JP2005202094A - 表示装置の基板、薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示の基板を形成する際に用いる接着層、絶縁層に吸湿剤、吸酸素剤を混入させることで、水分や酸素に対する耐性の向上を図ることを可能とする。
【解決手段】支持基板11と薄膜層13とが接着層12によって接着された表示装置の基板10において、前記接着層12内に吸湿剤14を含む、もしくは接着層内に吸酸素剤を含む、もしくは接着層内に吸湿剤と吸酸素剤とを含むものであり、または、支持基板21と電極層23とが絶縁層22によって形成された表示装置の基板20において、前記絶縁層22内に吸湿剤24を含む、もしくは絶縁層内に吸酸素剤を含む、もしくは絶縁層内に吸湿剤と吸酸素剤とを含むものである。
【選択図】図1
【解決手段】支持基板11と薄膜層13とが接着層12によって接着された表示装置の基板10において、前記接着層12内に吸湿剤14を含む、もしくは接着層内に吸酸素剤を含む、もしくは接着層内に吸湿剤と吸酸素剤とを含むものであり、または、支持基板21と電極層23とが絶縁層22によって形成された表示装置の基板20において、前記絶縁層22内に吸湿剤24を含む、もしくは絶縁層内に吸酸素剤を含む、もしくは絶縁層内に吸湿剤と吸酸素剤とを含むものである。
【選択図】図1
Description
本発明は、液晶材料や有機エレクトロルミネッセンス(以下、エレクトロルミネッセンスをELと略記する。)素子への水分や酸素の浸入を抑制して寿命を延ばすことが容易な表示装置の基板、薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置に関するものである。
近年、薄膜デバイスは、使用機器の小型化の影響を受けて、薄型化、軽量化、堅牢化に対する要求を受けている。しかしながら、薄膜デバイスは、高温、真空という環境で作製されるために、製造に使われる基板に制限がある。例えば、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置では、1000℃の温度に耐える石英基板、500℃の温度に耐えるガラス基板が使われている。これらの基板の薄型化も検討されているが、石英基板、ガラス基板を用いる限り、基板の剛性が低下することを考慮して基板サイズを縮小せざるを得ず、それによって生産性が低下する。また、基板が薄くなれば堅牢さも急激に低下するため、実用上の問題点となる。このように、製造基板に要求されている性能と実際に使用する際に求められている性能とが異なる。また、薄型、軽量、堅牢化が可能なプラスチック基板上に直接、薄膜トランジスタを作製しようという試みもあるが、耐熱温度の点から困難さが高い。
そこで、耐熱温度の高い製造基板上に形成した薄膜デバイスを実使用基板に転写する技術が検討されている。転写する方法としては、剥離層を設けてデバイス作製後に剥離層から剥離する方法(例えば、特許文献1参照。)や、エッチングによりガラス基板を除去してしまう方法(例えば、特許文献2参照。)などが検討されている。これらの方法を使用することによって、プラスチック基板上に薄膜デバイスを形成することが可能となる。
解決しようとする問題点は、プラスチック基板を使用した液晶表示装置や有機EL液晶表示装置では、プラスチック基板が水や酸素を通すため、液晶材料や有機EL素子に水分や酸素が入り、液晶材料や有機EL素子が劣化するという問題がある点である。この問題を解決すべく、プラスチック基板上に、水蒸気バリア層や酸素バリア層を形成し、水や酸素の浸入を防ぐ技術がある。しかしながら、この技術では、バリア層は一般的に薄膜であるため、ピンホールやクラックなどが存在しており、水分や酸素の侵入を完全に防ぐことは難しい。例えば、現在の水蒸気バリア層は、40℃、90%RH時において、0.1g/(m2・day・atm)程度である。セル内の液晶は、ギャップ厚を3.5μmとすると、3.5×10-4g/cm2程度である。液晶内に水分が10%入った状態を不良状態とすると、40℃、90%RHにおいて、拡散は十分速く行われバリア性能が律速になると仮定すると、3.5×10-4×0.1/(0.1×10-4)=3.5日(84時間)程度の寿命となってしまい、液晶表示デバイスとしては不十分な寿命となる。
本発明の表示装置の基板は、支持基板と薄膜層とが接着層によって接着された表示装置の基板において、前記接着層内に吸湿剤を含むこと、もしくは吸酸素剤を含むこと、もしくは吸湿剤と吸酸素剤とを含むことを主要な特徴とする。
本発明の表示装置の基板は、支持基板と電極層とが絶縁層を介して形成された表示装置の基板において、前記絶縁層内に吸湿剤を含むこと、もしくは吸酸素剤を含むこと、もしくは吸湿剤と吸酸素剤とを含むことを主要な特徴とする。
本発明の薄膜デバイスの製造方法は、第1基板に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層に第1接着層を介して、もしくは被覆層と第1接着層とを介して第2基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第1基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、前記薄膜デバイス層の第1基板が形成されていた側または部分的に残した第1基板を、第2接着層を介して第3基板に接着する工程と、前記第2基板を分離または除去する工程と
を備えた薄膜デバイスの製造方法において、前記第2接着層に水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含まれているものを用いることを主要な特徴とする。
を備えた薄膜デバイスの製造方法において、前記第2接着層に水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含まれているものを用いることを主要な特徴とする。
本発明の薄膜デバイスは、本発明の薄膜デバイスの製造方法により製造される薄膜デバイスにおいて、前記第2接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含まれていることを主要な特徴とする。
本発明の液晶表示装置は、第1薄膜層に接着層により貼り付けられた第1基板と、前記第1基板に対向して設けられ第2薄膜層が絶縁層を介して形成された第2基板と、前記第1薄膜層側と前記第2薄膜層側とを対向させた前記第1基板と前記第2基板との間に封止された液晶層とを有する液晶表示装置において、前記接着層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含むこと、もしくは前記絶縁層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含むこと、もしくは前記接着層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含み、前記絶縁層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含むことを主要な特徴とする。
本発明の液晶表示装置は、第1基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第1接着層を介してもしくは被覆層と第1接着層とを介して第2基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第1基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、前記薄膜デバイス層の第1基板が形成されていた側または部分的に残した第1基板を、第2接着層を介して第3基板に接着する工程と、前記第2基板を分離または除去する工程とにより製造される薄膜デバイスを用いた液晶表示装置において、前記第2接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方を含むことを主要な特徴とする。
