JP2005252146A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

Substrate treatment apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2005252146A
JP2005252146A JP2004063755A JP2004063755A JP2005252146A JP 2005252146 A JP2005252146 A JP 2005252146A JP 2004063755 A JP2004063755 A JP 2004063755A JP 2004063755 A JP2004063755 A JP 2004063755A JP 2005252146 A JP2005252146 A JP 2005252146A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chamber
steam
pod
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004063755A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akinori Tanaka
昭典 田中
Takahiro Oguro
崇弘 大黒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2004063755A priority Critical patent/JP2005252146A/en
Publication of JP2005252146A publication Critical patent/JP2005252146A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the generation of metal pollution or a watermark and remove a spontaneous oxide film on a wafer. <P>SOLUTION: An oxide film removing device 10 comprises a removal chamber 12 for holding a wafer 1 with a holding tool 22 and removing a spontaneous oxide film therefrom, a chemical nozzle 26 for supplying an etching solution and a rinse solution to the wafer 1 held in the holding tool 22, a steam nozzle 35 for blowing steam on the rinsed wafer 1, a steam supply unit 42 for supplying steam generated by burning hydrogen and oxygen gases in a combustion chamber 44 to the steam nozzle 35, a rotary shaft 20 for rotating the holding tool 22, and a pivotally driving unit 36 for pivoting the steam nozzle 35. Since high-purity steam is generated by burning hydrogen and oxygen, metal dissolution when pure water is boiled can be prevented and thus the metal pollution of the wafer can be prevented. Since the wafer is dried at a low rotational speed, a spontaneous oxide film on the wafer can be removed while preventing the damage or pollution of the wafer and the generation of watermark. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に、基板の洗浄乾燥技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、ＩＣが作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりするのに利用して有効なものに関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a substrate cleaning and drying technique. For example, in a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC), a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) in which an IC is formed. ) Is effective for diffusing impurities or forming a CVD film such as an insulating film or a metal film.

ＩＣの製造方法においてウエハにＣＶＤ膜を形成する基板処理装置としては、複数枚のウエハを収納したカセット（ウエハキャリア）を収納しウエハを出し入れする気密構造のカセット室と、このカセット室内のカセットとボートとの間でウエハを移載するウエハ移載装置を有するロードロック室（ウエハ移載室）と、このロードロック室内のボートが搬入搬出される反応室（処理室）とを備えた縦型拡散・ＣＶＤ装置、がある（例えば、特許文献１参照）。
この縦型拡散・ＣＶＤ装置においては、ロードロック室に搬入される前にウエハが大気に触れることが避けられないために、ウエハに自然酸化膜が形成されてしまうという問題点がある。そこで、酸化膜除去装置としての洗浄乾燥装置を縦型拡散・ＣＶＤ装置に設置することにより、ロードロック室に搬入される直前にウエハに形成された自然酸化膜を除去することが考えられる。
従来のこの種の洗浄乾燥装置としては、弗酸（ＨＦ）等のエッチング液をウエハに滴下して洗浄した後に、ウエハを高速で回転させて乾燥させるものがある（例えば、非特許文献１参照）。
特公平７−１０１６７５号公報 「電子材料２００２年１１月号別冊」，株式会社工業調査会，２００２年１１月２７日，ｐ．８１−８５ As a substrate processing apparatus for forming a CVD film on a wafer in an IC manufacturing method, a cassette chamber (wafer carrier) containing a plurality of wafers is stored, a cassette chamber having an airtight structure in which wafers are taken in and out, a cassette in the cassette chamber, A vertical type equipped with a load lock chamber (wafer transfer chamber) having a wafer transfer device for transferring wafers to and from the boat, and a reaction chamber (processing chamber) into which the boat in the load lock chamber is loaded and unloaded. There is a diffusion / CVD apparatus (see, for example, Patent Document 1).
This vertical diffusion / CVD apparatus has a problem in that a natural oxide film is formed on the wafer because it is inevitable that the wafer is exposed to the atmosphere before being loaded into the load lock chamber. Therefore, it is conceivable to remove a natural oxide film formed on the wafer immediately before being loaded into the load lock chamber by installing a cleaning / drying apparatus as an oxide film removing apparatus in the vertical diffusion / CVD apparatus.
As a conventional cleaning / drying apparatus of this type, there is an apparatus in which an etching solution such as hydrofluoric acid (HF) is dropped onto a wafer for cleaning, and then the wafer is rotated at high speed to dry (for example, see Non-Patent Document 1). ).
Japanese Patent Publication No. 7-101675 “Electronic Materials November 2002 issue separate volume”, Industrial Research Council, Inc., November 27, 2002, p. 81-85

しかしながら、前記した洗浄乾燥装置においては、次のような問題点がある。
（１）乾燥に際して、ウエハの中心部は回転による遠心力が零であるために、高速回転してもエッチング液が残り易く、その結果、ウオータマークが発生する。
（２）ウエハが高速で回転するために、ウエハの破損やチッピングが発生する。
（３）高速回転によってウエハが帯電するために、ウエハの表面にパーティクルが静電吸着する。
（４）遠心力で振り切ったエッチング液が処理室の壁面に当たって跳ね返り、乾燥したウエハに再付着することにより、ウオータマークが発生する。
（５）ウエハを回転させる回転軸にエッチング液の侵入を防止するために、シールリングが敷設されるが、摺動部からの発塵によるウエハの汚染が発生し、また、シール性能の確保のために、シールリングの定期的交換等のメンテナンスが必要になる。
（６）トレンチやコンタクトホールに侵入したエッチング液は除去し難いために、ウオータマークが発生する。 However, the above-described cleaning / drying apparatus has the following problems.
(1) At the time of drying, since the centrifugal force due to the rotation is zero at the center of the wafer, the etching solution tends to remain even when rotated at a high speed, and as a result, a water mark is generated.
(2) Since the wafer rotates at a high speed, the wafer is damaged or chipped.
(3) Since the wafer is charged by high-speed rotation, particles are electrostatically adsorbed on the surface of the wafer.
(4) The etching solution sprinkled off by centrifugal force hits the wall surface of the processing chamber and bounces off and reattaches to the dried wafer, thereby generating a water mark.
(5) A seal ring is laid to prevent the etchant from entering the rotating shaft that rotates the wafer. However, contamination of the wafer due to dust generation from the sliding part occurs, and the sealing performance is ensured. Therefore, maintenance such as periodic replacement of the seal ring is required.
(6) Since the etchant entering the trench or contact hole is difficult to remove, a water mark is generated.

本発明の目的は、基板の破損や汚染およびウオータマークの発生を防止しつつ基板の自然酸化膜を除去することができる基板処理装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of removing a natural oxide film on a substrate while preventing breakage and contamination of the substrate and generation of a watermark.

本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を保持具によって保持して処理する処理室と、水素ガスと酸素ガスとを供給して水蒸気を生成する生成室と、この生成室と連通し前記保持具に保持された前記基板に前記水蒸気を吹き付けるノズルと、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
（２）基板を保持具によって保持して処理する処理室と、水素ガスと酸素ガスとを供給して水蒸気を生成する生成室と、この生成室と連通し前記保持具に保持された前記基板に前記水蒸気を吹き付ける第一ノズルと、前記第一ノズル内に前記水蒸気よりも温度が低いガスを供給する第二ノズルと、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
（３）前記第二ノズルは、前記第一ノズルの吹出口よりも上流側に配置されていることを特徴とする（２）に記載の基板処理装置。 Representative inventions disclosed in the present application are as follows.
(1) A processing chamber for holding and processing a substrate by a holder, a generation chamber for supplying water gas and oxygen gas to generate water vapor, and the substrate held by the holder in communication with the generation chamber And a nozzle for spraying the water vapor to the substrate processing apparatus.
(2) A processing chamber for holding and processing a substrate by a holder, a generation chamber for supplying water gas and oxygen gas to generate water vapor, and the substrate held by the holder in communication with the generation chamber A substrate processing apparatus comprising: a first nozzle that sprays the water vapor; and a second nozzle that supplies a gas having a temperature lower than the water vapor into the first nozzle.
(3) The substrate processing apparatus according to (2), wherein the second nozzle is disposed upstream of the outlet of the first nozzle.

本発明によれば、高純度の水蒸気を基板に吹き付けて基板を乾燥することができるので、基板の破損や汚染およびウオータマークの発生を防止しつつ基板の自然酸化膜を除去することができる。   According to the present invention, since the substrate can be dried by spraying high-purity water vapor on the substrate, the natural oxide film on the substrate can be removed while preventing the substrate from being damaged, contaminated, and generating water marks.

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法にあってウエハに形成された自然酸化膜を除去する酸化膜除去装置として構成されている。この酸化膜除去装置はウエハの表面を洗浄し乾燥するという意味で洗浄乾燥装置である。図１および図２に示されているように、本実施の形態に係る酸化膜除去装置（洗浄乾燥装置ともいう。）１０は、酸化膜除去室（以下、除去室という。）１２を形成した筐体（以下、除去室筐体という。）１１を備えている。除去室筐体１１は上下面が閉塞した円筒形状の中空体に形成されており、除去室１２の表面は弗素樹脂のコーティング処理によって撥水性の良好な表面に構成されている。除去室筐体１１の側壁における正面部分にはウエハ搬入搬出口１３が開設されており、ウエハ搬入搬出口１３はウエハ１を除去室１２に対して搬入搬出し得るように構成されている。ウエハ搬入搬出口１３にはゲートバルブ１４が設置されており、ゲートバルブ１４はウエハ搬入搬出口１３を摺動を伴わずに開閉するように構成されている。除去室筐体１１には窒素ガス等の不活性ガスを除去室１２に供給する不活性ガス供給装置１５が接続されているとともに、除去室１２を排気する排気装置１６が接続されている。   In this embodiment, a substrate processing apparatus according to the present invention is configured as an oxide film removing apparatus for removing a natural oxide film formed on a wafer in an IC manufacturing method. This oxide film removing apparatus is a cleaning / drying apparatus in the sense that the surface of the wafer is cleaned and dried. As shown in FIGS. 1 and 2, an oxide film removing apparatus (also referred to as a cleaning / drying apparatus) 10 according to the present embodiment forms an oxide film removing chamber (hereinafter referred to as a removing chamber) 12. A housing (hereinafter referred to as a removal chamber housing) 11 is provided. The removal chamber casing 11 is formed in a cylindrical hollow body whose upper and lower surfaces are closed, and the surface of the removal chamber 12 is formed into a surface having good water repellency by a coating treatment with a fluorine resin. A wafer loading / unloading port 13 is opened at the front portion of the side wall of the removal chamber casing 11, and the wafer loading / unloading port 13 is configured to be able to load / unload the wafer 1 to / from the removal chamber 12. A gate valve 14 is installed at the wafer loading / unloading port 13, and the gate valve 14 is configured to open and close the wafer loading / unloading port 13 without sliding. An inert gas supply device 15 that supplies an inert gas such as nitrogen gas to the removal chamber 12 is connected to the removal chamber casing 11, and an exhaust device 16 that exhausts the removal chamber 12 is connected.

除去室筐体１１の中央部の下方には、回転数を低速領域から高速領域まで制御可能なモータ１７が垂直方向上向きに設置されており、モータ１７の出力軸１８には回転軸２０がカップリング１９によって連結されている。回転軸２０は除去室筐体１１の底壁を貫通して除去室１２に挿入されており、シール機構付き軸受装置２１によって回転自在に支承されている。回転軸２０の上端にはウエハ１を水平に保持する保持具２２が連結されている。保持具２２はウエハ１よりも若干大径の円盤形状に形成されており、上面に突設された複数本の把持ピン２３によってウエハ１を着脱自在に把持するように構成されている。保持具２２の下面における周辺部には切頭円錐筒形状のスカート２４が同心円に垂下されており、スカート２４はエッチング液等が回転軸２０の方向に侵入するのを防止するメカニカルシールを構成している。   Below the central portion of the removal chamber casing 11, a motor 17 capable of controlling the rotational speed from a low speed region to a high speed region is installed vertically upward. A rotary shaft 20 is connected to the output shaft 18 of the motor 17 with a cup. Connected by a ring 19. The rotary shaft 20 is inserted into the removal chamber 12 through the bottom wall of the removal chamber casing 11, and is rotatably supported by a bearing device 21 with a seal mechanism. A holder 22 that holds the wafer 1 horizontally is connected to the upper end of the rotating shaft 20. The holder 22 is formed in a disk shape having a slightly larger diameter than the wafer 1, and is configured to detachably hold the wafer 1 by a plurality of holding pins 23 protruding from the upper surface. A frusto-conical cylindrical skirt 24 is suspended concentrically on the periphery of the lower surface of the holder 22, and the skirt 24 constitutes a mechanical seal that prevents the etchant or the like from entering the rotating shaft 20. ing.

