JP2005260015A - Film stripper - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は有機膜、或いは無機膜等の薄膜の除去装置またはクリーニング装置に関し、特に角型のガラス基板の端面周辺部の除去装置またはクリーニング装置に関する。また、この装置を用いたトランジスタ、液晶パネル、並びに発光パネルの製造方法、および製造装置に関する。 The present invention relates to an apparatus for removing a thin film such as an organic film or an inorganic film or a cleaning apparatus, and more particularly to an apparatus for removing or cleaning a peripheral portion of an end face of a square glass substrate. The present invention also relates to a transistor, a liquid crystal panel, and a method for manufacturing a light-emitting panel, and a manufacturing apparatus using the device.
フォトレジスト等の有機薄膜やシロキサンを含む無機薄膜を塗布法により形成した場合、スピナーで塗布しているため、膜厚に同心円状のむら（図６（Ａ）に斜視図を示す）ができ、角型基板１０００の４隅に盛り上がりができる。この盛り上がりは雰囲気制御の塗布カップを利用したスピナーでも発生する。また、図６（Ｂ）に断面図を示すように、スピナーでは基板の端面、および裏面の周縁部にも膜が形成される。 When an organic thin film such as a photoresist or an inorganic thin film containing siloxane is formed by a coating method, the film is coated with a spinner, so that concentric unevenness (a perspective view is shown in FIG. 6A) can be obtained. Swelling can be made at the four corners of the mold substrate 1000. This excitement also occurs in a spinner using an atmosphere-controlled application cup. In addition, as shown in the cross-sectional view of FIG. 6B, in the spinner, films are also formed on the edge surface of the substrate and the peripheral edge portion of the back surface.
例えば、レジストを用いた場合、従来では、特許文献１に示す装置を用い、基板端面に重なる上下のノズルでリンス（シンナー等）を出し、基板周縁部のレジスト膜を除去している。その後、ベークおよび周辺露光を行っている。しかし、リンスによっても図６（Ｃ）に示すような盛り上がりが角型基板に残ってしまう。また、盛り上がりが残ってしまうため、周辺露光を行う時間も長くなってしまう。加えて、エッチング後にレジストを除去する際、盛り上がっている部分を除去するためにＯ2アッシングの時間が余計に必要とされてしまう。Ｏ2アッシングでは処理室内を真空とする手間がかかる。なお、Ｏ2アッシング後の基板断面図を図６（Ｄ）に示す。
For example, when a resist is used, conventionally, the apparatus shown in
また、パッド部周辺のレジストなどを除去するために特許文献２に示す装置を用い、大気圧近傍のプラズマで除去している。 In addition, in order to remove the resist and the like around the pad portion, the apparatus shown in Patent Document 2 is used to remove the resist with plasma near atmospheric pressure.
また、特許文献３では、大気圧下で基板にプラズマガンでプラズマを照射してレジストを分解している。
基板の端面は、研磨されている表面に比べてレジストなどが形成されやすく、除去しにくい。また、リンスを行った場合、除去効率が低く大量のリンス及び処理時間が必要とされ、さらに基板端面にシンナー残りが発生するという問題が起こりやすく、次工程への悪影響の恐れがある。 A resist or the like is more easily formed on the end surface of the substrate than the polished surface, and is difficult to remove. Further, when rinsing is performed, the removal efficiency is low, a large amount of rinsing and processing time are required, and a problem of remaining thinner on the end face of the substrate is likely to occur, which may adversely affect the next process.
また、膜の材料によっては、ベーク前に専用のある有機溶剤を使えば除去できるものがあるが、すべての材料に対応しているわけではない。 Also, some film materials can be removed using a dedicated organic solvent before baking, but not all materials are supported.
基板周縁部や端面の付着物を除去しない場合、搬送時または基板を保持する部材、例えばクランプによって付着物が剥がれてゴミが発生する恐れがある。 If the deposits on the peripheral edge of the substrate and the end face are not removed, the deposits may be peeled off by a member that holds the substrate, for example, a clamp, during transport or may generate dust.
本発明は、角型基板周縁部および角型基板端面において形成されてしまう余分な膜や付着物を短時間に除去することを課題とする。 An object of the present invention is to remove, in a short time, excess films and deposits that are formed on the peripheral edge of the square substrate and the end face of the square substrate.
また、インクジェットなどの液滴吐出法を用いて配線を形成した場合、誤って基板周縁部に形成されてしまった付着物を短時間に除去することも課題とする。 In addition, when wiring is formed using a droplet discharge method such as inkjet, it is also an object to remove in a short time deposits that have been mistakenly formed on the periphery of the substrate.
本発明では、大気圧下で形成されたプラズマを基板上下（２方向）から吹き付けて基板周縁部の膜除去を行い、さらにバキュームを基板端面側から行う。また、基板端面の膜を除去するため、基板上下に加え、さらにもう一つのノズルを設けた３方向からプラズマを吹き付けてもよい。 In the present invention, plasma formed under atmospheric pressure is sprayed from above and below the substrate (in two directions) to remove the film from the peripheral edge of the substrate, and vacuum is performed from the substrate end face side. Further, in order to remove the film on the end surface of the substrate, plasma may be sprayed from three directions provided with another nozzle in addition to the upper and lower sides of the substrate.
特許文献２、および特許文献３に示す装置を用いた従来の大気圧下のプラズマによる膜除去では、除去後の膜片が飛び散って拡散し、雰囲気中に浮遊、或いは画素部などに付着する恐れがある。また、特許文献２、および特許文献３に示す装置を用いた従来の大気圧下のプラズマでは、裏面側の膜が除去できない。
In the conventional film removal by plasma under atmospheric pressure using the apparatus shown in Patent Document 2 and
また、インクジェットなどの液滴吐出法での材料層は、ウェットエッチングで行う場合、それぞれ溶媒が異なる可能性があるため、材料ごとにエッチャントを代える必要がある。また、ウェットエッチングは除去効率が低く、大量の溶媒及び処理時間が必要とされる。 In addition, when performing wet etching on a material layer in a droplet discharge method such as inkjet, it is necessary to change the etchant for each material because each solvent may be different. Also, wet etching has low removal efficiency and requires a large amount of solvent and processing time.
プラズマであればほとんど材料に関係なく、必要のない箇所に形成された膜を短時間に除去できる。さらに膜の材料に合わせてプラズマガスを適宜、変えることも可能である。 In the case of plasma, a film formed in an unnecessary portion can be removed in a short time regardless of the material. Further, it is possible to appropriately change the plasma gas according to the material of the film.
本明細書で開示する発明の構成は、
大気圧が保たれた処理室内に、被処理膜が成膜された基板を保持する手段と、プラズマを反応容器の吹き出し口から吹き出すプラズマ発生手段と、排気手段とを備え、
基板の周縁部または端面に対して、プラズマを反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の周縁部の膜、または端面の膜を除去しながら、基板近傍の雰囲気を排気手段により吸引することを特徴とする膜除去装置である。
The configuration of the invention disclosed in this specification is as follows.
In the processing chamber maintained at atmospheric pressure, a means for holding the substrate on which the film to be processed is formed, a plasma generating means for blowing out plasma from the outlet of the reaction vessel, and an exhaust means,
The plasma is blown out from the outlet of the reaction vessel to the peripheral edge or the end face of the substrate, and the film near the peripheral edge of the substrate or the film on the end face is removed, and the atmosphere in the vicinity of the substrate is sucked by the exhaust means. It is a film removing apparatus.
また、上記各構成において、前記プラズマ発生手段、前記排気手段、または前記ブローノズルは、基板と相対的に移動することを特徴としている。少なくとも前記プラズマ発生手段は、基板の一辺に沿って相対的に移動することを特徴としている。 In each of the above structures, the plasma generating means, the exhaust means, or the blow nozzle moves relative to the substrate. At least the plasma generating means moves relatively along one side of the substrate.
また、上記構成において、前記反応容器は、基板面に対して斜めにプラズマを吹きつける形状（一部折れ曲がった形状）であることを特徴としている。 In the above configuration, the reaction vessel is characterized by having a shape (a partially bent shape) in which plasma is blown obliquely with respect to the substrate surface.
また、他の発明の構成は、
大気圧が保たれた処理室内に、被処理膜が成膜された基板を保持する手段と、プラズマを第１の反応容器の吹き出し口から吹き出す第１のプラズマ発生手段と、プラズマを第２の反応容器の吹き出し口から吹き出す第２のプラズマ発生手段と、排気手段とを備え、
基板の表面周縁部または端面に対して、プラズマを第１の反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の表面周縁部の膜を除去し、且つ、基板の裏面周縁部または端面に対して、プラズマを第２の反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の裏面周縁部の膜を除去しながら、基板近傍の雰囲気を排気手段により吸引することを特徴とする膜除去装置である。
In addition, the configuration of other inventions is as follows:
A means for holding a substrate on which a film to be processed is formed in a processing chamber in which atmospheric pressure is maintained, a first plasma generating means for blowing plasma from a blowout port of the first reaction vessel, and a plasma for a second A second plasma generating means that blows out from the outlet of the reaction vessel, and an exhaust means;
Plasma is blown out from the outlet of the first reaction vessel to the surface peripheral edge or end surface of the substrate to remove the film on the surface peripheral edge of the substrate, and plasma is applied to the back surface peripheral edge or end surface of the substrate. The film removing apparatus is characterized in that the atmosphere in the vicinity of the substrate is sucked out by the exhausting means while the film is blown out from the outlet of the second reaction vessel to remove the film on the peripheral edge of the back surface of the substrate.
また、上記各構成において、前記第１のプラズマ発生手段と前記第２のプラズマ発生手段は、基板の一辺を挟んで設けられていることを特徴としている。 In each of the above structures, the first plasma generation unit and the second plasma generation unit are provided with one side of the substrate interposed therebetween.
