JP2005233828A - Euv光スペクトル測定装置およびeuv光のパワー算出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、EUV光源の発散中心点から放射されるEUV光のスペクトルを、放射方向毎に精密に測定可能なEUV光スペクトル測定装置及び精密なEUV光のパワー算出方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記課題を解決するために、本発明に係るEUV光スペクトル測定装置は、EUV光源の発散中心点から発散するEUV光のスペクトルを測定する装置であって、分光素子と該分光素子による分光方向に空間分解能を有する検出器を有するスペクトル測定手段を前記発散中心点に対して移動可能とする駆動機構を有することを特徴とする。
【選択図】 図4
【解決手段】 上記課題を解決するために、本発明に係るEUV光スペクトル測定装置は、EUV光源の発散中心点から発散するEUV光のスペクトルを測定する装置であって、分光素子と該分光素子による分光方向に空間分解能を有する検出器を有するスペクトル測定手段を前記発散中心点に対して移動可能とする駆動機構を有することを特徴とする。
【選択図】 図4
Description
本発明は、投影露光装置等で用いるEUV光源を評価するための、EUV光スペクトル測定装置およびEUV光パワー算出方法に関する。
従来、半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造するための焼き付け(リソグラフィー)方法として、紫外線を用いた縮小投影露光が行われてきた。縮小投影露光で転写できる最小の寸法は転写に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数に反比例する。このため微細な回路パターンを転写するためには用いる光の短波長化が進められ、水銀ランプi線(波長365nm)、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)と用いられる紫外光の波長は短くなってきた。
しかし半導体素子は急速に微細化しており、以上の紫外光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで0.1μmを下回るような非常に微細な回路パターンを効率よく焼き付けるために、紫外線よりも更に波長が短い波長10〜15nm程度の極端紫外光(EUV光)を用いた縮小投影露光装置が開発されている。
この縮小投影露光装置の開発と平行してこれに用いるEUV光源の開発が進められている。EUV光源の一例として、たとえば特開2002−174700に記載されようなレーザ励起型EUV光源がある。レーザ励起型EUV光源においては、真空容器中に置かれたターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させる。このように発生させたプラズマから放射されるさまざまな波長の光のうち、例えば波長13nm程度の光線がEUV光として利用される。ターゲット材としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられ、ガスジェット等の手段で真空容器内に供給される。プラズマから放射されるEUV光は、一般には回転楕円形状の集光ミラーによって集光点に集光され、集光点から発散した後に投影露光装置に導入され、投影露光装置の照明光学系によってマスクを均一に照明する。また、回転放物面形状の集光ミラーによって平行光線として、投影露光装置に導入することも可能である。
EUV光を用いた露光装置において、EUV光を導光する光学系を構成する光学素子は、主として斜入射全反射ミラー、および直入射に近い入射角のミラーとしてシリコンとモリブデンからなる多層膜ミラーが用いられる。この際に、直入射用の多層膜ミラーは波長13.5nm付近のEUV光に対する反射率が高いことから、EUV光源から放射される光のうち、投影露光としては結果的に波長13.5nmを中心とした、13.365nm乃至13.635nmのEUV光が一般に用いられる。したがって投影露光装置のスループットは、波長が13.365nm乃至13.635nmの範囲内であるEUV光のパワーの絶対値に依存し、これが大きいほど生産性が高い露光装置が可能となる。
