JP2005217216A - 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】片面に接着剤層11を有する絶縁性フィルム12に、金型プレス等によりビアホール13を形成し、接着剤層側に銅箔14を貼り合わせ、ビアホール内に銅めっき15を充てんさせ、接着剤層と反対側の絶縁性フィルムの表面上に前記充てん銅めっき部と電気的に導通する導通化処理層16を形成し、当該導通化処理層上に銅めっき層17を形成することにより、絶縁性フィルムの両面に銅層14、銅めっき層17を有し、且つ当該両面の銅層が前記ビアホールを介して電気的に導通された状態のテープキャリア材料18を作製し、その両面の銅層をフォトエッチング法により配線パターン19に形成する。
【選択図】 図1
Description
(1)ビアホール形成時および配線形成時にフォトエッチング法を2回要すため、テープキャリア完成までの所要工程数が多くなり、製造コストが大きい。
(2)ビアホール形成のためにレーザー照射装置を使用する必要があるため製造コストが大きい。
(3)両面に銅箔がある材料を使用し、さらに導通化のための銅めっき処理を施すため、少なくとも片面の銅層の厚さが大きくなる。よって、微細エッチングには不向きな材料である。
(4)銅めっき方式がコンフォーマルタイプ(表層もビアホール内も全て均一な膜厚になるタイプの銅めっき方式)のため、ブラインドビアホール内を完全充てんすることが困難であり、このためビア内部の導通信頼性に劣る。
(5)ブラインドビアホールの部位にはランドを設けることができないという制約があり、このため配線の高密度化には不向きである。
(6)仮にビアフィリングタイプ(ブラインドビアホール内を充てんさせる銅めっき方式)の銅めっき液によりビア充てんを行う場合、このタイプのめっきの析出特性上、低電流密度(通常2A/dm2以下)で行う必要があるため、めっきには長時間を要する。また、コンフォーマルタイプと比較し、銅めっき液中の添加剤の液管理が難しく、薬液コストが大きくなる。
(1)安価な製造コストで作製できる両面配線テープキャリアの製造方法を提供すること。
(2)ブラインドビアホール内を完全充てんした、ビアフィリングタイプの両面配線テープキャリアを提供すること。
(3)ビアフィリングタイプの銅めっき液を用いずとも、ブラインドビアホールが銅めっきで充てんされた両面配線テープキャリアを製造し得る方法を提供すること。
片面に接着剤層を有する絶縁性フィルムに両面導通用のビアホールが形成され、
前記絶縁性フィルムの接着剤層側に銅箔が貼り合わせられ、
前記ビアホール内に銅めっきを充てんした充てん銅めっき部が形成され、
接着剤層と反対側の絶縁性フィルムの表面上に前記充てん銅めっき部と電気的に導通する導通化処理層が形成され、
前記導通化処理層上に銅めっき層が形成され、
これにより、絶縁性フィルムの両面に銅層を有し、且つ前記ビアホールを介して両面の銅層が電気的に導通された状態が形成されると共に、
前記両面の銅層をエッチングすることにより配線パターンが形成され、
前記配線パターンにニッケル、金、銀、スズめっき等の表面処理被膜が形成されていることを特徴とする。
片面に接着剤層を有する絶縁性フィルムに両面導通用のビアホールを形成し、
前記絶縁性フィルムの接着剤層側に銅箔をラミネート法により貼り合わせ、
電気めっき法により前記ビアホール内に銅めっきを充てんさせ、
接着剤層と反対側の絶縁性フィルムの表面上に前記充てん銅めっき部と電気的に導通する導通化処理層を形成し、
前記導通化処理層上に電気めっき法または無電解めっき法により銅めっき層を形成することにより、絶縁性フィルムの両面に銅層を有し、且つ前記ビアホールを介して両面の銅層が電気的に導通された状態のテープキャリアを作製し、
さらに前記テープキャリアの両面の銅層をフォトエッチング法により配線パターンに形成し、
前記配線パターンにニッケル、金、銀、スズめっき等の表面処理被膜を形成することを特徴とする。
(1)フォトエッチング法が1回で済むため、全体の工程数が削減できる。
(2)ブラインドビアホールを明けるために従来使用していた加工単価の高いレーザー照射装置が不要になるため、製造コストを削減できる。
(3)両面の銅層の厚さを薄く、均一化できるため、微細エッチングが容易になる。
(4)コンフォーマルタイプの銅めっき液を使用してもブラインドビアホール内を完全充てんすることが可能となり、薬液コストが安価で済む上、ブラインドビアホール部での導通信頼性が向上する。
(5)ブラインドビアホールの部位にランドを設けることが可能となり、配線パターンの高密度化が可能になる。
上記の如く、本発明においては、1メタルTABの材料(ポリイミドフィルムの片面に銅箔を貼り合わせたもの)を使用し、レーザー照射によることなくブラインドビアホールを形成すると共に、ブラインドビアホール内の導通手段として充てん銅めっきを利用することにより、フォトエッチング処理が1回だけで済み、そのため工程数の大幅な削減が可能になる。
t1=(充てん銅めっき厚+銅めっき厚)=18+12=30μm
t2=(PI厚+接着剤厚+銅めっき厚)=37+12=49μm より、
フィリング率は、30÷49×100=61% となる。
(1)材料コスト面では、最も一般的な片面配線テープ材用の材料をそのまま使用できるため両面配線用基材よりも安価である。
(2)薬品コスト面では、主にフォトエッチング法が1回で済むことにより安価である。また、ビアフィリング用銅めっき液を使用する必要が無く安価である。
(3)製造コスト面では所要工程数減少による人件費の削減および高価なレーザー照射装置不要により、従来例と比較して大きくコストを低減させることが可能になる。
(1)工程数を削減できることにより、製造コストの削減を図ることができる。
(2)銅めっき厚さの薄膜化が可能になり、微細パターンの形成が容易となる。
(3)簡易にビアホール内の銅めっき充てん(ビアフィリング)仕様が作製可能で、ビアフィリング用銅めっき液不要のため、液管理が容易となり、薬品コストも安価で済む。
12 絶縁性フィルム(ポリイミドフィルムなど)
13 開口穴(ブラインドビアホール)
14 銅箔
15 充てん銅めっき層
16 導電性薄膜層(スズ−パラジウム金属など)
17 銅めっき層
18 材料(本発明の両面導通化済み基材)
19 配線パターン(回路)
20 絶縁層(感光性ソルダーレジストなど)
21 表面処理層(金/ニッケルめっき、スズめっきなど)
