JP2005322936A - Combined chemical mechanical polishing, wafer cleaning implement, and related method - Google Patents
Combined chemical mechanical polishing, wafer cleaning implement, and related method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005322936A JP2005322936A JP2005160560A JP2005160560A JP2005322936A JP 2005322936 A JP2005322936 A JP 2005322936A JP 2005160560 A JP2005160560 A JP 2005160560A JP 2005160560 A JP2005160560 A JP 2005160560A JP 2005322936 A JP2005322936 A JP 2005322936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- machine
- station
- wafer
- workpiece
- cassette
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 128
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 194
- 239000012636 effector Substances 0.000 claims description 78
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 31
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 claims description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 480
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 113
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 40
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920004482 WACKER® Polymers 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000013024 troubleshooting Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/005—Feeding or manipulating devices specially adapted to grinding machines
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
（発明の分野）
本発明は、一般に、半導体ウエハワークピースを研磨、洗浄、リンスおよび回転乾燥するための内蔵式機械に関し、さらに特定すると、ウエハのカセットを受容するため；これらのウエハをＣＭＰ研磨、洗浄、リンスおよび乾燥するため；および研磨し洗浄したウエハを、それらを取り出した同じカセットおよび同じスロットへと戻すための改良システムに関する。
(Field of Invention)
The present invention relates generally to self-contained machines for polishing, cleaning, rinsing and spin drying semiconductor wafer workpieces, and more particularly for receiving cassettes of wafers; CMP polishing, cleaning, rinsing and cleaning of these wafers. It relates to an improved system for drying; and returning polished and cleaned wafers to the same cassette and slot from which they were removed.
（発明の背景）
電子工業において、ウエハおよびディスクを研磨する機械および洗浄する機械は、一般に、周知である。例えば、半導体ウエハ、磁気ディスク、および他のワークピースは、しばしば、平らで実質的に平面の円形ディスク形状で提供されている。集積回路の製造では、半導体ウエハディスクは、シリコンインゴットからスライスされ、さらに処理するために、準備される。このインゴットから各ウエハをスライスした後、それは、充分に研磨し、次いで、洗浄、リンスおよび乾燥して、このウエハの表面から破片を除かなければならない。その後、このウエハには、一連の工程が実行されて、このウエハ表面上にて、集積回路が形成されるが、この工程には、マイクロエレクトロニック構造の層を塗布すること、その後、誘電体層を塗布することが挙げられる。典型的には、このウエハ表面にて、これらの層を製作した後、これらのウエハは、平面化して、余分な材料および欠陥を除かなければならない。
(Background of the Invention)
In the electronics industry, machines for polishing and cleaning wafers and disks are generally well known. For example, semiconductor wafers, magnetic disks, and other workpieces are often provided in the form of flat, substantially planar circular disks. In the manufacture of integrated circuits, a semiconductor wafer disk is sliced from a silicon ingot and prepared for further processing. After slicing each wafer from the ingot, it must be thoroughly polished and then cleaned, rinsed and dried to remove debris from the surface of the wafer. Thereafter, a series of steps are performed on the wafer to form an integrated circuit on the wafer surface. In this step, a layer of a microelectronic structure is applied, and then a dielectric layer is formed. It is possible to apply. Typically, after these layers are fabricated on the wafer surface, the wafers must be planarized to remove excess material and defects.
各処理工程の後、しばしば、これらのウエハを充分に洗浄、リンスおよび乾燥して、これらのウエハから破片が取り除かれたことを確認するのが望ましい。それゆえ、ウエハを迅速かつ効率的に洗浄、リンスおよび乾燥する方法および装置が必要とされており、これは、高いウエハ産高を促進しつつ、同時に、ウエハの破損を最小にして、これらのウエハを充分に洗浄し乾燥する。既存のウエハ洗浄機の論述については、例えば、Ｌｕｔｚの米国特許第５，４４２，８２８号（１９９５年８月２２日に登録された）；Ｆｒａｎｋらの米国特許第５，２１３，４５１号（１９９３年５月２５日に登録された）；およびＯｎｏｄｅｒａの米国特許第５，３５７，６４５号（１９９４年１０月２５日に登録された）を参照せよ。 After each processing step, it is often desirable to thoroughly clean, rinse and dry the wafers to ensure that debris has been removed from the wafers. Therefore, there is a need for a method and apparatus for cleaning, rinsing and drying wafers quickly and efficiently, which promotes high wafer output while at the same time minimizing wafer breakage. Thoroughly clean and dry the wafer. For a discussion of existing wafer cleaners, see, for example, Lutz US Pat. No. 5,442,828 (registered August 22, 1995); Frank et al. US Pat. No. 5,213,451 (1993). No. 5,357,645 (registered on Oct. 25, 1994); and Onodera, U.S. Pat. No. 5,357,645.
現在、ＣＭＰ研磨および／または平面化は、１台の機械により実行されており、また、ウエハの洗浄および乾燥は、他の別個の機械により、実行されている。これらのウエハの表面上に、処理層（すなわち、酸化物、タングステンなど）を堆積した後、その乾燥ウエハは、カセットに置かれ、そしてＣＭＰ研磨機に手で運ばれる。このＣＭＰ研磨機は、これらのウエハを平面化することにより、余分な材料を取り除き、次いで、典型的には、これらのウエハをリンスし、そしてこれらのウエハを湿潤カセット内に置く。研磨後、残留粒子は、依然として、このウエハの表面に滞留している。もし、これらの粒子が、洗浄前に、このウエハ上で乾燥するなら、このウエハ上のマイクロエレクトロニック構造は、崩壊し得る。従って、これらのウエハを洗浄し乾燥する前に、これらのウエハを湿潤した状態で保つことは、非常に重要である。このＣＭＰ機から、この湿潤カセットは、別個のウエハ洗浄および乾燥機（これは、典型的には、このＣＭＰ機の近くのどこかに位置している）へと手で運ばれる。 Currently, CMP polishing and / or planarization is performed by one machine, and wafer cleaning and drying are performed by other separate machines. After depositing a processing layer (ie, oxide, tungsten, etc.) on the surface of these wafers, the dry wafer is placed in a cassette and handed to a CMP polisher. The CMP polisher removes excess material by planarizing the wafers, then typically rinses the wafers and places the wafers in a wet cassette. After polishing, residual particles still remain on the surface of the wafer. If these particles are dried on the wafer before cleaning, the microelectronic structures on the wafer can collapse. Therefore, it is very important to keep these wafers wet before cleaning and drying them. From the CMP machine, the wet cassette is hand-carried to a separate wafer cleaning and drying machine, which is typically located somewhere near the CMP machine.
ウエハ研磨およびウエハ洗浄および乾燥用の別個の機械を使用するこの従来の方法は、重大な欠点がある。第一に、ウエハ製造者は、ウエハを、ＣＭＰ機から洗浄および乾燥機へと湿潤環境で運搬するために、手元に、作業員、設備および施設がなければならない。第二に、ウエハを研磨し洗浄するの別個の機械を備え付けることは、相当なクリーンルーム空間を費やし、これは、当業者が理解するように、非常に高価である。 This conventional method using separate machines for wafer polishing and wafer cleaning and drying has significant drawbacks. First, wafer manufacturers must have workers, equipment and facilities at hand to transport wafers from a CMP machine to a cleaning and drying machine in a humid environment. Second, providing a separate machine for polishing and cleaning the wafers consumes considerable clean room space, which is very expensive as those skilled in the art will appreciate.
（発明の要旨）
本発明は、この研磨、洗浄および乾燥機能を１台の機械で一体化することにより、従来技術の欠点を克服する。
(Summary of the Invention)
The present invention overcomes the disadvantages of the prior art by integrating this polishing, cleaning and drying function in a single machine.
従って、本発明の主要な目的は、組み合わせウエハＣＭＰ研磨、洗浄および乾燥機を提供することにあり、ここで、ウエハは、乾燥カセットから取り出され、研磨され、洗浄され、乾燥され、それらを取り出した同じカセットおよびスロットへと戻される。 Accordingly, a primary object of the present invention is to provide a combined wafer CMP polishing, cleaning and drying machine in which wafers are removed from the drying cassette, polished, cleaned, dried and removed. Returned to the same cassette and slot.
本発明の別の目的は、この組み合わせ研磨および洗浄機の装填ステーション、洗浄ステーションおよび乾燥ステーションを、１〜１０等級のクリーンルーム環境で維持することにある。この機械の装填および洗浄ステーションからＣＭＰステーションへの正の空気層流（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｌａｍｉｎａｒ ａｉｒ ｆｌｏｗ）は、この装填および洗浄ステーション内にて、クリーンな環境を維持するのに、使用される。この正の空気流は、これらのウエハから研磨中に遊離され得るスラリーおよび他の粒子が、このクリーンな環境へと移動したりそれを汚染しないことを保証する。 Another object of the present invention is to maintain this combined polishing and cleaning machine loading station, cleaning station and drying station in a 1-10 grade clean room environment. The positive laminar air flow from the machine loading and cleaning station to the CMP station is used to maintain a clean environment within the loading and cleaning station. This positive air flow ensures that slurries and other particles that can be liberated during polishing from these wafers do not migrate to or contaminate this clean environment.
本発明は、ワークピースを研磨し、洗浄し、リンスし、そして乾燥するための一体化機械を提供し、この機械は、以下を包含する：
装填／取出ステーションであって、この装填／取出ステーションは、研磨、洗浄、リンスおよび乾燥すべきワークピースのカセットを受容するための複数のプラットホームを有する；
第一運搬手段であって、このカセットからこのワークピースを回収するための、第一運搬手段；
整列ステーションであって、この第一運搬手段から未研磨ワークピースを受容するため、およびさらに処理する前に研磨済みワークピースを保持するための、整列ステーション；
研磨ステーションであって、未研磨ワークピースを研磨するための、研磨ステーション；
第二運搬手段であって、未研磨ワークピースをこの整列ステーションからこの研磨ステーションへと運搬するため、および研磨済みワークピースをこの整列ステーションへと運搬するための、第二運搬手段；
洗浄ステーションであって、研磨済みワークピースを洗浄、リンスおよび乾燥するための、洗浄ステーション；
第三運搬手段であって、研磨済みワークピースをこの整列ステーションからこの洗浄ステーションへと運搬するための、第三運搬手段；および
第四運搬手段であって、洗浄し、リンスしそして乾燥したワークピースをこの洗浄ステーションからこのカセットへと戻すための、第四運搬手段。
The present invention provides an integrated machine for polishing, cleaning, rinsing and drying a workpiece, which includes:
A loading / unloading station having a plurality of platforms for receiving cassettes of workpieces to be polished, cleaned, rinsed and dried;
First transport means for recovering the workpiece from the cassette;
An alignment station for receiving an unpolished workpiece from the first conveying means and holding the polished workpiece before further processing;
A polishing station for polishing an unpolished workpiece;
Second transport means for transporting unpolished workpieces from the alignment station to the polishing station and transporting polished workpieces to the alignment station;
A cleaning station for cleaning, rinsing and drying the polished workpiece;
A third transport means for transporting the polished workpiece from the alignment station to the cleaning station; and a fourth transport means for cleaning, rinsing and drying the workpiece. A fourth transport means for returning the piece from the washing station to the cassette.
１つの実施形態において、上記第一および第四運搬手段が、１個のロボットに組み込まれている。 In one embodiment, the first and fourth transport means are incorporated in one robot.
１つの実施形態において、上記第一運搬手段が、ドライエンドエフェクターを包含する。 In one embodiment, the first transport means includes a dry end effector.
１つの実施形態において、上記整列ステーションが、回転可能整列テーブルを包含し、この回転可能整列テーブルが、上記未研磨ワークピースを保持するための複数の装填カップを有し、これらの複数の装填カップが、上記研磨済みワークピースを保持するための複数の取出カップと交互になっている。 In one embodiment, the alignment station includes a rotatable alignment table, the rotatable alignment table having a plurality of loading cups for holding the unpolished workpiece, the plurality of loading cups. Are alternating with a plurality of take-off cups for holding the polished workpiece.
１つの実施形態において、上記第二運搬手段が、移動可能器具を包含し、この移動可能器具が、キャリヤー要素を有し、このキャリヤー要素が、上記装填カップから上記未研磨ワークピースを回収し、この未研磨ワークピースを上記研磨ステーションの研磨パッドに押し付け、そして上記研磨済みワークピースを上記装填カップへと戻す。 In one embodiment, the second transport means includes a movable instrument, the movable instrument having a carrier element, the carrier element recovering the unpolished workpiece from the loading cup; The unpolished workpiece is pressed against the polishing pad of the polishing station and the polished workpiece is returned to the loading cup.
１つの実施形態において、上記第三運搬手段が、フリッパーを包含し、このフリッパーが、上記研磨済みワークピースを上記整列テーブルの上記取出カップから上記洗浄ステーションへと移動する。 In one embodiment, the third transport means includes a flipper that moves the polished workpiece from the removal cup of the alignment table to the cleaning station.
１つの実施形態において、上記洗浄ステーションが、複数のスクラブステーション、リンスステーションおよび乾燥ステーションを包含する。 In one embodiment, the cleaning station includes a plurality of scrub stations, a rinse station, and a drying station.
１つの実施形態において、上記ワークピースが、上記スクラブステーションと上記リンスステーションとの間で、複数の水トラックに沿って移動する。 In one embodiment, the workpiece moves along a plurality of water tracks between the scrub station and the rinse station.
１つの実施形態において、上記第一および第四運搬手段が、ロボットのドライエンドエフェクターに組み込まれており、そして上記ワークピースが、このロボットのウェットエンドエフェクターにより、上記リンスステーションから上記乾燥ステーションへと移動される。 In one embodiment, the first and fourth transport means are incorporated into a dry end effector of a robot, and the workpiece is moved from the rinse station to the drying station by the wet end effector of the robot. Moved.
別の局面において、本発明は、ワークピースを処理する方法を提供し、この方法は、以下の工程を包含する：
研磨、洗浄、リンスおよび乾燥すべきワークピースを供給する工程；
このワークピースを、ロボットを用いて、装填／取出ステーションから研磨ステーションへと運搬する工程；
このワークピースを研磨する工程；
このワークピースを、この研磨ステーションから、洗浄、リンスおよび乾燥ステーションへと運搬する工程；
このワークピースを洗浄、リンスおよび乾燥する工程；そして
このワークピースを、このロボットを用いて、この洗浄ステーションから、この装填／取出ステーションへと戻す工程。
In another aspect, the present invention provides a method of processing a workpiece, which method includes the following steps:
Supplying workpieces to be polished, cleaned, rinsed and dried;
Transporting the workpiece from a loading / unloading station to a polishing station using a robot;
Polishing the workpiece;
Transporting the workpiece from the polishing station to a cleaning, rinsing and drying station;
Cleaning, rinsing and drying the workpiece; and returning the workpiece from the cleaning station to the loading / unloading station using the robot.
１つの実施形態において、上記ワークピースが、半導体ウエハを包含する。 In one embodiment, the workpiece includes a semiconductor wafer.
１つの実施形態において、上記装填／取出ステーションが、３個のプラットホームを包含する。 In one embodiment, the loading / unloading station includes three platforms.
１つの実施形態において、上記プラットホームが、上記カセットを支持するための傾斜基部を包含し、この傾斜基部が、上記ワークピースがこのカセットの後部へと滑ることを保証する。 In one embodiment, the platform includes an inclined base for supporting the cassette, which ensures that the workpiece slides to the rear of the cassette.
１つの実施形態において、上記基部が、５〜１８度の傾斜角を有する。 In one embodiment, the base has an inclination angle of 5 to 18 degrees.
１つの実施形態において、上記傾斜角が、エレベーターアセンブリ、サーボアセンブリ、ステッパーモーターおよびトルクモーターアセンブリからなる群から選択される機構の使用により、調整される。 In one embodiment, the tilt angle is adjusted by use of a mechanism selected from the group consisting of an elevator assembly, a servo assembly, a stepper motor, and a torque motor assembly.
１つの実施形態において、上記各プラットホームが、内部プラットホームドアおよび外部プラットホームドアを包含し、この内部プラットホームドアが、上記装填／取出ステーションを外部環境から隔離するために、このプラットホームの内側に位置しており、そしてこの外部プラットホームドアが、上記カセットのこのプラットホーム上への装填を可能にするために、この装填／取出ステーションの外側に位置している。 In one embodiment, each of the platforms includes an internal platform door and an external platform door, the internal platform door being located inside the platform to isolate the loading / unloading station from the external environment. And the external platform door is located outside the loading / unloading station to allow loading of the cassette onto the platform.
１つの実施形態において、上記内部ドアが、上記外部ドアが開く前に、閉じるように配置されている。 In one embodiment, the internal door is arranged to close before the external door opens.
１つの実施形態において、上記外部ドアが、制御ロッキング機構を包含し、この制御ロッキング機構が、上記内部ドアが閉まるまで、この外部ドアの開放を防止する。 In one embodiment, the external door includes a control locking mechanism that prevents the external door from opening until the internal door is closed.
１つの実施形態において、上記プラットホームが、さらに、上記カセットをモニターするためのセンサを包含する。 In one embodiment, the platform further includes a sensor for monitoring the cassette.
１つの実施形態において、上記センサが、カセット位置センサおよび外部ドアセンサを包含し、このカセット位置センサが、上記カセットが上記プラットホーム上で正しく配置されているかどうかをモニターするためにあり、そしてこの外部ドアセンサが、上記外部ドアが開いているかまたは閉じているかを決定するためにある。 In one embodiment, the sensor includes a cassette position sensor and an exterior door sensor, the cassette position sensor is for monitoring whether the cassette is properly positioned on the platform, and the exterior door sensor. For determining whether the external door is open or closed.
１つの実施形態において、上記プラットホームが、複数のカセットの配置に適合するように、配置されている。 In one embodiment, the platform is arranged to match the arrangement of the plurality of cassettes.
１つの実施形態において、上記カセットの配置が、６インチウエハカセット、８インチウエハカセット、３００ミリメートルウエハカセット、およびＳｔａｎｄａｒｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅウエハポッドからなる群から選択される。 In one embodiment, the cassette arrangement is selected from the group consisting of a 6 inch wafer cassette, an 8 inch wafer cassette, a 300 millimeter wafer cassette, and a Standard Machine Interface wafer pod.
１つの実施形態において、上記プラットホームが、静電気の蓄積を最小にするためのイオン化剤を含有する。 In one embodiment, the platform contains an ionizing agent to minimize static charge accumulation.
１つの実施形態において、さらに、ＨＥＰＡフィルターを包含し、このＨＥＰＡフィルターが、上記外部プラットホームドアを開いたとき、空気中浮遊粒子をこのプラットホームから締め出すために、正の空気層流を供給するように、上記機械の上部に取り付けられている。 In one embodiment, it further includes a HEPA filter, which provides a positive air laminar flow to keep airborne particles out of the platform when the external platform door is opened. , Attached to the top of the machine.
１つの実施形態において、上記ロボットが、六軸ロボットであり、この六軸ロボットが、乾燥ワークピースを取り扱うための乾燥ウエハ握り手段、および湿潤ワークピースを取り扱うための湿潤ウエハ握り手段を有する。 In one embodiment, the robot is a six-axis robot, which has a dry wafer gripping means for handling dry workpieces and a wet wafer gripping means for handling wet workpieces.
１つの実施形態において、上記乾燥ウエハ握り手段が、ドライエンドエフェクターを包含し、そして上記湿潤ウエハ握り手段が、ウェットエンドエフェクターを包含する。 In one embodiment, the dry wafer gripping means includes a dry end effector and the wet wafer gripping means includes a wet end effector.
１つの実施形態において、上記ウェットおよびドライエンドエフェクターが、真空穴を包含し、この真空穴が、上記ワークピースに真空圧を加えるため、およびこのワークピースを上記エンドエフェクター上で保持するためにある。 In one embodiment, the wet and dry end effector includes a vacuum hole, the vacuum hole for applying vacuum pressure to the workpiece and for holding the workpiece on the end effector. .
１つの実施形態において、上記エンドエフェクターが、静電放電の蓄積に抵抗するように、静電気消散材料で被覆されている。 In one embodiment, the end effector is coated with a static dissipative material to resist the accumulation of electrostatic discharge.
１つの実施形態において、上記機械がマッピングシステムをさらに備え、このマッピングシステムが、上記カセット内の上記ワークピースの位置および場所に対応する視覚データを得るための装置を包含する。 In one embodiment, the machine further comprises a mapping system, which includes a device for obtaining visual data corresponding to the position and location of the workpiece in the cassette.
１つの実施形態において、上記マッピングシステムが、上記視覚データを生じるための光学走査装置を包含する。 In one embodiment, the mapping system includes an optical scanning device for producing the visual data.
１つの実施形態において、上記光学走査装置が、ビデオカメラである。 In one embodiment, the optical scanning device is a video camera.
１つの実施形態において、さらに、上記マッピングシステムの有効性を改良するための後方点灯システムを包含する。 In one embodiment, it further includes a rear lighting system to improve the effectiveness of the mapping system.
１つの実施形態において、上記マッピングシステムが、さらに、プロセッサを包含し、このプロセッサが、上記視覚データを上記光学走査装置から受容しかつこの視覚データをワークピース位置データへと変換するように、配置されている。 In one embodiment, the mapping system further includes a processor arranged to receive the visual data from the optical scanning device and convert the visual data into workpiece position data. Has been.
１つの実施形態において、上記ワークピース位置データが、３２ビットからなり、これらのビットのうちの３０ビットは、上記各ワークピースのカセットおよびスロット情報を規定し、これらのビットのうちの１ビットは、ワークピースが２個のカセットスロット間でクロススロットしていることを示すための第一エラービットを規定し、そしてこれらのビットのうちの１ビットは、１個のカセットスロットが複数のワークピースを含んでいることを示すための第二エラービットを規定する。 In one embodiment, the workpiece position data consists of 32 bits, 30 bits of which define the cassette and slot information for each workpiece, and one of these bits is Define a first error bit to indicate that the workpiece is cross-slotted between two cassette slots, and one of these bits means that one cassette slot is a plurality of workpieces. Specifies the second error bit to indicate that it contains.
１つの実施形態において、上記水トラックが、複数の流体ジェットを包含し、この流体ジェットが、流体を排出して上記ワークピースをこの水トラックに沿って前方方向に推進するように、配置されている。 In one embodiment, the water track includes a plurality of fluid jets that are arranged to discharge fluid and propel the workpiece forward along the water track. Yes.
１つの実施形態において、上記前方ジェットが、２０〜７０度の範囲で、上記水トラックに対する角度で、上記流体を排出するように、配向されている。 In one embodiment, the forward jet is oriented to discharge the fluid at an angle to the water track in the range of 20-70 degrees.
１つの実施形態において、さらに、上記水トラックの下に、流体マニホルドを包含し、この流体マニホルドが、上記流体を上記ジェットに供給する。 In one embodiment, a fluid manifold is further included under the water track, which supplies the fluid to the jet.
１つの実施形態において、上記水トラックが、さらに、逆進ジェットを包含し、この逆進ジェットが、上記ワークピースが上記水トラックに沿って前方方向に移動しないように、流体を逆方向に排出するように操作可能である。 In one embodiment, the water truck further includes a reverse jet that discharges fluid in a reverse direction so that the workpiece does not move forward along the water track. It is possible to operate.
