JP2005317783A - Substrate transport device, its washing method, substrate processing system and its washing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板搬送装置及びその洗浄方法、並びに基板処理システム及びその洗浄方法に関し、特に、基板搬送装置の内部を大気開放することなく洗浄する基板搬送装置及びその洗浄方法、並びに基板処理システム及びその洗浄方法に関する。 The present invention relates to a substrate transfer apparatus, a cleaning method thereof, a substrate processing system, and a cleaning method thereof. It relates to the cleaning method.
従来、イオンドープ、成膜、エッチング等の各種プラズマ処理をウエハに施す基板処理システムとして、複数の基板処理装置が共通の基板搬送室を介して放射状に配設されたクラスタ基板処理システムが知られている。 Conventionally, a cluster substrate processing system in which a plurality of substrate processing apparatuses are arranged radially via a common substrate transfer chamber is known as a substrate processing system for performing various plasma processes such as ion doping, film formation, and etching on a wafer. ing.
このようなクラスタ基板処理システムは、図6(a)に示すように、ウエハを処理する、例えば、2つの基板処理装置61と、ウエハカセット(図示せず)から基板を搬出入するローダーモジュール62と、該ローダーモジュール62へのウエハの搬出入を行う2つのウエハ搬出入室63と、基板処理装置61及びウエハ搬出入室63の間に介在する、真空チャンバとしての基板搬送室64とを備える(例えば、特許文献1参照。)。
In such a cluster substrate processing system, as shown in FIG. 6A, a wafer is processed, for example, two
基板搬送室64は、図6(b)に示すように、その内部にN2ガス等をパージするガス導入部65と、内部を真空引きするポンプ部66とを備える。また、その内部においてウエハを搬送するハンドリング装置67を備え、さらに、基板処理装置61やウエハ搬出入室63と接する側壁において、開閉自在なゲートバルブ68を備える。ハンドリング装置67は、複数の腕部材と回転台とを有するスカラアーム式ハンドリング装置であり、ウエハを基板処理装置61やウエハ搬出入室63へゲートバルブ68を介して搬送する。
As shown in FIG. 6B, the
このようなクラスタ基板処理システムにおいて、ウエハを連続処理すると、ウエハに付着して基板搬送室64に持ち込まれたパーティクルや、ハンドリング装置67が作動する際に発塵した切削粉であるパーティクルが、基板搬送室64内に堆積する。これら堆積したパーティクルは、基板搬送室64内にN2ガスをパージし、または基板搬送室64内を真空引きするときに生じるガス流によって巻き上げられてウエハに付着し、ウエハの歩留まりを悪化させる。そのため、基板搬送室64内に堆積したパーティクルを除去する必要があるが、通常、基板搬送室64内に堆積したパーティクルを除去する際には、作業者がエチルアルコールなどを浸したウエス等によって基板搬送室64内を清掃する等している。
しかしながら、作業者がウエス等によって基板搬送室64内を清掃する場合、メンテナンス窓(図示せず)が外部環境(メンテナンスエリア)に開放されるため、大気中の塵芥がパーティクルとして基板搬送室64内に侵入することがあり、基板搬送室64内に堆積したパーティクルを完全に除去することは困難であるという問題がある。また、作業者による清掃の後、通常状態への復帰までの間において、基板搬送室64内の真空引きやシーズニングが必要であり、直ちにウエハを搬送することができないため、基板処理システムの稼働率が低下するという問題もある。
However, when an operator cleans the inside of the
本発明の目的は、基板処理システムの稼働率を低下することなく、堆積したパーティクルを十分に除去することができる基板搬送装置及びその洗浄方法、並びに基板処理システム及びその洗浄方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate transfer apparatus and a cleaning method thereof, and a substrate processing system and a cleaning method thereof that can sufficiently remove accumulated particles without reducing the operation rate of the substrate processing system. is there.
上記目的を達成するために、請求項1記載の基板搬送装置は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配設され且つ前記基板を搬送する基板搬送部と、前記収容室内を排気する排気部と、前記収容室内に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置において、前記基板搬送部は、前記基板を載置する載置部と、該載置部に一端が接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部に配設され且つ電圧が印加される電極とを有し、前記収容室内に前記気体が導入され且つ前記収容室内が排気されているときに、前記電極に高電圧が印加されることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a substrate transfer apparatus according to
請求項2記載の基板搬送装置は、請求項1記載の基板搬送装置において、前記電極は、前記載置部に載置された前記基板に対向するように配設されることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate transfer apparatus according to the first aspect, wherein the electrode is disposed so as to face the substrate placed on the mounting portion.
請求項3記載の基板搬送装置は、請求項1又は2記載の基板搬送装置において、前記高電圧の絶対値は1〜5kVの範囲にあることを特徴とする。
The substrate transfer apparatus according to claim 3 is the substrate transfer apparatus according to
請求項4記載の基板搬送装置は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板搬送装置において、前記電極に極性の異なる高電圧が交互に印加されることを特徴とする。 A substrate transfer apparatus according to a fourth aspect is the substrate transfer apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein high voltages having different polarities are alternately applied to the electrodes.
請求項5記載の基板搬送装置は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板洗浄装置において、前記排気部は、前記収容室内の圧力を133Pa以上に保つことを特徴とする。 A substrate transfer apparatus according to a fifth aspect is the substrate cleaning apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the exhaust unit keeps the pressure in the accommodation chamber at 133 Pa or more.
上記目的を達成するために、請求項6記載の基板搬送装置の洗浄方法は、基板搬送装置の基板の収容室内面に堆積した異物を除去する基板搬送装置の洗浄方法であって、前記収容室内の所望の位置に、前記基板を載置する載置部を移動する移動ステップと、前記収容室内に気体が導入され且つ前記収容室内が排気されているときに、前記移動された載置部に配設された電極に高電圧を印加する高電圧印加ステップとを有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a cleaning method for a substrate transfer apparatus according to claim 6 is a cleaning method for a substrate transfer apparatus that removes foreign matter deposited on the substrate storage chamber surface of the substrate transfer apparatus. A moving step of moving the mounting portion for mounting the substrate to a desired position, and when the gas is introduced into the storage chamber and the storage chamber is exhausted, the moved mounting portion And a high voltage applying step for applying a high voltage to the arranged electrodes.
