JP2005228991A - Substrate-processing apparatus - Google Patents

Substrate-processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2005228991A
JP2005228991A JP2004037348A JP2004037348A JP2005228991A JP 2005228991 A JP2005228991 A JP 2005228991A JP 2004037348 A JP2004037348 A JP 2004037348A JP 2004037348 A JP2004037348 A JP 2004037348A JP 2005228991 A JP2005228991 A JP 2005228991A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ring
boat
wafer
shaped plate
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004037348A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Morimitsu
和広 盛満
Tenwa Yamaguchi
天和 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2004037348A priority Critical patent/JP2005228991A/en
Publication of JP2005228991A publication Critical patent/JP2005228991A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enable transfer of a wafer to a boat, without being restricted by the accuracy of a wafer transfer device and a ring-shaped plate, and to prevent the wafer temperature stabilization from becoming affected by the increase in heat capacity, after inserting a boat which holds the wafer into a processing chamber. <P>SOLUTION: A ring-shaped plate 413 is made separable from a boat unit 300 to construct a ring unit 400 comprising plates stacked in multiple stages. When the ring-shaped plate is separated, the boat unit 300, holding a plurality of wafers, is constructed to be identical to a normal board which is not provided with the annular plate 413. The ring unit 400 is previously disposed in a processing chamber 201 and heated. During a process, in which the boat unit 300 holding the wafers is transferred into the processing chamber 201, the ring unit 400 is scooped up at the boat unit 300 and integrated, thus the ring-shaped plate 413 is provided, substantially horizontally at a predetermined space from the wafer 200 held in the boat unit 300. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基板保持具に保持される基板を処理する基板処理装置に係り、特に、基板保持具を改善したものに関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate held by a substrate holder, and more particularly to an improved substrate holder.

基板処理装置を構成する縦型ＣＶＤ装置等において、複数のウェハを保持する基板保持具として、複数の支柱と支柱を固定する上下板とからなるノーマルボートと呼ばれる基板保持具が使用されている。しかし、ノーマルボートでは、ウェハ端の膜厚だけが厚くなり、膜厚の均一性が得られなかった。そこで、従来、ウェハ保持機能を有するリング状のホルダプレートをノーマルボートに一体的に取り付けて、膜厚均一性の改善をはかったホルダボートと呼ばれる基板保持具が用いられるようになっている（例えば、特許文献１参照）。このホルダボートは、垂直に設けられた４本の支柱を持つ。支柱はウェハの出し入れが可能なように略半円状に配列されている。支柱には、リング状のホルダプレートが、支柱に設けた溝部に水平姿勢で多段に溶接され、ホルダプレートの上面にはウェハを載置する基板載置部としてのウェハ載置部が複数設けられている。   In a vertical CVD apparatus or the like constituting a substrate processing apparatus, a substrate holder called a normal boat including a plurality of support columns and upper and lower plates for fixing the support columns is used as a substrate holder for holding a plurality of wafers. However, in the normal boat, only the film thickness at the wafer edge becomes thick, and the film thickness uniformity cannot be obtained. Therefore, conventionally, a substrate holder called a holder boat has been used in which a ring-shaped holder plate having a wafer holding function is integrally attached to a normal boat to improve film thickness uniformity (for example, , See Patent Document 1). This holder boat has four support columns provided vertically. The support columns are arranged in a substantially semicircular shape so that the wafer can be taken in and out. A ring-shaped holder plate is welded in multiple stages in a horizontal posture to a groove provided in the column, and a plurality of wafer mounting units as a substrate mounting unit for mounting a wafer are provided on the upper surface of the holder plate. ing.

このようなホルダボートを使用して、ウェハ処理、例えばウェハ上に成膜を行えば、ホルダプレートがウェハ面上の処理ガスの流れを均一化することにより、ウェハ端の膜厚だけが厚くなるのを抑制することができる。また、略半円周状に配列された４本の支柱よりも内側のホルダプレート上に設けたウェハ載置部の上に、ウェハを保持するので、支柱とウェハとの距離が遠ざかることから、支柱の影響が少なくなり、膜厚均一性を向上させることが可能となる。   If such a holder boat is used to perform wafer processing, for example, film formation on a wafer, the holder plate makes the flow of processing gas on the wafer surface uniform, so that only the film thickness at the wafer edge increases. Can be suppressed. In addition, since the wafer is held on the wafer mounting portion provided on the holder plate inside the four columns arranged in a substantially semicircular shape, the distance between the column and the wafer is increased. The influence of the support is reduced, and the film thickness uniformity can be improved.

しかし、上述した従来のホルダボートを使用しても、支柱とウェハ載置部とが独立して設けられているので、なお支柱やウェハ載置部が処理ガスの流れの不均一な部分を構成することとなり、支柱とウェハ載置部とが与える成膜への悪影響を低減することができなかった。ウェハ成膜結果からも、この支柱やウェハ載置部に対応するウェハ部分における膜厚が少なくなっていることが明らかであった。   However, even if the above-described conventional holder boat is used, the support column and the wafer mounting unit are provided independently, so that the support column and the wafer mounting unit constitute a non-uniform portion of the flow of the processing gas. As a result, the adverse effect on the film formation provided by the support and the wafer mounting portion could not be reduced. From the wafer film formation result, it was clear that the film thickness in the wafer portion corresponding to the support column and the wafer mounting portion was reduced.

そこで、図１７及び図１８に示すような、リングボートと呼ばれる基板保持具が考えられている。これは、リング状プレート（前述したホルダプレートに相当）とウェハ保持部とは一体的にボートに取り付けられているのであるが、ウェハ保持部は、リング状プレート上にではなく、支柱に取り付けられているものである。図１７はリングボートの全体構成図、図１８は１枚のリング状プレートに着目した説明図であって、（ａ）はボートの要部側面図、（ｂ）は平面図である。   Accordingly, a substrate holder called a ring boat as shown in FIGS. 17 and 18 is considered. This is because the ring-shaped plate (corresponding to the holder plate described above) and the wafer holding part are integrally attached to the boat, but the wafer holding part is not attached to the ring-shaped plate but to the column. It is what. FIG. 17 is an overall configuration diagram of the ring boat, FIG. 18 is an explanatory diagram focusing on one ring-shaped plate, (a) is a side view of the main part of the boat, and (b) is a plan view.

ボート２１７は、図１７に示すように、二枚の平行な下板１７及び上板１１と、下板１７と上板１１との間に略垂直に設けられた複数本、例えば３本の支柱１５と、を有する。支柱１５は円柱状をしている。リング状プレート１３を安定かつシンプルに支持するために、支柱１５の数は特に３本としている。   As shown in FIG. 17, the boat 217 includes two parallel lower plates 17 and an upper plate 11, and a plurality of, for example, three columns provided substantially vertically between the lower plate 17 and the upper plate 11. 15 and. The support column 15 has a cylindrical shape. In order to support the ring-shaped plate 13 stably and simply, the number of support columns 15 is particularly three.

３本の支柱１５は、下板１７に略半円状に配列固定されている。上板１１は、３本の支柱１５の上端部に固定されている。下板１７及び上板１１の中央部には、ボート２１７の内部に処理ガスが入りやすくなるように、円形穴１２、１４がそれぞれ形成されている。下板１７と上板１１との間には、所定の間隔で多段に略水平姿勢で設けられた複数のリング状プレート１３が、支柱１５に固着されている。   The three struts 15 are arranged and fixed to the lower plate 17 in a substantially semicircular shape. The upper plate 11 is fixed to the upper ends of the three columns 15. Circular holes 12 and 14 are formed in the center portions of the lower plate 17 and the upper plate 11 so that the processing gas can easily enter the boat 217. Between the lower plate 17 and the upper plate 11, a plurality of ring-shaped plates 13 provided in a substantially horizontal posture in multiple stages at predetermined intervals are fixed to the support column 15.

３本の支柱１５には、複数の基板としてのウェハ２００を垂直方向に所定の間隔で略水平に載置することが可能な複数のウェハ載置部１６が多段に突設されている。
各ウェハ載置部１６は円柱状をしており、図１８に示すように、ボート２１７の中心、すなわちリング状プレート１３の中心に向けて１段あたり３本のウェハ載置部１６が突設されている。この突設された３本のウェハ載置部１６上に、ウェハ２００の外周を載置させることにより、ウェハ２００を略水平に保持することが可能になっている。 A plurality of wafer mounting portions 16 capable of mounting wafers 200 as a plurality of substrates in a vertical direction substantially horizontally at predetermined intervals are provided on the three support columns 15 in a multistage manner.
Each wafer mounting portion 16 has a columnar shape, and as shown in FIG. 18, three wafer mounting portions 16 project from one stage toward the center of the boat 217, that is, the center of the ring-shaped plate 13. Has been. By placing the outer periphery of the wafer 200 on the three wafer placement portions 16 provided in a protruding manner, the wafer 200 can be held substantially horizontally.

上述したリング状プレート１３は、例えば支柱１５のウェハ載置部１６の各設置箇所よりも下方に設置され、ウェハ載置部１６に支持されるウェハ２００に対して所定の間隔で略水平に設けられる。このリング状プレート１３は、中央が開口してウェハの周縁部を囲むような略円形に形成され、リング状プレート１３の内周面に３本の支柱１５を納めることにより、３本の支柱１５を取り囲むようになっている。   The ring-shaped plate 13 described above is installed below, for example, each installation location of the wafer mounting unit 16 of the support column 15 and is provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to the wafer 200 supported by the wafer mounting unit 16. It is done. The ring-shaped plate 13 is formed in a substantially circular shape having an opening at the center and surrounding the periphery of the wafer, and the three columns 15 are accommodated on the inner peripheral surface of the ring-shaped plate 13. Is to be surrounded.

このように支柱に、ウェハの周縁部を囲むようなリング状プレートが設けられているので、ウェハの周縁部の膜厚が厚くなるのを抑制できる。また、ウェハ載置部を、リング状プレートにではなく支柱に設けることによって、支柱とウェハ載置部とを１つにまとめることにより、支柱とウェハ載置部とが与える成膜への悪影響を低減することができる。したがって、ウェハの面内膜厚均一性を改善できる。
特開平１１−４０５０９号公報 As described above, since the ring-shaped plate surrounding the peripheral portion of the wafer is provided on the support column, it is possible to suppress an increase in the film thickness of the peripheral portion of the wafer. In addition, by providing the wafer mounting portion on the support column instead of the ring-shaped plate, by combining the support column and the wafer mounting unit into one, there is an adverse effect on the film formation provided by the support column and the wafer mounting unit. Can be reduced. Therefore, the in-plane film thickness uniformity of the wafer can be improved.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-40509

しかしながら、上述したリング状プレートが一体になったリングボート（基板保持具）は、基板移載時と熱容量とに関して、なお改善の余地がある。   However, the ring boat (substrate holder) in which the above-described ring-shaped plates are integrated still has room for improvement in terms of substrate transfer and heat capacity.

（１）基板移載時の制約
基板移載時は、ウェハディスチャージ時又はウェハチャージ時を意味する。図１９はウェハディスチャージ時の説明図、図２０はウェハチャージ時の説明図である。図１９に示すように、最小ボートピッチＰは、リング状プレート１３、１３間の距離、又はウェハ載置部１６、１６間の距離である。この最小ボートピッチＰは、ウェハディスチャージ時のツィーザ３１の挿入ギャップＸや、ツィーザ３１の厚さｔ、又は、図２０に示すように、ウェハチャージ時の挿入ギヤツプＹ、そして、ツィーザ３１を擁するウェハ移載機（図示せず）のウェハ移載精度により決定される。 (1) Restrictions at the time of substrate transfer The substrate transfer means at the time of wafer discharge or wafer charge. FIG. 19 is an explanatory diagram during wafer discharge, and FIG. 20 is an explanatory diagram during wafer charge. As shown in FIG. 19, the minimum boat pitch P is the distance between the ring-shaped plates 13, 13 or the distance between the wafer mounting portions 16, 16. The minimum boat pitch P is the insertion gap X of the tweezer 31 at the time of wafer discharge, the thickness t of the tweezer 31, or the insertion gear Y at the time of wafer charging and the wafer having the tweezer 31 as shown in FIG. It is determined by the wafer transfer accuracy of a transfer machine (not shown).

ここで、ギャップＸは、ディスチャージ対象となるウェハ２００と、その下方に挿入したツィーザ３１とのギャップ、又は挿入したツィーザ３１と、その下方に位置するリング状プレート１３とのギャップである。また、ギャップＹは、挿入したツィーザ３１に載せたチャージ対象となるウェハ２００とその上方に位置するリング状プレート１３とのギャップ、又は挿入したツィーザ３１に載せたチャージ対象となるウェハ２００と、そのウェハ２００を支持するウェハ載置部１６とのギャップである。   Here, the gap X is a gap between the wafer 200 to be discharged and the tweezer 31 inserted below, or a gap between the inserted tweezer 31 and the ring-shaped plate 13 positioned below the gap. Further, the gap Y is defined as a gap between the wafer 200 to be charged placed on the inserted tweezer 31 and the ring-shaped plate 13 positioned above it, or the wafer 200 to be charged placed on the inserted tweezer 31 and its This is a gap with the wafer mounting portion 16 that supports the wafer 200.

したがって、ツィーザ厚さをＴ、ウェハ厚さをＤ、ギャップＸの許容最小値をＸmin、ギャップＹの許容最小値をＹminとすると、最小ボートピッチＰ≒２×（２Ｘmin＋Ｔ）、あるいはＰ≒２×（２Ｙmin＋Ｄ）となる。これより、ウェハディスチャージ時及びウェハチャージ時におけるボートピッチの狭ピッチ化は、ＸminやＹminを規定するリング状プレート１３の存在が制約となっていることがわかる。 Accordingly, if the tweezer thickness is T, the wafer thickness is D, the allowable minimum value of the gap X is X min , and the allowable minimum value of the gap Y is Y min , the minimum boat pitch P≈2 × (2X min + T), or P≈2 × (2Y min + D). From this, it can be seen that the narrowing of the boat pitch at the time of wafer discharge and at the time of wafer charge is restricted by the presence of the ring-shaped plate 13 that defines X min and Y min .

また、膜厚の均一性を向上するために、図２１に示すように、ウェハ２００とリング状プレート１３との位置関係、すなわちウェハ２００とリング状プレート１３間のギャップＺを小さくする必要があるが、このギャップＺを上述の最小ギャップＸmin、Ｙmin以下に調整する事は不可能であった。 Further, in order to improve the film thickness uniformity, it is necessary to reduce the positional relationship between the wafer 200 and the ring-shaped plate 13, that is, the gap Z between the wafer 200 and the ring-shaped plate 13, as shown in FIG. However, it has been impossible to adjust the gap Z to be less than the above-described minimum gaps X min and Y min .