１つの実施形態において、上記水トラックが、さらに、少なくとも１個の垂直移動可能なステージングピンを包含し、このステージングピンが、上記ワークピースをこの水トラックで保持するために、高い位置へと垂直に移動可能であり、また、このワークピースを上記ステーションへと通すことができるように、低い位置へと移動可能である。 In one embodiment, the water track further includes at least one vertically movable staging pin that is vertically elevated to hold the workpiece on the water track. And can be moved to a lower position so that the workpiece can be passed through the station.
１つの実施形態において、上記水トラックが、さらに、少なくとも１個の垂直移動可能なステージングピンを包含し、このステージングピンが、上記ワークピースが前方方向に移動するのを防止する際に上記逆進ジェットを補助するために、高い位置へと垂直に移動可能であり、また、このワークピースをこの水トラックに沿って前方方向に移動させるために、低い位置へと移動可能である。 In one embodiment, the water track further includes at least one vertically movable staging pin that prevents the workpiece from moving forward when the staging pin prevents the workpiece from moving forward. To assist the jet, it can be moved vertically to a higher position, and to move the workpiece forward along the water track, it can be moved to a lower position.
１つの実施形態において、上記水トラックが、検出センサを包含し、この検出センサが、請求したワークピースを数えるため、および捕捉されたまたは破損したワークピースを検出するためにある。 In one embodiment, the water track includes a detection sensor that is for counting billed workpieces and for detecting captured or broken workpieces.
１つの実施形態において、上記洗浄ステーションの各々が、複数のローラー対を囲んでいるスクラバーボックスを包含する。 In one embodiment, each of the cleaning stations includes a scrubber box surrounding a plurality of roller pairs.
１つの実施形態において、上記ローラー対が、交互駆動ローラー対およびスクラビングローラー対を包含し、この駆動ローラー対が、第一駆動速度Ｓ１で駆動される頂部および底部ローラーを包含し、そしてこのスクラビングローラー対が、第二駆動速度Ｓ２で駆動される底部ローラーおよび第三駆動速度Ｓ３で駆動される頂部ローラーを包含する。 In one embodiment, the roller pair includes an alternating drive roller pair and a scrubbing roller pair, the drive roller pair includes a top and bottom roller driven at a first drive speed S1, and the scrubbing roller The pair includes a bottom roller driven at a second drive speed S2 and a top roller driven at a third drive speed S3.
１つの実施形態において、上記スクラバーボックスが、クイックリリース解除ファスナーアセンブリを包含し、このクイックリリース解除ファスナーアセンブリが、これらのスクラバーボックスを上記機械に固定可能であるが解除可能に係合するためにある。 In one embodiment, the scrubber box includes a quick release release fastener assembly that is capable of securing but releasably engaging the scrubber box to the machine. .
１つの実施形態において、上記スクラバーボックスが、底部パネルを包含し、この底部パネルが、流体出口を有し、この流体出口を通って、流体が、このスクラバーボックスから流出し得る。 In one embodiment, the scrubber box includes a bottom panel that has a fluid outlet through which fluid can flow out of the scrubber box.
１つの実施形態において、上記スクラバーボックスの各々が、少なくとも１個の流体入口ポートを有する頂部パネル、およびこのスクラバーボックス内の特定のローラー対に流体を送達するように、配置されているマニホルドを包含する。 In one embodiment, each of the scrubber boxes includes a top panel having at least one fluid inlet port, and a manifold arranged to deliver fluid to a particular pair of rollers within the scrubber box. To do.
１つの実施形態において、上記頂部パネルが、第一流体入口ポート、第二流体入口ポートおよび第三流体入口ポートを包含し、この第一流体入口ポートが、第一群のローラー対と近接して第一流体を分配するように、第一マニホルドと連絡しており、この第二流体入口ポートが、第二群のローラー対と近接して第二流体を分配するように、第二マニホルドと連絡しており、そしてこの第三流体入口ポートが、第三群のローラー対と近接して第三流体を分配するためにある。 In one embodiment, the top panel includes a first fluid inlet port, a second fluid inlet port and a third fluid inlet port, wherein the first fluid inlet port is proximate to the first group of roller pairs. In communication with the first manifold to distribute the first fluid, and in communication with the second manifold such that the second fluid inlet port distributes the second fluid in proximity to the second group of roller pairs. And this third fluid inlet port is for dispensing the third fluid in close proximity to the third group of roller pairs.
１つの実施形態において、上記各マニホルドが、複数の伸長分配チャンネルを包含し、この伸長分配チャンネルが、他のマニホルドと関連した他のチャンネルと異なる。 In one embodiment, each manifold includes a plurality of extension distribution channels that are different from other channels associated with other manifolds.
１つの実施形態において、上記頂部パネルが、一体型で実質的に継ぎ目のない部品であり、この部品が、上記流体が上記マニホルドから漏れることなしに、このマニホルドの加圧を可能にする。 In one embodiment, the top panel is an integral, substantially seamless part that allows pressurization of the manifold without the fluid leaking from the manifold.
１つの実施形態において、上記スクラバーボックスの各々が、さらに、出口リンスノズルを包含し、この出口リンスノズルが、このスクラバーボックスから出ていくワークピースをリンスするために、このワークピースがこのスクラバーボックスから出ていく位置に近接して、配置されている。 In one embodiment, each of the scrubber boxes further includes an outlet rinse nozzle that rinses the workpiece exiting the scrubber box so that the workpiece is the scrubber box. It is arranged close to the position where it leaves.
１つの実施形態において、上記洗浄ステーションが、さらに、フッ化水素酸ステーションを包含する。 In one embodiment, the cleaning station further includes a hydrofluoric acid station.
１つの実施形態において、上記リンスステーションが、ワークピースを保持するためのリンスリング、およびこのワークピース上へと流体を排出するための少なくとも１個の流体ノズルを包含する。 In one embodiment, the rinse station includes a rinse ring for holding a workpiece and at least one fluid nozzle for discharging fluid onto the workpiece.
１つの実施形態において、上記リンスリングが、ガイドおよび中心ピンを包含し、このガイドおよび中心ピンが、水トラックから上記リンスステーションに入るワークピースを正しく配置するために、このリングの周囲の回りに配置されており、このリングが、上記ワークピースを覆う上記流体の層流を促進するために、およそ１０〜５０度の角度で、下方へ傾斜している。 In one embodiment, the rinse ring includes a guide and a center pin, and the guide and center pin around the periphery of the ring to properly place a workpiece that enters the rinse station from a water track. In place, the ring is inclined downward at an angle of approximately 10-50 degrees to promote laminar flow of the fluid over the workpiece.
１つの実施形態において、上記リンスステーションが、第一ノズルおよび第二ノズルを包含し、この第一ノズルが、上記流体を、上記ワークピースの上面上へと排出し、そして上記第二ノズルが、この流体を、このワークピースの下面上へと排出する。 In one embodiment, the rinse station includes a first nozzle and a second nozzle, the first nozzle discharges the fluid onto the upper surface of the workpiece, and the second nozzle This fluid is discharged onto the lower surface of the workpiece.
１つの実施形態において、上記乾燥ステーションが、スピン乾燥機を包含し、このスピン乾燥機が、ワークピースプラットホームおよび握り手段を有し、この握り手段が、このプラットホームが高速で回転したとき、このワークピースをその上に確実に保持するために、このプラットホームの回りに取り付けられている。 In one embodiment, the drying station includes a spin dryer, the spin dryer has a workpiece platform and grip means, and the grip means is configured to move the workpiece when the platform rotates at high speed. It is mounted around this platform to securely hold the piece on it.
１つの実施形態において、上記握り手段が、複数の握りフィンガーを包含し、この握りフィンガーが、上記プラットホームの外周の回りに回動的に（ｐｉｖｏｔａｌｌｙ）取り付けられている。 In one embodiment, the gripping means includes a plurality of gripping fingers that are pivotally attached about the outer periphery of the platform.
１つの実施形態において、上記握りフィンガーは、ヘッド部分およびバネ負荷柄部分を包含し、このヘッド部分が、上記プラットホームの上部に伸長し、そして上記ワークピースと係合しており、また、このバネ負荷柄部分が、このプラットホームの下部に伸長し、そしてこのヘッド部分を軸方向に内向きに偏向して、上記握りフィンガーを握り位置で維持する。 In one embodiment, the gripping fingers include a head portion and a spring loaded handle portion that extends to the top of the platform and engages the workpiece, and the spring A load handle portion extends to the bottom of the platform and deflects the head portion axially inward to maintain the grip fingers in the grip position.
１つの実施形態において、上記機械はさらに、垂直移動可能なアクチュエータアセンブリを包含し、このアクチュエータアセンブリが、上記柄部分と係合し、そしてこの柄部分を放射状に内向きに偏向し、かつ上記ヘッド部分を放射状に外向きに偏向して、上記ワークピースの解除を行う。 In one embodiment, the machine further includes a vertically movable actuator assembly that engages the handle portion and deflects the handle portion radially inward and the head. The workpiece is released by deflecting the portion radially outward.
１つの実施形態において、上記機械はさらに、保護シュラウドを包含し、この保護シュラウドが、上記ワークピースから除去される流体および微粒子を隔離するために、上記プラットホームを取り囲んでいる。 In one embodiment, the machine further includes a protective shroud that surrounds the platform to isolate fluids and particulates removed from the workpiece.
１つの実施形態において、上記機械はさらに、流体流れ制御システムを包含し、この流体流れ制御システムが、上記機械中の種々の流体視野に流体を正確に分配するためにあり、そして流体源、流量計、ポンプ、ポンプ制御装置およびプロセッサを包含し、この流体源が、所望の処理流体の供給を持続するためにあり、この流量計が、流体の流速を測定するためにあり、このポンプが、流体流れを制御するためにあり、このポンプ制御装置が、このポンプにポンプ制御信号を与えるためにあり、そしてこのプロセッサが、この流速を表示するこの流量計からの信号を受容するため、およびこの流速を所定範囲内で維持するのに必要なポンプ制御信号を調整するように、このポンプ制御装置を向けるためにある。 In one embodiment, the machine further includes a fluid flow control system, the fluid flow control system is for accurately distributing fluid to the various fluid views in the machine, and the fluid source, flow rate Including a meter, a pump, a pump controller and a processor, wherein the fluid source is for sustaining the supply of the desired processing fluid, the flow meter is for measuring the flow rate of the fluid, For controlling fluid flow, for the pump controller to provide a pump control signal to the pump, and for the processor to receive a signal from the flow meter indicating the flow rate, and for the To direct this pump controller to adjust the pump control signal needed to maintain the flow rate within a predetermined range.
１つの実施形態において、上記機械はさらに、タッチスクリーンディスプレイを包含し、このディスプレイが、上記機械の種々の操作上の特徴の図式的な描写を提供し、そして操作者がこの機械をモニターし操作できるようにする。 In one embodiment, the machine further includes a touch screen display that provides a schematic depiction of the various operational features of the machine, and an operator monitors and operates the machine. It can be so.
別の局面において、本発明は、処理すべきウエハのカセットを受容するための装填／取出ステーションを提供し、この装填／取出ステーションは、以下を包含する：
複数のプラットホームであって、これらのプラットホームは、その上に、このカセットを支持するための傾斜基部を有し、このウエハは、このカセットの後位置に戻るために滑ることを確実にし；
内部ドアおよび外部ドアであって、この内部ドアは、このステーションを外部環境から隔離するために、このステーションの内側に位置しており、そしてこの外部ドアは、このカセットのこのプラットホーム上への装填を可能にするために、このステーションの外側に位置しており、そしてこの内部ドアは、この外部ドアが開き得る前に、閉じるように配置されており、そしてこの外部ドアは、制御ロッキング機構を包含し、この制御ロッキング機構は、この内部ドアが開いている間、この外部ドアの開放を防止するためにある。
In another aspect, the present invention provides a loading / unloading station for receiving a cassette of wafers to be processed, the loading / unloading station comprising:
A plurality of platforms, the platforms having thereon a tilted base for supporting the cassette, ensuring that the wafer slides back to the back position of the cassette;
An internal door and an external door, the internal door being located inside the station to isolate the station from the external environment, and the external door being loaded on the platform of the cassette Is located outside the station, and the inner door is arranged to close before the outer door can be opened, and the outer door has a control locking mechanism Including and this control locking mechanism is to prevent the opening of the outer door while the inner door is open.
１つの実施形態において、上記傾斜基部は、５〜１８度の範囲の傾斜角を有し、この角度は、エレベーターアセンブリ、サーボアセンブリ、ステッパーモーターおよびトルクモーターアセンブリからなる群から選択される機構の使用により、調整可能である。 In one embodiment, the tilt base has a tilt angle in the range of 5-18 degrees, the angle using a mechanism selected from the group consisting of an elevator assembly, a servo assembly, a stepper motor, and a torque motor assembly. Can be adjusted.
１つの実施形態において、上記プラットホームが、さらに、カセット位置センサおよび外部ドアセンサを包含し、このカセット位置センサが、上記カセットが上記プラットホーム上で正しく配置されているかどうかをモニターするためにあり、そしてこの外部ドアセンサが、上記外部ドアが開いているかまたは閉じているかを決定するためにある。 In one embodiment, the platform further includes a cassette position sensor and an external door sensor, the cassette position sensor for monitoring whether the cassette is properly positioned on the platform, and An external door sensor is for determining whether the external door is open or closed.
１つの実施形態において、上記プラットホームが、カセットの外形に適合するように、配置されており、この外形が、６インチウエハカセット、８インチウエハカセット、３００ミリメートルウエハカセット、およびＳｔａｎｄａｒｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅウエハポッドからなる群から選択される。 In one embodiment, the platform is arranged to fit the outline of the cassette, which outline consists of a 6 inch wafer cassette, an 8 inch wafer cassette, a 300 millimeter wafer cassette, and a Standard Machine Interface wafer pod. Selected from the group.
１つの実施形態において、上記ステーションはさらに、上記ステーションでの静電気の蓄積を最小にするためのイオン化剤、およびＨＥＰＡフィルターを包含し、このＨＥＰＡフィルターが、上記外部ドアを開いたとき、空中粒子をこのプラットホームから締め出すために、正の空気層流を供給するように、上記ステーションの上部に取り付けられている。 In one embodiment, the station further includes an ionizing agent for minimizing static charge accumulation at the station, and a HEPA filter that, when the HEPA filter opens the outer door, traps airborne particles. To keep out of this platform, it is attached to the top of the station to provide a positive laminar flow.
別の局面において、本発明は、半導体ウエハを保持するためのカセットと共に使用するためのマッピングシステムを提供し、このシステムは、このカセット内のウエハの位置および場所に対応する視覚データを得、そして以下を包含する：
光学走査装置であって、この光学走査装置は、この視覚データを生じるために、このカセットに近接して取り付けられている；
後方点灯システムであって、この後方点灯システムは、このカセットを照明するように、配置されている；および
プロセッサであって、このプロセッサは、この視覚データをこの光学走査装置から受容しかつこの光学データをウエハ位置データへと変換するように、配置されている。
In another aspect, the present invention provides a mapping system for use with a cassette for holding semiconductor wafers, the system obtaining visual data corresponding to the position and location of the wafer in the cassette, and Includes the following:
An optical scanning device, which is mounted in close proximity to the cassette for producing the visual data;
A rear lighting system, the rear lighting system being arranged to illuminate the cassette; and a processor, the processor receiving the visual data from the optical scanning device and the optical Arranged to convert the data into wafer position data.
１つの実施形態において、上記光学走査装置が、ビデオカメラである。 In one embodiment, the optical scanning device is a video camera.
１つの実施形態において、上記ウエハ位置データが、３２ビットを包含し、これらのビットのうちの３０ビットは、上記各ウエハのカセットおよびスロット情報を規定し、これらのビットのうちの１ビットは、ウエハが２個のカセットスロット間でクロススロットしていることを示すための第一エラービットを規定し、そしてこれらのビットの１うちのビットは、１個のカセットスロットが複数のウエハを含んでいることを示すための第二エラービットを規定する。 In one embodiment, the wafer position data includes 32 bits, 30 of these bits define the cassette and slot information for each wafer, and one of these bits is: Define a first error bit to indicate that the wafer is cross-slotted between two cassette slots, and one of these bits includes one cassette slot containing multiple wafers. Specifies the second error bit to indicate that
別の局面において、本発明は、半導体ウエハを洗浄し、リンスしそして乾燥するための研磨機械と一体化した洗浄ステーションを提供し、この洗浄ステーションは、以下を包含する：このウエハを洗浄するための少なくとも１個のスクラブステーションであって、このスクラブステーションは、複数のローラー対を包含する；このウエハをリンスするためのリンスステーション；このウエハを乾燥するための乾燥ステーション；および複数のウエハ運搬装置であって、このウエハ運搬装置は、この少なくとも１個のスクラブステーション、このリンスステーションおよびこの乾燥ステーションと相互連絡している。 In another aspect, the present invention provides a cleaning station integrated with a polishing machine for cleaning, rinsing and drying a semiconductor wafer, the cleaning station including: for cleaning the wafer At least one scrub station including a plurality of roller pairs; a rinse station for rinsing the wafer; a drying station for drying the wafer; and a plurality of wafer transport devices The wafer transporter is in communication with the at least one scrub station, the rinse station and the drying station.
１つの実施形態において、上記洗浄ステーションが、第一スクラブステーションおよび第二スクラブステーションを包含し、この第一スクラブステーションが、入口および出口を有し、そしてこの第二スクラブステーションが、入口および出口を有し、そして上記ウエハ運搬装置が、以下を包含する：
第一水トラックであって、この第一水トラックは、最初に、上記ウエハを受容し、そしてこのウエハを、この第一スクラブステーション入口へと推進する；
第二水トラックであって、この第二水トラックは、この第一スクラブステーション出口からこのウエハを受容し、そしてこのウエハを、この第二スクラブステーション入口へと推進する；および
第三水トラックであって、この第三水トラックは、この第二スクラブステーション出口からこのウエハを受容し、そしてこのウエハを、上記リンスステーションへと推進する。
In one embodiment, the cleaning station includes a first scrub station and a second scrub station, the first scrub station has an inlet and an outlet, and the second scrub station has an inlet and an outlet. And the wafer transport apparatus includes:
A first water track, which first receives the wafer and pushes the wafer to the first scrub station inlet;
A second water truck that receives the wafer from the first scrub station outlet and propels the wafer to the second scrub station inlet; and a third water truck The third water track then receives the wafer from the second scrub station exit and propels the wafer to the rinse station.
１つの実施形態において、上記ウエハ運搬装置が、さらに、ロボットを包含し、このロボットが、上記リンスステーションから上記ウエハを回収するため、およびこのウエハを上記乾燥ステーションへと運搬するためにある。 In one embodiment, the wafer transport apparatus further includes a robot for retrieving the wafer from the rinse station and transporting the wafer to the drying station.
１つの実施形態において、上記第一水トラックが、以下を包含する：
ステージングピンであって、このステージングピンは、上記ウエハを上記第一水トラックで保持するために、高い位置へと垂直移動可能であり、また、このウエハを上記第一スクラブステーションへと通すことができるように、低い位置へと垂直移動可能である；
逆進流体ジェットであって、この逆進流体ジェットは、このステージングピンを高い位置にしたとき、流体を逆方向に排出して、このウエハがこの高くしたステージングピンと接触するのを防止するように作動する。
In one embodiment, the first water truck includes:
A staging pin that is vertically movable to a high position to hold the wafer on the first water track, and can pass the wafer to the first scrub station. Vertically movable to a lower position as possible;
A reverse fluid jet that discharges fluid in the reverse direction when the staging pin is raised to prevent the wafer from contacting the elevated staging pin. Operate.
１つの実施形態において、上記第二水トラックが、以下を包含する：
第一部分であって、この第一部分は、上記第一スクラブステーション出口に接続されている；
ステージング領域であって、このステージング領域は、上記ウエハがこの第一部分へと戻って浮遊することを防止するために、この第一部分に対して、僅かに低い高さで接続されており、このステージング領域は、ステージングピンおよび逆進流体ジェットを包含し、このステージングピンは、このウエハをこのステージング領域で保持するために、高い位置へと垂直移動可能であり、また、このウエハを上記第二スクラブステーションへと通すことができるように、低い位置へと垂直移動可能であり、この逆進流体ジェットは、このステージングピンを高い位置にしたとき、流体を逆方向に排出して、このウエハがこの高くしたステージングピンと接触するのを防止するように作動可能である。
In one embodiment, the second water truck includes:
A first portion, the first portion being connected to the first scrub station outlet;
A staging area, which is connected to the first part at a slightly lower height to prevent the wafer from returning to the first part and floating; The region includes a staging pin and a reverse fluid jet that is vertically movable to a higher position to hold the wafer in the staging region, and also moves the wafer to the second scrubbing. It is vertically movable to a lower position so that it can be passed to the station, and this backward fluid jet ejects fluid in the reverse direction when the staging pin is in the higher position, causing the wafer to It is operable to prevent contact with the raised staging pin.
１つの実施形態において、上記第三水トラックが、第一ステージング領域、移行部および第二ステージング領域を包含し：
この第一ステージング領域は、上記第二スクラブステーション出口と接続されており、そして第一ステージングピン、第二ステージングピン、および２組の逆進流体ジェットを包含し、この第一ステージングピンは、この第一ステージング領域とこの移行部との間に配置されており、そしてこのウエハをこの第一ステージング領域で保持するために、高い位置へと垂直移動可能であり、また、このウエハをこの移行部へと通すことができるように、低い位置へと垂直移動可能であり、この第二ステージングピンは、この第二スクラブステーションとこの第一ステージングピンとの間に配置されており、そしてこのウエハがこの第二スクラブステーションへと戻って浮遊することを防止するために、高い位置へと垂直移動可能であり、また、このウエハをこの第二スクラブステーション出口からこの第一ステージング領域へと通すことができるように、低い位置へと垂直移動可能であり、そしてこの２組の逆進流体ジェットは、このステージングピンを高い位置にしたとき、流体を逆方向に排出して、このウエハがこのステージングピンと接触するのを防止するように作動可能である；
この移行部は、この第一ステージング領域と接続されており、そしてこのウエハをこの第一ステージング領域からこの第二ステージング領域へと促進するために、複数の流体ジェットを包含する；および
この第二ステージング領域は、この移行部と接続されており、そしてステージングピンおよび逆進流体ジェットを包含し、このステージングピンは、このウエハをこの第二ステージング領域で保持するために、高い位置へと垂直移動可能であり、また、このウエハを上記リンスステーションへと通すことができるように、低い位置へと垂直移動可能であり、また、この逆進流体ジェットは、このステージングピンを高い位置にしたとき、流体を逆方向に排出して、このウエハがこのステージングピンと接触するのを防止する。
In one embodiment, the third water track includes a first staging area, a transition and a second staging area:
The first staging area is connected to the second scrub station outlet and includes a first staging pin, a second staging pin, and two sets of reverse fluid jets, the first staging pin being Is located between the first staging area and the transition and is vertically movable to hold the wafer in the first staging area; The second staging pin is positioned between the second scrub station and the first staging pin, and the wafer is moved to the lower position so that it can be passed through to the lower position. It can be moved vertically to a higher position to prevent floating back to the second scrub station. It is vertically movable to a lower position so that the wafer can be passed from the second scrub station exit to the first staging area, and the two sets of reverse fluid jets move the staging pin to a higher position. When operated, the fluid is evacuated in the reverse direction and is operable to prevent the wafer from contacting the staging pins;
The transition is connected to the first staging area and includes a plurality of fluid jets to promote the wafer from the first staging area to the second staging area; and the second staging area; A staging area is connected to the transition and includes a staging pin and a reverse fluid jet, the staging pin moving vertically to hold the wafer in the second staging area And is vertically movable to a low position so that the wafer can be passed through the rinse station, and the reverse fluid jet is when the staging pin is in the high position, The fluid is drained in the opposite direction to prevent the wafer from contacting the staging pins.
