JP2005277940A - High frequency module and communication apparatus employing the same - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency module capable of easily and efficiently carrying out harmonic level control and maximally developing characteristics of a power amplifying semiconductor element used for a power amplifier in the case of manufacturing the high frequency module resulting from integrating the power amplifier, directional couplers, and a duplexer or the like. <P>SOLUTION: In a PCS side circuit, an open stab L5 (L6) comprising a distributed constant line with a prescribed length is attached to a pre-stage (post stage) of an output matching circuit 26, an open stub L7 is attached to the post stage of the directional couplers 6, 5, and an open stub L8 is attached to the post stage of transmission filter 3a. This is similarly applicable to a cellular side circuit. The line length of the open stubs L1 to L8 is set depending on a frequency of a harmonic desirably to be eliminated. The open stubs L5 to L8 reduce spurious radiation generated from the power amplifier 7. Thus, the efficient harmonic level control with a higher degree of freedom can be attained. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電力増幅器、方向性結合器、デュプレクサ、高周波フィルタなどを一体構成した高周波モジュール、及びその高周波モジュールを搭載した携帯電話機などの通信機器に関するものである。   The present invention relates to a high-frequency module in which a power amplifier, a directional coupler, a duplexer, a high-frequency filter, and the like are integrated, and a communication device such as a mobile phone equipped with the high-frequency module.

近年、携帯電話機の普及が進みつつあり、携帯電話機の機能、サービスの向上が図られている。このような携帯電話機では各送受信系の構成に必要な高周波信号処理回路を基板に搭載している。
従来の、高周波信号処理回路の一般的構成では、アンテナから入力された受信信号とアンテナに給電する送信信号とを切り替えるための送信用フィルタ素子及び受信用フィルタ素子を備えるデュプレクサが設けられている。 In recent years, cellular phones have been widely used, and functions and services of cellular phones have been improved. In such a cellular phone, a high-frequency signal processing circuit necessary for the configuration of each transmission / reception system is mounted on a substrate.
In a conventional general configuration of a high-frequency signal processing circuit, a duplexer including a transmission filter element and a reception filter element for switching between a reception signal input from an antenna and a transmission signal fed to the antenna is provided.

アンテナから入ってきた無線信号は、直接又はデュプレクサの前段に設けられた分波回路を通ってデュプレクサに入力され、ここで受信信号が選択的に通過される。受信信号は、低雑音増幅器で増幅され、信号処理回路に供給される。
一方、送信信号は、所定の周波数帯域を通過させる高周波フィルタを通ってノイズを落とされ、電力増幅器に伝えられる。電力増幅器は、この送信信号を電力増幅し、出力整合回路を通して前記デュプレクサに供給する。 The radio signal that has entered from the antenna is input to the duplexer directly or through a branching circuit provided at the front stage of the duplexer, where the received signal is selectively passed. The received signal is amplified by a low noise amplifier and supplied to a signal processing circuit.
On the other hand, the transmission signal is passed through a high-frequency filter that passes a predetermined frequency band, noise is reduced, and is transmitted to the power amplifier. The power amplifier amplifies the transmission signal and supplies it to the duplexer through an output matching circuit.

また、前記電力増幅器の出力信号強度をモニターするための方向性結合器が、前記出力整合回路に接続されている。
従来、前記デュプレクサ、電力増幅器、高周波フィルタなどは、それぞれ個別部品として製造され、基板の上面にディスクリートに搭載されている。
しかし、それぞれ個別の専用部品を用いて基板に搭載すると、機器の大型化、高コスト化を招来することとなる。 A directional coupler for monitoring the output signal strength of the power amplifier is connected to the output matching circuit.
Conventionally, the duplexer, power amplifier, high-frequency filter, and the like are each manufactured as individual components and discretely mounted on the upper surface of the substrate.
However, if each individual dedicated component is mounted on the substrate, the equipment will be increased in size and cost.

そこで、電力増幅器、方向性結合器、デュプレクサ、高周波フィルタなどを高周波モジュールに一体構成することが行われている。
これにより、通信機器の小型軽量化、低コスト化を有利に展開することができる。
特開２００２−１７１１３７号公報 Therefore, a power amplifier, a directional coupler, a duplexer, a high frequency filter, and the like are integrally configured in a high frequency module.
As a result, it is possible to advantageously develop a reduction in size and weight and cost of the communication device.
JP 2002-171137 A

上述した高周波モジュールの主要特性の一つにスプリアス特性がある。これは、基本周波数以外の高次高調波におけるレベルを規定するものであり、低い方がよい。
このスプリアス特性を調整するには、通常、電力増幅器に含まれる出力整合回路に備えられた、オープンスタブやＬＣ直列回路、電源供給線路等で行っていた。
ところが、モジュール化が進み、小型化が進むにつれ、電力増幅器の出力整合回路のみでスプリアス特性の調整をすることに関しては限界があり、今後さらなるモジュールの小型化が進んでいった場合に、電力増幅器のみでスプリアス調整を行いつつモジュールの小型化を行うことが困難な状況となっている。 One of the main characteristics of the high-frequency module described above is spurious characteristics. This prescribes the level in higher harmonics other than the fundamental frequency, and a lower one is better.
In order to adjust the spurious characteristic, it is usually performed by an open stub, an LC series circuit, a power supply line, or the like provided in an output matching circuit included in the power amplifier.
However, as modularization progresses and miniaturization progresses, there is a limit to adjusting the spurious characteristics using only the output matching circuit of the power amplifier, and if further module miniaturization progresses in the future, the power amplifier It is difficult to reduce the size of the module while adjusting the spurious alone.

そこで本発明は、電力増幅器、方向性結合器、デュプレクサなどを一体化して高周波モジュールを製作した場合、高調波レベル制御を容易に、かつ効率的に行うことができ、電力増幅器に用いられる電力増幅用半導体素子の特性を最大限に引き出すことができる高周波モジュールを提供することを目的とする。   Therefore, in the present invention, when a high frequency module is manufactured by integrating a power amplifier, a directional coupler, a duplexer, etc., harmonic level control can be easily and efficiently performed, and power amplification used in the power amplifier An object of the present invention is to provide a high-frequency module that can maximize the characteristics of a semiconductor device.

本発明の高周波モジュールは、電力増幅用半導体素子と出力整合回路とで構成される電力増幅器、方向性結合器又はデュプレクサの少なくともいずれか１つに、高調波レベル制御のための、オープンスタブ、分布定数線路とコンデンサとの直列共振回路、インダクタとコンデンサとの直列共振回路の中から選ばれる少なくとも1種の素子が設けられていることを特徴とする。   The high-frequency module of the present invention includes an open stub, a distribution for harmonic level control, at least one of a power amplifier, a directional coupler, and a duplexer configured by a semiconductor element for power amplification and an output matching circuit. At least one element selected from a series resonance circuit of a constant line and a capacitor and a series resonance circuit of an inductor and a capacitor is provided.