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、発光層を含む薄膜層と支持基板とが接着層によって貼り付けられているエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含むことを主要な特徴とする。
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、第1基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第1接着層を介してもしくは被覆層と第1接着層とを介して第2基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第1基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、前記薄膜デバイス層の第1基板が形成されていた側または部分的に残した第1基板を、第2接着層を介して第3基板に接着する工程と、前記第2基板を分離または除去する工程とにより製造される薄膜デバイスを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第2接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含むことを主要な特徴とする。
本発明の表示装置の基板は、接着層内に吸湿剤を含むこと、もしくは吸酸素剤を含むこと、もしくは吸湿剤と吸酸素剤とを含むため、支持基板側から薄膜層方向へ侵入しようとする水分を吸湿剤により吸収することができ、支持基板側から薄膜層方向へ侵入しようとする酸素を吸酸素剤により吸収することができるので、本発明の表示装置の基板を液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置に用いた場合、液晶やエレクトロルミネッセンス発光層の劣化を抑制し寿命を延ばすことができるという利点がある。
本発明の表示装置の基板は、絶縁層内に吸湿剤を含むこと、もしくは吸酸素剤を含むこと、もしくは吸湿剤と吸酸素剤とを含むため、支持基板側から電極層方向へ侵入しようとする水分を吸湿剤により吸収することができ、支持基板側から電極層方向へ侵入しようとする酸素を吸酸素剤により吸収することができるので、本発明の表示装置の基板を液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置に用いた場合、液晶やエレクトロルミネッセンス発光層の劣化を抑制し寿命を延ばすことができるという利点がある。
本発明の薄膜デバイスの製造方法は、第2接着層に水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含むものを用いるため、第3基板側から薄膜デバイス層方向に侵入しようとする水分を吸湿剤により吸収することができ、第3基板側から薄膜デバイス層方向に侵入しようとする酸素を吸酸素剤により吸収することができるので、本発明の薄膜デバイスの製造方法により製造される液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置において、液晶やエレクトロルミネッセンス発光層の劣化を抑制し寿命を延ばすことができるという利点がある。
本発明の薄膜デバイスは、第2接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方を含むため、第3基板側から薄膜デバイス層方向に侵入しようとする水分を吸湿剤により吸収することができ、第3基板側から薄膜デバイス層方向に侵入しようとする酸素を吸酸素剤により吸収することができるので、本発明の薄膜デバイスを用いた液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置において、液晶やエレクトロルミネッセンス発光層の劣化を抑制し寿命を延ばすことができるという利点がある。
本発明の液晶表示装置は、接着層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含む、もしくは絶縁層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含む、もしくは接着層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含み、絶縁層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含むため、基板側から薄膜層方向に侵入しようとする水分を吸湿剤により吸収することができ、基板側から薄膜層方向に侵入しようとする酸素を吸酸素剤により吸収することができるので、液晶の劣化を抑制し寿命を延ばすことができるという利点がある。
本発明の液晶表示装置は、薄膜デバイス層側に第2接着層を介して第3基板に接着する際に、第2接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方を含むため、第3基板側から薄膜デバイス層方向に侵入しようとする水分を吸湿剤により吸収することができ、第3基板側から薄膜デバイス層方向に侵入しようとする酸素を吸酸素剤により吸収することができるので、液晶の劣化を抑制し寿命を延ばすことができるという利点がある。
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、接着層が水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方を含むため、支持基板側から発光層を含む薄膜層方向へ侵入しようとする水分を吸湿剤により吸収することができ、支持基板側から発光層を含む薄膜層方向へ侵入しようとする酸素を吸酸素剤により吸収することができるので、発光層の劣化を抑制し寿命を延ばすことができるという利点がある。
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、薄膜デバイス層側に第2接着層を介して第3基板に接着する際に、第2接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方を含むため、第3基板側から薄膜デバイス層方向に侵入しようとする水分を吸湿剤により吸収することができ、第3基板側から薄膜デバイス層方向に侵入しようとする酸素を吸酸素剤により吸収することができるので、発光層の劣化を抑制し寿命を延ばすことができるという利点がある。
表示装置の基板、薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置の水や酸素に対する耐性を向上させるという目的を、接着層や絶縁層に吸湿剤、脱酸素剤を混入させることで、特別な層を設けることなく実現した。
すなわち、図1(1)に示すように、第1の表示装置の基板10は、支持基板11と薄膜層13とが接着層12によって接着されたもので、上記接着層12内に吸湿剤14を含むこと、もしくは図示はしないが吸酸素剤を含むこと、もしくは図示はしないが吸湿剤と吸酸素剤とを含むものである。上記接着層12には例えば紫外線硬化型接着剤を用いる。
また、図1(2)に示すように、第2の表示装置の基板20は、支持基板21と電極層23とが絶縁層22を介して形成されたもので、上記絶縁層22内に吸湿剤24を含むこと、もしくは図示はしないが吸酸素剤を含むこと、もしくは図示はしないが吸湿剤と吸酸素剤とを含むものである。上記絶縁層22には例えば塗布型の絶縁膜を用いる。
上記第1の表示装置の基板10は、液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置の素子基板として用いることができ、上記第2に表示装置の基板20は、液晶表示装置の対向基板として用いることができる。例えば、第1の表示装置の基板10と第2の表示装置の基板20とを用い、薄膜層側と電極層側とが対向するように、空間を設けて第1の表示装置の基板10と第2に表示装置の基板20とを貼り合わせ、その空間に液晶を封入することにより液晶表示装置を形成することができる。また、上記第1の表示装置の基板はエレクトロルミネッセンス表示装置に用いることができる。それらの詳細は後述する。