上記目的を達成するために、請求項7記載の基板処理システムは、基板を収容する第1の収容室、及び該第1の収容室内に配設され且つ前記基板を搬送する基板搬送部を有する基板搬送装置と、該基板搬送装置に接続され且つ前記基板を収容する第2の収容室を有する基板処理装置とを備える基板処理システムにおいて、前記第1及び第2の収容室のうち少なくとも1つの収容室内を排気する排気部と、前記排気される収容室内に気体を導入する気体導入部とをさらに備え、前記基板搬送部は、前記基板を載置する載置部と、該載置部に一端が接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部に配設され且つ電圧が印加される電極とを有し、前記第1及び第2の収容室のうち、前記載置部が移動された収容室内に前記気体が導入され且つ前記収容室内が排気されているときに、前記電極に高電圧が印加されることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a substrate processing system according to claim 7 includes: a first storage chamber that stores a substrate; and a substrate transfer section that is disposed in the first storage chamber and transfers the substrate. In a substrate processing system comprising a substrate transfer device and a substrate processing apparatus having a second storage chamber connected to the substrate transfer device and storing the substrate, at least one of the first and second storage chambers The apparatus further includes an exhaust unit that exhausts the accommodation chamber and a gas introduction unit that introduces gas into the exhausted accommodation chamber, and the substrate transport unit includes a placement unit that places the substrate, and One end is connected and the arm part which moves the said mounting part, and the electrode which is arrange | positioned at the said mounting part and to which a voltage is applied, The above-mentioned among the said 1st and 2nd storage chambers The gas is introduced into the storage chamber in which the mounting portion is moved, and When the housing chamber is evacuated, characterized in that the high voltage is applied to the electrode.
上記目的を達成するために、請求項8記載の基板処理システムの洗浄方法は、基板処理システムが備える基板搬送装置及び基板処理装置のうち少なくとも1つの装置における基板の収容室内面に堆積した異物を除去する基板処理システムの洗浄方法であって、前記基板搬送装置及び前記基板処理装置のうち少なくとも1つの装置における基板の収容室内の所望の位置に、前記基板を載置する載置部を移動する移動ステップと、前記収容室内に気体が導入され且つ前記収容室内が排気されているときに、前記移動された載置部に配設された電極に高電圧を印加する高電圧印加ステップとを有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a cleaning method for a substrate processing system according to an eighth aspect of the present invention is a method for cleaning foreign matter deposited on the inner surface of a substrate storage chamber in at least one of a substrate transfer apparatus and a substrate processing apparatus provided in the substrate processing system. A method of cleaning a substrate processing system to be removed, wherein a mounting unit for mounting the substrate is moved to a desired position in a substrate storage chamber in at least one of the substrate transport apparatus and the substrate processing apparatus. A moving step, and a high voltage applying step for applying a high voltage to the electrode disposed on the moved placement portion when gas is introduced into the housing chamber and the housing chamber is exhausted. It is characterized by that.
請求項1記載の基板搬送装置によれば、基板搬送部は、基板を載置する載置部と、該載置部に一端が接続され且つ載置部を移動する腕部とを有するため、載置部を収容室内の所望の位置に移動可能である。また、収容室内に気体が導入され且つ収容室内が排気されているときに、載置部に配設された電極に高電圧が印加されるため、収容室内において気体流が生じると共に、収容室内の所望の位置近傍における収容室内面に静電気的な応力が作用し、収容室内面に堆積した異物が脱離し、さらに脱離した異物は上記気体流によって収容室内から排除される。したがって、収容室を外部環境に開放することなく、堆積した異物を除去することができる。すなわち、基板搬送装置を備える基板処理システムの稼働率を低下することなく、堆積した異物を十分に除去することができる。 According to the substrate transport apparatus of the first aspect, the substrate transport unit includes the mounting unit that mounts the substrate and the arm unit that has one end connected to the mounting unit and moves the mounting unit. The placement unit can be moved to a desired position in the accommodation chamber. In addition, when a gas is introduced into the storage chamber and the storage chamber is exhausted, a high voltage is applied to the electrode disposed in the mounting portion, so that a gas flow occurs in the storage chamber and Electrostatic stress acts on the inner surface of the accommodation chamber in the vicinity of a desired position, the foreign matter deposited on the inner surface of the accommodation chamber is detached, and the detached foreign matter is removed from the accommodation chamber by the gas flow. Therefore, accumulated foreign matter can be removed without opening the storage chamber to the external environment. That is, the accumulated foreign matter can be sufficiently removed without lowering the operating rate of the substrate processing system including the substrate transfer device.
請求項2記載の基板搬送装置によれば、電極は載置部に載置された基板に対向するように配設されるので、基板に静電気的な応力が作用し、基板に付着した異物が脱離する。該脱離した異物は気体流によって収容室内から排除されるため、基板を洗浄することができる。 According to the substrate transfer device of the second aspect, since the electrode is disposed so as to face the substrate placed on the placement portion, the electrostatic stress acts on the substrate, and the foreign matter attached to the substrate Detach. Since the desorbed foreign matter is removed from the accommodation chamber by the gas flow, the substrate can be cleaned.
請求項3記載の基板搬送装置によれば、高電圧の絶対値は1〜5kVの範囲にあるので、収容室内面に作用する静電気的な応力を大きくすることができ、異物の脱離を確実に行うことができる。 According to the substrate transfer apparatus of the third aspect, since the absolute value of the high voltage is in the range of 1 to 5 kV, the electrostatic stress acting on the inner surface of the accommodation chamber can be increased, and the detachment of foreign matters is ensured. Can be done.
請求項4記載の基板搬送装置によれば、極性の異なる高電圧が交互に印加されるため、収容室内面の帯電を防止することができる。収容室内面が帯電すると、収容室内面に作用する静電気的な応力が小さくなる。したがって、収容室内面の帯電を防止することにより、収容室内面に堆積した異物の除去効率が低下するのを防止することができる。 According to the substrate transfer apparatus of the fourth aspect, since high voltages having different polarities are alternately applied, it is possible to prevent charging of the inner surface of the accommodation chamber. When the interior chamber surface is charged, the electrostatic stress acting on the interior chamber surface is reduced. Therefore, by preventing charging of the interior surface of the storage chamber, it is possible to prevent a reduction in the efficiency of removing foreign substances accumulated on the interior surface of the storage chamber.
