JP2005242162A - Measuring device, compensation data generator, inspecting device, information recording medium, measuring method, compensation data generation method and inspection method - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To measure and compensate luminance variation of an organic EL display by every pixel with sufficient accuracy at high speed. <P>SOLUTION: This compensation data generator 2 generates an image pattern signal GS for lighting each block divided by every line and each block divided by every column and supplies the signal to an electrooptic device 1. Then, power source current is measured using an ammeter 500 and its measurement result is stored in a block current storage part 600 as block current Ib. A compensation data generation circuit 700 generates compensation data Dh by every pixel based on two systems of block current Ib and stores the data in a compensation data storage part 800. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、有機発光ダイオード等の電気光学素子を用いた電気光学装置の特性を計測する計測装置、これを用いた補正データ生成装置、検査装置、及び補正データを記録した情報記録媒体、並びに計測方法、補正データ生成方法、及び検査方法に関する。   The present invention relates to a measuring device for measuring the characteristics of an electro-optical device using an electro-optical element such as an organic light emitting diode, a correction data generating device using the same, an inspection device, an information recording medium on which correction data is recorded, and measurement The present invention relates to a method, a correction data generation method, and an inspection method.

液晶表示装置に替わる電気光学装置として、有機発光ダイオード素子（以下、ＯＬＥＤ素子と称する。）を備えた装置が注目されている。ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子は、電気的にはダイオードのように動作し、光学的には、順バイアス時に発光して順バイアス電流の増加にともなって発光輝度が増加する。   As an electro-optical device that replaces a liquid crystal display device, a device including an organic light-emitting diode element (hereinafter referred to as an OLED element) has attracted attention. An OLED (Organic Light Emitting Diode) element electrically operates like a diode, and optically emits light at the time of forward bias, and the light emission luminance increases as the forward bias current increases.

ＯＬＥＤ素子をマトリクス状に配列した電気光学装置は、アクティブ型とパッシブ型に大別される。いずれの場合も様々な要因によりＯＬＥＤ素子に流れる電流がばらつく。アクティブ型の電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線を備え、走査線とデータ線の交差に対応して画素回路が各々設けられている。各画素回路は、各ＯＬＥＤ素子に電流を供給するＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を有する。アクティブ型の電気光学装置は、ＴＦＴの特性やアナログデータの書き込み精度等に起因してＯＬＥＤ素子に流れる電流がばらつく。一方、パッシブ型の電気光学装置にあっては、電流経路の抵抗成分や容量成分の影響で、一定時間内にＯＬＥＤ素子に供給する電流がばらつく。   Electro-optical devices in which OLED elements are arranged in a matrix are roughly classified into an active type and a passive type. In either case, the current flowing through the OLED element varies due to various factors. An active electro-optical device includes a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, and pixel circuits are provided corresponding to the intersections of the scanning lines and the data lines. Each pixel circuit has a TFT (Thin Film Transistor) that supplies current to each OLED element. In the active electro-optical device, the current flowing through the OLED element varies due to TFT characteristics, analog data writing accuracy, and the like. On the other hand, in the passive electro-optical device, the current supplied to the OLED element varies within a certain time due to the influence of the resistance component and the capacitance component of the current path.

ＯＬＥＤ素子に流れる電流のばらつきを改善する技術として、各ＯＬＥＤ素子に流れる電流を測定し、測定結果に基づいて補正値を生成し、画像データを補正する手法が知られている（例えば、特許文献１）。   As a technique for improving the variation in the current flowing through the OLED elements, a technique is known in which the current flowing through each OLED element is measured, a correction value is generated based on the measurement result, and image data is corrected (for example, Patent Documents). 1).

特開平２００３−２０２８３６号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-202836

しかしながら、従来の技術のように画素毎に電流を測定するのでは、全ての画素について電流を測定するのに時間がかかる。特に、大画面の電気光学装置にあっては、画素数が多いので大きな問題となる。   However, if the current is measured for each pixel as in the prior art, it takes time to measure the current for all the pixels. In particular, an electro-optical device having a large screen is a big problem because of the large number of pixels.

本発明は上述した問題に鑑みてなされたものであり、有機発光ダイオード等の電気光学素子を用いた電気光学装置の特性を計測する計測装置、これを用いた補正データ生成装置、検査装置、及び補正データを記録した情報記録媒体、並びに計測方法、補正データ生成方法、及び検査方法を提供することを解決課題とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, a measuring device that measures the characteristics of an electro-optical device using an electro-optical element such as an organic light emitting diode, a correction data generating device, an inspection device using the measuring device, and It is an object of the present invention to provide an information recording medium on which correction data is recorded, a measurement method, a correction data generation method, and an inspection method.

上述した課題を解決するため、本発明に係る計測装置は、電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備えた電気光学装置の特性を計測するものであって、前記画素領域を分割した複数のブロックに各々対応する画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力する画像パターン生成手段と、前記ブロック毎に前記電気光学素子に供給される電流をブロック電流として計測する電流計測手段と、を備えたことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a measurement apparatus according to the present invention measures characteristics of an electro-optical device having a pixel region in which a plurality of electro-optical elements driven by current are arranged in a matrix. Image pattern generation means for sequentially generating and outputting to the electro-optical device image patterns respectively corresponding to a plurality of blocks obtained by dividing the pixel area; and a block current that is supplied to the electro-optical element for each block Current measuring means for measuring as follows.

この発明によれば、ブロック毎に電気光学素子に供給される電流を計測するので、個々の電気光学素子について個別に電流を計測する場合と比較して計測時間を短縮することができる。電流の検出方法としては、電気光学素子に電流を供給する電源線に電流計測手段を設けてもよい。また、カラー表示の場合であって、色毎に電源線が独立している場合には、各電源線に電流計測手段を設け、色毎にブロック電流を計測するようにしてもよい。ここで、電気光学素子とは、電気エネルギーによって光学特性が変化する素子の意味であり、有機発光ダイオードや無機発光ダイオード等の自発光素子が含まれる。また、ブロックの分割手法としては、ランダムに輝度のばらつきを測定した場合に比べて、ブロックごと輝度のばらつきが大きくなるように定めることが好ましい。ばらつきの要因としては、１個のドライバ内における出力のばらつき、複数個のドライバを使用する場合においてドライバ間の出力のばらつき、電気光学素子を含む画素回路を構成するトランジスタを形成するプロセスにおけるばらつき、電気光学素子を形成するプロセスにおけるばらつきが含まれる。従って、電気光学装置の製造プロセスにおけるばらつきが反映されるようにブロックを分割することが好ましい。   According to the present invention, since the current supplied to the electro-optic element is measured for each block, the measurement time can be shortened as compared with the case where the current is individually measured for each electro-optic element. As a current detection method, a current measuring unit may be provided in a power supply line that supplies current to the electro-optical element. Further, in the case of color display, when the power supply line is independent for each color, a current measuring unit may be provided for each power supply line, and the block current may be measured for each color. Here, the electro-optical element means an element whose optical characteristics change depending on electric energy, and includes a self-luminous element such as an organic light-emitting diode or an inorganic light-emitting diode. Further, it is preferable that the block division method is determined so that the luminance variation is larger for each block than when the luminance variation is randomly measured. The causes of variations include variations in output within one driver, variations in output between drivers when a plurality of drivers are used, variations in the process of forming a transistor constituting a pixel circuit including an electro-optic element, Variations in the process of forming the electro-optic element are included. Therefore, it is preferable to divide the block so that variations in the manufacturing process of the electro-optical device are reflected.

また、前記複数のブロックは一つのブロック群を構成し、前記複数の電気光学素子の各々は前記画素領域の全体を互いに異なる区分け方法によって分割した複数のブロック群に属し、前記画像パターン生成手段は、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力し、前記電流計測手段は、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した電流を前記ブロック電流として計測することが好ましい。この場合には、電気光学素子が複数のブロック群に含まれるので、ブロック群ごとに計測されたブロック電流に基づいて、個々の電気光学素子に流れる電流を特定することが可能となり、しかも電流の計測時間を大幅に短縮することができる。例えば、電気光学素子がｍ行ｎ列に配列されている場合、第１ブロック群として行方向にｍ個のブロックに分割する一方、第２ブロック群として列方向にｎ個のブロックに分割してもよい。   Further, the plurality of blocks constitute one block group, and each of the plurality of electro-optical elements belongs to a plurality of block groups obtained by dividing the entire pixel region by different division methods, and the image pattern generation unit includes , For each of the plurality of block groups, sequentially generate an image pattern corresponding to a block belonging to each block group and output to the electro-optical device, the current measuring means for each of the plurality of block groups, It is preferable to measure a current corresponding to a block belonging to the block group as the block current. In this case, since the electro-optic element is included in the plurality of block groups, it is possible to specify the current flowing through each electro-optic element based on the block current measured for each block group, and the current Measurement time can be greatly reduced. For example, when the electro-optic elements are arranged in m rows and n columns, the first block group is divided into m blocks in the row direction, while the second block group is divided into n blocks in the column direction. Also good.

また、上述した計測装置にあっては、所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分を第１偏差情報として算出する演算手段を備えることが好ましい。ここで、所定の基準電流値は、所定の発光輝度を得るために電気光学素子に流すことが必要な電流値とすればよい。加えて、前記演算手段は、前記ブロック電流を前記ブロックに属する前記電気光学素子の数で除算した値と前記基準電流値との差分を前記第１偏差情報として算出し、更に、ある電気光学素子の属する前記ブロック別の前記第１偏差情報に所定の演算を施して前記複数の電気光学素子の各々について第２偏差情報を生成してもよい。この場合、第１偏差情報はブロック単位でブロック電流のばらつきを示す情報となり、第２偏差情報は電気光学素子単位で電流のばらつきを示す情報となる。   Moreover, in the measuring apparatus mentioned above, it is preferable to provide the calculating means which calculates the difference of the said block current with respect to a predetermined | prescribed reference current value as 1st deviation information. Here, the predetermined reference current value may be a current value required to flow through the electro-optical element in order to obtain a predetermined light emission luminance. In addition, the calculation means calculates, as the first deviation information, a difference between a value obtained by dividing the block current by the number of the electro-optical elements belonging to the block and the reference current value, and a certain electro-optical element The second deviation information may be generated for each of the plurality of electro-optic elements by performing a predetermined calculation on the first deviation information for each of the blocks to which. In this case, the first deviation information is information indicating variation in block current in units of blocks, and the second deviation information is information indicating variation in current in units of electro-optic elements.