除去室筐体１１の底壁における周辺部には、エッチング液としての弗酸やリンス液としての超純水を滴下する薬液ノズル２６が挿通されており、薬液ノズル２６は滴下口２６ａが保持具２２の中心線上に配置するように構成されて、エッチング液およびリンス液をウエハ１の中心に滴下するようになっている。薬液ノズル２６は水平面内で回転し得るように、シール機構付き軸受装置２５によって支承されており、シール機構付軸受装置２５の外側に垂直方向下向きに設置されたモータ２７およびベルト伝動装置２８によって、回動されるように構成されている。薬液ノズル２６には給液配管２９の一端がそれぞれ接続されており、給液配管２９の他端にはエッチング液を供給するエッチング液供給装置３０が接続されている。給液配管２９の途中には分岐管３１の一端が接続されており、分岐管３１の他端にはリンス液としての超純水を供給するリンス液供給装置３２が接続されている。給液配管２９および分岐管３１の途中には止め弁３３および止め弁３４がそれぞれ介設されている。   A chemical nozzle 26 for dropping hydrofluoric acid as an etching solution or ultrapure water as a rinsing solution is inserted in the peripheral portion of the bottom wall of the removal chamber housing 11. The chemical nozzle 26 has a dropping port 26 a as a holder. The etching liquid and the rinsing liquid are dropped onto the center of the wafer 1 so as to be disposed on the center line 22. The chemical nozzle 26 is supported by a bearing device 25 with a seal mechanism so as to be able to rotate in a horizontal plane, and a motor 27 and a belt transmission device 28 installed vertically downward on the outside of the bearing device 25 with a seal mechanism, It is configured to be rotated. One end of a liquid supply pipe 29 is connected to the chemical liquid nozzle 26, and an etching liquid supply device 30 that supplies an etchant is connected to the other end of the liquid supply pipe 29. One end of the branch pipe 31 is connected in the middle of the liquid supply pipe 29, and a rinse liquid supply device 32 that supplies ultrapure water as a rinse liquid is connected to the other end of the branch pipe 31. A stop valve 33 and a stop valve 34 are interposed in the middle of the liquid supply pipe 29 and the branch pipe 31, respectively.

除去室筐体１１の底壁の周辺部における薬液ノズル２６から１８０度離れた位置には、乾燥用ガスとしての水蒸気（スチーム）を吹き出すノズル（以下、スチームノズルという。）３５が挿通されており、スチームノズル３５は先端の吹出口３５ａが保持具２２の中心線上に位置するように、エルボパイプ形状に形成されている。スチームノズル３５は水平面内で回転し得るように、シール機構付き軸受装置３７によって支承されており、シール機構付軸受装置３７の外側に垂直方向下向きに設置されたモータ３８およびベルト伝動装置３９によって、回動されるように構成されている。すなわち、スチームノズル３５のエルボパイプ形状自体、シール機構付き軸受装置３７、モータ３８およびベルト伝動装置３９により、スチームノズル３５を水平面内で旋回させる旋回駆動装置３６が構成されている。スチームノズル３５にはスチーム供給配管４１の一端が接続されており、スチームノズル３５およびスチーム供給配管４１は断熱材によって形成された断熱カバー４０により全体的に被覆されている。   A nozzle (hereinafter referred to as a steam nozzle) 35 that blows out water vapor (steam) as a drying gas is inserted at a position 180 degrees away from the chemical solution nozzle 26 in the peripheral portion of the bottom wall of the removal chamber casing 11. The steam nozzle 35 is formed in an elbow pipe shape so that the air outlet 35 a at the tip is located on the center line of the holder 22. The steam nozzle 35 is supported by a bearing device 37 with a seal mechanism so as to be able to rotate in a horizontal plane, and a motor 38 and a belt transmission device 39 installed vertically downward on the outside of the bearing device 37 with a seal mechanism, It is configured to be rotated. In other words, the elbow pipe shape itself of the steam nozzle 35, the bearing device 37 with a seal mechanism, the motor 38, and the belt transmission device 39 constitute a turning drive device 36 for turning the steam nozzle 35 in a horizontal plane. One end of a steam supply pipe 41 is connected to the steam nozzle 35, and the steam nozzle 35 and the steam supply pipe 41 are entirely covered with a heat insulating cover 40 formed of a heat insulating material.

スチーム供給配管４１の他端には、乾燥用ガスとしてのスチーム（Ｈ2 Ｏ）を供給するスチーム供給装置４２が接続されている。スチーム供給装置４２は石英（ＳｉＯ2 ）によって形成された燃焼管４３を備えており、燃焼管４３は燃焼室４４を構成している。燃焼管４３のスチーム供給配管４１と反対側の端部には、水素ガスノズル４５と酸素ガスノズル４６とが隣り合わせに配置されて燃焼室４４に挿入されている。水素ガスノズル４５には水素ガス供給配管４５Ａを介して水素ガス供給源４５Ｂが接続されており、水素ガス供給配管４５Ａにはマスフローコントローラ４５Ｃおよび止め弁４５Ｄが上流側から順に介設されている。酸素ガスノズル４６には酸素ガス供給配管４６Ａを介して酸素ガス供給源４６Ｂが接続されており、酸素ガス供給配管４６Ａにはマスフローコントローラ４６Ｃおよび止め弁４６Ｄが上流側から順に介設されている。スチームノズル３５には温度センサ（図示せず）が設けられており、マスフローコントローラ４５Ｃ、４６Ｃは温度センサの検出温度に基づいて流量を制御するように構成されている。 A steam supply device 42 for supplying steam (H 2 O) as a drying gas is connected to the other end of the steam supply pipe 41. The steam supply device 42 includes a combustion tube 43 formed of quartz (SiO 2 ), and the combustion tube 43 constitutes a combustion chamber 44. A hydrogen gas nozzle 45 and an oxygen gas nozzle 46 are arranged adjacent to each other at the end of the combustion pipe 43 opposite to the steam supply pipe 41 and inserted into the combustion chamber 44. A hydrogen gas supply source 45B is connected to the hydrogen gas nozzle 45 via a hydrogen gas supply pipe 45A, and a mass flow controller 45C and a stop valve 45D are provided in this order from the upstream side in the hydrogen gas supply pipe 45A. An oxygen gas supply source 46B is connected to the oxygen gas nozzle 46 via an oxygen gas supply pipe 46A, and a mass flow controller 46C and a stop valve 46D are provided in this order from the upstream side in the oxygen gas supply pipe 46A. The steam nozzle 35 is provided with a temperature sensor (not shown), and the mass flow controllers 45C and 46C are configured to control the flow rate based on the temperature detected by the temperature sensor.

以下、前記構成に係る酸化膜除去装置１０を使用したＩＣの製造方法における酸化膜除去工程を説明する。   Hereinafter, an oxide film removing process in the IC manufacturing method using the oxide film removing apparatus 10 according to the above configuration will be described.

処理すべきウエハ１が酸化膜除去装置１０に搬送されて来ると、ウエハ搬入搬出口１３がゲートバルブ１４によって開放される。次いで、ウエハ１がウエハ移載装置（図示せず）によって除去室１２にウエハ搬入搬出口１３を通じて搬入され、保持具２２へ移載される。保持具２２に移載されたウエハ１は把持ピン２３によって把持される。ウエハ１が保持されると、ウエハ搬入搬出口１３がゲートバルブ１４によって閉じられる。   When the wafer 1 to be processed is transferred to the oxide film removing apparatus 10, the wafer loading / unloading port 13 is opened by the gate valve 14. Next, the wafer 1 is loaded into the removal chamber 12 through the wafer loading / unloading port 13 by a wafer transfer device (not shown) and transferred to the holder 22. The wafer 1 transferred to the holder 22 is held by the holding pins 23. When the wafer 1 is held, the wafer loading / unloading port 13 is closed by the gate valve 14.

次いで、保持具２２によって保持されたウエハ１がモータ１７によって回転される。続いて、除去室１２にはエッチング液がエッチング液供給装置３０から給液配管２９を通じて薬液ノズル２６に供給され、薬液ノズル２６の滴下口２６ａからウエハ１の中心に滴下される。この際、スチームノズル３５は図２に実線で示された位置に退避されている。ウエハ１の中心に滴下されたエッチング液は、回転するウエハ１の遠心力によって周辺部に均一に拡散することにより、ウエハ１の表面に全体的に均一に接触するので、ウエハ１の表面に形成された自然酸化膜を全体にわたって均一にエッチングして除去する。ウエハ１によって振り切られた余分のエッチング液は除去室１２の底部によって回収される。予め、設定された時間が経過すると、エッチング液の供給が停止される。   Next, the wafer 1 held by the holder 22 is rotated by the motor 17. Subsequently, the etchant is supplied from the etchant supply device 30 to the chemical nozzle 26 through the liquid supply pipe 29 into the removal chamber 12 and dropped from the dropping port 26 a of the chemical nozzle 26 to the center of the wafer 1. At this time, the steam nozzle 35 is retracted to a position indicated by a solid line in FIG. The etching solution dropped on the center of the wafer 1 is uniformly diffused to the peripheral portion by the centrifugal force of the rotating wafer 1, thereby uniformly contacting the entire surface of the wafer 1, and thus formed on the surface of the wafer 1. The natural oxide film thus formed is removed by etching uniformly over the entire surface. Excess etching solution shaken off by the wafer 1 is collected by the bottom of the removal chamber 12. When a preset time has elapsed, the supply of the etching solution is stopped.

次いで、リンス液としての超純水がリンス液供給装置３２から分岐管３１および給液配管２９を通じて薬液ノズル２６に供給され、薬液ノズル２６の滴下口２６ａからウエハ１の中心に滴下される。ウエハ１の中心に滴下された超純水は、回転するウエハ１の遠心力によって周辺部に拡散することにより、ウエハ１の表面に全体的に均一に接触するので、ウエハ１に残ったエッチング液を全体にわたって均一に洗い流す。ウエハ１によって振り切られた余分の超純水は除去室１２の底部によって回収される。予め、設定された時間が経過すると、超純水の供給が停止される。   Next, ultrapure water as a rinsing liquid is supplied from the rinsing liquid supply device 32 to the chemical liquid nozzle 26 through the branch pipe 31 and the liquid supply pipe 29, and is dropped from the dropping port 26 a of the chemical liquid nozzle 26 to the center of the wafer 1. Since the ultrapure water dropped on the center of the wafer 1 is diffused to the peripheral portion by the centrifugal force of the rotating wafer 1, the ultrapure water contacts the entire surface of the wafer 1 uniformly. Rinse evenly throughout. Excess ultrapure water shaken off by the wafer 1 is collected by the bottom of the removal chamber 12. When a preset time elapses, the supply of ultrapure water is stopped.

リンス後に、除去室１２にはスチーム４７（図３参照）がスチーム供給装置４２からスチーム供給配管４１を通じてスチームノズル３５に供給され、スチームノズル３５の吹出口３５ａからウエハ１に吹き付けられる。すなわち、スチーム供給装置４２において、水素ガスが水素ガス供給源４５Ｂから水素ガスノズル４５へ供給されて燃焼室４４に吹き出されるとともに、酸素ガスが酸素ガス供給源４６Ｂから酸素ガスノズル４６へ供給されて燃焼室４４に吹き出される。燃焼室４４に吹き出された水素ガスは自然着火して酸素ガスと燃焼反応を起こすことにより、燃焼反応ガスとしての高純度のスチームを生成する。例えば、１１００℃程度の温度のスチームとなる。生成されたスチーム４７はスチーム供給配管４１を通じてスチームノズル３５に供給される。この際、水素ガス供給配管４５Ａのマスフローコントローラ４５Ｃおよび酸素ガス供給配管４６Ａのマスフローコントローラ４６Ｃは、温度センサの検出温度に基づいて流量を制御することにより、スチーム４７の吹出量を制御する。   After rinsing, steam 47 (see FIG. 3) is supplied to the removal chamber 12 from the steam supply device 42 to the steam nozzle 35 through the steam supply pipe 41, and blown onto the wafer 1 from the outlet 35 a of the steam nozzle 35. That is, in the steam supply device 42, hydrogen gas is supplied from the hydrogen gas supply source 45B to the hydrogen gas nozzle 45 and blown into the combustion chamber 44, and oxygen gas is supplied from the oxygen gas supply source 46B to the oxygen gas nozzle 46 and burned. It is blown out into the chamber 44. The hydrogen gas blown into the combustion chamber 44 is spontaneously ignited to cause a combustion reaction with the oxygen gas, thereby generating high-purity steam as a combustion reaction gas. For example, the steam is about 1100 ° C. The generated steam 47 is supplied to the steam nozzle 35 through the steam supply pipe 41. At this time, the mass flow controller 45C of the hydrogen gas supply piping 45A and the mass flow controller 46C of the oxygen gas supply piping 46A control the flow rate of the steam 47 by controlling the flow rate based on the temperature detected by the temperature sensor.

