JP2005297156A

JP2005297156A - Wire saw

Info

Publication number: JP2005297156A
Application number: JP2004119478A
Authority: JP
Inventors: Hideharu Ikubo; 栄春井久保; Yoshihiko Kanamaru; 芳彦金丸; Giichiro Iwakiri; 義一郎岩切
Original assignee: Komatsu Electronic Metals Co Ltd
Current assignee: Sumco Techxiv Corp
Priority date: 2004-04-14
Filing date: 2004-04-14
Publication date: 2005-10-27
Also published as: TW200600257A; TWI284073B

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wire saw capable of preventing adverse influence on semiconductor ingot cutting in a vibration transmission large part of a wire. <P>SOLUTION: A semiconductor ingot 22 formed in a columnar shape is adhered to a slice table 44. A side protector 22a composed of a material cuttable by the wire of a wire saw, is also adhered to an end surface of the semiconductor ingot 22. The wire traveling in an ingot cutting part is stabilized by absorbing vibration of the wire in an end part of the semiconductor ingot by the side protector 22a. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ワイヤを用いて被加工物を切断加工するワイヤソーに係り、特に、半導体インゴット（例えば、単結晶シリコンのような半導体単結晶や、ガリウム砒素などの化合物半導体）などの被加工物を薄くスライス加工するワイヤソー、及び、ワイヤの振動を防止するプロテクターに関する。 The present invention relates to a wire saw for cutting a workpiece using a wire, and more particularly to a workpiece such as a semiconductor ingot (for example, a semiconductor single crystal such as single crystal silicon or a compound semiconductor such as gallium arsenide). The present invention relates to a wire saw that is thinly sliced and a protector that prevents vibration of the wire.

近年、生産性向上の観点から、半導体インゴットのスライス加工や、太陽電池用ソーラーセル等の生産のワイヤソー化が進むと共に、更なる生産性の向上が求められている（例えば、特許文献１参照）。 In recent years, from the viewpoint of productivity improvement, as the slicing process of semiconductor ingots and the production of wire saws for the production of solar cells for solar cells, etc. have progressed, further improvement in productivity has been demanded (for example, see Patent Document 1). .

図１２は、被加工物としての半導体インゴットをウェーハ状にスライス加工する一般的なワイヤソーのワイヤの経路を示す概念図である。図１２に示すように、ワイヤソー５１は、繰出しリール５２と、この繰出しリール５２から繰り出されるワイヤ５３と、複数のガイドローラ５４によって形成される繰出し側ワイヤ走行路５５と、繰出し側ワイヤ走行路５５の中途部に設けられてワイヤ５３に張力を与えるテンション機構５６と、多数の溝（図示せず）が一定ピッチで形成された３本の加工用ローラ５７，５８，５９と、加工用ローラ５７，５８，５９の溝に沿ってワイヤ５３を順次螺旋状に巻き掛けることで形成されたワイヤ列６０と、複数のガイドローラ６１によって形成される巻取り側ワイヤ走行路６２と、巻取り側ワイヤ走行路６２の中途部に設けられてワイヤ５３に張力を与えるテンション機構６３と、ワイヤ５３を巻き取る巻取りリール６４とを配設している。 FIG. 12 is a conceptual diagram showing a wire path of a general wire saw for slicing a semiconductor ingot as a workpiece into a wafer shape. As shown in FIG. 12, the wire saw 51 includes a feeding reel 52, a wire 53 fed out from the feeding reel 52, a feeding-side wire traveling path 55 formed by a plurality of guide rollers 54, and a feeding-side wire traveling path 55. A tension mechanism 56 that is provided in the middle and applies tension to the wire 53, three processing rollers 57, 58, 59 in which a large number of grooves (not shown) are formed at a constant pitch, and a processing roller 57 , 58 and 59, a wire row 60 formed by sequentially winding the wire 53 in a spiral shape, a winding-side wire traveling path 62 formed by a plurality of guide rollers 61, and a winding-side wire. A tension mechanism 63 that provides tension to the wire 53 and a take-up reel 64 that winds the wire 53 are disposed in the middle of the traveling path 62.

各リール５２，６４には、それぞれ正逆転可能なモータ（図示せず）がそれぞれ連結されており、このモータを互いに同期させて駆動することにより、ワイヤ５３が各リール５２，６４間を高速で往復走行する。このように、ワイヤ５３は往復走行するものであるため、各リール５２，６４の「繰出し」及び「巻取り」動作は機能的に切り替えられる。また、ワイヤ５３は使用に伴って磨耗するため、繰出しリール５２から所定の割合で新線が供給され、供給された新線の長さに対応する磨耗したワイヤ５３は巻取りリール６４に巻き取られる。 The reels 52 and 64 are respectively coupled with motors (not shown) capable of rotating in the forward and reverse directions. By driving the motors in synchronization with each other, the wire 53 is fastened between the reels 52 and 64 at a high speed. Travel back and forth. Thus, since the wire 53 reciprocates, the “feeding” and “winding” operations of the reels 52 and 64 are functionally switched. Further, since the wire 53 is worn with use, a new line is supplied from the supply reel 52 at a predetermined rate, and the worn wire 53 corresponding to the length of the supplied new line is wound on the take-up reel 64. It is done.

一方、ワイヤ列６０の上空には、被スライス加工物としての半導体インゴット６５が昇降可能に配置されている。このようなワイヤソー５１では、スラリーを供給した状態でワイヤ５３を線方向に進退走行させながら、ワイヤ５３に対して半導体インゴット６５を押し付けて接触させ、半導体インゴット６５に切断加工を施す。
特開平１０−０２２２３８号公報 On the other hand, a semiconductor ingot 65 as a workpiece to be sliced is arranged above and below the wire row 60 so as to be movable up and down. In such a wire saw 51, the semiconductor ingot 65 is pressed and brought into contact with the wire 53 while the wire 53 moves forward and backward in the linear direction in a state where the slurry is supplied, and the semiconductor ingot 65 is cut.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-022238

ところで、上記の如く構成されたワイヤソー５１にあっては、ワイヤ５３を進退走行させる各リール５２，６４の振動がワイヤ５３に伝達され、特に、加工用ローラ５７，５８，５９の両端部分に巻き付けられたワイヤ５３における振動が大きい。このようなワイヤ５３の振動により、半導体インゴット６５の両端付近でスライスされたウェーハに、切断厚さの不均一や切断面の反りといった切断不良が発生するという問題が生じていた。特にこの切断不良は、半導体インゴット６５の繰出しリール５２側の端部で顕著であった。 By the way, in the wire saw 51 configured as described above, vibrations of the reels 52 and 64 that cause the wire 53 to travel forward and backward are transmitted to the wire 53, and are wound around both ends of the processing rollers 57, 58, and 59. The vibration in the wire 53 is large. Due to the vibration of the wire 53, there has been a problem that a cutting defect such as uneven cutting thickness or warping of the cut surface occurs in a wafer sliced near both ends of the semiconductor ingot 65. In particular, this cutting failure was remarkable at the end of the semiconductor ingot 65 on the side of the supply reel 52.

一方、近年では、半導体インゴット６５の加工時間の短縮化のため、図１３に示すように、複数の半導体インゴット６５を同時に加工するワイヤソーもある（例えば、特許文献２参照）。図１３（Ａ）は被加工物としての半導体インゴットをウェーハ状にスライス加工する一般的なワイヤソーの要部の側面図、図１３（Ｂ）はインゴットの固定状態を示す正面図である。 On the other hand, in recent years, there is a wire saw for simultaneously processing a plurality of semiconductor ingots 65 as shown in FIG. 13 in order to shorten the processing time of the semiconductor ingot 65 (see, for example, Patent Document 2). FIG. 13A is a side view of a main part of a general wire saw for slicing a semiconductor ingot as a workpiece into a wafer shape, and FIG. 13B is a front view showing a fixed state of the ingot.

この種のワイヤソーにおいては、複数の半導体インゴット６５が並列に配置され、半導体インゴット６５の軸線方向に沿って延びるワークプレート７２及びスライス台７３を介して中間プレート７１に取り付けられる。スライス台７３は、略直方体形状のカーボン或いはガラス，プラスチック，セラミックス等の材質よりなり、上面は平坦をなし、下面は円柱形状の半導体インゴット６５の外周面が嵌合するように凹状に湾曲している。 In this type of wire saw, a plurality of semiconductor ingots 65 are arranged in parallel and attached to the intermediate plate 71 via a work plate 72 and a slicing base 73 extending along the axial direction of the semiconductor ingot 65. The slicing base 73 is made of carbon or glass, plastic, ceramics or the like having a substantially rectangular parallelepiped shape, and the upper surface is flat and the lower surface is curved in a concave shape so that the outer peripheral surface of the cylindrical semiconductor ingot 65 is fitted. Yes.

半導体インゴット６５は、その外周面をスライス台７３の下面の凹状湾曲部に嵌合させると同時に、接着剤等によって固定される。また、そのスライス台７３の上面は、ワークプレート７２の下面に接着剤等によって貼り付け固定される。スライス台７３は、ワイヤソーによるスライス加工の際には半導体インゴット６５と共にワイヤ５によって一部が切断され、加工終了後にはワークプレート７２から取り外される。そして、次の新しいスライス台７３が半導体インゴット６５と共にワークプレート７２に接着される。 The semiconductor ingot 65 is fixed by an adhesive or the like while the outer peripheral surface thereof is fitted into the concave curved portion on the lower surface of the slicing base 73. The upper surface of the slicing base 73 is fixed to the lower surface of the work plate 72 by an adhesive or the like. A part of the slicing base 73 is cut by the wire 5 together with the semiconductor ingot 65 when slicing with a wire saw, and is removed from the work plate 72 after the processing is completed. Then, the next new slice base 73 is bonded to the work plate 72 together with the semiconductor ingot 65.