請求項5記載の基板搬送装置によれば、収容室内の圧力を133Pa以上に保つため、収容室内においてガス粘性力の大きな粘性流を確実に発生させることができる。収容室内面から脱離した異物は、粘性流に巻き込まれて収容室から排気される。したがって、収容室内面に堆積した異物を確実に除去することができる。 According to the substrate transfer apparatus of the fifth aspect, since the pressure in the accommodation chamber is maintained at 133 Pa or more, a viscous flow having a large gas viscous force can be reliably generated in the accommodation chamber. The foreign matter detached from the inner surface of the storage chamber is caught in the viscous flow and exhausted from the storage chamber. Therefore, the foreign matter accumulated on the inner surface of the accommodation chamber can be reliably removed.
請求項6記載の基板搬送装置の洗浄方法によれば、収容室内に気体が導入され且つ収容室内が排気されているときに、収容室内の所望の位置に移動された載置部に配設された電極に高電圧が印加されるため、収容室内において気体流が生じると共に、収容室内の所望の位置近傍における収容室内面に静電気的な応力が作用し、収容室内面に堆積した異物が脱離し、さらに脱離した異物は上記気体流によって収容室内から排除される。したがって、収容室を外部環境に開放することなく、堆積した異物を除去することができる。すなわち、基板搬送装置を備える基板処理システムの稼働率を低下することなく、堆積した異物を十分に除去することができる。 According to the cleaning method for a substrate transfer apparatus of claim 6, when the gas is introduced into the accommodation chamber and the accommodation chamber is evacuated, the substrate transfer apparatus is disposed on the mounting portion moved to a desired position in the accommodation chamber. Since a high voltage is applied to the electrodes, a gas flow is generated in the storage chamber, and electrostatic stress acts on the surface of the storage chamber in the vicinity of a desired position in the storage chamber, so that foreign matter deposited on the surface of the storage chamber is detached. Further, the desorbed foreign matter is removed from the containing chamber by the gas flow. Therefore, accumulated foreign matter can be removed without opening the storage chamber to the external environment. That is, the accumulated foreign matter can be sufficiently removed without lowering the operating rate of the substrate processing system including the substrate transfer device.
請求項7記載の基板処理システムによれば、基板搬送部は、基板を載置する載置部と、該載置部に一端が接続され且つ載置部を移動する腕部とを有するため、載置部を第1及び第2の収容室のいずれかにおける所望の位置に移動可能である。また、載置部が移動された収容室内に気体が導入され且つ収容室内が排気されているときに、載置部に配設された電極に高電圧が印加されるため、載置部が移動された収容室内において気体流が生じると共に、当該収容室内の所望の位置近傍における収容室内面に静電気的な応力が作用し、収容室内面に堆積した異物が脱離し、さらに脱離した異物は上記気体流によって当該収容室内から排除される。したがって、第1及び第2の収容室を外部環境に開放することなく、堆積した異物を除去することができる。すなわち、基板処理システムの稼働率を低下することなく、堆積した異物を十分に除去することができる。 According to the substrate processing system of claim 7, the substrate transport unit includes a mounting unit for mounting the substrate, and an arm unit having one end connected to the mounting unit and moving the mounting unit. The mounting portion can be moved to a desired position in either the first or second storage chamber. Further, when the gas is introduced into the accommodation chamber in which the placement unit has been moved and the accommodation chamber is being exhausted, a high voltage is applied to the electrode disposed in the placement unit, so that the placement unit moves. A gas flow is generated in the stored chamber, electrostatic stress acts on the surface of the storage chamber near a desired position in the storage chamber, the foreign matter accumulated on the surface of the storage chamber is desorbed, and the desorbed foreign matter is Excluded from the containment chamber by the gas flow. Therefore, accumulated foreign matter can be removed without opening the first and second storage chambers to the external environment. That is, the accumulated foreign matter can be sufficiently removed without reducing the operating rate of the substrate processing system.
請求項8記載の基板処理システムの洗浄方法によれば、載置部が移動された収容室内に気体が導入され且つ収容室内が排気されているときに、載置部に配設された電極に高電圧が印加されるため、載置部が移動された収容室内において気体流が生じると共に、当該収容室内の所望の位置近傍における収容室内面に静電気的な応力が作用し、収容室内面に堆積した異物が脱離し、さらに脱離した異物は上記気体流によって当該収容室内から排除される。したがって、基板搬送装置及び基板処理装置のいずれの収容室も外部環境に開放することなく、堆積した異物を除去することができる。すなわち、基板処理システムの稼働率を低下することなく、堆積した異物を十分に除去することができる。 According to the cleaning method of the substrate processing system according to claim 8, when the gas is introduced into the accommodation chamber in which the placement section has been moved and the accommodation chamber is exhausted, the electrode disposed in the placement section is applied. Since a high voltage is applied, a gas flow is generated in the storage chamber in which the mounting portion is moved, and electrostatic stress acts on the surface of the storage chamber in the vicinity of a desired position in the storage chamber and accumulates on the surface of the storage chamber. The detached foreign matter is desorbed, and the desorbed foreign matter is removed from the containing chamber by the gas flow. Therefore, the accumulated foreign matter can be removed without opening any of the storage chambers of the substrate transfer apparatus and the substrate processing apparatus to the external environment. That is, the accumulated foreign matter can be sufficiently removed without reducing the operating rate of the substrate processing system.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、本発明の実施の形態に係る基板搬送装置について詳述する。 First, the substrate transfer apparatus according to the embodiment of the present invention will be described in detail.
