JP2005317898A - ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 - Google Patents
ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005317898A JP2005317898A JP2004293423A JP2004293423A JP2005317898A JP 2005317898 A JP2005317898 A JP 2005317898A JP 2004293423 A JP2004293423 A JP 2004293423A JP 2004293423 A JP2004293423 A JP 2004293423A JP 2005317898 A JP2005317898 A JP 2005317898A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- paste composition
- aluminum
- semiconductor substrate
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
【課題】 より薄いシリコン半導体基板を用いても、反りまたは割れが発生することを防止することができるとともに、高いBSF効果とエネルギー変換効率とを達成することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池素子を提供することである。
【解決手段】 ペースト組成物は、p型シリコン半導体基板の上にアルミニウム電極を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、炭素粉末とを含む。太陽電池素子は、上述の特徴を有するペースト組成物をp型シリコン半導体基板1の上に塗布した後、焼成することにより形成したアルミニウム電極層8を備える。アルミニウム電極層8は炭素粒子を含む。
【選択図】 図1
【解決手段】 ペースト組成物は、p型シリコン半導体基板の上にアルミニウム電極を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、炭素粉末とを含む。太陽電池素子は、上述の特徴を有するペースト組成物をp型シリコン半導体基板1の上に塗布した後、焼成することにより形成したアルミニウム電極層8を備える。アルミニウム電極層8は炭素粒子を含む。
【選択図】 図1
Description
この発明は、一般的にはペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子に関し、特定的には、結晶系シリコン太陽電池を構成するp型シリコン半導体基板の上に裏面アルミニウム電極を形成する際に用いられるペースト組成物、およびそれを用いた太陽電池素子に関するものである。
太陽電池は、安全でかつ環境負荷の少ないクリーンエネルギーとしてより広範囲に実用化が望まれている。特に、シリコン半導体基板を用いて素子を構成する太陽電池の普及を図るためには軽量化と低コスト化を進めることが必要とされている。この要求に応じて太陽電池素子の厚みを薄くするために研究開発が重ねられている。
図1は、太陽電池素子の一般的な断面構造を模式的に示す図である。
図1に示すように、厚みが300〜600μmのp型シリコン半導体基板1の受光面側には、厚みが0.3〜0.5μmのn型不純物層2、反射膜層3およびグリッド電極4が順に形成されている。
p型シリコン半導体基板1の裏面側には、裏面電極としてアルミニウム電極層8が形成されている。アルミニウム電極層8は、アルミニウム焼結層5とアルミニウムシリコン混合層6とから構成される。p型シリコン半導体基板1の裏面にアルミニウムを含むペーストを塗布して焼成することにより、アルミニウム焼結層5とアルミニウムシリコン混合層6が形成されると同時に、p型シリコン半導体基板1中にアルミニウムが拡散することによってp+層(またはp++層)7が形成される。このp+層7が存在することによって、いわゆるBSF(Back Surface Field)の効果が得られ、p型半導体基板1内で生成したキャリアの収集効率を高めることができる。すなわち、p型シリコン半導体基板1内で生成した少数キャリアのうち、裏面電極に向かうキャリアは、p+層7が内部電界を形成し障壁となることによって表面方向に反発され、表面電極で光電流として有効に収集され、結果として光起電力と光電流が増加して変換効率を高めることができる。
アルミニウム電極層を形成するためのアルミニウム含有ペーストの塗布はスクリーン印刷法を用いて行われ、その焼成は酸化性雰囲気中で行われるのが一般的である。所望のBSF効果を得るためには、アルミニウム含有ペーストを厚く塗布して焼成する必要がある。具体的には、シリコン半導体基板の全面にアルミニウム含有ペーストを40〜70μmの厚みで塗布して焼成しないと、BSF効果が十分でなく、変換効率を高めることができない。
しかし、BSF効果をもたらすp+層の形成と同時に、アルミニウム電極層も必要以上に厚く形成されてしまう。このため、太陽電池素子の厚みを薄くするためにシリコン半導体基板の厚みを300μm以下まで薄くすると、半導体基板の厚みに対するアルミニウム電極層の厚みの比率が大きくなる。その結果、アルミニウム電極層を形成するための焼成温度から常温に冷却する際に、アルミニウムまたはアルミニウムシリコン混合物とシリコンとの間の熱膨張係数の差に起因して内部応力が発生することによって半導体基板に反りまたは割れが生じるという問題があった。
したがって、従来の太陽電池素子の製造方法では、太陽電池素子の薄型化の要求に応じてシリコン半導体基板の厚みを300μm以下に薄くする場合に問題があった。
このような問題を解決するために、いくつかの方法が提案されている。
