JP2005257883A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】横電界方式の液晶表示装置において、狭ピッチの場合でも高開口率を確保し、高コントラストかつ縦クロストークを低減した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】上層の共通電極２１０と下層の共通信号配線２０２間のコンタクトホール２１２の周辺において、ソース電極と一体化した画素電極２０６の櫛歯終端部（Ｄ部）は開放している。このような構造により、狭ピッチで画素に占めるコンタクトホールの面積の割合が大きくなる場合でも、開口率を最大限に確保してコンタクトホールが容易に形成できる。また、櫛歯終端部の閉じている部分は、共通信号配線２０２および共通電極２１０と絶縁膜を介して蓄積容量を形成し、櫛歯終端部の開放する部分により、蓄積容量値を適切に調整することも可能になる。
【選択図】 図３

Description

本発明は、液晶表示装置、特に高開口率かつ高コントラストな、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。

従来から広く用いられているＴＮ(Twisted Nematic)方式は、高コントラストである反面、液晶の分子軸が垂直電界によって立ち上がることから、視角依存性が著しいという問題があった。近年では、ＴＶなど大型モニター向けの需要が高まっており、ＩＰＳ(In-Plane Switching)方式の採用が広がっている。ＩＰＳ方式は、液晶の分子軸を横電界によって基板に対して平行な面内で回転させて表示を行う。分子軸の立ち上がり角に対する視角依存性がなくなるため、ＴＮ方式よりも視角特性が大幅に有利となる。

ＩＰＳ方式は、ＴＮ方式に比べて視角特性において有利であるが、画素電極と共通電極を櫛歯状に配置して横電界を印加するため、電極の面積の表示領域に占める割合が高く、低開口率になるという問題点があった。

このような開口率低下に対する問題点の解決策の例が、特許文献１に開示されている。図７は、特許文献１のＩＰＳ方式の液晶表示装置の平面図、図８は、図５のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。

図７および図８を参照すると、ガラス等の透明絶縁基板４００上に１の金属層からなる走査信号配線４０１と、並行する共通信号配線４０２が形成されている。走査信号配線４０１と共通信号配線４０２上に絶縁膜４０３が形成され、絶縁膜４０３上に第２の金属層からなる映像信号配線４０４、薄膜トランジスタ４０５、画素電極４０６が形成されている。映像信号配線４０４、薄膜トランジスタ３０５、画素電極４０６上に絶縁膜４０７が形成されている。

さらに絶縁膜４０７上に絶縁膜４０８が全面塗布され、この絶縁膜４０８上に透明電極からなる画素電極４０９、共通電極４１０が形成されている。画素電極４０９および共通電極４１０は櫛歯状に配置されている。

映像信号配線４０４は、絶縁膜４０７および絶縁膜４０８を介して共通電極４１０によって完全に覆われている。画素電極４０９、共通電極４１０はコンタクトホール４１１、４１２を介してそれぞれソース電極４０６’、共通信号配線４０２と電気的に接続されている。

このように、櫛歯状に配置された画素電極４０９、共通電極４１０がともに透明電極で形成されているため、電極上の領域も透過率に寄与する。シミュレーションによれば、透明電極上の寄与分を考慮すれば実効開口率は約８％上がる。映像信号配線４０４上を共通電極４１０によって完全に覆う構造のため、映像信号配線４０４付近まで開口部を広げることができる。なお、このような構成は映像信号配線４０４と共通電極４１０の間で負荷容量を発生させるが、低誘電率の絶縁膜を介しているため、駆動上問題ない範囲に抑えることができる。

