JP2005259950A

JP2005259950A - Substrate treatment device and its treatment method

Info

Publication number: JP2005259950A
Application number: JP2004068854A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Joya; 聡条谷; Kazuyasu Takeda; 和悌竹田; Toru Watari; 徹亘
Original assignee: Sprout Co Ltd
Current assignee: Sprout Co Ltd
Priority date: 2004-03-11
Filing date: 2004-03-11
Publication date: 2005-09-22

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment device capable of the fractional recovery of the treatment solution to the substrate, and also capable of utilizing efficiently exhaust power, and to provide its treatment method. SOLUTION: The substrate treatment device 10 comprises a holding stand 20 for holding a wafer W pivotably, a nozzle 40 for supplying chemicals L1, L2 to the wafer W, at least one optical irradiation equipment G1 or G2 which carries out optical irradiation to the wafer W, and a pot 30 arranged at the perimeter of the holding stand 20 for recovering the dispersed chemicals L1, L2 from the wafer W. The pot 30 includes a lid 70 movable to the shaft direction of the holding stand 20, and is composed of a plurality of chemical recovery grooves M1, M2 in the inside by changing the position of the lid 70. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に半導体ウエハー等の基板を洗浄する機能を備えた基板処理装置の処理液の回収およびその再利用に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to collection and reuse of a processing solution of a substrate processing apparatus having a function of cleaning a substrate such as a semiconductor wafer.

近年、半導体装置への高性能化、製品サイクルの短縮化、低コスト化の市場要求に対して、半導体装置の回路は微細化、多層化し、製造工程におけるウエハーは大口径化し、さらに生産形態は１品種大量生産から多品種少量生産へ変化した。それに伴い、洗浄装置は、従来のバッチ式浸漬方（以下、バッチ式と呼ぶ）による洗浄から枚葉式スピン洗浄法（以下、枚葉式と呼ぶ）へ移行しようとしている。バッチ式とは、通常５０枚程度のウエハーを複数の薬液槽へ順送りで処理する方法であり、枚葉式とはウエハーを１枚づつ把持、回転させて、その両面または任意面に薬液を散布して洗浄する方法である。 In recent years, in response to market demands for higher performance of semiconductor devices, shorter product cycles, and lower costs, semiconductor device circuits have become smaller and multilayered, wafers in the manufacturing process have become larger, and the production form has become It changed from mass production of one kind to small quantity production of many kinds. Along with this, the cleaning apparatus is going to shift from cleaning by a conventional batch type immersion method (hereinafter referred to as batch type) to a single wafer type spin cleaning method (hereinafter referred to as single wafer type). The batch type is a method that normally processes about 50 wafers by feeding them sequentially into multiple chemical baths. The single wafer type is a method of gripping and rotating wafers one by one and spraying chemicals on both sides or any surface. And cleaning.

スピン式による新しい洗浄方法は、バッチ式に比べ、バッチ間やバッチ内のクロスコンタミネーションを防止することができること、枚葉式であるがためにウエハー面内均一性をより高い水準に保つことができること、また一度に大量の薬液を使うことがなく小ロット生産に対応し易いこと、および一台の設備の床占有面積が小さくなること等がその利点として挙げられる。これらの優れた点を満足できることにより枚葉式への移行が進んでいる。 The new cleaning method using the spin method can prevent cross-contamination between batches and within batches compared to the batch method, and the wafer surface uniformity can be maintained at a higher level because of the single wafer method. Advantages include being able to handle small lot production without using a large amount of chemical solution at once, and reducing the floor area occupied by one facility. By satisfying these excellent points, the transition to the single wafer type is progressing.

しかしながら、枚葉式にもいくつかの欠点が挙げられる。その問題点として挙げられるものは、床占有面積を小さくするために、ひとつの処理槽で複数の薬液処理をしなければならず、そのため、槽内の十分な環境整備が必要であった。特に、ウエハー処理に用いられる薬液やリンス水を分別しなければならず、そのため、従来技術では必要用力や洗浄用薬品の消費量が高まっていた。中でも、排気用力は大量消費が求められた。その理由として、装置側に必要とされる排気用力に不安定さを生じると、ウエハー処理時のパーティクルの発生や、ウォーターマークの発生につながることが知られていたためで、バッチ式と比較して枚葉式の劣る点として早急に改善が求められていた。 However, the single wafer type also has some drawbacks. In order to reduce the floor occupying area, a plurality of chemical solutions must be processed in one processing tank, and thus a sufficient environment in the tank is required. In particular, chemicals and rinsing water used for wafer processing must be separated. Therefore, in the prior art, the necessary power and consumption of cleaning chemicals have increased. Above all, the exhaust power demanded mass consumption. The reason is that instability in the exhaust force required on the equipment side is known to lead to the generation of particles during wafer processing and the generation of watermarks. Immediate improvement was sought as an inferior point of the single wafer type.

これらの問題点に対して多くの解決手法が世に登場したが、未だに決定的な解決策が出ていないのが現状である。特に、用力の省エネルギー化は、地球環境保護の観点から見た場合、解決しなければならない重要課題であり、枚葉洗浄装置が抱える重要な問題点となる。そこで本発明は、枚葉式洗浄装置の優位点を保持しつつ、必要用力の低減を目的とする。さらに薬液の使用量についてもその低減できる技術を提供する。 Many solutions to these problems have appeared in the world, but there is still no definitive solution yet. In particular, energy saving of utility is an important issue that must be solved from the viewpoint of protecting the global environment, and is an important problem of the single wafer cleaning apparatus. Therefore, the present invention aims to reduce the necessary power while maintaining the advantages of the single wafer cleaning apparatus. Furthermore, the technique which can reduce the usage-amount of a chemical | medical solution is also provided.

通常、枚葉式においては、一つの槽で、多種ケミカルを使用して洗浄する際は、その混合を避けるため、槽内を水平分割した上で、ケミカル同士の混合を避けるか、もしくは垂直方向に槽内を間仕切りし、同様の効果をねらっている。 Normally, in single-wafer type, when washing with various chemicals in one tank, in order to avoid mixing, avoid the mixing of chemicals after dividing the inside of the tank horizontally or in the vertical direction. The inside of the tank is partitioned to achieve the same effect.

水平分割方式の一例を図７（ａ）に示す。これと同様の技術は、例えば特許文献１に開示されている。同図に示すように、分別回収が可能なポットＰは、鉢と呼ばれるポットの中に、リングカナルＫ１、Ｋ２、Ｋ３と呼ばれる鉢の中心部のスペースに向かって開口している部位が２つ以上ある。ウエハーＷの保持台Ｈからみて、開口は水平分割されている。そして、その中心部にウエハーＷを把持具Ｃによって把持し回転する保持台Ｈがあり、その保持台ＨとポットＰが相対位置を変えることができる。リングカナルＫ１、Ｋ２、Ｋ３には、内部に溜めた液をポットＰ外部に排出する排液パイプＰ１、Ｐ２、Ｐ３が形成される。リングカナルＫ１、Ｋ２、Ｋ３を負圧に保つために、排気用力ＥＸに接続されたリング状の空間Ｒがリングカナルの外側に配置されていて、リングカナルＫ１、Ｋ２、Ｋ３とは複数の排気孔Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３で接続されている。 An example of the horizontal division method is shown in FIG. A technique similar to this is disclosed in Patent Document 1, for example. As shown in the figure, the pot P that can be separated and collected has two portions that are open toward the central space of the pot called ring canals K1, K2, and K3 in the pot called the pot. That is all. When viewed from the holding table H of the wafer W, the opening is horizontally divided. At the center, there is a holding table H that holds and rotates the wafer W with the holding tool C, and the holding table H and the pot P can change relative positions. The ring canals K1, K2, and K3 are formed with drain pipes P1, P2, and P3 for discharging the liquid accumulated inside to the outside of the pot P. In order to maintain the ring canals K1, K2, and K3 at a negative pressure, a ring-shaped space R connected to the exhaust force EX is disposed outside the ring canal, and the ring canals K1, K2, and K3 are a plurality of exhausts. They are connected by holes H1, H2, and H3.

保持台Ｈに把持されたウエハーＷを洗浄液Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３で処理する際、これらの洗浄液Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３はそれぞれノズルＮ１、Ｎ２、Ｎ３から供給され、ウエハーＷに滴下される。洗浄液Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、保持台ＨまたはポットＰのいずれかが相対移動することでによって、所望のリングカナルＫ１、Ｋ２、Ｋ３に分別回収される。ここでは、ポットＰが固定され、保持台Ｈが移動するものとして説明する。 When the wafer W held by the holding table H is processed with the cleaning liquids L1, L2, and L3, these cleaning liquids L1, L2, and L3 are supplied from the nozzles N1, N2, and N3, respectively, and dropped onto the wafer W. The cleaning liquids L1, L2, and L3 are separately collected into the desired ring canals K1, K2, and K3 by the relative movement of either the holding table H or the pot P. Here, description will be made assuming that the pot P is fixed and the holding base H moves.

