JP2005236179A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被加工膜2上には、線幅の異なるレジストパターン4,5が形成されている。また、レジストパターン4の上側部分と、レジストパターン5の側壁部上部とが露出するようにして、被加工膜2およびレジストパターン5の上にUV光吸収膜6が形成されている。この状態でUV光7を照射すると、UV光吸収膜6から露出した領域とその周囲の領域である領域R1ではUVキュア反応が起こるが、UV光吸収膜6によって被覆された領域R2ではUVキュア反応が起こらない。したがって、UVキュアによるレジストの体積収縮を選択的に行うことが可能となる。
【選択図】 図4
Description
図1〜図5は、本実施の形態にかかるパターン形成方法の一例を示したものである。
図6〜図10は、本実施の形態にかかるパターン形成方法の一例を示したものである。
2,12 被加工膜
3,13 レジスト膜
4,5,14 レジストパターン
6,16 UV光吸収膜
7,17 UV光
15 微細ホール
Claims (6)
- 被加工基板の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンおよび該レジストパターンから露出している前記被加工基板の上に紫外光吸収膜を形成する工程と、
前記レジストパターンに紫外光を照射する工程と、
前記紫外光吸収膜を除去する工程と、
前記レジストパターンをマスクとする前記被加工基板のエッチングによって、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを備え、
前記レジストパターンは、第1のレジストパターンと、該第1のレジストパターンよりも線幅の大きい第2のレジストパターンとを有し、
前記紫外光吸収膜は、前記第1のレジストパターンの上側部分と、前記第2のレジストパターンの側壁部上部とが該紫外光吸収膜から露出するようにして形成されることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記第1のレジストパターンの線幅は1μm以下であり、前記第2のレジストパターンの線幅は10μm以上1,000μm以下である請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記レジストパターンはラインパターンである請求項1または2に記載のパターン形成方法。
- 被加工基板の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンおよび該レジストパターンから露出している前記被加工基板の上に紫外光吸収膜を形成する工程と、
前記レジストパターンに紫外光を照射する工程と、
前記紫外光吸収膜を除去する工程と、
前記レジストパターンをマスクとする前記被加工基板のエッチングによって、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを備え、
前記レジストパターンは直径1μm以下の微細ホールを有するホールパターンであり、
前記紫外光吸収膜は、前記微細ホールにおいて、前記レジストパターンの側壁部上部が該紫外光吸収膜から露出するようにして形成されることを特徴とするパターン形成方法。 - 被加工基板の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンおよび該レジストパターンから露出している前記被加工基板の上に紫外光吸収膜を形成する工程と、
前記レジストパターンに紫外光を照射する工程と、
前記紫外光吸収膜を除去する工程と、
前記レジストパターンをマスクとする前記被加工基板のエッチングによって、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを備え、
前記レジストパターンは、パターン間の距離が1μm以下である溝を有し、
前記紫外光吸収膜は、前記溝において、前記レジストパターンの側壁部上部が該紫外光吸収膜から露出するようにして形成されることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記紫外光吸収膜は水溶性樹脂からなる請求項1〜5のいずれか1に記載のパターン形成方法。
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