JP2005210079A

JP2005210079A - Wiring formation method, wiring formation equipment, and wiring board

Info

Publication number: JP2005210079A
Application number: JP2004343356A
Authority: JP
Inventors: Michinori Shinkai; 道典新飼; Satoshi Suzuki; 敏鈴木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2003-12-22
Filing date: 2004-11-29
Publication date: 2005-08-04

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly reliable wiring board formation method, wiring formation equipment, and wiring board that can prevent short circuit between wiring, and ensure electrical continuity by through-holes or the like. <P>SOLUTION: Either a first pattern formation step that forms the first pattern on a substrate or a second pattern formation step that forms the second pattern on the substrate is carried out, and then, a wiring pattern is formed on the substrate by performing the other formation step. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、配線パターンを基体に形成するための配線形成方法、配線形成装置及び配線板に関するものである。 The present invention relates to a wiring forming method, a wiring forming apparatus, and a wiring board for forming a wiring pattern on a substrate.

プリント配線板の配線形成は一般にサブトラクテイブ法により行われている。サブトラクテイブ法による配線形成は、穴開け工程、無電解メッキ工程、ドライフィルム等によるパターニング工程、電解メッキ工程、エッチング工程、半田剥離工程などを経て形成されるが、工程数が多く、各工程に要する時間が掛かり、製造原価に占める加工費の割合が高い。特に、多層配線板の形成の場合には、加工費の低減が大きな課題になっている。また、メッキ工程やエッチング工程において発生する廃液処理等の問題も抱えている。 Wiring formation of a printed wiring board is generally performed by a subtractive method. Wiring formation by the subtractive method is formed through a hole making process, an electroless plating process, a patterning process using a dry film, an electrolytic plating process, an etching process, a solder peeling process, etc., but the number of processes is large and required for each process. It takes time and the ratio of processing costs to manufacturing costs is high. In particular, in the case of forming a multilayer wiring board, reduction of processing costs is a major issue. In addition, there are problems such as waste liquid treatment generated in the plating process and the etching process.

これらの問題を解決するため、基体の表面に導電パターン及び絶縁パターンをインクジェット方式により同時に形成することにより配線を形成するプリント配線板の製造方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。図２０は従来例における配線板の断面図である。基体３０１に導電パターンＡと絶縁パターンＢを同時に形成する為、導電パターンＡと絶縁パターンＢの切り分けが難しく、導電パターンＡが基体で広がることにより、図２０のように、導電パターン同士が接触して配線のショートが起こり、信頼性の高い配線を形成するのは困難であった。
特開平１１−１６３４９９号公報 In order to solve these problems, a printed wiring board manufacturing method is disclosed in which wiring is formed by simultaneously forming a conductive pattern and an insulating pattern on the surface of a substrate by an ink jet method (see, for example, Patent Document 1). FIG. 20 is a cross-sectional view of a conventional wiring board. Since the conductive pattern A and the insulating pattern B are simultaneously formed on the base 301, it is difficult to separate the conductive pattern A and the insulating pattern B. As the conductive pattern A spreads on the base, the conductive patterns come into contact with each other as shown in FIG. Therefore, it was difficult to form a highly reliable wiring due to a short circuit.
JP 11-163499 A

本発明は従来技術の問題点を解決し、信頼性の高い配線パターンを形成することができる配線形成方法、配線形成装置及び配線板を提供することを主たる目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is a primary object of the present invention to provide a wiring forming method, a wiring forming apparatus, and a wiring board capable of solving the problems of the prior art and forming a highly reliable wiring pattern.

本発明は第１パターンを形成する第１の液体と、第２パターンを形成する前記第１の液体とは異なる第２の液体と、を基体上で互いに接するように供給することにより、前記第１パターンと前記第２パターンによる配線パターンを前記基体に形成する配線形成方法において、前記第１の液体を前記基体に供給することにより、前記第１パターンを前記基体に形成する第１パターン形成工程と、前記第２の液体を前記基体に供給することにより、前記第２パターンを前記基体に形成する第２パターン形成工程と、を有し、前記第１パターン形成工程と前記第２パターン形成工程とのうちの一方の形成工程を行った後に、他方の形成工程を行うことを特徴とする配線形成方法に関するものである。 The present invention provides the first liquid for forming the first pattern and the second liquid different from the first liquid for forming the second pattern so as to be in contact with each other on the substrate. In a wiring forming method for forming a wiring pattern of one pattern and the second pattern on the substrate, a first pattern forming step of forming the first pattern on the substrate by supplying the first liquid to the substrate. And a second pattern forming step of forming the second pattern on the substrate by supplying the second liquid to the substrate, the first pattern forming step and the second pattern forming step. The wiring forming method is characterized in that after one of the forming steps is performed, the other forming step is performed.

また、第１パターンを形成する第１の液体と第２パターンを形成する第２の液体とを基体上で互いに接するように供給することにより、前記第１パターンと前記第２パターンによる配線パターンを前記基体に形成する配線形成装置において、前記第１の液体を貯留する第１の液体容器と、前記第２の液体を貯留する第２の液体容器と、前記第１の液体容器から前記第１の液体を前記基体に供給することにより、前記第１パターンを前記基体に形成する第１パターン形成手段と、前記第２の液体容器から前記第２の液体を前記基体に供給することにより、前記第２パターンを前記基体に形成する第２パターン形成手段と、前記第１パターン形成手段と前記第２パターン形成手段とのうちの一方の手段を用いてパターンの形成を行った後に、他方の手段を用いてパターンの形成を行うように制御を行う制御手段と、を有することを特徴とする配線形成装置に関するものである。 Further, by supplying the first liquid for forming the first pattern and the second liquid for forming the second pattern so as to be in contact with each other on the substrate, a wiring pattern by the first pattern and the second pattern is formed. In the wiring forming apparatus formed on the substrate, the first liquid container for storing the first liquid, the second liquid container for storing the second liquid, and the first liquid container from the first liquid container. Supplying the liquid to the substrate, the first pattern forming means for forming the first pattern on the substrate, and supplying the second liquid from the second liquid container to the substrate. After the pattern is formed using one of the second pattern forming means for forming the second pattern on the substrate, and the first pattern forming means and the second pattern forming means, the other It relates wiring forming apparatus characterized by having a control means for controlling so as to perform pattern formation using means.

（作用）
例えば、第１パターンとして絶縁パターンを形成した後に第２パターンとして導電パターンを形成することにより、導電パターンである配線同士のショートを防ぐことができ、また、第２パターンとして導電パターン形成工程を行った後に第１パターンとして絶縁パターン形成工程を行うことにより、スルーホール等の導通を確実に行うことができ、信頼性の高い配線板の形成が可能となる。 (Function)
For example, by forming an insulating pattern as the first pattern and then forming a conductive pattern as the second pattern, a short circuit between the wirings that are the conductive patterns can be prevented, and a conductive pattern forming step is performed as the second pattern. After that, by performing an insulating pattern forming process as the first pattern, conduction of through holes or the like can be performed reliably, and a highly reliable wiring board can be formed.

本発明の配線形成方法及び配線形成装置を用いることにより、信頼性の高い配線板の形成が可能となる。 By using the wiring forming method and the wiring forming apparatus of the present invention, a highly reliable wiring board can be formed.

印刷情報として半導体マスク情報を用いて配線パターンを形成し、第１パターンを絶縁物質を含む絶縁パターンとし、第２パターンを導電物質を含む導電パターンとする例を示す。 An example is shown in which a wiring pattern is formed using semiconductor mask information as print information, the first pattern is an insulating pattern including an insulating material, and the second pattern is a conductive pattern including a conductive material.

図２は、本発明の実施形態の１つであるインクジェット方式による配線形成装置の要部を示す斜視図である。 FIG. 2 is a perspective view showing a main part of an ink-jet wiring forming apparatus which is one embodiment of the present invention.

データ処理装置１から指示される配線パターン（絶縁パターン及び／または導電パターン）形成情報に従って、基体の搬送部２と、ヘッドの搬送部３を制御し、第１の液体容器５にある第１の液体を、絶縁パターン形成用ヘッド４から吐出することにより基体受け部９上の基体に絶縁パターンを形成する工程と、第２の液体容器７にある第２の液体を、導電パターン形成用ヘッド６から吐出することにより基体に導電パターンを形成する工程と、によって配線パターンを形成し、この工程を繰り返すことにより配線板を形成する。インクジェット方式を用いて配線を形成した場合、配線の幅は数μｍ〜数１０μｍ程度の微細な配線形成が可能である。絶縁パターンを形成する第１の液体には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などの無機材料やポリイミドなどの有機材料を含有した物が好ましく、導電パターンを形成する第２の液体には、半田，Ｐｔ，Ａｇ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｇａ等の金属材料を含有した物が好ましい。加熱硬化装置８は、赤外線ランプやキセノン灯のような輻射熱源によって、基体に形成された配線パターン（絶縁パターン及び／または導電パターン）の加熱硬化又は溶剤を揮発させることを目的としている。熱処理条件は、配線パターン形成液体（第１の液体及び／または第２の液体）中の加熱硬化が可能な成分の硬化条件に依存するものであるが、通常は基体の配線パターン部分が８０度〜１５０度の温度になるように設定を行う。基体が熱処理に耐えうる材質の場合、基体に抵抗体を接触させ基体全体を加熱する方法を用いることも可能である。また、配線パターン形成材料や基体の材質が、熱処理によって変質する可能性がある場合には、基体または配線パターン形成部の放熱及び冷却機構を兼ね備える構造をとる。さらに、配線パターン形成液体の材質によっては、熱処理の代わりに光照射あるいはその両方により配線パターン部分を硬化させる。光照射に用いる波長は、配線パターン形成液体中の光硬化が可能な成分が実用的感度を有する範囲の波長であり、光反応モードを用いる場合、一般的には紫外・可視領域の２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲が用いられ、光源としてはたとえば水銀灯、キセノン灯、蛍光灯等の放電管が用いられる。 In accordance with the wiring pattern (insulation pattern and / or conductive pattern) formation information instructed from the data processing device 1, the base transport unit 2 and the head transport unit 3 are controlled to control the first liquid container 5. The step of forming an insulating pattern on the substrate on the substrate receiving portion 9 by discharging the liquid from the insulating pattern forming head 4 and the second liquid in the second liquid container 7 are transferred to the conductive pattern forming head 6. A wiring pattern is formed by a step of forming a conductive pattern on the substrate by discharging from the substrate, and a wiring board is formed by repeating this step. When the wiring is formed using the ink jet method, it is possible to form a fine wiring having a width of several μm to several tens of μm. The first liquid that forms the insulating pattern is preferably an inorganic material such as SiO 2, Al 2 O 3, TiO 2, or an organic material such as polyimide, and the second liquid that forms the conductive pattern includes solder, Pt, The thing containing metal materials, such as Ag, Au, In, and Ga, is preferable. The heat curing device 8 is intended to heat cure the wiring pattern (insulating pattern and / or conductive pattern) formed on the substrate or volatilize the solvent with a radiant heat source such as an infrared lamp or a xenon lamp. The heat treatment condition depends on the curing condition of the component capable of being heat-cured in the wiring pattern forming liquid (first liquid and / or second liquid). Set to a temperature of ~ 150 degrees. When the substrate is made of a material that can withstand heat treatment, it is possible to use a method in which a resistor is brought into contact with the substrate and the entire substrate is heated. In addition, when there is a possibility that the wiring pattern forming material or the material of the substrate may be altered by heat treatment, a structure that combines the heat radiation and cooling mechanism of the substrate or the wiring pattern forming portion is adopted. Further, depending on the material of the wiring pattern forming liquid, the wiring pattern portion is cured by light irradiation or both instead of heat treatment. The wavelength used for light irradiation is a wavelength within a range in which a component capable of photocuring in the wiring pattern forming liquid has practical sensitivity, and when using a photoreaction mode, generally 200 nm to 600 nm in the ultraviolet / visible region. As a light source, for example, a discharge tube such as a mercury lamp, a xenon lamp, or a fluorescent lamp is used.

