JP2005197578A - Processing device of electrodes formed in tabular object, processing method thereof, and flatness measuring method of chuck table thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To offer a processing device and the like of the electrode formed in a tabular object, capable of correctly and swiftly detecting the existence of a foreign substance remaining in the chuck table of the processing device which adjusts the height of two or more electrodes projected and formed on the surface of a tabular object. <P>SOLUTION: The processing device for adjusting the height of two or more electrodes 5a formed on the surface of a tabular object is provided with a chuck table 202 comprising a placing surface 202a for mounting a tabular object, a washing module 40 which washes the placing surface for mounting a tabular object, a specular surface wafer 560 laid on the chuck table, an interferometer 50 which measures the interference fringes of the specular surface wafer 560 laid in the chuck table, and a cutting module 30 for cutting two or more electrodes projected and formed on the surface of the tabular object held by the chuck table and for adjusting the height. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は，板状物に形成された電極の加工装置，板状物に形成された電極の加工方法，及び板状物に形成された電極の加工装置のチャックテーブルの平面度測定方法に関し，さらに詳細には，板状物に形成されたバンプの高さを揃えるために，バンプの表面を機械的に切削するための板状物に形成された電極の加工装置，板状物に形成された電極の加工方法，及び板状物に形成された電極の加工装置のチャックテーブルの平面度測定方法に関する。   The present invention relates to a processing apparatus for electrodes formed on a plate-shaped object, a processing method for electrodes formed on a plate-shaped object, and a method for measuring the flatness of a chuck table of an electrode processing apparatus formed on a plate-shaped object, In more detail, in order to align the height of the bump formed on the plate-like object, the electrode processing device formed on the plate-like object for mechanically cutting the surface of the bump, the plate-like object is formed. The present invention also relates to a method for processing an electrode and a method for measuring the flatness of a chuck table of an electrode processing apparatus formed on a plate-like object.

従来においては，半導体チップが複数個形成された半導体ウェハは，ダイシング装置等によって個々の半導体チップに分割され，この分割された半導体チップは携帯電話やパソコン等の電気機器に広く用いられている。   Conventionally, a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor chips are formed is divided into individual semiconductor chips by a dicing apparatus or the like, and the divided semiconductor chips are widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

さらに，近年においては，電気機器の軽量化，小型化を可能にするために，半導体チップの電極に５０〜１００μｍの突起状のバンプを形成し，かかるバンプを実装基板に形成された電極に直接接合するようにしたフリップチップと称する半導体チップが開発され，実用に供されている。かかるフリップチップは，バンプを介して基板同士を接合するため，突起状のバンプの高さを揃える必要がある。   Furthermore, in recent years, in order to make the electrical equipment lighter and smaller, bumps having a protrusion of 50 to 100 μm are formed on the electrodes of the semiconductor chip, and the bumps are directly applied to the electrodes formed on the mounting substrate. A semiconductor chip called a flip chip that has been joined has been developed and put into practical use. In such a flip chip, since the substrates are bonded to each other through the bumps, it is necessary to make the heights of the protruding bumps uniform.

現在おけるバンプ形成方法としては，例えば電解メッキ法，無電解メッキ法及びスタッドバンプ法などが存在する。このうち，電解メッキ法や無電解メッキ法で形成されたバンプには，その高さにバラツキが見られるため，一般的に切削によりバンプの高さを揃える工程が必要となる。   Current bump forming methods include, for example, an electrolytic plating method, an electroless plating method, and a stud bump method. Among these, bumps formed by the electrolytic plating method or the electroless plating method show variations in their heights, and therefore a process of aligning the bump heights by cutting is generally required.

例えば，特願２００３一１１０５３６において，本件出願人は，バンプの高さを揃えるための切削ユニットを有する加工装置を提案している。しかしながら，上記加工装置でバンプを切削した際に，部分的にバンプの高低差が発生する，という現象が見られた。本件発明者は，かかる原因について鋭意追究したところ，上記加工装置では，基板を保持するチャックテーブル上に，加工によって生じた切削屑，装置から発生した汚物，あるいは空気中に浮遊しているゴミなどの異物が付着したことが原因であることが認識された。したがって，上記加工装置においては，チャックテーブル上の異物を排除するために，チャックテーブル上を洗浄することが必要であることが分かった。ところが，バンプの高さは，例えば５０〜１００μｍ程度と非常に低いものであるため，バンプの高さを揃えるためには，非常に高い精度の平面度が必要とされ，チャックテーブル上に僅かな異物が残留しても基板上に局所的な凹凸が発生してしまうので，バンプの高さを好適に揃えることができない，という問題があつた。   For example, in Japanese Patent Application No. 2003-110536, the applicant of the present application has proposed a processing apparatus having a cutting unit for aligning bump heights. However, when bumps were cut with the above processing equipment, there was a phenomenon that bump height differences were partially generated. The present inventors diligently investigated the cause, and in the above processing apparatus, on the chuck table that holds the substrate, cutting waste generated by processing, filth generated from the apparatus, or dust floating in the air, etc. It was recognized that this was caused by the adhesion of foreign matter. Therefore, it has been found that in the above processing apparatus, it is necessary to clean the chuck table in order to remove foreign matter on the chuck table. However, the height of the bump is very low, for example, about 50 to 100 μm. Therefore, in order to make the bump height uniform, a very high degree of flatness is required, and a slight amount is required on the chuck table. Even if the foreign matter remains, local unevenness is generated on the substrate, so that there is a problem that the heights of the bumps cannot be suitably adjusted.

また，特許文献１には，チャックテーブル上の異物を確認する手段として，発光素子と受光素子からなるスポット（あるいは，ライン）を読み取るセンサを採用し，かかるセンサにより平面度測定を行なう基板保持装置が開示されている。かかる特許文献１に記載の基板保持装置においては，ウェハと基板ステージの間の異物の存在を確認しているので，ウェハチャックの傾斜や，変形によりウェハの平面度が損なわれるおそれが少ない。   Further, Patent Document 1 employs a sensor that reads a spot (or line) made up of a light emitting element and a light receiving element as means for confirming the foreign matter on the chuck table, and performs a flatness measurement using such a sensor. Is disclosed. In the substrate holding apparatus described in Patent Document 1, since the presence of foreign matter between the wafer and the substrate stage is confirmed, there is little possibility that the flatness of the wafer is impaired due to the inclination or deformation of the wafer chuck.

特開平６−１９６３８１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-196281

しかしながら，上記特許文献１の基板保持装置においては，センサがスポット（あるいはライン）を読み取ってチャックテーブルの平面度を測定している（即ち，チャックテーブル上の異物を確認する）ので，チャックテーブルの平面度を測定するために時間が掛かり過ぎる，という問題があった。   However, in the substrate holding apparatus of Patent Document 1, the sensor reads the spot (or line) and measures the flatness of the chuck table (that is, confirms the foreign matter on the chuck table). There was a problem that it took too much time to measure the flatness.

したがって，本発明の目的は，板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃える加工装置のチャックテーブル上に残留する異物の存在（あるいはチャックテーブルの平面度）を短時間でかつ正確に検出し，かつ電極の高さを好適に揃えることが可能な新規かつ改良された板状物に形成された電極の加工装置，板状物に形成された電極の加工方法，及び板状物に形成された電極の加工装置のチャックテーブルの平面度測定方法を提供することになる。   Accordingly, an object of the present invention is to reduce the presence of foreign matter (or the flatness of the chuck table) remaining on the chuck table of a processing apparatus that aligns the heights of a plurality of electrodes formed on the surface of a plate-like object. A new and improved electrode processing apparatus formed on a plate-like object capable of accurately detecting the time and accurately aligning the electrode height, a method of processing an electrode formed on the plate-like object, The present invention also provides a method for measuring the flatness of a chuck table of an electrode processing apparatus formed on a plate-like object.

上記課題を解決するため，本発明の第１の観点においては，板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃えるための加工装置であって，前記板状物を載置する板状物載置面を備えたチャックテーブルと，前記チャックテーブルの前記板状物載置面を洗浄する洗浄ユニットと，前記チャックテーブルに載置される高精度な平面を有するテスト用ウェハと，前記チャックテーブルに載置された前記テスト用ウェハの干渉縞を読み取る干渉計と，前記チャックテーブルに保持された前記板状物の表面に突出して形成された複数個の電極を切削して高さを揃える切削手段を具備する切削ユニットと，を具備する，ことを特徴とする板状物に形成された電極の加工装置が提供される。   In order to solve the above problems, according to a first aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for aligning the heights of a plurality of electrodes formed to protrude from a surface of a plate-like object. A chuck table having a plate-like object placement surface to be placed, a cleaning unit for cleaning the plate-like object placement surface of the chuck table, and a test plane having a high-accuracy plane placed on the chuck table Cutting a wafer, an interferometer that reads interference fringes of the test wafer placed on the chuck table, and a plurality of electrodes formed on the surface of the plate-like object held on the chuck table. And a cutting unit having a cutting means for aligning the height, and an electrode processing apparatus formed on a plate-like object.

上記記載の発明では，板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃える加工装置において，そのチャックテーブルに残留する異物の存在を短時間でかつ正確に検出することができる。また，チャックテーブル上に異物の存在が確認された場合であっても，洗浄ユニットによるチャックテーブル洗浄により異物の存在が許容範囲内になってから電極の加工をおこなうことができるので，バンプの高さを精度良く揃えることができる。この結果，加工装置の性能を向上させると共に，不良製品の発生を効果的に防止することができる。   In the above-described invention, in a processing apparatus for aligning the heights of a plurality of electrodes formed on the surface of a plate-like object, the presence of foreign matter remaining on the chuck table can be detected in a short time and accurately. it can. Even if the presence of foreign matter is confirmed on the chuck table, the electrode can be processed after the foreign matter is within the allowable range by cleaning the chuck table with the cleaning unit. Can be accurately aligned. As a result, the performance of the processing apparatus can be improved and the occurrence of defective products can be effectively prevented.