ＩＰＳ方式の液晶表示装置の高開口率化をさらに進める例が、特許文献２に提案されている。図９は、特許文献２のＩＰＳ方式の液晶表示装置の平面図、図１０は、図９のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。図９および図１０を参照すると、ガラス等の透明絶縁基板５００上に第１の金属層からなる走査信号配線５０１と、走査信号配線５０１に並行する共通信号配線が形成されている。走査信号配線５０１と共通信号配線５０２上に絶縁膜５０３が形成されている。そして、絶縁膜５０３上には、第２の金属層からなる映像信号配線５０４、薄膜トランジスタ５０５、ソース電極と一体化した画素電極５０６が形成されている。

ソース電極は画素電極５０６と一体化形成されているために、画素電極５０６のソース電極に接続するためのコンタクトホールは不要となる。そして、映像信号配線５０４、薄膜トランジスタ５０５、ソース電極と一体化した画素電極５０６上に絶縁膜５０７が形成される。さらに絶縁膜５０８が絶縁膜５０７上に全面塗布される。ここで、絶縁膜５０８上に透明電極からなる共通電極５１０が形成されると、画素電極５０６と共通電極５１０は、異層櫛歯配線であるため駆動電圧が大幅に高くなってしまう。そこで、負荷容量低減の目的で映像信号配線５０４上にのみに絶縁膜５０８を土手状に形成して残している。その後、透明電極からなる共通電極５１０が形成される。共通電極５１０は、コンタクトホール５１２を介して共通信号配線５０２と電気的に接続されている。絶縁膜５０８は、透明でも着色していてもどちらでも構わない。

特許文献１のＩＰＳ方式の液晶表示装置と同様に、特許文献２のＩＰＳ方式の液晶表示装置では、映像信号配線５０４は、絶縁膜５０８を介して共通電極５１０によって完全に覆われている。しかし、特許文献２のＩＰＳ方式の液晶表示装置では、共通電極４１０が土手状に形成され、映像信号配線５０４は、共通電極によって囲い込まれたような断面形状になっている。そのために、特許文献２のＩＰＳ方式の液晶表示装置の映像信号配線５０４からの漏れ電界のシールド効果は、特許文献１のＩＰＳ方式の液晶表示装置より強い。

このように、特許文献２のＩＰＳ方式の液晶表示装置では、コンタクトホールが一つ減り、共通電極の映像信号配線エッジからの張り出し幅もより小さくできるため、さらに高開口率を得ることができる。特許文献２のＩＰＳ方式の液晶表示装置では、画素電極を金属電極で形成されるために、透明電極上の寄与分は従来例よりは少なくなるものの、実効開口率は約５％上がり、特許文献１のＩＰＳ方式の液晶表示装置より高開口率となり、縦クロストークも抑制される。

特開２００２−３２３７０６号公報（段落０１８７〜０２９４、図１〜２） 特開２００４−０６２１４５号公報（段落０２２２〜０２２６、図２３）

上記の特許文献１や特許文献２のＩＰＳ方式の液晶表示装置では、画素ピッチが大きい場合には、ＴＮ方式に近い実効開口率を得ることが可能である。しかし、画素が狭ピッチになってくると、特許文献２のＩＰＳ方式の液晶表示装置でも上層共通電極−下層共通信号配線間のコンタクトホールの大きさが問題になってくる。そのために、画素電極は、コンタクトホールからマージンを保って迂回するように配置しなければならなくなるため、開口率を損なう一因となる。コンタクトホールの小型化には限界があるため、狭ピッチになるほどその影響を無視できない。

本発明は、上層共通電極−下層共通信号配線間のコンタクトホールの大きさが問題になるような狭ピッチの場合でも、開口率を最大限に確保できるＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の構成は、走査信号配線および映像信号配線の各交点に薄膜トランジスタを備えた第１の基板と、第１の基板と対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板に狭持された液晶層とを備え、第１の基板に設けられた画素電極と共通電極の間に電圧を印加して駆動する横電界方式のアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、次のような構成を特徴とする。即ち、第１の基板は、透明電極からなり、薄膜トランジスタに接続された画素電極と、共通電極とを有し、共通電極は、第１の絶縁層を介して映像信号配線より上層に配置されている。そして、映像信号配線より下層には、共通信号配線が、第２の絶縁層を介して配置され、この共通信号配線は、コンタクトホールを介して共通電極に電気的に接続されている。上記画素電極は、上記共通電極と対となるように、櫛歯状に薄膜トランジスタのソース電極と一体形成され、櫛歯の終端部において閉じられている箇所を備えている。そして、櫛歯の終端部の閉じられた箇所の外側縁部に切り欠き部が設けられていることを特徴とする。この切り欠き部は、上記のコンタクトホール近傍の画素電極の櫛歯の終端部に設けられる。