また、上記各構成において、キャリアガスを吹き出すブローノズルを有し、ブローノズルと排気手段の間にプラズマが吹き出されることを特徴としている。プラズマ照射により飛び散るパーティクルまたは気体をブローノズルからのキャリアガスによって基板中心部から基板端面の方向に吹き飛ばすことで、基板への再付着を防いでいる。 Further, each of the above-described structures has a blow nozzle that blows out carrier gas, and plasma is blown out between the blow nozzle and the exhaust means. The particles or gas scattered by the plasma irradiation are blown off from the center of the substrate toward the substrate end surface by the carrier gas from the blow nozzle, thereby preventing reattachment to the substrate.
また、上記各構成において、前記キャリアガスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、或いはＯから選ばれるガスであることを特徴としている。また、前記キャリアガスとプラズマガスとを同一としてもよい。また、処理室は不活性雰囲気とすることが好ましく、キャリアガスと同一ガスで充填しておくことが好ましい。 In each of the above structures, the carrier gas is a gas selected from He, Ar, Xe, Kr, or O. The carrier gas and the plasma gas may be the same. The treatment chamber is preferably an inert atmosphere and is preferably filled with the same gas as the carrier gas.
また、上記各構成において、前記プラズマは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、或いはＯから選ばれるガスプラズマであることを特徴としている。有機樹脂膜を除去する場合には、希ガス（He、Ne、Ar、Kr、Xe等）、酸素、窒素、水素またはそれらを組み合わせた混合ガスを用いればよい。他にも金属膜を除去する場合には、塩素系ガス（Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4など）プラズマ、シリコンを含む半導体膜や絶縁膜は、フッ素系ガス（ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3など）を用いることが好ましい。 In each of the above structures, the plasma is a gas plasma selected from He, Ar, Xe, Kr, or O. In removing the organic resin film, a rare gas (He, Ne, Ar, Kr, Xe, etc.), oxygen, nitrogen, hydrogen, or a mixed gas thereof may be used. In addition, when removing a metal film, a chlorine-based gas (Cl 2 , BCl 3 , SiCl 4 , CCl 4, etc.) plasma, a semiconductor film containing silicon, or an insulating film is made of a fluorine-based gas (CF 4 , SF 6). NF 3 etc.) are preferably used.
また、上記各構成において、被処理膜が成膜された基板を保持する手段は、基板を水平に保持する、或いは、被処理膜が成膜された基板を保持する手段は、基板を水平面に垂直、或いは斜めに保持することを特徴としている。本発明は、従来のように溶液（リンス）を用いるために基板を水平に保持する必要は特になく、大気圧でのプラズマ照射であるので、基板を水平面に垂直、或いは斜めに保持することもヘッドの位置を基板に合わせれば膜除去処理を行うことができる。特に、大型基板は自重による撓みが生じやすいため、水平面に垂直、或いは斜めに設置できる膜除去装置を提供できることは有用である。 In each of the above configurations, the means for holding the substrate on which the film to be processed is formed holds the substrate horizontally, or the means for holding the substrate on which the film to be processed is formed has the substrate in a horizontal plane. It is characterized by being held vertically or obliquely. In the present invention, it is not particularly necessary to hold the substrate horizontally in order to use a solution (rinse) as in the prior art, and since the plasma irradiation is performed at atmospheric pressure, the substrate may be held perpendicularly or obliquely to the horizontal plane. If the position of the head is aligned with the substrate, the film removal process can be performed. In particular, since a large substrate tends to be bent by its own weight, it is useful to be able to provide a film removing apparatus that can be installed perpendicularly or obliquely to a horizontal plane.
本発明により、多大なコストをかけて有機溶剤の廃液処理を行う必要がなく、かつ、環境汚染の問題もない。また、プラズマによれば、膜を容易に分解でき、処理時間が短縮できる。また、基板端面、基板裏面の膜除去によりパーティクルの問題も解決する。 According to the present invention, it is not necessary to perform waste liquid treatment of an organic solvent at a great cost, and there is no problem of environmental pollution. In addition, plasma can easily decompose the film and shorten the processing time. Further, the problem of particles is solved by removing the film on the substrate end surface and the substrate back surface.
加えて、大型基板にも対応でき、本発明の装置は、半導体装置を大量生産するに適している。 In addition, it can cope with a large substrate, and the apparatus of the present invention is suitable for mass production of semiconductor devices.
本発明の実施形態について、以下に説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.
（実施の形態１）
図１に本発明の膜除去装置の概略図を示す。
(Embodiment 1)
FIG. 1 shows a schematic view of the film removing apparatus of the present invention.
図１（Ａ）に示す図は、ブローノズル１４ａ、１４ｂと、プラズマが吹き出される反応容器１５ａ、１５ｂと、排気口１３とを備えたヘッド１２の拡大断面図である。なお、図１（Ｂ）は処理室内の斜視図を示している。 1A is an enlarged cross-sectional view of a head 12 including blow nozzles 14a and 14b, reaction vessels 15a and 15b through which plasma is blown, and an exhaust port 13. As shown in FIG. Note that FIG. 1B is a perspective view of the inside of the processing chamber.
なお、処理室は外部から区画形成された密閉型になっているものの、内部はあくまで大気圧状態であり、真空雰囲気にはなっていない。また、本発明においては、パーティクルなどを除去するため排気を行うが、不活性ガスまたは空気を導入して一定の圧力、好ましくは大気圧近傍の圧力を保つように圧力調整をしてもよい。処理室内の圧力が変動すると、プラズマ強度やプラズマ照射の位置がバラツク恐れがある。処理室内における大気圧又は大気圧近傍の圧力は、１．３０×１０1〜１．３１×１０5Paとすれば良い。 Although the processing chamber is a sealed type that is partitioned from the outside, the inside is in an atmospheric pressure state and is not in a vacuum atmosphere. In the present invention, exhaust is performed to remove particles and the like, but an inert gas or air may be introduced to adjust the pressure so as to maintain a constant pressure, preferably a pressure near atmospheric pressure. If the pressure in the processing chamber fluctuates, the plasma intensity and the position of plasma irradiation may vary. The atmospheric pressure in the processing chamber or the pressure in the vicinity of the atmospheric pressure may be 1.30 × 10 1 to 1.31 × 10 5 Pa.
基板の一辺を挟むように設けられた複数のプラズマ発生手段により、基板の表面周縁部と裏面周縁部とに形成されている被処理膜を短時間に除去することができる。また、プラズマ照射により飛び散るパーティクルまたは気体をブローノズルからのガスによって基板中心部から基板端面の方向に吹き飛ばすことで、基板への再付着を防いでいる。また、再付着を防ぐため短時間に排気させることが好ましく、ガス流量を同じ、もしくは反応容器のガス流量よりもブローノズルのガス流量が多くなるようにすることが望ましい。また、確実にプラズマ照射するため、反応容器１５の吹き出し口は、ブローノズル１４よりも基板に近い位置に設けられている。
The plurality of plasma generating means provided so as to sandwich one side of the substrate can remove the processing target film formed on the front surface peripheral portion and the back surface peripheral portion of the substrate in a short time. Further, the particles or gas scattered by the plasma irradiation are blown off from the center of the substrate toward the substrate end surface by the gas from the blow nozzle, thereby preventing reattachment to the substrate. Further, in order to prevent reattachment, it is preferable to exhaust the gas in a short time, and it is desirable that the gas flow rate is the same or the gas flow rate of the blow nozzle is larger than the gas flow rate of the reaction vessel. Further, in order to reliably irradiate plasma, the outlet of the reaction vessel 15 is provided at a position closer to the substrate than the
また、除去されずに残った膜の端部は、ブローノズルからのガスによってテーパー状となる。 Moreover, the edge part of the film | membrane which remained without being removed becomes a taper shape with the gas from a blow nozzle.
ここで、処理室に搬入する基板１０上には被処理膜１１が形成されている。被処理膜としてはスピナーで成膜されたレジストなどの有機樹脂膜やＳＯＧなどの無機絶縁膜、蒸着法により成膜された有機化合物を含む膜、ＬＰＣＶＤ法によって基板の両面に形成された半導体膜や無機絶縁膜などが挙げられる。
Here, a processing target film 11 is formed on the
本発明の膜除去装置は、不要な箇所、例えば基板周縁部、端面、および裏面に形成された膜を短時間に除去するものである。また、本発明の膜除去装置は、液滴吐出法（代表的にはインクジェット、ディスペンサなど）で誤って不要な箇所に滴下されたものも除去可能である。また、本発明の膜除去装置は、被処理膜の除去以外にも、端子電極表面の洗浄や、接着部分となる箇所の表面改質などを行うことも可能である。 The film removing apparatus of the present invention removes films formed on unnecessary portions, for example, the peripheral edge of the substrate, the end surface, and the back surface in a short time. In addition, the film removing apparatus of the present invention can also remove those that are accidentally dropped onto unnecessary portions by a droplet discharge method (typically, inkjet, dispenser, etc.). In addition to the removal of the film to be processed, the film removing apparatus of the present invention can also perform cleaning of the surface of the terminal electrode, surface modification of a portion that becomes an adhesion portion, and the like.
反応容器１５ａ、１５ｂの上面は反応ガス導入口、下面は吹き出し口となっている。反応容器の吹き出し口は、円形でも矩形でもよい。例えば、反応容器を扁平形状の角筒管とし、その反応容器の吹き出し口は、基板の一辺よりも長い辺を有する矩形としてもよい。反応容器は石英、アルミナ、セラミック材料などの絶縁材料で構成されている。図１では、反応容器１５ａ、１５ｂにおいて、吹き出し口から吹き出すガスが基板に沿うように流れやすくするため、一部折れ曲がっている。このように、方向づけのために反応容器１５ａ、１５ｂの形状を変更することは有用である。 The upper surfaces of the reaction vessels 15a and 15b are reactive gas introduction ports, and the lower surfaces are blowing ports. The outlet of the reaction vessel may be circular or rectangular. For example, the reaction vessel may be a flat rectangular tube, and the outlet of the reaction vessel may be a rectangle having a side longer than one side of the substrate. The reaction vessel is made of an insulating material such as quartz, alumina, or ceramic material. In FIG. 1, in the reaction vessels 15a and 15b, the gas blown out from the blowout port is partially bent so as to easily flow along the substrate. Thus, it is useful to change the shapes of the reaction vessels 15a and 15b for orientation.