薄膜デバイスの製造方法は、第1基板に薄膜デバイス層を形成した後にその薄膜デバイス層に第1接着層を介して、もしくは被覆層と第1接着層とを介して第2基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により上記第1基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、上記薄膜デバイス層の第1基板が形成されていた側または部分的に残した第1基板を、第2接着層を介して第3基板に接着する工程と、上記第2基板を分離または除去する工程とを備え、第2接着層に水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含まれているものを用いるという製造方法である。上記第2接着層には例えば紫外線硬化型接着剤を用いる。
薄膜デバイスは、上記薄膜デバイスの製造方法により製造されるものである。
液晶表示装置は、第1薄膜層に接着層により貼り付けられた第1基板と、この第1基板に対向して設けられ第2薄膜層が絶縁層を介して形成された第2基板と、上記第1薄膜層側と上記第2薄膜層側とを対向させた上記第1基板と上記第2基板との間に封止された液晶層とを有するもので、上記接着層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含むものである。上記接着層には例えば紫外線硬化型接着剤を用い、上記絶縁層には例えば塗布型の絶縁膜を用いる。
液晶表示装置は、上記薄膜デバイスの製造方法により製造される薄膜デバイスを用いたものであって、第2接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方を含むものである。上記第2接着層には例えば紫外線硬化型接着剤を用いる。
エレクトロルミネッセンス表示装置は、発光層を含む薄膜層と支持基板とが接着層によって貼り付けられているもので、上記接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含むものである。上記接着層には例えば紫外線硬化型接着剤を用いる。
エレクトロルミネッセンス表示装置は、上記薄膜デバイスの製造方法により製造される薄膜デバイスを用いたものであって、第2接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方を含むものである。上記第2接着層には例えば紫外線硬化型接着剤を用いる。
上記表示装置の基板、薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置等に用いる吸湿剤および吸酸素剤は以下のものがある。吸湿剤には、酸化カルシウム、シリカゲル、塩化カルシウム、塩化マグネシウム等を用いることが好適である。また、上記吸酸素剤には、鉄、酸素欠陥を含む酸化チタンを主剤とする吸酸素剤、アスコルビン酸を主剤とする吸酸素剤、グリセリンを主剤とする吸酸素剤、1,2−グリコールを主剤とする吸酸素剤、糖アルコールを主剤とする吸酸素剤を用いることが好適である。上記吸湿剤、吸酸素剤は、粒径が10μm以下、例えば1μm〜10μmのものを用い、それにともなって上記接着層の厚みもしくは絶縁層の厚みは、上記吸湿剤、吸酸素剤の粒径より厚く、10μm〜15μmとした。
本発明の薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第1実施例を、図2〜図8の製造工程断面図によって説明する。本実施例では、プラスチック基板に透過型液晶用のアクティブ基板を作製した。
まず、薄膜デバイス層の形成方法を図2によって説明する。図2に示すように、第1基板101上に、後に行うフッ酸によるエッチング時における第1基板101の保護層102を形成する。上記第1基板101には、例えば厚さ0.4mm〜1.1mm程度、例えば0.7mm厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。上記保護層102は、フッ酸に耐えられる材料を用いて形成するもので、例えばモリブデン(Mo)層を用い、例えば500nmの厚さに形成した。今回、モリブデン層の膜厚を500nmとしたが、フッ酸に耐えられるならば、厚さを適宜変更しても問題ない。このモリブデンの保護層102は、例えばスパッタリング法によって成膜することができる。その後、絶縁層103を形成する。この絶縁層103は、例えば酸化珪素(SiO2)膜を500nmの厚さに成膜して形成する。この絶縁層103は、例えばプラズマCVD法によって成膜することができる。
次に、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「2003 FPDテクノロジー大全」(電子ジャーナル2003年3月25日発行、p.166−183およびp.198−201)、「'99最新液晶プロセス技術」(プレスジャーナル1998年発行、p.53−59)、「フラットパネル・ディスプレイ1999」(日経BP社、1998年発行、p.132−139)等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ(以下薄膜トランジスタをTFTと記す)プロセスでTFTを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。
まず、第1基板101上に保護層102を介して形成された絶縁層103上にゲート電極104を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが100nmのモリブデン(Mo)膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜をゲート電極104に形成した。このゲート電極104は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極104上を被覆するようにゲート絶縁膜105を形成した。ゲート絶縁膜105は、例えばプラズマCVD法によって、酸化珪素(SiO2)層、または酸化珪素(SiO2)層と窒化珪素(SiNx)層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ30nm〜100nm)を形成した。
この非晶質シリコン層に波長308nmのXeClエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層(ポリシリコン層)を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層106を形成し、その両側にn-型ドープ領域からなるポリシリコン層107、n+型ドープ領域からなるポリシリコン層108を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのLDD(Lightly Doped Drain)構造とした。またポリシリコン層106上にはn-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層109を形成した。このストッパー層109は、例えば酸化珪素(SiO2)層で形成した。
さらに、プラズマCVD法によって、酸化珪素(SiO2)層、または酸化珪素(SiO2)層と窒化珪素(SiNx)層との積層体からなるパッシベーション膜110を形成した。このパッシベーション膜110上に、各ポリシリコン層108に接続するソース電極111およびドレイン電極112を形成した。各ソース電極111およびドレイン電極112は例えばアルミニウム、アルミニウム合金、高融点金属等の導電性材料で形成した。