そして、このような複数の半導体インゴット６５を同時にウェーハ状にスライス加工する場合においても、上述したワイヤの振動の影響により、半導体インゴット６５の両端寄りで、スライス加工したウェーハに切断厚さの不均一や切断面の反りといった切断不良が発生するという問題が生じていた。 Even when slicing a plurality of semiconductor ingots 65 into a wafer at the same time, due to the influence of the wire vibration described above, the slicing wafer has a nonuniform cutting thickness near both ends of the semiconductor ingot 65. There has been a problem that cutting defects such as warping of the cutting surface and warping occur.

さらに、図１４に示すように、複数の半導体インゴット６５を同時にスライス加工する場合には、各半導体インゴット６５の長さが異なることもある。通常は半導体インゴット６５の端部には、微小な面取り加工等を施している場合が多く、この場合、短い半導体インゴット６５の面取り部に接触したワイヤ５３の振動が、他の長い半導体インゴット６５の切断に影響を与えることがある。その結果、図１４に示すようにワイヤ列６０の均等配列を阻害し、製品としての目標厚さよりも著しく厚肉なウェーハ６５ａや薄肉なウェーハ６５ｂのように切断厚さの不均一や切断面の反りといった切断不良が発生するという問題が生じていた。 Furthermore, as shown in FIG. 14, when a plurality of semiconductor ingots 65 are sliced simultaneously, the lengths of the semiconductor ingots 65 may be different. Usually, the end portion of the semiconductor ingot 65 is often subjected to a minute chamfering process or the like. In this case, the vibration of the wire 53 in contact with the chamfered portion of the short semiconductor ingot 65 causes the vibration of the other long semiconductor ingot 65 to occur. May affect cutting. As a result, as shown in FIG. 14, the uniform arrangement of the wire rows 60 is hindered, and the cut thickness is not uniform or the cut surface is not as thick as the wafer 65a and the thin wafer 65b which are remarkably thicker than the target thickness. There has been a problem that cutting defects such as warping occur.

また、上述したワイヤの振動は、半導体インゴットの単数加工並びに複数加工の何れの場合にあっても、半導体インゴット両端近傍における加工後のウェーハをスライス台７３（図１３参照）から脱落させてしまうという問題も生じていた。 Further, the above-described wire vibration causes the processed wafer in the vicinity of both ends of the semiconductor ingot to drop off from the slicing base 73 (see FIG. 13) in both cases of single processing and multiple processing of the semiconductor ingot. There was also a problem.

そこで、本発明者等は、半導体インゴットをワイヤソーによってウェーハ状にスライス加工し、半導体インゴットの両端面からの切断位置におけるウェーハの切断厚さを測定した。図１５のグラフ図は、６本の半導体インゴットをスライス加工した際において、縦軸はスライス加工時の目標厚さに対する差分を示し、横軸は半導体インゴットの端面からの位置を示している。Ｔ１〜Ｔ５は半導体インゴットの巻取りリール６４側の端面から１枚目（Ｔ１）、２枚目（Ｔ２）・・・５枚目（Ｔ５）を示し、横軸のＢ１〜Ｂ５は半導体インゴットの繰出しリール５２側の端面から１枚目（Ｂ１）、２枚目（Ｂ２）・・・５枚目（Ｂ５）を示す。 Therefore, the present inventors sliced the semiconductor ingot into a wafer shape with a wire saw and measured the cutting thickness of the wafer at the cutting positions from both end faces of the semiconductor ingot. In the graph of FIG. 15, when slicing six semiconductor ingots, the vertical axis indicates a difference with respect to the target thickness at the time of slicing, and the horizontal axis indicates a position from the end face of the semiconductor ingot. T1 to T5 indicate the first (T1), second (T2)... Fifth (T5) from the end surface of the semiconductor ingot on the take-up reel 64 side, and B1 to B5 on the horizontal axis indicate the semiconductor ingot. A first sheet (B1), a second sheet (B2),..., A fifth sheet (B5) from the end surface on the supply reel 52 side are shown.

図１５の実験結果のグラフ図に示されるように、ワイヤ５３への振動伝達の影響が半導体インゴットの両端部、特に、繰出しリール５２側の端部で発生し易いことがわかった。なお、図１５のグラフには示していないが、半導体インゴットの中央付近では、ワイヤの振動は収まり、切断への影響は殆ど出なかった。 As shown in the graph of the experimental results in FIG. 15, it has been found that the influence of vibration transmission to the wire 53 is likely to occur at both ends of the semiconductor ingot, particularly at the end on the supply reel 52 side. Although not shown in the graph of FIG. 15, near the center of the semiconductor ingot, the wire vibrations subsided and the cutting was hardly affected.

本出願に係る発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、その第１の目的とするところは、ワイヤの振動により発生するスライス台からのウェーハの脱落を防止することができるワイヤソーを提供することにある。 The invention according to the present application has been made to solve the above-described problems, and a first object of the invention is to prevent the wafer from dropping off from the slicing table caused by the vibration of the wire. It is to provide a wire saw that can.

また、本出願に係る発明の第２の目的は、スライス加工時の製品に対する切断不良を解消することができるワイヤソーを提供することにある。
特開２００１−００１２４８号公報 A second object of the invention according to the present application is to provide a wire saw that can eliminate a cutting defect for a product during slicing.
JP 2001-001248 A

上記目的を達成するため、本出願に係る第１の発明は、被加工物を保持した治具を複数本の並走するワイヤに接近させ、前記被加工物を前記ワイヤに接触させることにより、前記被加工物を切断するワイヤソーにおいて、前記被加工物の少なくとも一端面に前記ワイヤにて切断可能な材料からなるプロテクターを設けたことを特徴とするワイヤソーである。
上記の発明によれば、ワイヤの振動が大きい部分による悪影響は、プロテクターが犠牲となるため、被加工物自体への悪影響を防止することができる。 In order to achieve the above object, the first invention according to the present application is to bring a jig holding a workpiece close to a plurality of parallel running wires, and bring the workpiece into contact with the wire, In the wire saw for cutting the workpiece, a protector made of a material that can be cut by the wire is provided on at least one end surface of the workpiece.
According to the above invention, the adverse effect due to the portion where the vibration of the wire is large is sacrificed to the protector, so that the adverse effect on the workpiece itself can be prevented.

また、本出願に係る第２の発明は、前記プロテクターは、前記被加工物の端面若しくは前記治具の何れか一方に固定されていることを特徴とする上記第１の発明に記載のワイヤソーである。
上記の発明によれば、特にプロテクターを被加工物の端面に固定した場合、スライスされたプロテクターは切断後治具から自然に落下するため、他の切断されたウェーハに接触することが無く、ウェーハへの接触によるウェーハの割れや欠けなどを防止することができる。 According to a second aspect of the present invention, in the wire saw according to the first aspect, the protector is fixed to either the end surface of the workpiece or the jig. is there.
According to the above invention, especially when the protector is fixed to the end face of the workpiece, the sliced protector naturally falls from the jig after cutting, so that the wafer does not come into contact with other cut wafers. It is possible to prevent cracking or chipping of the wafer due to contact with the wafer.

さらに、本出願に係る第３の発明は、前記プロテクターの前記固定は接着剤によって行われており、前記接着剤は、前記被加工物と前記治具の接着に使われている接着剤よりも硬化温度が低いことを特徴とする上記第２の発明に記載のワイヤソーである。
プロテクターを取り付ける接着剤の硬化温度が、被加工物を治具に接着する際に使用される接着剤の硬化温度よりも高い場合には、せっかく結晶方位を合せて位置決めされて治具に接着された被加工物が、接着剤の軟化によりずれてしまうことがあるが、上記の発明によれば、プロテクターを取り付ける接着剤の硬化温度の方が低いため、被加工物がずれるのを防ぐことができる。 Further, according to a third invention of the present application, the fixing of the protector is performed by an adhesive, and the adhesive is more than an adhesive used for bonding the workpiece and the jig. The wire saw according to the second aspect, wherein the curing temperature is low.
If the curing temperature of the adhesive to which the protector is attached is higher than the curing temperature of the adhesive used to bond the work piece to the jig, it is positioned with the crystal orientation aligned and bonded to the jig. However, according to the above invention, since the curing temperature of the adhesive for attaching the protector is lower, it is possible to prevent the workpiece from shifting. it can.

また、本出願に係る第４の発明は、前記プロテクターは、３〜２０ｍｍの厚さを有することを特徴とする上記第１乃至第３の発明の何れか１つに記載のワイヤソーである。
上記の発明のように、プロテクターの厚みを、材質と硬度と切断される被加工物の長さによって３〜２０ｍｍの範囲で設定することにより、被加工物への悪影響を必要最小限の厚さのプロテクターで補うことができる。 A fourth invention according to the present application is the wire saw according to any one of the first to third inventions, wherein the protector has a thickness of 3 to 20 mm.
As in the above invention, the thickness of the protector is set within a range of 3 to 20 mm depending on the material, the hardness and the length of the workpiece to be cut, so that the adverse effect on the workpiece is minimized. Can be supplemented with a protector.

さらに、本出願に係る第５の発明は、被加工物を保持した治具を複数本の並走するワイヤに接近させ、前記被加工物を前記ワイヤに接触させることにより、前記被加工物を切断するワイヤソーにおいて、前記ワイヤの振動を防止するためのプロテクターであって、前記ワイヤにて切断可能な材料からなり、前記被加工物の少なくとも一端面に設けられることを特徴とするプロテクターである。
上記の発明によれば、ワイヤの振動が大きい部分による悪影響は、プロテクターが犠牲となるため、被加工物自体への悪影響を防止することができる。 Further, according to a fifth aspect of the present invention, a jig holding a workpiece is brought close to a plurality of wires running in parallel, and the workpiece is brought into contact with the wire, whereby the workpiece is The wire saw to be cut is a protector for preventing vibration of the wire, which is made of a material that can be cut by the wire, and is provided on at least one end surface of the workpiece.
According to the above invention, the adverse effect due to the portion where the vibration of the wire is large is sacrificed to the protector, so that the adverse effect on the workpiece itself can be prevented.