図３は、本発明の配線形成装置のシステム構成を示した概略ブロック図である。 FIG. 3 is a schematic block diagram showing the system configuration of the wiring forming apparatus of the present invention.

１００は配線形成装置で、この配線形成装置のハード的な制御をつかさどるＣＰＵ１０３、ＡＳＩＣ１０６、ソフト処理を実行するプログラムが格納されているＲＯＭ１０４、印刷するための画像を選択するためのキー入力装置１０２、印刷指示された配線パターン形成情報を展開するため及び／または形成するに当たってヘッドの制御を情報に変換するためのメモリＤＲＡＭ１０８、ヘッド等の表示ステータスを使用者に示すための表示装置１０１、配線形成装置ユニット２００を駆動するための配線形成装置ドライバ１０５及び外部から受け取った配線パターン構成情報３００等を取り込むための入り口となる、データ入力用Ｉ／Ｆ１１０、その他の入出力を制御するためのＩ／Ｏ１０７で構成される。 Reference numeral 100 denotes a wiring forming apparatus, which includes a CPU 103 that controls the hardware of the wiring forming apparatus, an ASIC 106, a ROM 104 that stores a program for executing software processing, a key input device 102 for selecting an image to be printed, A memory DRAM 108 for converting the control of the head into information in developing and / or forming the wiring pattern formation information instructed for printing, a display device 101 for indicating the display status of the head, etc. to the user, and a wiring formation device The wiring forming device driver 105 for driving the unit 200, the wiring pattern configuration information 300 received from the outside, the data input I / F 110 serving as an entrance for taking in, and the other I / O 107 for controlling other inputs and outputs Consists of.

また、配線形成装置ユニット２００は、配線形成装置の各種制御用モーター２０１、配線パターン形成用ヘッド２０２、前記制御をつかさどるエンコーダ、センサ等の制御系２０３、配線パターン形成面に対するヘッドのＵＰ／ＤＯＷＮ等の制御をつかさどる制御部２０４、第１の液体を貯留するための第１の液体容器２０５と第２の液体を貯留する為の第２の液体容器２０６、配線パターンを形成する基体３０１及び配線形成装置の制御に必要な情報（回復動作、配線パターン形成液体の残量等の情報）を記憶しておくためのＥＥＰＲＯＭ１０９で構成されている。形成する配線パターン情報は、配線パターン形成情報３００から所得し、該取得情報はＩ／Ｆ部１１０を介して記憶手段であるＤＲＡＭ１０８上に一時的に保管される。この情報をＤＲＡＭ上のメモリエリアの一部を用いて、配線パターン形成情報に変換する。 Further, the wiring forming apparatus unit 200 includes various control motors 201 of the wiring forming apparatus, a wiring pattern forming head 202, a control system 203 such as an encoder and a sensor for controlling the control, UP / DOWN of the head with respect to the wiring pattern forming surface, and the like. A control unit 204 that controls the first liquid, a first liquid container 205 for storing the first liquid, a second liquid container 206 for storing the second liquid, a substrate 301 for forming a wiring pattern, and wiring formation It comprises an EEPROM 109 for storing information (information such as recovery operation, wiring pattern forming liquid remaining amount, etc.) necessary for controlling the apparatus. The wiring pattern information to be formed is obtained from the wiring pattern formation information 300, and the acquired information is temporarily stored on the DRAM 108 which is a storage unit via the I / F unit 110. This information is converted into wiring pattern formation information using a part of the memory area on the DRAM.

配線パターンを形成する為には、
・各層の高さ情報
・Ｘ，Ｙ方向の規定（最小線幅、最小線間隔等）
・Ｘ，Ｙ方向の重ね合わせた場合の規定（重ねあわせの際の間隔等）
・Ｘ，Ｙ方向描画のグリッドサイズ
が必要であり、該情報を基に配線パターンが形成される。即ち、配線パターンを形成すべき位置の主操作方向のＸ，Ｙ座標値が解っていれば配線パターンが形成できる。 To form a wiring pattern,
・ Height information of each layer ・ Specification of X and Y directions (minimum line width, minimum line interval, etc.)
・ Stipulations when the X and Y directions are overlapped (interval when overlapping)
A grid size for drawing in the X and Y directions is required, and a wiring pattern is formed based on the information. That is, a wiring pattern can be formed if the X and Y coordinate values in the main operation direction at the position where the wiring pattern is to be formed are known.

また、パターン幅、パターン長等については、マスク情報として、前述した如く事前にＸ，Ｙ座標が解っているためその情報を使用する。 The pattern width, pattern length, etc. are used as mask information because the X and Y coordinates are known in advance as described above.

図４は、本発明の実施形態の１つである、基体受け部９の高さ調整法を示す図である。図４（ａ）は、基体受け部の高さ方向の制御を行う図である。図４（ｂ）は、基体受け部が最上段にあるときの状態を示す図である。図４（ｃ）は、基体受け部が最下段にあるときの状態を示す図である。 FIG. 4 is a diagram showing a method of adjusting the height of the base body receiving portion 9, which is one embodiment of the present invention. FIG. 4A is a diagram for controlling the base receiving portion in the height direction. FIG. 4B is a diagram illustrating a state when the base body receiving portion is in the uppermost stage. FIG. 4C is a diagram showing a state when the base body receiving portion is at the lowest level.

基体受け部９の下部にカム４０２を配置し、基体上の配線パターンの厚さに対応したモーター４０１の回転によって、基体受け部９が上下することにより、印刷用ヘッド（絶縁パターン形成用ヘッド４、導電パターン形成用ヘッド６の吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離を一定に保つ。配線パターン形成面ｂとは、基体受け部９に配置された基体３０１の、これから配線パターンを形成する面を指し、基体３０１面に限らず、積層構造の場合は既に作成したこれから配線パターンを形成する、すでに形成された配線パターンの上面を指す。 A cam 402 is disposed below the substrate receiving portion 9, and the substrate receiving portion 9 is moved up and down by the rotation of the motor 401 corresponding to the thickness of the wiring pattern on the substrate. The distance between the discharge port surface a of the conductive pattern forming head 6 and the wiring pattern forming surface b is kept constant, and the wiring pattern forming surface b refers to the wiring pattern from the substrate 301 disposed on the substrate receiving portion 9. This refers to the surface to be formed, not limited to the surface of the substrate 301. In the case of a laminated structure, it refers to the upper surface of the already formed wiring pattern from which the wiring pattern is already formed.

図５は、本発明の実施形態の１つである、ヘッド部の高さ方向の制御を行う構成図である。図５（ａ）は、制御部を基体の横方向から見た図である。図５（ｂ）は、制御部を基体の上方向から見た図である。印刷用ヘッドの吐出口面と配線パターン形成面との距離を一定に保つ方法の１つとして、ヘッド部のＵＰ／ＤＯＷＮによる制御を行う。印刷用ヘッド（絶縁パターン形成用ヘッド４及び導電パターン形成用ヘッド６）にモーター４０１とカム４０２を配置し、カム４０２の動作によって上下するハネ４０３を用いることにより、ヘッドがＵＰ／ＤＯＷＮする。印刷用ヘッド（絶縁パターン形成用ヘッド４及び導電パターン形成用ヘッド６）の吐出口面と、配線パターン形成面との距離が一定になるように、これから配線パターンを形成する印刷層の情報によって、モーターとカムが動き、ヘッドの吐出口面が上下する構成である。 FIG. 5 is a configuration diagram for controlling the height direction of the head portion, which is one embodiment of the present invention. FIG. 5A is a diagram of the control unit viewed from the lateral direction of the base body. FIG. 5B is a diagram of the control unit viewed from above the base. As one method for keeping the distance between the ejection port surface of the printing head and the wiring pattern forming surface constant, control by UP / DOWN of the head portion is performed. The motor 401 and the cam 402 are arranged on the print head (insulating pattern forming head 4 and conductive pattern forming head 6), and the head is UP / DOWN by using the spring 403 that moves up and down by the operation of the cam 402. According to the information of the printed layer from which the wiring pattern will be formed, so that the distance between the ejection port surface of the printing head (insulating pattern forming head 4 and conductive pattern forming head 6) and the wiring pattern forming surface is constant. The motor and cam move, and the discharge port surface of the head moves up and down.

以上で説明した配線形成装置を用いた配線パターン形成方法を以下の実施例において説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。 The wiring pattern forming method using the wiring forming apparatus described above will be described in the following examples, but the present invention is not limited to these examples.

本実施例では、絶縁パターンを導電パターンより先に形成することにより、単層の配線パターンを形成する例を示す。印刷情報としては、最低でも基体に対するヘッドの１スキャン分の吐出データを保存できるだけの印刷用のバッファを有しており、該バッファよりデータを読み出して第１の液体及び第２の液体を吐出する。図１は、本発明における配線板の断面図である。基体３０１に、第１の液体からなる絶縁パターンＢを複数箇所形成した後に、該絶縁パターンＢの間に、第２の液体からなる導電パターンＡを形成する。先に形成した絶縁パターンＢが導電パターンＡの縁の役目を果たすことにより、導電パターンＡが基体で広がらず、導電パターン同士が接触して配線がショートすることを防ぐ。 In this embodiment, an example in which a single-layer wiring pattern is formed by forming an insulating pattern before a conductive pattern is shown. The print information includes a buffer for printing that can store at least discharge data for one scan of the head with respect to the substrate. Data is read from the buffer and the first liquid and the second liquid are discharged. . FIG. 1 is a cross-sectional view of a wiring board according to the present invention. After a plurality of insulating patterns B made of the first liquid are formed on the base 301, conductive patterns A made of the second liquid are formed between the insulating patterns B. Since the insulating pattern B formed earlier serves as the edge of the conductive pattern A, the conductive pattern A is prevented from spreading on the base, and the conductive patterns come into contact with each other to prevent the wiring from being short-circuited.

図６は、本発明における積層構造の配線を示す図である。絶縁パターンと導電パターンの積層の構造が明確になるように模式的に示した。 FIG. 6 is a diagram showing a wiring having a laminated structure in the present invention. The structure of the insulating pattern and the conductive pattern is schematically shown so as to clarify the laminated structure.