ウエハーＷを把持した保持台Ｈは、リングカナルＫ１の高さに移動し、回転される。薬液Ｌ１がウエハーＷに散布されると保持台Ｈの回転によって薬液Ｌ１はリングカナルＫ１へ飛散され回収され、排液パイプＰ１によって排出される。次に、保持台Ｈは、リングカナルＫ２の高さに移動する。薬液Ｌ２がウエハーＷ上に散布されると保持台Ｈの回転によって薬液Ｌ２がリングカナルＫ２に飛散し回収され、排液パイプＰ２によって排出される。次に、保持台Ｈは、リングカナルＫ３の高さに移動する。薬液Ｌ３がウエハーＷ上に散布されると、保持台Ｈの回転によって薬液Ｌ３はリングカナルＫ３に飛散し回収され、排液パイプＰ３によって排出される。以上により、複数の薬液処理を行うことができ、その薬液をそれぞれ回収することができる。またこの動作中、リング状の空間Ｒが排気用力ＥＸによって常に負圧に保たれ、さらに、すべてのリングカナルＫ１、Ｋ２、Ｋ３は排気孔Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３を介して負圧になっている。 The holding table H holding the wafer W is moved to the height of the ring canal K1 and rotated. When the chemical liquid L1 is sprayed on the wafer W, the chemical liquid L1 is scattered and collected by the rotation of the holding table H to the ring canal K1, and is discharged by the drain pipe P1. Next, the holding table H moves to the height of the ring canal K2. When the chemical liquid L2 is sprayed on the wafer W, the chemical liquid L2 is scattered and collected on the ring canal K2 by the rotation of the holding table H, and is discharged by the drain pipe P2. Next, the holding table H moves to the height of the ring canal K3. When the chemical liquid L3 is sprayed on the wafer W, the chemical liquid L3 is scattered and collected on the ring canal K3 by the rotation of the holding table H, and is discharged by the drain pipe P3. By the above, a some chemical | medical solution process can be performed and the chemical | medical solution can each be collect | recovered. During this operation, the ring-shaped space R is always kept at a negative pressure by the exhaust force EX, and all the ring canals K1, K2, and K3 are at a negative pressure through the exhaust holes H1, H2, and H3. .

リングカナルＫ１、Ｋ２を同心円状に配置した垂直分割方式について図７（ｂ）を用いて説明する。ウエハーＷに滴下された薬液Ｌ１、Ｌ２を保持台Ｈの回転によってその半径方向に飛散した液滴や気体の流れを、回転軸方向に変化させることを目的とした遮蔽板ＳがポットＰと相対移動する。 A vertical division method in which the ring canals K1 and K2 are arranged concentrically will be described with reference to FIG. The shielding plate S for the purpose of changing the flow of the droplets or gas in which the chemicals L1 and L2 dropped on the wafer W are scattered in the radial direction by the rotation of the holding table H in the rotation axis direction is relative to the pot P. Moving.

薬液Ｌ１がノズルＮ１により散布されるときは、予めリングカナルＫ１はウエハーＷの水平面上に位置するように遮蔽板Ｓが移動し、飛散した薬液Ｌ１や気流の方向を変化させて排気溝Ｄ１へ導入する。また、薬液Ｌ２がノズルＮ２より散布されるときは、予めリングカナルＫ２がウエハーＷの水平面上に位置するように遮蔽板Ｓが移動し、飛散した薬液Ｌ２や気流の方向を変化させて排気溝Ｄ２へ導入する。以上により、薬液Ｌ１、Ｌ２と保持台Ｈの回転によって生じた気流は、それぞれの排気溝Ｄ１、Ｄ２によって回収され、排液パイプＰ１、Ｐ２と通り、ポットＰ外部に排出される。この際、液成分と、気体成分は同時に排出される。 When the chemical liquid L1 is sprayed by the nozzle N1, the shield plate S is moved in advance so that the ring canal K1 is positioned on the horizontal plane of the wafer W, and the direction of the scattered chemical liquid L1 and airflow is changed to the exhaust groove D1. Introduce. Further, when the chemical liquid L2 is sprayed from the nozzle N2, the shielding plate S is moved in advance so that the ring canal K2 is positioned on the horizontal plane of the wafer W, and the direction of the scattered chemical liquid L2 and the air flow is changed to exhaust grooves. Introduce to D2. As described above, the airflow generated by the rotation of the chemical liquids L1 and L2 and the holding table H is collected by the respective exhaust grooves D1 and D2, and is discharged to the outside of the pot P through the drainage pipes P1 and P2. At this time, the liquid component and the gas component are discharged simultaneously.

ウエハー処理時の条件によっては保持台Ｈが高回転となる場合がある。そのとき発生する気流は大きくなり、液滴は大きくとばされるため、大きい半径の処理槽あるいはポットで受け止めて回収する必要がある。逆に、低回転の場合は、その回転によって生じる気流は小さく、飛散する薬液は大きくとばすことができず、小さい半径の処理槽またはポットで回収する方がよい。これらを考慮すると、垂直分離方式が適していると考えられる。 Depending on the conditions at the time of wafer processing, the holding table H may be rotated at a high speed. At that time, the generated air flow becomes large and the droplets are largely skipped. Therefore, it is necessary to receive and collect them in a treatment tank or pot having a large radius. On the other hand, in the case of low rotation, the airflow generated by the rotation is small, and the scattered chemical solution cannot be largely skipped, and it is better to collect in a treatment tank or pot with a small radius. Considering these, the vertical separation method is considered suitable.

特開平５−２８３９５号Japanese Patent Laid-Open No. 5-28395

しかしながら、上記従来の処理装置における処理液の回収には次のような課題がある。図７(ａ)に示す水平分離方式において、リングカナルＫ１、Ｋ２、Ｋ３はすべて常に開口している。そのため、あるリングカナルを使って処理している際に、他のリングカナルの開口からその薬液雰囲気が取り込まれる可能性が高い。特に、中心にはウエハーの保持台Ｈが高速回転しているため、内部には負圧が生じ、処理時に使用されていないリングカナルの開口から、薬液雰囲気が極めて高い確率で取り込まれることが予想される。このことは、回収される薬液の純度の低下を招き、ウエハー上に薬液処理ムラやウォーターマークとして現れることとなる。他方、これを防ぐためには、リングカナルを大量の吸気によって吸引し続ける必要があり、そのためには、排気用力を大きくしなければならない。その結果、装置が大型化し、かつ処理コストも高くなってしまう。 However, the recovery of the processing liquid in the conventional processing apparatus has the following problems. In the horizontal separation system shown in FIG. 7A, all ring canals K1, K2, and K3 are always open. Therefore, when processing using a certain ring canal, the chemical atmosphere is likely to be taken in from the opening of another ring canal. In particular, since the wafer holder H is rotating at high speed in the center, negative pressure is generated inside, and it is expected that the chemical atmosphere will be taken in from the opening of the ring canal that is not used during processing with a very high probability. Is done. This leads to a decrease in the purity of the collected chemical solution, and appears as chemical solution unevenness and a watermark on the wafer. On the other hand, in order to prevent this, it is necessary to continuously suck the ring canal by a large amount of intake air, and for this purpose, the exhaust force must be increased. As a result, the apparatus becomes large and the processing cost becomes high.

また、図５（ｂ）に示すような垂直分離方式において、排気溝Ｄ１、Ｄ２は、薬液Ｌ１、Ｌ２をそれぞれ回収することができるが、それらは、保持台Ｈによってもたらされた気体成分も回収することになるため、排液パイプＰ１、Ｐ２は排気用力ＥＸに接続されることとなる。薬液Ｌ２を回収しようとする際、薬液Ｌ２と同時に流れてくる気体は、排気溝Ｄ１が開口している空間を通過することになる。そこでの混入を防ぐために、薬液Ｌ２の液滴を十分に飛散させる必要があり、保持台Ｈはより高速回転させなければならない。そのため、リング状の開口Ｋ２や排気溝Ｄ２はその高速回転によってもたらされた気流を十分に受け止めるだけの空間が必要となり、大きな半径を持つポットＰを用いる必要がある。そして、その空間を負圧に保つための排気用力を必要とする。さらに、同時に排気溝Ｄ１からの薬液Ｌ１の蒸気が混入することも十分に考えられ、それに対応するために大量の排気によって薬液Ｌ１の停滞、逆流を防がねばならない。このことから、水平分割方式同様に、排気用力を大きくしなければならず、装置の大型化および処理の高コスト化の課題がある。 Further, in the vertical separation system as shown in FIG. 5B, the exhaust grooves D1 and D2 can collect the chemical liquids L1 and L2, respectively, but they also have gas components brought about by the holding table H. Since the liquid is to be collected, the drain pipes P1 and P2 are connected to the exhaust force EX. When collecting the chemical liquid L2, the gas flowing simultaneously with the chemical liquid L2 passes through the space where the exhaust groove D1 is open. In order to prevent mixing there, it is necessary to sufficiently disperse the liquid droplets of the chemical liquid L2, and the holding base H must be rotated at a higher speed. For this reason, the ring-shaped opening K2 and the exhaust groove D2 need a space enough to receive the airflow generated by the high-speed rotation, and it is necessary to use the pot P having a large radius. And the exhaust force for maintaining the space at a negative pressure is required. Furthermore, it is fully conceivable that the vapor of the chemical liquid L1 from the exhaust groove D1 is mixed at the same time. In order to cope with this, the stagnation and back flow of the chemical liquid L1 must be prevented by a large amount of exhaust. For this reason, as in the horizontal division method, the exhaust force must be increased, and there is a problem of increasing the size of the apparatus and increasing the cost of processing.

そこで本発明は、上記従来の技術の課題を解決し、基板への処理液を分別回収することができ、排気用力を効率よく利用することができる基板処理装置およびその処理方法を提供することを目的とする。
さらに本発明は、従来の基板処理装置を改良し、処理液の分別回収能力に優れた、経済的な基板処理装置およびその処理方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention provides a substrate processing apparatus and a processing method for solving the problems of the conventional techniques described above, capable of separating and recovering the processing liquid to the substrate, and efficiently using the exhaust force. Objective.
It is another object of the present invention to provide an economical substrate processing apparatus and a processing method therefor, which are improved conventional substrate processing apparatuses and excellent in the ability to separate and collect processing liquids.