また、反応容器の外周面にはプラズマを生成するための電極１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂが設けられている。また、電極電極１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂは冷却機構により冷却することが好ましい。 In addition, electrodes 17a, 17b, 18a, and 18b for generating plasma are provided on the outer peripheral surface of the reaction vessel. The electrode electrodes 17a, 17b, 18a, and 18b are preferably cooled by a cooling mechanism.
吹き出し口の上方において、電極１７ａ、１８ａは上下に対向して配置され、それらの間に放電空間が形成される。この放電空間に形成される電気力線は、反応容器の内周面に沿って上下方向（電極１７ａ、１８ａが並ぶ方向）に形成される。なお、電極１７ａと電極１８ａの間隔は２〜２０ｍｍとして、適宜設定すればよい。 Above the outlet, the electrodes 17a, 18a are arranged facing each other vertically, and a discharge space is formed between them. The lines of electric force formed in the discharge space are formed in the vertical direction (the direction in which the electrodes 17a and 18a are arranged) along the inner peripheral surface of the reaction vessel. In addition, what is necessary is just to set suitably the space | interval of the electrode 17a and the electrode 18a as 2-20 mm.
ガス導入口から反応容器内にプラズマ生成用の反応ガスを供給するとともに電極間に電圧（高周波電圧または交流電圧）を印加することにより反応容器内に放電を生じさせて形成されたプラズマ１９ａ、１９ｂを吹き出し口から基板周縁部に向けて吹き出す。照射された部分の膜とプラズマが化学反応して分解される。分解生成物が気体となる場合もあれば、パーティクルとなる場合もある。電源１６ａ、１６ｂとして直流電源を用いる場合には、放電を安定化するために間欠的に電力を供給するものが好ましく、その周波数が５０Hz〜１００kHz、パルス持続時間が１〜１０００μsecとすることが好ましい。
プラズマ生成用の反応ガスとしては、希ガス（He、Ne、Ar、Kr、Xe等）、酸素、窒素、水素またはそれらを組み合わせた混合ガスを用いればよい。シリコンなどの半導体膜を除去する目的においては、四フッ化炭素(CF4)、三フッ化窒素(NF3)、六フッ化硫黄(SF6)、その他のフッ化物気体と、酸素(O2)などを適宜組み合わせて使用すれば良い。また、放電を安定的に持続させるために、これらのフッ化物気体を、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン等の希ガスで希釈して用いても良い。ガス流量は、反応容器の吹き出し口における開口面積や除去しようとする膜の膜厚、材料によって適宜設定すればよい。 As a reaction gas for generating plasma, a rare gas (He, Ne, Ar, Kr, Xe, or the like), oxygen, nitrogen, hydrogen, or a mixed gas thereof may be used. For the purpose of removing semiconductor films such as silicon, carbon tetrafluoride (CF 4 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), sulfur hexafluoride (SF 6 ), other fluoride gases, and oxygen (O 2 ) Etc. may be used in appropriate combinations. In order to stably maintain the discharge, these fluoride gases may be diluted with a rare gas such as helium, argon, krypton, or xenon. The gas flow rate may be appropriately set depending on the opening area at the outlet of the reaction vessel, the thickness of the film to be removed, and the material.
また、ガス種を切り替えることで、２段階のプラズマ処理を連続して行ってもよい。 Further, two-stage plasma treatment may be performed continuously by switching the gas type.
ブローノズル１４ａ、１４ｂは、プラズマにより除去された分解物（膜片または気体）を排気口方向に吹き飛ばし、排気するために設けられている。ブローノズルから吹き出されるガスとしては希ガス（Ａｒ、Ｈｅなど）、酸素、窒素、または空気などを用いる。また、反応容器の吹き出し口よりもプラズマ照射領域は広がるが、ブローノズルからのガス気流により、基板中心部への広がりを抑えることができる。また、ブローノズルからのガス気流により、基板の端面に廻り込ませてプラズマが照射されるようにしている。 The blow nozzles 14a and 14b are provided to blow out the decomposed product (film pieces or gas) removed by the plasma in the direction of the exhaust port and exhaust it. As the gas blown from the blow nozzle, a rare gas (Ar, He, etc.), oxygen, nitrogen, air, or the like is used. Further, although the plasma irradiation area is wider than the outlet of the reaction vessel, the spread to the center of the substrate can be suppressed by the gas flow from the blow nozzle. Further, the gas is blown around the end surface of the substrate by the gas stream from the blow nozzle so that the plasma is irradiated.
また、処理室に基板加熱手段を設けてもよい。 Further, a substrate heating unit may be provided in the processing chamber.
また、図１（Ｂ）では処理室内に４つのヘッド１２を設け、基板の４辺それぞれに対してヘッドが移動する例を示したが特に限定されない。例えば、基板を保持するステージ（図示しない）は、基板をノズルに対して相対的に移動させる機構を持たせてもよい。 In addition, although FIG. 1B illustrates an example in which four heads 12 are provided in the processing chamber and the head moves with respect to each of the four sides of the substrate, there is no particular limitation. For example, a stage (not shown) that holds the substrate may have a mechanism for moving the substrate relative to the nozzle.
また、基板を保持するステージに代えて搬送ロボットを用いてもよい。処理室の搬送ロボットを用いる場合、搬送室にヘッド１２を設けることができる。基板の搬送路に沿って２つのヘッドを平行に対向して固定し、２つのヘッドの間隔（基板１枚分の間隔）に基板をロボット搬送することで基板の２辺を処理する。搬送室を通過させることで２辺を処理することができる。この場合、残りの２辺を処理するために、基板を９０°回転させて同様に２つのヘッドが設けられた第２の搬送室に搬送する。もしくは、２辺を処理した後、基板を９０°回転させて再度同じ搬送室内で残りの２辺を処理してもよい。 Further, a transfer robot may be used instead of the stage holding the substrate. When using a transfer robot in the processing chamber, the head 12 can be provided in the transfer chamber. The two heads are fixed in parallel with each other along the substrate transport path, and the substrate is robotically transported at an interval between the two heads (interval for one substrate) to process two sides of the substrate. Two sides can be processed by passing through the transfer chamber. In this case, in order to process the remaining two sides, the substrate is rotated by 90 ° and similarly transferred to the second transfer chamber provided with two heads. Alternatively, after processing the two sides, the substrate may be rotated 90 ° and the remaining two sides may be processed again in the same transfer chamber.
また、本発明は、従来のように溶液（リンス）を用いるために基板を水平に保持する必要はなく、大気圧でのプラズマ照射であるので、基板を水平面に垂直、或いは斜めに設置していてもヘッドの位置を基板に合わせれば膜除去処理を行うことができる。特に、大型基板は自重による撓みが生じやすいため、水平面に垂直、或いは斜めに設置できる膜除去装置を提供することは有用である。 Further, in the present invention, since the solution (rinse) is used as in the prior art, it is not necessary to hold the substrate horizontally, and since the plasma irradiation is performed at atmospheric pressure, the substrate is installed vertically or obliquely to the horizontal plane. However, the film removal process can be performed by aligning the head position with the substrate. In particular, since a large substrate tends to bend due to its own weight, it is useful to provide a film removing apparatus that can be installed perpendicularly or obliquely to a horizontal plane.
本発明は、大気圧でのプラズマ照射であるので、溶液（リンス）を用いるよりも短時間で処理を行うことができる。また、本発明は、リンスを行わないため、廃液処理を行う必要がなく、さらに処理後の液残りや、盛り上がりも生じることなく、基板周縁部の膜を短時間に除去することができる。 Since the present invention is plasma irradiation at atmospheric pressure, the treatment can be performed in a shorter time than using a solution (rinse). In addition, since the present invention does not perform rinsing, it is not necessary to perform waste liquid treatment, and the film on the peripheral edge of the substrate can be removed in a short time without causing residual liquid or swelling after the treatment.
また、本発明は、大気圧でのプラズマ照射であるので、Ｏ2アッシング処理のように処理室内を真空引きする手間は必要なく、大型基板を用いた大量生産に適している。また、真空引きする手間は必要なく、本発明のヘッドを搬送室に設置することもできる。 In addition, since the present invention is plasma irradiation at atmospheric pressure, there is no need to evacuate the processing chamber like O 2 ashing processing, and it is suitable for mass production using a large substrate. Further, there is no need for evacuation, and the head of the present invention can be installed in the transfer chamber.
（実施の形態２）
ここでは、図１とは異なる膜除去装置の一例を図２に示す。また、簡略化のため、図１に示す装置と異なっている部分を重点的に説明する。なお、図２において図１と同一の部分には同じ符号を用いる。
(Embodiment 2)
Here, FIG. 2 shows an example of a film removing apparatus different from FIG. Further, for simplification, parts different from the apparatus shown in FIG. In FIG. 2, the same reference numerals are used for the same parts as in FIG.
図２（Ａ）に示す図は、ブローノズル３１４ａ、３１４ｂと、プラズマが吹き出される反応容器３１５と、排気口３１３とを備えたヘッド３１２の拡大断面図である。なお、図２（Ｂ）は上面からみた模式図を示している。 2A is an enlarged cross-sectional view of a head 312 provided with blow nozzles 314a and 314b, a reaction vessel 315 through which plasma is blown, and an exhaust port 313. FIG. Note that FIG. 2B is a schematic view as viewed from above.