また、本出願に係る第６の発明は、前記プロテクターの前記被加工物の端面への接着部の形状が、前記被加工物の端面若しくは切断面と同一の形状であることを特徴とする上記第５の発明に記載のプロテクターである。
上記の発明によれば、ワイヤの当接時期を被加工物とプロテクターとで略一致させることができ、より一層ワイヤからの振動を被加工物側に伝え難くすることができる。 Further, a sixth invention according to the present application is characterized in that the shape of the bonding portion of the protector to the end surface of the workpiece is the same shape as the end surface or cut surface of the workpiece. It is a protector as described in 5th invention.
According to said invention, the contact timing of a wire can be made to correspond substantially by a workpiece and a protector, and it can make it difficult to transmit the vibration from a wire to the workpiece side further.

さらに、本出願に係る第７の発明は、複数本の並走するワイヤに接触させることにより、切断加工されるインゴットであって、前記ワイヤにて切断可能な材料からなるプロテクターを、前記インゴットの少なくとも一端面に設けたことを特徴とするインゴットである。
上記の発明によれば、ワイヤの振動が大きい部分による悪影響は、プロテクターが犠牲となるため、被加工物自体への悪影響を防止することができる。 Furthermore, a seventh invention according to the present application is an ingot that is cut by contacting a plurality of parallel running wires, and a protector made of a material that can be cut by the wire is provided on the ingot of the ingot. An ingot is provided on at least one end surface.
According to the above invention, the adverse effect due to the portion where the vibration of the wire is large is sacrificed to the protector, so that the adverse effect on the workpiece itself can be prevented.

また、本出願に係る第８の発明は、前記プロテクターの前記インゴットの端面への接着部の形状が、前記インゴットの端面若しくは切断面と同一の形状であることを特徴とする上記第７の発明に記載のインゴットである。
上記の発明によれば、ワイヤの当接時期を被加工物とプロテクターとで略一致させることができ、より一層ワイヤからの振動を被加工物側に伝え難くすることができる。 According to an eighth aspect of the present invention, in the seventh aspect of the invention, the shape of the bonding portion of the protector to the end surface of the ingot is the same shape as the end surface or cut surface of the ingot. It is an ingot described in.
According to said invention, the contact timing of a wire can be made to correspond substantially by a workpiece and a protector, and it can make it difficult to transmit the vibration from a wire to the workpiece side further.

本願によれば、リールからワイヤへの振動伝達による被加工物自体への悪影響を防止し、被加工物をより高精度に切断することができる。 According to the present application, it is possible to prevent an adverse effect on the workpiece itself due to vibration transmission from the reel to the wire, and to cut the workpiece with higher accuracy.

次に、本発明のワイヤソーの実施の形態について、図１乃至図１１に基づいて説明する。 Next, an embodiment of a wire saw according to the present invention will be described with reference to FIGS.

（ワイヤソーの全体構造）
まず、図１〜図４を用いてワイヤソーの全体構造について説明する。図１はワイヤソーの斜視図、図２はワイヤソーの正面図、図３はワイヤソーの右側面図、図４はワイヤソーの平面図を示している。図１に示すように、装置基台１１上にはコラム１２が立設されている。このコラム１２の前方には、切断機構１３が互いに対向する一対のブラケット１４の間に装設されている。 (Overall structure of wire saw)
First, the overall structure of the wire saw will be described with reference to FIGS. 1 is a perspective view of the wire saw, FIG. 2 is a front view of the wire saw, FIG. 3 is a right side view of the wire saw, and FIG. 4 is a plan view of the wire saw. As shown in FIG. 1, a column 12 is erected on the apparatus base 11. In front of the column 12, a cutting mechanism 13 is installed between a pair of brackets 14 facing each other.

また、一対のブラケット１４の間には、複数の加工用ローラ１５，１６，１７が回転自在に支持されている。それぞれの加工用ローラ１５，１６，１７は、所定間隔をおいて互いに平行に配置されている。また、図２に示すように、加工用ローラ１５，１６，１７の外周には、それぞれ環状溝１５ａ，１６ａ，１７ａが所定ピッチで複数形成されている。尚、図２においては、理解を容易にするために、後述するワイヤ１８の図示を省略すると共に環状溝１５ａ，１６ａ，１７ａの数を実際よりも少なく描いて簡略化している。 A plurality of processing rollers 15, 16, and 17 are rotatably supported between the pair of brackets 14. The respective processing rollers 15, 16, and 17 are arranged in parallel to each other at a predetermined interval. As shown in FIG. 2, a plurality of annular grooves 15a, 16a, and 17a are formed at predetermined pitches on the outer circumferences of the processing rollers 15, 16, and 17, respectively. In FIG. 2, for the sake of easy understanding, illustration of the wire 18 described later is omitted, and the number of the annular grooves 15 a, 16 a, and 17 a is simplified to be less than actual.

加工用ローラ１５，１６，１７の各環状溝１５ａ，１６ａ，１７ａには、１本の線材よりなるワイヤ１８が、三本の加工用ローラ１５，１６，１７を跨って連続的に螺旋状に巻きつけられている。また、加工用ローラ１５，１６，１７は、図４に示すように、一方のブラケット１４の外壁に配設されたワイヤ走行用モータ１９により図示しない伝達機構を介して回転駆動させられる。そして、これらの加工用ローラ１５，１６，１７の回転によって、ワイヤ１８が所定の速度で走行する。このワイヤ１８の走行は、一定量前進及び一定量後退を繰り返し、全体として前進量を後退量よりも多くすることで歩進的に前進するように行われる。尚、ワイヤ１８としては、通常のワイヤ材料（例えば、ピアノ線）だけでなく、ワイヤ１８の表面に砥粒（例えば、ダイヤモンド砥粒）が付着された固定砥粒ワイヤ等を用いることもできる。 In each of the annular grooves 15a, 16a and 17a of the processing rollers 15, 16, and 17, a wire 18 made of one wire is continuously spiraled across the three processing rollers 15, 16, and 17. It is wrapped around. Further, as shown in FIG. 4, the processing rollers 15, 16, and 17 are rotationally driven via a transmission mechanism (not shown) by a wire travel motor 19 disposed on the outer wall of one bracket 14. The wire 18 travels at a predetermined speed by the rotation of the processing rollers 15, 16, and 17. The traveling of the wire 18 is performed so as to advance stepwise by repeating a certain amount of forward movement and a certain amount of backward movement and making the forward movement amount larger than the reverse movement amount as a whole. As the wire 18, not only a normal wire material (for example, piano wire) but also a fixed abrasive wire in which abrasive particles (for example, diamond abrasive particles) are attached to the surface of the wire 18 can be used.

ブラケット１４の上方には、上方の加工用ローラ１５，１６と並行に配置された略円筒状のスラリー供給用ノズル２０が配設されている。このスラリー供給用ノズル２０からは加工用ローラ１５，１６間のワイヤ１８上に、水性または油性のスラリーが供給される。このスラリーとしては、遊離砥粒を含んだスラリーを用いることも、または固定砥粒ワイヤを用いた加工では遊離砥粒を含まないオイルや水等のスラリーを用いることもできる。 Above the bracket 14, a substantially cylindrical slurry supply nozzle 20 disposed in parallel with the upper processing rollers 15 and 16 is disposed. From the slurry supply nozzle 20, an aqueous or oily slurry is supplied onto the wire 18 between the processing rollers 15 and 16. As this slurry, a slurry containing free abrasive grains can be used, or a slurry such as oil or water that does not contain free abrasive grains can be used in processing using a fixed abrasive wire.

図１に示すように、加工用ローラ１５，１６，１７の上方において、コラム１２にはワーク支持機構２１が上下動自在に支持され、その下部には硬脆材料よりなる直径約１５０ｍｍの半導体インゴット２２が２本並行にセットされる。コラム１２の正面壁には、２本のガイドレール１２ａが垂直方向に向けて平行に設けられており、このガイドレール１２ａにワーク支持機構２１が上下動自在に嵌合されている。また、コラム１２上にはワーク昇降用モータ２３が配設されており、このワーク昇降用モータ２３の回転を制御することによって図示しないボールスクリュー等を介してワーク支持機構２１が上下動される。ワーク支持機構２１は、ガイドレール１２ａにならって正確に真直度良く上下動する。 As shown in FIG. 1, a work support mechanism 21 is supported on a column 12 so as to be movable up and down above the processing rollers 15, 16, and 17, and a semiconductor ingot having a diameter of about 150 mm made of a hard and brittle material is provided below the work support mechanism 21. Two 22 are set in parallel. Two guide rails 12a are provided on the front wall of the column 12 in parallel in the vertical direction, and a work support mechanism 21 is fitted to the guide rail 12a so as to be movable up and down. Further, a workpiece lifting / lowering motor 23 is disposed on the column 12, and by controlling the rotation of the workpiece lifting / lowering motor 23, the workpiece support mechanism 21 is moved up and down via a ball screw or the like (not shown). The work support mechanism 21 moves up and down accurately and accurately with the guide rail 12a.

そして、このワイヤソーの運転時には、ワイヤ１８を加工用ローラ１５，１６，１７間で往復走行させながら、ワーク支持機構２１をワイヤ１８に向かって下降させる。このとき、スラリー供給用ノズル２０からワイヤ１８上へスラリーを供給するとともに、ワイヤ１８に対し半導体インゴット２２を押し付け接触させることにより、半導体インゴット２２がウェーハ状にスライス加工される。 When the wire saw is operated, the work support mechanism 21 is lowered toward the wire 18 while the wire 18 is reciprocatingly moved between the processing rollers 15, 16, and 17. At this time, the slurry is supplied from the slurry supply nozzle 20 onto the wire 18 and the semiconductor ingot 22 is pressed into contact with the wire 18 so that the semiconductor ingot 22 is sliced into a wafer.

