JP2005229017A - 単一電子型トランジスタ、電界効果型トランジスタ、センサー、センサーの製造方法ならびに検出方法 - Google Patents
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Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板1と、その基板1の上部に対向するように設けられたソース電極3ならびにドレイン電極4と、そのソース電極3とドレイン電極4の間に設けられたチャンネルとを少なくとも備えた単一電子トランジスタにおいて、前記チャンネルが超微細繊維(CNT)7で構成されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
(1)バイオセンサーデバイスの基本要素となるCNTの成長位置、方向、本数、カイラリティー、特性などを任意に設計するために、電界や磁界の印加、CNTを成長する際に用いられる触媒の種類や形状などの最適化を行なう。
特性の制御が可能となる。
そのため本発明では図14および図15に示すように、電極3,4の長さL3[図14(a)参照]を図12のものよりも約1.5〜3倍程度長くした。このように電極3,4の長さL3を長くすることにより、CNT7を修飾する分子の被膜28が形成されても、電極3,4の端部に被膜28で覆われない部分29(図15参照)ができる。この被膜28で覆われない部分29に光学顕微鏡を用いてプローバなどの測定装置のプローブを当てて、電極3,4間を流れる電流を正確に測定することができる。本実施形態の場合、図14(a)において電極3,4の先端部の幅w1を10μm、プローブを当てる部分の幅W2を150μm、長さL3を500μmとした。図14(b)に示すように、CNT7は電極3,4間で若干湾曲した状態になっており、基板1側の最表面との間に空隙Gが設けられており、基板1との熱膨張係数の差をCNT7の弛みによって吸収している。
基板に形成されたSiO2膜上に分子が付着すると、ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流値が変化する。例えば、蛍光分子FITC(Fluorescein isothiocyanate)をゲート電極に与えることにより、電流値が変化する。また、抗体−抗源反応の例として、SiO2膜を抗体(あるいは抗源)で分子修飾し、対応する抗源(あるいは抗体)と反応させ、電気信号の変化を検出する。CNTに比べて大きな領域に分子修飾できるため、多くの分子を対象とした検出に適している。また、CNTを直接修飾しないため、使用後の洗浄によるCNTの破損が回避できる。
図17は、CNT7を直接分子修飾した構造を示す図である。CNT7を直接分子修飾することにより、修飾分子によるCNT7上のスピン電子状態の変化は、バックゲート電極8を分子修飾した場合に比べて大きく、高い感度を有している。
図18は、CNT7を間接的に分子修飾した構造を示す図である。CNT7を間接的に分子修飾するため、同図に示すようにCNT7を接着剤などの有機化合物からなる絶縁薄膜30で被覆する。修飾分子や表面に付着した分子が薄膜30内で引き起こすスピン電子状態の変化がCNT7のスピン電子状態の変化を引き起こし、結果として電流の変化を生じる。バックゲート電極8を分子修飾したものと、CNT7を直接分子修飾したものの両方の特長を有し、高感度と安定性を有している。
前記(A)〜(C)のそれぞれの場合について、溶液15の代わりに被検出物質を含むゾルゲルを用いる。溶液の場合と同様に、電気信号の変化が検出できる。
基板上のCNT近傍にアイランドを作り、これをゲートとして用いる。この構造だと背面(バックゲート電極)の分子修飾などの手間をかけずに、また、CNT7を直接修飾することによってCNT7自体が破損されることが無いなどの特長を有している。SETに好適な構造である。
(具体例1)