具体的には、Ｘ＝２ｍｍ、ツィーザ厚さＴ＝３ｍｍとした場合、Ｚ＝７ｍｍ（リング状プレート上面からウェハ下面までの距離）となる。なお、Ｙ＝１．８５である。したがって、ボートピッチＰは、ノーマルボートでは狭ピッチ化（６．５ｍｍ）が容易であったが、リングボートではリング状プレートがウェハ載置部間に介在するために、ウェハ移載機の移載精度を考慮すると、標準ピッチが１５ｍｍ、最小ピッチでも１３．５ｍｍにとどまり、狭ピッチ化が困難になる。なお、ウェハの厚みは０．７７５ｍｍ、リング状プレートの厚みは２ｍｍである。   Specifically, when X = 2 mm and tweezer thickness T = 3 mm, Z = 7 mm (distance from the upper surface of the ring-shaped plate to the lower surface of the wafer). Note that Y = 1.85. Therefore, the boat pitch P can be easily narrowed (6.5 mm) in the normal boat, but in the ring boat, since the ring-shaped plate is interposed between the wafer mounting portions, the transfer of the wafer transfer device is performed. In consideration of accuracy, the standard pitch is 15 mm, and the minimum pitch is only 13.5 mm, making it difficult to narrow the pitch. The thickness of the wafer is 0.775 mm, and the thickness of the ring plate is 2 mm.

（２）熱容量アップ
また、従来のリングボートは、成膜前ウェハの温度安定化に時間がかかるという問題があった。すなわち、常温下で、複数のウェハをボートにチャージ（移載）した後、予備加熱している高温の処理室内にリングボートをアップする。このリングボートは、ノーマルボートに比べて、リング状プレートを有している分、熱容量が大きい。このため、ボートアップにより、予備加熱されていた処理室の温度が大きく落ちこみ、これを元に戻すために、成膜前ウェハの温度安定化に時間がかかっていた。 (2) Increase in heat capacity Further, the conventional ring boat has a problem that it takes time to stabilize the temperature of the wafer before film formation. That is, after charging (transferring) a plurality of wafers to a boat at room temperature, the ring boat is raised in a pre-heated high-temperature processing chamber. This ring boat has a larger heat capacity than the normal boat because it has a ring-shaped plate. For this reason, the temperature of the pre-heated processing chamber greatly drops due to the boat up, and it takes time to stabilize the temperature of the wafer before film formation in order to restore this temperature.

本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、リング状プレートによる基板移載時の制約や熱容量アップの影響を受けず、膜厚の均一性を向上することが可能な基板処理装置を提供することにある。   An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to improve the uniformity of film thickness without being affected by restrictions on the transfer of the substrate by the ring-shaped plate and an increase in heat capacity. It is to provide a processing apparatus.

第１の発明は、基板を略水平に保持することが可能な基板保持具と、前記基板保持具と分離可能であって、該基板保持具に保持される基板に対して所定の間隔で略水平に設けられるリング状プレートと、該基板保持具に保持される基板を収容する処理室と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記処理室に処理ガスを供給して前記加熱手段により加熱された基板を処理するガス供給手段とを備えることを特徴とする基板処理装置である。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate holder capable of holding a substrate substantially horizontally and a substrate holder that is separable from the substrate holder and is substantially spaced from the substrate held by the substrate holder at a predetermined interval. A ring-shaped plate provided horizontally, a processing chamber for storing a substrate held by the substrate holder, a heating means for heating the substrate, a processing gas is supplied to the processing chamber and heated by the heating means. And a gas supply means for processing the substrate.

基板保持具はリング状プレートと分離可能であるので、リング状プレートを分離した基板保持具に対して基板を移載すると、リング状プレートの存在しない基板保持具に対して基板を移載できるようになるので、基板移載時に、基板移載機の移載精度やリング状プレートによる制約を受けない。また、基板保持具から分離したリング状プレートを予め加熱しておいて、処理室で基板保持具に保持される基板を加熱する前に、リング状プレートを基板保持具と一つにすると、基板を加熱する際、基板がリング状プレートによる熱容量アップの影響を受けないようにすることができる。また、リング状プレートを基板保持具と一つにすると、リング状プレートは基板保持具に保持される基板に対して所定の間隔で略水平に設けられることになるから、基板保持具がリング状プレートと分離可能であっても、膜厚の面内均一性が確保できる。   Since the substrate holder can be separated from the ring-shaped plate, if the substrate is transferred to the substrate holder from which the ring-shaped plate is separated, the substrate can be transferred to the substrate holder without the ring-shaped plate. Therefore, at the time of substrate transfer, there are no restrictions due to the transfer accuracy of the substrate transfer machine or the ring-shaped plate. In addition, when the ring-shaped plate separated from the substrate holder is heated in advance, and the substrate held by the substrate holder is heated in the processing chamber, the ring-shaped plate is combined with the substrate holder to form a substrate. When heating the substrate, it is possible to prevent the substrate from being affected by the heat capacity increase due to the ring-shaped plate. In addition, when the ring-shaped plate is combined with the substrate holder, the ring-shaped plate is provided substantially horizontally with a predetermined interval with respect to the substrate held by the substrate holder. Even if it can be separated from the plate, in-plane uniformity of the film thickness can be secured.

基板保持具は一枚ないし複数枚の基板を保持することが可能な基板載置台やボートなどの保持具である。リング状プレートは基板保持具と分離可能であるので、基板保持具に対して基板を移載する時にリング状プレートを基板保持具から分離しておくことも、基板保持具とは別個に加熱することもできる。また、基板移載後は、リング状プレートを基板保持具と一体にすることができる。リング状プレートを基板保持具と一体にすると、リング状プレートは、基板保持具に保持される基板に対して所定の間隔で略水平に設けられることになる。基板を収容する処理室としては、一枚の基板ないし数枚の基板を処理する枚葉式の処理室、あるいは枚葉式で扱う枚数以上の複数の基板を一括処理するバッチ式の縦型処理室や横型処理室が含まれる。   The substrate holder is a holder such as a substrate mounting table or a boat that can hold one or more substrates. Since the ring-shaped plate can be separated from the substrate holder, it is possible to separate the ring-shaped plate from the substrate holder when the substrate is transferred to the substrate holder, or to heat the substrate separately from the substrate holder. You can also Further, after the substrate is transferred, the ring-shaped plate can be integrated with the substrate holder. When the ring-shaped plate is integrated with the substrate holder, the ring-shaped plate is provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to the substrate held by the substrate holder. As a processing chamber for storing substrates, a single-wafer processing chamber for processing a single substrate or several substrates, or a batch-type vertical processing for batch processing of a plurality of substrates handled in a single-wafer type. Chamber and horizontal processing chamber.

第２の発明は、基板を略水平に保持することが可能な基板保持具と、該基板保持具に保持される基板を収容する処理室と、前記基板保持具が処理室内に収容される前に予め該処理室に配置され、前記基板保持具が処理室内に収容された際に前記基板保持具に保持される基板に対して所定の間隔で略水平に設けられるリング状プレートと、前記処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室に処理ガスを供給して前記加熱手段により加熱された基板を処理するガス供給手段とを備えることを特徴とする基板処理装置である。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate holder capable of holding a substrate substantially horizontally, a processing chamber for storing a substrate held by the substrate holder, and before the substrate holder is stored in the processing chamber. A ring-shaped plate that is disposed in advance in the processing chamber and provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to the substrate held by the substrate holder when the substrate holder is accommodated in the processing chamber; A substrate processing apparatus comprising: a heating unit that heats a chamber; and a gas supply unit that supplies a processing gas to the processing chamber and processes the substrate heated by the heating unit.

リング状プレートは、基板保持具が処理室内に収容される前に予め処理室に配置されるので、基板保持具が処理室内に収容される前に処理室で加熱しておくことができる。基板保持具が処理室内に収容された際に、既にリング状プレートは加熱されているので、基板を加熱する際、リング状プレートによる熱容量アップの影響を受けず、基板を保持した基板保持具だけを加熱すればよく、ノーマルボートと同じ基板温度安定時間で基板処理に入ることができる。
また、予め処理室に配置されたリング状プレートは、基板保持具が処理室に収容された際に、基板保持具と一体にすることができるが、そのときのリング状プレートと基板との間隔は、リング状プレート及び基板保持具の形状のみで決まるので、基板保持具に保持される基板に対するリング状プレートの間隔や略水平の精度を高いものとすることができる。 Since the ring-shaped plate is disposed in the processing chamber in advance before the substrate holder is accommodated in the processing chamber, the ring-shaped plate can be heated in the processing chamber before the substrate holder is accommodated in the processing chamber. Since the ring-shaped plate is already heated when the substrate holder is accommodated in the processing chamber, when the substrate is heated, only the substrate holder that holds the substrate is not affected by the heat capacity increase due to the ring-shaped plate. The substrate processing can be started in the same substrate temperature stabilization time as the normal boat.
In addition, the ring-shaped plate previously arranged in the processing chamber can be integrated with the substrate holder when the substrate holder is accommodated in the processing chamber. Since it is determined only by the shape of the ring-shaped plate and the substrate holder, the distance between the ring-shaped plate and the substantially horizontal accuracy with respect to the substrate held by the substrate holder can be increased.

第３の発明は、略垂直に設けられた少なくとも３本の支柱と、該支柱に多段に設けられて複数の基板を所定の間隔で略水平に載置する複数の基板載置部とを有し、この複数の基板載置部に複数の基板を保持することが可能な基板保持具と、前記基板保持具に保持される基板を収容する処理室と、前記基板保持具が処理室内に収容される前に予め該処理室に配置され、前記基板保持具が処理室内に収容された際に前記基板載置部に支持される基板に対して所定の間隔で略水平に設けられる複数のリング状プレート部と、前記処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室に処理ガスを供給して前記加熱手段により加熱された基板を処理するガス供給手段とを備えることを特徴とする基板処理装置である。   According to a third aspect of the invention, there are provided at least three support columns provided substantially vertically, and a plurality of substrate mounting portions provided in multiple stages on the support columns for mounting a plurality of substrates substantially horizontally at a predetermined interval. A substrate holder capable of holding a plurality of substrates on the plurality of substrate platforms, a processing chamber for storing the substrate held by the substrate holder, and the substrate holder being accommodated in the processing chamber. A plurality of rings which are arranged in the processing chamber in advance and are provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to the substrate supported by the substrate platform when the substrate holder is accommodated in the processing chamber. A substrate processing apparatus comprising: a plate-shaped plate portion; heating means for heating the processing chamber; and gas supply means for supplying a processing gas to the processing chamber to process the substrate heated by the heating means. It is.

基板保持具が、少なくとも３本の支柱に多段に設けた基板載置部を有して、複数の基板を保持することが可能なものであるので、複数の基板を基板保持具に移載する時であっても、各基板は、基板移載機の移載精度や複数のリング状プレートによる制約を受けない。また、複数の基板を処理室で加熱する際、複数の基板が、複数のリング状プレートによる熱容量アップの影響を受けないようにすることができる。また、複数のリング状プレートを基板保持具と一つにすると、複数のリング状プレートは基板保持具に保持される複数の基板に対して所定の間隔で略水平に設けられることになるから、基板保持具が複数のリング状プレートと分離可能であっても、膜厚の面内均一性及び面間均一性を確保できる。   Since the substrate holder has substrate mounting portions provided in multiple stages on at least three columns and can hold a plurality of substrates, the plurality of substrates are transferred to the substrate holder. Even at times, each substrate is not limited by the transfer accuracy of the substrate transfer machine or the plurality of ring-shaped plates. Further, when the plurality of substrates are heated in the processing chamber, the plurality of substrates can be prevented from being affected by the increase in heat capacity due to the plurality of ring-shaped plates. Further, if the plurality of ring-shaped plates are combined with the substrate holder, the plurality of ring-shaped plates are provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to the plurality of substrates held by the substrate holder. Even if the substrate holder is separable from the plurality of ring-shaped plates, the in-plane uniformity and the inter-surface uniformity of the film thickness can be ensured.

第４の発明は、基板を略水平に保持することが可能な基板保持具と、前記基板保持具と分離可能であり、該基板保持具に保持される基板に対して所定の間隔で略水平に設けられるリング状プレートと、該基板保持具に保持される基板を収容する処理室と、前記処理室を加熱する加熱手段と、前記加熱手段により加熱された処理窒に処理ガスを供給して前記基板を処理するガス供給手段とを有する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記リング状プレートを基板保持具から分離して処理室内に配置する工程と、前記基板保持具に前記基板を移載する工程と、前記リング状プレートが配置された処理室内に前記基板保持具を収容してリング状プレートと一体にする工程と、前記加熱手段により前記基板を加熱する工程と、前記処理室に処理ガスを供給して前記加熱された基板を処理する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate holder capable of holding the substrate substantially horizontally and the substrate holder being separable, and substantially horizontal at a predetermined interval with respect to the substrate held by the substrate holder. A ring-shaped plate provided in the substrate, a processing chamber for storing the substrate held by the substrate holder, a heating means for heating the processing chamber, and a processing gas is supplied to the processing nitrogen heated by the heating means. A method of manufacturing a semiconductor device using a substrate processing apparatus having a gas supply means for processing the substrate, wherein the ring-shaped plate is separated from a substrate holder and placed in a processing chamber, and the substrate holder The step of transferring the substrate to the substrate, the step of accommodating the substrate holder in a processing chamber in which the ring-shaped plate is disposed and integrating it with the ring-shaped plate, and the step of heating the substrate by the heating means. The above A method of manufacturing a semiconductor device characterized by supplying a process gas into sense chamber and a step of processing the heated substrate.

リング状プレートを、基板保持具が処理室内に収容される前に予め処理室に配置するので、基板保持具が処理室内に収容される前に処理室で加熱しておくことができる。基板移載時は、リング状プレートの存在しない基板保持具に対して基板が移載されるので、基板移載機の移載精度やリング状プレートによる制約を受けない。基板移載の終了した基板保持具が、処理室内に収容された際に、既にリング状プレートは加熱されているので、基板が加熱される際、リング状プレートによる熱容量アップの影響を受けず、基板を保持した基板保持具だけが加熱されるため、ノーマルボートと同じ基板温度安定時間で基板処理に入ることができる。
また、予め処理室に配置されたリング状プレートは、基板保持具が処理室に収容された際に、基板保持具と一体になるが、そのときのリング状プレートと基板との間隔は、リング状プレート及び基板保持具の形状のみで決まるので、基板保持具に保持される基板に対するリング状プレートの間隔や略水平の精度を高いものとすることができる。したがって、処理室に処理ガスを供給して加熱された基板を処理すると、基板処理量の面内均一性が確保できる。 Since the ring-shaped plate is disposed in the processing chamber in advance before the substrate holder is accommodated in the processing chamber, it can be heated in the processing chamber before the substrate holder is accommodated in the processing chamber. At the time of substrate transfer, the substrate is transferred to a substrate holder that does not have a ring-shaped plate, so that there is no restriction due to the transfer accuracy of the substrate transfer machine or the ring-shaped plate. Since the ring-shaped plate is already heated when the substrate holder after the substrate transfer is accommodated in the processing chamber, when the substrate is heated, it is not affected by the heat capacity increase by the ring-shaped plate, Since only the substrate holder holding the substrate is heated, the substrate processing can be started in the same substrate temperature stabilization time as that of the normal boat.
In addition, the ring-shaped plate previously arranged in the processing chamber is integrated with the substrate holder when the substrate holder is accommodated in the processing chamber. The distance between the ring-shaped plate and the substrate at that time is the ring Since it is determined only by the shapes of the plate-shaped plate and the substrate holder, the distance between the ring-shaped plates relative to the substrate held by the substrate holder and the substantially horizontal accuracy can be increased. Accordingly, when a heated substrate is processed by supplying a processing gas to the processing chamber, in-plane uniformity of the substrate processing amount can be ensured.