上記課題を解決するため，本発明の第２の観点においては，板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃えるための加工方法であって，前記チャックテーブルの板状物載置面を洗浄する第１の工程と，前記チャックテーブルに載置された前記テスト用ウェハの干渉縞を読み取る第２の工程と，前記干渉縞の状態が所定の許容範囲を超えているか否かを判断する第３の工程と，前記第３の工程において前記干渉縞の状態が所定の許容範囲を超える場合には，再度，前記チャックテーブルの板状物載置面を洗浄する第４の工程と，前記第３の工程において前記干渉縞の状態が所定の許容範囲内にある場合には，前記板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の切削を行う第５の工程と，を備える，ことを特徴とする板状物に形成された電極の加工方法が提供される。   In order to solve the above-described problems, in a second aspect of the present invention, there is provided a processing method for aligning the heights of a plurality of electrodes protruding from the surface of a plate-like object, the plate of the chuck table being A first step of cleaning the object mounting surface, a second step of reading the interference fringes of the test wafer placed on the chuck table, and the state of the interference fringes exceeds a predetermined allowable range A third step of determining whether or not the interference fringe state exceeds a predetermined allowable range in the third step, and again cleaning the plate-like object mounting surface of the chuck table. In the step 4 and the third step, when the state of the interference fringes is within a predetermined allowable range, a plurality of electrodes that protrude from the surface of the plate-like object are cut. A plate-like object characterized by comprising: Processing method made the electrode.

上記記載の発明では，板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃える加工方法において，そのチャックテーブルに残留する異物の存在を短時間でかつ正確に検出することができる。また，チャックテーブル上に異物の存在が確認された場合であっても，洗浄ユニットによるチャックテーブル洗浄により異物の存在が許容範囲内になってから電極の加工をおこなうので，バンプの高さを精度良く揃えることができる。   In the invention described above, in the processing method for aligning the heights of a plurality of electrodes formed on the surface of a plate-like object, the presence of foreign matter remaining on the chuck table can be detected in a short time and accurately. it can. Even if the presence of foreign matter is confirmed on the chuck table, the electrode is processed after the foreign matter is within the allowable range by cleaning the chuck table by the cleaning unit, so the bump height is accurate. Can be well aligned.

上記課題を解決するため，本発明の第３の観点においては，チャックテーブル上に載置された被加工物の切削を行う加工装置における前記チャックテーブルの平面度測定方法において，前記チャックテーブルの被加工物載置面に高精度な平面を有するテスト用ウェハを載置し，前記チャックテーブルに載置された前記テスト用ウェハの干渉縞を読み取ることによって，前記チャックテーブルの平面度を測定する，ことを特徴とするチャックテーブルの平面度測定方法が提供される。   In order to solve the above problems, according to a third aspect of the present invention, in the method for measuring the flatness of the chuck table in a processing apparatus for cutting a workpiece placed on the chuck table, Measuring the flatness of the chuck table by placing a test wafer having a highly accurate flat surface on the workpiece placement surface and reading the interference fringes of the test wafer placed on the chuck table; A method for measuring the flatness of a chuck table is provided.

上記記載の発明では，板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃える加工装置におけるチャックテーブルの平面度測定方法において，そのチャックテーブルに残留する異物の存在を短時間でかつ正確に検出することができる。   In the invention described above, in the method for measuring the flatness of a chuck table in a processing apparatus for aligning the heights of a plurality of electrodes formed protruding from the surface of a plate-like object, the presence of foreign matter remaining on the chuck table is detected for a short time. And can be detected accurately.

本発明においては，チャックテーブルに残留する異物の存在を短時間でかつ正確に検出することができる。また，チャックテーブル上に異物の存在が確認された場合であっても，洗浄ユニットによるチャックテーブル洗浄により，異物の存在が許容範囲内になってから電極の加工をおこなうので，バンプの高さを精度良く揃えることができる。この結果，加工装置の性能を向上させると共に，不良製品の発生を効果的に防止することができる。   In the present invention, the presence of foreign matter remaining on the chuck table can be accurately detected in a short time. Even if the presence of foreign matter is confirmed on the chuck table, the electrode is processed after the foreign matter is within the allowable range by cleaning the chuck table with the cleaning unit. It can be accurately aligned. As a result, the performance of the processing apparatus can be improved and the occurrence of defective products can be effectively prevented.

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification and drawings, components having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

（第１の実施の形態）
まず，図１及び図２に基づいて，第１の実施の形態にかかる電極の加工装置の構成ついて説明する。なお，図１は，第１の実施の形態にかかる板状物に形成された電極の加工装置の構成を示す斜視図である。図２は，本実施形態にかかる電極の加工装置の切削ユニットの構成を示す側面図である。本実施形態にかかる加工装置１は，半導体チップ５の表面に形成された複数の電極（例えば，バンプ）５ａを高精度で平坦化するために切削加工することが可能な装置である。 (First embodiment)
First, based on FIG.1 and FIG.2, the structure of the electrode processing apparatus concerning 1st Embodiment is demonstrated. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of an electrode processing apparatus formed on a plate-like object according to the first embodiment. FIG. 2 is a side view showing the configuration of the cutting unit of the electrode machining apparatus according to the present embodiment. The processing apparatus 1 according to the present embodiment is an apparatus capable of cutting in order to flatten a plurality of electrodes (for example, bumps) 5a formed on the surface of the semiconductor chip 5 with high accuracy.

本実施形態にかかる板状物に形成された電極の加工装置１は，図１及び図２に示すように，概略的には，例えば，搬送ユニット１０と，チャック手段２０と，切削ユニット３０と，チャックテーブルの板状物載置面のチャックテーブル洗浄装置（洗浄ユニット）４０，及びチャックテーブルの板状物載置面の平面度測定用のレーザ干渉計５０が設置されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, an electrode processing apparatus 1 formed on a plate-like object according to the present embodiment schematically includes, for example, a transport unit 10, a chuck means 20, a cutting unit 30, and the like. , A chuck table cleaning device (cleaning unit) 40 for the plate-like object placement surface of the chuck table, and a laser interferometer 50 for measuring the flatness of the plate-like object placement surface of the chuck table are installed.

なお，本実施形態にかかるチャックテーブル洗浄装置４０及びレーザ干渉計５０は，各々，装置の横方向に移動可能のように横断させた支持部６０に取り付けられていると共に，チャックテーブル２０２は，前後に移動可能な構造となっている。したがって，チャックテーブル洗浄装置４０，又はレーザ干渉計５０を支持部６０の横方向に移動させてチャックテーブル２０２の位置と合せることにより，チャックテーブル２０２をチャックテーブル洗浄装置４０，又はレーザ干渉計５０の真下に移動させることができる。即ち，チャックテーブル２０２を洗浄する際には，チャックテーブル２０２の真上にチャックテーブル洗浄装置４０を移動させることができ，チャックテーブル２０２の平面度測定を行う際には，チャックテーブル２０２の真上にレーザ干渉計５０を移動させることができる。   The chuck table cleaning device 40 and the laser interferometer 50 according to the present embodiment are each attached to a support 60 that is traversed so as to be movable in the lateral direction of the device, and the chuck table 202 is The structure is movable. Therefore, by moving the chuck table cleaning device 40 or the laser interferometer 50 in the lateral direction of the support portion 60 and aligning it with the position of the chuck table 202, the chuck table 202 is adjusted to the chuck table cleaning device 40 or the laser interferometer 50. It can be moved directly below. That is, when cleaning the chuck table 202, the chuck table cleaning device 40 can be moved directly above the chuck table 202, and when measuring the flatness of the chuck table 202, the chuck table 202 is directly above. The laser interferometer 50 can be moved.

まず，搬送ユニット１０について説明する。搬送ユニット１０は，その表面に複数の電極５ａが形成された半導体チップ５を有する半導体ウェハ５を搬入してチャック手段２０上に供給するとともに，電極５ａが加工された半導体チップ５を有する半導体ウェハ２を回収して搬出するための装置群である。   First, the transport unit 10 will be described. The transport unit 10 carries a semiconductor wafer 5 having a semiconductor chip 5 having a plurality of electrodes 5a formed on the surface thereof and supplies the semiconductor wafer 5 onto the chuck means 20, and also has a semiconductor wafer 5 having the processed semiconductor chip 5 processed by the electrodes 5a. It is a device group for collecting and carrying out 2.

この搬送ユニット１０は，例えば，搬入カセット１０２と，搬出カセット１０４と，搬送機構１０６と，仮受手段１０８と，搬入アーム１１０と，搬出アーム１１２と，洗浄手段１１４と，を備える。   The transport unit 10 includes, for example, a carry-in cassette 102, a carry-out cassette 104, a transport mechanism 106, a temporary receiving means 108, a carry-in arm 110, a carry-out arm 112, and a cleaning means 114.

搬入カセット１０２および搬出カセット１０４は，上記半導体ウェハ２を複数枚収容して持ち運ぶことが可能な収容ケースである。半導体ウェハ２は，例えば，かかる搬入カセット１０２に収容された状態で加工装置１に搬入される一方，搬出カセット１０４に収容された状態で加工装置１から搬出される。   The carry-in cassette 102 and the carry-out cassette 104 are storage cases that can store and carry a plurality of the semiconductor wafers 2. For example, the semiconductor wafer 2 is carried into the processing apparatus 1 while being accommodated in the carry-in cassette 102, and is unloaded from the processing apparatus 1 while being accommodated in the carry-out cassette 104.