本発明に係る基板処理装置は、基板を回転可能に保持する保持台と、前記基板上に処理液を供給する供給部と、前記保持台の外周に配され、前記基板から飛散された処理液を回収するポットと、前記基板に対して光照射をする少なくとも１つの光照射装置とを有する。前記ポットは、前記保持台の軸方向に移動可能な少なくとも一つの仕切部材を含み、前記少なくとも一つの仕切部材の位置を変えることで内部に複数の処理液回収用の空間を形成可能とするものである。これにより、基板の処理に用いられる複数の処理液を分別して回収することができ、回収された処理液を再利用することで、低コストの基板処理を行うことができる。さらに、基板処理装置の外部へ排出される処理液を低減させ、環境保護に貢献することが可能な基板処理装置を提供することができる。さらに、光照射装置により基板に光を照射することで、基板表面の乾燥や有機物の分解を併せて行うことができる。 A substrate processing apparatus according to the present invention includes a holding table that rotatably holds a substrate, a supply unit that supplies a processing liquid onto the substrate, and a processing liquid that is disposed on an outer periphery of the holding table and is scattered from the substrate. And at least one light irradiation device for irradiating the substrate with light. The pot includes at least one partition member movable in the axial direction of the holding table, and a plurality of treatment liquid recovery spaces can be formed therein by changing the position of the at least one partition member. It is. Accordingly, a plurality of processing liquids used for substrate processing can be separated and recovered, and low-cost substrate processing can be performed by reusing the recovered processing liquid. Furthermore, it is possible to provide a substrate processing apparatus that can reduce processing liquid discharged to the outside of the substrate processing apparatus and contribute to environmental protection. Further, by irradiating the substrate with light using a light irradiation device, the substrate surface can be dried and the organic matter can be decomposed.

好ましくは、仕切部材が第１の位置にあるとき、ポット内の第１の処理液回収用の空間に開口が形成され、かつ、第２の処理液回収用の空間の開口が閉じられる。また、仕切部材が第２の位置にあるとき、ポット内の第１の処理液回収用の空間の開口が閉じられ、第２の処理液回収用の空間に開口が形成される。このように、一方の処理液回収用の空間の開口が形成されているときに、他方の処理液回収用の空間の開口を閉じることで、ポット内の処理液回収のための空間を低減することで、排気用力等の能力を十分に活かすことができる。言い換えれば、従来と比較して、排気用力を小型化することが可能となる。さらに、処理液を回収しない第１、第２の処理液回収用空間は、その開口が閉じられているため、他の処理液やその雰囲気が混入することが防止される。 Preferably, when the partition member is in the first position, an opening is formed in the first processing liquid recovery space in the pot, and the opening of the second processing liquid recovery space is closed. When the partition member is in the second position, the opening of the first processing liquid recovery space in the pot is closed, and an opening is formed in the second processing liquid recovery space. In this way, when the opening of one processing liquid recovery space is formed, the other processing liquid recovery space opening is closed to reduce the processing liquid recovery space in the pot. Thus, it is possible to make full use of capabilities such as exhaust power. In other words, the exhaust power can be reduced in size compared to the conventional case. Furthermore, since the opening of the first and second processing liquid recovery spaces that do not recover the processing liquid is closed, it is possible to prevent other processing liquids and their atmosphere from entering.

第１または第２の処理液回収用の空間の開口が形成されたとき、基板の処理に用いられた第１または第２の処理液が開口を介して回収される。また、基板処理装置はさらに、ポットに接続された排液パイプと、排液パイプに接続された気液分離部とを含み、気液分離部は排気用力に接続されること望ましい。さらに、第１の処理液回収用の空間は、第２の処理液回収用の空間の内周側に形成され、第１、第２の処理液回収用の空間に第１、第２の排液パイプがそれぞれ接続され、前記第２の排液パイプに気液分離部が接続されるようにすることも可能である。また、前記光照射装置は、保持台の上部と下部にそれぞれ配置することができる。光照射装置は、例えば、紫外線または赤外線を基板に対して照射する。 When the opening of the space for collecting the first or second processing liquid is formed, the first or second processing liquid used for processing the substrate is recovered through the opening. The substrate processing apparatus further includes a drain pipe connected to the pot and a gas-liquid separator connected to the drain pipe, and the gas-liquid separator is preferably connected to the exhaust force. Further, the first processing liquid recovery space is formed on the inner peripheral side of the second processing liquid recovery space, and the first and second exhausts are disposed in the first and second processing liquid recovery spaces. It is also possible to connect the liquid pipes and connect the gas / liquid separator to the second drainage pipe. Moreover, the said light irradiation apparatus can be arrange | positioned at the upper part and the lower part of a holding stand, respectively. For example, the light irradiation device irradiates the substrate with ultraviolet rays or infrared rays.

本発明の他の基板処理装置は、回転可能の保持された基板上に処理液を供給し、前記基板から飛散された処理液をポットにて回収する機能を備えたものである。保持台の少なくとも上方または下方には光照射装置が配置されている。そして、ポットは、保持台の外周に配され、その内部に処理液を分別回収するための複数の処理液回収溝を形成し、複数の処理液回収溝の各々は、移動可能に設けられた仕切部材の位置を可変することで互いに隔離される。 Another substrate processing apparatus of the present invention has a function of supplying a processing liquid onto a rotatable held substrate and collecting the processing liquid scattered from the substrate in a pot. A light irradiation device is disposed at least above or below the holding table. The pot is arranged on the outer periphery of the holding table, and a plurality of treatment liquid collection grooves for separating and collecting the treatment liquid are formed therein, and each of the plurality of treatment liquid collection grooves is movably provided. It is isolated from each other by changing the position of the partition member.

好ましくは、仕切部材が第１の位置にあるとき、ポット内の第１の処理液回収溝に開口が形成され（使用可能状態）、かつ、第２の処理液回収溝の開口が閉ざされる（非使用状態）、仕切部材が第２の位置にあるとき、ポット内の第１の処理液回収溝の開口が閉じられ（非使用状態）、第２の処理液回収溝に開口が形成される(使用可能状態)。 Preferably, when the partition member is in the first position, an opening is formed in the first processing liquid recovery groove in the pot (usable state), and the opening of the second processing liquid recovery groove is closed ( When the partition member is in the second position, the opening of the first processing liquid recovery groove in the pot is closed (non-use state), and an opening is formed in the second processing liquid recovery groove. (Available state).

さらに、第１、第２の処理液回収溝は、保持台と同心円状に配される。また保持台は、基板をほぼ水平に回転可能に保持し、仕切部材は、ほぼ水平方向に延在する第１の部分と、該第１の部分から傾斜する第２の部分とを含み、仕切部材が第１の位置にあるとき、第１の部分および第２の部分の第１の面が第１の処理液回収溝の一部を形成し、仕切部材が第２の位置にあるとき、第１の部分および第２の部分が第１の面と対向する第２の面が第２の処理液回収溝の一部を形成する。仕切部材の第１の面を利用して第１の処理液を第１の処理液回収溝に導入し、第２の面を利用して第２の処理液を第２の処理液回収溝に導入するため、第１、第２の処理液が他の処理液によって汚染されることが防止される。 Further, the first and second processing liquid recovery grooves are arranged concentrically with the holding table. The holding base holds the substrate so as to be rotatable substantially horizontally, and the partition member includes a first portion extending in a substantially horizontal direction and a second portion inclined from the first portion, When the member is in the first position, the first surface of the first part and the second part forms part of the first treatment liquid recovery groove, and when the partition member is in the second position, A second surface in which the first portion and the second portion oppose the first surface forms a part of the second treatment liquid recovery groove. The first processing liquid is introduced into the first processing liquid recovery groove using the first surface of the partition member, and the second processing liquid is introduced into the second processing liquid recovery groove using the second surface. As a result, the first and second processing liquids are prevented from being contaminated by other processing liquids.

基板処理装置は、さらに保持台上に複数の処理液を基板上に滴下可能なノズルを含み、ノズルから第１の処理液が滴下されるとき、第１の処理液回収溝に第１の処理液が回収され、ノズルから第２の処理液が滴下されるとき、第２の処理液回収溝に第２の処理液が回収される。好ましくは、第１、第２の処理液回収溝は負圧にされるが、非使用状態である処理液回収溝の空間は仕切部材によって閉じられているため、従来と比較して少ない空間を負圧にすればよく、その結果、排気用力の能力も小型化することができる。他方、排気用力を従来と同程度のものを使用すれば、ポット内の負圧も大きくなり、ウエハー上のパーティクル数やウォーターマークを低減させることができる。 The substrate processing apparatus further includes a nozzle capable of dropping a plurality of processing liquids onto the substrate on the holding table. When the first processing liquid is dropped from the nozzles, the first processing liquid is collected in the first processing liquid recovery groove. When the liquid is recovered and the second processing liquid is dropped from the nozzle, the second processing liquid is recovered in the second processing liquid recovery groove. Preferably, the first and second processing liquid recovery grooves are set to a negative pressure, but the space of the processing liquid recovery groove that is not in use is closed by a partition member, so that a smaller space than the conventional one is used. What is necessary is just to make it a negative pressure, As a result, the capability of the power for exhaustion can also be reduced in size. On the other hand, if the same exhaust force is used, the negative pressure in the pot increases, and the number of particles and the watermark on the wafer can be reduced.

本発明に係る基板処理方法は、基板を回転可能に保持する保持台と、保持台の外周に配され基板の処理に用いられた処理液を回収する機能を備えたポットとを含む基板処理装置において以下のステップを有する。
ポット内の仕切部材を第１の位置に移動させることで、ポット内に、基板に供給される第１の処理液に対応する第１の処理液回収用の空間を形成するステップと、基板上に第１の処理液を供給し、基板から飛散された第１の処理液を第１の処理液回収用の空間において回収するステップと、基板の少なくとも一方の面に対して第１の光を照射するステップとを有する。 A substrate processing method according to the present invention includes a holding table that rotatably holds a substrate, and a pot that is provided on the outer periphery of the holding table and has a pot that has a function of collecting a processing liquid used for processing the substrate. Has the following steps.
Moving the partition member in the pot to the first position to form a first processing liquid recovery space corresponding to the first processing liquid supplied to the substrate in the pot; Supplying the first processing liquid to the first processing liquid, and collecting the first processing liquid scattered from the substrate in the first processing liquid recovery space; and applying first light to at least one surface of the substrate Irradiating.

