤボンドは熱の影響を受けやすい。LED設計の1つの制限は、ワイヤボンドが耐えることができる発熱の程度である。この問題は、より新世代のLEDが、動作温度の上昇及び熱発生につながる、より高出力及び高温度環境で動作するように設計されるにつれて益々重要になる。ワイヤの電流はワイヤを加熱し、このプロセスはオーミック加熱と呼ばれる。オーミック加熱の程度は、とりわけ電流密度によって決まる。高温及び反復熱サイクルは、ワイヤボンドに対して、半田付け可能層からのボールの分離、ワイヤの脆弱性、又は狭い断面での溶融によって引き起こされるワイヤの破断といった、ワイヤの損傷につながる可能性がある。このような加熱の問題はまた、静電放電(「ESD」)の場合又は素子のオンオフ切換のような過渡期間中に生じる可能性がある。高温作動もまた、ボール20と半田付け可能層16との間の界面での物理的脆弱性及び電気抵抗性の合金相成長の促進につながる可能性があり、最終的には界面での欠陥を生じる恐れがある。
更に、ワイヤは脆弱であり、従って通常は、温度ショック、乱暴な取り扱い又は機械的振動、及び高湿度環境などの過酷な動作条件下での主要な故障機構である。脆弱なワイヤボンドを保護するため、LEDは、エンドユーザにとって実用性のあるものとするにはパッケージ内で組み立てる必要がある。
更に、殆どのフリップチップ半田ベースのLEDパッケージは、鉛半田を含む。しかしながら、現在は、環境に優しい100%鉛フリーの電子構成部品に向かう傾向にある。
従って、改善されたLEDパッケージ設計が望まれている。
本発明の実施形態によれば、素子は、半導体発光素子とポリイミド基板のようなフレキシブル基板とを含む。フレキシブル基板は、半導体発光素子がフリップチップ構成で結合される導電領域を含む。半導体発光素子は、例えば金スタッドバンプなどを介してフレキシブル基板に結合される。
1つの実施形態においては、構造体は、複数のコンタクト領域を備えたフレキシブル基板と、該フレキシブル基板上の関係するコンタクト領域にフリップチップ構成で物理的及び電気的に接続された複数の半導体発光素子とを含む。複数の半導体発光素子は、幾つかの個別の発光素子又はグループの発光素子などの異なる構成でフレキシブル基板に結合することができる。1つの実施形態においては、構造体は、例えば出荷目的でフレキシブル基板が巻かれているリールを含む。
別の実施形態においては、構造体を形成する方法は、複数のコンタクト領域を備えたフレキシブル基板と、各々が素子の同じ側にコンタクトを有する複数の半導体発光素子とを準備する段階を含む。金バンプは、フレキシブル基板のコンタクト領域上又は半導体発光素子のコンタクト上の何れかに形成される。半導体発光素子のコンタクトは、次いで、金バンプを用いてフレキシブル基板上の関係するコンタクト領域に結合される。次に、半導体発光素子は封入される。1つの実施形態においては、個々又はグループの半導体発光素子は、フレキシブル基板から切断することができる。もしくは、接合された半導体発光素子を備えるフレキシブル基板は、例えば出荷目的でリール上に巻くことができる。
本発明の実施形態によれば、LEDのような複数の半導体発光素子は、サブマウントとして機能するフレキシブル基板上にパッケージされている。LEDは、例えば金スタッドバンプ又はめっきを使用してフレキシブル基板に電気的及び熱的に接続されており、これは好都合なことにはリード・フレーム及びワイヤボンドの必要性を排除する。フレキシブル基板は、シングルチップLED又は多数チップLEDのアレイを収容するようにパターン形成することができる。更に、ツェナーダイオードのような静電放電(「ESD」)保護素子をLEDチップと共にフレキシブル基板上に配置することができる。フレキシブル基板上に実装されたLEDは、例えば個々のLED、ストリップのLED、多数のLEDとして、任意の形態又は形状で切断することができる。更に、フレキシブル基板上のLEDのアレイ全体は、追加のテープ及びリール工程を行うことなく出荷することができる。
