JP2005202102A - 露光用マスク及びそのパターン補正方法並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の端部を有する第1のマスクパターン12と、第1の端部に対向する第2の端部を有する第2のマスクパターン14とを有し、第1のマスクパターン12は、補正前のマスクデータである主パターン12aの端部に、主パターン12aの端部よりも幅の狭い補助パターン12bを付加する補正が施されている
【選択図】 図1
Description
本発明の第1実施形態による露光用マスク及びそのパターン補正方法について図1乃至図3を用いて説明する。
本発明の第2実施形態による露光用マスク及びそのパターン補正方法について図4及び図5を用いて説明する。なお、図1乃至図3に示す第1実施形態による露光用マスク及びそのパターン補正方法と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第3実施形態による露光用マスク及びそのパターン補正方法について図6乃至図8を用いて説明する。なお、図1乃至図5に示す第1及び第2実施形態による露光用マスク及びそのパターン補正方法と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第4実施形態による露光用マスク及びそのパターン補正方法について図9及び図10を用いて説明する。なお、図1乃至図8に示す第1乃至第3実施形態による露光用マスク及びそのパターン補正方法と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記第1の端部に対向する第2の端部を有する第2のマスクパターンとを有し、
前記第1のマスクパターンは、補正前のマスクデータである主パターンの端部に、前記主パターンの前記端部よりも幅の狭い補助パターンを付加する補正が施されている
ことを特徴とする露光用マスク。
前記第2の端部の幅は、前記第1の端部の幅よりも広い
ことを特徴とする露光用マスク。
前記第1の端部に対する前記第2の端部の張り出し部分の長さは、前記第1の幅の1/3以下である
ことを特徴とする露光用マスク。
前記第2のマスクパターンは、補正前のマスクデータである主パターンの端部に、前記主パターンの前記端部よりも幅の狭い補助パターンを付加する補正が施されている
ことを特徴とする露光用マスク。
前記補助パターンは、矩形状のパターンを少なくとも1つ有する
ことを特徴とする露光用マスク。
前記補助パターンは、三角形形状のパターンを有する
ことを特徴とする露光用マスク。
前記第1のマスクパターンの端部に対向するように設けられた矩形状の第2のマスクパターンとを有し、
前記第2のマスクパターンは、対角線の方向が、前記第1のマスクパターンの前記端部に対して垂直となるように配置されている
ことを特徴とする露光用マスク。
前記第1の端部に対向する第2の端部を有する第2のマスクパターンとを有し、
前記第2の端部の幅は、前記第1の端部の幅よりも広く、前記第1の端部に対する前記第2の端部の張り出し部分の長さは、前記第1の幅の1/3以下である
ことを特徴とする露光用マスク。
前記第1のマスクパターンの補正前のマスクデータである主パターンの端部に、前記主パターンの前記端部よりも幅の狭い補助パターンを付加する補正を行う
ことを特徴とする露光用マスクのパターン補正方法。
前記第2のマスクパターンの対角線の方向が、前記第1のマスクパターンの前記端部に対して垂直となるように、前記第2のマスクパターンを配置する
ことを特徴とする露光用マスクのパターン補正方法。
前記第1の端部に対する前記第2の端部の張り出し部分の長さが、前記第1の幅の1/3以下となるように、前記第1のマスクパターンと前記第2のマスクパターンとを配置する
ことを特徴とする露光用マスクのパターン補正方法。
補正前のマスクデータである主パターンの端部に、前記主パターンの前記端部よりも幅の狭い補助パターンを付加する補正が施されたマスクパターンを有する露光用マスクを用いて露光する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
12,14,16,18,32,34,36,38…露光用マスクのマスクパターン
12a,16a,18a…主パターン
12b,12c,12d,12e,12f,16b,18b…補助パターン
20…基板
22,24,26,28,42,44,46…基板上に転写したパターン
Claims (5)
- 補正前のマスクデータである主パターンの端部に、前記主パターンの前記端部よりも幅の狭い補助パターンを付加する補正が施されたマスクパターンを有することを特徴とする露光用マスク。
- 第1の端部を有する第1のマスクパターンと、
前記第1の端部に対向する第2の端部を有する第2のマスクパターンとを有し、
前記第2の端部の幅は、前記第1の端部の幅よりも広く、前記第1の端部に対する前記第2の端部の張り出し部分の長さは、前記第1の幅の1/3以下である
ことを特徴とする露光用マスク。 - 補正前のマスクデータである主パターンの端部に、前記主パターンの前記端部よりも幅の狭い補助パターンを付加する補正を行うことを特徴とする露光用マスクのパターン補正方法。
- 第1の端部を有する第1のマスクパターンと、前記第1の端部に対向する第2の端部を有する第2のマスクパターンとを有し、前記第2の端部の幅が前記第1の端部の幅よりも広い露光用マスクのパターン補正方法であって、
前記第1の端部に対する前記第2の端部の張り出し部分の長さが、前記第1の幅の1/3以下となるように、前記第1のマスクパターンと前記第2のマスクパターンとを配置する
ことを特徴とする露光用マスクのパターン補正方法。 - 補正前のマスクデータである主パターンの端部に、前記主パターンの前記端部よりも幅の狭い補助パターンを付加する補正が施されたマスクパターンを有する露光用マスクを用いて露光する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004007743A JP2005202102A (ja) | 2004-01-15 | 2004-01-15 | 露光用マスク及びそのパターン補正方法並びに半導体装置の製造方法 |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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|
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