図４に示すように、装置基台１１の後方には一対のリール機構２４が装設されている。このリール機構２４は、ワイヤ１８を繰り出すための繰出しリール２５と、ワイヤ１８を巻き取るための巻取りリール２６とを備えている。装置基台１１には、回転方向及び回転速度を変更可能なサーボモータよりなる一対のリール回転用モータ２７，２８が配設され、それらのモータ軸にそれぞれ繰出しリール２５と巻取りリール２６とが連結されている。リール回転用モータ２７，２８は正逆転方向に回転可能であり、リール回転用モータ２７，２８を正転させて繰出しリール２５から繰出されたワイヤ１８を巻取りリール２６へと巻き取らせ、次に、リール回転用モータ２７，２８を逆転させて、巻取りリール２６がワイヤ繰り出し側に、取出しリール２５がワイヤ巻き取り側にと機能的に切り替わる。ワイヤ１８は往復走行しながら磨耗するため、繰出しリール２５から適宜新線が供給され、供給された新線の長さに対応する磨耗したワイヤ１８は巻取りリール２６に巻き取られる。 As shown in FIG. 4, a pair of reel mechanisms 24 are installed behind the device base 11. The reel mechanism 24 includes a feeding reel 25 for feeding the wire 18 and a take-up reel 26 for winding the wire 18. The apparatus base 11 is provided with a pair of reel rotation motors 27 and 28 each composed of a servo motor capable of changing the rotation direction and the rotation speed, and a feeding reel 25 and a take-up reel 26 are respectively mounted on these motor shafts. It is connected. The reel rotation motors 27 and 28 are rotatable in the forward and reverse directions. The reel rotation motors 27 and 28 are rotated forward so that the wire 18 fed from the supply reel 25 is taken up onto the take-up reel 26. Then, the reel rotation motors 27 and 28 are reversed to functionally switch the take-up reel 26 to the wire feed side and the take-up reel 25 to the wire take-up side. Since the wire 18 is worn while reciprocating, a new wire is appropriately supplied from the supply reel 25, and the worn wire 18 corresponding to the length of the supplied new wire is taken up by the take-up reel 26.

装置基台１１上にはリール機構２４に隣接してトラバース機構２９が装設されており、繰出しリール２５からのワイヤ１８の繰出し及び巻取りリール２６へのワイヤ１８の巻取りを、上下にトラバースしながらワイヤ１８を案内する。そして、リール機構２４の両リール２５，２６の回転により、繰出しリール２５から切断機構１３へワイヤ１８が繰り出されるとともに、加工後のワイヤ１８が巻取りリール２６に巻き取られる。 A traverse mechanism 29 is installed adjacent to the reel mechanism 24 on the apparatus base 11, and traverses the wire 18 from the supply reel 25 and the wire 18 to the take-up reel 26 in the vertical direction. Then, the wire 18 is guided. Then, by rotating both reels 25 and 26 of the reel mechanism 24, the wire 18 is fed from the feeding reel 25 to the cutting mechanism 13, and the processed wire 18 is taken up by the take-up reel 26.

図３に示すように、トラバース機構２９と切断機構１３との間には、張力保持機構３０及びガイド機構３１が配設されている。そして、切断機構１３の加工用ローラ１５，１６，１７間に巻き付けられたワイヤ１８の両側がそれぞれ、ガイド機構３１の各ガイドローラ３２を介して張力保持機構３０に掛装されている。この状態で、張力保持機構３０により、加工用ローラ１５，１６，１７間のワイヤ１８に所定の張力が付与されるようになっている。このように張力保持機構３０によって所定の張力が付与されたワイヤ１８が、トラバース機構２９を介して、リール２５，２６に巻き付けられている。 As shown in FIG. 3, a tension holding mechanism 30 and a guide mechanism 31 are disposed between the traverse mechanism 29 and the cutting mechanism 13. Then, both sides of the wire 18 wound between the processing rollers 15, 16, and 17 of the cutting mechanism 13 are respectively hooked on the tension holding mechanism 30 via the guide rollers 32 of the guide mechanism 31. In this state, a predetermined tension is applied to the wire 18 between the processing rollers 15, 16, and 17 by the tension holding mechanism 30. Thus, the wire 18 to which a predetermined tension is applied by the tension holding mechanism 30 is wound around the reels 25 and 26 via the traverse mechanism 29.

（ワーク支持機構へのワーク取り付け構造）
次に、半導体インゴット２２のワーク支持機構２１への取り付け構造を、図５及び図６に基づいて説明する。図５（Ａ）は被加工物としての半導体インゴットをウェーハ状にスライス加工するワイヤソーの要部の側面図、図５（Ｂ）はインゴットの固定状態を示す正面図である。 (Work attachment structure to work support mechanism)
Next, a structure for attaching the semiconductor ingot 22 to the work support mechanism 21 will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG. 5A is a side view of a main part of a wire saw for slicing a semiconductor ingot as a workpiece into a wafer shape, and FIG. 5B is a front view showing a fixed state of the ingot.

先ず、半導体インゴット２２をワークプレート３８に取り付ける。この際、半導体インゴット２２は治具であるスライス台４４を介してワークプレート３８に取り付けられる。このスライス台４４は、略直方体形状のカーボン或いはガラス，プラスチック，セラミックス等の材質からなり、上面は平坦をなし、下面は円柱形状の半導体インゴット２２の外周面が密着状態で嵌合するように凹状に湾曲している。半導体インゴット２２をスライス台４４へと取り付ける際には、その外周面をスライス台４４の凹状に湾曲された下面に嵌合させると共に接着剤等によって固定する。そして、半導体インゴット２２を嵌合保持したスライス台４４は、ワークプレート３８の下面に接着剤等によって貼り付け固定される。 First, the semiconductor ingot 22 is attached to the work plate 38. At this time, the semiconductor ingot 22 is attached to the work plate 38 via a slicing base 44 which is a jig. The slicing table 44 is made of carbon or glass, plastic, ceramics or the like having a substantially rectangular parallelepiped shape, and the upper surface is flat, and the lower surface is concave so that the outer peripheral surface of the cylindrical semiconductor ingot 22 is fitted in close contact. Is curved. When the semiconductor ingot 22 is attached to the slicing table 44, the outer peripheral surface thereof is fitted to the concavely curved lower surface of the slicing table 44 and fixed with an adhesive or the like. The slicing base 44 with the semiconductor ingot 22 fitted and held is attached and fixed to the lower surface of the work plate 38 with an adhesive or the like.

尚、スライス台４４は、ワイヤソーによる半導体インゴット２２のスライス加工の際には、半導体インゴット２２と共にワイヤ１８によって一部切断され、加工終了後にはワークプレート３８から取り外される。そして、次の新しいスライス台４４が半導体インゴット２２と共にワークプレート３８に接着される。 The slicing base 44 is partly cut by the wire 18 together with the semiconductor ingot 22 when slicing the semiconductor ingot 22 with a wire saw, and is removed from the work plate 38 after the processing is completed. Then, the next new slice base 44 is bonded to the work plate 38 together with the semiconductor ingot 22.

一方、図６に示すように半導体インゴット２２の両端面には、サイドプロテクター２２ａが接着剤等によって貼り付け固定される。このサイドプロテクター２２ａは、スライス台４４と同様に、カーボン或いはガラス，プラスチック，シリコン単結晶，シリコン多結晶，セラミックス，アルミナ，レジン等のワイヤ１８での切断が可能な材質から構成（単品若しくはこれら一つを主成分とした合成材料を含む）されており、好ましくは、半導体インゴット２２の硬度よりもやや軟質な材料（材料密度等を含む）から構成されている。
サイドプロテクター２２ａの材質は、半導体インゴット２２等の被加工物の材料特性に伴う硬度を考慮したものとすれば良く、ワイヤ１８からの振動を被加工物へと伝え難くすると同時に、ワイヤ１８の劣化防止効果をも考慮したものであることが望ましい。 On the other hand, as shown in FIG. 6, side protectors 22 a are attached and fixed to both end surfaces of the semiconductor ingot 22 with an adhesive or the like. The side protector 22a is made of a material that can be cut by the wire 18 such as carbon, glass, plastic, silicon single crystal, silicon polycrystal, ceramics, alumina, resin, or the like (single item or one of these). It is preferably made of a material (including material density) slightly softer than the hardness of the semiconductor ingot 22.
The material of the side protector 22a may be one that takes into account the hardness associated with the material characteristics of the workpiece such as the semiconductor ingot 22 and makes it difficult to transmit vibration from the wire 18 to the workpiece, and at the same time, the deterioration of the wire 18 It is desirable to consider the prevention effect.

また、サイドプロテクター２２ａは、その正面形状が半導体インゴット２２の端面形状と略同一の形状並びに大きさの円形をなし、その厚さはワイヤ１８によって半導体インゴット２２をウェーハ状にスライス加工した際の、ウェーハ３〜１５枚程度の厚さとしている。サイドプロテクター２２ａの厚みは、材質と硬度と切断される半導体インゴット２２の長さによって設定する。半導体インゴット２２の端面におけるワイヤ１８の振動による影響を防ぐ目的からは３〜２０ｍｍ程度の厚さがあれば良い。また、２本以上の半導体インゴット２２を同時に切断する場合には、長い方の半導体インゴットの長さに合わせて若しくは長い方の半導体インゴットの長さに３〜２０ｍｍ加えた厚さに設定すれば良い。 In addition, the side protector 22a has a front surface whose shape is substantially the same as the end surface shape of the semiconductor ingot 22 and a circular shape, and the thickness of the side protector 22a when the semiconductor ingot 22 is sliced into a wafer shape with the wire 18. The thickness is about 3 to 15 wafers. The thickness of the side protector 22a is set according to the material and hardness and the length of the semiconductor ingot 22 to be cut. For the purpose of preventing the influence of the vibration of the wire 18 on the end face of the semiconductor ingot 22, a thickness of about 3 to 20 mm is sufficient. When two or more semiconductor ingots 22 are cut simultaneously, the thickness may be set to match the length of the longer semiconductor ingot or to the length of the longer semiconductor ingot plus 3 to 20 mm. .

