JP2005259931A

JP2005259931A - Substrate treatment device

Info

Publication number: JP2005259931A
Application number: JP2004068554A
Authority: JP
Inventors: Norihiko Kataoka; 紀彦片岡; Mitsuru Funakura; 船倉　　満; Isao Teranishi; 勲寺西
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2004-03-11
Filing date: 2004-03-11
Publication date: 2005-09-22

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment device for performing easier recovery work if a process is completed irregularly in the course of the process on the substrate. <P>SOLUTION: The substrate treatment device comprises a plurality of treatment chambers for treating a plurality of substrate sheet by sheet, a transferring chamber which is adjacently connected with a plurality of treatment chambers to transfer the substrates to be treated in the treatment chambers, a first storage area for storing a sequence recipe to define the treatment sequence of the substrates in the treatment chambers, and a control unit for controlling the treatment of the substrates in the treatment chambers on the basis of the stored sequence recipe. Moreover, this substrate treatment device further comprises a second storage area for storing, corresponding to the sequence recipe, a post recipe defining the process for setting temperatures and pressures in the treatment chambers to predetermined states, and a post recipe executing unit for executing a post recipe stored corresponding to the sequence recipe in which the treatment is interrupted when the treatment is interrupted during the execution of the treatment based on the sequence recipe. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a single wafer processing apparatus for processing substrates one by one.

基板を一枚ずつ処理する枚葉式基板処理装置においては、被処理基板をカセットから取り出し、処理室（ＰＭ：ＰｒｏｃｅｓｓＭｏｄｕｌｅ）まで搬送し、そこで成膜処理を施し、その後に基板冷却を経てカセットに戻す。 In a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one, the substrate to be processed is taken out from the cassette, transported to a processing chamber (PM), where film formation is performed, and then the substrate is cooled and then cassette is cooled. Return to.

このような処理を複数の基板単位（ロット）に行うのであるが、ＰＭ内での基板に対する圧力や温度などは、プロセスレシピとして定義されている。また、複数の基板に対する一連の動作をシーケンスレシピとして、搬送経路やプロセスレシピ等を定義する。 Such processing is performed for a plurality of substrate units (lots), and the pressure, temperature, and the like on the substrate in the PM are defined as process recipes. In addition, a transfer route, a process recipe, and the like are defined using a series of operations for a plurality of substrates as a sequence recipe.

さらには、一連の基板処理が終了した後に、ＰＭを定常（ＩＤＬＥ）状態として、温度や圧力を安定した状態に保つことが必要であり、この動作はポストレシピとして定義されている。ここでのＩＤＬＥ状態とは、ＰＭ内の温度、圧力、ガス雰囲気およびウェーハ台などの各種状態が、問題なく次のプロセス処理を行うことができる状態（例えば、温度＝プロセス温度近傍、圧力＝高真空状態、ガス雰囲気＝Ｎ２パージ状態、ウェーハ台（エレベータ位置）＝プロセス位置）を意味する。 Furthermore, after a series of substrate processing is completed, it is necessary to set PM to a steady (IDLE) state and maintain a stable temperature and pressure, and this operation is defined as a post recipe. Here, the IDLE state is a state in which various processes such as the temperature, pressure, gas atmosphere and wafer stage in the PM can perform the next process without any problem (for example, temperature = near process temperature, pressure = high Vacuum state, gas atmosphere = N 2 purge state, wafer stage (elevator position) = process position).

ポストレシピは、基板処理時の温度・圧力に適したものが必要で、ＰＭ毎に複数必要となる場合がある。このとき、ポストレシピの指定は、ＰＭ毎に一意ではなくなるため、各シーケンスレシピに対応づけられている。 Post recipes that are suitable for the temperature and pressure during substrate processing are required, and a plurality of post recipes may be required for each PM. At this time, since the designation of the post recipe is not unique for each PM, it is associated with each sequence recipe.

このような枚葉式基板処理装置では、全ての基板処理が正常に終了することが理想であるが、装置部品の劣化等、種々の原因により、運転中に動作が停止してしまうことがある。 In such a single-wafer type substrate processing apparatus, it is ideal that all substrate processing is completed normally, but the operation may stop during operation due to various causes such as deterioration of apparatus parts. .

運転が停止した場合、滞留している基板を回収するのはもちろんだが、基板処理装置を使った工場では、高効率生産を求められており、異常状態から装置を迅速に復旧させることが要求されており、基板回収後のＰＭを早急にＩＤＬＥ状態に復帰させることも重要である。 Of course, if the operation stops, the accumulated substrate is collected, but the factory using the substrate processing equipment demands high-efficiency production, and it is required to quickly restore the equipment from the abnormal state. It is also important to quickly return the PM after substrate recovery to the IDLE state.

しかし、ＰＭを異常状態からＩＤＬＥ状態に復帰させる作業が温度・圧力等の多くのパラメータの調整を要し、その装置を理解している人間でなければ、困難である。 However, the operation of returning the PM from the abnormal state to the IDLE state requires adjustment of many parameters such as temperature and pressure, and is difficult unless the person understands the device.

また、正常に終了したものであればポストレシピとして定義されていたものを自動実行すればよいが、枚葉装置の場合、複数のＰＭに対して、異常発生時にどのポストレシピを使って復旧させるのが適当か、即座に判断しかねる場合もあった。 In addition, if it is completed normally, what is defined as a post recipe may be automatically executed. However, in the case of a single wafer apparatus, which PM is used to restore a plurality of PMs when an abnormality occurs. In some cases, it was impossible to immediately judge whether this was appropriate.

本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、基板への処理動作の途中で処理動作が異常終了した場合に、簡便に復旧作業を行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a substrate processing apparatus that can easily perform a recovery operation when a processing operation ends abnormally in the middle of a processing operation on a substrate. For the purpose.