図1は、本発明の実施の形態に係る基板搬送装置の概略構成を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
図1において、基板搬送装置10は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製の保安接地された箱状のチャンバ(収容室、第1の収容室)11を有し、該チャンバ11内にウエハWを搬送する搬送アーム(基板搬送部)12が配設されている。
In FIG. 1, a
チャンバ11の側壁には、搬送アーム12がウエハWをチャンバ11内へ搬出入するときに、ウエハWを通過させる搬入出口13が配設され、該搬入出口13は、開閉自在なゲートバルブ14によって密封されている。また、チャンバ11の底部には排気ライン(排気部)15が接続されている。この排気ライン15は、直径が例えば、25mmである排気管16と、該排気管16の途中に配設されたバルブV1と、排気管16に接続された排気ポンプであるドライポンプ(以下「DP」という)17とを有し、チャンバ11内を排気して減圧する。このバルブV1は、チャンバ11内とDP17を遮断することができる。さらに、チャンバ11の天井部にはガス導入ライン(気体導入部)18が接続されている。このガス導入ライン18は、例えば、N2ガスを供給するガス供給装置19と、該ガス供給装置19からのN2ガスをチャンバ11内へ導入するガス導入管20とを備え、ガス導入管20の途中にはバルブV2が配設されている。このバルブV2は、チャンバ11内とガス供給装置19を遮断することができる。
A loading / unloading
この基板搬送装置10は、例えば、クラスタ型やパラレル型の基板処理システムに配設され、該基板処理システムが備えるプラズマ処理装置等にゲートバルブ14を介して接続される。
The
図2は、図1の基板搬送装置が備える搬送アームの概略構成を示す斜視図である。 FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of a transfer arm provided in the substrate transfer apparatus of FIG.
図2において、スカラアーム式ハンドリング装置としての搬送アーム12は、チャンバ11の底面に配設されて該底面に対する垂直軸(以下、「チャンバ垂直軸」という)周りに回転自在な回転台21と、該回転台21に接続された棒状の第1の腕部材22と、該第1の腕部材22に接続された棒状の第2の腕部材23と、該第2の腕部材23の一端に接続された、ウエハWを載置するピック(載置部)24とを備える。
In FIG. 2, a
この搬送アーム12では、第2の腕部材23の他端が、チャンバ垂直軸周りに回転自在に第1の腕部材22の一端と接続され、ピック24が、チャンバ垂直軸周りに回転自在に第2の腕部材23の一端と接続され、回転台21、第1の腕部材22、第2の腕部材23及びピック24が協働して回転運動を行い、これにより、ピック24及び該ピック24に載置されたウエハWをチャンバ11の所望の位置や搬入出口13を介して隣接するプラズマ処理装置等に移動する。
In the
ピック24は、音叉形状を呈し、二股部においてウエハWを担持する一方で、二股部とは反対の端部において、上述したように第2の腕部材23の一端と接続される。ピック24は、3層構造を有し、チャンバ11の底面側から、絶縁体、例えば、セラミックからなる下部絶縁層と、該絶縁層に積層された、ピック24の外形より小さい導電膜からなる電極層25と、該電極層25に積層された耐熱樹脂、例えばポリイミドからなる上部絶縁層とを備える。電極層25は、第2の腕部材23、第1の腕部材22及び回転台21の内部に配線された電線26によって直流電源27へ電気的に接続されているため、電圧が印加可能である。ここで、電極層25は、2つの絶縁層に挟まれるだけでなくピック24の周縁においても絶縁材料によって被覆されるため、チャンバ11内の雰囲気に露出することがない。したがって、電極層25に電圧が印加されても漏電することがない。
The
基板搬送装置10では、ガス導入ライン18によってチャンバ11内にN2ガスが導入され且つ排気ライン15によってチャンバ11内が排気されているときに、所望の位置、例えば、チャンバ11内面の近傍に移動したピック24の電極層25に高電圧を印加することにより、チャンバ11内面とピック24との間において静電場を発生させてチャンバ11内面に静電気的な応力、例えば、マックスウエル(Maxwell)応力を作用させる。これにより、チャンバ11内面に堆積したパーティクルの付着力が弱まり、該パーティクルが脱離する。すなわち、基板搬送装置10は、ピック24を所望の位置に移動させることによって、チャンバ11の内面における所望の位置に堆積したパーティクルを剥離させることができる。
In the
なお、チャンバ11内面にピック24が近づくほど、チャンバ11内面に作用する静電気的な応力は大きくなるため、ピック24を移動させる際には、できるだけチャンバ11内面に近づけるのがよい。
Since the electrostatic stress acting on the inner surface of the
また、ピック24がウエハWを担持しているときには、ウエハWとピック24との間にも静電場が発生してウエハWに静電気的な応力が作用するため、ウエハWに付着したパーティクルも脱離する。このとき、ウエハWに静電気的な応力を効果的に作用させるため、電極層25はピック24が担持するウエハWに対向するように配設されるのがよい。これらチャンバ11内面やウエハWから脱離したパーティクルは、後述の粘性流により、チャンバ11の外部へ排出される。
Further, when the
一方、従来の基板搬送装置では、搬送アームのピックは、セラミック等の絶縁材料のみからなり、電極層25に相当する電極を有していないため、パーティクルが堆積している面に静電気的な応力を作用させることができず、チャンバ11内面に堆積したパーティクルやウエハWに付着したパーティクルを除去することができない。
On the other hand, in the conventional substrate transfer apparatus, the pick of the transfer arm is made only of an insulating material such as ceramic and does not have an electrode corresponding to the
ピック24の電極層25に印加される電圧は、十分な大きさの静電気的な応力を発生させるために、その絶対値が数百V以上であるのがよく、より好ましくは、絶対値が1〜5kVの範囲にあるのがよい。但し、印加する電圧が大きいときに、上部絶縁層の厚さや誘電率の設定が適切でないと、リーク電流が発生して上部絶縁層が絶縁破壊を起こすことがあるため、上部絶縁層の厚さや誘電率は電極層25に印加される電圧の大きさに応じて設定される。また、逆に上部絶縁層の厚さや誘電率に応じて電極層25に印加される電圧の大きさを設定してもよい。
The voltage applied to the
以下、基板搬送装置10において実行される、チャンバ11内面に堆積したパーティクルを除去する基板搬送装置の洗浄方法について説明する。この洗浄方法に対応する洗浄処理が実行される前提条件は、電極層25には電圧が印加されず、チャンバ11内は排気ライン15によって排気されて減圧されており、バルブV2は閉じている状態である。
Hereinafter, a method for cleaning the substrate transfer apparatus, which is performed in the
