JP2005251546A - Icp-ms plasma interface for high-melting point matrix sample - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、イオン源としての誘導結合プラズマと質量分析計を結合させてなる、誘導結合プラズマ質量分析装置(ICP‐MS)に関し、特にプラズマ生成部と質量分析計との間のインターフェースの改良に関する。 The present invention relates to an inductively coupled plasma mass spectrometer (ICP-MS) in which an inductively coupled plasma serving as an ion source and a mass spectrometer are combined, and more particularly to an improvement in an interface between a plasma generator and a mass spectrometer. .
ICP‐MSは、無機元素、特に金属を分析するために、半導体産業、環境産業その他の多くの分野で広く利用されている。ICP‐MSは、周期律表中の元素の殆どについて同時に多元素分析を行うことを可能にするほか、簡単に質量スペクトルが得られ、優れた感度を示し、1兆分の1(ppt)のレベルで元素濃度を定量することができるといった利点を有する。 ICP-MS is widely used in semiconductor industry, environmental industry and many other fields for analyzing inorganic elements, especially metals. ICP-MS makes it possible to perform multi-element analysis for most of the elements in the periodic table at the same time, easily obtain mass spectra, show excellent sensitivity, and have a trillionth (ppt) There is an advantage that the element concentration can be quantified by level.
ICP‐MSは、イオン化源としてアルゴンの誘導結合プラズマを使用し、プラズマ中で加熱されて形成されたサンプル(試料)のイオンを分離、測定するために質量分析計を用いる。特許文献1に典型的に示されているように、通常、サンプルは溶液の形態に調製され、この溶液のエーロゾルを発生するネブライザに注入される。エーロゾルはICPに送り込まれ、そこで脱溶媒され、原子化され、イオン化される。その結果得られたサンプルのイオンは、大気圧のプラズマから、差動排気されたインターフェースを介して真空チャンバ内に位置する質量分析計に移送される。サンプルのイオンは、サンプリングコーン及びスキマーコーンとして知られるインターフェース中の2つの円錐形部材のオリフィスを通過し、イオンレンズ系を介して四重極質量分析計に集束される。この分析計は、質量/電荷比に基づいてサンプルのイオンを分離し、その後電子増倍管検出システムにより測定を行う。このようにして、サンプル中の元素濃度を測定することができる。 ICP-MS uses an inductively coupled plasma of argon as an ionization source, and uses a mass spectrometer to separate and measure ions of a sample formed by heating in the plasma. As typically shown in U.S. Patent No. 6,057,073, a sample is usually prepared in the form of a solution and injected into a nebulizer that generates an aerosol of this solution. The aerosol is fed into the ICP where it is desolvated, atomized and ionized. The resulting sample ions are transferred from the atmospheric pressure plasma through a differentially evacuated interface to a mass spectrometer located in the vacuum chamber. Sample ions pass through two conical member orifices in an interface known as a sampling cone and a skimmer cone, and are focused to a quadrupole mass spectrometer via an ion lens system. This analyzer separates the ions of the sample based on the mass / charge ratio and then makes measurements with an electron multiplier detection system. In this way, the element concentration in the sample can be measured.
特許文献1に示されているような従来のインターフェースでは、イオンの効率的な取り込みのため、プラズマ生成部からサンプリングコーン、スキマーコーンにかけてのイオンビームの経路は一直線に、特にスキマーコーン後段のイオンレンズ系の光軸と同軸となるように構成されている。プラズマは励起温度で6000から7000K、電子温度で8000から9000Kにも達するため、通常のサンプルであればほぼ100%イオン化し、この直線経路を介して質量分析計へと導かれる。 In the conventional interface as disclosed in Patent Document 1, the ion beam path from the plasma generation unit to the sampling cone and the skimmer cone is in a straight line, particularly the ion lens at the latter stage of the skimmer cone, in order to efficiently capture ions. It is configured to be coaxial with the optical axis of the system. Since the plasma reaches an excitation temperature of 6000 to 7000 K and an electron temperature of 8000 to 9000 K, if it is a normal sample, it is almost 100% ionized and guided to the mass spectrometer through this linear path.