上述した課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、複数枚の基板を一枚ずつ処理する複数の処理室と、前記複数の処理室に連接し、前記処理室で処理される基板を搬送するための搬送室と、前記処理室における基板の処理手順を定義するシーケンスレシピを記憶する第１の記憶領域と、前記記憶されたシーケンスレシピに基づいて前記処理室における基板の処理を制御する制御部とを有する基板処理装置において、前記処理室内の温度および圧力を所定の状態にする処理を定義するポストレシピを前記シーケンスレシピに対応付けて記憶する第２の記憶領域と、前記シーケンスレシピに基づく処理を実行中に該処理が中断した場合に、該処理が中断したシーケンスレシピに対応付けて記憶されているポストレシピを実行させるためのポストレシピ実行部とを有することを特徴とするものである。 In order to solve the above-described problems, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a plurality of processing chambers for processing a plurality of substrates one by one, and a substrate connected to the plurality of processing chambers and processed in the processing chamber. A first storage area for storing a sequence recipe that defines a substrate processing procedure in the processing chamber, and processing of the substrate in the processing chamber based on the stored sequence recipe. A second storage area for storing a post recipe defining a process for bringing the temperature and pressure in the processing chamber to a predetermined state in association with the sequence recipe, and the sequence recipe To execute a post-recipe stored in association with the sequence recipe in which the process is interrupted when the process is interrupted during the process based on It is characterized in that it has a post recipe execution unit.

このような構成とすることにより、シーケンスレシピに基づく処理が中断した場合でも、その中断した状態から処理室内の温度および圧力を所定の状態に復帰させるのに温度・圧力等の多くのパラメータの調整についての知識をもたずとも、ポストレシピ実行部により容易に復帰させることができる。 By adopting such a configuration, even when processing based on the sequence recipe is interrupted, many parameters such as temperature and pressure can be adjusted to return the processing chamber temperature and pressure from the interrupted state to a predetermined state. Even without knowledge about the post-recipe execution unit, it can be easily restored.

すなわち、基板への処理動作の途中で処理動作が異常終了した場合に、簡便に復旧作業を行うことができる基板処理装置を提供することができる。 That is, it is possible to provide a substrate processing apparatus that can easily perform a recovery operation when a processing operation ends abnormally during the processing operation on the substrate.

以上に詳述したように本発明によれば、基板への処理動作の途中で処理動作が異常終了した場合に、簡便に復旧作業を行うことができる基板処理装置を提供することができる。 As described above in detail, according to the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus that can easily perform a recovery operation when a processing operation ends abnormally in the middle of a processing operation on a substrate.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

本実施の形態による基板処理装置は、基板を一枚ずつ処理する複数の真空処理室を有する基板処理装置において、何らかの異常が発生した際に、その復旧操作を単純かつ安全に行うための保守機能に関するものである。 The substrate processing apparatus according to the present embodiment has a maintenance function for simply and safely performing a recovery operation when any abnormality occurs in a substrate processing apparatus having a plurality of vacuum processing chambers that process substrates one by one. It is about.

まず、本実施の形態による基板処理装置の構成について説明する。 First, the configuration of the substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described.

図１および図２は、本実施の形態による基板処理装置の構成を説明するための図である。 1 and 2 are diagrams for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the present embodiment.

本実施の形態による基板処理装置においては、ウェーハなどの基板を搬送するキャリアとしては、ＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔｏｐｅｎｉｎｇｕｎｉｆｉｅｄｐｏｄ。以下、ポッドという。）が採用されている。また、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。 In the substrate processing apparatus according to the present embodiment, a FOUP (front opening unified pod; hereinafter referred to as a pod) is adopted as a carrier for transporting a substrate such as a wafer. In the following description, front, rear, left and right are based on FIG. That is, with respect to the paper surface shown in FIG. 1, the front is below the paper surface, the back is above the paper surface, and the left and right are the left and right of the paper surface.

図１および図２に示されているように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室（ＴＭ：ＴｒａｎｓｆｅｒＭｏｄｕｌｅ）１０３を備えており、第一の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１０３には負圧下でウェーハ２００を移載する第一のウェーハ移載機１１２が設置されている。前記第一のウェーハ移載機１１２は、エレベータ１１５によって、第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus has a first transfer chamber (TM: Transfer Module) configured in a load lock chamber structure that can withstand a pressure (negative pressure) less than atmospheric pressure such as a vacuum state. ) 103, and the casing 101 of the first transfer chamber 103 is formed in a box shape in which the plan view is hexagonal and the upper and lower ends are closed. In the first transfer chamber 103, a first wafer transfer machine 112 for transferring the wafer 200 under a negative pressure is installed. The first wafer transfer device 112 is configured to be moved up and down by an elevator 115 while maintaining the airtightness of the first transfer chamber 103.

筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室１２２と搬出用の予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４，１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造（ＬＭ：ＬｏａｄｌｏｃｋＭｏｄｕｌｅ）に構成されている。さらに、予備室１２２には搬入室用の基板置き台１４０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板置き台１４１が設置されている。 The two side walls located on the front side of the six side walls of the housing 101 are connected to the carry-in spare chamber 122 and the carry-out spare chamber 123 via gate valves 244 and 127, respectively. Each of them has a load lock chamber structure (LM) that can withstand negative pressure. Further, a substrate placing table 140 for loading / unloading chamber is installed in the spare chamber 122, and a substrate placing table 141 for unloading chamber is installed in the spare chamber 123.

