JP2005191379A - Semiconductor integrated circuit chip and identification code write method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエハ番号、およびウエハ内における位置情報(座標データ)等の識別情報(識別コード)が記憶され、製品出荷後における製品管理および故障などの品質トラブル発生時の履歴調査が可能な半導体集積回路チップ、およびその識別コード書き込み方法に関するものである。 The present invention stores a wafer number and identification information (identification code) such as position information (coordinate data) in the wafer, and allows semiconductors to perform history management when a quality trouble such as product management or failure occurs after product shipment. The present invention relates to an integrated circuit chip and a method for writing an identification code thereof.
従来、製造された半導体集積回路の種類を識別するために、固有の電気的特性を付与した半導体集積回路が提案されている(特許文献1参照)。
特許文献1に開示された半導体集積回路は、識別子専用の端子間に半導体集積回路の種類に対応する固有の抵抗値を持つ抵抗が介挿されたものである。この抵抗の抵抗値を測定することにより、この半導体集積回路の種類を識別することができる。また、特許文献1には、識別子用の端子間に複数の抵抗を介挿し、この各抵抗の抵抗比を識別情報に対応させることも開示されている。
Conventionally, in order to identify the type of manufactured semiconductor integrated circuit, there has been proposed a semiconductor integrated circuit provided with unique electrical characteristics (see Patent Document 1).
In the semiconductor integrated circuit disclosed in Patent Document 1, a resistor having a specific resistance value corresponding to the type of the semiconductor integrated circuit is inserted between terminals dedicated to identifiers. By measuring the resistance value of the resistor, the type of the semiconductor integrated circuit can be identified. Patent Document 1 also discloses that a plurality of resistors are inserted between identifier terminals, and the resistance ratio of each resistor is associated with identification information.
また、識別情報を記憶させるID部を設けた半導体集積回路装置も提案されている(特許文献2参照)。特許文献2に開示された半導体集積回路装置は、その内部にチップID記憶回路と、チップID出力回路とが設けられている。また、半導体集積回路装置を検査する検査装置も提案されている。この検査装置からのモードレジスタセット信号Smrstにより、チップID検出モードにセットされる。このチップID検出モードにおいては、チップID出力回路は、検査装置にチップID出力信号Soidを出力する。
A semiconductor integrated circuit device provided with an ID section for storing identification information has also been proposed (see Patent Document 2). The semiconductor integrated circuit device disclosed in
ここで、図3は、特許文献2に開示された半導体集積回路装置を示す模式図である。
図3に示すように、半導体集積回路装置100は、LSI回路102と、チップID部104とを有する。このチップID部104は、機能ブロック回路(図示せず)内に設けられている。この機能ブロック回路を制御するための専用のテスト用の端子およびチップID出力用の端子が複数設けられている。機能ブロック回路の読み書きを制御する専用の装置により、チップID部104の識別情報が読み取られる。
Here, FIG. 3 is a schematic diagram showing the semiconductor integrated circuit device disclosed in
As shown in FIG. 3, the semiconductor
このチップID部104は、不揮発性メモリ、または図4に示すようなヒューズ部106と、デコーダ回路108とを有するROMが一般的に用いられている。
図4に示すチップID部104においては、複数のヒューズ素子f1〜fnが配置されたヒューズ部106と、このヒューズ部106の各ヒューズ素子f1〜fnの導通または非導通により2進数で表される識別情報を復号して、外部に出力するデコーダ回路108とを有する。
As the
In the
ヒューズ部106におけるヒューズ素子f1〜fnの数は、識別情報の情報量に応じて設定されるものである。
例えば、各ヒューズ素子f1〜fnにおいて、導通状態を「1」とし、非導通状態を「0」として、ヒューズ素子f1〜fnの数に応じたビット数で識別情報を記録することができる。
The number of fuse elements f 1 to f n in the
For example, in each of the fuse elements f 1 to f n , the conduction state is set to “1”, the non-conduction state is set to “0”, and the identification information is recorded with the number of bits corresponding to the number of the fuse elements f 1 to f n. Can do.
