JP2005214986A - 光メモリ - Google Patents
光メモリInfo
- Publication number
- JP2005214986A JP2005214986A JP2005072121A JP2005072121A JP2005214986A JP 2005214986 A JP2005214986 A JP 2005214986A JP 2005072121 A JP2005072121 A JP 2005072121A JP 2005072121 A JP2005072121 A JP 2005072121A JP 2005214986 A JP2005214986 A JP 2005214986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- memory
- loop
- loop memory
- signal light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
【課題】従来の単ループ型光メモリに比べ、効率を犠牲にすることなく、記憶時間を延長できる光メモリを提供する。
【解決手段】光伝送路11と、選択性光増幅器12と、波長選択手段61と、外部から入力された光パルスを導入するとともに、周回した光パルスを外部に出力する結合部3とをリング状に接続して形成され、入力された光パルスがスペース状態の時に光透過係数が小さく、かつ入力された光パルスがマーク状態の時に光透過係数が大きくなるような可飽和吸収体5を備える光メモリ。
【選択図】 図5
【解決手段】光伝送路11と、選択性光増幅器12と、波長選択手段61と、外部から入力された光パルスを導入するとともに、周回した光パルスを外部に出力する結合部3とをリング状に接続して形成され、入力された光パルスがスペース状態の時に光透過係数が小さく、かつ入力された光パルスがマーク状態の時に光透過係数が大きくなるような可飽和吸収体5を備える光メモリ。
【選択図】 図5
Description
光ATM交換機における光セル(cell)や光ディジタル計算機における信号光パルス列を一時的に保持する光バッファ、または単発光波形観測用の光メモリに関する。
光ATM交換機ではそのルーティング部がビジー状態の時に、外部回線からの光セル(cell)と呼ばれる固定長の信号光パルス列を一時的に保持する光メモリ(光バッファ)が必要とされている。この目的のため、図13に示す光ループメモリが例えば文献「Electronics Letters, Vol.27, pp.1585−1586」などに発表されている。この光ループメモリは、遅延用光伝送路と光結合器及びこれらの損失を補償する光増幅器によりループを構成し、そのループの出力側に光ゲートが設けられている。
遅延用光伝送路は所定の長さの光ファイバ、光結合器53は光ファイバカプラで構成される。また、光増幅器52は半導体レーザや希土類添加光ファイバを用いた光増幅器を用いる。また、光増幅器が発する自然放出光の影響を低減するため、光増幅器52の出力に光フィルタ56を設置して不要な帯域の自然放出光をカットしている。また、これらの光増幅器52は図16に示すように電流または励起光を調整することにより利得を変化することができるようになっており、電流を下げることにより信号光を吸収することもできる。
以下、この光ループメモリ51の動作を説明する。なお、光を伝達する情報を伝達する技術分野では光信号の単位(例えば一個の光パルス)をしばしば、光セルと呼んでいる。従来技術の説明で用いてきた光セルとこの明細書で以後使用する光信号は同じ意味を有する。初期状態では光ループメモリ51中には信号光はないものとする。次に光ループメモリ51の入力側に設けられた入力端子6より入力した信号光は光結合器53によって光ゲート8と光ループメモリ51の両方に入射される。ループに入った信号光はその長さに対応して遅延し、光増幅器52、光伝送路54や光結合器53の損失を補償された後、再び光結合器53に入る。ここで再び光ゲート8とループに送られ、一連の動作を繰り返し行う。光ゲート8に到達した信号は読み出し命令があるまで光ゲート8が閉じているため、出力端子7に出力されない。また、ループ中の信号光は、光増幅器52が閉ループ利得を1よりもわずかに低い値にしているので、減衰や発振することなく、周回する。この閉ループ利得とは光増幅器52の利得から、ループの損失と光結合器53の損失を差し引いたものである。この光ループメモリ51は、接続されているルーティング部(図示せず。)のビジー状態が解除されると、ゲート信号により光ゲート8を開いて保持されていた信号光を出力端子7よりルーティング部などの外部回路に出力する。ループ中に残っている信号光は光増幅器52の駆動電流を0にすることにより、消去され初期状態に戻る。