次に、本発明に係る補正データ生成装置は、上述した計測装置と、前記第１偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する補正データ生成手段と、を備えることを特徴とする。この発明によれば、ブロック単位の第１偏差情報に基づいて補正データを生成するので、補正データを生成する時間を短縮することができる。ここで、補正データは、ブロック単位のデータであってもよいし、あるいは、電気光学素子単位のデータであってもよい。また、制御データは、電気光学素子の発光輝度を制御するのであればどのようなものであってよく、例えば、電気光学素子に供給される電流、データ線に供給される電流又は電圧、表示すべき階調を示すデータ、電気光学素子の発光期間を指示するデータが含まれる。   Next, the correction data generation device according to the present invention is configured such that, based on the measurement device described above and the first deviation information, a current value flowing through the electro-optic element for each of the plurality of blocks is the same as the reference current value. Alternatively, the electro-optical device includes correction data generation means for generating correction data for correcting control data for controlling light emission luminance of the electro-optical element so as to be substantially the same. According to the present invention, since the correction data is generated based on the first deviation information in units of blocks, the time for generating the correction data can be shortened. Here, the correction data may be block unit data or electro-optical element unit data. The control data may be any data as long as it controls the light emission luminance of the electro-optical element. For example, the current supplied to the electro-optical element, the current or voltage supplied to the data line, and the display data are displayed. Data indicating power gradation and data indicating the light emission period of the electro-optical element are included.

また、本発明に係る補正データ生成装置は、上述した計測装置と、前記第２偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する補正データ生成手段と、を備えることを特徴とする。この発明によれば、電気光学素子単位の第２偏差情報に基づいて補正データを生成するので、補正データの精度を向上させることができる。   The correction data generation device according to the present invention may be configured such that, based on the measurement device described above and the second deviation information, a current value flowing through the electro-optic element for each of the plurality of blocks is the same as the reference current value or The electro-optical device includes correction data generating means for generating correction data for correcting control data for controlling light emission luminance of the electro-optical element so as to be substantially the same. According to the present invention, the correction data is generated based on the second deviation information in units of electro-optic elements, so that the accuracy of the correction data can be improved.

ここで、前記補正データ生成手段は、前記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて前記電気光学素子に流れる電流値を前記基準電流値に補正するための補正係数を示す電流補正データを生成し、当該電流補正データに基づいて前記補正データを生成してもよい。   Here, the correction data generation means generates current correction data indicating a correction coefficient for correcting a current value flowing through the electro-optic element to the reference current value based on the first deviation information or the second deviation information. The correction data may be generated based on the current correction data.

また、上述した補正データ生成装置は、前記補正データ生成手段が生成した前記補正データを用いて前記制御データを補正し、補正した前記制御データを用いて前記電気光学素子に電流を供給し、その結果得られる前記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて、前記補正データを更新する補正データ更新手段を備えたことが好ましい。   The correction data generation apparatus described above corrects the control data using the correction data generated by the correction data generation unit, supplies current to the electro-optic element using the corrected control data, and It is preferable that a correction data updating unit that updates the correction data based on the first deviation information or the second deviation information obtained as a result is provided.

次に、本発明に係る情報記録媒体は、上述した補正データ生成装置によって生成された前記補正データを記憶したことを特徴とする。情報記録媒体としては、ＲＯＭ等の不揮発性メモリであることが好ましい。   Next, an information recording medium according to the present invention stores the correction data generated by the correction data generation device described above. The information recording medium is preferably a nonvolatile memory such as a ROM.

次に、本発明に係る検査装置は、上述した計測装置と、前記計測装置の計測結果が所定の範囲内にあるか否かを判定する判定手段とを備え、当該判定手段による判定結果に基づいて前記電気光学装置の良否を検査することを特徴とする。この検査装置によれば、電流の計測時間が短縮されるので、短時間で電気光学装置の良否を判定することが可能となる。   Next, an inspection apparatus according to the present invention includes the measurement apparatus described above and a determination unit that determines whether or not the measurement result of the measurement apparatus is within a predetermined range, based on the determination result by the determination unit. The electro-optical device is inspected for quality. According to this inspection apparatus, since the current measurement time is shortened, it is possible to determine the quality of the electro-optical device in a short time.

次に、本発明に係る計測方法は、電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備えた電気光学装置の特性を計測する方法であって、前記画素領域は複数のブロックから構成され、前記複数のブロックは一つのブロック群を構成し、前記複数の電気光学素子の各々は互いに異なる区分け方法によって前記画素領域を分割した複数のブロック群に属し、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力し、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した電流をブロック電流として計測することを特徴とする。この発明によれば、ブロック毎に電気光学素子に供給される電流を計測するので、個々の電気光学素子について個別に電流を計測する場合と比較して計測時間を短縮することができる。   Next, a measurement method according to the present invention is a method for measuring characteristics of an electro-optical device including a pixel region in which a plurality of electro-optical elements driven by a current are arranged in a matrix, wherein the pixel region is The plurality of blocks constitute one block group, and each of the plurality of electro-optical elements belongs to a plurality of block groups obtained by dividing the pixel region by different division methods, and For each of the block groups, an image pattern corresponding to the block belonging to each block group is sequentially generated and output to the electro-optical device, and for each of the plurality of block groups, a current corresponding to the block belonging to each block group is generated. Measured as a block current. According to the present invention, since the current supplied to the electro-optic element is measured for each block, the measurement time can be shortened as compared with the case where the current is individually measured for each electro-optic element.

ここで、所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分を第１偏差情報として算出してもよく、更に、前記ブロック電流を前記ブロックに属する前記電気光学素子の数で除算した値と所定の基準電流値との差分を第１偏差情報として算出し、ある電気光学素子の属する前記ブロック別の前記第１偏差情報に所定の演算を施して前記複数の電気光学素子の各々について第２偏差情報を生成してもよい。   Here, the difference of the block current with respect to a predetermined reference current value may be calculated as first deviation information, and a value obtained by dividing the block current by the number of the electro-optic elements belonging to the block and a predetermined reference A difference from the current value is calculated as first deviation information, a predetermined calculation is performed on the first deviation information for each block to which a certain electro-optic element belongs, and second deviation information is obtained for each of the plurality of electro-optic elements. It may be generated.

次に、本発明に係る補正データ生成方法は、上述した計測方法によって前記第１偏差情報を計測し、 前記第１偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する、ことを特徴とする。この発明によれば、ブロック単位の第１偏差情報に基づいて補正データを生成するから、補正データを短時間で生成することが可能となる。   Next, in the correction data generation method according to the present invention, the first deviation information is measured by the measurement method described above, and the current flowing through the electro-optic element for each of the plurality of blocks based on the first deviation information. The correction data for correcting the control data for controlling the light emission luminance of the electro-optical element in the electro-optical device is generated so that the value is the same as or substantially the same as the reference current value. According to the present invention, since the correction data is generated based on the first deviation information in block units, the correction data can be generated in a short time.

次に、本発明に係る補正データ生成方法は、上述した計測方法によって前記第２偏差情報を計測し、前記第２偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成することを特徴とする。この発明によれば、電気光学素子単位の第２偏差情報に基づいて補正データを生成するから、正確な補正データを生成することが可能となる。   Next, in the correction data generation method according to the present invention, the second deviation information is measured by the measurement method described above, and the current flowing through the electro-optic element for each of the plurality of blocks based on the second deviation information. Correction data for correcting control data for controlling light emission luminance of the electro-optical element in the electro-optical device is generated so that the value is the same as or substantially the same as the reference current value. According to the present invention, since the correction data is generated based on the second deviation information in units of electro-optical elements, it is possible to generate accurate correction data.

このような補正データ生成方法において、補正データの精度を更に向上させる観点から、生成した前記補正データを用いて前記制御データを補正し、補正した前記制御データを用いて前記電気光学素子に電流を供給し、その結果得られる前記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて、前記補正データを更新することが好ましい。   In such a correction data generation method, from the viewpoint of further improving the accuracy of the correction data, the control data is corrected using the generated correction data, and a current is supplied to the electro-optic element using the corrected control data. Preferably, the correction data is updated based on the first deviation information or the second deviation information obtained as a result.

また、本発明に係る検査方法は、上述した計測方法を用いて計測を実行し、計測結果が所定の範囲内にあるか否かを判定し、判定結果に基づいて前記電気光学装置の良否を検査することが好ましい。この検査方法によれば、電流の計測時間が短縮されるので、短時間で電気光学装置の良否を判定することが可能となる。   The inspection method according to the present invention performs measurement using the measurement method described above, determines whether the measurement result is within a predetermined range, and determines whether the electro-optical device is good or bad based on the determination result. It is preferable to inspect. According to this inspection method, since the current measurement time is shortened, it is possible to determine the quality of the electro-optical device in a short time.

＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る補正データ生成システムの概略構成を示すブロック図である。補正データ生成システムは、電気光学装置１と補正データ生成装置２を備える。補正データ生成装置２は、電気光学装置１の電源電流を計測し、計測結果に基づいてＯＬＥＤ素子の発光輝度が均一になるように補正データＤｈを生成する。 <1. First Embodiment>
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a correction data generation system according to the first embodiment of the present invention. The correction data generation system includes an electro-optical device 1 and a correction data generation device 2. The correction data generation device 2 measures the power supply current of the electro-optical device 1 and generates correction data Dh so that the light emission luminance of the OLED element is uniform based on the measurement result.

電気光学装置１は、電気光学パネルと制御回路３００を備える。電気光学パネルには、画素領域Ａ、走査線駆動回路１００及びデータ線駆動回路２００が形成される。このうち、画素領域Ａには、Ｘ方向と平行にｍ本の走査線１０１及びｍ本の発光制御線１０２が形成される。また、Ｘ方向と直交するＹ方向と平行にｎ本のデータ線１０３が形成される。そして、走査線１０１とデータ線１０３との各交差に対応して画素回路４００が各々設けられている。画素回路４００はＯＬＥＤ素子を含む。また、各画素回路４００には、電源電圧Ｖｄｄが電源線Ｌを介して供給されるようになっている。   The electro-optical device 1 includes an electro-optical panel and a control circuit 300. In the electro-optical panel, a pixel region A, a scanning line driving circuit 100, and a data line driving circuit 200 are formed. Among these, in the pixel region A, m scanning lines 101 and m light emission control lines 102 are formed in parallel with the X direction. In addition, n data lines 103 are formed in parallel with the Y direction orthogonal to the X direction. A pixel circuit 400 is provided corresponding to each intersection of the scanning line 101 and the data line 103. The pixel circuit 400 includes an OLED element. Each pixel circuit 400 is supplied with a power supply voltage Vdd through a power supply line L.