この構成によれば、電力増幅器の出力整合回路以外の回路、すなわち方向性結合器又はデュプレクサにおいても、前記高調波レベル制御のための素子が設けられているので、高調波レベル制御が可能となる。これにより、より自由度の高い、かつ効率的な高調波レベル制御を達成できる。したがって、スプリアスを確実に押えることができるようになり、電力増幅器に用いられる電力増幅用半導体素子の特性を最大限に引き出すことができる。   According to this configuration, even in a circuit other than the output matching circuit of the power amplifier, that is, in the directional coupler or the duplexer, the element for controlling the harmonic level is provided, so that the harmonic level control can be performed. . Thereby, it is possible to achieve higher harmonic level control with a higher degree of freedom. Therefore, it is possible to reliably suppress spurious and to maximize the characteristics of the power amplification semiconductor element used in the power amplifier.

また、本発明の高周波モジュールは、前記オープンスタブ、分布定数線路又はインダクタが、前記多層基板内部の誘電体層に内装されていることが好ましい。これにより、高調波レベル制御のための素子の実装に要する面積を小さくすることができ、高周波モジュールの小型化、集積化をいっそう進めることができる。
前記デュプレクサに設けられるインピーダンス調整回路を構成する分布定数線路と、前記方向性結合器を構成する分布定数線路とは、前記多層基板内部の誘電体層に内装されていることが好ましい。この構成によれば、これらの分布定数線路を誘電体層に形成するときに、前記オープンスタブ、分布定数線路、インダクタを同時に形成できるので、高周波モジュールの製造工程が簡単になるという利点がある。 In the high-frequency module of the present invention, it is preferable that the open stub, the distributed constant line, or the inductor is embedded in a dielectric layer inside the multilayer substrate. Thereby, the area required for mounting the element for harmonic level control can be reduced, and the miniaturization and integration of the high frequency module can be further promoted.
It is preferable that the distributed constant line constituting the impedance adjusting circuit provided in the duplexer and the distributed constant line constituting the directional coupler are embedded in a dielectric layer inside the multilayer substrate. According to this configuration, when the distributed constant lines are formed in the dielectric layer, the open stub, the distributed constant line, and the inductor can be formed at the same time. Therefore, there is an advantage that the manufacturing process of the high-frequency module is simplified.

前記多層基板には、セラミック誘電体層を含む多層セラミック基板を用いることができる。従来の樹脂基板では方向性結合器や出力整合回路を内装するには、面積が大きくなり、高周波モジュール全体の小型化には困難があった。セラミック誘電体の比誘電率は、樹脂基板に比べて高いため、誘電体層を薄くでき、誘電体層に内装された回路の素子のサイズを小さくでき、素子間距離も狭くすることができる。したがって、樹脂基板を用いる場合に比べて、いっそうの小型化、集積化を実現できる。   As the multilayer substrate, a multilayer ceramic substrate including a ceramic dielectric layer can be used. In the conventional resin substrate, the area becomes large to install the directional coupler and the output matching circuit, and it is difficult to reduce the size of the entire high-frequency module. Since the relative dielectric constant of the ceramic dielectric is higher than that of the resin substrate, the dielectric layer can be made thin, the size of the circuit element incorporated in the dielectric layer can be reduced, and the distance between the elements can also be reduced. Therefore, further downsizing and integration can be realized as compared with the case of using a resin substrate.

また本発明は、上に説明した高周波モジュールを搭載した、携帯電話機などの小型の通信機器に係るものである。   The present invention also relates to a small communication device such as a mobile phone equipped with the high-frequency module described above.

以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、携帯電話機等の移動体通信機器に用いられる、ＣＤＭＡデュアルバンド方式の高周波信号処理部のブロック構成図を示す。
このＣＤＭＡデュアルバンド方式では、高周波信号処理部は、セルラー方式800ＭＨｚ帯及びＰＣＳ(Personal Communication Services)方式１．９ＧＨｚ帯の周波数バンドを持った２つの送受信系と、ＧＰＳ(Global Positioning System)による測位機能を利用するためＧＰＳの受信バンド１．５ＧＨｚ帯を持った１つの受信系とから構成される。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a block diagram of a CDMA dual-band high-frequency signal processing unit used in mobile communication devices such as mobile phones.
In this CDMA dual-band system, the high-frequency signal processing unit has two transmission / reception systems having a frequency band of a cellular system 800 MHz band and a PCS (Personal Communication Services) system 1.9 GHz band, and a positioning function by GPS (Global Positioning System). In order to use this, it is composed of a single reception system having a GPS reception band of 1.5 GHz.

このような構成の高周波信号処理部を搭載した移動体通信機器においては、各部に対する小型化、軽量化の要求が大きく、これらの要求を考慮して、高周波信号処理回路は、所望の特性が達成できる単位で高周波モジュール化されている。
すなわち、図１で太い実線２２で示したように、分波回路２、デュプレクサの送受信用フィルタ３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ、電力増幅器７，８、方向性結合器５，６などを含む分波系回路及び送信系回路が、１つの基板に形成された１つの高周波モジュール２２を形成している。 In a mobile communication device equipped with a high-frequency signal processing unit having such a configuration, there is a great demand for miniaturization and weight reduction for each unit, and considering these requirements, the high-frequency signal processing circuit achieves desired characteristics. High-frequency modules are created in units that can be used.
That is, as indicated by the thick solid line 22 in FIG. 1, the demultiplexing includes the demultiplexing circuit 2, duplexer transmission / reception filters 3a, 3b, 4a, 4b, power amplifiers 7, 8, directional couplers 5, 6, and the like. The system circuit and the transmission system circuit form one high-frequency module 22 formed on one substrate.

なお、高周波モジュールを、800ＭＨｚ帯の高周波モジュールと、１．９ＧＨｚ帯の２つの高周波モジュールに分けるという実装方法も可能である。さらに低雑音増幅器ＬＮＡ１３，１４と受信用高周波フィルタ１５，１６を含んだ高周波モジュールを追加して形成してもよい。
以下、800ＭＨｚ帯と、１．９ＧＨｚ帯の２つの周波数帯を含む１つの高周波モジュール２２に基づいて説明する。 A mounting method is also possible in which the high-frequency module is divided into a high-frequency module in the 800 MHz band and two high-frequency modules in the 1.9 GHz band. Further, a high frequency module including the low noise amplifiers LNA 13 and 14 and the reception high frequency filters 15 and 16 may be additionally formed.
Hereinafter, description will be given based on one high-frequency module 22 including two frequency bands of 800 MHz band and 1.9 GHz band.