スチームノズル３５からウエハ１に吹き付けられたスチーム４７は、ウエハ１の表面に残ったリンス液としての超純水を加熱して気化させることにより、ウエハ１を乾燥させる。このスチーム４７の温度は２００℃程度に制御される。但し、好ましくは２００℃程度であるが、スチーム４７の温度は１００℃（水の沸点）以上であればよい。   The steam 47 sprayed from the steam nozzle 35 onto the wafer 1 dries the wafer 1 by heating and evaporating the ultrapure water as the rinse liquid remaining on the surface of the wafer 1. The temperature of the steam 47 is controlled to about 200 ° C. However, it is preferably about 200 ° C., but the temperature of the steam 47 may be 100 ° C. (boiling point of water) or more.

スチームノズル３５からウエハ１に吹き付けられた高純度のスチーム４７および気化されたリンス液は、排気装置１６の排気力によって除去室１２から排気されて行く。乾燥後に必要に応じて、除去室１２内の雰囲気は不活性ガス供給装置１５からの不活性ガス（例えば、窒素ガス）によって置換（窒素ガスパージ）される。   The high-purity steam 47 and vaporized rinsing liquid sprayed from the steam nozzle 35 onto the wafer 1 are exhausted from the removal chamber 12 by the exhaust force of the exhaust device 16. If necessary after the drying, the atmosphere in the removal chamber 12 is replaced (nitrogen gas purge) with an inert gas (for example, nitrogen gas) from the inert gas supply device 15.

ちなみに、水蒸気（ガス）状態のままで排気装置１６によって排気されたスチーム４７は、トラップ（図示せず）において冷却されて凝縮されることにより、液体の形で回収される。この廃液にはエッチング液の成分が極微量であるが含まれる可能性があるので、回収タンク（図示せず）によって回収して廃棄処分することが好ましい。トラップにおけるスチームの冷却は、自然空冷や冷却ファンを使用した強制空冷、工場給水を使用した水冷、ペルチェ素子を使用した固体冷却等によって実施することができる。また、スチーム４７を排気する排気装置１６としては、エッチング液に対して耐蝕性を有し、かつ、水分を含んだガスを排気することができる弗素樹脂製のダイアフラムを使用したダイアフラムポンプを使用することが望ましい。   Incidentally, the steam 47 exhausted by the exhaust device 16 in the water vapor (gas) state is recovered in a liquid form by being cooled and condensed in a trap (not shown). Since this waste liquid may contain an extremely small amount of components of the etching solution, it is preferably recovered by a recovery tank (not shown) and discarded. The cooling of the steam in the trap can be performed by natural air cooling, forced air cooling using a cooling fan, water cooling using factory water supply, solid cooling using a Peltier element, or the like. Further, as the exhaust device 16 for exhausting the steam 47, a diaphragm pump using a fluororesin diaphragm capable of exhausting gas containing moisture and having corrosion resistance to the etching solution is used. It is desirable.

以上のスチームの吹き付け作動（乾燥ステップ）に際して、スチームノズル３５は旋回駆動装置３６によって旋回される。スチームノズル３５の吹出口３５ａから吹き出されたスチーム４７は、ウエハ１が回転されていることとあいまってウエハ１の表面に全体的に均一に接触するので、ウエハ１の表面は均一に乾燥される。この際、ウエハ１はスチーム４７による気化力によって乾燥されるので、ウエハ１は高速で回転させる必要はなく、スチーム４７がウエハ１に均一に吹き付けられる程度の低速で回転させればよい。   In the above steam spraying operation (drying step), the steam nozzle 35 is swung by the swivel driving device 36. The steam 47 blown from the blower outlet 35a of the steam nozzle 35 comes into uniform contact with the entire surface of the wafer 1 together with the rotation of the wafer 1, so that the surface of the wafer 1 is uniformly dried. . At this time, since the wafer 1 is dried by the vaporizing force of the steam 47, the wafer 1 does not need to be rotated at a high speed, and may be rotated at a low speed such that the steam 47 is uniformly sprayed onto the wafer 1.

ところで、回転するウエハ１の周速度は中心から周辺へ行くに従って速くなるので、旋回駆動装置３６によるスチームノズル３５の中心から周辺への旋回速度が等速であると、スチーム４７のウエハ１との単位接触時間は中心から周辺に行くに従って漸減して、ウエハ１の乾燥が中心部で過多となり周辺部で不足する傾向になる。そこで、スチームノズル３５の中心から周辺への旋回速度が中心から周辺に行くに従って遅くなるように、旋回駆動装置３６が制御される。この旋回速度の制御により、スチーム４７のウエハ１との単位接触時間は中心から周辺にわたって一定になるために、ウエハ１の乾燥は中心部と周辺部とで等しくなり、ウエハ１の乾燥はより一層均一になる。また、スチーム４７による乾燥時間が最適値化されるために、ウエハ１の乾燥時間が短縮されることにもなる。   By the way, the peripheral speed of the rotating wafer 1 increases as it goes from the center to the periphery. Therefore, if the turning speed from the center of the steam nozzle 35 to the periphery by the turning drive device 36 is constant, The unit contact time gradually decreases from the center to the periphery, and the drying of the wafer 1 tends to be excessive at the center and insufficient at the periphery. Therefore, the turning drive device 36 is controlled so that the turning speed from the center to the periphery of the steam nozzle 35 decreases as it goes from the center to the periphery. By controlling the swirl speed, the unit contact time of the steam 47 with the wafer 1 is constant from the center to the periphery, so that the drying of the wafer 1 is equal between the center and the periphery, and the wafer 1 is further dried. It becomes uniform. Further, since the drying time by the steam 47 is optimized, the drying time of the wafer 1 is also shortened.

その後、ウエハ搬入搬出口１３がゲートバルブ１４によって開放される。続いて、保持具２２に保持された自然酸化膜除去および乾燥済みのウエハ１がウエハ移載装置によってピックアップされて、ウエハ搬入搬出口１３を通じて搬出される。   Thereafter, the wafer loading / unloading port 13 is opened by the gate valve 14. Subsequently, the natural oxide film removed and dried wafer 1 held by the holder 22 is picked up by the wafer transfer device and carried out through the wafer loading / unloading port 13.

以降、前述した作動が繰り返されることにより、ウエハ１について自然酸化膜除去工程が一枚ずつ実施されて行く。   Thereafter, the natural oxide film removing process is performed one by one on the wafer 1 by repeating the above-described operation.

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。   According to the embodiment, the following effects can be obtained.

1) 水素ガスと酸素ガスとを燃焼させて生成した高純度のスチームをウエハに吹き付けてウエハを乾燥させることにより、金属を含んだ容器にて純水を沸騰させてスチームを生成した場合のような金属の溶出を防止することができるので、洗浄後のウエハの金属汚染を防止することができる。 1) When high-purity steam generated by burning hydrogen gas and oxygen gas is sprayed onto the wafer and the wafer is dried, pure water is boiled in a container containing metal to generate steam. Therefore, it is possible to prevent metal contamination of the wafer after cleaning.

2) 水素ガスと酸素ガスとを燃焼室で燃焼させてスチームを生成することにより、廃棄ガスをスチームだけに抑止することができるので、ボイラ（電気加熱式を含む）のように燃料（発電のための燃料を含む）を使用して純水を沸騰させてスチームを生成する場合に比べてクリーンで地球環境に優しい。 2) By generating steam by burning hydrogen gas and oxygen gas in the combustion chamber, it is possible to suppress waste gas only to steam, so fuel (including power generation) like a boiler (including electric heating type) (Including fuel for) using pure water to boil and produce steam compared to clean and environmentally friendly.

3) 高温のスチームをウエハに吹き付けることにより、ウエハの乾燥と同時にウエハに付着した有機物をスチームの熱によって分解させて除去することができ、また、トレンチやコンタクトホール等の微細な凹部に付着した水分も、スチームの熱によって気化させて除去することができる。 3) By spraying high-temperature steam on the wafer, the organic matter adhering to the wafer can be decomposed and removed by the heat of the steam at the same time as the wafer is dried, and it adheres to minute recesses such as trenches and contact holes. Moisture can also be removed by vaporization by the heat of steam.

4) ウエハを低速回転で乾燥させることにより、ウエハ上に付着したエッチング液の遠心力が小さくなるために、ウエハから飛び出した水滴の除去室の壁面からの跳ね返りを低減することができる。その結果、除去室のミストの浮遊を抑制することができるので、ウエハへの再付着を防止することができ、ウオータマークの発生を防止することができる。また、高速で回転させるスピン乾燥に比べて、回転機構部からの発塵量を低減することができ、シール構造を簡単化することができ、メンテナンスサイクル（シールリングの交換サイクル）時間を延長することができる。さらに、静電気の発生を抑制することができるので、ウエハの表面にパーティクルが付着するのを防止することができる。 4) Since the centrifugal force of the etching solution adhering to the wafer is reduced by drying the wafer at a low speed, it is possible to reduce the splashing of the water droplets jumping out of the wafer from the wall of the removal chamber. As a result, since the mist floating in the removal chamber can be suppressed, reattachment to the wafer can be prevented, and generation of a water mark can be prevented. Compared with spin drying that rotates at high speed, the amount of dust generated from the rotating mechanism can be reduced, the seal structure can be simplified, and the maintenance cycle (seal ring replacement cycle) time can be extended. be able to. Further, since generation of static electricity can be suppressed, it is possible to prevent particles from adhering to the surface of the wafer.

図３は本発明の他の実施の形態である自然酸化膜除去装置を示す正面断面図である。   FIG. 3 is a front sectional view showing a natural oxide film removing apparatus according to another embodiment of the present invention.

本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、超純水を供給するインジェクションノズル４８の供給口４８ａがスチームノズル３５内における吹出口３５ａの上流側に配置されている点である。インジェクションノズル４８の供給配管４８Ａには超純水供給源４８Ｂが止め弁４８Ｃを介して接続されている。   The present embodiment is different from the above embodiment in that a supply port 48a of an injection nozzle 48 for supplying ultrapure water is disposed on the upstream side of the blowout port 35a in the steam nozzle 35. An ultrapure water supply source 48B is connected to a supply pipe 48A of the injection nozzle 48 via a stop valve 48C.

本実施の形態においては、スチーム供給装置４２内にて１１００℃程度に生成されたスチーム４７が、図３に示されているように、スチーム供給装置４２からスチーム供給配管４１を通じてスチームノズル３５に供給され、スチームノズル３５の吹出口３５ａからウエハ１に吹き付けられる際に、インジェクションノズル４８から常温または加熱（１００℃未満）した超純水４９が添加される。このスチーム４７への超純水４９の添加により、スチーム４７の温度が下がり、１００℃〜１１００℃未満（好ましくは２００〜３００℃）に制御されるとともに、スチーム４７の流量や流速が増加される。   In the present embodiment, the steam 47 generated at about 1100 ° C. in the steam supply device 42 is supplied from the steam supply device 42 to the steam nozzle 35 through the steam supply pipe 41 as shown in FIG. Then, when the wafer 1 is sprayed from the outlet 35a of the steam nozzle 35, ultrapure water 49 heated to room temperature or heated (less than 100 ° C.) is added from the injection nozzle 48. By adding the ultrapure water 49 to the steam 47, the temperature of the steam 47 is lowered and controlled to 100 ° C. to less than 1100 ° C. (preferably 200 to 300 ° C.), and the flow rate and flow velocity of the steam 47 are increased. .

本実施の形態によれば、前記実施の形態の効果に加えて次のような効果を得ることができる。
水素ガスと酸素ガスとの燃焼によって得られた高エネルギーを持った水蒸気に超純水を添加することにより、水蒸気の温度を降下させることができるとともに、水蒸気の流量や流速を増加させることができるので、高い効率で大量の水蒸気を得ることができ、洗浄およびリンス後の乾燥時間を短縮することができる。
なお、インジェクションノズルの噴出口を超純水を放射状に噴射することができるスプレー式ノズルに構成することにより、スチームと超純水の混合をより一層促進することができる。また、インジェクションノズルを石英ガラスまたは弗素樹脂を使用して構成すると、清浄度を増加させることができる。 According to the present embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects of the above-described embodiment.
By adding ultrapure water to high-energy water vapor obtained by combustion of hydrogen gas and oxygen gas, the temperature of water vapor can be lowered, and the flow rate and flow rate of water vapor can be increased. Therefore, a large amount of water vapor can be obtained with high efficiency, and the drying time after washing and rinsing can be shortened.
In addition, mixing the steam and the ultrapure water can be further promoted by configuring the spray nozzle of the injection nozzle to be a spray type nozzle capable of jetting ultrapure water radially. In addition, when the injection nozzle is made of quartz glass or fluorine resin, the cleanliness can be increased.