本発明の液晶表示装置の第２の構成として、画素電極の櫛歯の終端部の閉じている箇所に切り欠き部を設ける代りに、画素電極の櫛歯の終端部の一部に開放端を設けることができる。この画素電極の櫛歯の終端部の開放端の近くに共通電極と共通信号配線を接続するコンタクトホールを設けることができる。

本発明の液晶表示装置の上記の第２の構成において、第１の基板の映像信号配線、画素電極および共通電極はジグザグ状に屈曲して形成することができる。

上記の本発明の液晶表示装置の第１および第２の構成において、画素電極の櫛歯の終端部の閉じている箇所は、共通信号配線と第２の絶縁層を介して蓄積容量を形成することができる。

また、上記の本発明の液晶表示装置の第１および第２の構成において、映像信号配線上には第３の絶縁層が形成され、この第３の絶縁層を介して共通電極を映像信号配線エッジから張り出すようにパターニングして設けることができる。

以上のように、本発明の液晶表示装置は、ソース電極と一体化した画素電極の櫛歯終端部に切り欠き部を設けるか、またはその一部を開放した構造とした。この構造によってコンタクトホールに割り当てる面積をかせぐことができる。そして、これによって、狭ピッチになって画素に占めるコンタクトホールの面積の割合が大きくなる場合でも、上記の画素電極の櫛歯終端部の切り欠き部または開放した箇所の近くに、共通電極に共通信号配線と接続するためのコンタクトホールを容易に形成することができる。そして、液晶表示装置の開口率を最大限に確保することも可能になる。また、画素電極の櫛歯終端部の閉じている箇所は、共通信号配線間および共通電極間と、それぞれ絶縁膜を介して蓄積容量を形成することも可能になる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。

図１は、本発明の液晶表示装置の第１の実施の形態を説明するための平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。図１および図２を参照すると、ガラス等の透明絶縁基板１００上にはＡｌ―Ｎｄ，Ｃｒ等の第１の金属層からなる走査信号配線１０１と、走査信号配線１０１と並行する共通信号配線１０２が形成されている。走査信号配線１０１、共通信号配線１０２上にＳｉＯ_２，ＳｉＮ_ｘ，ＳｉＯ_ｘ等からなる絶縁膜１０３（ゲート絶縁膜）が形成されている。絶縁膜１０３上には非晶質シリコンからなる半導体層(表示していない）と、ドレイン電極(表示していない）、およびソース電極１０６’を形成が形成され、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０５が構成されている。ドレイン電極は、Ａｌ，Ａｌ合金，Ａｇ，Ａｇ合金、ＣｒまたはＣｒ合金から選択された一つの金属膜から形成される。ドレイン電極およびソース電極１０６’と同時に、映像信号配線１０４とソース電極１０６’と一体化した画素電極１０６が形成される。なお、ＴＦＴの半導体層は、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法等により非晶質シリコンなどを全面に堆積し、パターニングして形成される。また、ソース電極１０６’、ドレイン電極、画素電極１０６、走査信号配線１０１および共通信号配線１０２は、Ａｌ―Ｎｄ，Ｃｒ等の金属層をスパッタリング形成した後、フォトリソグラフィ法でパターニングして形成される。絶縁膜１０３は、ＳｉＯ_２，ＳｉＮ_ｘ，ＳｉＯ_ｘ等のプラズマＣＶＤ法で形成される。