図１において、１はアンテナ、２は周波数帯を分けるための低域通過フィルタＬＰＦと高域通過フィルタＨＰＦとを含む分波回路、３ａは1.9ＧＨｚ帯の送信系を分離する送信用フィルタ、３ｂは同受信系を分離する受信用フィルタ、４ａは８００ＭＨｚ帯の送信系を分離する送信用フィルタ、４ｂは同受信系を分離する受信用フィルタである。また、１２は前記分波回路２から取り込まれるＧＰＳ信号を通過させるためのフィルタである。３ｃ，４ｃは、受信信号の位相を回転させるインピーダンス調整回路である。   In FIG. 1, 1 is an antenna, 2 is a demultiplexing circuit including a low-pass filter LPF and a high-pass filter HPF for dividing a frequency band, 3a is a transmission filter for separating a transmission system in the 1.9 GHz band, 3b Is a reception filter for separating the reception system, 4a is a transmission filter for separating the transmission system in the 800 MHz band, and 4b is a reception filter for separating the reception system. Reference numeral 12 denotes a filter for passing a GPS signal taken from the branching circuit 2. Reference numerals 3c and 4c denote impedance adjustment circuits that rotate the phase of the received signal.

５，６は、送信電力をモニターするための方向性結合器である。７，８は、それぞれ８００MHｚ帯，１．９ＧＨｚ帯の送信信号を電力増幅する電力増幅器である。電力増幅器７，８は、送信信号を増幅する電力増幅用半導体素子２４，２５と、電力増幅用半導体素子２４の出力側でインピーダンスマッチングをとる出力整合回路２６，２７とを含んでいる。前記電力増幅用半導体素子２４と出力整合回路２６とによって電力増幅器７を構成し、前記電力増幅用半導体素子２５と出力整合回路２７とによって電力増幅器８を構成している。   Reference numerals 5 and 6 denote directional couplers for monitoring transmission power. Reference numerals 7 and 8 denote power amplifiers that amplify the power of transmission signals in the 800 MHz band and the 1.9 GHz band, respectively. The power amplifiers 7 and 8 include power amplification semiconductor elements 24 and 25 that amplify a transmission signal, and output matching circuits 26 and 27 that perform impedance matching on the output side of the power amplification semiconductor element 24. The power amplification semiconductor element 24 and the output matching circuit 26 constitute a power amplifier 7, and the power amplification semiconductor element 25 and the output matching circuit 27 constitute a power amplifier 8.

９，１０は送信信号の８００MHｚ帯，１．９GHｚ帯の周波数帯のみ通過させる高周波フィルタＢＰＦである。
前記送信用フィルタ３ａ，４ａ及び受信用フィルタ３ｂ，４ｂ、高周波フィルタＢＰＦ９，１０は、例えばＳＡＷ(Surface Acoustic Wave)フィルタ素子で構成されるものである。ＳＡＷフィルタの構造は限定されないが、好ましくは、３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ₃結晶、６４°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ₃結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ₄Ｏ₇結晶などからなる基板上に、櫛歯状のＩＤＴ(Inter Digital Transducer)電極が形成されたものである。 Reference numerals 9 and 10 denote high-frequency filters BPF that pass only the 800 MHz and 1.9 GHz frequency bands of the transmission signal.
The transmission filters 3a, 4a, the reception filters 3b, 4b, and the high frequency filters BPF 9, 10 are composed of, for example, SAW (Surface Acoustic Wave) filter elements. The structure of the SAW filter is not limited, but preferably 36 ° Y cut-X propagation LiTaO ₃ crystal, 64 ° Y cut-X propagation LiNbO ₃ crystal, 45 ° X cut-Z propagation LiB ₄ O ₇ crystal, etc. Comb-like IDT (Inter Digital Transducer) electrodes are formed on a substrate made of

以下、送信系における信号の流れを説明する。送信信号処理回路１７から出力されるセルラー送信信号は、高周波フィルタＢＰＦ９でノイズが削減され、電力増幅器７に伝えられる。送信信号処理回路１７から出力されるＰＣＳ送信信号は、高周波フィルタＢＰＦ１０でノイズが削減され、電力増幅器８に伝えられる。
電力増幅器７，８は、それぞれ８００MHｚ帯，１．９GHｚ帯の周波数帯の送信信号を電力増幅する。増幅された送信信号は、方向性結合器５，６を通り、前記送信用フィルタ４ａ，３ａに入力される。 Hereinafter, the flow of signals in the transmission system will be described. The cellular transmission signal output from the transmission signal processing circuit 17 is reduced in noise by the high frequency filter BPF 9 and transmitted to the power amplifier 7. The PCS transmission signal output from the transmission signal processing circuit 17 is reduced in noise by the high frequency filter BPF 10 and transmitted to the power amplifier 8.
The power amplifiers 7 and 8 amplify the power of transmission signals in the frequency bands of 800 MHz band and 1.9 GHz band, respectively. The amplified transmission signal passes through the directional couplers 5 and 6 and is input to the transmission filters 4a and 3a.

方向性結合器５，６は、電力増幅器７，８からの出力信号のレベルをモニタして、そのモニタ信号に基づいて電力増幅器のオートパワーコントロールするためのものである。そのモニタ出力は、検波用回路１１に入力される。
一方受信系は、受信用フィルタ４ｂ，３ｂで分離された受信信号を増幅する低雑音増幅器LNA１４，１３と、受信信号からノイズを除去する高周波フィルタ１６，１５とを備えている。高周波フィルタ１６，１５を通った受信信号は、受信信号処理回路１８に伝えられ信号処理される。また、前記ＧＰＳ用フィルタ１２で分離されたＧＰＳ信号は、受信信号処理回路１８に入力され信号処理される。 The directional couplers 5 and 6 are for monitoring the level of the output signal from the power amplifiers 7 and 8 and performing auto power control of the power amplifier based on the monitor signal. The monitor output is input to the detection circuit 11.
On the other hand, the reception system includes low noise amplifiers LNAs 14 and 13 for amplifying the reception signals separated by the reception filters 4b and 3b, and high frequency filters 16 and 15 for removing noise from the reception signals. The reception signals that have passed through the high frequency filters 16 and 15 are transmitted to the reception signal processing circuit 18 and processed. The GPS signal separated by the GPS filter 12 is input to the reception signal processing circuit 18 for signal processing.

図１において、出力整合回路２６の前後に、所定長さの分布定数線路からなるオープンスタブL５，Ｌ６、方向性結合器６の後段にオープンスタブＬ７、送信用フィルタ３ａの後段にオープンスタブL８を付加している。出力整合回路２７の前後にオープンスタブL１，Ｌ２、方向性結合器５の後段にオープンスタブＬ３、送信用フィルタ４ａの後段にオープンスタブL４を付加している。   In FIG. 1, before and after the output matching circuit 26, open stubs L5 and L6 made of distributed constant lines of a predetermined length, an open stub L7 after the directional coupler 6, and an open stub L8 after the transmission filter 3a. It is added. Open stubs L1 and L2 are added before and after the output matching circuit 27, an open stub L3 is added after the directional coupler 5, and an open stub L4 is added after the transmission filter 4a.