積層構造の配線は、絶縁パターンと導電パターンを基体に積み重ねることにより形成する。図６（ａ）は、本発明における積層構造の配線パターンを基体上方向から見下ろした図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＬ−Ｌ’における断面図である。
Ａは、マスクパターン１層目にあたる、縦方向の導電パターンである。
Ｂは、マスクパターン２層目にあたる、縦方向の絶縁パターンである。
Ｃは、マスクパターン３層目にあたる、横方向の導電パターンである。
Ｄは、マスクパターン４層目にあたる、縦方向の絶縁パターンである。
Ｅは、マスクパターン５層目にあたる、縦方向の導電パターンである。
Ｚは、導電パターンのショートを抑制する為に設けられた絶縁パターンである。 A wiring having a laminated structure is formed by stacking an insulating pattern and a conductive pattern on a substrate. FIG. 6A is a view of the wiring pattern having a laminated structure according to the present invention as viewed from above the substrate. FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line LL ′ of FIG.
A is a vertical conductive pattern corresponding to the first layer of the mask pattern.
B is a vertical insulation pattern corresponding to the second layer of the mask pattern.
C is a lateral conductive pattern corresponding to the third layer of the mask pattern.
D is a vertical insulating pattern corresponding to the fourth layer of the mask pattern.
E is a vertical conductive pattern corresponding to the fifth layer of the mask pattern.
Z is an insulating pattern provided to suppress a short circuit of the conductive pattern.

印刷情報としては、最低でも基体に対するヘッドの１スキャン分の吐出データを保存できるだけの印刷用のバッファを有しており、該バッファよりデータを読み出して第１の液体及び第２の液体を吐出する。各層毎のマスク情報を基に、高さ情報によって印刷層毎の情報へと変換を行う。１つの層の高さ情報は設計ルールで規定されているため、Ｘ，Ｙの位置情報と何層目の部分に当たるかを演算する事により、印刷層毎の情報への変換が行える。前述の演算により得られた層毎の情報を用いて、図６で示した積層構造の配線の形成方法として、ヘッドをスキャンして配線を形成する過程を図７（１）〜（６）に示す。 The print information includes a buffer for printing that can store at least discharge data for one scan of the head with respect to the substrate. Data is read from the buffer and the first liquid and the second liquid are discharged. . Based on the mask information for each layer, conversion into information for each print layer is performed by height information. Since the height information of one layer is defined by the design rule, it can be converted into information for each printing layer by calculating the position information of the X and Y and the number of layers. As a method of forming the wiring having the laminated structure shown in FIG. 6 using the information for each layer obtained by the above calculation, the process of forming the wiring by scanning the head is shown in FIGS. Show.

図７は、本発明の実施形態の１つである配線形成工程を示す図である。絶縁パターンと導電パターンの積層の構造が明確になるように模式的に示した。ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離は、図４に示した如くモーターとカムによる基体受け部分のＵＰ／ＤＯＷＮにより、一定の距離αに制御される。ヘッドは左から右に動作するものとし、絶縁パターンＢ、Ｄは配線パターン情報内に含まれている絶縁パターン情報により形成されたパターンであり、絶縁パターンＺは、導電パターンのショートを抑制する為に設けられた絶縁パターンである。 FIG. 7 is a diagram showing a wiring formation process which is one embodiment of the present invention. The structure of the insulating pattern and the conductive pattern is schematically shown so as to clarify the laminated structure. The distance between the ejection port surface a of the head and the wiring pattern forming surface b is controlled to a fixed distance α by UP / DOWN of the base receiving portion by the motor and cam as shown in FIG. The head operates from left to right, and the insulation patterns B and D are patterns formed by the insulation pattern information included in the wiring pattern information, and the insulation pattern Z is for suppressing a short circuit of the conductive pattern. It is the insulation pattern provided in.

図７（１）では、印刷層の第１層目の配線パターンの形成にあたって、ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離をαにし、導電パターンを形成する予定の近傍に絶縁パターンＢとＺを形成する。 In FIG. 7A, when forming the wiring pattern of the first layer of the printed layer, the distance between the ejection port surface a of the head and the wiring pattern forming surface b is α, and insulation is performed in the vicinity where the conductive pattern is to be formed. Patterns B and Z are formed.

図７（２）では、絶縁パターンの形成を終了した後、該絶縁パターンの間に導電パターンＣとＡを形成することにより、導電パターンが基体で広がることを抑制し、配線のショートを防ぎ信頼性の高い配線の形成が可能となる。ここまでの工程が、印刷層の第１層目の形成である。 In FIG. 7B, after the formation of the insulating pattern is completed, the conductive patterns C and A are formed between the insulating patterns, thereby suppressing the conductive pattern from spreading on the substrate and preventing the short circuit of the wiring. High-quality wiring can be formed. The process so far is the formation of the first layer of the print layer.

続いて、マスク情報から変換したデータを基に、印刷層の第２層目に当たる配線パターンの形成を行う。 Subsequently, a wiring pattern corresponding to the second layer of the printing layer is formed based on the data converted from the mask information.

図７（３）では、ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離は、第１層目の配線パターンによる高さβだけ短くなっているので、モーターを回転させることにより基体受け部を下方に移動させ、ヘッドの吐出口面ａと印刷層の第２層目にあたる配線パターン形成面ｂとの距離をαにするために、ヘッドと基体との距離をα＋βに調節し、絶縁パターンＢ、Ｄ、Ｚの形成を行う。 In FIG. 7 (3), the distance between the ejection port surface a of the head and the wiring pattern forming surface b is shortened by the height β due to the wiring pattern of the first layer. The distance between the head and the substrate is adjusted to α + β so that the distance between the discharge port surface a of the head and the wiring pattern forming surface b corresponding to the second layer of the printed layer is α, and the insulation is performed. Patterns B, D, and Z are formed.

図７（４）では、絶縁パターンの形成を終了した後、導電パターンＣの形成を行い、印刷層の第２層目の形成は完了する。 In FIG. 7 (4), after the formation of the insulating pattern is completed, the conductive pattern C is formed, and the formation of the second layer of the printed layer is completed.

図７（５）では、印刷層の第３層目の配線パターンの形成にあたって、先ほどと同様に、ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離は、第２層目の配線パターンによる高さβだけ短くなっているので、モーターを回転させることにより基体受け部を下方に移動させ、ヘッドの吐出口面ａと印刷層の第３層目にあたる配線パターン形成面ｂとの距離をαにするために、ヘッドの吐出口面と基体との距離をα＋２βに調整し、絶縁パターンＺの形成を行う。 In FIG. 7 (5), in forming the third layer wiring pattern of the print layer, the distance between the ejection port surface a of the head and the wiring pattern forming surface b is the same as that of the second layer wiring pattern. Accordingly, the base receiving portion is moved downward by rotating the motor, and the distance between the discharge port surface a of the head and the wiring pattern forming surface b corresponding to the third layer of the printing layer is reduced. In order to obtain α, the distance between the ejection port surface of the head and the substrate is adjusted to α + 2β, and the insulating pattern Z is formed.

図７（６）では、絶縁パターンの形成が終了した後、絶縁パターンＺの間に導電パターンＣとＥを形成し、配線パターンの形成を終了する。 In FIG. 7 (6), after the formation of the insulating pattern is completed, the conductive patterns C and E are formed between the insulating patterns Z, and the formation of the wiring pattern is completed.

図８は、図３のＲＯＭ１０４に記憶されている配線形成工程のプログラムのフローチャートを示す。ステップＳ１では、配線パターン形成の印刷指示があった否かの判断を行う。印刷指示で無い場合には、ステップＳ２でその他の処理を実行し、終了する。印刷指示の場合には、ステップＳ３で印刷指示されたデータ（本実施例では、半導体印刷のためのマスク情報）を読み出し、メモリ上に記憶する。ステップＳ４では、取得したマスク情報より全ての層のパターン情報を解析して、印刷層ごとの配線パターン形成情報にデータ変換を行う。ここで変換された情報は、本体上のメモリ手段に記憶保存され、この印刷層毎の配線パターン形成情報に基づいて、配線パターンの形成を実行する。ステップＳ５では、ステップＳ４で変換した印刷層毎の情報から、最初に実行する配線パターン形成情報を読み出して、データをセットする。ステップＳ６では、これから配線パターンを形成する層の配線パターン形成情報を基にして、ヘッドの位置を決定する。ステップＳ７では、先に解析した印刷層毎の情報の印刷指示された層内に、絶縁パターン情報が存在しているか否かの判断を行う。絶縁パターン情報が含まれていない場合には、ステップＳ９へジャンプする。絶縁パターン情報が含まれていた場合には、ステップＳ８に進み、印刷層の指示ライン内に含まれている絶縁パターン情報をセットして絶縁パターンの形成を行う（図７（１）の絶縁パターンの形成に相当する）。ステップＳ９では、印刷指示された層内の導電パターンを形成し（図７（２））印刷層の第１層目に当たる配線パターン形成情報の出力が終了する。ステップＳ１０では、１ページ分に値する配線パターン形成情報の出力が終了したか否かの判断を行っている。即ち、指示されたラインごとの配線パターン形成を継続して、最終ラインまでの配線パターンの形成が終了したかどうかの判断である。１ページ分の配線パターンの形成が終了していた場合には、取得した配線パターン情報を全て出力し終わった状態であり、全ての処理を終了する。１ページ分の配線パターン形成処理が終了していなかった場合には、ステップＳ１１において、いままで配線パターンを形成してきた情報の次のライン情報を読み出してセットし、ステップＳ６へ戻る。これらの流れを継続する事により、インクジェット方式を採用した配線形成装置で取得した情報を、基体に適宜出力できる。 FIG. 8 shows a flow chart of the wiring formation process program stored in the ROM 104 of FIG. In step S1, it is determined whether or not there is an instruction to print a wiring pattern. If it is not a print instruction, other processing is executed in step S2, and the process ends. In the case of a print instruction, the data instructed to print in step S3 (in this embodiment, mask information for semiconductor printing) is read out and stored in the memory. In step S4, the pattern information of all layers is analyzed from the acquired mask information, and data conversion is performed to wiring pattern formation information for each print layer. The information converted here is stored and saved in the memory means on the main body, and the wiring pattern is formed based on the wiring pattern formation information for each print layer. In step S5, the wiring pattern formation information to be executed first is read from the information for each print layer converted in step S4, and data is set. In step S6, the position of the head is determined based on the wiring pattern formation information of the layer from which a wiring pattern will be formed. In step S7, it is determined whether or not the insulation pattern information exists in the layer instructed to print the information for each print layer analyzed previously. If the insulation pattern information is not included, the process jumps to step S9. If the insulating pattern information is included, the process proceeds to step S8, where the insulating pattern information included in the print layer instruction line is set to form the insulating pattern (the insulating pattern shown in FIG. 7A). Equivalent to the formation of). In step S9, the conductive pattern in the layer instructed to be printed is formed (FIG. 7B), and the output of the wiring pattern formation information corresponding to the first layer of the printed layer is completed. In step S10, it is determined whether or not output of wiring pattern formation information worth one page has been completed. That is, it is determined whether or not the wiring pattern formation for each designated line is continued and the formation of the wiring pattern up to the final line is completed. When the formation of the wiring pattern for one page has been completed, all the acquired wiring pattern information has been output, and all the processes are completed. If the wiring pattern forming process for one page has not been completed, the line information next to the information on which the wiring pattern has been formed is read and set in step S11, and the process returns to step S6. By continuing these flows, the information acquired by the wiring forming apparatus adopting the ink jet method can be appropriately output to the substrate.

