JP2005223610A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の弾性表面波デバイス100は、基板上に形成された圧電体薄膜103と、該圧電体薄膜の表面に形成された励振電極104a,104bを含む弾性表面波励振手段若しくは検出電極を含む弾性表面波検出手段104と、前記表面に形成された反射電極105aを含む弾性表面波反射手段105とを備え、弾性表面波励振手段若しくは弾性表面波検出手段の形成領域における圧電体薄膜の厚さt1と、弾性表面波反射手段の形成領域における圧電体薄膜の厚さt2とが異なることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
三露常男・他4名 「薄膜弾性表面波ディバイス」 松下技報(National Technical Report) Vol.22 No.6 Dec 1976 P.905-923 S.J.Martin・他2名 「HIGH Q, TEMPERATURE STABLE ZnO−on−SILICON SAW RESONATORS」 1980 ULTRASONICS SYMPOSIUM P.113−P.117
Claims (5)
- 基板上に形成された圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の表面に形成された励振電極を含む弾性表面波励振手段若しくは検出電極を含む弾性表面波検出手段と、前記表面に形成された反射電極を含む弾性表面波反射手段とを備えた弾性表面波デバイスにおいて、前記弾性表面波励振手段若しくは前記弾性表面波検出手段の形成領域における前記圧電体薄膜の厚さと、前記弾性表面波反射手段の形成領域における前記圧電体薄膜の厚さとが異なることを特徴とする弾性表面波デバイス。
- 前記弾性表面波励振手段若しくは前記弾性表面波検出手段の形成領域における前記圧電体薄膜の厚さは、前記弾性表面波反射手段の形成領域における前記圧電体薄膜の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記圧電体薄膜は、いずれの領域においても、弾性表面波の波長で規格化された膜厚が0.005〜0.1の範囲内にあることを特徴とする請求項1又は2に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記基板と前記圧電体薄膜との間に絶縁層を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記圧電体は、ZnO、AlN、PZT、LiNbO3、TaNbO3、KNbO3、PMN−PTやPNN−PTのリラクサ系から選ばれたいずれか一の素材で構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
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