図2は、LED102のような複数のフリップチップ構造の半導体発光素子がその上に実装された状態のフレキシブル基板100の一部の斜視図を示す。フレキシブル基板100は、基板に損傷を与えることなく、物理的に曲げ又は撓ませることのできる剛直でない材料である。例として、フレキシブル基板100は、当該技術分野でフレックス回路と呼ばれる場合もある材料とすることができる。フレキシブル基板100に好適な材料は、Kapton(登録商標)ポリイミドテープとしてDuPont Corporationによって、又はMicroflex回路として3Mによって製造され、或いはミネソタ州ノースフィールド所在のSheldahl Corporationによって製造されたStandard Flex、Novaflec(登録商標)、又はReel Flex(登録商標)などといった同等の製品である。必要であれば、片面、両面又は多層フレキシブル基板を用いてもよい。両面又は多層フレキシブル基板は、特に電気的及び熱的ビアの追加層が必要とされる場合に用いることができる。フレキシブル基板100は、LED102と関連するツェナーダイオード104との間、及び必要な場合多数のLED102間に適切な相互接続を生成するよう予めパターン形成することができる。Kapton(登録商標)ポリイミドテープ又はReel Flex(登録商標)のようなフレキシブル基板100上に所望のパターンを生成することは、当該技術分野でよく知られている。LED102を備えたフレキシブル基板100を使用すると、従来のサブマウントに付随するコストが削減されるので有利である。更に、フレキシブル基板100は、エンドユーザのボードに直接取り付けられる基板として機能することができるので、従来のリード・フレーム材料のコストもまた削減される。
任意のタイプのフリップチップ構造LEDをフレキシブル基板100に使用することができる。フリップチップ型LEDは、当該技術分野でよく知られている。更に、必要に応じて、ESD保護回路104を各LED102と関連づけて、フレキシブル基板100上に実装することができる。好適なESD保護回路の例には、LEDと並列接続のコンデンサ、ツェナー又はショットキーダイオードなどの単一の逆並列ダイオード、及び2つの対向結合ツェナーダイオードがある。便宜上、ESD保護回路104は、本明細書においてツェナーダイオード104と呼ぶ場合もある。
LED102及び付随するツェナーダイオード104は、破線106によって示されるように、様々な方法でフレキシブル基板100から切断することができる。例として、個々のLED102及び付随するツェナーダイオード104は、矢印112によって全体が示されたフレキシブル基板100の1つの列に沿って、該フレキシブル基板から切断することができる。LED102及び付随するツェナーダイオード104のストリップは、矢印114によって全体が示された別の列に沿ってフレキシブル基板100から切断することができる。更に、多数のLED102及び付随するツェナーダイオード104を矢印116によって示された列に沿ってグループの形態で切断することができる。多数のLEDを共に使用することは、LEDからの色彩光の組合せとして、例えば赤色、緑色、青色及び青色(RGBB)、又は他の好適な組合せとして白色光を生成するのに特に有用とすることができる。
図2に示されたフレキシブル基板100は、LED102及びツェナーダイオード104の異なるタイプの構成を示しているが、他のタイプの構成を用いてもよい。更に、フレキシブル基板100は、必要に応じてより少ない構成又はより多くの構成で実装することができる点を理解すべきである。例として、フレキシブル基板は、図2において列116に沿って示されるように、共にグループ化された多数のLEDだけで実装することができる。
LED102及びツェナーダイオード104を備えたフレキシブル基板100を使用することによって、従来のシングルチップ又はマルチチップLEDよりも薄いパッケージを生成し、これは携帯電話及びカメラ・フラッシュのような、容積的に厳しい制約を受ける用途でLEDが使用できるようになる。例として、従来のLEDパッケージプロファイルが約4.8mmから6.00mmであるのに対して、本発明を用いると、約0.15mmから0.2mmのLEDパッケージプロファイルを達成することができる。更に、フレキシブル基板100は可撓性であるので、必要に応じてLEDパッケージを撓ませ又は曲げて、非線形又は非平面の組立体内に容易に取り付けることができる。