ここでは図14に示すように、ループを一周する時間をフレーム時間(tframe )とし、信号光が周回可能な最大値(K)×フレーム時間(tframe )が最長記憶時間となる。そして、セル時間/フレーム時間が効率となる。本明細書ではこれを単ループ型光メモリと呼ぶ。またスペース状態(”0”の情報)の光電力とマーク状態(”1”の情報)の光電力との比を消光比と呼ぶ。
しかし、このメモリにおいて信号光は周回を重ねる毎に光増幅器52の雑音、すなわち自然放出光の蓄積によってスペース状態におけるの光電力レベルが上昇して消光比が低下し、最終的にはスペース状態とマーク状態との判別が不能となる。よって周回可能な最大周回数Kは一例では5回から7回程度である。この場合、最長記憶時間を長くするため、ループの長さを長くすると、フレーム時間が延びてしまい効率が低下する。このため、次に述べるタップ遅延回路を組み合わせることが文献「93年電子情報通信学会秋季大会、B−915、タップ遅延回路を組み合わせた光ATM交換用ループメモリ」により提案されている。
タップ遅延回路61を光ループメモリ51に組み合わせた例について図15を用いて述べる。この光メモリでは、入力した光信号を1×n光分岐器62によりn分割し、遅延量が0、τ、2τ、…、(n−1)τの光遅延線63にそれぞれ入力する。このτは、光ループメモリ51の最大周回回数(K)×フレーム時間(tframe )である。各遅延器の出力はn×1光結合器64により、光ループメモリ51に入力される。このメモリでは光ループメモリ51を周回している信号光は、τごとにいったん消去され、タップ遅延回路61からの新しい信号光に置き換わる。したがって最長記憶時間をのばすことができる。
「Electronics Letters, Vol.27, pp.1585−1586」
「Electronics Letters, Vol.27, pp.1585−1586」
しかし、図15で述べたタップ遅延回路61を光ループメモリ51の入力側に設けた光メモリには、以下の問題がある。第1の問題として、記憶時間中の早い時期に光ループメモリ51内の信号光を読み出した場合、ループ内やタップ遅延回路61内の信号光は不要になる。この場合、ループ内のセルは光増幅器52の利得を下げることにより消去できるが、各光遅延線63内に残存する信号光についてはこの光遅延線63からの出力が終了するまで、消去することができず、次の記憶動作に移ることができない。このことは時間的な効率の面からは問題となる。
第2の問題として、1×n光分岐器62や各光遅延線63による損失が大きく、信号のパワーが減衰してしまうという問題がある。このパワーを補償するために光増幅器を挿入するとその自然放出光により信号の消光比は劣化してしまう。この1×n光分岐器62は1×2光分岐器の組み合わせから成り立ち、各分岐比を1:1とした場合は、理論的に光信号の強度が1/2n になる。n×1光結合器64も同様の特性を有しているのでタップ遅延回路61の入出力用の二つ光結合器を合わせると損失は1/22nになる。実際はこれに製造上生じる過剰損失が加わり、さらに損失は大きくなる。
そこで本発明では上記課題を解決するため以下に示す、異なる二つの手段を採用した。第1の方法は請求項1、請求項2に記載した。まず、周回時間の異なる光ループメモリを二つ以上組み合わせ、それぞれの光ループメモリを短期記憶用、長期記憶用とし、短期記憶用の光ループメモリの最長記憶時間τが経過する時点で、長期記憶用の光ループメモリの信号光に入れ替える。この点までは請求項1、請求項2で共通である。請求項1に記載の発明では、短期記憶用の光ループメモリ、すなわち第1の光ループメモリを周回していた光は、この光ループメモリに存する第1の選択性光増幅器の利得を低下させることにより消滅させる。請求項2に記載の発明では、短期記憶用の光ループメモリ、すなわち第1の光ループメモリを周回してした光は、結合部を構成する複数の光分岐手段のうち、光スイッチを切り替えて周回していた光を外部に放出して消滅させる。第2の方法は請求項3に記載した。可飽和吸収体を光ループメモリ中に挿入する方法である。可飽和吸収体をスペース時の雑音に対しては透過係数が低く、マーク時の信号光電力のような高い電力に対しては透過係数が高くなるように設定しておけば、消光比の低下を抑えることができ、最大周回数を増やすことできる。すなわち、スペース時の光電力レベルを抑圧することによって最大周回回数を増やしている。