サイドプロテクター２２ａは、半導体インゴット２２をスライス台４４に接着した後に、半導体インゴット２２の少なくとも一端面に接着剤等によって貼り付け固定される。さらに、サイドプロテクター２２ａの周端面の一部が、スライス台４４の下面にも同時に接着固定される。スライス加工中またはスライス加工後のウェーハの脱落防止という観点からは、サイドプレテクター２２ａを半導体インゴット２２の端面とスライス台４４の両方に接着することが望ましいが、ワイヤの振動防止という目的を達成するためであれば、半導体インゴット２２の端面若しくはスライス台４４の何れか一方のみに接着固定しても良い。 The side protector 22 a is bonded and fixed to at least one end surface of the semiconductor ingot 22 with an adhesive or the like after the semiconductor ingot 22 is bonded to the slicing base 44. Furthermore, a part of the peripheral end surface of the side protector 22 a is simultaneously bonded and fixed to the lower surface of the slicing base 44. From the viewpoint of preventing the wafer from falling off during or after slicing, it is desirable to bond the side protector 22a to both the end face of the semiconductor ingot 22 and the slicing table 44, but this achieves the purpose of preventing wire vibration. For this purpose, the semiconductor ingot 22 may be bonded and fixed only to either the end face of the semiconductor ingot 22 or the slice table 44.

半導体インゴット２２の端面若しくはスライス台４４の何れか一方のみに接着固定する場合には、半導体インゴット２２の端面に固定する方が良い。半導体インゴット２２の端面に固定した場合、スライスされたサイドプロテクター２２ａは切断後スライス台４４から自然に落下する。このため、スライス台４４に吊るされてフラフラと他の切断されたウェーハに接触することが無く、ウェーハへの接触によるウェーハの割れや欠けなどを防止することができる。 When bonding and fixing to only one of the end surface of the semiconductor ingot 22 or the slicing base 44, it is better to fix to the end surface of the semiconductor ingot 22. When fixed to the end face of the semiconductor ingot 22, the sliced side protector 22 a naturally falls from the slicing base 44 after cutting. For this reason, it is suspended from the slicing table 44 and does not come into contact with the flutter and other cut wafers, so that cracking or chipping of the wafer due to contact with the wafer can be prevented.

サイドプロテクター２２ａは、図５（Ｂ）に示すように半導体インゴット２２の両端面に設けていても良く、または、図６（Ｂ）に示すように半導体インゴット２２の一端面にのみ設けても良い。また、前出の図１５に示したように、ワイヤの振動伝達は、特に繰出しリール側の端部で発生しやすいことから、サイドプロテクター２２ａを半導体インゴット２２の繰出しリール側の端面にのみ設けても良い。 The side protector 22a may be provided on both end faces of the semiconductor ingot 22 as shown in FIG. 5B, or may be provided only on one end face of the semiconductor ingot 22 as shown in FIG. 6B. . Further, as shown in FIG. 15 above, since the vibration transmission of the wire is likely to occur particularly at the end portion on the supply reel side, the side protector 22a is provided only on the end surface of the semiconductor ingot 22 on the supply reel side. Also good.

半導体インゴット２２をスライス台４４に貼り付ける際の接着剤と、サイドプロテクター２２ａを半導体インゴット２２並びにスライス台４４に貼り付ける際の接着剤とは、同様の材料からなる接着剤を使用することができる。具体的には、エポキシ樹脂（ビスフェノールＡ型ジグリシジルエーテル）等を主剤とし、その硬化剤に変性脂肪族ポリアミンを使用したもの等がある。接着剤は、ワイヤ１８で半導体インゴット２２を切断した際に、ワイヤ１８に接着剤の粘着物が付着しないものが望ましく、硬化するタイプの接着剤が好ましい。より好ましくは、上述の樹脂のように常温で硬化状態にあるものが望ましい。 An adhesive made of the same material can be used as the adhesive for attaching the semiconductor ingot 22 to the slicing base 44 and the adhesive for attaching the side protector 22a to the semiconductor ingot 22 and the slicing base 44. . Specifically, there are those using an epoxy resin (bisphenol A type diglycidyl ether) or the like as a main agent and a modified aliphatic polyamine as a curing agent. The adhesive is desirably an adhesive that does not adhere to the wire 18 when the semiconductor ingot 22 is cut with the wire 18, and is preferably a curing type adhesive. More preferably, a resin that is in a cured state at room temperature, such as the resin described above, is desirable.

半導体インゴット２２をスライス台４４に貼り付け、半導体インゴット２２がスライス台４４に結晶方位にずれなく取り付けられたことが確認されてから、サイドプロテクター２２ａを取り付ける。半導体インゴット２２の結晶方位はインゴットにレーザーを照射して測定するものであり、サイドプロテクター２２ａを取り付けてからでは結晶方位の測定が困難になるため、サイドプロテクター２２ａは半導体インゴット２２をスライス台４４に貼り付けた後に取り付けるのが望ましい。 The semiconductor ingot 22 is affixed to the slicing base 44, and after confirming that the semiconductor ingot 22 is attached to the slicing base 44 without deviation in the crystal orientation, the side protector 22a is attached. The crystal orientation of the semiconductor ingot 22 is measured by irradiating the ingot with a laser, and since it becomes difficult to measure the crystal orientation after the side protector 22a is attached, the side protector 22a places the semiconductor ingot 22 on the slice table 44. It is desirable to attach after pasting.

また、サイドプロテクター２２ａを取り付ける接着剤は、半導体インゴット２２をスライス台４４に接着する際に使用される接着剤よりも硬化温度が低いものであることが望ましい。サイドプロテクター２２ａを取り付ける接着剤の硬化温度が半導体インゴット２２をスライス台４４に接着する際に使用される接着剤の硬化温度よりも高い場合には、せっかく結晶方位を合せて位置決めされてスライス台４４に接着された半導体インゴット２２が、接着剤の軟化によりずれてしまうことがあるからである。 In addition, the adhesive for attaching the side protector 22a is desirably one having a lower curing temperature than the adhesive used when the semiconductor ingot 22 is bonded to the slicing table 44. When the curing temperature of the adhesive to which the side protector 22a is attached is higher than the curing temperature of the adhesive used when the semiconductor ingot 22 is bonded to the slice table 44, the slice table 44 is positioned with the crystal orientation aligned. This is because the semiconductor ingot 22 adhered to the surface may be displaced due to the softening of the adhesive.

サイドプロテクター２２ａは半導体インゴット２２をスライス台４４に貼り付けた後に接着するため、サイドプロテクター２２ａを接着する接着剤は、半導体インゴット２２を接着する接着剤よりも乾燥が早いものを使用することが望ましい。こうすることにより、サイドプロテクター２２ａの接着固定までの時間が短いため、半導体インゴット２２を接着した後にサイドプロテクター２２ａを接着した場合であっても、作業時間を短くすることができる。 Since the side protector 22a is bonded after the semiconductor ingot 22 is attached to the slicing table 44, it is desirable to use an adhesive that bonds the side protector 22a that dries faster than an adhesive that bonds the semiconductor ingot 22. . By doing so, since the time until the side protector 22a is bonded and fixed is short, the working time can be shortened even when the side protector 22a is bonded after the semiconductor ingot 22 is bonded.

一方、ワークプレート３８は、ボルト等の締結手段を介して中間プレート４１に固定される。その中間プレート４１は、図３に示すようにスペーサー３７を介して取付プレート４２に固定される。図１及び図２に示すように、この取付プレート４２は正面から見ると、左右方向に突出した係合腕４２ａを備えており、略Ｔ字形状を呈している。一方、ワーク支持機構２１は、左右２本の係止部４３ａを備えている。この左右の係止部４３ａは、背面板４３ｂからワイヤソー前方に向かって水平に伸びた角柱状をなし、係止部４３ａの上面に係合腕４２ａの下面が載置される。そして、半導体インゴット２２を固定した取付プレート４２を背面板４３ｂに向かって押し付けることにより、取付プレート４２を位置決めする。更に、取付プレート４２に形成された貫通穴に固定ねじ４５をねじ込んで、背面板４３ｂにねじ止めすることにより、ワーク支持機構２１に取付プレート４２が固定される。他に固定方式としては、エアシリンダを用いたクランプ方式もある。 On the other hand, the work plate 38 is fixed to the intermediate plate 41 through fastening means such as bolts. The intermediate plate 41 is fixed to the mounting plate 42 via a spacer 37 as shown in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the mounting plate 42 includes an engagement arm 42 a protruding in the left-right direction when viewed from the front, and has a substantially T-shape. On the other hand, the work support mechanism 21 includes two left and right engaging portions 43a. The left and right engaging portions 43a have a prismatic shape extending horizontally from the back plate 43b toward the front of the wire saw, and the lower surface of the engaging arm 42a is placed on the upper surface of the engaging portion 43a. And the attachment plate 42 is positioned by pressing the attachment plate 42 which fixed the semiconductor ingot 22 toward the back plate 43b. Furthermore, the fixing plate 45 is screwed into the through hole formed in the mounting plate 42 and is screwed to the back plate 43b, whereby the mounting plate 42 is fixed to the work support mechanism 21. As another fixing method, there is a clamping method using an air cylinder.