まず、ピック24を回転台21などの回転運動によってチャンバ11内の所望の位置へ移動する。次いで、V2を開き、ガス導入ライン18からN2ガスをチャンバ11内へ導入する。導入されたN2ガスは排気ライン15によってチャンバ11の外部へ排出されるため、チャンバ11内において天井部から底部へ向けてN2ガスの粘性流が発生する。
First, the
このとき、チャンバ11内が所定の圧力以上であれば、粘性流が生じやすくなるため、排気ライン15は、チャンバ11内の圧力が、所定の圧力、例えば、133Pa(1Torr)を下回らないように、好ましくは、チャンバ11内の圧力が、数万Pa(数百Torr)を下回らないように、チャンバ11内のN2ガスを排出する。これにより、チャンバ11内においてガス粘性力の大きな粘性流を確実に発生させることができる。
At this time, if the pressure inside the
また、チャンバ11内へ導入されるN2ガスの流量は、排気ライン15の排気能力に応じて設定されるのがよく、具体的には、数SLM(L/min at 0℃、101.3kPa)以上がよく、好ましくは、数十SLM以上であるのがよい。チャンバ11内へ導入されるガスは、N2ガスに限られず、不活性ガスであればよく、例えば、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)、ラドン(Rn)等のガスや、O2ガスなどを用いてもよい。
The flow rate of the N 2 gas introduced into the
また、チャンバ11内へのN2ガスの円滑な導入を実現するために、ガス導入ライン18においてバルブV2より下流にオリフィス構造、例えば、流量制御装置(マスフローコントローラ)やスローアップバルブが配設されないのが好ましい。
Further, in order to realize smooth introduction of N 2 gas into the
次いで、直流電源27が電極層25に極性の異なる高電圧、例えば、+1kV及び−1kVの電圧を交互に印加する。このとき、電極層25への高電圧の印加に起因して、静電場が発生してチャンバ11内面に静電気的な応力が作用することにより、チャンバ11内面からパーティクルが脱離する。該脱離したパーティクルは、上述した粘性流によってチャンバ11の外部へと排出される。
Next, the
上記静電気的な応力は、電極層25への高電圧の印加時及び停止時に、チャンバ11内面に効果的に作用する。ここで、基板搬送装置10では、電極層25への高電圧の印加が繰り返し行われるため、チャンバ11内面に効果的な静電気的な応力が繰り返して作用する。したがって、チャンバ11内面に堆積したパーティクルをより十分に除去することができる。
The electrostatic stress effectively acts on the inner surface of the
また、電極層25へ同じ極性の高電圧の印加が繰り返し行われると、チャンバ11内面が帯電(チャージアップ)し、その結果、チャンバ11内面に作用する静電気的な応力が小さくなり、チャンバ11内面に堆積したパーティクルの除去効率が低下することがある。基板搬送装置10では、電極層25へ極性の異なる高電圧が交互に印加されるため、チャンバ11内面が帯電することがなく、チャンバ11内面に堆積したパーティクルの除去効率が低下するのを防止することができる。
Further, when a high voltage of the same polarity is repeatedly applied to the
なお、上述したように、上記静電気的な応力の効果的な作用は、電極層25への高電圧の印加の回数に関係し、電極層25への高電圧の印加時間にはあまり関係しない。したがって、電極層25への高電圧の印加時間は、例えば、1秒以下であってもよい。
As described above, the effective action of the electrostatic stress is related to the number of times of applying a high voltage to the
そして、ガス導入ライン18からN2ガスをチャンバ11内へ導入したまま、電極層25への極性の異なる高電圧の交互の印加を所定回数だけ行った後、ガス導入ライン18のバルブV2を閉じる共に、排気ライン15のバルブV1を閉じ、本処理を終了する。
Then, while applying N 2 gas from the
上述した基板搬送装置の基板洗浄方法によれば、チャンバ11内にN2ガスが導入され且つチャンバ11内が排気されているときに、チャンバ11内の所望の位置に移動したピック24に配設された電極層25に極性の異なる高電圧が交互に印加されるため、チャンバ11内において粘性流が生じると共に、チャンバ11内の所望の位置において静電場が発生して所望の位置近傍におけるチャンバ11内面に静電気的な応力が作用し、チャンバ11内面に堆積したパーティクルが脱離する。これら脱離したパーティクルは上記粘性流によってチャンバ11内から排除される。したがって、チャンバ11を外部環境に開放することなく、チャンバ11内面に堆積したパーティクルを除去することができる。すなわち、基板搬送装置10を備える基板処理システムの稼働率を低下することなく、堆積したパーティクルを十分に除去することができる。
According to the substrate cleaning method of the substrate transfer apparatus described above, when the N 2 gas is introduced into the
上述した基板搬送装置10では、高電圧が印加される電極層25がピック24に配設されたが、電極が配設される箇所はピック24に限られず、搬送アーム12によってチャンバ11内の所望の位置に移動可能な箇所であればよく、例えば、第2の腕部材23の端部近傍等に配設されてもよい。但し、電極層25がピック24に設けられることにより、ウエハWの搬送中において、ウエハWをピック24に静電吸着力によって吸着することができる。これにより、ウエハWの搬送速度を大きくすることができ、スループットを向上することができる。
In the
また、ウエハWに付着したパーティクルを除去する場合には、ピック24にウエハWを載置して上述した基板搬送装置の洗浄方法を実行する前に、ピック24にウエハWを載置することなく、上述した基板搬送装置の洗浄方法を実行し、チャンバ11内面に堆積したパーティクルを除去するのがよい。これにより、ウエハWに付着したパーティクルの除去効率を向上することができる。
Further, when removing particles adhering to the wafer W, the wafer W is not placed on the
次に、本発明の実施の形態に係る基板処理システムについて詳述する。 Next, the substrate processing system according to the embodiment of the present invention will be described in detail.
図3は、本発明の実施の形態に係る基板処理システムの概略構成を示す断面図である。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate processing system according to the embodiment of the present invention.