走査線駆動回路１００は、複数の走査線１０１を順次選択するための走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍを生成すると共に発光制御信号Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｍを生成する。発光制御信号Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｍは、各発光制御線１０２を介して各画素回路４００に各々供給される。図２に走査信号Ｙ１〜Ｙｍと発光制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇｍのタイミングチャートの一例を示す。走査信号Ｙ１は、１垂直走査期間（１Ｆ）の最初のタイミングから、１水平走査期間（１Ｈ）に相当する幅のパルスであって、１行目の走査線１０１に供給される。以降、このパルスを順次シフトして、２、３、…、ｍ行目の走査線１０１の各々に走査信号Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍとして供給する。一般的にｉ（ｉは、１≦ｉ≦ｍを満たす整数）行目の走査線１０１に供給される走査信号ＹｉがＨレベルになると、当該走査線１０１が選択されたことを示す。また、発光制御信号Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｍとしては、例えば、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍの論理レベルを反転した信号を用いる。   The scanning line driving circuit 100 generates scanning signals Y1, Y2, Y3,..., Ym for sequentially selecting a plurality of scanning lines 101, and generates light emission control signals Vg1, Vg2, Vg3,. The light emission control signals Vg1, Vg2, Vg3,..., Vgm are supplied to the pixel circuits 400 via the light emission control lines 102, respectively. FIG. 2 shows an example of a timing chart of the scanning signals Y1 to Ym and the light emission control signals Vg1 to Vgm. The scanning signal Y1 is a pulse having a width corresponding to one horizontal scanning period (1H) from the first timing of one vertical scanning period (1F), and is supplied to the scanning line 101 in the first row. Thereafter, the pulses are sequentially shifted and supplied as scanning signals Y2, Y3,..., Ym to the scanning lines 101 in the 2, 3,. Generally, when the scanning signal Yi supplied to the i-th (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ m) row scanning line 101 becomes H level, this indicates that the scanning line 101 is selected. Further, as the light emission control signals Vg1, Vg2, Vg3,..., Vgm, for example, signals obtained by inverting the logic levels of the scanning signals Y1, Y2, Y3,.

データ線駆動回路２００は、階調データＤに基づいて、選択された走査線１０１に位置する画素回路４００の各々に対し階調信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘｎを供給する。この例において、階調信号Ｘ１〜Ｘｎは階調輝度を指示する電流信号として与えられる。また、データ線駆動回路２００は、ｎ本のデータ線１０３の各々に対応した電流出力型のデジタルアナログ変換器を有している。   Based on the gradation data D, the data line driving circuit 200 supplies gradation signals X1, X2, X3,..., Xn to each of the pixel circuits 400 positioned on the selected scanning line 101. In this example, the gradation signals X1 to Xn are given as current signals indicating gradation luminance. The data line driving circuit 200 includes a current output type digital-analog converter corresponding to each of the n data lines 103.

制御回路３００は、各種の制御信号を生成してこれらを走査線駆動回路１００及びデータ線駆動回路２００へ出力する。また、制御回路３００は、外部から供給される入力階調データＤｉｎにガンマ補正等を施して出力階調データＤを生成する。本実施形態では入力階調データＤｉｎの代わりに、後述する画像パターン作成回路９００から画像パターン信号ＧＳが供給される。   The control circuit 300 generates various control signals and outputs them to the scanning line driving circuit 100 and the data line driving circuit 200. In addition, the control circuit 300 generates output gradation data D by performing gamma correction or the like on the input gradation data Din supplied from the outside. In the present embodiment, an image pattern signal GS is supplied from an image pattern creation circuit 900 described later instead of the input gradation data Din.

次に、画素回路４００について説明する。図３に、画素回路４００の回路図を示す。同図に示す画素回路４００は、ｉ行目のＲ色に対応するものであり、電源電圧Ｖｄｄｒが供給される。他の色に対応する画素回路４００は、電源電圧Ｖｄｄｒの代わりに電源電圧Ｖｄｄｇ（Ｇ色）又は電源電圧Ｖｄｄｂ（Ｂ色）が供給される点を除いて、同様に構成されている。画素回路４００は、４個のＴＦＴ４０１〜４０４と、容量素子４１０と、ＯＬＥＤ素子４２０とを備える。ＴＦＴ４０１〜４０４の製造プロセスでは、レーザーアニールショットを利用してガラス基板の上にポリシリコン層が形成される。また、ＯＬＥＤ素子４２０は、陽極と陰極との間に発光層が挟持されている。そして、ＯＬＥＤ素子４２０は、順方向電流に応じた輝度で発光する。発光層には、発光色に応じた有機ＥＬ（Electronic Luminescence）材料が用いられる。発光層の製造プロセスでは、インクジェット方式のヘッドから有機ＥＬ材料を液滴として吐出し、これを乾燥させている。   Next, the pixel circuit 400 will be described. FIG. 3 shows a circuit diagram of the pixel circuit 400. The pixel circuit 400 shown in the figure corresponds to the R color of the i-th row and is supplied with the power supply voltage Vddr. The pixel circuits 400 corresponding to the other colors are configured similarly except that the power supply voltage Vddg (G color) or the power supply voltage Vddb (B color) is supplied instead of the power supply voltage Vddr. The pixel circuit 400 includes four TFTs 401 to 404, a capacitor element 410, and an OLED element 420. In the manufacturing process of the TFTs 401 to 404, a polysilicon layer is formed on the glass substrate using laser annealing shot. In the OLED element 420, a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode. The OLED element 420 emits light with a luminance corresponding to the forward current. An organic EL (Electronic Luminescence) material corresponding to the emission color is used for the light emitting layer. In the manufacturing process of the light emitting layer, the organic EL material is ejected as droplets from an inkjet head and dried.

駆動トランジスタであるＴＦＴ４０１はｐチャネル型、スイッチングトランジスタであるＴＦＴ４０２〜４０４はｎチャネル型である。ＴＦＴ４０１のソース電極は電源線ＬＲに接続される一方、そのドレイン電極はＴＦＴ４０３のドレイン電極、ＴＦＴ４０４のドレイン電極及びＴＦＴ４０２のソース電極にそれぞれ接続される。   The TFT 401 that is a driving transistor is a p-channel type, and the TFTs 402 to 404 that are switching transistors are an n-channel type. The source electrode of the TFT 401 is connected to the power supply line LR, and the drain electrode thereof is connected to the drain electrode of the TFT 403, the drain electrode of the TFT 404, and the source electrode of the TFT 402, respectively.

容量素子４１０の一端はＴＦＴ４０１のソース電極に接続される一方、その他端は、ＴＦＴ４０１のゲート電極及びＴＦＴ４０２のドレイン電極にそれぞれ接続される。ＴＦＴ４０３のゲート電極は走査線１０１に接続され、そのソース電極は、データ線１０３に接続される。また、ＴＦＴ４０２のゲート電極は走査線１０１に接続される。一方、ＴＦＴ４０４のゲート電極は発光制御線１０２に接続され、そのソース電極はＯＬＥＤ素子４２０の陽極に接続される。ＴＦＴ４０４のゲート電極には、発光制御線１０２を介して発光制御信号Ｖｇｉが供給される。なお、ＯＬＥＤ素子４２０の陰極は、画素回路４００のすべてにわたって共通の電極であり、電源における低位（基準）電位となっている。   One end of the capacitor 410 is connected to the source electrode of the TFT 401, and the other end is connected to the gate electrode of the TFT 401 and the drain electrode of the TFT 402. The gate electrode of the TFT 403 is connected to the scanning line 101, and its source electrode is connected to the data line 103. The gate electrode of the TFT 402 is connected to the scanning line 101. On the other hand, the gate electrode of the TFT 404 is connected to the light emission control line 102, and its source electrode is connected to the anode of the OLED element 420. A light emission control signal Vgi is supplied to the gate electrode of the TFT 404 via the light emission control line 102. Note that the cathode of the OLED element 420 is a common electrode throughout the pixel circuit 400 and has a low (reference) potential in the power supply.

このような構成において、走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｎチャネル型ＴＦＴ４０２がオン状態となるので、ＴＦＴ４０１は、ゲート電極とドレイン電極とが互いに接続されたダイオードとして機能する。走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｎチャネル型ＴＦＴ４０３も、ＴＦＴ４０２と同様にオン状態となる。この結果、データ線駆動回路２００の電流Ｉdataが、電源線ＬＲ→ＴＦＴ４０１→ＴＦＴ４０３→データ線１０３という経路で流れるとともに、そのときに、ＴＦＴ４０１のゲート電極の電位に応じた電荷が容量素子４１０に蓄積される。   In such a configuration, when the scanning signal Yi becomes the H level, the n-channel TFT 402 is turned on, so that the TFT 401 functions as a diode in which the gate electrode and the drain electrode are connected to each other. When the scanning signal Yi becomes H level, the n-channel TFT 403 is also turned on similarly to the TFT 402. As a result, the current Idata of the data line driving circuit 200 flows through the path of the power supply line LR → TFT 401 → TFT 403 → data line 103, and at that time, electric charge corresponding to the potential of the gate electrode of the TFT 401 is accumulated in the capacitor element 410. Is done.

走査信号ＹｉがＬレベルになると、ＴＦＴ４０３、４０２はともにオフ状態となる。このとき、ＴＦＴ４０１のゲート電極における入力インピーダンスは極めて高いので、容量素子４１０における電荷の蓄積状態は変化しない。ＴＦＴ４０１のゲート・ソース間電圧は、電流Ｉdataが流れたときの電圧に保持される。また、走査信号ＹｉがＬレベルになると、発光制御信号ＶｇｉがＨレベルとなる。このため、ｎチャネル型のＴＦＴ４０４がオンし、ＴＦＴ４０１のソース・ドレイン間には、そのゲート電圧に応じた注入電流Ｉoledが流れる。詳細には、この電流は、電源線ＬＲ→ＴＦＴ４０１→ＴＦＴ４０４→ＯＬＥＤ素子４２０という経路で流れる。   When the scanning signal Yi becomes L level, both the TFTs 403 and 402 are turned off. At this time, since the input impedance of the gate electrode of the TFT 401 is extremely high, the charge accumulation state in the capacitor 410 does not change. The voltage between the gate and source of the TFT 401 is maintained at the voltage when the current Idata flows. Further, when the scanning signal Yi becomes L level, the light emission control signal Vgi becomes H level. For this reason, the n-channel TFT 404 is turned on, and an injection current Ioled corresponding to the gate voltage flows between the source and drain of the TFT 401. Specifically, this current flows through a path of the power supply line LR → TFT 401 → TFT 404 → OLED element 420.

ここで、ＯＬＥＤ素子４２０に流れる注入電流Ｉoledは、ＴＦＴ４０１のゲート・ソース間電圧で定まるが、その電圧は、Ｈレベルの走査信号Ｙｉによって電流Ｉdataがデータ線１０３に流れたときに、容量素子４１０によって保持された電圧である。このため、発光制御信号ＶｇｉがＨレベルになったときに、ＯＬＥＤ素子４２０に流れる注入電流Ｉoledは、直前に流れた電流Ｉdataに略一致する。このように画素回路４００は、電流Ｉdataによって発光輝度を規定することから、電流プログラム方式の回路である。   Here, the injection current Ioled flowing through the OLED element 420 is determined by the voltage between the gate and the source of the TFT 401, and this voltage is determined when the current Idata flows through the data line 103 by the H level scanning signal Yi. Is the voltage held by. For this reason, when the light emission control signal Vgi becomes H level, the injection current Ioled that flows through the OLED element 420 substantially matches the current Idata that flows immediately before. In this manner, the pixel circuit 400 is a current programming circuit because the emission luminance is defined by the current Idata.