好ましくは、仕切部材が第１の位置にあるとき、ポット内の第２の処理液回収用の空間の開口が閉じられる。また、基板処理方法は、仕切部材を第２の位置に移動させることで、ポット内に、基板に供給される第２の処理液に対応する第２の処理液回収用の空間を形成し、第２の処理液回収用の空間により第２の処理液を回収し、前記基板の少なくとも一方の面に対して第２の光を照射する。好ましくは、第１、第２の光は、紫外線または赤外線のいずれかである。赤外線を照射することで基板を乾燥させることができる。また、紫外線を照射することで有機物の分解を行うことができる。処理液を回収する第１または第２の処理液回収用の空間内が負圧にされる。このとき、処理液を回収しない第１、第２の処理液回収用の空間は、その開口が閉じられているため、他の処理液やその雰囲気が混入することが防止される。 Preferably, when the partition member is in the first position, the opening of the second processing liquid recovery space in the pot is closed. The substrate processing method forms a second processing liquid recovery space corresponding to the second processing liquid supplied to the substrate in the pot by moving the partition member to the second position. The second processing liquid is recovered by the second processing liquid recovery space, and at least one surface of the substrate is irradiated with the second light. Preferably, the first and second lights are either ultraviolet rays or infrared rays. The substrate can be dried by irradiation with infrared rays. In addition, organic substances can be decomposed by irradiating with ultraviolet rays. The first or second processing liquid recovery space for recovering the processing liquid is set to a negative pressure. At this time, since the openings of the first and second processing liquid recovery spaces that do not recover the processing liquid are closed, it is possible to prevent other processing liquids and their atmosphere from entering.

本発明に係る基板処理装置によれば、ポット内に配される仕切部材（蓋）を移動させることで、複数の処理液の回収溝または空間を形成するので、複数の処理液を効率よく分別回収し、その再利用をすることができる。さらに、仕切部材により、処理液の回収されない溝または空間を閉じることで、排気用力に必要なスペースを削減することが可能となり、従来よりも排気効率を向上させることができる。このことは、排気能力を大型化することなく、ポット内において処理液および／またはその蒸気や雰囲気を効率よく吸引することができ、その結果、ウエハー上のパーティクル数やウォーターマークの発生を低減することが可能となる。さらに、小さな排気用力の使用により、処理装置全体を小型化することができる。さらに、光照射装置により基板への光照射を可能にすることで、例えば、基板上の有機物の分解や水分の乾燥を併せて行うことができる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, a plurality of processing liquid recovery grooves or spaces are formed by moving a partition member (lid) disposed in the pot, so that the plurality of processing liquids can be efficiently separated. It can be recovered and reused. Furthermore, by closing the groove or space where the processing liquid is not collected by the partition member, it is possible to reduce the space necessary for the exhaust force, and the exhaust efficiency can be improved as compared with the conventional case. This makes it possible to efficiently suck the processing liquid and / or its vapor and atmosphere in the pot without increasing the exhaust capacity, thereby reducing the number of particles on the wafer and the generation of watermarks. It becomes possible. Furthermore, the entire processing apparatus can be reduced in size by using a small exhaust force. Furthermore, by enabling light irradiation to the substrate by the light irradiation device, for example, decomposition of organic substances on the substrate and drying of moisture can be performed together.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る基板洗浄装置の構成を示す断面図である。同図において、基板洗浄装置１０は、半導体ウエハーＷを水平にかつ回転可能に保持する保持台２０と、保持台２０の外周に配されるポット３０と、保持台２０の上方に位置され、複数の薬液を基板上に滴下するノズル４０と、ポット３０の下部に連結された排液パイプ５０、５１と、排液パイプ５１に接続される気液分離ボックス６０とを含む。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, the substrate cleaning apparatus 10 is positioned above the holding table 20, a holding table 20 that holds the semiconductor wafer W horizontally and rotatably, a pot 30 disposed on the outer periphery of the holding table 20, and A nozzle 40 for dropping the chemical liquid onto the substrate, drainage pipes 50 and 51 connected to the lower portion of the pot 30, and a gas-liquid separation box 60 connected to the drainage pipe 51.

保持台２０は、図示されない回転駆動装置によって回転軸２１を介して回転される。保持台２０は、その表面に円形状の保持面２２を有し、該保持面２２には、ウエハーＷを把持する把持具２３が形成される。ウエハーＷは、好ましくは、保持面２２から供給される不活性ガスを用い、ベルヌーイの原理を利用し、保持面２２上に把持具２３によって略水平に非接触状態で保持される。 The holding table 20 is rotated via a rotation shaft 21 by a rotation driving device (not shown). The holding table 20 has a circular holding surface 22 on its surface, and a holding tool 23 for holding the wafer W is formed on the holding surface 22. The wafer W is preferably held in a non-contact state substantially horizontally by the gripping tool 23 on the holding surface 22 using an inert gas supplied from the holding surface 22 and utilizing the Bernoulli principle.

ポット３０は、中央に開口３１が形成されたドーナツ形状を有し、リング状の内周板３２と、リング状の外周板３３と、これらの内周板３２と外周板３３とを連結する上板３４および底板３５と、底板３５から所定の高さ延びる仕切板３６とを有する。上板３４は、外周板３３から内側に向けて上方に傾斜され、その中央に円形状の開口３１を有する。開口３１の径は、保持台２０の保持面２２の径とほぼ等しい。 The pot 30 has a donut shape with an opening 31 formed in the center, and connects the ring-shaped inner peripheral plate 32, the ring-shaped outer peripheral plate 33, and the inner peripheral plate 32 and the outer peripheral plate 33. The plate 34 and the bottom plate 35 and a partition plate 36 extending from the bottom plate 35 to a predetermined height are provided. The upper plate 34 is inclined upward from the outer peripheral plate 33 inward, and has a circular opening 31 at the center thereof. The diameter of the opening 31 is substantially equal to the diameter of the holding surface 22 of the holding table 20.

ポット３０は、保持台２０の外周に配される。このとき、内周板３２の端部が、保持台２０の保持面２２とほぼ等しい高さにある。ポット３０内には、薬液を回収するための薬液回収溝Ｍ１、Ｍ２を形成するためのリング状の蓋（仕切部材）７０が設けられる。蓋７０は、ポット３０の上板３４と同様の傾斜角でほぼ水平方向に延在する開口切り換え部７２と、開口切り換え部７２に接続されそこからほぼ鉛直方向に延在する接続部７４とを含む。蓋７０は、図示しない駆動装置によって、ポット３０内を鉛直方向すなわち保持台２０の回転軸２１の方向に移動可能である。 The pot 30 is disposed on the outer periphery of the holding table 20. At this time, the end of the inner peripheral plate 32 is at a height substantially equal to the holding surface 22 of the holding table 20. In the pot 30, a ring-shaped lid (partition member) 70 is provided for forming chemical solution collecting grooves M1 and M2 for collecting the chemical solution. The lid 70 includes an opening switching portion 72 that extends in a substantially horizontal direction at the same inclination angle as the upper plate 34 of the pot 30, and a connection portion 74 that is connected to the opening switching portion 72 and extends in a substantially vertical direction therefrom. Including. The lid 70 can be moved in the pot 30 in the vertical direction, that is, in the direction of the rotation shaft 21 of the holding table 20 by a driving device (not shown).

図１(ａ)に示すように、蓋７０が上方に向けて移動され、その開口切り換え部７２がポット３０の上板３４に当接されているとき、ポット３０内には、保持台２０に近接した空間にリング状の薬液回収溝Ｍ１が形成される。薬液回収溝Ｍ１は、蓋７０の表面と、仕切板３６と、底板３５と、内周板３２によって包囲される空間であるが、当該空間には、保持台２０から一定の高さｈ１のリング状の開口７６が形成される。さらに、蓋７０の接続部７４が仕切板３６と離間されているため、そこに高さｈ２の空間７７が形成される。 As shown in FIG. 1A, when the lid 70 is moved upward and the opening switching portion 72 is in contact with the upper plate 34 of the pot 30, the pot 30 has a holding base 20. A ring-shaped chemical solution collecting groove M1 is formed in the adjacent space. The chemical solution collecting groove M1 is a space surrounded by the surface of the lid 70, the partition plate 36, the bottom plate 35, and the inner peripheral plate 32. In the space, a ring having a constant height h1 is formed from the holding table 20. A shaped opening 76 is formed. Further, since the connecting portion 74 of the lid 70 is separated from the partition plate 36, a space 77 having a height h2 is formed there.

蓋７０が、同図（ｂ）に示すように、下方に向けて移動され、その接続部７４が仕切板３６に当接されるとき、薬液回収溝Ｍ２がアクティブ(使用可能状態)となり、薬液回収溝Ｍ１が非アクティブ（非使用状態）となる。つまり、蓋７０の開口切り換え部７２が上板３４から離間して内周板３２の端部と当接し、かつ、接続部７４が仕切板３６と接続されることで、薬液回収溝Ｍ１が蓋７０によって閉じられ、他方、薬液回収用溝Ｍ２には、保持台２０の保持面から高さｈ３のリング状の開口７８が形成されるとともに、蓋７０の裏面と、上板３４、外周板３３、底板３５および仕切板３６によって包囲される空間が形成される。 When the lid 70 is moved downward and the connecting portion 74 is brought into contact with the partition plate 36 as shown in FIG. 4B, the chemical recovery groove M2 becomes active (usable state), and the chemical solution The collection groove M1 becomes inactive (non-use state). That is, the opening switching portion 72 of the lid 70 is separated from the upper plate 34 and contacts the end portion of the inner peripheral plate 32, and the connecting portion 74 is connected to the partition plate 36. On the other hand, a ring-shaped opening 78 having a height h3 from the holding surface of the holding table 20 is formed in the chemical solution collecting groove M2, and the back surface of the lid 70, the upper plate 34, and the outer peripheral plate 33 are formed. A space surrounded by the bottom plate 35 and the partition plate 36 is formed.