図3において、基板処理システム30は、上述した基板搬送装置10と、該基板搬送装置10にゲートバルブ14を介して接続されたプラズマ処理装置31を備える。
In FIG. 3, the
ウエハWにエッチング処理を施すエッチング処理装置として構成されるプラズマ処理装置31は、金属製の円筒型チャンバ(第2の収容室)32を有し、該チャンバ32内に、ウエハWを載置する円柱状のサセプタ33が配設されている。
A
チャンバ32内は、チャンバ32の下部において自動圧力制御弁(automatic pressure control valve)(以下「APC」という)34に連通する。APC34は、ターボ分子ポンプ(以下「TMP」という)35に接続され、さらに、TMP35を介してDP36に接続されている。APC34はチャンバ32内の圧力制御を行い、TMP35及びDP36はチャンバ32内をほぼ真空状態になるまで減圧する。
The interior of the
また、チャンバ32内は、チャンバ32の下部内壁において粗引きラインに接続されている。この粗引きラインは、チャンバ32内とDP36とを連通させる排気管37と、排気管37の途中に配設されたバルブV3とを備える。このバルブV3は、チャンバ32内とDP36とを遮断することができる。粗引きラインはチャンバ32内の気体を排出する。
The interior of the
サセプタ33には、高周波電源38が電気的に接続されており、これにより、サセプタ33は高周波電力が印加される下部電極として機能する。
A high
サセプタ33の内部上方には、ウエハWを静電吸着力で吸着するための電極板39が配設され、ウエハWは、電極板39に印加された直流電圧により発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力によってサセプタ33の上面に吸着保持される。
Above the inside of the
サセプタ33の上面においてウエハWが吸着される部分には、複数の伝熱ガス供給孔40が開孔されている。これらの伝熱ガス供給孔40は、サセプタ33内部に配設された伝熱ガス供給ラインを介して伝熱ガス供給装置(図示せず)からの伝熱ガスをサセプタ33の上面とウエハWの裏面との間隙に供給する。
A plurality of heat transfer gas supply holes 40 are formed in a portion where the wafer W is adsorbed on the upper surface of the
チャンバ32の側壁には、ウエハWの搬入出口41が開口され、該搬入出口41はゲートバルブ14によって密封されている。ゲートバルブ14が開いた場合、基板搬送装置10のチャンバ11内とプラズマ処理装置31のチャンバ32内とは連通する。
A loading / unloading
また、チャンバ32の天井部には、接地電位にある上部電極としてのシャワーヘッド43が配設されている。これにより、高周波電源38からの高周波電圧がサセプタ33とシャワーヘッド43との間に印加される。天井部のシャワーヘッド43には、処理ガス供給装置(図示せず)からの処理ガス導入管42が接続されている。この処理ガス導入管42の途中にはバルブV4が配設されている。このバルブV4は、バッファ室47と処理ガス供給装置とを遮断することができる。
Further, a
このプラズマ処理装置31では、エッチング処理の際、先ずゲートバルブ42を開状態にして加工対象のウエハWを搬送アーム12によってチャンバ32内に搬入し、サセプタ33の上に載置する。そして、シャワーヘッド43より処理ガス(例えば、所定の流量比率のC4F8ガス、O2ガス及びArガスから成る混合ガス)を所定の流量および流量比でチャンバ32内に導入し、APC34等によりチャンバ32内の圧力を所定値にする。さらに、高周波電源38より高周波電力をサセプタ33に供給し、直流電圧を電極板39に印加して、ウエハWをサセプタ33上に吸着する。そして、シャワーヘッド43より吐出された処理ガスは、サセプタ33とシャワーヘッド43との間に形成されたRF電界によってプラズマ化する。このプラズマで生成されるラジカルやイオンはウエハWの表面をエッチングする。
In the
上述したプラズマ処理装置31では、生成されたプラズマのうち、ウエハWの表面へ収束されないものは、チャンバ32の内壁等に衝突してパーティクルを発生させる。また、プラズマによる反応生成物の残留堆積物がパーティクルとなる。これらのパーティクルのうち、本排気ラインや粗引きラインによって排出されないパーティクルはチャンバ32内面等に堆積するため、このパーティクルを除去する必要がある。
In the
基板処理システム30では、基板搬送装置10のチャンバ11内とプラズマ処理装置31のチャンバ32内とは、搬入出口13、ゲートバルブ14及び搬入出口41を介して連通するため、搬送アーム12は、搬入出口13、ゲートバルブ14及び搬入出口41を介して、ピック24をチャンバ32内の所望の位置に移動可能である。
In the
プラズマ処理装置31では、シャワーヘッド43によってチャンバ32内にN2ガスが導入され且つ粗引きラインによってチャンバ32内が排気されているときに、チャンバ32内の所望の位置、例えば、チャンバ32内面の近傍に移動したピック24の電極層25に高電圧を印加することにより、チャンバ32内面に静電気的な応力を作用させる。これにより、チャンバ32内面に堆積したパーティクルの付着力が弱まり、該パーティクルが脱離する。したがって、基板処理システム30では、ピック24を所望の位置に移動させることによって、基板搬送装置10のチャンバ11内面だけでなく、プラズマ処理装置31のチャンバ32内面に堆積したパーティクルを剥離させることができる。
In the
以下、基板処理システム30において実行される、基板搬送装置10のチャンバ11内面及びプラズマ処理装置31の内面に堆積したパーティクルを除去する基板処理システムの洗浄方法について説明する。なお、ピック24が基板搬送装置10のチャンバ11内における所望の位置へ移動された場合の洗浄方法は、上述した通りであるため、説明を省略し、ピック24がプラズマ処理装置31のチャンバ32内における所望の位置に移動された場合の洗浄方法について説明する。
Hereinafter, a cleaning method of the substrate processing system that is performed in the
この洗浄方法に対応する洗浄処理が実行される前提条件は、電極層25には電圧が印加されず、チャンバ32内は粗引きラインによって排気されて減圧されており、バルブV4は閉じている状態である。
The precondition for performing the cleaning process corresponding to this cleaning method is that no voltage is applied to the
まず、ピック24を回転台21などの回転運動によってチャンバ32内の所望の位置へ移動する。次いで、V4を開き、シャワーヘッド43からN2ガスをチャンバ32内へ導入する。導入されたN2ガスは粗引きラインによってチャンバ32の外部へ排出されるため、チャンバ32内において天井部から下部へ向けてN2ガスの粘性流が発生する。このとき、上述した基板搬送装置の洗浄方法と同様に、粗引きラインは、チャンバ32内の圧力が、所定の圧力を下回らないように、チャンバ32内のN2ガス等を排出するのがよい。