実施例２では、マスク情報から印刷層毎の情報に変換を施した後、該情報を用いて印刷層毎に出力を行う例を示したが、本実施例ではマスク情報に従って出力を行い、配線を形成する過程を示す。図９，１０は、本発明の実施形態の１つである配線形成工程を示す図である。絶縁パターンと導電パターンの積層の構造が明確になるように模式的に示した。ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離は、図４に示した如くモーターとカムによる基体受け部分のＵＰ／ＤＯＷＮにより、一定の距離αに制御される。ヘッドは左から右に動作するものとし、絶縁パターンＢ、Ｄは配線パターン情報内に含まれている絶縁パターン情報により形成された絶縁パターンであり、絶縁パターンＺは、導電パターンのショートを抑制する為の絶縁パターンである。また、実施例２ではすべての導電パターンの両脇に絶縁パターンを設けたが、本実施例では、導電パターンの広がりによる配線のショートを起こす可能性が高い部分のみ、絶縁パターンＺを形成する例を示す。 In the second embodiment, after the mask information is converted into the information for each print layer, output is performed for each print layer using the information. However, in this embodiment, output is performed according to the mask information, and wiring is performed. The process of forming is shown. 9 and 10 are diagrams showing a wiring formation process which is one embodiment of the present invention. The structure of the insulating pattern and the conductive pattern is schematically shown so as to clarify the laminated structure. The distance between the ejection port surface a of the head and the wiring pattern forming surface b is controlled to a fixed distance α by UP / DOWN of the base receiving portion by the motor and cam as shown in FIG. The head is assumed to operate from left to right. Insulating patterns B and D are insulating patterns formed by insulating pattern information included in the wiring pattern information, and insulating pattern Z suppresses short-circuiting of the conductive pattern. This is an insulation pattern. In the second embodiment, the insulating patterns are provided on both sides of all the conductive patterns. However, in this embodiment, the insulating pattern Z is formed only in a portion where there is a high possibility of causing a short circuit due to the spreading of the conductive patterns. Indicates.

図９（１）では、ヘッドの吐出口面ａと基体３０１との距離をαにし、マスク情報に従って配線パターンを形成するにあたって、まず、マスクパターン第２層目にあたる絶縁パターンＢの印刷層第１層目の形成を行う。図９（２）では、絶縁パターンＢの形成が終了した後に、マスクパターン第１層目にあたる導電パターンＡの形成を行う。 In FIG. 9 (1), when the distance between the ejection port surface a of the head and the substrate 301 is α, and the wiring pattern is formed according to the mask information, first, the first printed layer of the insulating pattern B corresponding to the second layer of the mask pattern. A layer is formed. In FIG. 9B, after the formation of the insulating pattern B is completed, the conductive pattern A corresponding to the first layer of the mask pattern is formed.

図９（３）では、モーターを回転させることにより基体受け部を、配線パターン１層分の高さβだけ下方に移動させ、ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離をαにするために、ヘッドの吐出口面ａと基体との距離をα＋βに調節し、マスクパターン第２層目にあたる絶縁パターンＢの印刷層第２層目を形成し、マスクパターン第２層目の形成を終了する。 In FIG. 9 (3), by rotating the motor, the substrate receiving portion is moved downward by a height β corresponding to one layer of the wiring pattern, and the distance between the ejection port surface a of the head and the wiring pattern forming surface b is set to α. In order to achieve this, the distance between the ejection port surface a of the head and the substrate is adjusted to α + β, the second printed layer of the insulating pattern B corresponding to the second layer of the mask pattern is formed, and the second layer of the mask pattern is formed. Finish formation.

図９（４）では、ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離をαに設定し、マスクパターン第３層目にあたる導電パターンＣの印刷層第１層目の形成を行う。 In FIG. 9 (4), the distance between the ejection port surface a of the head and the wiring pattern forming surface b is set to α, and the first printed layer of the conductive pattern C corresponding to the third layer of the mask pattern is formed.

図９（５）では、ヘッドの吐出口面ａと基体の距離をα＋βにし、マスクパターン第３層目にあたる導電パターンＣの印刷層第２層目における導電パターンのショートを防ぐための、絶縁パターンＺの形成を行い、図９（６）では、マスクパターン第３層目にあたる導電パターンＣの印刷層第２層目を形成する。 In FIG. 9 (5), the distance between the ejection port surface a of the head and the substrate is set to α + β, and the insulating pattern for preventing the conductive pattern in the second printed layer of the conductive pattern C corresponding to the third layer of the mask pattern from being short-circuited. Z is formed, and in FIG. 9 (6), the second printed layer of the conductive pattern C corresponding to the third layer of the mask pattern is formed.

図９（７）では、ヘッドの吐出口面ａと基体の距離をα＋２βにし、マスクパターン第３層目の導電パターンＣの印刷層第３層目における導電パターンの配線のショートを防ぐための、絶縁パターンＺの形成を行う。図１０（８）では、マスクパターン第３層目にあたる導電パターンＣの印刷層第３層目の形成を行い、マスクパターン第３層目までの情報の出力が終了する。 In FIG. 9 (7), the distance between the ejection port surface a of the head and the substrate is set to α + 2β, and the wiring of the conductive pattern in the third layer of the printed pattern of the conductive pattern C of the third layer of the mask pattern is prevented. Insulating pattern Z is formed. In FIG. 10 (8), the third printed layer of the conductive pattern C corresponding to the third layer of the mask pattern is formed, and the output of information up to the third layer of the mask pattern is completed.

図１０（９）では、ヘッドの吐出口面ａと基体までの距離をα＋βにして、マスクパターン第４層目にあたる絶縁パターンＤを形成する。 In FIG. 10 (9), the insulating pattern D corresponding to the fourth layer of the mask pattern is formed by setting the distance between the ejection port surface a of the head and the substrate to α + β.

図１０（１０）では、ヘッドの吐出口面ａと基体までの距離をα＋２βにして、続けて形成する導電パターンＥのショートを防ぐための絶縁パターンＺの形成を行った後、マスクパターン第５層目にあたる導電パターンＥの形成を行い、配線パターンの形成を完了する（図１０（１１））。 In FIG. 10 (10), the distance between the ejection port surface a of the head and the substrate is set to α + 2β, and after the formation of the insulating pattern Z for preventing short-circuiting of the conductive pattern E to be subsequently formed, The conductive pattern E corresponding to the layer is formed, and the formation of the wiring pattern is completed (FIG. 10 (11)).

本実施例は、マスク情報に従って実施例２の配線を形成した例を示す。図１１，図１２は、本発明の実施形態の１つである配線形成工程を示す図である。図９，図１０で説明した実施例３の配線形成方法との相違点は、すべての導電パターンの両脇に絶縁パターンを形成した点のみである為、形成方法についての説明は省略する。実施例３に比べて一番外側の導電パターンの広がりを抑えることが出来る為、本配線パターンの近傍に別の配線を形成する際にも、配線のショートがなく信頼性の高い配線が形成できる。 This example shows an example in which the wiring of Example 2 is formed according to mask information. FIG. 11 and FIG. 12 are diagrams showing a wiring formation process which is one embodiment of the present invention. The only difference from the wiring forming method of the third embodiment described with reference to FIGS. 9 and 10 is that an insulating pattern is formed on both sides of all the conductive patterns, and therefore the description of the forming method is omitted. Since it is possible to suppress the spread of the outermost conductive pattern as compared with the third embodiment, even when another wiring is formed in the vicinity of this wiring pattern, there is no short circuit and a highly reliable wiring can be formed. .

図１３は、対応する導電パターンの大きさに応じて、絶縁パターンの大きさの制御を示すフローチャートである。導電パターン幅が一定の幅より大きい場合には、該パターンを流れる電流等を考慮し、隣接するパターン迄の絶縁のパターン幅を大きくするように構成する。 FIG. 13 is a flowchart showing control of the size of the insulating pattern in accordance with the size of the corresponding conductive pattern. When the width of the conductive pattern is larger than a certain width, the insulation pattern width to the adjacent pattern is increased in consideration of the current flowing through the pattern.

配線パターン形成方法に関しては、実施例１〜４のいずれの方式でも良い。 As for the wiring pattern forming method, any of the methods of Examples 1 to 4 may be used.

ステップＳ５１では、これから配線パターンを形成しようとしている配線パターン情報内の導電パターンに、規定値より大きなパターン幅が有るか無いかの判断を行う。ここで、規定値のみのパターンの場合には、ステップＳ５２で絶縁パターンの幅を、既定値とし、印刷層毎の配線パターン形成情報を変換する演算を実行する。ステップＳ５１で規定値以外の導電パターン幅が含まれていた場合は、ステップＳ５３で規定値以外の導電パターンの幅が、規定値より大きいか小さいかの判断を行う。規定値より小さい導電パターンがある場合には、ステップＳ５４で絶縁パターンの幅を規定値として配線パターン形成情報を変換する演算を実行する。規定値より大きい導電パターンがある場合には、Ｓ５５で、絶縁パターンのパターンの幅を導電パターンに合わせて、大きく形成するように、印刷層毎の配線パターン形成情報を変換する演算を実行する。Ｓ５６では、該絶縁パターン情報と該導電パターン情報にしたがって配線パターンを基体に形成し、配線パターンの形成を終了する。 In step S51, it is determined whether or not the conductive pattern in the wiring pattern information from which a wiring pattern is to be formed has a pattern width larger than a specified value. Here, in the case of a pattern having only a prescribed value, an operation for converting the wiring pattern formation information for each print layer is executed in step S52 with the width of the insulating pattern as a default value. If a conductive pattern width other than the specified value is included in step S51, it is determined in step S53 whether the width of the conductive pattern other than the specified value is larger or smaller than the specified value. If there is a conductive pattern smaller than the specified value, an operation for converting the wiring pattern formation information with the width of the insulating pattern as the specified value is executed in step S54. If there is a conductive pattern larger than the specified value, in S55, an operation for converting the wiring pattern formation information for each print layer is executed so that the width of the pattern of the insulating pattern is increased to match the conductive pattern. In S56, a wiring pattern is formed on the base according to the insulating pattern information and the conductive pattern information, and the formation of the wiring pattern is completed.

導電パターン幅及び絶縁パターン幅に限らず、パターンの高さを変えるためには、配線パターンを形成する際の配線パターン形成液体の吐出量を多くして、導電パターン及びまたは絶縁パターンを上方へ延ばす事も考えられる。また、印刷層情報を受け取った後に、配線形成装置側で上記処理を実行するように記載してきたが、これに限らず、受け取る際に各種情報を判別して、処理に見合った形式のデータに変換を施された印刷層情報として受け取る事も可能である。 In order to change not only the width of the conductive pattern and the width of the insulating pattern but also the height of the pattern, the discharge amount of the wiring pattern forming liquid at the time of forming the wiring pattern is increased, and the conductive pattern and / or the insulating pattern is extended upward. Things can also be considered. In addition, although it has been described that the above processing is executed on the wiring forming apparatus side after receiving the print layer information, the present invention is not limited to this. It is also possible to receive the converted print layer information.