請求項1に記載された光メモリは以下の構成となっている。すなわち、光パルスを入力する入力端子6と、入力された光パルスを遅延させて、出力する出力端子7とを有する光メモリにおいて、第1の光伝送路11と第1の選択性光増幅器12とによりループを構成しかつ第1の周回時間T1をもつ第1のループメモリ1と、第2の光伝送路21と第2の選択性光増幅器22とによりループを構成しかつ第1の周回時間T1の整数倍の第2の周回時間T2をもつ第2のループメモリ2と、入力端子に入力された光パルスを第1の光ループメモリに取り入れ、ループを周回した光パルスを出力端子に向けて出力し、かつ入力端子に入力された光パルスを第2の光ループメモリに取り入れ、ループを周回した光パルスを第1の光ループメモリに取り入れ、ループを周回した光パルスを出力端子に向けて出力する結合部3と、結合部が第2の光ループメモリから第1の光ループメモリに光パルスを取り入れるときに第1の光ループメモリの光パルスを消滅させるように、第1の選択性光増幅器を制御するタイミング制御手段4とを備えた。
また、請求項2に記載された光メモリは以下の構成となっている。すなわち、光パルスを入力する入力端子6と、入力された光パルスを遅延させて、出力する出力端子7とを有する光メモリにおいて、第1の光伝送路11と第1の選択性光増幅器12とによりループを構成しかつ第1の周回時間T1をもつ第1のループメモリ1と、第2の光伝送路21と第2の選択性光増幅器22とによりループを構成しかつ第1の周回時間T1の整数倍の第2の周回時間T2をもつ第2のループメモリ2と、入力端子に入力された光パルスを第1の光ループメモリに取り入れ、ループを周回した光パルスを出力端子に向けて出力し、かつ入力端子に入力された光パルスを第2の光ループメモリに取り入れ、ループを周回した光パルスを第1の光ループメモリに取り入れ、ループを周回した光パルスを出力端子に向けて出力する結合部3と、第2の光ループメモリから第1の光ループメモリに光パルスを取り入れるときに第1の光ループメモリの光パルスを消滅させるように結合部を制御するタイミング制御手段4とを備えた。
第2の方法は請求項3に記載された光メモリによって具現化される。すなわち、この光メモリは光伝送路11と、選択性光増幅器12と、波長選択手段と、外部から入力された光パルスを導入するとともに、周回した光パルスを外部に出力する結合部3とをリング状に接続して形成された光メモリにおいて、入力された光パルスがスペース状態の時に光透過係数が小さく、かつ入力された光パルスがマーク状態の時に光透過係数が大きくなるような可飽和吸収体5を備えている。
第1の方法では周回時間の異なる第1の光ループメモリ1と第2のループメモリ2とを二つ以上組み合わせ、それぞれ第1の光ループメモリ1を短期記憶用、第2のループメモリ2を長期記憶用とし、ほぼ同時に信号光を入射する。短期記憶用の第1の光ループメモリ1の最長記憶時間τ1が経過する時点で、第1の選択性光増幅器12の出力を制御することにより、また結合部3を制御することにより、短期記憶用の第1の光ループメモリ1中の消光比の低下した信号光を消去するとともに、かわりに長期記憶用の第2の光ループメモリ2の信号光を注入することで、短期記憶用の第1の光ループメモリ1の記憶時間が延長される。
第2の方法は可飽和吸収体5を光ループメモリ中に挿入する方法である。可飽和吸収体5とは図17に示すように、入力光電力に対し透過係数が変化する特性を持つ物質である。従ってスペース時の光電力をP1、マーク時の電力をP2になるよう設定しておくと、スペース時の雑音に対しては透過係数が低く、マーク時の信号光電力のような高い電力に対しては透過係数が高くなる。この結果、消光比の低下を抑えることができ、最大周回数を増やすことできる。この可飽和吸収体5は例えば用いている半導体レーザ光増幅器と同じ種類の量子井戸構造の半導体からなり、この場合、可飽和吸収体5にバイアス電流を流すことによりある程度特性を変えることができる。
(1)本発明の構成を採用したので、従来の単ループ型光メモリに比べ、効率を犠牲にすることなく、記憶時間を延長できる。(2)タップ遅延回路を備えた光ループメモリに比べて、複数の遅延回路を用意することがないので装置が小型になる。各光ループメモリに備えられた光増幅器の利得を下げることによりメモリのクリアが高速に行える。(3)可飽和吸収体を備えた光ループメモリでは複ループ型光メモリよりもさらに構造が単純でさらに小型になる。
以下、本発明の実施例を説明する。第1の実施例、第2に実施例は請求項1に対応し、第3の実施例、第6の実施例は請求項3に対応し、第4の実施例、第5の実施例は請求項2に対応する。各実施例とも遅延用光導波路である第1の光伝送路11、第2の光伝送路21は光ファイバまたは光導波路からなる。また、光増幅器は半導体レーザや希土類添加光ファイバを用いた光増幅器を用いる。この光増幅器は誘電体多層膜による光フィルタあるいはファプリペロ共振器、または回折格子などからなる波長選択手段を内部に有し、かつその利得を調整することが可能である。特に本明細書ではこれを選択性光増幅器と称し、第1の光ループメモリ1に使用されるものを第1の選択性光増幅器12、第2の光ループメモリ2に使用されるものを第2の選択性光増幅器22とする。タイミング制御手段4は例えばシーケンサーやコンピュータ及びそのデジタル信号から光増幅器の駆動電流に変換するD/A変換器からなる。あらかじめ記憶されたタイミングチャートに従って第1または第2の選択性光増幅器の電流あるいは結合部の接続を変化させる