各ソース電極111およびドレイン電極112形成した後、カラーフィルター113を形成した。カラーフィルター113は、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。カラーフィルター113には、ソース電極111と後に形成する液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール113Cを形成した。このカラーフィルターの形成工程を3回行って、RGBの3色(赤、緑、青)を形成した。次に、平坦化を行うために保護膜114を形成した。保護膜114は例えばポリメチルメタクリル酸樹脂系の樹脂により形成した。また保護膜114には、ソース電極111と液晶駆動用電極とが接続されるようにコンタクトホール114Cを形成した。その後、ソース電極111に接続する画素電極115を形成した。この画素電極115は、例えば、透明電極で形成される。透明電極としては、例えばインジウムスズオキサイド(ITO)により形成され、その形成方法としてはスパッタリング法が用いられる。
以上の工程により、第1基板101上に透過型のアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンTFTを作製したが、トップゲート型ポリシリコンTFTやアモルファスTFTでも同じように実施できる。
次に、第1基板101上の薄膜デバイス層121をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。
図3(1)に示すように、第1基板101上に保護層102、絶縁層103、薄膜デバイス層121を形成したものをホットプレート122で80℃〜140℃に加熱しながら、第1接着剤123を厚さ1mm程度に塗布し、第2基板124を上に載せ、加圧しながら、室温まで冷却した。第2基板124には、例えば厚さ1mmのモリブデン基板を用いた。または、第2基板124にガラス基板を用いてもよい。または、第2基板124上に第1接着剤123を塗布して、その上に保護層102から薄膜デバイス層121が形成された第1基板101の薄膜デバイス層121側を載せてもよい。上記第1接着剤123には、例えばホットメルト接着剤を用いた。
次に、図3(2)に示すように、第2基板124を貼り付けた第1基板101をフッ酸(HF)125に浸漬して、第1基板101のエッチングを行った。このエッチングは、保護層102である酸化アルミニウム層がフッ酸125にエッチングされないため、このエッチングは保護層102で自動的に停止する。ここで用いたフッ酸125は、一例として、重量濃度が50%のもので、このエッチング時間は3.5時間とした。フッ酸125の濃度とエッチング時間は、第1基板101のガラスを完全にエッチングすることができるならば、変更しても問題はない。
上記フッ化水素酸125によるエッチングの結果、図4(3)に示すように、第1基板101〔前記図3(2)参照〕が完全にエッチングされ、保護層102が露出される。
次に、混酸〔例えば、リン酸(H3PO4)72wt%と硝酸(HNO3)3wt%と酢酸(CH3COOH)10wt%〕により、保護層102〔前記図4(3)参照〕であるモリブデン層(厚さ:500nm)をエッチングした。これは、透過型の液晶パネルを作製するために、不透明なモリブデン層があると問題となるためである。上記混酸で500nmの厚さのモリブデン層をエッチングするのに必要な時間は約1分である。このエッチングの結果、図4(4)に示すように、この混酸は第1絶縁層103である酸化珪素をエッチングしないため、第1絶縁層103で自動的にエッチングが停止する。
次に、図4(5)に示すように、上記エッチング後に、薄膜デバイス層121の裏面側、すなわち絶縁層103表面に、第2接着層126を形成した。第2接着層126には例えば吸湿剤127を混入した紫外線硬化型接着剤を用いた。上記吸湿剤127には、酸化カルシウム(CaO)を用いた。粒径1〜10μm程度の大きさの酸化カルシウム粒子を接着剤に対して30wt%ほど混入した。接着剤の厚さは10〜15μmである。よって、今回は、吸湿剤127を15×10-4×0.3=4.5×10-4g/cm2混入した。酸化カルシウムは、CaO+H2O→Ca(OH)2という反応によって水を化学的に吸着することができる。吸湿剤127が存在することによって、プラスチック基板を透過してきた水分をここで吸着することができ、薄膜デバイス層121に水が浸透しないため、液晶表示装置の寿命を延ばすことができる。今回は、吸湿剤127として酸化カルシウムを用いたが、シリカゲル(SiOx)、塩化カルシウム(CaCl2)、塩化マグネシウム(MgCl2)などを用いてもよい。塗布方法は、今回はスプレーコーティングを用いたが、その他の方法、例えば、ディップコーティングやスピンコーティングを用いてもよい。また、先に紫外線硬化接着剤を塗布した後、酸化カルシウムを散布してもよい。
続けて、図5(6)に示すように、上記第2接着層126に第3基板128を貼り付けた。第3基板128には、例えば0.2mm厚のポリカーボネートフィルムを用いた。このポリカーボネートフィルムには、水蒸気透過率が0.1g/m2・day・atm(40℃、90%RH時)のバリア層を形成してある。その後、紫外線を照射して第2接着層126を硬化させた。
次に、上記基板をアルコール(図示せず)中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第1接着層123〔前記図3(1)参照〕を溶かして第2基板124〔前記図3(1)参照〕を外した。次いで、80℃、1時間の加熱処理を行った。この熱処理によって、上記第2接着層126中に存在させた酸化カルシウム粒子のために硬化していない部分の紫外線硬化接着剤を硬化させた。その結果、図5(7)に示すように、第3基板128上に第2接着層126、絶縁層103を介して薄膜デバイス層121が載った薄膜デバイス(アクティブ基板)100を得た。
上記説明では、第2接着層126に吸湿剤127を混入させたが、例えば吸酸素剤を混入させた第2接着層を用いてもよい。より好ましくは、第2接着層126には、吸湿剤と吸酸素剤とを混入させたものを用いる。上記吸酸素剤には、鉄、酸素欠陥を含む酸化チタンを主剤とする吸酸素剤、アスコルビン酸を主剤とする吸酸素剤、グリセリンを主剤とする吸酸素剤、1,2−グリコールを主剤とする吸酸素剤、糖アルコールを主剤とする吸酸素剤を用いることが好適である。上記吸湿剤、吸酸素剤は、粒径が10μm以下、例えば1μm〜10μmのものを用い、それにともなって上記第2接着層126の厚みは、上記吸湿剤、吸酸素剤の粒径より厚く、10μm〜15μmとすることが好ましい。
次に、対向基板の製造例を、図6の概略構成断面図によって説明する。
図6に示すように、対向基板130として、0.2mm厚のポリカーボネートフィルムからなる支持基板131上に絶縁層(例えばハードコート層)132を形成する。この絶縁層132には吸湿剤133が混入されている。吸湿剤133は、アクティブ基板と同様に酸化カルシウム(CaO)を用いた。粒径1〜10μm程度の大きさの酸化カルシウム粒子を接着剤に対して30wt%ほど混入した。絶縁層132は吸湿剤133の径より厚く10〜15μmである。絶縁層132は、紫外線硬化と熱硬化の両方により硬化させた。また、ポリカーボネートフィルムには、水蒸気透過率が0.1g/m2・day・atm(40℃、90%RH時)のバリア層(図示せず)を形成してある。さらに上記絶縁層132側の全面に透明電極134を形成したものである。この透明電極134には、例えばITO(インジウムスズオキサイド)を用いた。このITO膜は、例えばスパッタ法により成膜した。
次に、図示はしないが、上記対向基板130とアクティブ基板100とに配向膜(例えばポリイミド膜)を塗布し、ラビング処理を行う配向処理を行った。
次に、図7に示すように、アクティブ基板100にはシール剤(図示せず)を塗布し、対向基板130には多数のスペーサー135を散布した。
そして、アクティブ基板100と対向基板130とを張り合わせた後、例えば1kg/cm2で加圧しながら紫外線を照射してシール剤を硬化させた。次に、レーザー加工によりパネルの大きさに切断した後、注入口から液晶を注入して、注入口をモールド樹脂で覆い、モールド樹脂を硬化させ、液晶表示装置を作製した。
上記液晶表示装置では、前記図6によって説明した対向基板130を用いたが、図8に示すように、前記図7に示した液晶表示装置において、対向基板130の絶縁層132に吸湿剤を含まないものを用いることもできる。なお、対向基板130の絶縁層132には吸湿剤133が含まれていたほうが、より好ましい。