特許文献2には、サンプリングコーン及びスキマーコーンを通過したサンプルを、レジューサと呼ばれる部材上に超音速で導いて衝撃波を発生させる技術が開示されている。この技術は空間電荷効果を減少させてマトリックス効果を均一化し、質量バイアスを改善するためのものであり、レジューサはオリフィスを介して衝撃波中のガスをイオンレンズ系へと導く。このオリフィスはサンプリングコーンオリフィス、あるいはスキマーコーンオリフィスよりも径の小さいオリフィスを有するのが好ましいとされ、プラズマからの汚染物質によって閉塞し易いため、特許文献2ではレジューサのオリフィスをずらすか、スキマーに代えて遮蔽部材を用いてレジューサのオリフィスをサンプリングコーンのオリフィスから遮断することを開示している。
特許文献1を例とする従来のICP−MSのインターフェースにおいては、サンプルの性質や濃度によって、比較的短時間で析出物がスキマーコーン上にオリフィスを塞ぐように付着し、それによって被分析物の測定感度が大幅に低下するといった問題がある。 In the conventional ICP-MS interface as exemplified in Patent Document 1, the deposit adheres to the skimmer cone so as to block the orifice in a relatively short time depending on the nature and concentration of the sample, thereby There is a problem that the measurement sensitivity is greatly reduced.
例えば半導体産業などにおいては、ハフニウムやタンタルといった高融点金属中の不純物を測定する必要性が生じている。通常の場合、これらの高融点金属もプラズマ中では原子化され、イオン化されると考えられるが、高融点金属がマトリックスを構成する場合には、プラズマ中で十分にガス化されないままサンプリングコーンを通過し、ほとんど拡散せずにスキマーコーンのオリフィスに達するため、針状の析出物がスキマーコーン上にオリフィスを塞ぐように付着する。 For example, in the semiconductor industry and the like, there is a need to measure impurities in refractory metals such as hafnium and tantalum. Normally, these refractory metals are also atomized and ionized in the plasma, but when the refractory metals form a matrix, they pass through the sampling cone without being sufficiently gasified in the plasma. However, since it reaches the orifice of the skimmer cone with little diffusion, acicular deposits adhere to the skimmer cone so as to block the orifice.
特許文献2では、サンプリングコーン、スキマーコーン(または遮蔽部材)、レジューサの3つの部材を使用し、前述のようにレジューサのオリフィスをずらすか、スキマーに代えて遮蔽部材を用いてレジューサのオリフィスをサンプリングコーンのオリフィスから遮蔽することによりレジューサのオリフィスの閉塞を防ぐ。しかしながらこの構造をとる場合、遮蔽物によってプラズマからの汚染物質だけでなく被分析物のイオンもレジューサのオリフィスへ到達しにくくなることが考えられ、通常のインターフェースと比べて測定感度が大幅に低下する可能性が高い。 In Patent Document 2, three members of a sampling cone, a skimmer cone (or a shielding member), and a reducer are used. As described above, the orifice of the reducer is shifted, or the reducer's orifice is sampled by using a shielding member instead of the skimmer. Shielding the reducer orifice by shielding from the cone orifice prevents it. However, when this structure is used, it is considered that not only contaminants from the plasma but also ions of the analyte are difficult to reach the orifice of the reducer due to the shield, and the measurement sensitivity is greatly reduced compared to a normal interface. Probability is high.
本発明の課題は、特に高融点のマトリックスを含むサンプルに対して、その析出物が針状に堆積する性質を利用し、装置の感度を極力損なわず、かつオリフィスの閉塞の問題に対処できるようインターフェースを改良することによって、長時間にわたり安定した測定を実現することである。 An object of the present invention is to take advantage of the property that the precipitate accumulates in a needle shape, particularly for a sample containing a high melting point matrix, so that the sensitivity of the apparatus is not impaired as much as possible and the problem of orifice clogging can be dealt with. It is to realize stable measurement over a long time by improving the interface.