予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１にはウェーハ２００を移載する第二のウェーハ移載機１２４が設置されている。第二のウェーハ移載機１２４は第二の搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。 A second transfer chamber 121 used at substantially atmospheric pressure is connected to the front side of the preliminary chamber 122 and the preliminary chamber 123 via gate valves 128 and 129. In the second transfer chamber 121, a second wafer transfer device 124 for transferring the wafer 200 is installed. The second wafer transfer device 124 is configured to be moved up and down by an elevator 126 installed in the second transfer chamber 121, and is configured to be reciprocated in the left-right direction by a linear actuator 132. .

図１に示されているように、第二の搬送室１２１の左側にはオリフラ合わせ装置１０６が設置されている。また、図２に示されているように、第二の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。 As shown in FIG. 1, an orientation flat aligning device 106 is installed on the left side of the second transfer chamber 121. Further, as shown in FIG. 2, a clean unit 118 for supplying clean air is installed in the upper part of the second transfer chamber 121.

図１および図２に示されているように、第二の搬送室１２１の筐体１２５には、ウェーハ２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するためのウェーハ搬入搬出口１３４と、前記ウェーハ搬入搬出口を閉塞する蓋１４２と、ポッドオープナ１０８がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１０８は、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウェーハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２を開閉するキャップ開閉機構１３６とを備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウェーハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２をキャップ開閉機構１３６によって開閉することにより、ポッド１００のウェーハ出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、前記ＩＯステージ１０５に、供給および排出されるようになっている。 As shown in FIGS. 1 and 2, a wafer loading / unloading port 134 for loading / unloading the wafer 200 into / from the second transfer chamber 121 is provided in the housing 125 of the second transfer chamber 121, A lid 142 for closing the wafer loading / unloading port and a pod opener 108 are installed. The pod opener 108 includes a cap of the pod 100 placed on the IO stage 105 and a cap opening / closing mechanism 136 that opens and closes a lid 142 that closes the wafer loading / unloading port 134, and the pod placed on the IO stage 105. The lid 142 that closes the cap 100 and the wafer loading / unloading port 134 is opened and closed by the cap opening / closing mechanism 136, so that the pod 100 can be taken in and out of the wafer. The pod 100 is supplied to and discharged from the IO stage 105 by an in-process transfer device (RGV) (not shown).

図１に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち背面側に位置する二枚の側壁には、ウェーハに所望の処理を行う第一の処理炉（処理室）２０２と、第二の処理炉（処理室）１３７とがそれぞれ隣接して連結されている。第一の処理炉２０２および第二の処理炉１３７はいずれもコールドウオール式の処理炉によってそれぞれ構成されている。また、筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第三の処理炉としての第一のクーリングユニット１３８と、第四の処理炉としての第二のクーリングユニット１３９とがそれぞれ連結されており、第一のクーリングユニット１３８および第二のクーリングユニット１３９はいずれも処理済みのウェーハ２００を冷却するように構成されている。また、実施の形態による基板処理装置は、不図示のポストレシピ実行部、不図示の第１の記憶領域（ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤなど）、不図示の第２の記憶領域（ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤなど）および不図示の制御部（ＣＰＵなど）を備えている。 As shown in FIG. 1, two side walls located on the back side among the six side walls of the housing 101 are provided with a first processing furnace (processing chamber) 202 for performing a desired process on the wafer. The second processing furnace (processing chamber) 137 is connected adjacently. Both the first processing furnace 202 and the second processing furnace 137 are each constituted by a cold wall type processing furnace. The remaining two side walls of the casing 101 that are opposite to each other are provided with a first cooling unit 138 as a third processing furnace and a second processing furnace as a fourth processing furnace. A cooling unit 139 is connected to each other, and both the first cooling unit 138 and the second cooling unit 139 are configured to cool the processed wafer 200. Further, the substrate processing apparatus according to the embodiment includes a post-recipe execution unit (not shown), a first storage area (RAM, ROM, HDD, etc.) not shown, and a second storage area (RAM, ROM, HDD, not shown). Etc.) and a control unit (CPU etc.) (not shown).

以下、上述のような構成の基板処理装置を使用した処理工程を説明する。 Hereinafter, processing steps using the substrate processing apparatus configured as described above will be described.

未処理のウェーハ２００は２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１および図２に示されているように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ及びウェーハ搬入搬出口１３４を開閉する蓋１４２がキャップ開閉機構１３６によって取り外され、ポッド１００のウェーハ出し入れ口が開放される。 In a state where 25 unprocessed wafers 200 are accommodated in the pod 100, the unprocessed wafer 200 is transferred to the substrate processing apparatus for performing the processing process by the in-process transfer apparatus. As shown in FIGS. 1 and 2, the pod 100 that has been transported is delivered and placed on the IO stage 105 from the in-process transport device. The cap 142 for opening and closing the cap of the pod 100 and the wafer loading / unloading port 134 is removed by the cap opening / closing mechanism 136, and the wafer loading / unloading port of the pod 100 is opened.

ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第二の搬送室１２１に設置された第二のウェーハ移載機１２４はポッド１００からウェーハ２００をピックアップし、予備室１２２に搬入し、ウェーハ２００を基板置き台１４０に移載する。この移載作業中には、第一の搬送室１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、第一の搬送室１０３の負圧は維持されている。ウェーハ２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。 When the pod 100 is opened by the pod opener 108, the second wafer transfer machine 124 installed in the second transfer chamber 121 picks up the wafer 200 from the pod 100, loads it into the preliminary chamber 122, and loads the wafer 200. Transfer to the substrate table 140. During this transfer operation, the gate valve 244 on the first transfer chamber 103 side is closed, and the negative pressure in the first transfer chamber 103 is maintained. When the transfer of the wafer 200 to the substrate table 140 is completed, the gate valve 128 is closed and the preliminary chamber 122 is exhausted to a negative pressure by an exhaust device (not shown).