図3A、3B、4、及び5は、本発明の実施形態による、LED102をフレキシブル基板100上に実装するプロセスを示す。フレキシブル基板100が、導電領域又はパッドを含む所望の導電構成でパターン形成されると、導電バンプがフレキシブル基板のパッド上に生成される。図3Aは、フレキシブル基板100のコンタクト領域(パッド204と呼ばれる場合もある)上にスタッドバンプ202を生成する方法を示している。図示のように、導電ボール206と該ボール206から延びるワイヤ208をフレキシブル基板100のパッド204上に形成することによって、ワイヤボンドが生成される。ボール206は、所望の熱特性及び導電特性を有する材料、例えば金で形成される。次いで、ワイヤ208は、破線210によって示されるようにベース位置で切断され、導電スタッドバンプ202を残して廃棄される。完成されたスタッドバンプ202が図3Bに示される。図示のように、スタッドバンプ202は、例えば90−100μmとすることができるバンプ直径D202と、例えば20−25μmとすることができるボール高さH206と、40−50μmとすることができるバンプ高さH202とを有する。このようにスタッドバンプ202の製造は、当該技術分野で公知のワイヤボンドの製造に主として基づいているので、スタッドバンプ202の寸法は、十分に当業者の能力の範囲内である、光学的高さ要件などの設計ニーズに適合するよう制御することができる。勿論、必要に応じて他の寸法を使用してもよい点は理解すべきである。
必要であれば、導電バンプは、フレキシブル基板100のパッドではなく、LED102のコンタクト上に生成してもよい。更に、スタッドバンプではなく他のタイプの接続手段を使用して、LED102をフレキシブル基板100に接続することもできる。例えば、めっきされた金の厚いコンタクトバンプをスタッドバンプの代わりに使用することもできる。
次いで、図4に示されるように、LED102のような半導体発光素子はフレキシブル基板100にサーモソニック結合される。図4は、第1コンタクト220aに電気的に接続されたn型層102aと、第2コンタクト220bに電気的に接続されたp型層102bと、n型層102a及びp型層102bの間に介在する活性領域102cとを備えたLED102の断面を示す。LED102上のコンタクト220a及び220bは、スタッドバンプ202と位置合わせされており、フレキシブル基板100は、約150−160℃までステージ上で加熱される。矢印224によって示されるように、例えば約50−100gm/バンプの結合力が結合ツール222によってLED102に加えられると共に、矢印226により示されるように超音波振動が印加される。ツェナーダイオード104は、使用される場合には、同じプロセスを用いて取り付けることができる。必要であれば、熱圧縮工程を使用してLED102をフレキシブル基板100に接合することもできる。当該技術分野で知られているように、熱圧縮では、より高温でより大きな結合力が通常必要とされる。
必要であれば、特にLED102のダイ寸法が大きい場合には、LED102を封入する前にアンダーフィル材料を堆積させることができる。例えば、サーモソニック結合プロセスの前に非流動性のアンダーフィルを堆積させることができる。もしくは、サーモソニックダイ取り付けプロセスの後でアンダーフィル材料を施工してもよい。
LED102がフレキシブル基板100に取り付けられると、図5に示されるように、全構造体を封入材料230で覆うことができ、これはレンズとして機能することができる。封入材料230は、柔いコンプライアントな材料である透明な成形コンパウンドとすることができる。好適な成形コンパウンドは、例えば日本の信越化学工業株式会社、及びカリフォルニア州サンタバーバラ所在のNuSil Silicone Technologyから購入することができる。更に、必要であれば、LED102の封入の前に、蛍光体コーティングのような波長変換材料をLED−可撓性組立体の上部に堆積させることもできる。