ＯＬＥＤ素子４２０の発光輝度は、注入電流Ｉoledに対応したものになるが、実際の電気光学装置１においては、様々な要因によって注入電流Ｉoledがばらつく。このため、輝度ムラが発生して電気光学装置１の表示品質が劣化することがある。注入電流Ｉoledのばらつきに着目すると、画素領域Ａは図４に示すブロックＢに分割して考えることができる。図４（Ａ）は画素領域Ａを行方向に分割したものであり、図４（Ｂ）は画素領域Ａを列方向に分割したものであり、図４（Ｃ）は画素領域Ａを縦横の位置に応じて分割したものであり、図４（Ｄ）は、画素領域Ａを左右に２分割したものである。   The light emission luminance of the OLED element 420 corresponds to the injection current Ioled, but in the actual electro-optical device 1, the injection current Ioled varies due to various factors. For this reason, luminance unevenness may occur and display quality of the electro-optical device 1 may deteriorate. Paying attention to the variation in the injection current Ioled, the pixel region A can be divided into blocks B shown in FIG. 4A shows the pixel area A divided in the row direction, FIG. 4B shows the pixel area A divided in the column direction, and FIG. 4C shows the pixel area A vertically and horizontally. The pixel area A is divided according to the position, and FIG. 4D is obtained by dividing the pixel region A into left and right parts.

上述したようにデータ線駆動回路２００は、ｎ個の電流出力型のデジタルアナログ変換器を備える。従って、デジタルアナログ変換器の特性がばらつくと、図４（Ｂ）に示すブロックＢの間で発光輝度がばらつくことになる。   As described above, the data line driving circuit 200 includes n current output type digital-analog converters. Therefore, if the characteristics of the digital-analog converter vary, the light emission luminance varies between the blocks B shown in FIG.

また、画素回路４００のＴＦＴ４０１〜４０４は、上述したようにレーザーアニールショットを利用して形成される。レーザーアニールの工程では、複数のレーザー光源を所定の方向に走査する処理が行われる。このため、レーザー光源間で光量がばらつくことがあり、また、走査が進行する過程でも光量がばらつくことがある。光量のばらつきは、ポリシリコン層の電気的な特性に影響を与えることになるので、ＴＦＴ４０１〜４０４の電気的な特性がばらつくことになる。例えば、レーザーアニールショットの走査方向が列方向である場合には、レーザー光源の光量の相違に起因して図４（Ｂ）示すブロックＢの間で発光輝度がばらつくと共に、走査の進行過程での光量の相違に起因して図４（Ａ）に示すブロックＢの間で発光輝度がばらつく。   Further, the TFTs 401 to 404 of the pixel circuit 400 are formed using laser annealing shot as described above. In the laser annealing step, a process of scanning a plurality of laser light sources in a predetermined direction is performed. For this reason, the amount of light may vary between laser light sources, and the amount of light may also vary during the course of scanning. The variation in the amount of light affects the electrical characteristics of the polysilicon layer, so that the electrical characteristics of the TFTs 401 to 404 vary. For example, when the scanning direction of the laser annealing shot is the column direction, the emission luminance varies among the blocks B shown in FIG. The light emission luminance varies between the blocks B shown in FIG.

更に、ＯＬＥＤ素子４２０の発光層は上述したようにインクジェット方式で有機ＥＬ材料を塗布した後、乾燥して形成される。塗布工程では、複数のヘッドから有機ＥＬ材料を液滴として吐出しながら所定の方向に走査する処理が行われる。このため、ヘッド間で液滴の大きさがばらつくことがあり、また、走査が進行する過程でも液滴の大きさがばらつくことがある。液滴の大きさのばらつきは、発光層の電気的な特性に影響を与えるので、ＯＬＥＤ素子４２０の発光特性がばらつくことになる。例えば、インクジェットの走査方向が行方向である場合には、ヘッド間の液滴量の相違に起因して図４（Ａ）示すブロックＢの間で発光輝度がばらつくと共に、走査の進行過程での液滴量の相違に起因して図４（Ｂ）に示すブロックＢの間で発光輝度がばらつく。また、乾燥工程では熱の勾配に起因して発光層の電気的な特性がばらつく。このため、ＯＬＥＤ素子４２０の画素領域Ａにおける位置によって発光輝度がばらつくことになる。従って、図４（Ｃ）に示すブロック間で発光輝度がばらつくことになる。   Further, as described above, the light emitting layer of the OLED element 420 is formed by applying an organic EL material by an inkjet method and then drying. In the coating process, a process of scanning in a predetermined direction while discharging organic EL material as droplets from a plurality of heads is performed. For this reason, the size of the droplets may vary between the heads, and the size of the droplets may vary even in the process of scanning. Variations in the size of the droplets affect the electrical characteristics of the light emitting layer, so that the light emitting characteristics of the OLED element 420 vary. For example, when the scanning direction of the inkjet is the row direction, the emission luminance varies between the blocks B shown in FIG. The light emission luminance varies between the blocks B shown in FIG. In the drying process, the electrical characteristics of the light emitting layer vary due to the thermal gradient. For this reason, the light emission luminance varies depending on the position of the OLED element 420 in the pixel region A. Accordingly, the light emission luminance varies between the blocks shown in FIG.

加えて、上述したデータ線駆動回路２００を複数のＩＣモジュールで構成することがある。この場合は、ＩＣモジュール間の電気的な特性がばらつくと発光輝度がばらつく。例えば、データ線駆動回路２００を２個のＩＣモジュールで構成する場合は、図４（Ｄ）に示すブロック間で発光輝度がばらつくことになる。以下の説明においては、図４（Ａ）〜（Ｄ）に示すように画素領域Ａを所定の規則に従って分割したブロックＢの集まりをブロック群ＢＧと称する。   In addition, the data line driving circuit 200 described above may be composed of a plurality of IC modules. In this case, if the electrical characteristics between the IC modules vary, the light emission luminance varies. For example, in the case where the data line driver circuit 200 includes two IC modules, the light emission luminance varies between the blocks illustrated in FIG. In the following description, as shown in FIGS. 4A to 4D, a group of blocks B obtained by dividing the pixel area A according to a predetermined rule is referred to as a block group BG.

上述したように発光輝度はＯＬＥＤ素子４２０への注入電流Ｉoledに比例する。また、１画素のＯＬＥＤ素子４２０のみを発光させたときの電源電流は当該ＯＬＥＤ素子４２０の注入電流Ｉoledである。従って、各画素の輝度のばらつきは注入電流Ｉoledのばらつきから特定することが可能である。また、あるブロックＢのＯＬＥＤ素子４２０のみを発光させたときの電源電流をブロック電流Ｉｂとしたとき、画素ごとの注入電流Ｉoledは、異なるブロック群ＢＧに属する複数のブロック電流Ｉｂから特定することができる。例えば、図４（Ａ）に示される行方向に分割したブロックＢの集まりを第１ブロック群ＢＧ１、図４（Ｂ）に示される列方向に分割したブロックＢの集まりを第２ブロック群ＢＧ２としたとき、第１行第１列に位置する画素の注入電流Ｉoledは、第１ブロック群ＢＧ１に属する第１行目のブロック電流Ｉｂと第２ブロック群ＢＧ２に属する第１列目のブロック電流Ｉｂとに基づいて特定することが可能である。本実施形態の補正データ生成装置２は、第１ブロック群ＢＧ１と第２ブロック群ＢＧ２についてブロック電流Ｉｂを計測し、計測したブロック電流Ｉｂに基づいて、輝度のばらつきを補正する補正データＤｈを生成する。   As described above, the light emission luminance is proportional to the injection current Ioled to the OLED element 420. The power supply current when only the OLED element 420 of one pixel emits light is the injection current Ioled of the OLED element 420. Therefore, the luminance variation of each pixel can be specified from the variation of the injection current Ioled. Further, when the power supply current when only the OLED element 420 of a certain block B emits light is the block current Ib, the injection current Ioled for each pixel can be specified from a plurality of block currents Ib belonging to different block groups BG. it can. For example, a group of blocks B divided in the row direction shown in FIG. 4A is a first block group BG1, and a group of blocks B divided in the column direction shown in FIG. 4B is a second block group BG2. Then, the injection current Ioled of the pixel located in the first row and the first column is the block current Ib in the first row belonging to the first block group BG1 and the block current Ib in the first column belonging to the second block group BG2. It is possible to specify based on. The correction data generation device 2 of the present embodiment measures the block current Ib for the first block group BG1 and the second block group BG2, and generates correction data Dh for correcting the luminance variation based on the measured block current Ib. To do.

次に、補正データ生成装置２の詳細を説明する。補正データ生成装置２は、図１に示すように電源回路５１０、電流計５００、ブロック電流記憶部６００、補正データ生成回路７００、補正データ記憶部８００、及び画像パターン生成回路９００を備える。電源回路５１０は、電源電圧Ｖｄｄを生成する。電流計５００は、電源線Ｌを流れる電源電流を計測して計測結果をブロック電流記憶部６００に出力する。ブロック電流記憶部６００は、電源電流値をブロック電流Ｉｂの値として記憶する。補正データ生成回路７００は、ブロック電流記憶部６００に記憶したブロック電流Ｉｂの値に基づいて、補正データＤｈを生成する。また、補正データ生成回路７００は、画像パターン作成回路９００に対して画像パターンを指示する指示信号を出力する。補正データ記憶部８００は、補正データＤｈを記憶する。画像パターン作成回路９００は、第１ブロック群ＢＧ１の及び第２ブロック群ＢＧ２の各ブロックＢを所定の輝度で発光させる画像パターン信号ＧＳを生成し、これを制御回路３００に順次出力する。   Next, details of the correction data generation device 2 will be described. As shown in FIG. 1, the correction data generation apparatus 2 includes a power supply circuit 510, an ammeter 500, a block current storage unit 600, a correction data generation circuit 700, a correction data storage unit 800, and an image pattern generation circuit 900. The power supply circuit 510 generates a power supply voltage Vdd. The ammeter 500 measures the power supply current flowing through the power supply line L and outputs the measurement result to the block current storage unit 600. The block current storage unit 600 stores the power supply current value as the value of the block current Ib. The correction data generation circuit 700 generates correction data Dh based on the value of the block current Ib stored in the block current storage unit 600. The correction data generation circuit 700 outputs an instruction signal for instructing the image pattern to the image pattern generation circuit 900. The correction data storage unit 800 stores correction data Dh. The image pattern creation circuit 900 generates an image pattern signal GS that causes each block B of the first block group BG1 and the second block group BG2 to emit light with a predetermined luminance, and sequentially outputs this to the control circuit 300.