半導体基板上に裏面電極を形成した後に、この裏面電極の表面を厚み方向に一部エッチングする方法が、たとえば特開2002−353476号公報(特許文献1)で提案されている。しかし、この方法では製造プロセスが複雑になる上に、焼成時における反りまたは割れの発生を防止することができないという問題があった。
また、半導体基板の裏面全体にアルミニウム含有ペーストをまず薄く塗布し、その上から厚くしたい部分に再度アルミニウム含有ペーストを塗布した後、焼成することにより、半導体基板の裏面に2種以上の厚みで裏面電極を形成する方法が、たとえば、特開2002−217435号公報(特許文献2)で提案されている。半導体基板の裏面に裏面電極を格子状に形成する方法が、たとえば、特開2002−141533号公報(特許文献3)で提案されている。半導体基板の裏面に裏面電極を厚みの異なるストライプ状に形成する方法が、たとえば、特開2002−141534号公報(特許文献4)で提案されている。半導体基板の裏面に裏面電極を矩形状に形成する方法が、たとえば、特開2002−141546号公報(特許文献5)で提案されている。しかし、これらのいずれの方法によっても形成されるBSF効果をもたらすp+層が不均一となり、変換効率の低下を招くという問題があった。
さらに、所望のBSF効果を確保しつつアルミニウム電極層を薄くすることが可能な導電性ペーストの組成物として、アルミニウム粉末、ガラスフリット、有機質ビヒクルおよびアルミニウム含有有機化合物を含むものが、たとえば、特開2000−90734号公報(特許文献6)で提案されている。しかしながら、この導電性ペーストを用いることにより、ある一定の太陽電池特性を確保しつつ塗布量を減らして裏面電極層を薄くし、p型シリコン半導体基板に生じる反り量を低減しているが、充分なBSF効果を得るために導電性ペーストの塗布量を減らさないで、反り量を低減することはできない。
そこで、熱膨張率がアルミニウムよりも小さく、かつ、溶融温度、軟化温度および分解温度のいずれかがアルミニウムの融点よりも高い無機化合物と、アルミニウム粉末および有機質ビヒクルを含むペースト組成物が、たとえば、特開2003−223813号公報(特許文献7)で提案されている。しかし、無機化合物の添加量を増すと、焼成時における反りまたは割れの発生をさらに抑制することができるものの、アルミニウム電極層の表面抵抗が増大し、電極間のオーム抵抗が増加して太陽光の照射で生じたエネルギーを有効に取り出すことができず、エネルギー変換効率の低下を招くという問題があった。
特開2002−353476号公報
特開2002−217435号公報
特開2002−141533号公報
特開2002−141534号公報
特開2002−141546号公報
特開2000−90734号公報
特開2003−223813号公報
そこで、この発明の目的は、上述の問題を解決することであり、より薄いシリコン半導体基板を用いても、反りまたは割れが発生することを防止することができるとともに、高いBSF効果とエネルギー変換効率とを達成することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池素子を提供することである。
本発明者らは、従来技術の問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を有するペースト組成物を使用することにより、上記の目的を達成できることを見出した。この知見に基づいて、本発明に従ったペースト組成物は、次のような特徴を備えている。
この発明に従ったペースト組成物は、p型シリコン半導体基板の上に電極を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、炭素粉末とを含む。
好ましくは、この発明のペースト組成物は、ガラスフリットをさらに含む。
また、好ましくは、この発明のペースト組成物は、炭素粉末を0.1質量%以上18質量%以下含む。
さらに好ましくは、この発明のペースト組成物は、アルミニウム粉末を60質量%以上75質量%以下、有機質ビヒクルを20質量%以上35質量%以下、炭素粉末を0.1質量%以上18質量%以下含む。
ガラスフリットを含む場合、好ましくは、この発明のペースト組成物は、アルミニウム粉末を60質量%以上75質量%以下、有機質ビヒクルを20質量%以上30質量%以下、炭素粉末を0.1質量%以上18質量%以下、ガラスフリットを5.0質量%以下含む。
この発明のペースト組成物において、炭素粉末は、カーボンブラックであるのが好ましい。
さらに、この発明のペースト組成物において、炭素粉末の平均粒径は、10μm以下であるのが好ましい。
そしてさらに、この発明のペースト組成物において、炭素粉末の平均粒径は、0.5μm以下であるのが好ましい。
この発明のペースト組成物において、炭素粉末の平均粒径が0.5μm以下である場合には、炭素粉末を0.3質量%以上6質量%以下含むのが好ましい。
この発明に従った太陽電池素子は、上述の特徴を有するペースト組成物をp型シリコン半導体基板の上に塗布した後、焼成することにより形成した電極を備える。
この発明の別の局面に従った太陽電池素子は、アルミニウム電極層を備え、このアルミニウム電極層が炭素粒子を含む。
以上のように、この発明によれば、炭素粉末を含むペースト組成物を塗布したp型シリコン半導体基板を焼成することにより、p型シリコン半導体基板の反りまたは割れが発生することを防止することができるとともに、高いBSF効果とエネルギー変換効率とを達成することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池素子を得ることができる。
この発明のペースト組成物は、アルミニウム粉末、有機質ビヒクルに加えて、さらに炭素粉末を含有することを特徴としている。炭素粉末の熱膨張係数は、結晶構造等により異なるがおよそ0.5〜10×10−6/℃であり、アルミニウム熱膨張係数23.5×10−6/℃よりも小さい。また、炭素粉末の電気伝導率は、無機化合物粉末またはアルミニウム含有有機化合物粉末よりも大きい。