本発明によれば、リング状プレートを基板保持具と分離可能にしたので、リング状プレートによる基板移載時の制約や熱容量アップの影響を受けず、膜厚の均一性を向上することができる。   According to the present invention, since the ring-shaped plate can be separated from the substrate holder, the uniformity of the film thickness can be improved without being affected by the restrictions at the time of substrate transfer by the ring-shaped plate and the increase in the heat capacity. .

以下に本発明の実施の形態を説明する。
図８は縦型処理炉を有する半導体製造装置の概略図であり、図９は縦型処理炉としての減圧ＣＶＤ処理炉の断面図である。図８に示すように、筐体１０内部の前側にカセットローダ６が位置し、カセットローダ６の後側にカセット棚１が設けられる。カセット棚１の上方にバッファカセット棚７が設けられ、カセット棚１の後側にウェハ移載機２が設けられる。ウェハ移載機２の後側に基板保持具（以下、ボート２１７）を昇降させるボートエレベータ８が設けられ、ボートエレベータ８の上方に縦型処理炉５が設けられる。 Embodiments of the present invention will be described below.
FIG. 8 is a schematic view of a semiconductor manufacturing apparatus having a vertical processing furnace, and FIG. 9 is a cross-sectional view of a low pressure CVD processing furnace as a vertical processing furnace. As shown in FIG. 8, the cassette loader 6 is located on the front side inside the housing 10, and the cassette shelf 1 is provided on the rear side of the cassette loader 6. A buffer cassette shelf 7 is provided above the cassette shelf 1, and a wafer transfer device 2 is provided behind the cassette shelf 1. A boat elevator 8 for raising and lowering a substrate holder (hereinafter referred to as a boat 217) is provided on the rear side of the wafer transfer device 2, and a vertical processing furnace 5 is provided above the boat elevator 8.

縦型処理炉５は、図９に示すように、外管（以下、アウタチューブ２０５）と内管（以下、インナチューブ２０４）とを有する。アウタチューブ２０５は例えば石英（ＳｉＯ2）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。インナチューブ２０４は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウタチューブ２０５内に同軸的に配置されている。アウタチューブ２０５とインナチューブ２０４の間の空間は筒状空間２５０を成す。インナチューブ２０４の上部開口から上昇したガスは、筒状空間２５０を通過して排気管２３１から排気されるようになっている。 As shown in FIG. 9, the vertical processing furnace 5 includes an outer tube (hereinafter, outer tube 205) and an inner tube (hereinafter, inner tube 204). The outer tube 205 is made of a heat-resistant material such as quartz (SiO 2 ), and has a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. The inner tube 204 has a cylindrical shape having openings at both ends of the upper end and the lower end, and is disposed coaxially in the outer tube 205. A space between the outer tube 205 and the inner tube 204 forms a cylindrical space 250. The gas rising from the upper opening of the inner tube 204 passes through the cylindrical space 250 and is exhausted from the exhaust pipe 231.

アウタチューブ２０５およびインナチューブ２０４の下端には、例えばステンレス等よりなる炉口フランジ２０９が係合され、この炉口フランジ２０９にアウタチューブ２０５およびインナチューブ２０４が保持されている。この炉口フランジ２０９は保持手段（以下ヒータベース２５１）に固定される。アウタチューブ２０５の下端部および炉口フランジ２０９の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材（以下、Ｏリング２２０）が配置され、両者の間が気密にシールされている。   A furnace port flange 209 made of, for example, stainless steel is engaged with lower ends of the outer tube 205 and the inner tube 204, and the outer tube 205 and the inner tube 204 are held by the furnace port flange 209. The furnace port flange 209 is fixed to a holding means (hereinafter referred to as a heater base 251). An annular flange is provided at each of the lower end portion of the outer tube 205 and the upper opening end portion of the furnace port flange 209, and an airtight member (hereinafter referred to as an O-ring 220) is disposed between these flanges. Airtightly sealed.

炉口フランジ２０９の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤状の蓋体（以下シールキャップ２１９）がＯリング２２０を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。シールキャップ２１９には、ガス供給手段としてのガス供給管２３２が貫通するよう設けられている。このガス供給管２３２により、処理ガスがインナチューブ２０４内に供給されるようになっている。このガス供給管２３２はガスの流量制御手段（以下マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１）に連結されており、ＭＦＣ２４１は第２の制御用コンピュータ１２０のガス流量制御部１２２に接続されており、供給する処理ガスの流量を所定の量に制御し得る。   A disc-shaped lid (hereinafter referred to as a seal cap 219) made of, for example, stainless steel is detachably attached to the opening at the lower end of the furnace port flange 209 through an O-ring 220 so as to be hermetically sealed. The seal cap 219 is provided with a gas supply pipe 232 as a gas supply means therethrough. By this gas supply pipe 232, the processing gas is supplied into the inner tube 204. This gas supply pipe 232 is connected to a gas flow rate control means (hereinafter referred to as a mass flow controller (MFC) 241), and the MFC 241 is connected to the gas flow rate control unit 122 of the second control computer 120 to supply processing. The flow rate of the gas can be controlled to a predetermined amount.

炉口フランジ２０９の上部には、圧力調節器（例えばＡＰＣ、Ｎ2バラスト制御器があり、以下ここではＡＰＣ２４２とする）及び、排気装置（以下真空ポンプ２４６）に連結されたガスの排気管２３１が接続されており、アウタチューブ２０５とインナチューブ２０４との間の筒状空間２５０を流れるガスを排出し、アウタチューブ２０５内をＡＰＣ２４２により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段（以下圧力センサ２４５）により検出し、第２の制御用コンピュータ１２０の圧力制御部１２３により制御する。 Above the furnace port flange 209 is a pressure regulator (for example, an APC, N 2 ballast controller, hereinafter referred to as APC 242) and a gas exhaust pipe 231 connected to an exhaust device (hereinafter referred to as a vacuum pump 246). Are connected, and the gas flowing through the cylindrical space 250 between the outer tube 205 and the inner tube 204 is discharged, and the pressure inside the outer tube 205 is controlled by the APC 242 to create a reduced pressure atmosphere of a predetermined pressure. The pressure is detected by the pressure detecting means (hereinafter referred to as pressure sensor 245) and controlled by the pressure control unit 123 of the second control computer 120.

シールキャップ２１９には、回転手段（以下回転軸２５４）が連結されており、回転軸２５４により、ボート２１７及びボート２１７上に保持されているウェハ２００を回転させる。このボート２１７には、ウェハ２００の周縁部の膜厚が厚くなるのを抑制するリング状プレートが設けられている。
また、シールキャップ２１９は昇降手段（以下ボートエレベータ２２５）に連結されていて、ボート２１７を昇降させる。回転軸２５４、及びボートエレベータ２２５を所定のスピードにするように、第２の制御用コンピュータ１２０の駆動制御部１２４により制御する。 The seal cap 219 is connected to a rotating means (hereinafter referred to as a rotating shaft 254), and the boat 217 and the wafer 200 held on the boat 217 are rotated by the rotating shaft 254. The boat 217 is provided with a ring-shaped plate that suppresses an increase in film thickness at the peripheral edge of the wafer 200.
Further, the seal cap 219 is connected to an elevating means (hereinafter referred to as a boat elevator 225) and elevates the boat 217. Control is performed by the drive control unit 124 of the second control computer 120 so that the rotating shaft 254 and the boat elevator 225 have a predetermined speed.

アウタチューブ２０５の外周には加熱手段（以下ヒータ２０７）が同軸的に配置されている。ヒータ２０７は、アウタチューブ２０５内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段（以下熱電対２６３）により温度を検出し、第２の制御用コンピュータ１２０の温度制御部１２１により制御する。前述したインナチューブ２０４、アウタチューブ２０５と、炉口フランジ２０９とで、ボート２１７に支持されたウェハ２００を収納して処理するための処理室２０１を構成する。   A heating means (hereinafter referred to as a heater 207) is coaxially disposed on the outer periphery of the outer tube 205. The heater 207 detects the temperature by temperature detection means (hereinafter, thermocouple 263) so that the temperature in the outer tube 205 becomes a predetermined processing temperature, and controls the temperature control unit 121 of the second control computer 120. The inner tube 204, the outer tube 205, and the furnace port flange 209 described above constitute a processing chamber 201 for storing and processing the wafers 200 supported by the boat 217.

上述した第２の制御用コンピュータ１２０は、第１の制御用コンピュータ１１０によって統括制御される。第１の制御用コンピュータ１１０と第２の制御用コンピュータ１２０とは、それぞれのインタフェース１１１、１２５を介して接続される。   The second control computer 120 described above is centrally controlled by the first control computer 110. The first control computer 110 and the second control computer 120 are connected via respective interfaces 111 and 125.

図９に示した処理炉による減圧ＣＶＤ処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ２２５によりボート２１７を下降させる。ボート２１７に複数枚のウェハ２００をチャージする。次いで、ヒータ２０７により加熱しながら、処理室２０１内の温度を所定の処理温度にする。ガス供給管２３２に接続されたＭＦＣ２４１により予め処理室２０１内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ２２５により、ボート２１７を上昇させて処理室２０１内に移し、処理室２０１の内部温度を所定の処理温度に維持する。処理室２０１内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸２５４により、ボート２１７及びボート２１７上に保持されているウェハ２００を回転させる。同時にガス供給管２３２から処理用のガスを供給する。供給された処理ガスは、インナチューブ２０４内を下から上に向かって流れて、ウェハ２００に対して均等に供給される。   An example of the low pressure CVD processing method using the processing furnace shown in FIG. 9 will be described. First, the boat 217 is lowered by the boat elevator 225. The boat 217 is charged with a plurality of wafers 200. Next, the temperature in the processing chamber 201 is set to a predetermined processing temperature while being heated by the heater 207. The inside of the processing chamber 201 is filled with an inert gas in advance by the MFC 241 connected to the gas supply pipe 232, and the boat 217 is raised and moved into the processing chamber 201 by the boat elevator 225, and the internal temperature of the processing chamber 201 is changed. Maintain a predetermined processing temperature. After the processing chamber 201 is evacuated to a predetermined vacuum state, the boat 217 and the wafer 200 held on the boat 217 are rotated by the rotating shaft 254. At the same time, a processing gas is supplied from the gas supply pipe 232. The supplied processing gas flows through the inner tube 204 from the bottom to the top, and is evenly supplied to the wafer 200.

減圧ＣＶＤ処理中の処理室２０１内は、排気管２３１を介して排気され、所定の真空になるようＡＰＣ２４２により圧力が制御され、所定時間減圧ＣＶＤ処理を行って、ウェハ２００上に薄膜を形成する。   The inside of the processing chamber 201 during the low pressure CVD process is exhausted through the exhaust pipe 231, the pressure is controlled by the APC 242 so as to be a predetermined vacuum, and the low pressure CVD process is performed for a predetermined time to form a thin film on the wafer 200. .

このようにして減圧ＣＶＤ処理が終了すると、次のウェハ２００の減圧ＣＶＤ処理に移るべく、処理室２０１内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ２２５によりボート２１７を下降させて、ボート２１７及び処理済のウェハ２００を処理室２０１から取り出す。処理室２０１から取り出されたボート２１７上の処理済のウェハ２００はディスチャージされて、未処理のウェハ２００と交換され、再度前述同様にして処理室２０１内に上昇され、減圧ＣＶＤ処理がなされる。   When the low-pressure CVD process is completed in this way, the gas in the processing chamber 201 is replaced with an inert gas and the pressure is set to normal pressure, and then the boat elevator 225 moves to the next wafer 200 for the low-pressure CVD process. The boat 217 is lowered, and the boat 217 and the processed wafer 200 are taken out from the processing chamber 201. The processed wafers 200 on the boat 217 taken out from the processing chamber 201 are discharged and replaced with unprocessed wafers 200, and are again raised into the processing chamber 201 in the same manner as described above, and a low pressure CVD process is performed.

ところで、上述した減圧ＣＶＤ処理装置において、ボートに対するウェハ移載時、ウェハ移載機の移載精度やリング状プレートによる制約を受けず、またウェハ加熱時、リング状プレートによる熱容量アップの影響を受けないようにする必要がある。
そのために、本実施の形態では、リング状プレートをボートから分離可能としたボート構成とする。ウェハ移載時、ボートからリング状プレートを分離して、ボートのウェハ載置部を従来のノーマルボートと同様の使い勝手として、ウェハ移載機の移載精度やリング状プレートによる制約を受けないようにする。また、ウェハ加熱時は、リング状プレートをボートと一体化するようにして、ボートがリング状プレートの機能をもつようにする。そして、リング状プレートを常時処理室内に配置するようにして、ヒータ加熱時に、熱容量アップの影響を受けないようにしたものである By the way, in the above-described reduced pressure CVD processing apparatus, when transferring a wafer to a boat, there is no restriction due to the transfer accuracy of the wafer transfer machine or the ring-shaped plate, and when the wafer is heated, it is affected by the heat capacity increase due to the ring-shaped plate. It is necessary not to.
Therefore, in this embodiment, a boat configuration is adopted in which the ring-shaped plate is separable from the boat. At the time of wafer transfer, the ring-shaped plate is separated from the boat, and the wafer mounting part of the boat is used in the same way as a normal boat so that the transfer accuracy of the wafer transfer machine and the restrictions due to the ring-shaped plate are not affected. To. Further, when the wafer is heated, the ring-shaped plate is integrated with the boat so that the boat functions as a ring-shaped plate. The ring plate is always arranged in the processing chamber so that it is not affected by the increase in heat capacity when the heater is heated.

次に、図１を用いて、改善したリングボートを具体的に説明する。
図１は、リング状プレートが基板保持具と分離可能であるリングボートの分解斜視図であって、図１（ａ）は処理炉に対するリング状プレート及び基板保持具の説明図であり、図１（ｂ）はリング状プレートを基板保持具に装着しつつある説明図である。
ここでは、基板保持具をボート部３００といい、基板保持具と分離可能なリング状プレート４１３の積載体をリング部４００といい、さらにボート部３００にリング部４００が搭載されて一体になったボート構成をリングボート２１７という。 Next, the improved ring boat will be specifically described with reference to FIG.
1 is an exploded perspective view of a ring boat in which the ring-shaped plate is separable from the substrate holder, and FIG. 1A is an explanatory view of the ring-shaped plate and the substrate holder for the processing furnace. (B) is explanatory drawing which is mounting | wearing the board | substrate holder with the ring-shaped plate.
Here, the substrate holder is referred to as the boat unit 300, the loaded body of the ring-shaped plate 413 that is separable from the substrate holder is referred to as the ring unit 400, and the ring unit 400 is mounted on and integrated with the boat unit 300. The boat configuration is referred to as a ring boat 217.