(第1の実施例)最初に構成を図1をもとに説明する。第2の光ループメモリ2中の周回時間T2は、第1の光ループメモリ1中の周回時間T1のN倍である。このNは整数であり、第1の光ループメモリ1中の最大周回数K1以下の値である。ここでは仮にN=4とする。結合部3を構成する第1の光分岐手段31と第2の光分岐手段32との距離は非常に短く、その伝搬時間はセル長に対して無視できるものとする。第1の光分岐手段31、第2の光分岐手段32はともに光ファイバカプラまたは光導波路による分岐回路からなる。
次に、第1の実施例の動作を図2をもとに説明する。初期状態(t=0)では各光ループメモリ中に信号光は存在しないものとする。入力端子6より入力された光信号は第2の光分岐手段32を介して第2の光ループメモリ2と第1の光分岐手段31に伝達される。第2の光ループメモリ2に入った光は周回して保存される。一方、第1の光分岐手段31に伝達された信号光は第1の光ループメモリ1と、光ゲート8に伝達される。第1の光ループメモリ1に入った光は周回して保存される。
0<t<4T1においては第1の光ループメモリ1中の信号光が周期的に光ゲート8に到達する。4T1<t<5T1では第1の光ループメモリ1中の信号光は消光比が劣化しているので第1の選択性光増幅器12の駆動電流を下げて利得を落とし、この信号光を消去する。代わりに第2の光ループメモリ2からの信号光が到達し、第1の光分岐手段31に入射される。この信号光は光ゲート8に向かうとともに再び第1の光ループメモリ1を周回する。仮にt=6T1においてタイミング制御手段4に読み出し信号が入ると光ゲート8が開き、信号光が出力端子7に出力される。この出力動作後、各ループメモリ内に残った信号光は第1の選択性光増幅器12及び第2の選択性光増幅器22の利得を下げることにより消去され、初期状態に戻る。
(第2の実施例)最初に構成を図3をもとにに説明する。第1の実施例と比較し、第2の光ループメモリ2の位置が違い、その他は同一である。
次に、第2の実施例の動作を図4をもとに説明する。初期状態(t=0)では各ループメモリ中に信号光は存在しないものとする。入力端子6より入力した光信号は第1の光分岐手段31を介して第1の光ループメモリ1と光ゲート8に伝達される。第1の光ループメモリ1に入った光は第1の選択性光増幅器12で増幅された後、第2の光分岐手段32に入射され、第1の光ループメモリ1を周回するとともに、第2の光ループメモリ2に伝達される。各ループメモリに入った光は周回して保存される。0<t<4T1においては第1の光ループメモリ1中の信号光が周期的に第1の光分岐手段31を通って光ゲートに到達する。4T1<t<5T1では第1の光ループメモリ1中の信号光は消光比が劣化しているので第1の選択性光増幅器12の駆動電流を下げて利得を落とし、この信号光を消去する。代わりに第2の光ループメモリ2からの信号光が第2の光分岐手段32を介して第1の光ループメモリ1に入射し、再び周回する。仮にt=6T1においてタイミング制御手段4に読み出し信号が入ると光ゲート8が開き、信号光が出力端子7に出力される。この出力動作後、各ループメモリ内部に残った信号光は第1の選択性光増幅器12及び第2の選択性光増幅器22の利得を下げることにより消去され、初期状態に戻る。
第2の実施例は第1の実施例と比較すると入力端子6−出力端子7間の光分岐手段の数が一つとなるため、この間の光損失を少なくできる。ただし、第1の光ループメモリ1中に光分岐手段が増えるために第1の選択性光増幅器12の利得を増やす必要がある。このことは自然放出光の増加を招くため、第1の光ループメモリ1の最大周回数K1が第1の実施例の場合より少なくなる。
(第3の実施例)最初に構成を図5をもとに説明する。光ループメモリ1中に可飽和吸収体5が設置してある。光ループメモリの周回時間をTとする。次に動作を図6をもとに説明する。初期状態(t=0)ではループ中に信号光はないものとする。入力端子6に信号光が入射すると(0<t<T)、この光信号は光分岐手段31を介して光伝送路11、選択性光増幅器12を通り、可飽和吸収体5に入射する。尚、本実施例では、光分岐手段、光伝送路および選択性光増幅器は一個しかないので、第1のという形容は省略する。この入射点におけるマーク時の光電力をP1、スペース時の電力をP2になるよう設定しておくと、スペース時の光雑音は光電力が低いので透過係数が低く、従ってさらにこの光電力は下がる。マーク時の信号光電力のような高い光電力に対しては透過係数が高く、損失は少ない。可飽和吸収体5を出た信号光は再び光分岐手段31に入り、光ゲート8と再周回用に再び光ループメモリ1に出力される。以上の動作を繰り返す。仮にt=6Tにおいてタイミング制御手段4に読み出し信号が入ると光ゲート8が開き、信号光が外部回路に出力される。この出力動作後、ループ内に残った信号光は選択性光増幅器12の利得を下げることにより消去され、初期状態に戻る。