図４、図５および図６は本発明の第三の実施の形態を示している。
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法にあってウエハに不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりする工程に使用されるバッチ式縦型拡散・ＣＶＤ装置（以下、バッチ式ＣＶＤ装置という。）として構成されている。本実施の形態に係るバッチ式ＣＶＤ装置５０においては、ウエハ搬送用のウエハキャリアとしてはＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）が使用されている。なお、以下の説明において、前後左右は図４を基準とする。すなわち、フロント筐体５１側が前側、その反対側である耐圧筐体８１側が後側、ボートエレベータ１００側が左側、その反対側であるシールキャップ１０３側が右側とする。 4, 5 and 6 show a third embodiment of the present invention.
In this embodiment, the substrate processing apparatus according to the present invention is a batch type used in a process of diffusing impurities on a wafer or forming a CVD film such as an insulating film or a metal film in an IC manufacturing method. It is configured as a vertical diffusion / CVD apparatus (hereinafter referred to as a batch type CVD apparatus). In batch type CVD apparatus 50 according to the present embodiment, FOUP (front opening unified pod, hereinafter referred to as pod) is used as a wafer carrier for wafer transfer. In the following description, front, rear, left and right are based on FIG. That is, the front casing 51 side is the front side, the pressure-resistant casing 81 side, which is the opposite side, is the rear side, the boat elevator 100 side is the left side, and the seal cap 103 side, which is the opposite side, is the right side.

図４および図５に示されているように、バッチ式ＣＶＤ装置５０はフロント筐体５１を備えており、フロント筐体５１によってポッド保管室５２が形成されている。フロント筐体５１の正面壁にはポッド搬入搬出口５３が開設されており、フロント筐体５１のポッド搬入搬出口５３の手前にはポッドステージ５４が構築されている。ポッドステージ５４にはポッド２がＲＧＶ等の工程内搬送装置によって供給および排出されるようになっている。フロント筐体５１内の上部には前側ポッド棚５５と後側ポッド棚５６とがそれぞれ設置されており、前側ポッド棚５５および後側ポッド棚５６は複数台のポッド２を一時的に保管し得るように構成されている。フロント筐体５１の前側部分にはリニアアクチュエータやエレベータおよびスカラ形ロボット等によって構成されたポッド搬送装置５７が設置されており、ポッド搬送装置５７はポッドステージ５４、前後のポッド棚５５、５６およびポッドオープナの間でポッド２を搬送するように構成されている。   As shown in FIGS. 4 and 5, the batch type CVD apparatus 50 includes a front casing 51, and a pod storage chamber 52 is formed by the front casing 51. A pod loading / unloading port 53 is opened on the front wall of the front housing 51, and a pod stage 54 is constructed in front of the pod loading / unloading port 53 of the front housing 51. The pod 2 is supplied to and discharged from the pod stage 54 by an in-process transfer device such as RGV. A front pod shelf 55 and a rear pod shelf 56 are installed in the upper portion of the front casing 51, and the front pod shelf 55 and the rear pod shelf 56 can temporarily store a plurality of pods 2. It is configured as follows. A pod transfer device 57 configured by a linear actuator, an elevator, a SCARA robot, or the like is installed in the front portion of the front casing 51. The pod transfer device 57 includes a pod stage 54, front and rear pod shelves 55 and 56, and a pod. It is comprised so that the pod 2 may be conveyed between openers.

フロント筐体５１の背面壁にはポッドオープナ室６０を形成する筐体（以下、ポッドオープナ筐体という。）６１が隣接して設置されており、ポッドオープナ室６０の背面壁にはウエハ搬入搬出口７３を開閉するゲートバルブ６２が設置されている。ポッドオープナ筐体６１の側壁にはポッドオープナ室６０へ窒素（Ｎ2 ）ガスを給気するためのガス供給管６３と、ポッドオープナ室６０を負圧に排気するための排気管６４とがそれぞれ接続されている。なお、窒素ガスの供給はガス供給管６３による供給を設けず、ゲートバルブ６２の開放により、ウエハ移載室７２内に充満された窒素ガスが流れ込むようにすることとしてもよいし、排気管６４を設けず、ポッド２とポッドオープナ室筐体６１との隙間から排気するようにしてもよい。ポッドオープナ筐体６１の正面壁にはウエハ搬入搬出口６５が開設されており、ポッドオープナ筐体６１の正面のウエハ搬入搬出口６５の下端辺にはポッド２を載置する載置台６６が水平に突設されている。ポッドオープナ室６０の内部には載置台６６に載置されたポッド２のキャップを着脱するキャップ着脱機構６７が設置されており、載置台６６に載置されたポッド２のキャップをキャップ着脱機構６７によって着脱することにより、ポッド２のウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。 A casing (hereinafter referred to as a pod opener casing) 61 that forms a pod opener chamber 60 is installed adjacent to the rear wall of the front casing 51, and a wafer is carried into the rear wall of the pod opener chamber 60. A gate valve 62 that opens and closes the outlet 73 is provided. A gas supply pipe 63 for supplying nitrogen (N 2 ) gas to the pod opener chamber 60 and an exhaust pipe 64 for exhausting the pod opener chamber 60 to a negative pressure are provided on the side wall of the pod opener casing 61. It is connected. The supply of nitrogen gas is not provided by the gas supply pipe 63, and the nitrogen gas filled in the wafer transfer chamber 72 may flow by opening the gate valve 62, or the exhaust pipe 64. The pod 2 and the pod opener chamber casing 61 may be evacuated without being provided. A wafer loading / unloading port 65 is opened on the front wall of the pod opener casing 61, and a mounting table 66 on which the pod 2 is placed is placed horizontally at the lower end side of the wafer loading / unloading port 65 in front of the pod opener casing 61. It is projecting. A cap attaching / detaching mechanism 67 for attaching / detaching the cap of the pod 2 placed on the placing table 66 is installed inside the pod opener chamber 60, and the cap of the pod 2 placed on the placing table 66 is attached to the cap attaching / detaching mechanism 67. By attaching / detaching, the wafer loading / unloading opening of the pod 2 is opened and closed.

ポッドオープナ筐体６１の背面壁には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な気密性能を有する耐圧筐体７１が連設されており、ウエハ移載室７２が耐圧筐体（以下、移載室筐体という。）７１によって形成されている。ウエハ移載室７２にはウエハ搬入搬出口７３が開設されており、ウエハ搬入搬出口７３はゲートバルブ６２によって開閉されるように構成されている。ウエハ移載室７２には負圧下でウエハ１を移載するウエハ移載装置７４が、水平に設置されており、ウエハ移載装置７４はスカラ形ロボット（selective compliance assembly robot arm 。ＳＣＡＲＡ）によって構成されている。異物がウエハ移載室７２および待機室８２に侵入するのを防止するために、ウエハ移載装置７４の駆動部であるモータ７５はウエハ移載室７２の底壁の外部に設置されている。移載室筐体７１の側壁にはウエハ移載室７２を負圧に排気するための排気管７６が接続されている。ウエハ移載室７２には圧力調整装置および圧力センサ（図示せず）が接続されており、圧力調整装置は圧力センサの検出に基づいてウエハ移載室７２の圧力を調整するように構成されている。   The back wall of the pod opener casing 61 is connected to a pressure-resistant casing 71 having airtightness capable of maintaining a pressure lower than atmospheric pressure (hereinafter referred to as negative pressure), and the wafer transfer chamber 72 has a pressure resistance. A housing (hereinafter referred to as a transfer chamber housing) 71 is formed. A wafer loading / unloading port 73 is opened in the wafer transfer chamber 72, and the wafer loading / unloading port 73 is configured to be opened and closed by a gate valve 62. In the wafer transfer chamber 72, a wafer transfer device 74 for transferring the wafer 1 under a negative pressure is installed horizontally, and the wafer transfer device 74 is configured by a SCARA robot (selective compliance assembly robot arm). Has been. In order to prevent foreign matter from entering the wafer transfer chamber 72 and the standby chamber 82, a motor 75 that is a drive unit of the wafer transfer device 74 is installed outside the bottom wall of the wafer transfer chamber 72. An exhaust pipe 76 for exhausting the wafer transfer chamber 72 to a negative pressure is connected to the side wall of the transfer chamber casing 71. A pressure adjusting device and a pressure sensor (not shown) are connected to the wafer transfer chamber 72, and the pressure adjusting device is configured to adjust the pressure of the wafer transfer chamber 72 based on the detection of the pressure sensor. Yes.

ウエハ移載室７２のウエハ移載装置７４と反対側には、基板仮置き具としての一対のストッカ７７Ａ、７７Ｂが前後に並べられて設置されている。両ストッカ７７Ａ、７７Ｂは後記するボートと同様な構造に構成されており、ボートが保持可能な最大枚数以上の枚数のウエハ１を保持可能なように構成されている。ウエハ移載室７２の前側ストッカ７７Ａと後側ストッカ７７Ｂとの間には、遮蔽手段としての遮蔽板７８が垂直に設置されており、遮蔽板７８は前側ストッカ７７Ａと後側ストッカ７７Ｂとの間の熱を遮断するように構成されている。前側ストッカ７７Ａおよび後側ストッカ７７Ｂのウエハ移載装置７４と反対側の近傍のそれぞれには、窒素ガスを吹き出す前側ガス吹出管７９Ａと後側ガス吹出管７９Ｂとが設置されており、前側ガス吹出管７９Ａおよび後側ガス吹出管７９Ｂは前側ストッカ７７Ａおよび後側ストッカ７７Ｂに窒素ガスをそれぞれ吹き付けるように構成されている。   On the opposite side of the wafer transfer chamber 72 from the wafer transfer device 74, a pair of stockers 77A and 77B as temporary substrate holders are arranged side by side. Both stockers 77A and 77B have the same structure as a boat described later, and are configured to hold the number of wafers 1 that is greater than or equal to the maximum number that can be held by the boat. A shielding plate 78 as a shielding means is vertically installed between the front stocker 77A and the rear stocker 77B of the wafer transfer chamber 72, and the shielding plate 78 is located between the front stocker 77A and the rear stocker 77B. It is comprised so that the heat | fever may be interrupted | blocked. A front gas blowing pipe 79A and a rear gas blowing pipe 79B for blowing out nitrogen gas are respectively installed in the vicinity of the front stocker 77A and the rear stocker 77B on the opposite side of the wafer transfer device 74. The pipe 79A and the rear gas outlet pipe 79B are configured to blow nitrogen gas to the front stocker 77A and the rear stocker 77B, respectively.

図４に示されているように、移載室筐体７１の後側には負圧を維持可能な気密性能を有する耐圧筐体８１が隣接して設置されており、この耐圧筐体８１によりボートを収納可能な容積を有するロードロック方式の予備室である待機室８２が形成されている。なお、ロードロック方式とは、ゲートバルブ等の仕切弁を用いて処理室と予備室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度や圧力等の外乱を小さくして処理を安定化させる方式、である。耐圧筐体（以下、待機室筐体という。）８１の前面壁および移載室筐体７１の背面壁にはウエハ搬入搬出口８３およびウエハ搬入搬出口８０がそれぞれ開設されており、これらのウエハ搬入搬出口８３、８０はゲートバルブ８４によって開閉されるように構成されている。待機室筐体８１の一対の側壁には待機室８２へ窒素（Ｎ2 ）ガスを給気するためのガス供給管８５と、待機室８２を負圧に排気するための排気管８６とがそれぞれ接続されている。 As shown in FIG. 4, a pressure-resistant housing 81 having airtightness capable of maintaining a negative pressure is provided adjacent to the rear side of the transfer chamber housing 71, and the pressure-resistant housing 81 A standby chamber 82, which is a load lock type spare chamber having a volume capable of accommodating a boat, is formed. Note that the load lock method uses a gate valve or other gate valve to isolate the processing chamber from the spare chamber, preventing inflow of air into the processing chamber, and reducing disturbances such as temperature and pressure. It is a method to stabilize. A wafer loading / unloading port 83 and a wafer loading / unloading port 80 are respectively provided on the front wall of the pressure-resistant housing (hereinafter referred to as a standby chamber housing) 81 and the rear wall of the transfer chamber housing 71. The loading / unloading ports 83 and 80 are configured to be opened and closed by a gate valve 84. A gas supply pipe 85 for supplying nitrogen (N 2 ) gas to the standby chamber 82 and an exhaust pipe 86 for exhausting the standby chamber 82 to a negative pressure are respectively provided on the pair of side walls of the standby chamber casing 81. It is connected.

