JP2005293937A - 導電性ito膜上、あるいは導電性ito膜の下地基板とするガラス基板表面上への金属薄膜層の形成方法、および該方法による導電性ito膜上、あるいは導電性ito膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜層 - Google Patents
導電性ito膜上、あるいは導電性ito膜の下地基板とするガラス基板表面上への金属薄膜層の形成方法、および該方法による導電性ito膜上、あるいは導電性ito膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜層 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 ITO膜、ならびに下地基板のガラス基板表面に、有機物アニオン種ならびに遷移金属のカチオン種を含む、遷移金属化合物を有機溶媒中に溶解した溶液を塗布し、加熱処理を施して、該遷移金属の薄膜層を生成する。この遷移金属薄膜層表面に、平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される金属微粒子の分散液を所定の膜厚塗布し、加熱焼成によって金属微粒子相互の焼結体層を形成することで、密着性に優れる、微細な金属薄膜パターンを形成する。
【選択図】 なし
Description
導電性ITO膜上、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上に金属薄膜層を形成する方法であって、
前記金属薄膜層は、平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される、金属微粒子相互の焼結体層からなる、良導電性の薄膜層であり、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面に対して、前記金属微粒子相互の焼結体層は、該金属ならびにITO膜、ガラス基板表面の双方に対して密着性を示す遷移金属薄膜層を介して、形成されており、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面に、有機物アニオン種ならびに前記遷移金属のカチオン種を含む、該遷移金属化合物を有機溶媒中に溶解した溶液を、所定の膜厚塗布する工程と、
前記遷移金属化合物溶液の塗布膜層に加熱処理を施し、該遷移金属の薄膜層を生成する工程と、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上の遷移金属薄膜層表面に、前記平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される金属微粒子の分散液を所定の膜厚塗布する工程と、
該金属微粒子分散液の塗布膜層に加熱処理を施し、加熱焼成によって金属微粒子相互の焼結体層を形成する工程とを含む
ことを特徴とする導電性ITO膜、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜層の形成方法である。
すなわち、本発明にかかる導電性ITO膜、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上に形成された金属薄膜層は、
導電性ITO膜、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上に形成された金属薄膜層であって、
前記金属薄膜層は、平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される、金属微粒子相互の焼結体層からなる、良導電性の薄膜層であり、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面に対して、前記金属微粒子相互の焼結体層は、該金属ならびにITO膜、ガラス基板表面の双方に対して密着性を示す遷移金属薄膜層を介して、形成されており、
該遷移金属薄膜層は、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面に、有機物アニオン種ならびに前記遷移金属のカチオン種を含む、該遷移金属化合物を有機溶媒中に溶解した溶液を、所定の膜厚塗布し、
前記遷移金属化合物溶液の塗布膜層に加熱処理を施し、該遷移金属の薄膜層を生成することにより形成され、
前記金属微粒子相互の焼結体層は、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上の遷移金属薄膜層表面に、前記平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される金属微粒子の分散液を所定の膜厚塗布し、
該金属微粒子分散液の塗布膜層に加熱処理を施し、加熱焼成によって金属微粒子相互の焼結を行うことにより形成されている
ことを特徴とする導電性ITO膜、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上に形成された金属薄膜層である。その際、
前記遷移金属薄膜層の形成に利用される、遷移金属化合物中に含まれる遷移金属種は、チタン、バナジウム、クロム、マンガンからなる群から選択される遷移金属であることが好ましい。また、
前記遷移金属化合物の塗布膜層に加熱処理を施して生成される、遷移金属薄膜層の膜厚は、0.03μm〜0.5μmの範囲に選択されることが望ましい。なお、前記遷移金属薄膜層の形成に利用される、前記遷移金属化合物は、有機酸由来の有機物アニオン種を含んでなる有機酸の該遷移金属塩、または、有機物アニオン種を配位子とする該遷移金属の錯化合物であると好適である。
例えば、本発明にかかる金属薄膜を利用する、ITO基板上への電子部品の実装方法は、
下地基板とするガラス基板表面上に形成されている、導電性ITO膜からなる透明電極層を有するITO基板上に、電子部品を導電性ITO膜、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜との導電性接合を介して実装する方法であって、
前記導電性ITO膜上、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜層への電子部品の実装は、
前記導電性ITO膜、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上に形成されている金属薄膜と、前記電子部品に設ける接合用金属バンプとを超音波接合法により接合することにより行い、
前記接合に供する、導電性ITO膜、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上に形成されている金属薄膜は、上述する構成を有する、本発明にかかる金属薄膜の形成方法によって作製されている
ことを特徴とするITO基板上への電子部品の実装方法とすることも可能である。
マンガン(II)のアセチルアセナト錯体:
(実施例2)
マンガン(II)のカルボン酸塩:
(実施例3)
八面体6配位のバナジウム(III)のアセチルアセナト型錯体:
Claims (11)
- 導電性ITO膜上、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上に金属薄膜層を形成する方法であって、
前記金属薄膜層は、平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される、金属微粒子相互の焼結体層からなる、良導電性の薄膜層であり、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面に対して、前記金属微粒子相互の焼結体層は、該金属ならびにITO膜、ガラス基板表面の双方に対して密着性を示す遷移金属薄膜層を介して、形成されており、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面に、有機物アニオン種ならびに前記遷移金属のカチオン種を含む、該遷移金属化合物を有機溶媒中に溶解した溶液を、所定の膜厚塗布する工程と、
前記遷移金属化合物溶液の塗布膜層に加熱処理を施し、該遷移金属の薄膜層を生成する工程と、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上の遷移金属薄膜層表面に、前記平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される金属微粒子の分散液を所定の膜厚塗布する工程と、
該金属微粒子分散液の塗布膜層に加熱処理を施し、加熱焼成によって金属微粒子相互の焼結体層を形成する工程とを含む
ことを特徴とする導電性ITO膜上、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜層の形成方法。 - 前記遷移金属化合物中に含まれる遷移金属種は、チタン、バナジウム、クロム、マンガンからなる群から選択される遷移金属である
ことを特徴とする請求項1に記載の金属薄膜の形成方法。 - 前記遷移金属化合物の塗布膜層に加熱処理を施して生成される、遷移金属薄膜層の膜厚は、0.03μm〜0.5μmの範囲に選択される
ことを特徴とする請求項1に記載の金属薄膜の形成方法。 - 有機物アニオン種ならびに遷移金属のカチオン種を含む、前記遷移金属化合物は、有機酸由来の有機物アニオン種を含んでなる有機酸の該遷移金属塩、または、有機物アニオン種を配位子とする該遷移金属の錯化合物である
ことを特徴とする請求項1に記載の金属薄膜の形成方法。 - 前記平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される金属微粒子の分散液に含まれる、該金属微粒子の金属種は、金、銀、銅、白金、パラジウムからなる群から選択される金属である
ことを特徴とする請求項1に記載の金属薄膜の形成方法。 - 導電性ITO膜上、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上に形成された金属薄膜層であって、
前記金属薄膜層は、平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される、金属微粒子相互の焼結体層からなる、良導電性の薄膜層であり、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面に対して、前記金属微粒子相互の焼結体層は、該金属ならびにITO膜、ガラス基板表面の双方に対して密着性を示す遷移金属薄膜層を介して、形成されており、
該遷移金属薄膜層は、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面に、有機物アニオン種ならびに前記遷移金属のカチオン種を含む、該遷移金属化合物を有機溶媒中に溶解した溶液を、所定の膜厚塗布し、
前記遷移金属化合物溶液の塗布膜層に加熱処理を施し、該遷移金属の薄膜層を生成することにより形成され、
前記金属微粒子相互の焼結体層は、
前記ITO膜表面、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上の遷移金属薄膜層表面に、前記平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される金属微粒子の分散液を所定の膜厚塗布し、
該金属微粒子分散液の塗布膜層に加熱処理を施し、加熱焼成によって金属微粒子相互の焼結を行うことにより形成されている
ことを特徴とする導電性ITO膜上、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上に形成された金属薄膜層。 - 前記遷移金属薄膜層の形成に利用される、遷移金属化合物中に含まれる遷移金属種は、チタン、バナジウム、クロム、マンガンからなる群から選択される遷移金属である
ことを特徴とする請求項6に記載の金属薄膜層。 - 前記遷移金属化合物の塗布膜層に加熱処理を施して生成される、遷移金属薄膜層の膜厚は、0.03μm〜0.5μmの範囲に選択される
ことを特徴とする請求項6に記載の金属薄膜。 - 前記遷移金属薄膜層の形成に利用される、前記遷移金属化合物は、有機酸由来の有機物アニオン種を含んでなる有機酸の該遷移金属塩、または、有機物アニオン種を配位子とする該遷移金属の錯化合物である
ことを特徴とする請求項6に記載の金属薄膜。 - 金属微粒子相互の焼結体層の形成に利用される、前記平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される金属微粒子の分散液に含まれる、該金属微粒子の金属種は、金、銀、銅、白金、パラジウムからなる群から選択される金属である
ことを特徴とする請求項6に記載の金属薄膜。 - 下地基板とするガラス基板表面上に形成されている、導電性ITO膜からなる透明電極層を有するITO基板上に、電子部品を導電性ITO膜上、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜層との導電性接合を介して実装する方法であって、
前記導電性ITO膜上、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜層への電子部品の実装は、
前記導電性ITO膜上、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上に形成されている金属薄膜層と、前記電子部品に設ける接合用金属バンプとを超音波接合法により接合することにより行い、
前記接合に供する、導電性ITO膜上、あるいは前記導電性ITO膜の下地基板とするガラス基板表面上に形成されている金属薄膜は、請求項1〜5のいずれか一項に記載する金属薄膜の形成方法によって作製されている
ことを特徴とするITO基板上への電子部品の実装方法。
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