このため、EUV光源からのさまざまな波長の光のうち13.365nm乃至13.635nmのEUV光の強度が高いことが期待される。また、露光に使用される以外の波長域の光線は、光学系を構成する光学素子等に吸収され熱に変わり光学系の性能を低下させる原因となるため、その強度が低いことが期待される。
以上のような観点から、露光装置に使用されるEUV光源としては、そのEUV光源が放射する光線のスペクトルを把握することが重要である。
従来開示されているEUV光のスペクトルを測定する装置として、例えば特開平10−073698に一例が示されている。これによれば発光点であるプラズマから放射されるEUV光(特開平10−073698では軟X線と表現されている)の一部を回折格子によって分光し、個々の波長の光線の強度が計測可能となっている。
特開2002−174700
特開平10−073698
しかしながら上述の従来の技術の場合には特定発散方向の光のみのスペクトルしか計測できず、全発散方向のスペクトルを計測することはできない構成となっている。したがって発散方向によってスペクトルが異なるような場合には、スペクトル分布の空間分布を測定することができない。このため、発散方向全体としての例えば波長が13.365nm乃至13.635nmの範囲内といった所定波長域のパワーを把握することができないという問題がある。更に光源が放射している所定波長域のパワーの総量を算出することができないという問題がある。
上記課題を解決するために、本発明に係るEUV光スペクトル測定装置は、EUV光源の発散中心点から発散するEUV光のスペクトルを測定する装置であって、分光素子と該分光素子による分光方向に空間分解能を有する検出器を有するスペクトル測定手段を前記発散中心点に対して移動可能とする駆動機構を有することを特徴とする。
特に前記スペクトル測定手段は、前記分光素子に入射する光束を制限するアパーチャを含み、前記アパーチャによって整形される測定光束断面は直行する2方向の幅が異なる形状であり、前記分光素子による分光方向と前記測定光束断面の長手方向が略垂直になるように前記分光素子が配置されることを特徴とする。
更に、上記のEUV光スペクトル測定装置による測定から求めた発散方向毎のスペクトル分布から発散方向毎に所定波長域のパワーを算出し、発散方向毎の所定波長域のパワーを全発散方向について加算して算出することを特徴とする発散中心点から放射される複数の波長を含むEUV光のうち所定波長域のパワーを算出する方法である。
上記手段を用いることによって、EUV光源の集光点から任意の方向へ発散するEUV光スペクトルの角度分布が精密に測定できる。また、以上のEUV光スペクトル測定装置を用いた測定によって求めた発散方向毎のスペクトル分布から発散方向毎に所定波長域のパワーを算出し、発散方向毎の所定波長域のパワーを全発散方向について加算することによって、精密なEUV光のパワーの算出が可能となる。
以下に、本発明の実施例について具体的に説明する。
図1は実施例1に係るEUV光スペクトル測定装置と、測定の対象であるEUV光を発生するEUV光源の断面図である。尚、発明を説明するにあたり、図1中に示すとおり、紙面に垂直の方向がX軸、紙面における上下方向がY軸、紙面における左右方向がZ軸である座標を用いて以下に説明する。
本実施例においては、主にターゲット材にレーザ光を照射することによって発生したプラズマを発光点とし、発光点から放射されるEUV光を反射面が回転楕円面である集光ミラーによって集光点に集光して投影露光装置に供給するレーザ励起型EUV光源について、EUV光の発散中心である集光点からの放射光のスペクトル分布の発散角度に関する分布(空間分布)の測定に本発明に係るEUV光スペクトル測定装置を適用する場合について説明する。例えばガス放電型EUV光源といった他の方式のEUV光源に対して、あるいはプラズマの発光点のような集光ミラーによる集光点とは異なるEUV光の発散中心点に本発明を適用する場合には、適宜機械的な構成やEUV光束の違いに対応して装置の構成を変更することで同様の効果を得ることが可能である。