本実施形態にかかる被加工物は，例えば，図３に示すように，その表面に複数個の半導体チップ５ａが格子状に形成された半導体ウェハ２からなっている。半導体ウェハ２に形成された複数個の半導体チップ５の表面には，各々，複数個のバンプ（電極）が形成されている。このバンプ（電極）は，例えばスタンドバンプ形成法により形成することができる。かかる半導体ウェハ２は，例えば，その裏面側に貼り付けられた表面保護テープ（ＵＶ硬化型の粘着テープなど：図示せず）を介してフレーム（図示せず）上に固着されている。また，被加工物として，その表面にバンプ（電極）５ａが形成されている複数個の半導体チップ５を，例えば両面接着テープを介して支持基板（サブストレート）８上に貼着することもできる。   The workpiece according to the present embodiment includes, for example, a semiconductor wafer 2 having a plurality of semiconductor chips 5a formed in a lattice shape on the surface thereof as shown in FIG. A plurality of bumps (electrodes) are formed on the surfaces of the plurality of semiconductor chips 5 formed on the semiconductor wafer 2. This bump (electrode) can be formed by, for example, a stand bump forming method. The semiconductor wafer 2 is fixed on a frame (not shown) via, for example, a surface protective tape (UV curable adhesive tape or the like: not shown) attached to the back side thereof. In addition, as a workpiece, a plurality of semiconductor chips 5 having bumps (electrodes) 5a formed on the surface thereof can be stuck on a support substrate (substrate) 8 via a double-sided adhesive tape, for example. .

かかる半導体ウェハ２は，例えば，その表面に形成された半導体チップ５の電極５ａの高さを揃える工程において，例えばダイヤモンドバイトなどによる切削加工によって電極５ａの高さを揃えることができる。しかしながら，従来においては，例えば，装置から発生した汚物，あるいは空気中に浮遊しているゴミなどの異物がチャックテーブルに付着したことが原因となって，被加工物である半導体ウェハ５に局所的な凹凸が発生してしまうため，この状態でバンプ（電極）５ａを切削すると，バンプの高さに高低差が発生する，という問題があった。本実施形態では，このような半導体チップ５の表面に形成されたバンプ（電極）５ａを切削加工する際に，レーザ干渉計を使用して短時間かつ正確に，その原因であるチャックテーブル上のチャックテーブル上の異物の存在を確認する（即ち，平面度を測定する）ことができる。また，チャックテーブル上に異物の存在が確認された場合には，洗浄ユニット（チャックテーブル洗浄装置）４０による洗浄により異物の存在が許容範囲内になってから電極５ａの加工を行うことができる。   For example, in the step of aligning the height of the electrode 5a of the semiconductor chip 5 formed on the surface of the semiconductor wafer 2, the height of the electrode 5a can be aligned by cutting with a diamond tool or the like. However, in the prior art, for example, foreign matter such as dirt generated from the apparatus or dust floating in the air has adhered to the chuck table and is locally applied to the semiconductor wafer 5 as the workpiece. Therefore, when the bump (electrode) 5a is cut in this state, there is a problem that a height difference occurs in the height of the bump. In this embodiment, when the bump (electrode) 5a formed on the surface of the semiconductor chip 5 is cut, the laser interferometer is used in a short time and accurately on the chuck table which is the cause. The presence of foreign matter on the chuck table can be confirmed (that is, the flatness is measured). Further, when the presence of foreign matter is confirmed on the chuck table, the electrode 5a can be processed after the presence of the foreign matter is within an allowable range by cleaning by the cleaning unit (chuck table cleaning device) 40.

このような半導体ウェハ２を収容した搬入カセット１０２は，加工装置１に例えば手動で搬入され，所定領域に載置される。搬送機構１０６は，例えば，この搬入カセット１０２から半導体ウェハ２を１枚ずつ取り出して，搬送し，仮受手段１０８上に載置する。搬入カセット１０２に収容されていた半導体ウェハ２が全て搬出されると，空の搬入カセット１０２に替えて新しい搬入カセット１０２が載置される。   The carry-in cassette 102 containing such a semiconductor wafer 2 is manually carried into the processing apparatus 1, for example, and placed in a predetermined area. For example, the transport mechanism 106 takes out the semiconductor wafers 2 one by one from the carry-in cassette 102, transports them, and places them on the temporary receiving means 108. When all the semiconductor wafers 2 stored in the carry-in cassette 102 are carried out, a new carry-in cassette 102 is placed instead of the empty carry-in cassette 102.

搬入アーム１１０および搬出アーム１１２は，例えば，回転動作および昇降動作が可能な搬送用のアームであり，その先端に，対象物を真空吸着可能な吸着部１１０ａ，１１２ａを備えている。この搬入アーム１１０および搬出アーム１１２は，吸着部１１０ａ，１１２ａを用いて半導体ウェハ２を吸着して，搬送することができる。具体的には，搬入アーム１１０は，上記仮受手段１０８上に載置された半導体ウェハ２を吸着して搬送し，チャック手段２０上に載置することができる。このようにチャック手段２０上に載置された半導体ウェハ２の半導体チップ５の表面に形成された複数の電極５ａは，切削ユニット３０によって切削加工される（詳細は後述する）。一方，搬出アーム１１２は，電極５ａが切削加工された半導体チップ５が形成された半導体ウェハ２を吸着して，洗浄手段１１４に搬送することができる。   The carry-in arm 110 and the carry-out arm 112 are, for example, transfer arms that can rotate and move up and down, and are provided with suction portions 110a and 112a that can vacuum-suck an object at their tips. The carry-in arm 110 and the carry-out arm 112 can suck and transfer the semiconductor wafer 2 using the suction portions 110a and 112a. Specifically, the carry-in arm 110 can suck and convey the semiconductor wafer 2 placed on the temporary receiving means 108 and place it on the chuck means 20. Thus, the plurality of electrodes 5a formed on the surface of the semiconductor chip 5 of the semiconductor wafer 2 placed on the chuck means 20 are cut by the cutting unit 30 (details will be described later). On the other hand, the carry-out arm 112 can adsorb the semiconductor wafer 2 on which the semiconductor chip 5 having the electrode 5a cut is formed and convey it to the cleaning means 114.

洗浄手段１１４は，例えば，スピンナ洗浄装置等で構成されており，高速回転させた半導体ウェハ２に対して純水等の洗浄液を噴射することによって，半導体ウェハ２を洗浄して，乾燥させることができる。   The cleaning means 114 is composed of, for example, a spinner cleaning device or the like, and can clean and dry the semiconductor wafer 2 by spraying a cleaning liquid such as pure water onto the semiconductor wafer 2 rotated at high speed. it can.

このように洗浄された半導体ウェハ２は，再び搬送機構１０６によって搬送され，搬出カセット１０４に収容される。搬出カセット１０４に所定枚数の半導体ウェハ２が収容されると，かかる搬出カセット１０４に替えて，新しい空の搬出カセット１０４が載置される。   The semiconductor wafer 2 thus cleaned is transported again by the transport mechanism 106 and accommodated in the unloading cassette 104. When a predetermined number of semiconductor wafers 2 are accommodated in the carry-out cassette 104, a new empty carry-out cassette 104 is placed in place of the carry-out cassette 104.

次に，チャック手段２０について説明する。チャック手段２０は，図２に示すように，載置された半導体ウェハ２を吸着・保持して，回転軸２０６を回転中心として回転させることができる。このチャック手段２０は，例えば，チャックテーブル２０２と，ハウジング（図示せず）と，から構成される。   Next, the chuck means 20 will be described. As shown in FIG. 2, the chuck means 20 can suck and hold the semiconductor wafer 2 placed thereon and rotate it around the rotation shaft 206. The chuck means 20 includes, for example, a chuck table 202 and a housing (not shown).

チャックテーブル２０２は，例えば，上面に平滑な水平面を有する略円盤形状のテーブル（下盤）であり，ハウジング（図示せず）によって支持されている。このチャックテーブル２０２は，例えば，少なくともその上面が多孔性セラミックス等の多孔質材料で形成されており，ハウジング（図示せず）内部等に形成された連通路（図示せず。）を介して，真空ポンプ（図示せず。）等に連通されている。このため，この真空ポンプを動作させて負圧を加えることで，チャックテーブル２０２は，例えば，その上面に載置された半導体ウェハ２を真空吸着して，保持・固定することができる。このとき，半導体ウェハ２は，例えば，電極５ａが形成された被切削面である表面を上向きとなるようにして，チャックテーブル２０２上に載置される。また，上記搬出アーム１１２によって半導体ウェハ２を搬出する際には，チャックテーブル２０２による真空吸着を解除することにより，半導体ウェハ２を容易にピックアップすることができる。   The chuck table 202 is, for example, a substantially disk-shaped table (lower board) having a smooth horizontal surface on the upper surface, and is supported by a housing (not shown). For example, at least the upper surface of the chuck table 202 is formed of a porous material such as porous ceramics, and via a communication path (not shown) formed in a housing (not shown) or the like. It communicates with a vacuum pump (not shown). Therefore, by operating the vacuum pump and applying a negative pressure, the chuck table 202 can hold and fix the semiconductor wafer 2 placed on the upper surface thereof by vacuum suction, for example. At this time, the semiconductor wafer 2 is placed on the chuck table 202, for example, with the surface, which is the surface to be cut, on which the electrode 5a is formed facing upward. Further, when the semiconductor wafer 2 is unloaded by the unloading arm 112, the semiconductor wafer 2 can be easily picked up by releasing the vacuum suction by the chuck table 202.