別の局面において、本発明は、半導体ウエハを洗浄するためのスクラバーボックスを提供し、このスクラバーボックスは、以下を包含する：
複数のローラー対であって、このローラー対は、このボックスの内側に取り付けられている；
入力開口部および出力開口部であって、この入力開口部は、このウエハを受容するためにあり、そしてこの出力開口部は、このウエハを排出するためにある；
頂部パネルであって、この頂部パネルは、少なくとも１個の流体入口ポートおよびマニホルドを有し、この流体入口ポートおよびこのマニホルドは、特定のローラーに流体を送達するように、配置されている；および
底部パネルであって、この底部パネルは、流体出口を有し、この流体は、この流体出口を通って、このボックスから流出し得る。
In another aspect, the present invention provides a scrubber box for cleaning a semiconductor wafer, the scrubber box including:
A plurality of roller pairs, the roller pairs being mounted inside the box;
An input opening and an output opening, the input opening for receiving the wafer and the output opening for discharging the wafer;
A top panel, the top panel having at least one fluid inlet port and a manifold, the fluid inlet port and the manifold being arranged to deliver fluid to a particular roller; and A bottom panel having a fluid outlet through which the fluid can flow out of the box.
１つの実施形態において、上記ローラー対が、交互駆動ローラー対およびスクラビングローラー対を包含し、この駆動ローラー対が、第一駆動速度Ｓ１で駆動される頂部および底部ローラーを包含し、そしてこのスクラビングローラー対が、第二駆動速度Ｓ２で駆動される底部ローラーおよび第三駆動速度Ｓ３で駆動される頂部ローラーを包含する。 In one embodiment, the roller pair includes an alternating drive roller pair and a scrubbing roller pair, the drive roller pair includes a top and bottom roller driven at a first drive speed S1, and the scrubbing roller The pair includes a bottom roller driven at a second drive speed S2 and a top roller driven at a third drive speed S3.
１つの実施形態において、上記頂部パネルが、第一流体入口ポート、第二流体入口ポートおよび第三流体入口ポートを包含し、この第一流体入口ポートが、第一群のローラー対と近接して第一流体を分配するように、第一マニホルドと連絡しており、この第二流体入口ポートが、第二群のローラー対と近接して第二流体を分配するように、第二マニホルドと連絡しており、そしてこの第三流体入口ポートが、第三群のローラー対と近接して第三流体を分配するためにある。 In one embodiment, the top panel includes a first fluid inlet port, a second fluid inlet port and a third fluid inlet port, wherein the first fluid inlet port is proximate to the first group of roller pairs. In communication with the first manifold to distribute the first fluid, and in communication with the second manifold such that the second fluid inlet port distributes the second fluid in proximity to the second group of roller pairs. And this third fluid inlet port is for dispensing the third fluid in close proximity to the third group of roller pairs.
１つの実施形態において、上記マニホルドのそれぞれが、複数の伸長分配チャンネルを包含し、この伸長分配チャンネルが、他のマニホルドと関連した他のチャンネルと異なり、そして上記頂部パネルが、一体型で実質的に継ぎ目のない部品であり、この部品が、上記流体がこのチャンネルから漏れることなしに、このチャンネルの加圧を可能にする。 In one embodiment, each of the manifolds includes a plurality of extension distribution channels, the extension distribution channels differ from other channels associated with other manifolds, and the top panel is integral and substantially A seamless part that allows pressurization of the channel without leakage of the fluid from the channel.
別の局面において、本発明は、半導体ウエハをリンスするためのリンスステーションを提供し、このリンスステーションは、以下を包含する：
このウエハを保持するためのリンスリングであって、このリングは、ガイドおよび中心ピンを包含し、このガイドおよび中心ピンは、水トラックからこのリンスステーションに入るウエハを正しく配置するために、このリングの周囲の回りに配置されており、このリングは、このウエハを覆うリンス流体の層流を促進するために、およそ１０〜５０度の角度で、下方へ傾けられている；
第一流体ノズルであって、この第一流体ノズルは、このリンス流体を、このウエハの上面上へと排出する；
第二流体ノズルであって、この第二流体ノズルは、このリンス流体を、このウエハの下面上へと排出する。
In another aspect, the present invention provides a rinse station for rinsing a semiconductor wafer, the rinse station comprising:
A rinsing ring for holding the wafer, the ring including a guide and a center pin, the guide and the center pin for correctly positioning the wafer entering the rinse station from a water track The ring is tilted downward at an angle of approximately 10-50 degrees to promote laminar flow of the rinsing fluid over the wafer;
A first fluid nozzle, which discharges the rinse fluid onto the top surface of the wafer;
A second fluid nozzle, which discharges the rinse fluid onto the lower surface of the wafer.
別の局面において、本発明は、一体化機械を用いて半導体ウエハを処理する方法を提供し、この一体化機械は、装填／取出ステーション、回転可能整列テーブル、研磨ステーション、洗浄ステーション、リンスステーションおよび乾燥ステーションを有し、この方法は、以下の工程を包含する；
（ａ） これらの複数のウエハを含むウエハホルダを、この装填／取出ステーションに装填すること；
（ｂ） このウエハホルダを、外部環境から隔離すること；
（ｃ） このウエハホルダ内でのこのウエハの位置および場所に対応する視覚データを得ること；
（ｄ） 第一ウエハを、このホルダー内の第一位置から、この回転可能整列テーブルの装填カップへと運搬すること；
（ｅ） この第一ウエハを、この装填カップから、研磨ステーションへと運搬すること；
（ｆ） この第一ウエハを研磨すること；
（ｇ） この第一ウエハを、この研磨ステーションから、この整列テーブルの取出カップへと運搬すること；
（ｈ） この第一ウエハを、この取出カップから、この機械の洗浄ステーションの第一水トラックへと運搬すること；
（ｉ） この第一ウエハを、この第一水トラックに沿って、第一スクラバーボックスへと推進すること；
（ｊ） 第一ウエハを、この第一スクラバーボックス内で洗浄し、そしてこの第一ウエハを、この第一ボックスを通って、第二水トラックへと移動させること；
（ｋ） この第一ウエハを、この第二水トラックに沿って、第二スクラバーボックスへと推進すること；
（ｌ） 第一ウエハを、この第二スクラバーボックス内で洗浄し、そしてこの第一ウエハを、この第二ボックスを通って、第三水トラックへと移動させること；
（ｍ） この第一ウエハを、この第三水トラックに沿って、リンスステーションへと推進すること；
（ｎ） この第一ウエハをリンスすること；
（ｏ） この第一ウエハを、このリンスステーションから、乾燥ステーションへと運搬すること；
（ｐ） この第一ウエハを乾燥すること；および
（ｑ） この第一ウエハを、この乾燥ステーションから、このウエハホルダのこの第一位置へと戻すこと。
In another aspect, the present invention provides a method of processing a semiconductor wafer using an integrated machine, the integrated machine comprising a load / unload station, a rotatable alignment table, a polishing station, a cleaning station, a rinse station and Having a drying station, the method comprises the following steps;
(A) loading a wafer holder containing the plurality of wafers into the loading / unloading station;
(B) isolating the wafer holder from the external environment;
(C) obtaining visual data corresponding to the position and location of the wafer in the wafer holder;
(D) transporting the first wafer from the first position in the holder to the loading cup of the rotatable alignment table;
(E) transporting the first wafer from the loading cup to a polishing station;
(F) polishing the first wafer;
(G) transporting the first wafer from the polishing station to the take-off cup of the alignment table;
(H) transporting the first wafer from the take-off cup to the first water truck of the cleaning station of the machine;
(I) propelling the first wafer along the first water track to the first scrubber box;
(J) cleaning the first wafer in the first scrubber box and moving the first wafer through the first box to a second water track;
(K) propelling the first wafer along the second water track to the second scrubber box;
(L) cleaning the first wafer in the second scrubber box and moving the first wafer through the second box to a third water track;
(M) propelling the first wafer along the third water track to the rinse station;
(N) rinsing the first wafer;
(O) transport the first wafer from the rinse station to the drying station;
(P) drying the first wafer; and (q) returning the first wafer from the drying station to the first position of the wafer holder.
１つの実施形態において、上記装填工程（ａ）が、上記装填／取出ステーションの外部ドアを開いて、オペレータにこのステーションのアクセスを提供すること、上記ホルダーを傾斜可能プラットホーム上に置くこと、およびこの外部ドアを閉じることを包含する。 In one embodiment, the loading step (a) opens the external door of the loading / unloading station to provide operator access to the station, placing the holder on a tiltable platform, and Includes closing external doors.
１つの実施形態において、上記隔離工程（ｂ）が、上記外部ドアが開いているかどうかをモニターすること、およびこの外部ドアが開いている場合、上記ステーションの内部ドアをロックすることを包含する。 In one embodiment, the isolation step (b) includes monitoring whether the external door is open and locking the internal door of the station if the external door is open.
１つの実施形態において、上記隔離工程（ｂ）が、さらに、上記装填／取出ステーションをイオン化して、静電気の蓄積を最小にすること、およびこの装填／取出ステーションを通る正の空気層流を供給して、このステーションから空気中浮遊粒子を排除することを包含する。 In one embodiment, the isolation step (b) further ionizes the loading / unloading station to minimize static charge accumulation and provide positive air laminar flow through the loading / unloading station. And removing airborne particles from this station.
１つの実施形態において、上記方法は、工程（ｂ）の後で工程（ｄ）の前に行われる以下の追加工程を包含する：上記ホルダーが正しく配置されているかどうかをモニターすること、およびこのホルダーが正しく配置されていない場合、エラー信号を発生させること。 In one embodiment, the method includes the following additional steps performed after step (b) and before step (d): monitoring whether the holder is correctly positioned, and Generate an error signal if the holder is not correctly positioned.
１つの実施形態において、上記視覚データを得る工程（ｃ）が、上記ホルダーを後方点灯して、この視覚データをさらに効果的に得ること、この視覚データをウエハ位置データへと変換するプロセッサへと、この視覚データを伝達すること、このウエハ位置データを分析して、このウエハのいずれがクロススロットまたはダブルスロットされているかを決定すること、およびこのウエハのいずれかがクロススロットまたはダブルスロットされている場合、エラー信号を発生させることを包含する。 In one embodiment, the step (c) of obtaining the visual data comprises turning on the holder rearward to obtain the visual data more effectively, and to a processor that converts the visual data into wafer position data. Transmitting the visual data, analyzing the wafer position data to determine which of the wafers are cross-slot or double-slotted, and any of the wafers being cross-slot or double-slotted The generation of an error signal.
１つの実施形態において、上記運搬工程（ｄ）が、ロボットのドライエンドエフェクターを用いて行われ、そして上記内部ドアを開けること、上記第一ウエハを上記第一位置から回収すること、このドライエンドエフェクターを介して真空圧を供給して、このウエハをこのドライエンドエフェクター上に保持すること、およびこの第一ウエハを、このドライエンドエフェクターを用いて上記装填カップへと運搬することを包含する。 In one embodiment, the transporting step (d) is performed using a dry end effector of a robot, and the internal door is opened, the first wafer is recovered from the first position, the dry end. Supplying vacuum pressure through the effector to hold the wafer on the dry end effector and transporting the first wafer to the loading cup using the dry end effector.
１つの実施形態において、上記運搬工程（ｅ）が、上記装填カップ上で、ウエハキャリヤー運搬アセンブリの個々のウエハキャリヤー要素を整列させること、このキャリヤー要素を低くして上記第一ウエハをこの装填カップから回収すること、このキャリヤー要素を高くしてこの輸送アセンブリを移動させ、このキャリヤー要素を、上記研磨ステーションの研磨面上に配置することを包含する。 In one embodiment, the transporting step (e) includes aligning individual wafer carrier elements of a wafer carrier transport assembly on the loading cup, lowering the carrier element and placing the first wafer in the loading cup. Recovering, lifting the carrier element to move the transport assembly and placing the carrier element on the polishing surface of the polishing station.
１つの実施形態において、上記研磨工程（ｆ）が、上記キャリヤー要素を低くして、上記第一ウエハを上記研磨面に押し付けること、およびこのキャリヤー要素をその垂直軸の周りに回転させることにより、この研磨面およびこの第一ウエハを相対移動させること、およびこの第一ウエハがこの研磨面を横切って移動されるように、このキャリヤー要素を振動すること、およびこの研磨面をその垂直軸の周りに回転させることを包含する。 In one embodiment, the polishing step (f) comprises lowering the carrier element, pressing the first wafer against the polishing surface, and rotating the carrier element about its vertical axis, Moving the polishing surface and the first wafer relative to each other, and vibrating the carrier element such that the first wafer is moved across the polishing surface, and moving the polishing surface about its vertical axis. Including rotating.
１つの実施形態において、上記輸送工程（ｇ）が、上記キャリヤー要素を上記研磨面から持ち上げること、および上記輸送アセンブリを移動させて、このキャリヤー要素を、上記整列テーブルの取出カップ上で整列させること、およびこのキャリヤー要素を低くして、上記第一ウエハを上記取出カップに入れることを包含する。 In one embodiment, the transport step (g) lifts the carrier element from the polishing surface and moves the transport assembly to align the carrier element on the take-off cup of the alignment table. And lowering the carrier element to place the first wafer into the unload cup.
１つの実施形態において、上記方法は、さらに、工程（ｈ）〜（ｑ）の各々の前に行われる以下の追加工程を包含する：第一ウエハを次の位置に移動する前に、この第一ウエハが移動されるこの次の位置に他のウエハが存在しないことを確認すること。 In one embodiment, the method further includes the following additional steps performed before each of steps (h)-(q): before moving the first wafer to the next position, Make sure that no other wafer exists at this next position where one wafer is moved.
１つの実施形態において、上記第一ウエハを、上記第一、第二および第三水トラックに沿って推進する上記工程（ｉ）、（ｋ）および（ｍ）が、さらに、この第一ウエハを、前方流体ジェットを用いて、このトラックに沿って推進すること；およびステージングピンを上げて、この第一ウエハが移動する次の位置に、他のウエハが存在しないことを確認するまで、この第一ウエハの通過を阻止することを包含する。 In one embodiment, the steps (i), (k) and (m) for propelling the first wafer along the first, second and third water tracks further comprise the first wafer. Propelling along the track using a forward fluid jet; and raising the staging pin until the next position where the first wafer moves is confirmed to be free of other wafers. Including blocking the passage of one wafer.
１つの実施形態において、上記工程（ｉ）、（ｋ）および（ｍ）が、さらに、この第一ウエハが移動する次の位置に他のウエハが存在しないことを確認するまで、逆進流体ジェットを用いて、上記上げたステージングピンから離れて、上記第一ウエハを推進することを包含する。 In one embodiment, the reverse fluid jet until steps (i), (k) and (m) further confirm that there are no other wafers in the next position to which the first wafer moves. And propelling the first wafer away from the raised staging pins.
１つの実施形態において、上記洗浄工程（ｊ）および（ｌ）が、速度Ｓ１で駆動ローラー対を駆動すること、速度Ｓ２でスクラビングローラー対の底部ローラーを駆動すること、および速度Ｓ３でこのスクラビングローラー対の頂部ローラーを駆動することを包含する。 In one embodiment, the cleaning steps (j) and (l) drive the drive roller pair at speed S1, drive the bottom roller of the scrubbing roller pair at speed S2, and the scrub roller at speed S3. Includes driving the pair of top rollers.
１つの実施形態において、上記洗浄工程（ｊ）および（ｌ）が、さらに、上記駆動ローラー対および上記スクラビングローラー対に、流体を直接適用することを包含する。 In one embodiment, the cleaning steps (j) and (l) further include applying fluid directly to the drive roller pair and the scrubbing roller pair.
１つの実施形態において、上記リンス工程（ｎ）が、上記第一ウエハを、リンスリング中にて、およそ３０度の角度で傾けること、この第一ウエハの頂面および底面に、リンス流体を適用すること、およびこのリンスリングを水平に戻すことを包含する。 In one embodiment, the rinsing step (n) includes tilting the first wafer at an angle of approximately 30 degrees during the rinsing ring, and applying a rinsing fluid to the top and bottom surfaces of the first wafer. And returning the rinse ring to a horizontal position.
１つの実施形態において、上記リンス流体が、およそ４〜５リットル／分の速度で、上記頂面に適用され、そしておよそ１．５リットル／分の速度で、上記底面に適用される。 In one embodiment, the rinse fluid is applied to the top surface at a rate of approximately 4-5 liters / minute and is applied to the bottom surface at a rate of approximately 1.5 liters / minute.
１つの実施形態において、上記運搬工程（ｏ）および（ｑ）が、上記ロボットのウェットエンドエフェクターを用いて、行われる。 In one embodiment, the transport steps (o) and (q) are performed using the robot's wet end effector.
１つの実施形態において、上記乾燥工程（ｐ）が、上記第一ウエハを、回転プラットホーム上で固定すること、およびこのプラットホームを、およそ２０秒間にわたって、およそ４０００回転／分の速度で回転させることを包含する。 In one embodiment, the drying step (p) comprises fixing the first wafer on a rotating platform and rotating the platform at a speed of approximately 4000 revolutions per minute for approximately 20 seconds. Include.
別の局面において、本発明は、以下を有する一体化機械を提供する：ワークピースホルダーへおよびそこからワークピースを装填および取り出すための第一ステーション、このワークピースを研磨するための第二ステーション、このワークピースを洗浄、リンスおよび乾燥するための第三ステーション、およびこの第一、第二および第三ステーション間でこのワークピースを運搬するための運搬手段。 In another aspect, the present invention provides an integrated machine having: a first station for loading and unloading a workpiece into and out of a workpiece holder, a second station for polishing the workpiece, A third station for cleaning, rinsing and drying the workpiece, and a transport means for transporting the workpiece between the first, second and third stations.
１つの実施形態において、上記運搬手段が、ロボットであり、このロボットが、上記ワークピースを取り扱うための複数のウエハ握り装置、および複数の運動軸を有する。 In one embodiment, the transporting means is a robot, and the robot has a plurality of wafer gripping devices for handling the workpiece and a plurality of motion axes.
１つの実施形態において、上記ロボットが、６個の軸を有する。 In one embodiment, the robot has six axes.
１つの実施形態において、上記ウエハ握り装置が、ドライエンドエフェクターおよびウェットエンドエフェクターを有し、このドライエンドエフェクターが、乾燥ワークピースを取り扱うためにあり、そしてこのウェットエンドエフェクターが、湿潤ワークピースを取り扱うためにある。 In one embodiment, the wafer gripper has a dry end effector and a wet end effector, the dry end effector is for handling dry workpieces, and the wet end effector is for handling wet workpieces. For there.
１つの実施形態において、上記エンドエフェクターが、複数の真空穴を包含し、この真空穴が、上記ロボットを上記複数の軸の周りに移動しつつ、上記ワークピースを上記エンドエフェクター上で固定するために、このワークピースに真空圧を加えるためにある。 In one embodiment, the end effector includes a plurality of vacuum holes that secure the workpiece on the end effector while moving the robot about the plurality of axes. In order to apply a vacuum pressure to the workpiece.
１つの実施形態において、上記エンドエフェクターが、静電放電に耐えるために、静電気消散材料で被覆されている。 In one embodiment, the end effector is coated with a static dissipating material to withstand electrostatic discharge.
１つの実施形態において、上記エンドエフェクターが、静電放電に耐えるために、静電気消散材料から製造されている。 In one embodiment, the end effector is made from a static dissipative material to withstand electrostatic discharge.
１つの実施形態において、上記第三ステーションが、上記ウエハを、洗浄操作とリンス操作との間で移動させるためのＵ形ウエハ経路を包含する。 In one embodiment, the third station includes a U-shaped wafer path for moving the wafer between a cleaning operation and a rinsing operation.
別の局面において、本発明は、ワークピースを第一ステーションから第二ステーションへと移動させる方法を提供し、この方法は、以下の工程を包含する：
このワークピースを、ロボットを用いて、この第一ステーションから回収すること；
このワークピースを、このロボットを用いて、ひっくり返すこと；および
このワークピースを、このロボットを用いて、この第二ステーション上に置くこと。
In another aspect, the present invention provides a method for moving a workpiece from a first station to a second station, the method comprising the following steps:
Retrieve the workpiece from the first station using a robot;
Turn the workpiece over with the robot; and place the workpiece over the second station with the robot.
１つの実施形態において、上記方法は、さらに、以下の工程を包含する：
上記ワークピースを、上記ロボットを用いて、第三ステーションから回収すること；および
このワークピースを、このロボットを用いて、上記第一ステーション上に置くこと。
In one embodiment, the method further comprises the following steps:
Retrieving the workpiece from the third station using the robot; and placing the workpiece on the first station using the robot.
１つの実施形態において、上記ロボットが、上記ワークピースを回収し保持するための少なくとも１個のワークピース握り手段を包含する。 In one embodiment, the robot includes at least one workpiece gripping means for retrieving and holding the workpiece.
１つの実施形態において、上記少なくとも１個のワークピース握り手段が、乾燥ワークピースを握るためのドライエンドエフェクターおよび湿潤ワークピースを握るためのウェットエンドエフェクターを包含する。 In one embodiment, the at least one workpiece gripping means includes a dry end effector for gripping a dry workpiece and a wet end effector for gripping a wet workpiece.
１つの実施形態において、上記ワークピースが、上記第一ステーションにて、傾斜カセットから回収され、そして上記第二ステーションにて、上記ドライエンドエフェクターを用いて、整列テーブルへと運搬される。 In one embodiment, the workpiece is retrieved from the tilt cassette at the first station and transported to the alignment table at the second station using the dry end effector.
１つの実施形態において、上記第三ステーションが、リンスステーションおよび乾燥ステーションを包含し、また、上記ワークピースを、上記ウェットエンドエフェクターを用いて、このリンスステーションからこの乾燥ステーションへと運搬する追加工程を包含する。 In one embodiment, the third station includes a rinse station and a drying station, and an additional step of transporting the workpiece from the rinse station to the drying station using the wet end effector. Include.
１つの実施形態において、上記ワークピースが、上記ドライエンドエフェクターを用いて、上記乾燥ステーションから回収され、そして上記カセットへと運搬される。 In one embodiment, the workpiece is retrieved from the drying station using the dry end effector and transported to the cassette.
１つの実施形態において、上記ロボットが、上記傾斜カセット、上記整列テーブル、上記リンスステーションおよび上記乾燥ステーションの間で、上記エンドエフェクターの移動を可能にするように、６個の軸を有する。 In one embodiment, the robot has six axes to allow movement of the end effector between the tilt cassette, the alignment table, the rinse station and the drying station.