以上の構成において、補正データ生成装置２は、全てのブロックＢについてブロック電流Ｉｂを計測し、次に、補正データＤｈを生成する。図５にブロック電流Ｉｂを計測する処理のフローチャートを示す。まず、電気光学装置１及び補正データ生成装置２の電源が投入される（ステップＳ１）。この後、電気光学装置１において画像表示の制御／駆動が開始される（ステップＳ２）。次に、補正データ生成回路７００は、第１ブロック群ＢＧ１、第２ブロック群ＢＧ２の順に画像パターンを生成するように指示信号を生成し、これに従って画像パターン作成装置９００が画像パターン信号ＧＳを生成する（ステップＳ３）。具体的には、第１ブロック群ＢＧ１の各ブロックＢについて第１行→第２行→…→第ｍ行の順に発光させる画像パターンを作成させる。これに続いて、第２ブロック群ＢＧ２の各ブロックＢについて第１列→第２列→…→第ｎ列の順に発光させる画像パターンを作成させる。ここで、画像パターンは、対象となるブロックＢを均一な所定輝度となるように設定されており、また、ブロック間の輝度も同じになるように設定されている。   In the above configuration, the correction data generation device 2 measures the block current Ib for all the blocks B, and then generates correction data Dh. FIG. 5 shows a flowchart of processing for measuring the block current Ib. First, the electro-optical device 1 and the correction data generation device 2 are turned on (step S1). Thereafter, image display control / drive is started in the electro-optical device 1 (step S2). Next, the correction data generation circuit 700 generates an instruction signal so as to generate an image pattern in the order of the first block group BG1 and the second block group BG2, and the image pattern generation device 900 generates the image pattern signal GS accordingly. (Step S3). Specifically, an image pattern for emitting light in the order of the first row → second row →... → m-th row is generated for each block B of the first block group BG1. Subsequently, an image pattern for emitting light in the order of the first column → second column →... → n-th column is generated for each block B of the second block group BG2. Here, the image pattern is set so that the target block B has uniform predetermined luminance, and the luminance between the blocks is also set to be the same.

次に、あるブロックＢが発光すると電流計５００を用いて電源電流が計測される（ステップＳ４）。この電源電流がブロック電流Ｉｂとなる。次に、計測されたブロック電流Ｉｂがブロック電流記憶部６００に記憶される（ステップＳ５）。この後、補正データ生成回路７００は、全てのブロックＢについて測定が終了したか否かを判定する（ステップＳ６）。ステップＳ６の判定条件が否定されると、補正データ生成回路７００は、次の画像パターンを指示する指示信号を出力し、これを受けて画像パターン作成回路９００が変更した画像パターン信号ＧＳを電気光学装置１へ供給する。そして、全てのブロックＢについて測定が終了するとブロック電流Ｉｂの計測処理が終了する。   Next, when a certain block B emits light, the power supply current is measured using the ammeter 500 (step S4). This power supply current becomes the block current Ib. Next, the measured block current Ib is stored in the block current storage unit 600 (step S5). Thereafter, the correction data generation circuit 700 determines whether or not the measurement has been completed for all the blocks B (step S6). If the determination condition in step S6 is negative, the correction data generation circuit 700 outputs an instruction signal instructing the next image pattern, and the image pattern signal GS changed by the image pattern generation circuit 900 in response to the instruction signal is output. Supply to device 1. When the measurement is completed for all the blocks B, the block current Ib measurement process is completed.

次に、補正データ生成回路７００はブロック電流Ｉｂに基づいて補正データＤｈを生成する。図６を参照して補正データＤｈの生成処理を説明する。この例では、５行５列の画素領域Ａを想定する。ブロック電流記憶部６００に記憶されるブロック電流Ｉｂは、図６（Ａ）に示すように第１ブロック群ＢＧ１（行方向）に対応するものと、第２ブロック群ＢＧ２（列方向）に対応するものが記憶されている。２系統のブロック電流Ｉｂから画素ごとの電流を算出する方法には、様々な算出方法が考えられるが、ここでは加減算によって算出する方法を一例として説明する。   Next, the correction data generation circuit 700 generates correction data Dh based on the block current Ib. The generation process of the correction data Dh will be described with reference to FIG. In this example, a pixel region A of 5 rows and 5 columns is assumed. The block current Ib stored in the block current storage unit 600 corresponds to the first block group BG1 (row direction) and the second block group BG2 (column direction) as shown in FIG. Things are remembered. Various calculation methods can be considered as a method for calculating the current for each pixel from the two block currents Ib. Here, a method of calculating by addition / subtraction will be described as an example.

第１に、ブロック電流Ｉｂのばらつき（偏差）を示すブロックばらつきデータＤａ（第１偏差情報）を次式に従って算出する。
Ｄａ１＝行ごとの電流／１行の画素数−Ｉref
Ｄａ２＝列ごとの電流／１列の画素数−Ｉref
例えば、図６（Ａ）に示すように第１ブロック群ＢＧ１（行方向）のブロック電流Ｉｂの値は、第１行から第５行に対応して、５０、５５、６０、３５、５５となり、第２ブロック群ＢＧ２（列方向）のブロック電流Ｉｂの値は、第１列から第５列に対応して、５０、５５、４０、５０、６０となる。
但し、Ｉrefは所定の輝度でＯＬＥＤ素子４２０を発光させるために必要な注入電流Ｉoledの値を示す基準電流値である。また、Ｄａ１は第１ブロック群ＢＧ１の各ブロックＢに対応したブロックばらつきデータであり、Ｄａ２は第２ブロック群ＢＧ２の各ブロックＢに対応したブロックばらつきデータである。 First, block variation data Da (first deviation information) indicating variation (deviation) of the block current Ib is calculated according to the following equation.
Da1 = current per row / number of pixels per row−Iref
Da2 = current per column / number of pixels per column−Iref
For example, as shown in FIG. 6A, the value of the block current Ib of the first block group BG1 (in the row direction) is 50, 55, 60, 35, 55 corresponding to the first to fifth rows. The value of the block current Ib in the second block group BG2 (column direction) is 50, 55, 40, 50, 60 corresponding to the first to fifth columns.
Here, Iref is a reference current value indicating the value of the injection current Ioled necessary for causing the OLED element 420 to emit light with a predetermined luminance. Da1 is block variation data corresponding to each block B of the first block group BG1, and Da2 is block variation data corresponding to each block B of the second block group BG2.

例えば、基準電流値Irefを「１０」とした場合、第１行から第５行のブロックばらつきデータＤａ１１〜Ｄａ１５は、Ｄａ１１＝０、Ｄａ１２＝１、Ｄａ１３＝２、Ｄａ１４＝−３、Ｄａ１５＝１となる。また、第１列から第５列のブロックばらつきデータＤａ２１〜Ｄａ２５は、Ｄａ２１＝０、Ｄａ２２＝１、Ｄａ２３＝−２、Ｄａ２４＝０、Ｄａ２５＝２となる。   For example, when the reference current value Iref is “10”, the block variation data Da11 to Da15 from the first row to the fifth row are Da11 = 0, Da12 = 1, Da13 = 2, Da14 = −3, Da15 = 1. It becomes. Further, the block variation data Da21 to Da25 in the first column to the fifth column are Da21 = 0, Da22 = 1, Da23 = −2, Da24 = 0, and Da25 = 2.

第２に、ブロック群ＢＧごとのブロックばらつきデータＤａ１及びＤａ２に基づいて、画素ごとの注入電流Ｉoledのばらつきを示す画素ばらつきデータＤｂ（第２偏差情報）を次式に従って算出する。
Ｄｂｉｊ＝Ｄａ１ｉ＋Ｄａ２ｊ
但し、Ｄｂｉｊは、ｉ行ｊ列の画素における注入電流Ｉoledのばらつきを示す。図６（Ａ）に示すブロック電流Ｉｂに対応する画素ばらつきデータＤｂは、図６（Ｂ）に示すものとなる。この例では、画素ばらつきデータＤｂを第１ブロック群ＢＧ１のブロックばらつきデータＤａ１と第２ブロック群ＢＧ２のブロックばらつきデータＤａ２とを加算して算出したが、減算、乗算、除算、又はこれらの組み合わせによって算出してもよい。更に、過去のデータやシミュレーション結果等に基づいた補正テーブル（ＬＵＴ）に基づいて画素ばらつきデータＤｂを生成してもよい。 Second, based on the block variation data Da1 and Da2 for each block group BG, pixel variation data Db (second deviation information) indicating the variation in the injection current Ioled for each pixel is calculated according to the following equation.
Dbij = Da1i + Da2j
However, Dbij represents the variation in the injection current Ioled in the pixel in i row and j column. Pixel variation data Db corresponding to the block current Ib shown in FIG. 6A is as shown in FIG. In this example, the pixel variation data Db is calculated by adding the block variation data Da1 of the first block group BG1 and the block variation data Da2 of the second block group BG2, but by subtraction, multiplication, division, or a combination thereof It may be calculated. Furthermore, the pixel variation data Db may be generated based on a correction table (LUT) based on past data or simulation results.

第３に、画素ばらつきデータＤｂに基づいて補正データＤｈを算出する。この例の補正データＤｈは、画素ばらつきデータＤｂの符号を反転させたものであり、図６（Ｃ）に示すものとなる。例えば、１行２列の画素に着目すると、図６（Ｂ）に示すように画素ばらつきデータＤｂ１２は「＋１」となっている。これは、基準電流値Ｉｒｅｆに対して、１行２列の注入電流Ｉoledが「１」だけ大きいことを意味する。一方、図６（Ｃ）に示すように補正データＤｈ１２は「−１」となっているので、注入電流Ｉoledに補正データＤｈ１２を反映させることによって、注入電流Ｉoledを基準電流値Ｉｒｅｆに一致させることが可能となる。   Third, correction data Dh is calculated based on the pixel variation data Db. The correction data Dh in this example is obtained by inverting the sign of the pixel variation data Db and is shown in FIG. 6C. For example, paying attention to the pixels in the first row and the second column, the pixel variation data Db12 is “+1” as shown in FIG. This means that the injection current Ioled in the first row and the second column is larger by “1” than the reference current value Iref. On the other hand, since the correction data Dh12 is “−1” as shown in FIG. 6C, the injection current Ioled is made to coincide with the reference current value Iref by reflecting the correction data Dh12 in the injection current Ioled. Is possible.

このようにして得られた補正データＤｈは、補正データ記憶部８００に記憶される。ここで、補正データ記憶部８００は、フラッシュＲＯＭなどの不揮発性メモリで構成される。そして、補正データＤｈの書き込まれた不揮発性メモリを電気光学装置１に組み込むことによって、各画素回路４００のＯＬＥＤ素子４２０に流れる電流Ｉoledのばらつきを改善することが可能となる。より具体的には、制御回路３００がアクセス可能となるように不揮発性メモリを組み込み、制御回路３００が不揮発性メモリの内容を参照して補正済みの出力階調データＤoutを生成すればよい。   The correction data Dh obtained in this way is stored in the correction data storage unit 800. Here, the correction data storage unit 800 includes a nonvolatile memory such as a flash ROM. Then, by incorporating the nonvolatile memory in which the correction data Dh is written in the electro-optical device 1, it is possible to improve the variation of the current Ioled flowing through the OLED element 420 of each pixel circuit 400. More specifically, a nonvolatile memory may be incorporated so that the control circuit 300 can be accessed, and the control circuit 300 may generate corrected output gradation data Dout by referring to the contents of the nonvolatile memory.