また，このチャックテーブル２０２は，例えばハウジング（図示せず）内等に設けられた回転用モータ（図示せず。）によって，所定の回転速度（例えば，１０ｒｐｍ以下）で水平方向に回転することができる。これにより，チャックテーブル２０２は，切削加工中に，保持した半導体ウェハ２を回転させて，半導体チップ５の電極５ａが均等に切削されるようにすることができる。   The chuck table 202 can be rotated in the horizontal direction at a predetermined rotation speed (for example, 10 rpm or less) by a rotation motor (not illustrated) provided in a housing (not illustrated), for example. it can. Thus, the chuck table 202 can rotate the held semiconductor wafer 2 during the cutting process so that the electrodes 5a of the semiconductor chip 5 are evenly cut.

従来においては，上記チャックテーブルに，例えば，装置から発生した汚物，あるいは空気中に浮遊しているゴミなどの異物が付着したことが原因となって，切削されたバンプの高さに高低差が発生する，という問題があった。本実施形態では，このような半導体チップ５の表面に形成されたバンプ（電極）５ａを切削加工する際に，バンプの高低差を発生させる原因となるチャックテーブル上の異物の存在を確認し（即ち，チャックテーブル上の平面度を測定し），チャックテーブル上に異物が存在する場合にはチャックテーブル洗浄装置により異物を除去してから，電極５ａの加工を行うものである。   Conventionally, there is a difference in height between the heights of the cut bumps because, for example, foreign matter such as dirt generated from the apparatus or dust floating in the air adheres to the chuck table. There was a problem that it occurred. In the present embodiment, when cutting the bump (electrode) 5a formed on the surface of the semiconductor chip 5 as described above, the presence of foreign matter on the chuck table that causes a bump height difference is confirmed ( That is, the flatness on the chuck table is measured), and if foreign matter is present on the chuck table, the foreign matter is removed by the chuck table cleaning device, and then the electrode 5a is processed.

ハウジング（図示せず）は，上記チャックテーブル２０２を支持するとともに，内部に上記回転用モータ等を収容するための筐体である。このハウジング（図示せず）は，例えば，移動用モータ等で構成されるチャック手段移動機構（図示せず）によって，搬送ユニット１０と切削ユニット３０との間で水平方向（Ｘ軸方向）に移動可能である。例えば，半導体ウェハ２をチャックテーブル２０２に載置または回収するときには，ハウジング（図示せず）は搬送ユニット１０側に移動される。   A housing (not shown) is a housing for supporting the chuck table 202 and accommodating the rotation motor and the like therein. The housing (not shown) is moved in the horizontal direction (X-axis direction) between the transport unit 10 and the cutting unit 30 by a chuck means moving mechanism (not shown) constituted by, for example, a moving motor. Is possible. For example, when placing or collecting the semiconductor wafer 2 on the chuck table 202, the housing (not shown) is moved to the transport unit 10 side.

次に，切削ユニット３０について説明する。切削ユニット３０は，例えば，切削手段３００と，回転軸３１０と，回転機構３２０と，移動機構３３０と，を備える。   Next, the cutting unit 30 will be described. The cutting unit 30 includes, for example, a cutting unit 300, a rotating shaft 310, a rotating mechanism 320, and a moving mechanism 330.

切削手段３００は，上記チャック手段２０の上方に配置された略リング状の部材（上盤）であり，リング状の基台３０４と，その下面（チャックテーブル２０２と対向する面）の少なくとも一箇所に配置された切削刃３０２とからなる。基台３０４は例えばアルミ合金等によって形成され，切削刃３０２は例えば超鋼バイト，ダイヤモンドバイトなどからなる。かかる切削手段３００は，切削刃３０２が下向きとなるような状態で配設され，チャック手段２０上の半導体ウェハ２裏面と対面している。   The cutting means 300 is a substantially ring-shaped member (upper board) disposed above the chuck means 20, and at least one place on the ring-shaped base 304 and its lower surface (surface facing the chuck table 202). And a cutting blade 302 disposed on the surface. The base 304 is made of, for example, an aluminum alloy, and the cutting blade 302 is made of, for example, a super steel bit or a diamond bit. The cutting means 300 is disposed with the cutting blade 302 facing downward, and faces the back surface of the semiconductor wafer 2 on the chuck means 20.

回転軸３１０は，例えば，略棒状のスピンドルである。この回転軸３１０の下端には，上記切削手段３００が上記チャック手段２０と対向するように装着される。また，回転軸３１０の上部は，回転機構３２０内に収容されている。   The rotating shaft 310 is, for example, a substantially rod-shaped spindle. The cutting means 300 is attached to the lower end of the rotating shaft 310 so as to face the chuck means 20. The upper part of the rotation shaft 310 is accommodated in the rotation mechanism 320.

回転機構３２０は，例えば，内部に備えた電動モータ等によって，上記回転軸３１０を回転させることができる。この回転機構３２０によって，切削加工時に，回転軸３１０を介して切削手段３００を水平方向に例えば３０００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させることができる。   The rotating mechanism 320 can rotate the rotating shaft 310 by, for example, an electric motor provided therein. By this rotating mechanism 320, the cutting means 300 can be rotated in the horizontal direction through the rotating shaft 310 at a rotational speed of, for example, 3000 rpm or more during cutting.

移動機構３３０は，例えば，電動モータ等によって，切削ユニット３０を垂直方向（ｚ軸方向）に移動させることができる。この移動機構３３０によって，切削手段３００をチャック手段２０に対して昇降させることができる。   The moving mechanism 330 can move the cutting unit 30 in the vertical direction (z-axis direction) by using, for example, an electric motor. By this moving mechanism 330, the cutting means 300 can be moved up and down with respect to the chuck means 20.

このような構成の切削ユニット３０は，上記チャック手段２０に保持されている半導体ウェハ２の半導体チップ５の表面に形成されている電極５ａに対して，上記切削手段３００をチャックテーブルと同一方向に例えば３０００ｒｐｍ以上の回転速度回転させながら下降させていく。この結果，回転する切削刃が半導体ウェハ２に設けられた半導体チップ５の表面に形成された複数個の電極（バンプ）５ａに接触し，バンプ（電極）５ａが上端部から徐々に削り取られる。このようにして，半導体チップ５の表面に形成された電極５ａを切削加工して，その高さを揃えることができる。   The cutting unit 30 having such a configuration is configured so that the cutting means 300 is placed in the same direction as the chuck table with respect to the electrode 5a formed on the surface of the semiconductor chip 5 of the semiconductor wafer 2 held by the chuck means 20. For example, it is lowered while rotating at a rotational speed of 3000 rpm or more. As a result, the rotating cutting blade comes into contact with a plurality of electrodes (bumps) 5a formed on the surface of the semiconductor chip 5 provided on the semiconductor wafer 2, and the bumps (electrodes) 5a are gradually scraped from the upper end. In this way, the electrodes 5a formed on the surface of the semiconductor chip 5 can be cut and the heights thereof can be made uniform.

なお，上記加工中には，チャックテーブル２０２の側方に配設されたノズル（図示せず）から半導体ウェハ２に向けて例えばイオン化エアが噴出するように構成することができる。このように，加工中の半導体ウェハ２にイオン化エアが噴出されることにより，加工時に発生する静電気を除去することができるとともに，冷却効果も得ることができる。   During the above processing, for example, ionized air can be ejected from a nozzle (not shown) disposed on the side of the chuck table 202 toward the semiconductor wafer 2. Thus, by ejecting ionized air to the semiconductor wafer 2 being processed, static electricity generated during processing can be removed, and a cooling effect can also be obtained.

次に，図４に基づいて，本実施形態にかかるチャックテーブル洗浄装置の構成について説明する。なお，図４は，本実施形態にかかるチャックテーブル洗浄装置の構成を示す縦断面図である。   Next, the configuration of the chuck table cleaning device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing the configuration of the chuck table cleaning device according to the present embodiment.

本実施形態にかかるチャックテーブル洗浄装置４０は，図４に示すように，ターンテーブル４３１の上方に架設した水平移動手段４１１と，該水平移動手段４１１にガイドされて水平方向に所要範囲移動可能な支持部４１２と，支持部４１２に上下動可能に支持された洗浄ユニット４１３とから構成され，洗浄ユニット４１３は，支持部４１２に垂直方向に配設された昇降動手段４１４のモータ４１４ａの駆動によって回転するボールスクリュー４１４ｂに螺合連結されたスライダー４１５の上下動によって所要範囲上下動可能となっている。   As shown in FIG. 4, the chuck table cleaning apparatus 40 according to the present embodiment has a horizontal moving unit 411 installed above the turntable 431 and a horizontal range moving by being guided by the horizontal moving unit 411. The cleaning unit 413 is supported by the support unit 412 and the support unit 412 so as to be movable up and down. The cleaning unit 413 is driven by the motor 414a of the lifting / lowering means 414 arranged in the vertical direction on the support unit 412. The required range can be moved up and down by the up and down movement of the slider 415 screwed and connected to the rotating ball screw 414b.

また，洗浄ユニット４１３の函体４１６は，昇降動手段４１４によって上下動を制御されており，函体４１６の下部には，チャックテーブルの洗浄時にチャックテーブルの上面と接触して回転する洗浄作用部４１７，洗浄作用部４１７の回転軸４１８，回転軸４１８を支持する軸受け４１９等を含む洗浄手段４２０を備えている。   The box 416 of the cleaning unit 413 is controlled to move up and down by the lifting / lowering means 414. A cleaning action section that rotates in contact with the upper surface of the chuck table when the chuck table is cleaned is provided below the box 416. The cleaning means 420 includes a rotating shaft 418 of the cleaning operation unit 417, a bearing 419 for supporting the rotating shaft 418, and the like.