なお、処理室は外部から区画形成された密閉型になっているものの、内部はあくまで大気圧状態であり、真空雰囲気にはなっていない。処理室内における大気圧又は大気圧近傍の圧力は、１．３０×１０1〜１．３１×１０5Paとすれば良い。 Although the processing chamber is a sealed type that is partitioned from the outside, the inside is in an atmospheric pressure state and is not in a vacuum atmosphere. The atmospheric pressure in the processing chamber or the pressure in the vicinity of the atmospheric pressure may be 1.30 × 10 1 to 1.31 × 10 5 Pa.
図２に示す膜除去装置は、反応容器３１５が共通となっており、一つの反応容器３１５に２つのプラズマ発生手段が設けられ、２つの方向から同じガス流量の反応ガスが導入されている。なお、反応容器３１５には、基板の端部を差し込む開口部と、排気を行う開口部とが設けられており、この二つの開口部が吹き出し口となっている。 The membrane removal apparatus shown in FIG. 2 has a common reaction vessel 315, two reaction means 315 are provided in one reaction vessel 315, and reaction gases having the same gas flow rate are introduced from two directions. Note that the reaction vessel 315 is provided with an opening into which the end of the substrate is inserted and an opening for exhausting, and these two openings serve as blowing ports.
また、図２（Ｂ）に示すように、ブローノズル３１４ａは、反応容器３１５よりも幅の大きなものを用いており、反応容器の外側を回り込むガスの流れと、反応容器を通過するガスの流れとを形成することによって排気口３１３に効率よく排気を行って、基板への再付着を防いでいる。また、効率よく排気させるため、反応容器のガス流量よりもブローノズルのガス流量が多くなるようにすることが好ましい。また、確実にプラズマ照射するため、反応容器３１５の吹き出し口は、ブローノズル３１４ａよりも基板に近い位置に設けられている。また、ヘッド３１２の形状もプラズマにより除去された分解物（膜片または気体）を排気口方向に吹き飛ばし、排気するのに効果的である。 Further, as shown in FIG. 2B, the blow nozzle 314a uses a nozzle having a width larger than that of the reaction vessel 315, and a gas flow that goes around the outside of the reaction vessel and a gas flow that passes through the reaction vessel. As a result, the exhaust port 313 is efficiently exhausted to prevent reattachment to the substrate. In order to exhaust efficiently, it is preferable that the gas flow rate of the blow nozzle is larger than the gas flow rate of the reaction vessel. In order to reliably irradiate plasma, the outlet of the reaction vessel 315 is provided at a position closer to the substrate than the blow nozzle 314a. The shape of the head 312 is also effective in blowing out the decomposed product (film pieces or gas) removed by the plasma in the direction of the exhaust port.
図２に示す膜除去装置は、基板１０の端面に形成された膜を短時間に除去することができる。
The film removal apparatus shown in FIG. 2 can remove the film formed on the end face of the
また、基板を保持するステージ（図示しない）は、基板をノズルに対して相対的に移動させる機構を持たせてもよい。また、基板をステージで固定し、ヘッドを移動させる機構としてもよい。また、基板加熱手段を設けてもよい。 A stage (not shown) for holding the substrate may have a mechanism for moving the substrate relative to the nozzle. Alternatively, the substrate may be fixed on a stage and the head may be moved. Further, a substrate heating means may be provided.
また、本発明は、従来のように溶液（リンス）を用いるために基板を水平に保持する必要はなく、大気圧でのプラズマ照射であるので、基板を水平面に垂直、或いは斜めに設置していてもヘッドの位置を基板に合わせれば膜除去処理を行うことができる。特に、大型基板は自重による撓みが生じやすいため、水平面に垂直、或いは斜めに設置できる膜除去装置を提供することは有用である。 Further, in the present invention, since the solution (rinse) is used as in the prior art, it is not necessary to hold the substrate horizontally, and since the plasma irradiation is performed at atmospheric pressure, the substrate is installed vertically or obliquely to the horizontal plane. However, the film removal process can be performed by aligning the position of the head with the substrate. In particular, since a large substrate tends to bend due to its own weight, it is useful to provide a film removing apparatus that can be installed perpendicularly or obliquely to a horizontal plane.
また、本発明は、大気圧でのプラズマ照射であるので、Ｏ2アッシング処理のように処理室内を真空引きする手間は必要なく、大型基板を用いた大量生産に適している。 In addition, since the present invention is plasma irradiation at atmospheric pressure, there is no need to evacuate the processing chamber like O 2 ashing processing, and it is suitable for mass production using a large substrate.
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
Further, this embodiment mode can be freely combined with
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。 The present invention having the above-described configuration will be described in more detail with the following examples.
本実施例では、スピナーで塗布した後、基板周縁部のレジスト膜を除去する例を示す。 In this embodiment, an example in which the resist film on the peripheral edge of the substrate is removed after coating with a spinner.
フォトレジストをスピナーで塗布した基板を図１に示す装置が設置された処理室に搬入する。スピナー処理室と図１に示す装置が設置された処理室とを連結させた製造装置としてもよい。 A substrate coated with a photoresist by a spinner is carried into a processing chamber in which the apparatus shown in FIG. 1 is installed. It is good also as a manufacturing apparatus which connected the spinner process chamber and the process chamber in which the apparatus shown in FIG. 1 was installed.
スピナーで塗布した場合、レジスト膜は、基板表面全体、基板の端面、および裏面周縁部に形成される。また、同心円状の膜厚ムラも残っている。 When applied with a spinner, the resist film is formed on the entire surface of the substrate, the end surface of the substrate, and the peripheral edge of the back surface. Further, concentric film thickness unevenness remains.
基板周縁部のレジスト膜を除去するため、基板の一辺を挟むように設けられた複数のノズル１５ａ、１５ｂにより、基板周縁部に対してプラズマ照射（Ｏ2ガスプラズマまたはＡｒガスプラズマ）を行う。プラズマ照射により飛び散るパーティクルまたは気体をブローノズルからのガスによって、基板中心部から基板端面の方向に吹き飛ばすことで、基板への再付着を防いでいる。複数のノズルが設けられたヘッドは４つあり、基板の各一辺に沿って移動させることによって、基板周縁部のレジスト膜を除去する。 In order to remove the resist film on the peripheral edge of the substrate, plasma irradiation (O 2 gas plasma or Ar gas plasma) is performed on the peripheral edge of the substrate by a plurality of nozzles 15 a and 15 b provided so as to sandwich one side of the substrate. The particles or gas scattered by the plasma irradiation are blown off from the center of the substrate toward the substrate end surface by the gas from the blow nozzle, thereby preventing reattachment to the substrate. There are four heads provided with a plurality of nozzles, and the resist film on the peripheral edge of the substrate is removed by moving along each side of the substrate.
図１に示す装置によって、基板周縁部だけでなく、基板端面や基板の裏面に付着しているレジストを除去することができる。結果的に搬送時におけるレジスト剥がれに起因するゴミの発生を抑えることができる。 The apparatus shown in FIG. 1 can remove the resist adhering not only to the peripheral edge portion of the substrate but also to the substrate end surface and the back surface of the substrate. As a result, it is possible to suppress the generation of dust due to resist peeling during conveyance.
また、本実施例は実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
Further, this embodiment can be freely combined with
本実施例では塗布法によって得られるアルキル基を含むＳｉＯｘ膜を形成した後、基板周縁部のＳｉＯｘ膜を除去する例を示す。 In this example, an SiOx film containing an alkyl group obtained by a coating method is formed, and then the SiOx film at the peripheral edge of the substrate is removed.
ＳｉＯｘ膜からなる絶縁膜としては、例えばシリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどを用いて形成された絶縁膜を用いることができる。シロキサン系ポリマーの一例としては、東レ製塗布絶縁膜材料であるPSB−K１、PSB−K31や触媒化成製塗布絶縁膜材料であるZRS-５PHが挙げられる。 As the insulating film made of the SiOx film, for example, an insulating film formed using silica glass, an alkylsiloxane polymer, an alkylsilsesquioxane polymer, a hydrogenated silsesquioxane polymer, a hydrogenated alkylsilsesquioxane polymer, or the like. Can be used. Examples of siloxane-based polymers include PSB-K1 and PSB-K31, which are Toray-made coating insulating film materials, and ZRS-5PH, which is a catalytic chemical-made coating insulating film material.
まず、被処理基板の純水洗浄を行う。メガソニック洗浄を行ってもよい。次いで１４０℃のデハイドロベークを１１０秒行った後、水冷プレートによって１２０秒クーリングして基板温度の一定化を行う。次いで、スピン式の塗布装置に搬送して基板をセットする。 First, pure water cleaning of the substrate to be processed is performed. Megasonic cleaning may be performed. Next, after dehydrobaking at 140 ° C. for 110 seconds, the substrate temperature is fixed by cooling for 120 seconds with a water-cooled plate. Next, the substrate is set by being conveyed to a spin coating apparatus.
スピン式の塗布装置は、ノズルからは塗布材料液が滴下される機構となっており、塗布カップ内に基板が水平に収納され、塗布カップごと全体が回転する機構となっている。また、塗布カップ内の雰囲気は圧力制御することができる機構となっている。 The spin-type coating apparatus has a mechanism in which a coating material liquid is dropped from a nozzle, a substrate is horizontally stored in a coating cup, and the entire coating cup rotates. Further, the atmosphere in the coating cup is a mechanism that can control the pressure.