以上、説明したように本実施形態によれば、ブロックＢの単位で計測したブロック電流Ｉｂに基づいて補正データＤｈを生成したので、全ての画素の各々について注入電流Ｉoledを計測し計測結果に基づいて補正データＤｈを生成する場合と比較して、計測時間を大幅に短縮することが可能となる。しかも、１個のＯＬＥＤ素子４２０は複数のブロック群ＢＧに属するので、２系統のブロック電流Ｉｂから当該ＯＬＥＤ素子の注入電流Ｉoledのばらつきを正確に特定することができる。上述したように画素領域Ａはｍ行ｎ列であり、これを行方向の第１ブロック群ＢＳ１と列方向の第２ブロック群ＢＳ２に分割している。この場合、画素ごとのばらつきを直接測定するには、ｎ・ｍ回の測定が必要となるが、ブロック群ＢＧごとに測定する本実施形態では、ｎ＋ｍ回の測定で計測を完了することが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, since the correction data Dh is generated based on the block current Ib measured in units of the block B, the injection current Ioled is measured for each of all the pixels and based on the measurement result. Compared with the case where the correction data Dh is generated, the measurement time can be greatly shortened. Moreover, since one OLED element 420 belongs to a plurality of block groups BG, the variation in the injection current Ioled of the OLED element can be accurately specified from the two block currents Ib. As described above, the pixel area A has m rows and n columns, and is divided into a first block group BS1 in the row direction and a second block group BS2 in the column direction. In this case, in order to directly measure the variation for each pixel, it is necessary to measure n · m times. However, in this embodiment in which the measurement is performed for each block group BG, the measurement can be completed with n + m times of measurement. It becomes.

＜２．第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る補正データ生成システムについて説明する。第１実施形態に係る補正データ生成システムは、ブロック電流Ｉｂのばらつきをそのまま補正データＤｈとしたが、第２実施形態では、ブロック電流Ｉｂのばらつきが最も小さくなるように画像パターンの階調値を調整し、調整済みの階調値から補正データＤｈを生成するものである。第２実施形態の補正データ生成システムの構成は、ブロック電流記憶部６００を省略して電流計５００の出力信号が補正データ信号生成回路７００に供給される点を除いて、図１に示す第１実施形態の補正データ生成システムと同様であり、補正データ生成処理の内容が相違する。 <2. Second Embodiment>
Next, a correction data generation system according to the second embodiment will be described. In the correction data generation system according to the first embodiment, the variation in the block current Ib is directly used as the correction data Dh. However, in the second embodiment, the gradation value of the image pattern is set so that the variation in the block current Ib is minimized. The correction data Dh is generated from the adjusted gradation value after adjustment. The configuration of the correction data generation system according to the second embodiment is the same as that shown in FIG. 1 except that the block current storage unit 600 is omitted and the output signal of the ammeter 500 is supplied to the correction data signal generation circuit 700. This is the same as the correction data generation system of the embodiment, and the content of the correction data generation process is different.

図７に本実施形態における補正データ生成処理の内容を示す。まず、補正データ生成システムの電源が投入され（ステップＳ１１）、電気光学装置１の制御／駆動が開始される（ステップＳ１２）。次に、補正データ生成回路７００は、第１ブロック群ＢＧ１、第２ブロック群ＢＧ２の順に画像パターンを生成するように指示信号を生成し、これに従って画像パターン作成回路９００が画像パターン信号ＧＳを生成する（ステップＳ１３）。   FIG. 7 shows the contents of the correction data generation process in this embodiment. First, the correction data generation system is powered on (step S11), and the control / drive of the electro-optical device 1 is started (step S12). Next, the correction data generation circuit 700 generates an instruction signal so as to generate image patterns in the order of the first block group BG1 and the second block group BG2, and the image pattern generation circuit 900 generates the image pattern signal GS accordingly. (Step S13).

次に、電流計５００を用いてブロック電流Ｉｂを計測し、計測したブロック電流Ｉｂに基づいて算出した注入電流Ｉoledが基準電流値Ｉrefに最も近づくように画像パターン信号ＧＳの階調値を調整する（ステップＳ１４）。具体的には、ブロック電流Ｉｂを当該ブロックＢの画素数で除算した値が、基準電流値Ｉrefに最も近づくように階調値を調整する。例えば、ブロック電流Ｉｂの測定において、階調値の初期値をＧ１、第２回目の階調値をＧ２、第３回目の階調値をＧ３として、図８に示す測定結果が得られたとする。この場合、ブロックばらつきデータＤａは、第２回目の測定で階調値Ｇ２とした場合が最小となる。即ち、階調値Ｇ２が基準電流値Ｉrefに最も近い値となる。この後、基準電流値Ｉrefに最も近づいた階調値に応じて補正データＤｈを生成し、補正データメモリ８００に記憶する（ステップＳ１５）。   Next, the block current Ib is measured using the ammeter 500, and the gradation value of the image pattern signal GS is adjusted so that the injection current Ioled calculated based on the measured block current Ib is closest to the reference current value Iref. (Step S14). Specifically, the gradation value is adjusted so that the value obtained by dividing the block current Ib by the number of pixels in the block B is closest to the reference current value Iref. For example, in the measurement of the block current Ib, assuming that the initial value of the gradation value is G1, the second gradation value is G2, and the third gradation value is G3, the measurement result shown in FIG. 8 is obtained. . In this case, the block variation data Da is minimized when the gradation value G2 is set in the second measurement. That is, the gradation value G2 is the closest value to the reference current value Iref. Thereafter, the correction data Dh is generated according to the gradation value closest to the reference current value Iref and stored in the correction data memory 800 (step S15).

上述したように、基準電流値Ｉrefは所定の輝度を発光させる注入電流Ｉoledの値である。ＯＬＥＤ素子４２０の発光輝度は画像パターン信号ＧＳの階調値によって定まる。この例では基準電流値Ｉrefに対応する階調値を基準階調値Ｇrefとする。仮に、データ線駆動回路２００や画素回路４００等の電気光学装置１の各構成要素が理想的であれば、基準階調値Ｇrefの画像パターン信号ＧＳを電気光学装置１に供給すると、注入電流Ｉoledの値が基準電流値Ｉrefとなる。しかしながら、データ線駆動回路２００や画素回路４００の電気的特性にばらつきがある場合には、注入電流Ｉoledの値が基準電流値Ｉrefに対しばらつく。第１実施形態では、電流のばらつきに着目して補正データＤｈを生成したが、第２実施形態では、基準電流値Ｉrefに最も近づくように入力の階調値を調整し、調整済みの階調値に基づいて補正データＤｈを生成する。即ち、注入電流Ｉoledを制御する制御データ（この例では、入力階調値）の調整結果に基づいて補正データＤｈを生成するので、注入電流Ｉoledのばらつきをより一層低減することが可能となる。   As described above, the reference current value Iref is a value of the injection current Ioled that emits light with a predetermined luminance. The light emission luminance of the OLED element 420 is determined by the gradation value of the image pattern signal GS. In this example, the gradation value corresponding to the reference current value Iref is set as the reference gradation value Gref. If each component of the electro-optical device 1 such as the data line driving circuit 200 and the pixel circuit 400 is ideal, when the image pattern signal GS having the reference gradation value Gref is supplied to the electro-optical device 1, the injection current Ioled Is the reference current value Iref. However, when there are variations in the electrical characteristics of the data line driving circuit 200 and the pixel circuit 400, the value of the injection current Ioled varies with respect to the reference current value Iref. In the first embodiment, the correction data Dh is generated by paying attention to the current variation. However, in the second embodiment, the input gradation value is adjusted so as to be closest to the reference current value Iref, and the adjusted gradation is obtained. Correction data Dh is generated based on the value. That is, since the correction data Dh is generated based on the adjustment result of the control data (in this example, the input gradation value) that controls the injection current Ioled, it is possible to further reduce the variation in the injection current Ioled.

＜３.応用例＞
本発明は、上述した第1及び第２実施形態に限定されるものではなく、以下の応用が可能である。
（１）上述した第1実施形態の補正データ生成システムの一部又は全部は、電気光学装置１の電気的特性を計測する計測装置として捉えることも可能である。また、計測されたブロック電流Ｉｂ、ブロックばらつきデータＤａ、又は画素ばらつきデータＤｂ（計測装置の計測結果）が所定の範囲内にあるか否かを判定し、判定結果に基づいて電気光学装置の良否を検査してもよい。ブロック電流Ｉｂ、ブロックばらつきデータＤａ、又は画素ばらつきデータＤｂは、補正データＤｈを生成するために計測するのであるが、ＴＦＴの不良や配線の不良がある場合には、計測値が大きくずれることになる。例えば、点欠陥や線欠陥の場合である。このような場合には、電気光学パネル等がそもそも不良であり、補正で対応することができないので不良品とすることが望ましい。なお、走査線１０１やデータ線１０３の導通試験を行って点欠陥や線欠陥を発見することも可能であるが、検査工程を別途実施する必要が生じる。これに対して、補正データＤｈを生成する過程で不良検査を実行すれば、検査工程を含む電気光学装置１の製造工程を簡略化することができる。 <3. Application examples>
The present invention is not limited to the first and second embodiments described above, and the following applications are possible.
(1) A part or all of the correction data generation system according to the first embodiment described above can also be regarded as a measurement device that measures the electrical characteristics of the electro-optical device 1. Further, it is determined whether or not the measured block current Ib, block variation data Da, or pixel variation data Db (measurement result of the measurement device) is within a predetermined range, and the electro-optical device is determined based on the determination result. May be inspected. The block current Ib, the block variation data Da, or the pixel variation data Db is measured in order to generate the correction data Dh. However, when there is a TFT defect or a wiring defect, the measured value greatly deviates. Become. For example, point defects and line defects. In such a case, the electro-optical panel or the like is originally defective, and cannot be dealt with by correction, so it is desirable to make it a defective product. In addition, although it is possible to detect a point defect or a line defect by conducting a continuity test of the scanning line 101 or the data line 103, it is necessary to perform an inspection process separately. On the other hand, if the defect inspection is executed in the process of generating the correction data Dh, the manufacturing process of the electro-optical device 1 including the inspection process can be simplified.

（２）上述した第1及び第２実施形態では、電気光学パネルに走査線駆動回路１００及びデータ線駆動回路２００が組み込まれており、制御回路３００が電気光学パネルの外部に組み込まれているものを一例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。上述した回路及び画像パターン作成回路の一部または全部は、モジュールとして電気光学装置１に組み込んでもよいし、あるいは、補正データ生成装置２に組み込んでもよい。モジュールとして電気光学装置１に組み込んだ場合には、駆動回路の特性を含めて補正データＤｈを生成することができるという利点があり、モジュールを補正データ生成装置２に組み込んだ場合には、電気光学パネル単体の良否検査を行えるといった利点がある。   (2) In the first and second embodiments described above, the scanning line driving circuit 100 and the data line driving circuit 200 are incorporated in the electro-optical panel, and the control circuit 300 is incorporated outside the electro-optical panel. However, the present invention is not limited to this. A part or all of the circuit and the image pattern generation circuit described above may be incorporated into the electro-optical device 1 as a module, or may be incorporated into the correction data generation device 2. When incorporated in the electro-optical device 1 as a module, there is an advantage that the correction data Dh can be generated including the characteristics of the drive circuit. When the module is incorporated in the correction data generating device 2, the electro-optical device has the advantage. There is an advantage that it is possible to perform pass / fail inspection of a single panel.