カプセル材料230が硬化すると、LED102は、上述のように設計ニーズに従ってフレキシブル基板100から切断することができる。図5に示されるように、占有面積の小さい素子は、例えば破線232に沿って封入材料230近傍でLED102を切断することによって生成することができる。ツェナーダイオード(又は多数のLED)が使用される場合には、ツェナーダイオード(又は他のLED)は図5に示すLED102と共に切断しなければならない点を理解すべきである。切断されると、フレキシブル基板100の底面上、すなわちフレキシブル基板100の取り付けられたLED102と反対側に、例えば銅又は金とすることができる金属コンタクト234を、例えばリフローPbSn共晶半田又は鉛フリー半田を使用してエンドユーザのボードに直接取り付けることができる。コンタクト234は、例えばビア236によりフレキシブル基板100の上面のパッド204に電気的及び熱的に接続される。LEDパッケージの熱管理は、エンドユーザが制御することができる。例えば、切断されると、LEDはそのまま使用することができるが、又は用途に応じてヒートスプレッダを付加してもよい。
或いは、LED102を取り付けたフレキシブル基板100は、切断せずに出荷することもできる。フレキシブル基板100を使用すると、有利には、これまで出荷用に使用されていた別個のテープ及びリール工程の必要性がなくなる。図6は、例えば結合及び出荷の目的でリールに巻かれているフレキシブル基板300の斜視図を示す。図示のように、フレキシブル基板300は、第1リール302から巻きがほどかれて、上述のようにLED102及びツェナーダイオード104が結合ヘッド303によって取り付けられた後、ヘッド305によって封入材料が素子上に堆積され、例えば加熱によって該カプセル材料が硬化する。次いで、フレキシブル基板300が第2リール304に巻かれる。このように、LED102及びツェナーダイオード104が取り付けられた完成フレキシブル基板300は、容易に出荷することができ、別個のテープ及びリール工程を必要としない。
本明細書では、バンプ202は金スタッドバンプ又はめっきとして説明してきたが、必要であれば他の材料を使用してもよい。例として、AuSn、AuGe、AuSiをバンプ202に使用してもよい。しかしながら、バンプ202用に使用される材料は、フレキシブル回路100が、例えば半田リフローによってエンドユーザのボードに接続されるときにLED102とフレキシブル基板100との間の接触が損傷を受けない、例えば280℃を超える十分に高い融点を有するように留意すべきである。
本発明を説明の目的で特定の実施形態に関して説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の範囲から逸脱することなく様々な改変及び修正を行うことができる。従って、添付の請求項の精神及び範囲は、上述の説明に限定されるべきではない。
100 フレキシブル基板
102 LED
102a n型層
102b p型層
102c 活性層
104 保護回路
202 スタッドバンプ
204 パッド
206 ボール
208 ワイヤ
220a 第1コンタクト
220b 第2コンタクト
222 接合ツール
230 封入材料
234 金属コンタクト
236 ビア
300 フレキシブル基板
102 LED
102a n型層
102b p型層
102c 活性層
104 保護回路
202 スタッドバンプ
204 パッド
206 ボール
208 ワイヤ
220a 第1コンタクト
220b 第2コンタクト
222 接合ツール
230 封入材料
234 金属コンタクト
236 ビア
300 フレキシブル基板
Claims (20)
- n型層と、p型層と、前記n型層及び前記p型層間に介在する活性領域と、前記n型層に電気的に接続されたnコンタクトと、該nコンタクトと同じ側に形成され、前記p型層に電気的に接続されたpコンタクトとを含む半導体発光素子と、
可撓性層と該可撓性層の第1の側の第1及び第2の導電領域とを含むフレキシブル基板と、
を備える素子であって、
前記半導体発光素子のnコンタクト及びpコンタクトが、フリップチップ構成で前記フレキシブル基板の第1及び第2の導電領域に電気的及び物理的に結合されることを特徴とする素子。 - 前記半導体発光素子のnコンタクト及びpコンタクトと前記フレキシブル基板のそれぞれ第1及び第2の導電領域との間に配置された導電材料を更に備える請求項1に記載の素子。
- 前記導電材料は金から構成される請求項2に記載の素子。
- 前記半導体発光素子のnコンタクト及びpコンタクトと前記フレキシブル基板のそれぞれ第1及び第2の導電領域との間に配置された導電材料が、スタッドバンプの形態である請求項2に記載の素子。