本実施例では、配線パターンを形成後に、加熱硬化処置を行う手順を示す。 In this embodiment, a procedure for performing heat curing treatment after forming a wiring pattern is shown.

基体に絶縁パターンを形成した後に、加熱硬化装置を通すことによって基体に形成された絶縁パターンを硬化させ、その後、導電パターンを形成し、再び加熱硬化装置を通して硬化させることにより、硬化した絶縁パターンが導電パターンの縁の役目を果たし、導電パターン同士の接触による配線のショートを防ぎ、信頼性の高い配線が形成できる。加熱を行う手順としては、印刷層ごとに、あるいはマスクパターンごとに、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々応用可能である。 After the insulating pattern is formed on the substrate, the insulating pattern formed on the substrate is cured by passing through a heat curing device, and then the conductive pattern is formed and then cured again through the heat curing device. It plays the role of the edge of the conductive pattern, prevents a short circuit of the wiring due to contact between the conductive patterns, and can form a highly reliable wiring. Various procedures can be applied to the heating procedure for each printing layer or for each mask pattern without departing from the spirit of the present invention.

本実施例は、基体に対して、印刷層１層目にあたる絶縁パターンをすべて形成した後に、加熱処理を行い、その後、印刷層１層目の導電パターンの形成を行い、印刷層毎に配線パターンを形成する。図１４は、配線パターンの加熱硬化処理を行う手順を示すフローチャートである。図１４のステップＳ１００では、配線パターン形成の指示がなされたか否かの判断を行う。配線パターン形成指示で無い場合には、ステップＳ１０１でその他の処理を実行し、終了する。配線パターン形成指示の場合には、ステップＳ１０２で形成指示されたデータ（本実施例では、半導体印刷のためのマスク情報）を読み出し、メモリ上に記憶する。ステップＳ１０３では、取得したマスク情報より、全ての層の配線パターン形成情報を解析して、印刷層ごとの配線パターン形成情報にデータ変換を行う。ここで変換された情報は、本体上のメモリ手段に記憶保存され、この印刷層毎の配線パターン形成情報に基づいて、配線パターンの形成を実行する。ステップＳ１０４では、ステップＳ１０３で変換した印刷層毎の情報から、最初に実行する配線パターン形成情報を読み出して、データをセットする。ステップＳ１０５では、これから配線パターンを形成する層の配線パターン形成情報を基にして、ヘッドの位置を決定する。ステップＳ１０６では、これから配線パターンを形成する印刷層内の、絶縁パターンの形成は終了したか否かの判断を行う。絶縁パターンの形成が終了している場合には、ステップＳ１０７へ進み、これから配線パターンを形成する印刷層内の導電パターンを形成する。印刷層内に絶縁パターンが残っている場合には、ステップＳ１０８に進み、印刷層内の絶縁パターンの形成を行う。ステップＳ１０９では、基体に形成した配線パターンに対して熱硬化処理と基体のフィード及びバックフィードを実行する。ステップＳ１１０では、配線パターンの形成を指示された印刷層内の配線パターンが存在するか否かの判断を行う。配線パターンがまだある場合には、ステップＳ１０６に戻る。配線パターンの形成を指示された印刷層内の配線パターンの形成が終了している場合には、ステップＳ１１１に進む。ステップＳ１１１では、配線パターンの形成を指示された印刷層以外に配線パターンを形成する層が存在するか否かの判断を行う。全ての層において配線パターンの形成が終了している場合には、印刷情報の出力が終了する。印刷層が存在する場合には、ステップＳ１１２に進み、ステップＳ１０３で求めた情報から、次に配線パターンの形成を行う印刷パターン情報を読み出して、データをセットし、ステップＳ１０５に戻る。これらの流れを継続する事により、基体に導電パターンと絶縁パターンからなる配線パターンを形成する。 In this example, after the insulating pattern corresponding to the first printed layer is formed on the substrate, heat treatment is performed, and then the conductive pattern of the first printed layer is formed, and the wiring pattern is formed for each printed layer. Form. FIG. 14 is a flowchart illustrating a procedure for performing a heat curing process for a wiring pattern. In step S100 of FIG. 14, it is determined whether or not an instruction for forming a wiring pattern has been issued. If it is not a wiring pattern formation instruction, other processing is executed in step S101, and the process ends. In the case of a wiring pattern formation instruction, the data instructed in step S102 (in this embodiment, mask information for semiconductor printing) is read and stored in the memory. In step S103, the wiring pattern formation information of all layers is analyzed from the acquired mask information, and data conversion is performed on the wiring pattern formation information for each print layer. The information converted here is stored and saved in the memory means on the main body, and the wiring pattern is formed based on the wiring pattern formation information for each print layer. In step S104, firstly executed wiring pattern formation information is read from the information for each print layer converted in step S103, and data is set. In step S105, the position of the head is determined based on the wiring pattern formation information of the layer from which a wiring pattern will be formed. In step S106, it is determined whether or not the formation of the insulating pattern in the printed layer on which the wiring pattern is to be formed has been completed. If the formation of the insulating pattern has been completed, the process proceeds to step S107, and the conductive pattern in the printed layer from which the wiring pattern is to be formed is formed. If the insulating pattern remains in the printed layer, the process proceeds to step S108, and the insulating pattern in the printed layer is formed. In step S109, a thermosetting process, substrate feed, and back feed are performed on the wiring pattern formed on the substrate. In step S110, it is determined whether there is a wiring pattern in the print layer instructed to form the wiring pattern. If there is still a wiring pattern, the process returns to step S106. If the formation of the wiring pattern in the print layer instructed to form the wiring pattern has been completed, the process proceeds to step S111. In step S111, it is determined whether there is a layer for forming the wiring pattern other than the printed layer instructed to form the wiring pattern. When the formation of the wiring pattern is completed in all layers, the output of the print information is completed. If there is a print layer, the process proceeds to step S112, the print pattern information for forming a wiring pattern next is read from the information obtained in step S103, data is set, and the process returns to step S105. By continuing these flows, a wiring pattern comprising a conductive pattern and an insulating pattern is formed on the base.

本実施例では、基体に形成する配線パターンの情報に従って、絶縁パターン形成工程と、導電パターン形成工程と、の形成順序を変更して配線を形成する例を示す。 In this embodiment, an example in which the wiring is formed by changing the formation order of the insulating pattern forming step and the conductive pattern forming step in accordance with the information of the wiring pattern formed on the substrate.

図１５は本発明の実施形態の１つである配線形成工程を示す図である。絶縁パターンと導電パターンの積層の構造が明確になるように模式的に示した。ヘッドの吐出口面と、配線パターン形成面の制御方法は、図４または図５に示した方法を用いる。図１５に示す、導電パターンＡとＣ、絶縁パターンＢとＤとＺは、実施例２で説明した通りである。 FIG. 15 is a diagram showing a wiring formation process which is one embodiment of the present invention. The structure of the insulating pattern and the conductive pattern is schematically shown so as to clarify the laminated structure. The method shown in FIG. 4 or 5 is used as a method for controlling the ejection port surface of the head and the wiring pattern formation surface. The conductive patterns A and C and the insulating patterns B, D, and Z shown in FIG. 15 are as described in the second embodiment.

図１５の（１）では、印刷層の第１層目の配線パターン形成にあたって、導電パターンを形成する予定の近傍に絶縁パターンＢとＺを形成する。 In (1) of FIG. 15, when forming the wiring pattern of the first layer of the printed layer, the insulating patterns B and Z are formed in the vicinity where the conductive pattern is to be formed.

図１５の（２）では、絶縁パターンの形成を終了した後、該絶縁パターンの間に導電パターンＣとＡを形成する。ここまでは実施例２と同じである。 In FIG. 15B, after the formation of the insulating pattern is completed, conductive patterns C and A are formed between the insulating patterns. The steps so far are the same as in the second embodiment.

図１５の（３）において、印刷層の第２層目の導電パターンＣは、第１層目と第３層目の導電パターンとを繋ぐスルーホールの役目を果たす。スルーホールを形成する導電パターンが存在する印刷層においては、絶縁パターンより先にスルーホールの導電パターンを形成する。これによって、スルーホールを形成する導電パターンと、上下の印刷層の導電パターンとの連結が確実になるので、図１５の（３）では、印刷層の第２層目の導電パターンＣを同層の絶縁パターンより先に形成する。 In FIG. 15 (3), the conductive pattern C of the second layer of the print layer serves as a through hole that connects the first layer and the third layer of conductive pattern. In a printed layer having a conductive pattern for forming a through hole, the conductive pattern for the through hole is formed before the insulating pattern. This ensures the connection between the conductive pattern forming the through hole and the conductive pattern of the upper and lower printed layers. Therefore, in FIG. 15 (3), the conductive pattern C of the second layer of the printed layer is the same layer. The insulating pattern is formed before the insulating pattern.

図１５の（４）では、絶縁パターンＢとＤとＺ’を形成する。絶縁パターンＺ’とは、導電パターンより後に形成を行う絶縁パターンである。ここで、絶縁パターンＤと、該絶縁パターンＤと一定の距離を置いて隣り合う絶縁パターンＺ’との間に導電パターンが存在しないので、２つの絶縁パターンを繋げて形成する。 In FIG. 15 (4), insulating patterns B, D and Z 'are formed. The insulating pattern Z ′ is an insulating pattern that is formed after the conductive pattern. Here, since there is no conductive pattern between the insulating pattern D and the insulating pattern Z 'adjacent to the insulating pattern D at a certain distance, the two insulating patterns are connected to each other.

図１５の（５）では、印刷層の第３層目にあたって、絶縁パターンＺを形成する。ここでも、ある一定の距離を置いて隣あう絶縁パターンＺが存在するので、それぞれの絶縁パターンを繋げて形成を行う。 In (5) of FIG. 15, the insulating pattern Z is formed on the third layer of the printed layer. In this case as well, there are adjacent insulation patterns Z at a certain distance, so the respective insulation patterns are connected to each other.

図１５の（６）では、導電パターンＣと導電パターンＥを形成する。 In (6) of FIG. 15, the conductive pattern C and the conductive pattern E are formed.

以上で説明したように、基体に形成する配線の情報に従って、絶縁パターン形成工程と、導電パターン形成工程と、の形成順序を適切に変更することにより、印刷層の第１層目では配線のショートが起こらず、印刷層の第２層目以降では、スルーホールの役目をはたす導電パターンは上下の導電パターンと導通し、スルーホール以外の配線部分では、配線のショートを防ぐことができ、より一層信頼性の高い配線板の作成が可能である。 As described above, the first layer of the printed layer is short-circuited by appropriately changing the formation order of the insulating pattern forming step and the conductive pattern forming step according to the information of the wiring formed on the substrate. In the second and subsequent layers of the printed layer, the conductive pattern serving as the through hole is electrically connected to the upper and lower conductive patterns, and in the wiring portion other than the through hole, the wiring can be prevented from being short-circuited. A highly reliable wiring board can be created.