別の局面において、本発明は、以下を包含する、ウエハ取り扱いシステムを提供する：六軸ロボットであって、この六軸ロボットは、操作末端を有する；乾燥ウエハ握り装置であって、この乾燥ウエハ握り装置は、このロボット操作末端に装着されている；および湿潤ウエハ握り装置であって、この湿潤ウエハ握り装置は、このロボット操作末端に装着されている。 In another aspect, the present invention provides a wafer handling system comprising: a six-axis robot having an operating end; a dry wafer gripping device, the dry wafer A gripping device is attached to the robot operating end; and a wet wafer gripping device, the wet wafer gripping device being attached to the robot operating end.
１つの実施形態において、上記乾燥ウエハ握り装置が、ドライエンドエフェクターであり、そして上記湿潤ウエハ握り装置が、ウェットエンドエフェクターである。 In one embodiment, the dry wafer gripper is a dry end effector and the wet wafer gripper is a wet end effector.
１つの実施形態において、上記ドライエンドエフェクターおよび上記ウェットエンドエフェクターが、互いに実質的に直交して、配向されている。 In one embodiment, the dry end effector and the wet end effector are oriented substantially perpendicular to each other.
別の局面において、本発明は、ワークピースを処理する方法を提供し、この方法は、以下の工程を包含する：
ワークピースホルダーを提供することであって、このワークピースホルダーは、このワークピースを保持するための複数のレセプタクルを有する；
ワークピース運搬手段を用いて、第一レセプタクルから、第一ワークピースを回収することであって、このワークピース運搬手段は、ロボットのエンドエフェクターを包含する；
この第一ワークピースを研磨し、洗浄し、リンスし、そして乾燥すること；および
この第一ワークピースを、このワークピース運搬手段を用いて、この第一レセプタクルに戻すこと。
In another aspect, the present invention provides a method of processing a workpiece, which method includes the following steps:
Providing a workpiece holder, the workpiece holder having a plurality of receptacles for holding the workpiece;
Using the workpiece transport means to retrieve the first workpiece from the first receptacle, the workpiece transport means including a robot end effector;
Polishing, cleaning, rinsing and drying the first workpiece; and returning the first workpiece to the first receptacle using the workpiece transport means.
１つの実施形態において、上記ワークピースホルダーが、傾斜カセットであり、そして上記レセプタクルが、このカセット内に形成されたスロットである。 In one embodiment, the workpiece holder is a tilted cassette and the receptacle is a slot formed in the cassette.
１つの実施形態において、上記ワークピース移動手段が、六軸ロボットのドライエンドエフェクターを包含する。 In one embodiment, the workpiece moving means includes a dry end effector of a six-axis robot.
１つの実施形態において、上記ワークピースを、上記六軸ロボットのウェットエンドエフェクターを用いて、上記リンス工程と上記乾燥工程との間で運搬する追加工程を包含する。 In one embodiment, the method includes an additional step of transporting the workpiece between the rinsing step and the drying step using the wet end effector of the six-axis robot.
本発明の他の局面は、ウエハを乾燥カセットから取り出し、そしてこれらのウエハを、この機械のＣＭＰステーション内の整列テーブルへと運搬するために、六軸ロボットを使用することにある。このロボットはまた、湿潤ウエハを、この機械の洗浄ステーションにあるリンスステーションから、回転乾燥機ステーション（これもまた、この洗浄ステーションに位置している）へと運搬するように、配置されている。このロボットはまた、これらの乾燥ウエハをこの回転乾燥機ステーションから取り出し、それらを、この機械の装填ステーションに位置しているカセットへと戻す。このロボットは、湿潤および乾燥ウエハが輸送中に隔離されていることを保証するために、ウェットエンドエフェクターおよびドライエンドエフェクターを有する。このドライエンドエフェクターは、乾燥カセットを取出および装填するのに使用され、そしてこのウェットエンドエフェクターは、湿潤ウエハを、このリンスステーションからこの回転乾燥機ステーションへと移動させるのに、使用される。 Another aspect of the invention consists in using a six-axis robot to remove wafers from the drying cassette and transport these wafers to an alignment table in the machine's CMP station. The robot is also arranged to transport wet wafers from a rinse station at the machine's cleaning station to a rotary dryer station (which is also located at the cleaning station). The robot also removes these dry wafers from the rotary dryer station and returns them to the cassette located at the loading station of the machine. The robot has a wet end effector and a dry end effector to ensure that wet and dry wafers are isolated during transport. The dry end effector is used to remove and load the drying cassette, and the wet end effector is used to move the wet wafer from the rinse station to the rotary dryer station.
本発明の別の特徴は、ウエハマッピングシステムであり、これは、ウエハカセット内のどのスロットがウエハで占有されているかを決定する。このマッピングシステムはまた、ウエハがこれらのスロット内に正しく整列されているかどうか、また、特定のスロット内に１枚より多いウエハがあるかどうかを判定する。このマッピングシステムは、好ましくは、光学走査装置（例えば、ビデオカメラ）（これは、このロボットの頂部に装着された取付ブラケットに取り付けられている）およびシステムプロセッサ（これは、この走査装置からの信号を解釈し処理するように、配置されている）を包含する。この研磨および洗浄機にカセットを配置するとき、このロボットエンドエフェクターは、この取付ブラケットから、この走査装置（カメラ）を回収し、そしてこのカセットの前で上下に横断して、この光学走査装置が、このカセットの内容物を見ることができるようにする。さらに、このカセットの背後のバックライト源は、この光学走査視覚システムの有効性を高めるために、使用され得る。 Another feature of the present invention is a wafer mapping system that determines which slots in a wafer cassette are occupied by wafers. The mapping system also determines whether the wafer is correctly aligned in these slots and if there are more than one wafer in a particular slot. The mapping system preferably includes an optical scanning device (eg, a video camera) (which is attached to a mounting bracket attached to the top of the robot) and a system processor (which receives signals from the scanning device). Is arranged to interpret and process When placing the cassette in the polishing and cleaning machine, the robot end effector retrieves the scanning device (camera) from the mounting bracket and traverses up and down in front of the cassette so that the optical scanning device is To be able to see the contents of this cassette. Furthermore, a backlight source behind the cassette can be used to increase the effectiveness of the optical scanning vision system.
このＣＭＰステーションは、好ましくは、一度に５枚のウエハを受容し研磨するように、配置されている。これらのウエハを、このロボットによって、整列テーブル上へと装填した後、マルチヘッド運搬装置は、５枚のウエハのキャリヤーヘッドを、この整列テーブルの近傍へと低下させ、そしてこれらのウエハを取り上げる。この運搬装置は、次いで、研磨面の上部に配置されるまで、側方に移動する。この運搬装置は、次いで、これらのウエハがその研磨面に押し付けられるように、下げられる。この研磨工程を向上させるために、好ましくは、研磨スラリーが供給され、そして個々のキャリヤーは、この研磨面上で回転され、そこをわたって放射状に振動される。研磨後、これらのウエハは、この整列テーブル中の取出カップへと戻される。フリッパー装置は、次いで、このウエハを、この取出カップから、この機械の洗浄ステーションへと移動させる。 The CMP station is preferably arranged to receive and polish five wafers at a time. After loading these wafers onto the alignment table by the robot, the multihead transporter lowers the carrier head of the five wafers to the vicinity of the alignment table and picks up these wafers. This transport device then moves to the side until it is placed on top of the polishing surface. The transporter is then lowered so that the wafers are pressed against the polishing surface. In order to improve the polishing process, preferably an abrasive slurry is supplied and the individual carriers are rotated on the polishing surface and oscillated radially therethrough. After polishing, the wafers are returned to the take-out cup in the alignment table. The flipper apparatus then moves the wafer from the unload cup to the machine's cleaning station.
この機械の洗浄ステーションは、好ましくは、水トラック、洗浄ステーション、リンスステーション、回転乾燥機ステーションおよび複数のウエハステージング領域を包含する。さらに具体的には、ウエハを、まず、この機械のＣＭＰステーションから、この洗浄ステーションへと装填したとき、このウエハは、この機械が、このウエハを解除するために空になっていると判定するまで、第一ステージング領域で保持される。空になると、水ジェットは、このウエハを第一洗浄ステーション（これは、このウエハの両面を洗浄し清浄にするように、配置されている）へと推進する。この第一洗浄ステーションから、このウエハは、水トラックを下降して、第二ステージング領域へと運搬される。再度、ウエハが次のステーションに移動してその前の位置で空になったことをこの機械が判定するまで、このウエハは、この位置で保持される。この第二ステージング領域から、水ジェットは、このウエハの第二洗浄のために、このウエハを、第二洗浄ステーションへと推進する。このウエハは、次いで、この第二洗浄ステーションから、第三ステージング領域へと出ていく。この第三ステージング領域から、このウエハは、水トラックを下降して、このリンスステーションへと運搬される。リンス後、このロボットは、このウエハを、この回転乾燥機ステーションへと移動させ、次いで、カセットへと移動させる。 The cleaning station of the machine preferably includes a water track, a cleaning station, a rinse station, a rotary dryer station, and a plurality of wafer staging areas. More specifically, when a wafer is first loaded from the CMP station of the machine into the cleaning station, the wafer determines that the machine is empty to release the wafer. Until the first staging area. When empty, the water jet propels the wafer to the first cleaning station, which is arranged to clean and clean both sides of the wafer. From this first cleaning station, the wafer is transported down the water track to the second staging area. Again, the wafer is held in this position until the machine determines that the wafer has moved to the next station and has been emptied in the previous position. From this second staging area, a water jet propels the wafer to a second cleaning station for a second cleaning of the wafer. The wafer then exits from the second cleaning station to the third staging area. From this third staging area, the wafer is transported down the water track to the rinse station. After rinsing, the robot moves the wafer to the rotary dryer station and then to the cassette.
このウエハ洗浄ステーションは、好ましくは、複数のローラー対を包含し、これらは、これらのウエハを、この洗浄ステーションを通って引き、また、これらのウエハの頂部および底部平坦面を洗浄する。そのローラーボックス内の種々のローラーは、異なる回転速度で作動し得、そして異なる方向で回転し得る。このようにして、あるローラーは、この洗浄ステーションを通ってウエハを移動させる駆動ローラーとして機能し得るのに対して、他のローラーは、これらのウエハがこの洗浄ステーションを通って駆動されるにつれて、ウエハ表面を洗浄するように機能し得る。 The wafer cleaning station preferably includes a plurality of roller pairs that pull the wafers through the cleaning station and clean the top and bottom flat surfaces of the wafers. The various rollers in the roller box can operate at different rotational speeds and rotate in different directions. In this way, some rollers can function as drive rollers that move wafers through the cleaning station, while other rollers move as the wafers are driven through the cleaning station. Can function to clean the wafer surface.
特に好ましい実施形態では、これらのローラーは、閉鎖ボックス内に含まれるが、これは、そのローラー面が長期使用によって摩耗するにつれて、これらのローラーの好都合な変更を促進するために、容易に、この機械から取り除かれ得る。複数の異なる化学物質（例えば、水、洗浄溶液、界面活性剤、摩擦低減剤、および種々の溶液のｐＨを制御する試薬）をこのローラーボックスの個別領域へと分配できるように、このローラーボックスの上部内面には、好ましくは、複数のチャンネルが形成される。このようにして、第一組のローラーを通るウエハは、第一化学溶液に晒され得、後に、このローラーボックスの後のステージにて、第二化学溶液に晒され得る。好ましくは、複数のローラーボックスが使用されるので、異なる洗浄ステーションでは、異なる化学物質が使用され得る。この第一ローラーボックスは、例えば、強力な洗浄を促進するために、これらのウエハ上に、洗浄溶液および脱イオン水の混合物を分配し得るのに対して、この第二ローラーボックスは、リンスを行うために、単に、これらのウエハ上に、脱イオン水を分配し得る。 In a particularly preferred embodiment, these rollers are contained within a closed box, which can be easily adjusted to facilitate convenient modification of these rollers as the roller surface wears out with prolonged use. Can be removed from the machine. In order to be able to dispense several different chemicals (eg water, cleaning solutions, surfactants, friction reducers and reagents for controlling the pH of the various solutions) into the individual areas of the roller box A plurality of channels are preferably formed on the upper inner surface. In this way, the wafer passing through the first set of rollers can be exposed to the first chemical solution and later exposed to the second chemical solution at a later stage in the roller box. Preferably, multiple roller boxes are used so that different chemicals can be used at different cleaning stations. This first roller box can dispense a mixture of cleaning solution and deionized water onto these wafers, for example, to facilitate powerful cleaning, whereas this second roller box provides a rinse. To do so, deionized water can simply be dispensed onto these wafers.
ウエハは、この第二洗浄ステーションから、水トラックを経て、このリンスステーションへと運搬される。この水トラックは、支持ポートにより支持されており、この支持ポートは、トラック整列用の垂直調整システムを包含し得る。ウエハは、このリンスステーション（これは、そのリンス手順中にて、下方に傾くように配置されている）内で、連続様式でリンスされる。この下方傾斜は、いずれかの破片または化学物質の効果的な排出および除去を促進する。多数の水ジェットは、各ウエハを、このリンスステーションへと駆り立て、リンス中にて、このウエハの位置を維持し、そしてこのウエハの上面および下面のリンスを実行する。この水ジェットはまた、このウエハとの機械的な接触が最小になるように、このウエハを、このリンスステーション内で支持する。 Wafers are transported from this second cleaning station via a water track to this rinse station. The water track is supported by a support port, which may include a vertical adjustment system for track alignment. The wafer is rinsed in a continuous fashion within the rinse station, which is positioned to tilt downwards during the rinse procedure. This downward slope facilitates the effective discharge and removal of any debris or chemicals. Multiple water jets drive each wafer to the rinse station, maintain the position of the wafer during the rinse, and perform a rinse on the top and bottom surfaces of the wafer. The water jet also supports the wafer in the rinse station so that mechanical contact with the wafer is minimized.
リンス後、このロボットは、ウェットエンドエフェクターを使用して、このリンスステーションからウエハを持ち上げて、回転乾燥機ステーションへと移動させる。この回転乾燥機ステーションには、モーターが備え付けられており、これは、ウエハを保持しているプラットホームを、約４，０００ ｒｐｍの範囲の速度で回転し、それにより、このウエハから、残留脱イオン水を取り除く。この回転乾燥機ステーションは、好ましくは、この機械の他のステーションを水および破片（これは、この回転乾燥工程中にて、流れ得る）から保護するために、この回転装置の回りに、シールドを包含する。このシールドは、好ましくは、このロボットがこの回転乾燥機にアクセスできるように、移動可能ドアを包含する。この回転乾燥機は、好ましくは、多数の握りフィンガー（これらは、回転中に、このプラットホーム上でこのウエハを維持するように、配置されている）を使用する。 After rinsing, the robot uses a wet end effector to lift the wafer from the rinse station and move it to the rotary dryer station. The rotary dryer station is equipped with a motor which rotates the platform holding the wafer at a speed in the range of about 4,000 rpm, thereby removing residual deionized from the wafer. Remove water. The rotary dryer station preferably has a shield around the rotary device to protect other stations of the machine from water and debris (which may flow during the rotary drying process). Include. The shield preferably includes a movable door so that the robot can access the rotary dryer. The rotary dryer preferably uses a number of gripping fingers, which are arranged to maintain the wafer on the platform during rotation.
このロボットは、ドライエンドエフェクターを使用して、この回転乾燥機ステーションから乾燥ウエハを回収し、そしてこの乾燥ウエハを、これらのウエハを取り出したカセットへと戻す。各ウエハは、処理後、その最初のカセット内の最初のスロットへと戻すことができるように、この研磨および洗浄工程にわたって、追跡されモニターされる。 The robot uses a dry end effector to retrieve dry wafers from the rotary dryer station and return the dry wafers to the cassette from which they were removed. Each wafer is tracked and monitored throughout this polishing and cleaning process so that it can be returned to the first slot in its first cassette after processing.
ウエハがこの機械の洗浄ステーションを通るにつれて、それらをモニターするために、また、これらのウエハが、この洗浄ステーションの１領域から次の領域へと正しく移動されているかどうかを判定するために、視覚システムまたは他の位置感知方法が使用され得る。ウエハが、全て、その正しいステージング領域内に安全に配置されていると判定されたとき（すなわち、この水トラックまたは種々の洗浄、リンスおよび乾燥ステーションにて、引っかかった（ｌｏｄｇｅｄ）ウエハがないと判定されたとき）、これらのウエハは、これらの種々のステージング領域から解放される。 Visually monitor the wafers as they pass through the machine's cleaning station, and determine whether these wafers have been correctly moved from one area of the cleaning station to the next. A system or other position sensing method may be used. When it is determined that all wafers are safely placed within their correct staging area (ie, no wafers are stuck in this water track or various cleaning, rinsing and drying stations) The wafers are released from these various staging areas.
このウエハ整列ステーション、研磨ステーションおよび洗浄ステーションへの流体流れは、流体流れ調節システムを使用することによって、制御され得るが、これは、従来技術のシステム（これは、典型的には、流体圧を測定する）とは反対に、この流体の流れをモニターする。流体流れを直接測定することにより、このシステムは、入口流体圧の変動を受けにくくなる。このシステム内の流体流れは、それゆえ、従来技術のシステムで可能な程度よりも、ずっと正確に制御され得る。 The fluid flow to the wafer alignment station, polishing station and cleaning station can be controlled by using a fluid flow conditioning system, which is a prior art system (which typically reduces fluid pressure). This fluid flow is monitored as opposed to measuring. By directly measuring fluid flow, the system is less susceptible to variations in inlet fluid pressure. The fluid flow in this system can therefore be controlled much more accurately than is possible with prior art systems.
本発明はまた、オペレータインターフェース（例えば、フラットパネルタッチスクリーン）を包含し得る。このタッチスクリーンは、好ましくは、操作、保守管理、トラブルシューティングなどを容易にするために、このシステムの視覚的にいずれの関連局面の三次元図式画像も提示する。 The present invention may also include an operator interface (eg, a flat panel touch screen). The touch screen preferably presents a 3D graphical image of any relevant aspect of the system visually to facilitate operation, maintenance, troubleshooting, and the like.
（好ましい実施形態の詳細な説明）
本発明は、以下、添付の図面と共に記述するが、ここで、類似の番号は、一般に、類似の要素を意味する。
Detailed Description of Preferred Embodiments
The present invention will now be described with reference to the accompanying drawings, wherein like numerals generally refer to like elements.