これらオープンスタブL１からL８は電力増幅器７・８から発生するスプリアスを低減するための高調波制御用のスタブである。オープンスタブの線路長は、除去したい高調波の周波数に応じて設定するとよい。先に述べたように、通常であれば、電力増幅器７，８の出力整合回路２６，２７において高調波制御を行っていたのであるが、本発明のように高周波モジュールに一体化する場合には、特に出力整合回路にのみ高調波制御用のスタブを設置する必要はなく、電力増幅用半導体素子から分波回路までの任意の箇所にスタブを付加して高調波制御を行えば良い。   These open stubs L1 to L8 are harmonic control stubs for reducing spurious generated from the power amplifiers 7 and 8. The line length of the open stub may be set according to the harmonic frequency to be removed. As described above, normally, harmonic control is performed in the output matching circuits 26 and 27 of the power amplifiers 7 and 8, but in the case of integration into a high-frequency module as in the present invention. In particular, it is not necessary to install a stub for harmonic control only in the output matching circuit, and harmonic control may be performed by adding a stub to any part from the power amplification semiconductor element to the branching circuit.

また、図１のオープンスタブL１〜L８の代わりに、図２に示すように、分布定数線路ＬとコンデンサＣ１の直列共振回路、または図３に示すように、インダクタＬ′とコンデンサＣ２の直列共振回路で構成しても良い。この場合においてもコンデンサＣ１、Ｃ２の容量値ならびに分布定数線路Ｌの線路長、インダクタＬ′のインダクタンスを変更することで、同様に任意の高調波レベルの制御が可能となる。   Further, instead of the open stubs L1 to L8 of FIG. 1, as shown in FIG. 2, a series resonance circuit of a distributed constant line L and a capacitor C1, or as shown in FIG. 3, a series resonance of an inductor L 'and a capacitor C2. You may comprise with a circuit. In this case as well, by changing the capacitance values of the capacitors C1 and C2, the line length of the distributed constant line L, and the inductance of the inductor L ′, it is possible to similarly control an arbitrary harmonic level.

特に、オープンスタブ、直列共振回路のうち、より精度よく高調波レベルの制御を行うという点から考えると、図３のような部品定数の変更が可能なインダクタとコンデンサの直列共振回路を設けることが望ましい。
以上のように構成された高周波モジュールでは、電力増幅７，８における出力整合回路２６，２７以外においても、高調波レベルを制御して低減することができ、これにより、高調波レベルをさらに自由に、かつ効率的に制御できる。 In particular, from the viewpoint of controlling the harmonic level more accurately among open stubs and series resonant circuits, it is possible to provide an inductor-capacitor series resonant circuit capable of changing component constants as shown in FIG. desirable.
In the high-frequency module configured as described above, it is possible to control and reduce the harmonic level in addition to the output matching circuits 26 and 27 in the power amplifiers 7 and 8, thereby further freeing the harmonic level. And can be controlled efficiently.

図４は、高周波モジュールに含まれる電力増幅器７，８及び方向性結合器５，６の詳細な回路図である。
高周波モジュールは、ＰＣＳ側の回路とセルラー側の回路とを含んでいるが、ＰＣＳ側の回路構成は、セルラー側の回路構成と同様であるから、セルラー側のみ説明し、ＰＣＳ側の説明は省略する。 FIG. 4 is a detailed circuit diagram of the power amplifiers 7 and 8 and the directional couplers 5 and 6 included in the high-frequency module.
The high-frequency module includes a circuit on the PCS side and a circuit on the cellular side, but since the circuit configuration on the PCS side is the same as the circuit configuration on the cellular side, only the cellular side will be described, and the description on the PCS side will be omitted. To do.

高周波フィルタＢＰＦ９は電力増幅用半導体素子２４の前段に配置されており、送信信号処理回路１７と電力増幅用半導体素子２４との間の直流分をカットするキャパシタＣＧ９が存在している。
電力増幅用半導体素子２４は、初段、中段、後段の３段の電力増幅用半導体素子より構成され、それぞれに対して電圧供給用バイアス線路ＬＧ９，ＬＧ８，ＬＧ７を介して電圧が供給され、この電圧をエネルギー源として、セルラー端子に入力された入力信号の増幅が行われる。電圧供給用バイアス線路ＬＧ７，ＬＧ８，ＬＧ９を高周波に対して４分の１波長のスタブとして機能させることで、高周波信号が直流電圧源に流れ込まないようにしている。 The high-frequency filter BPF9 is disposed in front of the power amplification semiconductor element 24, and there is a capacitor CG9 that cuts a direct current component between the transmission signal processing circuit 17 and the power amplification semiconductor element 24.
The power amplifying semiconductor element 24 is composed of three stages of power amplifying semiconductor elements of the first stage, the middle stage, and the latter stage, and a voltage is supplied to each via the voltage supply bias lines LG9, LG8, LG7. Is used as an energy source to amplify the input signal input to the cellular terminal. By causing the voltage supply bias lines LG7, LG8, LG9 to function as quarter-wave stubs for high frequencies, high-frequency signals are prevented from flowing into the DC voltage source.

出力整合回路２６は、分布定数線路ＬＧ６、キャパシタＣＧ６，７から構成される。これにより低域通過フィルタを構成している。この低域通過フィルタは、電力増幅用半導体素子２４の出力インピーダンス（０．５〜２Ω程度）と方向性結合器５の入力インピーダンス（３０〜５０Ω程度）とのインピーダンス整合を行う。出力整合回路２７の前段にオープンスタブL１を配置し、出力整合回路２７の後段にオープンスタブL２を配置していることは、前述したとおりである。これらのオープンスタブにより、電力増幅用半導体素子２４から発生する不要信号を低減するという機能を有する。   The output matching circuit 26 includes a distributed constant line LG6 and capacitors CG6 and CG7. This constitutes a low-pass filter. This low-pass filter performs impedance matching between the output impedance (about 0.5 to 2Ω) of the power amplification semiconductor element 24 and the input impedance (about 30 to 50Ω) of the directional coupler 5. As described above, the open stub L1 is arranged before the output matching circuit 27 and the open stub L2 is arranged after the output matching circuit 27. These open stubs have a function of reducing unnecessary signals generated from the power amplification semiconductor element 24.