洗浄作用部４１７は，例えば円形のブラシによって形成され，その直径は，チャックテーブルの半径より大きくなっている。なお，洗浄作用部４１７にはセラミックスを用いてもよい。   The cleaning action part 417 is formed by a circular brush, for example, and the diameter thereof is larger than the radius of the chuck table. Note that ceramics may be used for the cleaning action portion 417.

軸受け４１９によって支持された回転軸４１８は，函体４１６の内部において，カップリング４２１，クラッチ手段４２２，カップリング４２３を介して駆動源４２４と接続されており，クラッチ手段４２２を制御することにより，駆動源４２４から発生する回転力を洗浄作用部４１７に伝達し，またはその回転力を遮断することができる。クラッチ手段４２２としては，例えば電磁クラッチが用いられる。   The rotating shaft 418 supported by the bearing 419 is connected to the drive source 424 through the coupling 421, the clutch means 422, and the coupling 423 inside the box 416, and by controlling the clutch means 422, The rotational force generated from the drive source 424 can be transmitted to the cleaning operation unit 417, or the rotational force can be interrupted. As the clutch means 422, for example, an electromagnetic clutch is used.

カップリング４２１の上部には，洗浄作用部４１７の回転に伴って回転する円盤状の回転検出盤４２５が固定されている。また，回転検出盤４２５の外周部を上下から挟むようにして非接触の状態で函体４１６の内部にセンサ４２６が配設され，回転検出手段４５０を構成している。   A disk-shaped rotation detection board 425 that rotates with the rotation of the cleaning action unit 417 is fixed to the upper part of the coupling 421. In addition, a sensor 426 is disposed inside the box 416 in a non-contact state so as to sandwich the outer periphery of the rotation detection board 425 from above and below, and constitutes a rotation detection means 450.

チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａを洗浄する場合は，洗浄しようとするチャックテーブル２０２を回転させると共に，支持部４１２を水平方向に移動させて洗浄しようとするチャックテーブル２０２の直上に位置付けて，昇降動手段４１４によって洗浄ユニット４１３を下降させていく。このとき，クラッチ手段４２２によって駆動源４２４と洗浄手段４２０とは連結が遮断されており，洗浄作用部は自由回転となっている。   When cleaning the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202, the chuck table 202 to be cleaned is rotated and the support portion 412 is moved in the horizontal direction so that it is positioned immediately above the chuck table 202 to be cleaned. Then, the cleaning unit 413 is lowered by the lifting / lowering means 414. At this time, the drive source 424 and the cleaning unit 420 are disconnected from each other by the clutch unit 422, and the cleaning operation unit is freely rotated.

次に，図５に基づいて，本実施形態にかかるレーザ干渉計５０の構成について説明する。図５は，本実施形態にかかるレーザ干渉計の構成を示すブロック図である。なお，本実施形態においては，フィゾー干渉計と称されるレーザ干渉計を例に挙げて説明する。   Next, based on FIG. 5, the structure of the laser interferometer 50 concerning this embodiment is demonstrated. FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the laser interferometer according to the present embodiment. In the present embodiment, a laser interferometer called a Fizeau interferometer will be described as an example.

図５に示すように，本実施形態にかかるレーザ干渉計５０は，レーザ光源５１０，発散レンズ５２０，５７０，ビームスプリッタ５３０，コリメーターレンズ５４０，基準板５５０などから構成される。なお，本実施形態においては，高精度の平面を有するテスト用ウェハとして，鏡面ウェハ５６０がチャックテーブル２２０上に載置されて，その干渉縞を読み取ることによって，チャックテーブル２０２の凹凸が判断される。   As shown in FIG. 5, the laser interferometer 50 according to this embodiment includes a laser light source 510, diverging lenses 520 and 570, a beam splitter 530, a collimator lens 540, a reference plate 550, and the like. In this embodiment, the mirror wafer 560 is placed on the chuck table 220 as a test wafer having a high-precision plane, and the unevenness of the chuck table 202 is determined by reading the interference fringes. .

上記構成のレーザ干渉計５０において，レーザ光源５１０から発振されたレーザビーム５１０ａは，発散レンズ５２０，ビームスプリッタ５３０，コリメーターレンズ５４０を透過した後に平行光５１０ｂとなり，基準板５５０を介して鏡面ウェハ５６０に到達する。一部の光は，基準板５５０の参照面５５２で反射するが，残りの光は，基準板５５０を透過して，被検査物（本実施形態においては鏡面ウェハ５６０の被検面（鏡面側）５６２に到達して反射する。   In the laser interferometer 50 configured as described above, the laser beam 510 a oscillated from the laser light source 510 passes through the diverging lens 520, the beam splitter 530, and the collimator lens 540 to become parallel light 510 b, and passes through the reference plate 550 and becomes a specular wafer. 560 is reached. A part of the light is reflected by the reference surface 552 of the reference plate 550, but the remaining light is transmitted through the reference plate 550, and the object to be inspected (in this embodiment, the inspection surface (mirror surface side) of the mirror wafer 560 ) It reaches 562 and reflects.

次いで，基準板５５０の参照面５５２からの反射光５１０ｃと，鏡面ウェハ５６０の被検面５６２からの反射光５１０ｄは，元の光路を逆に戻って相互に干渉し，ビームスプッタ５３０により分光された後，発散レンズ５７０を介して干渉光５１０ｅとして，撮像素子（例えば，ＣＣＤカメラ）５８０に導かれる。かかる撮像素子５８０では，導かれたレーザ干渉光５１０により干渉縞画像が撮像される。   Next, the reflected light 510 c from the reference surface 552 of the reference plate 550 and the reflected light 510 d from the test surface 562 of the specular wafer 560 return to the original optical path and interfere with each other, and are split by the beam sputter 530. Thereafter, the light is guided to an image sensor (for example, a CCD camera) 580 as interference light 510 e through the diverging lens 570. In the image sensor 580, an interference fringe image is captured by the guided laser interference light 510.

即ち，基準板５５０の参照面５５２が光の分割手段（振幅分割）であり，重ね合わせ手段として形成されている。かかる参照面５５２は，例えば，波長の１／２０以下（３０ｎｍ以下）の凹凸を有する程度に研磨されており，非常に高精度の平面として形成されている。これは，例えば，関東平野程度の面積を有する平面の凹凸が，ピンポン玉１個以下の高低差でしかないことを意味している。   That is, the reference surface 552 of the reference plate 550 is a light dividing means (amplitude dividing), and is formed as an overlapping means. For example, the reference surface 552 is polished to such an extent that it has irregularities of 1/20 or less (30 nm or less) of the wavelength, and is formed as a very high-precision plane. This means that, for example, the unevenness of a plane having an area about the Kanto Plain is only a height difference of one or less ping-pong balls.

かかるフイゾー干渉計５０においては，基準板５５０の参照面５５２と，鏡面ウェハ５６０の被検面（鏡面側面）５６２との間には空気間隔が存在するだけで，参照面５５２以前の光路は共通である。この結果，基準板５５０の参照面５５２と鏡面ウェハ５６２の被検面（鏡面側面）５６２との光路差を干渉縞として捉えることができる。これは，基準板５５０の参照面５５２が高精度の平面であることから，上記光路差は，事実上，鏡面ウェハ５６０の被検面５６２（即ち，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａ）の形状として捉えることができる。   In the Fizeau interferometer 50, there is only an air gap between the reference surface 552 of the reference plate 550 and the test surface (mirror side surface) 562 of the mirror wafer 560, and the optical path before the reference surface 552 is common. It is. As a result, the optical path difference between the reference surface 552 of the reference plate 550 and the test surface (mirror surface side) 562 of the mirror wafer 562 can be grasped as an interference fringe. This is because, since the reference surface 552 of the reference plate 550 is a high-precision plane, the optical path difference is effectively the test surface 562 of the mirror wafer 560 (that is, the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202). ).

かかるレーザ干渉の原理を図６に示す。図６（ａ）は，チャックテーブル上に異物が存在しない場合を示し，図６（ｂ）は，チャックテーブル上に，高さΔｈの異物が存在する場合を示している。なお，図６（ｂ）は，レーザ干渉の原理を容易に理解するために，異物を拡大誇張して示している。   The principle of such laser interference is shown in FIG. FIG. 6A shows a case where no foreign matter exists on the chuck table, and FIG. 6B shows a case where a foreign matter having a height Δh exists on the chuck table. In FIG. 6B, the foreign matter is enlarged and exaggerated for easy understanding of the principle of laser interference.

チャックテーブル上に異物が存在しない場合には，図６（ａ）に示すように，基準板５５０の参照面５５２で反射されるレーザ反射光５１０ｃと，鏡面ウェハ５６０の被検面（鏡面側面）５６２で反射されるレーザ反射光５１０ｄとの光路差は，光路差＝２ｈ（但し，参照面５５２と被検面５６２との距離）で表される。このとき，２ｈ＝ｍλ（但し，λ：レーザ光の波長，ｍ：整数）である場合には明るくなり，２ｈ＝ｍλ＋λ／２の場合には暗くなる。したがって，鏡面ウェハ５６０の被検面５６２ａが平面であれば，光路差は全面で一定であるので，全面が一様な明るさとなる。 When there is no foreign matter on the chuck table, as shown in FIG. 6A, the laser reflected light 510c reflected by the reference surface 552 of the reference plate 550 and the test surface (mirror surface) of the mirror wafer 560 The optical path difference from the laser reflected light 510d reflected by 562 is represented by optical path difference = 2h (however, the distance between the reference surface 552 and the test surface 562). At this time, when 2h = mλ (where λ is the wavelength of the laser beam and m is an integer), the image is bright, and when 2h = mλ + λ / 2, the image is dark. Therefore, if the test surface 562a of the specular wafer 560 is a flat surface, the optical path difference is constant over the entire surface, so that the entire surface has uniform brightness.