本発明による一体化ウエハＣＭＰ研磨および洗浄機１０は、図１で図示されている。機械１０は、ウエハ装填／取出ステーション１００、ウエハ整列ステーション２００、ウエハＣＭＰステーション３００、およびウエハ洗浄ステーション４００を包含する。上述のステーションの各々は、以下で、さらに詳細に、構造的および機能的に記述する。
An integrated wafer CMP polishing and cleaning
図１を引き続いて参照し、また、図２および３を加えて参照すると、ウエハ装填／取出ステーション１００は、機械１０の実質的に連続した操作を可能にするために、複数のウエハカセットに適合するように配置されている。好ましくは、装填／取出ステーション１００は、３個のウエハカセットプラットホーム１０２を包含し、各々は、少なくとも１個のウエハカセット１０４が、研磨し洗浄すべきウエハで満たされた状態で保持するように、配置されている。このことに関して、本発明は、代表的なワークピース（例えば、半導体ウエハ）に関連して記述されているものの、事実上いずれの実質的に平らで実質的に円形のワークピースも、本発明に関連して、使用され得る。
With continued reference to FIG. 1 and with additional reference to FIGS. 2 and 3, the wafer loading /
典型的には、３個のウエハカセット１０４は、各個のカセットプラットホーム１０２へと装填される。機械１０は、次いで、カセット１０４の第一のものに存在している全てのウエハを処理する。全てのウエハが第一カセット１０４から取り出された後、機械１０は、これらのウエハを、カセット１０４の次のもので処理する。これらのウエハが、このＣＭＰおよび洗浄工程を通って前進した後、機械１０は、以下でさらに完全に述べるように、これらのウエハを、それらを取り出した同じカセット１０４の同じスロットへと戻す。機械１０が、全てのウエハをカセット１０４へと戻した後、そのカセットは、そのカセットプラットホーム１０２から取り外され得、新しいカセット１０４（これは、部分的または完全にウエハで満たされている）がその位置に設置される。このようにして、機械１０へのウエハの実質的に連続的で中断しない投入が達成され得、公知のＣＭＰ機を用いて従来達成できたものよりも実質的に高いワークピース処理能力が促進される。さらに、機械１０は、１つの連続工程で、これらのウエハを研磨し、洗浄し、そして乾燥するので、別個の洗浄機および余分な処理の必要性は軽減される。また、機械１０は、これらのウエハを、それらを取り出した同じ乾燥カセットの同じスロットへと戻すので、その操作者および製造設備は、その製作工程を通じて、各カセットおよび各ウエハをよりうまく追跡できる。
Typically, three
図１〜３を引き続いて参照すると、各カセットプラットホーム１０２は、各カセット１０４を支持するための傾斜基部１０６を包含する。基部１０６（従って、カセット１０４）の傾斜により、カセット１０４内のウエハは、各カセットの後方へと滑り、これらのウエハが、取出前に、正しく配置されることを保証する。同様に、機械１０が、これらのウエハを、これらのカセットへと戻した後、この傾斜カセットは、これらのウエハが、それらの取出前に、これらのカセット内で正しく固定されることを保証する。基部１０６は、好ましくは、５〜１８度の傾斜を有し、最も好ましくは、６度の傾斜を有する。基部１０６は、手動で、所望の傾斜度に設定され得るか、あるいは、エレベーターアセンブリ、例えば、サーボアセンブリ、ステッパーモーター、トルクモーターアセンブリなどを使用して、基部１０６の傾斜を調整し得る。
With continued reference to FIGS. 1-3, each
各カセットプラットホーム１０２は、好ましくは、装填／取出ステーション１００内および洗浄ステーション４００内のクリーンルーム環境を維持するための２個のドアを包含する。内部プラットホームドアまたはバリヤー１０８は、各プラットホーム１０２と装填／取出ステーション１００との間に位置づけられ、そしてある時点で、自動的に連動および後退するように、配置されている。同様に、外部プラットホームドア１１０は、このプラットホームの外部前面に位置づけられ、そしてプラットホーム１０２を、外部環境から隔離する。安全性の理由のために、また、外部環境からの汚染物が、この装填／取出および洗浄ステーションに入ることを阻止されることを保証するために、内部ドア１０８は、操作者が外部ドア１１０を開け得る前に、閉じるように配置されている。従って、外部ドア１１０は、制御ロッキング機構（例えば、磁気ロックまたは空気圧ロック）を包含し、これは、安全になるまで、操作者が外部ドア１１０を開けるのを防止する。
Each
プラットホーム１０２は、好ましくは、カセットの位置および他の状態情報をモニターするための種々のセンサを包含する。特に、プラットホーム１０２は、カセットが基部１０６上で正しく配置されているかどうかをモニターするためのカセット位置センサ、および外部ドア１１０が開いているかまたは閉じているかを決定するための外部ドアセンサを包含する。もし、カセット１０４が基部１０６上で正しく配置されていないなら、このカセット位置センサは、この機械の制御装置に信号を送り、これは、次に、その操作者に対して、警報を鳴らすかまたは警報灯を照光する。同様に、もし、外部ドア１１０が開いているなら、この外部ドアセンサは、この機械の制御装置に信号を送り、そしてこの制御装置は、内部ドア１０８が開かないようにし、それにより、この機械のクリーンルーム部分が損なわれないことを保証する。
プラットホーム１０２はまた、好ましくは、処理中のカセットの状態をモニターするためのカセット状態センサ／指示器を包含する。例えば、このカセット状態指示器は、この機械のプロセッサ／制御装置に信号を伝達し得、カセットが存在していること、カセットが地図で表わされて運転中であること、またはカセット処理が完結したことおよびこのカセットが取り外し準備完了していることを指示する。従って、もし、カセットが運転中であるなら、この処理システムは、外部ドア１１０をロックし、そして操作者がそれを取り外さないようにする。同様に、もし、この状態指示器が、この操作者がこのカセットにアクセスするのが安全であると指示しているなら、この操作者は、この処理システムに対して、このカセットを取り外しおよび／または交換できるように、外部ドア１１０のロック解除を要求できる。
カセットプラットホーム１０２は、好ましくは、多くの異なるカセットのデザインおよび形状に適合するように、配置される。最も好ましくは、プラットホーム１０２は、６インチ、８インチおよび３００ミリメートルのウエハカセットを受容するように、配置されている。あるいは、装填／取出ステーション１００は、伝統的なオープンエアウエハカセットおよびカセットプラットホームの代わりに、Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（ＳＭＩＦ）ウエハポッドを受容するように、配置され得る。このような形状では、装填／取出ステーション１００は、カセットプラットホーム１０２に代えて、ＳＭＩＦポッドアダプタを包含する。
The
プラットホーム領域１０２は、静電気の蓄積を最小にするために、イオン化剤を包含し得る。また、当業者が理解するように、外部ドア１１０を開けたとき、外部環境からの粒子は、プラットホーム１０２へと入り得る。空気中浮遊粒子をプラットホーム１０２から締め出すために、機械１０の上部に取り付けたＨＥＰＡフィルターにより、正の空気層流が供給され得る。適当なフィルターは、Ａｓｙｓｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ．（Ｆｒｅｍｏｎｔ， Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）により、製造されている。さらに、各プラットホームは、後方点灯システムを包含し得、これは、このウエハマッピングシステム（これは、以下でさらに詳細に記述する）の有効性を改良する。
カセット１０４をプラットホーム１０２に置き、そして機械１０を処理のために設定した後、ロボット１１２は、カセット１０４からウエハを個々に取り出し、それらを、エアナイフ１１４を通って、整列ステーション２００へと移動する。今ここで、図４〜６を参照すると、ロボット１１２は、好ましくは、六軸ロボット（例えば、Ｍｏｔｏｍａｎ， Ｉｎｃ．（Ｗｅｓｔ Ｃａｒｒｏｌｌｔｏｎ， Ｏｈｉｏ）により製造されたＳＶ３六軸ロボット）を包含する。ロボット１１２は、好ましくは、２個のウエハ制御エンドエフェクター１１６および１１８を包含し、これらは、ロボット１１２のリスト軸１２０に接続されている。エンドエフェクター１１６は、乾燥ウエハ（例えば、カセットからこの整列ステーションへの移行状態のウエハおよびこの回転乾燥機ステーションからカセットへの移行状態のウエハ）を取り扱うように、配置されており、そしてエンドエフェクター１１８は、湿潤ウエハ（例えば、このリンスステーションからこの回転乾燥機ステーションへの移行状態のウエハ）を取り扱うように、配置されている。もちろん、エンドエフェクター１１６は、湿潤ウエハを取り扱うように配置でき、また、エンドエフェクター１１８は、乾燥ウエハを取り扱うように、配置され得、または両方のエンドエフェクターは、全ての湿潤ウエハまたは全ての乾燥ウエハを取り扱うように、配置され得る。
After placing the
エンドエフェクター１１６および１１８は、その上に保持したウエハに真空圧を加えるための真空穴１２２を包含する。真空源は、必要な真空圧を供給するように、配置されている。このエンドエフェクターに加えられる真空圧は、ロボット１１２が、その種々の軸の回りに、これらのウエハを移動させる間にて、これらのウエハを、このエンドエフェクター上に確実に保持する。例えば、ロボット１１２は、「装置側を上にして（ｄｅｖｉｃｅ ｓｉｄｅ ｕｐ）」、カセット１０４からウエハを取り出す。これらのウエハは、次いで、エアナイフ１１４を通って、整列ステーション２００へと移動され、この場所で、それらは、「装置側を下にした」状態へとひっくり返され、そして整列装填カップ２０４（図１を参照）上に配置される。この真空圧は、ロボット１１２がこのウエハをひっくり返すときに、ウエハを、このエンドエフェクター上に保持する。
エンドエフェクター１１６および１１８は、好ましくは、このエンドエフェクター上のウエハの存在または不在を検出するためのセンサ（典型的には、真空型）を包含する。もし、ウエハが、このウエハの運搬中にて、エンドエフェクターから失われたなら、このセンサは、即座に、このエラーを検出し、そしてこのロボット制御装置および／または機械制御装置に対して、システム処理を停止するように信号を送り、そして警報を鳴らす。この機械制御装置および付随の警報システムは、他の高価なウエハが失われないように、機械１０を停止する。さらに、エンドエフェクター１１６および１１８は、それらを静電放電に耐えるようにするために、静電消散材料（ｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｓｉｐａｔｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）（例えば、ＥＳＤ４１０）から製造されるか、またはそれで被覆され得る。あるいは、装填／取出ステーション１００および／またはロボット１１２は、帯電の蓄積を少なくするのを助けるために、イオン化システムを包含し得る。
ここで図４を参照すると、ロボット１１２は、マッピングシステムを包含し得、これは、ウエハカセット内のどの位置がウエハを含んでいるかを決定するため、およびこれらのウエハのいずれかがカセット内に不適当に配置されているかどうかを決定するためにある。不適当に配置されているウエハの例には、単一スロット内に配置された複数ウエハ、および２個のスロット間でクロススロットされたウエハが挙げられる。このマッピングシステムは、好ましくは、ロボット１１２がウエハカセット１０４を走査できるように、光学走査装置１２８（例えば、ビデオカメラ）（これは、ロボット１１２の頂部に装着された取付金具１２９に取り付けられている）を包含する。しかしながら、当業者が理解するように、この走査装置は、ロボット１１２の任意の適当な部分に装着され得る。あるいは、このマッピングシステムおよび走査装置は、ロボット１１２から完全に独立した機械１０上に設置され得る。
Referring now to FIG. 4, the
マッピングシステム１２８は、好ましくは、光学視覚マッピングシステム（例えば、Ａｃｕｉｔｙ Ｉｍａｇｉｎｇ， Ｉｎｃ．（Ｃｉｎｃｉｎｎａｔｉ， Ｏｈｉｏ）から製造された「ＩＶＳ Ｅｘｐｒｅｓｓ」マッピングシステム）を包含し、これは、カセット内でのウエハの位置を決定し、そしてこの情報を、システムプロセッサ（これは、この走査装置から受信した信号を解釈し処理するように、配置されている）に伝達する。このプロセッサは、このロボット制御装置、この機械制御装置、独立したマッピングプロセッサ、またはこれらの装置の組み合わせに組み込まれる。このプロセッサは、視覚データを受信し、それをウエハ位置データへと変換する。この位置データは、好ましくは、３２ビットのデータを包含する；３０ビットは、各ウエハのカセットおよびスロット情報を規定するために使用される；１ビットは、ウエハが２個のスロット間でクロススロットしていることを示すための１エラービットとして使用される；そして１ビットは、１個のカセットスロットが複数のウエハを含んでいることを示すための１エラービットとして使用される。もし、これらの２つのエラーの１つが起こるなら、このプロセッサは、この機械制御装置に信号を送り、これは、この機械の処理を停止し、そして操作者に対して、問題があることを通知する。もし、エラーが起こらないなら、この制御装置は、各ウエハの位置情報を保存し、そして以下でさらに詳細に記述するように、保存した情報を使用して、各ウエハが、それを取り出した同じカセットの同じスロットへと戻されて配置されることを保証する。
The
本明細書中で開示した本発明の実施形態は、「プロセッサ」を、その保存および機械およびマッピング制御機能を実行するものとして意味しているものの、当業者は、このプロセッサが、単一プロセッサ、あるいは、複数の関連したプロセッサを包含し得ることを理解する。この制御および保存機能の一部は、このマッピングまたはロボット制御装置により、実行され得るのに対して、例えば、他のものは、この機械の制御装置により、実行される。複数のプロセッサ間の制御機能の分布は、当該技術分野で周知である。さらに、ウエハ位置および／またはウエハ場所エラーを規定するには、３２ビットのデータが好ましいものの、ウエハ位置情報を指定するには、任意の適当なビット数が使用され得る。さらに、このウエハマッピングシステムは、ウエハコード読み出し（バーコードまたはＯＣＲ）を直接実行するように、配置され得る。 Although the embodiments of the invention disclosed herein are meant to mean a “processor” as performing its storage and machine and mapping control functions, those skilled in the art will recognize that this processor is a single processor, Alternatively, it is understood that multiple associated processors can be included. Some of the control and storage functions may be performed by the mapping or robot controller, while others are performed by the machine controller, for example. The distribution of control functions among multiple processors is well known in the art. Further, although 32 bits of data are preferred to define wafer position and / or wafer location errors, any suitable number of bits can be used to specify wafer position information. In addition, the wafer mapping system can be arranged to directly perform wafer code reading (barcode or OCR).
この視覚マッピングシステムが各カセット１０４をマッピングした後、ウエハ処理が開始する。図１を再び参照して、今ここで、ウエハのＣＭＰ処理を述べる。上述のように、ロボット１１２は、カセット１０４からウエハを個々に取り出し、それらを、エアナイフ１１４を通って、整列ステーション２００へと運搬する。エアナイフ１１４は、好ましくは、装填／取出ステーション１００と整列ステーション２００との間に開口部を包含し、また、反発粒子（ｒｅｎｅｇａｄｅ
ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）がこのきれいな装填／取出ステーションに入らないように、装填／取出ステーション１００から整列ステーション２００への正の空気流を含有する。当業者が理解するように、本発明は、特定のエアナイフ配置を参照して記述されているものの、ウエハを装填／取出ステーション１００から整列ステーション２００へと運搬させつつ、粒子が装填／取出ステーション１００に入らないようにするために、任意の粒子制御手段が使用され得る。
After this visual mapping system maps each
contains positive air flow from the loading /
整列ステーション２００に入った後、ロボット１１２は、各ウエハを、装置側を下にして、整列テーブル２０２上にある複数の装填カップ２０４の１個上へと配置する。整列テーブル２０２はまた、複数のウエハ取出カップ２０６を包含し、これらは、装填カップ２０４と交互になっている。ウエハを複数の装填カップ２０４の１個に配置した後、テーブル２０２は、新たな装填カップ２０４がエアナイフ１１４と整列するように、回転する。ロボット１１２は、次いで、次のウエハを、新たな空の装填カップ２０４に配置する。この工程は、全ての装填カップ２０４がウエハで満たされるまで、継続される。整列テーブル２０２は、好ましくは、５個の装填カップ２０４および５個の取出カップ２０６を包含する。
After entering the
次に、個々のウエハキャリヤー要素２１０を有するウエハキャリヤー運搬アセンブリ２０８（図３を参照）は、それ自体、整列テーブル２０２上で整列し、各個のキャリヤー要素２１０は、各個の装填カップ２０４にあるウエハの真上に位置づけられる。運搬アセンブリ２０８は、次いで、キャリヤー２１０がこの装填カップからこれらのウエハを回収し得るように、キャリヤー要素２１０を、これらのウエハの近傍へと低下させる。各キャリヤーがウエハを得た後、運搬アセンブリ２０８は、これらのキャリヤー要素を、それらの各個のウエハと共に、ＣＭＰステーション３００へと側方に移動させ、これらのウエハを、研磨テーブル３０２の上部に配置する。一旦、研磨テーブル３０２の上部にくると、運搬アセンブリ２０８は、これらのウエハが、研磨テーブル３０２の上に配置された研磨パッドと操作的に噛み合って押し付けられるように、キャリヤー要素２１０を下げる。研磨中、研磨テーブル３０２、およびその上に配置された研磨パッドは、それらの垂直軸の周りを回転する。同時に、個々のキャリヤー要素２１０は、これらのウエハを、それらの各個の垂直軸の周りに回転させ、そしてこれらのウエハをこの研磨パッドに押し付けつつ、研磨テーブル３０２をわたってこれらのウエハを前後に振動させる。このようにして、これらのウエハの表面は、研磨および／または平面化される。
Next, the wafer carrier transport assembly 208 (see FIG. 3) with the individual wafer carrier elements 210 is itself aligned on the alignment table 202, with each individual carrier element 210 being a wafer in each
適当な処理期間の後、これらのウエハは、この研磨パッドから持ち上げられ、そして整列ステーション２００へと戻される。この時点で、これらのウエハは、望ましいなら、第二研磨テーブル２１３で研磨され得る。次に、運搬アセンブリ２０８は、個々のキャリヤー要素２１０（これは、これらのウエハを、取出カップ２０６に入れる）を低下させる。１バッチの研磨済みウエハを取出カップ２０６に入れた後、整列テーブル２０２が回転し、そしてキャリヤー要素２１０は、再度、下げられて、研磨用に、装填カップ２０４から新セットのウエハを受容する。これらのウエハは、ＣＭＰステーション３００に運搬されて、この工程が繰り返される。ウエハがＣＭＰステーション３００で研磨されている間、ロボット１１２は、装填カップ２０４にウエハを装填し、そしてフリッパーアーム２１２は、取出カップ２０６からウエハを取り出し、そしてそれらを洗浄ステーション４００へと運搬する。以下でより詳細に記述するように、フリッパーアーム２１２は、整列ステーション２００からこれらのウエハを持ち上げ、そしてそれらを洗浄ステーション４００上の水トラックへと運搬する。
After an appropriate processing period, the wafers are lifted from the polishing pad and returned to the
運搬アセンブリ２０８は、５個の研磨ステーションまたはウエハキャリヤー要素２１０を有するとして記述されているものの、任意の適当な数のキャリヤー要素の使用が想定される。さらに、本発明は、全てのキャリヤー要素が同時に機能する訳ではない状況で、使用され得る。多くの標準的なウエハカセットは、例えば、２４個の個々のワークピースまたはウエハを収容するスロットを有する。結果的に、５個のキャリヤー要素運搬装置を用い、カセット内の最後の４個のディスクを研磨用に回収すると、５番目のキャリヤー要素は、空になる。
Although the
ＣＭＰ法（特に、ＣＭＰステーション３００と類似したＣＭＰ機の詳細な作業）のさらに詳細な論述については、Ｋａｒｌｓｒｕｄら、米国特許第５，３２９，７３２号（１９９４年７月に登録された）；Ｋａｒｌｓｒｕｄら、米国特許第５，４９８，１９６号（１９９６年３月に登録された）；およびＫａｒｌｓｒｕｄら、米国特許第５，４９８，１９９号（１９９６年３月に登録された）を参照せよ（これらの全ての内容は、本明細書中で参考として援用されている）。 For a more detailed discussion of the CMP process (especially the detailed work of a CMP machine similar to CMP station 300), see Karlsrud et al., US Pat. No. 5,329,732 (registered in July 1994); Karlsrud Et al., US Pat. No. 5,498,196 (registered in March 1996); and Karlsrud et al., US Pat. No. 5,498,199 (registered in March 1996). The entire contents of which are incorporated herein by reference).
洗浄ステーション４００は、図７で詳細に図示している。洗浄ステーション４００は、好ましくは、第一、第二および第三水トラック４０２、４０４および４０６、第一および第二スクラブステーション４０８および４１０、リンスステーション４１２、および回転乾燥ステーション４１４を包含する。
The cleaning
洗浄ステーション４００の種々のサブステーションを詳細に記述する前に、整列ステーション２００、洗浄ステーション４００および装填／取出ステーションの間のウエハ流れは、非常に一般的な条件で記述される。図２４は、これらのステーション間のウエハ流れの概要を提供する。本質的に、ウエハが１ステーションから次のステーションへと移動できる前に、そのステーションでの処理が完了していなければならないだけでなく、次の処理ステーションにおいて、ウエハが存在していないことを確認しなければならない。それゆえ、もし、この機械のステーションのいずれか１個が、故障または失速するか、あるいはウエハがひっかかったり破損するなら、センサは、次のステーションにウエハが存在していることを表示するので、この問題が矯正されるまで、通り過ぎるウエハはない。この重要な検査システムを説明するために、以下の２個の仮想ウエハの前進を追跡する：整列テーブル２０２の取り出しカップ２０６から行程を開始するウエハ「Ａ」およびすぐ次のステーションである第一水トラック４０２に存在するウエハ「Ｂ」。
Before describing in detail the various substations of the cleaning
ウエハ「Ａ」が、フリッパー２１２によって、第一水トラック４０２に移動できる前に、この機械制御装置（これは、以下で記述するように洗浄ステーション４００に適切に位置づけられたセンサを使用する）は、まず、ウエハ「Ｂ」がトラック４０２から第一スクラブステーション４０８へと通過したことを確認しなければならない。一旦、このことが確認されると、フリッパー１１２は、ウエハ「Ａ」を、取り出しカップ２０６から、第一水トラック４０２上へと移動する。ウエハ「Ａ」は、ウエハ「Ｂ」が第二水トラック４０４上へと移動されたことが確認されたときにのみ、水トラック４０２から、スクラブステーション４０８へと移動される。ウエハ「Ａ」は、洗い落としが完了するまで、また、ウエハ「Ｂ」が第二スクラブステーション４１０へと移動されたことが確認されるまで、スクラブステーション４０８内に保持され、後者の時点で、「Ａ」は、第二水トラック４０４上へと移動される。ウエハ「Ｂ」が、第二スクラブステーション４１０から、第三水トラック４０６の第一部分へと移動されると、ウエハ「Ａ」は、第二スクラブステーション４１０に通過される。ウエハ「Ｂ」が水トラック４０６の第一部分から第二部分へと通過され、そしてステーション４１０でのウエハ「Ａ」の洗い落としが完了した後、ウエハ「Ａ」は、トラック４０６の第一部分へと通過される。ウエハ「Ｂ」が、トラック４０６の第二部分から、リンスステーション４１２へと通過した後、ウエハ「Ａ」は、水トラック４０６の第二部分へと移動される。
Before the wafer “A” can be moved by the
一旦、ウエハ「Ｂ」のリンスが完了すると、ロボット１１２のウェットエンドエフェクター１１６は、リンスステーション４１２から、ウエハ「Ｂ」を回収する。この工程が確認されると、ウエハ「Ａ」は、リンスのために、水トラック４０６の第二部分から、ステーション４１２へと通過される。ウエハ「Ａ」は、リンスが完了するまで、また、ウエハ「Ｂ」がウェットエンドエフェクター１１６から回転乾燥機ステーション４１４へと運搬されたことが確認されるまで、ステーション４１２に残留する。この時点で、ウエハ「Ａ」は、ロボット１１２のウェットエンドエフェクター１１６により、リンスステーション４１２から回収される。ウエハ「Ａ」は、次いで、ウエハ「Ｂ」がロボット１１２のドライエンドエフェクター１１８上に存在することが確認されると、回転乾燥機ステーション４１４に移動される。ウエハ「Ａ」の回転乾燥が完了して、ウエハ「Ｂ」が、ドライエンドエフェクター１１８により、取出カセット１０４の正しいスロットに配置されたことが確認されると、ウエハ「Ａ」は、ドライエンドエフェクター１１８により回収され、そして取出カセット１０４のその正しいスロットに配置される。