映像信号配線１０４、薄膜トランジスタ１０５、ソース電極と一体化した画素電極１０６上にＳｉＮ_ｘ等からなる絶縁膜１０７が形成され、さらに絶縁膜１０７上に有機絶縁膜等からなる絶縁膜１０８を塗布する。絶縁膜１０８は、映像信号配線１０４上のみ負荷容量低減の目的で残し、表示領域上は除去する。したがって、絶縁膜１０８は、透明でも着色していてもどちらでも構わない。絶縁膜１０８を構成する有機絶縁膜材料としては、例えば誘電率３〜４のアクリル樹脂を使用でき、その膜厚は、１．５〜２μｍに形成される。

その後、ＩＴＯ(Indium Tin Ｏｘｉｄｅ)の透明電極からなる共通電極１１０が形成される。共通電極１１０はコンタクトホール１１２を介して共通信号配線１０２と電気的に接続される。共通電極１１０は、映像信号配線１０４からの漏れ電界をシールドするために、映像信号配線１０４エッジから張り出すようにパターニングされる。その張り出し幅は、１．５μｍ以上、好ましくは３〜４μｍ程度である。

ここで、コンタクトホール１１２の周辺において、ソース電極１０６’と一体化した画素電極１０６の櫛歯終端部の閉じられている箇所の外側縁部に凹状等の形状の切り欠き部を設けている。この構造によってコンタクトホールに割り当てる面積をかせぐことができる。そして、この切り欠き部を設けることによって、狭ピッチになって画素に占めるコンタクトホールの面積の割合が大きくなる場合でも、共通電極に共通信号配線と接続するためのコンタクトホールを容易に形成することができる。そして、液晶表示装置の開口率を最大限に確保することも可能になる。画素電極１０６の櫛歯終端部の閉じている部分は、共通信号配線１０２および共通電極１１０と、それぞれ絶縁膜１０３および絶縁膜１０７を介して蓄積容量を形成する役割を持つ。

なお、図１および図２には表示していないが、共通電極の上層には、液晶層とガラス等の透明基板からなる第２の基板が配置され、本発明の液晶表示装置が構成される。

次に本発明の液晶表示装置の第２の実施の形態について図面を参照して説明する。本実施の形態の液晶表示装置は、上記の第１の実施の形態の液晶表示装置の画素電極の櫛歯の終端部の閉じている箇所に切り欠き部を設ける代りに、画素電極の櫛歯の終端部の一部に開放端を設けた場合である。本実施の形態では、上記の第１の実施の形態の液晶表示装置よりも、画素電極の櫛歯の終端部の開放端の近くに共通電極と共通信号配線を接続するコンタクトホールをより容易に設けることができる。

図３は、本発明の液晶表示装置の第２の実施の形態を説明するための平面図であり、図４は、図３のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。

図３および図４を参照すると、ガラス等の透明絶縁基板２００上にはＡｌ―Ｎｄ，Ｃｒ等の第１の金属層からなる走査信号配線２０１と、走査信号配線２０１と並行する共通信号配線２０２が形成されている。走査信号配線２０１、共通信号配線２０２上にＳｉＯ_２，ＳｉＮ_ｘ，ＳｉＯ_ｘ等からなる絶縁膜２０３（ゲート絶縁膜）が形成されている。絶縁膜２０３上には非晶質シリコンからなる半導体層(表示していない）と、ドレイン電極(表示していない）、およびソース電極２０６’を形成が形成され、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０５が構成されている。ドレイン電極は、Ａｌ，Ａｌ合金，Ａｇ，Ａｇ合金、ＣｒまたはＣｒ合金から選択された一つの金属膜から形成される。ドレイン電極およびソース電極２０６’と同時に、映像信号配線２０４とソース電極２０６’と一体化した画素電極２０６が形成される。なお、ＴＦＴの半導体層は、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法等により非晶質シリコンなどを全面に堆積し、パターニングして形成される。また、ソース電極２０６’、ドレイン電極、画素電極２０６、走査信号配線２０１および共通信号配線２０２は、Ａｌ―Ｎｄ，Ｃｒ等の金属層をスパッタリングによって形成した後、フォトリソグラフィ法でパターニングして形成される。絶縁膜２０３は、ＳｉＯ_２，ＳｉＮ_ｘ，ＳｉＯ_ｘ等のプラズマＣＶＤ法で形成される。