一方，チャックテーブル上に異物（高さΔｈ）が存在する場合には，図６（b）に示すように，鏡面ウェハ５６０の被検面５６２が局所的に凸形状となる。このため，鏡面ウェハ５６０の最大高さ位置（Δｈ）においては，基準板５５０の参照面５５２で反射されるレーザ反射光５１０ｃ’と，鏡面ウェハ５６０の被検面（異物の高さΔｈ）５６２で反射されるレーザ反射光５１０ｄ’との光路差は，光路差＝２（ｈ−Δｈ）で表される。このため，被検面５６２の平面部分の光路差２ｈと，異物の最大高さ部分（Δｈ）における光路差２（ｈ−Δｈ）とでは，光路差の差＝２Δｈ，が存在している。したがって，被検面の平面部分から異物の最大高さ部分に至る領域では，光路差＝ｍλで示される明るい領域と，光路差＝ｍλ＋λ／２で示される暗い領域が交互に存在し，干渉縞が発生することになる。なお，このとき，干渉縞の間隔はλで表される。このように，被検面２０２ａに異物が存在するなどして，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａに凹凸が存在すれば，鏡面ウェハ５６２の被検面５６２を介して，干渉縞の画像として撮像手段５８０が読み取ることができる。 On the other hand, when foreign matter (height Δh) is present on the chuck table, the test surface 562 of the mirror wafer 560 is locally convex as shown in FIG. 6B. Therefore, at the maximum height position (Δh) of the mirror wafer 560, the laser reflected light 510c ′ reflected by the reference surface 552 of the reference plate 550 and the test surface (foreign material height Δh) 562 of the mirror wafer 560 are reflected. The optical path difference from the laser reflected light 510d ′ reflected at is expressed as optical path difference = 2 (h−Δh). Therefore, there is an optical path difference difference = 2Δh between the optical path difference 2h in the plane portion of the test surface 562 and the optical path difference 2 (h−Δh) in the maximum height portion (Δh) of the foreign matter. Therefore, in the region from the plane portion of the test surface to the maximum height portion of the foreign matter, a bright region indicated by optical path difference = mλ and a dark region indicated by optical path difference = mλ + λ / 2 are alternately present, and interference fringes are present. Will occur. At this time, the interval between the interference fringes is represented by λ. As described above, if there is an unevenness on the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202 due to the presence of foreign matter on the test surface 202a or the like, interference fringes may be generated via the test surface 562 of the mirror surface wafer 562. The image pickup means 580 can read as an image.

かかる干渉縞の画像を図７に示す。例えば，図７（ａ）に示すように，撮像手段５８０で撮像された画像に干渉縞が存在しない場合には，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａは平面であると判断することができる。一方，図７（ｂ）に示すように，撮像手段５８０で撮像された画像に干渉縞が存在する場合には，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａの上に異物が存在すると判断することができる。なお，撮像手段５８０が撮像した画像に，干渉縞が存在する場合であっても，干渉縞の間隔等により導き出される高低差が，所定の許容範囲内であれば，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａを平面として取り扱うことができる。なお，干渉縞の許容範囲は，ワークの用途などにより要求される平面精度が異なるので，各種条件に応じて設定することができる。例えば，異物の大きさが２μｍ以下を許容範囲とすることができる。例えば，干渉縞１つ当たり０．６μｍの高低差を有するものとすれば，図７（ｂ）に示す画像においては，４本以上の干渉縞を有しているので，例えば許容範囲である２μｍの高低差を超えている（０．６μｍ×４＝２．４μｍ＞２μｍ）ので，異物が存在すると判断することができる。   An image of such interference fringes is shown in FIG. For example, as shown in FIG. 7A, when there is no interference fringe in the image picked up by the image pickup means 580, it can be determined that the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202 is a flat surface. it can. On the other hand, as shown in FIG. 7B, when interference fringes are present in the image picked up by the image pickup means 580, it is determined that there is a foreign object on the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202. be able to. Note that even if interference fringes are present in the image picked up by the image pickup means 580, the plate-like object of the chuck table 202 can be used if the height difference derived by the interference fringe spacing is within a predetermined allowable range. The mounting surface 202a can be handled as a flat surface. The allowable range of interference fringes can be set according to various conditions because the required plane accuracy differs depending on the application of the workpiece. For example, the allowable range can be a foreign matter size of 2 μm or less. For example, if there is a height difference of 0.6 μm per interference fringe, the image shown in FIG. 7B has four or more interference fringes, so that the allowable range is 2 μm, for example. (0.6 μm × 4 = 2.4 μm> 2 μm), it can be determined that there is a foreign matter.

また，レーザ干渉計５０によって，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａに異物が存在しないと判断された場合には，次の半導体ウェハに形成された電極５ａの高さを揃えるための切削を実行することができる。一方，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａに異物が存在すると判断された場合には，再度，上記チャックテーブル洗浄装置４０により，例えばブラシ洗浄を実行することになる。なお，かかる洗浄は，洗浄時間に比例して洗浄力が向上するので，所定時間以上の洗浄を行うことによって，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａ上の異物を排除する。なお，洗浄工程と平面度測定工程は，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａ上に異物が存在しない状態になるまで繰り返すことができる。   Further, when the laser interferometer 50 determines that no foreign matter is present on the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202, cutting for aligning the heights of the electrodes 5a formed on the next semiconductor wafer. Can be executed. On the other hand, when it is determined that foreign matter is present on the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202, for example, brush cleaning is performed again by the chuck table cleaning device 40. Such cleaning improves the cleaning power in proportion to the cleaning time, so that foreign matters on the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202 are eliminated by performing cleaning for a predetermined time or longer. The cleaning process and the flatness measurement process can be repeated until no foreign matter is present on the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202.

上記説明したチャックテーブル洗浄装置４０及びレーザ干渉計５０は，各々，装置の横方向に移動可能のように横断させた支持部６０に取り付けられていると共に，チャックテーブル２０２は，前後に移動可能な構造となっている。したがって，チャックテーブル洗浄装置４０，又はレーザ干渉計５０を支持部を横方向に移動させてチャックテーブル２０２の位置と合せることにより，チャックテーブル２０２をチャックテーブル洗浄装置４０，又はレーザ干渉計５０の真下に移動させることができる。即ち，チャックテーブル２０２を洗浄する際には，チャックテーブル２０２の真上にチャックテーブル洗浄装置４０を移動させることができ，チャックテーブル２０２の平面度測定を行う際には，チャックテーブル２０２の真上にレーザ干渉計５０を移動させることができる。   The chuck table cleaning device 40 and the laser interferometer 50 described above are each attached to a support 60 that is traversed so as to be movable in the lateral direction of the device, and the chuck table 202 is movable back and forth. It has a structure. Therefore, the chuck table 202 is moved directly below the chuck table cleaning device 40 or the laser interferometer 50 by moving the support portion in the lateral direction and aligning it with the position of the chuck table 202. Can be moved to. That is, when cleaning the chuck table 202, the chuck table cleaning device 40 can be moved directly above the chuck table 202, and when measuring the flatness of the chuck table 202, the chuck table 202 is directly above. The laser interferometer 50 can be moved.

本実施形態にかかる加工装置においては，板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃える加工装置のチャックテーブルに残留する異物の存在を短時間かつ正確に検出することができる。また，チャックテーブル上に異物の存在が確認された場合であっても，洗浄ユニット（チャックテーブル洗浄装置）によるチャックテーブル洗浄により，異物の存在が許容範囲内になってから電極の加工をおこなうので，バンプの高さを精度良く揃えることができる。この結果，加工装置の性能を向上させると共に，不良製品の発生を効果的に防止することができる。   In the processing apparatus according to the present embodiment, the presence of foreign matter remaining on the chuck table of the processing apparatus that aligns the heights of a plurality of electrodes formed on the surface of a plate-like object can be detected in a short time and accurately. Can do. Even if the presence of foreign matter on the chuck table is confirmed, the electrode is processed after the foreign matter is within the allowable range by cleaning the chuck table with the cleaning unit (chuck table cleaning device). , Bump height can be aligned with high accuracy. As a result, the performance of the processing apparatus can be improved and the occurrence of defective products can be effectively prevented.

次に，図８に基づいて，本実施形態にかかる板状物に形成された電極の加工方法について説明する。なお，図８は，本実施形態にかかる板状物に形成された電極の加工方法を示すフローチャートである。   Next, based on FIG. 8, the processing method of the electrode formed in the plate-shaped object concerning this embodiment is demonstrated. In addition, FIG. 8 is a flowchart which shows the processing method of the electrode formed in the plate-shaped object concerning this embodiment.