Once rinsing of wafer “B” is complete,
このウエハ流れの一般的な枠組みを確立したので、種々のサブステーションの各々の詳細な操作を、今ここで、記述する。図８および９を参照すると、第一水トラック４０２は、ウエハを受け取り、そして洗浄ステーションがそれを解除する準備ができるまで、それを、ステージング位置で保持するように、配置されている。準備ができると、第一水トラック４０２は、これらのウエハを、接触しない様式で、第一スクラブステーション４０８へと案内する。
Having established a general framework for this wafer flow, the detailed operation of each of the various substations will now be described. Referring to FIGS. 8 and 9, the
これらのウエハは、洗浄ステーション４００により受容されるとすぐに、流体（これは、以下でさらに詳細に記述するように、複数の流体ジェットを通って、このトラックの平面から上方に発射される）により支持され、その結果、これらのウエハとこれらの水トラックとの間の機械的な接触は、実質的になくされる。
As soon as these wafers are received by the cleaning
第一水トラック４０２は、好ましくは、複数の流体ジェット４１６を包含し、これらは、ウエハを、この水トラックから、矢印４１８の方向（図８）に沿って、第一スクラブステーション４０８へと推進するように、配置されている。さらに具体的には、流体ジェット４１６は、その水平面に対する角度で、約２０°〜７０°のオーダーで、最も好ましくは、約４５°で、流体を上方に排出するように、配向されており、この水平流れベクトルは、矢印４１８の方向に沿って、配向されている。このようにして、整列ステーション２００から回収されたウエハは、機械的な接触なしに、水トラック４０２に沿って、スクラブステーション４０８へと駆り立てられる。流体は、好ましくは、流体マニホルド４２８を通って、個々の流体ジェット４１６へと供給される。マニホルド４２８は、この水トラックの頂面の下に位置しており、そしてジェット４１６と流体連絡している。流体は、流体源４３０により、マニホルド４２８に供給される。逆進流体ジェット４２４および流体ジェット４２６は、好ましくは、独立した流体源を有する。
The
図８および９を引き続いて参照すると、第一水トラック４０２は、さらに、第一水トラック４０２の縁部に近接して配置された検出センサ４２０を包含する。センサ４２０は、機械１０（特に、洗浄ステーション４００）の定常状態動作をモニターし、そしてウエハが、このセンサの付近で、「ぶら下がっている」（ｈｕｎｇ ｕｐ）かそうでなければひっかかっていると検出された場合には、警報を発するかまたは機械操作を停止するように、配置され得る。センサ４２０はまた、通過するウエハを数える（または、ウエハが存在しないことを確認する）のに使用され得、それにより、機械１０が正しく作動していることを確認する。最後に、センサ４２０は、好ましくは、破損したウエハ部分がないことを検出するように、トラック４０２の縁部近くに配置されている。もし、センサ４２０が、トラック４２０の中心に配置されていると、それは、破損したウエハを検出しないかもしれない。ウエハトラック４０２は、ウエハの処理量を測定するために、または診断目的のために、任意の適当な数のセンサを使用できることが分かるはずである。加えて、以下でさらに詳細に記述するように、類似の検出センサは、第二および第三水トラック４０６および４０８に配置され得る。検出センサ４２０は、ワークピースの存在および／または不在を検出するための任意の適当な機構（例えば、光学センサなど）を包含し得る。
With continued reference to FIGS. 8 and 9, the
操作中、このシステムが、引き続くステージが次のウエハを受容するように空になったと判定するまで、ウエハは、典型的には、第一水トラック４０２で保持される。トラック４０２は、このウエハをこのトラック内に維持するのを助けるために、ステージングピン４２２および逆進流体ノズル４２４を包含する。ステージングピン４２２は、機械的または空気式で操作されるピン装置を包含し、これは、噛み合わせたとき、水トラック４０２の頂面の上部に伸長しており、そしてこのウエハがこの水トラックを引き続いて下がるのを防止する。さらに、このウエハに流体圧を加えるために、逆進流体ノズル４２４が使用され得、これもまた、それが、このトラックを引き続いて下がるのを防止する。逆進流体ノズル４２４は、このウエハを、矢印４１８とは反対の方向に押し戻し、それにより、このウエハとピン４２２との間の接触を最小にし、このウエハに対する損傷の危険を少なくする。このシステムが、このウエハを次の処理ステーションへと通過させるのが安全であると判定すると、ステージングピン４２２は下がり、そして流体ノズル４２４は、止まる。さらに、前方流体ノズル４２６は、流体の突発流れまたは定常流れを提供して、このウエハが、矢印４１８により示された方向で、このトラックを下がるのを促進する。角度を付けた流体ジェット４１６もまた、このウエハがこのトラックを下がるのを助ける。
During operation, the wafer is typically held on the
図１０〜１４は、第二および第三水トラック４０４および４０６の形状および操作を図示している。ウエハが第一スクラブステーション４０８を出ていくと、それらは、第二水トラック４０４の第一部分４３２に入る。ウエハが第一部分４３２に入るにつれて、流体ジェット４１６からの流体は、このウエハを束縛し、そして矢印４３４により示された方向で、このトラックから下げて、第二水トラック４０４のステージング領域４３６へと推進する。図１１で図示しているように、ステージング領域４３６は、このウエハが第一部分４３２へと戻って浮遊することを防止するために、第一部分よりも僅かに低い水平面にある。第一水トラック４０２と同様に、第二水トラック４０４のステージング領域４３６は、次の処理ステーションがこのウエハを受容する準備ができるまで、このウエハをこのステージング領域で維持するために、ステージングピン４２２および逆進流体ノズル４２４を包含する。ステージング領域４３６はまた、このステージング領域でのウエハの存在を検出するための検出センサ４２０を包含する。
Figures 10-14 illustrate the shape and operation of the second and third water tracks 404 and 406. As wafers exit the
このシステムが、次の処理ステーション（すなわち、第二スクラブステーション４１０）がこのウエハを受容するように空になったと判定した後、ステージングピン４２２は下げられ、逆進ノズル４２４は止められ、そして流体ノズル４２６は、流体を排出して、このウエハを、矢印４３８により示された方向で、この水トラックから下げて、第二スクラブステーション４１０へと推進する。第二水トラック４０４にある流体ジェット４１６もまた、このウエハを、矢印４３８の方向で推進するのを助ける。第二水トラック４０４はまた、少なくとも１個の流体マニホルド４２８および流体源４３０を包含する。好ましくは、第二水トラック４０４は、２個のマニホルドおよび２個の水源を包含する。第二スクラブステーション４１０から、このウエハは、矢印４３８により示された方向から、第三水トラック４０６に入る（図１３）。
After the system determines that the next processing station (ie, second scrub station 410) has been emptied to receive the wafer, the
今ここで、図１３〜１４を参照すると、第三水トラック４０６は、第一ステージング領域４４０、移行領域４４２および第二ステージング領域４４４を包含する。水トラック４０２および４０４のステージング領域と同様に、ステージング領域４４０および４４４は、流体ジェット４１６、検出センサ４２０、ステージングピン４２２、逆進ノズル４２４および流体ノズル４２６を包含する。ステージング領域４４０は、２個のステージングピン４２２を包含する：１個のピンは、ウエハが、矢印４４６により示された方向で、この水トラックから下に移動するのを防止し、また、他方のピンは、ウエハが、第二スクラブステーション４１０へと戻って浮遊するのを防止する（矢印４３８を参照）。ステージング領域４４４は、２組の逆進流体ノズル４２４を包含する：１組は、ウエハが、次の処理ステーション（すなわち、リンスステーション４１２）へと通過するのを防止し、また、他の組は、ウエハが、矢印４４６と反対の方向で、水トラック４０６を逆流して浮遊するのを防止する。移行部４４２は、このウエハを、第一ステージング領域４４０から、第二ステージング領域４４４へと推進するために、複数の流体ジェット４１６を包含する。第一および第二水トラック４０２および４０４と同様に、第三水トラック４０６は、流体をマニホルド４２８に供給するための少なくとも１個の流体源４３０、および順に、流体ジェット４１６を包含する。ステージング領域４４０および４４４、ならびに移行流域４４２は、好ましくは、それら独自のマニホルド４２８および流体源４３０を有する。水トラック４０２および４０４と同様に、逆進流体ノズル４２４および流体ノズル４２６は、好ましくは、独立した流体源を有する。
Referring now to FIGS. 13-14, the
水トラック４０２、４０４および４０６は、さらに、ウエハを水トラックに展開させおよび／または通過させるとき、これらのウエハを湿潤状態で保つための手段（例えば、湿潤ノズル）を包含する。あるいは、流体ジェット４１６、逆進流体ノズル４２４および流体ノズル４２６は、この目的のために使用され得る。
The water tracks 402, 404 and 406 further include means (eg, a wet nozzle) for keeping the wafers wet when they are deployed and / or passed through the water track. Alternatively,
今ここで、図１５〜１７を参照すると、スクラブステーション４０８および４１０は、好ましくは、複数のローラー対を囲む囲壁（例えば、スクラバーボックス）を包含する。簡潔にするために、本明細書では、１個の例示的なスクラバーボックス４５０だけを記述する。スクラバーボックス４５０は、底部パネル４５２、頂部パネル４５４、後部パネル４５６および前部パネル４５８を包含する。それゆえ、これらパネルは、内蔵式ボックスを構成し、これは、ハンドル４５９を用いて、迅速かつ容易に取り出され得、そしてこれらのローラーの１個またはそれ以上を交換するのが望ましいとき、交換される。本発明に関連して、ローラーおよび／またはスクラバーボックスを迅速かつ好都合に取り出して交換する性能は、さらに、機械１０の実質的な連続操作を促進する。市販のスクラバーボックス（例えば、ドイツのＷａｃｋｅｒ Ｃｈｅｍｔｒｏｎｉｃ社により製造されたスクラバーボックス）が使用され得る。
Referring now to FIGS. 15-17,
各スクラバーボックス４５０は、複数のローラー対を包含し、これらは、ウエハをこのスクラバーボックスを通って前進させ、同時に、そこを通るウエハの頂部および底部平坦面を洗浄するように、配置されている。図１５で示されているように、スクラバーボックス４５０は、好ましくは、この囲壁の内にウエハを受容するように配置されたウエハ入力側４６０を包含する。ウエハがこの囲壁に入ると、第一対の駆動ローラー（下記）がこのウエハを「掴み」、そしてそれを次の対のローラーに給送する。
Each
スクラバーボックス４５０は、３対〜１２対のローラー、好ましくは、５対のローラーを有する。例示した実施形態では、このスクラバーボックスは、第一ローラー対（これは、各個のローラー４６２および４６４を包含する）；第二ローラー対（これは、上部ローラー４６６および下部ローラー４６８を包含する）；第三ローラー対（これは、上部ローラー４７０および下部ローラー４７２を包含する）；第四対（これは、上部ローラー４７４および下部ローラー４７６を包含する）；および第五終端ローラー対（これは、上部ローラー４７８および下部ローラー４８０を包含する）を包含する。図１５で最もよく見えるように、洗浄ステーション４００は、ウエハが、その最左側からスクラバーボックス４５０に入り、このボックスを通って順次駆り立てられ、そして最右位置（ローラー４７８および４８０に近接して）で、このスクラバーボックスから排出されるように、配置されている。
The
奇数対のローラー（例えば、第一、第三、第五ローラー対）の各々は、好ましくは、駆動ローラーとして機能し、各駆動ローラー対は、駆動速度Ｓ１で作動する。そういうものとして、ローラー４６２、４６４、４７０、４７２、４７８および４８０は、駆動速度Ｓ１で作動する。底部ローラー（すなわち、ローラー４６４、４６８、４７２、４７６および４８０）は、図１５で示すように、時計方向に回転する。さらに、各偶数ローラー対の頂部ローラー（すなわち、ローラー４６６および４７４）もまた、図１５で示した透視図から、時計方向に回転する。最後に、各奇数ローラー対の頂部ローラー（すなわち、ローラー４６２、４７０および４７８）は、好ましくは、反時計方向に回転する。
Each of the odd pairs of rollers (eg, first, third, fifth roller pairs) preferably functions as a drive roller, and each drive roller pair operates at a drive speed S1. As such,
偶数底部ローラー（すなわち、ローラー４６８および４７６）は、好ましくは、第二駆動速度Ｓ２で作動するように、配置されており、また、偶数頂部ローラー（すなわち、ローラー４６６および４７４）は、処理速度Ｓ３で作動するように、配置されている。各ローラー対のローラー間の張力は、このローラーボックス全体にわたって、ほぼ均一である。
The even bottom rollers (ie,
各奇数ローラー対は、好ましくは、これらのウエハが、本質的に均一な速度で、この洗浄ステーションを通って駆動されるように、第一駆動モーターにより、駆動される。各偶数頂部ローラーは、好ましくは、処理速度Ｓ３で、第二モーターにより駆動される；そして各偶数底部ローラーは、好ましくは、処理速度Ｓ３より低い所定のギア比にて、第二駆動速度Ｓ２で、第二モーターにより駆動される。このようにして、操作者は、第一モーターに付随した第一制御を設定することにより、駆動速度Ｓ１を制御し得、また、第二モーターに付随した第二制御を操作することにより、駆動速度Ｓ３を独立して制御し得る。そうすることにより、操作者はまた、駆動速度Ｓ２が、上述の所定のギア比によって、駆動速度Ｓ３に従うので、駆動速度Ｓ２を間接的に制御する。操作者が各個の駆動速度Ｓ１、Ｓ２およびＳ３を動力学的に配置可能にすることにより、スクラブステーション４０８、４１０にて、相当な処理融通性が達成される。さらに、Ｓ１より高いＳ３を設定することにより、これらのウエハが、これらの駆動ローラー（例えば、奇数ローラー対）により、駆動速度Ｓ１で、このスクラバーボックスを通って同時に移動されるにつれて、これらの偶数ローラー対は、これらのウエハの頂面および底面を効果的に洗浄する。
Each odd roller pair is preferably driven by a first drive motor so that the wafers are driven through the cleaning station at an essentially uniform speed. Each even top roller is preferably driven by a second motor at a processing speed S3; and each even bottom roller is preferably at a second drive speed S2 at a predetermined gear ratio lower than the processing speed S3. Driven by the second motor. In this way, the operator can control the drive speed S1 by setting the first control associated with the first motor, and can also drive by operating the second control associated with the second motor. The speed S3 can be controlled independently. By doing so, the operator also indirectly controls the driving speed S2 because the driving speed S2 follows the driving speed S3 according to the predetermined gear ratio described above. Substantial processing flexibility is achieved at the
前記ローラー速度は、本願の出願時に本発明者が知っていた本発明の実施のベストモードを反映しているものの、事実上任意数のローラー、およびローラー速度とローラー方向との任意の組み合わせが、本発明に関連して使用され得ることが理解されるべきである。例えば、２つ、３つまたはそれ以上のローラー速度が使用され得、所望用途に対する最適な洗浄性能を達成するために、速度および方向の種々の順列および組み合わせが選択される。さらに、それらのブラシの回転は、ウエハのステージングを補助するように、可逆的であり得、すなわち、これらのブラシの逆回転は、次のステーション（すなわち、ウエハトラック）がこのウエハを受容するのに利用できるまで、このウエハを、このスクラバーボックス中で維持するのに使用できる。 While the roller speed reflects the best mode of practice of the invention that the inventor knew at the time of filing this application, virtually any number of rollers, and any combination of roller speed and roller direction, It should be understood that it can be used in connection with the present invention. For example, two, three or more roller speeds can be used, and various permutations and combinations of speed and direction are selected to achieve optimal cleaning performance for the desired application. Furthermore, the rotation of these brushes can be reversible to assist in staging the wafer, i.e., the reverse rotation of these brushes causes the next station (i.e. wafer track) to receive the wafer. The wafer can be used to maintain in the scrubber box until it is available for use.
図１５〜１７を引き続いて参照すると、スクラバーボックス４５０は、スクラブステーション４０８および４１０に容易に設置できかつそこから取り出しできるように、配置されている。底部パネル４５２は、スクラバーボックス４５０の機械１０（特に、スクラブステーション４０８および４１０）とのロッキング噛み合いを可能にするために、１個またはそれ以上のファスナーアセンブリ４８２を包含する。機械１０は、例えば、フレーム部分を包含し得、これは、スクラバーボックス４５０を機械１０に対してうまくかみ合わせ整列するために、ファスナーアセンブリ４８２を受容するように配置された対応ロッキング穴（図示せず）を有する。ファスナーアセンブリ４８２は、スクラバーボックス４５０を機械１０のフレームに固定可能であるが解除可能に連結するために、ネジ、ボルト、急速解除装置（ｑｕｉｃｋ ｒｅｌｅａｓｅ）、または任意の他の適当な締結機構を包含し得る。好ましくは、ファスナーアセンブリ４８２は、急速解除ピンであり、そして適当には、このピンをこのフレームと容易に連結および／または解除するために、ピン解除ハンドル４８２と接続されている。底部パネル４５２は、以下でさらに詳細に記述するように、さらに、流体出口（図示せず）を包含し得、そこを通って、洗浄流体は、スクラバーボックス４５０から流出し得る。望ましいなら、この流体出口から回収された流体は、再利用され得る。
With continued reference to FIGS. 15-17, the
今ここで、図１７を参照すると、各個の駆動ローラー４６２〜４８０の各々は、ギア末端４８６および従車末端４８８を包含する。各個のギア末端４８６の各々は、前部パネル４５８を通って伸長するように、配置されている。各個の従車末端４８８の各々は、後部パネル４５６に設定された各個の従車接合部内で受領部（ｒｅｃｅｉｐｔ）を回転させるように、配置されている。
Referring now to FIG. 17, each individual drive roller 462-480 includes a
スクラバーボックス４５０は、好都合には、以下のようにして、取り外され交換され得る。機械１０は、スクラバーボックス４５０の１個またはそれ以上を取り外しおよび交換できるように、操作のオフモードまたは保留モードで、配置される。この状態にて、ファスナーアセンブリ４８２が解放され、そしてスクラバーボックス４５０は、ハンドル４５９を用いて、スクラブステーション４０８または４１０から引き出すことにより、手動で取り外される。これらのローラーのギア末端４８６は、スクラバーボックス４５０が取り外されるにつれて、機械１０に付随した駆動機構（図示せず）から受動的に解放される。一旦、スクラバーボックス４５０が取り外されると、取り外したボックスに代えて、操作者が予め準備した交換ボックスが挿入され得る。あるいは、スクラバーボックス４５０が開かれ、これらのローラーは、改装洗浄ステーションが機械１０に戻されるように、迅速に交換され得る。いずれの場合でも、スクラバーボックス４５０は、ファスナーアセンブリ４８２を、この機械に付随した対応する穴または溝と整列させること、およびボックス４５０をその最初の操作位置へと戻して滑らせることにより、機械１０へと再組み立てされる。ファスナーアセンブリ４８２は、機械１０に付随した接合駆動機構（分かり易くするために、図示せず）とのギア末端４８６の整列を促進する。スクラバーボックス４５０を、その操作位置に再組み立てしたとき、ファスナーアセンブリ４８２は、スクラバーボックス４５０を適当な位置で固定するために、操作者により再び連結され得る。もちろん、スクラバーボックス４５０に付随した任意の流体入口、流体排出口またはウエハ感知ハードウエアもまた、取り外しおよび再設置中にて、付随させる必要があり得る。
The
今ここで、図１５および１６を参照すると、頂部パネル４５４は、さらに、１個またはそれ以上の流体入口ポートを包含し、これは、流体を、スクラバーボックス４５０の内部の個別部分または全体へと分配するように、配置されている。頂部パネル４５４は、好ましくは、多数のマニホルドを包含し、これらは、流体を、このスクラバーボックスの特定の位置に送達するように、配置されている。特に、パネル４５４は、第一流体入口ポート４９０を包含し、これは、第一マニホルド４９２（これは、第一流体を、このローラーボックス内の多数のローラーに近接して分配するように、配置されている）と連絡している。第一マニホルド４９２は、好ましくは、流体を、これらの頂部ローラーの１個またはそれ以上の長さに沿って、実質的に一様に放出するように、配置されている。頂部パネル４５４は、さらに、第二流体入口ポート４９４を包含し、これは、同様に、例えば、最初の数個のローラー対が占める領域にて、このローラーボックスの異なる部分全体にわたって第二流体を分配するために、第二マニホルド４９６と連絡して、配置されている。頂部パネル４５４は、さらに、第三マニホルド５００（これは、第三流体を、例えば、最後の数個のローラー対と近接した領域にて、このローラーボックスの第三領域全体にわたって分配するように、配置されている）と連絡して、第三流体入口ポート４９８を包含する。頂部パネル４５４はまた、第四流体入口ポート５０２を包含し得、これは、第四マニホルド５０４と連絡している。
Referring now to FIGS. 15 and 16, the
各個々のマニホルドは、残っているマニホルドの各々から流動的に区別されるように、配置されている。しかしながら、これらの流体入口ポートの１個またはそれ以上は、単一の流体が１個より多いマニホルドに適用し得るように、共に連結され得る。図１６で示されている代表的な実施形態では、これらのマニホルドは、洗浄流体を、隣接ローラー間および／またはその上部の位置に分配するように、配置されている（これらのローラーは、図１６では、想像線で描写されている）。この配置により、この洗浄流体は、このスクラバーボックスを通過するとき、ウエハに到達できるようになる。 Each individual manifold is arranged to be fluidly distinguished from each of the remaining manifolds. However, one or more of these fluid inlet ports can be coupled together so that a single fluid can be applied to more than one manifold. In the exemplary embodiment shown in FIG. 16, the manifolds are arranged to distribute the cleaning fluid between adjacent rollers and / or to a position above it (the rollers are illustrated in FIG. 16). 16 is depicted with imaginary lines). This arrangement allows the cleaning fluid to reach the wafer as it passes through the scrubber box.