（ワイヤソーの動作説明）
次に、上記のように構成されたワイヤソーの動作について説明する。
まず始めに、半導体インゴット２２を嵌合保持したスライス台４４を２組用意し、ワークプレート３８の下面に接着する。次に、予め結晶方位を修正して貼り付けた２本の半導体インゴット２２の軸線が、互いに平行となるようにワークプレート３８を中間プレート４１に装着する。この状態から、サイドプロテクター２２ａを半導体インゴット２２の両端面並びにスライス台４４の下面に接着固定する。サイドプロテクター２２ａの接着固定をこの段階で行うのは、半導体インゴット２２のスライス台４４並びにワークプレート３８に対する結晶方位の修正を行うためである。 (Description of wire saw operation)
Next, the operation of the wire saw configured as described above will be described.
First, two sets of slice bases 44 fitted and held with the semiconductor ingot 22 are prepared and bonded to the lower surface of the work plate 38. Next, the work plate 38 is mounted on the intermediate plate 41 so that the axes of the two semiconductor ingots 22 that are pasted by correcting the crystal orientation are parallel to each other. From this state, the side protector 22 a is bonded and fixed to both end faces of the semiconductor ingot 22 and the lower surface of the slicing base 44. The reason why the side protector 22a is bonded and fixed at this stage is to correct the crystal orientation of the semiconductor ingot 22 with respect to the slice table 44 and the work plate 38.

その後、取付プレート４２の係合腕４２ａを係止部４３ａに載置する。そして、取付プレート４２を背面板４３ｂに向かって押し付けることにより、取付プレート４２を所定の位置に位置決めする。図２に示すように、取付プレート４２に形成された貫通穴に固定ねじ４５をねじ込んで、背面板４３ｂにねじ止めし、ワーク支持機構２１に取付プレート４２を固定する。 Thereafter, the engaging arm 42a of the mounting plate 42 is placed on the locking portion 43a. Then, by pressing the mounting plate 42 toward the back plate 43b, the mounting plate 42 is positioned at a predetermined position. As shown in FIG. 2, a fixing screw 45 is screwed into a through hole formed in the mounting plate 42 and screwed to the back plate 43 b, and the mounting plate 42 is fixed to the work support mechanism 21.

このような状態で、スラリー供給用ノズル２０から加工用ローラ１５，１６間のワイヤ１８上にスラリーを供給しつつ、加工用ローラ１５，１６，１７を回転させてワイヤ１８を線方向に進退走行させることで半導体インゴット２２をウェーハ状にスライス加工する。半導体インゴット２２を複数本同時にスライス加工する場合は、加工用ローラ１５，１６，１７の回転速度は、１本の半導体インゴット２２をスライス加工する場合と同じ速度としている。しかしながら、複数の半導体インゴット２２を同時にスライス加工すると、ワイヤ１８の磨耗が速くなる。このため、本実例１では、新線を送り出す速度を、１本の半導体インゴット２２をスライス加工する場合の１．５倍程度としている。また、ワーク支持機構２１の下降速度を、１本の半導体インゴット２２をスライス加工する場合の毎分０．４ｍｍ〜０．８ｍｍに対して７０％程度としている。従って、１５０ｍｍの半導体インゴット２２を１本のみでスライス加工する場合は６時間程度必要としていたが、同一サイズの半導体インゴット２２を２本同時にスライス加工する場合には９時間程度とすることができ、結果的に２本の半導体インゴット２２を同時にスライス加工することにより、ウェーハの生産効率を３０％〜４０％程度向上させることができる。 In this state, while the slurry is supplied from the slurry supply nozzle 20 onto the wire 18 between the processing rollers 15 and 16, the processing rollers 15, 16, and 17 are rotated to advance and retract the wire 18 in the linear direction. By doing so, the semiconductor ingot 22 is sliced into a wafer. When slicing a plurality of semiconductor ingots 22 simultaneously, the rotation speeds of the processing rollers 15, 16, and 17 are set to the same speed as when slicing one semiconductor ingot 22. However, if the plurality of semiconductor ingots 22 are sliced simultaneously, the wear of the wire 18 is accelerated. For this reason, in Example 1, the speed at which a new line is sent out is set to about 1.5 times that in the case where one semiconductor ingot 22 is sliced. The descending speed of the work support mechanism 21 is set to about 70% with respect to 0.4 mm to 0.8 mm per minute when one semiconductor ingot 22 is sliced. Therefore, when slicing a single 150 mm semiconductor ingot 22 with only one piece, it takes about 6 hours, but when slicing two semiconductor ingots 22 of the same size at the same time, it can take about 9 hours. As a result, by simultaneously slicing the two semiconductor ingots 22, the wafer production efficiency can be improved by about 30% to 40%.

この際、リール回転用モータ２７，２８からの振動がワイヤ１８に伝達しても、図７に示すように、半導体インゴット２２の両端にはサイドプロテクター２２ａが設けられているため、その振動の悪影響はサイドプロテクター２２ａの部分のみで発生する。そして、ワイヤ１８が半導体インゴット２２の両端部に至る頃にはワイヤ１８の振動は既に安定しており、ワイヤはズレること無くインゴットに接触することができる。その結果、半導体インゴット２２をウェーハ状にスライス加工する部分では、振動伝達に伴うスライス台４４からのウェーハの脱落や切断不良が防止される。 At this time, even if vibrations from the reel rotation motors 27 and 28 are transmitted to the wire 18, the side protectors 22a are provided at both ends of the semiconductor ingot 22 as shown in FIG. Occurs only in the side protector 22a. When the wire 18 reaches both ends of the semiconductor ingot 22, the vibration of the wire 18 is already stable, and the wire can contact the ingot without being displaced. As a result, in the portion where the semiconductor ingot 22 is sliced into a wafer, the wafer is prevented from falling off or being cut off from the slicing table 44 due to vibration transmission.

図８は、このようなサイドプロテクター２２ａを設けた状態で半導体インゴット２２をスライス加工した場合の切断面の面粗さと、サイドプロテクター２２ａを設けなかった場合の切断面の面粗さとを比較したグラフ図である。横軸に面粗さをとり、縦軸にスライスされたウェーハの枚数をとっている。図８のグラフから、サイドプロテクターを設けた場合には、面粗さが極端に悪いウェーハが無く、しかも、グラフ全体が左側に位置しており、面粗さが全体的に向上していることがわかる。また、サイドプロテクターを設けない場合には、グラフが横方向に幅広く広がっており、各ウェーハ間に面粗さのバラツキがあるのに対し、サイドプロテクターを設けた場合には、グラフの横幅が狭く、各ウェーハ間における面粗さのバラツキが小さいことがわかる。このグラフから、本発明のサイドプロテクター２２ａを設けることにより、振動伝達の影響を効率的に防いでいることが伺える。 FIG. 8 is a graph comparing the surface roughness of the cut surface when the semiconductor ingot 22 is sliced with the side protector 22a provided, and the surface roughness of the cut surface when the side protector 22a is not provided. FIG. The horizontal axis represents the surface roughness, and the vertical axis represents the number of sliced wafers. From the graph of FIG. 8, when a side protector is provided, there is no wafer with extremely bad surface roughness, and the entire graph is located on the left side, and the surface roughness is improved overall. I understand. In addition, when the side protector is not provided, the graph spreads widely in the horizontal direction, and there are variations in surface roughness between the wafers, whereas when the side protector is provided, the horizontal width of the graph is narrow. It can be seen that the variation in surface roughness between the wafers is small. From this graph, it can be seen that the influence of vibration transmission is effectively prevented by providing the side protector 22a of the present invention.

次に、半導体インゴットを本発明のワイヤソーを用いてウェーハ状にスライス加工し、半導体インゴットの両端面からの切断位置におけるウェーハの切断厚さを測定した。図９のグラフ図は従来技術として示した図１５に対応しており、６本の半導体インゴットをスライス加工した際において、縦軸はスライス加工時の目標厚さに対する差分を示し、横軸は半導体インゴットの端面からの位置を示している。Ｔ１〜Ｔ５は半導体インゴットの巻取りリール２６側の端面から１枚目（Ｔ１）、２枚目（Ｔ２）・・・５枚目（Ｔ５）を示し、横軸のＢ１〜Ｂ５は半導体インゴットの繰出しリール２５側の端面から１枚目（Ｂ１）、２枚目（Ｂ２）・・・５枚目（Ｂ５）を示す。図９のグラフ図に示すように、半導体インゴット２２の両端部（Ｔ１，Ｂ１）においてもほぼ目標値に近い範囲に位置したスライス加工製品を得ることができ、しかも、繰出しリール２５側の端面側においても、安定したスライス加工製品を得ることができた。また、図１５に示すグラフと比較して、インゴット端面近傍の５枚のウェーハ厚全てが目標値に近くなっており、スライス加工製品の全体の品質が向上した。 Next, the semiconductor ingot was sliced into a wafer shape using the wire saw of the present invention, and the cutting thickness of the wafer at the cutting position from both end faces of the semiconductor ingot was measured. The graph of FIG. 9 corresponds to FIG. 15 shown as the prior art, and when slicing six semiconductor ingots, the vertical axis indicates the difference with respect to the target thickness at the time of slicing, and the horizontal axis indicates the semiconductor. The position from the end face of the ingot is shown. T1 to T5 indicate the first (T1), second (T2)... Fifth (T5) from the end surface on the take-up reel 26 side of the semiconductor ingot, and B1 to B5 on the horizontal axis indicate the semiconductor ingot. The first sheet (B1), the second sheet (B2),... The fifth sheet (B5) from the end surface on the side of the supply reel 25 are shown. As shown in the graph of FIG. 9, it is possible to obtain a sliced product positioned in a range substantially close to the target value at both ends (T1, B1) of the semiconductor ingot 22 and, moreover, the end face side on the supply reel 25 side. In addition, a stable sliced product could be obtained. Further, as compared with the graph shown in FIG. 15, the thicknesses of all five wafers near the ingot end face are close to the target value, and the overall quality of the sliced product is improved.