First, the
また、チャンバ32内へ導入されるN2ガスの流量や種類についても、上述した基板搬送装置の洗浄方法と同様である。
Further, the flow rate and type of the N 2 gas introduced into the
次いで、直流電源27が電極層25に極性の異なる高電圧、例えば、+3kV及び−3kVの電圧を交互に印加する。このとき、静電場が発生してチャンバ32内面に静電気的な応力が作用することにより、チャンバ32内面からパーティクルが脱離する。該脱離したパーティクルは、上述した粘性流によってチャンバ32の外部へと排出される。電極板39へ印加される高電圧の絶対値が、例えば、1〜5kVの範囲にあるのがよいこと、及び高電圧の印加時間が、例えば1秒以下であってもよいことは上述した基板搬送装置の洗浄方法と同じである。
Next, the
そして、シャワーヘッド43からN2ガスをチャンバ32内へ導入したまま、電極層25への極性の異なる高電圧の交互の印加を所定回数だけ行った後、シャワーヘッド43のバルブV4を閉じる共に、粗引きラインのバルブV3を閉じ、本処理を終了する。
Then, while applying N 2 gas from the
上述した基板処理システムの洗浄方法によれば、チャンバ11及びチャンバ32のうちピック24が移動されたチャンバ(以下「ピック移動チャンバ」という)内にN2ガスが導入され且つピック移動チャンバ内が排気されているときに、ピック24に配設された電極板25に極性の異なる高電圧が交互に印加されるため、ピック移動チャンバ内において粘性流が生じると共に、ピック移動チャンバ内の所望の位置において静電場が発生して所望の位置近傍におけるピック移動チャンバ内面に静電気的な応力が作用し、ピック移動チャンバ内面に堆積したパーティクルが脱離し、さらに脱離したパーティクルは上記粘性流によってピック移動チャンバ内から排除される。したがって、チャンバ11及びチャンバ32を外部環境に開放することなく、堆積したパーティクルを除去することができる。すなわち、基板処理システム30の稼働率を低下することなく、堆積したパーティクルを十分に除去することができる。
According to the above-described substrate processing system cleaning method, N 2 gas is introduced into the
上述した基板処理システム30では、基板搬送装置10及びプラズマ処理装置31がそれぞれ排気装置(排気ライン15、粗引きライン)を備えたが、基板搬送装置10及びプラズマ処理装置31が排気装置を共有してもよく、例えば、排気ライン15がDP36に接続されてもよい。
In the
上述した基板処理システム30では、プラズマ処理装置31が基板搬送装置10に接続されたが、基板搬送装置10に接続された、基板処理システムの構成装置はこれに限られず、ウエハWを収容するチャンバ(以下「他のチャンバ」という)と、該他のチャンバにN2ガス等を導入するガス導入ラインと、他のチャンバ内を排気する排気ラインと、他のチャンバ及びチャンバ11を連通する開口部とを備える構成装置であればよく、例えば、CVD装置やアッシング装置として構成されるプラズマ処理装置、又は図6におけるウエハ搬出入室63等であってもよい。基板搬送装置10に接続された構成装置は、上述した基板処理システムの洗浄方法によって、他のチャンバが外部環境に開放されることなく、堆積したパーティクルが除去される。
In the above-described
また、基板処理システム30における基板搬送装置10及びプラズマ処理装置31の配置形式は、特に限られず、クラスタ型及びパラレル型のいずれであってもよい。
The arrangement form of the
上述した基板搬送装置10及び基板処理システム30では、搬送アームとしてスカラアーム式ハンドリング装置が用いられたが、搬送アームの形式はこれに限られず、フロッグレッグ式ハンドリング装置であってもよい。
In the
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。 Next, examples of the present invention will be specifically described.
以下の実施例は、上述した基板搬送装置10において実行された。
The following examples were executed in the
図4は、本発明の実施例として実行されたパーティクル除去処理の評価シーケンスを示すフローチャートである。 FIG. 4 is a flowchart showing an evaluation sequence of particle removal processing executed as an embodiment of the present invention.
まず、基板搬送装置10のチャンバ11内においてウエハWを搬送し、搬送されたウエハWに付着したパーティクルの数をカウントすることによって初期のPWP(Particle per Wafer Pass)を測定した(ステップS41)。次いで、基板搬送装置10のメンテナンス窓を開放して大気中の塵芥をチャンバ11に取り込み(ステップS42)、基板搬送装置10のメンテナンス窓を閉鎖し、基板搬送装置10の制御装置(図示せず)のカウンタを「1」にセットし(ステップS43)、上述した基板搬送装置の洗浄方法をNPPC(Non Plasma Particle Cleaning)として実行し(ステップS44)、NPPCにより洗浄された基板搬送装置10のチャンバ11内においてウエハWを搬送し、搬送されたウエハWに付着したパーティクルの数をカウントすることによって洗浄後のPWPを測定した(ステップS45)。
First, an initial PWP (Particle per Wafer Pass) was measured by transferring the wafer W in the
次いで、カウンタの値Nが設定回数より大きいか否かを判定し(ステップS46)、
カウンタの値Nが設定回数以下のときには(ステップS46でNO)、カウンタをインクリメントして(ステップS47)、ステップS44に戻り、カウンタの値Nが設定回数より大きくなった(ステップS46でYES)後に本処理を終了した。
Next, it is determined whether or not the counter value N is greater than the set number of times (step S46),
When the counter value N is less than or equal to the set number of times (NO in step S46), the counter is incremented (step S47), and the process returns to step S44. This processing is finished.
このとき、測定されたPWPをまとめたグラフを図5に示す。 At this time, the graph which put together the measured PWP is shown in FIG.