キャパシタＣＧ５は電力増幅用半導体素子２４の入力側にＤＣ成分が流れ込むことを防ぐ機能をもつ。
方向性結合器５は分布定数線路ＬＧ４及びキャパシタＣＧ１３からなる低域通過フィルタを構成している。この低域通過フィルタにより、前記電力増幅用半導体素子２４から発生する不要信号を低減することができる。なお、方向性結合器５は、低域通過フィルタの機能を必ずしも持たせる必要はなく、キャパシタＣＧ１３を設けずセルラー帯域の周波数を通過させるための分布定数線路ＬＧ４だけで構成しても良い。前述したように、方向性結合器５の後段にオープンスタブＬ３を付加しているので、このオープンスタブＬ３によって、前記電力増幅用半導体素子２４から発生する不要信号を低減することができる。 The capacitor CG5 has a function of preventing a DC component from flowing into the input side of the power amplification semiconductor element 24.
The directional coupler 5 constitutes a low-pass filter including a distributed constant line LG4 and a capacitor CG13. With this low-pass filter, unnecessary signals generated from the power amplification semiconductor element 24 can be reduced. Note that the directional coupler 5 does not necessarily have the function of a low-pass filter, and may be configured with only the distributed constant line LG4 for passing the frequency in the cellular band without providing the capacitor CG13. As described above, since the open stub L3 is added after the directional coupler 5, unnecessary signals generated from the power amplification semiconductor element 24 can be reduced by the open stub L3.

また、結合線路ＬＧ５を分布定数線路ＬＧ４に近接させて、容量結合、及び磁気結合を形成しており、これにより電力増幅用半導体素子２４から発生する出力の一部をモニタ信号として、検波用回路１１に出力している。結合線路ＬＧ５の送信用フィルタ４ａ側には、終端抵抗ＲＧ２が接続されている。検波用回路１１は、入力されたモニタ信号に応じて、制御信号を生成し、べースバンドＩＣ１９の自動電力制御回路に供給する。   Further, the coupling line LG5 is brought close to the distributed constant line LG4 to form a capacitive coupling and a magnetic coupling, whereby a part of the output generated from the power amplification semiconductor element 24 is used as a monitor signal, and a detection circuit 11 is output. A termination resistor RG2 is connected to the transmission line 4a side of the coupling line LG5. The detection circuit 11 generates a control signal according to the input monitor signal and supplies it to the automatic power control circuit of the baseband IC 19.

また、送信用フィルタ４ａの後段にオープンスタブL４を付加しているので、このオープンスタブＬ４によって、前記電力増幅用半導体素子２４から発生する不要信号を低減することができる。
前記電力増幅用半導体素子の構造は、限定されないが、好ましくは、小型化、高効率化を図るためにＧａＡｓＨＢＴ（ガリウム砒素ヘテロジャンクションバイポーラトランジスタ）構造、又はＰ−ＨＥＭＴ構造のトランジスタ、具体的にはＧａＡｓトランジスタ、シリコン若しくはゲルマニウムトランジスタを含む半導体素子で形成されたものである。 Further, since the open stub L4 is added after the transmission filter 4a, unnecessary signals generated from the power amplification semiconductor element 24 can be reduced by the open stub L4.
The structure of the semiconductor element for power amplification is not limited, but preferably a GaAsHBT (gallium arsenide heterojunction bipolar transistor) structure or a P-HEMT structure transistor in order to reduce the size and increase the efficiency. It is formed of a semiconductor element including a GaAs transistor, silicon, or germanium transistor.

高周波モジュール２２は、同一寸法形状の複数の誘電体層が積層された多層基板構造を有している。
誘電体層は、ガラスエポキシ樹脂などの有機系誘電体基板に対して、銅箔などの導体によって配線導体層が形成されたもの、または、セラミック材料などの無機系誘電体基板に種々の配線導体層を誘電体基板と同時に焼成して形成されたものが用いられる。 The high-frequency module 22 has a multilayer substrate structure in which a plurality of dielectric layers having the same size and shape are stacked.
The dielectric layer is formed by forming a wiring conductor layer with a conductor such as copper foil on an organic dielectric substrate such as glass epoxy resin, or various wiring conductors on an inorganic dielectric substrate such as a ceramic material. A layer formed by firing simultaneously with a dielectric substrate is used.

前記セラミック材料としては、（１）Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＣを主成分とする焼成温度が１１００℃以上のセラミック材料、（２）金属酸化物による混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料、（３）ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料の群から選ばれる少なくとも１種が選択される。 Examples of the ceramic material include (1) a ceramic material whose main component is Al ₂ O ₃ , AlN, Si ₃ N ₄ , and SiC having a firing temperature of 1100 ° C. or higher, and (2) 1100 ° C. or lower made of a mixture of metal oxides. A low-temperature fired ceramic material fired at 1050 ° C. or lower, (3) a group of low-temperature fired ceramic materials fired at 1100 ° C. or lower, particularly 1050 ° C. or lower, comprising glass powder or a mixture of glass powder and ceramic filler powder At least one selected from is selected.

前記（２）の混合物としては、ＢａＯ−ＴｉＯ₂系、Ｃａ−ＴｉＯ₂系、ＭｇＯ−ＴｉＯ₂系等のセラミック材料が用いられ、これらのセラミック材料に、ＳｉＯ２、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＣｕＯ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃等の助剤を適宜添加したものが用いられる。（３）のガラス組成物としては、少なくともＳｉＯ₂を含み、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、具体的には、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＲＯ系、ＳｉＯ₂−ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＲＯ系、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＲＯ系、ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＲＯ系、さらにはこれらの系にＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｐｂ、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂等を配合した組成物が挙げられる。また、ガラスとしては、焼成処理することによっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオプサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種を析出する結晶化ガラスなどが用いられる。 As the mixture of (2), ceramic materials such as BaO—TiO ₂ , Ca—TiO ₂ , and MgO—TiO ₂ are used. These ceramic materials include SiO ₂ , Bi ₂ O ₃ , CuO, Li ₂ O, which was added B ₂ O aids such as ₃ appropriately is used. The glass composition (3) contains at least SiO ₂ and contains at least one of Al ₂ O ₃ , B ₂ O ₃ , ZnO, PbO, alkaline earth metal oxide, and alkali metal oxide. Specifically, SiO ₂ —B ₂ O ₃ —RO system, SiO ₂ —BaO—Al ₂ O ₃ —RO system, SiO ₂ —B ₂ O ₃ —Al ₂ O ₃ —RO system , SiO ₂ —Al ₂ O ₃ —RO system, and compositions obtained by blending ZnO, PbO, Pb, ZrO ₂ , TiO _{2 and the} like with these systems. In addition, the glass is an amorphous glass by baking treatment, and by baking treatment, alkali metal silicate, quartz, cristobalite, cordierite, mullite, enstatite, anorthite, serdian, spinel, garnite, Crystallized glass that precipitates at least one crystal of diopside, ilmenite, willemite, dolomite, petalite, and substituted derivatives thereof is used.

また、前記（３）におけるセラミックフィラーとしては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂（クォーツ、クリストバライト）、フォルステライト、コージェライト、ムライト、ＺｒＯ₂、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＣ、ＭｇＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃などのチタン酸塩の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、ガラス２０〜８０質量％、フィラー２０〜８０質量％の割合で混合されることが望ましい。 Further, as the ceramic filler in (3), Al ₂ O ₃ , SiO ₂ (quartz, cristobalite), forsterite, cordierite, mullite, ZrO ₂ , mullite, forsterite, enstatite, spinel, magnesia, AlN, Examples include at least one selected from the group consisting of titanates such as Si ₃ N ₄ , SiC, MgTiO ₃ , and CaTiO ₃ , and glass 20 to 80% by mass and filler 20 to 80% by mass. desirable.