サイドプロテクター２２ａの半導体インゴット２２の端面への接着部の形状は、半導体インゴット２２ａの端面若しくは切断面と同一の形状であることが望ましい。
上記の実施例のように、サイドプロテクター２２ａの半導体インゴット２２の端面への接着部の形状を、半導体インゴット２２ａの端面若しくは切断面と同一形状とすることにより、ワイヤ１８の当接時期を半導体インゴット２２とサイドプロテクター２２ａとで一致させることができ、ワイヤ１８からの振動を半導体インゴット２２側に伝え難くすることができる。 The shape of the bonding portion of the side protector 22a to the end face of the semiconductor ingot 22 is desirably the same shape as the end face or cut surface of the semiconductor ingot 22a.
As in the above-described embodiment, the shape of the bonding portion of the side protector 22a to the end face of the semiconductor ingot 22 is the same as the end face or cut surface of the semiconductor ingot 22a. 22 and the side protector 22a can be matched, so that the vibration from the wire 18 can be hardly transmitted to the semiconductor ingot 22 side.

図１０及び図１１は、本発明のワイヤソーの実施例２を示している。図１０（Ａ）は被加工物としての半導体インゴットをウェーハ状にスライス加工するワイヤソーの要部の側面図、図１０（Ｂ）はインゴットの固定状態を示す正面図である。この図１０及び図１１に示した構成以外の構成は上記実施例１と実質的に同一である。また、上記実施例１の図５と同一の構成には同一の符号を付して、その説明を省略する。 10 and 11 show a second embodiment of the wire saw of the present invention. FIG. 10A is a side view of a main part of a wire saw for slicing a semiconductor ingot as a workpiece into a wafer shape, and FIG. 10B is a front view showing a fixed state of the ingot. Configurations other than the configurations shown in FIGS. 10 and 11 are substantially the same as those of the first embodiment. Moreover, the same code | symbol is attached | subjected to the structure same as FIG. 5 of the said Example 1, and the description is abbreviate | omitted.

サイドプロテクター２２ａの形状は、上述したように半導体インゴット２２の端面形状（面取りがある場合にはインゴットの切断面形状）とほぼ同一であることが好ましいが、スライス加工後のスライス台からのウェーハの脱落防止という観点からは、必ずしも端面形状と同一である必要はない。 The shape of the side protector 22a is preferably substantially the same as the end face shape of the semiconductor ingot 22 as described above (when there is chamfering, the shape of the cut surface of the ingot). From the viewpoint of preventing falling off, it is not necessarily the same as the end face shape.

図１０において、半導体インゴット２２の両端面には、サイドプロテクター２２ｂが接着剤等によって貼り付け固定されている。このサイドプロテクター２２ｂは、スライス台４４と同様に、カーボン或いはガラス，プラスチック，シリコン単結晶，シリコン多結晶，セラミックス，アルミナ，レジン等のワイヤ１８での切断が可能な材質から構成（単品若しくはこれら一つを主成分とした合成材料を含む）されており、好ましくは、半導体インゴット２２の硬度よりもやや軟質な材料（材料密度等を含む）から構成されている。
サイドプロテクター２２ｂの材質は、半導体インゴット２２等の被加工物の材料特性に伴う硬度を考慮したものとすれば良く、ワイヤ１８からの振動を被加工物へと伝え難くすると同時に、ワイヤ１８の劣化防止効果をも考慮したものであることが望ましい。 In FIG. 10, side protectors 22 b are attached and fixed to both end surfaces of the semiconductor ingot 22 with an adhesive or the like. The side protector 22b is made of a material that can be cut by the wire 18 such as carbon, glass, plastic, silicon single crystal, silicon polycrystal, ceramics, alumina, resin, etc. It is preferably made of a material (including material density) slightly softer than the hardness of the semiconductor ingot 22.
The material of the side protector 22b may be determined in consideration of the hardness according to the material characteristics of the workpiece such as the semiconductor ingot 22, and it is difficult to transmit vibration from the wire 18 to the workpiece, and at the same time the wire 18 is deteriorated. It is desirable to consider the prevention effect.

また、サイドプロテクター２２ｂは、その正面形状が半円形に形成されており、その厚さはワイヤ１８によって半導体インゴット２２をウェーハ状にスライス加工した際の３〜１５枚程度とされている。サイドプロテクター２２ｂの厚みは、材質と硬度と切断される半導体インゴット２２の長さによって設定する。半導体インゴット２２の端面におけるワイヤ１８の振動によるスライス台からのウェーハの脱落防止という目的からは３〜２０ｍｍ程度の厚さがあれば良い。また、２本以上の半導体インゴット２２を同時に切断する場合には、長い方の半導体インゴットの長さに合わせて若しくは長い方の半導体インゴットの長さに３〜２０ｍｍ加えた厚さに設定すれば良い。 Further, the side protector 22b has a semicircular front shape, and its thickness is about 3 to 15 when the semiconductor ingot 22 is sliced into a wafer shape by the wire 18. The thickness of the side protector 22b is set according to the material, the hardness, and the length of the semiconductor ingot 22 to be cut. For the purpose of preventing the wafer from falling off the slicing table due to the vibration of the wire 18 at the end face of the semiconductor ingot 22, a thickness of about 3 to 20 mm is sufficient. When two or more semiconductor ingots 22 are cut simultaneously, the thickness may be set to match the length of the longer semiconductor ingot or to the length of the longer semiconductor ingot plus 3 to 20 mm. .

サイドプロテクター２２ｂのスライス台４４への接着面は、被加工物である半導体インゴット２２の曲率と同一の曲率を有すれば良い。すなわち、サイドプロテクター２２ｂの正面形状は、半導体インゴット２２の端面に接着剤等によって貼り付け固定する際に、サイドプロテクター２２ｂの周面の一部がスライス台４４の下面にも同時に接着固定される形状であれば良く、特に半円形に限定されるものではない。 The bonding surface of the side protector 22b to the slicing table 44 may have the same curvature as that of the semiconductor ingot 22 that is a workpiece. That is, the front shape of the side protector 22b is a shape in which a part of the peripheral surface of the side protector 22b is simultaneously bonded and fixed to the lower surface of the slicing base 44 when being fixed to the end surface of the semiconductor ingot 22 with an adhesive or the like. It is sufficient as long as it is not limited to a semicircular shape.

そして、このような構成においても、半導体インゴット２２を嵌合保持したスライス台４４を２組用意し、ワークプレート３８の下面に接着する。次に、予め結晶方位を修正して貼り付けた２本の半導体インゴット２２の軸線が、互いに平行となるようにワークプレート３８を中間プレート４１に装着する。この状態から、サイドプロテクター２２ｂを半導体インゴット２２の端面並びにスライス台４４の下面に接着固定する。 Even in such a configuration, two sets of slice bases 44 fitted and held with the semiconductor ingot 22 are prepared and bonded to the lower surface of the work plate 38. Next, the work plate 38 is mounted on the intermediate plate 41 so that the axes of the two semiconductor ingots 22 that are pasted by correcting the crystal orientation are parallel to each other. From this state, the side protector 22 b is bonded and fixed to the end surface of the semiconductor ingot 22 and the lower surface of the slicing base 44.

その後、図２に示すように、取付プレート４２の係合腕４２ａを係止部４３ａに載置する。そして、取付プレート４２を背面板４３ｂに向かって押し付けることにより、取付プレート４２を所定の位置に位置決めする。取付プレート４２に形成された貫通穴に固定ねじ４５をねじ込んで、背面板４３ｂにねじ止めし、ワーク支持機構２１に取付プレート４２を固定する。 Thereafter, as shown in FIG. 2, the engaging arm 42a of the mounting plate 42 is placed on the locking portion 43a. Then, by pressing the mounting plate 42 toward the back plate 43b, the mounting plate 42 is positioned at a predetermined position. A fixing screw 45 is screwed into a through hole formed in the mounting plate 42 and screwed to the back plate 43 b, and the mounting plate 42 is fixed to the work support mechanism 21.

このような状態で、スラリー供給用ノズル２０から加工用ローラ１５，１６間のワイヤ１８上にスラリーを供給しつつ、加工用ローラ１５，１６，１７を回転させてワイヤ１８を線方向に走行させることで半導体インゴット２２をウェーハ状にスライス加工する。 In this state, while the slurry is supplied onto the wire 18 between the processing rollers 15 and 16 from the slurry supply nozzle 20, the processing rollers 15, 16, and 17 are rotated to run the wire 18 in the linear direction. Thus, the semiconductor ingot 22 is sliced into a wafer.

この際、半導体インゴット２２の両端にはサイドプロテクター２２ｂが設けられており、切断加工の後半において、ワイヤ１８の振動をサイドプロテクター２２ｂで吸収するため、インゴット端部近傍においてワイヤの振動によりウェーハがスライス台から脱落するのを防止することができる。
上記の発明によれば、被加工物である半導体インゴット２２への悪影響を必要最小限の大きさのサイドプロテクターで補うことができる。 At this time, side protectors 22b are provided at both ends of the semiconductor ingot 22, and in the latter half of the cutting process, the vibration of the wire 18 is absorbed by the side protector 22b, so that the wafer is sliced by the vibration of the wire near the end of the ingot. It can be prevented from falling off the table.
According to said invention, the adverse effect to the semiconductor ingot 22 which is a to-be-processed object can be supplemented with the side protector of a required minimum magnitude | size.