次にイオン反応を利用した2価イオンの検出について説明する。CNTバイオセンサーのCNTをピレンで直接修飾し、N−[5−(3′−マレインイミドプロピルアミノ)−1−カルボキシペンチルイミノ二酢酸{N−[5−(3′−Maleimidopropylamimo)−1−carboxypentyl]iminodiacetic acid:以下、NTAと略記する}をバックゲート電極に結合した後、Niイオンを含む溶液を滴下し、それぞれの場合のIV特性により、伝導特性を調べた。そしてゲート電極に電界を与えない場合のIV特性を図22に示す。縦軸はソース電極−ドレイン電極間に流れる電流値(A)、横軸はソース電極−ドレイン電極間の電圧値(V)を示している。図中のdiはバックゲート電極を洗浄した後のIV特性曲線、ntaはNTA結合後のIV特性曲線、niはNiイオンを含む溶液を滴下した後のIV特性曲線である。
(具体例2)
次に抗原−抗体反応を利用したヘマグルチニン(HA)の検出について説明する。HAのC末を様々なレベル(220,250,290,320)で切断し、発現を試みた。293T細胞へ遺伝子を導入し、モノクローン抗体E2/3とポリクローナル抗体を用い、細胞内でのHAタンパクの発現を確認した。ウェスタンブロット法で上清にHAタンパクが分泌されることを確認した。HA1−290が大量発現し、上清からNi2+カラムで精製した。ELISA,SDS−PAGEで目的とするHAタンパクが含まれるフラクションを確認し、これを分取して、PBSで透析してHAを得た。さらに短いHA1−220についても発現が見られたが、モノクローン抗体と反応しなくなったため、使用しなかった。
(具体例3)
これらの抗原−抗体反応を利用したヘマグルチニン(HA)の検出は、ゾルゲル法を用いても同様の結果が得られた。それらのIV特性を図29ないし図34に示す。なお、抗原−抗体反応の実験前の全ての系において、NTA結合後にNiイオンを含む溶液を与えている。ゲート電圧は−20Vとした。
(具体例4)
次に抗原−抗体反応を利用したカルモジュリン(CaM)の検出について説明する。ラットカルモジュリン遺伝子cDNAを含むDNA断片を発現ベクターpBAD/gIII(Invitrogen社製)のSacI−XbaI部位に挿入し、カルモジュリン発現ベクター(pBAD/gIII/calmodulin)を構築した。そのベクターを大腸菌LMG194株に導入し、カルモジュリン発現クローンを得た。このクローを2mlのLB/Ampicilin培地に植菌し、一晩培養した。
表
(CaM抗体) (HA抗体)
PBS Neg.Con 0.034 0.030
2.5×10−2 2.000 1.722
6.3×10−3 2.439 2.725
1.6×10−3 2.899 3.378
3.9×10−4 2.300 3.132
0.98×10−4 0.650 2.839
2.4×10−5 0.177 1.413
6.1×10−6 0.051 0.290
6.1×10−6の希釈度でELISAでは検出が困難になることが示されている。一方、前記具体例3,4ではゾルゲル法がELISA程度の感度を示し、他はみな10−8程度の希釈度で検出が行われている。から
Si基板上にCNTを成長させ、その両端部に電極を形成して、前記Si基板のCNTを成長させた面とは反対の背面を酸(硫酸)で活性化した後、シラン化試薬(3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン)を180℃で反応させ、NTAを固定化する。次にNiイオンを添加し、ヒスチジンを導入した抗原(CaM、HA)を固定化し、希釈した抗体と反応させた後、洗浄し基板背面に負のバイアスを印加しててIV特性を測定した。
て説明したが、本発明はその他に糖鎖、RNA、アミノ酸、糖、ウィルスなど他
の生体高分子の検出にも適応可能である。また、光に応答してロドプシンなどの
蛋白質が陽子を放出する過程における電子状態の変化、あるいは色素の構造変化
における電子状態の変化なども検出可能である。
2 薄膜
3 ソース電極
4 ドレイン電極
5,6 尖端部
7 カーボンナノチューブ
8 ゲート電極
9a,9b 触媒層
10 反応容器
11 炭化水素ガス
12 保護膜
13 特定の物質
14 被検出物質
15 試料溶液
16 凹部
17 探針
18 分子検出部分
19 信号変換部分
20 特定物質の配向を保つ分子
21 特定物質以外の物質
22a,22b 後に電極が形成される位置
25 支持層
26 中間層
27 トップ層
28 被膜
29 被膜で覆われていない部分
30 絶縁薄膜
G 空隙
L1 隣接する触媒との間隔
L2 触媒列の間隔
L3 電極の長さ
W1 電極の先端部の幅