図１６に、本実施例において、配線パターンの加熱硬化処置を行う手順を示すフローチャートを示す。図１６のステップＳ６００では、配線パターン形成の指示があった否かの判断を行う。配線パターン形成指示で無い場合には、ステップＳ６０１でその他の処理を実行し、終了する。配線パターン形成指示の場合には、ステップＳ６０２で形成指示されたデータ（本実施例では、半導体印刷のためのマスク情報）を読み出し、メモリ上に記憶する。ステップＳ６０３では、取得したマスク情報より、全ての層の配線パターン形成情報を解析して、印刷層ごとの配線パターン形成情報にデータ変換を行う。ここで変換された情報は、本体上のメモリ手段に記憶保存され、この印刷層毎の配線パターン形成情報に基づいて、配線パターンの形成を実行する。ステップＳ６０４では、ステップＳ６０３で変換した印刷層毎の情報から、最初に実行する配線パターン形成情報を読み出して、データをセットする。ステップＳ６０５では、これから配線パターンを形成する層の配線パターン形成情報を基にして、ヘッドの位置を決定する。ステップＳ６０６では、これから配線パターンを形成する印刷層が印刷層第１層目であるか否かの判断を行う。 FIG. 16 is a flowchart showing a procedure for performing the heat curing treatment of the wiring pattern in this embodiment. In step S600 of FIG. 16, it is determined whether or not there is an instruction to form a wiring pattern. If it is not a wiring pattern formation instruction, other processing is executed in step S601 and the process ends. In the case of a wiring pattern formation instruction, the data instructed in step S602 (in this embodiment, mask information for semiconductor printing) is read and stored in the memory. In step S603, the wiring pattern formation information of all layers is analyzed from the acquired mask information, and data conversion is performed on the wiring pattern formation information for each print layer. The information converted here is stored and saved in the memory means on the main body, and the wiring pattern is formed based on the wiring pattern formation information for each print layer. In step S604, wiring pattern formation information to be executed first is read from the information for each print layer converted in step S603, and data is set. In step S605, the position of the head is determined based on the wiring pattern formation information of the layer from which a wiring pattern will be formed. In step S606, it is determined whether or not the print layer on which the wiring pattern is to be formed is the first print layer.

ステップＳ６０６において、印刷層第１層目の配線パターン形成の指示である場合には、ステップＳ６０９に進む。ステップＳ６０９では、これから配線パターンを形成する印刷層内の絶縁パターンの形成が終了しているか否かの判断を行う。絶縁パターンの形成が終了してない場合には、ステップＳ６１１で絶縁パターンを形成し、ステップＳ６１２で絶縁パターンの熱硬化処理と基体のフィード及びバックフィードを実行する。絶縁パターンの形成が終了している場合には、ステップＳ６１０に進み、導電パターンを形成し、ステップＳ６１２で導電パターンの熱効果処理等を行う。 If it is determined in step S606 that the first wiring pattern formation instruction has been issued, the process proceeds to step S609. In step S609, it is determined whether or not the formation of the insulating pattern in the printed layer on which the wiring pattern is to be formed has been completed. If the formation of the insulating pattern has not been completed, the insulating pattern is formed in step S611, and the insulating pattern is thermally cured, and the substrate is fed and back-fed in step S612. If the formation of the insulating pattern has been completed, the process proceeds to step S610 to form a conductive pattern, and in step S612, a thermal effect process of the conductive pattern is performed.

ステップＳ６０６において、印刷層第１層目の印刷でない場合には、ステップＳ６０７に進む。ステップＳ６０７では、これから配線パターンを形成する印刷層内にスルーホールを形成する配線パターン情報が含まれているか否かの判断を行う。 If it is determined in step S606 that the first print layer is not printed, the process proceeds to step S607. In step S607, it is determined whether or not wiring pattern information for forming a through hole is included in the printed layer from which a wiring pattern is to be formed.

これから配線パターンを形成する印刷層内にスルーホールが存在しな場合には、ステップＳ６０９に進む。これから配線パターンを形成する印刷層内にスルーホールが存在する場合には、ステップＳ６０８に進む。ステップＳ６０８では、これから配線パターンを形成する印刷層内の導電パターンの形成が終了したか否かの判断を行う。これから配線パターンを形成する印刷層内の導電パターンの印形成が終了していない場合には、ステップＳ６１０に進み、導電パターンを形成する。これから配線パターンを形成する印刷層内の導電パターンの形成が終了している場合には、ステップＳ６１１に進み絶縁パターンを形成する。 If no through hole exists in the printed layer for forming the wiring pattern, the process proceeds to step S609. If a through hole exists in the printed layer for forming the wiring pattern, the process proceeds to step S608. In step S608, it is determined whether or not the formation of the conductive pattern in the printed layer for forming the wiring pattern has been completed. When the formation of the conductive pattern in the printed layer for forming the wiring pattern has not been completed, the process proceeds to step S610 to form the conductive pattern. When the formation of the conductive pattern in the printed layer for forming the wiring pattern has been completed, the process proceeds to step S611 to form an insulating pattern.

ステップＳ６１２で導電パターンの熱効果処理を行い、ステップＳ６１３では、配線パターンの形成を指示された印刷層内の配線パターンの形成はすべて終了したか否かの判断を行う。配線パターンの形成が終了していない場合には、ステップＳ６０６に戻る。配線パターンの形成が終了した場合には、ステップＳ６１４に進む。 In step S612, a thermal effect process is performed on the conductive pattern. In step S613, it is determined whether or not all the wiring patterns in the printed layer instructed to form the wiring pattern have been formed. If the formation of the wiring pattern has not been completed, the process returns to step S606. If the formation of the wiring pattern is completed, the process proceeds to step S614.

ステップＳ６１４では、配線パターンの形成を指示された印刷層以外にも、印刷層が存在するか否かの判断を行う。全ての層において配線パターンの形成が終了している場合には、印刷情報の出力が終了する。印刷層が存在する場合には、ステップＳ６１５に進み、ステップＳ６０３で求めた情報から次に配線パターンの形成を行う印刷パターン形成情報を読み出してセットし、ステップＳ６０４に戻る。これらの流れを継続する事により、基体に導電パターンと絶縁パターンからなる配線パターンを形成する。 In step S614, it is determined whether there is a print layer other than the print layer instructed to form the wiring pattern. When the formation of the wiring pattern is completed in all layers, the output of the print information is completed. If there is a print layer, the process advances to step S615 to read and set print pattern formation information for forming a wiring pattern next from the information obtained in step S603, and the process returns to step S604. By continuing these flows, a wiring pattern comprising a conductive pattern and an insulating pattern is formed on the base.

実施例７では、スルーホールを形成する導電パターンのある印刷層において、同一層内の絶縁パターンより導電パターンを先に形成する例を示したが、本実施例では、これから印刷を行う印刷層内の導電パターンの下の層に、該導電パターンと接する導電パターンがある場合には、絶縁パターンより導電パターンを先に形成する例を示す。 In Example 7, in the printed layer having the conductive pattern for forming the through hole, an example in which the conductive pattern is formed earlier than the insulating pattern in the same layer is shown. However, in this example, in the printed layer to be printed from now on. When there is a conductive pattern in contact with the conductive pattern in a layer below the conductive pattern, an example in which the conductive pattern is formed earlier than the insulating pattern is shown.

図１７は、本発明の実施形態の１つである配線形成工程を示す図である。 FIG. 17 is a diagram showing a wiring forming process which is one embodiment of the present invention.

ヘッドの吐出口面と、配線パターン形成面の制御方法は、図４または図５に示した方法を用いる。図１７に示す、導電パターンＡとＣ、絶縁パターンＢとＤとＺは、実施例２で説明した通りである。 The method shown in FIG. 4 or 5 is used as a method for controlling the ejection port surface of the head and the wiring pattern formation surface. The conductive patterns A and C and the insulating patterns B, D, and Z shown in FIG. 17 are as described in the second embodiment.

図１７の（１）では、印刷層の第１層目の配線パターンの形成にあたって、導電パターンを形成する予定の近傍に絶縁パターンＢとＺを形成する。 In (1) of FIG. 17, when forming the wiring pattern of the 1st layer of a printing layer, the insulation patterns B and Z are formed in the vicinity where the conductive pattern is to be formed.

図１７の（２）では、絶縁パターンの形成を終了した後、該絶縁パターンの間に導電パターンＣとＡを形成する。 In FIG. 17B, after the formation of the insulating pattern is completed, conductive patterns C and A are formed between the insulating patterns.

図１７の（３）において、印刷層の第２層目の導電パターンＣは、第１層目と第３層目の導電パターンとを繋ぐスルーホールの役目を果たす。これから形成する導電パターンの下の層に該導電パターンと接する導電パターンが存在するので、絶縁パターンより先に導電パターンを形成するので、印刷層の第２層目の導電パターンＣを同層の絶縁パターンより先に形成することにより、スルーホールを形成する導電パターン同士の連結が確実になる。 In FIG. 17 (3), the conductive pattern C of the second layer of the printed layer serves as a through hole that connects the first layer and the conductive pattern of the third layer. Since there is a conductive pattern in contact with the conductive pattern in the layer below the conductive pattern to be formed, the conductive pattern is formed before the insulating pattern, so that the second conductive pattern C of the printed layer is insulated from the same layer. By forming the pattern before the pattern, the connection between the conductive patterns forming the through holes is ensured.

図１７の（４）では、絶縁パターンＢとＤとＺ’を形成する。絶縁パターンＺ’とは、導電パターンより後に形成を行う絶縁パターンである。 In FIG. 17 (4), insulating patterns B, D, and Z ′ are formed. The insulating pattern Z ′ is an insulating pattern that is formed after the conductive pattern.

図１７の（５）では、下の印刷層の導電パターンと接しない印刷層第３層目の導電パターンの周りの絶縁パターンＺを形成する。 In (5) of FIG. 17, an insulating pattern Z around the conductive pattern of the third printed layer that does not contact the conductive pattern of the lower printed layer is formed.

図１７の（６）では、絶縁パターンＺの間に導電パターンＥを形成し、下の印刷層の導電パターンと接する印刷層第３層目の導電パターンＣを形成する。 In (6) of FIG. 17, a conductive pattern E is formed between the insulating patterns Z, and a conductive layer C of the third printed layer that is in contact with the conductive pattern of the lower printed layer is formed.

図１７の（７）では、絶縁パターンＺ’を形成する。 In FIG. 17 (7), an insulating pattern Z 'is formed.

本実施例では、平面でない基体に配線を形成した様子を、図１８、図１９に示す。 In this embodiment, a state in which wiring is formed on a non-planar substrate is shown in FIGS.