EUV光源1は、ノズルから供給されるターゲット材1−aにパルスレーザー光1−bを照射することによって発光点1−cにおいてターゲット材をプラズマ化し、パルス状のEUV光を放射させる。このEUV光は、発光点1−cを一方の焦点とする回転楕円面形状を持つ集光ミラー1−dによって他の焦点である集光点1−eに集光され、集光点1−eを発散中心点として立体角B内に向けてEUV光を発散する。なお、集光点1−eは、ある大きさを有する発光点1−cを拡大光学系である集光ミラー1−dによって結像したものであるので、発光点1−cよりも大きい有限の大きさを有する。
本発明によるEUV光スペクトル測定装置2は、光源位置制限アパーチャ3−a、角度制限アパーチャ3−b、高次光カットミラー3−d及び3−e、可視光カットフィルタ3−f等を介してEUV光を平面結像型回折格子3−gに入射させることでスペクトルに分光し、光検出器であるフォトダイオードアレイ3−hに入射させることで、EUV光源1から放射される光線のスペクトルを測定する。
光源位置制限アパーチャ3−aは、集光点1−e近傍に設けられ、集光点1−e上の特定位置からのEUV光のみが測定装置に入射するように制限する。
また、角度制限アパーチャ3−bは、光源位置制限アパーチャ3−aから所定距離だけ隔てて配置され、光源位置制限アパーチャ3−aを通過後に発散するEUV光のうち、特定の方向性を持ったEUV光のみを通過させることによって、整形され略単一の方向性を持つ細いビームとなったEUV光3−cを形成する。
次に、EUV光3−cは、2枚の高次光カットミラー3−d及び3−eに入射させることが好ましい。高次光カットミラー3−d及び3−eは、例えばカーボン膜をコーティングした斜入射型のミラーであって、例えば入射角80度といった角度で入射して反射させることで、測定したい波長域よりも短波長側の光である高次光をカットするために用いられる。
さらに、必要に応じて例えばZrの薄膜による可視光カットフィルタ3−fによって不要な可視光や赤外光がカットされる。高次光カットミラー3−d及び3−e、可視光カットフィルタ3−fは、露光に用いられる波長から大きく外れた波長の光をスペクトルの測定される被測定光から分離し、不要な波長の光線により目的とする波長域のスペクトル測定の精度が低下することを防止する。これらを用いない場合には、スペクトル測定の対象とならない不要な波長の光線による光学素子の加熱や、フォトダイオードアレイ3−hへの映り込みが生じて、スペクトル測定の精度が低下する。
分光素子である平面結像型回折格子3−gは、EUV光3−cを略Y軸方向に波長分散させ、検出器であるフォトダイオードアレイ3−hへ入射させる。図1において、短波長は紙面においての下方側、長波長は紙面においての上方側に分散されて入射する。フォトダイオードアレイ3−hは入射位置毎の信号を出力するので、各波長に対応した信号が出力され、スペクトル分布の測定が可能となる。フォトダイオードアレイ3−hは、入射する光線の強度に対して分散方向に1次元の分解能を持つセンサー、又は2次元の分解能を持つセンサーであればよく、他の検出原理に基づくものであってもよい。
フォトダイオードアレイ3−hの出力値を波長毎に、高次光カットミラー3−dおよび3−eの反射率、可視光カットフィルタ3−fの透過率、平面結像型回折格子3−gの回折効率、フォトダイオードアレイ3−hの位置毎の感度比で除算することにより、集光点1−eの光源位置制限アパーチャ3−aによって制限された特定位置から発散し、角度制限アパーチャ3−bによって制限された特定方向へのEUV光の波長毎のパワー強度比、すなわちスペクトルが求まる。
以上説明したスペクトルの測定により、EUV光源1から放射される光線の内で、光源位置制限アパーチャ3−aと角度制限アパーチャ3−bを結ぶ方向に放射される光線のスペクトル分布が測定される。
さらに上記測定を行ったEUV光スペクトル測定装置2を集光点1−eを中心として回転させて、それぞれの方向で同様の測定を行うことで、EUV光源1から放射される光線のスペクトル分布の角度分布を求めることができる。