図５および図６に示されているように、待機室８２の天井壁にはボート搬入搬出口８７が大きく開設されており、ボート搬入搬出口８７は仕切弁としてのシャッタ８８によって開閉されるように構成されている。待機室筐体８１の上に構築された筐体８９の内部にはヒータユニット９０が垂直方向に設置されており、ヒータユニット９０の内部には処理室９１を形成するプロセスチューブ９２が設置されている。プロセスチューブ９２は石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されたアウタチューブ９３と、石英または炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて上下両端が開口した円筒形状に形成されたインナチューブ９４とを備えており、アウタチューブ９３がインナチューブ９４に同心円に被せられている。アウタチューブ９３とインナチューブ９４との間には環状の排気路９５が両者の間隙によって形成されている。プロセスチューブ９２は待機室筐体８１の天井壁の上にマニホールド９６を介して支持されており、マニホールド９６はボート搬入搬出口８７に同心円に配置されている。マニホールド９６にはプロセスチューブ９２の内部を排気するための排気管９８が接続されており、排気管９８は排気路９５に連通するようになっている。なお、プロセスチューブ９２には熱電対９９が挿入されており、熱電対９９の側温によってヒータユニット９０のフィードバック制御が実施されるようになっている。処理室９１には原料ガスやパージガス等がガス導入管９７により導入されるようになっている。 As shown in FIGS. 5 and 6, a boat loading / unloading port 87 is widely opened on the ceiling wall of the standby chamber 82, and the boat loading / unloading port 87 is opened and closed by a shutter 88 as a gate valve. It is configured. A heater unit 90 is installed in a vertical direction inside a casing 89 constructed on the standby chamber casing 81, and a process tube 92 forming a processing chamber 91 is installed inside the heater unit 90. Yes. The process tube 92 is made of quartz (SiO 2 ) and has an outer tube 93 formed in a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened, and a cylindrical shape made of quartz or silicon carbide (SiC) and opened at both upper and lower ends. The outer tube 93 is concentrically covered with the inner tube 94. An annular exhaust path 95 is formed between the outer tube 93 and the inner tube 94 by a gap therebetween. The process tube 92 is supported on the ceiling wall of the standby chamber casing 81 via a manifold 96, and the manifold 96 is arranged concentrically at the boat loading / unloading port 87. An exhaust pipe 98 for exhausting the inside of the process tube 92 is connected to the manifold 96, and the exhaust pipe 98 communicates with the exhaust path 95. A thermocouple 99 is inserted into the process tube 92, and feedback control of the heater unit 90 is performed by the side temperature of the thermocouple 99. A raw material gas, a purge gas or the like is introduced into the processing chamber 91 through a gas introduction pipe 97.

待機室８２にはボートを昇降させるためのボートエレベータ１００が設置されており、ボートエレベータ１００は送りねじ装置やベローズ等によって構成されている。ボートエレベータ１００の昇降台１０１の側面にはアーム１０２が水平に突設されており、アーム１０２の先端にはシールキャップ１０３が水平に支持されている。シールキャップ１０３はプロセスチューブ９２の炉口になる待機室筐体８１のボート搬入搬出口８７を気密シールし得るように構成されているとともに、基板保持具であるボート１０４を垂直に支持するように構成されている。ボート１０４は複数枚（例えば、２５枚、５０枚、１００枚、１２５枚、１５０枚ずつ等）のウエハ１を、その中心を揃えて水平に支持した状態で、ボートエレベータ１００によるシールキャップ１０３の昇降に伴ってプロセスチューブ９２の処理室９１に対して搬入搬出するように構成されている。ボート１０４はシールキャップ１０３に設置されたロータリーアクチュエータ１０５によって回転されるように構成されている。   The waiting room 82 is provided with a boat elevator 100 for raising and lowering the boat, and the boat elevator 100 is constituted by a feed screw device, a bellows, or the like. An arm 102 protrudes horizontally on the side surface of the elevator 101 of the boat elevator 100, and a seal cap 103 is supported horizontally at the tip of the arm 102. The seal cap 103 is configured to hermetically seal the boat loading / unloading port 87 of the standby chamber casing 81 serving as the furnace port of the process tube 92, and vertically supports the boat 104 serving as a substrate holder. It is configured. The boat 104 has a plurality of wafers 1 (for example, 25 sheets, 50 sheets, 100 sheets, 125 sheets, 150 sheets, etc.) in a state where the wafer cap 1 is horizontally supported with its center aligned. It is configured to be carried into and out of the processing chamber 91 of the process tube 92 as it moves up and down. The boat 104 is configured to be rotated by a rotary actuator 105 installed on the seal cap 103.

図４に示されているように、移載室筐体７１の右側には酸化膜除去装置１０Ａが設置されている。移載室筐体７１の右側壁にはウエハ搬入搬出口１３Ａが開設されており、ウエハ搬入搬出口１３Ａはウエハ１をウエハ移載室７２に対して搬入搬出し得るように構成されている。移載室筐体７１の右脇には酸化膜除去装置１０Ａの除去室筐体１１Ａが隣接して設置されており、除去室筐体１１Ａの左側壁にはウエハ搬入搬出口１３が開設されている。ウエハ搬入搬出口１３Ａ、１３はゲートバルブ１４によって開閉されるようになっている。本実施の形態に係る酸化膜除去装置１０Ａが前記実施の形態に係る酸化膜除去装置１０と異なる点は、除去室筐体１１Ａが略立方体形状に形成されている点である。   As shown in FIG. 4, an oxide film removing apparatus 10 </ b> A is installed on the right side of the transfer chamber casing 71. A wafer loading / unloading port 13A is opened on the right side wall of the transfer chamber casing 71, and the wafer loading / unloading port 13A is configured so that the wafer 1 can be loaded into and unloaded from the wafer transfer chamber 72. A removal chamber casing 11A of the oxide film removing apparatus 10A is installed adjacent to the right side of the transfer chamber casing 71, and a wafer loading / unloading port 13 is opened on the left side wall of the removal chamber casing 11A. Yes. The wafer loading / unloading ports 13A and 13 are opened and closed by a gate valve 14. The oxide film removing apparatus 10A according to the present embodiment is different from the oxide film removing apparatus 10 according to the above embodiment in that the removal chamber casing 11A is formed in a substantially cubic shape.

以下、前記構成に係るバッチ式ＣＶＤ装置を使用したＩＣの製造方法における成膜工程を説明する。なお、本実施の形態においては、一台のポッド２に収納された二十五枚以内のウエハ１をバッチ処理（一括処理）する場合について説明する。   Hereinafter, a film forming process in an IC manufacturing method using the batch type CVD apparatus according to the above configuration will be described. In the present embodiment, a case will be described in which batch processing (batch processing) of up to 25 wafers 1 housed in one pod 2 is performed.

成膜すべきウエハ１は二十五枚以内がポッド２に収納された状態で、バッチ式ＣＶＤ装置５０のポッドステージ５４へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。搬送されて来たポッド２はポッドステージ５４から前側ポッド棚５５または後側ポッド棚５６の指定された場所にポッド搬送装置５７によって搬送されて保管される。   The wafer 1 to be deposited is transported to the pod stage 54 of the batch type CVD apparatus 50 by the in-process transport apparatus in a state where up to 25 wafers 1 are accommodated in the pod 2. The pod 2 that has been transported is transported from the pod stage 54 to a designated location on the front pod shelf 55 or the rear pod shelf 56 by the pod transport device 57 and stored.

ウエハ１が収納されたポッド２は載置台６６の上へポッド搬送装置５７によって搬送されて載置される。ポッドオープナ室６０には窒素ガスがガス供給管６３によって供給されるとともに、排気管６４によって排気されることにより、窒素ガスが充満（窒素ガスパージ）される。この時のポッドオープナ室６０の酸素濃度は２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。載置されたポッド２のキャップがキャップ着脱機構６７によって取り外され、ポッド２のウエハ出し入れ口が開放される。窒素ガスがポッド２のウエハ出し入れ口にポッドオープナ室６０に敷設された窒素ガス供給ノズルから吹き込まれ、ポッド２のウエハ収納室の雰囲気が窒素ガスパージされる。この時のポッド２のウエハ収納室における酸素濃度は、２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。その後、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって開放される。この際、ウエハ移載室７２には窒素ガスが充満（窒素ガスパージ）されている。   The pod 2 in which the wafer 1 is stored is transferred onto the mounting table 66 by the pod transfer device 57 and mounted thereon. Nitrogen gas is supplied to the pod opener chamber 60 through the gas supply pipe 63 and exhausted through the exhaust pipe 64, so that the nitrogen gas is filled (nitrogen gas purge). At this time, the oxygen concentration in the pod opener chamber 60 is preferably 20 ppm or less. The cap of the placed pod 2 is removed by the cap attaching / detaching mechanism 67, and the wafer loading / unloading port of the pod 2 is opened. Nitrogen gas is blown into the wafer inlet / outlet of the pod 2 from a nitrogen gas supply nozzle laid in the pod opener chamber 60, and the atmosphere of the wafer storage chamber of the pod 2 is purged with nitrogen gas. At this time, the oxygen concentration in the wafer storage chamber of the pod 2 is preferably 20 ppm or less. Thereafter, the wafer loading / unloading port 73 is opened by the gate valve 62. At this time, the wafer transfer chamber 72 is filled with nitrogen gas (nitrogen gas purge).

ポッド２が開放されると、ウエハ１はポッド２からウエハ移載装置７４によってウエハ搬入搬出口７３を通してピックアップされ、ウエハ移載室７２に搬入される。ウエハ移載室７２に搬入されたウエハ１は、ウエハ移載室７２の一方のストッカである前側ストッカ７７Ａへウエハ移載装置７４によって移載される。ポッド２の全てのウエハ１が前側ストッカ７７Ａへ移載されて装填（ウエハチャージング）されると、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって閉じられる。ウエハ搬入搬出口７３が閉じられると、ポッドオープナ室６０への窒素ガスの供給は停止される。ちなみに、空になったポッド２は載置台６６からポッド棚５５または５６にポッド搬送装置５７によって一時的に戻される。   When the pod 2 is opened, the wafer 1 is picked up from the pod 2 by the wafer transfer device 74 through the wafer loading / unloading port 73 and loaded into the wafer transfer chamber 72. The wafer 1 loaded into the wafer transfer chamber 72 is transferred by the wafer transfer device 74 to the front stocker 77A, which is one stocker of the wafer transfer chamber 72. When all the wafers 1 in the pod 2 are transferred to the front stocker 77A and loaded (wafer charging), the wafer loading / unloading port 73 is closed by the gate valve 62. When the wafer loading / unloading port 73 is closed, the supply of nitrogen gas to the pod opener chamber 60 is stopped. Incidentally, the empty pod 2 is temporarily returned from the mounting table 66 to the pod shelf 55 or 56 by the pod transfer device 57.

次いで、ウエハ搬入搬出口１３Ａ、１３がゲートバルブ１４によって開放される。続いて、前側ストッカ７７Ａに装填されたウエハ１がウエハ移載装置７４によってピックアップされて、酸化膜除去装置１０Ａの除去室１２Ａにウエハ搬入搬出口１３Ａ、１３を通じて搬入され、保持具２２へ移載される。保持具２２に移載されたウエハ１は保持具２２によって保持される。ウエハ１が保持されると、ウエハ搬入搬出口１３Ａ、１３がゲートバルブ１４によって閉じられる。   Next, the wafer loading / unloading outlets 13 </ b> A and 13 are opened by the gate valve 14. Subsequently, the wafer 1 loaded in the front stocker 77A is picked up by the wafer transfer device 74, and is loaded into the removal chamber 12A of the oxide film removal device 10A through the wafer loading / unloading ports 13A and 13 and transferred to the holder 22. Is done. The wafer 1 transferred to the holder 22 is held by the holder 22. When the wafer 1 is held, the wafer loading / unloading ports 13 </ b> A and 13 are closed by the gate valve 14.

その後、酸化膜除去装置１０Ａにおいて、ウエハ１の自然酸化膜除去ステップ（洗浄ステップ、リンスステップおよび乾燥ステップ）が、前記実施の形態と同様に実施される。ウエハ１の自然酸化膜除去ステップが終了すると、ウエハ搬入搬出口１３Ａ、１３がゲートバルブ１４によって開放される。続いて、保持具２２に保持された自然酸化膜除去済みのウエハ１がウエハ移載装置７４によってピックアップされて、ウエハ移載室７２にウエハ搬入搬出口１３Ａ、１３を通じて搬入され、前側ストッカ７７Ａに移載される。ウエハ１の移載が完了すると、ウエハ搬入搬出口１３Ａ、１３がゲートバルブ１４によって閉じられる。   Thereafter, in the oxide film removing apparatus 10A, the natural oxide film removing step (cleaning step, rinsing step, and drying step) of the wafer 1 is performed in the same manner as in the above embodiment. When the natural oxide film removal step of the wafer 1 is completed, the wafer loading / unloading ports 13A and 13 are opened by the gate valve 14. Subsequently, the natural oxide film-removed wafer 1 held by the holder 22 is picked up by the wafer transfer device 74 and loaded into the wafer transfer chamber 72 through the wafer loading / unloading ports 13A and 13 and into the front stocker 77A. Reprinted. When the transfer of the wafer 1 is completed, the wafer loading / unloading ports 13A and 13 are closed by the gate valve 14.