予備室１２２が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２４４、１３０が開かれ、予備室１２２、第一の搬送室１０３、第一の処理炉２０２が連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一のウェーハ移載機１１２は基板置き台１４０からウェーハ２００をピックアップして第一の処理炉２０２に搬入する。そして、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理がウェーハ２００に行われる。 When the preliminary chamber 122 is depressurized to a preset pressure value, the gate valves 244 and 130 are opened, and the preliminary chamber 122, the first transfer chamber 103, and the first processing furnace 202 are communicated. Subsequently, the first wafer transfer machine 112 in the first transfer chamber 103 picks up the wafer 200 from the substrate table 140 and carries it into the first processing furnace 202. Then, a processing gas is supplied into the first processing furnace 202 and a desired process is performed on the wafer 200.

第一の処理炉２０２で前記処理が完了すると、処理済みのウェーハ２００は第一の搬送室１０３の第一のウェーハ移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。 When the processing is completed in the first processing furnace 202, the processed wafer 200 is carried out to the first transfer chamber 103 by the first wafer transfer device 112 in the first transfer chamber 103.

そして、第一のウェーハ移載機１１２は第一の処理炉２０２から搬出したウェーハ２００を第一のクーリングユニット１３８へ搬入し、処理済みのウェーハを冷却する。 Then, the first wafer transfer machine 112 carries the wafer 200 unloaded from the first processing furnace 202 into the first cooling unit 138 and cools the processed wafer.

第一のクーリングユニット１３８にウエハ２００を移載すると、第一のウエハ移載機１１２は予備室１２２の基板置き台１４０に予め準備されたウエハ２００を第一の処理炉２０２に前述した作動によって移載し、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理がウエハ２００に行われる。 When the wafer 200 is transferred to the first cooling unit 138, the first wafer transfer machine 112 transfers the wafer 200 prepared in advance on the substrate mounting table 140 in the preliminary chamber 122 to the first processing furnace 202 by the operation described above. Then, the processing gas is supplied into the first processing furnace 202 and a desired processing is performed on the wafer 200.

第一のクーリングユニット１３８において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウェーハ２００は第一のウェーハ移載機１１２によって第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出される。 When a preset cooling time has elapsed in the first cooling unit 138, the cooled wafer 200 is unloaded from the first cooling unit 138 to the first transfer chamber 103 by the first wafer transfer device 112.

冷却済みのウェーハ２００が第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出されたのち、ゲートバルブ１２７が開かれる。そして、第１のウェーハ移載機１１２は第一のクーリングユニット１３８から搬出したウェーハ２００を予備室１２３へ搬送し、基板置き台１４１に移載した後、予備室１２３はゲートバルブ１２７によって閉じられる。 After the cooled wafer 200 is unloaded from the first cooling unit 138 to the first transfer chamber 103, the gate valve 127 is opened. Then, the first wafer transfer device 112 transports the wafer 200 unloaded from the first cooling unit 138 to the preliminary chamber 123 and transfers it to the substrate table 141, and then the preliminary chamber 123 is closed by the gate valve 127. .

予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、前記排出用予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。前記予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、第二の搬送室１２１の予備室１２３に対応したウェーハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２と、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップがポッドオープナ１０８によって開かれる。続いて、第二の搬送室１２１の第二のウェーハ移載機１２４は基板置き台１４１からウェーハ２００をピックアップして第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１のウェーハ搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。処理済みの２５枚のウェーハ２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップとウェーハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２がポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。 When the preliminary chamber 123 is closed by the gate valve 127, the inside of the discharge preliminary chamber 123 is returned to the atmospheric pressure by the inert gas. When the inside of the preliminary chamber 123 is returned to substantially atmospheric pressure, the gate valve 129 is opened, the lid 142 for closing the wafer loading / unloading port 134 corresponding to the preliminary chamber 123 of the second transfer chamber 121, and the IO stage 105. The cap of the placed empty pod 100 is opened by the pod opener 108. Subsequently, the second wafer transfer device 124 in the second transfer chamber 121 picks up the wafer 200 from the substrate table 141 and carries it out to the second transfer chamber 121, and carries the wafer into the second transfer chamber 121. It is stored in the pod 100 through the outlet 134. When the storage of the 25 processed wafers 200 into the pod 100 is completed, the pod opener 108 closes the lid 142 that closes the cap of the pod 100 and the wafer loading / unloading port 134. The closed pod 100 is transferred from the top of the IO stage 105 to the next process by the in-process transfer apparatus.

以上の作動が繰り返されることにより、ウェーハが、順次、処理されて行く。以上の作動は第一の処理炉２０２および第一のクーリングユニット１３８が使用される場合を例にして説明したが、第二の処理炉１３７および第二のクーリングユニット１３９が使用される場合についても同様の作動が実施される。 By repeating the above operation, the wafers are sequentially processed. The above operation has been described by taking the case where the first processing furnace 202 and the first cooling unit 138 are used as an example, but also when the second processing furnace 137 and the second cooling unit 139 are used. Similar operations are performed.

