JP2005250036A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 新たな膜などを追加して形成することなく、基板間での短絡を防止可能な電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置1aにおいて、素子基板10には、データ線52a、TFD素子56aおよび画素電極34aが形成され、さらには、データ線52aを覆うように樹脂スペーサ9が形成されている。樹脂スペーサ9は、素子基板10と対向基板20との基板間隔を制御するとともに、データ線52aと、対向基板20に対向電極として形成されている走査線51aとの短絡を防止する。
【選択図】 図3
【解決手段】 電気光学装置1aにおいて、素子基板10には、データ線52a、TFD素子56aおよび画素電極34aが形成され、さらには、データ線52aを覆うように樹脂スペーサ9が形成されている。樹脂スペーサ9は、素子基板10と対向基板20との基板間隔を制御するとともに、データ線52aと、対向基板20に対向電極として形成されている走査線51aとの短絡を防止する。
【選択図】 図3
Description
本発明は、一対の基板間に電気光学物質が介在する電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
代表的な電気光学装置であるアクティブマトリクス型の液晶装置では、電気光学物質としての液晶を保持する一対の基板のうちの一方の基板に、信号配線、この信号配線に電気的に接続する画素スイッチング素子、およびこの画素スイッチング素子を介して信号配線に電気的に接続する画素電極が形成され、他方の基板には、画素電極と対向する対向電極が形成されている。
ここで、画素スイッチング素子としては、例えば、薄膜ダイオード(Thin Film Diode/以下、TFDという)素子が用いられ、画素電極としてはITO(Indium Tin Oxide)膜が用いられている。また、液晶装置では、液晶の層厚を規定するためには基板間隔を制御する必要があるため、従来は、一対の基板を貼り合せる際、一方の基板上に多数の粒状スペーサを散布し、これらの粒状スペーサを基板間に介在させることにより、基板間隔を制御している(例えば、特許文献1参照)。
また、一方の基板に柱状スペーサを形成し、この柱状スペーサの先端部を他方の基板に当接させて基板間隔を制御することもある(例えば、特許文献2参照)。
特開2003−66480号公報
特開2003−344838号公報
画素スイッチング素子としてTFD素子を用いた場合、信号配線の表面には薄い配向膜しかないため、基板間に導電性の異物が混入すると、信号配線と対向電極との間に短絡が発生することがある。なお、基板間には粒状スペーサや柱状スペーサが介在しているが、これらのスペーサは、基板間に点在しているだけであるため、信号配線と対向電極との短絡を防止する機能は有していない。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、新たな膜などを追加して形成することなく、基板間での短絡を防止可能な電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、信号配線、該信号配線に電気的に接続する画素スイッチング素子、および該画素スイッチング素子を介して前記信号配線に電気的に接続する画素電極が形成された第1の基板と、該第1の基板に対向配置され、前記画素電極と対向する対向電極が形成された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に保持された電気光学物質とを有し、前記第1の基板には、該第1の基板から第2の基板に向けて突出した先端部が当該第2の基板に当接する基板間隔制御用の樹脂スペーサが形成され、当該樹脂スペーサは、前記信号配線の上面および側面を覆うように形成されていることを特徴とする。
本発明では、信号配線の上面および側面を覆うように樹脂スペーサが形成されているため、基板間に導電性の異物が混入しても、信号配線と対向電極との短絡などを確実に防止することができる。また、樹脂スペーサは、基板間隔を制御する機能も備えているため、フォトリソグラフィ工程で従来の柱状スペーサの形状を変更するだけでよく、新たな膜や新たな工程を追加する必要がない。さらに、信号配線を覆うように樹脂スペーサを形成すれば、その形成面積が広いので、基板として薄い基板を用いた場合でも、外力で基板間隔が変動することがなく、樹脂スペーサが第1の基板から剥がれることもない。しかも、信号配線を覆うように樹脂スペーサを形成すれば、樹脂スペーサを広い面積に形成する場合でも、画素電極としてのITO膜の表面に樹脂スペーサを形成する必要がないので、高い画素開口率を確保でき、かつ、ITO膜と樹脂との密着性の低さに起因する剥離などの問題も発生しない。
本発明は、前記第1の基板からみたとき前記信号配線が前記画素電極と比較して高い位置にあるような電気光学装置に適用すると、その効果が顕著である。このような形態の電気光学装置では、特に信号配線と対向電極との短絡が発生しやすいが、本発明によれば、このような短絡を確実に防止することができる。
このような電気光学装置としては、前記画素スイッチング素子としてTFD素子を用いたものがあり、このような電気光学装置では、信号配線の表面に極めて薄い配向膜しか介在しない。従って、本発明において、信号配線の上面および側面を覆うように樹脂スペーサを形成すれば、信号配線と対向電極との短絡を防止でき、かつ、信号配線と画素電極との間に寄生容量が形成されることを確実に防止することができる。