なお、上記の実施例１及び２においては、複数の半導体インゴットを同時にスライスする場合について説明しているが、１本の半導体インゴットをスライスする場合についても同様に適用できることは言うまでもない。また、半導体インゴットを例に説明しているが、半導体インゴットに限らず、他の材料からなるインゴット（塊状の物）についても適用することができる。 In the first and second embodiments described above, the case where a plurality of semiconductor ingots are sliced at the same time has been described. Needless to say, the present invention can also be applied to the case where one semiconductor ingot is sliced. Moreover, although the semiconductor ingot is described as an example, the present invention is not limited to the semiconductor ingot but can be applied to ingots (lumps) made of other materials.

本発明の実施例１におけるワイヤソーの斜視図である。It is a perspective view of the wire saw in Example 1 of this invention. 本発明の実施例１におけるワイヤソーの正面図である。It is a front view of the wire saw in Example 1 of this invention. 本発明の実施例１におけるワイヤソーの右側面図である。It is a right view of the wire saw in Example 1 of this invention. 本発明の実施例１におけるワイヤソーの平面図である。It is a top view of the wire saw in Example 1 of this invention. 図５（Ａ）は実施例１におけるワイヤソーの要部の側面図、図５（Ｂ）はインゴットを固定した状態を示す正面図である。FIG. 5 (A) is a side view of the main part of the wire saw in Example 1, and FIG. 5 (B) is a front view showing a state in which the ingot is fixed. 図６（Ａ）は実施例１におけるサイドプロテクターの接着状態を示す分解斜視図、図６（Ｂ）は実施例１におけるサイドプロテクターの接着状態を示す斜視図である。FIG. 6A is an exploded perspective view showing an adhesion state of the side protector in the first embodiment, and FIG. 6B is a perspective view showing an adhesion state of the side protector in the first embodiment. 本発明の実施例１における半導体インゴットとワイヤとの関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between the semiconductor ingot and wire in Example 1 of this invention. 本発明のサイドプロテクターが有る場合と無い場合との切断面の粗さを比較するグラフ図である。It is a graph which compares the roughness of a cut surface with the case where the side protector of this invention exists, and the case where it does not exist. 本発明のサイドプロテクターを設けた状態で半導体インゴットの両端部分を切断した場合のウェーハ厚を示すグラフ図である。It is a graph which shows the wafer thickness at the time of cut | disconnecting the both ends of a semiconductor ingot in the state which provided the side protector of this invention. 図１０（Ａ）は実施例２におけるワイヤソーの要部の側面図、図１０（Ｂ）はインゴットを固定した状態を示す正面図である。FIG. 10 (A) is a side view of the main part of the wire saw in Example 2, and FIG. 10 (B) is a front view showing a state in which the ingot is fixed. 図１１（Ａ）は実施例２におけるサイドプロテクターの接着状態を示す分解斜視図、図１１（Ｂ）は実施例２におけるサイドプロテクターの接着状態を示す斜視図である。FIG. 11A is an exploded perspective view showing an adhesion state of the side protector in the second embodiment, and FIG. 11B is a perspective view showing an adhesion state of the side protector in the second embodiment. ワイヤソーのワイヤ経路を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the wire path | route of a wire saw. 図１３（Ａ）は従来のワイヤソーにおける要部の側面図、図１３（Ｂ）は従来のワイヤソーにおいてインゴットを固定した状態を示す正面図である。FIG. 13A is a side view of a main part of a conventional wire saw, and FIG. 13B is a front view showing a state in which an ingot is fixed in the conventional wire saw. 従来のワイヤソーにおける半導体インゴットとワイヤとの関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between the semiconductor ingot and the wire in the conventional wire saw. 従来のワイヤソーにより半導体インゴットの両端部分を切断した場合のウェーハ厚を示すグラフ図である。It is a graph which shows the wafer thickness at the time of cut | disconnecting the both ends of a semiconductor ingot with the conventional wire saw.

符号の説明Explanation of symbols

１１…装置基台
１２…コラム１２ａ…ガイドレール
１３…切断機構
１４…ブラケット
１５，１６，１７…加工用ローラ
１５ａ，１６ａ，１７ａ…環状溝
１８…ワイヤ
１９…ワイヤ走行用モータ
２０…スラリー供給用ノズル
２１…ワーク支持機構
２２…半導体インゴット（被加工物）２２ａ，２２ｂ…サイドプロテクター
２３…ワーク昇降用モータ
２４…リール機構
２５…繰出しリール
２６…巻取りリール
２７，２８…リール回転用モータ
２９…トラバース機構
３０…張力保持機構
３１…ガイド機構
３２…ガイドローラ
３７…スペーサー
３８…ワークプレート
３９…支持部材
４１…中間プレート
４２…取付プレート４２ａ…係合腕
４３ａ…係止部４３ｂ…背面板
４４…スライス台（治具）
４５…固定ねじ
５１…ワイヤソー
５２…繰出しリール
５３…ワイヤ
５４…ガイドローラ
５５…繰出し側ワイヤ走行路
５６…テンション機構
５７，５８，５９…加工用ローラ
６０…ワイヤ列
６１…ガイドローラ
６２…巻取り側ワイヤ走行路
６３…テンション機構
６４…巻取りリール
６５…半導体インゴット６５ａ…厚肉なウェーハ６５ｂ…薄肉なウェーハ
７１…中間プレート
７２…ワークプレート
７３…スライス台。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Device base 12 ... Column 12a ... Guide rail 13 ... Cutting mechanism 14 ... Bracket 15, 16, 17 ... Processing roller 15a, 16a, 17a ... Annular groove 18 ... Wire 19 ... Wire travel motor 20 ... For slurry supply Nozzle 21 ... Work support mechanism 22 ... Semiconductor ingot (workpiece) 22a, 22b ... Side protector 23 ... Work lift motor 24 ... Reel mechanism 25 ... Feed reel 26 ... Rewind reel 27, 28 ... Reel rotation motor 29 ... Traverse mechanism 30 ... Tension holding mechanism 31 ... Guiding mechanism 32 ... Guide roller 37 ... Spacer 38 ... Work plate 39 ... Support member 41 ... Intermediate plate 42 ... Mounting plate 42a ... Engagement arm 43a ... Locking part 43b ... Back plate 44 ... Slicing table (jig)
45 ... Fixing screw 51 ... Wire saw 52 ... Feeding reel 53 ... Wire 54 ... Guide roller 55 ... Feeding side wire travel path 56 ... Tension mechanism 57, 58, 59 ... Processing roller 60 ... Wire train 61 ... Guide roller 62 ... Winding Side wire travel path 63 ... tension mechanism 64 ... take-up reel 65 ... semiconductor ingot 65a ... thick wafer 65b ... thin wafer 71 ... intermediate plate 72 ... work plate 73 ... slice table.

Claims

被加工物を保持した治具を複数本の並走するワイヤに接近させ、
前記被加工物を前記ワイヤに接触させることにより、前記被加工物を切断するワイヤソーにおいて、
前記被加工物の少なくとも一端面に前記ワイヤにて切断可能な材料からなるプロテクターを設けたことを特徴とするワイヤソー。 Bring the jig holding the workpiece close to multiple parallel wires,
In a wire saw for cutting the workpiece by bringing the workpiece into contact with the wire,
A wire saw characterized in that a protector made of a material that can be cut with the wire is provided on at least one end surface of the workpiece.

前記プロテクターは、前記被加工物の端面若しくは前記治具の何れか一方に固定されていることを特徴とする請求項１に記載のワイヤソー。 The wire protector according to claim 1, wherein the protector is fixed to either one of an end surface of the workpiece or the jig.

前記プロテクターの前記固定は接着剤によって行われており、
前記接着剤は、前記被加工物と前記治具の接着に使われている接着剤よりも硬化温度が低いことを特徴とする請求項２に記載のワイヤソー。 The fixing of the protector is performed by an adhesive,
The wire saw according to claim 2, wherein the adhesive has a curing temperature lower than that of an adhesive used for bonding the workpiece and the jig.

前記プロテクターは、３〜２０ｍｍの厚さを有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１つに記載のワイヤソー。 The wire protector according to any one of claims 1 to 3, wherein the protector has a thickness of 3 to 20 mm.

被加工物を保持した治具を複数本の並走するワイヤに接近させ、前記被加工物を前記ワイヤに接触させることにより、前記被加工物を切断するワイヤソーにおいて、前記ワイヤの振動を防止するためのプロテクターであって、
前記ワイヤにて切断可能な材料からなり、前記被加工物の少なくとも一端面に設けられることを特徴とするプロテクター。 A wire saw that cuts the workpiece is prevented by bringing a jig holding the workpiece closer to a plurality of parallel running wires and bringing the workpiece into contact with the wire. Protector for
A protector comprising a material that can be cut by the wire and provided on at least one end surface of the workpiece.

前記プロテクターの前記被加工物の端面への接着部の形状が、前記被加工物の端面若しくは切断面と同一の形状であることを特徴とする請求項５に記載のプロテクター。 6. The protector according to claim 5, wherein a shape of an adhesive portion of the protector to an end surface of the workpiece is the same shape as an end surface or a cut surface of the workpiece.

複数本の並走するワイヤに接触させることにより、切断加工されるインゴットであって、
前記ワイヤにて切断可能な材料からなるプロテクターを、前記インゴットの少なくとも一端面に設けたことを特徴とするインゴット。 An ingot that is cut by contacting a plurality of parallel wires,
An ingot comprising a protector made of a material that can be cut with the wire, provided on at least one end surface of the ingot.

前記プロテクターの前記インゴットの端面への接着部の形状が、前記インゴットの端面若しくは切断面と同一の形状であることを特徴とする請求項７に記載のインゴット。 The ingot according to claim 7, wherein a shape of an adhesive portion of the protector to the end surface of the ingot is the same shape as an end surface or a cut surface of the ingot.