なお、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。また、第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７で別の処理を行う場合、例えば第一の処理炉２０２でウェーハ２００にある処理を行った後、続けて第二の処理炉１３７で別の処理を行わせてもよい。また、第一の処理炉２０２でウェーハ２００にある処理を行った後、第二の処理炉１３７で別の処理を行わせる場合、第一のクーリングユニット１３８（又は第二のクーリングユニット１３９）を経由するようにしてもよい。又、第三の処理炉として、クーリングユニット１３８が接続されているが、ここにも、第一の処理炉、第二の処理炉と同様に処理室を接続し、処理を行うことができる。この場合、第一、第二、第三の処理炉は、それぞれ同じ処理でも別々の処理でも構わない。 In the above-described substrate processing apparatus, the spare chamber 122 is used for carrying in and the spare chamber 123 is used for carrying out. However, the spare chamber 123 may be used for carrying in, and the spare chamber 122 may be used for carrying out. Moreover, the 1st processing furnace 202 and the 2nd processing furnace 137 may perform the same process, respectively, and may perform another process. When performing another process in the first process furnace 202 and the second process furnace 137, for example, after the process on the wafer 200 is performed in the first process furnace 202, another process is performed in the second process furnace 137. Processing may be performed. In the case where another process is performed in the second processing furnace 137 after performing the process on the wafer 200 in the first processing furnace 202, the first cooling unit 138 (or the second cooling unit 139) is installed. You may make it go through. Moreover, although the cooling unit 138 is connected as a 3rd processing furnace, a processing chamber can also be connected here and a process can be performed similarly to a 1st processing furnace and a 2nd processing furnace. In this case, the first, second, and third processing furnaces may be the same process or different processes.

本実施の形態による基板処理装置では、複数のプロセスレシピから構成される（処理室における基板の処理手順を定義する）シーケンスレシピを各基板に対応付けて不図示の第１の記憶領域に格納し、この格納されたシーケンスレシピに基づいたこれら各基板への処理が不図示の制御部によって制御されている。 In the substrate processing apparatus according to the present embodiment, a sequence recipe composed of a plurality of process recipes (defining a substrate processing procedure in the processing chamber) is stored in a first storage area (not shown) in association with each substrate. The processing for these substrates based on the stored sequence recipe is controlled by a control unit (not shown).

図３は、本実施の形態による基板処理装置において使用するシーケンスレシピを構成するデータ項目の一例を示す図である。 FIG. 3 is a diagram showing an example of data items constituting a sequence recipe used in the substrate processing apparatus according to the present embodiment.

同図において、Ｐｒｅ１は、ＴＭおよびＬＭを備えてなるＭＦ（ＭａｉｎＦｒａｍｅ）における排気状態とプロセスレシピについて定義している。ＭＦにおける排気状態とは、ＭＦとしての圧力状態の指定に関するものである（ここでは、ＴＭ：ＥＶＡＣ、ＬＭ：ＬＥＡＫ（大気圧）としている。）。また、ここでのプロセスレシピとは、ＰＭ毎に指定され、シーケンスレシピに定義される処理の開始時に、指定されたＰＭに対して一括で実行され、ウェーハの無い状態でのプロセス実行に関するものであり、プロセス温度への昇温・圧力指定の定義を目的とするものである。 In the figure, Pre1 defines an exhaust state and a process recipe in an MF (Main Frame) including TM and LM. The exhaust state in MF relates to the designation of the pressure state as MF (here, TM: EVAC, LM: LEAK (atmospheric pressure)). The process recipe here is specified for each PM, and is executed for the specified PM at the start of the process defined in the sequence recipe and relates to the process execution without a wafer. Yes, the purpose is to define the temperature rise to the process temperature and the pressure designation.

Ｐｒｅ２はプロセスレシピについて定義している。ここでのプロセスレシピとは、ＰＭ毎に指定され、ＰＭ毎にＭａｉｎ（後述）のプロセスを実行するためのウェーハ搬入直前に実行され、ウェーハの無い状態でのプロセス実行に関するものであり、ウェーハ搬入による降温を見越した事前の昇温動作やＰＭへの基板搬送準備（搬送圧力の指定）を目的とするものである。 Pre2 defines a process recipe. Here, the process recipe is specified for each PM, and is executed immediately before wafer loading for executing a Main (described later) process for each PM, and relates to the process execution without a wafer. The purpose of this is to prepare for the temperature rise in advance in anticipation of the temperature drop due to, and to prepare the substrate transfer to the PM (specify the transfer pressure).

Ｍａｉｎはプロセスレシピについて定義している。ここでのプロセスレシピとは、ウェーハのＰＭへの搬入後に実行され、ＰＭ毎に指定されるものであり、ウェーハに対する成膜レシピとしての役割を有する。 Main defines process recipes. The process recipe here is executed after the wafer is loaded into the PM and is designated for each PM, and has a role as a film-forming recipe for the wafer.

ＰｏｓｔはプロセスレシピとＭＦにおける排気状態について定義している。すなわち、処理室内の温度および圧力を所定の状態にする処理を定義する。ここでのプロセスレシピとは、ＰＭ毎に指定されるものであり、ＰＭ毎における最後のウェーハ処理終了後に実行される。つまり、このプロセスレシピがポストレシピとして、別の記憶領域に記憶される。 Post defines the process recipe and the exhaust state in MF. That is, a process for setting the temperature and pressure in the processing chamber to a predetermined state is defined. The process recipe here is designated for each PM, and is executed after the end of the last wafer processing for each PM. That is, this process recipe is stored in another storage area as a post recipe.

すなわち、このポストレシピは、シーケンスレシピに対応付けて定義されるものであり、上述の不図示の第２の記憶領域に格納される。これはＰＭのＩＤＬＥ状態の設定を目的とするものである。ＭＦにおける排気状態とは、ＭＦとしての圧力状態の指定に関するものであり、ＭＦの各モジュールがＩＤＬＥ状態として安定する排気状態を指定することを目的としている。 That is, this post recipe is defined in association with the sequence recipe, and is stored in the second storage area (not shown). This is intended to set the IDLE state of PM. The exhaust state in the MF relates to the designation of the pressure state as the MF, and is intended to designate an exhaust state in which each module of the MF is stable as the IDLE state.