W2 プローブを当てる部分の幅。
Claims (40)
- 基板と、その基板の上部に対向するように設けられたソース電極ならびにドレイン電極と、そのソース電極とドレイン電極の間に設けられたチャンネルとを少なくとも備えた単一電子トランジスタにおいて、前記チャンネルが超微細繊維で構成されていることを特徴とする単一電子型トランジスタ。
- 請求項1記載の単一電子型トランジスタにおいて、前記基板のソース電極ならびにドレイン電極の設置位置以外の所にゲート電極が設けられていることを特徴とする単一電子型トランジスタ。
- 請求項1記載の単一電子型トランジスタにおいて、前記基板のチャンネルが設けられる側の表面に官能基を有する薄膜が設けられていることを特徴とする単一電子型トランジスタ。
- 請求項1または3記載の単一電子型トランジスタにおいて、前記基板側の最上面とチャンネルの間に空隙が設けられていることを特徴とする単一電子型トランジスタ。
- 請求項1記載の単一電子型トランジスタにおいて、前記超微細繊維がナノチューブ状構造体であることを特徴とする単一電子型トランジスタ。
- 請求項5記載の単一電子型トランジスタにおいて、前記ナノチューブ状構造体がカーボンナノチューブであることを特徴とする単一電子型トランジスタ。
- 請求項5または6記載の単一電子型トランジスタにおいて、前記ナノチューブ状構造体に欠陥が導入されていることを特徴とする単一電子型トランジスタ。
- 基板と、その基板の上部に対向するように設けられたソース電極ならびにドレイン電極と、そのソース電極とドレイン電極の間に設けられたチャンネルとを少なくとも備えた電界効果型トランジスタにおいて、前記チャンネルが超微細繊維で構成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
- 請求項8記載の電界効果型トランジスタにおいて、前記基板のソース電極ならびにドレイン電極の設置位置以外の所にゲート電極が設けられていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
- 請求項8記載の電界効果型トランジスタにおいて、前記基板のチャンネルが設けられる側の表面に官能基を有する薄膜が設けられていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
- 請求項8または10記載の電界効果型トランジスタにおいて、前記基板側の最上面とチャンネルの間に空隙が設けられていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
- 請求項8記載の電界効果型トランジスタにおいて、前記超微細繊維がナノチューブ状構造体であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
- 請求項12記載の電界効果型トランジスタにおいて、前記ナノチューブ状構造体がカーボンナノチューブであることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
- 請求項12または13記載の電界効果型トランジスタにおいて、前記ナノチューブ状構造体に欠陥が導入されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
- 基板と、その基板の上部に対向するように設けられたソース電極ならびにドレイン電極と、そのソース電極とドレイン電極の間に設けられたチャンネルとを少なくとも備えたセンサーにおいて、前記チャンネルが超微細繊維で構成されていることを特徴とするセンサー。
- 請求項15記載のセンサーにおいて、前記基板のソース電極ならびにドレイン電極の設置位置以外の所にゲート電極が設けられていることを特徴とするセンサー。
- 請求項16記載のセンサーにおいて、前記ソース電極、ドレイン電極ならびにゲート電極のうちの少なくとも1つの電極が、チタン層と、そのチタン層の表面を覆う金層とから構成されていることを特徴とするセンサー。
- 請求項15記載のセンサーにおいて、前記基板のチャンネルが設けられる側の表面に官能基を有する薄膜が設けられていることを特徴とするセンサー。
- 請求項18記載のセンサーにおいて、前記薄膜が酸化ケイ素であることを特徴とするセンサー。