チップID部104における識別情報の書き込みは、ヒューズ素子f1〜fnに電圧を印加することによる電気的切断、またはレーザ光による溶断によって、非導通状態にすることにより行われる。
Writing of identification information in the
しかしながら、特許文献1に開示された半導体集積回路、および特許文献2に開示された半導体集積回路装置においては、識別子専用の端子を設ける必要があるという問題点がある。このため、半導体集積回路(装置)において、端子の総数を増やすか、または半導体集積回路(装置)本体の機能ために使用できる端子の数を減らす必要がある。端子の総数を増やす場合には、チップサイズが大きくなる可能性があり、製造コストが嵩むという問題点が生じる。さらに、使用できる端子の数を減らす場合には、半導体集積回路(装置)の機能を一部減らす必要がある虞もある。
However, the semiconductor integrated circuit disclosed in Patent Document 1 and the semiconductor integrated circuit device disclosed in
このように識別情報を読み取るためだけの専用端子を設けることは、現状のASIC(Application Specific Integrated Circuit)などの用途が特化された半導体集積回路の設計思想とは逆行するものとなる。すなわち、機能を特化したASICにおいては、できる限り、用途に直接的に用いられない不要な端子の数を減らすことが望まれている。これは、ユーザに自由に端子を使用させるためである。さらに、不要な端子の数を減らし、端子の総数を減らすことにより、チップサイズを小さくし、製造コストを抑制するためである。 Providing a dedicated terminal only for reading the identification information in this manner is contrary to the current design concept of a semiconductor integrated circuit specialized for an application such as an ASIC (Application Specific Integrated Circuit). That is, in an ASIC specialized for functions, it is desired to reduce the number of unnecessary terminals that are not directly used for applications as much as possible. This is to make the user freely use the terminal. Further, this is to reduce the chip size and the manufacturing cost by reducing the number of unnecessary terminals and reducing the total number of terminals.
さらに、特許文献2の半導体集積回路装置においては、識別情報を読み出す際には、半導体集積回路装置の内部を初期化し、チップID出力回路をイネーブル状態にして、デコーダ回路を介して識別情報を読み取る専用の装置が必要となる。このような専用の装置は、LSIテスタなどの高価な装置であり、最終的なコストが嵩むという問題点がある。
Furthermore, in the semiconductor integrated circuit device of
さらに、特許文献2の半導体集積回路装置においては、市場に出回った後に、電源端子とグランド端子(接地端子)とがショートするなどの重故障が生じた場合、デコーダ回路等が動作せず、識別情報を読み取ることができなくなる虞があるという問題点もある。
Further, in the semiconductor integrated circuit device disclosed in
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、専用端子を設けることなく、さらには、電源端子と接地端子とがショートするなどの重故障が生じた場合であっても、識別コードを読み取ることができる半導体集積回路チップおよび識別コード書き込み方法を提供することにある。 The object of the present invention is to eliminate the problems based on the prior art, without providing a dedicated terminal, and even when a serious failure such as a short circuit between a power supply terminal and a ground terminal occurs. A semiconductor integrated circuit chip capable of reading a code and an identification code writing method are provided.
上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、互いに独立した2つの接地端子を有する半導体集積回路チップであって、前記2つの接地端子間に、該チップの識別コードに対応付けられたインピーダンス値を有する素子を接続したことを特徴とする半導体集積回路チップを提供するものである。 In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit chip having two ground terminals independent from each other, wherein the chip is associated with an identification code of the chip between the two ground terminals. The present invention provides a semiconductor integrated circuit chip characterized by connecting elements having a specified impedance value.
また、本発明の第2の態様は、互いに独立した2つの接地端子を有する半導体集積回路チップに識別コードを書き込む方法であって、前記2つの接地端子間に、複数の受動素子と複数のヒューズとを互いに直列もしくは並列にして接続し、前記2つの接地端子間のインピーダンスが前記識別コードに対応付けられた値となるよう、前記複数のヒューズの導通、断線状態を設定することを特徴とする識別コードの書き込み方法を提供するものである。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of writing an identification code in a semiconductor integrated circuit chip having two ground terminals independent from each other, wherein a plurality of passive elements and a plurality of fuses are provided between the two ground terminals. Are connected in series or in parallel with each other, and the conduction and disconnection states of the plurality of fuses are set so that the impedance between the two ground terminals becomes a value associated with the identification code. An identification code writing method is provided.