上記第1実施例では、液晶層の近くに吸湿剤127、133を含む第2接着層126、絶縁層132があるため、水に対する耐性が強くなっており、液晶表示装置の寿命が向上する。本実施例では吸湿剤は、4.5×10-4g/cm2程度の吸湿剤を使用したが、今回使用した酸化カルシウムは、自分の30%程度の水を吸収することができる。よって、4.5×10-4×0.3=1.4×10-4g/cm2程度の水を吸水することができる。プラスチック基板の水蒸気透過率を0.1g/m2・day・atmとすると、40℃、90%RHにおいて、拡散は十分速く行われバリア性能が律速になると仮定すると、1.4×10-4/(0.1×10-4)=14日間(336時間)程度の寿命となり、何もしない場合の84時間に比べ(336+84)/84=5倍の寿命を得ることができる。
本発明の薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第2実施例を、図9〜図11の製造工程断面図によって説明する。第2実施例では、プラスチック基板上に反射型液晶用のアクティブ基板を作製した。
まず、薄膜デバイス層の形成方法を図9によって説明する。図9に示すように、第1基板201上にアモルファスシリコン層202を形成する。上記第1基板101には、例えば厚さ0.4mm〜1.1mm程度、例えば0.7mm厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。また上記アモルファスシリコン層202の膜厚は、例えば50nmとした。この膜厚は10nm〜1μmであるならば問題はない。アモルファスシリコン層202の成膜方法は、プラズマCVD法を用いた。プラズマCVD法では、アモルファスシリコン層202中に、水素を多く含むように、また製造途中で薄膜デバイス層が剥がれない限りの低温が望ましい。今回は150℃にて成膜を行った。また、低圧CVD法、大気圧プラズマCVD法、ECR法、スパッタ法によりアモルファスシリコン層202を成膜しても問題はない。
次いで、上記アモルファスシリコン層202上に保護絶縁層203を成膜する。この保護絶縁層203は、例えば100nmの厚さに形成した。この保護絶縁層203は、例えばプラズマCVD法によって成膜することができる。
その後、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「2003 FPDテクノロジー大全」(電子ジャーナル2003年3月25日発行、p.166−183およびp.198−201)、「'99最新液晶プロセス技術」(プレスジャーナル1998年発行、p.53−59)、「フラットパネル・ディスプレイ1999」(日経BP社、1998年発行、p.132−139)等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ(以下薄膜トランジスタをTFTと記す)プロセスでTFTを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。
まず、第1基板201上にアモルファスシリコン層202を介して形成された保護絶縁層203上にゲート電極204を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが100nmのモリブデン(Mo)膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜をゲート電極204に形成した。このゲート電極204は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極204上を被覆するようにゲート絶縁膜205を形成した。ゲート絶縁膜205は、例えばプラズマCVD法によって、酸化珪素(SiO2)層、または酸化珪素(SiO2)層と窒化珪素(SiNx)層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ30nm〜100nm)を形成した。
この非晶質シリコン層に波長308nmのXeClエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層(ポリシリコン層)を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層206を形成し、その両側にn-型ドープ領域からなるポリシリコン層207、n+型ドープ領域からなるポリシリコン層208を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのLDD(Lightly Doped Drain)構造とした。またポリシリコン層206上にはn-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層209を形成した。このストッパー層209は、例えば酸化珪素(SiO2)層で形成した。
さらに、プラズマCVD法によって、酸化珪素(SiO2)層、または酸化珪素(SiO2)層と窒化珪素(SiNx)層との積層体からなるパッシベーション膜210を形成した。このパッシベーション膜210上に、各ポリシリコン層208に接続するソース電極211およびドレイン電極212を形成した。各ソース電極211およびドレイン電極212は例えばアルミニウム、アルミニウム合金、高融点金属等の導電性材料で形成した。
ソース電極211およびドレイン電極212形成した後、素子を保護するためと平坦化を行うために保護層213を形成した。保護層213は、例えばポリメチルメタクリル樹脂系の材料で形成される。そして、保護層213は、次工程で保護層213上に形成される反射層表面に凹凸が形成されるように、上記保護層213表面が凹凸となるように形成される。次いで、通常のコンタクトホールの形成技術によって、保護膜213に、ソース電極211と後に形成される液晶駆動用電極とが接続されるようにコンタクトホール213Cを形成した。その後、上記保護層213表面およびコンタクトホール213C内面に、反射層214を形成した。この反射層214は、例えばスパッタリングによって銀(Ag)を堆積して形成した。
上記反射層214を形成後、カラーフィルター215を形成した。これは、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。次いで、カラーフィルター215に、ソース電極211と後に形成される液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール215Cを形成した。このカラーフィルターの形成工程を3回行って、RGBの3色(赤、緑、青)を形成した。
その後、上記カラーフィルター215表面およびコンタクトホール215C内面に画素電極216を形成した。この画素電極216は、例えばインジウムスズオキサイド(ITO)を、例えばスパッタリングによって堆積して形成した。したがって、画素電極216はソース電極211に接続して形成される。
以上の工程により、ガラス基板からなる第1基板201上にアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンTFTを作製したが、トップゲート型ポリシリコンTFTやアモルファスTFTでも同じように実施できる。
次に、第1基板201上の薄膜デバイス層をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。
図10(1)に示すように、第1基板201上にアモルファスシリコン層202、保護絶縁層203を介して形成されている薄膜デバイス層221に、第1接着剤222を介して第2基板223を貼り付ける。この第2基板223には、例えば厚さ1mmのモリブデン基板を用いた。または、第2基板223にガラス基板を用いてもよい。または、第2基板223上に第1接着剤222を形成して、その上にアモルファスシリコン層202から薄膜デバイス層221までが形成された第1基板201の薄膜デバイス層221側を載せてもよい。上記第1接着剤222には、例えばホットメルト接着剤を用いた。