一方、配線導体層は、誘電体基板と同時焼成して形成するために、誘電体基板を形成するセラミック材料の焼成温度に応じて種々組み合わせられ、例えば、セラミック材料が前記（１）の場合、タングステン、モリブデン、マンガン、銅の群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。また、低抵抗化のために、銅などとの混合物としてもよい。セラミック材料が前記（２）（３）の低温焼成セラミック材料を用いる場合、銅、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする低抵抗導体材料が用いられる。   On the other hand, since the wiring conductor layer is formed by simultaneous firing with the dielectric substrate, various combinations are made according to the firing temperature of the ceramic material forming the dielectric substrate. For example, when the ceramic material is (1), A conductor material mainly containing at least one selected from the group consisting of tungsten, molybdenum, manganese, and copper is preferably used. Moreover, it is good also as a mixture with copper etc. for resistance reduction. When the ceramic material is the low-temperature fired ceramic material of (2) or (3) above, a low-resistance conductor material mainly containing at least one selected from the group consisting of copper, silver, gold, and aluminum is used.

誘電体基板は、誘電率を高くすることで、小さな面積でも充分な静電容量を得ることができるため、ストリップライン長を短縮して、全体構造の小型化に供することができる。また、配線や線路などを低損失の低抵抗導体によって形成できることから、前記（１）（２）の低温焼成セラミック材料によって形成することが望ましい。
この多層基板の具体的な製造方法を説明する。アルミナ、ムライト、フォルステライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、ガラスなどをベースとして、公知の焼結助剤や高誘電率化に寄与するチタン酸塩などの化合物をこれに添加混合してセラミックグリーンシートを作成する。 Since the dielectric substrate can obtain a sufficient capacitance even in a small area by increasing the dielectric constant, the strip line length can be shortened and the entire structure can be miniaturized. Further, since the wiring, the line, and the like can be formed by a low-loss low-resistance conductor, it is desirable to form the low-temperature fired ceramic material of the above (1) and (2).
A specific method for manufacturing the multilayer substrate will be described. Based on alumina, mullite, forsterite, aluminum nitride, silicon nitride, glass, etc., ceramic green sheets are prepared by adding and mixing known sintering aids and compounds such as titanates that contribute to higher dielectric constants. create.

セラミックグリーンシートの表面に導体層を形成する。導体層の形成方法は、前記金属を含有する導体ペーストをセラミックグリーンシートの表面に塗布したり、金属箔を貼付したりする。
上述した各回路を構成する導体パターンをそれぞれ形成した後、導体パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し、所要の圧力と温度の下で熱圧着し、焼成する。この場合、各誘電体層には、複数の層にわたって形成された回路を厚み方向に接続するために、貫通孔に導体ペーストが充填してなるビアホール導体が適宣形成される。 A conductor layer is formed on the surface of the ceramic green sheet. The conductor layer is formed by applying the metal-containing conductor paste to the surface of the ceramic green sheet or attaching a metal foil.
After forming the conductor patterns constituting each circuit described above, the ceramic green sheets on which the conductor patterns are formed are laminated, thermocompression-bonded under a required pressure and temperature, and fired. In this case, in each dielectric layer, in order to connect a circuit formed over a plurality of layers in the thickness direction, a via-hole conductor in which a through paste is filled with a conductive paste is appropriately formed.

そして、セラミックグリーンシートを、これらの導体層と同時焼結する。
なお、本発明の高周波モジュールにおいて、多層基板を構成する誘電体層の比誘電率は、１０以上、特に１５〜２５であることが望ましい。このように誘電体層を高誘電率化することで、各回路を構成する分布定数線路の長さを短縮するとともに、キャパシタ素子の対向面積を減少することができ、高周波モジュールの小型化を実現することが可能となる。 And a ceramic green sheet is simultaneously sintered with these conductor layers.
In the high-frequency module of the present invention, it is desirable that the dielectric constant of the dielectric layer constituting the multilayer substrate is 10 or more, particularly 15 to 25. By increasing the dielectric constant of the dielectric layer in this way, the length of the distributed constant lines that make up each circuit can be reduced, and the opposing area of the capacitor elements can be reduced, resulting in a smaller high-frequency module. It becomes possible to do.

図５に、セラミック多層基板に実装された本発明の高周波モジュール２２の概略平面図を示し、図６に高周波モジュールを構成するセラミック多層基板の断面模式図を示す。図７は、高周波モジュール２２の概略斜視図である。
多層基板２３の表層５２には、各種の導体パターン、各種チップ部品のほか、高周波フィルタＢＰＦ９，１０、送信用フィルタ３ａ，４ａ、受信用フィルタ３ｂ，４ｂ、並びに電力増幅器７，８の一部を構成する出力整合回路２６，２７及び電力増幅用半導体素子２４，２５などが搭載され、これらは半田などで誘電体層上の導体パターンに接合されている。これらの他、ＧＰＳ用のフィルタ１２、検波用回路１１なども搭載されているが、図示していない。 FIG. 5 shows a schematic plan view of the high-frequency module 22 of the present invention mounted on a ceramic multilayer substrate, and FIG. 6 shows a schematic cross-sectional view of the ceramic multilayer substrate constituting the high-frequency module. FIG. 7 is a schematic perspective view of the high-frequency module 22.
On the surface layer 52 of the multilayer substrate 23, in addition to various conductor patterns and various chip components, high-frequency filters BPF9 and 10, transmission filters 3a and 4a, reception filters 3b and 4b, and part of power amplifiers 7 and 8 are provided. The output matching circuits 26 and 27 and the power amplifying semiconductor elements 24 and 25 are mounted, and these are joined to the conductor pattern on the dielectric layer with solder or the like. In addition to these, a GPS filter 12, a detection circuit 11 and the like are also mounted, but not shown.

電力増幅用半導体素子２４，２５は、多層基板２３上の導体パターンとワイヤーボンディングで接続されている。電力増幅用半導体素子２４，２５の周囲には、同じく電力増幅器７，８の一部を構成する出力整合回路２６，２７がチップ部品や導体パターンで形成されている。
多層基板２３の内部には、方向性結合器５，６、インピーダンス調整回路３ｃ，４ｃを構成する分布定数線路、結合線路、分布型キャパシタ、抵抗などの導体パターンが、誘電体層中にそれぞれ形成されている。なお、方向性結合器５，６以外に、分波回路２などを構成する受動素子も誘電体層中に形成されているが、図示していない。 The power amplification semiconductor elements 24 and 25 are connected to the conductor pattern on the multilayer substrate 23 by wire bonding. Around the power amplifying semiconductor elements 24 and 25, output matching circuits 26 and 27 that are also part of the power amplifiers 7 and 8 are formed by chip parts or conductor patterns.
Conductor patterns such as distributed constant lines, coupled lines, distributed capacitors, resistors, etc. constituting the directional couplers 5 and 6 and the impedance adjustment circuits 3c and 4c are formed in the dielectric layer inside the multilayer substrate 23, respectively. Has been. In addition to the directional couplers 5 and 6, passive elements constituting the branching circuit 2 and the like are also formed in the dielectric layer, but are not shown.