本発明の半導体集積回路チップにおいては、互いに独立した2つの接地端子間に、識別コードに対応付けられたインピーダンス値を有する素子を接続する。従って、電源端子と接地端子とがショートするなどの重故障が生じた場合でも、その影響を受けることなく、ウエハ番号、ウエハ内の位置情報、または製造年月日などの識別コードを読み取ることができる可能性が高い。このため、半導体集積回路チップの製造工程の管理、および故障の追跡調査なども容易に行うことができる。 In the semiconductor integrated circuit chip of the present invention, an element having an impedance value associated with an identification code is connected between two independent ground terminals. Therefore, even if a serious failure such as a short circuit between the power supply terminal and the ground terminal occurs, the identification code such as the wafer number, position information in the wafer, or manufacturing date can be read without being affected by it. It is highly possible. For this reason, it is possible to easily manage the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit chip and track the failure.
また、本発明においては、接地端子間に識別コードに対応付けられたインピーダンス値を有する素子を設けることにより、識別コードを読み取るための専用の端子を設ける必要がない。これにより、端子の総数を増したり、使用できる端子の数を減らしたりすることも防止することができる。本発明は、識別コードを読み取るための専用の端子を設ける必要がないので、用途に直接用いられない不要な端子の数を減らすことができる。このため、用途に用いられる端子の数を増やすという要求にも対応できる。さらには、端子の数が多くなることにより生じるチップサイズの大型化も抑制することができる。これにより、製造コストも低く抑えることができる。 Further, in the present invention, by providing an element having an impedance value associated with the identification code between the ground terminals, it is not necessary to provide a dedicated terminal for reading the identification code. Thereby, it is possible to prevent the total number of terminals from being increased or the number of usable terminals from being decreased. In the present invention, since it is not necessary to provide a dedicated terminal for reading the identification code, it is possible to reduce the number of unnecessary terminals that are not directly used for the application. For this reason, the request | requirement of increasing the number of the terminals used for a use can also be responded. Furthermore, an increase in chip size caused by an increase in the number of terminals can be suppressed. Thereby, manufacturing cost can also be suppressed low.
さらに、本発明においては、インピーダンス値を測定するだけなので、専用の高価な装置を用いることなく測定することもでき、測定コストの上昇を抑制することができる。 Furthermore, in the present invention, since only the impedance value is measured, the measurement can be performed without using a dedicated expensive device, and an increase in measurement cost can be suppressed.
また、本発明の識別コードの書き込み方法においては、互いに独立した2つの接地端子間のインピーダンスが識別コードに対応付けられた値となるよう、複数のヒューズの導通、断線状態を設定することにより、電源端子と接地端子とがショートするなどの重故障が生じた場合でも、その影響を受ける可能性が小さく、ウエハ番号、ウエハ内の位置情報、または製造年月日などの識別コードを読み取ることができる。このため、半導体集積回路チップの製造工程の管理、および故障の追跡調査なども容易に行うことができる。 Further, in the identification code writing method of the present invention, by setting the conduction and disconnection state of the plurality of fuses so that the impedance between the two independent ground terminals becomes a value associated with the identification code, Even when a serious failure such as a short between the power supply terminal and the ground terminal occurs, it is unlikely to be affected, and it is possible to read the identification code such as the wafer number, position information in the wafer, or manufacturing date. it can. For this reason, it is possible to easily manage the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit chip and track the failure.
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の半導体集積回路チップおよび識別コード書き込み方法を詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例に係る半導体集積回路チップを示す模式図である。
図1に示すように、半導体集積回路チップ10は、LSI回路12が形成されているものである。このLSI回路12には、複数の機能ブロック回路が設けらており、これらの各機能ブロック回路に対応して、例えば、電源1、電源2、および電源nの端子、信号の端子、グランド1、グランド2、およびグランドnの端子が設けられている。
なお、グランド1の端子、グランド2の端子、およびグランドnの端子は、互いに独立した接地端子である。
Hereinafter, a semiconductor integrated circuit chip and an identification code writing method of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a semiconductor integrated circuit chip according to an embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the semiconductor
In addition, the terminal of the ground 1, the terminal of the
また、図2(a)に示すように、グランド1の端子とグランド2の端子との間には、チップID部14が設けられている。チップID部14は、例えば、LSI回路12と同一半導体基板上に形成されるものである。
このチップID部14は、予め識別コードに対応付けられたインピーダンス値を設定することができるものである。
Further, as shown in FIG. 2A, a
The
識別コードとしては、例えば、ウエハ番号、ウエハの位置情報(ウエハ内における座標データ)、スライス番号、製造年月日、製造工場、製造ライン、LSI回路の品種、LSI回路の機能、および製造に使用されたマスクのバージョンなどが挙げられる。 Examples of identification codes include wafer number, wafer position information (coordinate data in the wafer), slice number, date of manufacture, manufacturing factory, manufacturing line, LSI circuit type, LSI circuit function, and manufacturing Such as the version of the mask that was made.