次に、ガラス基板からなる第1基板201側からキセノン塩素(XeCl)エキシマレーザー光を照射した。ガラスは上記エキシマレーザー光を透過させるため、レーザー光は、アモルファスシリコン層202で吸収される。アモルファスシリコン層202に紫外線が吸収されると水素が発生し、アモルファスシリコン層202を境として薄膜デバイス層221と第1基板201との分離が起きる。この技術の詳細は、特開平10−125930号公報に開示されている。その結果、図10(2)に示すように、保護絶縁層203が露出された。
次に、図10(3)に示すように、保護絶縁層203に第2接着層224を形成した。この第2接着層224は、例えば吸湿剤225と吸酸素剤226を混入した紫外線硬化接着剤を塗布により形成される。塗布方法は、スプレーコーティング、ディップコーティングもしくはスピンコーティングを用いることができる。今回は、吸湿剤225として酸化カルシウム(CaO)、吸酸素剤226として鉄(Fe)を用いた。どちらも粒径1μm〜10μm程度であり、酸化カルシウム粒子は接着剤に対して30wt%程度、鉄粒子は10wt%程度混入した。吸湿剤225と吸酸素剤226とがあることによって、プラスチック基板を透過してきた水分や酸素をここで吸着することができ、薄膜デバイス層221に水が浸透しないため、液晶の寿命を延ばすことができる。今回は、吸湿剤225として酸化カルシウムを用いたが、シリカゲル(SiO)、塩化カルシウム(CaCl2)、塩化マグネシウム(MgCl2)などを用いることが好適である。また、吸酸素剤226としては、鉄の他に、酸素欠陥を含む酸化チタンを主剤とする吸酸素剤、アスコルビン酸を主剤とする吸酸素剤、グリセリンを主剤とする吸酸素剤、1,2−グリコールを主剤とする吸酸素剤、糖アルコールを主剤とする吸酸素剤を用いることが好適である。また、塗布方法は、今回はスプレーコーティングを用いたが、その他の方法、例えば、ディップコーティングやスピンコーティングを用いてもよい。また、先に第2接着層224を塗布した後、吸湿剤、吸酸素剤を散布してもよい。また、上記吸湿剤225、吸酸素剤226は、粒径が10μm以下、例えば1μm〜10μmのものを用い、それにともなって上記第2接着層224の厚みは、上記吸湿剤、吸酸素剤の粒径より厚く、10μm〜15μmとすることが好ましい。
続けて図11(4)に示すように、上記第2接着層224に第3基板227を貼り付けた。この第3基板227は、例えば厚さが0.2mmのポリカーボネートフィルムからなる。第3基板227を貼りつけた後、紫外線を照射して、上記第2接着層224を硬化させた。上記ポリカーボネートフィルムには、水蒸気透過率が0.1g/m2・day・atm(40℃、90%RH時)、酸素透過率が0.1cc/m2・day・atmのバリア層(図示せず)を形成してある。
次に、上記基板をアルコール(図示せず)中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第1接着層222〔前記図10(1)参照〕を溶かして第2基板223〔前記図10(1)参照〕を外した。次いで、80℃、1時間の加熱処理を行った。この熱処理によって、上記第2接着層224中に存在させた酸化カルシウム粒子のために硬化していない部分の紫外線硬化接着剤を硬化させた。その結果、図11(5)に示すように、薄膜デバイス層221が露出され、第3基板227上に第2接着層224、保護絶縁層203を介して薄膜デバイス層221が載った薄膜デバイス(アクティブ基板)200を得た。
100を得た。
100を得た。
次に、一般的に行われている液晶表示装置の組立工程を行えばよい。例えば、前記図6に示したように、対向基板130を形成する。その後、図示はしないが、上記対向基板130とアクティブ基板200とに配向膜(例えばポリイミド膜)を塗布し、ラビング処理を行う配向処理を行う。次に、アクティブ基板200にはシール剤(図示せず)を塗布し、対向基板130には多数のスペーサー(図示せず)を散布した。そして、アクティブ基板200と対向基板130とを張り合わせた後、例えば1kg/cm2で加圧しながら紫外線を照射してシール剤を硬化させた。次にレーザー加工によりパネルの大きさに切断した後、注入口から液晶を注入して、注入口をモールド樹脂で覆い、モールド樹脂を硬化させ、液晶表示パネルを作製した。
上記第2実施例では、液晶層の近くに吸湿剤を含む第2接着層224があるため、水に対する耐性が強くなっており、液晶表示装置の寿命が向上する。さらに本第2実施例では、前記第1実施例に比べて吸湿剤の他に吸酸素剤も混入してあるため、酸素に対する耐性も向上している。
本発明の薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスおよびエレクトロルミネッセンス表示装置に係る一実施例を、図12〜図15の製造工程断面図によって説明する。この実施例では、転写方式によりプラスチック基板にアクティブマトリックス基板を作製しアクティブマトリックス型有機エレクトロルミネッセンス(以下、エレクトロルミネッセンスをELと略記する)ディスプレイを作製した。
まず、薄膜デバイス層の形成方法を図12によって説明する。図12に示すように、製造基板となる第1基板301上に、後に行うフッ酸によるエッチング時における第1基板101の保護層102を形成する。上記第1基板101には、例えば厚さ0.4mm〜1.1mm程度、例えば0.7mm厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。上記保護層102は、フッ酸に耐えられる材料を用いて形成するもので、例えばモリブデン(Mo)層を用い、例えば500nmの厚さに形成した。今回、モリブデン層の膜厚を500nmとしたが、フッ酸に耐えられるならば、厚さを適宜変更しても問題ない。この保護層102は、例えばスパッタリング法によって成膜することができる。その後、絶縁層103を形成する。この絶縁層103は、例えば酸化珪素(SiO2)膜を500nmの厚さに成膜して形成する。この絶縁層103は、例えばプラズマCVD法によって成膜することができる。
すなわち、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「2003 FPDテクノロジー大全」(電子ジャーナル2003年3月25日発行、p.166−183およびp.198−201)、「'99最新液晶プロセス技術」(プレスジャーナル1998年発行、p.53−59)、「フラットパネル・ディスプレイ1999」(日経BP社、1998年発行、p.132−139)等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ(以下薄膜トランジスタをTFTと記す)プロセスでTFTを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。
まず、第1基板301上にゲート電極304を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが100nmのモリブデン(Mo)膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜を加工してゲート電極304を形成した。このゲート電極304は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極304上を被覆するようにゲート絶縁膜305を形成した。ゲート絶縁膜305は、例えばプラズマCVD法によって、酸化珪素(SiO2 )層、または酸化珪素(SiO2 )層と窒化珪素(SiNx )層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ30nm〜100nm)を形成した。