(第4の実施例)最初に構成を図7をもとに説明する。第1の光分岐手段31は二つの1×2光スイッチ31a、31bからなる。他は第1の実施例と同じである。次に動作を図8をもとに説明する。初期状態(t=0)では各光ループメモリ中に信号光は存在しないものとする。入力端子6に信号光が入力されると(0<t<T1)、信号光は第2の光分岐手段32を介して第2の光ループメモリ2と第1の光スイッチ31aに伝達される。第2の光ループメモリ2に入った光は周回して保存される。さらに第1の光スイッチ31aの端子Aに入射した信号光は第2の光スイッチ31bの端子Dを通って第1の光ループメモリ1に伝送される。
保存中(T1<t<4T1)は第1の光スイッチ31a、第2の光スイッチ31bの接続は端子B、端子Dとなり、第1の光ループメモリ1に入った光はこれらの端子を通って周回して保存される。4T1<t<5T1では第1の光ループメモリ1中の信号光は消光比が劣化しているので第1の光スイッチ31aを端子A側にし、第2の光スイッチ31bを端子D側にしたまま、再び取り込む。第1の光ループメモリ1中の古い信号光は第1の光スイッチ31a端子Bよりループ外に放出され、消滅する。新たに取り込まれた信号光は再び第1の光ループメモリ1を周回する。仮にt=6T1においてタイミング制御手段4に読み出し信号が入ると光スイッチ31aは端子B、光スイッチ31bは端子Dに切換え、信号光が出力端子7に出力される。この出力動作後、第1の光ループメモリ1の信号光は再びループにはいることはないので第1の選択性光増幅器12の調整による消去の必要はない。第2の光ループメモリ2内に残った信号光は第2の選択性光増幅器22の利得を下げることにより消去され、初期状態に戻る。本実施例において二つの1×2光スイッチを一つの2×2光スイッチに置き換えることは可能である。この場合は第1の選択性光増幅器12の利得を下げることが必要である。
(第5の実施例)最初に構成を図9をもとに説明する。第1の光分岐手段31は二つの1×2光スイッチ31a、31bからなる。他は第2の実施例と同じである。次に動作を図10をもとに説明する。初期状態(t=0)では各光ループメモリ1、2中に信号光は存在しないものとする。入力端子6に信号光が入力されると(0<t<T1)、信号光は第1の光スイッチ31aの端子Aと、第2の光スイッチ31bの端子Cとを介して第1の光ループメモリ1に伝達される。第1の光ループメモリ1に入った光は第1の選択性光増幅器12で増幅され、第2の光分岐手段32に入射し、第1の光ループメモリ1を周回するとともに第2の光ループメモリ2に伝達される。各光ループメモリに入った光は周回して保存される。
T1<t<4T1においては第1の光スイッチ31a、第2の光スイッチ31bの接続は端子B、端子Dとなり、第1の光ループメモリ1に入った光はこれらの端子を通って周回して保存される。
4T1<t<5T1では第1の光ループメモリ1中の信号光は消光比が劣化しているので第1の光スイッチ31aを端子A側にし、第2の光スイッチ31bを端子D側にしたまま、再び取り込む。第1の光ループメモリ1中の古い信号光は第1の光スイッチ31aの端子Bよりループ外に放出され、消滅する。新たに取り込まれた信号光は再び第1の光ループメモリ1を周回する。仮にt=6T1においてタイミング制御手段4に読み出し信号が入ると第1の光スイッチ31aは端子B、第2の光スイッチ31bは端子Cに切換え、信号光が出力端子7に出力される。この出力動作後、第1の光ループメモリ1の信号光は再び光ループメモリ1にはいることはないので第1の選択性光増幅器12の調整による消去の必要はない。第2の光ループメモリ2内に残った信号光は第2の選択性光増幅器22の利得を下げることにより消去され、初期状態に戻る。本実施例において一つの1×2光スイッチを二つの2×2光スイッチに置き換えることは可能である。