- 請求項15記載のセンサーにおいて、前記超微細繊維がナノチューブ状構造体であることを特徴とするセンサー。
- 請求項20記載のセンサーにおいて、前記ナノチューブ状構造体がカーボンナノチューブであることを特徴とするセンサー。
- 請求項20または21記載のセンサーにおいて、前記ナノチューブ状構造体に欠陥が導入されていることを特徴とするセンサー。
- 請求項15記載のセンサーにおいて、前記チャンネルの両端部がソース電極ならびにドレイン電極にそれぞれ溶着されていることを特徴とするセンサー。
- 請求項15記載のセンサーにおいて、前記チャンネルの表面が、被検出物質と相互作用する特定の物質で直接修飾されていることを特徴とするセンサー。
- 請求項15記載のセンサーにおいて、前記チャンネルの表面に絶縁薄膜が形成され、その絶縁薄膜が被検出物質と相互作用する特定の物質で修飾されていることを特徴とするセンサー。
- 請求項16記載のセンサーにおいて、前記ゲート電極が、被検出物質と相互作用する特定の物質で修飾されていることを特徴とするセンサー。
- 請求項24ないし26のいずれか1項記載のセンサーにおいて、前記被検出物質ならびに特定の物質が互いに相互作用する生体高分子であることを特徴とするセンサー。
- 請求項27項記載のセンサーにおいて、前記被検出物質が抗原または抗体であって、前記特定の物質が抗体または抗原であることを特徴とするセンサー。
- 請求項24記載のセンサーにおいて、前記ドレイン電極ならびにゲート電極の表面に、前記修飾物質の被膜で覆われていない部分が形成されていることを特徴とするセンサー。
- 基板と、その基板の上部に対向するように設けられたソース電極ならびにドレイン電極と、そのソース電極とドレイン電極の間に設けられたチャンネルとを少なくとも備えたセンサーの製造方法において、前記ソース電極ならびにドレイン電極の設置位置にそれぞれ触媒を列状に設けて、2つの触媒列を対向させ、その触媒の作用によりソース電極からドレイン電極に掛けて超微細繊維を成長させて前記チャンネルを構成することを特徴とするセンサーの製造方法。
- 請求項30記載のセンサーの製造方法において、前記触媒が、支持層と、その支持層の上に形成された遷移金属からなる中間層と、その中間層の上に形成された遷移金属からなるトップ層から構成されていることを特徴とするセンサーの製造方法。
- 請求項30または31記載のセンサーの製造方法において、前記触媒がドット状にパターンニングされて前記触媒列を構成していることを特徴とするセンサーの製造方法。
- 請求項30記載のセンサーの製造方法において、前記超微細繊維がナノチューブ状構造体であることを特徴とするセンサーの製造方法。
- 請求項33記載のセンサーの製造方法において、前記ナノチューブ状構造体がカーボンナノチューブであることを特徴とするセンサーの製造方法。
- 請求項33または34記載のセンサーの製造方法において、前記ナノチューブ状構造体に欠陥が導入されていることを特徴とするセンサーの製造方法。
- 基板と、その基板の上部に対向するように設けられたソース電極ならびにドレイン電極と、そのソース電極とドレイン電極の間に設けられたチャンネルとを少なくとも備えたセンサーで試料溶液中の被検出物質を検出する方法において、前記チャンネルが超微細繊維で構成され、そのチャンネル上に前記試料溶液を滴下した後、その試料溶液の溶媒を蒸発させることを特徴とする検出方法。
- 基板と、その基板の上部に対向するように設けられたソース電極ならびにドレイン電極と、そのソース電極とドレイン電極の間に設けられたチャンネルとを少なくとも備えたセンサーで試料溶液中の被検出物質を検出する方法において、前記チャンネルが超微細繊維で構成され、そのチャンネル上に前記試料溶液を滴下した後、その試料溶液の溶媒を凍結させることを特徴とする検出方法。
- 請求項36または37記載の検出方法において、前記超微細繊維がナノチューブ状構造体であることを特徴とする検出方法。
- 請求項38記載の検出方法において、前記ナノチューブ状構造体がカーボンナノチューブであることを特徴とする検出方法。
- 請求項38または39記載の検出方法において、前記ナノチューブ状構造体に欠陥が導入されていることを特徴とする検出方法。
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