このような炭素粉末をペースト組成物に含ませることにより、炭素粉末とシリコンとの間の熱膨張係数の差が比較的小さいので、ペーストを塗布し、焼成した後のp型シリコン半導体の変形を抑制することができる。また、炭素粉末の電気伝導率が比較的高いので、アルミニウム電極層の表面抵抗の増大を抑制することができる。
従来、焼成後のp型シリコン半導体の変形を抑制するためには、ペーストの塗布膜厚を薄くすること、アルミニウム含有有機化合物粉末を添加したペーストを用いることによりある一定の太陽電池特性を確保しつつペーストの塗布膜厚を薄くして裏面電極層を薄くすること、あるいは、無機化合物粉末を添加したペーストを用いること以外に実質的に有効な手段はなかった。
ペーストの塗布膜厚を薄くすると、p型シリコン半導体基板の表面より内部へのアルミニウムの拡散量が不十分となり、充分なBSF効果を得ることができず、結果として太陽電池素子の特性が低下する。
無機化合物粉末またはアルミニウム含有有機化合物粉末を添加したペーストを用いると、アルミニウム電極層の表面抵抗が増大し、エネルギー変換効率が低下し、結果として太陽電池素子の特性が低下する。
しかし、この発明では、アルミニウム電極層の表面抵抗が増大することがないので、エネルギー変換効率の低下を招く恐れがない。また、ペーストの塗布膜厚を薄くしなくても、焼成後のp型シリコン半導体基板の変形を抑制することができるため、充分なBSF効果を得ることができる。
本発明のペースト組成物に含められる炭素粉末としては、人造黒鉛粉、活性炭またはカーボンブラック等の他、炭素繊維、ガラス状炭素等のいずれの材料も好適に使用することができる。
本発明のペースト組成物に含められる炭素粉末の含有量は、0.1質量%以上18質量%であることが好ましい。炭素粉末の含有量が0.1質量%未満では、焼成後のp型シリコン半導体基板の変形を抑制するほどの十分な添加効果を得ることができない。炭素粉末の含有量が18質量%を越えると、スクリーン印刷等におけるペーストの塗布性が低下する。
本発明のペースト組成物に含められる炭素粉末の平均粒径は、好ましくは10μm以下、さらに好ましくは1μm以下、より好ましくは0.5μm以下である。炭素粉末の平均粒径が、10μmを越えると、ペーストの焼成時に形成されるアルミニウム電極層中に存在する炭素粒子の数が少なくなるため、焼成後のp型シリコン半導体基板の変形を抑制するほどの十分な添加効果を得ることができない。
焼成後のp型シリコン半導体基板の変形(反り)および電極層表面抵抗をバランス良く低減させるには、炭素粉末の平均粒径を0.5μm以下、炭素粉末の含有量を0.3質量%以上6質量%以下にすればよい。このようにすることにより、微細な炭素粉末が効果的にアルミニウム電極層中に分散して含まれる。
炭素粉末の平均粒径の下限値は特に限定されないが、平均粒径の減少とともに増加する比表面積が20000m2/gを越えるとペーストの粘度が上昇し、スクリーン印刷時におけるペーストの塗布性が低下する。
また、本発明のペースト組成物に含められるアルミニウム粉末の含有量は、60質量%以上75質量%以下であることが好ましい。アルミニウム粉末の含有量が60質量%未満では、焼成後のアルミニウム電極層の表面抵抗が増大し、エネルギー変換効率の低下を招く恐れがある。アルミニウム粉末の含有量が75質量%を越えると、スクリーン印刷時におけるペーストの塗布性が低下する。
本発明のペースト組成物に含められる有機質ビヒクルとしては、エチルセルロース、アクリル樹脂、アルキッド樹脂等を溶剤に溶解したものが使用される。有機質ビヒクルの含有量は、20質量%以上35質量%以下であることが好ましい。有機質ビヒクルの含有量が20質量%未満になると、または35質量%を越えると、ペーストの印刷性が低下する。
さらに、本発明のペースト組成物はガラスフリットを含んでもよい。ガラスフリットの含有量は、5.0質量%以下であるのが好ましい。ガラスフリットは、p型シリコン半導体の変形、BSF効果およびエネルギー変換効率には直接関与しないが、焼成後のアルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との密着性を向上させるために添加されるものである。ガラスフリットの含有量が5.0質量%を越えると、ガラスの偏析が生じる恐れがある。
本発明のペースト組成物に含められるガラスフリットとしては、SiO2−Bi2O3−PbO系の他に、B2O3−SiO2−Bi2O3系、B2O3−SiO2−ZnO系、B2O3−SiO2−PbO系等が挙げられる。
なお、この発明の一つの実施の形態としての太陽電池素子は、図1に示される断面構造を有し、p型シリコン半導体基板1の裏面側に形成される裏面電極としてのアルミニウム電極層8は炭素粒子を含む。
以下、本発明の一つの実施例について説明する。
まず、アルミニウム粉末を60〜75質量%、ガラスフリットを0.3〜5.0質量%、有機ビヒクルを20〜30質量%の範囲内で含有するとともに、炭素粉末を表1に示す割合で含有する各種のペースト組成物を作製した。
具体的には、エチルセルロースをグリコールエーテル系有機溶剤に溶解した有機質ビヒクルに、アルミニウム粉末とB2O3−SiO2−PbO系のガラスフリットを加え、さらに表1に示す各種の炭素粉末を加えて、周知の混合機にて混合し、ペースト組成物を得た。
ここで、アルミニウム粉末は、p型シリコン半導体基板との反応性の確保、塗布性、および塗布膜の均一性の点から、平均粒径2〜20μmの球形、または球形に近い形状を有する粒子からなる粉末を用いた。
上記の各種のペースト組成物を、大きさが2インチ(50.8mm)×2インチ(50.8mm)で厚みが280μmのp型シリコン半導体基板に、180メッシュのスクリーン印刷版を用いて塗布・印刷した。塗布量は、焼成後のアルミニウム電極層の厚みが40〜50μmになるように設定した。