チップID部14は、インピーダンス値として、例えば、抵抗値を変えることにより、所定の識別コードに設定するものである。チップID部14は、例えば、図2(b)に示すように、ヒューズ素子f1〜fnと抵抗素子(受動素子)R1〜Rnとにより構成されるものである。ヒューズ素子f1〜fnのそれぞれと対応する抵抗素子R1〜Rnとが互いに並列に接続され、さらに、それらの組が直列に接続されている。
The
ヒューズ素子f1〜fnは、例えば、電圧印加による電気的切断またはレーザ光による溶断により、非導通状態にされるものである。このヒューズ素子としては、例えば、ポリシリコン、アルミニウム、およびAl−Cu合金などを材料にするものが挙げられる。チップID部14におけるヒューズ素子f1〜fnの数は、識別情報の情報量に応じて設定されるものである。
The fuse elements f 1 to f n are brought into a non-conducting state, for example, by electrical disconnection by voltage application or fusing by laser light. Examples of the fuse element include those made of polysilicon, aluminum, Al—Cu alloy, and the like. The number of fuse elements f 1 to f n in the
チップID部14における識別コードの書き込みは、例えば、ヒューズ素子f1〜fnをレーザ光による溶断により、非導通状態にすることにより行われる。
Writing of the identification code in the
抵抗素子R1〜Rnは、抵抗値がR×2n(nは自然数であり、0を含まない。)となるように設定されているものであり、特に限定されるものではない。
例えば、抵抗素子R1の抵抗値が2kΩである場合、抵抗素子R2の抵抗値は4kΩであり、抵抗素子R3の抵抗値は8kΩである。
このような構成のチップID部14において、ヒューズ素子を切断し、非導通状態にすることにより、任意の抵抗値に設定することができる。
本実施例においては、チップID部14の抵抗値を測定することにより、識別コードを読み出すことができる。
The resistance elements R 1 to R n are set to have a resistance value of R × 2 n (n is a natural number and does not include 0), and are not particularly limited.
For example, when the resistance value of the resistance element R 1 is 2 kΩ, the resistance value of the resistance element R 2 is 4 kΩ, and the resistance value of the resistance element R 3 is 8 kΩ.
In the
In the present embodiment, the identification code can be read by measuring the resistance value of the
チップID部14における抵抗値の設定可能な範囲は、読み出しの際に、接触抵抗による測定誤差を考慮して、数kΩ〜数百kΩとすることが好ましい。これにより、約9ビットの識別コードを表現することができる。9ビットの場合には、抵抗値の範囲は、例えば、2kΩ〜512kΩとなる。
The range in which the resistance value can be set in the
なお、抵抗の測定精度を更に向上させるためには、例えば、グランドnの端子に基準となるリファレンス抵抗素子を接続する。これにより、グランド1、グランド2およびグランドnの3つの端子を用いることにより、抵抗値の測定精度を向上させることができる。
また、本実施例においては、グランド1およびグランド2の2つの接地端子間にチップID部14を設けたが、本発明は、これに限定されるものではない。本発明においては、接地端子が3つ以上ある場合には、各接地端子間に、抵抗素子とヒューズ素子とを配置することにより、更に多くのビット数で識別コードを表現することができる。
In order to further improve the resistance measurement accuracy, for example, a reference resistance element serving as a reference is connected to the terminal of the ground n. Thereby, the measurement accuracy of the resistance value can be improved by using the three terminals of the ground 1, the
In this embodiment, the
なお、本実施例のチップID部には、抵抗素子とヒューズ素子を用いたが、本発明は、これに限定されるものではない。抵抗素子に変えて、容量素子を用いてもよく、容量素子は、ヒューズ素子に並列に接続することが好ましい。この場合、インピーダンス値として、容量値を用いることになる。 In addition, although the resistance element and the fuse element were used for the chip ID portion of the present embodiment, the present invention is not limited to this. A capacitive element may be used instead of the resistive element, and the capacitive element is preferably connected in parallel to the fuse element. In this case, a capacitance value is used as the impedance value.