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。
(電気光学装置の全体構成)
図1は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図2(A)、(B)は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および電気光学装置を画素電極を通る部分でY方向に切断したときの断面を模式的に示す説明図である。図3(A)、(B)、(C)は、本発明に係る電気装置の画素構成を示す断面図、信号配線を横切るように切断した様子を模式的に示す断面図、および平面図であり、図3(A)は、後述する図4(A)のB−B′線に沿って電気光学装置を切断したときの断面図で表してある。
図1は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図2(A)、(B)は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および電気光学装置を画素電極を通る部分でY方向に切断したときの断面を模式的に示す説明図である。図3(A)、(B)、(C)は、本発明に係る電気装置の画素構成を示す断面図、信号配線を横切るように切断した様子を模式的に示す断面図、および平面図であり、図3(A)は、後述する図4(A)のB−B′線に沿って電気光学装置を切断したときの断面図で表してある。
図1に示す電気光学装置1aは、画素スイッチング素子としてTFD(Thin Film Diode)を用いたアクティブマトリクス型液晶装置であり、交差する2方向をX方向およびY方向としたとき、複数の走査線51aがX方向(行方向)に延びており、複数のデータ線52aがY方向(列方向)に延びている。走査線51aとデータ線52aとの各交差点に対応する位置には画素53aが形成され、この画素53aでは、液晶層54aと、画素スイッチング用のTFD素子56a(非線形素子)とが直列に接続されている。各走査線51aは走査線駆動回路57aによって駆動され、各データ線52aはデータ線駆動回路58aによって駆動される。
このような電気光学装置1aを構成するにあたって、本形態では、図2(A)、(B)に示すように、素子基板10と対向基板20とをシール材30によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材30とによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶19を封入してある。シール材30は、対向基板20の縁辺に沿って略長方形の枠状に形成されるが、液晶を封入するために一部が開口している。このため、液晶19の封入後にその開口部分が封止材31によって封止される。
素子基板10は、対向基板20とシール材30によって貼り合わされた状態で対向基板20の端縁から一方の側に張り出した張り出し領域10aを有しており、この張り出し領域10aに向けて、データ線52aおよび走査線51aに接続する配線パターン8(信号線)が延びている。シール材30には導電性を有する多数の導通粒子が分散されており、この導通粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板10および対向基板20の各々に形成された配線パターン同士を基板間導通させる機能を備えている。このため、本形態では、データ線52aに対して画像信号を出力する第1のIC4、および走査線51aに走査信号を出力する2つの第2のIC5が素子基板10の張り出し領域10aにCOG実装され、かつ、この素子基板10の張り出し領域10aの端縁に対して可撓性基板7が接続されている。
なお、電気光学装置1aと対向するように偏光板や位相差板などが配置されるが、本発明とは直接の関係がないため、それらの図示および説明を省略する。
図2(B)および図3(A)において、素子基板10および対向基板20は、ガラスや石英などの光透過性を有する板状部材である。素子基板10の内側(液晶19の側)表面には、上述した複数のデータ線52a、後述する画素スイッチング用のTFD素子(図2(B)には図示せず)、画素電極34a、および配向膜12などが形成されている。対向基板20の内側(液晶19の側)の面上には、画素電極34aと対向する領域を避けるようにブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光膜21が形成され、画素電極34aと対向する領域には、R(レッド)、G(グリーン)、B(ブルー)のカラーフィルタ22が所定の配列で形成されている。また、対向基板20において、遮光膜21およびカラーフィルタ22を形成した面には、その平坦化および保護のために平坦化層23がコーティングされている。平坦化層23の表面にITO膜からなる走査線51a(対向電極)が形成され、さらにそれらの表面に配向膜24が形成されている。
(TFD素子の構成)
図4(A)、(B)は、図2に示す電気光学装置において画素スイッチング素子として用いたTFD素子、および後述する樹脂スペーサの説明図である。
図4(A)、(B)は、図2に示す電気光学装置において画素スイッチング素子として用いたTFD素子、および後述する樹脂スペーサの説明図である。