（３）上述した第1及び第２実施形態では、不揮発性メモリで構成される補正データ記憶部８００が補正データ生成装置２に組み込まれていたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、補正データ生成装置２の電流計５００を除く構成要素を計測用コンピュータで構築してもよい。この場合、補正データＤｈを計測用コンピュータに内蔵されるＲＡＭに記憶しておき、補正データＤｈをＲＯＭライターに出力して不揮発性メモリに書き込むようにしてもよい。即ち、補正データ記憶部８００は、一時的に補正データＤｈを記憶するメモリであってもよいし、不揮発性メモリであってもよい。さらに、電気光学装置１に不揮発性メモリを設け、そこに補正データＤｈを書き込むようにしてもよい。   (3) In the first and second embodiments described above, the correction data storage unit 800 configured by a nonvolatile memory is incorporated in the correction data generation device 2, but the present invention is not limited to this. . For example, the components other than the ammeter 500 of the correction data generation device 2 may be constructed with a measurement computer. In this case, the correction data Dh may be stored in a RAM built in the measurement computer, and the correction data Dh may be output to a ROM writer and written in a nonvolatile memory. That is, the correction data storage unit 800 may be a memory that temporarily stores the correction data Dh, or may be a non-volatile memory. Further, a non-volatile memory may be provided in the electro-optical device 1 and the correction data Dh may be written therein.

（４）上述した第1及び第２実施形態では、単一色の電気光学装置１を一例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、カラー表示の電気光学装置１を対象としてもよい。この場合、複数種類の発光色を有するＯＬＥＤ素子４２０を用いるか、あるいは、単色のＯＬＥＤ素子とカラーフィルタ等の色変換層とを組み合わせることが考えられる。前者の場合には、例えば、図９に示す補正データ生成システムを構成すればよい。同図に示す「Ｒ」、「Ｇ」、及び「Ｂ」の符号はそれぞれ「赤」、「緑」、及び「青」を意味し、ＯＬＥＤ素子４２０の発光色を示している。この例にあっては、データ線１０３に沿って各色の画素回路４００が配列されている。また、各画素回路４００のうち、Ｒ色に対応する画素回路４００は電源線ＬＲと接続されており、Ｇ色に対応する画素回路４００は電源線ＬＧと接続されており、Ｂ色に対応する画素回路４００は電源線ＬＢに接続されている。電源電圧Ｖｄｄｒ、Ｖｄｄｇ、及びＶｄｄｂが、電源線ＬＲ、ＬＧ及びＬＢを介して、ＲＧＢ各色に対応する画素回路４００に供給される。   (4) In the first and second embodiments described above, the single-color electro-optical device 1 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the electro-optical device 1 for color display is targeted. Also good. In this case, it is conceivable to use an OLED element 420 having a plurality of types of emission colors, or to combine a single color OLED element and a color conversion layer such as a color filter. In the former case, for example, a correction data generation system shown in FIG. 9 may be configured. The symbols “R”, “G”, and “B” shown in the figure mean “red”, “green”, and “blue”, respectively, and indicate the emission color of the OLED element 420. In this example, pixel circuits 400 for each color are arranged along the data line 103. Among the pixel circuits 400, the pixel circuit 400 corresponding to the R color is connected to the power supply line LR, and the pixel circuit 400 corresponding to the G color is connected to the power supply line LG, and corresponds to the B color. The pixel circuit 400 is connected to the power supply line LB. The power supply voltages Vddr, Vddg, and Vddb are supplied to the pixel circuit 400 corresponding to each color of RGB via the power supply lines LR, LG, and LB.

そして、電流計５００は、各電源線ＬＲ、ＬＧ及びＬＢに流れる電流を各々検出する。図１０を参照して、行方向の第1ブロック群ＢＧ１のブロックＢについて説明する。同図に示すように行方向のブロックＢには、ＲＧＢ色の画素が各々設けられている。発光色が相違するＯＬＥＤ素子４２０では、発光効率が異なるので基準電流値Ｉrefが相違する。このため、補正データＤｈは発光色に応じて生成する必要がある。そこで、同図に示すようにブロックＢを発光色ごとのサブブロックＢｒ、Ｂｇ及びＢｂの集まりと捉え、サブブロックＢｒ、Ｂｇ及びＢｂごとにブロック電流Ｉｂを計測して、補正データＤｈを生成すればよい。   The ammeter 500 detects currents flowing through the power supply lines LR, LG, and LB, respectively. The block B of the first block group BG1 in the row direction will be described with reference to FIG. As shown in the figure, the block B in the row direction is provided with RGB pixels. The OLED elements 420 having different light emission colors have different light emission efficiencies, and therefore have different reference current values Iref. For this reason, it is necessary to generate the correction data Dh according to the emission color. Therefore, as shown in the figure, the block B is regarded as a collection of sub-blocks Br, Bg, and Bb for each emission color, and the block current Ib is measured for each of the sub-blocks Br, Bg, and Bb to generate correction data Dh. That's fine.

（５）上述した第1実施形態においては、各画素の補正係数を補正データＤｈとして生成して補正データ記憶部８００に記憶したが、行列ごとの補正係数またはブロックばらつきデータＤａ（Ｄａ１、Ｄａ２）を補正データＤｈとして補正データ記憶部８００に記憶するようにしてもよい。この場合には、電気光学装置１において、２系統の補正データＤｈから各画素の補正データＤｈを生成する必要があるが、補正データ記憶部８００の記憶容量を削減できるといった利点がある。一方、上述した第1実施形態のように画素ごとの補正データＤｈを記憶する場合には、電気光学装置１において２系統の補正データＤｈから画素ごとの補正データＤｈを生成する必要がないので、演算処理を不要にでき構成を簡易にできるといった利点がある。   (5) In the first embodiment described above, the correction coefficient of each pixel is generated as correction data Dh and stored in the correction data storage unit 800. However, the correction coefficient or block variation data Da (Da1, Da2) for each matrix May be stored in the correction data storage unit 800 as the correction data Dh. In this case, in the electro-optical device 1, it is necessary to generate the correction data Dh of each pixel from the two systems of correction data Dh, but there is an advantage that the storage capacity of the correction data storage unit 800 can be reduced. On the other hand, when the correction data Dh for each pixel is stored as in the first embodiment described above, it is not necessary to generate the correction data Dh for each pixel from the two systems of correction data Dh in the electro-optical device 1. There is an advantage that the arithmetic processing is unnecessary and the configuration can be simplified.

（６）上述した第1及び第２実施形態及び応用例において、電流計５００は、電源電流が定常状態で一定値を示すタイミングで瞬時電流を測定してもよいし、あるいは、ある時間で平均化された平均電流を測定してもよい。例えば、パッシブ型の電気光学装置１においては、電源電流が図１１に示すように変化するが、瞬時電流はＩ１となり、平均電流はＩ２となる。
また、アクティブ型の電気光学装置１の場合、電源電流は書込電流（非発光）と発光電流とに分けられることがある。この場合には、書き込み期間、発光期間、及びブランク期間の割合、並びに書き込み電流値から発光に寄与する電源電流値を算出してもよい。 (6) In the first and second embodiments and application examples described above, the ammeter 500 may measure the instantaneous current at a timing when the power supply current shows a constant value in a steady state, or may average it over a certain time. The averaged current may be measured. For example, in the passive electro-optical device 1, the power supply current changes as shown in FIG. 11, but the instantaneous current is I1 and the average current is I2.
In the case of the active electro-optical device 1, the power supply current may be divided into a write current (non-light emission) and a light emission current. In this case, the power supply current value contributing to light emission may be calculated from the ratio of the writing period, the light emitting period, and the blank period, and the writing current value.

（７）上述した第1及び第２実施形態及び応用例において、基準電流値Ｉrefは、予め定められた値であったが、全画面の平均輝度に応じて定めてもよい。また、上述した実施形態では、行方向と列方向に着目してブロック群ＢＳを選定したが、図４（Ｃ）に示すブロックＢや図４（Ｄ）に示すブロックＢを採用してもよい。更に、上述した実施形態及び応用例では、ブロックＢごとのばらつきを計測したが、これに加えて画素領域Ａ全体のばらつきを計測結果として出力するようにしてもよい。この場合には、電気光学パネル全体で荒く補正して、ブロックＢごとに細かく補正することが可能となる。   (7) In the first and second embodiments and application examples described above, the reference current value Iref is a predetermined value, but may be determined according to the average luminance of the entire screen. In the above-described embodiment, the block group BS is selected by paying attention to the row direction and the column direction. However, the block B shown in FIG. 4C or the block B shown in FIG. 4D may be adopted. . Furthermore, in the above-described embodiment and application example, the variation for each block B is measured, but in addition to this, the variation of the entire pixel region A may be output as a measurement result. In this case, the entire electro-optical panel can be corrected roughly and finely corrected for each block B.

（８）上述した第２実施形態においては、出力階調データＤｏｕｔを調整することでばらつきを吸収したが、画素回路４００へ供給するアナログ電圧やアナログ電流、あるいは発光時間などを調整してばらつきを吸収するように構成してもよい。要は、注入電流Ｉoledを制御可能なデータであれば、如何なるものであっても調整の対象とすることが可能である。この場合も注入電流Ｉoledの補正値でなく、調整の対象となるデータの補正値を補正データ記憶部８００に記憶すればよい。   (8) In the second embodiment described above, the variation is absorbed by adjusting the output gradation data Dout. However, the variation is obtained by adjusting the analog voltage, the analog current, or the light emission time supplied to the pixel circuit 400. You may comprise so that it may absorb. In short, any data that can control the injection current Ioled can be adjusted. In this case as well, the correction value of the data to be adjusted may be stored in the correction data storage unit 800 instead of the correction value of the injection current Ioled.

また、第２実施形態の基準電流値Ｉrefは、上述したように予め定められた値であってもよいし、画素領域Ａの全体の平均であってもよい。更に、直前の画像パターンを表示させたときの電流であってよいし、最初の画像パターンを表示させたときの電流であってもよい。   Further, the reference current value Iref of the second embodiment may be a predetermined value as described above, or may be an average of the entire pixel region A. Furthermore, it may be the current when the previous image pattern is displayed, or may be the current when the first image pattern is displayed.