保持台２０の上方にノズル４０が配される。ノズル４０は、ウエハーＷの処理に応じて薬液Ｌ１、Ｌ２をウエハーＷ上に散布することができる。また、ポット３０の底部には、排液パイプ５０、５１が設けられる。排液パイプ５０は、薬液回収溝Ｍ１に連結され、排液パイプ５１は薬液回収溝Ｍ２に連結される。排液パイプ５１はさらに、気体と液体とを分離する気液分離ボックス６０が接続され、さらに気液分離ボックス６０は、排気パイプ６１を介して、図示しない排気用力ＥＸに接続される。排気用力ＥＸは、排気パイプ６１を介して気体の吸引を行い、気液分離ボックス６０において、回収された薬液の蒸気や雰囲気を外部に排気させ、同時に、この排気によってポット３０内部を負圧にする。他方、液体成分は、それぞれ排液パイプ５０、５１からそれぞれ回収され、それらの排液は、図示しない再利用処理部において再利用のための処理が施される。 A nozzle 40 is disposed above the holding table 20. The nozzle 40 can spray the chemical liquids L 1 and L 2 on the wafer W in accordance with the processing of the wafer W. Further, drain pipes 50 and 51 are provided at the bottom of the pot 30. The drainage pipe 50 is connected to the chemical recovery groove M1, and the drainage pipe 51 is connected to the chemical recovery groove M2. The drainage pipe 51 is further connected to a gas-liquid separation box 60 that separates gas and liquid. The gas-liquid separation box 60 is further connected to an exhaust force EX (not shown) via an exhaust pipe 61. The exhaust force EX sucks gas through the exhaust pipe 61 and exhausts the vapor and atmosphere of the collected chemical solution to the outside in the gas-liquid separation box 60. At the same time, the exhaust causes the inside of the pot 30 to be negative pressure. To do. On the other hand, the liquid components are respectively collected from the drainage pipes 50 and 51, and the drainage is subjected to processing for reuse in a reuse processing unit (not shown).

次に動作について説明する。本洗浄装置において、保持台２０によって把持しているウエハーＷを所定の速度にて回転させる。そして、ウエハーＷを薬液処理するために、ノズル４０から洗浄液Ｌ１をウエハーＷ上に滴下する。このとき、蓋７０は、図１(ａ)に示すように、開口切り換え部７２が上板３４に当接され、保持台２０と開口切り換え部７２との間にリング状の開口７６が形成され、保持台２０の外周に薬液回収溝Ｍ１が形成される。蓋７０の接続部７４はまた、保持台２０の保持面２２よりも低い位置にあり、ウエハーＷの表面から飛散された気体および液体を薬液回収溝Ｍ１の底面に向けてガイドする。こうして、ウエハーＷを処理した洗浄液Ｌ１は、薬液回収溝Ｍ１において回収され、その洗浄液Ｌ１は排液パイプ５０から回収される。また、薬液回収溝Ｍ１は、開口７７を介して薬液回収溝Ｍ２と連結されているため、洗浄液Ｌ１の蒸気や雰囲気は、気液分離ボックス６０および排気パイプ６１を介して排出され、同時に、薬液回収溝Ｍ１の開口７６が負圧となり、リング状の開口７６から保持台２０のウエハーＷへ洗浄液Ｌ１の蒸気、雰囲気が戻ることが防止される。 Next, the operation will be described. In this cleaning apparatus, the wafer W held by the holding table 20 is rotated at a predetermined speed. Then, the cleaning liquid L 1 is dropped onto the wafer W from the nozzle 40 in order to perform chemical treatment on the wafer W. At this time, as shown in FIG. 1A, the lid 70 has the opening switching portion 72 in contact with the upper plate 34, and a ring-shaped opening 76 is formed between the holding base 20 and the opening switching portion 72. The chemical recovery groove M1 is formed on the outer periphery of the holding table 20. The connecting portion 74 of the lid 70 is also at a position lower than the holding surface 22 of the holding table 20 and guides the gas and liquid scattered from the surface of the wafer W toward the bottom surface of the chemical solution collecting groove M1. In this way, the cleaning liquid L1 that has processed the wafer W is recovered in the chemical recovery groove M1, and the cleaning liquid L1 is recovered from the drainage pipe 50. Further, since the chemical liquid recovery groove M1 is connected to the chemical liquid recovery groove M2 through the opening 77, the vapor and atmosphere of the cleaning liquid L1 are discharged through the gas-liquid separation box 60 and the exhaust pipe 61, and at the same time, the chemical liquid The opening 76 of the collection groove M1 becomes negative pressure, and the vapor and atmosphere of the cleaning liquid L1 are prevented from returning from the ring-shaped opening 76 to the wafer W of the holding table 20.

次に、洗浄液Ｌ２による薬液処理を行う際に、蓋７０を降下させ、その接続部７４を仕切板３６に当接させ、かつ、その開口切り換え部７２を内周板３２の端部に当接させ、薬液回収溝Ｍ１を閉ざす。蓋７０の開口切り換え部７２とポット３０の上板３４との間に開口７８を形成し、回転しているウエハーＷに洗浄液Ｌ２をノズル４０から滴下する。これにより、ウエハーＷによって飛散された洗浄液Ｌ２は、薬液回収溝Ｍ２内に回収される。回収された薬液は、排液パイプ５１を通り、気液分離ボックス６０において、気体と液体とが分離され、液体は排液パイプ５１を通り回収され、気体は排気パイプ６１を通り排気用力ＥＸによる吸気によって外部に排出される。また、薬液回収溝Ｍ２の開口７８は、排気用力によって引かれているため、そこが負圧となり、リング状の開口７８から保持台２０上のウエハーＷへ洗浄液Ｌ２の蒸気、雰囲気が戻ることが防止される。 Next, when performing the chemical treatment with the cleaning liquid L2, the lid 70 is lowered, the connecting portion 74 is brought into contact with the partition plate 36, and the opening switching portion 72 is brought into contact with the end portion of the inner peripheral plate 32. The chemical solution collecting groove M1 is closed. An opening 78 is formed between the opening switching portion 72 of the lid 70 and the upper plate 34 of the pot 30, and the cleaning liquid L 2 is dropped from the nozzle 40 onto the rotating wafer W. Thereby, the cleaning liquid L2 scattered by the wafer W is recovered in the chemical liquid recovery groove M2. The recovered chemical liquid passes through the drainage pipe 51, and the gas and liquid are separated in the gas-liquid separation box 60. The liquid is recovered through the drainage pipe 51, and the gas passes through the exhaust pipe 61 and is exhausted by the exhaust force EX. It is discharged outside by inhalation. Further, since the opening 78 of the chemical solution collecting groove M2 is pulled by the exhaust force, the pressure becomes negative, and the vapor and atmosphere of the cleaning liquid L2 return from the ring-shaped opening 78 to the wafer W on the holding table 20. Is prevented.

本実施の形態に係る洗浄装置では、液専用の薬液回収溝Ｍ１をポット３０の内側にもち、気体と液体とを同時に排出する薬液回収溝Ｍ２をポット３０の外側に配置している。内側の薬液回収溝Ｍ１に蓋７０を設けることによって、必要な薬液回収溝Ｍ１、Ｍ２に対して排気用力ＥＸの排気圧をかけることができるため、無駄を生じない。さらに、薬液回収溝Ｍ１に回収された洗浄液Ｌ１は蓋７０によって外部に出ないので、洗浄液Ｌ１を吸引する力を必要としない。また、ポット３０の内部において、薬液Ｌ１、Ｌ２が接触する面は、蓋７０の表裏の互いに隔離された面を利用するため、薬液Ｌ１、Ｌ２が混ざり合うことがない。このように、本実施の形態によれば、薬液Ｌ１、Ｌ２を効率よく分離回収することができる。 In the cleaning apparatus according to the present embodiment, the chemical recovery groove M1 dedicated to the liquid is provided inside the pot 30, and the chemical recovery groove M2 that discharges gas and liquid simultaneously is arranged outside the pot 30. By providing the lid 70 on the inner chemical liquid recovery groove M1, exhaust pressure of the exhaust force EX can be applied to the required chemical liquid recovery grooves M1 and M2, so no waste occurs. Further, since the cleaning liquid L1 recovered in the chemical liquid recovery groove M1 does not come out by the lid 70, a force for sucking the cleaning liquid L1 is not required. Moreover, since the surface which the chemical | medical solutions L1 and L2 contact in the inside of the pot 30 utilizes the surface mutually isolated on the front and back of the lid | cover 70, the chemical | medical solutions L1 and L2 do not mix. Thus, according to the present embodiment, the chemical liquids L1 and L2 can be efficiently separated and recovered.

次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。第１の実施の形態では、１つの蓋７０を用いて、ポット３０内に２つの薬液回収溝Ｍ１、Ｍ２を形成し、２種類の薬液Ｌ１、Ｌ２を分離回収したが、複数の蓋７０を用いることによって薬液回収溝を増やし、３種類以上の薬液であっても分別回収することを可能とする。 Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment, two chemical liquid recovery grooves M1 and M2 are formed in the pot 30 by using one lid 70, and two types of chemical liquids L1 and L2 are separated and recovered. By using it, the chemical recovery groove is increased, and even three types or more of chemicals can be collected separately.