以降、前述した作動が繰り返されることにより、前側ストッカ７７Ａの全てのウエハ１について自然酸化膜除去ステップが一枚ずつ実施されて、自然酸化膜除去ステップが前側ストッカ７７Ａの全てのウエハ１について完了される。   Thereafter, by repeating the operation described above, the natural oxide film removal step is performed one by one for all the wafers 1 of the front stocker 77A, and the natural oxide film removal step is completed for all the wafers 1 of the front stocker 77A. The

自然酸化膜除去ステップが前側ストッカ７７Ａの全てのウエハ１について完了すると、ウエハ移載室７２は排気管８６によって真空引きされることにより、ウエハ移載室７２の圧力が待機室８２の圧力と等しく減圧される。この際、ウエハ移載室７２の容積は待機室８２のそれに比べて小さいので、減圧時間は短くて済む。ウエハ移載室７２が待機室８２と等しく減圧されると、ウエハ搬入搬出口８０、８３がゲートバルブ８４によって開放される。   When the natural oxide film removal step is completed for all the wafers 1 in the front stocker 77A, the wafer transfer chamber 72 is evacuated by the exhaust pipe 86, so that the pressure in the wafer transfer chamber 72 is equal to the pressure in the standby chamber 82. Depressurized. At this time, since the volume of the wafer transfer chamber 72 is smaller than that of the standby chamber 82, the decompression time can be short. When the wafer transfer chamber 72 is decompressed in the same manner as the standby chamber 82, the wafer loading / unloading ports 80 and 83 are opened by the gate valve 84.

続いて、前側ストッカ７７Ａに装填された自然酸化膜除去済みのウエハ１が、ウエハ移載装置７４によってピックアップされて、待機室８２にウエハ搬入搬出口８０、８３を通じて搬入され、待機室８２のボート１０４へ移載される。   Subsequently, the natural oxide film-removed wafer 1 loaded in the front stocker 77A is picked up by the wafer transfer device 74 and loaded into the waiting chamber 82 through the wafer loading / unloading ports 80 and 83, and the boat in the waiting chamber 82 is loaded. 104.

以降、ウエハ１の前側ストッカ７７Ａからボート１０４へのウエハ移載装置７４による移載作業が繰り返される。この間、ウエハ移載室７２および待機室８２は負圧に減圧されているので、自然酸化膜除去済みのウエハ１が移載途中で自然酸化される現象を防止することができる。また、ボート搬入搬出口８７がシャッタ８８によって閉鎖されることにより、プロセスチューブ９２の高温雰囲気が待機室８２に流入することは防止されている。したがって、移載途中のウエハ１および移載されたウエハ１が高温雰囲気に晒されることはなく、ウエハ１が高温雰囲気に晒されることによる自然酸化等の弊害の派生は防止されることになる。   Thereafter, the transfer operation of the wafer 1 from the front stocker 77A to the boat 104 by the wafer transfer device 74 is repeated. During this time, since the wafer transfer chamber 72 and the standby chamber 82 are depressurized to a negative pressure, a phenomenon in which the wafer 1 from which the natural oxide film has been removed is naturally oxidized during the transfer can be prevented. Further, since the boat loading / unloading port 87 is closed by the shutter 88, the high temperature atmosphere of the process tube 92 is prevented from flowing into the standby chamber 82. Therefore, the wafer 1 being transferred and the transferred wafer 1 are not exposed to the high temperature atmosphere, and the occurrence of harmful effects such as natural oxidation due to the wafer 1 being exposed to the high temperature atmosphere is prevented.

前側ストッカ７７Ａに装填された全てのウエハ１がボート１０４へ装填されると、ボート搬入搬出口８７がシャッタ８８によって開放される。続いて、シールキャップ１０３がボートエレベータ１００の昇降台１０１によって上昇されて、図６に想像線で示されているように、シールキャップ１０３に支持されたボート１０４がプロセスチューブ９２の処理室９１に搬入（ボートローディング）される。ボート１０４が上限に達すると、ボート１０４を支持したシールキャップ１０３の上面の周辺部がボート搬入搬出口８７をシール状態に閉塞するため、処理室９１は気密に閉じられた状態になる。このボート１０４の処理室９１への搬入に際して、待機室８２は負圧に維持されているため、ボート１０４の処理室９１への搬入に伴って外部の酸素や水分が処理室９１に侵入することは確実に防止される。また、前側ストッカ７７Ａのウエハ１をボート１０４に装填した後に、待機室８２を真空引きしたり窒素ガスパージしたりせずに、ボート１０４を処理室９１へ搬入することができるので、スループットを大幅に向上させることができる。   When all the wafers 1 loaded in the front stocker 77A are loaded into the boat 104, the boat loading / unloading port 87 is opened by the shutter 88. Subsequently, the seal cap 103 is lifted by the elevator 101 of the boat elevator 100, and the boat 104 supported by the seal cap 103 is placed in the processing chamber 91 of the process tube 92 as indicated by an imaginary line in FIG. 6. Carry in (boat loading). When the boat 104 reaches the upper limit, the periphery of the upper surface of the seal cap 103 that supports the boat 104 closes the boat loading / unloading port 87 in a sealed state, so that the processing chamber 91 is closed in an airtight manner. When the boat 104 is loaded into the processing chamber 91, the standby chamber 82 is maintained at a negative pressure, so that external oxygen and moisture enter the processing chamber 91 as the boat 104 is loaded into the processing chamber 91. Is definitely prevented. In addition, after loading the wafer 1 of the front stocker 77A into the boat 104, the boat 104 can be loaded into the processing chamber 91 without evacuating the standby chamber 82 or purging with nitrogen gas. Can be improved.

その後、プロセスチューブ９２の処理室９１は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管９８によって排気され、ヒータユニット９０によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管９７によって所定の流量だけ供給される。これにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエハ１に形成される。   Thereafter, the process chamber 91 of the process tube 92 is hermetically closed, and is exhausted by the exhaust pipe 98 so as to have a predetermined pressure, heated to a predetermined temperature by the heater unit 90, and a predetermined source gas is introduced into the gas. The pipe 97 supplies a predetermined flow rate. As a result, a desired film corresponding to preset processing conditions is formed on the wafer 1.

翻って、前側ストッカ７７Ａに装填された全てのウエハ１がボート１０４へ装填されると、ウエハ搬入搬出口８３、８０がゲートバルブ８４によって閉鎖されて、ウエハ移載室７２がガス吹出管７９Ａ、７９Ｂによって窒素ガスパージされる。一方、次の（二番目の）バッチのウエハ１が収納されたポッド２は、載置台６６の上へポッド搬送装置５７により搬送されて載置される。ポッドオープナ室６０は窒素ガスがガス供給管６３によって供給されるとともに排気管６４によって排気されることにより、窒素ガスパージされる。その後、載置されたポッド２のキャップがキャップ着脱機構６７によって取り外され、ポッド２のウエハ出し入れ口が開放される。続いて、窒素ガスがポッド２のウエハ出し入れ口にポッドオープナ室６０に敷設された窒素ガス供給ノズルから吹き込まれ、ポッド２のウエハ収納室の雰囲気が窒素ガスパージされる。その後、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって開放される。この際、ウエハ移載室７２には窒素ガスが充満（窒素ガスパージ）されている。   In turn, when all the wafers 1 loaded in the front stocker 77A are loaded into the boat 104, the wafer loading / unloading ports 83 and 80 are closed by the gate valve 84, and the wafer transfer chamber 72 is moved to the gas blowing pipe 79A, 79B is purged with nitrogen gas. On the other hand, the pod 2 in which the next (second) batch of wafers 1 is stored is transferred onto the mounting table 66 by the pod transfer device 57 and mounted thereon. The pod opener chamber 60 is purged with nitrogen gas by supplying nitrogen gas through the gas supply pipe 63 and exhausting it through the exhaust pipe 64. Thereafter, the cap of the placed pod 2 is removed by the cap attaching / detaching mechanism 67, and the wafer loading / unloading port of the pod 2 is opened. Subsequently, nitrogen gas is blown into the wafer inlet / outlet port of the pod 2 from a nitrogen gas supply nozzle installed in the pod opener chamber 60, and the atmosphere of the wafer storage chamber of the pod 2 is purged with nitrogen gas. Thereafter, the wafer loading / unloading port 73 is opened by the gate valve 62. At this time, the wafer transfer chamber 72 is filled with nitrogen gas (nitrogen gas purge).

ポッド２が開放されると、ウエハ１はポッド２からウエハ移載装置７４によってウエハ搬入搬出口７３を通してピックアップされ、ウエハ移載室７２に搬入される。ウエハ移載室７２に搬入されたウエハ１はウエハ移載室７２の後側ストッカ７７Ｂへウエハ移載装置７４によって移載される。ポッド２の全てのウエハ１が後側ストッカ７７Ｂへ移載されて装填されると、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって閉じられる。ウエハ搬入搬出口７３が閉じられると、ポッドオープナ室６０への窒素ガスの供給は停止される。ちなみに、空になったポッド２は載置台６６からポッド棚５５または５６にポッド搬送装置５７によって一時的に戻される。   When the pod 2 is opened, the wafer 1 is picked up from the pod 2 by the wafer transfer device 74 through the wafer loading / unloading port 73 and loaded into the wafer transfer chamber 72. The wafer 1 loaded into the wafer transfer chamber 72 is transferred to the rear stocker 77B of the wafer transfer chamber 72 by the wafer transfer device 74. When all the wafers 1 in the pod 2 are transferred and loaded on the rear stocker 77B, the wafer loading / unloading port 73 is closed by the gate valve 62. When the wafer loading / unloading port 73 is closed, the supply of nitrogen gas to the pod opener chamber 60 is stopped. Incidentally, the empty pod 2 is temporarily returned from the mounting table 66 to the pod shelf 55 or 56 by the pod transfer device 57.

そして、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって閉じられると、ウエハ搬入搬出口１３Ａ、１３がゲートバルブ１４によって開放され、後側ストッカ７７Ｂに装填されたウエハ１がウエハ移載装置７４によってピックアップされて、除去室１２Ａにウエハ搬入搬出口１３Ａ、１３を通じて搬入され、保持具２２へ移載される。   When the wafer loading / unloading port 73 is closed by the gate valve 62, the wafer loading / unloading ports 13A and 13 are opened by the gate valve 14, and the wafer 1 loaded in the rear stocker 77B is picked up by the wafer transfer device 74. Then, it is carried into the removal chamber 12 </ b> A through the wafer carry-in / out openings 13 </ b> A and 13 and transferred to the holder 22.

以降、前側ストッカ７７Ａのウエハ１について前述した自然酸化膜除去ステップの作業が繰り返されることにより、後側ストッカ７７Ｂの全てのウエハ１について自然酸化膜除去ステップが実施されて行き、自然酸化膜除去ステップが後側ストッカ７７Ｂの全てのウエハ１について実施される。この次のバッチのポッド２に対するウエハ１群の後側ストッカ７７Ｂへの装填ステップおよび自然酸化膜除去ステップは、前回のバッチの成膜ステップと同時進行することができるので、スループットの低下を防止することができる。   Thereafter, the natural oxide film removal step described above is repeated for the wafer 1 of the front stocker 77A, so that the natural oxide film removal step is performed for all the wafers 1 of the rear stocker 77B. Is performed for all the wafers 1 of the rear stocker 77B. The loading step and the natural oxide film removal step of the wafer 1 group on the pod 2 of the next batch and the natural oxide film removal step can proceed simultaneously with the film formation step of the previous batch, thereby preventing a decrease in throughput. be able to.

他方、前回のバッチに対するウエハ１に対しての成膜ステップについて設定された処理時間が経過すると、図５および図６に示されているように、ボート１０４がボートエレベータ１００によって下降されることにより、処理済みウエハ１を保持したボート１０４が待機室８２に搬出（ボートアンローディング）される。   On the other hand, when the processing time set for the film forming step on the wafer 1 for the previous batch elapses, the boat 104 is lowered by the boat elevator 100 as shown in FIGS. Then, the boat 104 holding the processed wafer 1 is unloaded into the standby chamber 82 (boat unloading).

ボート１０４が待機室８２に排出されると、ボート搬入搬出口８７がシャッタ８８によって閉鎖され、ウエハ搬入搬出口８３、８０がゲートバルブ８４によって開放される。続いて、搬出されたボート１０４の処理済みウエハ１がウエハ移載装置７４によって脱装（ディスチャージング）されて、予め減圧されたウエハ移載室７２に搬入され、前側ストッカ７７Ａへ装填される。ボート１０４の全ての処理済みウエハ１が前側ストッカ７７Ａへウエハ移載装置７４によって装填されると、続いて、後側ストッカ７７Ｂに予め装填された次のバッチのウエハ１が、ボート１０４にウエハ移載装置７４によって移載されて装填される。このようにして、大きな容量を有する待機室８２を窒素ガスパージせずに、処理室９１から待機室８２に搬出された処理済みウエハ１を待機室８２と同圧に減圧されたウエハ移載室７２へ待機室８２に搬出された直後に移送して前側ストッカ７７Ａに装填し、続いて、次のバッチのウエハ１をウエハ移載室７２の後側ストッカ７７Ｂから待機室８２のボート１０４に装填すると、大きな容量を有する待機室８２を窒素ガスパージする時間を省略することができるので、スループットを大幅に高めることができる。   When the boat 104 is discharged to the standby chamber 82, the boat loading / unloading port 87 is closed by the shutter 88 and the wafer loading / unloading ports 83 and 80 are opened by the gate valve 84. Subsequently, the processed wafer 1 of the boat 104 that has been unloaded is unloaded (discharged) by the wafer transfer device 74, loaded into the wafer transfer chamber 72 that has been decompressed in advance, and loaded into the front stocker 77A. When all the processed wafers 1 in the boat 104 are loaded into the front stocker 77A by the wafer transfer device 74, the next batch of wafers 1 preloaded in the rear stocker 77B is transferred to the boat 104. It is transferred and loaded by the loading device 74. In this way, the wafer transfer chamber 72 in which the processed wafer 1 unloaded from the process chamber 91 to the standby chamber 82 is decompressed to the same pressure as the standby chamber 82 without purging the standby chamber 82 having a large capacity with nitrogen gas. Immediately after being transferred to the standby chamber 82, the wafer is transferred to the front stocker 77A, and then the next batch of wafers 1 is loaded from the rear stocker 77B of the wafer transfer chamber 72 into the boat 104 of the standby chamber 82. Since the time for purging the standby chamber 82 having a large capacity with nitrogen gas can be omitted, the throughput can be greatly increased.