ペーストが印刷されたp型シリコン半導体基板を乾燥した後、赤外線焼成炉にて、空気雰囲気で400℃/分の昇温速度で加熱し、710〜720℃の温度で30秒間保持する条件で焼成した。焼成後、冷却することにより図1に示すようにp型シリコン半導体基板1に裏面電極となるアルミニウム電極層8を形成した各試料を得た。
アルミニウム電極層を形成した焼成後のp型シリコン半導体基板の反り量は、焼成・冷却後、図2に示すようにアルミニウム電極層を上にして基板の四隅の一端を矢印で示すように押さえて、その対角に位置する一端の浮き上がり量(基板の厚みを含む)xを測定することによって評価した。その浮き上がり量xを表2の「反り(mm)」に示した。
アルミニウム電極層の表面抵抗を、4端子式表面抵抗測定器(ナプソン社製RG−5型シート抵抗測定器)で測定した。測定条件は電圧を4mV,電流を100mA、表面に与えられる荷重を200grf(1.96N)とした。その測定値を表1の電極層表面抵抗(mΩ/□)に示す。
その後、上記のアルミニウム電極層を形成したp型シリコン半導体基板を塩酸水溶液に浸漬することによって、アルミニウム電極層8を溶解除去した後、p+層7が形成されたp型シリコン半導体基板1の表面抵抗を、4端子式表面抵抗測定器で測定した。その測定値を表1のp+層表面抵抗(Ω/□)に示す。
以上に開示された実施の形態や実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態や実施例ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変形を含むものである。
1:p型シリコン半導体基板、2:n型不純物層、3:反射防止膜、4:グリッド電極、5:アルミニウム焼結層、6:アルミニウムシリコン混合層、7:p+層、8:アルミニウム電極層。
Claims (11)
- p型シリコン半導体基板の上に電極を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、炭素粉末とを含む、ペースト組成物。
- ガラスフリットをさらに含む、請求項1に記載のペースト組成物。
- 炭素粉末を0.1質量%以上18質量%以下含む、請求項1または請求項2に記載のペースト組成物。
- アルミニウム粉末を60質量%以上75質量%以下、有機質ビヒクルを20質量%以上35質量%以下、炭素粉末を0.1質量%以上18質量%以下含む、請求項1に記載のペースト組成物。
- アルミニウム粉末を60質量%以上75質量%以下、有機質ビヒクルを20質量%以上30質量%以下、炭素粉末を0.1質量%以上18質量%以下、ガラスフリットを5.0質量%以下含む、請求項2に記載のペースト組成物。
- 前記炭素粉末は、カーボンブラックである、請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載のペースト組成物。
- 前記炭素粉末の平均粒径は、10μm以下である、請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載のペースト組成物。
- 前記炭素粉末の平均粒径は、0.5μm以下である、請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載のペースト組成物。
- 前記炭素粉末を0.3質量%以上6質量%以下含む、請求項8に記載のペースト組成物。
- 請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載のペースト組成物をp型シリコン半導体基板の上に塗布した後、焼成することにより形成した電極を備えた、太陽電池素子。
- アルミニウム電極層を備え、前記アルミニウム電極層は炭素粒子を含む、太陽電池素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004293423A JP2005317898A (ja) | 2004-03-31 | 2004-10-06 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
TW094123137A TW200703700A (en) | 2004-03-31 | 2005-07-08 | Paste composition and solar cell employing the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004102444 | 2004-03-31 | ||
JP2004293423A JP2005317898A (ja) | 2004-03-31 | 2004-10-06 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005317898A true JP2005317898A (ja) | 2005-11-10 |
Family
ID=35444965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004293423A Pending JP2005317898A (ja) | 2004-03-31 | 2004-10-06 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005317898A (ja) |
TW (1) | TW200703700A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102292820A (zh) * | 2009-01-23 | 2011-12-21 | 东洋铝株式会社 | 糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件 |
EP2417609A2 (en) * | 2009-04-07 | 2012-02-15 | LG Innotek Co., Ltd. | Paste and solar cell using the same |
