JP2005213598A - Deposition method, film, electronic components, and electronic equipment - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition method capable of easily and inexpensively forming a film of a prescribed pattern, the film formed by such deposition method, and electronic components and electronic equipment having such film. <P>SOLUTION: The deposition method is a method of forming the film 3 of the prescribed pattern on a substrate 1 and comprises previously forming a high affinity region 21 having high affinity to flying objects 31 coming flying to a film forming surface side to be formed with the film 3 of the substrate 1 and a low affinity region 22 having the lower affinity to the flying objects 31 than that of the high affinity region 21 on the film forming surface of the substrate 1 at the time of forming the film 3 by using the flying objects 31, and collecting the flying objects 31 to the high affinity region 21 by utilizing the differences in affinity to the high affinity region 21 and the low affinity region 22 to the flying objects 31. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、成膜方法、膜、電子部品および電子機器に関するものである。   The present invention relates to a film forming method, a film, an electronic component, and an electronic apparatus.

従来、所定パターンの膜の形成には、樹脂を主成分とするマスクを用いたエッチング法が、広く利用されている（例えば、特許文献１参照。）。
具体的には、Ｉ：基材上に膜形成用の材料で構成される層を形成する。II：前記層上にレジスト材料を塗布する。III：レジスト材料を露光・現像し、前記層の不要部分に対応して開口部を有するレジスト層を得る。IV：レジスト層をマスクに用いて、エッチング法により、開口部内に露出した層を除去する。Ｖ：マスクを除去する。これにより、所定パターンに形成された膜を得る。
ところが、このような方法では、レジスト層の形成に時間と手間とを要する。その結果、膜形成までに長時間を要したり、コストが高くなる等の問題が生じる。 Conventionally, an etching method using a mask containing a resin as a main component has been widely used to form a film having a predetermined pattern (see, for example, Patent Document 1).
Specifically, I: A layer composed of a film forming material is formed on a substrate. II: A resist material is applied on the layer. III: The resist material is exposed and developed to obtain a resist layer having openings corresponding to unnecessary portions of the layer. IV: Using the resist layer as a mask, the layer exposed in the opening is removed by an etching method. V: The mask is removed. Thereby, a film formed in a predetermined pattern is obtained.
However, such a method requires time and labor to form the resist layer. As a result, problems such as a long time required for film formation and high costs arise.

特開平５−３３８１８４号公報JP-A-5-338184

本発明の目的は、所定のパターンの膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された膜、この膜を備える電子部品および電子機器を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a film forming method capable of easily and inexpensively forming a film having a predetermined pattern, a film formed by such a film forming method, an electronic component and an electronic apparatus including the film.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の成膜方法は、基材上に、所定のパターンの膜を形成する成膜方法であって、
前記基材の前記膜を形成する膜形成面側に飛来物を飛来させ、該飛来物を堆積させて前記膜を形成するに際し、
前記基材の前記膜形成面に、前記飛来物に対する親和性が高い高親和性領域と、該高親和性領域より前記飛来物に対する親和性が低い低親和性領域とを形成しておき、
前記飛来物を、前記高親和性領域と前記低親和性領域との前記飛来物に対する親和性の違いを利用して、前記高親和性領域に集めることを特徴とする。
これにより、所定のパターンの膜を容易かつ安価に形成することができる。 Such an object is achieved by the present invention described below.
The film forming method of the present invention is a film forming method for forming a film having a predetermined pattern on a substrate,
When flying the flying object on the film forming surface side forming the film of the substrate, and depositing the flying object to form the film,
On the film forming surface of the substrate, a high affinity region having a high affinity for the flying object, and a low affinity region having a lower affinity for the flying object than the high affinity region,
The flying objects are collected in the high affinity region by utilizing the difference in affinity between the high affinity region and the low affinity region with respect to the flying object.
Thereby, the film | membrane of a predetermined pattern can be formed easily and cheaply.

本発明の成膜方法では、前記高親和性領域は、前記低親和性領域より前記飛来物に対する濡れ性が高い領域であることが好ましい。
これにより、飛来物を容易に高親和性領域に集めることができる。
本発明の成膜方法では、前記低親和性領域に対する純水の接触角をＡ［°］とし、前記高親和性領域に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、｜Ａ−Ｂ｜≧１５なる関係を満足することが好ましい。
これにより、飛来物をより確実かつ迅速に高親和性領域に集めることができる。 In the film forming method of the present invention, the high affinity region is preferably a region having higher wettability to the flying object than the low affinity region.
Thereby, flying objects can be easily collected in the high affinity region.
In the film forming method of the present invention, when the contact angle of pure water with respect to the low affinity region is A [°] and the contact angle of pure water with respect to the high affinity region is B [°], | AB It is preferable that the relationship | ≧ 15 is satisfied.
Thereby, flying objects can be more reliably and rapidly collected in the high affinity region.

本発明の成膜方法では、前記基材を加熱した状態で、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させることが好ましい。
これにより、膜を高親和性領域に、より選択性高く形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記基材の加熱温度は、８０〜３００℃であることが好ましい。
これにより、膜を高親和性領域に、特に選択性高く形成することができる。 In the film forming method of the present invention, it is preferable that the flying object is made to fly to the film forming surface side of the substrate while the substrate is heated.
Thereby, the membrane can be formed in the high affinity region with higher selectivity.
In the film-forming method of this invention, it is preferable that the heating temperature of the said base material is 80-300 degreeC.
Thereby, the membrane can be formed in the high affinity region with particularly high selectivity.

本発明の成膜方法では、前記基材の前記膜形成面を鉛直下方に向けた状態、または鉛直下方に対して所定の角度傾斜させた状態で、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させることが好ましい。
これにより、膜の成長方向制御することができる。
本発明の成膜方法では、前記高親和性領域と前記低親和性領域とは、それぞれ、前記基材の前記膜形成面へ官能基を導入するか否か、または、異なる官能基を導入することにより形成されることが好ましい。
かかる方法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、容易かつ精度よく、高親和性領域と低親和性領域とを形成することができる。
本発明の成膜方法では、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法または化学的気相成膜法に適用されることが好ましい。
これらの成膜過程において、飛来物を容易に発生させることができる。 In the film forming method of the present invention, the flying object is formed on the base material in a state where the film forming surface of the base material is directed vertically downward or inclined at a predetermined angle with respect to the vertical downward direction. It is preferable to fly to the surface side.
Thereby, the growth direction of the film can be controlled.
In the film forming method of the present invention, each of the high affinity region and the low affinity region introduces a functional group to the film forming surface of the base material or introduces a different functional group. Is preferably formed.
According to such a method, a high-affinity region and a low-affinity region can be formed easily and accurately without requiring a large facility.
The film forming method of the present invention is preferably applied to a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a chemical vapor deposition method.
In these film forming processes, flying objects can be easily generated.

本発明の膜は、本発明の成膜方法により成膜されたことを特徴とする。
これにより、成膜精度（信頼性）の高い膜が得られる。
本発明の電子部品は、本発明の膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子部品が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。 The film of the present invention is formed by the film forming method of the present invention.
Thereby, a film with high film forming accuracy (reliability) can be obtained.
The electronic component of the present invention includes the film of the present invention.
Thereby, a highly reliable electronic component is obtained.
The electronic device of the present invention includes the electronic component of the present invention.
As a result, a highly reliable electronic device can be obtained.

以下、本発明の成膜方法、膜、電子部品および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜成膜方法＞
まず、本発明の成膜方法の好適な実施形態について説明する。
図１および図２は、それぞれ、本発明の成膜方法を説明するための模式的な図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
本発明の成膜方法は、基材１上（基材１の膜３を形成する膜形成面側）に、膜３を形成するための飛来物３１を飛来させ、この飛来物３１を堆積させて所定のパターンの膜３を形成する方法である。
ここで、飛来物３１は、膜材料（膜３の構成材料）またはその前駆体が、例えば、原子、分子、イオン、ラジカル等となったものである。 Hereinafter, a film forming method, a film, an electronic component, and an electronic apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
<Film formation method>
First, a preferred embodiment of the film forming method of the present invention will be described.
1 and 2 are schematic views (longitudinal sectional views) for explaining the film forming method of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 1 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
In the film forming method of the present invention, the flying object 31 for forming the film 3 is made to fly on the substrate 1 (the film forming surface side on which the film 3 of the substrate 1 is formed), and this flying object 31 is deposited. In this method, the film 3 having a predetermined pattern is formed.
Here, the flying object 31 is obtained by converting a film material (a constituent material of the film 3) or a precursor thereof into, for example, atoms, molecules, ions, radicals, and the like.