後側ストッカ７７Ｂに装填された次のバッチのウエハ１がボート１０４へ全て装填されると、ボート搬入搬出口８７がシャッタ８８によって開放される。続いて、シールキャップ１０３がボートエレベータ１００の昇降台１０１によって上昇されて、シールキャップ１０３に支持されたボート１０４がプロセスチューブ９２の処理室９１に搬入される。ボート１０４が上限に達すると、ボート１０４を支持したシールキャップ１０３の上面の周辺部がボート搬入搬出口８７をシール状態に閉塞するために、プロセスチューブ９２の処理室９１は気密に閉じられた状態になる。このボート１０４の処理室９１への搬入に際しても、待機室８２は負圧に維持されているために、ボート１０４の処理室９１への搬入に伴って外部の酸素や水分が処理室９１に侵入することは確実に防止される。さらに、後側ストッカ７７Ｂのウエハ１をボート１０４に装填した後に、待機室８２を真空引きしたり窒素ガスパージしたりせずに、ボート１０４を処理室９１へ搬入することができるので、スループットを大幅に向上させることができる。   When the next batch of wafers 1 loaded in the rear stocker 77B is completely loaded into the boat 104, the boat loading / unloading port 87 is opened by the shutter 88. Subsequently, the seal cap 103 is raised by the elevator 101 of the boat elevator 100, and the boat 104 supported by the seal cap 103 is carried into the processing chamber 91 of the process tube 92. When the boat 104 reaches the upper limit, the peripheral portion of the upper surface of the seal cap 103 that supports the boat 104 closes the boat loading / unloading port 87 in a sealed state, so that the processing chamber 91 of the process tube 92 is airtightly closed. become. Even when the boat 104 is carried into the processing chamber 91, the standby chamber 82 is maintained at a negative pressure, so that external oxygen and moisture enter the processing chamber 91 as the boat 104 is carried into the processing chamber 91. This is definitely prevented. Furthermore, after loading the wafer 1 of the rear stocker 77B into the boat 104, the boat 104 can be carried into the processing chamber 91 without evacuating the standby chamber 82 or purging with nitrogen gas, so that the throughput is greatly increased. Can be improved.

その後、前回の（一番目の）バッチのウエハ１に対する場合と同様にして、プロセスチューブ９２の処理室９１は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管９８によって排気され、ヒータユニット９０によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管９７によって所定の流量だけ供給される。これにより、前回のバッチと同様にウエハ１に対する処理条件に対応する所望の膜がウエハ１に形成される。   Thereafter, as in the case of the wafer (1) of the previous (first) batch, the processing chamber 91 of the process tube 92 is evacuated by the exhaust pipe 98 so as to have a predetermined pressure while being hermetically closed. Heated to a predetermined temperature by the heater unit 90, a predetermined source gas is supplied by the gas introduction pipe 97 by a predetermined flow rate. As a result, a desired film corresponding to the processing conditions for the wafer 1 is formed on the wafer 1 as in the previous batch.

他方、後側ストッカ７７Ｂに装填された全てのウエハ１がボート１０４へ装填されると、ウエハ搬入搬出口８０、８３がゲートバルブ８４によって閉鎖され、冷却媒体としての冷えた新鮮な窒素ガスが前側ストッカ７７Ａに装填された処理済みウエハ１に前側ガス吹出管７９Ａによって直接的に吹き付けられる。この窒素ガスの吹き付けにより、前側ストッカ７７Ａに装填された高温のウエハ１はきわめて効果的に強制冷却される。前側ストッカ７７Ａに装填された処理済みウエハ１に対する強制冷却時間は、次の（二番目の）バッチに対する成膜ステップの処理時間に対応して充分に確保することができるので、（一番目の）処理済みウエハ１を充分に冷却することができる。しかも、この処理済みウエハ１の強制冷却ステップは次の（二番目の）バッチのウエハ１についての成膜ステップと同時に進行されていることにより、冷却待ち時間は吸収されることになるため、バッチ式ＣＶＤ装置５０の全体としてのスループットを低下させることにはならない。   On the other hand, when all the wafers 1 loaded in the rear stocker 77B are loaded into the boat 104, the wafer loading / unloading ports 80 and 83 are closed by the gate valve 84, and the cooled fresh nitrogen gas as the cooling medium is fed to the front side. The processed wafer 1 loaded in the stocker 77A is directly blown by the front gas blowing pipe 79A. By blowing this nitrogen gas, the hot wafer 1 loaded in the front stocker 77A is forcibly cooled effectively. Since the forced cooling time for the processed wafer 1 loaded in the front stocker 77A can be sufficiently ensured corresponding to the processing time of the film forming step for the next (second) batch, (first) The processed wafer 1 can be sufficiently cooled. In addition, since the forced cooling step of the processed wafer 1 is performed at the same time as the film forming step for the next (second) batch of wafers 1, the cooling waiting time is absorbed. The overall throughput of the CVD apparatus 50 is not lowered.

前側ストッカ７７Ａに装填された処理済みウエハ１が窒素ガスの吹き付けによって強制的に冷却されて、ポッド２に収納可能な温度（例えば、８０℃以下）に降温したところで、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって開放される。このとき、ウエハ移載室７２およびポッドオープナ室６０は窒素ガスパージされている。続いて、載置台６６に載置された空のポッド２のキャップがキャップ着脱機構６７によって取り外され、ポッド２のウエハ出し入れ口が開放される。空のポッド２が開放されると、窒素ガスがポッド２のウエハ出し入れ口にポッドオープナ室６０に敷設された窒素ガス供給ノズルから吹き込まれ、ポッド２のウエハ収納室の雰囲気が窒素ガスパージされる。続いて、前側ストッカ７７Ａの処理済みのウエハ１が載置台６６の空のポッド２にウエハ移載装置７４によって収納される。この際、処理済みウエハ１はポッド２に収納可能な温度に降温されているため、ポッド２が樹脂によって製作されている場合であっても、処理済みウエハ１をポッド２に安全に収納することができる。   When the processed wafer 1 loaded in the front stocker 77A is forcibly cooled by blowing nitrogen gas and cooled to a temperature (for example, 80 ° C. or lower) that can be stored in the pod 2, the wafer loading / unloading port 73 is a gate. Opened by valve 62. At this time, the wafer transfer chamber 72 and the pod opener chamber 60 are purged with nitrogen gas. Subsequently, the cap of the empty pod 2 mounted on the mounting table 66 is removed by the cap attaching / detaching mechanism 67, and the wafer loading / unloading port of the pod 2 is opened. When the empty pod 2 is opened, nitrogen gas is blown into the wafer inlet / outlet port of the pod 2 from a nitrogen gas supply nozzle installed in the pod opener chamber 60, and the atmosphere of the wafer storage chamber of the pod 2 is purged with nitrogen gas. Subsequently, the processed wafer 1 in the front stocker 77 </ b> A is stored in the empty pod 2 of the mounting table 66 by the wafer transfer device 74. At this time, since the processed wafer 1 is lowered to a temperature that can be stored in the pod 2, the processed wafer 1 can be safely stored in the pod 2 even when the pod 2 is made of resin. Can do.

前側ストッカ７７Ａに装填された処理済みウエハ１がポッド２に全て収納されると、ポッド２はキャップ着脱機構６７によってキャップを装着された後に、載置台６６から前側ポッド棚５５または後側ポッド棚５６にポッド搬送装置５７によって搬送される。この際、ウエハ搬入搬出口６５はキャップ着脱機構６７によって閉じられた状態になっている。処理済みウエハ１を収納したポッド２が載置台６６から搬送されると、次の（三番目の）バッチのポッド２が載置台６６へポッド搬送装置５７によって搬送される。以降、前述した作動が繰り返されることにより、次の（三番目の）バッチのウエハ１について前述した成膜が施されることになる。   When all the processed wafers 1 loaded in the front stocker 77A are stored in the pod 2, the cap is mounted on the pod 2 by the cap attaching / detaching mechanism 67, and then the front pod shelf 55 or the rear pod shelf 56 is mounted from the mounting table 66. Is transported by the pod transport device 57. At this time, the wafer loading / unloading port 65 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 67. When the pod 2 containing the processed wafer 1 is transferred from the mounting table 66, the next (third) batch of pods 2 is transferred to the mounting table 66 by the pod transfer device 57. Thereafter, the above-described operation is repeated, whereby the above-described film formation is performed on the next (third) batch of wafers 1.

他方、前々回の（一番目の）バッチの処理済みウエハ１を収納したポッド２は、前側ポッド棚５５または後側ポッド棚５６からポッドステージ５４に搬送され、ポッドステージ５４から次の処理工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。この処理済みウエハ１の空のポッド２への収納作業は、後続のバッチのウエハ１に対する成膜ステップの間に同時に進行することができる。   On the other hand, the pod 2 containing the processed wafers 1 of the last batch (first) batch is transported from the front pod shelf 55 or the rear pod shelf 56 to the pod stage 54, and the process from the pod stage 54 to the next processing step. It is transported by the inner transport device. The operation of storing the processed wafer 1 in the empty pod 2 can proceed at the same time during the film forming step for the wafer 1 in the subsequent batch.

以降、前述した作用が繰り返されて、ウエハ１が例えば２５枚ずつ、バッチ式ＣＶＤ装置５０によってバッチ処理されて行く。   Thereafter, the above-described operation is repeated, and, for example, 25 wafers 1 are batch processed by the batch type CVD apparatus 50.

前記実施の形態によれば、前記実施の形態に加えて、次の効果が得られる。   According to the embodiment, the following effects are obtained in addition to the embodiment.

ウエハの自然酸化膜を酸化膜除去装置によって除去した後に、ウエハを待機室に搬送して処理室に搬入することにより、ウエハへの自然酸化膜を低減することができたり、不純物が再付着することを低減することができる。そのため、良好な処理を確保することができる。例えば、高品質な容量膜の形成や容量絶縁膜の耐圧劣化の抑制等が可能となる。   After the natural oxide film on the wafer is removed by the oxide film removing apparatus, the wafer is transferred to the standby chamber and loaded into the processing chamber, so that the natural oxide film on the wafer can be reduced or impurities reattach. This can be reduced. Therefore, a favorable process can be ensured. For example, it is possible to form a high-quality capacitor film, suppress the breakdown voltage degradation of the capacitor insulating film, and the like.

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。   Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

例えば、断熱カバー４０は断熱材のみによって形成するに限らず、断熱材とヒータとによって形成し、この断熱カバーにより、スチームノズル３５およびスチーム供給配管４１を全体的に被覆するように構成してもよい。また、流量を一定に維持するように制御したい場合には、スチームノズル３５に設けられた温度センサの検出温度に基づいて断熱カバーに設けたヒータにより温度の方を制御するように構成してもよい。
また、スチームノズル３５やスチーム供給配管４１は石英製とすると、より一層清浄度を増加させることができる。
スチームノズル３５およびスチーム供給配管４１は燃焼管４３と一体的に構成するに限らず、図７に示されているように、ボールジョイント式管継手１１０にて接続するようにしてもよい。図７において、スチームノズル３５の基端部には雄側ボールジョイント部１１１が形成され、スチーム供給配管４１の先端部には雌側ボールジョイント部１１２が形成されている。雌雄のジョイント部１１１と１１２の摺接面はすりガラス面になっている。このボールジョイント式管継手１１０により、スチームノズル３５の水平面内での回動およびシール状態を確保することができるとともに、組立誤差や加工誤差を吸収することができる。 For example, the heat insulating cover 40 is not limited to being formed only by a heat insulating material, but may be formed by a heat insulating material and a heater, and the heat insulating cover may entirely cover the steam nozzle 35 and the steam supply pipe 41. Good. In addition, when it is desired to control the flow rate to be constant, the temperature may be controlled by a heater provided in the heat insulating cover based on the temperature detected by the temperature sensor provided in the steam nozzle 35. Good.
If the steam nozzle 35 and the steam supply pipe 41 are made of quartz, the cleanliness can be further increased.
The steam nozzle 35 and the steam supply pipe 41 are not limited to being configured integrally with the combustion pipe 43, but may be connected by a ball joint type pipe joint 110 as shown in FIG. In FIG. 7, a male ball joint portion 111 is formed at the proximal end portion of the steam nozzle 35, and a female ball joint portion 112 is formed at the distal end portion of the steam supply pipe 41. The sliding contact surfaces of the male and female joint portions 111 and 112 are ground glass surfaces. The ball joint type pipe joint 110 can ensure the rotation and sealing state of the steam nozzle 35 in the horizontal plane and can absorb assembly errors and processing errors.