図１（ａ）に示すように、処理炉５は、ボート部３００に保持される複数のウェハを収容する処理室２０１を内部に形成した反応管２１０と、反応管２１０の外周に設けられて処理室２０１を加熱して内部のウェハを加熱するヒータ２０７とから主に構成される。また、反応管２１０の下部開口に炉口フランジ２０９が設けられる。炉口フランジ２０９には、ヒータ２０７により加熱された処理室２０１内に処理ガスを供給してウェハを成膜処理するガス供給手段としてのガス供給管２３２と、反応管２１０内を排気する排気手段としての排気管２３１が設けられる。なお、ガス供給管２３２は、図９では、シールキャップ２１９を貫通するように設けたが、ここでは、炉口フランジ２０９に設けた場合を例示している。炉口フランジ２０９の下部開口が、ボート部３００を反応管２１０内にボートアップ／ボートダウンする炉口２１５を構成する。炉口フランジ２０９内には、後述するリングホルダ２１３（図２参照）が設けられ、リングホルダ上にリング部４００を保持して反応管２１０内に配置できるようになっている。   As shown in FIG. 1A, the processing furnace 5 is provided on the outer periphery of the reaction tube 210 and a reaction tube 210 in which a processing chamber 201 that accommodates a plurality of wafers held in the boat unit 300 is formed. It is mainly composed of a heater 207 that heats the processing chamber 201 to heat the internal wafer. A furnace port flange 209 is provided at the lower opening of the reaction tube 210. The furnace port flange 209 includes a gas supply pipe 232 as a gas supply means for supplying a processing gas into the processing chamber 201 heated by the heater 207 to form a wafer, and an exhaust means for exhausting the reaction tube 210. As an exhaust pipe 231 is provided. In FIG. 9, the gas supply pipe 232 is provided so as to penetrate the seal cap 219, but here, a case where the gas supply pipe 232 is provided in the furnace port flange 209 is illustrated. A lower opening of the furnace port flange 209 constitutes a furnace port 215 for boat-up / boat-down of the boat unit 300 into the reaction tube 210. A ring holder 213 (see FIG. 2), which will be described later, is provided in the furnace port flange 209 so that the ring portion 400 can be held on the ring holder and placed in the reaction tube 210.

ボート部３００は、複数枚のウェハを略水平に保持することが可能であり、複数のウェハを保持する複数のウェハ載置部３１６を設けた３本のボート部支柱３１５と、これらのボート部支柱３１５を支えるボート部下板３１７とボート部上板３１１とから構成される。ボート部３００は、ホルダプレートやリング状プレートを備えていない従来のノーマルボートと基本的に同じ構成をしている。なお、ウェハ載置部３１６は、ボート部支柱３１５に溝状に凹設することによって形成したものでもよいが、ボート部支柱３１５から突設して形成したものが好ましい。   The boat unit 300 is capable of holding a plurality of wafers substantially horizontally, and includes three boat unit columns 315 provided with a plurality of wafer placement units 316 that hold a plurality of wafers, and these boat units. The boat unit lower plate 317 and the boat unit upper plate 311 that support the column 315 are configured. The boat unit 300 has basically the same configuration as a conventional normal boat that does not include a holder plate or a ring-shaped plate. The wafer placement portion 316 may be formed by recessing the boat portion support column 315 in a groove shape, but is preferably formed protruding from the boat portion support column 315.

リング部４００は、ボート部３００に保持される各ウェハに対して所定の間隔で略水平に設けられる複数のリング状プレート４１３の積層体から構成される。図１（ｂ）に示すように、これらのリング状プレート４１３は、ボートアップする途中で、リング部４００をボート部３００と一体とすることによって、ボート部３００と一体となる。また、これらのリング状プレート４１３は、ボートダウンする途中で、リング部４００をボート部３００から分離可能とすることによって、ボート部３００と分離可能となる。   The ring unit 400 is configured by a stacked body of a plurality of ring-shaped plates 413 provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to each wafer held by the boat unit 300. As shown in FIG. 1B, these ring-shaped plates 413 are integrated with the boat unit 300 by integrating the ring unit 400 with the boat unit 300 in the middle of boating up. Further, these ring-shaped plates 413 can be separated from the boat portion 300 by making the ring portion 400 separable from the boat portion 300 in the middle of boating down.

上述した構成における作用を説明する。当初、リング部４００とボート部３００とが一体になったリング状プレート４１３は、処理室２０１内に搬入されている。
リング部４００とボート部３００とが一体になったリングボート２１７を処理室２０１からボートダウンさせると、その途中で、リング部４００がボート部３００から分離して、リングホルダ上に搭載される。その結果、リング状プレート４１３が処理室２０１に配置される。 The operation of the above configuration will be described. Initially, the ring-shaped plate 413 in which the ring unit 400 and the boat unit 300 are integrated is carried into the processing chamber 201.
When the ring boat 217 in which the ring unit 400 and the boat unit 300 are integrated is lowered from the processing chamber 201, the ring unit 400 is separated from the boat unit 300 and mounted on the ring holder. As a result, the ring-shaped plate 413 is disposed in the processing chamber 201.

その後、ボート部３００のみが処理室２０１の外へ搬出される。搬出されたボート部３００から処理済みの複数のウェハを、ウェハ移載機２（図８参照）を使って、常温下で、ディスチャージし、処理前の複数のウェハをボート部３００にチャージする。
このウェハチャージ時、ボート部３００からはリング部４００が分離されており、ボート部３００のボート部支柱３１５に設けた上下のウェハ載置部３１６間には、リング状プレート４１３が存在しないので、ウェハチャージ時、ウェハ移載機の移載精度やリング部４００を構成するリング状プレート４１３とのギヤツプによる制約を受けない。したがって、リングボート２１７の狭ピッチ化、及びウェハ移載機へのティーチングが容易となる。 Thereafter, only the boat unit 300 is carried out of the processing chamber 201. A plurality of processed wafers are discharged from the unloaded boat unit 300 at room temperature using the wafer transfer device 2 (see FIG. 8), and a plurality of wafers before processing are charged into the boat unit 300.
At the time of this wafer charge, the ring unit 400 is separated from the boat unit 300, and the ring-shaped plate 413 does not exist between the upper and lower wafer mounting units 316 provided on the boat unit column 315 of the boat unit 300. At the time of wafer charging, there are no restrictions due to the transfer accuracy of the wafer transfer machine or the gap with the ring-shaped plate 413 constituting the ring unit 400. Accordingly, the pitch of the ring boat 217 and the teaching to the wafer transfer machine are facilitated.

この間、すなわちウェハがチャージされたボート部３００が処理室２０１内に収容される前までに、処理室２０１に配置されているリング部４００はヒータ２０７で所定の温度に加熱されるので、処理室２０１の温度は安定化される。   During this time, that is, before the boat unit 300 charged with wafers is accommodated in the processing chamber 201, the ring unit 400 disposed in the processing chamber 201 is heated to a predetermined temperature by the heater 207. The temperature of 201 is stabilized.

ウェハチャージ後、ボート部３００をボートアップすると、リング状プレート４１３が配置された処理室２０１内にボート部３００を収容されるが、その収容途中で、、ボート部３００はリング部４００をすくい上げて、リング部４００と一体になる。すなわち、ボート部３００のすくい上げにより、リング部４００はリングホルダからはずされて、ボート部３００上の所定位置に搭載される。その結果、ボート部３００はリング状プレート４１３と一体となったリングボート２１７が構成される。このとき、リング部４００を構成する複数のリング状プレート４１３は、ボート部３００に保持される各ウェハに対して所定の間隔で略水平に設定される。   After the wafer charge, when the boat unit 300 is lifted up, the boat unit 300 is accommodated in the processing chamber 201 in which the ring-shaped plate 413 is arranged. During the accommodation, the boat unit 300 scoops up the ring unit 400. , Integrated with the ring part 400. That is, by scooping up the boat unit 300, the ring unit 400 is removed from the ring holder and mounted at a predetermined position on the boat unit 300. As a result, the boat unit 300 is configured as a ring boat 217 integrated with the ring-shaped plate 413. At this time, the plurality of ring-shaped plates 413 constituting the ring unit 400 are set substantially horizontally at a predetermined interval with respect to each wafer held in the boat unit 300.

ここで、ボート部３００に保持される各ウェハに対するリング状プレート４１３の設定精度は、リング部４００とボート部３００との形状が決まれば、高精度に保持できる。例えばボート部３００のボート部下板３１７で、リング部４００の下部を水平姿勢で安定にすくい上げるようにすると、ボート部３００のボート部下板３１７からの各リング状プレート４１３までの距離が決定されるので、各ウェハに対するリング状プレート４１３の設定精度は常に高精度を保持することができる。   Here, the setting accuracy of the ring-shaped plate 413 for each wafer held in the boat unit 300 can be held with high accuracy if the shapes of the ring unit 400 and the boat unit 300 are determined. For example, if the lower part of the ring part 400 is stably scooped up in a horizontal posture with the boat part lower plate 317 of the boat part 300, the distance from the boat part lower plate 317 of the boat part 300 to each ring plate 413 is determined. The setting accuracy of the ring-shaped plate 413 for each wafer can always maintain high accuracy.

リングボート２１７に保持された複数のウェハは、ヒータ２０７で所定の温度に加熱される。このとき、リング部４００は予め処理室２０１内で加熱されているので、新たに処理室２０１内に収容されたボート部３００のみが主に加熱される。したがって、従来のようにリング状プレートが一体的に取り付けられたボートを、まるごと処理室２０１内で加熱する場合と比べて加熱する熱容量はアップせず、ウェハが保持されたボート部３００のみを加熱すれば良いので、ウェハを処理温度にまで加熱する時間を大幅に短縮できる。すなわち、ノーマルボートと同じウェハ温度安定時間で成膜に入ることができる。   The plurality of wafers held on the ring boat 217 are heated to a predetermined temperature by the heater 207. At this time, since the ring unit 400 is heated in the processing chamber 201 in advance, only the boat unit 300 newly accommodated in the processing chamber 201 is mainly heated. Therefore, compared with the conventional case where the boat with the ring-shaped plate integrally attached is heated in the processing chamber 201 as a whole, the heat capacity for heating is not increased, and only the boat portion 300 holding the wafer is heated. Therefore, the time for heating the wafer to the processing temperature can be greatly shortened. That is, the film formation can be started with the same wafer temperature stabilization time as that of the normal boat.

ウェハ温度安定化後、ガス供給管２３２から処理室２０１に処理ガスを供給しつつ排気管２３１から排気して、加熱されたウェハを成膜処理する。このとき、ボート部３００に保持されている各ウェハに対して、リング状プレート４１３が所定の間隔で略水平に設けられているので、成膜速度をあげながら膜厚均一性を向上することができる。   After the wafer temperature is stabilized, the processing gas is exhausted from the exhaust pipe 231 while supplying the processing gas from the gas supply pipe 232 to the processing chamber 201, and the heated wafer is subjected to film formation. At this time, since the ring-shaped plate 413 is provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to each wafer held in the boat unit 300, the film thickness uniformity can be improved while increasing the film forming speed. it can.

次に図２及び図３を用いて、ボート部によるリング部の残置動作（配置動作）、及びボート部によるリング部のすくい上げ動作を詳しく説明する。図２はボートアンロード時の説明図、図３はボートロード時の説明図である。   Next, using FIG. 2 and FIG. 3, the ring portion remaining operation (arrangement operation) by the boat portion and the ring portion scooping operation by the boat portion will be described in detail. FIG. 2 is an explanatory diagram when the boat is unloaded, and FIG. 3 is an explanatory diagram when the boat is loaded.

図２において、反応管２１０は、アウタチューブ２０５とインナチューブ２０４との二重管構造をしている。アウタチューブ２０５の内部にインナチューブ２０４が同心状に配置され、アウタチューブ２０５及びインナチューブ２０４は炉口フランジ２０９上に立設されている。インナチューブ２０４の内部にリング部４００が同心円状に配置される。リング部４００には、膜厚均一化のためのリング状プレート４１３が複数積層されている。   In FIG. 2, the reaction tube 210 has a double tube structure of an outer tube 205 and an inner tube 204. An inner tube 204 is disposed concentrically inside the outer tube 205, and the outer tube 205 and the inner tube 204 are erected on the furnace port flange 209. The ring portion 400 is concentrically disposed inside the inner tube 204. A plurality of ring-shaped plates 413 for making the film thickness uniform are stacked on the ring part 400.

ボート部３００と分離可能なリング部４００は、円筒形をしたリングホルダ２１３上に垂直に保持されている。リングホルダ２１３は、円筒の下部開口端に設けたフランジを、炉口２１５の内周縁と連結することによって、炉口フランジ２０９に固定している。また、リングホルダ２１３の円筒の上部開口端面に、端面より一段低くなったリング状の段差部が確保され、その段差部にリング部４００の下端を係止することによって、リング部４００を処理室２０１内に配置できるようになっている。   The boat part 300 and the separable ring part 400 are vertically held on a cylindrical ring holder 213. The ring holder 213 is fixed to the furnace port flange 209 by connecting a flange provided at the lower opening end of the cylinder to the inner periphery of the furnace port 215. In addition, a ring-shaped stepped portion that is one step lower than the end surface is secured on the upper opening end surface of the cylinder of the ring holder 213, and the lower end of the ring portion 400 is locked to the stepped portion, whereby the ring portion 400 is placed in the processing chamber. It can be arranged in 201.

リング部４００は、処理室２０１内に配置されているため、ボート部３００を収容するまでの間、ヒータ加熱により温度安定状態としておくことができる。したがって、複数のウェハを保持したボート部３００を処理室２０１内に収容した後、複数のウェハを加熱して温度安定状態とするに際して、従来のリングボートと異なり、ノーマルボートと同じで、リング状プレート分の熱容量アップがないため、昇温レートを向上することができる。したがって、ウェハ温度安定時間を短縮できる。例えば、従来のリングボートを用いると温度安定化に５０分要していたが、実施の形態によるリング部３００を用いると、温度安定化時間をノーマルボートと同じ４５分に短縮することができた。   Since the ring unit 400 is disposed in the processing chamber 201, the temperature can be kept stable by heating the heater until the boat unit 300 is accommodated. Therefore, when the boat unit 300 holding a plurality of wafers is accommodated in the processing chamber 201 and then the plurality of wafers are heated to be in a temperature stable state, unlike the conventional ring boat, Since there is no increase in the heat capacity for the plate, the rate of temperature increase can be improved. Therefore, the wafer temperature stabilization time can be shortened. For example, if a conventional ring boat is used, it takes 50 minutes to stabilize the temperature, but if the ring unit 300 according to the embodiment is used, the temperature stabilization time can be reduced to 45 minutes, which is the same as that of a normal boat. .

ボート部３００は、炉口２１５を塞ぐシールキャップ２１９上に立設される。ボート部３００は、ノーマルボートと同じ形状をしており、ボート部下板３１７とボート部上板（図示省略）と、これらの間に略垂直に設けられた複数本のボート部支柱３１５とを有する。複数本のボート部支柱３１５には、複数のウェハ２００を垂直方向に所定の間隔で略水平に載置することが可能な複数のウェハ載置部３１６が多段に突設されている。この突設された各段のウェハ載置部１６上にウェハ外周を載置させることにより、ボート部３００にウェハ２００を略水平に保持することが可能になっている。   The boat unit 300 is erected on a seal cap 219 that closes the furnace port 215. The boat unit 300 has the same shape as a normal boat, and includes a boat unit lower plate 317, a boat unit upper plate (not shown), and a plurality of boat unit columns 315 provided substantially vertically therebetween. . On the plurality of boat support columns 315, a plurality of wafer mounting portions 316 capable of mounting a plurality of wafers 200 at a predetermined interval in the vertical direction are provided in multiple stages. By placing the outer periphery of the wafer on the protruding wafer mounting portions 16, the wafer 200 can be held substantially horizontally on the boat portion 300.