膜材料としては、特に限定されないが、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ、またはこれらを含む合金のような各種金属材料、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）のような各種酸化物系材料、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ等のカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、炭素繊維のような各種炭素系材料、各種有機材料等が挙げられる。   The film material is not particularly limited. For example, Ni, Pd, Pt, Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, Ag, Cu, Co, Al, Cs, Various metal materials such as Rb or alloys containing them, such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), antimony tin oxide (ATO), fluorine-containing indium tin oxide (FTO) Various oxide materials, carbon nanotubes such as single-walled carbon nanotubes, multi-walled carbon nanotubes, carbon nanofibers, CN nanotubes, CN nanofibers, BCN nanotubes, BCN nanofibers, various carbon materials such as carbon fibers, various organic materials Etc.

また、膜材料の前駆体（以下、単に「前駆体」と言う。）としては、種々の反応により、前記膜材料に変化するものである。この前駆体を膜材料に変化させる反応としては、例えば、熱分解反応、不均等化反応、重合反応、酸化反応、還元反応、窒化反応、炭化反応、ホウ化反応等が挙げられる。
具体的には、飛来物３１としては、例えば、膜材料または前駆体を加熱することにより生じた蒸発粒子、または、この蒸発粒子がプラズマやレーザー光等によりイオン化されたもの、スパッタリングにより膜材料または前駆体で構成されたターゲットから叩き出されたスパッタ粒子、ガス状の膜材料または前駆体が熱、プラズマやレーザー光等によりラジカル化されたもの等が挙げられる。
このような飛来物３１は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学的気相成膜法（ＣＶＤ法）の成膜過程で容易に発生させることができる。すなわち、本発明は、これらの成膜法に好適に適用される。 Further, the precursor of the film material (hereinafter simply referred to as “precursor”) is changed to the film material by various reactions. Examples of the reaction for changing the precursor into a film material include a thermal decomposition reaction, a disproportionation reaction, a polymerization reaction, an oxidation reaction, a reduction reaction, a nitridation reaction, a carbonization reaction, and a boride reaction.
Specifically, as the flying object 31, for example, evaporated particles generated by heating a film material or a precursor, or particles obtained by ionizing the evaporated particles by plasma or laser light, or the film material or Examples include sputtered particles sputtered from a target composed of a precursor, a gaseous film material or a precursor that has been radicalized by heat, plasma, laser light, or the like.
Such flying objects 31 can be easily generated in a film forming process such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a chemical vapor deposition method (CVD method). That is, the present invention is suitably applied to these film forming methods.

本発明の成膜方法は、基材１の膜形成面に、飛来物３１に対する親和性が高い高親和性領域２１と、この高親和性領域２１より飛来物３１に対する親和性が低い低親和性領域２２とを形成する表面処理工程と、飛来物３１を、高親和性領域２１と低親和性領域２２との飛来物３１に対する親和性の違いを利用して、高親和性領域２１に集めて膜３を得る膜形成工程とを有する。以下、各工程について順次説明する。   The film forming method of the present invention has a high affinity region 21 having a high affinity for the flying object 31 on the film forming surface of the substrate 1 and a low affinity having a lower affinity for the flying object 31 than the high affinity region 21. The surface treatment step for forming the region 22 and the flying object 31 are collected in the high affinity region 21 by utilizing the difference in affinity for the flying object 31 between the high affinity region 21 and the low affinity region 22. A film forming step for obtaining the film 3. Hereinafter, each process will be described sequentially.

［１］ 表面処理工程
まず、図１（ａ）に示すような基材１を用意する。
この基材１は、いかなる材料で構成されたものであってもよいが、例えば、石英ガラス、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、各種低誘電率材料（いわゆる、ｌｏｗ−Ｋ材）等の各種絶縁材料（誘電体）や、シリコン（例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム酸化物（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の導電性材料で構成されたものを用いることができる。また、基材１は、これらの材料で構成された層を複数有する多層構成のものであってもよい。
また、基材１は、膜３を形成した後、除去（分離）されるものであってもよく、膜３と一体的に使用されるものであってもよい。 [1] Surface treatment step First, a substrate 1 as shown in FIG.
The base material 1 may be made of any material. For example, quartz glass, silicon dioxide, silicon nitride, polyethylene terephthalate, polyimide, various low dielectric constant materials (so-called low-K materials), etc. Various insulating materials (dielectrics), silicon (eg, amorphous silicon, polycrystalline silicon, etc.), indium tin oxide (ITO), indium oxide (IO), tin oxide (SnO ₂ ), antimony tin oxide ( ATO, indium zinc oxide (IZO), Al, Al alloy, Cr, Mo, Ta, or other conductive materials can be used. Moreover, the base material 1 may have a multilayer structure including a plurality of layers made of these materials.
The substrate 1 may be removed (separated) after forming the film 3 or may be used integrally with the film 3.

次に、この基材１の膜形成面（図１中、上面）に、飛来物３１に対して親和性が高い高親和性領域２１と、飛来物３１に対する親和性が高親和性領域２１よりも低い低親和性領域２２とを形成する。
このうち、高親和性領域２１は、次工程［２］において、膜３が選択的に形成される膜形成領域であり、形成すべき膜３に対応したパターンで形成される。
ここで、「飛来物３１に対する親和性」とは、各領域２１、２２に対する飛来物３１またはその集合物（クラスタ）の付着のし易さを意味する。 Next, the high affinity region 21 having a high affinity for the flying object 31 and the affinity for the flying object 31 are higher than the high affinity region 21 on the film forming surface (the upper surface in FIG. 1) of the substrate 1. Is formed with a low-affinity region 22.
Among these, the high affinity region 21 is a film formation region in which the film 3 is selectively formed in the next step [2], and is formed in a pattern corresponding to the film 3 to be formed.
Here, “affinity with the flying object 31” means the ease of attachment of the flying object 31 or its aggregate (cluster) to each of the regions 21 and 22.

飛来物３１による膜３の形成は、飛来物３１が基材１上に付着、凝集（集合）することにより進行するので、このプロセスが生じ易い領域、すなわち、ここで言う飛来物３１に対する親和性の高い高親和性領域２１程、膜３の形成が進行し易い。
本発明では、かかる現象を利用して、次工程［２］において、高親和性領域２１に選択的に膜３を形成する。 The formation of the film 3 by the flying object 31 proceeds when the flying object 31 adheres to and aggregates (aggregates) on the base material 1, so that this process is likely to occur, that is, the affinity for the flying object 31 here. The higher the affinity region 21 is, the easier the formation of the film 3 proceeds.
In the present invention, utilizing this phenomenon, the film 3 is selectively formed in the high affinity region 21 in the next step [2].

基材１の膜形成面に、高親和性領域２１と低親和性領域２２とを形成する方法としては、各種の方法があるが、特に、高親和性領域２１に、低親和性領域２２より飛来物３１に対する高い濡れ性を付与する方法（化学的な親和性を高める方法）が好適である。かかる方法によれば、飛来物３１を容易に高親和性領域２１に集めることができる。
このような高親和性領域２１と低親和性領域２２とは、基材１の膜形成面に対して濡れ性の程度を制御（調整）する処理を施すことにより、容易に形成することができる。 There are various methods for forming the high-affinity region 21 and the low-affinity region 22 on the film-forming surface of the substrate 1, and in particular, the high-affinity region 21 has a higher affinity than the low-affinity region 22. A method of imparting high wettability to the flying object 31 (a method of increasing chemical affinity) is suitable. According to such a method, the flying objects 31 can be easily collected in the high affinity region 21.
Such a high affinity region 21 and a low affinity region 22 can be easily formed by performing a process for controlling (adjusting) the degree of wettability on the film forming surface of the substrate 1. .