（９）上述した第１実施形態では補正電流値を補正データＤｈとし、第２実施形態では補正階調値を補正データＤｈとしたが、電流値／階調値の他に電流補正係数／階調補正係数も補正データＤｈとして保存してもよい。さらに、これらに加えて、各画素の基準電圧や基準電流の補正値あるいは補正係数を補正データＤｈとしてもよい。要は、電気光学素子に流れる電流値が基準電流値と同一または略同一となるように、電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するのであれば、補正データＤｈは如何なる形式であって
もよい。 (9) In the first embodiment described above, the correction current value is the correction data Dh. In the second embodiment, the correction gradation value is the correction data Dh. The tone correction coefficient may also be stored as correction data Dh. Further, in addition to these, the correction value or correction coefficient of the reference voltage or reference current of each pixel may be used as the correction data Dh. In short, as long as the control data for controlling the light emission luminance of the electro-optical element is corrected so that the current value flowing through the electro-optical element is the same as or substantially the same as the reference current value, the correction data Dh is in any format. May be.

本発明の第１実施形態に係る補正データ生成システムの構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a configuration of a correction data generation system according to a first embodiment of the present invention. 同システムの電気光学装置における走査線駆動回路のタイミングチャートである。6 is a timing chart of a scanning line driving circuit in the electro-optical device of the system. 同装置における画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the pixel circuit in the same apparatus. 画素領域Ａのブロックの態様を説明するための説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a mode of a block in a pixel region A. 同システムの計測処理の内容を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the content of the measurement process of the system. 同システムにおける補正データ生成処理の内容を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the content of the correction data production | generation process in the same system. 第２実施形態に係る補正データ生成処理の内容を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the content of the correction data generation process which concerns on 2nd Embodiment. 同システムの階調値調整処理の内容を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the content of the gradation value adjustment process of the same system. 応用例に係る補正データ生成システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the correction data generation system which concerns on an application example. カラー表示の電気光学装置におけるブロックを構成するサブブロックを説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the subblock which comprises the block in the electro-optical apparatus of a color display. 応用例に係る電源電流の計測をするための説明図である。It is explanatory drawing for measuring the power supply current which concerns on an application example.

符号の説明Explanation of symbols

１…電気光学装置、２…補正データ生成装置、４００…画素回路、４２０…有機発光ダイオード、５００…電流計、６００…ブロック電流記憶部、７００…補正データ生成回路、８００…補正データ記憶部、９００…画像パターン作成回路、Ｄｈ…補正データ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electro-optical apparatus, 2 ... Correction data generation apparatus, 400 ... Pixel circuit, 420 ... Organic light emitting diode, 500 ... Ammeter, 600 ... Block current storage part, 700 ... Correction data generation circuit, 800 ... Correction data storage part, 900: Image pattern generation circuit, Dh: Correction data.

Claims (17)

電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備えた電気光学装置の特性を計測する計測装置であって、
前記画素領域を分割した複数のブロックに各々対応する画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力する画像パターン生成手段と、
前記ブロック毎に前記電気光学素子に供給される電流をブロック電流として計測する電流計測手段と、
を備えたことを特徴とする計測装置。 A measuring device that measures the characteristics of an electro-optical device having a pixel region in which a plurality of electro-optical elements driven by an electric current are arranged in a matrix,
Image pattern generation means for sequentially generating and outputting to the electro-optical device image patterns corresponding respectively to a plurality of blocks obtained by dividing the pixel region;
Current measuring means for measuring a current supplied to the electro-optic element for each block as a block current;
A measuring device comprising: 前記複数のブロックは一つのブロック群を構成し、前記複数の電気光学素子の各々は前記画素領域の全体を互いに異なる区分け方法によって分割した複数のブロック群に属し、
前記画像パターン生成手段は、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力し、
前記電流計測手段は、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した電流を前記ブロック電流として計測する
ことを特徴とする請求項１に記載の計測装置。 The plurality of blocks constitute one block group, and each of the plurality of electro-optic elements belongs to a plurality of block groups obtained by dividing the entire pixel region by different division methods,
The image pattern generation means sequentially generates an image pattern corresponding to a block belonging to each block group for each of the plurality of block groups, and outputs the image pattern to the electro-optical device.
The measuring apparatus according to claim 1, wherein the current measuring unit measures, as the block current, a current corresponding to a block belonging to each block group for each of the plurality of block groups. 所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分を第１偏差情報として算出する演算手段を備えたことを特徴とする請求項２に記載の計測装置。   The measuring apparatus according to claim 2, further comprising a calculation unit that calculates a difference of the block current with respect to a predetermined reference current value as first deviation information. 前記演算手段は、前記ブロック電流を前記ブロックに属する前記電気光学素子の数で除算した値と前記基準電流値との差分を前記第１偏差情報として算出し、更に、ある電気光学素子の属する前記ブロック別の前記第１偏差情報に所定の演算を施して前記複数の電気光学素子の各々について第２偏差情報を生成することを特徴とする請求項３に記載の計測装置。   The calculation means calculates a difference between a value obtained by dividing the block current by the number of electro-optic elements belonging to the block and the reference current value as the first deviation information, and further, the electro-optic element to which a certain electro-optic element belongs The measuring apparatus according to claim 3, wherein a predetermined calculation is performed on the first deviation information for each block to generate second deviation information for each of the plurality of electro-optic elements. 請求項３に記載の計測装置と、
前記第１偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する補正データ生成手段と、
を備えることを特徴とする補正データ生成装置。 A measuring device according to claim 3;
Based on the first deviation information, light emission of the electro-optical element in the electro-optical device is performed so that a current value flowing through the electro-optical element for each of the plurality of blocks is the same as or substantially the same as the reference current value. Correction data generating means for generating correction data for correcting control data for controlling brightness;
A correction data generation apparatus comprising: 請求項４に記載の計測装置と、
前記第２偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する補正データ生成手段と、
を備えることを特徴とする補正データ生成装置。 A measuring device according to claim 4;
Based on the second deviation information, the electro-optical element emits light in the electro-optical device such that the current value flowing through the electro-optical element for each of the plurality of blocks is the same as or substantially the same as the reference current value. Correction data generating means for generating correction data for correcting control data for controlling brightness;
A correction data generation apparatus comprising: 前記補正データ生成手段は、前記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて前記電気光学素子に流れる電流値を前記基準電流値に補正するための補正係数を示す電流補正データを生成し、当該電流補正データに基づいて前記補正データを生成することを特徴とする請求項５又は６に記載の補正データ生成装置。   The correction data generating means generates current correction data indicating a correction coefficient for correcting a current value flowing through the electro-optic element to the reference current value based on the first deviation information or the second deviation information; The correction data generation apparatus according to claim 5, wherein the correction data is generated based on the current correction data. 前記補正データ生成手段が生成した前記補正データを用いて前記制御データを補正し、補正した前記制御データを用いて前記電気光学素子に電流を供給し、その結果得られる前記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて、前記補正データを更新する補正データ更新手段を備えたことを特徴とする請求項５乃至７のうちいずれか１項に記載の補正データ生成装置。   The correction data generated by the correction data generation means is used to correct the control data, the corrected control data is used to supply current to the electro-optic element, and the first deviation information obtained as a result or the 8. The correction data generation device according to claim 5, further comprising correction data update means for updating the correction data based on second deviation information. 請求項５乃至８に記載の補正データ生成装置によって生成された前記補正データを記憶したことを特徴とする情報記録媒体。   An information recording medium storing the correction data generated by the correction data generation device according to claim 5. 請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の計測装置と、
前記計測装置の計測結果が所定の範囲内にあるか否かを判定する判定手段とを備え、
当該判定手段による判定結果に基づいて前記電気光学装置の良否を検査することを特徴とする検査装置。 A measuring device according to any one of claims 1 to 4,
Determination means for determining whether or not the measurement result of the measurement device is within a predetermined range,
An inspection apparatus that inspects the quality of the electro-optical device based on a determination result by the determination means. 電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備えた電気光学装置の特性を計測する計測方法であって、
前記画素領域は複数のブロックから構成され、前記複数のブロックは一つのブロック群を構成し、前記複数の電気光学素子の各々は互いに異なる区分け方法によって前記画素領域を分割した複数のブロック群に属し、
前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力し、
前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した電流をブロック電流として計測する
ことを特徴とする計測方法。 A measurement method for measuring characteristics of an electro-optical device including a pixel region in which a plurality of electro-optical elements driven by an electric current are arranged in a matrix,
The pixel area is composed of a plurality of blocks, the plurality of blocks constitute one block group, and each of the plurality of electro-optical elements belongs to a plurality of block groups obtained by dividing the pixel area by different division methods. ,
For each of the plurality of block groups, sequentially generate image patterns corresponding to the blocks belonging to each block group and output to the electro-optical device,
For each of the plurality of block groups, a current corresponding to a block belonging to each block group is measured as a block current. 所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分を第１偏差情報として算出することを特徴とする請求項１１に記載の計測方法。   The measurement method according to claim 11, wherein a difference of the block current with respect to a predetermined reference current value is calculated as first deviation information. 前記ブロック電流を前記ブロックに属する前記電気光学素子の数で除算した値と所定の基準電流値との差分を第１偏差情報として算出し、
ある電気光学素子の属する前記ブロック別の前記第１偏差情報に所定の演算を施して前記複数の電気光学素子の各々について第２偏差情報を生成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の計測方法。 A difference between a value obtained by dividing the block current by the number of the electro-optic elements belonging to the block and a predetermined reference current value is calculated as first deviation information,
The measurement according to claim 11, wherein a predetermined calculation is performed on the first deviation information for each of the blocks to which a certain electro-optical element belongs to generate second deviation information for each of the plurality of electro-optical elements. Method. 請求項１２に記載の計測方法によって前記第１偏差情報を計測し、
前記第１偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する、
ことを備えることを特徴とする補正データ生成方法。 The first deviation information is measured by the measurement method according to claim 12,
Based on the first deviation information, light emission of the electro-optical element in the electro-optical device is performed so that a current value flowing through the electro-optical element for each of the plurality of blocks is the same as or substantially the same as the reference current value. Generating correction data for correcting the control data for controlling the brightness;
A correction data generation method comprising: 請求項１３に記載の計測方法によって前記第２偏差情報を計測し、
前記第２偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する
ことを特徴とする補正データ生成方法。 The second deviation information is measured by the measurement method according to claim 13,
Based on the second deviation information, the electro-optical element emits light in the electro-optical device such that the current value flowing through the electro-optical element for each of the plurality of blocks is the same as or substantially the same as the reference current value. A correction data generation method characterized by generating correction data for correcting control data for controlling luminance. 生成した前記補正データを用いて前記制御データを補正し、
補正した前記制御データを用いて前記電気光学素子に電流を供給し、
その結果得られる前記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて、前記補正データを更新する
ことを特徴とする請求項１４又は１６に記載の補正データ生成方法。 The control data is corrected using the generated correction data,
Supplying current to the electro-optic element using the corrected control data;
The correction data generation method according to claim 14 or 16, wherein the correction data is updated based on the first deviation information or the second deviation information obtained as a result. 請求項１１乃至１４に記載の計測方法を用いて計測を実行し、
計測結果が所定の範囲内にあるか否かを判定し、
判定結果に基づいて前記電気光学装置の良否を検査する
ことを特徴とする検査方法。
Measurement is performed using the measurement method according to claim 11,
Determine whether the measurement result is within a predetermined range,
An inspection method, wherein the quality of the electro-optical device is inspected based on a determination result.

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