具体的には、光源位置制限アパーチャ3−a、角度制限アパーチャ3−b、高次光カットミラー3−dおよび3−e、可視光カットフィルタ3−f、平面結像型回折格子3−g、フォトダイオードアレイ3−h等から構成されるスペクトル測定手段を、集光点1−eを中心にY軸周りに回転するωYステージ4に固定し、さらにωYステージ4を集光点1−eを中心にX軸周りに回転するωXステージ5上に固定する。これによって、スペクトル測定手段をωYステージ4とωXステージ5によって、集光点1−eを中心に一体に任意の方向に回転可能とする。これによって、集光点1−eから発散する任意方向のEUV光のスペクトル測定が可能となり、発散方向によってスペクトルが異なるEUV光源においてのスペクトルの把握ができる。
図2は、スペクトル測定手段を回転移動した場合の一例を示す図である。例えばωXステージ5を図示しない駆動装置により駆動すると、図2に示すようにスペクトル測定手段は集光点1−eを中心に一体にX軸周りに回転可能である。同様にωYステージ4を動かすことでY軸周りの回転が可能である。これらの動作の組合せにより、集光点1−eを中心としたスペクトル分布の空間分布を測定することができる。
また、ωXステージ5をY軸方向に移動可能なYステージ6上に固定し、さらにYステージ6をX軸方向に移動可能なXステージ7上に固定することが望ましい。このような構成にすることで、スペクトル測定手段をEUV光源の光軸であるZ軸に対して垂直な面内で一体に並進可能となり、集光点1−e内の任意の位置から発散するEUV光のスペクトル測定が可能であり、発散位置によってスペクトルが異なるEUV光源においてのスペクトルの把握ができる。
図3は、スペクトル測定手段を並進移動した場合の一例を示す図である。例えばYステージ6を下向きに駆動すると、図3に示すようにスペクトル測定手段を構成する部材は一体にY軸のマイナス方向に並進し、図1の場合には集光点1−eの中央部から発散されるEUV光のスペクトルを測定していたのに対し、図3の場合には紙面における集光点1−eの下方部から発散されるEUV光のスペクトルが測定可能である。
以上の構成により、EUV光の発散中心点での任意の位置から任意の方向に放射されるEUV光のスペクトル測定が可能となり、スペクトル分布の角度分布が取得できる。
なお、EUV光は空気等の気体によって吸収されるため、EUV光源1とEUV光スペクトル測定装置2は内部を真空に保つために図1に示される真空チャンバー8および9を有する構成となっていて、これらの真空チャンバー8および9の内部は不図示の真空ポンプにより真空を保っている。さらに、EUV光源1とEUV光スペクトル測定装置2は真空チャンバー8および9と同様に内部が真空に保たれている真空ベローズ10によって連結されており、EUV光源1からのEUV光は真空ベローズ10の中空内部を通過してEUV光スペクトル測定装置2に到達する。真空ベローズ10は、Yステージ6とXステージ7による並進駆動を許容する。真空チャンバー8および9を真空に保つ場合、真空ベローズ10を収縮させる力が大気圧によって働くが、EUV光源1とEUV光スペクトル測定装置のベース部11は不図示の固定部材によって固定されているため、EUV光源1とEUV光スペクトル測定装置2の内部を大気圧や真空にするような気圧の変化を生じさせた場合でも、EUV光源1とEUV光スペクトル測定装置2におけるEUV光光軸位置が変化することはない。また、EUV光スペクトル測定装置2内における測定するEUV光光路(図1中EUV光スペクトル測定装置2内の3−cなどの矢印で示されたEUV光光路)を、散乱光が光路に侵入しないようにする迷光対策筒によって覆うことにより、迷光がEUV光光路内に進入しないようにすることが望ましい。
図4は実施例2に係るEUV光スペクトル測定装置の斜視図である。尚、発明を説明するにあたり、図4中に示すとおりEUV光スペクトル測定装置22に入射するEUV光21の光軸をZ軸とし、ωYステージ4が動作するZ軸を含む面に垂直な方向をY軸、Y軸とZ軸に垂直な方向をX軸とする座標軸を用いて以下に説明する。