この非晶質シリコン層に波長308nmのXeClエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層306を形成し、その両側にn- 型ドープ領域からなるポリシリコン層307、n+ 型ドープ領域からなるポリシリコン層308を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのLDD(Lightly Doped Drain)構造とした。またポリシリコン層306上にはn-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層309を形成した。このストッパー層309は、例えば酸化シリコン(SiO2 )層で形成した。
さらに、プラズマCVD法によって、酸化珪素(SiO2 )層、または酸化珪素(SiO2 )層と窒化珪素(SiNx )層との積層体からなるパッシベーション膜310を形成した。このパッシベーション膜310上に、各ポリシリコン層308に接続するソース電極311およびドレイン電極312を形成した。各ソース電極311およびドレイン電極312は例えばアルミニウムで形成した。
このようにして、低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ(TFT)プロセスで薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。
次に、例えばスピンコート法によって、ソース電極311、ドレイン電極312等を覆うように、パッシベーション膜310上に保護絶縁層313を例えばメタクリル酸メチル樹脂系樹脂で形成した後、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により、ソース電極311と後に形成する有機EL素子のアノード電極とを接続できるように、その部分の保護絶縁層313を取り除いた。
次に、保護絶縁層313上に、有機EL素子を形成した。有機EL素子は、アノード電極314と有機層とカソード電極317とで構成されている。アノード電極314は、例えばスパッタリング法でクロム(Cr)を堆積して形成し、各TFTのソース電極311に接続され、個別に電流を流せるようになっている。
有機層は、有機正孔輸送層315と有機発光層316を積層させた構造とした。有機正孔輸送層315としては、例えば銅フタロシアニンを蒸着により30nmの厚さに形成した。有機発光層316は、緑色として、Alq3[tris(8-quinolinolato)aluminium(III)]を50nmの厚さに、青色として、バソクプロイン(Bathocuproine:2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10phenanthroline)を14nmの厚さに、赤色としてBSB−BCN[2,5-bis{4-(N-methoxyphenyl-N-phenylamino)styryl}benzene-1,4-dicarbonitrile]を30nmの厚さにそれぞれ蒸着した。
カソード電極317としては、酸化インジウム錫(In2 O3 +SnO2 :ITO)を使用した。
今回は、有機EL素子として、上記構造を用いたが、電極に、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層、電子阻止層、正孔阻止層、発光層を組み合わせた公知の構造を用いてもよい。
さらに、カソード電極317を覆う形で、パッシベーション膜318を形成した。今回、パッシベーション膜318は、スパッタリング法により窒化シリコン(SiNx)膜を例えば200nmの厚さに形成した。このパッシベーション膜318は、その他、CVD法、蒸着法などで形成してもよい。
以下、TFT層から有機EL層までを薄膜デバイス層と呼ぶこととする。次に、第1基板301上の薄膜デバイス層をプラスチック基板上に移載する工程を示す。
図13(1)に示すように第1基板301上に薄膜デバイス層321を形成したものをホットプレート322で80℃〜140℃に加熱しながら、第1接着層323を、例えばホットメルト接着剤を例えば1mm程度の厚さに塗布して形成した。次に、上記第1接着層323上に第2基板324を載せ、第2基板324を第1基板301方向に加圧しながら、室温まで冷却した。上記第2基板324には、例えば厚さが1mmのモリブデン(Mo)基板を用いた。または、第2基板324上にホットメルト接着剤を塗布して、その上に薄膜デバイス層321が形成された第1基板301の薄膜デバイス層321側を載せてもよい。
次に、図13(2)に示すように、第2基板324を貼り付けた第1基板301をフッ化水素酸325に浸漬して、第1基板301のエッチングを行った。このエッチングは、保護層302である酸化アルミニウム層がフッ化水素酸325にエッチングされないため、このエッチングは保護層302で自動的に停止する。ここで用いたフッ化水素酸325は、一例として、重量濃度が50%のもので、このエッチング時間は3.5時間とした。フッ化水素酸325の濃度とエッチング時間は、第1基板301のガラスを完全にエッチングすることができるならば、変更しても問題はない。
上記フッ化水素酸325によるエッチングの結果、図14(3)に示すように、第1基板301〔前記図13(2)参照〕が完全にエッチングされ、保護層302が露出される。
次に、混酸〔例えば、リン酸(H3PO4)72wt%と硝酸(HNO3)3wt%と酢酸(CH3COOH)10wt%〕により、保護層302〔前記図14(3)参照〕であるモリブデン層(厚さ:500nm)をエッチングした。上記混酸で500nmの厚さのモリブデン層をエッチングするのに必要な時間は約1分である。このエッチングの結果、図14(4)に示すように、この混酸は第1絶縁層303である酸化珪素をエッチングしないため、第1絶縁層303で自動的にエッチングが停止する。
次に、図14(5)に示すように、上記エッチング後に、薄膜デバイス層321の裏面側、すなわち絶縁層303表面に、第2接着層326を形成した。第2接着層326には例えば吸湿剤327を混入した紫外線硬化型接着剤を用いた。上記吸湿剤327には、シリカゲル(SiOx)を用いた。粒径1〜10μm程度の大きさのシリカゲル粒子を接着剤に対して30wt%ほど混入した。接着剤の厚さは10〜15μmである。吸湿剤327が存在することによって、プラスチック基板を透過してきた水分をここで吸着することができ、薄膜デバイス層321に水が浸透しないため、有機EL素子の寿命を延ばすことができる。今回は、吸湿剤としてシリカゲル(SiOx)を用いたが、酸化カルシウム、塩化カルシウム(CaCl2)などを用いてもよい。塗布方法は、今回はスプレーコーティングを用いたが、その他の方法、例えば、ディップコーティングやスピンコーティングを用いてもよい。また、先に紫外線硬化接着剤を塗布した後、酸化カルシウムを散布してもよい。
続けて、図15(6)に示すように、上記第2接着層326に第3基板328を貼り付けた。第3基板328には、例えば0.2mm厚のポリカーボネートフィルムを用いた。このポリカーボネートフィルムには、水蒸気透過率が0.1g/m2・day・atm(40℃、90%RH時)のバリア層(図示せず)を形成してある。その後、紫外線を照射して第2接着層326を硬化させた。
次に、上記基板をアルコール(図示せず)中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第1接着層323〔前記図13(1)参照〕を溶かして第2基板324〔前記図13(1)参照〕を外した。次いで、80℃、1時間の加熱処理を行った。この熱処理によって、上記第2接着層326中に存在させた酸化カルシウム粒子のために硬化していない部分の紫外線硬化接着剤を硬化させた。その結果、図15(7)に示すように、第3基板328上に第2接着層326、絶縁層303を介して薄膜デバイス層321が載った薄膜デバイス(アクティブ基板)300を得た。
この後は、図示はしないが、一般的に行われている有機エレクトロルミネッセンス表示装置の組立工程で行えばよい。