ここで、上述したリング部４００の内径Ａ1，外径Ａ2、リングホルダ２１３の円筒内径Ｂ1，外径Ｂ2、及びボート部下板３１７の外径Ｃの大小関係は、
Ｂ1＞Ｃ＞Ａ1
Ｂ2＞Ａ2
となるように設定して、リング部４００の口径を、リングホルダ２１３の口径とボート部３００の口径との中間の大きさにする。これによって、リングホルダ２１３は、ボート部３００およびボート部３００に保持されたウェハ２００を通過させるが、ボート部３００に搭載されたリング部４００を通過させずに保持できるようになっている。 Here, the magnitude relationship among the above-described inner diameter A 1 and outer diameter A 2 of the ring portion 400, cylindrical inner diameter B 1 and outer diameter B 2 of the ring holder 213, and outer diameter C of the boat portion lower plate 317 is as follows.
B 1 >C> A 1
B 2 > A 2
The diameter of the ring part 400 is set to an intermediate size between the diameter of the ring holder 213 and the diameter of the boat part 300. As a result, the ring holder 213 allows the boat unit 300 and the wafer 200 held by the boat unit 300 to pass through, but can hold the ring unit 400 without passing the ring unit 400 mounted on the boat unit 300.

リング部４００を分離することが可能なリングボート２１７を、処理室２０１からボートダウンさせると、その動作の途中で、ボート部下板３１７の外周保持部に保持されることによりボート部３００に搭載されていたリング部４００が、リングホルダ２１３に補足されて、ボート部３００から分離し、リングホルダ２１３上に保持される。したがって、ボート部３００のみが処理室２０１から搬出され、リング部４００は、図２に示すように、処理室２０１内に残置（配置）される。   When the ring boat 217 capable of separating the ring part 400 is taken down from the processing chamber 201, it is mounted on the boat part 300 by being held by the outer periphery holding part of the boat part lower plate 317 during the operation. The ring portion 400 that has been added is supplemented by the ring holder 213, separated from the boat portion 300, and held on the ring holder 213. Therefore, only the boat unit 300 is unloaded from the processing chamber 201, and the ring unit 400 is left (arranged) in the processing chamber 201 as shown in FIG.

図３は、リング部４００がボート部３００によって、まさにすくい上げられようとしている動作途中の説明図であって、（ａ）は処理炉の概略平断面図、（ｂ）は処理炉の縦断面図である。
図３（ａ）に示すように、リング部４００を構成するリング状プレート４１３内に納まるボート部３００は、円周上に所定間隔を開けて並べた３本のボート部支柱３１５が立設されて構成される。各ボート部支柱３１５には、ウェハ２００を支持するためのウェハ載置部３１６が径方向内方に突設されている。ウェハ載置部３１６は、ボート部支柱３１５の長さ方向に沿って多段に設けられている（図３（ｂ））。 FIG. 3 is an explanatory view in the middle of an operation in which the ring unit 400 is about to be scooped up by the boat unit 300, where (a) is a schematic plan sectional view of the processing furnace, and (b) is a longitudinal sectional view of the processing furnace. It is.
As shown in FIG. 3 (a), the boat portion 300 that is accommodated in the ring-shaped plate 413 constituting the ring portion 400 is provided with three boat portion support columns 315 arranged on the circumference at predetermined intervals. Configured. Each boat support column 315 is provided with a wafer placement portion 316 for supporting the wafer 200 in a radially inward direction. The wafer placement units 316 are provided in multiple stages along the length direction of the boat column 315 (FIG. 3B).

リング状プレート４１３の内径は、リング状プレート４１３の中央開口内にウェハ２００を位置させるために、ウェハ載置部３１６によって支持されるウェハ２００の径よりは大きく、また、ボート部支柱３１５の影響を低減するために、ボート部支柱３１５が並べられる円の直径よりは小さくなるように設定されている。したがって、リング状プレート４１３のリング幅内にボート部支柱３１５が食い込むことになる。そこで、ボート部３００へのリング部４００の搭載、ボート部３００からリング部４００の離脱時に、ボート部３００とリング部４００との干渉を避けるため、リング状プレート４１３の内周の３本のボート部支柱３１５に対応する箇所に、ボート部支柱逃げ用の切欠き４２０を形成してある。   The inner diameter of the ring-shaped plate 413 is larger than the diameter of the wafer 200 supported by the wafer mounting unit 316 in order to position the wafer 200 in the central opening of the ring-shaped plate 413, and the influence of the boat unit column 315. Is set to be smaller than the diameter of the circle in which the boat support columns 315 are arranged. Accordingly, the boat support column 315 bites into the ring width of the ring-shaped plate 413. Therefore, in order to avoid interference between the boat part 300 and the ring part 400 when the ring part 400 is mounted on the boat part 300 and when the ring part 400 is detached from the boat part 300, three boats on the inner periphery of the ring-shaped plate 413 are used. A notch 420 for escaping the boat support column is formed at a location corresponding to the support column 315.

ボートエレベータ８（図８参照）により、複数のウェハ２００が保持されたボート部３００を、ボートアップして処理室２０１内に搬入すると、図３（ｂ）に示すように、搬入動作の途中で、リング部４００はボート部３００にすくい上げられる。ボート部３００がリング部４００をすくい上げることが可能な条件は、炉口フランジ２０９の炉口端面とシールキャップ２１９の上端面との距離をΔＴとし、ボート部下板３１７の保持端面とリング部下板４３１の端面との距離をΔＴ'とした場合、
ΔＴ＞ΔＴ'
を満たすときである。この条件を満たせば、シールキャップ２１９で炉口２１５が密閉されたときには、ボート部３００によってリング部４００は既にすくい上げられていることになる。ボート部３００にすくい上げられたリング部４００は、図示しないボート回転機構によりボート部３００とともに回転する。回転速度を例示すれば１ｒｐｍである。 When the boat unit 300 holding the plurality of wafers 200 is lifted up and loaded into the processing chamber 201 by the boat elevator 8 (see FIG. 8), as shown in FIG. The ring part 400 is scooped up by the boat part 300. The conditions under which the boat unit 300 can scoop up the ring unit 400 are that the distance between the furnace port end surface of the furnace port flange 209 and the upper end surface of the seal cap 219 is ΔT, the holding end surface of the boat unit lower plate 317 and the ring unit lower plate 431. When the distance from the end face of ΔT ′ is
ΔT> ΔT '
It is time to satisfy. If this condition is satisfied, when the furnace port 215 is sealed with the seal cap 219, the ring part 400 has already been scooped up by the boat part 300. The ring part 400 scooped up by the boat part 300 rotates together with the boat part 300 by a boat rotation mechanism (not shown). For example, the rotation speed is 1 rpm.

このように、ボート部３００によるリング部４００のすくい上げ動作により、リング部４００はボート部３００と一体化され、リング状プレート付きのリングボート２１７が構成される。このとき、リング状プレート４１３はボート部３００に保持される複数のウェハ２００に対して所定の間隔で略水平に設けられる。
このリングボート２１７は、ウェハ載置部３１６を、リング状プレート４１３にではなく、ボート部支柱３１５に設けることによって、ウェハ２００の膜厚に及ぶ悪影響の２種類の要因であるボート部支柱３１５とウェハ載置部３１６とを１つにまとめたので、ウェハ２００の膜厚への悪影響を低減することができる。また、ボート部支柱部分のリング状プレート４１３の内周面を切り欠くようにしたので、ボート部支柱３１５及びウェハ載置部３１６の有る部分において、ガス流のボート部支柱３１５及びウェハ載置部３１６の影響が抑制されて、ウェハ載置部３１６及びボート部支柱３１５の無い部分と同様な均一な膜厚をウェハ２００上に得ることができる。 Thus, by the scooping operation of the ring part 400 by the boat part 300, the ring part 400 is integrated with the boat part 300 to form a ring boat 217 with a ring-shaped plate. At this time, the ring-shaped plate 413 is provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to the plurality of wafers 200 held by the boat unit 300.
In this ring boat 217, the wafer placement portion 316 is provided not on the ring-shaped plate 413 but on the boat portion support 315, so that the boat support strut 315, which is an adverse effect on the film thickness of the wafer 200, Since the wafer mounting unit 316 is integrated into one, the adverse effect on the film thickness of the wafer 200 can be reduced. In addition, since the inner peripheral surface of the ring-shaped plate 413 of the boat support column portion is cut out, the boat flow column 315 and the wafer mounting portion of the gas flow are provided in the portion where the boat support column 315 and the wafer mounting portion 316 are present. The influence of 316 is suppressed, and a uniform film thickness similar to that of the portion without the wafer placement portion 316 and the boat portion support 315 can be obtained on the wafer 200.

次に、ウェハ載置部３１６回りの構成を図４及び図５を用いて詳細に説明し、さらに図６を用いて成膜時の処理ガスの流れを説明する。
図４は、上述したウェハ載置部３１６近傍のボート部支柱３１５周りを示した斜視図である。既述したようにボート部支柱３１５に円柱状のウェハ載置部３１６を突設している。ここでは、ボート部支柱３１５とは別体のウェハ載置部３１６をボート部支柱３１５に固着することによって、ボート部支柱３１５にウェハ載置部３１６を突設している。リング状プレート４１３は、ボート部支柱３１５のウェハ載置部３１６の設置箇所よりも下方に設置され、ウェハ載置部３１６に保持されるウェハに対して所定の間隔で略水平に設けられる。 Next, the configuration around the wafer mounting portion 316 will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5, and the flow of the processing gas during film formation will be described with reference to FIG.
FIG. 4 is a perspective view showing the periphery of the boat unit column 315 near the wafer mounting unit 316 described above. As described above, the columnar wafer mounting portion 316 is projected from the boat portion support column 315. Here, the wafer placement unit 316 is provided on the boat unit support column 315 by projecting the wafer support unit 316 separate from the boat unit support column 315 to the boat unit support column 315. The ring-shaped plate 413 is installed below the installation position of the wafer mounting unit 316 of the boat column 315 and is provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to the wafer held by the wafer mounting unit 316.

また、切欠き４２０は、リング状プレート４１３の内周面のボート部支柱３１５の周辺で切り欠かれている。この切欠き４２０は、ボート部支柱３１５が嵌め込まれる孔としての略円形ないし略半円形の嵌込み部４２０ａと、嵌め込み部４２０ａをリング状プレート４１３の内周方向に開放させる開口部４２０ｂとから構成される。ボート部支柱３１５を嵌込み部４２０ａに嵌めた状態で、この開口部４２０ｂを平面視して、この開口部４２０ｂ上にウェハ載置部３１６を投影したとき、開口部４２０ｂは、ウェハ載置部３１６が開口部４２０ｂの中央に納まり、開口部４２０ｂの開口幅がウェハ載置部３１６の幅よりも大きくなっていることが好ましい。このように切欠き４２０にリング状プレート４１３の内周方向に開放する開口部４２０ｂを設けると、上方からウェハ載置部３１６に当たったガスが、ウェハ載置部３１６の両側に回り込んで、そのまま開口部４２０ｂを通過して下方に流れるので、ウェハ載置部３１６で乱流が生じがたくなる。したがって、ウェハ載置部付きボート部支柱３１５が存在する部分と、それが存在しない部分とで、処理ガスの流れに、差異が生じなくなる。特に、図示例のように、開口部４２０ｂは前記内周面側へ扇形に開くようにすることが好ましい。開口部４２０ｂが扇形に開いていると、ウェハ載置部３１６で乱流が一層生じがたくなり、ウェハ載置部付きボート部支柱３１５が存在する部分と、それが存在しない部分とで、処理ガスの流れに、より差異が生じなくなるからである。   The notch 420 is notched around the boat support column 315 on the inner peripheral surface of the ring-shaped plate 413. The notch 420 includes a substantially circular or substantially semicircular fitting portion 420a as a hole into which the boat support column 315 is fitted, and an opening 420b that opens the fitting portion 420a in the inner circumferential direction of the ring-shaped plate 413. Is done. When the opening 420b is viewed in plan with the boat column strut 315 fitted in the fitting portion 420a, and the wafer mounting portion 316 is projected onto the opening 420b, the opening 420b is formed on the wafer mounting portion. Preferably, 316 is accommodated in the center of the opening 420b, and the opening width of the opening 420b is larger than the width of the wafer mounting portion 316. When the opening 420b that opens in the inner circumferential direction of the ring-shaped plate 413 is provided in the notch 420 in this way, the gas that hits the wafer mounting unit 316 from above flows around both sides of the wafer mounting unit 316, Since the flow passes through the opening 420b as it is, the turbulent flow hardly occurs in the wafer mounting portion 316. Therefore, there is no difference in the flow of the processing gas between the portion where the boat placement column 315 with the wafer placement portion is present and the portion where it is not present. In particular, as in the illustrated example, it is preferable that the opening 420b opens in a fan shape toward the inner peripheral surface. If the opening 420b is fan-shaped, turbulence is less likely to occur in the wafer mounting portion 316, and processing is performed between a portion where the boat support column 315 with the wafer mounting portion exists and a portion where it does not exist. This is because there is no more difference in the gas flow.

なお、図４は、ボート部支柱３１５とは別体の円柱状のウェハ載置部３１６をボート部支柱３１５に固着した実施例であるが、本発明はこれに限定されない。図５のように、ボート部支柱３１５とウェハ載置部３１６を一体の部材３１８として構成しても良い。この場合、加工性を容易にするために、ウェハ載置部３１６を、円柱状ではなく、略三角形をしたプレート状にして、略三角形の底辺側をボート部支柱３１５と一体にし、略三角形の頂点側を、リング状プレート４１３の径方向内方に向けるようにするとよい。   FIG. 4 shows an embodiment in which a cylindrical wafer mounting portion 316 separate from the boat portion support column 315 is fixed to the boat portion support column 315, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 5, the boat support column 315 and the wafer placement unit 316 may be configured as an integral member 318. In this case, in order to facilitate workability, the wafer mounting portion 316 is not in a columnar shape but in a plate shape having a substantially triangular shape, and the bottom side of the substantially triangular shape is integrated with the boat portion support column 315 so that the substantially triangular shape is obtained. The apex side may be directed inward in the radial direction of the ring-shaped plate 413.