本発明は、プラズマを発生するための手段と、イオン化のためにサンプルをプラズマ中に導入するための手段と、イオン化されたサンプルの質量分析を行うための手段とを含む誘導結合プラズマ質量分析装置に用いられ、高融点のマトリックスを含みプラズマで加熱されたサンプルを、サンプル中の不純物を測定するために質量分析手段に導く、誘導結合プラズマ質量分析装置のインターフェースに関する。このインターフェースは、イオン化されたサンプルを順次通過させるサンプリングコーン及びスキマーコーンを有する。質量分析を行うための手段は、従来と同様にイオンレンズ系及びその後段の四重極質量分析計を含む。 The present invention relates to an inductively coupled plasma mass spectrometer comprising means for generating a plasma, means for introducing a sample into the plasma for ionization, and means for performing mass analysis of the ionized sample. And relates to an interface of an inductively coupled plasma mass spectrometer that directs a plasma heated sample containing a high melting point matrix to mass spectrometry means for measuring impurities in the sample. The interface has a sampling cone and a skimmer cone that sequentially pass the ionized sample. The means for performing mass spectrometry includes an ion lens system and a quadrupole mass spectrometer at the subsequent stage, as in the prior art.
本発明によれば、サンプリングコーンとスキマーコーンは、高融点マトリックスの析出物をスキマーコーン上でオリフィスからオフセットした位置に堆積可能とする位置関係で配置されてなる。即ちプラズマ中で原子化され、イオン化されてサンプリングコーンを通過したサンプルは、サンプリングコーンのオリフィスから半径方向にオフセットした(ずれた)位置でスキマーコーンのオリフィスに導入される。この場合、ガス化された被分析物は広がりをもつためにオフセットされたオリフィスからスキマーコーンを通過するが、十分にガス化されない高融点マトリックスはサンプリングコーンの円錐回転軸に沿って直進し、析出物がスキマーコーン上のオリフィスからオフセットした位置に堆積される。ここで高融点元素とは一般に、融点が高くプラズマ中でも容易にガス化しない元素を指し、ハフニウムやタンタルの他、ジルコニウム、タングステンなどが挙げられる。 According to the present invention, the sampling cone and the skimmer cone are arranged in such a positional relationship that deposits of the high melting point matrix can be deposited on the skimmer cone at a position offset from the orifice. That is, the sample atomized in the plasma, ionized, and passed through the sampling cone is introduced into the skimmer cone orifice at a position that is radially offset from the sampling cone orifice. In this case, the gasified analyte passes through the skimmer cone from the offset orifice due to its spread, but the high melting point matrix that is not fully gasified travels straight along the cone rotation axis of the sampling cone and precipitates. Objects are deposited at a location offset from the orifice on the skimmer cone. Here, the high melting point element generally means an element having a high melting point and not easily gasified even in plasma, and examples thereof include zirconium and tungsten in addition to hafnium and tantalum.
このように本発明は、サンプリングコーンとスキマーコーンが、高融点マトリックスの析出物をスキマーコーン上でオリフィスからオフセットした位置に堆積可能とする位置関係で配置されてなることを特徴としている。また、サンプリングコーンとスキマーコーンの間に別のオリフィスや遮蔽部材といった遮蔽物が存在しないため、被分析物のイオンは遮蔽物がある場合と比較して効率よくスキマーコーンのオリフィスへ導入される。オフセット量がある一定範囲内であれば、測定感度が大幅に低下することはない。しかしながらオフセットさせすぎると測定感度が低下するため、オフセット量は高融点マトリックスの析出物によってスキマーコーンのオリフィスが妨害されない最小限度とするのが好ましい。本発明の好ましい態様では、通常、サンプリングコーンのオリフィスの直径が0.7から1.5mmでスキマーコーンのオリフィスの直径が0.3から0.5mmといった場合に、サンプリングコーンのオリフィスの中心とスキマーコーンのオリフィスの中心は、相互に0.3から4mmの範囲内で調節可能にオフセットされる。より好ましくはこの範囲は0.5から3mmの間にある。 As described above, the present invention is characterized in that the sampling cone and the skimmer cone are arranged in a positional relationship in which deposits of the high melting point matrix can be deposited on the skimmer cone at a position offset from the orifice. Further, since there is no shielding object such as another orifice or shielding member between the sampling cone and the skimmer cone, ions of the analyte are efficiently introduced into the orifice of the skimmer cone as compared with the case where there is a shielding object. If the offset amount is within a certain range, the measurement sensitivity will not be significantly reduced. However, if the offset is too much, the measurement sensitivity is lowered. Therefore, it is preferable to minimize the offset amount so that the precipitate of the high melting point matrix does not disturb the orifice of the skimmer cone. In a preferred embodiment of the invention, the center of the sampling cone orifice and the skimmer are typically used when the sampling cone orifice diameter is 0.7 to 1.5 mm and the skimmer cone orifice diameter is 0.3 to 0.5 mm. The centers of the cone orifices are adjustably offset from each other within a range of 0.3 to 4 mm. More preferably this range is between 0.5 and 3 mm.