そして、各誘電体層には複数の層にわたって、回路を縦に接続するため必要なビア導体ホール導体が形成されている。例えば、図６における５０は、電力増幅用半導体素子２４，２５で発生する熱をグランド層４０に逃がすため設けられた、誘電体層を上下に貫通するサーマルビア導体である。４０は最下層に設けられたグランド導体層である。
図８は、前記送信用フィルタ３ａ，４ａや高周波フィルタＢＰＦ９，１０の多層基板２３への実装例を示す図である。送信用フィルタ３ａ，４ａや高周波フィルタＢＰＦ９，１０は、図８に示すように、ＳＡＷエレメント４１で構成され、多層基板２３に直接フリップチップ実装される。ＳＡＷエレメント４１の裏面にはフィルタ電極４２、入力と出力のパターン電極４３及び気密封止するための電極４４が形成される。一方多層基板２３には、ＳＡＷエレメント４１と対向して、入出力のパッド４５と、気密封止するための電極４６が形成されている。多層基板２３のこれらのパターンに半田のバンプを形成しＳＡＷエレメント４１を熱で圧着して封止することで従来のパッケージ品と同等の信頼性特性が得られる。前記半田バンプは、多層基板２３に半田を印刷し、必要チップ部品を実装し、リフローして形成することが出来る。この場合、多層基板２３の電極には、半田濡れ性の点から、たとえばＮｉ下地の金メッキを施しておくとよい。その後ＳＡＷエレメント４１を熱圧着する。電力増幅用半導体素子２４・２５を実装しワイヤーボンドで接続し、全体をエポキシ樹脂等で封止し、高周波モジュールができあがる。 In each dielectric layer, via conductor hole conductors necessary to connect circuits vertically are formed across a plurality of layers. For example, reference numeral 50 in FIG. 6 denotes a thermal via conductor that vertically passes through the dielectric layer and is provided to release heat generated in the power amplification semiconductor elements 24 and 25 to the ground layer 40. Reference numeral 40 denotes a ground conductor layer provided in the lowermost layer.
FIG. 8 is a diagram showing an example of mounting the transmission filters 3a and 4a and the high-frequency filters BPF9 and 10 on the multilayer substrate 23. In FIG. As shown in FIG. 8, the transmission filters 3 a and 4 a and the high frequency filters BPF 9 and 10 are composed of SAW elements 41 and are directly flip-chip mounted on the multilayer substrate 23. On the back surface of the SAW element 41, a filter electrode 42, input and output pattern electrodes 43, and an electrode 44 for hermetically sealing are formed. On the other hand, an input / output pad 45 and an electrode 46 for hermetically sealing are formed on the multilayer substrate 23 so as to face the SAW element 41. By forming solder bumps on these patterns of the multi-layer substrate 23 and sealing the SAW element 41 with heat, the same reliability characteristic as that of a conventional package product can be obtained. The solder bumps can be formed by printing solder on the multilayer substrate 23, mounting necessary chip components, and reflowing. In this case, for example, from the viewpoint of solder wettability, the Ni substrate gold plating may be applied to the electrodes of the multilayer substrate 23. Thereafter, the SAW element 41 is thermocompression bonded. The power amplification semiconductor elements 24 and 25 are mounted and connected by wire bonding, and the whole is sealed with an epoxy resin or the like to complete a high frequency module.

また、電力増幅用半導体素子２４，２５をワイヤーボンディングでなく、ＳＡＷエレメント４１と同様にフリップチップ実装することもできる。
なお、電力増幅用半導体素子２４，２５、出力整合回路２６，２７、高周波フィルタＢＰＦ９，１０、送受信用フィルタ３ａ，４ａ，３ｂ，４ｂなどを構成する複数のチップを、多層基板２３に縦に配置することにより、さらなる小型化を図ることもできる。例えば、多層基板の表面に凹部を設けこの凹部に搭載したり、多層基板の裏面に搭載するようにしてもよい。 Further, the power amplification semiconductor elements 24 and 25 can be flip-chip mounted in the same manner as the SAW element 41 instead of wire bonding.
A plurality of chips constituting the power amplification semiconductor elements 24 and 25, the output matching circuits 26 and 27, the high frequency filters BPF 9 and 10, the transmission and reception filters 3a, 4a, 3b, and 4b are vertically arranged on the multilayer substrate 23. By doing so, further miniaturization can be achieved. For example, a concave portion may be provided on the surface of the multilayer substrate and mounted on the concave portion, or mounted on the back surface of the multilayer substrate.

図９（ａ）（ｂ）は、このような本発明の搭載例を示している。図９（ａ）では多層基板２３の表面に凹部５１を設け、受信用フィルタ３ｂ，４ｂを格納し、その上にさらに送信用フィルタ３ａ，４ａを上述のフリップチップで実装している。これにより、高周波モジュールの面積を大幅に削減することが出来る。特にデュプレクサ用の送受信用フィルタは送信側のエレメントが耐電力構造のため受信側のエレメントより大型になり、このように実装配置することで高周波モジュールの面積を小型化することができる。   FIGS. 9A and 9B show such mounting examples of the present invention. In FIG. 9A, a recess 51 is provided on the surface of the multilayer substrate 23 to store the reception filters 3b and 4b, and the transmission filters 3a and 4a are further mounted on the flip chip by the above-described flip chip. Thereby, the area of a high frequency module can be reduced significantly. In particular, the duplexer transmission / reception filter is larger in size than the reception side element because the transmission side element has a power-resistant structure, and the area of the high frequency module can be reduced by mounting and arranging in this way.

図９（ｂ）は、多層基板２３の裏面側に凹部５１を設け、受信用フィルタ３ｂ，４ｂを格納し高周波モジュールを小型化した構造を示す。
このように、多層基板２３の表面または裏面に凹部５１を形成し、ＳＡＷエレメントの約半数を格納することで、高周波モジュールの小型化が実現できる。
以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の各形態に限定されるものではない。例えば、図２、３では、多層基板２３に出力整合回路２６，２７、方向性結合器５，６、及び送信用フィルタ３ａ，４ａを実装している例で説明したが、２つ以上のバンドを扱う高周波モジュールの場合、分波回路２の少なくとも一部のフィルタ素子を内装することもできる。これにより、マルチバンドの高周波モジュール全体として小型化が実現可能となる。その他、本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能である。 FIG. 9B shows a structure in which the concave portion 51 is provided on the back surface side of the multilayer substrate 23, the reception filters 3b and 4b are housed, and the high frequency module is miniaturized.
Thus, by forming the concave portions 51 on the front surface or the back surface of the multilayer substrate 23 and storing about half of the SAW elements, the high-frequency module can be reduced in size.
While the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments of the present invention are not limited to the above embodiments. For example, in FIGS. 2 and 3, the example in which the output matching circuits 26 and 27, the directional couplers 5 and 6, and the transmission filters 3a and 4a are mounted on the multilayer substrate 23 has been described. In the case of a high-frequency module that handles, at least a part of the filter elements of the branching circuit 2 can be incorporated. This makes it possible to reduce the size of the multiband high-frequency module as a whole. In addition, various modifications can be made within the scope of the present invention.