図２に第２の実施の形態に係る洗浄装置１１の構成を示す。なお、図１と同様の構成については同一参照番号を付してある。ポット３０内には、第１の実施の形態の蓋７０に加えて、第２の蓋８０が設けられている。蓋７０は、上述したように、ポット３０内において洗浄液Ｌ１、Ｌ２の分別回収をするための薬液回収溝Ｍ１、Ｍ２を形成し、第２の蓋８０は、洗浄液Ｌ３を分別回収するための薬液回収溝Ｍ３を形成する。また、蓋８０の接続部８４には、貫通孔８４ａが形成され、ポット３０の底板には、接続部８４と接するように係合する仕切部８６が形成され、仕切板８６には貫通孔８６ａが形成される。 FIG. 2 shows the configuration of the cleaning apparatus 11 according to the second embodiment. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In the pot 30, in addition to the lid 70 of the first embodiment, a second lid 80 is provided. As described above, the lid 70 forms the chemical recovery grooves M1 and M2 for separating and collecting the cleaning liquids L1 and L2 in the pot 30, and the second lid 80 is a chemical liquid for separately recovering the cleaning liquid L3. A recovery groove M3 is formed. Further, a through hole 84a is formed in the connecting portion 84 of the lid 80, and a partitioning portion 86 that engages with the connecting portion 84 is formed in the bottom plate of the pot 30, and the through hole 86a is formed in the partition plate 86. Is formed.

図２(ａ)に示す状態では、蓋７０および蓋８０の開口切り換え部７２、８２はそれぞれポット３０の上板３４に当接され、薬液回収溝Ｍ１がアクティブとなっている。ウエハーＷから飛散された洗浄液Ｌ１は、排液パイプ５０から回収され、同時に、気体成分は開口７７を介して排気用力ＥＸに吸引される。このとき、蓋８０の接続部８４の貫通孔８４ａは、仕切部８６の貫通孔８６ａと異なる位置にあり、薬液回収溝Ｍ３は、蓋８０によって閉じられている。 In the state shown in FIG. 2A, the opening switching portions 72 and 82 of the lid 70 and the lid 80 are in contact with the upper plate 34 of the pot 30, respectively, and the chemical solution recovery groove M1 is active. The cleaning liquid L 1 scattered from the wafer W is collected from the drain pipe 50, and at the same time, the gas component is sucked into the exhaust force EX through the opening 77. At this time, the through hole 84 a of the connection portion 84 of the lid 80 is located at a position different from the through hole 86 a of the partition portion 86, and the chemical solution recovery groove M 3 is closed by the lid 80.

図２(ｂ)に示す状態では、蓋７０および蓋８０が下降し、それらの開口切り換え部７２、８２が、ポット３０の内周板３２の端部に配され、蓋７０の接続部７４が仕切部３６に当接し、薬液回収溝Ｍ１、Ｍ２が蓋７０、８０によって閉じられる。このとき、蓋８０の接続部８４の貫通孔８４ａが仕切部８６の貫通孔８６ａと一致される。これにより、薬液回収溝Ｍ３がアクティブとなり、ノズル４０から滴下された薬液Ｌ３は、ウエハーＷの表面から飛散され、回収溝Ｍ３に回収される。液体は、排液パイプ５２から排出され、気体は、貫通孔８６ａ、８４ａを通り、排気パイプ６１から排気される。同時に、貫通孔８６ａ、８４ａを介して、薬液回収溝Ｍ３の開口８８を負圧にし、薬液Ｌ３の蒸気や雰囲気がウエハーＷに戻ることを防止する。 In the state shown in FIG. 2B, the lid 70 and the lid 80 are lowered, their opening switching portions 72 and 82 are arranged at the end of the inner peripheral plate 32 of the pot 30, and the connection portion 74 of the lid 70 is The chemical liquid collection grooves M1 and M2 are closed by the lids 70 and 80 in contact with the partition portion 36. At this time, the through hole 84 a of the connection portion 84 of the lid 80 is matched with the through hole 86 a of the partition portion 86. Thereby, the chemical solution recovery groove M3 becomes active, and the chemical solution L3 dropped from the nozzle 40 is scattered from the surface of the wafer W and recovered in the recovery groove M3. The liquid is discharged from the drainage pipe 52, and the gas is exhausted from the exhaust pipe 61 through the through holes 86a and 84a. At the same time, the opening 88 of the chemical solution recovery groove M3 is set to a negative pressure through the through holes 86a and 84a to prevent the vapor or atmosphere of the chemical solution L3 from returning to the wafer W.

図３に示す状態では、蓋８０がポット３０の上板３４に当接され、蓋７０が下降し薬液回収溝Ｍ１を閉じている。この例は、図１（ｂ）のときと同様であり、ノズル４０から供給された洗浄液Ｌ２が、薬液回収溝Ｍ２によって分別回収される。 In the state shown in FIG. 3, the lid 80 is brought into contact with the upper plate 34 of the pot 30, and the lid 70 is lowered to close the chemical solution collecting groove M1. This example is the same as in FIG. 1B, and the cleaning liquid L2 supplied from the nozzle 40 is collected separately by the chemical recovery groove M2.

次に本発明の第３の実施の形態を説明する。図４は、第３の実施の形態に係る洗浄装置１２の構成を示す断面図である。第３の実施の態様では、ポット３０の薬液回収溝Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３にそれぞれ接続される気液分離ボックス９０、９１、９２を接続し、そこで分離された気体を排気用力ＥＸ９３の排気圧で排出する構成を有する。第２の実施の形態の場合には、ポット３０内において気液分離を行うため、薬液回収溝Ｍ１、Ｍ３で薬液を回収する際に、薬液回収溝Ｍ２に接続される排気用力の排気圧を利用したが、第３の実施形態では、ポット３０外において気液分離を行うものである。 Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the cleaning device 12 according to the third embodiment. In the third embodiment, gas-liquid separation boxes 90, 91, 92 connected to the chemical liquid collecting grooves M 1, M 2, M 3 of the pot 30 are connected, respectively, and the gas separated there is exhausted by the exhaust pressure of the exhaust force EX 93. It has a configuration for discharging. In the case of the second embodiment, in order to perform gas-liquid separation in the pot 30, when recovering the chemical liquid in the chemical liquid recovery grooves M1, M3, the exhaust pressure of the exhaust force connected to the chemical liquid recovery groove M2 is set. Although used, in the third embodiment, gas-liquid separation is performed outside the pot 30.

第１の実施の形態に係る洗浄装置を用いたときの、ウエハーＷ上のウォーターマーク、パーティクルのサイズが同等であるために必要な、排気圧とその口径を従来装置（図５（ａ）に示す構成）と比較した。 When the cleaning apparatus according to the first embodiment is used, the conventional apparatus (FIG. 5 (a)) shows the exhaust pressure and the diameter required for the watermark and particle sizes on the wafer W to be equal. Compared to the configuration shown).

この条件から、排気用力に求められる流量を比較した。

From this condition, the flow rate required for exhaust power was compared.

この結果、第１の実施形態の洗浄装置は、従来技術に比べて、必要な排気流量を４６．８％に低減することができ、十分な効果が得られたことがわかる。 As a result, it can be seen that the cleaning apparatus of the first embodiment can reduce the required exhaust gas flow rate to 46.8% compared with the prior art, and a sufficient effect is obtained.

次に、第１の実施の形態の洗浄装置による分別回収効率の改善結果を示す。薬液Ｌ１には、０．５ｗｔ％ＨＦを用い、また、薬液Ｌ２にはリンス水として純水を用い、ＨＦ処理、リンス、乾燥の一連の工程をウエハー５０枚について処理した。タンクから供給された薬液Ｌ１、Ｌ２をノズル４０を介してウエハーＷに散布し、飛散した薬液Ｌ１、Ｌ２を薬液回収溝Ｍ１、Ｍ２から回収してタンクに戻し、繰り返し使用した。薬液Ｌ１のＨＦ濃度およびその減り量によって、分別回収の能力を測定した。また、薬液Ｌ１の供給ラインの濃度をインライン濃度計で測定し、薬液Ｌ１の使用量はタンクの液面低下量から算出した。 Next, the improvement result of the fraction collection efficiency by the cleaning apparatus of the first embodiment will be shown. For the chemical liquid L1, 0.5 wt% HF was used, and for the chemical liquid L2, pure water was used as rinsing water, and a series of steps of HF treatment, rinsing, and drying were performed on 50 wafers. The chemical liquids L1 and L2 supplied from the tank were sprayed on the wafer W through the nozzle 40, and the scattered chemical liquids L1 and L2 were recovered from the chemical liquid recovery grooves M1 and M2, returned to the tank, and repeatedly used. The ability of fractional collection was measured by the HF concentration of the drug solution L1 and the amount of decrease. Moreover, the concentration of the supply line of the chemical liquid L1 was measured with an in-line densitometer, and the usage amount of the chemical liquid L1 was calculated from the amount of decrease in the liquid level of the tank.

上記測定結果からも明らかなように、本実施形態の洗浄装置による分別回収能力が従来技術よりも改善されていることが理解される。 As can be seen from the above measurement results, it is understood that the separation and collection capability of the cleaning apparatus of this embodiment is improved over the prior art.

次に、パーティクルカウンタによって処理後のウエハー上のウォータマークとゴミを測定した。 Next, the watermark and dust on the processed wafer were measured by a particle counter.

この結果からも明らかなように、パーティクル数が大幅に減少しており、排気用力の効率が優れていることが理解される。 As is apparent from this result, it is understood that the number of particles is greatly reduced, and the efficiency of the exhaust force is excellent.