図１８は、浸透性のある基体（紙や布等）に配線パターンを形成した場合の断面図である。導電パターンＣが基体３０１に染みこんで配線の精度が落ちることを防ぐために、絶縁パターンＺ同士が接するように複数形成した後、絶縁パターンと絶縁パターンの間の凹部に、導電パターンＣを形成する。 FIG. 18 is a cross-sectional view when a wiring pattern is formed on a permeable substrate (paper, cloth, etc.). In order to prevent the conductive pattern C from soaking into the base body 301 and the accuracy of the wiring is lowered, a plurality of insulating patterns Z are formed so as to be in contact with each other, and then the conductive pattern C is formed in a recess between the insulating patterns. .

図１９は、凸部のある基体に配線パターンを形成した場合の断面図である。基体３０１の凸部の横に絶縁パターンＺを形成し、基体の凸部と絶縁パターンの間に導電パターンＣを形成することにより、導電パターンが広がることを防ぎ、本配線パターンの近傍に別の配線を形成する際にも、配線のショートがなく信頼性の高い配線が形成できる。 FIG. 19 is a cross-sectional view in the case where a wiring pattern is formed on a base having a convex portion. By forming the insulating pattern Z beside the convex portion of the base 301 and forming the conductive pattern C between the convex portion of the base and the insulating pattern, the conductive pattern is prevented from spreading, and another wiring pattern is formed near the wiring pattern. When forming the wiring, a highly reliable wiring can be formed without a short circuit.

実施例１〜８において、ヘッドの１スキャン毎に全ての印刷層情報を出力するとして記載してきたが、１ページ分の印刷層にあたる絶縁パターンを形成した後に、基体のバックフィードを実行して基体を印刷装置の初期位置に戻し、１ページ分の印刷層にあたる導電パターンを形成することも考えられる。動作としては、フィード系のモーターを逆転駆動して配線パターンの形成を施せば実行できる事は明白である。 In the first to eighth embodiments, it has been described that all print layer information is output for each scan of the head. However, after forming an insulating pattern corresponding to the print layer for one page, the substrate is fed back to execute the substrate. It is also conceivable to return the ink to the initial position of the printing apparatus and form a conductive pattern corresponding to the printing layer for one page. It is obvious that the operation can be carried out by forming the wiring pattern by driving the feed motor reversely.

更に、実施例１〜８においては、片方向の配線パターンの形成に関して記載しているが、これに限らず、双方向印刷で実行する事も可能である。実施例１〜８において、指定層の指定パターン毎に配線パターンを形成するとして記載してきたが、これに限らず、例えば、ヘッドの１スキャン内に、各々異なった高さの部分が存在している場合には、１層分の高さの部分は１スキャン時に１回だけパターン形成液滴を出力し、２層分の高さが存在する所は２スキャンして必要な部分にのみ各々１回ずつパターン形成液滴を出力し、更に同様の方式で、３層目の部分に関しては、必要な部分にのみ３回パターン形成液滴を出力するという方法で実現可能である。 Furthermore, in Examples 1-8, although it described regarding formation of the wiring pattern of one direction, it is not restricted to this but can also be performed by bidirectional printing. In the first to eighth embodiments, it has been described that the wiring pattern is formed for each designated pattern of the designated layer. However, the present invention is not limited to this. For example, there are portions having different heights in one scan of the head. If there is a height of one layer, a pattern forming droplet is output only once during one scan, and a portion where there is a height of two layers is only scanned by two scans. This can be realized by outputting the pattern-formed droplets one by one and outputting the pattern-formed droplets three times only to the necessary portion with respect to the third layer portion in the same manner.

本発明を用いることで、導電パターンからなるコイルや導電パターンと絶縁パターンからなるコンデンサを形成することで、非接触のＲＦＩＤ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ−Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）Ｃｈｉｐを形成することも可能である。さらに、トランジスタ、ダイオード等の形成を行う場合には、配線パターン形成液体として、上述の導電パターンを形成する第２の液体と絶縁パターンを形成する第１の液体のほかに、第３の液体としてＳｉやＧｅなどの無機材料やアミン系、ヒドラゾン系、スチルベン系、スターバスト系などの有機材料を含有した半導体パターンを形成する液体や、第４の液体として配線パターンを定着させるための接着層等、必要に応じた材料を用いることにより、電子素子の形成も可能となる。ここで、半導体パターン形成工程の場合は、上述の導電パターン形成工程と同じ様に扱い、半導体パターン形成工程と絶縁パターン形成工程の形成順序を変えることにより、信頼性の高い半導体パターンの形成が可能となる。 By using the present invention, a non-contact RFID (Radio Frequency-Identification) Chip can be formed by forming a coil made of a conductive pattern or a capacitor made of a conductive pattern and an insulating pattern. Further, when forming transistors, diodes, etc., as the wiring pattern forming liquid, in addition to the second liquid for forming the conductive pattern and the first liquid for forming the insulating pattern, a third liquid is used. Liquid for forming semiconductor patterns containing inorganic materials such as Si and Ge, and organic materials such as amine, hydrazone, stilbene, and starbust, and adhesive layers for fixing wiring patterns as the fourth liquid, etc. By using a material as required, an electronic element can be formed. Here, in the case of the semiconductor pattern forming process, it is handled in the same manner as the conductive pattern forming process described above, and a highly reliable semiconductor pattern can be formed by changing the forming order of the semiconductor pattern forming process and the insulating pattern forming process. It becomes.

本実施例においては、性質の異なる絶縁パターンを用いることで、有機ＥＬをインクジェット法で作成する例を示す。 In this embodiment, an example in which an organic EL is formed by an inkjet method by using insulating patterns having different properties will be described.

図２１に示すように、ガラス基板５０４上にレジストを吐出することで、光遮断層とインク垂れ防止壁を兼ねた構造のレジスト５０５をに複数形成する。レジストの幅は、２０ミクロン、厚さは１．０ミクロン程度が好ましい。レジスト５０５の高さが目的の高さになるよう、必要に応じて複数回吐出を行うとよい。 As shown in FIG. 21, by discharging a resist onto a glass substrate 504, a plurality of resists 505 having a structure serving both as a light blocking layer and an ink dripping prevention wall are formed. The resist width is preferably about 20 microns and the thickness is about 1.0 microns. The ejection may be performed a plurality of times as necessary so that the height of the resist 505 becomes the target height.

まず、１層目のパターンとして形成されたレジスト５０５の間に、透明画素電極を形成する液体５０１、５０２および５０３をインクジェットにより１００ミクロンピッチ、０．１ミクロン厚程度のパターンになるよう吐出する。 First, liquids 501, 502, and 503 for forming transparent pixel electrodes are discharged between the resist 505 formed as a first layer pattern by ink jet so as to form a pattern of about 100 microns pitch and 0.1 microns thickness.

続いて、２層目のパターンとして、１層目のレジスト５０５上に再びレジスト５０５を吐出する。該レジスト間でかつ透明電極上に、絶縁パターンである発光材料であるＰＰＶ前駆体を吐出することで厚さ０．０５ミクロン程度の発色層５０６、５０７と、アルミニウムキノリノール錯体の電荷輸送型の発光層５０９を形成する。その後、ポリマー前駆体は加熱処理により高分子化され、発光層５０６、５０７が形成される。 Subsequently, the resist 505 is discharged again on the first-layer resist 505 as a second-layer pattern. By emitting a PPV precursor, which is a light-emitting material that is an insulating pattern, between the resists and on a transparent electrode, the color-forming layers 506 and 507 having a thickness of about 0.05 μm and a charge transport type light emission of an aluminum quinolinol complex Layer 509 is formed. Thereafter, the polymer precursor is polymerized by heat treatment, and light emitting layers 506 and 507 are formed.

次に、先に形成されたレジスト５０５上に再びレジスト５０５を吐出する。その後、各レジスト間に、アルミニウムキノリノール錯体の電荷輸送型の発光層５０９を吐出し、０．１ミクロン程度に形成する。最後に、厚さ０．１〜０．２ミクロンのＭｇＡｇ反射電極５１０を吐出して形成し、有機ＥＬ表示体が完成する。 Next, the resist 505 is discharged again onto the previously formed resist 505. Thereafter, an aluminum quinolinol complex charge transporting type light emitting layer 509 is discharged between the resists to form about 0.1 micron. Finally, the MgAg reflective electrode 510 having a thickness of 0.1 to 0.2 microns is formed by discharging, thereby completing the organic EL display.

このように、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々応用可能である。 Thus, various applications are possible without departing from the spirit of the present invention.