スチームノズルは旋回するように構成するに限らず、直線運動するように構成してもよい。直線運動するように構成する場合も、ウエハ１の周速度の速さに応じてウエハ１中心から周辺に行くに従って遅くするよう制御することが好ましい。   The steam nozzle is not limited to swivel, but may be configured to linearly move. Even in the case of a linear motion, it is preferable to control so as to decrease from the center of the wafer 1 toward the periphery in accordance with the peripheral speed of the wafer 1.

一対のストッカは交互に使用するように設定するに限らず、一方を処理前専用のストッカに使用し、他方を処理後専用のストッカに使用するように設定してもよい。また、ストッカには製品となる所謂プロダクトウエハだけを装填するに限らず、製品とならない所謂ダミーウエハをも装填してもよい。   The pair of stockers is not limited to be used alternately, but one of them may be used as a dedicated stocker before processing and the other may be used as a dedicated stocker after processing. The stocker is not limited to being loaded with so-called product wafers as products, but may be loaded with so-called dummy wafers that are not products.

前記実施の形態ではバッチ式ＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板処理装置全般に適用することができる。   In the above embodiment, the case of a batch type CVD apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this and can be applied to all substrate processing apparatuses.

本発明の一実施の形態である酸化膜除去装置を示す正面断面図である。It is front sectional drawing which shows the oxide film removal apparatus which is one embodiment of this invention. その平面断面図である。FIG. 本発明の第二の実施の形態である酸化膜除去装置の主要部を示す正面断面図である。It is front sectional drawing which shows the principal part of the oxide film removal apparatus which is 2nd embodiment of this invention. 本発明の第三の実施の形態であるバッチ式ＣＶＤ装置を示す平面断面図である。It is a plane sectional view showing a batch type CVD apparatus which is a third embodiment of the present invention. その一部省略側面断面図である。FIG. 図４のVI−VI線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the VI-VI line of FIG. スチームノズルと燃焼管のボールジョイント式管継手を示しており、（ａ）は一部切断分解正面図、（ｂ）は組立正面図である。The ball joint type pipe joint of a steam nozzle and a combustion pipe is shown, (a) is a partially cut exploded front view, and (b) is an assembly front view.

符号の説明Explanation of symbols

１…ウエハ（基板）、２…ポッド（ウエハキャリア）、１０、１０Ａ…酸化膜除去装置（基板処理装置）、１１、１１Ａ…除去室筐体、１２、１２Ａ…酸化膜除去室（処理室）、１３、１３Ａ…ウエハ搬入搬出口、１４…ゲートバルブ、１５…不活性ガス供給装置、１６…排気装置、１７…モータ、１８…出力軸、１９…カップリング、２０…回転軸、２１…シール機構付き軸受装置、２２…保持具、２３…把持ピン、２４…スカート、２５…シール機構付き軸受装置、２６…薬液ノズル、２６ａ…滴下口、２７…モータ、２８…ベルト伝動装置、２９…給液配管、３０…エッチング液供給装置、３１…分岐管、３２…リンス液供給装置、３３、３４…止め弁、３５…スチームノズル、３５ａ…吹出口、３６…旋回駆動装置、３７…シール機構付き軸受装置、３８…モータ、３９…ベルト伝動装置、４０…断熱カバー、４１…スチーム供給配管、４２…スチーム供給装置、４３…燃焼管、４４…燃焼室、４５…水素ガスノズル、４５Ａ…水素ガス供給配管、４５Ｂ…水素ガス供給源、４５Ｃ…マスフローコントローラ、４５Ｄ…止め弁、４６…酸素ガスノズル、４６Ａ…酸素ガス供給配管、４６Ｂ…酸素ガス供給源、４６Ｃ…マスフローコントローラ、４６Ｄ…止め弁、４７…スチーム（水蒸気）、４８…インジェクションノズル、４８ａ…供給口、４８Ａ…供給配管、４８Ｂ…超純水供給源、４８Ｃ…止め弁、４９…超純水、５０…バッチ式ＣＶＤ装置（基板処理装置）、５１…フロント筐体、５２…ポッド保管室、５３…ポッド搬入搬出口、５４…ポッドステージ、５５、５６…ポッド棚、５７…ポッド搬送装置、６０…ポッドオープナ室、６１…ポッドオープナ筐体（耐圧筐体）、６２…ゲートバルブ、６３…ガス供給管、６４…排気管、６５…ウエハ搬入搬出口、６６…載置台、６７…キャップ着脱機構、７１…移載室筐体（耐圧筐体）、７２…ウエハ移載室、７３…ウエハ搬入搬出口、７４…ウエハ移載装置、７５…モータ、７６…排気管、７７Ａ、７７Ｂ…ストッカ（基板保持具）、７８…遮蔽板（遮蔽手段）、７９Ａ、７９Ｂ…ガス吹出管（ガス吹出手段）、８０…ウエハ搬入搬出口、８１…待機室筐体（耐圧筐体）、８２…待機室（予備室）、８３…ウエハ搬入搬出口、８４…ゲートバルブ、８５…ガス供給管、８６…排気管、８７…ボート搬入搬出口、８８…シャッタ、８９…筐体、９０…ヒータユニット、９１…処理室、９２…プロセスチューブ、９３…アウタチューブ、９４…インナチューブ、９５…排気路、９６…マニホールド、９７…ガス導入管、９８…排気管、９９…熱電対、１００…ボートエレベータ、１０１…昇降台、１０２…アーム、１０３…シールキャップ、１０４…ボート（基板保持具）、１０５…ロータリーアクチュエータ、１１０…ボールジョイント式管継手、１１１…雄側ボールジョイント部、１１２…雌側ボールジョイント部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (substrate), 2 ... Pod (wafer carrier), 10, 10A ... Oxide film removal apparatus (substrate processing apparatus), 11, 11A ... Removal chamber housing, 12, 12A ... Oxide film removal chamber (processing chamber) , 13, 13A ... Wafer loading / unloading port, 14 ... Gate valve, 15 ... Inert gas supply device, 16 ... Exhaust device, 17 ... Motor, 18 ... Output shaft, 19 ... Coupling, 20 ... Rotating shaft, 21 ... Seal Bearing device with mechanism, 22 ... retainer, 23 ... gripping pin, 24 ... skirt, 25 ... bearing device with seal mechanism, 26 ... chemical nozzle, 26a ... dripping port, 27 ... motor, 28 ... belt transmission device, 29 ... supply Liquid piping, 30 ... Etching liquid supply device, 31 ... Branch pipe, 32 ... Rinse liquid supply device, 33, 34 ... Stop valve, 35 ... Steam nozzle, 35a ... Air outlet, 36 ... Swing drive device, 37 ... Sealing machine Bearing device 38 ... motor 39 ... belt transmission device 40 ... heat insulating cover 41 ... steam supply piping 42 ... steam supply device 43 ... combustion tube 44 ... combustion chamber 45 ... hydrogen gas nozzle 45A ... hydrogen gas Supply piping, 45B ... Hydrogen gas supply source, 45C ... Mass flow controller, 45D ... Stop valve, 46 ... Oxygen gas nozzle, 46A ... Oxygen gas supply piping, 46B ... Oxygen gas supply source, 46C ... Mass flow controller, 46D ... Stop valve, 47 ... steam (water vapor), 48 ... injection nozzle, 48a ... supply port, 48A ... supply piping, 48B ... ultrapure water supply source, 48C ... stop valve, 49 ... ultrapure water, 50 ... batch type CVD apparatus (substrate processing apparatus) ), 51 ... Front housing, 52 ... Pod storage room, 53 ... Pod loading / unloading outlet, 54 ... Pod stage, 55, 56 Pod shelf, 57 ... Pod transfer device, 60 ... Pod opener chamber, 61 ... Pod opener casing (pressure-resistant casing), 62 ... Gate valve, 63 ... Gas supply pipe, 64 ... Exhaust pipe, 65 ... Wafer loading / unloading outlet, 66: mounting table, 67: cap attaching / detaching mechanism, 71: transfer chamber housing (pressure-resistant housing), 72 ... wafer transfer chamber, 73 ... wafer loading / unloading port, 74 ... wafer transfer device, 75 ... motor, 76 ... exhaust pipe, 77A, 77B ... stocker (substrate holder), 78 ... shielding plate (shielding means), 79A, 79B ... gas blowing pipe (gas blowing means), 80 ... wafer loading / unloading outlet, 81 ... standby chamber housing (Pressure-resistant housing), 82 ... standby room (spare room), 83 ... wafer loading / unloading port, 84 ... gate valve, 85 ... gas supply pipe, 86 ... exhaust pipe, 87 ... boat loading / unloading port, 88 ... shutter, 89 ... Case, 90 ... Heater unit 91 ... Processing chamber, 92 ... Process tube, 93 ... Outer tube, 94 ... Inner tube, 95 ... Exhaust passage, 96 ... Manifold, 97 ... Gas introduction pipe, 98 ... Exhaust pipe, 99 ... Thermocouple, 100 ... Boat Elevator, 101 ... Lifting platform, 102 ... Arm, 103 ... Seal cap, 104 ... Boat (substrate holder), 105 ... Rotary actuator, 110 ... Ball joint type pipe joint, 111 ... Male ball joint, 112 ... Female side Ball joint part.

Claims (1)

基板を保持具によって保持して処理する処理室と、水素ガスと酸素ガスとを供給して水蒸気を生成する生成室と、この生成室と連通し前記保持具に保持された前記基板に前記水蒸気を吹き付けるノズルと、を備えていることを特徴とする基板処理装置。   A processing chamber for holding and processing a substrate by a holder, a generation chamber for supplying water gas and oxygen gas to generate water vapor, and the water vapor in the substrate that is communicated with the generation chamber and held by the holder A substrate processing apparatus comprising: a nozzle for spraying a liquid.
JP2004063755A 2004-03-08 2004-03-08 Substrate treatment apparatus Pending JP2005252146A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004063755A JP2005252146A (en) 2004-03-08 2004-03-08 Substrate treatment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004063755A JP2005252146A (en) 2004-03-08 2004-03-08 Substrate treatment apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005252146A true JP2005252146A (en) 2005-09-15

Family

ID=35032321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004063755A Pending JP2005252146A (en) 2004-03-08 2004-03-08 Substrate treatment apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005252146A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101140376B1 (en) * 2011-05-23 2012-05-03 주식회사 쓰리디플러스 Process chamber for manufacturing substrate
JP7433135B2 (en) 2020-05-25 2024-02-19 東京エレクトロン株式会社 Storage device and storage method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101140376B1 (en) * 2011-05-23 2012-05-03 주식회사 쓰리디플러스 Process chamber for manufacturing substrate
JP7433135B2 (en) 2020-05-25 2024-02-19 東京エレクトロン株式会社 Storage device and storage method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5782279B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US6932884B2 (en) Substrate processing apparatus
JP5958950B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2004103990A (en) Semiconductor manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device
JP2010239115A (en) Substrate processing apparatus
CN101019213A (en) Substrate processing equipment and semiconductor device manufacturing method
JP2011029593A (en) Liquid processing apparatus
JP2007227764A (en) Substrate surface-treating device, substrate surface treatment method, and substrate-treating device
JP2015531546A (en) Fume removing apparatus and substrate processing apparatus
JP6213487B2 (en) Method of operating vertical heat treatment apparatus, storage medium, and vertical heat treatment apparatus
KR102413131B1 (en) Hybrid substrate processing system for dry and wet process and substrate processing method thereof
TWI734876B (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, substrate processing system, substrate processing system control device, semiconductor substrate manufacturing method, and semiconductor substrate
JP2009188411A (en) Silylation processing method, silylation processing apparatus, and etching processing system
JP2007088177A (en) Substrate processing system
JP2005252146A (en) Substrate treatment apparatus
JP2005268244A (en) Substrate treatment apparatus
JP2019121710A (en) Wafer processing method and wafer processing device
JP2006049408A (en) Substrate cleaning device
JP2005175053A (en) Substrate processing apparatus
JP2005183694A (en) Substrate processor
JP2005175068A (en) Substrate-processing apparatus
JP2004031750A (en) Apparatus and method for processing substrate
JP2005123315A (en) Heat treatment device and heat treatment method
WO2024018985A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment system
JP2019121709A (en) Wafer processing method and wafer processing device