以上説明したように、本実施の形態によれば、排気用力を大幅に削減することが可能となり、薬液回収およびその再利用システムとの併用により、ウエハー１枚あたりの洗浄で廃棄する薬液量を大幅に削減することが可能となる。必要な用力の低減、薬液使用量の低減および分別回収・再利用が確実になることで、本技術を利用した半導体洗浄装置は地球環境保護の大きく貢献することができる。 As described above, according to the present embodiment, the exhaust power can be greatly reduced, and the amount of the chemical liquid to be discarded by cleaning per wafer can be reduced by using the chemical liquid recovery and its reuse system together. It becomes possible to reduce significantly. By reducing the required utility, reducing the amount of chemicals used, and ensuring separate collection and reuse, semiconductor cleaning equipment using this technology can greatly contribute to the protection of the global environment.

次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。第３の実施の形態に係る洗浄装置１３は、上記第１の実施例の洗浄装置に、光照射機能を付加したものである。上記したように、洗浄装置によってウエハーＷのＨＦ処理、リンス、乾燥等の一連の工程を行うとき、光照射機能を利用することで、ウエハー表面の水分の乾燥や有機物の分解を同時に行うことができる。 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. The cleaning device 13 according to the third embodiment is obtained by adding a light irradiation function to the cleaning device of the first example. As described above, when performing a series of steps such as HF treatment, rinsing, and drying of the wafer W by the cleaning device, it is possible to simultaneously dry the moisture on the wafer surface and decompose organic substances by using the light irradiation function. it can.

図５（ａ）に示すように、保持台の上方に上部光照射装置Ｇ１を配置し、保持台２０の内部に下部光照射装置Ｇ２を配置することができる。上部光照射装置Ｇ１は、好ましくは、ノズル４０を一体に接続するものであってもよく、その場合、ノズル４０がほぼ中央に取り付けられる。また、下部光照射装置Ｇ２は、好ましくは、保持台２０の内部に形成された空間内に配置され、保持台２０が回転するとき、その内部空間において停止される。上部光照射装置Ｇ１および下部光照射装置Ｇ２は、ウエハーＷに対して近接した距離に配置され、好ましくは、ウエハーＷの前面および裏面に対してほぼ均一な強度で光を照射する。 As shown in FIG. 5A, the upper light irradiation device G 1 can be arranged above the holding table, and the lower light irradiation device G 2 can be arranged inside the holding table 20. The upper light irradiation device G1 may preferably be one that integrally connects the nozzles 40, and in that case, the nozzles 40 are attached substantially at the center. Further, the lower light irradiation device G2 is preferably arranged in a space formed inside the holding table 20, and is stopped in the internal space when the holding table 20 rotates. The upper light irradiation device G1 and the lower light irradiation device G2 are disposed at a distance close to the wafer W, and preferably irradiate the front and back surfaces of the wafer W with substantially uniform intensity.

光照射装置Ｇ１、Ｇ２は、例えば、紫外線を照射するランプ（水銀ランプなど）を用いることができる。ウエハーＷのリンス中に、光照射装置Ｇ１、Ｇ２から紫外線をウエハーＷに照射することで、ウエハーＷの表面に残存する有機物を分解することができる。この場合、ウエハーＷは回転していてもよいし、停止していても良い。例えば、微量残存レジスト、有機薬液、および極僅かに残存する有機物などを好適に紫外線によって分解することができる。光照射装置Ｇ１、Ｇ２の双方から紫外線を照射すれば、ウエハーＷの両面の有機物の分解を同時に行うことができる。 For example, a lamp (such as a mercury lamp) that irradiates ultraviolet rays can be used as the light irradiation devices G1 and G2. During the rinsing of the wafer W, the organic matter remaining on the surface of the wafer W can be decomposed by irradiating the wafer W with ultraviolet rays from the light irradiation devices G1 and G2. In this case, the wafer W may be rotating or may be stopped. For example, a very small amount of residual resist, organic chemical solution, and a very small amount of remaining organic matter can be suitably decomposed by ultraviolet rays. If ultraviolet rays are irradiated from both the light irradiation devices G1 and G2, organic substances on both surfaces of the wafer W can be decomposed simultaneously.

光照射装置Ｇ１、Ｇ２は、紫外線ランプ以外にも、赤外線を照射するランプを用いることも可能である。この場合、ウエハーＷは回転していてもよいし、停止していても良い。例えば、ウエハーＷの乾燥工程において、光照射装置Ｇ１、Ｇ２から赤外線をウエハーＷに照射することで、ウエハーＷの表面に残存する水分の蒸発を促進させることができる。微細パターン領域に残存する水分によるウォーターマークの発生を効果的に抑制することができる。 In addition to the ultraviolet lamp, the light irradiation devices G1 and G2 can also use a lamp that emits infrared rays. In this case, the wafer W may be rotating or may be stopped. For example, in the drying process of the wafer W, by irradiating the wafer W with infrared rays from the light irradiation devices G1 and G2, evaporation of moisture remaining on the surface of the wafer W can be promoted. Generation of a watermark due to moisture remaining in the fine pattern region can be effectively suppressed.

図６は、図５の洗浄装置１３によるウエハーＷの処理の一例を示すフローである。以下のフローでは、光照射装置Ｇ１、Ｇ２は、紫外線照射用のランプと赤外線照射用のランプの双方を組み合わせて持ち、紫外線ランプと赤外線ランプの駆動を、工程に応じて切り替えるものとする。 FIG. 6 is a flowchart showing an example of processing of the wafer W by the cleaning device 13 of FIG. In the following flow, it is assumed that the light irradiation devices G1 and G2 have both the ultraviolet irradiation lamp and the infrared irradiation lamp in combination, and switch the driving of the ultraviolet lamp and the infrared lamp according to the process.

ノズル４０からＨＦ薬液（Ｌ１）を散布し、ウエハーＷをＨＦ洗浄する（ステップＳ１０１）。次に、ノズルから純水（Ｌ２）をウエハーＷへ散布し、ウエハーＷのリンスを行う（ステップＳ１０２）。純水の散布と同時に、光照射装置Ｇ１、Ｇ２から紫外線を照射し、ウエハーＷの両面の有機物等の分解を行う（ステップＳ１０３）。次に、ノズル４０からの純水の散布を停止し、常温もしくは高温下において、ウエハーＷのスピン乾燥を行う（ステップＳ１０４）。スピン乾燥と同時に光照射装置Ｇ１、Ｇ２により赤外線をウエハーＷに照射し（ステップＳ１０５）、ウエハーＷの乾燥を促進させる。 HF chemical solution (L1) is sprayed from the nozzle 40, and the wafer W is HF cleaned (step S101). Next, pure water (L2) is sprayed from the nozzle onto the wafer W, and the wafer W is rinsed (step S102). Simultaneously with the spraying of pure water, ultraviolet rays are irradiated from the light irradiation devices G1 and G2 to decompose organic substances and the like on both surfaces of the wafer W (step S103). Next, the spraying of pure water from the nozzle 40 is stopped, and the wafer W is spin-dried at room temperature or high temperature (step S104). Simultaneously with the spin drying, the wafer W is irradiated with infrared rays by the light irradiation devices G1 and G2 (step S105), and the drying of the wafer W is promoted.

さらに、上部光照射装置Ｇ１とウエハーＷとの間、下部光照射装置Ｇ２とウエハーＷとの間を、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気にするようにしてもよい。例えば、他のノズルを用意し、ウエハーＷの上下に一定流量の窒素ガスを吹き付けることでウエハーＷの周囲を不活性雰囲気にすることができる。ウエハーＷの周囲を不活性ガス雰囲気にすることで、紫外線照射によるオゾンの発生を抑制し、また、大気による光の減衰を抑制することができる。 Further, an inert gas atmosphere such as nitrogen gas may be provided between the upper light irradiation device G1 and the wafer W and between the lower light irradiation device G2 and the wafer W. For example, by preparing another nozzle and blowing nitrogen gas at a constant flow rate above and below the wafer W, the periphery of the wafer W can be made an inert atmosphere. By making the periphery of the wafer W an inert gas atmosphere, generation of ozone due to ultraviolet irradiation can be suppressed, and attenuation of light by the atmosphere can be suppressed.

上記した上下光照射装置Ｇ１、Ｇ２は、リンス工程や乾燥工程と同時に使用する他、単独でウエハーの処理に用いることも可能である。さらに、光照射装置は、必ずしもウエハーＷの上下に配する必要はなく、ウエハーＷの上方または下方のいずれか一方に配置するものであってもよい。 The vertical light irradiation devices G1 and G2 described above can be used at the same time as the rinse process and the drying process, or can be used alone for wafer processing. Further, the light irradiation device is not necessarily arranged above and below the wafer W, and may be arranged above or below the wafer W.

本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 The preferred embodiments of the present invention have been described in detail, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

実施の形態では、半導体ウエハーの洗浄装置を例にしたが、シリコンウエハーや化合物ウエハー以外にも液晶パネル等の基板の処理にも適用することができる。さらに、ポットの形状や大きさ、材質等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更が可能である。また、蓋の形状や、蓋の数、あるいは回収用溝の数も、適宜変更することが可能である。 In the embodiment, the semiconductor wafer cleaning apparatus is taken as an example, but the present invention can be applied to processing of a substrate such as a liquid crystal panel in addition to a silicon wafer and a compound wafer. Furthermore, the shape, size, material, and the like of the pot can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. Further, the shape of the lid, the number of lids, or the number of collection grooves can be appropriately changed.

本発明に係る基板処理装置および基板処理方法は、基板の処理に利用することができ、特に、半導体ウエハー等の基板の処理、例えば、洗浄工程において利用することができる。 The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention can be used for processing a substrate, and in particular, can be used for processing a substrate such as a semiconductor wafer, for example, in a cleaning process.