また、図4中のEUV光スペクトル測定装置22内については、全体の座標(X,Y,Z)とは別に光路中の各位置における光軸の方向をz軸とし、z軸と垂直で前記のY軸と垂直な方向をx軸、z軸と垂直で前記のX軸と垂直な方向をy軸とした局所的な座標(x、y、z)を用いて説明する。この座標(x、y、z)は、光路中の偏心反射面での反射や、ωYステージ4のY軸回りの回転等とともに回るものとする。また、後に説明する平面結像型回折格子3−gは、その回折面がx軸に平行になるように配置される。図4において実施例1におけるEUV光スペクトル測定装置を構成する部材と同じ部材は、図1と同様の記号を用い詳細の説明は省略する。
図4において、不図示のEUV光源からのEUV光21は、第1実施形態における集光点1−eと同様に有限の大きさを有する集光点21−eに集光されて集光点21−eを発散中心点としてEUV光スペクトル測定装置22内に入射する。
光源位置制限アパーチャ23−aとx軸角度制限アパーチャ23−bはそれぞれ所定の距離だけ隔てて配置され、有限の大きさである集光点21−e上の特定位置からのEUV光を略一定の方向性を持つEUV光23−cに成形する。尚、図4においては光源位置制限アパーチャ23−aが集光点21−eの位置に配置されているが、望ましい実施形態はこれに限られるものではない。
EUV光23−cは、必要に応じて高次光カットミラー3−dおよび3−eで反射させることで測定波長域にとっての高次光に相当する波長成分が取り除かれ、更に可視光カットフィルタ3−fによって不要な可視光や赤外光がカットされる。
EUV光23−cは平面結像型回折格子3−gに入射してx軸周りにスペクトル分解されて検出器であるCCD23−eへ入射する。このとき平面結像型回折格子3−gに対して略垂直方向の向きに設けたY軸角度制限エッジアパーチャ23−dを設けることによって、YZ平面内での特定方向へ制限されたEUV光のみがCCD23−eへ入射することとなり、分解されたスペクトルの分解能を高めることができる。図4において、検出器であるCCD23−eへ入射する際に、短波長の光はy軸のマイナス側、長波長の光はy軸のプラス側に分散され入射する。
図4に示したEUV光スペクトル測定装置22で検出されるスペクトルの分解能を高めるためには、平面結像型回折格子3−gへの入射光のy軸方向の幅が狭いことが好ましい。この条件が満たされない場合には平面結像型回折格子3−g上の異なる位置で回折した光がCCD23−e上で重畳して本来のスペクトルが得られないためである。一方、平面結像型回折格子3−gを集光点21−eから所定の距離に配置して用いることで、同様に所定の距離だけ離して配置されるCCD23−eに光源像が結像するため、入射光に含まれる光線を平行光とする必要はない。
平面結像型回折格子3−gへの入射光のy軸方向の幅を狭くするためには、Y軸角度制限エッジアパーチャ23−dを設け、平面結像型回折格子3−gで回折されてCCD23−eへ向かう光路幅(y軸方向)を制限することが有効である。Y軸角度制限エッジアパーチャ23−dを平面結像型回折格子3−gの極近傍に設けた場合には、Y軸角度制限エッジアパーチャ23−dの直下で回折された光のみがCCD23−eに達するためである。
一方、平面結像型回折格子3−gへの入射光のx軸方向の広がりはスペクトルの測定精度に影響を与えることは無い。また、図4に示すような構成において、CCD23−e上でx軸上の異なる位置に入射するEUV光は、ZX平面内で異なる発散方向を有するEUV光である。このため、平面結像型回折格子3−gやCCD23−eを含むスペクトルの測定系のx軸方向の長さを長くし、またx軸角度制限アパーチャ23−b等で制限される通過光のx軸方向の幅を広くすることで、ZX平面内において広い範囲のスペクトル測定を一度の測定で行うことが可能となる。
一度の測定により測定可能な発散方向の範囲を広げるためには、集光点21−eから平面結像型回折格子3−gへの距離を短くすることが好ましい。
以上説明したように、各アパーチャ23a,b,dにより整形される測定光束の断面が、平面結像型回折格子3−gに直交するy軸方向に短く、それに直行するx軸方向には広くすることで、一度に広範囲に分散するEUV光のスペクトルを同時に測定でき、またスペクトルの測定精度を高めることができる。特に、各アパーチャ23a,b,dにより最終的に整形される測定光束の断面をx軸方向に長い矩形にすることで、各分散方向に対する分解能を一定にすることができる。