次いで、濡れ性を向上させるためにシンナー（芳香族炭化水素（トルエンなど）、アルコール類、酢酸エステル類などを配合した揮発性の混合溶剤）などの有機溶剤によるプリウェット塗布を行う。シンナーを70ｍｌ滴下しながら基板をスピン（回転数１００ｒｐｍ）させてシンナーを遠心力で万遍なく広げた後、高速度でスピン（回転数４５０ｒｐｍ）させてシンナーを振り切る。 Next, in order to improve wettability, pre-wet coating with an organic solvent such as thinner (a volatile mixed solvent in which aromatic hydrocarbons (toluene, etc.), alcohols, acetates, etc. are blended) is performed. The substrate is spun while adding 70 ml of thinner (rotation speed: 100 rpm) to spread the thinner uniformly by centrifugal force, and then spun at high speed (rotation speed: 450 rpm) to shake off the thinner.
次いで、シロキサン系ポリマーを溶媒（プロピレングリコールモノメチルエーテル（分子式：ＣＨ3ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ3））に溶解させた液状原料に用いた塗布材料液をノズル１００１から滴下しながら徐々にスピン（回転数０ｒｐｍ→１０００ｒｐｍ）させて塗布材料液を遠心力で万遍なく広げる。シロキサンの構造により、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどに分類することができる。シロキサン系ポリマーの一例としては、東レ製塗布絶縁膜材料であるPSB−K１、PSB−K31や触媒化成製塗布絶縁膜材料であるZRS-５PHが挙げられる。次いで、約３０秒保持した後、再び徐々にスピン（回転数０ｒｐｍ→１４００ｒｐｍ）させて塗布膜をレべリングする。 Next, the coating material solution used for the liquid raw material in which the siloxane polymer is dissolved in the solvent (propylene glycol monomethyl ether (molecular formula: CH 3 OCH 2 CH (OH) CH 3 )) is gradually spun while dropping from the nozzle 1001 ( The number of revolutions is 0 rpm → 1000 rpm), and the coating material solution is spread evenly by centrifugal force. Depending on the structure of the siloxane, for example, it can be classified into silica glass, alkylsiloxane polymer, alkylsilsesquioxane polymer, hydrogenated silsesquioxane polymer, hydrogenated alkylsilsesquioxane polymer, and the like. Examples of siloxane-based polymers include PSB-K1 and PSB-K31, which are Toray-made coating insulating film materials, and ZRS-5PH, which is a catalytic chemical-made coating insulating film material. Next, after holding for about 30 seconds, the coating film is leveled by gradually spinning again (rotation speed: 0 rpm → 1400 rpm).
次いで、排気して塗布カップ内を減圧にし、減圧乾燥を１分以内で行う。 Next, the coating cup is evacuated to reduce the pressure, and vacuum drying is performed within 1 minute.
次いで、スピン式の塗布装置から被処理基板を搬送して、図１に示す装置が設置された処理室に搬入する。 Next, the substrate to be processed is transported from the spin-type coating apparatus and is carried into a processing chamber in which the apparatus shown in FIG. 1 is installed.
次いで、４つのヘッドにそれぞれ設けられた複数のプラズマ発生手段によって、エッジ除去処理を行う。Ｏ2ガスプラズマまたはフッ素系ガス（ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3など）プラズマなどのプラズマ照射により飛び散るパーティクルまたは気体をブローノズルからのガスによって、基板中心部から基板端面の方向に吹き飛ばすことで、基板への再付着を防いでいる。 Next, edge removal processing is performed by a plurality of plasma generating means provided on each of the four heads. By blowing off particles or gas scattered by plasma irradiation such as O 2 gas plasma or fluorine-based gas (CF 4 , SF 6 , NF 3, etc.) plasma from the blow nozzle in the direction from the substrate center to the substrate end face, Prevents reattachment to the substrate.
図１に示す装置によって、基板周縁部だけでなく、基板端面や基板の裏面に付着している塗布膜（アルキル基を含むＳｉＯｘ膜）を除去することができる。 The apparatus shown in FIG. 1 can remove a coating film (an SiOx film containing an alkyl group) adhering not only to the peripheral edge of the substrate but also to the substrate end surface and the back surface of the substrate.
次いで、１１０℃のベークを１７０秒行ってプリベークを行う。 Next, pre-baking is performed by baking at 110 ° C. for 170 seconds.
次いで、図１に示す装置が設置された処理室から基板を搬出して冷却した後、さらに２７０℃、１時間の焼成を行う。 Next, after the substrate is taken out of the processing chamber in which the apparatus shown in FIG. 1 is installed and cooled, baking is further performed at 270 ° C. for 1 hour.
以上の工程で基板上に平坦な絶縁膜を形成することができる。 Through the above steps, a flat insulating film can be formed over the substrate.
また、本実施例は実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
Further, this embodiment can be freely combined with
本実施例では基板端面の洗浄、例えばインクジェット装置の配線形成の際、誤って基板周縁部に滴下された場合のクリーニングなどを行う例を示す。 In this embodiment, an example of cleaning the substrate end face, for example, cleaning when it is accidentally dropped on the peripheral edge of the substrate at the time of forming the wiring of the ink jet apparatus is shown.
まず、被処理基板上にインクジェット装置により配線形成を行う。この時、誤って基板周縁部に滴下された場合を想定する。後の工程または搬送時に、誤って滴下された金属パターン部分と基板保持部が接触すると、付着または剥がれによるゴミが生じてしまう恐れがある。 First, wiring is formed on a substrate to be processed by an ink jet apparatus. At this time, the case where it dripped at the board | substrate peripheral part accidentally is assumed. If the metal pattern part dropped by mistake and the substrate holding part come into contact with each other during the subsequent process or conveyance, there is a risk that dust will be generated due to adhesion or peeling.
次いで、被処理基板を搬送して、図１に示す装置が設置された処理室に搬入する。 Next, the substrate to be processed is transported and loaded into a processing chamber in which the apparatus shown in FIG. 1 is installed.
次いで、４つのヘッドにそれぞれ設けられた複数のプラズマ発生手段によって、エッジクリーニング処理を行う。塩素系ガス（Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4など）プラズマやフッ素系ガス（ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3など）やＯ2ガスプラズマなどのプラズマ照射により飛び散るパーティクルまたは気体をブローノズルからのガスによって、基板中心部から基板端面の方向に吹き飛ばすことで、基板への再付着を防いでいる。 Next, an edge cleaning process is performed by a plurality of plasma generating means provided on each of the four heads. Blow nozzles for particles or gas scattered by plasma irradiation such as chlorine gas (Cl 2 , BCl 3 , SiCl 4 , CCl 4 etc.) plasma, fluorine gas (CF 4 , SF 6 , NF 3 etc.) or O 2 gas plasma By blowing off the gas from the center of the substrate in the direction of the substrate end face, reattachment to the substrate is prevented.
図１に示す装置によって、基板周縁部に付着したゴミまたは金属パターンを除去することができる。 With the apparatus shown in FIG. 1, dust or metal patterns attached to the peripheral edge of the substrate can be removed.
また、本実施例は実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
Further, this embodiment can be freely combined with
本実施例では、液晶表示装置の作製方法に本発明を用いた例を示す。図３に液晶表示装置の断面図を示す。 In this embodiment, an example in which the present invention is used for a manufacturing method of a liquid crystal display device will be described. FIG. 3 shows a cross-sectional view of the liquid crystal display device.
最初に、透光性有する基板６００を用いてアクティブマトリクス基板を作製する。基板サイズとしては、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍ、１５００ｍｍ×１８００ｍｍ、１８００ｍｍ×２０００ｍｍ、２０００ｍｍ×２１００ｍｍ、２２００ｍｍ×２６００ｍｍ、または２６００ｍｍ×３１００ｍｍのような大面積基板を用い、製造コストを削減することが好ましい。用いることのできる基板として、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。更に他の基板として、石英基板、プラスチック基板などの透光性基板を用いることもできる。
First, an active matrix substrate is manufactured using a light-transmitting
まず、スパッタ法を用いて絶縁表面を有する基板６００上に導電層を基板全面に形成した後、第１のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して配線及び電極（ゲート電極、保持容量配線、及び端子など）を形成する。なお、必要があれば、基板６００上に下地絶縁膜を形成する。
First, after a conductive layer is formed over the entire surface of the
このレジストマスクの形成前に、実施例１に従って、基板周縁部のレジストを除去した後、露光および現像を行えばよい。
Prior to the formation of the resist mask, the resist on the peripheral edge of the substrate may be removed and exposed and developed in accordance with
上記の配線及び電極の材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、前記元素を成分とする合金、または前記元素を成分とする窒化物またはそれらの積層で形成する。 The wiring and electrode materials are formed of an element selected from Ti, Ta, W, Mo, Cr, and Nd, an alloy containing the element as a component, a nitride containing the element as a component, or a laminate thereof. To do.
また、画面サイズが大画面化するとそれぞれの配線の長さが増加して、配線抵抗が高くなる問題が発生し、消費電力の増大を引き起こす。よって、配線抵抗を下げ、低消費電力を実現するために、上記の配線及び電極の材料としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔまたはこれらの合金を用いることもできる。また、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＰｄなどの金属からなる超微粒子（粒径５〜１０ｎｍ）を凝集させずに高濃度で分散した独立分散超微粒子分散液を用い、インクジェット法で上記の配線及び電極を形成してもよい。
In addition, when the screen size is increased, the length of each wiring increases, which causes a problem that the wiring resistance increases, resulting in an increase in power consumption. Therefore, Cu, Al, Ag, Au, Cr, Fe, Ni, Pt, or an alloy thereof can be used as the material for the wiring and electrodes in order to reduce the wiring resistance and realize low power consumption. . In addition, the above-described wiring and the above-mentioned wirings are formed by an ink jet method using an independently dispersed ultrafine particle dispersion in which ultrafine particles (
次に、ＰＣＶＤ法によりゲート絶縁膜を全面に成膜する。ゲート絶縁膜は窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層を用い、膜厚を５０〜２００ｎｍとし、好ましくは１５０ｎｍの厚さで形成する。尚、ゲート絶縁膜は積層に限定されるものではなく酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化タンタル膜などの絶縁膜を用いることもできる。 Next, a gate insulating film is formed on the entire surface by PCVD. The gate insulating film is a stacked layer of a silicon nitride film and a silicon oxide film and has a thickness of 50 to 200 nm, preferably 150 nm. Note that the gate insulating film is not limited to a stacked layer, and an insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a tantalum oxide film can also be used.