各個々のマニホルドは、好ましくは、複数の伸長チャンネル５０６を包含する。チャンネル５０６は、対向マニホルド（例えば、第一マニホルド４９２および第三マニホルド５００）と付随しているが、交互の形態で配置され得る。もちろん、スクラバーボックス４５０と共に、任意数の流体入口ポートおよび／または流体マニホルドを使用し得ること、およびこれらのマニホルドは、特定の処理用途を最適化するために、重なり部分を伴ってまたはそれなしで、スクラバーボックス４５０の任意の所望部分と連絡し得ることが分かる。
Each individual manifold preferably includes a plurality of
頂部パネル４５４は、好ましくは、一体型で実質的に継ぎ目のないアセンブリとして、製造される。この継ぎ目のない構造により、マニホルド４９２、４９６、５００および５０４は、洗浄流体、水または化学物質がスクラバーボックス４５０の外部に漏れることなく、加圧できるようになる。１つの代表的な構成では、マニホルド４９２、４９６、５００および５０４は、プレキシガラスまたは他の剛性材料の中実片を穿孔することにより、形成される。チャンネル５０６（これは、図１６では、水平に配向されている）は、隣接チャンネルが頂部パネル４５４の対向側で始まるように、形成される。その後、共通の側から始まる数個のチャンネルは、交差チャンネル５０８（これは、図１６では、垂直に配向されている）により、共に「接続される」。この穿孔工程中に形成される入口穴を密封するために、プラグが使用され得る。
The
さらに、スクラバーボックス４５０は、ウエハがこのローラーボックスを出ていくとき、これらのウエハを充分にリンスしフラッシュするために、これらのウエハがこのスクラバーボックスを出ていく位置にて、流体ノズル（図示せず）を包含し得る。本発明のこの局面によれば、このスクラブステーション後リンスは、このウエハがボックス４５０を出ていくにつれて、解き放たれた粒子が、このウエハ表面に戻って沈降しないことを保証する。あるいは、スクラバーボックス４５０にて噴霧ノズルを使用する代わりに、このスクラブステーション後リンスは、このウエハがウエハトラックに入る位置にて、このトラックでの流体流れを高めることにより、達成され得る。このようにして、既存のウエハトラック配置が使用され得、それにより、余分な流体ノズルたまはスクラバーボックス４５０の必要性がなくなる。
In addition, the
望ましいなら、洗浄ステーション４００は、さらに、フッ化水素（ＨＦ）酸研磨ステーションを包含し得、これは、第二スクラブステーション４１０とリンスステーション４１２（図示せず）との間に位置している。このＨＦステーションは、このウエハをこのＨＦ酸に浸けるために、ロボットまたは他の取り扱い装置を包含し得る。このＨＦステーションから、このウエハは、水トラック４０６を経て、リンスステーション４１２へと移動する。
If desired, the cleaning
今ここで、図１８〜２１を参照して、リンスステーション４１２の構造および操作を記述する。ウエハが、第三水トラック４０６の第二ステージング領域４４４を出ていくにつれて、それらは、リンスステーション４１２により、受容される。第三水トラック４０６とリンスステーション４１２との間の空隙は、ウエハが、このリンス工程前に、それ程乾燥しないことを保証するために、比較的に小さい。一般に、リンスステーション４１２は、ウエハを連続様式で受容し、各ウエハを１種またはそれ以上のリンス溶液（例えば、脱イオン水）で充分にリンスし、そして各リンス済みウエハをロボット１１２（これは、その後、このリンス済みウエハを、回転乾燥機ステーション４１４（図７を参照）へと運搬する）による回収のために保持するように、配置される。さらに具体的には、リンスステーション４１２は、リンスリング６００を包含し、これは、好ましくは、このリンス工程中に、ウエハを保持するためのリング体６０２を包含する。リング体６０２は、流体マニホルド６０４を包含し、これは、各個の流体供給ポート６０６Ａおよび６０６Ｂと連絡している。マニホルド６０４は、有利には、複数のジェット６０８と共に配置されているが、これらは、リング体６０２の実質的に水平な面６１０の周りに、配置されている。流体供給ポート６０６は、マニホルド６０４の内部領域に流体を供給し、その結果、流体は、実質的に均一な圧力で、各個のジェット６０８から排出され、そして表面６１０により規定されたアーチの周りに、流れる。流体供給ポート６０６、マニホルド６０４およびジェット６０８の配向は、図１８ｂで最もよく見える。
Now, with reference to FIGS. 18-21, the structure and operation of the rinse
図２０および２１を特に参照すると、ウエハが第三水トラック４０６から排出されるにつれて、このウエハの移動面は、実質的に、平面６１２により規定される。図２１で最もよく見えるように、平面６１２は、リング体６０２の表面６１０により規定される水平面の僅かに上（例えば、５〜２０ ｍｍ、好ましくは、約１０ ｍｍ）にある。ジェット６０８から排出された流体（図示せず）は、この水トラックからこのリンスリングへと運搬されるにつれて、このウエハを支持する。
With particular reference to FIGS. 20 and 21, as the wafer is ejected from the
ここで図１８ａを参照すると、ウエハは、矢印６２６の方向で、第三水トラック４０６から、このリンスリングへと運搬されるとき、好ましくは、各個のウエハガイド６１４、６１６と各個のセンタリングピン６１８、６２０、６２２および６２４との相互作用により、マニホルド６０４の中心に置かれる。各ワークピースの周縁は、ウエハガイド６１４、６１６および／または１個またはそれ以上のセンタリングピン６１８〜６２４と穏やかに接触し得るものの、平坦ウエハ面とリンスリング体６０２との間の機械的な接触は、実質的に回避される。
Referring now to FIG. 18a, when a wafer is transported from the
ウエハが、このリンスリング内にて、実質的に中心にされ、そしてジェット６０８により排出された流体により支持されるとき（図１８）、このウエハは、第三水トラック４０６から完全に運搬されてこのリンスステーション内で受容されたと言われる。この時点で、リンスリング６００は、図２１で示すように、下向きに傾けられ、１０°〜５０°の範囲、最も好ましくは、約３０°の角度だけ、その水平面から逸脱する。この位置で、好ましくは、このウエハの上面および底面の両方に、層流のリンス液が供給される。さらに特定すると、第一流体ノズル６２８は、実質的に矢印６３０の方向にて、このウエハの上面で、リンス液を排出するように、配置されている。第二リンスノズル６３２は、適当には、実質的に矢印６３４の方向にて、このウエハの底面で、リンス液を排出するように、配置されている。リンスステーション４１２は、本明細書においては、傾斜可能リンスリングを有するとして記述されているものの、このリンスリングは、その水平位置から約１０〜５０°の角度、最も好ましくは、約３０°の角度で、固定され得ることが理解されるべきである。
When the wafer is substantially centered within the rinse ring and supported by the fluid discharged by the jet 608 (FIG. 18), the wafer is fully transported from the
各ウエハの上面および下面の両方を同時にリンスすることにより、処理量が高められ得る。さらに、上面リンス液供給ポート６２８を、ワークピースの上面に対して、図２１で示すように配向することにより、このワークピースの周縁もまた、効果的にリンスされ得る。好ましい実施形態では、リンス液は、０．１〜２０リットル／分の範囲の速度、最も好ましくは、約４〜５リットル／分の速度で、この頂面に適用される。同様に、リンス液は、有利には、０．１〜１０リットル／分の範囲の速度、最も好ましくは、約１．５リットル／分の速度で、この底面に適用される。
By rinsing both the upper and lower surfaces of each wafer simultaneously, throughput can be increased. Further, by orienting the top rinse
このリンス操作が完了すると、この傾斜リンスリングアセンブリは、その水平位置に戻るように操作され、そしてロボット１１２は、リンス済みウエハを回収し、そしてそれらを回転乾燥機ステーション４１４へと運搬する。図２０ｂで特に描写しているように、ロボット１１２のウェットエンドエフェクター１１８は、リンスステーション４１２に入って、リンス済みウエハを回収し、そしてそれを回転乾燥機ステーション４１４へと運搬する。あるいは、ロボット１１２は、このリンスリングが傾斜位置である状態で、このリンスリングから、リンス済みウエハを回収し得る。
When the rinse operation is complete, the tilted rinse ring assembly is operated to return to its horizontal position, and the
回転乾燥機ステーション４１４は、図２３で図示されている。回転乾燥機ステーション４１４で使用するのに適当な回転乾燥機アセンブリは、米国特許出願第０８／９２７，６６１号で充分に開示されており、そして詳細に説明されているが、この出願は、本願と同じ日に出願され、同一の譲渡人であり、その内容は、本明細書中で参考として援用されている。それゆえ、簡潔にするために、回転乾燥機ステーション４１４の操作は、以下で簡単に記述するにすぎない。
The
回転乾燥機ステーション４１４は、回転乾燥機７００を包含し、これは、シュラウドまたはシールド７０４により規定されたチャンバ７０１内に封入されている。回転乾燥機７００は、ワークピースプラットホーム７０２を包含し、これは、このプラットホームをモーター７６０により高速で回転させると、その上でウエハを確実に保持するように、配置されている。好ましくは、回転乾燥機７００の質量を少なくするために、プラットホーム７０２を通って、複数の質量低減開口部が形成されており、それにより、回転サイクルの加速および減速時間を最小にする。
The
複数の握りフィンガー７０６は、プラットホーム７０２上に配置されたウエハの縁部をロボット１１２（ウェットエンドエフェクター１１８）が掴むまたは握るように、プラットホーム７０２の外周の回りに、旋回的に取り付けられている。フィンガー７０６は、ヘッド部分７０６ａ（これは、プラットホーム７０２の上に伸長し、そしてこのウエハと噛み合う）、および柄部分７０６ｂ（これは、プラットホーム７０２の下に伸長している）を包含する。握りフィンガー７０６、または少なくとも、これらのウエハと接触する部分７０６ａは、保持されたウエハを損傷または引っ掻かないやわらかい柔軟な材料（例えば、Ｅｒｔａｌｙｔｅ）から製造される。プラットホーム７０２の下に取り付けたバネ負荷プランジャー７１０は、柄部分７０６ｂと放射状に外向きに曲げて接触し、それにより、ヘッド部分７０６ｂを放射状に内向きに移動して、握りフィンガー７０６を、握り位置または固定位置で維持する。回転乾燥機７００上に装填されたウエハは、プラットホーム７０２上には直接載らないが、その代わりに、支持ピン７０３上に載り、これらはまた、やわらかい柔軟な材料から製造される。
A plurality of
プラットホーム７０２の下に取り付けられたアクチュエータアセンブリ７１４は、これらの握りフィンガーを展開して、以下のようにして、保持したウエハを解放するのに役立つ。アセンブリ７１４は、それを空気シリンダー７５０に装着することによって、垂直に移動可能である。アクチュエータアセンブリ７１４を上方へ移動したとき、アセンブリ７１４の一部をなすカムリング７１６は、握りフィンガー７０６の柄部分７０６ｂと接触する。これらの柄部分が、カムリング７１６のカム面に沿って滑るにつれて、それらは、強制的に、放射状に内向きに旋回され、これは、次に、ヘッド部分７０６ａを放射状に外向きに旋回させて、ウエハを解放するか、またはウエハを装填するクリアランスを与える。
An
それゆえ、ロボット１１２のウェットエンドエフェクター１１８が、リンスステーション４１２から、リンス済みウエハを回収した後、それは、このウエハを、回転乾燥機７００のプラットホーム７０２上へと運搬する。握りフィンガー７０６は、このウエハが装填され正しく配置されるまで、アクチュエータアセンブリ７１４により、開放位置で保持される。エンドエフェクター１１８が離れた後、アクチュエータアセンブリ７１４は低下して、柄部分７０６ｂと接触しなくなり、また、プランジャー７１０は、再度、握りフィンガー７０６を閉鎖位置の方へと曲げて、このウエハを回転乾燥用に固定する。プラットホーム７０２は、モーター７６０により、好ましくは、約１．０秒で、およそ４，０００ ｒｐｍの速度まで加速され、その速度で、好ましくは、約２０秒間回転されて、このウエハ表面から、全ての水および他の微粒子を除去し、次いで、好ましくは、約１．０秒で、停止状態まで減速される。
Therefore, after the
回転中、プラットホーム７０２上で保持されたウエハに加えられる遠心力は、水滴を、このウエハ表面から、放射状に外向きに引き、除く。この乾燥工程を増進するために、強制空気のカラム（ａ ｃｏｌｕｍｎ ｏｆ ｆｏｒｃｅｄ ａｉｒ）を、このウエハ上面を横切って配向するように、シールド７０４の上に、空気流モジュールが取り付けられ得る。
During rotation, the centrifugal force applied to the wafer held on the
一旦、回転乾燥が完了すると、アクチュエータアセンブリ７１４は、再度、上向きに移動されて、柄部分７０６ｂと噛み合い、そして上記のように、握りフィンガー７０６を解放位置に移動させる。アセンブリ７１４は、乾燥したウエハがロボット１１２のドライエンドエフェクター１１６により回収されて回転乾燥機ステーション４１４から取り除かれるまで、この位置で維持される。ロボット１１２は、次いで、この乾燥したウエハを、このウエハを取り出したカセットのスロットへと戻す。
Once spin drying is complete, the
機械１０の操作中にて、このＣＭＰステーション、リンスステーション、水トラック、および洗浄ステーションのスクラバーボックスには、種々の流体を供給する必要がある。さらに、この洗浄操作中にて、このスクラバーボックスには、複数の異なる流体（例えば、３種）を供給する必要がある場合がある。機械１０は、好ましくは、これらの種々の操作に対して、所望の体積流速が供給され、この流速は、下記のように、流体供給圧の変化による影響は、実質的に受けないように、配置される。
During operation of the
今ここで、図２２を参照すると、代表的な流体制御スキーム８００が図示されている。「流体部位」８０２と命名したボックスは、リンスステーション４１２、スクラバーボックス４５０中の流体入口ポート、またはウエハリンス供給ポートを包含し得る。機械１０に付随したプロセス制御装置（または数個のプロセス制御装置の１個）８０４を操作することにより、流体部位８０２への流体の体積流速は、その流体供給圧の変動があるにもかかわらず、正確に制御し得る。
Now referring to FIG. 22, an exemplary
制御スキーム８００は、さらに、流体源８０６、流量計８０８、ポンプ８１０、ポンプ制御装置８１２、およびプロセッサ８０４を包含し、この流体源は、所望の処理流体の供給を保持するためにあり、このポンプは、この流体の流れを制御するためにあり、そしてこのポンプ制御装置は、ポンプ８１０にポンプ制御信号を与えるためにある。本発明の１実施形態によれば、適当なポンプは、蠕動ポンプモデル番号０７０１５−２１（これは、ＭａｓｔｅｒＦｌｅｘ社（Ｖｅｒｎｏｎ Ｈｉｌｌｓ， Ｉｌｌｉｎｏｉｓ）により、製造された）を包含し得る。ポンプ制御装置８１２は、使用するポンプと適合する任意の適当なポンプ制御装置を包含し得る。あるいは、ポンプ制御装置８１２は、なくしてもよく、システムプロセッサ８０４は、このポンプ制御装置として、機能し得る。流量計８０８は、好ましくは、非接触流量計（例えば、Ｍａｌｅｍａ社（Ｓａｎ Ｒａｍｏｎ， Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）から入手できる製品モデル番号Ｍ−１００００）である。
The
流量計８０８を通って流体部位８０２へと流れる所望の流速は、機械１０の操作前（または操作中）にて、プロセッサ８０４にプログラム化される。操作中にて、流量計８０８は、電気信号８１４を出力するが、これは、流量計８０８を通って部位８０２へと流れる実際の流速を表示している。プロセッサ８０４は、電気信号８１４を受容し、それに応答して、この実際の流速を、所望の設定値流速から所定範囲内で維持するために、必要に応じて、ポンプ制御装置８１２がポンプ８１０を調節するようにし向ける。
The desired flow rate that flows through the
さらに特定すると、もし、流量計８０８から得た実際の流速が、信号８１４により示されているように、この設定値から、所定のエラー変動幅より大きく逸脱しているなら、プロセッサ８０４は、電気信号８１６をポンプ制御装置８１２へと出力する。ポンプ制御装置８１２は、次いで、信号８１８をポンプ８１０へと送り、それにより、流量計８０８を通る実際の流速と所望の流速との間の誤差を最小にするのに必要な量でこのポンプ速度を変えるように、このポンプをし向ける。好ましくは、この機能を行うために、プロセッサ８０４により、リアルタイムの閉鎖ループＰＩＤ制御スキームが使用される。
More particularly, if the actual flow rate obtained from the
本発明で使用され得る代表的な流体流れ制御システムの論述については、米国特許出願第０８／７２０，７４４号（これは、１９９６年１０月２日に出願され、そして「Ｍｅｔｈｏｄｓ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ Ｆｏｒ Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ ａｎｄ Ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｔｏ ａ ＣＭＰ Ｍａｃｈｉｎｅ」の表題である）、および米国暫定特許出願第６０／０５４，７６４号（これは、１９９７年８月５日に出願され、そして「Ｃｌｏｓｅｄ Ｌｏｏｐ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｐｏｓｔ−ＣＭＰ Ｃｌｅａｎｅｒｓ」の表題である）（これらの両方は、本願と同一の譲渡人であり、その内容は、本明細書中で参考として援用されている）を参照せよ。 For a discussion of representative fluid flow control systems that can be used in the present invention, see US patent application Ser. No. 08 / 720,744 (filed Oct. 2, 1996 and “Methods and Apparatus For Measuring and” ‘Dispensing Processing Solution to a CMP Machine’, and US Provisional Patent Application No. 60 / 054,764 (filed Aug. 5, 1997 and “Closed Loop Flow System Post- (CMP Cleaners) (both of which are the same assignee as the present application, the contents of which are incorporated herein by reference).
装填／取出ステーション１００および洗浄ステーション４００は、好ましくは、１〜１０等級のクリーンルーム環境で維持される。それゆえ、装填／取出ステーション１００および洗浄ステーション４００のハウジングは、気密シールを包含し、そして整列ステーション２００およびＣＭＰステーション３００で出ていく汚染粒子がこのクリーンルーム環境に入らないように、装填／取出ステーション１００および洗浄ステーション４００から整列ステーション２００内への正の空気流を使用すべきである。
The loading /
操作者が、機械１０をモニターし、再構成し、修理し、そうでなければ、操作するために、タッチスクリーンディスプレイ（図示せず）が使用され得る。さらに特定すると、タッチスクリーンディスプレイパネルは、上記機械１０の種々の操作上の特徴の図式的な描写を、好ましくは、三次元で表示するように、配置され得る。例えば、もし、操作者が、装填ステーション１００に新しいカセットを装填することを望んでいるなら、操作者は、このタッチスクリーンディスプレイ上の、装填ステーション１００を表わす図式的アイコンを押し得る。このタッチスクリーンディスプレイは、次いで、操作者を質問によって促し得、または単に、操作者を許容し得て、このカセット装填機能に付随したドアに触れさせ、それにより、このドアを開ける。この型のタッチスクリーン相互作用は、事実上、本明細書中で記述した機械１０の任意の局面に適用され得る。
A touch screen display (not shown) may be used by an operator to monitor, reconfigure, repair, or otherwise operate the
これらの水トラックおよび種々の処理ステーションにて、センサ４２０を使用する代わりに、ウエハが洗浄ステーション４００を通って移動するにつれて、このウエハを追跡するために、また、この洗浄工程中にて、エラー、遅延、ウエハ破損などが起こったかどうかおよびいつ起こったかを検出するために、視覚システムが使用できる。このカセット内のこれらのウエハの位置をマッピングする視覚システムと同様に、この目標のために、Ａｃｕｉｔｙ Ｉｍａｇｉｎｇ Ｉｎｃ．からのＩＶＳ Ｅｘｐｒｅｓｓ視覚システムが使用できる。
Instead of using the
本発明は、添付の図面で図示した特定の実施形態に関連して、記述したものの、本発明は、そのようには限定されないことが分かる。添付の特許請求の範囲で示した本発明の精神および範囲から逸脱することなく、問題の研磨、洗浄、リンスおよび乾燥システムの配置および実行の際に、変更を行い得る。 Although the present invention has been described in connection with the specific embodiments illustrated in the accompanying drawings, it will be understood that the invention is not so limited. Changes may be made in the placement and implementation of the polishing, cleaning, rinsing and drying systems in question without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the appended claims.
１０ 機械
１０２ プラットホーム
１１２ ロボット
２０２ 整列テーブル
３０２ 研磨テーブル
２１２ フリッパー
１００ 装填／取出ステーション
４００ 洗浄ステーション
４０８、４１０ スクラブステーション
４１２ リンスステーション
４１４ 回転乾燥機ステーション
４０２、４０４、４０６ 水トラック
10
Claims (45)
装填／取出ステーションであって、該装填／取出ステーションは、研磨、洗浄、リンスおよび乾燥すべきワークピースのカセットを受容するための複数のプラットホームを有する、装填／取出ステーション；
第一運搬手段であって、該カセットから該ワークピースを回収するための、第一運搬手段；
整列ステーションであって、該第一運搬手段から未研磨ワークピースを受容するため、およびさらに処理する前に研磨済みワークピースを保持するための、整列ステーション；
研磨ステーションであって、未研磨ワークピースを研磨するための、研磨ステーション；
第二運搬手段であって、未研磨ワークピースを該整列ステーションから該研磨ステーションへと運搬するため、および研磨済みワークピースを該整列ステーションへと運搬するための、第二運搬手段；
洗浄ステーションであって、研磨済みワークピースを洗浄、リンスおよび乾燥するための、洗浄ステーション；
第三運搬手段であって、研磨済みワークピースを該整列ステーションから該洗浄ステーションへと運搬するための、該第三運搬手段；
第四運搬手段であって、洗浄し、リンスしそして乾燥したワークピースを該洗浄ステーションから該カセットへと戻すための、該第四運搬手段；および
マッピングシステムであって、該カセット内での各ワークピースの位置および場所をモニターするための、該マッピングシステム、
を備える、一体化機械。 An integrated machine for polishing, cleaning, rinsing and drying a workpiece, the machine comprising:
A loading / unloading station having a plurality of platforms for receiving cassettes of workpieces to be polished, cleaned, rinsed and dried;
First conveying means for recovering the workpiece from the cassette;
An alignment station for receiving an unground workpiece from the first transport means and holding the polished workpiece prior to further processing;
A polishing station for polishing an unpolished workpiece;
Second transport means for transporting unpolished workpieces from the alignment station to the polishing station and transporting polished workpieces to the alignment station;
A cleaning station for cleaning, rinsing and drying the polished workpiece;
A third transport means for transporting the polished workpiece from the alignment station to the cleaning station;
A fourth transport means for returning the cleaned, rinsed and dried workpieces from the cleaning station to the cassette; and a mapping system comprising: The mapping system for monitoring the position and location of the workpiece;
An integrated machine.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/926,700 US6213853B1 (en) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002346451A Division JP2003224097A (en) | 1997-09-10 | 2002-11-28 | Combined cmp and wafer cleaning apparatus and related method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005322936A true JP2005322936A (en) | 2005-11-17 |
Family
ID=25453584
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000511187A Expired - Fee Related JP3417925B2 (en) | 1997-09-10 | 1998-09-10 | Combined CMP and wafer cleaning tool and related method |
| JP2002346451A Withdrawn JP2003224097A (en) | 1997-09-10 | 2002-11-28 | Combined cmp and wafer cleaning apparatus and related method |
| JP2005160560A Withdrawn JP2005322936A (en) | 1997-09-10 | 2005-05-31 | Combined chemical mechanical polishing, wafer cleaning implement, and related method |
| JP2006122733A Withdrawn JP2006216988A (en) | 1997-09-10 | 2006-04-26 | Combined cmp (chemical mechanical polishing), wafer cleaning instrument, and its related method |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000511187A Expired - Fee Related JP3417925B2 (en) | 1997-09-10 | 1998-09-10 | Combined CMP and wafer cleaning tool and related method |
| JP2002346451A Withdrawn JP2003224097A (en) | 1997-09-10 | 2002-11-28 | Combined cmp and wafer cleaning apparatus and related method |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006122733A Withdrawn JP2006216988A (en) | 1997-09-10 | 2006-04-26 | Combined cmp (chemical mechanical polishing), wafer cleaning instrument, and its related method |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US6213853B1 (en) |
| EP (1) | EP1012876A2 (en) |
| JP (4) | JP3417925B2 (en) |
| KR (1) | KR20010023908A (en) |
| TW (1) | TW432446B (en) |
| WO (1) | WO1999013498A2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090127086A (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| KR20130129113A (en) | 2012-05-17 | 2013-11-27 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate cleaning apparatus |
| JP2015138856A (en) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 株式会社ディスコ | Cutting device |
| KR20160043940A (en) * | 2008-06-04 | 2016-04-22 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| KR20160150601A (en) | 2015-06-22 | 2016-12-30 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Apparatus and method for drying wafer |
Families Citing this family (115)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5885138A (en) * | 1993-09-21 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US6004828A (en) * | 1997-09-30 | 1999-12-21 | Semitool, Inc, | Semiconductor processing workpiece support with sensory subsystem for detection of wafers or other semiconductor workpieces |
| US6213853B1 (en) * | 1997-09-10 | 2001-04-10 | Speedfam-Ipec Corporation | Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces |
| JP3615931B2 (en) * | 1998-03-26 | 2005-02-02 | 株式会社荏原製作所 | Polishing apparatus and conditioning method in the polishing apparatus |
| WO2000023230A1 (en) * | 1998-10-19 | 2000-04-27 | Speedfam-Ipec Corporation | Catastrophic error recovery apparatus and associated methods |
| US20010047810A1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-12-06 | Jeff Farber | High rpm megasonic cleaning |
| KR100510066B1 (en) * | 1999-06-30 | 2005-08-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for monitoring error of stocker in semiconductor manufacturing line |
| WO2001012384A2 (en) * | 1999-08-12 | 2001-02-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Apparatus for moving a workpiece |
| US6537416B1 (en) * | 1999-10-01 | 2003-03-25 | Novellus Systems, Inc. | Wafer chuck for use in edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| US7780867B1 (en) * | 1999-10-01 | 2010-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| US6636626B1 (en) * | 1999-11-30 | 2003-10-21 | Wafermasters, Inc. | Wafer mapping apparatus and method |
| WO2001064391A2 (en) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Applied Materials, Inc. | Planarization system with a wafer transfer corridor and multiple polishing modules |
| US6662070B1 (en) * | 2000-03-08 | 2003-12-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Wafer rotation randomization in cluster tool processing |
| JP3556148B2 (en) * | 2000-03-23 | 2004-08-18 | 株式会社東京精密 | Wafer polishing equipment |
| JP3510177B2 (en) * | 2000-03-23 | 2004-03-22 | 株式会社東京精密 | Wafer polishing equipment |
| US6435941B1 (en) * | 2000-05-12 | 2002-08-20 | Appllied Materials, Inc. | Apparatus and method for chemical mechanical planarization |
| US20040079633A1 (en) * | 2000-07-05 | 2004-04-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electro chemical deposition of copper metallization with the capability of in-situ thermal annealing |
| US6634930B1 (en) * | 2000-08-09 | 2003-10-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd | Method and apparatus for preventing metal corrosion during chemical mechanical polishing |
| US6460414B1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-10-08 | Sonoscan, Inc. | Automated acoustic micro imaging system and method |
| KR20020053584A (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-05 | 한효용 | Rinse Device of Saw system |
| WO2002067481A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-08-29 | University Of Maryland, Baltimore County | Widely tunable and integrated optical system and method |
| US6748961B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-06-15 | Lam Research Corporation | Angular spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same |
| US6530736B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-03-11 | Asyst Technologies, Inc. | SMIF load port interface including smart port door |
| US7121919B2 (en) | 2001-08-30 | 2006-10-17 | Micron Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing system and process |
| US6638145B2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-10-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Constant pH polish and scrub |
| US6586336B2 (en) | 2001-08-31 | 2003-07-01 | Oriol, Inc. | Chemical-mechanical-polishing station |
| US20030098069A1 (en) * | 2001-11-26 | 2003-05-29 | Sund Wesley E. | High purity fluid delivery system |
| JP2003209075A (en) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Speedfam Co Ltd | System and control method for polishing wafer edge |
| US20060255016A1 (en) * | 2002-01-17 | 2006-11-16 | Novellus Systems, Inc. | Method for polishing copper on a workpiece surface |
| US20030134576A1 (en) * | 2002-01-17 | 2003-07-17 | Saket Chadda | Method for polishing copper on a workpiece surface |
| US6831436B2 (en) | 2002-04-22 | 2004-12-14 | Jose Raul Gonzalez | Modular hybrid multi-axis robot |
| US6875076B2 (en) | 2002-06-17 | 2005-04-05 | Accretech Usa, Inc. | Polishing machine and method |
| US7131333B2 (en) * | 2002-07-16 | 2006-11-07 | Sonix, Inc. | Pulse echo ultrasonic test chamber for tray production system |
| US7181969B2 (en) * | 2002-07-16 | 2007-02-27 | Sonix, Inc. | Ultrasonic test chamber for tray production system and the like |
| FR2842755B1 (en) * | 2002-07-23 | 2005-02-18 | Soitec Silicon On Insulator | RINSING WITH A SURFACE SOLUTION AFTER MECHANICAL CHEMICAL PLANARIZATION OF A WAFER |
| US6804579B1 (en) * | 2002-10-16 | 2004-10-12 | Abb, Inc. | Robotic wash cell using recycled pure water |
| JP3916148B2 (en) | 2002-11-15 | 2007-05-16 | Ｔｄｋ株式会社 | Wafer processing apparatus with wafer mapping function |
| US6916233B2 (en) * | 2002-11-28 | 2005-07-12 | Tsc Corporation | Polishing and cleaning compound device |
| US6957154B2 (en) * | 2003-02-03 | 2005-10-18 | Qcept Technologies, Inc. | Semiconductor wafer inspection system |
| US7308367B2 (en) * | 2003-02-03 | 2007-12-11 | Qcept Technologies, Inc. | Wafer inspection system |
| US7107158B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-09-12 | Qcept Technologies, Inc. | Inspection system and apparatus |
| US7103482B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-09-05 | Qcept Technologies, Inc. | Inspection system and apparatus |
| US7013732B2 (en) * | 2003-02-19 | 2006-03-21 | Sonix, Inc. | Method and apparatus for temperature-controlled ultrasonic inspection |
| US20040221871A1 (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-11 | Fletcher Matthew F. | Semiconductor wafer processing apparatus and method therefor |
| DE10329868A1 (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-20 | Dynamic Microsystems Semiconductor Equipment Gmbh | Storage system for wafers |
| WO2005006409A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Rena Sondermaschinen Gmbh | Device for cleaning wafers after a cmp process |