以上を実現するために、具体的には以下のような構成にすることが好ましい。光源位置制限アパーチャ23−aの開口部形状は、図4に示すとおりx軸方向の幅がY軸方向の幅よりも大きいが、x軸角度制限アパーチャ23−bの開口部のx軸方向幅よりも十分に小さく、ZX平面内でのEUV光の発散方向の制限は、ほぼx軸角度制限アパーチャ23−bの大きさや方向によって決められる。また、x軸角度制限アパーチャ23−bの開口部のx軸方向幅を平面結像型回折格子3−gとY軸角度制限エッジアパーチャ23−dによる開口部のY軸方向幅よりも大きくし、かつ、集光点21−eからx軸角度制限アパーチャ23−bの距離を、集光点21−eからY軸角度制限エッジアパーチャ23−dの距離に対して小さくとることが好ましい。
これにより、光源位置制限アパーチャ23−aおよびx軸角度制限アパーチャ23−bが許容するZX平面内でのEUV光取り込み角度は、光源位置制限アパーチャ23−aおよびY軸角度制限エッジアパーチャ23−dが許容するYZ平面内でのEUV光取り込み角度よりも大きくなる。
以上により、平面結像型回折格子3−gに入射する測定光束23−fの断面は、直行する2方向の幅が異なる形状であり、y軸方向の幅よりもx軸方向の幅を大きくできる。また測定光束23−fのx軸方向における幅は、CCD23−e近傍においてはCCD23−eのx軸方向の幅と略同様かそれ以上の幅となるようにx軸角度制限アパーチャ23−bの大きさが設定されていることが好ましい。
以上の構成となっているため、スペクトル測定の分解能を維持したまま、ZX平面内での異なる発散方向からのEUV光を一回の測定で測定できる。
さらに、以上で説明したスペクトル測定手段を集光点21−eを中心にY軸周りに回転可能なωYステージ4に固定して、集光点21−eを中心に一体にZX平面内の任意の方向に回転させてそれぞれ測定を行うことで、集光点21−eから発散するZX平面内のあらゆる方向の光束のスペクトルが測定可能な構成となる。このような場合でも、x軸方向に長い測定長をもたせることで、ωYステージ4の回転のピッチを粗くすることができ、測定時間が短縮できるメリットがある。
また、スペクトル測定手段を構成している光源位置制限アパーチャ23−a、x軸角度制限アパーチャ23−b、高次光カットミラー3−dおよび3−e、可視光カットフィルタ3−f、平面結像型回折格子3−g、Y軸角度制限エッジアパーチャ23−d、CCD23−eは、実施例1と同様ωYステージ4とともに、図示しないXステージとYステージ上にあって、このXステージとYステージと動力源のアクチュエータによってEUV光源の光軸であるZ軸に対して垂直の面内で一体に並進可能となっている。したがって集光点21−eから発散する任意の発散位置からのEUV光のスペクトル測定が可能である。
EUV光源における集光ミラーは光軸に対して軸対称の形状となっており、EUV光源のスペクトルの発散方向毎のスペクトル分布は、光軸に対してほぼ軸対称となっている場合が多い。このようなEUV光源を測定する場合には図4に示すように、スペクトル測定手段を構成している複数の部材を一体に、例えばY軸周りのみに回転させて集光点21−eから発散するZX平面内でのあらゆる方向の光束のスペクトルが測定できればよく、X軸周りに回転する機構は不要となる。その結果駆動およびその機構の自由度を少なくでき、駆動機構等の省略により実施例2は実施例1に比べて小型にできるメリットがある。
以上に示した実施例では、CCD23−e付近における測定光束断面のx軸方向の幅がCCD23−eの幅と同程度以上としているが、CCD23−eにその幅が測定光束断面のx軸方向の幅よりも十分大きく、かつ測定する光束の角度範囲を上回る幅を有するものを用いることも有効である。この場合には、CCD配置を変える必要がないので、ωYステージ4によって一体に回転するスペクトル測定手段の構成部材は光源位置制限アパーチャ23−a、x軸角度制限アパーチャ23−b、高次光カットミラー3−dおよび3−e、可視光カットフィルタ3−f、平面結像型回折格子3−g、Y軸角度制限エッジアパーチャ23−dのみとできる。