まず，ステップＳ１０２で，先の半導体ウェハ２の半導体チップ５の電極（バンプ）５ａの表面を機械的に切削した後，チャックテーブル洗浄装置４０によりチャックテーブル２０２の板状物載置面２０２aの洗浄をおこなう（ステップＳ１０２）。即ち，先の半導体チップ５の電極（バンプ）５ａの表面を機械的に切削した後，チャックテーブル２０２を所定位置に移動させると共に，チャックテーブル洗浄装置４０を横方向に移動させて，チャックテーブル２０２の真上にチャックテーブル洗浄装置４０が位置するようにする。さらに，チャックテーブル洗浄装置４０を下方に移動してチャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａと接触させて，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａの洗浄を行う。なお，かかる洗浄は，予め設定された所定時間の洗浄を実行した後，チャックテーブル洗浄装置４０を上昇させて，横方向に退避することによりブラシ洗浄を終了する。さらに，チャックテーブル洗浄装置４０が退避した方向とは反対の方向から，レーザ干渉計５０を移動させて，チャックテーブル２０２の真上に配置させる。   First, in step S102, the surface of the electrode (bump) 5a of the semiconductor chip 5 of the previous semiconductor wafer 2 is mechanically cut, and then the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202 is cleaned by the chuck table cleaning device 40. Is performed (step S102). That is, after the surface of the electrode (bump) 5a of the semiconductor chip 5 is mechanically cut, the chuck table 202 is moved to a predetermined position, and the chuck table cleaning device 40 is moved laterally so that the chuck table 202 is moved. The chuck table cleaning device 40 is positioned directly above the head. Further, the chuck table cleaning device 40 is moved downward and brought into contact with the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202 to clean the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202. In this cleaning, after cleaning for a predetermined time set in advance, the chuck table cleaning device 40 is lifted and retracted in the lateral direction to finish the brush cleaning. Further, the laser interferometer 50 is moved from the direction opposite to the direction in which the chuck table cleaning device 40 has been retracted, and is disposed immediately above the chuck table 202.

次いで，ステップＳ１０４で，カセットから供給されたテスト用の鏡面ウェハ５６０をチャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａに載置する（ステップＳ１０４）。このとき，チャックテーブル２０２は，鏡面ウェハ５６０の受取位置まで移動し，搬送手段によって，チャックテーブル２０２の所定位置上に鏡面ウェハ５６０が載置される。鏡面ウェハ５６０を保持したチャックテーブル２０２は，レーザ干渉計５０の真下に移動する。なお，鏡面ウェハ５６０の厚さは，より正確にチャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａの状態を判断するため，その表面に電極５ａが形成された半導体チップ５を有する半導体ウェハ２の厚さと略同一厚さであることが好ましい。   Next, in step S104, the test mirror wafer 560 supplied from the cassette is placed on the plate-like object placement surface 202a of the chuck table 202 (step S104). At this time, the chuck table 202 moves to the receiving position of the mirror surface wafer 560, and the mirror surface wafer 560 is placed on a predetermined position of the chuck table 202 by the transfer means. The chuck table 202 holding the mirror wafer 560 moves directly under the laser interferometer 50. Note that the thickness of the mirror wafer 560 is the thickness of the semiconductor wafer 2 having the semiconductor chip 5 on which the electrode 5a is formed in order to determine the state of the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202 more accurately. And approximately the same thickness.

その後，ステップＳ１０６で，レーザ干渉計５０により，鏡面ウェハ５６０の平坦度が測定される（ステップＳ１０６）。なお，本実施形態においては，上記説明したように，レーザ干渉計５０が，鏡面ウェハ５６０の表面に現れる干渉縞の状態によって平面度測定を行うことができる。   Thereafter, in step S106, the flatness of the specular wafer 560 is measured by the laser interferometer 50 (step S106). In this embodiment, as described above, the laser interferometer 50 can perform flatness measurement according to the state of interference fringes appearing on the surface of the mirror wafer 560.

さらに，ステップＳ１０８で，鏡面ウェハ５６０の凹凸が予め設定された閾値（例えば，干渉縞の本数）よりも小さいか否かが判断される（ステップＳ１０８）。鏡面ウェハ５６０の凹凸が予め設定された閾値（例えば，干渉縞の本数）よりも小さいと判断される場合には，ステップＳ１１０で，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａ上に異物が存在しないと判断され（ステップＳ１１０），チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａの平面度測定処理を終了し，半導体チップ５に形成された電極５ａの高さを揃えるための切削工程が実行される。なお，撮像手段５８０により撮像された干渉縞の状態は，ユーザが黙視で判断することもでき，干渉縞読取装置を設置して自動的に判断することもできる。   Further, in step S108, it is determined whether or not the unevenness of the mirror wafer 560 is smaller than a preset threshold value (for example, the number of interference fringes) (step S108). If it is determined that the unevenness of the mirror surface wafer 560 is smaller than a preset threshold value (for example, the number of interference fringes), foreign matter is present on the plate-like object placement surface 202a of the chuck table 202 in step S110. (Step S110), the flatness measurement processing of the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202 is finished, and a cutting process for aligning the height of the electrodes 5a formed on the semiconductor chip 5 is executed. The Note that the state of the interference fringes picked up by the image pickup means 580 can be determined by the user with no sight, or can be automatically determined by installing an interference fringe reader.

一方，鏡面ウェハ５６０の凹凸が予め設定された閾値（例えば，干渉縞の本数）よりも大きいと判断される場合には，ステップＳ１１２で，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａの洗浄が，予め設定された洗浄回数（設定値）を超えたか否かが判断される（ステップＳ１１２）。チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａの洗浄が予め設定された洗浄回数（設定値）を超えていないと判断される場合には，ステップＳ１０２に移行し，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａの洗浄が繰り返される。   On the other hand, when it is determined that the unevenness of the mirror surface wafer 560 is larger than a preset threshold value (for example, the number of interference fringes), the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202 is cleaned in step S112. Then, it is determined whether or not a preset number of cleanings (set value) has been exceeded (step S112). When it is determined that the cleaning of the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202 has not exceeded the preset number of times of cleaning (set value), the process proceeds to step S102 and the plate-like object mounting of the chuck table 202 is performed. The cleaning of the mounting surface 202a is repeated.

一方，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａの洗浄が予め設定された洗浄回数（設定値）を超えたと判断される場合には，ステップＳ１１４に移行し，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａ上の異物の除去が不可能であると判断されて（ステップＳ１１４），チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａの平面度測定処理が終了する。   On the other hand, if it is determined that the cleaning of the plate-like object mounting surface 202a of the chuck table 202 has exceeded a preset number of times of cleaning (set value), the process proceeds to step S114, and the plate-like object mounting surface of the chuck table 202 is placed. It is determined that the foreign matter on the placement surface 202a cannot be removed (step S114), and the flatness measurement processing of the plate-like object placement surface 202a of the chuck table 202 is completed.

上記のように，本実施形態においては，干渉計を使用して，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａ上に載置された鏡面ウェハ５６２の平面度を測定することによって，チャックテーブル２０２の板状物載置面２０２ａ上に異物が存在しないことを短時間でかつ正確に確認することができる。また，異物の存在が確認された場合であっても，洗浄ユニット（チャックテーブル洗浄装置）によるチャックテーブル洗浄により，異物の存在が許容範囲内になってから電極の加工をおこなうので，バンプの高さを精度良く揃えることができる。   As described above, in the present embodiment, the chuck table 202 is measured by measuring the flatness of the mirror surface wafer 562 placed on the plate-like object placement surface 202a of the chuck table 202 using an interferometer. It can be confirmed in a short time and accurately that no foreign matter is present on the plate-like object mounting surface 202a. Even when the presence of foreign matter is confirmed, the electrode is processed after the foreign matter is within the allowable range by cleaning the chuck table with the cleaning unit (chuck table cleaning device). Can be accurately aligned.

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to the example which concerns. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. Understood.

上記実施形態においては，レーザ干渉計として，チャックテーブルの全面を測定可能なレーザ干渉計を採用した構成を例に挙げて説明したが，かかる例には限定されない。例えば，チャックテーブルの半径分の視野を持ったレーザ干渉計を使用することもできる。この場合には，チャックテーブルの半面を測定した後チャックテーブルを回転させて残りの反面を測定するように視野を切り替えて撮像することにより，チャックテーブル全体の干渉縞を読み取ることができる。かかる方法によれば，レーザ干渉計の大きさを小さくできるので，装置自体を小さく設計することができる。   In the above-described embodiment, the laser interferometer is described as an example of a configuration that employs a laser interferometer capable of measuring the entire surface of the chuck table. However, the present invention is not limited to this example. For example, a laser interferometer having a field of view equivalent to the radius of the chuck table can be used. In this case, the interference fringes of the entire chuck table can be read by measuring the half surface of the chuck table and then imaging by switching the field of view so that the chuck table is rotated and the remaining surface is measured. According to such a method, since the size of the laser interferometer can be reduced, the apparatus itself can be designed to be small.

また，上記実施形態においては，切削ユニットとして，基台に切削刃を設置した構成を例に挙げて説明したが，かかる例には限定されない。電極を加工することが可能な他のあらゆる構成の切削ユニットを採用することができる。   Moreover, in the said embodiment, although the structure which installed the cutting blade in the base as an example was demonstrated and demonstrated as a cutting unit, it is not limited to this example. Any other configuration cutting unit capable of machining the electrode can be employed.

また，上記実施形態においては，先に，半導体チップの電極を切削加工した後にチャックテーブルの平坦度を測定する構成を例に挙げて説明したが，かかる例には限定されない。最初の半導体チップの電極の切削加工時には，予めチャックテーブルの平坦度を測定することができる。 In the above-described embodiment, the configuration for measuring the flatness of the chuck table after cutting the electrodes of the semiconductor chip has been described as an example. However, the present invention is not limited to this example. When the first semiconductor chip electrode is cut, the flatness of the chuck table can be measured in advance.