本発明の高周波モジュール２２を含むデュアルバンド方式の高周波信号処理部のブロック構成図である。It is a block block diagram of the high frequency signal processing part of the dual band system containing the high frequency module 22 of this invention. 分布定数線路ＬとコンデンサＣ１で構成した直列共振回路を示す図である。It is a figure which shows the series resonance circuit comprised by the distributed constant line L and the capacitor | condenser C1. インダクタＬ′とコンデンサＣ２で構成した直列共振回路を示す図である。It is a figure which shows the series resonance circuit comprised by the inductor L 'and the capacitor | condenser C2. 高周波モジュールに含まれる電力増幅器７，８及び方向性結合器５，６の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of power amplifiers 7 and 8 and directional couplers 5 and 6 included in the high-frequency module. 多層基板に実装した高周波モジュールを示す平面図である。It is a top view which shows the high frequency module mounted in the multilayer substrate. 多層基板に実装した高周波モジュールの断面図である。It is sectional drawing of the high frequency module mounted in the multilayer board | substrate. 多層基板に実装した高周波モジュールの平面図である。It is a top view of the high frequency module mounted in the multilayer substrate. 送信用フィルタ３ａ，４ａや高周波フィルタＢＰＦ９，１０を構成するＳＡＷエレメント４１の多層基板２３への実装例を示す図である。It is a figure which shows the example of mounting to the multilayer substrate 23 of the SAW element 41 which comprises the filters 3a and 4a for transmission, and the high frequency filters BPF9 and 10. （ａ）は多層基板２３の表面に凹部５１を設け、受信用フィルタ３ｂ，４ｂを格納し、その上にさらに送信用フィルタ３ａ，４ａを上述のフリップチップで実装した例を示す断面図、（ｂ）は多層基板２３の裏面側に凹部５１を設け、受信用フィルタ３ｂ，４ｂを格納した例を示す断面図である。(A) is sectional drawing which shows the example which provided the recessed part 51 in the surface of the multilayer substrate 23, stored the filters 3b and 4b for reception, and also mounted the filters 3a and 4a for transmission on it by the above-mentioned flip chip. b) is a cross-sectional view showing an example in which a recess 51 is provided on the back side of the multilayer substrate 23 and the receiving filters 3b and 4b are stored.

符号の説明Explanation of symbols

１ アンテナ
２ 分波回路
３ａ，３ａ 送信用フィルタ
４ａ，４ｂ 受信用フィルタ
５、６ 方向性結合器（カプラ）
７、８ 電力増幅器
９、１０ 高周波フィルタ
１１ 検波回路
１２ 受信用フィルタ
１３、１４ 低雑音増幅器ＬＮＡ
１５、１６ 受信用フィルタ
１７ 送信信号処理回路ＲＦＩＣ
１８ 受信信号処理回路ＲＦＩＣ
１９ ベースバンドＩＣ
２２ 高周波モジュール
２３ 多層基板
２４、２５ 電力増幅用半導体素子
２６、２７ 出力整合回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Antenna 2 Split circuit 3a, 3a Transmission filter 4a, 4b Reception filter 5, 6 Directional coupler (coupler)
7, 8 Power amplifier 9, 10 High frequency filter 11 Detection circuit 12 Receiving filter 13, 14 Low noise amplifier LNA
15, 16 Reception filter 17 Transmission signal processing circuit RFIC
18 Received signal processing circuit RFIC
19 Baseband IC
22 High-frequency module 23 Multi-layer substrate 24, 25 Power amplification semiconductor element 26, 27 Output matching circuit

Claims (5)

アンテナ端子に直接又は分波回路を通して接続され、送信系と受信系とを切り替えるデュプレクサと、所定の送信通過帯域の送信信号を増幅する電力増幅器と、電力増幅器の出力電力を検出するための方向性結合器を多層基板に搭載してなる高周波モジュールであって、
前記電力増幅器は、電力増幅用半導体素子と出力整合回路とで構成され、
前記電力増幅器、方向性結合器又はデュプレクサの少なくともいずれか１つに、高調波レベル制御をするための、次の（ａ）から（ｃ）の中から選ばれる少なくとも1種の素子が設けられていることを特徴とする高周波モジュール。
（ａ）オープンスタブ、
（ｂ）分布定数線路とコンデンサとの直列共振回路、
（ｃ）インダクタとコンデンサとの直列共振回路。 A duplexer that is connected to the antenna terminal directly or through a demultiplexing circuit and switches between a transmission system and a reception system, a power amplifier that amplifies a transmission signal in a predetermined transmission passband, and a directionality for detecting the output power of the power amplifier A high-frequency module in which a coupler is mounted on a multilayer substrate,
The power amplifier is composed of a power amplification semiconductor element and an output matching circuit,
At least one element selected from the following (a) to (c) is provided in at least one of the power amplifier, the directional coupler, and the duplexer for harmonic level control. A high-frequency module characterized by
(A) open stub,
(B) a series resonant circuit of a distributed constant line and a capacitor;
(C) A series resonant circuit of an inductor and a capacitor. 前記オープンスタブ、分布定数線路又はインダクタが、前記多層基板内部の誘電体層に内装されている請求項１記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to claim 1, wherein the open stub, the distributed constant line, or the inductor is embedded in a dielectric layer inside the multilayer substrate. 前記デュプレクサには、インピーダンス調整回路が設けられ、
前記インピーダンス調整回路を構成する分布定数線路と、前記方向性結合器を構成する分布定数線路とは、前記多層基板内部の誘電体層に内装されている請求項２記載の高周波モジュール。 The duplexer is provided with an impedance adjustment circuit,
3. The high frequency module according to claim 2, wherein the distributed constant line constituting the impedance adjusting circuit and the distributed constant line constituting the directional coupler are housed in a dielectric layer inside the multilayer substrate. 前記多層基板が、セラミック誘電体層を含む多層セラミック基板である請求項１から請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。   The high frequency module according to claim 1, wherein the multilayer substrate is a multilayer ceramic substrate including a ceramic dielectric layer. 前記請求項１から請求項４のいずれかに記載の高周波モジュールを搭載する通信機器。   The communication apparatus which mounts the high frequency module in any one of the said Claims 1-4.

Images