また、本実施例においては、ヒューズ素子は、レーザ光線による加熱により、切断されるものとしたが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、過電圧の印加により非導通状態になるものとしてもよい。ヒューズ素子としてさらに、過電圧の印加により導通状態になる素子(アンチヒューズ素子)を用いることもできる。いずれの場合においても、複数の抵抗と複数のヒューズとを互いに直列もしくは並列にして接続し、これらのヒューズの導通、非導通状態を設定して、抵抗値を調整することにより、所定の識別コードに設定することができる。 In this embodiment, the fuse element is cut by heating with a laser beam, but the present invention is not limited to this. For example, a non-conducting state may be caused by application of an overvoltage. Further, an element (anti-fuse element) that becomes conductive when an overvoltage is applied can be used as the fuse element. In any case, a plurality of resistors and a plurality of fuses are connected in series or in parallel to each other, and a predetermined identification code is set by adjusting the resistance value by setting the conduction and non-conduction states of these fuses. Can be set to
本実施例のチップID部の構成は、特に限定されるものではない。例えば、基板がN型基板である場合、接地端子は、基板表面に形成されたPウエルに接続される。基板と接地端子との電位関係を、PN接合が逆方向にバイアスされるように適切に保つことにより、接地端子と基板との間の抵抗値を十分に高いものとすることができる。これにより、接地端子間に接続したチップID部の抵抗値を正確に測定することができる。 The configuration of the chip ID portion of this embodiment is not particularly limited. For example, when the substrate is an N-type substrate, the ground terminal is connected to a P-well formed on the substrate surface. By appropriately maintaining the potential relationship between the substrate and the ground terminal so that the PN junction is biased in the reverse direction, the resistance value between the ground terminal and the substrate can be made sufficiently high. Thereby, the resistance value of the chip ID portion connected between the ground terminals can be accurately measured.
また、本実施例において、基板として、P型基板を使用する場合、P型基板に深いNウエルと、このNウエルの中にPウエルを形成した2重ウエルとする。このPウエルに、複数の接地端子のうち、少なくとも1つを接続し、基板、Nウエル、およびPウエルの電位関係を、PN接合が逆方向にバイアスされるように適切に保つことにより、接地端子間の抵抗値を十分に高いものとすることができる。これにより、接地端子間に接続したチップID部の抵抗値を正確に測定することができる。 In this embodiment, when a P-type substrate is used as the substrate, a deep N well is formed on the P-type substrate, and a double well is formed by forming a P well in the N well. By connecting at least one of a plurality of ground terminals to the P-well and maintaining the potential relationship of the substrate, the N-well, and the P-well appropriately so that the PN junction is biased in the reverse direction, The resistance value between the terminals can be made sufficiently high. Thereby, the resistance value of the chip ID portion connected between the ground terminals can be accurately measured.
さらに、本実施例において、半導体集積回路チップが、SOI(Silicon On Isolator)デバイスである場合には、形成される各素子が完全に電気的に分離されているので、接地端子間の抵抗値は高い。これにより、接地端子間に接続したチップID部の抵抗値を正確に測定することができる。 Furthermore, in this embodiment, when the semiconductor integrated circuit chip is an SOI (Silicon On Isolator) device, each element to be formed is completely electrically isolated, so that the resistance value between the ground terminals is high. Thereby, the resistance value of the chip ID portion connected between the ground terminals can be accurately measured.
次に、本実施例の識別コード書き込み方法について説明する。
本実施例においては、予め識別コードに応じた抵抗値が設定されている。半導体集積回路チップに応じて、所定の抵抗値となるように、ヒューズ素子を、例えば、レーザ光により切断する。
これにより、所定の識別コードを半導体集積回路チップに付与することができる。
グランド1の端子およびグランド2の端子との間の抵抗値を測定することにより、その抵抗値に基づいて識別コードを読み取ることができる。
Next, the identification code writing method of the present embodiment will be described.