高融点マトリックスの析出物をスキマーコーン上のオリフィスからオフセットした位置に堆積可能とするために、サンプリングコーンとスキマーコーンは何れを半径方向に調節可能としても構わないが、一例としては、サンプリングコーンのオリフィスの中心はイオンレンズ系の光軸と一致され、スキマーコーンのオリフィスの中心はこの光軸に対して半径方向にオフセットされる。あるいは逆に、スキマーコーンのオリフィスの中心をイオンレンズ系の光軸と一致させ、サンプリングコーンのオリフィスの中心を光軸に対して半径方向にオフセットしてもよい。さらには、スキマーコーンの円錐回転軸をイオンレンズ系の光軸と一致させ、サンプリングコーンの円錐回転軸を傾けて光軸と交差させてもよい。 Either the sampling cone or the skimmer cone can be adjusted radially in order to deposit the high melting point matrix deposit at a position offset from the orifice on the skimmer cone. The center of the orifice coincides with the optical axis of the ion lens system, and the center of the orifice of the skimmer cone is radially offset with respect to this optical axis. Or conversely, the center of the orifice of the skimmer cone may coincide with the optical axis of the ion lens system, and the center of the orifice of the sampling cone may be offset in the radial direction with respect to the optical axis. Furthermore, the cone rotation axis of the skimmer cone may coincide with the optical axis of the ion lens system, and the cone rotation axis of the sampling cone may be inclined to intersect the optical axis.
本発明によれば、従来、サンプルの性質や濃度によってはスキマーコーンのオリフィスに詰まりを生じていたような用途、例えば高融点のマトリックスを含むサンプル中の不純物を測定するような場合に、感度の急激な低下を防いで長時間にわたり安定した測定を行うことが可能になる。オリフィスからオフセットした位置でスキマーコーン上に堆積された析出物は、測定終了後に洗浄されうる。 According to the present invention, the sensitivity can be improved in applications where the orifice of the skimmer cone has been clogged depending on the nature and concentration of the sample, such as when measuring impurities in a sample containing a high melting point matrix. It is possible to perform a stable measurement over a long period of time by preventing a rapid drop. Deposits deposited on the skimmer cone at a position offset from the orifice can be cleaned after the measurement is completed.
図1には、本発明を適用可能な誘導結合プラズマ質量分析装置(ICP‐MS)100が概略的に図示されている。背景技術の項で説明したように、ICP‐MSは、誘導結合プラズマイオン源(ICP)と、サンプルのイオンを質量に関して分離するための質量分析計(MS)とを有し、サンプルのイオンはインターフェースを介してICP部からMS部へ移送される。 FIG. 1 schematically shows an inductively coupled plasma mass spectrometer (ICP-MS) 100 to which the present invention is applicable. As described in the Background section, ICP-MS has an inductively coupled plasma ion source (ICP) and a mass spectrometer (MS) for separating sample ions with respect to mass, It is transferred from the ICP part to the MS part via the interface.