図６を用いて、図４に示すウェハ載置部に支持されたウェハ上に流れる処理ガスの流れを具体的に説明する。図６は、処理ガスがインナチューブを横切る場合において、処理ガスがウェハ２００からリング状プレート４１３の方向へ流れ、下部へ排気される場合のガス流れの概念図である。図６（ａ）はボート部支柱３１５及びウェハ載置部３１６が無い部分のガス流れ、図６（ｂ）はボート部支柱３１５及びウェハ載置部３１６が有る部分のガス流れを示す。ＣＶＤ処理等において、石英表面でも処理ガスによる成膜反応が起こることは周知の事実であるが、本来ウェハ２００で反応すべき処理ガスが石英表面で反応してしまうことにより、ボート部支柱３１５及びウェハ載置部３１６近傍のウェハ部へ供給される処理ガスの量が少なくなる。その結果として、ボート部支柱３１５及びウェハ載置部３１６近傍のウェハ部の膜厚が薄くなってしまう傾向にある。   The flow of the processing gas flowing on the wafer supported by the wafer mounting portion shown in FIG. 4 will be specifically described with reference to FIG. FIG. 6 is a conceptual diagram of the gas flow when the processing gas flows from the wafer 200 toward the ring-shaped plate 413 and is exhausted downward when the processing gas crosses the inner tube. 6A shows a gas flow in a portion where the boat support column 315 and the wafer placement unit 316 are not present, and FIG. 6B shows a gas flow in a portion where the boat support column 315 and the wafer placement unit 316 exist. In a CVD process or the like, it is a well-known fact that a film forming reaction with a processing gas occurs on the quartz surface, but the processing gas that should originally react on the wafer 200 reacts on the quartz surface, so The amount of processing gas supplied to the wafer portion in the vicinity of the wafer mounting portion 316 is reduced. As a result, the film thickness of the wafer portion in the vicinity of the boat portion column 315 and the wafer placement portion 316 tends to be thin.

実施の形態では、図６において、リング状プレート４１３に切欠き４２０を設けることにより、ボート部支柱３１５及びウェハ載置部３１６が有る部分のボート部支柱３１５とウェハ端との距離Ｌｂを、ボート部支柱３１５及びウェハ載置部３１６が無い部分のリング状プレート４１３の内周面とウェハ端との距離Ｌａより大きくすることによりコンダクタンスを大きくする。これによって、ボート部支柱３１５及びウェハ載置部３１６が有る部分に流れる処理ガスの量を増やすことにより、ボート部支柱３１５及びウェハ載置部３１６が無い部分のウェハ周縁部Ｗｂの膜厚と、ボート部支柱３１５及びウェハ載置部３１６が有る部分のウェハ周縁部Ｗａとの膜厚を同等とすることができる。   In the embodiment, by providing a notch 420 in the ring-shaped plate 413 in FIG. 6, the distance Lb between the boat portion column 315 and the wafer end in the portion where the boat unit column 315 and the wafer placement unit 316 are provided is expressed as follows. The conductance is increased by increasing the distance La between the inner peripheral surface of the ring-shaped plate 413 and the wafer end where there is no part support 315 and no wafer mounting part 316. Thus, by increasing the amount of processing gas flowing in the portion where the boat support column 315 and the wafer placement unit 316 are present, the film thickness of the wafer peripheral portion Wb in the portion where the boat support column 315 and the wafer placement unit 316 are absent, The film thickness of the wafer peripheral portion Wa in the portion where the boat support column 315 and the wafer mounting portion 316 are present can be made equal.

なお、図６では、処理ガスがインナチューブを横切る場合において、処理ガスがウェハ２００からリング状プレート４１３方向へ流れる場合を説明したが、処理ガスがリング状プレート４１３からウェハ方向へ流れる場合や、処理ガスが下から上へ流れる場合も同様である。   Note that FIG. 6 illustrates the case where the processing gas flows from the wafer 200 toward the ring-shaped plate 413 when the processing gas crosses the inner tube, but the processing gas flows from the ring-shaped plate 413 toward the wafer, The same applies when the processing gas flows from bottom to top.

したがって、処理ガスがインナチューブ２０４を下から上に向かって流れるにせよ、インナチューブ２０４を横切るにせよ、膜厚のウェハ面内均一性を向上するという要請に応えることができる。また、リング状プレート４１３は、ボート部支柱３１５に垂直方向に複数所定の間隔で配置されることになるので、複数のウェハ２００の面間の均一性も改善できる。   Therefore, whether the processing gas flows from the bottom to the top of the inner tube 204 or crosses the inner tube 204, it is possible to meet the demand for improving the in-plane uniformity of the film thickness. In addition, since a plurality of ring-shaped plates 413 are arranged at a predetermined interval in the vertical direction on the boat column 315, the uniformity between the surfaces of the plurality of wafers 200 can be improved.

また、図６に示すように、リング状プレート４１３とウェハ２００との垂直方向のギャップの関係は、処理ガスは、ウェハ上面とウェハ２００より上部に配置されたリング状プレート４１３下面との間を流すように供給するため、例えばウェハ上面とウェハ２００より上部に配置されたリング状プレート４１３下面とのギャップが狭いと、リング状プレート４１３に直接ガスがあたり、ガスが乱流になりやすく、膜厚均一性に悪影響を及ぼすことになってしまう。したがって、ウェハ上面とウェハ２００より上部に配置されたリング状プレート４１３下面との距離は大きくなるように配置することが好ましい。
とりわけ、図７に示すように、ウェハ２００上面とリング状プレート４１３の上面とが一致する、つまり面一になるように配置すると、面内膜厚均一性がいっそう良好となる。また、高い成膜速度を維持することができ、つまり成膜速度も改善できることとなる。 As shown in FIG. 6, the vertical gap between the ring-shaped plate 413 and the wafer 200 is such that the processing gas flows between the upper surface of the wafer and the lower surface of the ring-shaped plate 413 disposed above the wafer 200. For example, if the gap between the upper surface of the wafer and the lower surface of the ring-shaped plate 413 disposed above the wafer 200 is narrow, the gas directly hits the ring-shaped plate 413 and the gas tends to be turbulent. The thickness uniformity will be adversely affected. Therefore, it is preferable that the distance between the upper surface of the wafer and the lower surface of the ring-shaped plate 413 disposed above the wafer 200 is increased.
In particular, as shown in FIG. 7, when the upper surface of the wafer 200 is aligned with the upper surface of the ring-shaped plate 413, that is, it is arranged to be flush with each other, the in-plane film thickness uniformity is further improved. Further, a high film formation rate can be maintained, that is, the film formation rate can be improved.

次に、図１０〜図１５を用いて、上述したボート部及びリング部の実施例を説明する。図１０はボート部にリング部を搭載した状態のリングボートの正面図、図１１は図１０の断面図であって、（ａ）はＡ−Ａ矢視図、（ｂ）はＢ−Ｂ矢視図である。図１２はボート部の正面図、図１３は図１２の断面図であって、（ａ）はＡ−Ａ矢視図，（ｂ）はＢ−Ｂ矢視図、（ｃ），（ｄ）はボート部支柱の説明図である。図１４はリング部の正面図、図１５は図１４のＡ−Ａ矢視図である。   Next, examples of the boat part and the ring part described above will be described with reference to FIGS. 10 is a front view of the ring boat in a state where the ring portion is mounted on the boat portion, FIG. 11 is a cross-sectional view of FIG. 10, (a) is an AA view, (b) is a BB arrow FIG. 12 is a front view of the boat portion, FIG. 13 is a cross-sectional view of FIG. 12, (a) is a view taken along arrow AA, (b) is a view taken along arrow BB, (c), (d). These are explanatory drawings of a boat part support | pillar. 14 is a front view of the ring portion, and FIG. 15 is a view taken along the line AA of FIG.

［ボート部］
図１２及び図１３に示すように、ボート部３００は、例えば石英製であり、三枚の平行な板としてのボート部下板３１７、ボート部中板３１９及びボート部上板３１１と、ボート部下板３１７とボート部上板３１１との間にボート部中板３１９を貫いて略垂直に設けられた複数本、例えば３本のボート部支柱３１５とを有する。 [Boat Club]
As shown in FIGS. 12 and 13, the boat unit 300 is made of, for example, quartz, and includes a boat unit lower plate 317, a boat unit middle plate 319 and a boat unit upper plate 311 as three parallel plates, and a boat unit lower plate. Between the 317 and the boat part upper plate 311, there are a plurality of, for example, three boat part columns 315 provided substantially vertically through the boat part middle plate 319.

各ボート部支柱３１５のウェハ保持領域３２１及び断熱板保持領域３２２には、複数のウェハ２００又は断熱板１９９（図１０参照）を所定の間隔で略水平に載置することが可能な複数のウェハ載置部３１６が多段に形成される。
ボート部下板３１７及びボート部上板３１１は、３本のボート部支柱３１５を固定する固定板である。ボート部中板３１９は、ボート部３００の主領域を上下に仕切る仕切板となり、ボート部中板３１９よりも上方を複数のウェハ２００（図１０参照）を保持するウェハ保持領域３２１とし、ボート部中板３１９よりも下方を複数の断熱板１９９（図１０参照）を保持する断熱板保持領域３２２とする。また、ボート部中板３１９は後述するリング部４００を搭載する保持部となる。ボート部中板３１９が設けられる位置は、ウェハ保持領域に保持されるウェハ枚数にもよるが、ボート部下板３１７からボート部支柱３１５の長さのおよそ１／３の場所である。 A plurality of wafers 200 or a plurality of heat insulating plates 199 (see FIG. 10) can be mounted substantially horizontally at predetermined intervals on the wafer holding region 321 and the heat insulating plate holding region 322 of each boat support column 315. The placement portion 316 is formed in multiple stages.
The boat unit lower plate 317 and the boat unit upper plate 311 are fixed plates for fixing the three boat unit columns 315. The boat section intermediate plate 319 serves as a partition plate that divides the main area of the boat section 300 in the vertical direction. The boat section intermediate plate 319 includes a wafer holding area 321 that holds a plurality of wafers 200 (see FIG. 10) above the boat section intermediate plate 319. Below the middle plate 319 is a heat insulating plate holding region 322 for holding a plurality of heat insulating plates 199 (see FIG. 10). Further, the boat part middle plate 319 serves as a holding part for mounting a ring part 400 described later. The position at which the boat section middle plate 319 is provided is a place that is approximately 1/3 of the length of the boat section support 315 from the boat section lower plate 317, depending on the number of wafers held in the wafer holding area.

図１３（ａ）に示すように、ボート部支柱３１５は、ボート部下板又はボート部上板の中心線３２０上のウェハ２００の出し入れ側の反対側に１個、また中心線３２０に対して左右対称位置に１個ずつ、計３個設けられている。ボート部支柱３１５は、ボート部中板３１９が取り付けられる領域境界部で断面円形をしている点を除いて、ウェハ保持領域３２１及び断熱板保持領域３２２では、図５に示す構造を採用するために断面略三角形としている。   As shown in FIG. 13A, one boat section column 315 is provided on the opposite side of the center line 320 of the boat section lower plate or the boat section upper plate on the opposite side to the loading / unloading side of the wafer 200, and left and right with respect to the center line 320. Three in total, one at the symmetrical position. The boat support column 315 adopts the structure shown in FIG. 5 in the wafer holding region 321 and the heat insulating plate holding region 322 except that the boat support column 315 has a circular cross section at the region boundary portion to which the boat intermediate plate 319 is attached. The cross section is substantially triangular.

各ボート部支柱３１５は、三角柱状をしており、これに一体的に形成された各ウェハ載置部３１６も三角形状をしており、三角形の頂点をボート部３００の略中心、すなわちリング状プレート４１３の略中心に向けて突設している。ウェハ載置部３１６は、図１３（ｃ）に示すように、三角柱の長さ方向に所定ピッチで多段に設けられ、多段に設けられたウェハ載置部３１６間に溝３２６が形成される。   Each boat support column 315 has a triangular prism shape, and each wafer mounting portion 316 formed integrally therewith also has a triangular shape. The apex of the triangle is the approximate center of the boat portion 300, that is, a ring shape. It protrudes toward the approximate center of the plate 413. As shown in FIG. 13C, the wafer mounting portions 316 are provided in multiple stages at a predetermined pitch in the length direction of the triangular prism, and grooves 326 are formed between the wafer mounting portions 316 provided in multiple stages.

ウェハ載置部３１６は、３本のボート部支柱３１５の各段に、それぞれ１つずつ同一水平面内に揃って突設される。この突設された３つのウェハ載置部３１６上に、ウェハ２００の外周を載置することにより、ボート部にウェハ２００を保持するようになっている。ウェハ載置部３１６は水平度が保たれていることが好ましい。水平度を保つことにより、ウェハ搬送時にウェハ２００がウェハ載置部３１６に接触する等の干渉を回避でき、またボート２１７にウェハ２００が載置された状態でのウェハ２００上に均一なガスの流れを確保できるからである。   One wafer placement unit 316 is provided on each stage of the three boat unit columns 315 so as to protrude in the same horizontal plane. By mounting the outer periphery of the wafer 200 on the three wafer mounting portions 316 provided in a protruding manner, the wafer 200 is held in the boat portion. It is preferable that the wafer placement unit 316 is kept level. By maintaining the level, it is possible to avoid interference such as the wafer 200 coming into contact with the wafer mounting unit 316 during wafer transfer, and the uniform gas flow on the wafer 200 when the wafer 200 is mounted on the boat 217. This is because the flow can be secured.

図１３（ｂ）に示すように、ボート部中板３１９は、その中央にボート部内に処理ガスが入りやすくなるように円形穴３２９が形成されている。ボート部中板３１９が取り付けられる領域境界部の３本のボート部支柱３１５は断面円形をしている。３本のボート部支柱３１５は、ボート部中板３１９の外周部に設けた３箇所の切欠き３２３にはめ込まれて溶着されている。また、切欠き３２３を除いたボート部中板３１９の外周部の全周には、内周部よりも一段低くしたリング状の段差部３１９ａが形成されており、このリング状の段差部３１９ａに、後述するリング部下板４３１を搭載して、リング部４００をすくい上げるようになっている。   As shown in FIG. 13B, a circular hole 329 is formed at the center of the boat portion middle plate 319 so that the processing gas can easily enter the boat portion. The three boat section struts 315 at the region boundary where the boat section middle plate 319 is attached have a circular cross section. The three boat section struts 315 are fitted and welded into three notches 323 provided on the outer periphery of the boat section middle plate 319. Further, a ring-shaped stepped portion 319a that is one step lower than the inner peripheral portion is formed on the entire circumference of the outer peripheral portion of the boat portion middle plate 319 excluding the notch 323. The ring-shaped stepped portion 319a A ring part lower plate 431 described later is mounted, and the ring part 400 is scooped up.

［リング部］
図１４及び図１５に示すように、リング部４００は、例えば石英製であり、二枚の平行な板としてのリング部下板４３１及びリング部上板４３２と、リング部下板４３１とリング部上板４３２との間に略垂直に設けられた複数本、例えば３本のリング部支柱４３０を有する。
リング部下板４３１及びリング部上板４３２は、３本のリング部支柱４３０を固定する固定板である。また、リング部下板４３１及びリング部上板４３２の中央には、リング部４００の内部にボート部３００が挿入されると共に、リング部４００の内部に処理ガスが入りやすくなるように円形穴４３３、４３４がそれぞれ形成されている。リング部下板４３１とリング部上板４３２との間の３本のリング部支柱４３０に、所定の間隔で略水平姿勢で、複数の積層されたリング状プレート４１３が取り付けられている。 [Ring part]
As shown in FIGS. 14 and 15, the ring portion 400 is made of, for example, quartz, and includes a ring portion lower plate 431 and a ring portion upper plate 432 as two parallel plates, a ring portion lower plate 431 and a ring portion upper plate. There are a plurality of, for example, three ring portion support columns 430 provided substantially vertically with respect to 432.
The ring part lower plate 431 and the ring part upper plate 432 are fixing plates for fixing the three ring part support columns 430. Further, at the center of the ring part lower plate 431 and the ring part upper plate 432, the boat part 300 is inserted into the ring part 400, and a circular hole 433 is formed so that the processing gas can easily enter the ring part 400. 434 is formed. A plurality of stacked ring-shaped plates 413 are attached to the three ring portion support columns 430 between the ring portion lower plate 431 and the ring portion upper plate 432 in a substantially horizontal posture at predetermined intervals.