本発明は，板状物に形成された電極の加工装置，板状物に形成された電極の加工方法，及び板状物に形成された電極の加工装置のチャックテーブルの平面度測定方法に適用可能である。   The present invention is applied to an electrode processing apparatus formed on a plate-shaped object, an electrode processing method formed on a plate-shaped object, and a chuck table flatness measuring method of an electrode processing apparatus formed on a plate-shaped object. Is possible.

図１は，第１の実施の形態にかかる板状物に形成された電極の加工装置の構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of an electrode processing apparatus formed on a plate-like object according to the first embodiment. 図２は，第１の実施の形態にかかる板状物に形成された電極を切削するための切削ユニット及び板状物を載置するためのチャックテーブルの構成を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing a configuration of a cutting unit for cutting an electrode formed on the plate-like object according to the first embodiment and a chuck table for mounting the plate-like object. 図３は，第１の実施の形態にかかる被加工物である，その表面に電極が形成された半導体チップを有する半導体ウェハの構成を示す上面図である。FIG. 3 is a top view showing a configuration of a semiconductor wafer having a semiconductor chip having an electrode formed on the surface thereof, which is a workpiece according to the first embodiment. 図４は，第１の実施の形態にかかるチャックテーブル洗浄装置の構成を示す縦断面図である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing the configuration of the chuck table cleaning device according to the first embodiment. 図５は，第１の実施の形態にかかるレーザ干渉計の構成を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the laser interferometer according to the first embodiment. 図６は，第１の実施の形態にかかるレーザ干渉の原理を説明するための説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining the principle of laser interference according to the first embodiment. 図７は，第１の実施の形態にかかる撮像手段が撮像した干渉縞画像の一例を示す模写図である。FIG. 7 is a copy diagram illustrating an example of an interference fringe image captured by the imaging unit according to the first embodiment. 図８は，第１の実施の形態にかかる板状物に形成された電極の加工方法を示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart showing a method for processing an electrode formed on a plate-like object according to the first embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１ 加工装置
２ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
５ａ 電極
１０ 搬送ユニット
２０ チャック手段
２０２ チャックテーブル
３０ 切削ユニット
４０ チャックテーブル洗浄装置
５０ レーザ干渉計
５１０ レーザ光源
５２０ 発散レンズ
５３０ ビームスプリッタ
５４０ コリメーターレンズ
５５０ 基準板
５５２ 参照面
５６０ 鏡面ウェハ
５６２ 被検面
５７０ 発散レンズ
５８０ 撮像手段
６０ 支持部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing apparatus 2 Semiconductor wafer 5 Semiconductor chip 5a Electrode 10 Transfer unit 20 Chuck means 202 Chuck table 30 Cutting unit 40 Chuck table cleaning apparatus 50 Laser interferometer 510 Laser light source 520 Diverging lens 530 Beam splitter 540 Collimator lens 550 Reference plate Surface 560 Specular wafer 562 Test surface 570 Diverging lens 580 Imaging means 60 Support section

Claims (3)

板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃えるための加工装置であって，
前記板状物を載置する板状物載置面を備えたチャックテーブルと，
前記チャックテーブルの前記板状物載置面を洗浄する洗浄ユニットと，
前記チャックテーブルに載置される高精度な平面を有するテスト用ウェハと，
前記チャックテーブルに載置された前記テスト用ウェハの干渉縞を読み取る干渉計と，
前記チャックテーブルに保持された前記板状物の表面に突出して形成された複数個の電極を切削して高さを揃える切削手段を具備する切削ユニットと，を具備する，
ことを特徴とする板状物に形成された電極の加工装置。 A processing device for aligning the height of a plurality of electrodes formed protruding from the surface of a plate-like object,
A chuck table having a plate-like object placement surface on which the plate-like object is placed;
A cleaning unit for cleaning the plate-like object mounting surface of the chuck table;
A test wafer having a high-precision plane placed on the chuck table;
An interferometer that reads the interference fringes of the test wafer placed on the chuck table;
A cutting unit including a cutting unit that cuts a plurality of electrodes formed on the surface of the plate-like object held by the chuck table so as to have a uniform height.
An electrode processing apparatus formed on a plate-like material. 板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃えるための加工方法であって，
前記チャックテーブルの板状物載置面を洗浄する第１の工程と，
前記チャックテーブルに載置された前記テスト用ウェハの干渉縞を読み取る第２の工程と，
前記干渉縞の状態が所定の許容範囲を超えているか否かを判断する第３の工程と，
前記第３の工程において前記干渉縞の状態が所定の許容範囲を超える場合には，再度，前記チャックテーブルの板状物載置面を洗浄する第４の工程と，
前記第３の工程において前記干渉縞の状態が所定の許容範囲内にある場合には，前記板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の切削を行う第５の工程と，を備える，
ことを特徴とする板状物に形成された電極の加工方法。 A processing method for aligning the heights of a plurality of electrodes formed protruding from the surface of a plate-like object,
A first step of cleaning the plate-like object mounting surface of the chuck table;
A second step of reading the interference fringes of the test wafer placed on the chuck table;
A third step of determining whether or not the state of the interference fringes exceeds a predetermined allowable range;
A fourth step of cleaning the plate-like object placement surface of the chuck table again when the state of the interference fringes exceeds a predetermined allowable range in the third step;
A fifth step of cutting a plurality of electrodes formed protruding from the surface of the plate-like object when the state of the interference fringes is within a predetermined allowable range in the third step; Prepare,
The processing method of the electrode formed in the plate-shaped object characterized by the above-mentioned. チャックテーブル上に載置された被加工物の切削または研削を行う加工装置における前記チャックテーブルの平面度測定方法において，
前記チャックテーブルの被加工物載置面に高精度な平面を有するテスト用ウェハを載置し，
前記チャックテーブルに載置された前記テスト用ウェハの干渉縞を読み取ることによって，前記チャックテーブルの平面度を測定する，
ことを特徴とするチャックテーブルの平面度測定方法。 In the method for measuring the flatness of the chuck table in a processing apparatus for cutting or grinding a workpiece placed on the chuck table,
A test wafer having a high-precision plane is placed on the workpiece placement surface of the chuck table;
Measuring the flatness of the chuck table by reading interference fringes of the test wafer placed on the chuck table;
A method for measuring the flatness of a chuck table.
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JP (1) JP4615225B2 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014003115A (en) * 2012-06-18 2014-01-09 Disco Abrasive Syst Ltd Processing method of wafer
JP2014053358A (en) * 2012-09-05 2014-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processing method
JP2014056889A (en) * 2012-09-11 2014-03-27 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer
CN103943488A (en) * 2013-01-21 2014-07-23 株式会社迪思科 Method for processing wafer
JP2017529681A (en) * 2014-06-24 2017-10-05 ケーエルエー−テンカー コーポレイション Patterned wafer shape measurement for semiconductor process control
JP2018144215A (en) * 2017-03-09 2018-09-20 株式会社ディスコ Wafer waviness detecting method and grinding device
JP2019121677A (en) * 2018-01-04 2019-07-22 株式会社ディスコ Planar object machining method
JP2021044371A (en) * 2019-09-11 2021-03-18 株式会社ディスコ Method for detecting foreign matter on holding surface
KR20210090544A (en) * 2020-01-10 2021-07-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Method of detecting foreign object on stage and detection apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173954A (en) * 1998-12-04 2000-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd Manufacture of semiconductor wafer and wheel for cutting
JP2000216122A (en) * 1999-01-20 2000-08-04 Toshiba Ceramics Co Ltd Surface grinding method for semiconductor wafer
JP2002289563A (en) * 2001-03-26 2002-10-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd Inspecting method and equipment of work holding board for polishing, and polishing method of work

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173954A (en) * 1998-12-04 2000-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd Manufacture of semiconductor wafer and wheel for cutting
JP2000216122A (en) * 1999-01-20 2000-08-04 Toshiba Ceramics Co Ltd Surface grinding method for semiconductor wafer
JP2002289563A (en) * 2001-03-26 2002-10-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd Inspecting method and equipment of work holding board for polishing, and polishing method of work

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014003115A (en) * 2012-06-18 2014-01-09 Disco Abrasive Syst Ltd Processing method of wafer
JP2014053358A (en) * 2012-09-05 2014-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processing method
JP2014056889A (en) * 2012-09-11 2014-03-27 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer
TWI602229B (en) * 2013-01-21 2017-10-11 Disco Corp Wafer processing methods
JP2014139964A (en) * 2013-01-21 2014-07-31 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer
CN103943488A (en) * 2013-01-21 2014-07-23 株式会社迪思科 Method for processing wafer
JP2017529681A (en) * 2014-06-24 2017-10-05 ケーエルエー−テンカー コーポレイション Patterned wafer shape measurement for semiconductor process control
JP2018144215A (en) * 2017-03-09 2018-09-20 株式会社ディスコ Wafer waviness detecting method and grinding device
CN108573889A (en) * 2017-03-09 2018-09-25 株式会社迪思科 The fluctuating detection method and grinding attachment of chip
CN108573889B (en) * 2017-03-09 2024-02-02 株式会社迪思科 Method for detecting undulation of wafer and grinding device
JP2019121677A (en) * 2018-01-04 2019-07-22 株式会社ディスコ Planar object machining method
JP2021044371A (en) * 2019-09-11 2021-03-18 株式会社ディスコ Method for detecting foreign matter on holding surface
JP7300943B2 (en) 2019-09-11 2023-06-30 株式会社ディスコ Foreign matter detection method on holding surface
KR20210090544A (en) * 2020-01-10 2021-07-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Method of detecting foreign object on stage and detection apparatus
KR102584069B1 (en) 2020-01-10 2023-09-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Method of detecting foreign object on stage and detection apparatus

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