上記説明では、第2接着層326に吸湿剤327を混入させたが、例えば吸酸素剤を混入させた第2接着層を用いてもよい。より好ましくは、第2接着層326には、吸湿剤と吸酸素剤とを混入させたものを用いる。上記吸酸素剤には、鉄、酸素欠陥を含む酸化チタンを主剤とする吸酸素剤、アスコルビン酸を主剤とする吸酸素剤、グリセリンを主剤とする吸酸素剤、1,2−グリコールを主剤とする吸酸素剤、糖アルコールを主剤とする吸酸素剤を用いることが好適である。上記吸湿剤、吸酸素剤は、粒径が10μm以下、例えば1μm〜10μmのものを用い、それにともなって上記第2接着層326の厚みは、上記吸湿剤、吸酸素剤の粒径より厚く、10μm〜15μmとすることが好ましい。
上記第3実施例では、有機EL層の近くに吸湿剤327を含む第2接着層326があるため、水に対する耐性を向上させることができる。さらに、第2接着層326に吸酸素剤も混入することにより、酸素に対する耐性も向上させることができる。よって、有機EL素子の寿命を延ばすことができる。
本発明の表示装置の基板、薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置は、プラスチック基板を使用した液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の表示装置に適用するのに好適である。
11…支持基板、12…接着層、13…吸湿剤、14…薄膜層、21…支持基板、22…絶縁層、23…吸湿剤、24…電極層
Claims (14)
- 支持基板と薄膜層とが接着層によって接着された表示装置の基板において、
前記接着層内に吸湿剤を含む
ことを特徴とする表示装置の基板。 - 支持基板と薄膜層とが接着層によって接着された表示装置の基板において、
前記接着層内に吸酸素剤を含む
ことを特徴とする表示装置の基板。 - 支持基板と薄膜層とが接着層によって接着された表示装置の基板において、
前記接着層内に吸湿剤と吸酸素剤とを含む
ことを特徴とする表示装置の基板。 - 支持基板と電極層とが絶縁層を介して形成された表示装置の基板において、
前記絶縁層内に吸湿剤を含む
ことを特徴とする表示装置の基板。 - 支持基板と電極層とが絶縁層を介して形成された表示装置の基板において、
前記絶縁層内に吸酸素剤を含む
ことを特徴とする表示装置の基板。 - 支持基板と電極層とが絶縁層を介して形成された表示装置の基板において、
前記絶縁層内に吸湿剤と吸酸素剤とを含む
ことを特徴とする表示装置の基板。 - 第1基板に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層に第1接着層を介して、もしくは被覆層と第1接着層とを介して第2基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第1基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第1基板が形成されていた側または部分的に残した第1基板を、第2接着層を介して第3基板に接着する工程と、
前記第2基板を分離または除去する工程と
を備えた薄膜デバイスの製造方法において、
前記第2接着層に水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含まれているものを用いる
ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。 - 第1基板に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層に第1接着層を介して、もしくは被覆層と第1接着層とを介して第2基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第1基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第1基板が形成されていた側または部分的に残した第1基板を、第2接着層を介して第3基板に接着する工程と、
前記第2基板を分離または除去する工程と
により製造される薄膜デバイスにおいて、
前記第2接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含まれている
ことを特徴とする薄膜デバイス。 - 第1薄膜層に接着層により貼り付けられた第1基板と、
前記第1基板に対向して設けられ第2薄膜層が絶縁層を介して形成された第2基板と、
前記第1薄膜層側と前記第2薄膜層側とを対向させた前記第1基板と前記第2基板との間に封止された液晶層とを有する液晶表示装置において、
前記接着層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含む
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 第1薄膜層に接着層により貼り付けられた第1基板と、
前記第1基板に対向して設けられ第2薄膜層が絶縁層を介して形成された第2基板と、
前記第1薄膜層側と前記第2薄膜層側とを対向させた前記第1基板と前記第2基板との間に封止された液晶層とを有する液晶表示装置において、
前記絶縁層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含む
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 第1薄膜層に接着層により貼り付けられた第1基板と、
前記第1基板に対向して設けられ第2薄膜層が絶縁層を介して形成された第2基板と、
前記第1薄膜層側と前記第2薄膜層側とを対向させた前記第1基板と前記第2基板との間に封止された液晶層とを有する液晶表示装置において、
前記接着層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含み、
前記絶縁層内に吸湿剤および吸酸素剤のうち少なくとも一方を含む
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 第1基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第1接着層を介してもしくは被覆層と第1接着層とを介して第2基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第1基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第1基板が形成されていた側または部分的に残した第1基板を、第2接着層を介して第3基板に接着する工程と、
前記第2基板を分離または除去する工程と
により製造される薄膜デバイスを用いた液晶表示装置において、
前記第2接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方を含む
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 発光層を含む薄膜層と支持基板とが接着層によって貼り付けられているエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含む
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 第1基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第1接着層を介してもしくは被覆層と第1接着層とを介して第2基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第1基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第1基板が形成されていた側または部分的に残した第1基板を、第2接着層を介して第3基板に接着する工程と、
前記第2基板を分離または除去する工程と
により製造される薄膜デバイスを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第2接着層は水分を吸収する吸湿剤および酸素を吸着する吸酸素剤のうちの一方もしくは両方が含む
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
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