サンプルはサンプル採取系110によって試料噴霧部120に導かれる。すなわち液体サンプル112は蠕動ポンプ111によつて、温度制御されたスプレーチャンバ122の端部から中に突き出たネブライザ121へと送られる。ネブライザ121は、高圧のアルゴン(Ar)ガスを用いて液体サンプルのエーロゾルを形成し、このエーロゾルはスプレーチャンバ122を通過することによって大きい液滴を取り去られてから、ICP部130中に吹き込まれる。ICP部130はICPトーチ131を具備し、このトーチ131は一連の同心状の石英管で構成されてある。これらの石英管は、高周波(RF)コイル132内部に配置され、このコイル132によって作り出される高周波磁界がトーチを通過するアルゴン原子を励起させ、高エネルギーのプラズマを形成し、維持することを可能とする。サンプルのエーロゾルはプラズマ中に吹き込まれ、そこで脱溶媒化され、原子化され、イオン化される。
The sample is guided to the
インターフェース部150は、大気圧にあるプラズマを質量分析計を含む高真空アナライザから分離しつつ、サンプルのイオンを移送する。インタフェース部を通常200から300Paの圧力に保つために、通常のロータリー真空ポンプ(RP)が備えられる。サンプルのイオンは、サンプリングオリフィス152を備えたサンプリングコーン151によって、プラズマからインタフェース部150に引き出される。次にイオンは、スキマーオリフィス156を有するスキマーコーン155によって、アナライザへと移送される。なおインターフェース部150の圧力は、真空計158により測定できる。
The interface unit 150 transfers ions of the sample while separating plasma at atmospheric pressure from a high vacuum analyzer including a mass spectrometer. A normal rotary vacuum pump (RP) is provided to keep the interface section at a pressure of typically 200 to 300 Pa. Sample ions are extracted from the plasma to the
アナライザ即ち質量分析計は、イオンレンズ系160、質量フィルタ領域170及び検出器領域180より構成される。イオンレンズ系160は、スキマーコーン155の後側に取り付けられた一連の静電イオンレンズを内蔵した真空チャンバよりなり、スキマーオリフィス156を介してチャンバに入って来るイオンビームを質量フィルタに集束させる。イオンレンズ系160は、引出し電極161、一連の集束レンズ162、及びスキマーオリフィス156と軸をずらして取り付けられたステアリングレンズ(Ω形偏光レンズ)163を具備していてもよい。イオンレンズ系160の真空チャンバは、ターボ分子ポンプ(TMP)及びロータリーポンプによって、通常は10-2Pa程度の圧力に排気される。質量フィルタ領域170及び検出器領域180はどちらも、差動開口172によって分離された別の真空チャンバ内に設けられている。このチャンバは第2のターボ分子ポンプによって、通常は10-4Pa程度の圧力に排気される。質量フィルタ領域170は、4本の平行ロッドで構成される四重極質量フィルタ171を有し、これらのロッドには高周波及び直流電圧が印加される。印加される高周波電圧と直流電圧の任意の組み合わせに対して、質量フィルタ171は特定の質量/電荷比のイオンだけを検出器へと通過させる。これによって、検出器により異なる元素のイオンを分離し、測定することが可能になる。検出器領域180は、質量フィルタ171の直ぐ後に配置される電子増倍管型検出器181を含む。各質量のイオン信号は増幅された後、多チャンネル計数装置を用いて測定される。所与の質量(したがって元素)の信号強度は、サンプル溶液中のその元素の濃度に正比例する。
The analyzer or mass spectrometer is composed of an
図2から図4は、本発明によるインタフェースの好適な実施例を示している。これらの図において、同じ構成部分には同じ参照符号を付している。201はサンプリングコーン、202はスキマーコーン、203はスキマーコーン202を装着するスキマーベース、204はイオンレンズを示している。まず図2においては、スキマーコーン202の円錐回転軸Yはイオンレンズ204の光軸と一致して配置され、従って光軸はスキマーコーン202のオリフィス206の中心を通過する。しかしサンプリングコーン201は半径方向に位置調節可能に構成され、円錐回転軸Xはイオンレンズ204の光軸から半径方向にオフセットして配置されており、プラズマから引き出されるイオンビームは円錐回転軸Xが中心を通るサンプリングコーン201のオリフィス205を通過した後、スキマーコーン202上のオリフィス206から半径方向にオフセット、即ち半径方向にずれた位置に差し向けられる。これにより、プラズマによって十分にガス化されないままサンプリングコーン201を通過したマトリックス、例えばハフニウムなどの高融点マトリックスの析出物はスキマーコーン202上でオリフィス206からオフセットした位置に堆積可能となる。一方、通常はよりガス化しやすい被分析物は十分にイオン化され、大気圧のプラズマからサンプリングコーン201内部の真空中に引き込まれて膨張するため、スキマーコーン202のオリフィス206を通過してイオンレンズ204の光軸に沿って質量分析計へと導かれる。
2 to 4 show a preferred embodiment of the interface according to the invention. In these drawings, the same components are denoted by the same reference numerals.