| WO2005012853A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-02-10 | Qcept Technologies, Inc. | Measurement of motions of rotating shafts using non-vibrating contact potential difference sensor |
| US20050069399A1 (en) * | 2003-08-12 | 2005-03-31 | Chih-Ming Hsieh | Apparatus and method for dry-loading of substrates in scrubber cleaner |
| US20050061775A1 (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-24 | Kuo-Tang Hsu | Novel design to eliminate wafer sticking |
| KR100621620B1 (en) * | 2003-12-03 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | Wafer transporter and polishing apparatus comprising the same |
| KR100808798B1 (en) * | 2003-12-31 | 2008-02-29 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Equipment for wet cleaning process |
| US7661315B2 (en) * | 2004-05-24 | 2010-02-16 | Sonix, Inc. | Method and apparatus for ultrasonic scanning of a fabrication wafer |
| US7182673B2 (en) * | 2004-06-29 | 2007-02-27 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for post-CMP cleaning of a semiconductor work piece |
| US7229339B2 (en) * | 2004-07-02 | 2007-06-12 | Novellus Systems, Inc. | CMP apparatus and method |
| US7249992B2 (en) * | 2004-07-02 | 2007-07-31 | Strasbaugh | Method, apparatus and system for use in processing wafers |
| JP4012189B2 (en) | 2004-10-26 | 2007-11-21 | Ｔｄｋ株式会社 | Wafer detection device |
| KR100820560B1 (en) | 2004-12-03 | 2008-04-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | CMP equipment and stabilization thereof |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US20060130767A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
| WO2006089307A2 (en) | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Irobot Corporation | Autonomous surface cleaning robot for wet and dry cleaning |
| JP2007005582A (en) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Asm Japan Kk | Substrate transfer apparatus and semiconductor substrate manufacturing apparatus mounted with the same |
| TWI397969B (en) * | 2005-07-11 | 2013-06-01 | Brooks Automation Inc | Process apparatus with on-the-fly workpiece centering |
| US7172496B1 (en) * | 2005-08-17 | 2007-02-06 | Agere Systems, Inc. | Method and apparatus for cleaning slurry depositions from a water carrier |
| US7549204B1 (en) | 2005-11-30 | 2009-06-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Methods for picking and placing workpieces into small form factor hard disk drives |
| US8054752B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-11-08 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Synchronous data communication |
| US20070281589A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Rotational alignment mechanism for load cups |
| US8100081B1 (en) | 2006-06-30 | 2012-01-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge removal of films using externally generated plasma species |
| US7917317B2 (en) * | 2006-07-07 | 2011-03-29 | Sonix, Inc. | Ultrasonic inspection using acoustic modeling |
| US7690881B2 (en) * | 2006-08-30 | 2010-04-06 | Asm Japan K.K. | Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus |
| KR100790817B1 (en) * | 2006-12-06 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | System for managing semiconductor divice manufacturing equipment |
| US7694688B2 (en) | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
| US7659734B2 (en) * | 2007-03-07 | 2010-02-09 | Qcept Technologies, Inc. | Semiconductor inspection system and apparatus utilizing a non-vibrating contact potential difference sensor and controlled illumination |
| US7811153B1 (en) * | 2007-03-30 | 2010-10-12 | Novellus Systems, Inc. | High throughput servo load cup with integrated wet chemistry delivery |
| US9732416B1 (en) | 2007-04-18 | 2017-08-15 | Novellus Systems, Inc. | Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction |
| US20080279672A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods of stack to array work-piece transfer for photovoltaic factory |
| US20080279658A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods within equipment work-piece transfer for photovoltaic factory |
| US7496423B2 (en) * | 2007-05-11 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Method of achieving high productivity fault tolerant photovoltaic factory with batch array transfer robots |
| US20080292433A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-27 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods of array to array work-piece transfer for photovoltaic factory |
| US7909677B2 (en) * | 2007-05-14 | 2011-03-22 | United Microelectronics Corp. | Method of transferring a wafer |
| US7794194B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-09-14 | Seagate Technology Llc | Pick and place work piece flipper |
| US7900526B2 (en) * | 2007-11-30 | 2011-03-08 | Qcept Technologies, Inc. | Defect classification utilizing data from a non-vibrating contact potential difference sensor |
| MY144526A (en) * | 2008-04-18 | 2011-09-30 | Khoo Hun Sniah | Semiconductor die sorter for wafer level packaging |
| CN101990703B (en) * | 2008-04-25 | 2012-11-21 | 应用材料公司 | High throughput chemical mechanical polishing system |
| US7752000B2 (en) * | 2008-05-02 | 2010-07-06 | Qcept Technologies, Inc. | Calibration of non-vibrating contact potential difference measurements to detect surface variations that are perpendicular to the direction of sensor motion |
| US8419964B2 (en) * | 2008-08-27 | 2013-04-16 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| US8180487B1 (en) | 2008-09-30 | 2012-05-15 | Western Digital Technologies, Inc. | Calibrated vision based robotic system |
| DE102008055889A1 (en) | 2008-11-05 | 2010-01-14 | Siltronic Ag | Semiconductor wafer i.e. silicon wafer, treating method for producing microelectronic component, involves transporting semiconductor wafer away from output opening of liquid container in transporting direction by transporting device |
| US8135208B1 (en) | 2009-01-15 | 2012-03-13 | Western Digital Technologies, Inc. | Calibrated vision based robotic system utilizing upward and downward looking cameras |
| US8172646B2 (en) * | 2009-02-27 | 2012-05-08 | Novellus Systems, Inc. | Magnetically actuated chuck for edge bevel removal |
| US8746270B2 (en) * | 2010-02-10 | 2014-06-10 | Brg Industries Incorporated | Precision low flow rate fluid delivery system and methods for controlling same |
| CN102049730B (en) * | 2010-12-29 | 2012-02-15 | 清华大学 | Wafer replacing device used in chemical mechanical polishing equipment |
| TWI564988B (en) | 2011-06-03 | 2017-01-01 | Ｔｅｌ Ｎｅｘｘ公司 | Parallel and single substrate processing system |
| TWI456684B (en) * | 2011-06-29 | 2014-10-11 | Grand Plastic Technology Co Ltd | An apparatus of wet processor with wafer cassette automatically transfering from a spin dryer |
| WO2013052520A1 (en) * | 2011-10-03 | 2013-04-11 | Denton Vacuum, L.L.C. | Semiconductor wafer treatment system |
| US20130115862A1 (en) * | 2011-11-09 | 2013-05-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing platform architecture |
| US9013176B2 (en) * | 2012-01-27 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for sensing a substrate in a load cup |
| US20130199405A1 (en) * | 2012-02-08 | 2013-08-08 | Applied Materials, Inc. | Circular track actuator system |
| US20140080229A1 (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Stmicroelectronics, Inc. | Adaptive semiconductor processing using feedback from measurement devices |
| US9282867B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-03-15 | Irobot Corporation | Autonomous coverage robot |
| US9483055B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-11-01 | Irobot Corporation | Autonomous coverage robot |
| JP2015201598A (en) * | 2014-04-10 | 2015-11-12 | 株式会社荏原製作所 | Substrate processor |
| JP6339909B2 (en) * | 2014-09-17 | 2018-06-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| WO2016123713A1 (en) * | 2015-02-04 | 2016-08-11 | Ats Automation Tooling Systems Inc. | System and method for testing or calibrating in a pressurized and/or wet environment |
| WO2016181466A1 (en) * | 2015-05-11 | 2016-11-17 | 株式会社安川電機 | Dispensing system, controller, and control method |
| KR102440321B1 (en) * | 2015-09-04 | 2022-09-06 | 삼성전자주식회사 | method for treating substrate |
| CN106541329B (en) * | 2015-09-16 | 2019-01-01 | 泰科电子(上海)有限公司 | Integrated equipment |
| JP6745673B2 (en) * | 2016-08-05 | 2020-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Semiconductor system |
| TW201812893A (en) * | 2016-08-26 | 2018-04-01 | 美商應用材料股份有限公司 | Chemical mechanical polishing tool with robot access to cassettes |
| US10357861B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-23 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Magnetic sample holder for abrasive operations and related methods |
| CN108466118B (en) * | 2018-03-14 | 2019-11-05 | 郑州工程技术学院 | A kind of numerical control processing management system and method based on Internet of Things |
| CN109230533B (en) * | 2018-09-03 | 2024-03-19 | 郑州福耀玻璃有限公司 | Uninterrupted baking and bending line for automobile glass |
| CN109822419A (en) * | 2019-03-04 | 2019-05-31 | 天通日进精密技术有限公司 | Wafer transfer device and wafer transfer method |
| CN110767587B (en) * | 2019-10-21 | 2022-04-01 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | Wafer processing device and loading and unloading method |
| CN113035751B (en) * | 2021-03-02 | 2022-08-19 | 桂林雷光科技有限公司 | Chip rotating device of stress-relief etching machine and equipment thereof |
| US20220310424A1 (en) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | Applied Materials, Inc. | Automated dry-in dry-out dual side polishing of silicon substrates with integrated spin rinse dry and metrology |
Family Cites Families (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3939514A (en) | 1974-11-11 | 1976-02-24 | Kayex Corporation | Apparatus for cleaning thin, fragile wafers of a material |
| US4141180A (en) | 1977-09-21 | 1979-02-27 | Kayex Corporation | Polishing apparatus |
| US4313266A (en) | 1980-05-01 | 1982-02-02 | The Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for drying wafers |
| US4680893A (en) | 1985-09-23 | 1987-07-21 | Motorola, Inc. | Apparatus for polishing semiconductor wafers |
| US4653231A (en) | 1985-11-01 | 1987-03-31 | Motorola, Inc. | Polishing system with underwater Bernoulli pickup |
| US4811522A (en) | 1987-03-23 | 1989-03-14 | Gill Jr Gerald L | Counterbalanced polishing apparatus |
| US4851101A (en) | 1987-09-18 | 1989-07-25 | Varian Associates, Inc. | Sputter module for modular wafer processing machine |
| JPH02250324A (en) | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device and cleaning apparatus used therefor |
| US5357645A (en) | 1989-04-09 | 1994-10-25 | System Seiko Co., Ltd. | Apparatus for cleaning and drying hard disk substrates |
| JP2683940B2 (en) | 1989-08-09 | 1997-12-03 | 信越半導体 株式会社 | Automatic work cleaning device |
| JPH0411728A (en) * | 1990-04-30 | 1992-01-16 | Seiichiro Sogo | Washer for semiconductor wafer |
| US5203360A (en) | 1990-12-17 | 1993-04-20 | Seagate Technology, Inc. | Disc washing system |
| DE4100526A1 (en) | 1991-01-10 | 1992-07-16 | Wacker Chemitronic | DEVICE AND METHOD FOR AUTOMATICALLY SEPARATING STACKED DISCS |
| JPH0615565A (en) | 1991-12-18 | 1994-01-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Automatic wafer lapping machine |
| US5329732A (en) | 1992-06-15 | 1994-07-19 | Speedfam Corporation | Wafer polishing method and apparatus |
| US5498199A (en) | 1992-06-15 | 1996-03-12 | Speedfam Corporation | Wafer polishing method and apparatus |
| JPH0663862A (en) | 1992-08-22 | 1994-03-08 | Fujikoshi Mach Corp | Polishing device |
| JP2655975B2 (en) | 1992-09-18 | 1997-09-24 | 三菱マテリアル株式会社 | Wafer polishing equipment |
| US5442828A (en) | 1992-11-30 | 1995-08-22 | Ontrak Systems, Inc. | Double-sided wafer scrubber with a wet submersing silicon wafer indexer |
| US5605428A (en) * | 1993-03-05 | 1997-02-25 | Jenoptik Gmbh | Device for indexing magazine compartments and wafer-shaped objects in the compartments |
| JP2513426B2 (en) | 1993-09-20 | 1996-07-03 | 日本電気株式会社 | Wafer polishing machine |
| KR100390293B1 (en) | 1993-09-21 | 2003-09-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | Polishing device |
| US5565034A (en) * | 1993-10-29 | 1996-10-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate |
| US5649854A (en) | 1994-05-04 | 1997-07-22 | Gill, Jr.; Gerald L. | Polishing apparatus with indexing wafer processing stations |
| US5605487A (en) | 1994-05-13 | 1997-02-25 | Memc Electric Materials, Inc. | Semiconductor wafer polishing appartus and method |
| ATE186001T1 (en) | 1994-08-09 | 1999-11-15 | Ontrak Systems Inc | LINEAR POLISHER AND WAFER PLANARISATION PROCESS |
| US5571337A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Yieldup International | Method for cleaning and drying a semiconductor wafer |
| US5655954A (en) | 1994-11-29 | 1997-08-12 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Polishing apparatus |
| US5522965A (en) | 1994-12-12 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Compact system and method for chemical-mechanical polishing utilizing energy coupled to the polishing pad/water interface |
| JP3044277B2 (en) * | 1994-12-21 | 2000-05-22 | 信越半導体株式会社 | Wafer cleaning and cleaning / drying equipment |
| US5554065A (en) | 1995-06-07 | 1996-09-10 | Clover; Richmond B. | Vertically stacked planarization machine |
| US6360144B1 (en) * | 1995-07-10 | 2002-03-19 | Newport Corporation | Self-teaching robot arm position method |
| KR100487590B1 (en) | 1995-08-21 | 2005-08-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Polishing device |
| US6481956B1 (en) * | 1995-10-27 | 2002-11-19 | Brooks Automation Inc. | Method of transferring substrates with two different substrate holding end effectors |
| EP0793261B1 (en) | 1996-02-28 | 2005-01-05 | Ebara Corporation | Robotic transport apparatus having a guard against water |
| TW363903B (en) | 1996-03-11 | 1999-07-11 | Memc Electronic Materials Spa | Apparatus for use in automatically cleaning semiconductor wafers and methods for drying a semiconductor wafer in the automatic drying machine |
| JP3696690B2 (en) | 1996-04-23 | 2005-09-21 | 不二越機械工業株式会社 | Wafer polisher system |
| US5904611A (en) | 1996-05-10 | 1999-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Precision polishing apparatus |
| US6012966A (en) * | 1996-05-10 | 2000-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Precision polishing apparatus with detecting means |
| EP1281476A3 (en) | 1996-05-16 | 2003-08-13 | Ebara Corporation | Method for polishing workpieces and apparatus therefor |
| US5679055A (en) * | 1996-05-31 | 1997-10-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Automated wafer lapping system |
| US6221171B1 (en) * | 1996-06-04 | 2001-04-24 | Ebara Corporation | Method and apparatus for conveying a workpiece |
| US5779799A (en) * | 1996-06-21 | 1998-07-14 | Micron Technology, Inc. | Substrate coating apparatus |
| US5950327A (en) * | 1996-07-08 | 1999-09-14 | Speedfam-Ipec Corporation | Methods and apparatus for cleaning and drying wafers |
| US6021380A (en) * | 1996-07-09 | 2000-02-01 | Scanis, Inc. | Automatic semiconductor wafer sorter/prober with extended optical inspection |
| KR100202659B1 (en) | 1996-07-09 | 1999-06-15 | 구본준 | Apparatus for chemical mechanical polishing semiconductor wafer |
| US6082949A (en) * | 1996-10-11 | 2000-07-04 | Asyst Technologies, Inc. | Load port opener |
| JPH10242110A (en) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | Method and device for rotational treatment |
| US6275744B1 (en) * | 1997-08-01 | 2001-08-14 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate feed control |
| US6213853B1 (en) * | 1997-09-10 | 2001-04-10 | Speedfam-Ipec Corporation | Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces |
| US5957764A (en) * | 1997-11-05 | 1999-09-28 | Aplex, Inc. | Modular wafer polishing apparatus and method |
| JPH11195687A (en) * | 1997-12-27 | 1999-07-21 | Nippon Seiko Kk | Substrate transportation device |
| JPH11204615A (en) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Speedfam Co Ltd | Wafer loading and unloading mechanism of loading robot |
| US5954888A (en) * | 1998-02-09 | 1999-09-21 | Speedfam Corporation | Post-CMP wet-HF cleaning station |
| US6057662A (en) * | 1998-02-25 | 2000-05-02 | Applied Materials, Inc. | Single motor control for substrate handler in processing system |
-
1997
- 1997-09-10 US US08/926,700 patent/US6213853B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-09-10 EP EP98946024A patent/EP1012876A2/en not_active Withdrawn
- 1998-09-10 KR KR1020007002594A patent/KR20010023908A/en not_active Application Discontinuation
- 1998-09-10 JP JP2000511187A patent/JP3417925B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-10 WO PCT/US1998/018897 patent/WO1999013498A2/en not_active Application Discontinuation
- 1998-09-11 TW TW087115107A patent/TW432446B/en not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-03-02 US US09/517,714 patent/US6852007B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-02 US US09/517,719 patent/US6390897B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-02 US US09/518,158 patent/US6520839B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-02 US US09/518,157 patent/US6227946B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-13 US US09/525,315 patent/US6364745B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-17 US US09/573,621 patent/US6350177B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-11-28 JP JP2002346451A patent/JP2003224097A/en not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-05-31 JP JP2005160560A patent/JP2005322936A/en not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-04-26 JP JP2006122733A patent/JP2006216988A/en not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090127086A (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| KR20160043940A (en) * | 2008-06-04 | 2016-04-22 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| US9358662B2 (en) | 2008-06-04 | 2016-06-07 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| KR101725268B1 (en) * | 2008-06-04 | 2017-04-10 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| KR101958874B1 (en) * | 2008-06-04 | 2019-03-15 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| KR20130129113A (en) | 2012-05-17 | 2013-11-27 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate cleaning apparatus |
| JP2015138856A (en) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 株式会社ディスコ | Cutting device |
| KR20160150601A (en) | 2015-06-22 | 2016-12-30 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Apparatus and method for drying wafer |
| US10229841B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-03-12 | Ebara Corporation | Wafer drying apparatus and wafer drying method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006216988A (en) | 2006-08-17 |
| JP2003224097A (en) | 2003-08-08 |
| WO1999013498A2 (en) | 1999-03-18 |
| TW432446B (en) | 2001-05-01 |
| US6852007B1 (en) | 2005-02-08 |
| WO1999013498A3 (en) | 1999-06-03 |
| JP3417925B2 (en) | 2003-06-16 |
| US6227946B1 (en) | 2001-05-08 |
| US6350177B1 (en) | 2002-02-26 |
| US6390897B1 (en) | 2002-05-21 |
| EP1012876A2 (en) | 2000-06-28 |
| WO1999013498A8 (en) | 1999-09-23 |
| US6364745B1 (en) | 2002-04-02 |
| US6520839B1 (en) | 2003-02-18 |
| JP2001516152A (en) | 2001-09-25 |
| US6213853B1 (en) | 2001-04-10 |
| KR20010023908A (en) | 2001-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005322936A (en) | Combined chemical mechanical polishing, wafer cleaning implement, and related method | |
| US6368183B1 (en) | Wafer cleaning apparatus and associated wafer processing methods | |
| US6887124B2 (en) | Method of polishing and cleaning substrates | |
| KR100552009B1 (en) | Polishing apparatus | |
| KR100472959B1 (en) | Semiconductor wafer planarization equipment having improving wafer unloading structure | |
| US20070004316A1 (en) | Integrated system for processing semiconductor wafers | |
| TW387093B (en) | Methods and apparatus for cleaning, rinsing, and drying wafers | |
| CN110610848A (en) | Substrate processing method | |
| US7229339B2 (en) | CMP apparatus and method | |
| JP2007301690A (en) | Polishing device | |
| JP4271267B2 (en) | Substrate processing method | |
| US7021323B1 (en) | Dust-incompatible article transfer container cleaner | |
| JP2000294616A (en) | Alignment mechanism with temporary loading table and polishing device | |
| CN115632008A (en) | Wafer edge defect processing method and wafer thinning equipment | |
| JP2000208466A (en) | Method and apparatus for treating substrate | |
| JP2003077872A (en) | Semiconductor wafer polishing equipment and polishing method | |
| JPH11277423A (en) | Polishing device for wafer and system thereof | |
| JP2003273058A (en) | Brush-cleaning method of scrubbing apparatus, and treating system | |
| JP2003332293A (en) | Spinning dryer and apparatus for polishing outer periphery of wafer | |
| WO1999053531A2 (en) | Post-cmp wet-hf cleaning station | |
| JP2005123648A (en) | Substrate processing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050905 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070524 |