映像信号配線２０４、薄膜トランジスタ２０５、ソース電極と一体化した画素電極２０６上にＳｉＮ_ｘ等からなる絶縁膜２０７が形成され、さらに絶縁膜２０７上に有機絶縁膜等からなる絶縁膜２０８を塗布する。絶縁膜２０８は、映像信号配線２０４上のみ負荷容量低減の目的で残し、表示領域上は除去する。したがって、絶縁膜２０８は、透明でも着色していてもどちらでも構わない。絶縁膜２０８を構成する有機絶縁膜材料としては、例えば誘電率３〜４のアクリル樹脂を使用でき、その膜厚は、１．５〜２μｍに形成される。

その後、ＩＴＯ(Indium Tin Ｏｘｉｄｅ)の透明電極からなる共通電極２１０が形成される。共通電極２１０はコンタクトホール２１２を介して共通信号配線２０２と電気的に接続される。共通電極２１０は、映像信号配線２０４からの漏れ電界をシールドするために、映像信号配線２０４エッジから張り出すようにパターニングされる。その張り出し幅は、１．５μｍ以上、好ましくは３〜４μｍ程度である。

ここで、コンタクトホール２１２の周辺において、ソース電極２０６’と一体化した画素電極２０６の櫛歯終端部（点線サークルＤで示す）は閉じていない。この閉じていない画素電極部が共通電極２１０と重畳するようにしているのは、その周辺で不適切な方向に電界が発生し、液晶分子の回転が乱れることを防止するためである。

本発明の液晶表示装置は、コンタクトホール２１２の周辺において、画素電極２０６の櫛歯終端部を閉じない構造（開放構造）とした。この構造によってコンタクトホールに割り当てる面積をかせぐことができる。そして、狭ピッチになって画素に占めるコンタクトホールの面積の割合が大きくなる場合でも、画素電極の櫛歯終端部の一部を閉じない近辺の共通電極に共通信号配線と接続するためのコンタクトホールを形成することができる。そして、液晶表示装置の開口率を最大限に確保することが可能になる。画素電極２０６の櫛歯終端部の閉じている部分は、共通信号配線２０２および共通電極２１０と、それぞれ絶縁膜２０３および絶縁膜２０７を介して蓄積容量を形成する役割を持つ。また、櫛歯終端部の一部を閉じない構造とすることにより、蓄積容量値を適切に調整することも可能になる。

なお、図３および図４には表示していないが、共通電極の上層には、液晶層とガラス等の透明基板からなる第２の基板が配置され、本発明の液晶表示装置が構成される。

次に本発明の液晶表示装置の第３の実施の形態について図面を参照して説明する。図５は、本発明の液晶表示装置の第１の実施の形態を説明するための平面図であり、図６は、図５のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。本実施の形態の液晶表示装置は、映像信号配線、画素電極、共通電極をジグザグ状に屈曲させた、いわゆるマルチドメイン方式の一例である。