本発明における配線板の断面図。Sectional drawing of the wiring board in this invention. 本発明の実施形態の１つであるインクジェット方式による配線形成装置の要部を示す斜視図。The perspective view which shows the principal part of the wiring formation apparatus by the inkjet system which is one of the embodiments of this invention. 本発明の配線形成装置のシステム構成を示した概略ブロック図。The schematic block diagram which showed the system configuration | structure of the wiring formation apparatus of this invention. 本発明における基体受け部の高さ方向の制御を行う構成図。（ａ）は、基体受け部の高さ方向の制御を行う構成図。（ｂ）は、基体受け部が最上段にあるときの状態を示す図。（ｃ）は、基体受け部が最下段にあるときの状態を示す図。The block diagram which controls the height direction of the base | substrate receiving part in this invention. (A) is a block diagram which performs the control of the height direction of a base | substrate receiving part. (B) is a figure which shows a state when a base | substrate receiving part exists in the uppermost stage. (C) is a figure which shows a state when a base | substrate receiving part exists in the lowest step. 本発明におけるヘッドの高さ方向の制御を行う構成図。（ａ）は、制御部を基体の横方向から見た図。（ｂ）は、制御部を基体の上方向から見た図。The block diagram which performs the control of the height direction of the head in this invention. (A) is the figure which looked at the control part from the horizontal direction of the base | substrate. (B) is the figure which looked at the control part from the upper direction of the base | substrate. 本発明における積層構造の配線パターンを示す図。（ａ）は、積層構造の配線パターンを基体上方向から見下ろした図。（ｂ）は、図６（ａ）のＬ−Ｌ´における断面図。The figure which shows the wiring pattern of the laminated structure in this invention. (A) is the figure which looked down at the wiring pattern of the laminated structure from the base | substrate upper direction. (B) is sectional drawing in LL 'of Fig.6 (a). 本発明の実施例２における配線形成工程を示す図。The figure which shows the wiring formation process in Example 2 of this invention. 本発明の実施例２おける配線形成工程のプログラムのフローチャート。The flowchart of the program of the wiring formation process in Example 2 of this invention. 本発明の実施例３における配線形成工程を示す図。The figure which shows the wiring formation process in Example 3 of this invention. 本発明の実施例３における配線形成工程を示す図であって、図９の工程の続きを示す図。It is a figure which shows the wiring formation process in Example 3 of this invention, Comprising: The figure which shows the continuation of the process of FIG. 本発明の実施例４における配線形成工程を示す図。The figure which shows the wiring formation process in Example 4 of this invention. 本発明の実施例４における配線形成工程を示す図であって、図１１の工程の続きを示す図。FIG. 12 is a diagram showing a wiring formation process in Example 4 of the present invention, and is a diagram showing a continuation of the process in FIG. 11. 本発明の実施例５における絶縁パターンの大きさの制御を示すフローチャート。The flowchart which shows control of the magnitude | size of the insulation pattern in Example 5 of this invention. 本発明の実施例６における配線パターンの加熱硬化処理を行う手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the procedure which performs the heat-hardening process of the wiring pattern in Example 6 of this invention. 本発明の実施例７における配線形成工程を示す図。The figure which shows the wiring formation process in Example 7 of this invention. 本発明の実施例７における配線形成工程の手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the procedure of the wiring formation process in Example 7 of this invention. 本発明の実施例８における配線形成工程を示す図。The figure which shows the wiring formation process in Example 8 of this invention. 本発明の実施例９における浸透性のある基体に配線パターンを形成した場合の断面図。Sectional drawing at the time of forming a wiring pattern in the permeable base | substrate in Example 9 of this invention. 本発明の実施例９における、凸部のある基体に配線パターンを形成した場合の断面図。Sectional drawing at the time of forming a wiring pattern in the base | substrate with a convex part in Example 9 of this invention. 従来例における配線板の断面図。Sectional drawing of the wiring board in a prior art example. 本発明の実施例１１における有機ＥＬの形成工程を示す図。The figure which shows the formation process of organic EL in Example 11 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１データ処理装置
２基体の搬送部
３ヘッドの搬送部
４絶縁パターン形成用ヘッド
５第１の液体容器
６導電パターン形成用ヘッド
７第２の液体容器
８加熱硬化装置
９基体受け部
１０電源
１００配線形成装置
１０１表示装置
１０２キー入力装置
１０３ＣＰＵ
１０４ＲＯＭ
１０５ドライバ
１０６ＡＳＩＣ（ＧａｔｅＡｒｒａｙ）
１０７その他の入出力を制御するＩ／Ｏ（ＬＥＤ，ＢＵＺＺＥＲ）
１０８ＤＲＡＭ
１０９ＥＥＰＲＯＭ
１１０データ入力用Ｉ／Ｆ
２００配線形成装置ユニット
２０１各種制御用モーター
２０２配線パターン形成用ヘッド
２０３エンコーダ、センサ等の制御系
２０４配線パターン形成面に対するヘッド制御部
２０５第１の液体容器
２０６第２の液体容器
３００配線パターン構成情報
３０１基体
４０１モーター
４０２カム
４０３ハネ
Ａ縦方向の導電パターン
Ｂ絶縁パターン
Ｃ横方向の導電パターン
Ｄ絶縁パターン
Ｅ縦方向の導電パターン
Ｚ絶縁パターン
Ｚ’ 導電パターンより後に形成する絶縁パターン
α ヘッドの吐出口面と配線パターン形成面との距離
β 配線パターン１層分の高さ
ａ吐出口面
ｂ配線パターン形成面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Data processing apparatus 2 Base | substrate conveyance part 3 Head conveyance part 4 Insulation pattern formation head 5 1st liquid container 6 Conductive pattern formation head 7 2nd liquid container 8 Heat curing apparatus 9 Base | substrate receiving part 10 Power supply 100 Wiring Forming device 101 Display device 102 Key input device 103 CPU
104 ROM
105 Driver 106 ASIC (Gate Array)
107 I / O to control other input / output (LED, BUZZER)
108 DRAM
109 EEPROM
110 I / F for data input
DESCRIPTION OF SYMBOLS 200 Wiring formation apparatus unit 201 Various control motors 202 Wiring pattern formation head 203 Control systems, such as an encoder and a sensor 204 Head control part with respect to a wiring pattern formation surface 205 1st liquid container 206 2nd liquid container 300 Wiring pattern structure information 301 Substrate 401 Motor 402 Cam 403 Splash A Vertical conductive pattern B Insulating pattern C Horizontal conductive pattern D Insulating pattern E Vertical conductive pattern Z Insulating pattern Z 'Insulating pattern formed after the conductive pattern α Head ejection port Distance between the surface and the wiring pattern formation surface β Height of one wiring pattern layer a Discharge port surface b Wiring pattern formation surface

Claims

第１パターンを形成する第１の液体と、第２パターンを形成する前記第１の液体とは異なる第２の液体と、を基体上で互いに接するように供給することにより、前記第１パターンと前記第２パターンによる配線パターンを前記基体に形成する配線形成方法において、
前記第１の液体を前記基体に供給することにより、前記第１パターンを前記基体に形成する第１パターン形成工程と、
前記第２の液体を前記基体に供給することにより、前記第２パターンを前記基体に形成する第２パターン形成工程と、を有し、
前記第１パターン形成工程と前記第２パターン形成工程とのうちの一方の形成工程を行った後に、他方の形成工程を行うことを特徴とする配線形成方法。 Supplying the first liquid forming the first pattern and the second liquid different from the first liquid forming the second pattern so as to contact each other on the substrate; In the wiring forming method for forming the wiring pattern by the second pattern on the base body,
A first pattern forming step of forming the first pattern on the substrate by supplying the first liquid to the substrate;
A second pattern forming step of forming the second pattern on the substrate by supplying the second liquid to the substrate;
A wiring forming method comprising performing one of the first pattern forming step and the second pattern forming step and then performing the other forming step.

前記第１パターン形成工程を行った後に、前記第２パターン形成工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。 The wiring formation method according to claim 1, wherein the second pattern formation step is performed after the first pattern formation step.

前記第１パターン形成工程において、前記基体に供給された第１の液体に硬化処理を行うことを特徴とする請求項２に記載の配線形成方法。 The wiring forming method according to claim 2, wherein in the first pattern forming step, a curing process is performed on the first liquid supplied to the substrate.

前記硬化処理は、前記基体に供給された前記第１の液体を加熱することによって硬化させることを特徴とする請求項３に記載の配線形成方法。 The wiring forming method according to claim 3, wherein the curing process is performed by heating the first liquid supplied to the substrate.

前記第１パターン形成工程において、前記第１パターンを前記基体の複数箇所に形成した後に、前記第２パターン形成工程において、前記複数箇所に形成された前記第１パターンの間に当該第１パターンに接するように前記第２パターンを前記基体に形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線形成方法。 In the first pattern formation step, after the first pattern is formed at a plurality of locations on the base, the first pattern is formed between the first patterns formed at the plurality of locations in the second pattern formation step. The wiring forming method according to claim 1, wherein the second pattern is formed on the base so as to be in contact with each other.

前記第１の液体及び前記第２の液体は、インクジェット方式によって吐出されることにより、前記基体に供給されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線形成方法。 The wiring forming method according to claim 1, wherein the first liquid and the second liquid are supplied to the substrate by being ejected by an ink jet method.

前記第２パターン形成工程を行った後に、前記第１パターン形成工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。 The wiring forming method according to claim 1, wherein the first pattern forming step is performed after the second pattern forming step is performed.

前記第１パターンは、絶縁性の絶縁パターンであり、前記第２パターンは導電性の導電パターンであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線形成方法。 The wiring forming method according to claim 1, wherein the first pattern is an insulating insulating pattern, and the second pattern is a conductive conductive pattern.

前記第１パターンおよび前記第２パターンは、性質の異なる絶縁性の絶縁パターンであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線形成方法。 The wiring forming method according to claim 1, wherein the first pattern and the second pattern are insulating insulating patterns having different properties.

前記第１のパターンは絶縁性の絶縁パターンであり、前記第２パターンは半導体の半導体パターンであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線形成方法。 The wiring forming method according to claim 1, wherein the first pattern is an insulating insulating pattern, and the second pattern is a semiconductor pattern of a semiconductor.

請求項１〜１０のいずれかに記載の配線形成方法によって形成された配線と前記基体とを有する配線板。 The wiring board which has the wiring formed by the wiring formation method in any one of Claims 1-10, and the said base | substrate.

第１パターンを形成する第１の液体と第２パターンを形成する第２の液体とを基体上で互いに接するように供給することにより、前記第１パターンと前記第２パターンによる配線パターンを前記基体に形成する配線形成装置において、
前記第１の液体を貯留する第１の液体容器と、
前記第２の液体を貯留する第２の液体容器と、
前記第１の液体容器から前記第１の液体を前記基体に供給することにより、前記第１パターンを前記基体に形成する第１パターン形成手段と、
前記第２の液体容器から前記第２の液体を前記基体に供給することにより、前記第２パターンを前記基体に形成する第２パターン形成手段と、
前記第１パターン形成手段と前記第２パターン形成手段とのうちの一方の手段を用いてパターンの形成を行った後に、他方の手段を用いてパターンの形成を行うように制御を行う制御手段と、
を有することを特徴とする配線形成装置。 By supplying the first liquid forming the first pattern and the second liquid forming the second pattern so as to be in contact with each other on the substrate, the wiring pattern of the first pattern and the second pattern is supplied to the substrate. In the wiring forming apparatus to be formed in
A first liquid container for storing the first liquid;
A second liquid container for storing the second liquid;
First pattern forming means for forming the first pattern on the substrate by supplying the first liquid from the first liquid container to the substrate;
Second pattern forming means for forming the second pattern on the substrate by supplying the second liquid from the second liquid container to the substrate;
Control means for performing control so as to form a pattern using one of the first pattern forming means and the second pattern forming means and then forming the pattern using the other means; ,
A wiring forming apparatus comprising:

前記第１パターン形成手段を用いて前記第１パターンを前記基体に形成した後に、前記第２パターン形成手段を用いて前記第２パターンを前記基体に形成することを特徴とする請求項１２に記載の配線形成装置。 13. The first pattern is formed on the substrate using the first pattern forming unit, and then the second pattern is formed on the substrate using the second pattern forming unit. Wiring forming device.

前記第２パターン形成手段を用いて前記第２パターンを前記基体に形成した後に、前記第１パターン形成手段を用いて前記第１パターンを前記基体に形成することを特徴とする請求項１２に記載の配線形成装置。 13. The first pattern is formed on the substrate using the first pattern forming unit after the second pattern is formed on the substrate using the second pattern forming unit. Wiring forming device.

前記第１パターン形成手段と前記第２パターン形成手段とは、インクジェット方式によって液体を前記基体に供給することを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載の配線形成装置。 The wiring forming apparatus according to claim 12, wherein the first pattern forming unit and the second pattern forming unit supply a liquid to the substrate by an ink jet method.

これから形成される第２パターンの大きさに応じて、対応する第１パターンの大きさの変更が可能である請求項１２〜１５のいずれかに記載の配線形成装置。 The wiring forming apparatus according to claim 12, wherein the size of the corresponding first pattern can be changed according to the size of the second pattern to be formed.

前記第１パターンは、絶縁性の絶縁パターンであり、前記第２パターンは導電性の導電パターンであることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載の配線形成装置。 The wiring forming apparatus according to claim 12, wherein the first pattern is an insulating insulating pattern, and the second pattern is a conductive conductive pattern.

前記第１パターンおよび前記第２パターンは、性質の異なる絶縁性の絶縁パターンであることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載の配線形成装置。 The wiring forming apparatus according to claim 12, wherein the first pattern and the second pattern are insulating insulating patterns having different properties.

前記第１のパターンは絶縁性の絶縁パターンであり、前記第２パターンは半導体の半導体パターンであることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載の配線形成方法。 The wiring forming method according to claim 12, wherein the first pattern is an insulating insulating pattern, and the second pattern is a semiconductor pattern of a semiconductor.