図１５に示すように、３本のリング部支柱４３０は、リング部下板４３１とリング部上板４３２との間に略半円状に配列固定されている。リング部下板４３１又はリング部上板４３２の中心線４４１上のウェハ２００の出し入れ側に１個、またウェハ２００の出し入れ側と反対側であって、中心線４４１に対して左右対称位置に１個ずつの計３個のリング部支柱４３０が設けられている。これらのリング部支柱４３０は、ボート部３００にリング部４００を搭載したときに、ちょうどボート部支柱３１５間の略中間位置にそれぞれが配置されるようになっている。   As shown in FIG. 15, the three ring portion support columns 430 are arranged and fixed in a substantially semicircular shape between the ring portion lower plate 431 and the ring portion upper plate 432. One on the loading / unloading side of the wafer 200 on the center line 441 of the ring part lower plate 431 or the ring part upper plate 432, and one on the opposite side to the loading / unloading side of the wafer 200 and in a symmetrical position with respect to the center line 441. A total of three ring support columns 430 are provided. Each of these ring portion struts 430 is arranged at a substantially intermediate position between the boat portion struts 315 when the ring portion 400 is mounted on the boat portion 300.

リング状プレート４１３は、中央にウェハが納まる円形穴４５０を有し、リング状プレート４１３の外周面に３箇所の切欠き４３５が設けられる。リング状プレート４１３は、その３箇所の切欠き４３５に、前述した３本のリング部支柱４３０を、リング状プレート４１３の外周面と面一になるように、それぞれ嵌め込んで溶着することによって、３本のリング部支柱４３０に取り付けられている。なお、リング状プレート４１３の切欠き４３５は、リング状プレートの外周面のみならず内周面にも設けてもよい。   The ring-shaped plate 413 has a circular hole 450 in which the wafer is accommodated in the center, and three notches 435 are provided on the outer peripheral surface of the ring-shaped plate 413. The ring-shaped plate 413 is fitted and welded to the three notches 435 so that the above-described three ring column struts 430 are flush with the outer peripheral surface of the ring-shaped plate 413. Attached to the three ring column supports 430. The notch 435 of the ring-shaped plate 413 may be provided not only on the outer peripheral surface of the ring-shaped plate but also on the inner peripheral surface.

また、リング状プレート４１３の、３本のボート部支柱３１５と対向する内周面に、３本のボート部支柱３１５をそれぞれ挿入するための切欠き４２０が形成されている。このボート部支柱挿入用の切欠き４２０は、リング状プレート４１３の中心線４４１上のウェハ２００の出し入れ側の反対側に１個、又中心線４４１に対して左右対称位置に１個ずつ計３個形成される。切欠き４２０は、ボート部支柱３１５による膜厚への悪影響を低減するために、ボート部支柱３１５から突出した三角形状のウェハ載置部３１６は切欠き４２０からはみ出し、溝３２６が形成された支柱部分は切欠き４２０内に納まるように形成される。また、前記支柱部分は、リング状プレート４１３の外周面からはみ出したり、リング状プレート４１３の外径を変形させないようにする。このように、はみ出しや変形がないように切欠き４２０が形成されていると、リングボートの回転の際、インナチューブ２０４とのすき間をより適切に保つことが可能となり、ボート部支柱３１５とインナチューブ２０４の内壁とのこすれによるパーティクル発生等を回避できる。   In addition, a notch 420 for inserting the three boat portion struts 315 is formed on the inner peripheral surface of the ring-shaped plate 413 facing the three boat portion struts 315. There are three notches 420 for inserting the boat column struts, one on the opposite side of the wafer 200 on the center line 441 of the ring-shaped plate 413 and one at a symmetrical position with respect to the center line 441. Individually formed. The notch 420 has a triangular wafer mounting portion 316 protruding from the boat portion column 315 so as to reduce an adverse effect on the film thickness due to the boat unit column 315, and the column 316 in which the groove 326 is formed. The portion is formed so as to fit in the notch 420. In addition, the column portion does not protrude from the outer peripheral surface of the ring-shaped plate 413 or deform the outer diameter of the ring-shaped plate 413. Thus, when the notch 420 is formed so as not to protrude or deform, it becomes possible to keep the gap with the inner tube 204 more appropriately during the rotation of the ring boat, and the boat column strut 315 and the inner Generation of particles due to rubbing with the inner wall of the tube 204 can be avoided.

なお、リング部４００のリング部下板４３１の平面形状は、図示していないが、リング部支柱４３０が貫通していない点を除いて、図１５に示すリング状プレート４１３と同一である。ボート部３００によるリング部４００のすくい上げ時に、このリング部４００のリング部下板４３１の内周縁が、ボート部３００のボート部中板３１９に形成したリング状の段差部３１９ａに保持されることになる（図１０参照）。   The planar shape of the ring portion lower plate 431 of the ring portion 400 is not shown, but is the same as the ring-shaped plate 413 shown in FIG. 15 except that the ring portion support 430 does not penetrate. When scooping up the ring part 400 by the boat part 300, the inner peripheral edge of the ring part lower plate 431 of the ring part 400 is held by a ring-shaped step part 319 a formed on the boat part middle plate 319 of the boat part 300. (See FIG. 10).

［一体化したリングボート］
図１０及び図１１は、ボート部３００とリング部４００が一体化したリングボート２１７の構成図を示す。 [Integrated ring boat]
10 and 11 are configuration diagrams of a ring boat 217 in which the boat unit 300 and the ring unit 400 are integrated.

図１０に示すように、ボート部中板３１９に形成したリング状の段差部３１９ａに、リング部下板４３１の内周縁が保持されることにより、リング部４００がボート部３００に搭載される。リング部４００がボート部３００に搭載されることにより、リング状プレート４１３は、ボート部３００に保持されるウェハ２００に対して所定の間隔で略水平に設けられるようになっている。ここでは、積層された各リング状プレート４１３の表面が、多段に設けられた各ウェハ載置部３１６に支持される各ウェハ２００表面と面一になるようにしてある（図７、図２２参照）。   As shown in FIG. 10, the ring portion 400 is mounted on the boat portion 300 by holding the inner peripheral edge of the ring portion lower plate 431 on the ring-shaped step portion 319 a formed on the boat portion intermediate plate 319. By mounting the ring unit 400 on the boat unit 300, the ring-shaped plate 413 is provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to the wafer 200 held on the boat unit 300. Here, the surface of each of the stacked ring-shaped plates 413 is flush with the surface of each wafer 200 supported by each wafer mounting portion 316 provided in multiple stages (see FIGS. 7 and 22). ).

図１１（ａ）に示すように、リングボートは、そのウェハ保持領域では、ウェハ２００を中心にしてその径方向外方に、ウェハ２００の外周を３点保持するウェハ載置部３１６、ウェハ載置部３１６を突設した３本のボート部支柱３１５、３本のボート部支柱３１５を通過させる切欠き４２０を有するリング状プレート４１３、リング状プレート４１３を外周で支持するリング部支柱４３０が、順に配列された構成となっている。   As shown in FIG. 11A, in the wafer holding region, the ring boat has a wafer mounting portion 316 that holds three outer peripheries of the wafer 200 on the outer side in the radial direction around the wafer 200, and a wafer mounting. Three boat part struts 315 provided with projecting parts 316, a ring-shaped plate 413 having a notch 420 through which the three boat part struts 315 pass, and a ring part strut 430 that supports the ring-shaped plate 413 on the outer periphery, They are arranged in order.

また、図１１（ｂ）に示すように、リングボートは、その領域境界部では、ボート部中板３１９が最も内側に位置して、それよりも外方に、ボート部中板３１９を支持するボート部支柱３１５、ボート部中板３１９の段差部３１９ａに内周縁が載置されたリング部下板４３１、リング部下板４３１を支持するリング部支柱４３０が、順に配列された構成となっている。   Moreover, as shown in FIG.11 (b), a ring boat supports the boat part intermediate | middle board 319 in the area | region boundary part, the boat part intermediate | middle board 319 is located in the innermost side, and it is outward from it. The boat portion support 315, the ring portion lower plate 431 on which the inner peripheral edge is placed on the step portion 319a of the boat portion intermediate plate 319, and the ring portion support 430 that supports the ring portion lower plate 431 are arranged in order.

本実施例によれば、次のような効果を奏する。
従来のリングボートの最小ボートピッチＰは、前述したように、ウェハディスチャージ時のツィーザ挿入ギャップやウェハチャージ時のギャップ、ツィーザ厚さ、ウェハ移載機のウェハ移載精度により決定され、ウェハ２００とリング状プレート４１３との位置関係を上述のピッチ以下に調整する事は不可能であった。本実施例では、リング部４００とボート部３００とを独立させているため、リング状プレート４１３による制約を受けることなく、リング状プレート４１３とウェハ２００のギャップを自由に設定することができる。 According to the present embodiment, the following effects can be obtained.
As described above, the minimum boat pitch P of the conventional ring boat is determined by the tweezer insertion gap at the time of wafer discharge, the gap at the time of wafer charging, the thickness of the tweezers, and the wafer transfer accuracy of the wafer transfer machine. It was impossible to adjust the positional relationship with the ring-shaped plate 413 below the above-mentioned pitch. In this embodiment, since the ring portion 400 and the boat portion 300 are independent, the gap between the ring plate 413 and the wafer 200 can be freely set without being restricted by the ring plate 413.

また、ウェハ２００に処理を行う場合には、リング状プレート４１３とウェハ２００との間のギャップを、各プロセスの成膜条件等の処理条件に応じ、また、各々の装置が含む製造誤差（固体差）等に応じて調整する必要があるが、この調整も、ボート部３００と分離可能なリング部４００の形状、寸法を調整することにより容易に行うことができる。さらに、プロセス結果に伴うギャップの微調整も容易である。   When processing the wafer 200, the gap between the ring-shaped plate 413 and the wafer 200 is set according to the processing conditions such as the film forming conditions of each process, and the manufacturing error (solid state) included in each apparatus. However, this adjustment can also be easily performed by adjusting the shape and dimensions of the ring portion 400 separable from the boat portion 300. Furthermore, the fine adjustment of the gap according to the process result is easy.

また、ボート部３００が上昇する途中でボート部上にリング状プレート４１３を搭載するので、ボート部３００およびリング状プレート４１３の形状のみでリング状プレート４１３とウェハ２００のギャップが決まるので、その精度が高いものとなる。   Further, since the ring-shaped plate 413 is mounted on the boat portion while the boat portion 300 is raised, the gap between the ring-shaped plate 413 and the wafer 200 is determined only by the shape of the boat portion 300 and the ring-shaped plate 413. Is expensive.

さらに、リング部をボート部から分離可能にした場合に、ボート部３００にリング部４００を搭載して一体化したとき、ボート部３００に保持される各ウェハ２００に対して各リング状プレート４１３が所定の間隔で略水平に精度よく設けられるか否かが問題になる。しかし、本発明では、この点問題はない。すなわち、上記精度は、ボート部３００のボート部下板３１７でリング部４００をすくい上げる場合は、ボート部下板３１７の載置面とリング部下板４３１の底面との面精度で決まる。また、ボート部中板３１９でリング部４００すくい上げる場合は、ボート部中板３１９の載置面とリング部下板４３１の底面との面精度で決まる。これらの面精度は、公知の方法で十分に確保できるからである。   Further, when the ring part is separable from the boat part, when the ring part 400 is mounted on and integrated with the boat part 300, each ring-shaped plate 413 is attached to each wafer 200 held by the boat part 300. Whether or not it is provided at a predetermined interval and substantially horizontally is a problem. However, the present invention does not have this problem. That is, when the ring unit 400 is scooped up by the boat unit lower plate 317 of the boat unit 300, the accuracy is determined by the surface accuracy between the mounting surface of the boat unit lower plate 317 and the bottom surface of the ring unit lower plate 431. Further, when scooping up the ring part 400 by the boat part middle plate 319, it is determined by the surface accuracy between the mounting surface of the boat part middle plate 319 and the bottom surface of the ring part lower plate 431. This is because the surface accuracy can be sufficiently secured by a known method.

また、図２２に示すように、リング状プレート４１３面とウェハ２００面とを面一にするには、リング状プレートがボートと一体化されている従来のものでは、リング状プレートの形状を、ツィーザとの干渉を避けるため、ウェハ２００の出し入れ側を開放したＣ型に成形したりする他はなかった。リング状プレートの一部が開放されていると、膜厚の均一性が得られなくなる。この点で、実施例では、リング状プレートをＣ型に成形することなく、リング状プレート面とウェハ面との面一化を、初めて、かつ容易に実現することができる。   Further, as shown in FIG. 22, in order to make the ring-shaped plate 413 surface and the wafer 200 surface flush with each other, in the conventional structure in which the ring-shaped plate is integrated with the boat, the shape of the ring-shaped plate is In order to avoid interference with the tweezers, there was no other way than forming the wafer 200 in a C shape with the loading / unloading side opened. If a part of the ring-shaped plate is opened, film thickness uniformity cannot be obtained. In this respect, in this embodiment, the ring-shaped plate surface and the wafer surface can be made uniform for the first time and easily without forming the ring-shaped plate into a C shape.

また、実施例により、ウェハ移載時は、リング状プレートを備えないノーマルボートのように、例えば６．５ｍｍのウェハ間の狭ピッチ化や、ウェハ移載機へのティーチングを容易に行うことができる。また、成膜時は、リング状プレートを備えたリングボートとしての性能を落とすことなく、成膜速度をあげながら膜厚均一性を向上することができる。さらに、分離したリング部４００を常時処理炉内で温度安定状態にしておけば、ノーマルボートと同じウェハ温度安定時間で成膜に入ることができる。
なお、実施例では、リング部４００は、ボート部中板３１９に載置されるようにしたが、これに限定されず、ボート部下板３１７に載置されるようになっていても良い。 Further, according to the embodiment, at the time of wafer transfer, it is possible to easily narrow the pitch between wafers of, for example, 6.5 mm and teach to a wafer transfer machine like a normal boat without a ring-shaped plate. it can. Further, at the time of film formation, the film thickness uniformity can be improved while increasing the film formation speed without degrading the performance as a ring boat provided with a ring-shaped plate. Further, if the separated ring part 400 is always in a temperature stable state in the processing furnace, film formation can be started in the same wafer temperature stabilization time as that of a normal boat.
In the embodiment, the ring part 400 is placed on the boat part middle plate 319, but is not limited thereto, and may be placed on the boat part lower plate 317.