WO2012067463A2 (ko) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 주식회사 엘지화학 | 전극형성용 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 실리콘 태양전지 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59167057A (ja) * | 1983-03-12 | 1984-09-20 | Agency Of Ind Science & Technol | シリコン半導体電極 |
JPH02256280A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-17 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 非晶質光起電力装置及びその製造方法 |
JPH05218470A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の電極材料 |
JPH05298917A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 導電性アルミニウムペースト用組成物 |
JPH09186044A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層電子部品用内部電極材料ペースト、積層電子部品及びその製造方法 |
JP2000090734A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池 |
JP2001338529A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Togo Seisakusho Corp | 導電性樹脂組成物 |
JP2004134775A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-30 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
JP2004235267A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
JP2004293423A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Hino Motors Ltd | タイミングギヤの位相合わせ装置 |
-
2004
- 2004-10-06 JP JP2004293423A patent/JP2005317898A/ja active Pending
-
2005
- 2005-07-08 TW TW094123137A patent/TW200703700A/zh unknown
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59167057A (ja) * | 1983-03-12 | 1984-09-20 | Agency Of Ind Science & Technol | シリコン半導体電極 |
JPH02256280A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-17 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 非晶質光起電力装置及びその製造方法 |
JPH05218470A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の電極材料 |
JPH05298917A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 導電性アルミニウムペースト用組成物 |
JPH09186044A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層電子部品用内部電極材料ペースト、積層電子部品及びその製造方法 |
JP2000090734A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池 |
JP2001338529A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Togo Seisakusho Corp | 導電性樹脂組成物 |
JP2004134775A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-30 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
JP2004235267A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
JP2004293423A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Hino Motors Ltd | タイミングギヤの位相合わせ装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102292820A (zh) * | 2009-01-23 | 2011-12-21 | 东洋铝株式会社 | 糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件 |
EP2417609A2 (en) * | 2009-04-07 | 2012-02-15 | LG Innotek Co., Ltd. | Paste and solar cell using the same |