なお、各基板と各シーケンスレシピとの組み合わせは、例えば以下のようになる。
基板番号シーケンスレシピの名称
♯１シーケンスレシピＡ
♯２シーケンスレシピＡ
♯３シーケンスレシピＢ
♯４シーケンスレシピＢ
♯５シーケンスレシピＣ
図４に示すように、複数の基板について同じシーケンスレシピが指定されている場合、一番目の基板の処理動作の前に上述のＰｒｅ１／Ｐｒｅ２を行い、最後の基板への処理終了時にＰｏｓｔを行う。すなわち、途中の基板処理については、効率よく処理を行うために、Ｐｒｅ１／Ｐｒｅ２／Ｐｏｓｔの処理は行わない。同図中において、例えばＭａｉｎ（ＰＭ１）の処理が３つの矢印の範囲分だけ行われているが、これらの矢印の範囲はそれぞれウェーハ一枚の処理を意味している。すなわち、Ｍａｉｎ（ＰＭ１）ではウェーハ３枚に対して処理を行っている。なお、同図中におけるＳＷＡＰとは、ＰＭに対して、処理済みの基板と未処理の基板とを交換する搬送動作を意味する。 In addition, the combination of each board | substrate and each sequence recipe is as follows, for example.
Substrate number Sequence recipe name # 1 Sequence recipe A
# 2 Sequence Recipe A
# 3 Sequence recipe B
# 4 Sequence recipe B
# 5 Sequence recipe C
As shown in FIG. 4, when the same sequence recipe is specified for a plurality of substrates, the above-described Pre1 / Pre2 is performed before the processing operation of the first substrate, and Post is performed at the end of the processing for the last substrate. . That is, for the substrate processing in the middle, the processing of Pre1 / Pre2 / Post is not performed in order to perform processing efficiently. In the figure, for example, the processing of Main (PM1) is performed for the range of three arrows, and each range of these arrows means processing of one wafer. That is, in Main (PM1), processing is performed on three wafers. In addition, SWAP in the figure means a transfer operation for exchanging a processed substrate and an unprocessed substrate with respect to PM.

１つの運転においてシーケンスレシピが指定されている場合、シーケンスレシピが同一であるものをシーケンスグループと呼び、シーケンスグループとそれに続くシーケンスグループとの間では、先行するシーケンスグループのＰｏｓｔ処理が終わってから、次のシーケンスグループのＰｒｅ処理が始まるようになっている。 When a sequence recipe is specified in one operation, the same sequence recipe is called a sequence group. Between the sequence group and the subsequent sequence group, after the post processing of the preceding sequence group is completed, The pre-processing for the next sequence group starts.

つまり同一のシーケンスグループ内の基板については、連続的に処理するが、別のシーケンスグループの基板については、先行するシーケンスグループの基板がすべて一旦キャリアに戻って、Ｐｏｓｔ処理を行った後に次のシーケンスグループの基板処理が始まる。 In other words, the substrates in the same sequence group are processed continuously, but for the substrates in another sequence group, all the substrates in the preceding sequence group once return to the carrier and perform the post processing, and then the next sequence. Group substrate processing begins.

このようにシーケンスレシピを実行している最中に、何らかの異常が発生したことによって、装置の運転が異常終了した場合に、ポストレシピを実行させるためには、少なくともシーケンスレシピを実行するときには、そのシーケンスレシピに対応するポストレシピを記憶してある必要がある。 In order to execute the post-recipe when the operation of the apparatus ends abnormally due to some abnormality occurring during execution of the sequence recipe in this way, at least when executing the sequence recipe, It is necessary to store a post recipe corresponding to the sequence recipe.

図５に示すように、複数の基板に対して指定されたシーケンスレシピにより、Ｐｒｅ１／Ｐｒｅ２／Ｐｏｓｔ処理は●で表される箇所で実行される。 As shown in FIG. 5, the Pre1 / Pre2 / Post process is executed at a position represented by ● by a sequence recipe designated for a plurality of substrates.

ここで、各シーケンスレシピに対応するポストレシピ名称の不図示の第２の記憶領域への記憶動作は、◎のついた基板についてのシーケンスレシピ（すなわち、各シーケンスグループにおいて最初に実行されるシーケンスレシピ）の処理が開始された時点（Ｐｒｅ１／Ｐｒｅ２／Ｍａｉｎのいずれか）で行う。 Here, the storage operation of the post-recipe name corresponding to each sequence recipe in the second storage area (not shown) is the sequence recipe for the substrate with ◎ (that is, the sequence recipe executed first in each sequence group). ) Is started (any of Pre1 / Pre2 / Main).

なお、このポストレシピ名称の記憶動作は、装置における運転が異常終了したタイミングに行うことも可能であるが、複数のＰＭを有する枚葉式の基板処理装置において、複数の運転を同時に実行することが可能な場合、その管理が複雑になるため、シーケンスレシピ毎に実行開始時点で記憶することが好ましい。 The post-recipe name storage operation can be performed at the timing when the operation of the apparatus is abnormally terminated. However, in the single-wafer type substrate processing apparatus having a plurality of PMs, a plurality of operations are simultaneously performed. Since the management becomes complicated, it is preferable to store each sequence recipe at the start of execution.

同図に示すように、５番目の基板（基板処理番号５）については、シーケンスレシピＢが指定されており、ポストレシピは指定なし（×）となっている。よって、５番目の基板についてのシーケンスレシピの処理の開始時にはポストレシピ名称は記憶せず、前のシーケンスレシピＡに対応させて記憶しておいたポストレシピ名称をクリアする。このクリア動作は、５番目の基板についてのシーケンスレシピの処理が開始された時点（Ｐｒｅ１／Ｐｒｅ２／Ｍａｉｎのいずれか）で行う。 As shown in the figure, for the fifth substrate (substrate processing number 5), the sequence recipe B is designated and the post recipe is not designated (x). Therefore, the post-recipe name stored in correspondence with the previous sequence recipe A is cleared without storing the post-recipe name at the start of processing of the sequence recipe for the fifth substrate. This clearing operation is performed when the sequence recipe process for the fifth substrate is started (any of Pre1 / Pre2 / Main).