図５および図６を参照すると、ガラス等の透明絶縁基板３００上にはＡｌ―Ｎｄ，Ｃｒ等の金属層からなる走査信号配線３０１と、走査信号配線３０１と並行する共通信号配線３０２が形成されている。走査信号配線３０１、共通信号配線３０２上にＳｉＯ_２，ＳｉＮ_ｘ，ＳｉＯ_ｘ等からなる絶縁膜３０３（ゲート絶縁膜）が形成され、絶縁膜３０３上に非晶質シリコンからなる半導体層(表示していない）と、Ａｌ，Ａｌ合金，Ａｇ，Ａｇ合金、ＣｒまたはＣｒ合金から選択された一つの金属膜からなるドレイン電極(表示していない）およびソース電極３０６’を形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０５が形成されている。ドレイン電極(表示していない）およびソース電極３０６’と同時に、映像信号配線３０４とソース電極３０６’と一体化した画素電極３０６が形成される。なお、ＴＦＴ３０５の半導体層は、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法等により非晶質シリコンなどを全面に堆積し、パターニングして形成される。また、ソース電極３０６’、ドレイン電極、画素電極３０６、走査信号配線３０１および共通信号配線３０２は、Ａｌ―Ｎｄ，Ｃｒ等の金属層をスパッタリングで形成した後、フォトリソグラフィ法でパターニングして形成される。絶縁膜３０３は、ＳｉＯ_２，ＳｉＮ_ｘ，ＳｉＯ_ｘ等のプラズマＣＶＤ法で形成される。

次に、映像信号配線３０４、薄膜トランジスタ３０５およびソース電極と一体化した画素電極３０６上にＳｉＮ_ｘ等からなる絶縁膜３０７が形成される。そして、さらに絶縁膜３０７上に有機絶縁膜等からなる絶縁膜３０８が塗布形成される。絶縁膜３０８は、上記の本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置と同様に、映像信号配線３０４上のみ負荷容量低減の目的で残し、表示領域上は除去する。絶縁膜３０８は、上記の本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置と同様に、アクリル樹脂等の有機絶縁膜を使用する。その膜厚は、１．５〜２μｍ程度である。ここで、映像信号配線３０４および画素電極３０６は、屈曲形状にパターニングされる。

その後、ＩＴＯ(Indium Tin Ｏｘｉｄｅ)の透明電極からなる共通電極３１０を映像信号配線３０４および画素電極３０６のパターン形状に合わせて屈曲形状に形成する。共通電極３１０はコンタクトホール３１２を介して共通信号配線３０２と電気的に接続される。

共通電極３１０は、映像信号配線３０４からの漏れ電界をシールドするために、映像信号配線３０４エッジからの張り出すようにパターニングされる。その張り出し幅は、１．５μｍ以上、好ましくは３〜４μｍ程度である。

ここで、コンタクトホール３１２の周辺において、ソース電極３０６’と一体化した画素電極３０６の櫛歯終端部（点線サークルＧで示す）は閉じていない。この構造によってコンタクトホールに割り当てる面積をかせぐことができる。そして、狭ピッチになって画素に占めるコンタクトホールの面積の割合が大きくなる場合でも、開口率を最大限に確保することが可能になる。また、画素電極３０６の櫛歯終端部の閉じている部分は、共通信号配線２０２および共通電極３１０と、それぞれ絶縁膜３０３および絶縁膜３０７を介して蓄積容量を形成する。櫛歯終端部の一部を閉じない部分により蓄積容量値を適切に調整することが可能になる。

本実施の形態では、これらの映像信号配線３０４、共通信号配線３０２および共通電極３１０は、一回屈曲になっているが、もっと多数回屈曲させてもよい。ラビング方向は垂直方向となり、屈曲部頂点を境界にドメイン毎に液晶の分子軸の回転方向が異なるようにする。このようにすることにより、液晶を２方向に回転させることができるため、２方向に回転した液晶は互いに視野角特性を補償しあうので、さらに視野角特性を向上させることができる。

以上、図面を参照して、本発明の液晶表示装置の実施の形態について詳述してきたが、具体的な構成はこの上記の記載に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。

本発明は、各種電子装置の表示装置に使用される液晶表示装置、特に高開口率かつ高コントラストな、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に利用できる。