図4(A)、(B)において、素子基板10は、表面に下地層14が形成され、TFD素子56aは、この下地層14の上に形成された第1TFD素子33aおよび第2TFD素子33bからなる2つのTFD素子要素によって、いわゆるBack−to−Back構造として構成されている。このため、TFD素子56aは、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層14は、例えば、厚さが50〜200nm程度の酸化タンタル(Ta2O5)によって構成され、TFD素子56aの密着性を向上させ、さらに素子基板10からの不純物の拡散を防止するために設けられている。なお、下地層14は、画素電極34aが形成されている領域では除去されている。
第1TFD素子33aおよび第2TFD素子33bは、第1金属層32aと、この第1金属層32aの表面に形成された絶縁層32bと、絶縁膜32bの表面に互いに離間して形成された第2金属層32c、32dとによって構成されている。第1金属層32aは、例えば、厚さが100〜500nm程度タンタル単体膜、タンタル合金膜等によって形成され、絶縁層32cは、例えば、陽極酸化法によって第1金属層32aの表面を酸化することによって形成された厚さが10〜35nmの酸化タンタル(Ta2O5)である。第2金属層32c、32dは、例えばクロム(Cr)等といった金属膜によって50〜300nm程度の厚さに形成されている。第2金属層32cは、そのままデータ線52aとなり、他方の第2金属層32dは、ITO(Indium Tin Oxide)等といった透明導電材からなる画素電極34aに接続されている。ここで、素子基板10からみたとき、データ線52は、画素電極34aより高い位置にある。
(基板間隔の制御)
図3(A)および図4(A)、(B)に示すように、本形態の電気光学装置1aにおいて、素子基板10には、データ線52a(信号配線)の上面および側面を覆うように厚い樹脂スペーサ9が形成されており、この樹脂スペーサ9は、先端部が対向基板20に当接して、基板間隔を制御している。
図3(A)および図4(A)、(B)に示すように、本形態の電気光学装置1aにおいて、素子基板10には、データ線52a(信号配線)の上面および側面を覆うように厚い樹脂スペーサ9が形成されており、この樹脂スペーサ9は、先端部が対向基板20に当接して、基板間隔を制御している。
また、樹脂スペーサ9は、データ線52aに沿って延びており、データ線52aは、端子領域などといった露出している必要がある箇所を除いて、上面および側面が樹脂スペーサ9によって完全に覆われている。
このため、本形態の電気光学装置1aでは、素子基板10からみたとき、データ線52が画素電極34aより高い位置にあるが、この最も高い位置にあるデータ線52aが樹脂スペーサ9で完全に覆われているので、図3(B)に示すように、基板間に導電性異物81が混入した場合でも、データ線52aと対向基板20側の走査線51a(対向電極)とが短絡することがない。
また、データ線52aが樹脂スペーサ9で完全に覆われているので、図3(C)に示すように、データ線52aと画素電極34aとが近接している場合でも、両者間に寄生容量82が形成されることもない。
さらに、樹脂スペーサ9は、基板間隔を制御する機能も備えているため、フォトリソグラフィ工程で従来の柱状スペーサの形状を変更するだけでよく、新たな膜や新たな工程を追加する必要がない。
さらに、データ線52aを覆うように樹脂スペーサ9を形成すれば、その形成面積が広いので、基板として薄い基板を用いた場合でも、外力で基板間隔が変動することがなく、かつ、樹脂スペーサ9が素子基板10から剥がれることもない。しかも、データ線52aを覆うように樹脂スペーサ9を形成すれば、樹脂スペーサ9を広い面積に形成する場合でも、画素電極34aとしてのITO膜の表面に樹脂スペーサ9を形成する必要がない。それ故、高い画素開口率を確保でき、かつ、ITO膜と樹脂との密着性の低さに起因する剥離などの問題が発生しない。
(電気光学装置1aの製造方法)
図5は、図2に示す電気光学装置の製造方法を示す工程図である。本形態の電気光学装置1aを製造するにあたっては、図5に示す能動素子形成工程P11〜シール材印刷工程P16からなる素子基板形成工程と、走査線形成工程P21〜粒状スペーサ散布工程P24からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。また、以下に説明する工程の多くは、素子基板10および対向基板20を多数取りできる大面積の元基板の状態で行われ、元基板同士を貼り合わせた後、切断されるが、以下の説明では、所定サイズに切断した素子基板10および対向基板20を用いた例で説明する。
図5は、図2に示す電気光学装置の製造方法を示す工程図である。本形態の電気光学装置1aを製造するにあたっては、図5に示す能動素子形成工程P11〜シール材印刷工程P16からなる素子基板形成工程と、走査線形成工程P21〜粒状スペーサ散布工程P24からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。また、以下に説明する工程の多くは、素子基板10および対向基板20を多数取りできる大面積の元基板の状態で行われ、元基板同士を貼り合わせた後、切断されるが、以下の説明では、所定サイズに切断した素子基板10および対向基板20を用いた例で説明する。