次に、装置の異常終了時にポストレシピの処理を簡易に実行させるための機能（以下、１タッチＰｏｓｔと呼ぶ）について説明する。図６に不図示の操作部（ポストレシピ実行部）にて１タッチＰｏｓｔボタンを押下した場合（１タッチＰｏｓｔ機能を選択した場合）に不図示の操作部の表示画面に表示されるイメージの例を示す。 Next, a function (hereinafter referred to as “one-touch post”) for easily executing the post-recipe process when the apparatus ends abnormally will be described. An example of an image displayed on the display screen of the operation unit (not shown) when the one-touch Post button is pressed in the operation unit (post-recipe execution unit) (not shown in FIG. 6) (when the 1-touch Post function is selected). Indicates.

同図において、「ＳｅｌｅｃｔＰＭ」とはポストレシピを実行するＰＭを選択する項目である。ここでは、太枠で囲まれているＰＭ３が選択されている例を示している。次に、「ＳｃｈｅｄｕｌｅＰＭ」とは装置の運転が異常終了した際に実行されていたシーケンスレシピの運転対象ＰＭを表示する項目である。ここでは、太枠で囲まれているＰＭ３が、装置の運転が異常終了した際にシーケンスレシピが実行されていたＰＭであることを示している。次に、「ＰｏｓｔＰｒｏｃｅｓｓＲｅｃｉｐｅ」とはそのＰＭにおいて最後に実行されたシーケンスレシピに対応づけて記憶されていたポストレシピ名を表示する項目である。 In the figure, “SelectPM” is an item for selecting a PM for executing the post recipe. Here, an example is shown in which PM3 surrounded by a thick frame is selected. Next, “Schedule PM” is an item for displaying the operation target PM of the sequence recipe that was executed when the operation of the apparatus ended abnormally. Here, PM3 surrounded by a thick frame indicates that the sequence recipe was executed when the operation of the apparatus ended abnormally. Next, “Post Process Recipe” is an item for displaying the post recipe name stored in association with the sequence recipe last executed in the PM.

このようにポストレシピ名とともに表示されたＰＭのうち、ポストレシピを実行させようとするものを「ＳｅｌｅｃｔＰＭ」の項目から選択し、「ＯＫ」ボタンによってそのＰＭに対応付けられて記憶されているポストレシピを実行させる。すなわち、このポストレシピ実行部によって、シーケンスレシピに基づく処理を実行中に該処理が中断した場合に、該処理が中断したシーケンスレシピに対応付けて記憶されているポストレシピを実行させる。 In this way, among the PMs displayed together with the post recipe name, the post recipe to be executed is selected from the “SelectPM” item, and the post stored in association with the PM by the “OK” button. Run the recipe. That is, when the process is interrupted during execution of the process based on the sequence recipe, the post recipe stored in the post recipe stored in association with the interrupted sequence recipe is executed by the post recipe execution unit.

上述のように、シーケンスレシピを第１の記憶領域に、ポストレシピを第２の記憶領域に格納させる構成としたことで、例えば装置の異常によりいずれかのシーケンスレシピの処理が中断し、この異常が第１の記憶領域にも関わるものである場合に、第１の記憶領域の機能に障害が生じても、第２の記憶領域に格納されているポストレシピは確実に実行することができる。 As described above, the sequence recipe is stored in the first storage area and the post recipe is stored in the second storage area. For example, the processing of one of the sequence recipes is interrupted due to an abnormality of the apparatus. Is related to the first storage area, the post-recipe stored in the second storage area can be reliably executed even if a failure occurs in the function of the first storage area.

なお、本実施の形態では、第１の記憶領域と第２の記憶領域とは別個に配置されている例を示しているが、これに限られるものではなく、第１の記憶領域と第２の記憶領域に記憶されている情報を同一の記憶領域内に格納することも可能であることは言うまでもない。また、第１の記憶領域と第２の記憶領域は、基板処理装置内に内蔵される構成としているが、これに限らず、ＦＤＤ、ＭＯなどの記憶媒体に格納してもよいし、当該装置と通信可能に接続された外部機器に備えられた記憶領域に格納してもよい。 In the present embodiment, an example is shown in which the first storage area and the second storage area are separately arranged, but the present invention is not limited to this, and the first storage area and the second storage area are not limited to this. Needless to say, the information stored in the storage area can be stored in the same storage area. In addition, the first storage area and the second storage area are built in the substrate processing apparatus. However, the present invention is not limited to this, and the first storage area and the second storage area may be stored in a storage medium such as FDD or MO. It may be stored in a storage area provided in an external device that is communicably connected.