図5において、横軸は測定回数であり、縦軸はPWPの値である。また、横軸の右端におけるPWPは、基板搬送装置10に接続されたカセットチャンバ(C/C)(図示せず)にウエハWがセットされたときに、既にウエハWに付着していたパーティクルの数(以下、「バックグラウンド数」という)である。
In FIG. 5, the horizontal axis represents the number of measurements, and the vertical axis represents the value of PWP. Further, the PWP at the right end of the horizontal axis is the amount of particles already attached to the wafer W when the wafer W is set in a cassette chamber (C / C) (not shown) connected to the
図5に示すように、NPPCを1回行うことにより、PWPの値を大きく減じることができる、すなわち、基板搬送装置10のチャンバ11内に堆積したパーティクルを十分に除去することができることが分かった。また、NPPCを4回以上行えば、PWPの値をバックグラウンド数まで低下させることができる、すなわち、チャンバ11内面に堆積したパーティクルを殆ど除去できることが分かった。NPPCが繰り返し行われている間、基板搬送装置10のメンテナンス窓は閉鎖されたままであった。したがって、上述した基板搬送装置の洗浄方法を行うことにより、チャンバ11を外部環境に開放することなく、チャンバ11内面に堆積したパーティクルを除去することができる、すなわち、基板搬送装置10を備える基板処理システム30の稼働率を低下することなく、堆積したパーティクルを十分に除去することができることが分かった。
As shown in FIG. 5, it was found that by performing NPPC once, the value of PWP can be greatly reduced, that is, particles deposited in the
10 基板搬送装置
11,32 チャンバ
12 搬送アーム
13,41 搬入出口
14 ゲートバルブ
15 排気ライン
16,37 排気管
17,36 DP
18 ガス導入ライン
19 ガス供給装置
20 ガス導入管
21 回転台
22 第1の腕部材
23 第2の腕部材
24 ピック
25 電極層
26 電線
27 直流電源
30 基板処理システム
31 プラズマ処理装置
33 サセプタ
34 APC
35 TMP
38 高周波電源
39 電極板
40 伝熱ガス供給孔
42 処理ガス導入管
43 シャワーヘッド
47 バッファ室
DESCRIPTION OF
18
35 TMP
38 High-
Claims (8)
該収容室内に配設され且つ前記基板を搬送する基板搬送部と、
前記収容室内を排気する排気部と、
前記収容室内に気体を導入する気体導入部とを備える基板搬送装置において、
前記基板搬送部は、前記基板を載置する載置部と、該載置部に一端が接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部に配設され且つ電圧が印加される電極とを有し、
前記収容室内に前記気体が導入され且つ前記収容室内が排気されているときに、前記電極に高電圧が印加されることを特徴とする基板搬送装置。 A storage chamber for storing the substrate;
A substrate transport unit disposed in the storage chamber and transporting the substrate;
An exhaust section for exhausting the storage chamber;
In the substrate transfer device comprising a gas introduction part for introducing gas into the accommodation chamber,
The substrate transport unit includes a mounting unit for mounting the substrate, an arm connected to the mounting unit and moving the mounting unit, and a voltage applied to the mounting unit. Having an electrode,
A substrate transfer apparatus, wherein a high voltage is applied to the electrode when the gas is introduced into the storage chamber and the storage chamber is exhausted.
前記収容室内の所望の位置に、前記基板を載置する載置部を移動する移動ステップと、
前記収容室内に気体が導入され且つ前記収容室内が排気されているときに、前記移動された載置部に配設された電極に高電圧を印加する高電圧印加ステップとを有することを特徴とする基板搬送装置の洗浄方法。 A cleaning method for a substrate transfer device that removes foreign matter accumulated on the inner surface of the substrate storage chamber of the substrate transfer device,
A moving step of moving a mounting portion for mounting the substrate to a desired position in the storage chamber;
A high voltage applying step for applying a high voltage to the electrode disposed on the moved mounting portion when gas is introduced into the housing chamber and the housing chamber is exhausted. Cleaning method for substrate transfer device.
該基板搬送装置に接続され且つ前記基板を収容する第2の収容室を有する基板処理装置とを備える基板処理システムにおいて、
前記第1及び第2の収容室のうち少なくとも1つの収容室内を排気する排気部と、
前記排気される収容室内に気体を導入する気体導入部とをさらに備え、
前記基板搬送部は、前記基板を載置する載置部と、該載置部に一端が接続され且つ前記載置部を移動する腕部と、前記載置部に配設され且つ電圧が印加される電極とを有し、
前記第1及び第2の収容室のうち、前記載置部が移動された収容室内に前記気体が導入され且つ前記収容室内が排気されているときに、前記電極に高電圧が印加されることを特徴とする基板処理システム。 A substrate transfer apparatus having a first storage chamber for storing a substrate, and a substrate transfer unit disposed in the first storage chamber and transferring the substrate;
In a substrate processing system comprising a substrate processing apparatus connected to the substrate transfer apparatus and having a second storage chamber for storing the substrate,
An exhaust part for exhausting at least one of the first and second accommodation chambers;
A gas introduction part for introducing gas into the exhausted storage chamber;
The substrate transport unit includes a mounting unit for mounting the substrate, an arm connected to the mounting unit and moving the mounting unit, and a voltage applied to the mounting unit. Having an electrode,
Among the first and second storage chambers, a high voltage is applied to the electrode when the gas is introduced into the storage chamber in which the mounting portion is moved and the storage chamber is exhausted. A substrate processing system.
前記基板搬送装置及び前記基板処理装置のうち少なくとも1つの装置における基板の収容室内の所望の位置に、前記基板を載置する載置部を移動する移動ステップと、
前記収容室内に気体が導入され且つ前記収容室内が排気されているときに、前記移動された載置部に配設された電極に高電圧を印加する高電圧印加ステップとを有することを特徴とする基板処理システムの洗浄方法。 A substrate processing system cleaning method for removing foreign matter accumulated on a substrate storage chamber surface in at least one of a substrate transport apparatus and a substrate processing apparatus provided in a substrate processing system,
A moving step of moving a placement unit for placing the substrate to a desired position in a substrate storage chamber in at least one of the substrate transport apparatus and the substrate processing apparatus;
A high voltage applying step of applying a high voltage to the electrode disposed on the moved placement portion when gas is introduced into the housing chamber and the housing chamber is exhausted. Cleaning method for substrate processing system.
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