この処理の方法としては、例えば、基材１の膜形成面に官能基を導入する方法、基材１の膜形成面に膜を形成する方法、基材１の膜形成面にイオン等を打ち込む方法等が挙げられるが、これらの中でも、特に、基材１の膜形成面に官能基を導入する方法を用いるのが好ましい。かかる方法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、容易かつ精度よく、高親和性領域２１と低親和性領域２２とを形成することができる。
具体的には、高親和性領域２１と低親和性領域２２とは、それぞれ、基材１の膜形成面へ官能基を導入するか否か、または、異なる官能基を導入することにより形成することができる。導入する官能基は、基材１の構成材料や飛来物３１の種類等によって、例えば、次のようにすることができる。 As a method of this treatment, for example, a method of introducing a functional group on the film forming surface of the base material 1, a method of forming a film on the film forming surface of the base material 1, and ions are implanted into the film forming surface of the base material 1 Among them, among them, it is particularly preferable to use a method of introducing a functional group into the film forming surface of the substrate 1. According to such a method, a high-affinity region 21 and a low-affinity region 22 can be formed easily and accurately without requiring a large facility.
Specifically, the high-affinity region 21 and the low-affinity region 22 are each formed by introducing a functional group on the film forming surface of the substrate 1 or by introducing a different functional group. be able to. The functional group to be introduced can be, for example, as follows depending on the constituent material of the base material 1, the type of the flying object 31, and the like.

Ｉ：飛来物３１の撥液性が低い（親液性が高い）場合、基材１の膜形成面の低親和性領域２２とする領域１２に、高い撥液性を有する官能基を導入するとともに、高親和性領域２１とする領域１１に、高い親液性を有する官能基を導入する。
II：飛来物３１の撥液性が低く（親液性が高く）、基材１の撥液性も低い（親液性も高い）場合、基材１の膜形成面の低親和性領域２２とする領域１２に、高い撥液性を有する官能基を導入する。 I: When the liquid repellency of the flying object 31 is low (high lyophilicity), a functional group having high liquid repellency is introduced into the region 12 to be the low affinity region 22 on the film forming surface of the substrate 1. At the same time, a functional group having a high lyophilic property is introduced into the region 11 to be the high affinity region 21.
II: When the flying object 31 has low liquid repellency (high lyophilicity) and the base material 1 has low liquid repellency (high lyophilicity), the low affinity region 22 on the film forming surface of the base material 1 A functional group having high liquid repellency is introduced into the region 12.

III：飛来物３１の撥液性が低く（親液性が高く）、基材１の撥液性が高い（親液性が低い）場合、基材１の膜形成面の高親和性領域２１とする領域１１に、高い親液性を有する官能基を導入する。
IV：飛来物３１の撥液性が高い（親液性が低い）場合、基材１の膜形成面の高親和性領域２１とする領域１１に、高い撥液性を有する官能基を導入するとともに、低親和性領域２２とする領域１２に、高い親液性を有する官能基を導入する。 III: When the flying object 31 has low liquid repellency (high lyophilicity) and the base material 1 has high liquid repellency (low lyophilicity), the high affinity region 21 on the film forming surface of the base material 1 A functional group having high lyophilicity is introduced into the region 11.
IV: When the flying object 31 has high liquid repellency (low lyophilicity), a functional group having high liquid repellency is introduced into the region 11 to be the high affinity region 21 on the film forming surface of the substrate 1. At the same time, a functional group having a high lyophilic property is introduced into the region 12 to be the low affinity region 22.

Ｖ：飛来物３１の撥液性が高く（親液性が低く）、基材１の撥液性が低い（親液性が高い）場合、基材１の膜形成面の高親和性領域２１とする領域１１に、高い撥液性を有する官能基を導入する。
VI：飛来物３１の撥液性が高く（親液性が低く）、基材１の撥液性も高い（親液性も低い）場合、基材１の膜形成面の低親和性領域２２とする領域１２に、高い親液性を有する官能基を導入する。 V: When the flying object 31 has high liquid repellency (low lyophilicity) and the base material 1 has low liquid repellency (high lyophilicity), the high affinity region 21 on the film forming surface of the base material 1 A functional group having high liquid repellency is introduced into the region 11.
VI: When the flying object 31 has high liquid repellency (low lyophilicity) and the base material 1 has high liquid repellency (low lyophilicity), the low affinity region 22 on the film forming surface of the base material 1 A functional group having high lyophilicity is introduced into the region 12.

ここで、高い撥液性を有する官能基としては、例えば、フルオロアルキル基、アルキル基、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基等が挙げられ、高い親液性を有する官能基としては、例えば、水酸基、アミノ基、カルボキシル基等が挙げられる。
また、官能基としては、これら自体を基材１の膜形成面に導入してもよい他、これらを所定の主鎖に置換基として結合させたものを基材１の膜形成面に導入してもよい。
このような官能基を基材１の膜形成面に導入する方法としては、導入する官能基を有するカップリング剤または界面活性剤等による表面処理が好適である。かかる方法によれば、目的とする官能基を基材１の膜形成面に、容易かつ確実に導入することができる。 Here, examples of the functional group having high liquid repellency include a fluoroalkyl group, an alkyl group, a vinyl group, an epoxy group, a styryl group, a methacryloxy group, and the like. As the functional group having a high lyophilic property, For example, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, etc. are mentioned.
Moreover, as functional groups, these may be introduced into the film-forming surface of the substrate 1, or those having these bonded as a substituent to a predetermined main chain are introduced into the film-forming surface of the substrate 1. May be.
As a method for introducing such a functional group into the film forming surface of the substrate 1, a surface treatment with a coupling agent or a surfactant having the functional group to be introduced is suitable. According to this method, the target functional group can be easily and reliably introduced onto the film forming surface of the substrate 1.

カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、有機リン酸系カップリング剤、シリルパーオキサイド系カップリング剤等を用いることができる。
また、界面活性剤としては、例えば、導入する官能基を終端に有する各種界面活性剤等を用いることができる。 As the coupling agent, for example, a silane coupling agent, a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, a zirconium coupling agent, an organic phosphate coupling agent, a silyl peroxide coupling agent, or the like is used. be able to.
Moreover, as surfactant, the various surfactant etc. which have the functional group to introduce | transduce into a terminal can be used, for example.

得られた高親和性領域２１と低親和性領域２２とは、次のような関係を満足するのが好ましい。すなわち、低親和性領域２２に対する純水の接触角をＡ［°］とし、高親和性領域２１に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、｜Ａ−Ｂ｜≧１５なる関係を満足するのが好ましく、｜Ａ−Ｂ｜≧３０なる関係を満足するのがより好ましく、｜Ａ−Ｂ｜≧５０なる関係を満足するのがさらに好ましい。高親和性領域２１と低親和性領域２２とが、前記関係を満足することにより、飛来物３１をより確実かつ迅速に高親和性領域２１に集めることができる。   The obtained high affinity region 21 and low affinity region 22 preferably satisfy the following relationship. That is, when the contact angle of pure water with respect to the low affinity region 22 is A [°] and the contact angle of pure water with respect to the high affinity region 21 is B [°], the relationship | A−B | ≧ 15 holds. It is preferable that the relationship | A−B | ≧ 30 is satisfied, and it is further preferable that the relationship | A−B | ≧ 50 is satisfied. When the high affinity region 21 and the low affinity region 22 satisfy the above relationship, the flying objects 31 can be collected in the high affinity region 21 more reliably and quickly.

以上のように、高親和性領域２１と低親和性領域２２とは、好ましくは、それらの飛来物３１に対する濡れ性を制御することにより形成されるが、ここで、この具体的な工程を、カップリング剤を使用して、低親和性領域２２より低い撥液性の高親和性領域２１を形成する場合を一例にして説明する。
この場合、基材１には、例えば、石英ガラスのようなガラス材料等で構成されたもの、すなわち、表面に水酸基を有するものが好適に使用される。 As described above, the high-affinity region 21 and the low-affinity region 22 are preferably formed by controlling the wettability with respect to the flying object 31. Here, this specific process is performed as follows. A case where a high affinity region 21 having a liquid repellency lower than that of the low affinity region 22 is formed using a coupling agent will be described as an example.
In this case, the substrate 1 is preferably made of a glass material such as quartz glass, that is, a material having a hydroxyl group on the surface.