以上のように、本発明によれば、複数の基板を一枚ずつ処理する複数の処理室と、前記複数の処理室に連接し、前記処理室で処理される基板を搬送するための搬送室と、前記処理室における基板の処理手順を定義するシーケンスレシピを記憶する第１の記憶領域と、前記記憶されたシーケンスレシピに基づいて前記処理室における基板の処理を制御する制御部とを有する基板処理装置において、前記処理室内の温度および圧力を所定の状態にする処理を定義するポストレシピを前記シーケンスレシピに対応付けて記憶する第２の記憶領域と、前記シーケンスレシピに基づく処理を実行中に該処理が中断した場合に、該処理が中断したシーケンスレシピに対応付けて記憶されているポストレシピを実行させるためのポストレシピ実行部とを有することを特徴とする基板処理装置を提供することができる。 As described above, according to the present invention, a plurality of processing chambers that process a plurality of substrates one by one, and a transfer chamber that is connected to the plurality of processing chambers and transfers a substrate to be processed in the processing chamber. A first storage area that stores a sequence recipe that defines a processing procedure for the substrate in the processing chamber, and a controller that controls processing of the substrate in the processing chamber based on the stored sequence recipe In the processing apparatus, during execution of a process based on the second storage area for storing a post recipe defining a process for setting the temperature and pressure in the processing chamber to a predetermined state in association with the sequence recipe, and the process based on the sequence recipe A post-recipe execution unit for executing a post-recipe stored in association with the sequence recipe in which the process is interrupted when the process is interrupted It is possible to provide a substrate processing apparatus, characterized in that.

換言すれば、複数の基板を一枚ずつ処理する複数の処理室と、前記複数の処理室に連接し、これら前記基板を搬入・搬出するために圧力制御される搬送室と、前記基板の処理手順を定義するシーケンスレシピに従い、前記基板の処理を制御する制御部とを有する基板処理装置において、前記処理室の温度および圧力を所定の状態にする複数のポストレシピを予め用意しておき、前記基板の処理中に停止した場合、その停止状態に適した前記ポストレシピが選択され実行されることを特徴とする基板処理装置を構成することができる。 In other words, a plurality of processing chambers for processing a plurality of substrates one by one, a transfer chamber connected to the plurality of processing chambers and pressure-controlled for loading and unloading the substrates, and processing of the substrates In accordance with a sequence recipe that defines a procedure, in a substrate processing apparatus having a control unit that controls processing of the substrate, a plurality of post recipes for setting the temperature and pressure of the processing chamber to a predetermined state are prepared in advance, When the substrate processing is stopped during the processing of the substrate, the post recipe suitable for the stopped state is selected and executed, whereby a substrate processing apparatus can be configured.

また、このような基板処理装置において、基板の処理中に該処理が停止した場合、前記複数の処理室のうち、前記基板の処理が行われた前記処理室に対応するポストレシピが実行されるようにすることが好ましい。 Further, in such a substrate processing apparatus, when the processing is stopped during the processing of the substrate, a post recipe corresponding to the processing chamber in which the processing of the substrate is performed is executed among the plurality of processing chambers. It is preferable to do so.

この他、上述のような構成の基板処理装置において、上述の制御部が、予め前記ポストレシピを記憶しておく記憶部と、前記処理室の状態を表示させる表示部と、前記処理室の状態より前記ポストレシピの入力を行う操作部と、前記操作部からの入力により、前記ポストレシピの処理を行う処理部とを有する構成とすることもできる。 In addition, in the substrate processing apparatus configured as described above, the control unit described above stores the post recipe in advance, a display unit that displays the state of the processing chamber, and the state of the processing chamber Furthermore, it can also be set as the structure which has the operation part which inputs the said post recipe, and the process part which processes the said post recipe by the input from the said operation part.

本実施の形態による基板処理装置の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the substrate processing apparatus by this Embodiment. 本実施の形態による基板処理装置の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the substrate processing apparatus by this Embodiment. シーケンスレシピを構成するデータ項目の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the data item which comprises a sequence recipe. シーケンスレシピの実行タイミングについて説明するため図である。It is a figure for demonstrating the execution timing of a sequence recipe. ポストレシピ名称の記憶動作について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the memory | storage operation | movement of a post recipe name. １タッチＰｏｓｔ機能について説明するため図である。It is a figure for demonstrating 1 touch Post function.

符号の説明Explanation of symbols

１０１筐体、１０３第一の搬送室、１０８ポッドオープナ、１２１第二の搬送室、１２２予備室、１２３予備室、１３７第二の処理炉、１３８第一のクーリングユニット、１３９第二のクーリングユニット、２０２第一の処理炉。 101 housing, 103 first transfer chamber, 108 pod opener, 121 second transfer chamber, 122 spare chamber, 123 spare chamber, 137 second processing furnace, 138 first cooling unit, 139 second cooling unit 202 First processing furnace.

Claims

複数枚の基板を一枚ずつ処理する複数の処理室と、
前記複数の処理室に連接し、前記処理室で処理される基板を搬送するための搬送室と、
前記処理室における基板の処理手順を定義するシーケンスレシピを記憶する第１の記憶領域と、
前記記憶されたシーケンスレシピに基づいて前記処理室における基板の処理を制御する制御部とを有する基板処理装置において、
前記処理室内の温度および圧力を所定の状態にする処理を定義するポストレシピを前記シーケンスレシピに対応付けて記憶する第２の記憶領域と、
前記シーケンスレシピに基づく処理を実行中に該処理が中断した場合に、該処理が中断したシーケンスレシピに対応付けて記憶されているポストレシピを実行させるためのポストレシピ実行部とを有することを特徴とする基板処理装置。 A plurality of processing chambers for processing a plurality of substrates one by one;
A transfer chamber connected to the plurality of processing chambers for transferring a substrate to be processed in the processing chamber;
A first storage area for storing a sequence recipe that defines a substrate processing procedure in the processing chamber;
In the substrate processing apparatus having a control unit that controls the processing of the substrate in the processing chamber based on the stored sequence recipe,
A second storage area for storing a post recipe defining a process for setting the temperature and pressure in the processing chamber to a predetermined state in association with the sequence recipe;
A post-recipe execution unit configured to execute a post-recipe stored in association with the sequence recipe in which the process is interrupted when the process is interrupted during execution of the process based on the sequence recipe. A substrate processing apparatus.