次に、ゲート絶縁膜上に、５０〜２００ｎｍ好ましくは１００〜１５０ｎｍの膜厚で第１の非晶質半導体膜を、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で全面に成膜する。代表的には非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を１００ｎｍの膜厚で成膜する。なお、大面積基板に成膜する際、チャンバーも大型化するためチャンバー内を真空にすると処理時間がかかり、成膜ガスも大量に必要となるため、大気圧で線状のプラズマＣＶＤ装置を用いて非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜の成膜を行ってさらなる低コスト化を図ってもよい。 Next, a first amorphous semiconductor film with a thickness of 50 to 200 nm, preferably 100 to 150 nm, is formed over the entire surface of the gate insulating film by a known method such as a plasma CVD method or a sputtering method. Typically, an amorphous silicon (a-Si) film is formed with a thickness of 100 nm. Note that when a film is formed on a large-area substrate, the chamber is also enlarged, so that it takes a long time to process the chamber and a large amount of film forming gas is required. Therefore, a linear plasma CVD apparatus is used at atmospheric pressure. Further, an amorphous silicon (a-Si) film may be formed to further reduce the cost.
次に、一導電型（ｎ型またはｐ型）の不純物元素を含有する第２の非晶質半導体膜を２０〜８０ｎｍの厚さで成膜する。一導電型（ｎ型またはｐ型）を付与する不純物元素を含む第２の非晶質半導体膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で全面に成膜する。本実施例ではリンが添加されたシリコンターゲットを用いてｎ型の不純物元素を含有する第２の非晶質半導体膜を成膜する。 Next, a second amorphous semiconductor film containing an impurity element of one conductivity type (n-type or p-type) is formed to a thickness of 20 to 80 nm. The second amorphous semiconductor film containing an impurity element imparting one conductivity type (n-type or p-type) is formed over the entire surface by a known method such as a plasma CVD method or a sputtering method. In this embodiment, a second amorphous semiconductor film containing an n-type impurity element is formed using a silicon target to which phosphorus is added.
次に、第２のフォトリソグラフィー工程によりレジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して島状の第１の非晶質半導体膜、および島状の第２の非晶質半導体膜を形成する。この際のエッチング方法としてウエットエッチングまたはドライエッチングを用いる。 Next, a resist mask is formed by a second photolithography step, unnecessary portions are removed by etching, and an island-shaped first amorphous semiconductor film and an island-shaped second amorphous semiconductor film are formed. Form. As an etching method at this time, wet etching or dry etching is used.
次に、島状の第２の非晶質半導体膜を覆う導電層をスパッタ法で形成した後、第３のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して配線及び電極（ソース配線、ドレイン電極、保持容量電極など）を形成する。上記の配線及び電極の材料としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔから選ばれた元素、または前記元素を成分とする合金で形成する。また、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＰｄなどの金属からなる超微粒子（粒径５〜１０ｎｍ）を凝集させずに高濃度で分散した独立分散超微粒子分散液を用い、インクジェット法で上記の配線及び電極を形成してもよい。インクジェット法で上記の配線及び電極を形成すれば、フォトリソグラフィー工程が不要となり、さらなる低コスト化が実現できる。
Next, after a conductive layer covering the island-shaped second amorphous semiconductor film is formed by a sputtering method, a third photolithography step is performed, a resist mask is formed, and unnecessary portions are removed by etching. A wiring and an electrode (a source wiring, a drain electrode, a storage capacitor electrode, and the like) are formed. As a material for the wiring and the electrode, an element selected from Al, Ti, Ta, W, Mo, Cr, Nd, Cu, Ag, Au, Cr, Fe, Ni, and Pt, or the above element as a component is used. Made of alloy. In addition, the above-described wiring and the above-mentioned wirings are formed by an ink jet method using an independently dispersed ultrafine particle dispersion in which ultrafine particles (
次に、第４のフォトリソグラフィー工程によりレジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去してソース配線、ドレイン電極、容量電極を形成する。この際のエッチング方法としてウエットエッチングまたはドライエッチングを用いる。この段階でゲート絶縁膜と同一材料からなる絶縁膜を誘電体とする保持容量が形成される。そして、ソース配線、ドレイン電極をマスクとして自己整合的に第２の非晶質半導体膜の一部を除去し、さらに第１の非晶質半導体膜の一部を薄膜化する。薄膜化された領域はＴＦＴのチャネル形成領域となる。 Next, a resist mask is formed by a fourth photolithography process, and unnecessary portions are removed by etching to form a source wiring, a drain electrode, and a capacitor electrode. As an etching method at this time, wet etching or dry etching is used. At this stage, a storage capacitor having an insulating film made of the same material as the gate insulating film as a dielectric is formed. Then, a part of the second amorphous semiconductor film is removed in a self-aligning manner using the source wiring and the drain electrode as a mask, and a part of the first amorphous semiconductor film is further thinned. The thinned region becomes a TFT channel formation region.
次に、プラズマＣＶＤ法により１５０ｎｍ厚の窒化シリコン膜からなる第１の保護膜と、１５０ｎｍ厚の酸化窒化シリコン膜から成る第１の層間絶縁膜を全面に成膜する。なお、平坦化を図るため、第１の層間絶縁膜として、シロキサン系ポリマーを用いた塗布法により得られるアルキル基を含むＳｉＯｘ膜を形成してもよい。アルキル基を含むＳｉＯｘ膜を形成する際に、実施例２に従って、基板周縁部のＳｉＯｘ膜を除去してもよい。 Next, a first protective film made of a silicon nitride film with a thickness of 150 nm and a first interlayer insulating film made of a silicon oxynitride film with a thickness of 150 nm are formed over the entire surface by plasma CVD. In order to planarize, a SiOx film containing an alkyl group obtained by a coating method using a siloxane polymer may be formed as the first interlayer insulating film. When forming the SiOx film containing an alkyl group, the SiOx film at the peripheral edge of the substrate may be removed according to the second embodiment.
この後、水素化を行い、チャネルエッチ型のＴＦＴが作製される。 Thereafter, hydrogenation is performed, and a channel etch type TFT is manufactured.
なお、本実施例ではＴＦＴ構造としてチャネルエッチ型とした例を示したが、ＴＦＴ構造は特に限定されず、チャネルストッパー型のＴＦＴ、トップゲート型のＴＦＴ、或いは順スタガ型のＴＦＴとしてもよい。 In this embodiment, a channel etch type is shown as the TFT structure, but the TFT structure is not particularly limited, and may be a channel stopper type TFT, a top gate type TFT, or a forward stagger type TFT.
次いで、ＲＦスパッタ法で第２の保護膜６１９を形成する。この第２の保護膜６１９は、緻密な窒化珪素膜であり、ナトリウム、リチウム、マグネシウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属がＴＦＴを汚染してしきい値電圧の変動等を効果的に防ぎ、且つ、水分や酸素に対して極めて高いブロッキング効果を有する。また、ブロッキング効果を高めるために、窒化珪素膜中における酸素及び水素含有量は１０原子％以下、好ましくは１原子％以下とすることが望ましい。 Next, a second protective film 619 is formed by RF sputtering. This second protective film 619 is a dense silicon nitride film, and alkali metal or alkaline earth metal such as sodium, lithium, magnesium, etc. contaminates the TFT to effectively prevent threshold voltage fluctuations, etc. In addition, it has a very high blocking effect against moisture and oxygen. In order to enhance the blocking effect, the oxygen and hydrogen contents in the silicon nitride film are 10 atomic% or less, preferably 1 atomic% or less.
次に、第５のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成して、その後ドライエッチング工程により、ドレイン電極や保持容量電極に達するコンタクトホールを形成する。また、同時にゲート配線と端子部を電気的に接続するためのコンタクトホール（図示しない）を端子部分に形成し、ゲート配線と端子部を電気的に接続する金属配線（図示しない）を形成してもよい。また、同時にソース配線に達するコンタクトホール（図示しない）を形成し、ソース配線から引き出すための金属配線を形成してもよい。これらの金属配線を形成した後にＩＴＯ等の画素電極を形成してもよいし、ＩＴＯ等の画素電極を形成した後にこれらの金属配線を形成してもよい。 Next, a fifth photolithography step is performed to form a resist mask, and then a contact hole reaching the drain electrode and the storage capacitor electrode is formed by a dry etching step. At the same time, a contact hole (not shown) for electrically connecting the gate wiring and the terminal portion is formed in the terminal portion, and a metal wiring (not shown) for electrically connecting the gate wiring and the terminal portion is formed. Also good. At the same time, a contact hole (not shown) reaching the source wiring may be formed, and a metal wiring for drawing out from the source wiring may be formed. After these metal wirings are formed, pixel electrodes such as ITO may be formed, or these metal wirings may be formed after pixel electrodes such as ITO are formed.
次に、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明電極膜を１１０ｎｍの厚さで成膜する。その後、第６のフォトリソグラフィー工程とエッチング工程を行うことにより、画素電極６０１を形成する。 Next, a transparent electrode film made of ITO (indium tin oxide alloy), indium oxide zinc oxide alloy (In 2 O 3 —ZnO), zinc oxide (ZnO) or the like is formed to a thickness of 110 nm. Thereafter, a pixel electrode 601 is formed by performing a sixth photolithography process and an etching process.
以上、画素部においては、６回のフォトリソグラフィー工程により、ソース配線と、逆スタガ型の画素部のＴＦＴ及び保持容量と、端子部で構成されたアクティブマトリクス基板を作製することができる。 As described above, in the pixel portion, an active matrix substrate including the source wiring, the TFT and the storage capacitor of the inverted staggered pixel portion, and the terminal portion can be manufactured through six photolithography processes.