本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の平面図である。 図１のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。 本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の平面図である。 図３のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。 本発明の第３の実施の形態の液晶表示装置の平面図である。 図５のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。 従来のＩＰＳ方式の液晶表示装置の平面図である。 図７のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。 従来の他のＩＰＳ方式の液晶表示装置の平面図である。 図９のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。

符号の説明

１００，２００，３００，４００，５００ 透明絶縁基板
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１ 走査信号配線
１０２，２０２，３０２，４０２，５０２ 共通信号配線
１０４，２０４，３０４，４０４，５０４ 映像信号配線
１０５，２０５，３０５，４０５，５０５ 薄膜トランジスタ
１０６，２０６，３０６，４０６，５０６ 画素電極
１０６’，２０６’，３０６’，４０６’ ソース電極
１０８，２０８，３０８，４０８，５０８ 絶縁膜
１１０，２１０，３１０，４１０，５１０ 共通電極
１１２，２１２，３１２，４１２，５１２ コンタクトホール
１０３，２０３，３０３，４０３，５０３ 絶縁膜
１０７，２０７，３０７，４０７，５０７ 絶縁膜
４０９ 画素電極
４１１ コンタクトホール

Claims (10)

1. 走査信号配線および映像信号配線の各交点に薄膜トランジスタを備えた第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板に狭持された液晶層とを備え、前記第１の基板に設けられた画素電極と共通電極の間に電圧を印加して駆動される横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記画素電極は透明電極からなり、前記薄膜トランジスタに接続され、前記共通電極は、第１の絶縁層を介して前記映像信号配線より上層に配置され、前記映像信号配線より下層に第２の絶縁層を介して配置された共通信号配線とコンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記画素電極は、前記共通電極と対となるように、櫛歯状に前記薄膜トランジスタのソース電極と一体形成され、前記櫛歯の終端部において閉じられている箇所を備え、前記閉じられている箇所の外側縁部に切り欠き部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記切り欠き部は、前記コンタクトホール近傍の前記画素電極の前記櫛歯の前記終端部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 走査信号配線および映像信号配線の各交点に薄膜トランジスタを備えた第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板に狭持された液晶層とを備え、前記第１の基板に設けられたと共通電極の間に電圧を印加して駆動する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記画素電極は透明電極かなり、前記薄膜トランジスタに接続され、前記共通電極は、第１の絶縁層を介して前記映像信号配線より上層に配置され、前記映像信号配線より下層に第２の絶縁層を介して配置された共通信号配線とコンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記画素電極は、前記共通電極と対となるように、櫛歯状に前記薄膜トランジスタのソース電極と一体形成され、かつ、前記櫛歯の終端部に閉じられている箇所と開放されている箇所とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
4. 前記画素電極の櫛歯の前記終端部の前記開放している箇所は、前記コンタクトホールの近傍に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１の基板において、前記映像信号配線、前記画素電極、前記共通電極がジグザグ状に屈曲して形成されていることを特徴とする、請求項３または４に記載の液晶表示装置。
6. 前記画素電極の櫛歯の前記終端部の閉じている前記箇所は、前記共通信号配線と前記第２の絶縁層を介して蓄積容量を形成することを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
7. 前記画素電極の櫛歯の前記終端部の前記開放している箇所に、前記共通電極が重畳して設けられていることを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 前記映像信号配線上には第３の絶縁層が形成され、前記第３の絶縁層を介して前記共通電極は、前記映像信号配線エッジから張り出すようにパターニングされていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示装置。
9. 前記第３の絶縁層は、アクリル樹脂から形成されていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記共通信号配線、前記映像信号配線および前記画素電極は、Ａｌ，Ａｌ合金，Ａｇ，Ａｇ合金、ＣｒまたはＣｒ合金から選択された一つの金属膜から形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の液晶表示装置。
    

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