また、上述のように、リング状プレート４１３が一体化したリングボート２１７は狭ピッチ化されているので、リング状プレート４１３を分離しないとウェハ２００をボート部３００に対してチャージ、ディスチャージできないが、炉口２１５にリングホルダ２１３を設けることによって、リングボート２１７を下側に移動途中でリング状プレート４１３を保持することができ、その結果、リング状プレート４１３をボート部３００から取り除いた後、ウェハ２００をチャージ、ディスチャージできるようになる。   Further, as described above, since the ring boat 217 integrated with the ring-shaped plate 413 has a narrow pitch, the wafer 200 cannot be charged or discharged with respect to the boat portion 300 unless the ring-shaped plate 413 is separated. By providing the ring holder 213 at the furnace port 215, the ring-shaped plate 413 can be held while the ring boat 217 is moved downward. As a result, after the ring-shaped plate 413 is removed from the boat portion 300, the wafer is removed. 200 can be charged and discharged.

また、リング状プレート４１３は反応管２１０に固定されているのではなく、リング状プレート４１３を反応管内のリングホルダ２１３上に搭載しておき、その後ボート部３００によって上側に運ばれる独立したものなので、リング状プレート４１３の取り外しが容易であるので、その洗浄も容易に行える。   In addition, the ring-shaped plate 413 is not fixed to the reaction tube 210 but is an independent plate that is mounted on the ring holder 213 in the reaction tube and then carried upward by the boat unit 300. Since the ring-shaped plate 413 can be easily removed, it can be easily cleaned.

さらに、実施例の装置は、ボート部３００の上昇動作の途中でリング部４００をすくい上げる方式であるので、駆動源が一つですむ。   Furthermore, since the apparatus of the embodiment is a method of scooping up the ring part 400 during the ascending operation of the boat part 300, only one drive source is required.

また、実施例では、基板保持具を複数枚のウェハを保持するボート部としたが、一枚もしくは一〜三枚のウェハを保持するウェハ載置台としても良い。また、ウェハを収容する処理室としては、複数枚のウェハを一括処理するバッチ式の縦型処理装置について説明したが、バッチ式横型処理装置であっても、さらには一枚ないし数枚のウェハを処理する枚葉式処理装置であっても良い。   In the embodiment, the substrate holder is a boat unit that holds a plurality of wafers, but may be a wafer mounting table that holds one or one to three wafers. In addition, as a processing chamber for storing wafers, a batch type vertical processing apparatus that batch processes a plurality of wafers has been described, but even a batch type horizontal processing apparatus may further include one or several wafers. A single wafer processing device may be used.

図１６は、そのような処理装置のうちの、枚葉式処理装置の実施の形態を示したものである。
枚葉処理装置は、ガス供給及び排気が可能な処理室としてのチャンバ５０１と、基板搬入出口５０２と、チャンバ５０１内の基板搬入出位置であって、基板搬入出口５０２からチャンバ５０１内に搬入されたウェハ２００が位置すると共に、チャンバ５０１内から基板搬入出口５０２を経由してウェハ２００が搬出される際にウェハ２００が位置する基板搬入出位置と、チャンバ５０１内でウェハ２００を処理する基板処理位置との間でウェハ２００を移動する基板移動手段（ヒータユニット）５１０とを備える。基板移動手段５１０は、基板保持具としてのサセプタ５１１、サセプタ５１１を介してウェハ２００を加熱する加熱手段としてのヒータ（図示せず）、ウェハ２００を支持する支持ピン５１３を備える。この枚葉処理装置は、チャンバ５０１を通してウェハ２００を加熱するホットウォール式の縦型処理装置と異なり、チャンバ５０１内でウェハ２００を加熱するコールドウォール式である。 FIG. 16 shows an embodiment of a single wafer processing apparatus among such processing apparatuses.
The single wafer processing apparatus is a chamber 501 as a processing chamber capable of supplying and exhausting gas, a substrate loading / unloading port 502, and a substrate loading / unloading position in the chamber 501, and is loaded into the chamber 501 from the substrate loading / unloading port 502. In addition, the wafer 200 is positioned, and when the wafer 200 is unloaded from the chamber 501 via the substrate loading / unloading port 502, the substrate loading / unloading position where the wafer 200 is positioned, and the substrate processing for processing the wafer 200 in the chamber 501 Substrate moving means (heater unit) 510 for moving the wafer 200 between the positions is provided. The substrate moving unit 510 includes a susceptor 511 as a substrate holder, a heater (not shown) as a heating unit that heats the wafer 200 via the susceptor 511, and support pins 513 that support the wafer 200. This single wafer processing apparatus is a cold wall type in which the wafer 200 is heated in the chamber 501, unlike a hot wall type vertical processing apparatus in which the wafer 200 is heated through the chamber 501.

基板移動手段５１０が基板搬入出位置にあるとき、ウェハ２００は支持ピン５１３により支持される。基板移動手段５１０が基板処理位置にあるとき、ウェハ２００はサセプタ５１１に保持されて、処理される。   When the substrate moving means 510 is in the substrate carry-in / out position, the wafer 200 is supported by the support pins 513. When the substrate moving means 510 is at the substrate processing position, the wafer 200 is held by the susceptor 511 and processed.

このような装置において、特に、サセプタ５１１と分離可能であって、サセプタ５１１に保持されるウェハ２００に対して所定の間隔で略水平に設けられるリング状プレート５１５が用いられる。リング状プレート５１５は、常時はチャンバ５０１内の基板処理位置に保持されるが、基板移動手段５１０が基板処理位置に移動したときに、チャンバ５０１から基板移動手段５１０に搭載されて、サセプタ５１１上に保持されているウェハ２００の全周を囲むように設置される。これにより、ウェハ２００の周縁部の膜厚が全周で厚くなる傾向を改善することができる。   In such an apparatus, in particular, a ring-shaped plate 515 that is separable from the susceptor 511 and is provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to the wafer 200 held by the susceptor 511 is used. The ring-shaped plate 515 is normally held at the substrate processing position in the chamber 501, but when the substrate moving means 510 is moved to the substrate processing position, it is mounted on the substrate moving means 510 from the chamber 501 and placed on the susceptor 511. It is installed so as to surround the entire circumference of the wafer 200 held in the wafer. Thereby, the tendency for the film thickness of the peripheral part of the wafer 200 to increase over the entire circumference can be improved.

したがって、枚葉処理装置においても、リング状プレート５１５が基板移動手段５１０に固定されている場合と比べて、リング状プレートによる基板移載時の制約がなく、ティーチングも容易になる。また、図示するように、ウェハ２００が１枚ではなく、二枚ないし三枚の場合には、これらを載置するウェハ載置台の狭ピッチ化も実現できる。また、リング状プレート５１５を設けることにより、成膜時は膜厚均一性を向上できる。   Therefore, in the single wafer processing apparatus, as compared with the case where the ring-shaped plate 515 is fixed to the substrate moving means 510, there is no restriction when the substrate is transferred by the ring-shaped plate, and teaching is easy. Further, as shown in the figure, when the number of wafers 200 is not one but two or three, it is possible to reduce the pitch of the wafer mounting table on which these are mounted. Further, by providing the ring-shaped plate 515, film thickness uniformity can be improved during film formation.

実施の形態による縦型処理炉に挿入されるリングボートを構成するリング部とボート部との分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the ring part and boat part which comprise the ring boat inserted in the vertical processing furnace by embodiment. 実施の形態によるボードアンロード時の処理炉の概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view of the processing furnace at the time of board unloading by embodiment. 実施の形態によるボートロード時の処理炉の概略平断面図及び縦断面図である。It is the general | schematic plane sectional view and longitudinal cross-sectional view of the processing furnace at the time of boat loading by embodiment. 実施の形態によるウェハ載置部回りを示した斜視図である。It is the perspective view which showed the wafer mounting part periphery by embodiment. 変形例によるウェハ載置部回りを示した斜視図である。It is the perspective view which showed the wafer mounting part periphery by the modification. 実施の形態によるガス流れを示す説明図であって、（ａ）はウェハ載置部及び支柱が無い部分のガス流れを示す説明図、（ｂ）はウェハ載置部及び支柱が有る部分のガスの流れを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the gas flow by embodiment, Comprising: (a) is explanatory drawing which shows the gas flow of a part without a wafer mounting part and a support | pillar, (b) is the gas of the part with a wafer mounting part and a support | pillar It is explanatory drawing which shows the flow. 実施の形態によるガス流れを示す説明図であって、（ａ）はウェハ載置部及び支柱が無い部分のガスの流れを示す説明図、（ｂ）ウェハ載置部及び支柱が有る部分のガスの流れを示す説明図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is explanatory drawing which shows the gas flow by embodiment, Comprising: (a) is explanatory drawing which shows the gas flow of a part without a wafer mounting part and a support | pillar, (b) Gas of the part with a wafer mounting part and a support | pillar It is explanatory drawing which shows the flow. 実施の形態による縦型処理炉を有する半導体製造装置の概略図である。1 is a schematic view of a semiconductor manufacturing apparatus having a vertical processing furnace according to an embodiment. 実施の形態による縦型処理炉としての減圧ＣＶＤ処理炉の断面図である。It is sectional drawing of the low pressure CVD processing furnace as a vertical processing furnace by embodiment. 実施の形態によるボート部にリング部を装着して構成したリングボートの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the ring boat comprised by attaching the ring part to the boat part by embodiment. 図１０に示すリングボートのＡ−Ａ矢視図及びＢ−Ｂ矢視図である。It is an AA arrow directional view and BB arrow directional view of the ring boat shown in FIG. 実施の形態によるボート部の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the boat part by embodiment. 図１２の断面図であって、（ａ）はＡ−Ａ矢視図，（ｂ）はＢ−Ｂ矢視図、（ｃ）はボート部支柱の説明図である。It is sectional drawing of FIG. 12, Comprising: (a) is an AA arrow directional view, (b) is a BB arrow directional view, (c) is explanatory drawing of a boat part support | pillar. 実施の形態によるリング部の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the ring part by embodiment. 図１４に示すリング部のＡ−Ａ矢視図である。It is an AA arrow directional view of the ring part shown in FIG. 本発明を枚葉処理装置に適用した実施の形態による処理炉の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the processing furnace by embodiment which applied this invention to the single wafer processing apparatus. 従来例による基板保持具としてのボートの全体構成図である。It is a whole block diagram of the boat as a board | substrate holder by a prior art example. 従来例によるリング状プレートの説明図であって、（ａ）は１枚のリング状プレートに着目したボートの要部側面図、（ｂ）は支柱を含めたリング状プレートの平面図である。It is explanatory drawing of the ring-shaped plate by a prior art example, Comprising: (a) is a principal part side view which paid its attention to one ring-shaped plate, (b) is a top view of the ring-shaped plate including the support | pillar. 従来例によるリングボートのウェハチャージ時の説明図である。It is explanatory drawing at the time of wafer charge of the ring boat by a prior art example. 従来例によるリングボートのウェハディスチャージ時の説明図である。It is explanatory drawing at the time of the wafer discharge of the ring boat by a prior art example. 従来例によるリング状プレートとウェハの位置関係を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed the positional relationship of the ring-shaped plate and wafer by a prior art example. 本発明により可能となったリング状プレートとウェハの位置関係を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed the positional relationship of the ring-shaped plate and wafer which were enabled by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

５ 処理炉（基板処理装置）
２００ ウェハ（基板）
２０１ 処理室
２０７ ヒータ（加熱手段）
２３１ 排気管（ガス排気手段）
２３２ ガス供給管（ガス供給手段）
３００ ボート部（基板保持具）
４１３ リング状プレート
４００ リング部

5 Processing furnace (substrate processing equipment)
200 wafer (substrate)
201 processing chamber 207 heater (heating means)
231 Exhaust pipe (gas exhaust means)
232 Gas supply pipe (gas supply means)
300 Boat part (substrate holder)
413 Ring-shaped plate 400 Ring part

Claims (1)

基板を略水平に保持することが可能な基板保持具と、
前記基板保持具と分離可能であって、該基板保持具に保持される基板に対して所定の間隔で略水平に設けられるリング状プレートと、
該基板保持具に保持される基板を収容する処理室と、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室に処理ガスを供給して前記加熱手段により加熱された基板を処理するガス供給手段と
を備えることを特徴とする基板処理装置。

A substrate holder capable of holding the substrate substantially horizontally;
A ring-shaped plate that is separable from the substrate holder and provided substantially horizontally at a predetermined interval with respect to the substrate held by the substrate holder;
A processing chamber for storing a substrate held by the substrate holder;
Heating means for heating the substrate;
A substrate processing apparatus comprising: a gas supply unit configured to supply a processing gas to the processing chamber and process the substrate heated by the heating unit.

JP2004037348A 2004-02-13 2004-02-13 Substrate-processing apparatus Pending JP2005228991A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004037348A JP2005228991A (en) 2004-02-13 2004-02-13 Substrate-processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004037348A JP2005228991A (en) 2004-02-13 2004-02-13 Substrate-processing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005228991A true JP2005228991A (en) 2005-08-25

Family

ID=35003447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004037348A Pending JP2005228991A (en) 2004-02-13 2004-02-13 Substrate-processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005228991A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009506573A (en) * 2005-08-31 2009-02-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Batch deposition tools and compression boats
WO2017138185A1 (en) * 2016-02-10 2017-08-17 株式会社日立国際電気 Substrate treatment apparatus, substrate holding tool, and placing tool

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009506573A (en) * 2005-08-31 2009-02-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Batch deposition tools and compression boats
WO2017138185A1 (en) * 2016-02-10 2017-08-17 株式会社日立国際電気 Substrate treatment apparatus, substrate holding tool, and placing tool
JPWO2017138185A1 (en) * 2016-02-10 2018-11-22 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Substrate processing apparatus, substrate holder and mounting tool
CN109075069A (en) * 2016-02-10 2018-12-21 株式会社国际电气 Substrate processing device, substrate holder and mounting part
US11031270B2 (en) 2016-02-10 2021-06-08 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, substrate holder and mounting tool

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4312204B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate holder, and semiconductor device manufacturing method
US11495477B2 (en) Substrate processing apparatus
US11359283B2 (en) Reaction tube structure and substrate processing apparatus
JP5188326B2 (en) Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, and substrate processing apparatus
TWI736687B (en) Processing device and cover member
JP5689483B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate support, and method for manufacturing semiconductor device
JP2002353110A (en) Heating processor
US11685992B2 (en) Substrate processing apparatus, quartz reaction tube and method of manufacturing semiconductor device
US20170352576A1 (en) Substrate placing table
TW201521143A (en) Substrate processing apparatus and method for processing a substrate
JP2015149387A (en) Substrate processing apparatus, heater, ceiling heat insulation body, and manufacturing method of semiconductor device
KR20110112074A (en) Apparatus and method for treating substates
JP2015185578A (en) Gas supply section, substrate processing apparatus, and manufacturing method of semiconductor apparatus
JP5278376B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
JP2008166321A (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20200312631A1 (en) Reaction tube and method of manufacturing semiconductor device
JP2005228991A (en) Substrate-processing apparatus
KR102205381B1 (en) Substrate treatment apparatus
KR20230004888A (en) Inner wall and substrate treatment device
JP4553263B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
JP6096588B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2004339566A (en) Substrate treatment apparatus
JP2010086985A (en) Wafer-processing apparatus
JPWO2019172274A1 (en) Manufacturing method of processing equipment, exhaust system, semiconductor equipment
JP2006049489A (en) Board processing device