次いで、アクティブマトリクス基板上に配向膜６２３を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜６２３を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ６０２を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。 Next, an alignment film 623 is formed over the active matrix substrate and a rubbing process is performed. In this embodiment, before the alignment film 623 is formed, a columnar spacer 602 for maintaining the substrate interval is formed at a desired position by patterning an organic resin film such as an acrylic resin film. Further, instead of the columnar spacers, spherical spacers may be scattered over the entire surface of the substrate.
次いで、対向基板を用意する。この対向基板には、着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィルタ６２０が設けられている。また、このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜を設けている。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電極６２１を画素部と重なる位置に形成し、対向基板の全面に配向膜６２２を形成し、ラビング処理を施す。 Next, a counter substrate is prepared. The counter substrate is provided with a color filter 620 in which a colored layer and a light shielding layer are arranged corresponding to each pixel. Further, a flattening film is provided to cover the color filter and the light shielding layer. Next, a counter electrode 621 made of a transparent conductive film is formed on the planarizing film at a position overlapping the pixel portion, an alignment film 622 is formed on the entire surface of the counter substrate, and a rubbing process is performed.
そして、アクティブマトリクス基板の画素部を囲むようにシール材を描画した後、減圧下でシール材に囲まれた領域に液晶ディスペンサ装置で液晶を滴下する。次いで、大気にふれることなく、減圧下でアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材６０７で貼り合わせる。シール材６０７にはフィラー（図示しない）が混入されていて、このフィラーと柱状スペーサ６０２によって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。液晶を滴下する方法を用いることによって作製プロセスで使用する液晶の量を削減することができ、特に、大面積基板を用いる場合に大幅なコスト低減を実現することができる。 Then, after drawing a sealing material so as to surround the pixel portion of the active matrix substrate, liquid crystal is dropped by a liquid crystal dispenser device in a region surrounded by the sealing material under reduced pressure. Next, the active matrix substrate and the counter substrate are attached to each other with a sealant 607 under reduced pressure without being exposed to the air. A filler (not shown) is mixed in the sealing material 607, and two substrates are bonded to each other with a uniform interval by the filler and the columnar spacer 602. By using a method of dropping liquid crystal, the amount of liquid crystal used in the manufacturing process can be reduced. In particular, when a large-area substrate is used, significant cost reduction can be realized.
このようにしてアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板６０３やカラーフィルタ等の光学フィルムを適宜設ける。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつける。
In this way, an active matrix liquid crystal display device is completed. If necessary, the active matrix substrate or the counter substrate is divided into a desired shape. Furthermore, an optical film such as a
ＦＰＣを貼り付ける前にプラズマ照射による洗浄を図１に示す装置で行ってもよい。この場合、基板の一辺に配置されている端子電極の表面のみを洗浄すればよいので、複数のノズルが設けられたヘッドは一つでよい。プラズマ照射による洗浄によって、ＦＰＣの接着強度が向上する。 Cleaning by plasma irradiation may be performed with the apparatus shown in FIG. 1 before attaching the FPC. In this case, since only the surface of the terminal electrode arranged on one side of the substrate needs to be cleaned, only one head provided with a plurality of nozzles is required. Cleaning by plasma irradiation improves the adhesive strength of the FPC.
以上の工程によって得られた液晶モジュールに、バックライト６０４、導光板６０５を設け、カバー６０６で覆えば、図３にその断面図の一部を示したようなアクティブマトリクス型液晶表示装置（透過型）が完成する。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて固定する。また、透過型であるので偏光板６０３は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
If a backlight 604 and a light guide plate 605 are provided on the liquid crystal module obtained through the above steps and covered with a
また、本実施例は透過型の例を示したが、特に限定されず、反射型や半透過型の液晶表示装置も作製することができる。反射型の液晶表示装置を得る場合は、画素電極として光反射率の高い金属膜、代表的にはアルミニウムまたは銀を主成分とする材料膜、またはそれらの積層膜等を用いればよい。 Although this embodiment shows a transmissive type, it is not particularly limited, and a reflective or semi-transmissive liquid crystal display device can also be manufactured. In the case of obtaining a reflective liquid crystal display device, a metal film with high light reflectivity, typically a material film containing aluminum or silver as a main component, or a laminated film thereof may be used as the pixel electrode.
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、または、実施例１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
In addition, this embodiment can be freely combined with any one of
本実施例では、発光装置の作製方法に本発明を用いた例を示す。 In this example, an example in which the present invention is used for a method for manufacturing a light-emitting device will be described.
図４（Ａ）に、画素の回路図の一形態を示し、図４（Ｂ）に、画素部に用いられるＴＦＴの断面図を示す。２０１は画素へのビデオ信号の入力を制御するためのスイッチング用ＴＦＴに相当し、２０２は発光素子２０３への電流の供給を制御するための駆動用ＴＦＴに相当する。具体的には、スイッチング用ＴＦＴ２０１を介して画素に入力されたビデオ信号の電位に従って、駆動用ＴＦＴ２０２のドレイン電流が制御され、該ドレイン電流が発光素子２０３に供給される。なお２０４は、スイッチング用ＴＦＴ２０１がオフのときに駆動用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧（以下、ゲート電圧とする）を保持するための容量素子に相当し、必ずしも設ける必要はない。
FIG. 4A shows one mode of a circuit diagram of a pixel, and FIG. 4B shows a cross-sectional view of a TFT used for a pixel portion. 201 corresponds to a switching TFT for controlling input of a video signal to the pixel, and 202 corresponds to a driving TFT for controlling supply of current to the
図４（Ａ）において、具体的には、スイッチング用ＴＦＴ２０１のゲート電極が走査線Ｇに接続されており、ソース領域とドレイン領域の一方は信号線Ｓに接続され、他方は駆動用ＴＦＴ２０２のゲートに接続されている。また駆動用ＴＦＴ２０２のソース領域とドレイン領域は、一方が電源線Ｖに接続され、他方が発光素子２０３の画素電極２０５に接続されている。容量素子２０４が有する２つの電極は、一方が駆動用ＴＦＴ２０２のゲート電極に接続され、他方が電源線Ｖに接続されている。
In FIG. 4A, specifically, the gate electrode of the switching
なお図４（Ａ）、図４（Ｂ）では、スイッチング用ＴＦＴ２０１が、直列に接続され、なおかつゲート電極が接続された複数のＴＦＴが、第１の半導体膜を共有しているような構成を有する、マルチゲート構造となっている。マルチゲート構造とすることで、スイッチング用ＴＦＴ２０１のオフ電流を低減させることができる。具体的に図４（Ａ）、図４（Ｂ）ではスイッチング用ＴＦＴ２０１が２つのＴＦＴが直列に接続されたような構成を有しているが、３つ以上のＴＦＴが直列に接続され、なおかつゲート電極が接続されたようなマルチゲート構造であっても良い。また、スイッチング用ＴＦＴは必ずしもマルチゲート構造である必要はなく、ゲート電極とチャネル形成領域が単数である通常のシングルゲート構造のＴＦＴであっても良い。
4A and 4B, the switching
ＴＦＴ２０１、２０２は逆スタガ型（ボトムゲート型）である。ＴＦＴの活性層はアモルファス半導体、またはセミアモルファス半導体を用いる。なお、ＴＦＴの活性層をセミアモルファス半導体とすれば、画素部だけでなく駆動回路も同一基板上に作ることができ、ｐ型よりもｎ型の方が、移動度が高いので駆動回路に適しているが、各ＴＦＴはｎ型であってもｐ型であってもどちらでも良い。いずれの極性のＴＦＴを用いる場合でも、同一の基板上に形成するＴＦＴを全て同じ極性にそろえておくことが、工程数を抑えるためにも望ましい。
The
画素部の駆動用ＴＦＴ２０２においては、基板２００上に形成されたゲート電極２２０と、ゲート電極２２０を覆っているゲート絶縁膜２１１と、ゲート絶縁膜２１１を間に挟んでゲート電極２２０と重なっているセミアモルファス半導体膜で形成された第１の半導体膜２２２と、を有している。さらにＴＦＴ２０２は、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の第２の半導体膜２２３と、第１の半導体膜２２２と第２の半導体膜２２３の間に設けられた第３の半導体膜２２４とを有している。
In the driving
また第２の半導体膜２２３は、非晶質半導体膜またはセミアモルファス半導体膜で形成されており、該半導体膜に一導電型を付与する不純物が添加されている。そして一対の第２の半導体膜２２３は、第１の半導体膜２２２におけるチャネル形成領域を間に挟んで、向かい合って設けられている。
The
また第３の半導体膜２２４は、非晶質半導体膜またはセミアモルファス半導体膜で形成されており、第２の半導体膜２２３と同じ導電型を有し、なおかつ第２の半導体膜２２３よりも導電性が低くなるような特性を有している。第３の半導体膜２２４はＬＤＤ領域として機能するので、ドレイン領域として機能する第２の半導体膜２２３の端部に集中する電界を緩和し、ホットキャリア効果を防ぐことができる。第３の半導体膜２２４は必ずしも設ける必要はないが、設けることでＴＦＴの耐圧性を高め、信頼性を向上させることができる。なお、ＴＦＴ２０２がｎ型である場合、第３の半導体膜２２４を形成する際に特にｎ型を付与する不純物を添加せずとも、ｎ型の導電型が得られる。よって、ＴＦＴ２０２がｎ型の場合、必ずしも第３の半導体膜２２４にｎ型の不純物を添加する必要はない。ただし、チャネルが形成される第１の半導体膜には、ｐ型の導電性を付与する不純物を添加し、極力Ｉ型に近づくようにその導電型を制御しておく。
The
また、一対の第３の半導体膜２２４に接するように、配線２２５が形成されている。
A
また、ＴＦＴ２０１、２０２及び配線２２５を覆うように、絶縁膜からなる第１のパッシベーション膜２４０、第２のパッシベーション膜２４１が形成されている。ＴＦＴ２０１、２０２を覆うパッシベーション膜は２層に限らず、単層であっても良いし、３層以上であっても良い。例えば第１のパッシベーション膜２４０を窒化珪素、第２のパッシベーション膜２４１を酸化珪素で形成することができる。窒化珪素または窒化酸化珪素でパッシベーション膜を形成することで、ＴＦＴ２０１、２０２が水分や酸素などの影響により、劣化するのを防ぐことができる。
Further, a
そして、ＴＦＴ２０１、２０２および配線２２５は、平坦な層間絶縁膜２０５で覆う。平坦な層間絶縁膜２０５は、ＰＣＶＤ法による絶縁膜に対して平坦化処理を行った膜でもよいし、シロキサン系ポリマーを用いた塗布法により得られるアルキル基を含むＳｉＯｘ膜を用いてもよい。アルキル基を含むＳｉＯｘ膜を形成する際に、実施例２に従って、基板周縁部のＳｉＯｘ膜を除去してもよい。
The
そして、配線２２５に達するコンタクトホールを形成し、配線２２５の一方に電気的に接続する画素電極２３０を形成する。
Then, a contact hole reaching the
そして、画素電極２３０の端部を覆う絶縁物２２９（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。絶縁物２２９としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いることができるが、ここでは窒化シリコン膜で覆われた感光性の有機樹脂を用いる。例えば、有機樹脂の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物の上端部のみに曲率半径を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。また、絶縁物２２９にもシロキサン系ポリマーを用いた塗布法により得られるアルキル基を含むＳｉＯｘ膜を適用してもよい。
Then, an insulator 229 (referred to as a bank, a partition, a barrier, a bank, or the like) that covers an end portion of the
この感光性の有機樹脂のパターニング形成前に、実施例１に従って、基板周縁部の有機樹脂膜を除去した後、露光および現像を行えばよい。 Prior to the patterning of the photosensitive organic resin, the organic resin film on the peripheral edge of the substrate may be removed and then exposed and developed according to Example 1.