前述のように、オフセットが大きすぎると測定感度が低下するため、オフセット量は高融点マトリックスの析出物がスキマーコーン202のオリフィス206に堆積しない最小限度とするのが好ましい。一例を挙げれば、サンプリングコーン201のオリフィス205の直径が1mmでスキマーコーン202のオリフィス206の直径が0.4mmの場合、サンプリングコーン201のオリフィス205の中心とスキマーコーン202のオリフィス206の中心の間の半径方向距離、つまり円錐回転軸Xと円錐回転軸Yの半径方向間隔は、0.3から4mm、より好ましくは0.5から3mmの範囲内で調節される。具体的な値をどのようにするかは、高融点マトリックスの種類や濃度などによって異なってくる。
As described above, since the measurement sensitivity decreases when the offset is too large, the offset amount is preferably set to a minimum at which the precipitate of the high melting point matrix does not deposit on the
図3の例では、サンプリングコーン201の円錐回転軸Xはイオンレンズ204の光軸と一致して配置されているが、スキマーコーン202の円錐回転軸Yは光軸から半径方向にオフセットされている。このオフセットは、例えばスキマーコーン202を設けているスキマーベース203の取り付け位置を半径方向にずらすことによって達成できる。この場合にも、プラズマから引き出されるイオンビームは円錐回転軸Xに沿ってサンプリングコーン201のオリフィス205を通過した後、スキマーコーン202上のオリフィス206から半径方向にオフセットした位置に差し向けられ、高融点マトリックスの析出物はその位置に堆積可能となる。しかしながら被分析物は十分にイオン化され、大気圧のプラズマからサンプリングコーン201内部の真空中に引き込まれて膨張するため、スキマーコーン202のオリフィス206からイオンレンズ204を通り、質量分析計へと導かれる。
In the example of FIG. 3, the cone rotation axis X of the
図4の実施例では、図2の実施例と同様に、スキマーコーン202の円錐回転軸Yはイオンレンズ204の光軸と一致して配置されている。イオンレンズ204の光軸はまたサンプリングコーン201のオリフィス205をも通過しているが、サンプリングコーン201自体はその円錐回転軸Xがイオンレンズ204の光軸及びスキマーコーン202の円錐回転軸Yに対して傾けられて交差する構成となっている。この場合にも、プラズマからのイオンビームはサンプリングコーン201の円錐回転軸Xに沿ってオリフィス205から引き込まれるが、円錐回転軸Xはオリフィス206からオフセットした位置でスキマーコーン202を通過しているため、高融点マトリックスの析出物はその位置で堆積可能である。しかしながら図2及び図3の実施例の場合と同様に、イオン化されサンプリングコーン201内部で膨張したサンプルは、イオンレンズ204の光軸に沿って後段の質量分析計へと導かれる。
In the embodiment of FIG. 4, the conical rotation axis Y of the
サンプリングコーンの円錐回転軸とスキマーコーンの円錐回転軸がイオンレンズの光軸と一致し、オリフィスの位置にずれのないインターフェースを用い、図1に示したような構成の誘導結合プラズマ質量分析装置を用いてハフニウム中のリチウム、カリウム、鉄、バリウムなどの不純物元素の測定を行った。溶液のハフニウム濃度は2000ppmであった。しかしながら約10分程度サンプルを導入した時点で信号強度が1桁以上低下し、検量線を作成することができなかった。測定終了後、スキマーコーンのオリフィス先端には、針状の析出物がオリフィスを塞ぐようにして付着していた。 An inductively coupled plasma mass spectrometer configured as shown in FIG. 1 using an interface in which the cone rotation axis of the sampling cone and the cone rotation axis of the skimmer cone coincide with the optical axis of the ion lens and the position of the orifice is not displaced. The impurity elements such as lithium, potassium, iron, and barium in hafnium were measured. The hafnium concentration of the solution was 2000 ppm. However, when the sample was introduced for about 10 minutes, the signal intensity decreased by one digit or more, and a calibration curve could not be created. After the measurement was completed, a needle-like precipitate adhered to the tip of the orifice of the skimmer cone so as to block the orifice.