(第6の実施例)最初に構成を図11をもとに説明する。尚、本実施例では、光分岐手段、光伝送路および選択性光増幅器は一個しかないので、第1のという形容は省略する。光分岐手段31は1×2光スイッチ31a、31bを用いており、光ゲート8が不要になっている。他は第3の実施例と同じである。動作について図12をもとに説明する。初期状態(t=0)では光ループメモリ1中に信号光はないものとする。入力端子6に信号光が入力されると(0<t<T)、信号光は第1の光スイッチ31aの端子Aと、第2の光スイッチ31bの端子Cとを介して光ループメモリ1に伝達され順次、選択性光増幅器12、可飽和吸収体5に入射する。可飽和吸収体5での動作は第3の実施例と同じである。可飽和吸収体5を出た信号光は再び第1の光スイッチ31aに入る。周回中は(T<t<5T)、第1の光スイッチ31a、第2の光スイッチ31bの接続は端子B、端子Dとなり、第1の光ループメモリ1に入った光はこれらの端子を通って周回して保存される。仮にt=6Tにおいてタイミング制御手段4に読み出し命令が入ると、第1の光スイッチ31aは端子B、第2の光スイッチ31bは端子Cに切換え、信号光が出力端子7に出力される。この出力動作において信号光は、光ループメモリ1に再入射しないので光ループメモリ1の内部の信号光は消去されたことになり、初期状態に戻る。本実施例において一つの1×2光スイッチを二つの2×2光スイッチに置き換えることは可能である。
各実施例において光分岐手段に光スイッチを使った場合は光ゲートが不要となる。また、周回中は外部回路から切り放されるため、突発的な外来性光雑音に対し、信号光が保護される。また、複ループ型光メモリにおいてはループ数を増やすことによりさらに最長記憶時間をのばすことができる。以上、本装置を光ATM交換機に使う場合について実施例を述べたが、本装置は光ディジタル計算器の光メモリなどにも使用できることは言うまでもない。さらに、単発の光パルスを周期性を持つ光パルスに変換する装置にも使える。
1 第1の光ループメモリ
2 第2の光ループメモリ
3 結合部
4 タイミング制御手段
5 可飽和吸収体
6 入力端子
7 出力端子
8 光ゲート
11 第1の光伝送路
21 第2の光伝送路
12 第1の選択性光増幅器
22 第2の選択性光増幅器
31 第1の光分岐手段
31a 第1の光スイッチ
31b 第2の光スイッチ
32 第2の光分岐手段。
2 第2の光ループメモリ
3 結合部
4 タイミング制御手段
5 可飽和吸収体
6 入力端子
7 出力端子
8 光ゲート
11 第1の光伝送路
21 第2の光伝送路
12 第1の選択性光増幅器
22 第2の選択性光増幅器
31 第1の光分岐手段
31a 第1の光スイッチ
31b 第2の光スイッチ
32 第2の光分岐手段。
Claims (1)
- 光伝送路(11)と、選択性光増幅器(12)と、波長選択手段(61)と、外部から入力された光パルスを導入するとともに、周回した光パルスを外部に出力する結合部(3)とをリング状に接続して形成された光メモリにおいて、入力された光パルスがスペース状態の時に光透過係数が小さく、かつ入力された光パルスがマーク状態の時に光透過係数が大きくなるような可飽和吸収体(5)を備えたことを特徴とする光メモリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005072121A JP2005214986A (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 光メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005072121A JP2005214986A (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 光メモリ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06680594A Division JP3699493B2 (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 光メモリ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005214986A true JP2005214986A (ja) | 2005-08-11 |
Family
ID=34909734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005072121A Pending JP2005214986A (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 光メモリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005214986A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020178334A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 方可成 | 多重ビット光コンピューティングシステム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS647588A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Nec Corp | Light amplifier |