次に、基材１を、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
次に、カップリング剤を含有する処理液を、基材１の膜形成面の低親和性領域２２とする領域１２に、選択的に塗布（供給）する。
処理液を塗布する方法としては、例えば、インクジェット法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリント法等を用いることができる。これにより、基材１の膜形成面の低親和性領域２２とする領域１２に、高い選択性をもって処理液を供給することができる。 Next, the substrate 1 is washed, for example, with water (pure water or the like), an organic solvent, or the like alone or in an appropriate combination.
Next, a treatment liquid containing a coupling agent is selectively applied (supplied) to the region 12 to be the low affinity region 22 on the film forming surface of the substrate 1.
As a method for applying the treatment liquid, for example, an inkjet method, an offset printing method, a micro contact printing method, or the like can be used. Thereby, it is possible to supply the processing liquid with high selectivity to the region 12 to be the low affinity region 22 on the film forming surface of the substrate 1.

カップリング剤としては、前述したような種類のものが使用可能である。ここでは、一般式Ｒ_ｎＳｉＸ_{（４−ｎ）}（但し、Ｘは、加水分解によりシラノール基を生成する加水分解基、Ｘはフルオロアルキル基である。また、ｎは１〜３の整数である。）で表されるシラン系カップリング剤を使用し、フルオロアルキル基の導入により撥液性を付与する場合を一例とする。
このシラン系カップリング剤は、基材１の膜形成面に強固に結合させることができ、また、フルオロアルキル基は、撥液性が特に高いため、膜形成面の親液性を容易に制御（調製）することができる。 As the coupling agent, those described above can be used. Here, the general formula _{R n SiX (4-n)} ( where, X is hydrolysable group which forms a silanol group by hydrolysis, X is fluoroalkyl group. Further, n represents is an integer from 1 to 3 )) Is used as an example, and liquid repellency is imparted by introduction of a fluoroalkyl group.
This silane coupling agent can be firmly bonded to the film forming surface of the substrate 1, and the fluoroalkyl group has particularly high liquid repellency, so that the lyophilicity of the film forming surface can be easily controlled. (Preparation).

また、この一般式において、Ｘとしてはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子等が挙げられ、Ｒとしては、（ＣＦ_３）（ＣＦ_２）_a（ＣＨ_２）_ｂ（但し、ａは０以上の整数、ｂは０〜４の整数である。）で表されるフルオロアルキル基等等が挙げられる。なお、複数個のＲ同士またはＸ同士は、互いに同じものであっても、異なるものであってもよい。
このようなシラン系カップリング剤の具体例としては、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。 In this general formula, X includes a methoxy group, an ethoxy group, a halogen atom, and the like, and R represents (CF ₃ ) (CF ₂ ) _a (CH ₂ ) _b (where a is an integer of 0 or more. , B is an integer of 0 to 4.) and the like. A plurality of Rs or Xs may be the same as or different from each other.
Specific examples of such silane coupling agents include tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltriethoxysilane, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltrimethoxysilane, and trideca. Examples include fluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltrichlorosilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, and the like.

次に、例えば加熱することにより、シラン系カップリング剤の加水分解基を加水分解させ、生成したシラノール基と基材１の膜形成面に存在する水酸基とを反応させて、シロキサン結合を形成させる。
これにより、フルオロアルキル基が、シロキサン結合を介して基材１の膜形成面の低親和性領域２２とする領域１２に結合する。その結果、フルオロアルキル基により撥液性が付与された低親和性領域２２と、水酸基により親液性を示す高親和性領域（低親和性領域２２よりも撥液性が低い領域）２１とが、区画形成される（図１（ｂ）参照）。 Next, for example, by heating, the hydrolyzing group of the silane coupling agent is hydrolyzed, and the generated silanol group reacts with the hydroxyl group present on the film-forming surface of the substrate 1 to form a siloxane bond. .
Thereby, a fluoroalkyl group couple | bonds with the area | region 12 used as the low affinity area | region 22 of the film | membrane formation surface of the base material 1 through a siloxane bond. As a result, a low-affinity region 22 imparted with liquid repellency by a fluoroalkyl group and a high-affinity region (region having a lower liquid repellency than the low-affinity region 22) 21 having lyophilicity by a hydroxyl group. Then, a partition is formed (see FIG. 1B).

［２］ 膜形成工程
次に、図２（ａ）に示すように、飛来物３１を基材１の膜形成面側（高親和性領域２１および低親和性領域２２）に飛来させる。
そして、高親和性領域２１と低親和性領域２２との飛来物３１に対する親和性の違いを利用して、飛来物３１を高親和性領域２１に集める。 [2] Film Forming Step Next, as shown in FIG. 2A, the flying object 31 is made to fly to the film forming surface side (the high affinity region 21 and the low affinity region 22) of the substrate 1.
Then, utilizing the difference in affinity between the high affinity region 21 and the low affinity region 22 with respect to the flying object 31, the flying object 31 is collected in the high affinity region 21.

すなわち、高親和性領域２１に飛来した飛来物３１は、該領域２１との親和性が高いため、そのまま領域２１に付着するか、または先に付着した飛来物３１と凝集（集合）する。一方、低親和性領域２２に飛来した飛来物３１は、該領域２２との親和性が低いため、領域２２に付着することなく動き回る（表面拡散運動する）。この飛来物３１は、そのままの状態または互いに融合した状態（クラスタ状態）で高親和性領域２１に到達すると、この領域２１に付着するか、または先に付着した飛来物３１と凝集する（図２（ｂ）参照）。   That is, since the flying object 31 that has come to the high affinity region 21 has a high affinity with the region 21, it adheres to the region 21 as it is, or aggregates (aggregates) with the flying object 31 that has previously adhered. On the other hand, the flying object 31 that has jumped into the low affinity region 22 moves around without moving to the region 22 (performs surface diffusion) because the affinity with the region 22 is low. When the flying object 31 reaches the high affinity region 21 as it is or in a fused state (cluster state), it adheres to the region 21 or agglomerates with the flying object 31 previously attached (FIG. 2). (See (b)).

このとき、膜材料の飛来物３１では、高親和性領域２１において凝集し、これを核として、膜３の形成が促進される。また、前駆体の飛来物３１では、高親和性領域２１において凝集するとともに、前駆体同士が反応して膜材料に変化し、これを核として、膜３の形成が促進される。
このようにして、高親和性領域２１に飛来物３１が集合（堆積）することにより、膜３が形成される（図２（ｃ）参照）。
なお、本工程［２］では、飛来物３１を基材１の膜形成面側に飛来させる（供給する）のに際して、基材１を加熱した状態とするのが好ましい。これにより、低親和性領域２２における飛来物３１の運動性を向上させることができ、その結果、膜３を高親和性領域２１に、より高い選択性をもって形成することができる。 At this time, the flying material 31 of the film material aggregates in the high-affinity region 21, and the formation of the film 3 is promoted using this as a nucleus. In addition, the precursor projectile 31 aggregates in the high-affinity region 21, and the precursors react with each other to change into a film material. Using this as a nucleus, formation of the film 3 is promoted.
In this way, the flying object 31 collects (deposits) in the high affinity region 21 to form the film 3 (see FIG. 2C).
In this step [2], it is preferable that the base material 1 is heated when the flying object 31 is allowed to fly (supply) to the film forming surface side of the base material 1. Thereby, the mobility of the flying object 31 in the low affinity region 22 can be improved, and as a result, the membrane 3 can be formed in the high affinity region 21 with higher selectivity.

基材１を加熱する方法としては、図示のようなヒータによる加熱方法の他、例えば、マイクロ波の照射による加熱方法、レーザー光の照射による加熱方法、赤外線の照射による加熱方法等が挙げられる。
基材１の加熱温度は、特に限定されないが、８０〜３００℃程度であるのが好ましく、８０〜２００℃程度であるのがより好ましい。このような範囲に加熱温度を設定することにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。 Examples of the method for heating the substrate 1 include a heating method using a heater as illustrated, a heating method using microwave irradiation, a heating method using laser light irradiation, and a heating method using infrared irradiation.
Although the heating temperature of the base material 1 is not specifically limited, It is preferable that it is about 80-300 degreeC, and it is more preferable that it is about 80-200 degreeC. By setting the heating temperature in such a range, the effects as described above are more remarkably exhibited.