図2の実施例に従ってスキマーベースの取り付け位置を半径方向に0.75mmオフセットさせ、同様の測定を行った。測定に際して感度に急激な変化は見られず、検量線も良好な直線性を示した。連続して100分のサンプル導入を行い、検量線を繰り返して3回作成したが、いずれにおいても良好な結果が得られた。測定終了後、スキマーコーン上にはやはり針状の析出物が付着していたが、付着位置はオリフィスから0.75mm程度ずれたところにあった。 According to the example of FIG. 2, the skimmer base mounting position was offset by 0.75 mm in the radial direction, and the same measurement was performed. There was no sudden change in sensitivity during the measurement, and the calibration curve also showed good linearity. Samples were continuously introduced for 100 minutes, and the calibration curve was repeated three times, and good results were obtained in all cases. After the measurement, needle-like precipitates were still attached on the skimmer cone, but the attachment position was at a position shifted by about 0.75 mm from the orifice.
201 サンプリングコーン
202 スキマーコーン
203 スキマーベース
204 イオンレンズ
205 サンプリングコーンのオリフィス
206 スキマーコーンのオリフィス
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記イオン化されたサンプルを順次通過させるサンプリングコーン及びスキマーコーンを有し、前記サンプリングコーンと前記スキマーコーンが、前記高融点マトリックスの析出物を前記スキマーコーン上でオリフィスからオフセットした位置に堆積可能とする位置関係で配置されてなることを特徴とする、誘導結合プラズマ質量分析装置用インターフェース。 Used in an inductively coupled plasma mass spectrometer comprising means for generating a plasma, means for introducing a sample into the plasma for ionization, and means for performing mass analysis of the ionized sample; An interface for transporting the ionized sample from the means for generating the plasma to the means for performing mass spectrometry, wherein the sample comprises a high melting point matrix for performing the mass spectrometry In which the means measures impurities in the sample,
A sampling cone and a skimmer cone for sequentially passing the ionized sample, wherein the sampling cone and the skimmer cone allow deposits of the high melting point matrix to be deposited on the skimmer cone at a position offset from the orifice; An interface for an inductively coupled plasma mass spectrometer characterized by being arranged in a positional relationship.
前記サンプリングコーンを通過した前記サンプルを、前記サンプリングコーンのオリフィスから半径方向にオフセットした位置で前記スキマーコーンのオリフィスに導入することにより、前記高融点マトリックスの析出物を前記スキマーコーン上の前記オリフィスからオフセットした位置に堆積可能としたことを特徴とする、誘導結合プラズマ質量分析装置のインターフェース方法。 In an inductively coupled plasma mass spectrometer interface method, wherein a sample containing a high melting point matrix and heated by a plasma is passed through a sampling cone and a skimmer cone and directed to a mass spectrometry means for measuring impurities in the sample.
The sample that has passed through the sampling cone is introduced into the orifice of the skimmer cone at a position that is radially offset from the orifice of the sampling cone so that the precipitate of the high melting point matrix is removed from the orifice on the skimmer cone. A method for interfacing an inductively coupled plasma mass spectrometer, characterized in that deposition is possible at an offset position.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004059999A JP2005251546A (en) | 2004-03-04 | 2004-03-04 | Icp-ms plasma interface for high-melting point matrix sample |
Publications (1)
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---|---|
JP2005251546A true JP2005251546A (en) | 2005-09-15 |
Family
ID=35031813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004059999A Pending JP2005251546A (en) | 2004-03-04 | 2004-03-04 | Icp-ms plasma interface for high-melting point matrix sample |
Country Status (1)
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---|---|
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Written amendment |
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