JP2005208604A - 発光装置およびそれを用いた電子機器 - Google Patents
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Images
Landscapes
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Abstract
画素を構成する。
【解決手段】一端がソース信号線に接続され、他端が電流電圧変換素子に接続された第一のスイッチと、一端が電流電圧変換素子に接続され、他端が電圧保持手段と電圧電流変換素子に接続された第二のスイッチと、電流電圧変換素子および電圧電流変換素子に接続された画素電極と、一端が画素電極に接続され、他端が電源線に接続された第三のスイッチを有する。
【選択図】図1
Description
また、実施例2で示したスイッチ接続法、実施例3で示した2つのゲート信号線でスイッチを制御する方法と組みあわせることも可能である。
このようにして、パルスを順次シフトしていくことができる。このようなものには特開2001−306015号公報に記載されている技術を使用することができる。
まず、TFT基板902上の配線付近に導電粒子908を含んだ異方性導電ペーストを塗布する。次にバンプ907を形成したIC901を接続すべき位置に設置する。そしてTFT基板902とIC901の間で、加圧、加熱をおこなう。IC901の電極906上にはバンプ907が形成され、非電極部分とは高さに差があるため、バンプ907の無いところにある導電粒子は加圧されない。したがって、バンプ907以外のところにある導電粒子908は導電性を示さず絶縁性が確保される。
TFT基板1002、対向基板1001で構成された本発明の発光装置にスティック状IC1003を実装している。実装方法は実施例6の方法が使用できる。スティック状IC1003はソース信号線駆動回路、ゲート信号線駆動回路、またはコントローラなどでも良い。
102 ゲート信号線
103 第1のスイッチ
104 第2のスイッチ
105 電流電圧変換素子
106 電圧電流変換素子
107 電圧保持手段
108 画素電極
109 発光素子
110 第3のスイッチ
111 電源線
201 ソース信号線
202 ゲート信号線
203 第1のスイッチ用TFT
204 第2のスイッチ用TFT
205 TFT
206 TFT
207 電圧保持容量
208 画素電極
209 発光素子
210 電源線
211 第3のスイッチ用TFT
212 電源線
301 ソース信号線
302 ゲート信号線
303 第1のスイッチ用TFT
304 第3のスイッチ用TFT
305 TFT
306 TFT
307 電圧保持容量
308 画素電極
309 発光素子
312 電源線
401 ソース信号線
402 ゲート信号線
403 第1のスイッチ用TFT
404 第2のスイッチ用TFT
405 TFT
406 TFT
407 電圧保持容量
408 画素電極
409 発光素子
411 ゲート信号線
412 第3のTFT
413 電源線
501 ソース信号線
502 ゲート信号線
503 第1のスイッチ用TFT
504 第2のスイッチ用TFT
505 TFT
506 TFT
507 電圧保持容量
508 画素電極
509 発光素子
510 電源線
511 抵抗
512 抵抗
513 第3のTFT
514 電源線
601 ソース信号線
602 ゲート信号線
603 スイッチ用TFT
604 スイッチ用TFT
605 電流電圧変換用TFT
606 電圧電流変換用TFT
607 保持容量
608 画素電極
609 発光素子
610 電源供給線
701〜711 TFT
713 高電位電源
714 容量
801 入力端子
802 出力端子
803 電源電位
806〜808 TFT
809 容量
810〜814 TFT
815 容量
816〜820 TFT
821 容量
822〜825 TFT
826 1段目バッファ回路
827 2段目バッファ回路
828 3段目バッファ回路
901 IC
902 TFT基板
903 対向基板
904 回路配線
905 引き出し配線
906 IC電極
907 バンプ
908 導電粒子
909 FPC
907 バンプ
1002 TFT基板
1001 対向基板
1003 スティック状IC
1004 TFT基板
1005 対向基板
1006 バスライン
1007 画素
1101 画素部
1102 画素
1103 保護素子
1104 保護素子
1201 スイッチング用TFT
1202 発光素子駆動用TFT
1203 コンデンサ
1204 発光素子
1401 素子
1402 素子
1501 TFT基板
1502 電極
1504 電極
1505 上方領域
1506 画素TFT
1507 絶縁膜
1510 有機材料
1600 基板
1601 下地膜
1602 導電層
1603 導電層
1604 絶縁層
1605 絶縁層
1606 導電層
1607 非晶質半導体層
1608 N型半導体層
1609 チャネル保護膜
1610 チャネル保護膜
1611〜1614 マスク
1618 貫通孔
1715〜1717 導電層
1718 貫通孔
1720 絶縁層
1721 電界発光層
1722 導電層
1800 基板
1803 液滴吐出手段
1804 撮像手段
1805 ヘッド
1807 制御手段
1808 記憶媒体
1809 画像処理手段
1810 コンピュータ
1811 マーカー
3001 筐体
3002 支持台
3003 表示部
3004 スピーカー部
3005 ビデオ入力端子
3101 本体
3102 筐体
3103 表示部
3104 キーボード
3105 外部接続ポート
3106 ポインティングマウス
3201 本体
3202 筐体
3203 表示部(a)
3204 表示部(b)
3205 記録媒体読込部
3206 操作スイッチ
Claims (24)
- 複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が電流電圧変換素子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記電流電圧変換素子に接続され、他端が保持手段と電圧電流変換素子に接続された第二のスイッチと、
前記電流電圧変換素子および前記電圧電流変換素子に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、他端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有することを特徴とする発光装置。 - 複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が第一の薄膜トランジスタのドレイン端子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記第一の薄膜トランジスタのドレイン端子に接続され、他端が前記第一の薄膜トランジスタのゲート端子と保持手段と第二の薄膜トランジスタのゲート端子に接続された第二のスイッチと、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子および第二の薄膜トランジスタのソース端子に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、他端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有することを特徴とする発光装置。 - 複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が第一の薄膜トランジスタのドレイン端子とゲート端子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記第一の薄膜トランジスタのドレイン端子とゲート端子に接続され、他端が前記保持手段と第二の薄膜トランジスタのゲート端子に接続された第二のスイッチと、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子、および前記第二の薄膜トランジスタのソース端子に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、多端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有することを特徴とする発光装置。 - 請求項2乃至請求項3に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子、および前記第二の薄膜トランジスタのソース端子は抵抗を介して画素電極に接続されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4に記載のいずれか一項において、
前記第一のスイッチ、前記第二のスイッチおよび前記第三のスイッチは同一のゲート信号線によって制御されることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4に記載のいずれか一項において、
前記第一のスイッチおよび前記第二のスイッチは異なるゲート信号線によって制御されることを特徴とする発光装置。 - 請求項2乃至請求項6に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタは異なるゲート幅を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項2乃至請求項7に記載のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタは同一の極性を持つことを特徴とする発光装置。 - 請求項2乃至請求項7に記載のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタはN型薄膜トランジスタであり、且つ、画素電極は発光素子の陽極であることを特徴とする発光装置。 - 請求項9において、
前記薄膜トランジスタはセミアモルファス薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。 - 請求項9において、
前記薄膜トランジスタはアモルファス薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。 - 請求項9において、
前記薄膜トランジスタはインクジェットプロセスを用いて形成された薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。 - 複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が電流電圧変換素子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記電流電圧変換素子に接続され、他端が保持手段と電圧電流変換素子に接続された第二のスイッチと、
前記電流電圧変換素子および前記電圧電流変換素子に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、他端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有する画素部を表示媒体として組み込んだことを特徴とする電子機器。 - 複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が第一の薄膜トランジスタのドレイン端子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記第一の薄膜トランジスタのドレイン端子に接続され、他端が前記第一の薄膜トランジスタのゲート端子と保持手段と第二の薄膜トランジスタのゲートに接続された第二のスイッチと、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子および第二の薄膜トランジスタのソース端子に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、他端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有する画素部を表示媒体として組み込んだことを特徴とする電子機器。 - 複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が第一の薄膜トランジスタのドレイン端子とゲート端子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記第一の薄膜トランジスタのドレイン端子とゲート端子に接続され、他端が前記保持手段と第二の薄膜トランジスタのゲート端子に接続された第二のスイッチと、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子、および前記第二の薄膜トランジスタのソース端子に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、他端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有する
画素部を表示媒体として組み込んだことを特徴とする電子機器。 - 請求項14または請求項15において、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子、および前記第二の薄膜トランジスタのソース端子は抵抗を介して画素電極に接続されていることを特徴とする電子機器。 - 請求項13乃至請求項16に記載のいずれか一項において、
前記第一のスイッチ、前記第二のスイッチおよび前記第三のスイッチは同一のゲート信号線によって制御されることを特徴とする電子機器。 - 請求項13乃至請求項16に記載のいずれか一項において、
前記第一のスイッチおよび前記第二のスイッチは異なるゲート信号線によって制御されることを特徴とする電子機器。 - 請求項14乃至請求項16に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタは異なるゲート幅を有することを特徴とする電子機器。 - 請求項14乃至請求項19に記載のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタは同一の極性を持つことを特徴とする電子機器。 - 請求項14乃至請求項19に記載のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタはN型薄膜トランジスタであり、且つ、画素電極は発光素子の陽極であることを特徴とする電子機器。 - 請求項21において、
前記薄膜トランジスタはセミアモルファス薄膜トランジスタであることを特徴とする電子機器。 - 請求項21において、
前記薄膜トランジスタはアモルファス薄膜トランジスタであることを特徴とする電子機器。 - 請求項21において、
前記薄膜トランジスタはインクジェットプロセスを用いて形成された薄膜トランジスタであることを特徴とする電子機器。
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