JPH0572591A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ループメモリ |
-
2005
- 2005-03-15 JP JP2005072121A patent/JP2005214986A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS647588A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Nec Corp | Light amplifier |
JPH0572591A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ループメモリ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020178334A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 方可成 | 多重ビット光コンピューティングシステム |
JP7042777B2 (ja) | 2019-04-17 | 2022-03-28 | 方可成 | 多重ビット光コンピューティングシステム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5537243A (en) | All-optical flip-flop | |
JPH01108831A (ja) | 光パケット交換方式 | |
US6646785B2 (en) | Fiber ring amplifiers and lasers | |
JP2012242619A (ja) | 光遅延装置、光回路および光遅延方法 | |
KR100290615B1 (ko) | 광 메모리 장치 및 방법 | |
JP2004296075A (ja) | 光キャッシュメモリ | |
JPWO2020137820A1 (ja) | 光増幅器、光増幅器の等化方法、および伝送システム | |
US20070115539A1 (en) | Optical transmission system and optical filter assembly for submarine applications | |
Jeong et al. | Gain optimization in switches based on semiconductor optical amplifiers | |
JP2669483B2 (ja) | 光増幅中継回路 | |
US11670903B2 (en) | Broadband hybrid optical amplifier operation in eye-safe wavelength region | |
US5224116A (en) | Laser amplifier | |
JP2005214986A (ja) | 光メモリ | |
JP3699493B2 (ja) | 光メモリ | |
JP3786781B2 (ja) | 頑健な多波長光ファイバ通信システム | |
JP6891957B2 (ja) | 光ファイバ増幅器および光ファイバ増幅システム | |
JPH0572591A (ja) | 光ループメモリ | |
JPH10173606A (ja) | 光増幅中継伝送システム及び光増幅器 | |
JP6904108B2 (ja) | 光ファイバ増幅器および光ファイバ増幅システム | |
JP2005101590A (ja) | 光増幅用ファイバ、光増幅モジュール、光通信システム及び光増幅方法 | |
KR20020068853A (ko) | 이득고정형 광섬유증폭기 | |
Ono et al. | Wide-range variable gain fiber amplifier with erbium-doped fiber switching | |
KR100273064B1 (ko) | 루프 미러를 이용한 광버퍼 | |
Thakulsukanant et al. | All-optical label swapping using bistable semiconductor ring laser | |
EP1176459A1 (en) | Optical threshold and comparison devices and methods |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050712 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051115 |