また、飛来物３１を基材１の膜形成面側に飛来させるのに際して、図２に示すように、基材１は、その膜形成面を鉛直下方に向けた状態、または鉛直下方に対して所定の角度傾斜させた状態（斜方状態）とするのが好ましい。これにより、膜３の成長方向制御することができるとともに、パーティクルの発生を防止する効果が発揮される。
なお、本工程［２］の後に、必要に応じて、後処理工程を設けるようにしてもよい。この後処理工程としては、例えば、工程［２］において膜３が固化（硬化）に至らない場合に、膜３を固化させるための工程等が挙げられる。
以上のような工程を経て、所定のパターンの膜（本発明の膜）３が得られる。 Further, when the flying object 31 is made to fly to the film forming surface side of the base material 1, as shown in FIG. 2, the base material 1 has the film forming surface directed vertically downward, or vertically downward. It is preferable to be in a state inclined at a predetermined angle (an oblique state). Thereby, the growth direction of the film 3 can be controlled and the effect of preventing the generation of particles is exhibited.
In addition, you may make it provide a post-processing process after this process [2] as needed. Examples of the post-processing step include a step for solidifying the film 3 when the film 3 does not solidify (cured) in the step [2].
Through the steps as described above, a film (film of the present invention) 3 having a predetermined pattern is obtained.

本発明によれば、基材１上に直接マスク（レジスト層）を形成することを要せず、高い成膜精度で膜３を形成することができる。
また、本発明によれば、レジスト層を用いないことから、レジスト層を形成するための複雑な工程や、不要となったレジスト層を除去する工程を省略することができる。
このようなことから、本発明によれば、容易かつ安価に、成膜精度（信頼性）の高い膜３を得ることができる。 According to the present invention, it is not necessary to form a mask (resist layer) directly on the substrate 1, and the film 3 can be formed with high film forming accuracy.
In addition, according to the present invention, since a resist layer is not used, a complicated process for forming a resist layer and a process for removing a resist layer that has become unnecessary can be omitted.
For this reason, according to the present invention, the film 3 having high film forming accuracy (reliability) can be obtained easily and inexpensively.

＜電子部品＞
このような膜３は、例えば、スイッチング素子（薄膜トランジスタ）、配線基板、半導体部品、表示パネル、発光素子等の各種電子部品に適用することができる。
以下では、本発明の電子部品を薄膜トランジスタ（特に、有機薄膜トランジスタ）に適用した場合を代表に説明する。 <Electronic parts>
Such a film | membrane 3 is applicable to various electronic components, such as a switching element (thin film transistor), a wiring board, a semiconductor component, a display panel, a light emitting element, for example.
Below, the case where the electronic component of this invention is applied to a thin-film transistor (especially organic thin-film transistor) is demonstrated as a representative.

図３は、本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。なお、以下では、図３（ａ）中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図３に示す薄膜トランジスタ１００は、基板（基材）２０上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（有機層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。 3A and 3B are diagrams showing an embodiment of a thin film transistor to which the electronic component of the present invention is applied, wherein FIG. 3A is a longitudinal sectional view, and FIG. 3B is a plan view. In the following description, the upper side in FIG. 3A is described as “upper” and the lower side is described as “lower”.
A thin film transistor 100 illustrated in FIG. 3 is provided on a substrate (base material) 20, and includes a source electrode 30 and a drain electrode 40, an organic semiconductor layer (organic layer) 50, a gate insulating layer 60, and a gate electrode 70. However, they are stacked in this order from the substrate 20 side.

具体的には、薄膜トランジスタ１００は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。   Specifically, in the thin film transistor 100, the source electrode 30 and the drain electrode 40 are provided separately on the substrate 20, and the organic semiconductor layer 50 is provided so as to cover the electrodes 30 and 40. Further, a gate insulating layer 60 is provided on the organic semiconductor layer 50, and a gate electrode 70 is further provided thereon so as to overlap at least a region between the source electrode 30 and the drain electrode 40.

この薄膜トランジスタ１００では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような薄膜トランジスタ１００は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の薄膜トランジスタ、すなわち、トップゲート構造の薄膜トランジスタである。 In the thin film transistor 100, a region between the source electrode 30 and the drain electrode 40 in the organic semiconductor layer 50 is a channel region 510 in which carriers move. Hereinafter, in this channel region 510, the length in the direction of carrier movement, that is, the distance between the source electrode 30 and the drain electrode 40 is the channel length L, and the length perpendicular to the channel length L direction is the channel width W. say.
Such a thin film transistor 100 is a thin film transistor having a structure in which the source electrode 30 and the drain electrode 40 are provided closer to the substrate 20 than the gate electrode 70 with the gate insulating layer 60 interposed therebetween, that is, a thin film transistor having a top gate structure.

以下、薄膜トランジスタ１００を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、薄膜トランジスタ１００を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。薄膜トランジスタ１００に可撓性を付与する場合には、基板２０には、樹脂基板が選択される。 Hereinafter, each part which comprises the thin-film transistor 100 is demonstrated sequentially.
The substrate 20 supports each layer (each part) constituting the thin film transistor 100. Examples of the substrate 20 include a plastic substrate (resin substrate) made of, for example, a glass substrate, polyimide, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), aromatic polyester (liquid crystal polymer), and the like. A quartz substrate, a silicon substrate, a gallium arsenide substrate, or the like can be used. When the thin film transistor 100 is provided with flexibility, a resin substrate is selected as the substrate 20.

この基板２０上には、下地層が設けられていてもよい。下地層としては、例えば、基板２０表面からのイオンの拡散を防止する目的、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、基板２０との密着性（接合性）を向上させる目的等により設けられる。
下地層の構成材料としては、特に限定されないが、基板２０にガラス基板を用いる場合には、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒化珪素（ＳｉＮ）等が好適に用いられる。
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
これらのソース電極３０、ドレイン電極４０、および、後述するゲート電極７０に、本発明の膜３を適用することができる。 An underlayer may be provided on the substrate 20. The underlayer is provided, for example, for the purpose of preventing diffusion of ions from the surface of the substrate 20 or for the purpose of improving the adhesion (bondability) between the source electrode 30 and the drain electrode 40 and the substrate 20.
The constituent material of the underlayer is not particularly limited, but when a glass substrate is used as the substrate 20, silicon oxide (SiO ₂ ), silicon nitride (SiN), or the like is preferably used.
On the substrate 20, a source electrode 30 and a drain electrode 40 are juxtaposed at a predetermined distance along the channel length L direction.
The film 3 of the present invention can be applied to the source electrode 30, the drain electrode 40, and the gate electrode 70 described later.

ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。本発明の成膜方法によれば、このように薄い膜厚の電極を寸法精度よく形成することができる。
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、５〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。チャネル長Ｌを前記下限値より小さくすると、得られた薄膜トランジスタ１００同士でチャネル長に誤差が生じ、特性（トランジスタ特性）がばらつくおそれがある。一方、チャネル長Ｌを前記上限値より大きくすると、しきい電圧の絶対値が大きくなるとともに、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。 The thickness (average) of the source electrode 30 and the drain electrode 40 is not particularly limited, but is preferably about 30 to 300 nm, and more preferably about 50 to 150 nm. According to the film forming method of the present invention, an electrode having such a thin film thickness can be formed with high dimensional accuracy.
The distance (separation distance) between the source electrode 30 and the drain electrode 40, that is, the channel length L is preferably about 2 to 30 μm, and more preferably about 5 to 20 μm. If the channel length L is smaller than the lower limit value, an error occurs in the channel length between the obtained thin film transistors 100, and the characteristics (transistor characteristics) may vary. On the other hand, when the channel length L is larger than the upper limit value, the absolute value of the threshold voltage is increased, the drain current value is decreased, and the characteristics of the thin film transistor 100 may be insufficient.

チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。チャネル幅Ｗを前記下限値より小さくすると、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。一方、チャネル幅Ｗを前記上限値より大きくすると、薄膜トランジスタ１００が大型化してしまうとともに、寄生容量の増大や、ゲート絶縁層６０を介したゲート電極７０へのリーク電流の増大を招くおそれがある。
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。 The channel width W is preferably about 0.1 to 5 mm, and more preferably about 0.5 to 3 mm. If the channel width W is made smaller than the lower limit value, the drain current value becomes small and the characteristics of the thin film transistor 100 may be insufficient. On the other hand, when the channel width W is larger than the upper limit value, the thin film transistor 100 is increased in size, and there is a possibility that parasitic capacitance increases and leakage current to the gate electrode 70 via the gate insulating layer 60 increases.
An organic semiconductor layer 50 is provided on the substrate 20 so as to cover the source electrode 30 and the drain electrode 40.