Claims (7)
- 片面に接着剤層を有する絶縁性フィルムに両面導通用のビアホールが形成され、
前記絶縁性フィルムの接着剤層側に銅箔が貼り合わせられ、
前記ビアホール内に銅めっきを充てんした充てん銅めっき部が形成され、
接着剤層と反対側の絶縁性フィルムの表面上に前記充てん銅めっき部と電気的に導通する導通化処理層が形成され、
前記導通化処理層上に銅めっき層が形成され、
これにより、絶縁性フィルムの両面に銅層を有し、且つ前記ビアホールを介して両面の銅層が電気的に導通された状態が形成されると共に、
前記両面の銅層をエッチングすることにより配線パターンが形成され、
前記配線パターンにニッケル、金、銀、スズめっき等の表面処理被膜が形成されていること、
を特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリア。 - 片面に接着剤層を有する絶縁性フィルムに両面導通用のビアホールを形成し、
前記絶縁性フィルムの接着剤層側に銅箔をラミネート法により貼り合わせ、
電気めっき法により前記ビアホール内に銅めっきを充てんさせ、
接着剤層と反対側の絶縁性フィルムの表面上に前記充てん銅めっき部と電気的に導通する導通化処理層を形成し、
前記導通化処理層上に電気めっき法または無電解めっき法により銅めっき層を形成することにより、絶縁性フィルムの両面に銅層を有し、且つ前記ビアホールを介して両面の銅層が電気的に導通された状態のテープキャリアを作製し、
さらに前記テープキャリアの両面の銅層をフォトエッチング法により配線パターンに形成し、
前記配線パターンにニッケル、金、銀、スズめっき等の表面処理被膜を形成すること、
を特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
フォトエッチング法による配線パターンの形成後に、熱硬化性または感光性のソルダーレジストまたはカバーレイ等の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記導通化処理層の形成方法は、スズ−パラジウムまたはその化合物、ニッケルまたはその化合物、グラファイト、導電性カーボン、ポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれた1つの導電性被膜の形成であることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記導通化処理層の形成前に、酸化チタンの水溶液に浸漬させることで絶縁性フィルムの表面に形成した酸化チタン被膜に紫外線を照射させることで光活性化させた被膜を形成したことを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
ビアホール内に充てんする銅めっきの充てん量は、接着剤層を含めた絶縁性フィルムの厚さの1/2以上であることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記導通化処理層の形成前に絶縁性フィルムの表面を粗化処理することを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
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JP2007242790A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法 |
JP2008004883A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
JP2011165999A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Hitachi Cable Ltd | 配線板の製造方法 |
JP2011171404A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用tabテープ及びその製造方法 |
WO2013186982A1 (ja) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | シャープ株式会社 | フィルム配線基板および発光装置 |
EP2648238A3 (en) * | 2012-03-23 | 2015-01-14 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Light-emitting element mounting package, manufacturing method of the same, and light-emitting element package |
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100665289B1 (ko) | 2005-11-17 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 와이어 테이프 |
JP2007242790A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法 |
JP2008004883A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
JP2011165999A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Hitachi Cable Ltd | 配線板の製造方法 |
JP2011171404A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用tabテープ及びその製造方法 |
EP2648238A3 (en) * | 2012-03-23 | 2015-01-14 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Light-emitting element mounting package, manufacturing method of the same, and light-emitting element package |
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