そして、発光素子２０３の画素電極２３０上に接するように、電界発光層２３１を形成する。
Then, an
そして、電界発光層２３１に接するように対向電極２３２が形成されている。なお発光素子２０３は陽極と陰極とを有しているが、いずれか一方を画素電極、他方を対向電極として用いる。
A
また、画素電極２３０として透明導電膜を用いた場合、電界発光層２３１からの発光は、基板２００を通過して図中、矢印の方向に出射される。
When a transparent conductive film is used as the
本実施例では、チャネル形成領域を含んでいる第３の半導体膜が、セミアモルファス半導体で形成されているので、非晶質半導体膜を用いたＴＦＴに比べて高い移動度のＴＦＴを得ることができ、よって駆動回路と画素部を同一の基板に形成することができる。 In this embodiment, since the third semiconductor film including the channel formation region is formed using a semi-amorphous semiconductor, it is possible to obtain a TFT with higher mobility than a TFT using an amorphous semiconductor film. Accordingly, the driver circuit and the pixel portion can be formed over the same substrate.
また、チャネル形成領域を含んでいる第３の半導体膜を、非晶質半導体膜で形成する場合には、画素部のみを基板上に形成し、駆動回路はＩＣチップ等を貼り付けて作製すればよい。 In the case where the third semiconductor film including the channel formation region is formed using an amorphous semiconductor film, only the pixel portion is formed over the substrate, and the driver circuit is manufactured by attaching an IC chip or the like. That's fine.
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、または、実施例１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
In addition, this embodiment can be freely combined with any one of
本発明の液晶表示装置、発光装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはDigital Versatile Disc（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、大型画面を有する大型テレビ等に本発明を用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図５に示す。 As a liquid crystal display device, a light emitting device, and an electronic device of the present invention, a video camera, a digital camera, a goggle type display (head mounted display), a navigation system, an acoustic playback device (car audio, audio component, etc.), a notebook type personal computer, Reproducing a recording medium such as a game machine, a portable information terminal (mobile computer, cellular phone, portable game machine, electronic book, etc.), an image reproducing apparatus (specifically, Digital Versatile Disc (DVD)) equipped with a recording medium, And a device provided with a display capable of displaying the image). In particular, it is desirable to use the present invention for a large TV having a large screen. Specific examples of these electronic devices are shown in FIGS.
図５（Ａ）は２２インチ〜５０インチの大画面を有する大型の表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、ビデオ入力端子２００５等を含む。なお、表示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、双方向ＴＶ用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。本発明により、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、比較的安価な大型表示装置を実現できる。
FIG. 5A illustrates a large display device having a large screen of 22 inches to 50 inches, which includes a
図５（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明により、比較的安価なノート型パーソナルコンピュータを実現できる。
FIG. 5B illustrates a laptop personal computer, which includes a
図５（Ｃ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示する。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。本発明により、比較的安価な画像再生装置を実現できる。
FIG. 5C illustrates a portable image reproducing device (specifically, a DVD reproducing device) provided with a recording medium, which includes a
図５（Ｄ）は、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なＴＶである。筐体２６０２にはバッテリー及び信号受信器が内蔵されており、そのバッテリーで表示部２６０４やスピーカ部２６０７を駆動させる。バッテリーは充電器２６００で繰り返し充電が可能となっている。また、充電器２６００は映像信号を送受信することが可能で、その映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することでができる。筐体２６０２は操作キー２６０６によって制御する。また、図５（Ｄ）に示す装置は、操作キー２６０６を操作することによって、筐体２６０２から充電器２６００に信号を送ることも可能であるため映像音声双方向通信装置とも言える。また、操作キー２６０６を操作することによって、筐体２６０２から充電器２６００に信号を送り、さらに充電器２６００が送信できる信号を他の電子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能であり、汎用遠隔制御装置とも言える。本発明により、比較的大型（２２インチ〜５０インチ）の持ち運び可能なＴＶを安価な製造プロセスで提供できる。 FIG. 5D illustrates a TV that can carry only a display wirelessly. The housing 2602 includes a battery and a signal receiver, and the display portion 2604 and the speaker portion 2607 are driven by the battery. The battery can be repeatedly charged by the charger 2600. The charger 2600 can transmit and receive a video signal, and can transmit the video signal to a signal receiver of the display. The housing 2602 is controlled by operation keys 2606. The device illustrated in FIG. 5D can also be referred to as a video / audio two-way communication device because a signal can be transmitted from the housing 2602 to the charger 2600 by operating the operation key 2606. In addition, by operating the operation key 2606, a signal is transmitted from the housing 2602 to the charger 2600, and further, a signal that can be transmitted by the charger 2600 is received by another electronic device, thereby controlling communication of the other electronic device. It can be said to be a general-purpose remote control device. According to the present invention, a portable TV having a relatively large size (22 inches to 50 inches) can be provided by an inexpensive manufacturing process.
以上の様に、本発明を実施して得た液晶表示装置や発光装置は、あらゆる電子機器の表示部として用いても良い。 As described above, the liquid crystal display device and the light emitting device obtained by implementing the present invention may be used as a display portion of any electronic device.
また、本実施例は、実施の形態、実施例１乃至５のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
In addition, this embodiment can be freely combined with any one of the embodiment mode and
本発明により、シンナーなどのリンス液を用いることなく、基板周縁部、基板端面、または基板裏面の膜除去または洗浄が短時間でできる。 According to the present invention, film removal or cleaning of the peripheral edge of the substrate, the substrate end surface, or the back surface of the substrate can be performed in a short time without using a rinse liquid such as thinner.
加えて、大型基板にも対応でき、本発明の装置は、半導体装置を大量生産するに適している。 In addition, it can cope with a large substrate, and the apparatus of the present invention is suitable for mass production of semiconductor devices.
１０：基板
１１：被膜
１２：ヘッド
１３：排気口
10: Substrate 11: Coating 12: Head 13: Exhaust port
Claims (9)
基板の周縁部または端面に対して、プラズマを反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の周縁部の膜、または端面の膜を除去しながら、基板近傍の雰囲気を排気手段により吸引することを特徴とする膜除去装置。 In the processing chamber maintained at atmospheric pressure, a means for holding the substrate on which the film to be processed is formed, a plasma generating means for blowing out plasma from the outlet of the reaction vessel, and an exhaust means,
The plasma is blown out from the outlet of the reaction vessel to the peripheral edge or the end face of the substrate, and the film near the peripheral edge of the substrate or the film on the end face is removed, and the atmosphere in the vicinity of the substrate is sucked by the exhaust means. A film removing device.
基板の表面周縁部または端面に対して、プラズマを第１の反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の表面周縁部の膜を除去し、且つ、基板の裏面周縁部または端面に対して、プラズマを第２の反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の裏面周縁部の膜を除去しながら、基板近傍の雰囲気を排気手段により吸引することを特徴とする膜除去装置。 A means for holding a substrate on which a film to be processed is formed in a processing chamber in which atmospheric pressure is maintained, a first plasma generating means for blowing plasma from a blowout port of the first reaction vessel, and a plasma for a second A second plasma generating means that blows out from the outlet of the reaction vessel, and an exhaust means;
Plasma is blown out from the outlet of the first reaction vessel to the surface peripheral edge or end surface of the substrate to remove the film on the surface peripheral edge of the substrate, and plasma is applied to the back surface peripheral edge or end surface of the substrate. The film removing apparatus is characterized in that the atmosphere in the vicinity of the substrate is sucked out by the exhaust means while the film is blown out from the outlet of the second reaction vessel to remove the film on the peripheral edge of the back surface of the substrate.
8. The film removing apparatus according to claim 1, wherein the means for holding the substrate on which the film to be processed is formed holds the substrate perpendicularly or obliquely to the horizontal plane.
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