有機半導体層５０は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。
この有機半導体層５０は、少なくともチャネル領域５１０においてチャネル長Ｌ方向とほぼ平行となるように配向しているのが好ましい。これにより、チャネル領域５１０におけるキャリア移動度が高いものとなり、その結果、薄膜トランジスタ１００は、その作動速度がより速いものとなる。 The organic semiconductor layer 50 is composed mainly of an organic semiconductor material (an organic material that exhibits semiconducting electrical conduction).
The organic semiconductor layer 50 is preferably oriented so as to be substantially parallel to the channel length L direction at least in the channel region 510. Accordingly, the carrier mobility in the channel region 510 is high, and as a result, the thin film transistor 100 has a higher operating speed.

有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。   Examples of the organic semiconductor material include naphthalene, anthracene, tetracene, pentacene, hexacene, phthalocyanine, perylene, hydrazone, triphenylmethane, diphenylmethane, stilbene, arylvinyl, pyrazoline, triphenylamine, triarylamine, oligothiophene, phthalocyanine or Low molecular organic semiconductor materials such as these derivatives, poly-N-vinylcarbazole, polyvinylpyrene, polyvinylanthracene, polythiophene, polyhexylthiophene, poly (p-phenylenevinylene), polytinylenevinylene, polyarylamine, Pyreneformaldehyde resin, ethylcarbazole formaldehyde resin, fluorene-bithiophene copolymer, fluorene-arylamine copolymer or Examples thereof include polymeric organic semiconductor materials (conjugated polymer materials) such as derivatives, and one or more of these can be used in combination. It is preferable to use a material mainly composed of (conjugated polymer material). The conjugated polymer material has a particularly high carrier mobility due to its unique electron cloud spread.

高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）としては、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリアリールアミンまたはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが特に好ましい。
また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層５０は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。 A polymer organic semiconductor material can be formed by a simple method and can be oriented relatively easily. Of these, fluorene-bithiophene copolymers, polyarylamines, or these are used as high molecular organic semiconductor materials (conjugated polymer materials) because they are not easily oxidized in air and are stable. It is particularly preferable to use a derivative containing at least one of the derivatives as a main component.
In addition, the organic semiconductor layer 50 composed mainly of a polymer organic semiconductor material can be reduced in thickness and weight, and has excellent flexibility. Therefore, the thin film transistor can be used as a switching element of a flexible display. Suitable for applications.

有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。 The thickness (average) of the organic semiconductor layer 50 is preferably about 0.1 to 1000 nm, more preferably about 1 to 500 nm, and further preferably about 10 to 100 nm.
Note that the organic semiconductor layer 50 is not limited to a structure provided so as to cover the source electrode 30 and the drain electrode 40, and is provided at least in a region (channel region 510) between the source electrode 30 and the drain electrode 40. It only has to be.

有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。 A gate insulating layer 60 is provided on the organic semiconductor layer 50.
The gate insulating layer 60 insulates the gate electrode 70 from the source electrode 30 and the drain electrode 40.
The gate insulating layer 60 is preferably mainly composed of an organic material (particularly an organic polymer material). The gate insulating layer 60 containing an organic polymer material as a main material can be easily formed and can improve the adhesion to the organic semiconductor layer 50.

このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of such organic polymer materials include polystyrene, polyimide, polyamideimide, polyvinylphenylene, polycarbonate (PC), acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PMMA), and polytetrafluoroethylene (PTFE). Fluorine resin, phenolic resin such as polyvinylphenol or novolak resin, and olefinic resins such as polyethylene, polypropylene, polyisobutylene, polybutene, etc. are used, and one or more of these may be used in combination. it can.

ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１００が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。 The thickness (average) of the gate insulating layer 60 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 5000 nm, and more preferably about 100 to 1000 nm. By setting the thickness of the gate insulating layer 60 within the above range, the thin film transistor 100 is increased in size while the source electrode 30 and the drain electrode 40 are reliably insulated from the gate electrode 70 (in particular, the thickness is increased). ) Can be prevented.
Note that the gate insulating layer 60 is not limited to a single-layer structure, and may have a multilayer structure.

また、ゲート絶縁層６０の構成材料には、例えば、ＳｉＯ_２等の無機絶縁材料を用いることもできる。ポリシリケート、ポリシロキサン、ポリシラザンのような溶液を塗布して、塗布膜を酸素、または水蒸気の存在下で加熱することによって、溶液材料からＳｉＯ_２を得ることができる。また、金属アルコキシド溶液を塗布した後、これを酸素雰囲気で加熱することによって無機絶縁材料を得る（ゾルゲル法として知られる）ことができる。 In addition, as a constituent material of the gate insulating layer 60, for example, an inorganic insulating material such as SiO ₂ can be used. By applying a solution such as polysilicate, polysiloxane, or polysilazane and heating the coating film in the presence of oxygen or water vapor, SiO ₂ can be obtained from the solution material. In addition, after applying a metal alkoxide solution, an inorganic insulating material can be obtained (known as a sol-gel method) by heating it in an oxygen atmosphere.

ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
以上のような薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。 A gate electrode 70 is provided on the gate insulating layer 60.
The thickness (average) of the gate electrode 70 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 5000 nm, more preferably about 1 to 5000 nm, and still more preferably about 10 to 5000 nm.
In the thin film transistor 100 as described above, the amount of current flowing between the source electrode 30 and the drain electrode 40 is controlled by changing the voltage applied to the gate electrode 70.

すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通って電流が流れる。   That is, in the OFF state in which no voltage is applied to the gate electrode 70, even if a voltage is applied between the source electrode 30 and the drain electrode 40, almost no carriers are present in the organic semiconductor layer 50, so that a very small current Only flows. On the other hand, in the ON state in which a voltage is applied to the gate electrode 70, charges are induced in the portion of the organic semiconductor layer 50 facing the gate insulating layer 60, and a carrier flow path is formed in the channel region 510. When a voltage is applied between the source electrode 30 and the drain electrode 40 in this state, a current flows through the channel region 510.

＜電子機器＞
本発明の電子部品は、各種電子機器に用いることができる。
図４は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、本体部１１０４と表示ユニット１１０６とを接続するための可撓性配線基板等として内蔵されている。 <Electronic equipment>
The electronic component of the present invention can be used for various electronic devices.
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
In this figure, a personal computer 1100 includes a main body 1104 provided with a keyboard 1102 and a display unit 1106 provided with a display. The display unit 1106 is rotatable with respect to the main body 1104 via a hinge structure. It is supported by.
The electronic component of the present invention is incorporated as, for example, a switching element for switching each pixel of the display portion, a flexible wiring board for connecting the main body portion 1104 and the display unit 1106, or the like.

図５は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、データを保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板等として内蔵されている。 FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
In this figure, a cellular phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204 and a mouthpiece 1206, and a display unit.
The electronic component of the present invention is incorporated as, for example, a switching element for switching each pixel of the display unit, a semiconductor component (various memories) for storing data, a circuit board, and the like.

図６は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。 FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of a digital still camera to which the electronic apparatus of the present invention is applied. In this figure, connection with an external device is also simply shown.
Here, an ordinary camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an imaging device such as a CCD (Charge Coupled Device). An imaging signal (image signal) is generated.

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。 A display unit is provided on the back of a case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and is configured to display based on an imaging signal from the CCD, and functions as a finder that displays an object as an electronic image.
A circuit board 1308 is installed inside the case. The circuit board 1308 is provided with a memory that can store (store) an imaging signal.
A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side of the case 1302 (on the back side in the illustrated configuration).

撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。 When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory of the circuit board 1308.
In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. As shown in the figure, a television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the data communication input / output terminal 1314 as necessary. Further, the imaging signal stored in the memory of the circuit board 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.