なおEUV光スペクトル測定装置22は、図4における点線で示した真空チャンバーを有すること、不図示のEUV光源と真空ベローズによって連結されていること、EUV光源内部およびEUV光スペクトル測定装置22の内部の気圧変化に対してEUV光光軸位置が変化しないこと、迷光対策が施されていることは、実施例1と同様であり説明を省略する。
実施例3においては、実施例1または実施例2のEUV光スペクトル測定装置を用いて、EUV光源の発散中心点から放射されるEUV光のうち、所定の波長範囲内のパワーを算出する方法について説明する。
以下にまず実施例1のEUV光スペクトル測定装置を用いた場合について説明する。実施例1のEUV光スペクトル測定装置によって、光源位置制限アパーチャ3−aによって制限された発散中心点上の特定位置から放射されるすべての発散方向のEUV光スペクトルが測定可能である。この測定を、光源位置制限アパーチャ3−aを他のスペクトル測定手段を構成する部材とともに一体にX軸方向およびY軸方向に移動させて行なうことにより、すべての発散中心点上の位置でのすべての発散方向のEUV光スペクトルが求まる。異なるすべての発散中心点位置での同じある発散方向のスペクトル測定結果を重畳させることにより、発散中心点全体からその発散方向へ放射されたEUV光のスペクトルが求まる。フォトダイオードアレイ3−hにおける出力絶対値の入射EUV光のパワー絶対値に対する比、すなわち絶対感度を別途求めておけば、発散中心点全体からその発散方向へ放射されたEUV光の波長毎のパワー絶対値が算出できるので、所定の波長範囲内のパワー絶対値を加算することによって、発散中心点全体からある発散方向へ放射されたEUV光の所定波長域のパワーが算出できる。さらに発散方向毎の所定波長域のパワーを全発散方向について加算することで、発散中心点全体から放射される所定波長域のパワーが算出される。
実施例2のEUV光スペクトル測定装置を用いる場合には、EUV光源の特性が光軸に対して対称性を有するとの仮定のもとで、すべての発散中心点上の位置でのすべての発散方向のEUV光スペクトルが求めることができ、実施例1のEUV光スペクトル測定装置を用いる場合と同様に発散中心点全体から放射される所定波長域のパワーが算出できる。すなわち、EUV光源の特性が光軸に対して対称性を有していれば、発散中心点上の任意の場所から任意の方向に放射されるEUV光と等価なEUV光のスペクトル測定が実施例2のEUV光スペクトル測定装置によって可能である。
図5は発散中心点上の任意の場所から任意の方向に放射されるEUV光と等価であって、実施例2のEUV光スペクトル測定装置で測定可能なEUV光を示す図である。図5において31は集光点であって、集光点上の任意の場所にある発散位置32から任意の方向である矢印Cの方向に放射されるEUV光のスペクトルを求めたいとする。矢印Cの方向は、ZX平面と平行ではないため第2の形態のEUV光スペクトル測定装置では直接測定ができない。
しかし発散位置32と矢印CをそれぞれZ軸周りにα+βの角度だけ回転させた位置にある発散位置33と矢印DはEUV光源のスペクトル分布等の特性が光軸に対して対称であれば、発散位置32から矢印Cの方向に放射されるEUV光のスペクトルと等価である。ここで、矢印DはZX平面と平行であるため、発散位置33から矢印Dの方向に放射されるEUV光のスペクトルは実施例2のEUV光スペクトル測定装置によって測定することができる。したがって、発散位置33から矢印Dの方向に放射されるEUV光のスペクトルを測定することによって、発散位置32から矢印Cの方向に放射されるEUV光のスペクトルを求めることができる。
同様の方法で、実施例2のEUV光スペクトル測定装置においてもすべての発散中心点上の位置でのすべての発散方向のEUV光スペクトルが求めることができる。したがってCCD23−eの絶対感度を別途求めておけば、実施例1のEUV光スペクトル測定装置での場合と同様、発散中心点全体から放射される所定波長域のパワーを算出することが可能である。