In this embodiment, a resistance value corresponding to the identification code is set in advance. The fuse element is cut by, for example, laser light so as to have a predetermined resistance value according to the semiconductor integrated circuit chip.
Thereby, a predetermined identification code can be given to the semiconductor integrated circuit chip.
By measuring the resistance value between the ground 1 terminal and the
以上のように、本実施例においては、接地端子間に、識別コードに対応付けたインピーダンス値を有するチップID部を設け、グランド1の端子およびグランド2の端子間の抵抗値を測定することにより、識別コードを読み取ることができる。このため、識別コードを読み取るための特別な専用の端子を設ける必要がない。よって、例えば、機能が特化されたASICにおいて、用途に直接用いられない不要な端子の数を減らすことができる。これにより、ユーザが自由に使用できる端子の数を増やすことができる。
また、本実施例においては、不要な端子の数を減らすことができるので、不要な端子の数が多くなることによる端子の総数の増加も抑制できる。よって、端子の総数の増加により生じるチップサイズの大型化も抑制することができる。これにより、製造コストも低く抑えることができる。
さらに、本実施例においては、グランド1の端子およびグランド2の端子間の抵抗値を測定するだけなので、特別に専用の測定装置も不要であり、コストの増加を抑制することができる。
As described above, in this embodiment, the chip ID portion having the impedance value associated with the identification code is provided between the ground terminals, and the resistance value between the ground 1 terminal and the
Further, in this embodiment, the number of unnecessary terminals can be reduced, so that an increase in the total number of terminals due to an increase in the number of unnecessary terminals can also be suppressed. Therefore, an increase in chip size caused by an increase in the total number of terminals can be suppressed. Thereby, manufacturing cost can also be suppressed low.
Furthermore, in this embodiment, since only the resistance value between the ground 1 terminal and the
さらにまた、本実施例においては、接地端子と電源端子とがショートするような重故障が生じた場合であっても、グランド1の端子およびグランド2の端子間の抵抗値を測定しているので、識別コードを高い確率で読み取ることができる。このため、重故障が生じた場合でも、追跡調査が可能となり、故障の原因または同じウエハで製造された半導体集積回路チップも特定することができる。
さらに、グランド1の端子およびグランド2の端子間の抵抗値を測定するだけなので、製造工程における管理も容易に行うことができる。
Furthermore, in this embodiment, even when a serious failure occurs in which the ground terminal and the power supply terminal are short-circuited, the resistance value between the ground 1 terminal and the
Furthermore, since only the resistance value between the terminal of the ground 1 and the terminal of the
本発明は、基本的に以上のようなものである。
以上、本発明の半導体集積回路チップおよび識別コード書き込み方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
The present invention is basically as described above.
The semiconductor integrated circuit chip and the identification code writing method of the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various improvements or modifications can be made without departing from the gist of the present invention. Of course it is also good.
10 半導体集積回路チップ
12、102 LSI回路
14、104 チップID部
100 半導体集積回路装置
106 ヒューズ部
108 デコーダ回路
f1〜fn ヒューズ素子
R1〜Rn 抵抗素子
10 a semiconductor integrated
Claims (2)
前記2つの接地端子間に、該チップの識別コードに対応付けられたインピーダンス値を有する素子を接続したことを特徴とする半導体集積回路チップ。 A semiconductor integrated circuit chip having two ground terminals independent from each other,
A semiconductor integrated circuit chip, wherein an element having an impedance value associated with an identification code of the chip is connected between the two ground terminals.
前記2つの接地端子間に、複数の受動素子と複数のヒューズとを互いに直列もしくは並列にして接続し、
前記2つの接地端子間のインピーダンスが前記識別コードに対応付けられた値となるよう、前記複数のヒューズの導通、断線状態を設定することを特徴とする識別コードの書き込み方法。 A method of writing an identification code on a semiconductor integrated circuit chip having two ground terminals independent from each other,
A plurality of passive elements and a plurality of fuses are connected in series or in parallel with each other between the two ground terminals,
A method for writing an identification code, wherein the conduction and disconnection states of the plurality of fuses are set so that an impedance between the two ground terminals becomes a value associated with the identification code.
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