- n型層と、p型層と、前記n型層及び前記p型層間に介在する活性領域と、前記n型層に電気的に接続されたnコンタクトと、該nコンタクトと同じ側に形成され、前記p型層に電気的に接続されたpコンタクトとを含む第2の半導体発光素子を更に備え、
前記フレキシブル基板が更に、前記可撓性層の第1の側に第3及び第4の導電領域を含み、前記第2の半導体発光素子のnコンタクト及びpコンタクトがフリップチップ構成で前記フレキシブル基板の第3及び第4の導電領域に電気的及び物理的に結合される請求項1に記載の素子。 - 各々が、n型層と、p型層と、前記n型層及び前記p型層間に介在する活性領域と、前記n型層に電気的に接続されたnコンタクトと、前記nコンタクトと同じ側に形成され、前記p型層に電気的に接続されたpコンタクトとを含む複数の半導体発光素子を更に備え、
前記フレキシブル基板が更に、前記可撓性層の第1の側に複数の導電領域を含み、前記複数の半導体発光素子の各々のnコンタクト及びpコンタクトがフリップチップ構成で前記フレキシブル基板の複数の導電領域のそれぞれ1つに電気的及び物理的に結合される請求項1に記載の素子。 - 前記可撓性層の第2の側に第3及び第4の導電領域を更に備え、前記第1及び第3の導電領域が電気的に接続されており、前記第2及び第4の導電領域が電気的に接続されている請求項1に記載の素子。
- 前記可撓性層がポリイミド材料である請求項1に記載の素子。
- 第1の側に複数のコンタクト領域を有するフレキシブル基板と、
複数の半導体発光素子と、
を備え、
前記複数の半導体発光素子の各々が該半導体発光素子の同じ側に配置された第1のコンタクトと第2のコンタクトとを有し、該第1のコンタクトと第2のコンタクトとを有する前記複数の半導体発光素子の各々が、フリップチップ構成で前記フレキシブル基板の関連するコンタクト領域に電気的及び物理的に接続されていることを特徴とする構造体。 - 前記複数の半導体発光素子の少なくとも一部分が前記フレキシブル基板上に電気的に接続されている請求項9に記載の構造体。
- 前記複数の半導体発光素子の少なくとも第2の部分が前記フレキシブル基板上に個別に絶縁されている請求項10に記載の構造体。
- 前記フレキシブル基板上の前記コンタクト領域と前記複数の半導体発光素子の各々の第1コンタクト及び第2コンタクトとのそれぞれの間に配置された金スタッドバンプを更に備える請求項9に記載の構造体。
- リールを更に備え、前記フレキシブル基板と接続された複数の半導体発光素子とが前記リール上に巻かれる請求項9に記載の構造体。
- 複数のコンタクト領域を備えたフレキシブル基板を準備する段階と、
各々が同じ側に配置された第1コンタクト及び第2コンタクトを有する複数の半導体発光素子を準備する段階と、
前記フレキシブル基板上の複数のコンタクト領域、又は前記複数の半導体発光素子の各々の第1コンタクト及び第2コンタクト上に金バンプを形成する段階と、
前記複数の半導体発光素子の各々の第1コンタクト及び第2コンタクトのそれぞれを前記フレキシブル基板の関連するコンタクト領域に金バンプにより結合する段階と、
前記複数の半導体発光素子の各々を前記フレキシブル基板上に封入する段階と、
を含む方法。 - 結合された半導体発光素子を備えた前記フレキシブル基板をリール上に巻く段階を更に含む請求項14に記載の方法。
- 前記フレキシブル基板から個々の半導体発光素子に切断する段階を更に含む請求項14に記載の方法。
- 前記フレキシブル基板からグループの半導体発光素子に切断する段階を含む請求項14に記載の方法。
- 金バンプを形成する段階が、前記フレキシブル基板上の複数のコンタクト領域上、又は前記複数の半導体発光素子の各々の前記第1コンタクト及び第2コンタクト上に金スタッドバンプを形成する段階を含む請求項14に記載の方法。
- 前記複数の半導体発光素子の各々の第1コンタクト及び第2コンタクトのそれぞれを金バンプを使用して前記フレキシブル基板の関係するコンタクト領域に結合する段階が、サーモソニック結合で行われる請求項14に記載の方法。
- 複数のコンタクト領域を備えたフレキシブル基板を準備する段階が、
ポリイミド層と銅層から構成されるフレキシブル基板を準備する段階と、
前記銅層をエッチングして所望の複数のコンタクト領域を形成する段階と、
を含む請求項14に記載の方法。
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