なお以上の説明においては、入射パワーに対するフォトダイオードアレイ3−hやCCD23−eの絶対感度を別途求めておくことによって所定波長域のパワーを算出したが、所望の所定波長域を含む波長に対する既知の感度を有する別途のセンサによる測定によって、発散中心点全体からの発散方向毎のこのセンサが感度を有する波長域でのパワーの絶対値が明らかな場合には、フォトダイオードアレイ3−hやCCD23−eの絶対感度を求めておく必要はない。第1および第2の形態のEUV光スペクトル測定装置を用いた測定によって、発散中心点全体から放射されるEUV光の波長毎のパワー比が明らかであるので、これによって上記の別途のセンサの測定による発散方向毎のパワーのうち、所望の所定波長域のパワーが占める割合が求まるので、発散中心点全体から放射される所定波長域のパワーを算出することが可能である。
1 EUV光源
1−a ターゲット材
1−b パルスレーザー光
1−c 発光点
1−d 集光ミラー
1−e、21−e、31 集光点
2、22 EUV光スペクトル測定装置
3−a、23−a 光源位置制限アパーチャ
3−b 角度制限アパーチャ
3−c、21、23−c EUV光
3−d、3−e 高次光カットミラー
3−f 可視光カットフィルタ
3−g 平面結像型回折格子
3−h フォトダイオードアレイ
4 ωYステージ
5 ωXステージ
6 Yステージ
7 Xステージ
8、9 真空チャンバー
10 真空ベローズ
11 ベース部
23−b x軸角度制限アパーチャ
23−d Y軸角度制限エッジアパーチャ
23−e CCD
23−f 測定光束
24 回転軸
32、33 発散位置
1−a ターゲット材
1−b パルスレーザー光
1−c 発光点
1−d 集光ミラー
1−e、21−e、31 集光点
2、22 EUV光スペクトル測定装置
3−a、23−a 光源位置制限アパーチャ
3−b 角度制限アパーチャ
3−c、21、23−c EUV光
3−d、3−e 高次光カットミラー
3−f 可視光カットフィルタ
3−g 平面結像型回折格子
3−h フォトダイオードアレイ
4 ωYステージ
5 ωXステージ
6 Yステージ
7 Xステージ
8、9 真空チャンバー
10 真空ベローズ
11 ベース部
23−b x軸角度制限アパーチャ
23−d Y軸角度制限エッジアパーチャ
23−e CCD
23−f 測定光束
24 回転軸
32、33 発散位置
Claims (7)
- EUV光源の発散中心点から発散するEUV光のスペクトルを測定する装置であって、分光素子と該分光素子による分光方向に空間分解能を有する検出器を有するスペクトル測定手段を前記発散中心点に対して移動可能とする駆動機構を有することを特徴とするEUV光スペクトル測定装置。
- 前記駆動機構による移動は、所定の点を中心とした球面上での前記スペクトル測定手段の回転移動であることを特徴とする請求項1のEUV光スペクトル測定装置。
- 前記スペクトル測定手段は、前記分光素子に入射する光束を制限するアパーチャを含み、前記アパーチャによって整形される測定光束断面は直行する2方向の幅が異なる形状であり、前記分光素子による分光方向と前記測定光束断面の長手方向が略垂直になるように前記分光素子が配置されることを特徴とする請求項1に記載のEUV光スペクトル測定装置。
- 前記駆動機構による移動は、前記測定光束断面の長手方向とEUV光源の光軸に平行な面内での所定の点を中心とした前記スペクトル測定手段の回転移動であることを特徴とする請求項3のEUV光スペクトル測定装置。
- 前記駆動機構による移動は、前記EUV光源の光軸に垂直な面内での前記スペクトル測定手段の並進移動であることを特徴とする請求項1乃至4に記載のEUV光スペクトル測定装置。
- 前記駆動機構による移動は、前記EUV光源の光軸を中心とした前記スペクトル測定手段の回転であることを特徴とする請求項1乃至5に記載のEUV光スペクトル測定装置。
- 発散中心点から放射される複数の波長を含むEUV光のうち所定波長域のパワーを算出する方法であって、請求項1乃至請求項6のEUV光スペクトル測定装置による測定から求めた発散方向毎のスペクトル分布から発散方向毎に所定波長域のパワーを算出し、発散方向毎の所定波長域のパワーを全発散方向について加算して算出することを特徴とするEUV光パワー算出方法。
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