本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、ＣＣＤの撮像信号を保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板１３０８等として内蔵されている。
なお、本発明の電子機器は、図４のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図５の携帯電話機、図６のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の成膜方法、膜、電子部品および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。 The electronic component of the present invention is incorporated as, for example, a switching element for switching each pixel of the display unit, a semiconductor component (various memories) for storing a CCD imaging signal, a circuit board 1308, and the like.
In addition to the personal computer (mobile personal computer) in FIG. 4, the mobile phone in FIG. 5, and the digital still camera in FIG. 6, the electronic apparatus of the present invention includes, for example, a television, a video camera, a viewfinder type, Monitor direct-view video tape recorder, laptop personal computer, car navigation system, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, security TV Monitors, electronic binoculars, POS terminals, devices equipped with touch panels (for example, cash dispensers and automatic ticket vending machines for financial institutions), medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasound diagnostic devices, internal Endoscope display device), fish finder, various measuring instruments, Vessels such (e.g., gages for vehicles, aircraft, and ships), a flight simulator, various monitors, and a projection display such as a projector.
The film forming method, film, electronic component, and electronic device of the present invention have been described based on the illustrated embodiments, but the present invention is not limited to these.

次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
（実施例１）
まず、石英ガラス基板（基材）を用意し、純水を用いて洗浄した。
次に、この石英ガラス基板の膜形成面の低親和性領域とする領域に、インクジェット法により、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン（シラン系カップリング剤）を含むインク（処理液）を供給した後、１００℃×１０分で熱処理を施した。 Next, specific examples of the present invention will be described.
(Example 1)
First, a quartz glass substrate (base material) was prepared and washed with pure water.
Next, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltriethoxysilane (silane-based coupling agent) is included in the region to be a low affinity region on the film forming surface of the quartz glass substrate by an inkjet method. After supplying ink (treatment liquid), heat treatment was performed at 100 ° C. for 10 minutes.

なお、インクは、前記シラン系カップリング剤を、メタノールと０．５Ｎ酢酸との混合溶液に溶解して調整した。
これにより、シラン系カップリング剤により処理が施された低親和性領域（高撥液性領域）と、石英ガラス基板の表面が露出する高親和性領域（高親液性領域）とを区画形成した。
なお、高親和性領域の平面形状は、アルファベットの大文字「Ｅ］とし、各部の幅が約６０μｍなるように形成した。
また、低親和性領域に対する純水の接触角Ａ［°］と、高親和性領域に対する純水の接触角Ｂ［°］との差の絶対値｜Ａ−Ｂ｜は、１２０であった。 The ink was prepared by dissolving the silane coupling agent in a mixed solution of methanol and 0.5N acetic acid.
As a result, a low affinity region (highly liquid repellent region) treated with a silane coupling agent and a high affinity region (highly lyophilic region) where the surface of the quartz glass substrate is exposed are partitioned. did.
The planar shape of the high-affinity region was the capital letter “E” of the alphabet, and the width of each part was about 60 μm.
The absolute value | A−B | of the difference between the contact angle A [°] of pure water with respect to the low affinity region and the contact angle B [°] of pure water with respect to the high affinity region was 120.

次に、チャンバー内に、膜形成面を鉛直下方とした石英ガラス基板と、材料供給部にＡｌ（膜材料）とをそれぞれセットした。そして、この状態で、石英ガラス基板を加熱しつつ、真空蒸着法により石英ガラス基板にＡｌを供給した。
なお、石英ガラス基板は、電熱ヒーターを用いて加熱し、成膜時のチャンバー内の圧力は、１×１０^−５Ｔｏｒｒ以下とし、成膜時間は、２分とした。また、石英ガラス基板の加熱温度は、２００℃とした。
これにより、高親和性領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＡｌ膜（平均厚さ：約１５０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。 Next, a quartz glass substrate having a film formation surface vertically downward and Al (film material) were set in the chamber in the chamber. In this state, Al was supplied to the quartz glass substrate by vacuum deposition while heating the quartz glass substrate.
The quartz glass substrate was heated using an electric heater, the pressure in the chamber at the time of film formation was 1 × 10 ⁻⁵ Torr or less, and the film formation time was 2 minutes. The heating temperature of the quartz glass substrate was 200 ° C.
Thus, an Al film (average thickness: about 150 nm, width of each part: about 60 μm) having a shape substantially corresponding to the shape “E” of the high affinity region was obtained.

（実施例２）
まず、石英ガラス基板（基材）を用意し、純水を用いて洗浄した。
次に、この石英ガラス基板の膜形成面の低親和性領域とする領域に、インクジェット法により、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン（シラン系カップリング剤）を含むインク（処理液）を供給し、次に、高親和性領域とする領域に、（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（シラン系カップリング剤）を含むインク（処理液）を供給した後、１００℃×１０分で熱処理を施した。 (Example 2)
First, a quartz glass substrate (base material) was prepared and washed with pure water.
Next, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltriethoxysilane (silane-based coupling agent) is included in the region to be a low affinity region on the film forming surface of the quartz glass substrate by an inkjet method. Ink (treatment liquid) is supplied, and then an ink (treatment liquid) containing (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane (silane coupling agent) in a region having a high affinity is formed. After the supply, heat treatment was performed at 100 ° C. for 10 minutes.

なお、各インクは、それぞれ、各シラン系カップリング剤を、メタノールと０．５Ｎ酢酸との混合溶液に溶解して調整した。
これにより、異なるシラン系カップリング剤により処理が施された低親和性領域（高撥液性領域）と、高親和性領域（高親液性領域）とを区画形成した。
なお、高親和性領域の平面形状は、アルファベットの大文字「Ｅ］とし、各部の幅が約６０μｍなるように形成した。
また、低親和性領域に対する純水の接触角Ａ［°］と、高親和性領域に対する純水の接触角Ｂ［°］との差の絶対値｜Ａ−Ｂ｜は、１００であった。 Each ink was prepared by dissolving each silane coupling agent in a mixed solution of methanol and 0.5N acetic acid.
As a result, a low affinity region (high liquid repellency region) treated with different silane coupling agents and a high affinity region (high lyophilic region) were partitioned.
The planar shape of the high-affinity region was the capital letter “E” of the alphabet, and the width of each part was about 60 μm.
The absolute value | A−B | of the difference between the contact angle A [°] of pure water with respect to the low affinity region and the contact angle B [°] of pure water with respect to the high affinity region was 100.

次に、チャンバー内に、膜形成面を鉛直下方とした石英ガラス基板と、材料供給部にＩｎ（膜材料）とをそれぞれセットした。そして、この状態で、石英ガラス基板を加熱しつつ、真空蒸着法により石英ガラス基板にＩｎを供給した。
なお、石英ガラス基板は、電熱ヒーターを用いて加熱し、成膜時のチャンバー内の圧力は、１×１０^−５Ｔｏｒｒ以下とし、成膜時間は、２分とした。また、石英ガラス基板の加熱温度は、１００℃とした。
これにより、高親和性領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＩｎ膜（平均厚さ：約１００ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。 Next, a quartz glass substrate having a film formation surface vertically downward and In (film material) were set in the material supply section in the chamber. In this state, In was supplied to the quartz glass substrate by vacuum deposition while heating the quartz glass substrate.
The quartz glass substrate was heated using an electric heater, the pressure in the chamber at the time of film formation was 1 × 10 ⁻⁵ Torr or less, and the film formation time was 2 minutes. The heating temperature of the quartz glass substrate was 100 ° C.
Thus, an In film (average thickness: about 100 nm, width of each part: about 60 μm) having a shape substantially corresponding to the shape “E” of the high affinity region was obtained.

（実施例３）
まず、石英ガラス基板（基材）を用意し、ＵＶ（波長１７２ｎｍ）により洗浄した。
次に、この石英ガラス基板の膜形成面全面に、浸漬法により、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン（シラン系カップリング剤）を成膜し、１００℃×１０分で熱処理を施した。
なお、前記シラン系カップリング剤は、フッ素系溶媒（Ｃ_８Ｆ_１８）に溶解させて、０.１ｖｏｌ％に調整した。 (Example 3)
First, a quartz glass substrate (base material) was prepared and washed with UV (wavelength 172 nm).
Next, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltriethoxysilane (silane coupling agent) is formed on the entire surface of the quartz glass substrate by a dipping method at 100 ° C. × 10. Heat treated in minutes.
The silane coupling agent was dissolved in a fluorine-based solvent (C ₈ F ₁₈ ) and adjusted to 0.1 vol%.