EP2417609A4 (en) * | 2009-04-07 | 2012-09-26 | Lg Innotek Co Ltd | PASTE AND SOLAR CELL USING THE SAME |
US8906269B2 (en) | 2009-04-07 | 2014-12-09 | Lg Innotek Co., Ltd. | Paste and solar cell using the same |
WO2012067463A2 (ko) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 주식회사 엘지화학 | 전극형성용 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 실리콘 태양전지 |
WO2012067463A3 (ko) * | 2010-11-18 | 2012-08-23 | 주식회사 엘지화학 | 전극형성용 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 실리콘 태양전지 |
US9640298B2 (en) | 2010-11-18 | 2017-05-02 | Lg Chem, Ltd. | Silver paste composition for forming an electrode, and silicon solar cell using same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200703700A (en) | 2007-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3910072B2 (ja) | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 | |
JP4802097B2 (ja) | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 | |
JP4949263B2 (ja) | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 | |
EP2417609B1 (en) | Paste and solar cell using the same | |
TWI401808B (zh) | 糊狀組成物,電極及具備該電極之太陽電池元件 | |
JP2008159917A (ja) | 光電変換素子用導電性ペースト、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法 | |
JP2014239150A (ja) | 太陽電池および太陽電池モジュール | |
JP2008010527A (ja) | 太陽電池電極用導電性ペースト | |
JP2010251645A (ja) | 太陽電池及びその電極形成用導電性ペースト | |
KR20100021616A (ko) | 페이스트 조성물 및 태양 전지 소자 | |
KR101853417B1 (ko) | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 사용하여 제조된 전극을 포함하는 태양전지 | |
JP2005317898A (ja) | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 | |
JP4668523B2 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
JP2008159912A (ja) | 光電変換素子用導電性ペーストの作製方法、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法 | |
JP5567785B2 (ja) | 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法 | |
JP4903531B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
JP5289705B2 (ja) | 光電変換素子用導電性ペースト、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法 | |
JP2006066748A (ja) | 半導体装置、太陽電池およびそれらの製造方法 | |
JP4627511B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の作製方法 | |
JP2007234625A (ja) | 光電変換素子用導電性ペースト、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法 | |
JP2015056586A (ja) | 結晶系シリコン太陽電池及びその製造方法 | |
JP2015043301A (ja) | アルミニウムペースト、並びに太陽電池素子及びその製造方法 | |
WO2007004281A1 (ja) | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 | |
JP5540811B2 (ja) | 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池 | |
JP5445208B2 (ja) | 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110607 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111018 |