まず、素子基板形成工程のうち、能動素子形成工程SP11では、成膜工程、フォトエッチング工程、および陽極酸化工程など、周知の方法でデータ線52a、配線パターン8、およびTFD素子56aなどを形成する。
次に、画素電極形成工程P12では、ITOによって画素電極23aを形成するとともに、配線パターン8の端部にITO膜を形成してパッドを形成する。
次に、樹脂スペーサ形成工程P13において、フォトリソグラフィ技術を用いて図3および図4を参照して説明した樹脂スペーサ9を形成する。
次に、配向膜形成工程P14において配向膜21を形成した後、ラビング処理工程P15において、配向膜21に対してラビング処理その他の配向処理を行う。
次に、シール材印刷工程P16において、図2に示すように、ディスペンサーやスクリーン印刷等によってシール材30を環状に塗布する。なお、シール材30の一部分に液晶注入用の開口を形成しておく。
以上の素子基板形成工程とは別に、対向基板形成工程では、まず、対向電極形成工程P21において、走査線51aを形成した後、配向膜形成工程P22で配向膜24を形成し、次に、ラビング処理工程P23において配向膜24に対してラビング処理その他の配向処理を行う。
そして、貼り合わせ工程P31において、素子基板10と対向基板20とを位置合わせした上でシール材30を間に挟んで、基板10、20同士を貼り合わせ、次に、シール材硬化工程P32で、紫外線硬化その他の方法でシール材30を硬化させる。これにより、空のパネル構造体を形成した後、液晶注入工程P33において、液晶注入用の開口からパネルの内側に液晶を減圧注入し、次に、注入口封止工程P34において、封止材31で開口を封止する。しかる後に、実装工程P35において、素子基板10に対して、IC4、5、および可撓性基板7を異方性導電材で実装し、電気光学装置1aを完成させる。
[その他の実施の形態]
上記形態は、TFDを非線形素子として用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、信号配線が露出している構成、あるいは極めて薄い膜のみで覆われているような構成の電気光学装置であれば、液晶装置以外の電気光学装置に本発明を適用することができる。
上記形態は、TFDを非線形素子として用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、信号配線が露出している構成、あるいは極めて薄い膜のみで覆われているような構成の電気光学装置であれば、液晶装置以外の電気光学装置に本発明を適用することができる。
[電子機器への適用例]
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった各種の電子機器において表示部として用いることができる。
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった各種の電子機器において表示部として用いることができる。
1a 電気光学装置、9 樹脂スペーサ、10 素子基板(第1の基板)、19 液晶(電気光学物質)、20 対向基板(第2の基板)、34a 画素電極、51a 走査線(対向電極)、52a データ線(信号配線)、56a TFD素子、81 導電性異物、82 寄生容量
Claims (4)
- 信号配線、該信号配線に電気的に接続する画素スイッチング素子、および該画素スイッチング素子を介して前記信号配線に電気的に接続する画素電極が形成された第1の基板と、該第1の基板に対向配置され、前記画素電極と対向する対向電極が形成された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に保持された電気光学物質とを有し、
前記第1の基板には、該第1の基板から前記第2の基板に向けて突出して先端部が当該第2の基板に当接する基板間隔制御用の樹脂スペーサが形成され、
当該樹脂スペーサは、前記信号配線の上面および側面を覆うように形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1において、前記第1の基板では、該第1の基板からみたとき前記信号配線が前記画素電極と比較して高い位置にあることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1または2において、前記画素スイッチング素子は、薄膜ダイオード素子であることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1ないし3のいずれかに規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
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JP2011034108A (ja) * | 2006-09-29 | 2011-02-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
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2004
- 2004-03-03 JP JP2004059303A patent/JP2005250036A/ja not_active Withdrawn
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