本発明の第１の実施の形態に係る洗浄装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the washing | cleaning apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る洗浄装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the washing | cleaning apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る洗浄装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the washing | cleaning apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態に係る洗浄装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the washing | cleaning apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施例に係る洗浄装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the washing | cleaning apparatus which concerns on the 4th Example of this invention. 第４の実施例に係る洗浄装置による処理フローの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the processing flow by the washing | cleaning apparatus which concerns on a 4th Example. 図７(ａ)は、従来の洗浄装置（水平分離方式）の一構成例を示す断面図であり、図７(ｂ)は、従来の洗浄装置（垂直分離方式）の一構成例を示す断面図である。FIG. 7A is a cross-sectional view showing a configuration example of a conventional cleaning device (horizontal separation method), and FIG. 7B is a cross-sectional view showing a configuration example of a conventional cleaning device (vertical separation method). FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１０洗浄装置２０保持台
２１回転軸２２保持面
２３把持具３０ポット
３１開口３２内周板
３３外周板３４上板
３５底板３６仕切板
４０ノズル５０排液パイプ
５１排液パイプ６０気液分離ボックス
６１排気パイプ７０蓋
７２開口切り換え部７４接続部
７６開口７７開口
７８開口８０蓋
８４ａ貫通孔８６仕切板
８６ａ貫通孔
Ｇ１、Ｇ２光照射装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Cleaning apparatus 20 Holding stand 21 Rotating shaft 22 Holding surface 23 Holding tool 30 Pot 31 Opening 32 Inner peripheral plate 33 Outer peripheral plate 34 Upper plate 35 Bottom plate 36 Partition plate 40 Nozzle 50 Drain pipe 51 Drain pipe 60 Gas-liquid separation box 61 Exhaust pipe 70 Lid 72 Opening switching part 74 Connection part 76 Opening 77 Opening 78 Opening 80 Lid 84a Through hole 86 Partition plate 86a Through hole G1, G2 Light irradiation device

Claims

基板を回転可能に保持する保持台と、
前記基板上に処理液を供給する供給部と、
前記保持台の外周に配され、前記基板から飛散された処理液を回収するポットと、
前記基板に対して光照射をする少なくとも１つの光照射装置とを有し、
前記ポットは、前記保持台の軸方向に移動可能な少なくとも一つの仕切部材を含み、前記少なくとも一つの仕切部材の位置を変えることで内部に複数の処理液回収用の空間を形成可能とする、基板処理装置。 A holding base for rotatably holding the substrate;
A supply unit for supplying a treatment liquid onto the substrate;
A pot that is arranged on the outer periphery of the holding table and collects the processing liquid scattered from the substrate;
Having at least one light irradiation device for irradiating the substrate with light,
The pot includes at least one partition member movable in the axial direction of the holding table, and a plurality of processing liquid recovery spaces can be formed therein by changing the position of the at least one partition member. Substrate processing equipment.

前記仕切部材が第１の位置にあるとき、前記ポット内の第１の処理液回収用の空間に開口が形成され、かつ、第２の処理液回収用の空間の開口が閉じられる、請求項１に記載の基板処理装置。 The opening of the first processing liquid recovery space in the pot is formed when the partition member is at the first position, and the opening of the second processing liquid recovery space is closed. 2. The substrate processing apparatus according to 1.

前記仕切部材が第２の位置にあるとき、前記ポット内の第１の処理液回収用の空間の開口が閉じられる、第２の処理液回収用の空間に開口が形成される、請求項１に記載の基板処理装置。 The opening is formed in the second processing liquid recovery space, wherein the opening of the first processing liquid recovery space in the pot is closed when the partition member is in the second position. 2. The substrate processing apparatus according to 1.

前記第１の処理液回収用の空間は第１の処理液を回収し、前記第２の処理液回収用の空間は第２の処理液を回収する、請求項１ないし３いずれかに記載の基板処理装置。 The space for collecting the first processing liquid collects the first processing liquid, and the space for collecting the second processing liquid collects the second processing liquid. Substrate processing equipment.

前記基板処理装置はさらに、前記ポットに接続された排液パイプと、該排液パイプに接続された気液分離部とを含み、前記気液分離部は排気用力に接続される、請求項１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus further includes a drain pipe connected to the pot, and a gas-liquid separator connected to the drain pipe, and the gas-liquid separator is connected to an exhaust force. 2. The substrate processing apparatus according to 1.

前記光照射装置は、保持台の上部と下部にそれぞれ配置される、請求項１ないし５いずれか１つに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the light irradiation device is disposed on an upper part and a lower part of a holding table, respectively.

前記光照射装置は、紫外線または赤外線を基板に対して照射する、請求項１ないし６いずれか１つに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the light irradiation device irradiates the substrate with ultraviolet rays or infrared rays.

回転可能の保持された基板上に処理液を供給し、前記基板から飛散された処理液をポットにて回収する機能を備えた基板処理装置であって、
保持台の少なくも上方または下方に光照射装置が配置され、
前記ポットは前記保持台の外周に配され、その内部に処理液を分別回収するための複数の処理液回収用溝を形成し、前記複数の処理液回収用溝の各々は、移動可能に設けられた仕切部材によって互いに隔離される、基板処理装置。 A substrate processing apparatus having a function of supplying a processing liquid onto a rotatable held substrate and collecting the processing liquid scattered from the substrate in a pot,
The light irradiation device is arranged at least above or below the holding table,
The pot is arranged on the outer periphery of the holding table, and a plurality of treatment liquid collection grooves for separating and collecting the treatment liquid are formed therein, and each of the plurality of treatment liquid collection grooves is movably provided. A substrate processing apparatus which is separated from each other by a partition member formed.

前記仕切部材が第１の位置にあるとき、前記ポット内の第１の処理液回収溝が使用可能な状態となり、第２の処理液回収溝が非使用状態となる、請求項８に記載の基板処理装置。 9. The method according to claim 8, wherein when the partition member is in the first position, the first processing liquid recovery groove in the pot is usable, and the second processing liquid recovery groove is not used. Substrate processing equipment.

前記仕切部材が第２の位置にあるとき、前記ポット内の第１の処理液回収溝が非使用状態となり、第２の処理液回収溝が使用可能状態となる、請求項８に記載の基板処理装置。 The substrate according to claim 8, wherein when the partition member is in the second position, the first processing liquid recovery groove in the pot is in a non-use state and the second processing liquid recovery groove is in a usable state. Processing equipment.

前記第１、第２の処理液回収溝は、前記保持台と同心円状に配される、請求項８、９または１０に記載の基板処理装置。 11. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the first and second processing liquid recovery grooves are arranged concentrically with the holding table.

前記光照射装置は、前記保持台に保持された基板の少なくとも一方の面に光を照射する、請求項８ないし１１いずれか１つに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the light irradiation apparatus irradiates light on at least one surface of the substrate held on the holding table.

前記保持台の上方に配置された光照射装置は、前記保持台上に複数の処理液を滴下可能なノズルを含む、請求項８ないし１２いずれか１つに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the light irradiation device disposed above the holding table includes a nozzle capable of dropping a plurality of processing liquids on the holding table.

前記第１または第２の処理液回収溝は、負圧に吸引される、請求項８、９、１０、１１、１２または１３に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8, 9, 10, 11, 12, or 13, wherein the first or second processing liquid recovery groove is sucked to a negative pressure.

基板を回転可能に保持する保持台と、保持台の外周に配され基板の処理に用いられた処理液を回収する機能を備えたポットとを含む基板処理装置の処理方法であって、
前記ポット内の仕切部材を第１の位置に移動させることで、前記ポット内に、基板に供給される第１の処理液に対応する第１の処理液回収用の空間を形成し、
前記基板上に第１の処理液を供給し、前記基板から飛散された第１の処理液を第１の処理液回収用の空間において回収し、
前記基板の少なくとも一方の面に対して第１の光を照射する、
基板処理方法。 A processing method for a substrate processing apparatus, comprising: a holding table that rotatably holds a substrate; and a pot that has a function of collecting a processing liquid that is disposed on an outer periphery of the holding table and is used for processing a substrate,
By moving the partition member in the pot to the first position, a space for collecting the first processing liquid corresponding to the first processing liquid supplied to the substrate is formed in the pot,
Supplying a first processing liquid onto the substrate, and collecting the first processing liquid scattered from the substrate in a first processing liquid recovery space;
Irradiating at least one surface of the substrate with a first light;
Substrate processing method.

前記仕切部材が第１の位置にあるとき、前記ポット内の第２の処理液回収用の空間の開口が閉じられる、請求項１５に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 15, wherein when the partition member is in the first position, the opening of the second processing liquid recovery space in the pot is closed.

前記基板処理方法は、前記仕切部材を第２の位置に移動させることで、前記ポット内に、基板に供給される第２の処理液に対応する第２の処理液回収用の空間を形成し、第２の処理液回収用の空間により第２の処理液を回収し、
前記基板の少なくとも一方の面に対して第２の光を照射する、
請求項１５に記載の基板処理方法。 In the substrate processing method, by moving the partition member to a second position, a second processing liquid recovery space corresponding to the second processing liquid supplied to the substrate is formed in the pot. The second processing liquid is recovered by the second processing liquid recovery space,
Irradiating at least one surface of the substrate with second light;
The substrate processing method according to claim 15.

第１、第２の光は、紫外線または赤外線のいずれかである、請求項１５ないし１７いずれかに記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 15, wherein the first and second lights are either ultraviolet rays or infrared rays.

赤外線を基板に照射することで基板を乾燥させる、請求項１５ないし１８いずれか１つに記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 15, wherein the substrate is dried by irradiating the substrate with infrared rays.

紫外線を基板に照射することで基板上の有機物を分解する、請求項１５ないし１８いずれか１つに記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 15, wherein organic substances on the substrate are decomposed by irradiating the substrate with ultraviolet rays.