この後、膜形成面上にパターンを施したフォトマスクを置き、１７２ｎｍの波長の真空紫外（ＶＵＶ）光を用いた光リソグラフィー法により前記シラン系薄膜を光分解する。
これにより、光照射により分解された高親和性領域（高親液性領域）と光の当らない低親和性領域（高撥液性領域）とを区画形成した。
なお、高親和性領域の平面形状は、アルファベットの大文字「Ｅ］とし、各部の幅が約６０μｍなるように形成した。
また、低親和性領域に対する純水の接触角Ａ［°］と、高親和性領域に対する純水の接触角Ｂ［°］との差の絶対値｜Ａ−Ｂ｜は、１２０°であった。 Thereafter, a patterned photomask is placed on the film forming surface, and the silane-based thin film is photolyzed by photolithography using vacuum ultraviolet (VUV) light having a wavelength of 172 nm.
As a result, a high affinity region (high lyophilic region) decomposed by light irradiation and a low affinity region (high liquid repellency region) that did not receive light were partitioned.
The planar shape of the high-affinity region was the capital letter “E” of the alphabet, and the width of each part was about 60 μm.
The absolute value | A−B | of the difference between the contact angle A [°] of pure water with respect to the low affinity region and the contact angle B [°] of pure water with respect to the high affinity region was 120 °. .

次に、チャンバー内に、膜形成面を鉛直下方とした石英ガラス基板と、材料供給部にＩｎ（膜材料）とをそれぞれセットした。そして、この状態で、石英ガラス基板を加熱しつつ、真空蒸着法により石英ガラス基板にＡｌを供給した。
なお、石英ガラス基板は、電熱ヒーターを用いて加熱し、成膜時のチャンバー内の圧力は、１×１０^−５Ｔｏｒｒ以下とし、成膜時間は、２分とした。また、石英ガラス基板の加熱温度は、２００℃とした。
これにより、高親和性領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＩｎ膜（平均厚さ：約１００ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。
なお、各実施例において、いずれも、低親和性領域には、膜形成が認められなかった。 Next, a quartz glass substrate having a film formation surface vertically downward and In (film material) were set in the material supply section in the chamber. In this state, Al was supplied to the quartz glass substrate by vacuum deposition while heating the quartz glass substrate.
The quartz glass substrate was heated using an electric heater, the pressure in the chamber at the time of film formation was 1 × 10 ⁻⁵ Torr or less, and the film formation time was 2 minutes. The heating temperature of the quartz glass substrate was 200 ° C.
Thus, an In film (average thickness: about 100 nm, width of each part: about 60 μm) having a shape substantially corresponding to the shape “E” of the high affinity region was obtained.
In each example, no film formation was observed in the low affinity region.

本発明の成膜方法を説明するための模式的な図（縦断面図）である。It is a typical figure (longitudinal sectional view) for explaining the film-forming method of the present invention. 本発明の成膜方法を説明するための模式的な図（縦断面図）である。It is a typical figure (longitudinal sectional view) for explaining the film-forming method of the present invention. 本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。It is a figure which shows embodiment of the thin-film transistor to which the electronic component of this invention is applied, (a) is a longitudinal cross-sectional view, (b) is a top view. 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which an electronic apparatus of the present invention is applied. 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone (PHS is also included) to which the electronic device of this invention is applied. 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the digital still camera to which the electronic device of this invention is applied.

符号の説明Explanation of symbols

１……基材 １１……高親和性領域とする領域 １２……低親和性領域とする領域 ２１……高親和性領域 ２２……低親和性領域 ３……膜 ３１……飛来物 １００‥‥薄膜トランジスタ ２０‥‥基板 ３０‥‥ソース電極 ４０‥‥ドレイン電極 ５０‥‥有機半導体層 ５１０‥‥チャネル領域 ６０‥‥ゲート絶縁層 ７０‥‥ゲート電極 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース（ボディー） １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥回路基板 １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥データ通信用の入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material 11 ... Area | region made into a high affinity area | region 12 ... Area | region made into a low affinity area | region 21 ... High affinity area | region 22 ... Low affinity area | region 3 ... Membrane 31 ... Flying object 100 ... ... Thin film transistor 20 ... Substrate 30 ... Source electrode 40 ... Drain electrode 50 ... Organic semiconductor layer 510 ... Channel region 60 ... Gate insulating layer 70 ... Gate electrode 1100 ... Personal computer 1102 ... Keyboard 1104 ... Main body 1106 …… Display unit 1200 …… Cellular phone 1202 …… Operation buttons 1204 …… Earpiece 1206 …… Transmission mouth 1300 ··· Digital still camera 1302 ··· Case (body) 1304 ··· Light receiving unit 1306 ··· Shutter Button 1308 ... Circuit board 1312 ... Video signal output terminal 1314 ‥‥ input and output terminal 1430 ‥‥ television monitor 1440 ‥‥ personal computer for data communication

Claims (11)

基材上に、所定のパターンの膜を形成する成膜方法であって、
前記基材の前記膜を形成する膜形成面側に飛来物を飛来させ、該飛来物を堆積させて前記膜を形成するに際し、
前記基材の前記膜形成面に、前記飛来物に対する親和性が高い高親和性領域と、該高親和性領域より前記飛来物に対する親和性が低い低親和性領域とを形成しておき、
前記飛来物を、前記高親和性領域と前記低親和性領域との前記飛来物に対する親和性の違いを利用して、前記高親和性領域に集めることを特徴とする成膜方法。 A film forming method for forming a film with a predetermined pattern on a substrate,
When flying the flying object on the film forming surface side forming the film of the substrate, and depositing the flying object to form the film,
On the film forming surface of the substrate, a high affinity region having a high affinity for the flying object, and a low affinity region having a lower affinity for the flying object than the high affinity region,
A film forming method, wherein the flying objects are collected in the high affinity region using a difference in affinity between the high affinity region and the low affinity region with respect to the flying object. 前記高親和性領域は、前記低親和性領域より前記飛来物に対する濡れ性が高い領域である請求項１に記載の成膜方法。   The film forming method according to claim 1, wherein the high affinity region is a region having higher wettability to the flying object than the low affinity region. 前記低親和性領域に対する純水の接触角をＡ［°］とし、前記高親和性領域に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、｜Ａ−Ｂ｜≧１５なる関係を満足する請求項２に記載の成膜方法。   When the contact angle of pure water with respect to the low affinity region is A [°] and the contact angle of pure water with respect to the high affinity region is B [°], the relationship | A−B | ≧ 15 is satisfied. The film forming method according to claim 2. 前記基材を加熱した状態で、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させる請求項１ないし３のいずれかに記載の成膜方法。   The film forming method according to claim 1, wherein the flying object is allowed to fly to the film forming surface side of the base material while the base material is heated. 前記基材の加熱温度は、８０〜３００℃である請求項４に記載の成膜方法。   The film forming method according to claim 4, wherein a heating temperature of the substrate is 80 to 300 ° C. 前記基材の前記膜形成面を鉛直下方に向けた状態、または鉛直下方に対して所定の角度傾斜させた状態で、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させる請求項１ないし５のいずれかに記載の成膜方法。   The flying object is made to fly to the film forming surface side of the base material in a state where the film forming surface of the base material is directed vertically downward or inclined at a predetermined angle with respect to the vertical downward direction. The film-forming method in any one of 5 thru | or 5. 前記高親和性領域と前記低親和性領域とは、それぞれ、前記基材の前記膜形成面へ官能基を導入するか否か、または、異なる官能基を導入することにより形成される請求項１ないし６のいずれかに記載の成膜方法。   The high-affinity region and the low-affinity region are each formed by whether or not a functional group is introduced into the film-forming surface of the substrate, or by introducing different functional groups. The film-forming method in any one of 6 thru | or 6. 真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法または化学的気相成膜法に適用される請求項１ないし７のいずれかに記載の成膜方法。   8. The film forming method according to claim 1, which is applied to a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method or a chemical vapor deposition method. 請求項１ないし８のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたことを特徴とする膜。   A film formed by the film forming method according to claim 1. 請求項９に記載の膜を備えることを特徴とする電子部品。   An electronic component comprising the film according to claim 9. 請求項１０に記載の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic device comprising the electronic component according to claim 10.

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